JP6063587B2 - アレイ基板、表示装置、及びアレイ基板の製造方法 - Google Patents
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Description
組立工程は、アレイ基板とカラーフィルタ基板とを貼着する工程の前に、アレイ基板とカラーフィルタ基板との外周縁部に接着剤を注入するステップを含む。具体的には、接着剤を注入するステップと硬化させつステップとを含む。
基板を提供し、
該基板上にソース電極と、ドレイン電極と、駆動電極と、第1コンデンサ電極とを形成し、
該ソース電極と該ドレイン電極と該駆動電極と該第1コンデンサ電極とを覆い、かつ該第1コンデンサ電極を覆う第1領域と該駆動電極を覆う第2領域とを含むとともに、該第2領域の厚さを該第1領域の厚さより厚くし、該第2領域をその上にガラス熱接着剤を形成するために供する、第1誘電層を形成し、
該第1誘電層の第該1領域上に第2コンデンサ電極を形成し、
該第2コンデンサ電極と、該第1コンデンサ電極と、該第1誘電層とによって第1コンデンサを形成する。
請求項1における第1誘電層を形成した後、
さらに該第1誘電層上に、該ソース電極に接続する画素電極を形成し、かつ該第1誘電層上に該第2コンデンサ電極を覆う有機材料層を形成し、かつ該画素電極は該有機材料層から露出させ、
該有機材料層7にスペーサーを凸起して設ける工程をさらに含む。
該第2誘電層上に半導体層と第3コンデンサ電極とを形成し、
該第3誘電層を該第2誘電層上に形成して該半導体層と該第3コンデンサ電極とを覆い、
該第3誘電層上にはゲート電極と第4コンデンサ電極とを形成し、該ゲート電極と該半導体層とが対向し、かつ該第4コンデンサ電極と、該第3コンデンサ電極と、その間の該第3誘電層とによって第2コンデンサ9を形成し、
該第3誘電層に、該ゲート電極と該第4コンデンサ電極とを覆う第4誘電層を形成し、
該第4誘電層上に該ソース電極と、該ドレイン電極と、該第1コンデンサ電極と、該駆動電極とを形成し、かつ該ソース電極と該ドレイン電極が、いずれも該半導体層に接続する、ステップをさらに含む。
基板と、駆動電極と、第1コンデンサと、ソース電極と、ドレイン電極と、第1誘電層と、第1コンデンサ電極と第2コンデンサ電極と第1コンデンサとを含んでなり、
該ソース電極と、該ドレイン電極と、該駆動電極と、該第1コンデンサ電極とが該基板上に形成され、
該第1誘電層が該ソース電極と、該ドレイン電極と、該駆動電極と、該第1コンデンサ電極を覆い、
該第1誘電層が該第1コンデンサ電極を覆う第1領域と、該駆動電極を覆う第2領域とを含み、
該第2領域の厚さが該第1領域の厚さより厚く、
該第2領域がガラス熱接着剤を形成するために供され、かつ該第2コンデンサ電極が該第1領域上に形成される。
請求項5に記載のアレイ基板がさらに画素電極と有機材料層とスペーサーとを含み、
該画素電極が該第1誘電層上に形成され、かつ該ソース電極に接続し、
該有機材料層が該第1誘電層上に形成され、かつ該第2コンデンサ電極を覆い、
該画素電極が該有機材料層から露出し、
該スペーサーが該有機材料層に凸起して設けられる。
請求項8に記載のアレイ基板が、第2誘電層と、半導体層と、第3誘電層と、ゲート電極と、第4誘電層と、第2コンデンサとを含んでなり、
該第2コンデンサが第3コンデンサ電極と第4コンデンサ電極とを含んでなり、
該第2誘電層が該基板上に形成され、該半導体層と該第3コンデンサ電極とが該第2誘電層と該第3誘電層との間に形成され、
該ゲート電極と該第4コンデンサ電極とが該第3誘電層と該第4誘電層との間に形成され、
該ソース電極と該ドレイン電極が該半導体層に接続する。
アレイ基板と、カラーフィルタ基板と、フレキシブルプリント基板と、ガラス熱接着剤を注入するシール面とを具え、該シール面は該アレイ基板と該カラーフィルタ基板との間に位置し、
前記アレイ基板が、駆動電極と、第1コンデンサ電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、第1誘電層と、第1コンデンサ電極と第2コンデンサ電極とを含んでなる第1コンデンサとを含み、
該ソース電極と、該ドレイン電極と、該駆動電極と、該第1コンデンサ電極とが基板上に形成され、
該第1誘電層が該ソース電極と、該ドレイン電極と、該駆動電極と、該第1コンデンサ電極を覆い、
該第1誘電層が該第1コンデンサ電極を覆う第1領域と、該駆動電極を覆う第2領域とを含み、かつ該第2領域の厚さが該第1領域の厚さより厚く、該第2領域がガラス熱接着剤を形成するために供され、
該第2コンデンサ電極が該第1領域上に形成される。
請求項10におけるアレイ基板がさらに画素電極と有機材料層とスペーサーとを含み、
該画素電極が該第1誘電層上に形成され、かつ該ソース電極に接続し、
該有機材料層が該第1誘電層上に形成され、かつ該第2コンデンサ電極を覆い、
該画素電極が該有機材料層から露出し、
該スペーサーが該有機材料層に凸起して設けられる。
請求項13に記載の表示装置において、
前記アレイ基板が、第2誘電層と、半導体層と、第3誘電層と、ゲート電極と、第4誘電層と、第2コンデンサとを含んでなり、該第2コンデンサが第3コンデンサ電極と第4コンデンサ電極とを含んでなり、
該第2誘電層が該基板上に形成され、該半導体層と該第3コンデンサ電極とが該第2誘電層と該第3誘電層との間に形成され、
該ゲート電極と該第4コンデンサ電極とが該第3誘電層と該第4誘電層との間に形成され、
該ソース電極が該ドレイン電極と該半導体層に接続する。
100 アレイ基板
2 駆動電極
20 フレキシブルプリント基板
21 カラーフィルタ基板
22 ガラス熱接着剤
3 第1コンデンサ
31 第1コンデンサ電極
32 第2コンデンサ電極
41 ソース電極
42 ドレイン電極
43 半導体層
44 ゲート電極
51 第1誘電層
511 第1領域
512 第2領域
52 第2誘電層
53 第3誘電層
54 第4誘電層
8 スペーサー
9 第2コンデンサ
91 第3コンデンサ電極
92 第4コンデンサ電極
Claims (14)
- 基板を提供し、
該基板上にソース電極と、ドレイン電極と、駆動電極と、第1コンデンサ電極とを形成し、
該ソース電極と該ドレイン電極と該駆動電極と該第1コンデンサ電極とを覆い、かつ該第1コンデンサ電極を覆う第1領域と該駆動電極を覆う第2領域とを含むとともに、該第2領域の厚さを該第1領域の厚さより厚くし、該第2領域をその上にガラス熱接着剤を形成するために供する、第1誘電層を形成し、
該第1誘電層の第該1領域上に第2コンデンサ電極を形成し、
該第2コンデンサ電極と、該第1コンデンサ電極と、該第1誘電層とによって第1コンデンサを形成する
ことを特徴とするアレイ基板の製造方法。 - 請求項1に記載のアレイ基板の製造方法において、
前記第1領域の厚さが200から1000Åの間であって、該第2領域の厚さが1000から8000Åとする
ことを特徴とするアレイ基板の製造方法。 - 請求項1に記載のアレイ基板の製造方法において、
前記第1誘電層を形成した後、さらに該第1誘電層上に、該ソース電極に接続する画素電極を形成し、かつ該第1誘電層上に該第2コンデンサ電極を覆う有機材料層を形成し、かつ該画素電極は該有機材料層から露出させ、
該有機材料層7にスペーサーを凸起して設ける工程をさらに含む
ことを特徴とするアレイ基板の製造方法。 - 請求項1に記載のアレイ基板の製造方法において、
前記基板上にソース電極と、ドレイン電極と、駆動電極と、第1コンデンサ電極とを形成するステップが、該基板上に第2誘電層を形成し、
該第2誘電層上に半導体層と第3コンデンサ電極とを形成し、
該第3誘電層を該第2誘電層上に形成して該半導体層と該第3コンデンサ電極とを覆い、
該第3誘電層上にはゲート電極と第4コンデンサ電極とを形成し、該ゲート電極と該半導体層とが対向し、かつ該第4コンデンサ電極と、該第3コンデンサ電極と、その間の該第3誘電層とによって第2コンデンサ9を形成し、
該第3誘電層に、該ゲート電極と該第4コンデンサ電極とを覆う第4誘電層を形成し、
該第4誘電層上に該ソース電極と、該ドレイン電極と、該第1コンデンサ電極と、該駆動電極とを形成し、かつ該ソース電極と該ドレイン電極が、いずれも該半導体層に接続する、ステップをさらに含む
ことを特徴とするアレイ基板の製造方法。 - 基板と、駆動電極と、第1コンデンサと、ソース電極と、ドレイン電極と、第1誘電層と、第1コンデンサ電極と第2コンデンサ電極と第1コンデンサとを含んでなり、
該ソース電極と、該ドレイン電極と、該駆動電極と、該第1コンデンサ電極とが該基板上に形成され、
該第1誘電層が該ソース電極と、該ドレイン電極と、該駆動電極と、該第1コンデンサ電極を覆い、
該第1誘電層が該第1コンデンサ電極を覆う第1領域と、該駆動電極を覆う第2領域とを含み、
該第2領域の厚さが該第1領域の厚さより厚く、
該第2領域がガラス熱接着剤を形成するために供され、かつ該第2コンデンサ電極が該第1領域上に形成される
ことを特徴とするアレイ基板。 - 請求項5に記載のアレイ基板において、
前記第1領域の厚さが200から1000Åの間であって、該第2領域の厚さが1000から8000Åとする
ことを特徴とするアレイ基板。 - 請求項5に記載のアレイ基板において、
前記アレイ基板がさらに画素電極と有機材料層とスペーサーとを含み、該画素電極が該第1誘電層上に形成され、かつ該ソース電極に接続し、
該有機材料層が該第1誘電層上に形成され、かつ該第2コンデンサ電極を覆い、
該画素電極が該有機材料層から露出し、
該スペーサーが該有機材料層に凸起して設けられる
ことを特徴とするアレイ基板。 - 請求項5に記載のアレイ基板において、
前記第2コンデンサ電極が金属材料か、もしくは光透過性の導電材料によってなる
ことを特徴とするアレイ基板。 - 請求項8に記載のアレイ基板において、
前記アレイ基板が、第2誘電層と、半導体層と、第3誘電層と、ゲート電極と、第4誘電層と、第2コンデンサとを含んでなり、
該第2コンデンサが第3コンデンサ電極と第4コンデンサ電極とを含んでなり、
該第2誘電層が該基板上に形成され、該半導体層と該第3コンデンサ電極とが該第2誘電層と該第3誘電層との間に形成され、
該ゲート電極と該第4コンデンサ電極とが該第3誘電層と該第4誘電層との間に形成され、
該ソース電極と該ドレイン電極が該半導体層に接続する
ことを特徴とするアレイ基板。 - アレイ基板と、カラーフィルタ基板と、フレキシブルプリント基板と、ガラス熱接着剤を注入するシール面とを具え、該シール面は該アレイ基板と該カラーフィルタ基板との間に位置し、
前記アレイ基板が、駆動電極と、第1コンデンサ電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、第1誘電層と、第1コンデンサ電極と第2コンデンサ電極とを含んでなる第1コンデンサとを含み、
該ソース電極と、該ドレイン電極と、該駆動電極と、該第1コンデンサ電極とが基板上に形成され、
該第1誘電層が該ソース電極と、該ドレイン電極と、該駆動電極と、該第1コンデンサ電極を覆い、
該第1誘電層が該第1コンデンサ電極を覆う第1領域と、該駆動電極を覆う第2領域とを含み、かつ該第2領域の厚さが該第1領域の厚さより厚く、該第2領域がガラス熱接着剤を形成するために供され、
該第2コンデンサ電極が該第1領域上に形成される
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項10に記載の表示装置において、
前記第1領域の厚さが200から1000Åの間であって、該第2領域の厚さが1000から8000Åとする
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項10に記載の表示装置において、
前記アレイ基板がさらに画素電極と有機材料層とスペーサーとを含み、該画素電極が該第1誘電層上に形成され、かつ該ソース電極に接続し、
該有機材料層が該第1誘電層上に形成され、かつ該第2コンデンサ電極を覆い、
該画素電極が該有機材料層から露出し、
該スペーサーが該有機材料層に凸起して設けられる
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項10に記載の表示装置において、
前記第2コンデンサ電極が金属材料か、もしくは光透過性の導電材料によってなる
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項13に記載の表示装置において、
前記アレイ基板が、第2誘電層と、半導体層と、第3誘電層と、ゲート電極と、第4誘電層と、第2コンデンサとを含んでなり、該第2コンデンサが第3コンデンサ電極と第4コンデンサ電極とを含んでなり、
該第2誘電層が該基板上に形成され、該半導体層と該第3コンデンサ電極とが該第2誘電層と該第3誘電層との間に形成され、
該ゲート電極と該第4コンデンサ電極とが該第3誘電層と該第4誘電層との間に形成され、
該ソース電極が該ドレイン電極と該半導体層に接続する
ことを特徴とする表示装置。
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JP3525102B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2004-05-10 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネルの製造方法 |
JP3964223B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2007-08-22 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ装置 |
JP2006108654A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-04-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 無線チップ |
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KR101776655B1 (ko) * | 2010-07-01 | 2017-09-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판, 그 제조 방법, 및 상기 어레이 기판을 포함하는 표시 장치 |
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