DE112013001611T5 - Direktwachstum von Diamant in Durchkontakten auf der Rückseite von GaN HEMT Bauteilen - Google Patents

Direktwachstum von Diamant in Durchkontakten auf der Rückseite von GaN HEMT Bauteilen Download PDF

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Abstract

Ein GaN Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (GaN high-electron-mobility transistor (HEMT)) hat ein Substrat aus Siliziumcarbid (SiC Substrat) mit einer Oberseite und einer Unterseite, bei dem das Substrat ferner einen Durchkontakt aufweist, der von der Rückseite her in das Substrat hinein ausgebildet ist. Das Bauteil weist eine Vielzahl von Epitaxieschichten auf, die auf der Oberseite des Substrats ausgebildet sind, eine Vielzahl von Bauteilschichten, die auf den Epitaxieschichten vorgesehen sind, und eine Diamantschicht, die innerhalb des Durchkontakts vorgesehen ist.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung bezieht sich allgemein auf GaN Halbleiterbauteile und insbesondere auf einen GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) bzw. GaN Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, der auf einem Substrat aus Siliziumcarbid (SiC Substrat) hergestellt ist, bei dem das Substrat einen Durchkontakt auf der Rückseite mit Diamant aufweist.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Integrierte Schaltkreise werden verbreitet mithilfe von Epitaxie-Herstellungsprozessen gefertigt, die Halbleiterschichten auf einem Substrat niederschlagen oder aufwachsen lassen, um die Komponenten des Schaltkreises des Bauteils zu erzeugen. Substrate für integrierte Schaltungen können verschiedene Materialien enthalten, üblicherweise Halbleitermaterialien, wie zum Beispiel Silizium, Saphir, SiC, InP, GaAs usw.. Mit fortschreitender Entwicklung und zunehmender Komplexität der Herstellung von integrierten Schaltkreisen können innerhalb der gleichen Fläche immer mehr Schaltungskomponenten auf dem Substrat und immer dichter gepackt hergestellt werden. Hinzukommt, dass es diese Herstellungstechnik für integrierte Schaltkreise möglich macht, die Arbeitsfrequenz des Schaltkreises zu sehr hohen Frequenzen, bis in den GHz-Bereich hinein, zu erhöhen.
  • HEMT Bauelemente sind verbreitete Halbleiterbauteile, die viele Anwendungen haben, insbesondere Anwendungen im Hochfrequenzbereich und im Bereich hoher Leistungen, zum Beispiel in Leistungsverstärkern. GaN HEMT Bauteile haben gewöhnlich eine auf einem für diese Anwendungen geeigneten Substrat gewachsene Epitaxieschicht, wobei das Substrat eine hohe thermische Leitfähigkeit haben und elektrisch isolieren muss, einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten zu haben hat, der dem des GaN gleicht, und einen Gitterabstand aufweisen muss, der zu einem geeigneten epitaxialen Wachstum passt. Von geeigneten Materialien, die sowohl bestens thermisch leitfähig und elektrisch isolierend sind, gibt es nicht viele.
  • Ein thermisch hoch leitfähiges Substrat ist erforderlich, damit Wärme aus der Verbindungsschicht des Bauelements durch die Epitaxieschichten und das Substrat abgeleitet werden kann, so dass das Bauelement in der Lage ist, auch bei hoher Leistung zuverlässig zu arbeiten. Insbesondere wenn die Temperatur des Bauelements über einen Schwellwert der Temperatur hinaus ansteigt, wird die elektrische Leistung des Bauelements verringert, was die hohe Leistungsfähigkeit vermindert. Ferner verringert eine zu hohe Temperatur innerhalb des Bauelements dessen Zuverlässigkeit, da die Zeit bis zum Ausfall herabgesetzt wird. Auch sind diese Arten von Bauteilen typisch für Hochfrequenzgeräte, die mit zunehmender Frequenz kleiner werden, was deren Fähigkeit Wärme abzuleiten vermindert. Der leitfähige Pfad für Wärme, die in einem HEMT Bauelement an der Verbindungsschicht erzeugt wird, bewirkt, dass die Wärme durch die Epitaxieschichten und das Substrat und in das Gehäuse des Bauelements abschließt. Es ist daher erforderlich, ein thermisch hoch leitfähiges Substrat vorzusehen, das den Pfad für die Wärmeableitung aus dem Bauelement nicht behindert und das es der Wärme ermöglicht, sich über eine große Fläche zu verteilen. Die Dicke des Substrats ist dahingehend optimiert, dass der Pfad für die Wärmeableitung aus dem Bauelement in das Gehäuse einen geringen Widerstand hat und damit die Fähigkeit der Ableitung der Wärme aus dem Bauelement nach außen besteht.
  • Für GaN HEMT Bauelemente sind Substrate aus Siliziumcarbid (SiC) derzeit für die Sicherstellung der erforderlichen Eigenschaften der elektrischen Isolierung, der hohen thermischen Leitfähigkeit, einer guten Entsprechung des Kristallgitters zu dem des GaN und eines gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten mit dem des GaN Industriestandard. Obwohl Siliziumcarbid ein guter Wärmeleiter ist, ist dessen Wärmeleitfähigkeit jedoch immer noch begrenzt und bei ansteigender Temperatur der Verbindungsschicht in dem Bauelement ist die Fähigkeit des Substrats aus Siliziumcarbid die Wärme abzuleiten, immer noch beschränkt, was die Ausgabeleistung von GaN HEMT Bauelementen einschränkt und folglich deren Zuverlässigkeit, was zuvor erwähnt wurde, begrenzt.
  • Es besteht daher der Wunsch, ein geeignetes Substrat für ein GaN HEMT Bauelement zu schaffen, das eine größere Wärmeleitfähigkeit als Siliziumcarbid hat. Diamant ist elektrisch isolierend und hat die höchste thermische Leitfähigkeit von allen Grundmaterialien. Es ist jedoch aus vielen Gründen derzeit nicht möglich, GaN Schichten auf großflächigen Einkristall-Diamant Substraten epitaxial aufwachsen zu lassen, abgesehen von der Verfügbarkeit, einer großen Nichtübereinstimmung der Gitterabstände und unterschiedlicher Wärmedehnungskoeffizienten. Große Anstrengungen wurden in der Industrie unternommen, um diese Probleme zu überwinden, um Diamantsubstrate in Halbleiterbauteilen, wie zum Beispiel GaN HEMT Bauelementen, verwenden zu können. So ist es zum Beispiel im Stand der Technik bekannt, Substrate aus Siliziumcarbid oder andere Substrate wegzulassen, damit GaN Schichten wirksam aufwachsen können, und dann ein Diamantsubstrat unter Verwendung einer Bindungsschicht an dem Bauelement zu befestigen. Es gibt jedoch keine Bindungsschicht einer bestimmten Dicke zwischen den Schichten der GaN Bauelements und dem Diamantsubstrat, die die geeignete thermische Leitfähigkeit hat und somit die Fähigkeit der Ableitung von Wärme aus dem Bauelement durch das Diamantsubstrat nicht beeinträchtigt. Hinzu kommt, dass immer noch das Problem besteht, da das Grundmaterial Diamant einen geringen Wärmedehnungskoeffizienten hat, dass der Unterschied zwischen den thermischen Wärmedehnungskoeffizienten der Schichten des Bauelements und dem Substrat bewirkt, dass sich der Wafer krümmt und dass die Epitaxieschicht unter Umständen bricht.
  • Es ist im Stand der Technik auch bekannt, Diamant auf der Vorderseite des Bauelements gegenüber dem Substrat anzuwachsen. Es hat sich jedoch gezeigt, dass diese Art von Bauelementen nur eine geringe Verbesserung der thermischen Leitfähigkeit und des Wärmeflusses aus dem Bauelement hat, da der Wärmefluss durch das Substrat immer noch sehr wichtig ist. Ferner überstehen GaN Schichten manchmal nicht die hohen Temperaturen des Diamantniederschlagsprozesses und müssen daher mit einer thermischen Widerstandsschicht geschützt werden, was die thermische Leistungsfähigkeit wiederrum begrenzt.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Querschnittsprofilansicht eines Teils eines Wafers mit GaN HEMT Bauteilen, die jeweils eine Diamant-Durchkontaktierung haben, die sich vollständig durch das Substrat des Wafers erstreckt.
  • 2 ist eine Querschnittsprofilansicht eines GaN HEMT Bauteils mit einer Diamant-Durchkontaktierung, die sich teilweise durch das Substrat des Bauteils erstreckt.
  • 3 ist eine Querschnittsprofilansicht eines GaN HEMT Bauteils mit einer Diamant-Durchkontaktierung, die sich durch das Substrat und in eine oder mehrere Epitaxieschichten des Bauteils erstreckt.
  • 4 ist eine Querschnittsprofilansicht eines GaN HEMT Bauteils mit einer Diamant-Durchkontaktierung, die eine Diamantschicht aufweist, die in einer Durchkontaktierung in dem Substrat des Bauteils ausgebildet ist.
  • Ausführliche Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung
  • Die nachfolgende Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung bezieht sich auf ein GaN HEMT Bauteil mit einer diamantgefüllten Durchkontaktierung, die von der Rückseite des Substrats des Bauteils ausgeht. Sie ist nur exemplarisch und es ist daher nicht beabsichtigt, die Erfindung und deren Anwendungen oder Verwendungen in irgendeiner Weise zu beschränken.
  • 1 ist eine Querschnittsprofilansicht eines Halbleiterwafers mit HEMT Bauteilen 12, die auf einem Substrat 14 ausgebildet sind, auf dem verschiedene Epitaxieschichten und Bauteilschichten der HEMT Bauteile 12 unter Verwendung bekannter epitaxialer Aufwachstechniken niedergeschlagen oder aufgewachsen sind. Auch wenn nur 2 der HEMT Bauteile in 2 dargestellt sind, werden während des Herstellungsprozesses der Bauteile viele HEMT Bauteile 12 auf einem einzigen Wafer gleichzeitig in einer Weise hergestellt, die den auf dem vorliegenden Gebiet tätigen Fachleuten wohl bekannt ist. Das Substrat 14 kann jedes Substrat sein, das für die ich hier erläuterten Zwecke geeignet ist, wie zum Beispiel SiC, Saphir, GaN, AlN, Silizium usw.. Wenn die Schichten des Bauteils aufgewachsen sind und die Bauteile 12 weiter fertig gestellt werden, werden weitere Schritte zur Trennung der Bauteile 12 auf dem Wafer 10 vorgenommen, worauf die Bauteile 12 dann eingehäust werden.
  • Für einen bestimmten, nicht beschränkenden hier beschriebenen Aufbau des Bauteils wird eine AlN Keimbildungsschicht 16 auf dem Substrat 14 aufgewachsen, um eine Grundschicht für ein gutes epitaxiales Aufwachsen der Profilschichten des Bauteils zu gewährleisten. Als nächstes wird eine GaN Pufferschicht 18 auf der Keimbildungsschicht 16 aufgewachsen und eine AlGaN Barriereschicht 20 auf der Pufferschicht 18 aufgewachsen. Weitere Schichten können auf der Barriereschicht 20 abgeschieden werden. Der piezoelektrische/spontane Polarisationseffekt zwischen der AlGaN Sperrschicht 20 und der GaN Pufferschicht 18 erzeugt eine zweidimensionale Elektronengasschicht (2-DEG Schicht) 22. Eine Schicht 26 beinhaltet alle anderen Bauteilschichten, die auf der 2-DEG Schicht 22 vorgesehen sein können, einschließlich der epitaxialen Kontaktschichten, den ohmschen Kontakten, wie die Drain- und Source Anschlüsse und das Gate-Metall usw.. Es sei bemerkt, dass die Profile spezieller Bauteile eine allgemeine Wiedergabe für einen GaN HEMT ist, dass jedoch der Aufbau anderer HEMT Bauteile ganz andere Schichten aufweisen kann.
  • Sind die Epitaxieschichten für die Bauteile 12 auf dem Substrat 14 aufgewachsen, wird die Vorderseite der Epitaxieschichten mit einer nicht dargestellten thermisch stabilen Schicht aus zum Beispiel Siliziumcarbid (SiC) oder einem anderen feuerfesten Material geschützt. Der Wafer 10 wird umgewendet und die Rückseite des Substrats 14 unter Verwendung einer nicht dargestellten geeigneten Maske gemustert, um thermische Durchkontakte 28 und nicht dargestellte Justiermarken bzw. Passer zu erzeugen. Insbesondere die Rückseite des Substrats 14 wird durch das Substrat 14 selektiv bis zur AlN Keimbildungsschicht 16 geätzt, um die Durchkontakte auszubilden. Eine Diamant-Saatschicht wird auf der Rückseite des Wafer 10 und in den Durchkontakten 28 verteilt und dann wird ein polikristalliner Diamant auf der Rückseite des Wafers 10 zur Ausbildung einer Diamantschicht 30 aufgewachsen, so dass die Durchkontakte 28 mit Diamant gefüllt sind. Die Rückseite des Wafers 10 kann anschließend poliert werden, um die Diamantschicht 30 zu glätten um sie so mehr der Struktur des Bauteils anzupassen, damit ein besserer thermischer Kontakt zum Gehäuse entsteht.
  • Wenn die Diamantschicht 30 auf der Rückseite des Wafers 10 aufgewachsen und die AlN Keimbildungsschicht 16 durch den Durchkontakt 28 kontaktiert, wird der Wafer 10 erneut umgewendet, um die verbleibenden Bauteilschichten zu erzeugen, nämlich die Schichten 26 auf der Vorderseite des Wafer 10. Die erforderlichen Muster- und Metallabscheidungsschritte werden dann zum Niederschlagen der Source-, Drain- und Gate-Anschlüsse auf der 2-DEG Schicht 22 ausgeführt. Erforderliche Metallstreifen und dergleichen werden dann ausgebildet, um elektrische Verbindungen zu erzeugen. Anschießend werden jene leitfähigen Schichten, die sich zwischen den Bauteilen 12 auf dem Wafer 10 erstrecken, dann durch geeignete Techniken isolierend gemacht, was den Fachleuten auf dem vorliegenden Gebiet jeweils bekannt ist. Wenn dann die letzten Herstellungsschritte ausgeführt worden sind, wird der Wafer 10 in Würfel derart geschnitten, dass die einzelnen Schaltkreise oder Chips, die möglicherweise viele Bauteile 12 enthalten, voneinander getrennt sind, und dann werden die Würfel für den Gebrauch eingehäust. Folglich enthält jedes Bauteil 12 in der Schaltung oder dem Chip einen Diamantbereich auf dem Substrat 14 unmittelbar unterhalb der unterteilten Schichten 26, um eine größere thermische Leitfähigkeit während des Betriebs des Bauteils 12 zu gewährleisten.
  • Ersatzweise kann es wünschenswert sein, nur die Flächen in und um die Durchkontakte 28 herum selektiv zu besäen, um ein Krümmen aufgrund von nicht angepassten thermischen Ausdehnungskoeffizienten zu vermindern. Diamant kann auch auf der gesamten Rückseite des Wafers 10 aufgebracht werden und dann selektiv von den sich außerhalb der Durchkontakte 28 befindenden Bereichen entfernt werden.
  • Es ist im Stand der Technik bekannt, dass polikristalliner Diamant auf verschiedene Weisen aufgewachsen werden kann, so dass die Menge an Verunreinigungen und der Kristallbildung des Diamant während des Wachstumsprozesses unterschiedliche Qualitäten aufweisen kann. Je größer die polykristalline Struktur des Diamanten und je höher die Reinheit ist, je höher ist die thermische Leitfähigkeit des Diamanten. Je höher jedoch die Reinheit des Diamanten ist, desto länger dauert der Abscheidungsprozess und je kostspieliger wird dieser. Daher wird es manchmal vorgezogen, dass beim Züchten bzw. Aufwachsen der Diamantschicht 30 auf der Rückseite des Substrats 14 der Züchtungsvorgang ein reineres stärker thermisch leitfähiges Diamantmaterial, das der AlN Schicht 16 am nächsten ist, erzeugt und dann anschließend eine Diamantschicht geringerer Qualität weiter entfernt von der AlN Schicht 16 erzeugt wird, was die Niederschlagszeit zum Ausfüllen der Durchkontakte 28 verringert. Es kann alternativ wünschenswert sein, die Reinheit des Diamanten beim Niederschlagen der Diamantschicht über der Zeit abzustufen, indem zunächst reiner Diamant mit höherer thermischer Leitfähigkeit abgeschieden und dann die Qualität des Diamant während des Züchtungs- bzw. Aufwachsvorgangs mit der Zeit vermindert wird.
  • Alternativ kann das Substrat 14 so geätzt werden, dass nicht alles Material des Werkstoffs in dem Durchkontakt 28 entfernt wird, wo eine dünne Schicht des Substratmaterials zwischen der Diamantschicht 30 und der AlN Schicht 16 nach dem Aufbringen des Diamant in dem Durchkontakt 28 vorhanden sein würde. 2 ist eine Querschnittsprofilansicht einer Teilstruktur für ein HEMT Bauteil 40 ähnlich dem Bauteil 12, bei der gleiche Bauteile mit dem gleichen Bezugszeichen versehen sind. Bei dieser Ausführungsform ist das Substrat 14 nicht vollständig bis auf die AlN Keimbildungsschicht 16 geätzt worden sondern ist der Ätzvorgang kurz vor der Schicht 16 beendet worden, so dass eine dünne Schicht 42 des Materials des Substrats zwischen dem Durchkontakt 28 und der Schicht 16 verbleibt. Das Vorsehen der dünnen Schicht 42 auf dem Material des Substrats kann bestimmte Halbleitereigenschaften für bestimmte HEMT Bauteile erzeugen. Ferner zeigt dieser Ausführungsform Diamant 44 nur innerhalb des Durchkontakts 28.
  • Es kann ferner auch wünschenswert sein, bis in die AlN Keimbildungsschicht 16 hinein zu ätzen, so dass der mit Diamant gefüllte Durchkontakt 28 sich in die IP Schichten des Bauteils hinein erstreckt. 3 ist eine Querschnittsansicht des Profils eines Teils des Aufbaus eines HEMT Bauteils 50 ähnlich den Bauteilen 12 und 40, wobei gleiche Elemente und Schichten mit dem gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind. Bei dieser Ausführungsform erstreckt sich der Durchkontakt 28 vollständig durch das Substrat 14 und in die AlN Keimbildungsschicht 16 hinein.
  • Bei einer alternativen Ausführungsform kann der Durchkontakt 28 nur teilweise mit der Diamantschicht 30 gefüllt sein, so dass ein Teil des Durchkontakts 28 zur Luft hin offen bleibt, wobei der verbleibende Abschnitt dann mit einem Metall ausgefüllt werden kann, um eine Hintergrundfläche in nächster Nähe zu den epitaxialen Schichten zu bilden. 4 ist eine Querschnittsprofilansicht eines HEMT Bauteils 60 ähnlich den HEMT Bauteilen 10 und 40, bei dem die gleichen Bauteileschichten mit dem gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind. Bei dieser Ausführungsform füllt eine Diamantschicht 32 den Durchkontakt 28 nur teilweise, so dass ein offener Bereich 64 verbleibt.
  • Obwohl die hier beschriebenen Bauteile HEMT Bauteile sind, können andere Arten von Bauteilen wie zum Beispiel Laserdioden oder lichtemittierende Dioden (LED), die eine auf einem Substrat aufgebrachte GaN Bauteilschicht verwenden, von der höheren Leistungsfähigkeit, die durch die hier beschriebenen thermisch leitfähigen Diamant-Durchkontakte gegeben ist, profitieren. Obwohl die hier beschriebenen Ausführungsformen speziell für Substrate aus Siliziumcarbid geeignet sind, können ferner andere geeignete Substrate wie jene, auf die oben hingewiesen wurde, ebenfalls ausgebildete Durchkontakte, die mit Diamant für den gleichen Zweck ausgefüllt sind, enthalten.
  • Die zuvor gegebene Beschreibung offenbart und beschreibt nur beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Der auf dem vorliegenden Gebiet tätigen Fachmann erkennt aufgrund der Beschreibung und anhand der beigefügten Zeichnungen und Patentansprüche ohne weiteres, dass verschiedene Abänderungen, Abwandlungen und Veränderungen ohne vom Inhalt und Umfang der Erfindung, wie sie in den nachfolgenden Patentansprüchen definiert ist, abzuweichen, vorgenommen werden können.

Claims (20)

  1. Halbleiterbauteil, das umfasst: ein Substrat mit einer Oberseite und einer Unterseite, bei dem das Substrat ferner einen Durchkontakt aufweist, der von der Unterseite her in das Substrat hinein ausgebildet ist, bei dem Diamant wenigstens teilweise innerhalb des Durchkontakts in dem Substrat vorgesehen ist, eine Vielzahl von Epitaxieschichten, die auf der Oberseite des Substrats vorgesehen sind, und eine Vielzahl von Bauteilschichten, die auf den Epitaxieschichten vorgesehen sind.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem der Diamant nur innerhalb des Durchkontakts vorgesehen ist.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem der Diamant auf der Unterseite des Substrats ausgebildet ist.
  4. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem der Diamant den Durchkontakt vollständig ausfüllt.
  5. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem der Diamant den Durchkontakt nur teilweise ausfüllt.
  6. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem sich der Durchkontakt vollständig durch das Substrat erstreckt.
  7. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem sich der Durchkontakt nur teilweise durch das Substrat erstreckt.
  8. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem sich der Durchkontakt vollständig durch das Substrat und in wenigstens eine der Epitaxieschichten hinein erstreckt.
  9. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem das Bauteil ein GaN Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (GaN high-electron-mobility transistor (HEMT)) und das Substrat ein Siliziumcarbid-Substrat ist.
  10. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem der Diamant aus mehreren Diamantschichten unterschiedlicher Reinheit des Diamant besteht, von denen sich die Schichten mit der höchsten Reinheit des Diamant am nächsten zur Oberfläche des Substrats befinden.
  11. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem der Diamant eine nach der Reinheit des Diamant abgestufte Diamantschicht ist, bei der sich der Diamant mit der höchsten Reinheit des Diamant am nächsten zur Oberfläche des Substrats befindet.
  12. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem der Durchkontakt eine Weite von etwa der gleichen Größe wie die Dicke der Bauteilschichten hat.
  13. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, bei dem der Diamant ein polikristalliner Diamant ist.
  14. GaN Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (GaN high-electron-mobility transistor (HEMT)), der umfasst: ein Siliziumcarbid-Substrat mit einer Oberseite und einer Unterseite, bei dem das Substrat ferner einen Durchkontakt aufweist, der von der Unterseite her und in das Substrat ausgebildet ist, eine Vielzahl von Epitaxieschichten, die auf der Oberseite des Substrats vorgesehen sind, eine Vielzahl von Bauteilschichten, die auf den Epitaxieschichten vorgesehen sind, und eine innerhalb des Durchkontakts vorgesehene Diamantschicht.
  15. Halbleiterbauteil nach Anspruch 14, bei dem der Durchkontakt eine Weite von etwa der gleichen Größe wie die Dicke der Bauteilschichten hat.
  16. Halbleiterbauteil nach Anspruch 14, bei dem die Diamantschicht eine polikristalline Diamantschicht ist.
  17. Halbleiterbauteil nach Anspruch 14, er bei dem die Diamantschicht nur innerhalb des Durchkontakts vorgesehen ist.
  18. Halbleiterbauteil nach Anspruch 14, bei dem die Diamantschicht als eine Schicht auf der Unterseite des Substrats ausgebildet ist.
  19. Halbleiterbauteil nach Anspruch 14, bei dem die Diamantschicht den Durchkontakt vollständig ausfüllt.
  20. Halbleiterbauteil nach Anspruch 14, bei dem der Diamant den Durchkontakt nur teilweise ausfüllt.
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