DE112008002015B4 - Weiterentwickelte Bearbeitungskammer für mehrere Werkstücke und Verfahren zu deren Erzeugung - Google Patents

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DE112008002015B4
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Charles Crapuchettes
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Rene George
Lee Vincent C
Yuya Matsuda
Jonathan Mohn
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Stephen E. Savas
Martin Zucker
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Abstract

Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) zum Bearbeiten von Werkstücken (46) in einem Behandlungsprozess, wobei die Vorrichtung Folgendes aufweist:eine Kammer (12, 30) für mehrere Wafer, die einen Kammerinnenraum (38) definiert, der mindestens zwei Bearbeitungsstationen (40, 42) im Kammerinnenraum (38) aufweist, so dass sich die Bearbeitungsstationen (40, 42) den Kammerinnenraum (38) teilen, wobei jede der Bearbeitungsstationen (40, 42) eine Plasmaquelle (60) und einen Werkstücksockel (44, 48) aufweist, und jede der Bearbeitungsstationen (40, 42) konfiguriert ist, um eines der Werkstücke (46) dem Behandlungsprozess auszusetzen, und zwar unter Verwendung einer jeweiligen Plasmaquelle (60), und wobei die Kammer (12, 30) einen Behandlungsdruck im Kammerinnenraum (38) von einem Umgebungsdruck außerhalb der Kammer (12, 30) isoliert, wobei die Kammer (12, 30) eine Anordnung einer oder mehrerer elektrisch leitender Oberflächen aufweist, die asymmetrisch um das Werkstück (46) bei jeder Bearbeitungsstation (40, 42) auf eine Weise angeordnet sind, die ein vorgegebenes Niveau an Gleichförmigkeit des Behandlungsprozesses auf einer Hauptfläche jedes Werkstückes (46) erzeugt; undeine Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010), die im Kammerinnenraum (38) angeordnet ist, für jede der Bearbeitungsstationen (40, 42), wobei jede Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) selektiv betreibbar ist (i) in einem Werkstücktransfermodus, um den Transfer jedes Werkstückes (46) zu und von dem Werkstücksockel (44, 48) einer der Bearbeitungsstationen (40, 42) vorzusehen und (ii) in einem Behandlungsmodus, um jedes Werkstück zu umgeben, das auf dem Werkstücksockel (44, 48) einer der Bearbeitungsstationen (40, 42) angeordnet ist, so dass der Behandlungsmodus eine verbesserte Gleichförmigkeit des Aussetzens des Werkstückes (46) gegenüber der jeweiligen einen der Plasmaquellen (60) vorsieht, die größer ist als das gegebene Niveau an Gleichförmigkeit, das ohne die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) vorgesehen würde, wobei die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Behandlungsmodus eine Anordnung von leitfähigen, geerdeten Oberflächen um jede Bearbeitungsstation (40, 42) herum bereitstellt, die symmetrischer ist als die Anordnung von einer oder mehreren elektrisch leitfähigen Oberflächen, die asymmetrisch um das Werkstück (46) herum an jeder Bearbeitungsstation (40, 42) angeordnet sind.

Description

  • Hintergrund
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf das Gebiet der Werkstückbearbeitung wie beispielsweise auf das Bearbeiten von Halbleiterwafern, und insbesondere auf eine Bearbeitungskammer für mehrere Werkstücke und Verfahren zu deren Verwendung.
  • Eine Anzahl von Bearbeitungssystemen die momentan in der Produktion von Halbleiterwafern verwendet werden, ist in der Lage, mehr als einen Wafer gleichzeitig zu bearbeiten, um den Systemdurchsatz zu verbessern. Gemäß dem Stand der Technik wurde jedoch behauptet, dass eine Bearbeitungskammer für einen einzelnen Wafer gleichförmigere Bearbeitungsergebnisse liefert im Vergleich zu Bearbeitungskammerkonfigurationen für mehrere Wafer. Vermutlich wird angenommen, dass diese Verschlechterung der Gleichförmigkeit „über Wafer hinweg“ und von „Station zu Station“ direkt dem Austausch zwischen benachbarten Waferbearbeitungsstationen innerhalb einer gemeinsamen Bearbeitungskammer und Umgebung zugeordnet werden kann.
  • Bearbeitungsgleichförmigkeit ist jedoch zunehmend von Bedeutung, insbesondere in Hinblick auf eine Schwerpunktsetzung der Branche auf immer geringer werdende Strukturgrößen. Ein Beispiel eines Versuchs, einen Kompromiss zwischen dem angenommenen „Cross-Talk“- bzw. „Wechselwirkungs“-Kontaminationsproblem, das mit der Chargenbearbeitung in einer gemeinsamen Bearbeitungsumgebung verbunden ist, und einem beschränkten Durchsatz bei der Verwendung einer Bearbeitungskammer für einen einzelnen Wafer vorzusehen, ist im US-Patent Nr. US 5 855 681 A (im Folgenden dem '681-Patent) zu finden. Letzeres führt die Verwendung von „Tandem“-Bearbeitungskammern für einzelne Wafer ein, die Bearbeitungsbereiche aufweisen, die so beschrieben werden, dass sie getrennt voneinander sind (siehe Spalte 4, Zeilen 37-40). Ein Einzelkammergehäuse wird verwendet, um diese getrennten Bearbeitungsbereiche zu definieren, die eine gemeinsame Kammerwand zwischen den Bearbeitungsstationen verwenden. Der Bearbeitungsbereich, der von jeder Tandemkammer definiert wird, wird vom Patent als isolierbar vom Bearbeitungsbereich der anderen Tandemkammer erachtet, indem der Austausch zwischen den benachbarten Bearbeitungsbereichen auf lediglich den Austausch beschränkt wird, der selektiv durch ein Abgassystem auftritt. Ein derartiger Austausch würde wahrscheinlich basierend auf dem Pumpstatus des Vakuumpumpsystems gesteuert werden. Ansonsten scheinen die Tandemkammern aus Prozesssicht auf eine Weise zu arbeiten, die im Wesentlichen gleich ist zu einem Paar von getrennten Bearbeitungskammern für einzelne Wafer (siehe beispielsweise Spalte 2, Zeilen 54-56). In dieser Hinsicht sieht das System mehrere isolierte Prozesse vor, die gleichzeitig in mindestens zwei Bereichen durchgeführt werden (siehe Spalte 4, Zeilen 44-51), was vernünftigerweise nahelegt, dass ein erster Prozess in einem Bearbeitungsbereich einer Tandemkammer durchgeführt werden kann, während ein zweiter, unterschiedlicher Prozess in dem anderen Bearbeitungsbereich der gleichen Tandemkammer durchgeführt wird.
  • Zwar mag es Vorteile geben, die mit den angenommenen Fähigkeiten der getrennten Tandemkammern des '681-Patentes beim Vorsehen der gleichzeitigen Ausführung unterschiedlicher Prozesse in jeder Kammer assoziiert sind, es wird hierin jedoch festgestellt, dass Bedenken bestehen, dass sogar dann, wenn der gleiche Prozess in beiden Kammern durchgeführt wird, die Kammern unterschiedliche Ergebnisse liefern können, da die Bedingungen in jeder Kammer zu unabhängig sind und es keine Rückkoppelungssteuerung bzw. Regelung gibt, die diese Bedingungen gleich halten würde. Zum Beispiel könnte dies auftreten, wenn es eine Tendenz dazu gibt, dass sich Kontaminationsstoffe im Abgaskanal 621 ansammeln, was zu unterschiedlichen Drücken in einer Kammer in Bezug zur anderen Kammer führt. In Hinblick auf das zuvor Beschriebene und da die gesamte Komplexität der '681-Kammerkonstruktion vorgesehen wurde, um das Wechselwirkungsproblem zu verbessern, was zu hohen Kosten der Kammer führt, wird angenommen dass eine weitere Verbesserung notwendig ist.
  • Weiter wird auf folgende bekannte Plasma-Bearbeitungssysteme hingewiesen. US 2003 / 0 176 074 A1 offenbart wo ein Plasma-Bearbeitungssystem mit einer Kammer mit Bearbeitungsstationen für mehrere Wafer, welches eine Abschirmanordnung für jede der Bearbeitungsstationen aufweist. Die Bearbeitungsstationen sind voneinander isoliert. US 2006 / 0 037 537 A1 offenbart ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Plasma-Bearbeitung von Wafern. Bearbeitungsstationen für mehrere Wafer sind vorgesehen und mit einer gemeinsamen Vakuumpumpe verbunden. Die Bearbeitungsstationen weisen ineinander greifende oder verschachtelte Abschirmanordnungen auf. US 2003 / 0 029 564 A1 offenbart eine Vorrichtung zur Plasma-Bearbeitung von Wafern. Eine Bearbeitungsstation für einen einzelnen Wafer ist vorgesehen und mit einer Vakuumpumpe verbunden. Die Bearbeitungsstation weist eine zweiteilige ineinander greifende Abschirmanordnung auf.
  • Die vorherhergehenden Beispiele der verwandten Technik und die damit verbundenen Einschränkungen sollen illustrativ und nicht ausschließend sein. Andere Einschränkungen der verwandten Technik werden dem Fachmann beim Lesen der Beischreibung und beim Studium der Zeichnungen offensichtlich werden.
  • Die oben besprochenen Einschränkungen bzw. Nachteile von bekannten Vorrichtungen zum Bearbeiten von Werkstücken gemäß dem Stand der Technik werden durch eine Vorrichtung zum Bearbeiten von Werkstücken gemäß den Ansprüchen 1 und 35 sowie durch ein Verfahren zum Erzeugen einer Vorrichtung gemäß Anspruch 31 gelöst. Insbesondere wird bei einer Vorrichtung zum Bearbeiten von mehreren Werkstücken mit einer Kammer mit mindestens zwei Bearbeitungsstationen für Wafer an allen Bearbeitungsstationen der gleiche Prozess bzw. die gleiche Bearbeitung durchgeführt. Die Unteransprüche beziehen sich auf weitere Ausführungsbeispiele.
  • Im Allgemeinen werden eine Vorrichtung und damit assoziierte Verfahren zum Bearbeiten von Werkstücken in einem Behandlungsprozess beschrieben. Eine Kammer für mehrere Wafer definiert einen Kammerinnenraum, der mindestens zwei Bearbeitungsstationen innerhalb des Kammerinnenraums aufweist, so dass sich die Bearbeitungsstationen den Kammerinnenraum teilen. Jede der Bearbeitungsstationen weist eine Plasmaquelle oder eine andere geeignete Behandlungsquelle auf, wie beispielsweise eine elektromagnetische Energiequelle, um eine Bearbeitung bzw. einen Prozess durchzuführen und einen Werkstücksockel zum Tragen eines der Werkstücke und jede der Bearbeitungsstationen ist konfiguriert, um eines der Werkstücke dem Behandlungsprozess auszusetzen, wobei sie ihre jeweilige Plasmaquelle verwendet. Die Kammer isoliert einen Behandlungsdruck im Kammerinnenraum von einem Umgebungsdruck außerhalb der Kammer. Die Kammer weist eine Anordnung von einer oder mehreren elektrisch leitenden Flächen auf, die asymmetrisch auf eine Weise um das Werkstück bei jeder Bearbeitungsstation angeordnet sind, die ein vorgegebenes Niveau an Gleichförmigkeit des Behandlungsprozesses auf einer Hauptfläche jedes Werkstückes erzeugt. Eine Abschirmanordnung ist im Kammerinnenraum für jede der Bearbeitungsstationen angeordnet, wobei jede Abschirmanordnung selektiv betreibbar ist (i) in einem ersten Werkstücktransfermodus, um den Transfer jedes Werkstückes zu dem Werkstücksockel einer der Bearbeitungsstationen und davon weg vorzusehen, und (ii) in einem zweiten Behandlungsmodus, um jedes Werkstück zu umgeben, das auf dem Werkstücksockel einer der Bearbeitungsstationen angeordnet ist, so dass der Behandlungsmodus eine verbesserte Gleichförmigkeit hinsichtlich des Aussetzens des Werkstückes gegenüber einer der Plasmaquellen aufweist, die größer ist als das gegebene Niveau an Gleichförmigkeit, das in Abwesenheit der Abschirmanordnung vorgesehen werden würde. In einem Merkmal weist die Abschirmanordnung ein erstes ringförmiges Abschirmglied auf, welches das Werkstück in einer stationären Position umgibt, und ein zweites Abschirmglied, das für die Bewegung zwischen einer ersten Position und einer zweiten Position getragen wird, wobei das zweite Abschirmglied in der ersten Position mit dem ersten Abschirmglied für den Betrieb der Abschirmanordnung im Wafertransfermodus zusammenwirkt, und wobei in der zweiten Position das zweite Abschirmglied mit dem ersten Abschirmglied für den Betrieb der Abschirmanordnung im Behandlungsmodus zusammenwirkt.
  • Figurenliste
  • In den mit Bezugszeichen versehenen Figuren der Zeichnungen sind beispielhafte Ausführungsbeispiele veranschaulicht. Es ist beabsichtigt, dass die hierin offenbarten Ausführungsbeispiele und Figuren veranschaulichend sind und nicht einschränkend.
    • 1 ist eine schematische, perspektivische Ansicht eines Ausführungsbeispiels einer Bearbeitungskammeranordnung die gemäß der vorliegenden Offenbarung hergestellt ist.
    • 2 ist eine aufgeschnittene schematische, perspektivische Teilansicht der Bearbeitungskammeranordnung der 1, die hier gezeigt ist, um Details bezüglich deren Konstruktion zu veranschaulichen, die ein Ausführungsbeispiel einer Abschirmanordnung aufweist, die für jede Bearbeitungsstation der Bearbeitungskammeranordnung verwendet wird.
    • 3 ist eine weitere aufgeschnittene schematische, perspektivische Teilansicht der Bearbeitungskammeranordnung der 1, die hier gezeigt ist, um zusätzliche Details bezüglich der Konstruktion zu veranschaulichen, die das Ausführungsbeispiel der Abschirmanordnung der 2 aufweist.
    • 4 ist noch eine weitere aufgeschnittene schematische, perspektivische Teilansicht der Bearbeitungskammeranordnung der 1, die hier gezeigt ist, um insbesondere Details bezüglich dem Ausführungsbeispiel der Abschirmanordnung der 2 zu veranschaulichen, die an einer der Bearbeitungsstationen in der Bearbeitungskammeranordnung angeordnet ist.
    • 5 ist eine aufgeschnittene schematische, perspektivische Explosionsteilansicht der Bearbeitungskammeranordnung der 1, die hier gezeigt ist, um weitere Details bezüglich dem Ausführungsbeispiel der Abschirmanordnung der 2 zu veranschaulichen, die an einer der Bearbeitungsstationen angeordnet ist und ihre Installation in der Bearbeitungskammeranordnung.
    • 6a ist eine aufgeschnittene schematische Seitenteilansicht, die von einer Linie 6a-6a in 3 aus aufgenommen ist, die hier gezeigt ist, um Details dieses Ausführungsbeispiels der Abschirmanordnung nahe dem Werkstücktransferschlitz zu veranschaulichen.
    • 6b ist eine aufgeschnittene schematische, perspektivische Teilansicht, die hier gezeigt ist, um Details des Ausführungsbeispiels der Abschirmanordnung der 2 zu veranschaulichen, um Details dieses Ausführungsbeispiels der Abschirmanordnung nahe einer Seitenwand der Kammeranordnung zu veranschaulichen.
    • 7 ist eine aufgeschnittene schematische, perspektivische Teilansicht der Bearbeitungskammeranordnung der 1, die hier gezeigt ist, um Details bezüglich der Konstruktion zu veranschaulichen, die ein zweites Ausführungsbeispiel einer Abschirmanordnung aufweist, die für jede Bearbeitungsstation der Bearbeitungskammeranordnung verwendet wird.
    • 8a und 8b sind schematische Draufsichten auf die modifizierten Abschirmglieder, die sowohl in den Abschirmanordnungen der 2 und 7 als auch in anderen Ausführungsbeispielen der Abschirmanordnung, die hierin beschrieben sind, verwendet werden können.
    • 9a-c sind schematische Draufsichten auf zusätzliche Ausführungsbeispiele von Ablenkelementanordnungen, die in Verbindung mit jeglichen Abschirmanordnungen verwendet werden können, die in dieser gesamten Beschreibung beschrieben sind und die aus einer derartige Verwendung Nutzen ziehen können.
    • 10 ist eine aufgeschnittene schematische, perspektivische Teilansicht der Bearbeitungskammeranordnung der 1, die hier gezeigt ist, um Details bezüglich ihrer Konstruktion zu veranschaulichen, wobei sie ein drittes Ausführungsbeispiel einer Abschirmanordnung aufweist, die für jede Bearbeitungsstation der Bearbeitungskammeranordnung verwendet wird.
    • 11 ist eine aufgeschnittene, schematische Seitenteilansicht, die hier gezeigt ist, um Details des Ausführungsbeispiels der Abschirmanordnung der 10 nahe einem Werkstücktransferschlitz zu veranschaulichen.
    • 12 ist eine aufgeschnittene, schematische, perspektivische Teilansicht der Bearbeitungskammeranordnung der 1, die hier gezeigt ist, um Details bezüglich ihrer Konstruktion zu veranschaulichen, die ein viertes Ausführungsbeispiel der Abschirmanordnung aufweist, die für jede Bearbeitungsstation der Bearbeitungskammeranordnung verwendet wird.
    • 13 ist eine aufgeschnittene, schematische Seitenteilansicht, die hier gezeigt ist, um Details des Ausführungsbeispiels der Abschirmanordnung der 12 zu veranschaulichen.
    • 14 ist eine aufgeschnittene, schematische, perspektivische Teilansicht der Bearbeitungskammeranordnung der 1, die hier gezeigt ist, um Details bezüglicher ihrer Konstruktion zu veranschaulichen, die ein fünftes Ausführungsbeispiel der einer Abschirmanordnung aufweist, die für jede Bearbeitungsstation der Bearbeitungskammeranordnung verwendet wird.
    • 15 ist eine weitere aufgeschnittene, schematische, perspektivische Teilansicht, die hier gezeigt ist, um Details des Ausführungsbeispiels der Abschirmanordnung der 14 zu veranschaulichen.
    • 16 ist eine schematische Querschnittsteilansicht, die entlang der Linie 16-16 in 14 aufgenommen ist, die hier gezeigt ist, um Details bezüglich der Abschirmanordnung zu veranschaulichen.
    • 17 ist eine schematische Draufsicht der Abschirmanordnung der 14, die hier gezeigt ist, um weitere Details ihrer Struktur zu veranschaulichen, wobei sie eine beispielhafte Art und Weise aufweist, auf die Abschirmstegglieder benachbart zu einem bewegbaren zweiten Abschirmglied konfiguriert sein können.
    • 18 ist eine schematische Draufsicht auf die Abschirmanordnung der 14, die hier gezeigt ist, um weitere Details eines weiteren Ausführungsbeispiels einer Abschirmanordnung zu veranschaulichen, wobei die Stegglieder durch ein Gitter ersetzt sind.
    • 19 und 20 veranschaulichen Konfigurationen zum Vorsehen eines elektrischen Kontakts zwischen Steggliedern und/oder Gittergliedern, Abschirmgliedern und der Erdungsabschirmung einer Bearbeitungsstation.
    • 21a und 21b sind schematische perspektivische Ansichten, die Ausführungsbeispiele eines elastischen Kontaktes veranschaulichen, der für Erdungszwecke in einer Abschirmanordnung der vorliegenden Offenbarung verwendet werden kann.
    • 22a und 22b sind schematische Seitenansichten, die die Struktur eines komprimierbaren Kontaktes veranschaulichen, der für Erdungszwecke in einer Abschirmanordnung der vorliegenden Offenbarung verwendet werden kann.
    • 23 ist eine schematische teilweise aufgeschnittene Darstellung in Seitenansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Bearbeitungssystems, das eine Abschirmanordnung gemäß der vorliegenden Offenbarung aufweist.
    • 24a und 24b sind schematische aufgeschnittene Seitenansichten, die Details der Struktur der Abschirmanordnung, die in 23 gezeigt ist, darstellen.
    • 25 ist eine schematische teilweise aufgeschnittene Darstellung in Seitenansicht noch eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Bearbeitungssystems, das eine Abschirmanordnung gemäß der vorliegenden Offenbarung aufweist, die ein Ablenkglied aufweist.
    • 26 ist eine schematische teilweise aufgeschnittene Darstellung in Seitenansicht noch eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Bearbeitungssystems, das eine Abschirmanordnung entsprechend der vorliegenden Offenbarung aufweist, die ein Ablenkelement im unteren Bereich der Bearbeitungskammer aufweist.
    • 27 ist eine schematische teilweise aufgeschnittene Darstellung in Seitenansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Bearbeitungssystems, das eine Abschirmanordnung gemäß der vorliegenden Offenbarung aufweist, die ein Abschirmglied aufweist, das einen gekrümmten oder ringförmigen Wandabschnitt hat.
    • 28 ist eine schematische partiell aufgeschnittene Darstellung in Seitenansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Bearbeitungssystems, das eine Abschirmanordnung gemäß der vorliegenden Offenbarung aufweist, die ein Abschirmglied aufweist, das eine radiale Abgasflusskonfiguration verwendet.
    • 29 a-csind schematische Teilstückseitenansichten, die eine Anzahl von Ausführungsbeispielen von Strukturen mit einer hohen Gasdurchlässigkeit veranschaulichen, die selektiv geladene Spezies bzw. Stoffe und Verbindung blockieren, während sie den Transport neutraler Spezies bzw. Stoffe und Verbindungen vorsehen.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Die folgende Beschreibung wird vorgesehen, um einen Fachmann in die Lage zu versetzen, die Erfindung herzustellen und zu verwenden, und wird im Rahmen einer Patentanmeldung und ihrer Vorgaben vorgesehen. Verschiedene Modifikationen an den beschriebenen Ausführungsbeispielen werden dem Fachmann leicht ersichtlich sein und die allgemeinen Prinzipien hierin können auf andere Ausführungsbeispiele angewandt werden. Daher ist nicht beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung auf die hierin gezeigten Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern ihr soll der weiteste Umfang zugewiesen werden, der mit den hierin beschriebenen Prinzipien und Merkmalen übereinstimmt. Es sei bemerkt, dass die Zeichnungen nicht maßstabsgetreu sind und von schematischer Natur sind. Weiter werden gleiche Bezugszeichen für ähnliche Komponenten verwendet, wann immer dies zweckmäßig ist, und zwar über die vorliegende Offenbarung hinweg. Beschreibende Terminologie wie beispielsweise nach oben/unten; rechts/links, vorne/hinten, oberste(s)/unterste(s) und so weiter wurde eingeführt, um das Verständnis des Lesers mit Bezug zu den verschiedenen Ansichten, die in den Figuren vorgesehen sind, zu verbessern, und soll in keiner Weise einschränkend sein.
  • Es wird auf die Figuren hingewiesen, in denen gleiche Bezugszeichen verwendet werden, um gleiche Komponenten über die verschiedenen Figuren hinweg zu kennzeichnen, wenn dies zweckmäßig ist. 1 ist eine schematische, perspektivische Ansicht eines Ausführungsbeispiels einer Bearbeitungsanordnung, die allgemein durch das Bezugszeichen 10 angezeigt ist. Wie ersichtlich wird, können verschiedene andere Ausführungsbeispiele implementiert werden, ohne von den Lehren der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Weiter soll klar sein, dass andere Ausführungsbeispiele in Anbetracht der hierin enthaltenen Lehren offensichtlich sein können und dass die vorliegende Offenbarung nicht so angesehen wird, dass sie nur auf jene Ausführungsbeispiele beschränkt ist, die veranschaulicht wurden. Die Bearbeitungskammeranordnung 10 weist eine Bearbeitungskammer 12 auf, und ist mit einer Schlitzventilanordnung 14 dargestellt, die auf der Kammer installiert ist, die eine Schlitztür 16 zeigt, durch die Werkstücke in den Kammerinnenraum und daraus hinaus transferiert werden. Es sei bemerkt, dass die Schlitzventilanordnung in dem vorliegenden Beispiel in einem geschlossenen Modus gezeigt ist. Während die Bearbeitungskammer 10 als Teil einer großen Vielzahl von Bearbeitungssystemen verwendet werden kann, ist sie insbesondere bei den Werkstücktransfersystemen nützlich, die in der ebenfalls anhängigen US-Patentanmeldung Seriennr. 10/919,582, veröffentlicht als US 2006 - 0 045 664 A1 (im Folgenden die '582-Anmeldung), die am 17. August 2004 eingereicht wurde, und in der ebenfalls anhängigen US-Patentanmeldung Seriennr. 11/097,412, veröffentlicht als US 2006 - 0 039 781 A1 (im Folgenden die '412-Anmeldung), die am 1. April 2005 eingereicht wurde, beschrieben sind, die beide durch Bezugnahme vollständig hierin aufgenommen sind und die beide dem Anmelder der vorliegenden Anmeldung gehören. Insbesondere bietet die Bearbeitungskammer 12 Raum für das Eintreten und Austreten von Werkstücken entlang einem radialen gekrümmten Pfad, wenngleich ein linearer oder ein anderer geeigneter Pfad eingesetzt werden kann. Es sei ferner bemerkt, dass die Kammer 12 eine Chargenbearbeitungsumgebung vorsieht. Das heißt, dass sich eine Vielzahl von Bearbeitungsstationen eine gemeinsame Kammerinnenraumumgebung teilt, wie weiter besprochen wird.
  • Mit Bezug auf 2 in Verbindung mit 1, ist erstere eine aufgeschnittene perspektivische Ansicht, die eine vordere Hälfte der Bearbeitungskammer 12 zeigt, wobei die Ansicht nach vorne in Richtung der Schlitztür 16 gerichtet ist. Die Bearbeitungskammer 12 weist ein Kammergehäuse 30 und einen Kammerdeckel bzw. eine Kammerabdeckung 32 auf. Diese kann gelenkmäßig an dem Kammergehäuse angebracht sein. Die Kammerabdeckung und das Kammergehäuse wirken zusammen, um einen Kammerinnenraum oder -hohlraum 38 (2) zu definieren, der vom Umgebungsdruck isoliert werden kann. Eine erste Bearbeitungsstation 40 und eine zweite Bearbeitungsstation 42 sind im Kammerinnenraum 38 angeordnet. Die erste Bearbeitungsstation 40 weist eine Sockelanordnung 44 auf, um ein erstes Werkstück 46 zu tragen und die zweite Bearbeitungsstation 42 weist eine zweite Sockelanordnung 48 auf, um ein zweites Werkstück 50 zu tragen. Es sei bemerkt, dass die Kammer 12 eine asymmetrische Anordnung von Kammerseitenwänden vorsieht, die jede Bearbeitungsstation umgeben. Das heißt, das Kammergehäuse weist eine langgestreckte Längsseite auf, entlang der die Bearbeitungsstationen so beabstandet sind, dass einige der Kammerseitenwände näher an einer bestimmten Bearbeitungsstation sind als andere der Kammerseitenwände. Zum Zweck des vorliegenden Beispiels könnte die Bearbeitungskammeranordnung 10 im Zusammenhang mit Plasmaätzverfahren einer (nicht gezeigten) Schicht oder eines (nicht gezeigten) Musters beschrieben werden, wie beispielsweise einem Film aus Siliziumnitrid oder Siliziumdioxid von einem Halbleiterwafer, einem opto-elektronischen Werkstück oder einem Flachbildschirmwerkstück, obwohl dem Fachmann klar sein wird, dass dieses System leicht bei der Anwendung anderer Prozesse verwendet werden kann, die zahlreiche Implementierungen von plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung (PECVD = plasma enhanced chemical vapor deposition), Plasmastrip und Oberflächenbehandlung/- vorbereitung/-reinigung aufweisen, jedoch nicht darauf beschränkt sind, und ebenso bei nicht plasmavermittelten Prozessen, wie beispielsweise der Ablagerung einer atomaren Schicht, RTP bzw. schneller thermischer Bearbeitung (RTP = rapid thermal processing) und Oberflächengestaltung unter Verwendung einer Vielzahl von elektromagnetischen Energiequellen und Induktionsenergiequellen, die an einer geeigneten Stelle weiter unten erläutert werden. Entsprechend wird zum Zweck des vorliegenden Beispiels ein Paar von Plasmaquellen vorgesehen, von denen jede einzelne durch das Bezugszeichen 60 bezeichnet ist. Zum Zweck der Photoresistentfernung können induktiv gekoppelte Plasmaquellen bzw. ICP-Quellen (ICP = inductively coupled plasma) verwendet werden, so dass eine Quelle mit jeder der Bearbeitungsstationen assoziiert ist, um so ein Plasma 62 zu erzeugen, welches durch eine Anzahl von gestrichelten Linien dargestellt ist. Andere geeignete Plasmaquellen weisen Mikrowellenquellen, Oberflächenwellenplasmaquellen, EZR- bzw. Elektron-Zyklotron-Resonanz-Plasmaquellen und kapazitiv gekoppelte (Parallelplatten-) Plasmaquellen bzw. CCP-Plasmaquellen (CCP = capacitively coupled plasma) auf.
  • Weiter mit einer Beschreibung der 2, wird jedes Werkstück, wie beispielsweise ein Halbleiterwafer, der einen kreisförmigen Umfang aufweist, auf einer Aufnahme bzw. einem Suszeptor 64 getragen. Jeder Suszeptor kann beim Aufheizen des Werkstückes auf eine erwünschte Temperatur nützlich sein. Jede geeignete Art eines Suszeptors kann verwendet werden, wie beispielsweise eine geeignete Trägerplatte. (Nicht gezeigte) Hubstifte können verwendet werden, um jedes Werkstück bezüglich jedem der Suszeptoren 64 anzuheben oder abzusenken. Hochfrequenzleistung bzw. HF-Leistung kann in bekannter Weise an die Suszeptoren geliefert werden. In diesem Fall weist jeder Sockel weiter ein Isolationselement 66 und eine Erdungsabschirmung 68 auf, die außen in Bezug auf das Isolationselement angeordnet ist. Es ist kein Erfordernis, einen HF-getriebenen Suszeptor zu verwenden. Wenn HF-Leistung benötigt wird, kann der Sockel, der direkt das Werkstück trägt, geerdet sein. Weiter werden in einem solchen Fall das Isolationselement 66 und die separate Erdungsabschirmung 68 nicht benötigt. Ein weiterer Teil der Kammerkonfiguration weist eine Abgasanordnung 100 auf, die verwendet wird, um den Gasdruck zu steuern, und zwar im Zusammenspiel mit Gas, das in den Kammerinnenraum 38 fließt. Zu diesem Zweck fließt das Abgas 104 in eine Richtung, die durch einen Pfeil angezeigt wird. Die Abgasanordnung 100 weist beispielsweise einen mit einem Flansch versehenen Pumpenkörper 106 auf, der wie ein Auslassglied arbeitet, und der auf jegliche geeignete Weise an dem Kammergehäuse 30 angebracht ist, beispielsweise unter Verwendung einer Vielzahl (nicht gezeigter) Schrauben. Eine Abdichtung kann beispielsweise unter Verwendung eines (nicht gezeigten) O-Rings oder einer (nicht gezeigten) Metalldichtung zwischen dem mit einem Flansch versehenen Körper und dem Kammerkörper durchgeführt werden.
  • Gemäß den 3 und 4 wird auf weitere Details bezüglich der Bearbeitungskammer 10 hingewiesen. 3 ist eine teilweise aufgeschnittene perspektivische Ansicht der Kammeranordnung 10, wobei der Schnitt durch die Bearbeitungsstation 40 führt, um ein Ende des langgestreckten Kammergehäuses 30 zu entfernen und um ein entsprechendes Ende der Kammerabdeckung 32 zu entfernen. 4 ist eine weitere teilweise aufgeschnittene perspektivische Ansicht, der weiter bezüglich der Ansicht der 3 vergrößert ist, um zusätzliche Details bezüglich der Seite der Kammer zu zeigen, die das Schlitzventil 14 trägt. Insbesondere weist das Schlitzventil 16 ein Verschlussglied 120 auf, das konfiguriert ist, um selektiv den Schlitz 16 abzudichten. Wenn das Schlitzventil offen ist, bewegt sich das Verschlussglied 120 aus seiner dargestellten Position heraus und nach unten, wie gestrichelt angedeutet ist, was durch das Bezugszeichen 120' bezeichnet ist, in einen Schlitz 126 der 4. In der geschlossenen Position kann, wie am besten in 4 zu sehen ist, ein Abdichten des Verschlussgliedes 120 gegen eine Fläche 128, die den Schlitz 16 am Umfang umgibt, unter Verwendung eines (nicht gezeigten) O-Rings erreicht werden, der durch das Verschlussglied 120 in einer geeigneten Nut 130 getragen wird.
  • Mit Bezug auf die 2-5 wird ein Ausführungsbeispiel der Abschirmanordnung 140 dargestellt, wie sie für jede der Bearbeitungsstationen 40 und 42 verwendet wird. Die 5 ist eine zum Teil als Explosionsansicht dargestellte und aufgeschnittene perspektivische Ansicht der Bearbeitungskammer 10, die das Kammergehäuse 30 und die Kammerabdeckung 32 in einer voneinander beabstandeten Beziehung zueinander veranschaulicht, und auch die Abgasanordnung 100, die vom Kammergehäuse 30 beabstandet ist. Andere Komponenten, die noch zu beschreiben sind, sind auch in einer voneinander beabstandeten Beziehung veranschaulicht. Die Abschirmanordnung 140 ist mit jeder Bearbeitungsstation assoziiert. Jede Abschirmanordnung 140 kann ein erstes Abschirmglied 142 aufweisen, das in seiner Konfiguration im Allgemeinen zylindrisch sein kann, das eine obere Öffnung aufweist, die einer der Plasmaquellen 60 zugewandt ist. Das erste Abschirmglied weist einen Außenumfang auf, das eine jeweilige Bearbeitungsstation umgibt. Ein unteres Ende des ersten Abschirmgliedes 142 trägt eine Vielzahl von nach innen vorstehenden Steggliedern 146. Geeignete Materialien zur Verwendung bei der Erzeugung der Abschirmanordnungen, die in dieser Offenbarung beschrieben werden, weisen Aluminium oder anderes Metall auf, sind jedoch nicht darauf beschränkt, wobei das gewählte Material auf geeignete Weise mit einem Überzug versehen ist, so dass es mit der Bearbeitungsumgebung nicht reaktiv ist. Die Abschirmkomponenten können beispielsweise mit plasmaresistenten Beschichtungen behandelt sein, wie anodisierten Beschichtungen oder nicht reaktiven keramischen Beschichtungen, wie beispielsweise Yttrium-Aluminium-Oxid (YAG) und/oder Yttriumoxid. Wie in 5 zu sehen, weist jedes Stegglied ein freies Ende auf. Ein Klemmring 150 kann verwendet werden, um das freie Ende jedes der Stegglieder gegen eine Stufe entlang dem Umfang bzw. Umfangsstufe 152 einer jeweiligen Erdungsabschirmung 68 zu halten. Der Klemmring kann mit der Umfangsstufe 152 der Erdungsabschirmung in jeglicher geeigneten Weise für Klemmzwecke in Eingriff stehen. Im vorliegenden Beispiel definieren die Umfangsstufe und der Klemmring Öffnungen 154, die geeignete Befestigungselemente 155, wie beispielswiese mit Gewinde versehene Befestigungsvorrichtungen aufnehmen können, von denen eine in 5 gezeigt ist. Da jede Erdungsabschirmung 68 geerdet ist, sind die Stegglieder 146 geerdet und dienen dazu, das erste Abschirmglied 142 zu erden. Jedoch kann das erste Abschirmglied 142 selektiv außer Eingriff mit der Bearbeitungskammer gebracht werden.
  • Weiter mit Bezug auf die 2-5 definiert das obere Ende jedes ersten Abschirmgliedes einen nach außen vorstehenden Flansch 160 entlang dem Umfang, der zwischen dem Kammergehäuse 30 und der Kammerabdeckung 32 erfasst werden kann, wenn sich dieser in seiner geschlossenen Position befindet. Wie am besten in 4 und 5 zu sehen ist, definieren die Kammerabdeckung und das Kammergehäuse jeweils eine Nut 162, die die Öffnung umgibt, die in der Kammerabdeckung 32 für jede Quelle definiert ist, und das ein geeignetes hochfrequenzabschirmendes Material aufnehmen kann, wie beispielsweise ein flexibles zusammendrückbares oder geflochtenes Material, das beispielsweise aus vernickeltem Messing gebildet sein kann. Es sollte jedoch klar sein, dass eine Vakuumabdichtung zwischen der Kammerabdeckung und dem Kammergehäuse separat unter Verwendung eines O-Rings erreicht wird, der in einer Umfangsnut 164 angeordnet ist, die durch das Kammergehäuse definiert wird, das beide Bearbeitungsstationen umgibt. Somit können gasförmige Spezies entlang einem gewundenen oder nicht geradlinigen Pfad fließen, der gemeinsam durch das Kammergehäuse, die Kammerabdeckung und den Flansch 160 des ersten Abschirmgliedes definiert wird, da das Hochfrequenzabschirmmaterial, das in den Nuten 162 angeordnet ist, nicht dafür vorgesehen ist, um eine Druckabdichtung vorzusehen, während es effektiv dazu dient, das erste Abschirmglied 142 zu erden. Das erste Abschirmglied 142 definiert weiter einen Werkstücktransferschlitz 170 (2-4), durch welchen das Werkstück 46 zu der Bearbeitungsstation und von dieser weg bewegt werden kann. Im Hinblick darauf ist der Werkstücktransferschlitz 170 zumindest im Allgemeinen vertikal mit dem Schlitz 16 des Kammergehäuses ausgerichtet. Zusätzlich zum Flansch 160, der eine elektrische Verbindung mit der Kammerabdeckung und dem Kammergehäuse vorsieht, soll bemerkt sein, dass dieser Flansch auch eine thermische Verbindung vorsieht, um so dazu beizutragen, die Temperatur des ersten Abschirmgliedes 142 beizubehalten. Überlegungen hinsichtlich der Temperatur mit Bezug zu den Bearbeitungsergebnissen werden weiter unten an geeigneter Stelle erläutert. Es sei bemerkt, dass durch das Erden des Abschirmgliedes 142, sowohl am oberen Ende der Kammer über die Kammerabdeckung als auch durch die Sockelerdungsabschirmung 68 (2) am unteren Ende der Kammer, das Abschirmglied mit einem umfassenden Erdungsschema versehen ist, da Strom freier sowohl nach oben als auch nach unten durch die Kammerabdeckung und das Kammergehäuse fließen kann. Weiter mit Bezug auf die 2-5 wird ein zweites Abschirmglied 180, das einen Teil einer jeden Abschirmanordnung bildet, für eine vertikale Bewegung in der Ansicht der Figuren innerhalb einer Ausnehmung 182 getragen, die durch das Kammergehäuse 30 definiert wird. Es sei bemerkt, dass die Ausnehmung 182 nur in Bereichen benötigt wird, in denen ein zweites Abschirmglied ausreichend nah zur Kammerwand ist. In dieser Hinsicht laufen die Kammerwände weg vom zweiten Abschirmglied, da die Kammerwände zu den Ecken der Kammer führen. Sobald ein ausreichender Abstand zwischen der Kammerwand und dem zweiten Abschirmglied vorliegt, wird die Ausnehmung 182 nicht benötigt. Das zweite Abschirmglied kann beispielsweise durch eine Betätigerwelle 183 (2) bewegt werden, die zwischen den Bearbeitungsstationen angeordnet ist und die auf geeignete Weise mit dem zweiten Abschirmglied jeder Bearbeitungsstation verbunden ist. Es sei bemerkt, dass die Betätigerwelle 183 zum Erden der zweiten Abschirmglieder 180 dienen kann. Weiter kann jedes zweite Abschirmglied 180, wie jedes erste Abschirmglied 142, selektiv aus der Bearbeitungskammer entfernt werden. In Hinblick darauf kann ein Betätigerarm jegliche geeignete Konfiguration aufweisen, wie beispielsweise einen pressgepassten oder mit Gewinde versehenen Eingriff, wobei der Betätigerarm und das zweite Abschirmglied (die zweiten Abschirmglieder) 180 von der Kammer 30 entfernt und als eine Einheit erneut installiert werden können. Andere Konfigurationen sind ebenfalls möglich, wie beispielsweise Schnappringe, Stellschrauben und Ähnliches. Wie in 3 zu sehen, definiert das erste Abschirmglied 142 eine Symmetrieachse 184, entlang welcher das zweite Abschirmglied 180 aus einer Werkstücktransferposition wie veranschaulicht in eine Behandlungsposition bewegt werden kann, die weiter unten im Detail beschrieben wird. Das zweite Abschirmglied ist im Allgemeinen in einer nicht in Kontakt stehenden oder voneinander beabstandeten Beziehung bezüglich des ersten Abschirmgliedes und anderer Komponenten angeordnet, um einen Reibungskontakt zu verhindern, der Partikel erzeugen kann. Weiter kann, wie gezeigt wird, ein zweites Abschirmglied 180 eine ringförmige Konfiguration aufweisen.
  • Mit Bezug auf die 3 und 5 definiert in einem ersten Ausführungsbeispiel das erste Abschirmglied 142 einen zusätzlichen Schlitz 200, der dem Werkstücktransferschlitz 170 zumindest annähernd symmetrisch gegenüberliegt. Auf diese Weise wird jede radiale Ungleichförmigkeit, die durch das Vorliegen des Werkstücktransferschlitzes 170 eingeführt wird, azimutal ausgeglichen durch das Vorliegen des zusätzlichen Schlitzes 200. Weiter wird, als Folge der ringförmigen Konfiguration des zweiten Abschirmgliedes 180, der zusätzliche Schlitz 200 im Wesentlichen auf die gleiche Weise durch das zweite Abschirmglied angesprochen, in der das zweite Abschirmglied den Werkstücktransferschlitz 170 in der Behandlungsposition anspricht, wodurch weiter die radiale Gleichförmigkeit in Richtungen verbessert wird, die sich zwischen dem Werkstücktransferschlitz 170 und dem zusätzlichen Schlitz 200 erstrecken. Das heißt, aus Perspektive des Plasmas kann der Schlitz 200 hinsichtlich der Wirkung des zweiten Abschirmgliedes 180 ein Spiegelbild von Schlitz 170 hinsichtlich der Wirkung des zweiten Abschirmgliedes 180 sein. Wie weiter beschrieben wird, ist es nicht notwendig, dass das zweite Abschirmglied 180 eine ringförmige Konfiguration aufweist, sondern kann in Form eines Verschlusselementes vorliegen, welches dem Werkstücktransferschlitz 170 gegenüberliegt, um die lonendurchlassmöglichkeiten aus dem Inneren der Abschirmanordnung einzuschränken. Wenn gegenüberliegende Schlitze verwendet werden wie in 5, kann ein separates Verschlusselement bezüglich jedem der Schlitze verwendet werden. Diese separaten Verschlusselemente können gemeinsam durch eine gemeinsame Betätigungsvorrichtung und geeignete mechanische Verbindungen bewegt werden, oder können individuell durch unabhängige Betätigungsvorrichtungen bewegt werden. Wenn eine ringförmige Konfiguration für das zweite Abschirmglied verwendet wird, können Teile des Abschirmmaterials entfernt werden, die keinen signifikanten Beitrag dazu leisten, Ionen in der Behandlungsposition innerhalb der Abschirmanordnung zu halten. In einem Ausführungsbeispiel kann ein (nicht gezeigtes) festes Abschirmglied verwendet werden, um ein bewegliches Verschlusselement in einer gegenüberliegenden Beziehung mit dem zusätzlichen Schlitz 200 zu imitieren, da keine Notwendigkeit besteht, im vorliegenden Ausführungsbeispiel Werkstücktransfers durch den Schlitz 200 auszuführen. Das heißt, ein solches festes Abschirmglied kann an dem ersten Abschirmglied angebracht sein oder auf geeignete Weise getragen werden, um dem Vorliegen eines beweglichen Verschlusselementes nahezukommen, beispielsweise indem im Wesentlichen die gleiche Beziehung zwischen dem festen Abschirmglied und dem ersten Abschirmglied beim Schlitz 200 beibehalten wird, die zwischen einem beweglichen Verschlusselement in der Behandlungsposition und dem Werkstücktransferschlitz 170 vorliegt. Es sei bemerkt, dass eine Bandbreite an Möglichkeiten zur Verfügung steht, um den Ionentransport durch den zusätzlichen Schlitz 200 in Hinsicht auf die vorhergehende Beschreibung einzuschränken.
  • Es sei bemerkt, dass eine Anzahl von mit dem Prozess in Beziehung stehenden Bestandteilen mit dem Plasma 62 assoziiert sind. Diese mit dem Prozess in Beziehung stehenden Komponenten weisen im Allgemeinen neutrale Spezies auf, wie beispielsweise CF4, CH2F2, CHF3, CH3F, CL2, Ar, CO2; O2, H2 und ionisierte Spezies, wie beispielsweise C3F5 +, C2F4 +, CF3 +, CF+, F-, Ar+, H+, O-, O+. Es sei weiter bemerkt, dass diese zwei unterschiedlichen Arten von Spezies sich auf unterschiedliche Weisen im Kammerinnenraum 38 bewegen. Insbesondere sind neutrale Spezies in der Lage, sich entlang eines geradlinigen Pfads, und entlang eines nicht-geradlinigen gewundenen Pfads zu bewegen, während geladene Spezies im Allgemeinen mit den Kammeroberflächen reagieren und im Allgemeinen nur in der Lage sind, sich geradlinig bewegen, solange kein irgendwie gearteter äußerer Einfluss vorliegt. Wenn geerdete oder geladene Oberfläche vorliegen, können sich geladene Ionen entlang einem gebogenen Pfad bewegen. Zum Beispiel wird im Fall eines positiven Ions und einer geerdeten Oberfläche das positive Ion eine hohe Wahrscheinlichkeit aufweisen sich in Richtung einer geladenen Oberfläche zu bewegen und auf diese aufzutreffen, wie genauer direkt im Anschluss hieran erläutert wird.
  • Bezug nehmend auf 6a wird eine schematische Darstellung vorgesehen, und zwar als eine Ansicht entlang der Linie 6a-6a in 3, die einen Querschnitt einer Abschirmanordnung 140 zeigt, die ein erstes Abschirmglied 142 aufweist und ein zweites Abschirmglied 180, welches sich in der Behandlungsposition befindet, benachbart zum Werkstücktransferschlitz 170. Die Quelle 60 kann auf jegliche geeignete Weise auf der Kammerabdeckung 32 getragen werden und mit dieser abgedichtet sein. Auch sind geeignete Teile des Kammergehäuses 30 und der Kammerabdeckung 32 gezeigt. Es sei bemerkt, dass die Schlitzventilanordnung aus Gründen der Klarheit der Darstellung nicht gezeigt ist. Ein Hochfrequenzabschirmmaterial 220, wie es oben beschrieben ist, ist in jeder der Nuten 162 angeordnet, während ein O-Ring 222 in der Nut 164 angeordnet ist, um die Kammer mit der Abdeckung abzudichten. Das Abschirmmaterial 220 kann dazu dienen, das erste Abschirmglied 142 sowohl mit dem Kammergehäuse als auch der Kammerabdeckung zu erden. Ein oder mehrere flexible Streifen 224 können verwendet werden, um das zweite Abschirmglied 180 zu erden. Es sei bemerkt, dass das zweite Abschirmglied 180 einen Außenumfang aufweist, der das erste Abschirmglied 142 überlappt, wie durch die gestrichelten Linien 300 veranschaulicht ist, so dass ein Überlappungsbereich M um den Umfang des Schlitzes 170 herum gebildet wird, während das zweite Abschirmglied 180 von der Außenseite des ersten Abschirmgliedes 142 um einen Abstand d beabstandet ist. Bezüglich eines Ions, das versucht sich in einen Innenraum 302 der Abschirmanordnung 140 entlang einem Pfad 304 zu bewegen ist offensichtlich, dass sich das Ion notwendigerweise entlang eines gekrümmten Pfades bewegen müsste. Im Fall eines positiv geladenen Ions, würde das Ion jedoch wahrscheinlich eine der geerdeten Oberflächen kontaktieren, die an den Pfad 304 angrenzen, beispielsweise indem es durch die zahlreichen geerdeten Oberflächen angezogen wird und würde dabei versagen, den Innenraum der Abschirmanordnung zu erreichen. In jedem Fall sieht ein Eintrittswinkel entlang Pfad 304, der durch das Zusammenwirken der verschiedenen Komponenten definiert wird, keine geradlinige Bewegung von außerhalb der Abschirmanordnung in den Innenraum der Abschirmanordnung vor. Durch Beibehalten des Überlappungsbereichs M entlang der oberen Kante 310 des zweiten Verschlusselementes ist der Eintritt von Ionen auf gleiche Weise beschränkt. In einem Ausführungsbeispiel, in dem das zweite Abschirmglied in seiner Konfiguration ringförmig ist, wobei es das erste Abschirmglied umgibt, wird ein effektiver Überlappungsbereich gegen einen Ionentransport an den sich vertikal erstreckenden Kanten des Schlitzes 170 vorgesehen, der größer ist als der Überlappungsbereich M. In dem Fall, in dem ein Verschlusselement verwendet wird, das entgegengesetzte Kanten aufweist, die eine Breite des Verschlusselementes definieren anstatt einer ringförmigen Konfiguration, kann der Überlappungsbereich M auf ähnliche Weise an den vertikal angeordneten Kanten der Verschlusselemente beibehalten werden, um den Ionentransport zu begrenzen. Das Verschlusselement weist effektiv einen Außenumfang auf, der die Außenfläche des ersten Abschirmgliedes überlappt, und zwar in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche, um so den Schlitz 170 zu umgeben. Auf ähnliche Weise werden, wenn ein zusätzlicher Schlitz 200 vorliegt, die Beabstandungsanordnungen, die von 6a veranschaulicht werden, auf die beschriebene Weise beibehalten, unabhängig davon ob ein ringförmiges zweites Abschirmglied verwendet wird oder ein separates Verschlusselement.
  • Weiter mit Bezug auf 6a wird die Anordnung des Umfangsflansches 160 zwischen dem Kammergehäuse 30 und der Kammerabdeckung 32 genauer gezeigt. Insbesondere wird ein gewundener Pfad gebildet, der einen Anfangsabschnitt 320 aufweist, der durch eine durchgezogenen Linie veranschaulicht ist und der zu der untersten Nut 162 führt und zum darin befindlichen Abschirmmaterial 220. Der gewundene Pfad 320 setzt sich entlang eines weiteren Abschnitts fort, der durch eine gestrichelte Linie veranschaulicht ist, um die Kante des Flansches 160 herum, durch das Abschirmmaterial 220, das in der obersten Nut 162 angeordnet ist und dann in den Innenraum der Abschirmung 302. Entsprechend wird die Wahrscheinlichkeit, dass sich ein Ion erfolgreich entlang der Länge dieses gewundenen Pfades bewegt, im besten Fall als gering betrachtet. Obwohl ein Ionentransport durch einen derartigen gewundenen Pfad im Wesentlichen blockiert ist, sei bemerkt, dass neutrale gasförmige Spezies sich entlang dieses Pfades bewegen können, und dieser Pfad kann als ein Hilfsmittel dienen, um den Druckausgleich zwischen dem Innenraum einer bestimmten Abschirmanordnung und sowohl dem gesamten Kammerinnenraum als auch den Innenräumen der anderen Abschirmanordnungen beizubehalten. Wie oben beschrieben, wird der Behandlungsdruck im Gegensatz zur Umgebung der Bearbeitungskammer 10 durch den O-Ring 222 beibehalten. Geeignete Breiten für einen gewundenen Durchlass, die im Zusammenhang der vorliegenden Anmeldung nützlich sind, weisen ungefähr 0,2 bis 5mm auf. Natürlich erzeugt ein relativ breiterer Spalt eine größere Durchlässigkeit, so dass die Spaltbreite auf die Bedürfnisse eines bestimmten Prozesses zugeschnitten werden kann. In Hinblick darauf sei bemerkt, dass eine größere Durchlässigkeit im Allgemeinen nützlich ist, um einen Druckausgleich bei geringen Bearbeitungsdrücken weiter zu verbessern.
  • Mit Bezug auf 2 sei bemerkt, dass die Bewegung neutraler Spezies von einer Bearbeitungsstation zu einer anderen Bearbeitungsstation wenn überhaupt nur einen sehr geringen Einfluss auf die Bearbeitungsergebnisse hat. Auf der andere Seite sei bemerkt, dass die Bewegung geladener Spezies (z.B. Ionen) von einer Bearbeitungsstation zu der anderen Bearbeitungsstation einen schädlichen Einfluss auf die Bearbeitungsergebnisse haben könnte. Daher ist es wünschenswert, die Kreuzkontamination geladener Spezies zwischen den Bearbeitungsstationen zu minimieren, während ein freier Fluss neutraler Spezies zwischen den Bearbeitungsstationen vorgesehen wird. Durch Vorsehen eines freien Flusses neutraler Spezies zwischen den Bearbeitungsstationen wird ein hoher Grad an Druckausgleich erreicht. Ein hoher Grad an Druckausgleich ist wünschenswert, um eine Bearbeitungssteuerung mit sowohl optimalen als auch gespiegelten Bearbeitungsergebnissen zwischen benachbarten Bearbeitungsstationen zu erreichen. Dieser begrenzte oder selektive Austausch von mit der Bearbeitung in Verbindung stehenden Produkten zwischen den Bearbeitungsbereichen ist zumindest teilweise wünschenswert, um einen gleichen Druck in benachbarten Bearbeitungsbereichen beizubehalten. Zu diesem Zweck erhöht der Verbindungspfad 320 um den Flansch 160 herum und am Schlitz 170, zwischen den ersten und zweiten Abschirmgliedern, die Isolation von reaktiven gasförmigen mit der Bearbeitung in Beziehung stehenden Produkten und erlaubt den Austausch von neutralen gasförmigen mit dem Prozess in Beziehung stehenden Produkten in der Bearbeitungskammer und zwischen den Bearbeitungsstationen. Ein gleicher Druck in benachbarten Bearbeitungsbereichen ist wünschenswert um sicherzustellen, dass die Bearbeitungsergebnisse, die in einem Bearbeitungsbereich erzielt werden jene Ergebnisse widerspiegeln, die in dem angrenzenden Bearbeitungsbereich erhalten werden, wenn ein einzelnes Drucksteuerungs- und Gasversorgungssystem (nicht gezeigt) wie hierin verwendet, verwendet wird, um den Kammerdruck vorzusehen. Ausgehend vom erwünschten Niveau an gegenseitigem Austausch zwischen den Bearbeitungsstationen, sollte der gleiche Prozess bzw. die gleiche Bearbeitung an allen Bearbeitungsstationen durchgeführt werden oder mindestens eine der Bearbeitungsstationen sollte sich im Leerlauf befinden. Die Abschirmanordnung 140 wirkt auch mit der Kammer zusammen, um einen weiteren Vorteil vorzusehen. Insbesondere wird Licht an einer Bewegung zwischen Bearbeitungsstationen gehindert, so dass Messgeräte bzw. eine Ausstattung, die auf solches Licht reagiert, nicht auf negative Weise beeinflusst wird. Beispielsweise wird eine Bearbeitungsendpunktsteuerung häufig basierend auf optischen Messungen festgelegt. Licht, das sich von einer Bearbeitungsstation zu der anderen bewegt, könnten den Bearbeitungsendpunkt in der anderen Bearbeitungsstation beeinflussen. Die Abschirmanordnung 140 arbeitet auf eine Weise, die darauf gerichtet ist, diese Zwecke zu erfüllen.
  • Weiter ist es, wenn die Vorteile betrachtet werden, die durch das System 10 und insbesondere die Abschirmanordnung 140 vorgesehen werden, lohnend, zunächst die Art und Weise zu berücksichtigen, auf die die Kammer 30 das Plasma 62 beeinflusst, wenn keine Abschirmanordnung vorliegt. In dieser Hinsicht verwendet die Bearbeitungskammeranordnung 10 einen Kammerinnenraum, der von mindestens zwei Bearbeitungsstationen geteilt wird, wobei jede Bearbeitungsstation eine Plasmaquelle aufweist und einen Werkstücksockel, und wobei jede der Bearbeitungsstationen konfiguriert ist, um eines der Werkstücke dem Behandlungsprozess unter Verwendung einer jeweiligen Plasmaquelle auszusetzen. Die Bearbeitungskammer dient dazu, einen Behandlungsdruck im Kammerinnenraum von einem Umgebungsdruck außerhalb der Kammer zu isolieren. Die Kammer weist jedoch eine Anordnung von einer oder mehreren elektrisch leitenden und geerdeten Kammeroberflächen auf, die asymmetrisch oder auf eine nicht gleichförmige Weise um jede Bearbeitungsstation angeordnet sind, und zwar auf eine Weise, die einen unerwünschten Effekt hinsichtlich der Gleichförmigkeit des Behandlungsprozesses einer Hauptoberfläche jedes Werkstückes, die jeder Plasmaquelle gegenüberliegt, erzeugt. Insbesondere wird das Plasma jeder Plasmaquelle mit den asymmetrisch verteilten Kammeroberflächen interagieren, um so eine Plasmadichte angrenzend an jedes Werkstück zu erzeugen, die von Natur aus nicht gleichförmig ist. Mit anderen Worten wird ein Plasmagebilde, der von jeder Plasmaquelle erzeugt wird, deformiert, um sich zumindest in gewissem Umfang den asymmetrisch verteilten Kammeroberflächen anzupassen. Weiter kann das Plasmagebilde jeder Quelle auch durch die benachbarte Plasmaquelle beeinflusst werden oder aufgrund des Vorhandenseins einer oder mehrere angrenzender Bearbeitungsstationen. Die Abschirmanordnung 140 sieht im Behandlungsmodus eine Anordnung von leitenden, geerdeten Oberflächen um jede Bearbeitungsstation vor, die symmetrischer ist als die Anordnung der asymmetrisch verteilten Kammeroberflächen. Im Behandlungsmodus dient die Abschirmanordnung jeder Bearbeitungsstation dazu, jedes Werkstück zu umgeben, um eine verbesserte Gleichförmigkeit in Hinblick auf die Ausgesetztheit des Werkstückes gegenüber seiner assoziierten Plasmaquelle vorzusehen, wobei die Gleichförmigkeit größer ist als das Niveau an Gleichförmigkeit, das ohne die Abschirmanordnung vorgesehen werden würde. Von einem praktischen Standpunkt aus sieht die Abschirmanordnung 140 im Behandlungsmodus eine Anordnung von leitenden, geerdeten Oberflächen vor, die um jede Bearbeitungsstation im Behandlungsmodus verteilt sind, die im Wesentlichen symmetrisch ist oder annähernd symmetrisch ist. In dieser Hinsicht sei bemerkt, dass ein Plasma ein elektrisch sensibles Gebilde ist, das durch Rückflussstrom (z.B. Erdungspfade) beeinflusst wird. Weiter eliminiert die Abschirmanordnung 140 im Wesentlichen den Einfluss auf das Plasma, der durch das Schlitzventil 14 bewirkt wird (siehe beispielsweise 4), welches selbst wieder eine Anordnung von asymmetrisch verteilten leitenden Oberflächen darstellt, während immer noch die Verwendung des Schlitzventils mit der Abschirmanordnung 140 in ihrem Werkstücktransfermodus ermöglicht wird.
  • Mit Bezug auf die Verwendung des Schlitzventils im Werkstücktransfermodus formt sich die Abschirmanordnung auf elegante Weise um, um einen Werkstücktransfer vorzusehen, indem sich ein Teil der Abschirmanordnung aus dem Pfad bewegt, entlang dem ein Werkstück bewegt werden soll. Das das bewegliche zweite Abschirmglied von geringem Gewicht sein kann, kann eine Bewegung zwischen den Werkstücktransfer- und Werkstückbehandlungspositionen schnell durchgeführt werden, und zwar im Wesentlichen ohne schädliche Effekte auf den Systemdurchsatz. Weiter sei bemerkt, dass es vorteilhaft sein kann, das zweite Abschirmglied vertikal mit Zugriff vom Kammerunterteil zu bewegen. Auf diese Weise wird ein hohes Maß an Flexibilität bezüglich der Konfiguration der Abschirmanordnung vorgesehen, wie durch eine Anzahl von Ausführungsbeispielen der Abschirmanordnung gezeigt ist, die unten beschrieben werden. Weiter können die Betätigungskomponenten so entfernt wie möglich von den Prozess- bzw. Bearbeitungsbestandteilen angeordnet sein.
  • Wieder mit Bezug auf 6a weist jedes Werkstück einen kreisförmigen Außenumfang 400 auf und jede Abschirmanordnung für jede Bearbeitungsstation im Behandlungsmodus kann ein im Wesentlichen zylindrisches Plasmavolumen 402 mindestens zwischen dem Werkstück, beispielsweise Werkstück 46, an der Bearbeitungsstation und der Plasmaquelle dieser Bearbeitungsstation einführen, während ein Druckausgleich zwischen dem im Allgemeinen zylindrischen Plasmavolumen von einer Bearbeitungsstation zur nächsten beibehalten wird, und zwar unabhängig von der asymmetrischen Wandanordnung des Kammergehäuses selbst. Entsprechend wird ein Plasmagebilde, das in diesem Fall zumindest im Allgemeinen zylindrisch ist, vorgesehen, das im Allgemeinen gleichförmiger ist als jenes, welches in Bearbeitungskammern für einzelne Wafer zu sehen ist, jedoch wird dieses gleichförmigere Plasmagebilde in Zusammenhang mit einer gemeinsamen Bearbeitungsbauart oder Chargenbearbeitungsbauart der Kammerumgebung vorgesehen.
  • Ein weiterer Vorteil, der durch die Abschirmanordnung 140 vorgesehen ist, bezieht sich auf die Wartungsanforderungen des Systems. Es sei bemerkt, das solche Systeme ein signifikantes Maß an Wartung erfordern, um konsistente Bearbeitungsergebnisse beizubehalten. Insbesondere muss eine Reinigung der Bearbeitungskammer in regelmäßigen Abständen durchgeführt werden, die im Allgemeinen auf der Betriebszeit basiert, wobei ein bestimmter Prozess angewendet wird. Es ist für solche Reinigungsverfahren nicht unüblich, dass sie wöchentlich oder monatlich durchgeführt werden. In Hinblick darauf sein angemerkt, dass es nur sehr wenig freien Raum um die Bearbeitungsstationen 40 und 42 herum innerhalb der Kammer gibt, was in einem solchen System typisch ist, und zwar aus Gründen, die das Minimieren des Kammerinnenraums aufweisen - wie bei Vakuumsystemen üblich ist. Die Abschirmanordnung 140 ist dadurch vorteilhaft, dass sie während der regelmäßigen Reinigung und Wartung der Kammer 30 entfernt werden kann, was auf signifikante Weise den Zugriff auf den Innenraum der Kammer verbessert. Mit Bezug auf 5 kann das erste Abschirmglied 142 durch Öffnen der Kammerabdeckung 32 entfernt werden. Die Befestigungselemente 155 werden entfernt, gefolgt vom Klemmring 150. Danach kann das zweite Abschirmglied 180 entfernt werden. Jedes zweite Abschirmglied 180 kann dann als eine Einheit mit jeglichen daran befestigen Betätigerarmen entfernt werden oder kann außer Eingriff der Betätigerarme gebracht und dann entfernt werden. Weiter kann die Abschirmanordnung selbst nach Entfernung aus der Kammer leicht gereinigt werden. Gemäß einer Möglichkeit kann die Abschirmanordnung entsorgt und durch eine neue, saubere Abschirmanordnung ersetzt werden. In Hinblick darauf sei bemerkt, dass die Kosten der Abschirmanordnung 140 ebenso wie die der Abschirmanordnungen, die noch zu beschreiben sind, nicht zuletzt aus dem Grund reduziert sind, da es nicht notwendig ist, dass die Abschirmanordnung eine Druckdifferenz aufrecht erhält. Vielmehr kann, da die Abschirmanordnung speziell konstruiert ist, um einen Druckausgleich zwischen den Bearbeitungsregionen aufrecht zu erhalten, die Abschirmanordnung unfähig sein, jegliche signifikante Druckdifferenz aufrecht zu erhalten.
  • Mit Bezug auf 6b ist ein weiteres Ausführungsbeispiel in einer schematischen aufgeschnittenen Ansicht veranschaulicht, die insgesamt mit dem Bezugszeichen 450 bezeichnet ist, die darauf beschränkt ist, eine modifizierte Abschirmanordnung 140' darzustellen, die eine modifizierte Form eines ersten Abschirmgliedes 142 der 2-5 aufweist, und die Art und Weise, auf die das modifizierte Abschirmglied mit der Bearbeitungskammer in Eingriff steht. Es sei bemerkt, dass die Beschreibungen gleicher Komponenten, die durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet sind, aus Gründen der Abkürzung nicht wiederholt werden. Entsprechend ist dieses Ausführungsbeispiel ähnlich dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel 10, mit der Ausnahme, dass das erste Abschirmglied 142 durch ein modifiziertes erstes Abschirmglied 142' ersetzt wurde. In diesem Fall wird der Flansch 160 des modifizierten ersten Abschirmgliedes 142' zwischen der Quelle 60 und der Kammerabdeckung 32 festgehalten. Die untere Nut 162 wurde auf geeignete Weise neu angeordnet, um das Abschirmmaterial 220 aufzunehmen (siehe 6a). Auf ähnliche Weise wurde die O-Ring-Nut 164 außerhalb der Nuten 162 angeordnet, um den O-Ring 222 aufzunehmen (siehe 6a). Eine zusätzliche O-Ring-Nut 164' ist zum Bilden einer Vakuumabdichtung zwischen dem Kammergehäuse 30 und der Kammerabdeckung 32 gezeigt. Entsprechend teilt das Ausführungsbeispiel 450 die Vorteile des Ausführungsbeispiels 10, wie sie oben beschrieben sind. Zum Beispiel ist die modifizierte Abschirmanordnung 140' selektiv entfernbar, indem erst die Quelle 60 entfernt wird, um Zugriff zum modifizierten ersten Abschirmglied zu erhalten.
  • Wie in Anbetracht der obigen Beschreibungen und weiter in Anbetracht der Ausführungsbeispiele, die noch zu beschreiben sind, offensichtlich wird, ist die Abschirmanordnung der vorliegenden Offenbarung im Werkstückbehandlungsmodus aus zwei physikalisch getrennten Teilen zusammengesetzt, wobei ein Teil eine hohe Gasdurchlässigkeit (HGC = high gas conductance) bezüglich des Ganstransfers durch einen gesamten Außenumfang der Abschirmanordnung aufweist, und wobei ein anderer Teil eine geringe Gasdurchlässigkeit (LGC = low gas conductance) bezüglich des Gastransfers durch den gesamten Außenumfang der Abschirmanordnung aufweist. Bei Verwendung des Beispiels der 2-5 entspricht der Teil mit geringer Gasdurchlässigkeit der zylindrischen Seitenwand des ersten Abschirmgliedes 142. Der Abschnitt mit hoher Gasdurchlässigkeit entspricht dem unteren Ende des ersten Abschirmgliedes 142, der die Stegglieder 146 trägt. Der HGC-Teil dient als primärer Abgaspfad für die Flussverbindung mit der Abgasanordnung 100, welche gleichzeitig den Transport geladener Spezies zwischen den Bearbeitungsstationen im Wesentlichen verhindert. Der HGC-Teil gestattet die Entfernung von Reaktionsnebenprodukten und anderen Prozessbestandteilen und ein Steuern des Bearbeitungs- bzw. Prozessdruckes in allen Bearbeitungsstationen, und zwar durch eine gemeinsame Vakuumpumpe und ein einzelnes Drucksteuersystem, wodurch die Herstellungskosten gesenkt werden, indem der Bedarf an Steuerungs- und Messungskomponenten reduziert wird. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel bildet das zweite Abschirmglied 180 einen Teil des LGC-Teils, wobei dies nicht notwendig ist, solange der HGC-Teil und/oder der LGC-Teil bewegbar sind. Im Behandlungs- oder Bearbeitungsmodus, der als die geschlossene Position für eines der Abschirmglieder angesehen werden kann, wirken die HGC- und LGC-Teile der Abschirmung zusammen, um als eine selektiv transparente Abschirmung (STS) zu wirken. Das heißt, dass der Transport der geladenen Spezies zwischen den Bearbeitungsstationen im Wesentlichen blockiert ist, wobei die neutralen Spezies in der Lage sind, sich zwischen den Bearbeitungsstationen zu bewegen. Der Transport von Licht zwischen den Bearbeitungsstationen ist auf gleiche Weise blockiert, abgesehen von Reflexionen, wie weiter unten erläutert wird.
  • Der LGC-Teil kann gewundene Pfade aufweisen, die zwischen Abschirmgliedern im Behandlungsmodus definiert sind, wie über die verschiedenen Figuren hinweg zu sehen ist. Solche gewundenen Pfade dienen als eine Barriere, um effektiv den Durchlass von geladenen Spezies, wie beispielsweise Ionen, zu blockieren, während der Durchlass von neutralen Gaspezies gestattet wird. Eine solche Unterscheidung wird durch die geringe Querschnittsabmessung des Pfades im Vergleich zur mittleren freien Weglänge der Partikel vorgesehen, und durch die Biegungen im Pfad, welche erfordern, dass ein Partikel die Richtung ändert, was sicherstellt, dass beinahe jeder Partikel (neutral oder geladen) mit einer Wand kollidieren muss. Als Folge einer Kollision mit der Wand ändert ein neutraler Partikel einfach die Richtung seiner Bewegung, während ein Ion ein Elektron verliert oder aufnimmt, und dadurch neutral wird. Entsprechend dient der LGC-Teil als eine selektive Abschirmung, da er neutralen gasförmigen Bestandteilen der Prozessumgebung gestattet, durch den gewundenen Pfad zu lecken, der durch Zusammenwirken zwischen den benachbarten Abschirmgliedern jedes Ausführungsbeispiels definiert wird. Weiter können Abschirmglieder, die den LGC-Teil bilden, mit zahlreichen Hardware-Merkmalen ausgestattet sein (wie beispielsweise Spulen und/oder Kanälen zur Kühlung und/oder Heizung unter Verwendung von Wärmetauschflüssigkeiten oder -gasen), um zu gestatten, dass die gesamte Abschirmanordnung auf einer erwünschten Temperatur gehalten wird, die zum Erreichen der optimalen erwünschten Verarbeitungsergebnisse nützlich ist (wie beispielsweise eine Steuerung der Prozesswiederholbarkeit, eine verringerte Kontamination, eine Steuerung von Partikeln und/oder Ablagerungen, die die aus der Kondensation von Prozessreaktionsbestandteilen folgen). Auch sind sie im Allgemeinen so konstruiert, dass sie eine hohe thermische Leitfähigkeit aufweisen, um Wärme zu abgekühlten Bereichen zu leiten, und zwar ohne signifikante Variation in der Temperatur. Der LGC-Teil kann durch thermische Leitung zu umgebenden Kammerelementen, wie beispielsweise Erdungsverbindungen, auch gekühlt werden.
  • Nun wird der HGC-Teil genauer betrachtet. Im Behandlungsmodus arbeitet der HGC-Teil mit dem LGC-Teil zusammen, um viele der Vorteile der Abschirmung als zwei Teile eines Ganzen vorzusehen. Zum Beispiel kann der HGC-Teil die nahezu axialsymmetrische geerdete Oberfläche (um eine Symmetrieachse oder Mittellinie der Werkstücksockelanordnung herum), die einen Erdungspfadverbindung mit geringer Impedanz aufweist, vervollständigen, die sich von der Oberfläche der Prozesskammer zu der geerdeten Fläche der Werkstücksockelanordnung erstreckt. Der HGC-Teil weist jene Teile der Abschirmanordnung auf, die eine sehr hohe Durchlässigkeit für neutrale Gasspezies aufweisen, während der LGC-Teil die Teile der Abschirmanordnung mit geringer oder geringerer Gasdurchlässigkeit aufweist, wie notwendig ist, um die erwünschten axialsymmetrischen Gasflüsse in den Prozessvolumen zu erzeugen.
  • Nun wird auf 7 hingewiesen, welche ein weiteres Ausführungsbeispiel der Bearbeitungskammeranordnung veranschaulicht, die allgemein durch das Bezugszeichen 500 bezeichnet wird. Die Bearbeitungskammeranordnung 500 weist eine Anzahl von Komponenten auf, die zuvor oben beschrieben wurden. Entsprechend werden die Beschreibungen dieser gleichen Komponenten zu Zwecken der Abkürzung nicht wiederholt. Weiter teilt die Bearbeitungskammeranordnung die Vorteile, die durch die Bearbeitungskammeranordnung 10 vorgesehen werden, wie oben beschrieben ist und kann noch weitere Vorteile vorsehen. Das vorliegende Ausführungsbeispiel weist eine Abschirmanordnung 510 auf, die aus einem ersten Abschirmglied 512 und einem zweiten Abschirmglied 514 besteht. Eine der Abschirmanordnungen ist für jede Bearbeitungsstation vorgesehen. Das erste Abschirmglied 512 kann im Wesentlichen auf die gleiche Weise konfiguriert sein wie das erste Abschirmglied 142, wie oben beschrieben ist, außer dass die Stegglieder 146 (siehe beispielsweise 5) optional sind. Das erste Abschirmglied 512 kann mit der Kammerabdeckung 32 und dem Kammerkörper 30 in Eingriff stehen, wobei es einen Umfangsflansch 160 verwendet, wie beispielsweise in 6a gezeigt ist. Wie das oben beschriebene erste Abschirmglied 142 kann das erste Abschirmglied 512 einen im Allgemeinen zylindrischen Außenumfang aufweisen, der einen Werkstücktransferschlitz 170 und eine Symmetrieachse 516 definiert. Ein zusätzlicher gegenüberliegender Schlitz kann vorgesehen werden mit den oben beschriebenen dazugehörigen Vorteilen. Weiter kann der zusätzliche Schlitz durch ein zweites Abschirmglied 514 auf eine Weise angesprochen werden, die im Wesentlichen identisch ist zu jener, auf die der Schlitz 170 durch das zweite Abschirmglied 514 angesprochen wird.
  • Weiter mit Bezugnahme auf 7 wird das zweite Abschirmglied 514 jeder Abschirmanordnung 510 für eine Bewegung in einer Richtung zumindest allgemein entlang der Achse 516 getragen, um das zweite Abschirmglied 514 zwischen einer Werkstücktransferposition und einer Werkstückbehandlungsposition zu bewegen, und zwar in einer nicht kontaktierenden gegenüberliegenden und beabstandeten Beziehung zum ersten Abschirmglied. In dieser Hinsicht ist das zweite Abschirmglied 514 in der Werkstücktransferposition für die Bearbeitungsstation 40 gezeigt und ist in der Werkstückbehandlungsposition für die Bearbeitungsstation 42 gezeigt, und zwar als veranschaulichendes Hilfsmittel. Allgemein können die zweiten Abschirmglieder 514 gleichzeitig bzw. gemeinsam zwischen den Werkstücktransfer- und Werkstückbehandlungspositionen bewegt werden. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die Betätigerarmanordnungen 520a und 520b veranschaulicht, von denen jede mit einem jeweiligen der zweiten Abschirmglieder 514 in Eingriff kommt. Es sei bemerkt, dass jede Betätigerarmanordnung eine Welle 522 aufweist und einen expandierbaren Faltenbalg 524, um den Innenraum 38 der Bearbeitungskammer von der Umgebung abzudichten. Weiter weist in diesem Ausführungsbeispiel jedes der zweiten Abschirmglieder 514 ein sich nach innen erstreckendes Ablenkelement 530 entlang des Umfangs auf, von denen jedes Kühlkanäle 532 definieren kann, um einen Fluss von Kühlfluiden, wie beispielsweise Ethylenglykol, entionisiertem Wasser, einem chemisch inerten Fluid oder Gas wie Stickstoff oder Luft, zu unterstützen. Es sei bemerkt, dass die Temperatur der verschiedenen Oberflächen der Abschirmanordnung, die das Behandlungsvolumen umgeben, die Bearbeitungsbedingungen und dadurch die Bearbeitungsergebnisse beeinflussen kann. Zum Beispiel kann während eines Bearbeitungsdurchlaufs, in dem ein gesamter Satz von Werkstücken sequenziell bearbeitet wird, die Temperatur der Abschirmanordnung dazu neigen, anzusteigen. Kühlhilfsmittel können daher von Vorteil sein, um die Temperatur der Abschirmanordnung beizubehalten. Wie veranschaulicht, weist jedes Umfangsablenkelement 530 eine Breite auf, die mit ihrer assoziierten Bearbeitungsstation variiert, wie weiter direkt im Anschluss hieran beschrieben wird. Es sei bemerkt, dass die Temperatur der Abschirmkomponenten den Grad beeinflussen kann, zu dem Reaktionsnebenprodukte und Reaktanten sich an deren Oberflächen anlagern oder damit reagieren, wobei sie möglicherweise dünne Materialschichten bilden, die sich später abschälen und unerwünschte Partikelkontaminationen bewirken können. In dieser Hinsicht wird angenommen, dass eine instabile Oberflächentemperatur die Wahrscheinlichkeit der Partikelkontamination und der Filmbildung erhöhen kann. Entsprechend kann es von Vorteil sein, eine stabilere Temperatur aufrechtzuerhalten, beispielsweise durch Kühlen der Abschirmanordnung.
  • Mit Bezug auf das Umfangsablenkelement 530 kann man sehen, dass die Abgasanordnung 100 zwischen den Bearbeitungsstationen 40 und 42 angeordnet ist. Mit anderen Worten ist die Abgasanordnung wie die Anordnung der Seitenwände des Kammergehäuses 30 asymmetrisch in Bezug auf jede der Bearbeitungsstationen positioniert. Dies kann zu unterschiedlichen Flussraten entlang des Umfangs um den Sockel jeder Bearbeitungsstation zur Abgasanordnung führen, wobei höhere Flussraten näher an der Abgasanordnung auftreten. Um diese variierenden Raten zu kompensieren, kann das Ablenkelement 530 so konfiguriert sein, dass es den Fluss um jeden Sockel relativ näher zur Abgasanordnung in zunehmendem Maß einschränkt. Anders ausgedrückt sieht das Ablenkelement 530 eine zusätzliche Leitung zum Abgaskanal vor, und zwar mit zunehmender Distanz von der Abgasanordnung. Entsprechend sieht das Ablenkelement 530 eine gleichmäßige Pumprate des Abgasflusses um den Sockel jeder Bearbeitungsstation herum vor. Im Wesentlichen wirkt die Abschirmanordnung 510 wie die zuvor beschriebene Abschirmanordnung 140 mit dem Ablenkelement 530 zusammen, um ein gleichförmiges bzw. gleichförmigeres azimutales Bearbeitungsvolumen und Anordnung der Oberflächen um jede Bearbeitungsstation entlang dem Umfang zu jedem Werkstückhalter (d.h. Suszeptor) zu erzeugen und zwischen jedem Werkstückhalter und seiner jeweiligen Behandlungsquelle. Gleichzeitig erzeugt jedes Ablenkelement 530 einen nicht gleichförmigen azimutalen Bearbeitungsraum zwischen dem Werkstückhalter und dem versetzten Abgaskanal, der weiter zusammenwirkt, um noch weiter das gleichförmigere Bearbeitungsvolumen auf positive Weise zu beeinflussen. Das heißt, das Vorhandensein eines Ablenkelementes 530 kann zusätzliche Verbesserungen der Bearbeitungsgleichförmigkeit vorsehen, wie an geeigneter Stelle weiter unten erläutert wird.
  • Wieder mit Bezug auf die 2-6a, und in Anbetracht von 7 und der damit assoziierten Beschreibung, sei bemerkt, dass das Ausführungsbeispiel 10 eine Ablenkelementanordnung aufweisen und die Vorteile einer solchen Ablenkelementanordnung teilen kann, wie sie mit Bezug auf das Ausführungsbeispiel 500 beschrieben wurde. Weiter ist, mit Bezug auf 8a, in einer Implementierung ein modifiziertes erstes Abschirmglied 142' der Abschirmanordnung 140 in einer schematischen Draufsicht gezeigt. Das modifizierte Abschirmglied 142' ist so konfiguriert, dass die Stegglieder 146 (von denen einige durch Bezugszeichen bezeichnet sind) Öffnungen 540 dazwischen definieren (von denen einige durch Bezugszeichen bezeichnet sind), die unterschiedliche Flächen aufweisen, um gemeinsam im Wesentlichen auf die gleiche Weise wie das Ablenkelement 530 zu wirken, das oben beschrieben ist. In dieser Hinsicht würde wahrscheinlich eine am weitesten links liegende Kantenposition 544 des modifizierten ersten Abschirmgliedes am nächsten am Abgaskanal positioniert werden.
  • Mit Bezug auf 8b ist in einer weiteren Implementierung ein modifiziertes erstes Abschirmglied 142" der Abschirmanordnung 140 in einer schematischen Draufsicht gezeigt. Das modifizierte Abschirmglied 142" ist so konfiguriert, dass es ein Plasmasteuergitter 550 in der Konfiguration eines Rings aufweist, der einen inneren Umfang 552 hat, der mit dem Klemmring 150 in Eingriff stehen kann (siehe beispielsweise 4), sowie den zuvor beschriebenen Flansch 160. In diesem Beispiel ersetzt das Plasmasteuergitter 550 die Stegglieder 146 und definiert eine Vielzahl von Öffnungen 554, die um den Umfang des Plasmasteuergitters verteilt sind, um zusammen im Wesentlichen auf die gleiche Weise zu wirken wie das Ablenkelement 530, das oben beschrieben ist. Weiter dient das Plasmasteuergitter 550, wie es auch der Fall ist bei den Steggliedern 146, dazu, zu verhindern, dass sich ein Plasma unterhalb der Abschirmanordnung entzündet. In Hinblick darauf ist das Plasmasteuergitter aus einem elektrisch leitenden Material gebildet, wie beispielsweise Aluminium, welches anodisiert werden kann. Das zweite Abschirmglied 142" kann, wie die Abschirmglieder 142' und 142, integral ausgebildet sein oder in Abschnitten ausgebildet sein, die aneinander befestigt sind. Beispielsweise können der Flansch 160 und das Plasmasteuergitter 500 an die entgegengesetzten Enden eines zylindrischen Körpers geschweißt sein.
  • Nun wird mit Bezug auf die 9a-9c auf eine Anzahl von Ausführungsbeispielen für Ablenkelementanordnungen in schematischen Draufsichten hingewiesen, die anstelle der Ablenkelementanordnung 530 der 6a verwendet werden können oder, auf gleiche Weise in Verbindung mit irgendeiner der Abschirmanordnungen, die in der gesamten Offenbarung beschrieben sind. Die verschiedenen Ablenkelementkonfigurationen sind mit den Bezugszeichen 544a, 544b bzw. 544c in den 9a, 9b bzw. 9c bezeichnet. In jedem Fall zeigt ein Pfeil, der eine Symmetrielinie 546 jedes Ablenkelementes anzeigt, wenn es installiert ist, beispielsweise als Teil einer Abschirmanordnung, in eine Richtung auf den Abgaskanal hin und kann den Abgaskanal halbieren. Darüber hinaus kann eine große Vielzahl von anderen Formen in Hinblick auf die gesamte Offenbarung verwendet werden, welche in Hinblick auf eine bestimmte Anwendung und in Hinblick auf diese gesamte Offenbarung angepasst werden kann.
  • Aus der obigen Beschreibung sollte offensichtlich sein, dass die hierin beschriebenen Abschirmanordnungen dazu dienen, einen gleichförmigeren azimutalen Bearbeitungsraum (und gleichfalls eine gleichförmigere Anordnung von Flächen) um jede Bearbeitungsstation herum vorzusehen, wenn diese von einer Bearbeitungskammer, die notwendigerweise asymmetrisch ist und die von zwei oder mehr Bearbeitungsstationen geteilt wird, eingeschlossen ist und in einer Druckisolation gehalten wird. Der gleichförmigere azimutale Bearbeitungsraum dient dazu, die Bearbeitungsparameter zu steuern, die die Dichte, den Fluss und die Verweildauer der Prozessreaktanten und -nebenprodukte aufweisen, so dass die Hauptoberfläche jedes Werkstückes einer konstanteren azimutalen Verteilung dieser Bearbeitungsparameter ausgesetzt ist im Vergleich zu der Hauptoberfläche eines behandelten Werkstückes, wenn die Parameterverteilung durch die Bearbeitungskammer selbst vorgesehen wird. Von Bearbeitungsstation zu Bearbeitungsstation gesehen wird jedes Werkstück in einem gegebenen Bearbeitungsdurchlauf daher nahezu identischen Bearbeitungsbedingungen ausgesetzt, um nahezu identische Bearbeitungsergebnisse über alle Werkstücke hinweg zu bewirken, die zur gleichen Zeit in einer einzelnen Bearbeitungskammer bearbeitet wurden und unabhängig von der asymmetrischen Bearbeitungskammer. Gleichzeitig wird, damit jedes Werkstück in jeder Bearbeitungsstation innerhalb der Bearbeitungskammer im Wesentlichen identische Bearbeitungsbedingungen erfährt, jedes Werkstück dem gleichen Bearbeitungsdruck in jeder Bearbeitungsstation ausgesetzt, da angenommen wird, dass ein identischer Bearbeitungsdruck ein Faktor beim Erreichen nahezu identischer Bearbeitungsergebnisse ist. Entsprechend wird, wie oben beschrieben, bewirkt, dass jedes Werkstück bei jeder Bearbeitungsstation den gleichen Bearbeitungsdruck erfährt, indem bewirkt wird, dass der Druck sich zwischen den Bearbeitungsstationen durch die Verwendung eines oder mehrerer gewundener und nicht geradliniger Pfade ausgleicht. Diese gewundenen Pfade begrenzen ionisierte Gasspezies, indem Gaspartikel gezwungen werden in ihren Bewegungsbahnen mehrere Änderungen von vorzunehmen, was die ionisierten Partikel dazu zwingt, mit Oberflächen zu kollidieren, wodurch sie ihre Energie und Ladung verlieren. Entsprechend dienen die Abschirmanordnungen dazu, das Plasma von jeder Plasmaquelle einzugrenzen, während auf vorteilhafte Weise ein Druckausgleich gestattet wird.
  • Gleichzeitig kann die Abschirmanordnung unter der Werkstückhalterung und zumindest um einen gewissen Abstand von der Region beabstandet, in der das Plasma enthalten ist, ein Ablenkelement aufweisen, um einen gleichförmigen Fluss um jeden der Werkstückhalter sicherzustellen und um den Fluss von jeder Bearbeitungsstation zu einem einzelnen Auslass-/Abgasanschluss der Prozesskammer auszugleichen. Dieser Auslassanschluss kann beispielsweise mit einem (nicht gezeigten) Drucksteuerdrosselventil oder einem (nicht gezeigten) Gaspumpensystem verbunden sein, um den Druck auf einen gewünschtes Niveau (typischerweise einen Unterdruck) zu regeln.
  • Es sei bemerkt, dass ein in hohem Maß vorteilhaftes System vorgesehen wird, welches einen hohen Durchsatz bietet, ohne auf die Verwendung einer Einzelprozesskammerumgebung zurückzugreifen, indem selektiv die Bewegung der individuellen Komponenten der mit der Bearbeitung in Beziehung stehenden Produkte zwischen den Bearbeitungsstationen in einer gemeinsamen/geteilten Bearbeitungskammer und damit assoziierten Umgebung gesteuert wird.
  • Nun wird auf die 10 hingewiesen, welche ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Bearbeitungskammeranordnung veranschaulicht, das allgemein mit dem Bezugszeichen 600 bezeichnet ist und das in einer schematischen, perspektivischen aufgeschnittenen Ansicht gezeigt ist, die durch den Innenraum der Kammer in Richtung der Vorderseite der Kammer blickt, wo die Schlitzventilanordnung 14 installiert ist. Die Bearbeitungskammeranordnung 600 weist eine Anzahl von zuvor beschriebenen Komponenten auf. Entsprechend werden die Beschreibungen dieser gleichen Komponenten aus Gründen der Abkürzung nicht wiederholt. Weiter teilt die Bearbeitungskammeranordnung 600 die Vorteile, die durch die Bearbeitungskammeranordnungen 10 und 500 vorgesehen werden, wie oben beschrieben ist und kann noch weitere Vorteile vorsehen. Das vorliegende Ausführungsbeispiel weist ein Abschirmanordnung 610 auf, die aus einem ersten Abschirmglied 612 und einem zweiten Abschirmglied 614 besteht. In diesem Beispiel weist jedes der ersten und zweiten Abschirmglieder zwischen seinen entgegengesetzten Enden einen zumindest im Wesentlichen zylindrischen Außenumfang auf. Eine der Abschirmanordnungen ist für jede Bearbeitungsstation vorgesehen. Die Abschirmanordnung für die Bearbeitungsstation 40, auf der linken Seite der Figur, ist in einem Werkstücktransfermodus gezeigt, wohingegen die Abschirmanordnung der Bearbeitungsstation 42, auf der rechten Seite der Figur, in einem Werkstückbehandlungsmodus gezeigt ist. Das erste Abschirmglied 612 kann im Wesentlichen auf die gleiche Weise konfiguriert sein wie das erste Abschirmglied 142, wie oben beschrieben ist, mit der Ausnahme, dass es keine Stegglieder aufweist. Aus Gründen die offensichtlich werden, kann das erste Abschirmglied 612 einen im Allgemeinen zylindrischen Körper 616 aufweisen, der den zuvor beschriebenen Flansch 160 trägt (siehe auch beispielsweise 5 und 6a). Es sei bemerkt, dass die Stegglieder 146 (siehe 2, 3 und 5) auch in diesem Ausführungsbeispiel verwendet werden können, und zwar durch eine Konstruktion, die die Stegglieder, welche ein Teil des Abschirmgliedes 610 sind, durch Ausschnitte 618 (von denen einer durch Verwendung gestrichelter Linien gezeigt ist) im sich bewegenden Abschirmglied 614 hindurchführt. Das erste Abschirmglied 612 kann mit der Kammerabdeckung 32 und dem Kammergehäuse 30 unter Verwendung des Umfangsflansches 160 in Eingriff stehen, wie beispielsweise in 6a gezeigt ist. Wie das erste oben beschriebene Abschirmglied 142 kann das erste Abschirmglied 612 einen im Allgemeinen zylindrischen Außenumfang aufweisen, der einen Werkstücktransferschlitz 170 definiert und eine Symmetrieachse 516. Ein zusätzlicher gegenüberliegender Schlitz kann mit den damit verbundenen Vorteilen, die oben beschrieben sind, vorgesehen werden. Weiter kann der zusätzliche Schlitz durch ein zweites Abschirmglied 614 auf eine Weise angesprochen werden, die im Wesentlichen identisch ist zu der, auf die der Schlitz 170 durch das zweite Abschirmglied 614 angesprochen wird.
  • Mit weiterer Bezugnahme auf 10 wird das zweite Abschirmglied 614 jeder Abschirmanordnung für eine Bewegung in einer Richtung, die zumindest allgemein entlang der Achse 516 verläuft, getragen, um das zweite Abschirmglied 614 zwischen einer Werkstücktransferposition und einer Werkstückbehandlungsposition zu bewegen. In diesem Zusammenhang ist das zweite Abschirmglied 614 in der Werkstücktransferposition für Bearbeitungsstation 40 gezeigt und ist in der Werkstückbehandlungsposition für die Bearbeitungsstation 42 gezeigt, und zwar als veranschaulichendes Hilfsmittel. Anders als die zuvor beschriebenen Abschirmanordnungen jedoch bewegt sich in der Abschirmanordnung 610 das zweite Abschirmglied 614 im Innenraum des ersten Abschirmgliedes 612 entlang der Achse 516, da das zweite Abschirmglied einen Durchmesser aufweist, der geringer ist als der Durchmesser des ersten Abschirmgliedes. Im Allgemeinen werden die zweiten Abschirmglieder 614 einheitlich bzw. gleichzeitig zwischen den Werkstücktransfer- und Werkstückbehandlungspositionen bewegt, obwohl dies nicht notwendig ist. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel sind Betätigerarmanordnungen 520a und 520b veranschaulicht, von denen jede mit einem jeweiligen einen der zweiten Abschirmglieder 614 in Eingriff kommt. Wieder weist jede Betätigerarmanordnung eine Welle 522 und einen expandierbaren Faltenbalg 524 auf, um das Innere 38 der Bearbeitungskammer gegenüber ihrer Umgebung abzudichten. In diesem Ausführungsbeispiel kann jedoch das Ablenkelement 530 durch einen unteren Umfang von jedem zweiten Abschirmglied 614 getragen werden, und sich damit bewegen.
  • Mit Bezug auf 11 ist eine schematische Darstellung im Querschnitt vorgesehen, die entlang einer Linie 11-11 in 10 aufgenommen ist, die zusätzliche Details der Abschirmanordnung 610 zeigt, die das erste Abschirmglied 612 und das zweite Abschirmglied 614 aufweist, wobei das letztere in der Behandlungsposition ist, und zwar benachbart zum Werkstücktransferschlitz 170. Geeignete Teile des Kammergehäuses 30 und der Kammerabdeckung 32 sind ebenfalls gezeigt. Es sei bemerkt, dass Beschreibungen von Komponenten, die in vorherigen Figuren gezeigt sind, und oben beschrieben wurden, aus Gründen der Abkürzung nicht wiederholt werden. Wiederum können ein oder mehrere flexible Streifen 224 verwendet werden, um das zweite Abschirmglied 614 genauso wie die Betätigerarme 522 der 10 zu erden. Es sei bemerkt, dass eine Außenfläche 620 des zweiten Abschirmgliedes in einer beabstandeten Beziehung in einem Abstand d von einer Innenfläche 622 des ersten Abschirmgliedes beabstandet ist. Bezüglich eines Ions, welches im Inneren 302 der Abschirmanordnung 610 durch den Schlitz 170 zu laufen versucht, kann der Abstand d klein im Vergleich zu einer Länge irgendeines Pfades gemacht werden, entlang dem ein Ion versuchen könnte sich zu bewegen, um die Wahrscheinlichkeit einer erfolgreichen Bewegung dieses Ions auf nahezu Null zu verringern. Wenn beispielsweise ein Ion versucht, entlang eines Pfades 630 zu laufen, welcher durch einen Pfeil veranschaulicht wird, kann es eine nahezu überwältigende Wahrscheinlichkeit geben, dass das Ion (d.h. eine aufgeladene Spezies) von der einen oder der anderen Oberfläche 620 oder 622 angezogen wird, wodurch seine Bewegung endet, falls d ausreichend klein im Vergleich zur Länge des Pfades 630 gemacht wird. Andererseits können neutrale Spezies leicht entlang des Pfades 630 laufen, um einen Druckausgleich von Bearbeitungsstation zu Bearbeitungsstation zu ermöglichen. Es sei bemerkt, dass die Anwesenheit des Schlitzes 170 außerhalb des zweiten Abschirmgliedes 614 einen im Wesentlichen nicht unterscheidbaren Effekt auf das Plasmavolumen 402 in der Behandlungsposition haben kann. Anders gesagt, mag es in diesem Ausführungsbeispiel keinen azimutalen Einfluss durch den Schlitz 170 geben, zumindest von einem praktischen Standpunkt aus, wobei im Wesentlichen ein noch symmetrischeres Plasmagebilde erzeugt wird, da die Pfade, wie beispielsweise der zuvor beschriebene Pfad 630, viel länger sein können als der Abstand d.
  • Mit Bezug auf 12 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Bearbeitungskammeranordnung im Allgemeinen durch das Bezugszeichen 700 gezeigt, und zwar in einer schematischen perspektivischen Schnittansicht, wobei der hintere Teil der Kammer und die Abdeckung entfernt sind und man auf den Vorderteil der Kammer sieht, wo die Schlitztür 16 gelegen ist. Die Bearbeitungskammeranordnung 700 weist eine Anzahl von zuvor oben beschriebenen Komponenten auf. Entsprechend werden Beschreibungen dieser gleichen Komponenten zu Zwecken der Abkürzung nicht wiederholt. Weiterhin hat die Bearbeitungskammeranordnung 700 die gleichen Vorteile, die bei den Bearbeitungskammeranordnungen 10, 500 und 600 vorgesehen sind, wie oben beschrieben, und sie kann noch weitere Vorteile bieten. Das vorliegende Ausführungsbeispiel weist eine Abschirmanordnung 710 auf, die aus einem ersten Abschirmglied 712 und einem zweiten Abschirmglied 714 gemacht ist. Es sei bemerkt, dass die Bearbeitungsstation auf der linken Seite dieser Figur entfernt worden ist, um am besten die Details der Abschirmanordnung 710 zu veranschaulichen. Wie in den vorherigen Beispielen ist die Abschirmanordnung auf der linken Seite der Figur in der Werkstücktransferposition gezeigt, während die Abschirmanordnung auf der rechten Seite der Figur in der Werkstückbehandlungsposition gezeigt ist. In diesem Beispiel kann jedes der ersten und zweiten Abschirmglieder zwischen seinen entgegengesetzten Enden einen im Allgemeinen zylindrischen Außenumfang aufweisen. Eine der Abschirmanordnungen ist für jede Bearbeitungsstation vorgesehen.
  • Mit Bezug auf 13 in Verbindung mit 12 ist erstere eine schematische Schnittansicht in der Perspektive, die weitere Details der Abschirmanordnung 710 zeigt. Das erste Abschirmglied 712 kann an der Kammerabdeckung 32 beispielsweise unter Verwendung eines Umfangsflansches 720 angebracht sein (am besten in 13 zu sehen), der Löcher 722 hat, die in zusammenarbeitender Weise vom Flansch 720 und von der Kammerabdeckung 32 definiert werden, wobei die Löcher (nicht gezeigte) geeignete Befestigungsmittel aufnehmen können. Das zuvor beschriebene Hochfrequenzabschirmmaterial 220 (siehe beispielsweise 11), kann in einer Nut 723 aufgenommen sein, um sicherzustellen, dass das erste Abschirmglied 712 elektrisch mit der Abdeckung 32 verbunden ist. Es sei bemerkt, dass jede Quelle 60 zur Kammerabdeckung 32 unter Verwendung eines (nicht gezeigten) O-Rings abgedichtet sein kann, der in einer Nut 724 positioniert ist. Wenn es an der Kammerabdeckung befestigt ist, weist eine obere Öffnung von jedem ersten Abschirmglied zu jeder Quelle 60. Eine untere Öffnung von jedem ersten Abschirmglied weist zu einer jeweiligen Bearbeitungsstation. Jedes erste Abschirmglied 712 und jedes zweite Abschirmglied 714 können eine Dicke t zwischen ihren gegenüberliegenden Enden aufweisen. Innerhalb der Dicke t kann eine untere Kante von jedem ersten Abschirmglied 712 eine Nut 725 definieren. Eine obere Kante von jedem zweiten Abschirmglied 714 öffnet sich zum ersten Abschirmglied 712. Weiterhin kann die obere Kante des zweiten Abschirmgliedes 714 eine Zunge 730 bilden. Wie in 13 zu sehen, kann die Bewegung der zweiten Abschirmglieder 714 entlang der Symmetrieachse 516 unter Verwendung der Betätigerarme 522 erreicht werden. Während die zweiten Abschirmglieder unabhängig bewegt werden können, werden sie im Allgemeinen gemeinsam bewegt. In dieser Hinsicht können die zweiten Abschirmglieder eine einzige Betätigungsvorrichtung gemeinsam verwenden und eine geeignete Verbindung dazu verwenden. Die Betätigerarme 522 können entfernbar in den zweiten Abschirmgliedern 714 aufgenommen sein. In einem Ausführungsbeispiel kann jeder Betätigerarm und das assoziierte zweite Abschirmglied 714 als eine Einheit in der Bearbeitungskammer eingebaut werden und aus ihr entfernt werden.
  • Immer noch mit Bezug auf die 12 und 13 bewegt sich das obere Ende des zweiten Abschirmgliedes während einer Bewegung von jedem zweiten Abschirmglied 714 relativ zu seinem assoziierten ersten Abschirmglied 712 zu dem unteren Ende des ersten Abschirmgliedes 712 hin und weg von diesem, und zwar in gegenüberliegender Beziehung. In der Werkstücktransferposition ist ausreichend Raum zwischen den ersten und zweiten Abschirmgliedern definiert, um einen Werkstücktransfer dorthin durch vorzusehen. In der Werkstückbehandlungsposition (am besten in 13 zu sehen) wird die Zunge 730 des zweiten Abschirmgliedes 714 in der Nut 725 des ersten Abschirmgliedes 712 in einer nicht berührenden jedoch engen Beziehung aufgenommen, um ein Reiben zu vermeiden, was Partikel erzeugen würde. Auf diese Weise wird ein Spalt g so definiert, dass ein gewundener Pfad in der Werkstückbehandlungsposition zwischen den ersten und zweiten Abschirmgliedern gebildet wird. Wenn das zweite ringförmige Abschirmglied in der Werkstückbehandlungsposition ist, erstreckt sich entsprechend die Zunge in die Nut in nicht berührender Weise, um einen gewundenen Pfad von irgendeiner Position innerhalb jeder Abschirmanordnung zu irgendeiner Position außerhalb dieser Abschirmanordnung zu definieren, um im Wesentlichen einen Ionenfluss zu blockieren, während für den Transport von neutralen Spezies gesorgt wird, so dass die Behandlungsdrücke zwischen Bearbeitungsstationen ausgeglichen sind. Es sei bemerkt, dass viele andere Variationen bezüglich der Form des gewundenen Pfades im Zusammenhang mit dieser Lehre möglich sind, und dass die spezielle gezeigte Form nur als ein nicht einschränkendes Beispiel vorgesehen ist. Falls erwünscht, kann ein unteres Ende von jedem zweiten Abschirmglied konfiguriert sein, um ein geeignetes Ablenkelement aufzuweisen oder zu tragen, wie beispielsweise das oben beschriebene Ablenkelement 530. Ein Zugriff auf die Abschirmanordnung 710 zu Zwecken der Entfernung, des Einbaus und der Reinigung der Kammer wird leicht erreicht, indem einfach die Kammerabdeckung 32 geöffnet wird. Zur Reinigung wird das erste Abschirmglied 712 von der Kammerabdeckung entfernt, und das zweite Abschirmglied 714 wird vom Kammergehäuse 30 entfernt.
  • Es sei nun auf die 14 und 15 hingewiesen, die ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Bearbeitungskammeranordnung veranschaulichen, die im Allgemeinen durch das Bezugszeichen 800 gezeigt wird. 14 zeigt die Bearbeitungskammeranordnung 800 in einer schematischen perspektivischen Schnittansicht, wobei der Hinterteil der Kammer und die Abdeckung entfernt sind und man zum Vorderteil der Kammer hinsieht, wo die Schlitztür 16 gelegen ist, während die 15 eine Ansicht von eher direkt hinter der Bearbeitungskammeranordnung 800 bietet. Die Bearbeitungskammeranordnung 800 weist eine Anzahl von zuvor oben beschriebenen Komponenten auf. Entsprechend werden Beschreibungen dieser gleichen Komponenten zu Zwecken der Abkürzung nicht wiederholt. Weiterhin hat die Bearbeitungskammeranordnung 800 die gleichen Vorteile, die bei den Bearbeitungskammeranordnungen 10, 500, 600 und 700 vorgesehen sind, wie oben beschrieben, und sie kann noch weitere Vorteile bieten. Das vorliegende Ausführungsbeispiel weist eine Abschirmanordnung 810 auf, die aus einem ersten Abschirmglied 812 und einem zweiten Abschirmglied 814 aufgebaut ist. Wie bei den vorherigen Beispielen ist die Abschirmanordnung auf der linken Seite jeder Figur in einem Werkstücktransfermodus gezeigt, während die Abschirmanordnung auf der rechten Seite der Figur im Werkstückbehandlungsmodus gezeigt ist. In diesem Ausführungsbeispiel weist das erste Abschirmglied 812 eine Seitenwand auf, die einen Außenumfang definiert, der eines der Werkstücke einschließt, welches durch eine der Bearbeitungsstationen getragen wird. Das langgestreckte erste Abschirmglied definiert eine Öffnung, die zu einer jeweiligen einen der Behandlungsquellen weist, und eine gegenüberliegende Öffnung, die, in der Ansicht der Figur, vertikal unter der Stelle des Werkstückes gelegen sein kann. Das erste Abschirmglied kann seinen Außenumfang als zylindrisch konfiguriert definieren, und zwar mit einer Symmetrieachse 816. Weiterhin definiert das erste Abschirmglied eine Seitenwandtür 820, die sich nach unten erstreckt, um an der Öffnung am Unterteil des ersten Abschirmgliedes anzuschließen. Eine der Abschirmanordnungen ist für jede Bearbeitungsstation vorgesehen.
  • Mit Bezug auf 16 in Verbindung mit den 14 und 15 ist die erstere eine schematische Teilansicht im Querschnitt, die entlang einer Linie 16-16 in 14 aufgenommen wurde, die weitere Details der Abschirmanordnung 810 zeigt. Das erste Abschirmglied 812 kann mit der Kammerabdeckung 32 und dem Kammergehäuse 30 unter Verwendung des Umfangsflansches 160 in Eingriff kommen, wie oben gezeigt und beschrieben. Das zweite Abschirmglied 814 von jeder Abschirmanordnung 810 wird zur Bewegung in einer Richtung zumindest im Allgemeinen entlang der Achse 816 getragen, um das zweite Abschirmglied zwischen einer Werkstücktransferposition und einer Werkstückbehandlungsposition zu bewegen. In dieser Hinsicht ist das zweite Abschirmglied 814 in der Werkstücktransferposition für die Bearbeitungsstation 40 gezeigt und es ist für die Bearbeitungsstation 42 in der Werkstückbehandlungsposition gezeigt, und zwar zur Veranschaulichung. Das zweite Abschirmglied ist in einer Draufsicht im Allgemeinen mit einer Krümmung konfiguriert, die zu der Krümmung des ersten Abschirmgliedes 812 passt, wie in einer folgenden Figur veranschaulicht wird, und es hat eine Außenumfangskonfiguration, die komplementär zur allgemeinen Kantenkonfiguration der Seitenwandtür 820 ist. Die Bewegung entlang der Achse 816 bewegt daher das zweite Abschirmglied in die Seitenwandtür 820 und aus dieser heraus, um die jeweiligen Kanten des zweiten Abschirmgliedes in gegenüberliegender Beziehung mit entsprechenden Kanten der Kanten der Seitenwandtür in der Wafertransferposition zu bringen und um den Wafertransferschlitz 16 in der Werkstücktransferposition freizulegen. Irgendeine geeignete komplementäre bzw. dazu passende Kantenkonfiguration kann für die Abschirmglieder verwendet werden, wenn man die Seitenwandtür ausführt, solange die jeweiligen Kanten in einer gegenüberliegenden Beziehung in der Behandlungsposition angeordnet sind und ohne Gegenwirkung in die Werkstücktransferposition bewegt werden können. Beispielsweise kann die Seitenwandtür die Form eines umgekehrten U haben. Im Allgemeinen werden die zweiten Abschirmglieder 814 gemeinsam zwischen der Werkstücktransferposition und der Werkstückbehandlungsposition bewegt, obwohl dies nicht erforderlich ist. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die Betätigerarmanordnungen 520a und 520b veranschaulicht, wobei jede davon mit einem entsprechenden einen der zweiten Abschirmglieder 814 unter Verwendung der Betätigerarme 522 in Eingriff steht (14).
  • Mit Bezug auf 16 weist die Seitenwandtür des ersten Abschirmgliedes 812 ein Kantenprofil auf, welches mit einem Kantenprofil des zweiten Abschirmgliedes 830 zusammenarbeitet, um einen gewundenen Pfad 830 für irgendein Partikel zu definieren, das versucht, dort hindurch zu laufen. Entsprechend können neutrale Spezies, wie oben beschrieben, durch diesen Pfad laufen, während Ionen im Allgemeinen blockiert werden. Während der gewundene Pfad 830 mit zwei rechtwinkligen Kurven konfiguriert ist, sei bemerkt, dass irgendeine geeignete nicht geradlinige Form verwendet werden kann.
  • Mit Bezug auf 17 ist eine isolierte Draufsicht der Behandlungsstation 42 gezeigt, die die Abschirmanordnung 810 mit dem ersten Abschirmglied 812 und dem zweiten Abschirmglied 814 zeigt, wobei die Krümmung des zweiten Abschirmgliedes zu jener des ersten Abschirmgliedes passt. Es sei bemerkt, dass die Abschirmglieder in der Werkstückbehandlungsposition gezeigt sind, jedoch ist der gewundene Pfad 830 aufgrund Einschränkungen bei der Darstellung nicht gezeigt worden, obwohl bemerkt sei, dass er vorhanden ist. Es sei bemerkt, dass gewisse Vorkehrungen bezüglich der zuvor beschriebenen Stegglieder 146 im Hinblick auf die Bewegung des zweiten Abschirmgliedes 814 vorgenommen sind. Insbesondere können die Stegglieder 146a (wobei eine Anzahl davon unter Verwendung von Bezugszeichen bezeichnet wird) an ihren inneren Enden mit dem Klemmring 150 in Eingriff sein, wie oben beschrieben. Die Stegglieder 146a können integral mit dem zweiten Abschirmglied 812 ausgeformt sein, oder an dem zweiten Abschirmglied angebracht sein. Die Stegglieder 146b sind andererseits geringfügig vom zweiten Abschirmglied 814 beabstandet, und zwar im allgemeinen ausreichend, um einen reibenden Kontakt mit dem zweiten Abschirmglied während seiner Bewegung zu vermeiden. Weiterhin können die äußeren Enden der Stegglieder 146b unter Verwendung eines Bandes 832 getragen werden, welches gekrümmt ist, so dass es zur Krümmung des zweiten Abschirmgliedes 814 in gegenüberliegender Beziehung passt. Das Band 832 kann sich von den Steggliedern 146a erstrecken, die direkt benachbart zum zweiten Abschirmglied 814 sind. Es sei bemerkt, dass das Band 832 als ein Ring geformt sein kann, der sich um den gesamten Innenumfang des ersten Abschirmglied 812 erstreckt.
  • Mit Bezug auf 18 ist eine isolierte Ansicht der Bearbeitungsstation 42 gezeigt, die ein weiteres Ausführungsbeispiel der Abschirmanordnung 810 aufweist. Wiederum sind die Abschirmglieder im Werkstückbehandlungsmodus gezeigt, jedoch ist der gewundene Pfad 830 aufgrund von Einschränkungen bei der Darstellung nicht gezeigt worden, obwohl bemerkt sei, dass er vorhanden ist. In diesem Ausführungsbeispiel wird ein Gitter 840 anstelle der Stegglieder 146 verwendet. Das Gitter 840 umgibt den Umfang der Bearbeitungsstation und kann an seinem Innenumfang mit dem Klemmring 150 ein Eingriff stehen. Der Außenumfang des Gitters 840 kann in irgendeiner geeigneten Weise an dem ersten Abschirmglied 812 angebracht sein. Das Gitter 840 benachbart zum zweiten Abschirmglied 814 ist geringfügig vom zweiten Abschirmglied beabstandet, und zwar im Allgemeinen ausreichend, um einen reibenden Kontakt während seiner Bewegung zu vermeiden. Im Allgemeinen kann das Gitter starr genug ausgeführt sein, um seine nicht berührende Beziehung beizubehalten. Geeignete Materialien zur Anwendung beim Formen des Gitters 840 weisen Aluminium, Titan und rostfreien Stahl auf, sind jedoch nicht darauf eingeschränkt. Eine repräsentative Öffnung 842, die durch das Gitter definiert wird, kann ungefähr 4mm im Durchmesser haben, wobei eine kreisförmige Öffnung verwendet wird. In einem Ausführungsbeispiel kann die Dichte der Öffnungen in dieser HGC-Oberfläche maximiert werden, um die stärkste Gasdurchlässigkeit durch diese Oberfläche zu gestatten, während die erforderliche strukturelle/mechanische und elektrische Integrität beibehalten wird. Die Größe, Orientierung und Beabstandung der Öffnungen (oder in anderen Ausführungsbeispielen Laschen und/oder Schlitze) kann so ausgelegt sein, um zumindest von einem praktischen Standpunkt aus, ein Eindringen von plasmaerzeugenden elektrischen und magnetischen Feldern zu verhindern und um selektiv neutrale Spezies durchzulassen, während geladene Stoffe gefiltert werden. Das Blockieren des Eindringens von elektrischen und magnetischen Feldern verhindert eine weitere Ionisierung von Gasbestandteilen, die durch diese Oberfläche laufen, wodurch dies als eine Art Filter für geladene Partikel wirkt. Somit kann eine beispielhafte HGC-Oberfläche eine signifikante Dicke haben (wie beispielsweise eine Wabenstruktur, wobei die Höhe der Wabenstruktur ungefähr die gleiche ist wie die Distanz über die Öffnungen der Wabe) solange die HGC-Struktur eine hohe Durchlässigkeit hat.
  • Es sei bemerkt, dass das Gitter 840 Segmente aufweisen kann, so dass ein erstes Segment durch das erste Abschirmglied und den Klemmring getragen wird, und ein zweites Segment durch das zweite Abschirmglied 814 getragen wird und sich mit diesem bewegt. Es sei bemerkt, dass das Gitter 814 im Wesentlichen in Verbindung mit jeglicher Abschirmanordnung verwendet werden kann, die hier beschrieben wurde und dass es in Verbindung mit einer Ablenkelement- oder Steggliedkonfiguration verwendet werden kann. Überlegungen bezüglich der Erdung werden direkt hier anschließend bezüglich der Abschirmglieder, der Stegglieder, der Gitterkomponenten und so weiter besprochen.
  • Mit Bezug auf 19 ist eine Ausführung des Steggliedes 146b veranschaulicht. In diesem Beispiel ist das Stegglied fest angebracht, um sich mit dem zweiten Abschirmglied 814 zu bewegen. Ein Erdungskontakt 850 ist mit der Erdungsabschirmung 68 der Bearbeitungsstation verbunden. Wie veranschaulicht, stellt das Stegglied 146b in der Behandlungsposition einen physischen Kontakt mit dem Erdungskontakt 850 her, um zur besseren Erdung des Steggliedes 146b und dadurch des zweiten Abschirmgliedes 814 zu dienen. Der Kontakt 850 ist flexibel, um einen Kontakt mit der Erdungsabschirmung 68 in der Behandlungsposition sicherzustellen, und er kann, wie andere solche hier beschriebenen Kontakte, aus irgendeinem geeigneten elastischen Material geformt sein, wie beispielsweise aus Beryllium-Kupfer-Legierungen, aus kupferbasierten Legierungen und rostfreien Stahllegierungen. Diese Materialien können beispielsweise unter Verwendung von Aluminium, Nickel, Kohlenstoff, oder DLC-Beschichtungen (DLC = diamond like coatings = diamantenartige Beschichtungen) beschichtet sein.
  • Mit Bezug auf 20 ist eine weitere Ausführung des Steggliedes 146b veranschaulicht. In diesem Beispiel ist das Stegglied fest an der Erdungsabschirmung 68 angebracht. Es sei bemerkt, dass dies unter Verwendung des zuvor beschriebenen Klemmrings 150 erreicht werden kann. Entsprechend ist das Stegglied 146b in diesem Beispiel stationär. Ein Erdungskontakt 852 ist mit dem zweiten Abschirmglied 814 verbunden, so dass, wenn das zweite Abschirmglied sich aus der Werkstücktransferposition in eine Richtung bewegt, die von einem Pfeil 854 angezeigt wird, der Kontakt 852 physisch das zweite Abschirmglied 814 kontaktiert, um dazu zu dienen, das Stegglied 146b und dadurch das zweite Abschirmglied 814 besser zu erden. Der Kontakt 852 ist, genauso wie der Kontakt 850, flexibel, um einen Kontakt mit der Erdungsabschirmung 68 in der Behandlungsposition sicherzustellen und kann aus ähnlichen Materialien geformt sein.
  • Die 21a und 21b veranschaulichen geeignete Formen des Kontaktes 850 in weiter vergrößerten Ansichten, wobei jeder Kontakt einen Befestigungsteil 856 und einen Kontaktteil 858 aufweist. Der Befestigungsteil 856 kann fest an einer Tragkomponente angebracht sein, beispielsweise durch Schweißen.
  • Die 22a und 22b veranschaulichen einen weiteren Kontakt 850', der von einer ersten Kammerkomponente 860 getragen wird. Füße 862 sind an der ersten Kammerkomponente 860 angebracht. Die Seitenwände des Kontaktes 850' weisen eine zusammendrückbare Serpentinenkonfiguration auf, so dass ein Kontakt mit der zweiten Kammerkomponente 866 zur Folge hat, dass der Kontakt 850' zwischen den zwei Kammerkomponenten, die einen elektrischen Erdungskontakt dazwischen bilden können, eingefangen wird.
  • Es sei nun auf 23 verwiesen, die ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Bearbeitungskammeranordnung veranschaulicht, welche im Allgemeinen mit dem Bezugszeichen 1000 bezeichnet wird. 23 zeigt die Bearbeitungskammeranordnung 1000 in einer schematischen aufgeschnittenen Ansicht, wobei der Hinterteil der Kammer und die Abdeckung entfernt sind und man zum Vorderteil der Kammer sieht, wo die Schlitztür 16 gelegen ist. Die Bearbeitungskammeranordnung 1000 weist eine Anzahl von Komponenten auf, die zuvor oben beschrieben wurden. Entsprechend werden Beschreibungen dieser gleichen Komponenten zum Zwecke der Abkürzung nicht wiederholt. Weiterhin hat die Bearbeitungskammeranordnung 1000 die gleichen Vorteile, die von den oben beschriebenen Bearbeitungskammeranordnungen vorgesehen werden und sie kann noch weitere Vorteile bieten. Das vorliegende Ausführungsbeispiel weist eine Abschirmanordnung 1010 auf, die aus einem ersten Abschirmglied 1012 und einem zweiten Abschirmglied 1014 gemacht ist. Zu Veranschaulichungszwecken ist die Abschirmanordnung auf der linken Seite der Figur für die Bearbeitungsstation 40 in einem Werkstückbehandlungsmodus gezeigt, während die Abschirmanordnung auf der rechten Seite der Figur für die Bearbeitungsstation 42 im Werkstücktransfermodus gezeigt ist, so dass der Werkstücktransferschlitz 16 sichtbar ist. Es sei bemerkt, dass während das Zeigen der Bearbeitungsstationen in unterschiedlichen Modi in den verschiedenen Figuren als ein Mittel im Zusammenhang mit diesen Beschreibungen dient, beide Bearbeitungsstationen normalerweise im gleichen Modus zum Zwecke des Werkstücktransfers und der Werkstückbehandlung betrieben werden. Das Werkstück 50 wird auf Hubstiften 1016 getragen, beispielsweise während es auf einen Transfer auf der Bearbeitungskammer wartet. Jedes erste Abschirmglied 1012 umgibt die Öffnung, die zu einer der Plasmaquellen 60 führt. Eine Eingangsgasmischung 1020 wird zur Gasleitung 1022 gespeist, die im Wesentlichen gleiche Mengen des Plasmaeinspeisungsgases entlang einer Mittellinie 1023 in jede der Plasmaquellen während des Behandlungsmodus einspeist, wie durch Pfeile 1024 gezeigt. Das zweite Abschirmglied 1014 wird zur Bewegung vertikal in der Ansicht der Figur getragen, beispielsweise unter Verwendung von Betätigungsanordnungen 520a und 520b, wie oben beschrieben. Das zweite Abschirmglied 1014 weist eine Umfangsseitenwand 1030 auf, die eine zylindrische Konfiguration haben kann und ein vorstehendes Glied 1032, welches ringförmig sein kann, welches sich vom unteren Umfang der Seitenwand 1030 nach innen erstreckt. Die Umfangsseitenwand 1030 und das vorstehende Glied 1032 können integral geformt oder getrennt geformt sein und dann aneinander angebracht werden. Es sei bemerkt, dass das vorstehende Glied 1032 konfiguriert sein kann, um in der Art und Weise eines Ablenkelementes zu wirken, wie es oben beschrieben wurde, und zwar zum Zwecke des Ausgleichs eines Flusses, um den Umfang jedes Sockels. Beispielsweise kann das vorstehende Glied eine Verteilung der Öffnungen definieren, wie sie in 8b gezeigt ist.
  • Mit Bezug auf 24a in Verbindung mit 23 ist die erstere Figur eine weiter vergrößerte Ansicht, welche die Beziehung zwischen dem ersten Abschirmglied 1012 und dem zweiten Abschirmglied 1014 im Behandlungsmodus veranschaulicht, und zwar in einem gestrichelten Kreis 1034, der in 23 zu sehen ist. Das erste Abschirmglied 1012 kann zwischen dem Kammergehäuse 30 und der Kammerabdeckung 32 eingeschlossen sein, beispielsweise wie oben beschrieben unter Verwendung des Flansches 160 (siehe beispielsweise auch 4 und 6a) um elektrisch das erste Abschirmglied mit der Kammerabdeckung 32 zu verbinden und dadurch zu erden. Die Abschirmglieder arbeiten zusammen, um einen gewundenen Pfad 1036 für irgendwelche Partikel zu definieren, die versuchen, über diesen Weg aus der Abschirmanordnung auszutreten. Entsprechend werden geladene Spezies effektiv abgeblockt. Eine elektrische Verbindung und dadurch eine Erdung des zweiten Abschirmgliedes 1014 mit dem ersten Abschirmglied 1012 kann zumindest teilweise unter Verwendung einer Vielzahl von Erdungskontakten 1014 sichergestellt werden, die jenen ähneln, die beispielsweise bezüglich der 19, 20, 21a und 21b beschrieben wurden und die unter Verwendung von ähnlichen Materialien geformt werden können.
  • Mit Bezug auf 24b in Verbindung mit 23 ist die erstere Figur eine weiter vergrößerte Ansicht, welche die Beziehung zwischen dem vorstehenden Glied 1032 des zweiten Abschirmgliedes und der Erdungsabschirmung 68 im Behandlungsmodus in einem gestrichelten Kreis 1024 veranschaulicht, der in 23 zu sehen ist. Die Erdung des zweiten Abschirmgliedes 1024 an die Erdungsabschirmung 68 kann zumindest teilweise durch Verwendung von zusätzlichen Erdungskontakten 1040 sichergestellt werden, die an dem vorstehenden Glied 1032 angebracht werden können. Ein Fluss von neutralen Spezies 1044 ist durch gepunktete Linien veranschaulicht. Wie am besten in 24a gezeigt, können die neutralen Spezies beispielsweise durch Öffnungen hindurch laufen, die in dem vorstehenden Glied 1032 definiert sind. Es sei bemerkt, dass ein innerer Ring 1046 des vorstehenden Gliedes fest bzw. starr sein kann, beispielsweise als ein Versteifungsmerkmal.
  • Wiederum mit Bezug auf 23 umgibt die Umfangsseitenwand 1030 des zweiten Abschirmgliedes 1014 im Behandlungsmodus ein jeweiliges eines der Werkstücke, die einer Behandlung unterworfen werden. Das erste Abschirmglied 1012 arbeitet mit der Umfangsseitenwand 1014 des zweiten Abschirmgliedes zusammen, um den LGC-Teil der Abschirmanordnung als Teil einer insgesamt selektiv transparenten Abschirmung zu bilden. Der HGC-Teil der selektiv transparenten Abschirmung wird durch das vorstehende Glied 1032 gebildet und kann irgendein geeignetes Hilfsmittel zum Zweck der Begrenzung des Durchgangs von geladenen Spezies aufweisen, während der Fluss von neutralen Spezies erleichtert wird, und zwar entweder wie oben beschrieben oder wie noch beschrieben wird. Ein kombinierter Fluss von neutralen Spezies durch den HGC-Teil wird durch ein Paar von Pfeilen 1048 dargestellt, die auf den Abgasfluss 104 ansprechen.
  • Mit Bezug auf 25 ist eine modifizierte Form der Bearbeitungskammeranordnung der 23 im Allgemeinen durch das Bezugszeichen 1000' gezeigt. Entsprechend werden Beschreibungen von gleichen Komponenten aus Gründen der Abkürzung nicht wiederholt. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist ein Ablenkglied 1060 zusätzlich zum vorstehenden Glied 1032 vorgesehen und bewegt sich mit jedem zweiten Abschirmglied 1014. Das Ablenkglied kann integral als Teil des zweiten Abschirmgliedes geformt sein oder kann separat geformt sein und in geeigneter Weise angebracht sein. Das Ablenkglied kann irgendeine geeignete Konfiguration aufweisen, um einen Fluss um einen jeweiligen Sockel zu steuern, beispielsweise wie oben beschrieben. Im vorliegenden Beispiel weist ein schraffierter Teil 1062 von jedem Ablenkglied 1060 eine feste bzw. durchgehende Wand als Teil des LGC-Teiles auf, während ein nicht schraffierter Teil 1064 von jedem Ablenkglied konfiguriert ist, um den Fluss um den Umfang des Sockels herum zu beeinflussen.
  • Mit Bezug auf 26 ist eine weitere modifizierte Form der Bearbeitungskammeranordnung der 23 im Allgemeinen mit dem Bezugszeichen 1000" gezeigt. Entsprechend werden Beschreibungen von gleichen Komponenten aus Gründen der Abkürzung nicht wiederholt. In dem vorliegenden Beispiel ist ein Ablenkelement 1070 im Allgemeinen über den Unterteil der Kammer 30 vorgesehen. Das Ablenkelement kann selektiv aus der Kammer entfernbar sein, um die Reinigung zu ermöglichen. Das Ablenkelement kann irgendeine geeignete Konfiguration aufweisen, um einen Fluss um einen jeweiligen Sockel herum zu steuern, wie beispielsweise oben beschrieben wurde. In dem vorliegenden Beispiel weist ein schraffierter Teil 1072 des Ablenkelementes eine feste Wand als Teil des LGC-Teiles auf, die den gesamten Fluss blockiert, während ein nicht schraffierter Teil 1074 des Ablenkelementes konfiguriert ist, um den Fluss um den Umfang jedes Sockels herum zu steuern. Es sei bemerkt, dass in allen bis zu diesem Punkt der Offenbarung beschriebenen Ausführungsbeispielen die Umfangsseitenwand der Abschirmanordnung einen Teil des LGC-Teils der STS ausmacht, während die Öffnung am Unterteil der Abschirmanordnung gegenüberliegend zur Behandlungsquelle verwendet wird, um den HGC-Teil der STS zu bilden. Wie unten zu sehen sein wird, können die HGC- und LGC-Teile mit einem beträchtlichen Grad an Flexibilität positioniert werden.
  • Es sei nun auf 27 hingewiesen, die ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Bearbeitungssystems veranschaulicht, welches im Allgemeinen durch das Bezugszeichen 1100 bezeichnet wird, und eine modifizierte Form des Systems 1000 der 23, 24a und 24b darstellt. Entsprechend wird die vorliegende Besprechung auf Komponenten beschränkt sein, die in gewisser Weise verändert wurden. Insbesondere weist das zweite Abschirmglied 1014' eine Umfangsseitenwand 1030' auf, die bezüglich der Höhe im Vergleich zur Umfangsseitenwand 1030 der 23 etwas kürzer sein kann. Die Umfangsseitenwand 1030 bildet einen Teil des LGC-Teiles der selektiv transparenten Abschirmung. Weiterhin wird der HGC-Teil der selektiv transparenten Abschirmung durch einen gekrümmten Wandabschnitt 1120 gebildet, der weiter nach unten von der Umfangsseitenwand 1030' verläuft und durch eine Biegung übergeht, so dass eine ringartige Kante 1122 mit der Erdungsabschirmung 68 im Wesentlichen in der gleichen Weise gegenübersteht, wie das vorstehende Glied 1032 der 23. Im vorliegenden Beispiel werden Flüsse von neutralen Spezies im Behandlungsmodus ansprechend auf einen Abgasfluss 104 ermöglicht. Der gekrümmte Wandabschnitt 1120 kann in irgendeiner geeigneten Weise konfiguriert sein, um den Durchgang von geladenen Spezies zu begrenzen, während der Fluss von neutralen Spezies gestattet wird, und zwar beispielsweise unter Verwendung eines Gitters, wie es oben beschrieben wurde oder unter Verwendung von hier beschriebenen nicht geradlinigen Konfigurationen. In einem Ausführungsbeispiel kann der gekrümmte Wandabschnitt 1120 eine Vielzahl von beabstandeten Öffnungen definieren, wobei die ringartige Kante 1122 fest ist.
  • 28 veranschaulicht ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Bearbeitungssystems, welches im Allgemeinen mit dem Bezugszeichen 1200 bezeichnet ist und eine modifizierte Form des Systems 1100 der 27 darstellt. Entsprechend wird die vorliegende Besprechung auf Komponenten eingeschränkt, die in gewisser Weise verändert worden sind. Insbesondere weist ein zweites Abschirmglied 1214 eine Umfangsseitenwand auf, die Teile von sowohl den HGC- als auch LGC-Teilen bildet. Beim vorliegenden Beispiel liefert ein mittiges Band 1220 des zweiten Abschirmgliedes, mit normaler Schraffierung, Flüsse 1124 von neutralen Spezies im Behandlungsmodus ansprechend auf einen Abgsasfluss 104. Das mittige Band ist zwischen einem oberen Band 1222 und einem unteren Band 1224 positioniert, wobei jedes davon den gesamten Fluss als Teil des LGC-Teiles blockieren kann. Die Flüsse 1124 treten zumindest im Allgemeinen radial aus jedem zweiten Abschirmglied 1214 aus und werden dann Teil des Auslassflusses 104. Das mittige Band 1220 kann irgendeine geeignete Konfiguration aufweisen, um den Fluss von neutralen Spezies zu ermöglichen, während aufgeladene Spezies blockiert werden, was beispielsweise nicht geradlinige Konfigurationen mit einschließt. Eine umlaufende Schürze 1230 kann an der Erdungsabschirmung 68 von jedem Sockel angebracht sein, um einen Teil des LGC-Teiles der Abschirmanordnung zu bilden.
  • Nachdem eine Anzahl von Ausführungsbeispielen der Abschirmanordnung der vorliegenden Offenbarung oben beschrieben wurde, ist es sinnvoll, darzulegen, dass jedes dieser Ausführungsbeispiele einer Abschirmanordnung die Ankunft und den Abtransport von Werkstücken entlang eines radial bogenförmigen Pfades ermöglicht. Entsprechend ist die Abschirmanordnung gut zur Anwendung als Teil der Systeme geeignet, die in den oben mit eingeschlossenen Anmeldungen '582 und '412 beschrieben wurden. Weiterhin ist ein großes Ausmaß an Flexibilität bezüglich anderer Konfigurationen der Werkstücktransferpfade vorgesehen. D.h., nahezu jeglicher Transferpfad kann eingerichtet werden. Es sei bemerkt, dass die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele einen einfachen Ersatz von Komponenten erleichtern, wie dies erforderlich ist, um das immer weiter ansteigende Ausmaß der Konsistenz von Prozessen aufrecht zu erhalten, die von führenden Halbleitervorrichtungsherstellern gefordert wird.
  • Die Abschirmanordnung der vorliegenden Offenbarung mit HGC- und LGC-Teilen sieht im Behandlungsmodus eine Anzahl von Vorteilen bezüglich zumindest der Gleichförmigkeit des Prozesses, der Wiederholbarkeit und einer geringeren Instandhaltung vor, was eine höhere Prozessleistung mit besserer Vorhersagbarkeit und niedrigeren Kosten für den Eigentümer bei Herstellungsanwendungen mit großem Volumen zur Folge hat. Diese Vorteile werden direkt im Folgenden genau angesprochen.
  • Die verschiedenen Abschnitte oder Glieder von jeder Abschirmanordnung arbeiten im Behandlungsmodus zusammen, um eine achsensymmetrische oder nahezu achsensymmetrische Bodenfläche (um eine Symmetrieachse des Werkstücksockels von jeder Bearbeitungsstation herum) vorzusehen, die eine elektrisch geerdete Oberfläche mit geringer Impedanz hat, die sich vom Umfang der geerdeten Oberfläche des Werkstücksockels zur Abdeckung der Bearbeitungskammer erstreckt. Im Behandlungsmodus sieht jede Abschirmanordnung einen relativ großen geerdeten Bereich um das Volumen herum vor, welches das Plasma benachbart zu jedem Werkstück enthält. Jede Bearbeitungsstation ist mit einer Plasmaquelle ausgerüstet, um die reaktiven Spezies zu liefern, die erforderlich sind, um den Prozess in jeder Bearbeitungsstation zu fördern, und zwar innerhalb einer gemeinsam verwendeten Bearbeitungskammer. Jede Bearbeitungsstation kann mit einer identischen Konfiguration zum Erzeugen und Halten eines Plasmas ausgerüstet sein. Der große geerdete Bereich der Abschirmanordnung hat verringertes Sputtern aller geerdeten Bereiche zur Folge (insbesondere wenn ein Teil der Leistung kapazitiv in das Plasma eingekoppelt wird, wie beispielsweise durch HF- bzw. Hochfrequenzleistung zum Werkstück oder zu einer Elektrode), wodurch die Verunreinigung des Werkstücks verringert wird und dadurch eine verbesserte Prozessleistung erreicht wird. Der geerdete Oberflächenbereich direkt benachbart zum Plasma senkt die elektrische Induktivität zwischen dem Plasma und Erde, was somit die Rückkehr der HF-Biasströme unterstützt, die durch das Plasma zu allen geerdeten Oberflächen benachbart zum Plasma laufen und dabei hilft, induktive Erdungsspannungen zu verhindern, die eine Bogenbildung zu geerdeten Oberflächen bewirken können, was anderenfalls auftreten kann, wenn die Induktivität hoch ist. Die geerdete Abschirmanordnung verringert die magnetische Koppelung zwischen den Biasströmen von benachbarten Bearbeitungsstationen und verringert dadurch stark die Ungleichmäßigkeit und schlechte bzw. nicht vorhandene Wiederholbarkeit oder eliminiert dies, welche eine solche Koppelung induzieren kann. Die Abschirmanordnung verringert EMI-Emissionen (EMI = electromagnetic interference = elektromagnetische Interferenz) zur Systemsteuerschaltung, die negativ die gesamte Systemsteuerung, die Wiederholbarkeit und die Systemlaufzeitleistung beeinflussen kann. Obwohl dies keine Anforderung ist, kann die Verwendung von Mehrpunkt-HF-Erdungskontakten, wie sie beispielsweise in den 10, 20, 21a, 21b, 22a und 22b zu sehen sind, effektiv noch weiter den Erdungspfad ausweiten (zwischen benachbarten Bearbeitungsstationen) und kann weiter die Erdungsrückkehrimpedanz verringern und auch weiter eine magnetische Koppelung zwischen den Prozessregionen verringern. Die Mehrfach-Kontaktpunkte können auch die Größe von nicht symmetrischen Harmonischen des Biasstroms verringern, der in der Skinlayer bzw. Oberfläche des Plasmas benachbart zu den Rückkehrstrompfaden in der Abschirmanordnung fließt, was weiter die Achsensymmetrie der Plasmaaufheizung und somit die Gleichförmigkeit des Prozesses verbessert.
  • Die verschiedenen Abschnitte oder Glieder von jeder Abschirmanordnung arbeiten im Behandlungsmodus so zusammen, dass sie eine nahezu achsensymmetrische Druckverteilung und einen achsensymmetrischen Gasfluss um den Umfang jeder Bearbeitungsstation und innerhalb einer gemeinsamen Bearbeitungskammer vorsehen. Diese achsensymmetrische Druckverteilung hat den achsensymmetrischen Massentransport der Prozessgasbestandteile (Gasfluss) am Umfang von jedem Werkstücksockel zur Folge. Die achsensymmetrische Druckverteilung und der Gasfluss arbeiten zusammen, um die Realisierung einer hohen azimutalen Gleichförmigkeit des Prozesses und einer Äquivalenz bzw. Gleichförmigkeit der Bearbeitung in einer gemeinsamen Bearbeitungskammer sicherzustellen. Die Abschirmanordnung wirkt effektiv als eine selektiv transparente Abschirmung, die neutrale Partikel durchlässt, während sie im Allgemeinen geladene Partikel, Licht, elektrische und magnetische Felder herausfiltert. Das Ergebnis wird in dem gezeigt, was man bis jetzt für unerreichbare Niveaus der Bearbeitungssymmetrie hielt, und in einer elektromagnetischen Abschirmung in einer Chargenbearbeitungsumgebung.
  • Mit Bezug auf eine Photonenübertragung zwischen Bearbeitungsstationen arbeiten die verschiedenen Abschnitte oder Glieder von jeder Abschirmanordnung zusammen, um effektiv einen solchen Austausch von Photonen zwischen Bearbeitungsstationen zu verhindern. Die Abschirmanordnung verhindert im Allgemeinen einen direkten Durchlass von Licht zwischen den Bearbeitungsvolumen, da Licht entlang geraden Pfaden läuft, wenn es nicht reflektiert wird. Eine indirekte Transmission ist ebenfalls zu vernachlässigen, weil die Wahrscheinlichkeit dass Licht welches auf Oberflächen außerhalb der Abschirmanordnung durch eine Abschirmanordnung und in das andere Verarbeitungsvolumen reflektiert wird, gering ist, da es eine viel größere Wahrscheinlichkeit einer Reflexion in harmlosen Richtungen oder eine Adsorption durch eine Oberfläche gibt. Dadurch, dass zumindest von einem praktischen Standpunkt aus, der Durchgang von Licht zwischen benachbarten Bearbeitungsstationen begrenzt oder verhindert wird, wird die Fähigkeit vorgesehen unabhängig den Bearbeitungsendpunkt an jeder Bearbeitungsstation in einer gemeinsamen Bearbeitungskammer zu überwachen, zu steuern und zu beenden. In dieser Hinsicht ist es meistens während der Chargenverarbeitung der Fall, dass es einige Unterschiede beim Anfangsmaterial gibt, welches auf jedem Werkstück zu bearbeiten ist, oder gewisse andere Unterschiede bei den Startbedingungen, was zu anderen Bearbeitungsergebnissen von einem Werkstück zum nächsten führen würde. Entsprechend können die Bearbeitungsergebnisse von Werkstück zu Werkstück für einen gegebene Charge durch eine unabhängige Beendigung des Prozesses für jede Bearbeitungsstation beispielsweise basierend auf einer Anzeige des Bearbeitungsendpunktes konsistenter gemacht werden. Etwas anders gesagt, kann die Prozess- bzw. Bearbeitungszeit für jedes Werkstück angepasst werden, so dass dieses einen anvisierten Endpunkt des Prozesses erreicht. Eine unabhängige Überwachung und Steuerung des Prozesses bei jeder Bearbeitungsstation gestattet eine manuelle oder automatische Überprüfung der vorhergesagten/erwarteten Prozessleistung vor dem Beginn der Bearbeitung, beim Beginn der Bearbeitung, während der Bearbeitung und eine unabhängige Beendigung des Prozesses, wie es erforderlich ist, um das höchste Niveau an Prozessleistung beizubehalten.
  • Wie oben beschrieben, gestatten irgendwelche gewundenen Pfade, die als Teil des LGC-Teiles von jeder Abschirmanordnung gebildet werden, dass neutrale Gasbestandteile aus der Prozessumgebung von einer Bearbeitungsstation sich mit der Prozessumgebung von irgendeiner benachbarten Bearbeitungsstation innerhalb einer gemeinsam verwendeten Bearbeitungskammer vermischen. Dies hat den Effekt, dass passiv der verwirklichte Prozessdruck (Bedingung) bei jedem Werkstück in jeder Bearbeitungsstation innerhalb der gemeinsam verwendeten Bearbeitungskammer ausgeglichen ist.
  • Es sei bemerkt, dass, wenn Ionen von einer Bearbeitungsstation in den Bearbeitungsbereich von irgendeiner benachbarten Bearbeitungsstation eintreten dürfen, die Ionen in negativer Weise die Gleichförmigkeit des Prozesses des Werkstücks in der Prozessumgebung beeinflussen können, in die sie eintreten. Die Abschirmanordnung ist in dem Ausmaß selektiv transparent, dass sie den Durchtritt von geladenen Partikeln (sowohl Ionen als auch Elektronen) aus der Prozessumgebung von einer Bearbeitungsstation zur Prozessumgebung von irgendeiner benachbarten Bearbeitungsstation innerhalb der gemeinsam verwendeten Bearbeitungskammer verhindert, während sie gleichzeitig den Austausch von neutralen Gasbestandteilen zwischen benachbarten Bearbeitungstationen innerhalb der gemeinsam verwendeten Bearbeitungskammer gestattet.
  • Im Hinblick auf das Vorangegangene sind geladene Spezies im Allgemeinen in dem hauptsächlichen Prozessbereich enthalten, in dem sie erzeugt werden, und sie treten nicht daraus aus. Daher ist die Konsistenz und Wiederholbarkeit der Energie, welche zu jedem Bearbeitungsbereich geliefert wird, verbessert, was eine verbesserte Prozesssteuerung bei jeder Bearbeitungsstation und eine verbessertes gesamte Wiederholbarkeit des Prozesses, eine verbesserte Gleichförmigkeit und Konsistenz von Durchlauf zu Durchlauf und von Station zu Station zur Folge hat. Die Begrenzung der geladenen Spezies, die aus dem hauptsächlichen Prozess- bzw. Bearbeitungsbereich an jeder Bearbeitungsstation austreten, hat den zusätzlichen Vorteil, die Gelegenheit zur Ablagerung von gasförmigen Prozessbestandteilen auf Oberflächen außerhalb des Bearbeitungsvolumens zu verringern, wodurch der Effekt der Ablagerungsansammlung außerhalb der Abschirmanordnungen und die erforderliche Zeit zur Entfernung dieser Ansammlungen und/oder Wartungsschritte zum Ersetzen von beschichteten oder beeinflussten Oberflächen verringert werden. Kommerzielle Vorteile hängen mit der Verringerung der Zeit zusammen, die für Aktivitäten erforderlich ist, die nicht direkt die Bearbeitung von Werkstücken zur Folge haben. D.h., die Verringerung der Instandhaltungszeit führt zu höherer Produktivität des Werkzeuges und zu geringeren Kosten für den Eigentümer.
  • An diesem Punkt ist es dienlich, gewisse zusätzliche Detailniveaus bezüglich des HGC-Teiles in jeder Abschirmanordnung vorzusehen. Wegen der Konfiguration der Innenfläche des HGC-Teils wirkt diese direkt als ein Filter für jene geladenen Partikel, die ihre Oberflächen treffen. Beispielsweise können Ionen ein Elektron anziehen (oder sich damit kombinieren) und in neutrale Gasbestandteilstoffe- bzw. -spezies umgewandelt werden. In dieser Hinsicht ziehen die lokalen (ambipolaren und geteilten) elektrischen Felder gewöhnlicherweise positive Ionen zur Oberfläche des HGC-Teils. Als ein weiteres Beispiel können Elektronen auf die Oberfläche auftreffen und als ein Rückstrom entfernt werde. Zur gleichen Zeit tendieren die lokalen elektrischen Felder dazu, geladene Partikel durchzulassen, so dass diese auf die HGC-Oberflächen auftreffen. Das Vergrößern der Dicke (d.h. in der Richtung des Laufs der Partikel) des HGC-Teiles kann entsprechend die Effektivität des HGC als Filter zur Beschränkung des Durchlaufs von geladenen Partikeln vergrößern, wie dies die Verringerung der Größe der definierten Aperturen oder Öffnungen erreicht.
  • Der HGC-Teil ist ausgelegt, um den Durchgang von sowohl elektrischen als auch magnetischen Feldern zu blockieren, wodurch die Ionisierung von austretenden Gasbestandteilen auf der stromabwärts gelegenen Seite der HGC-Fläche verhindert wird. Durch das Verhindern einer Ionisierung wird die Bildung von geladenen Spezies wie beispielsweise Ionen und Elektronen vermieden.
  • Der HGC-Teil wirkt auch direkt als ein optischer Filter, um die Lichtmenge zu verringern die dort hindurch läuft. Im Allgemeinen können die Öffnungen des HGC-Teiles so ausgelegt sein, dass es keinen geradlinigen Pfad zwischen den Bearbeitungsregionen gibt, so dass Photonen mehrere Male reflektiert werden müssen, um zwischen Bearbeitungsregionen zu wandern, was die optische Koppelung zwischen den Regionen insignifikant macht. Gewisse Ausführungsbeispiele können eine oder mehrere zusätzliche Oberflächen verwenden, um eine geeignete Blockage des Lichtes sicherzustellen, welches durch einen gewissen speziellen Pfad in der Abschirmung zwischen benachbarten Bearbeitungsstationen reflektiert werden kann.
  • Wie der LGC-Teil ist der HGC-Teil von jeder Abschirmanordnung eine selektive Abschirmung, da sie den Durchgang von neutralen gasförmigen Bestandteilen von der Prozessumgebung durch zahlreiche Öffnungen in der HGC-Oberfläche gestattet. Der HGC-Teil ermöglicht einen Hauptteil des passiven Druckausgleiches zwischen den Bearbeitungsregionen. In einigen der im Detail oben beschriebenen Ausführungsbeispielen ist die Gasdurchlässigkeit unter dem HGC-Teil (mit einer insgesamt ringförmigen Form) in Abwesenheit von irgendwelchen anderen eingreifenden Vorkehrungen nicht symmetrisch. Um sicherzustellen, dass eine erwünschte achsensymmetrische Druckverteilung am Umfang von jedem Werkstücksockel erreicht wird, kann die Gasdurchlässigkeit durch den HGC-Teil eingestellt/angepasst werden, um das Einrichten eines gleichförmigen durchschnittlichen Gasflusses um den Umfang der Werkstücksockelanordnung im Behandlungsmodus zur Folge zu haben.
  • In einem anderen Ausführungsbeispiel kann der HGC-Teil (mit einer insgesamt ringförmigen Form) mit einer gleichförmigen radialen Gasdurchlässigkeit hergestellt werden und eine korrigierte Flussbalance kann durch die Zugabe einer zusätzlichen Oberfläche unter dem HGC-Teil erreicht werden, welche die nicht symmetrische Gasdurchlässigkeit unter dem HGC-Teil korrigiert, wo diese nicht symmetrische Gasdurchlässigkeit ein Ergebnis der Versetzung der Auslassanordnung ist. Eine solche zusätzliche Oberfläche kann so ausgelegt sein, dass die Distanz zum HGC-Teil einstellbar ist, wodurch einstellbare Flussbalancekorrekturen gestattet werden, die Unterschiede bei den Prozessrezeptparametern korrigieren, wie beispielsweise das Molekulargewicht des Prozessgases, die Temperatur, Druck und Flussraten.
  • Bei einem anderen Ausführungsbeispiel kann der HGC-Teil (mit insgesamt ringförmiger Form) mit einer gleichförmigen radialen Gasdurchlässigkeit hergestellt werden, wobei die nicht symmetrische Gasdurchlässigkeit unter dem HGC-Teil durch das Hinzufügen eines festen Ablenkelementes unter dem HGC-Teil korrigiert werden kann, welcher Bedingungen erzeugt, so dass die Gasdurchlässigkeit durch den HGC-Teil (und daher um den Sockel herum) ungefähr gleich um den Umfang des ringförmigen HGC-Teiles über den erwarteten Bereich des Prozessdruckes und der Gasflussbedingungen ist.
  • Der HGC-Teil kann mit verschiedenen Merkmalen ausgerüstet sein (wie beispielsweise Spulen und/oder Kanälen zum Kühlen und/oder Beheizen unter Verwendung von Wärmeaustauschflüssigkeiten oder -gasen), um zu gestatten, dass der HGC-Teil auf einer erwünschten Temperatur gehalten wird. In anderen Ausführungsbeispielen kann der HGC-Teil durch thermische Leitung zum LGC-Teil und dem Werkstücksockel gekühlt werden. Die Temperatursteuerung kann aus den oben besprochenen Gründen von Vorteil sein.
  • Es sei nun auf die 29a-c hingewiesen, die teilweise aufgeschnittene Ansichten im Querschnitt sind, die schematisch eine Anzahl von geeigneten Ausführungsbeispielen einer HGC-Struktur zur Anwendung bei irgendeinem der zuvor beschriebenen HGC-Teile einer Abschirmanordnung veranschaulichen. 29a veranschaulicht eine doppelwandige HGC-Struktur, die im Allgemeinen mit dem Bezugszeichen 1300 bezeichnet ist. Eine erste Wand 1302 definiert eine erste Vielzahl von Öffnungen 1304 mit einer gegebenen Orientierung. Eine zweite Wand 1306 ist in einer gegenüberliegenden beabstandeten Beziehung zur ersten Wand 1302 positioniert und definiert eine zweite Vielzahl von Öffnungen 1308. Die letzten Öffnungen können senkrecht bezüglich der gegebenen Orientierung der ersten Öffnungen 1304 orientiert sein. Die ersten und zweiten Wände haben eine ausreichende Dicke in Zusammenarbeit mit der Winkelorientierung der Öffnungen, so dass es keinen geradlinigen Pfad durch die Öffnungen der Struktur gibt. Beispielsweise sind Ionen 1310a und 1310b auf jeweiligen Bewegungspfaden veranschaulicht, die bewirken würden, dass die Ionen auf einer Innenfläche der HGC-Struktur auftreffen. Als eine Folge der Kollision kann das Ion sich mit einem Elektron 1312 kombinieren, um eine neutrale Spezies zu bilden. Eine neutrale Spezies 1314 ist andererseits derart gezeigt, dass sie durch die HGC-Struktur läuft. Es sei bemerkt, dass die beabstandete Beziehung zwischen der ersten Wand 1302 und der zweiten Wand 1306, die gezeigt ist, nicht erforderlich ist. Die Wände können aneinander angebracht sein. Weiterhin kann eine einzelne Wand geformt sein, die beispielsweise zusammenwirkende Öffnungen hat, die nach innen geformt sind, und zwar von beiden Hauptflächen der Wand.
  • Mit Bezug auf 29b ist ein anderes Ausführungsbeispiel einer doppelwandigen HGC-Struktur im allgemeinen durch das Bezugszeichen 1320 gezeigt. Die erste Wand 1302 definiert eine erste Vielzahl von Öffnungen 1322 in einer Richtung, die senkrecht zur Ebene der Wand 1304 sein kann. Die zweite Wand 1306 ist wieder in gegenüberliegender beabstandeter Beziehung zur ersten Wand 1302 positioniert und definiert eine zweite Vielzahl von Öffnungen 1324. Die letzteren Öffnungen können auch senkrecht zu der Ebene der Wand 1306 sein. In diesem Ausführungsbeispiel sind jedoch die ersten Öffnungen 1322 und die zweiten Öffnungen 1324 seitlich bezüglich einander versetzt, so dass es keinen geradlinigen Pfad durch die Öffnungen der Struktur gibt. Beispielsweise ist ein Ion 1330 auf einem Pfad durch eine der Öffnungen 1322 veranschaulicht, jedoch wird es so wandern, dass es mit einer Innenfläche der HGC-Struktur kollidiert. Als eine Folge der Kollision kann das Ion 1330 sich mit einem Elektron 1332 kombinieren, um eine neutrale Spezies zu bilden. Eine neutrale Spezies 1334 ist andererseits gezeigt, wie sie durch die HGC-Struktur läuft.
  • Mit Bezug auf 29c ist noch ein weiteres Ausführungsbeispiel einer HGC-Struktur im Allgemeinen mit dem Bezugszeichen 1340 bezeichnet. Das Ausführungsbeispiel 1340 ähnelt dem Ausführungsbeispiel 1300 der 29a, außer dass die Öffnungen 1304 und 1308 in einer einzigen Wanddicke 1342 definiert sind, um sich in einem Winkel- bzw. Fischgrätmuster zu treffen. Es sei bemerkt, dass die vorliegenden Beispiele von HGC-Strukturen nicht als einschränkend vorgesehen sind, und dass eine große Vielzahl von Modifikationen im Hinblick auf die gesamte Offenbarung möglich ist.
  • Die Abschirmanordnung der vorliegenden Offenbarung dient dazu, eine Bearbeitungsumgebung für einzelne Wafer in einer Chargenverarbeitungsumgebung nachzubilden, zumindest vom Blickpunkt der geladenen Spezies, um ein verbessertes Niveau an Gleichförmigkeit zu erzeugen, von dem man annimmt, dass es in einer Chargenbearbeitungskammer unübertroffen ist. Darüber hinaus ist die Chargenbearbeitungskammer für hohen Durchsatz konfiguriert, und zwar unter Verwendung eines Schlitzventils, so dass die Kammer mit einer Massenproduktionstransferkammer verbunden werden kann, wie dies in den oben mit eingeschlossenen Anmeldungen '582 und '412 beschrieben wird. In dieser Hinsicht sind die Ungleichförmigkeiten von Prozessergebnissen aufgrund der Anwesenheit des Schlitzventils so gut wie eliminiert worden. Die Anmelder haben eine Lösung ans Licht gebracht, welche im Wesentlichen das Problem von asymmetrisch angeordneten Oberflächen in einem Chargenbearbeitungssystem löst, und zwar ungeachtet des Grundes für die asymmetrische Verteilung dieser Oberflächen, beispielsweise als ein Ergebnis dessen, dass sie Teil eines Hochgeschwindigkeits-Wafer-Transportsystems ist (beispielsweise mit Schlitzventilen) oder als eine Folge dessen, dass die Chargenbearbeitungsstationen einen gemeinsamen Kammerinnenraum verwenden. In dieser Hinsicht wäre es auch ein Vorteil bezüglich der Verwendung eines rechtwinklig geformten Kammerinnenraums mit kreisförmigen Werkstücken, wenn eine Bearbeitungsstation in der Mitte des Innenraums der Kammer gelegen ist, da die Oberflächenanordnung der Seitenwände einer solchen Kammer notwendigerweise mit variierender Distanz von der Umfangskante des Werkstückes angeordnet sind. Im Wesentlichen ist der Effekt der Form des Kammerinnenraums durch die Abschirmanordnung der vorliegenden Offenbarung eliminiert worden, um ein großes Ausmaß an Flexibilität in dieser Hinsicht vorzusehen, auch für zukünftige Konstruktionen, während immer noch ein effizienter Transfer von Werkstücken in einer Systemkonfiguration mit hohem Durchsatz vorgesehen wird. Weil weiterhin ein Druckausgleich von Station zu Station vorgesehen ist, wird angenommen dass die Abschirmanordnung der vorliegenden Offenbarung die beste Gleichförmigkeit von Werkstück zu Werkstück bietet, die die Anmelder bei einer Chargenbearbeitungsumgebung kennen. Das Endergebnis all dieser Vorteile sind verringerte Systemkosten, während ein hoher Durchsatz und bemerkenswerte Niveaus der Gleichförmigkeit des Prozesses aufrecht erhalten werden. Insofern sind sich die Anmelder bewusst, dass diese Vorteile niemals in einem Chargenbearbeitungssystem verwirklicht wurden.

Claims (35)

  1. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) zum Bearbeiten von Werkstücken (46) in einem Behandlungsprozess, wobei die Vorrichtung Folgendes aufweist: eine Kammer (12, 30) für mehrere Wafer, die einen Kammerinnenraum (38) definiert, der mindestens zwei Bearbeitungsstationen (40, 42) im Kammerinnenraum (38) aufweist, so dass sich die Bearbeitungsstationen (40, 42) den Kammerinnenraum (38) teilen, wobei jede der Bearbeitungsstationen (40, 42) eine Plasmaquelle (60) und einen Werkstücksockel (44, 48) aufweist, und jede der Bearbeitungsstationen (40, 42) konfiguriert ist, um eines der Werkstücke (46) dem Behandlungsprozess auszusetzen, und zwar unter Verwendung einer jeweiligen Plasmaquelle (60), und wobei die Kammer (12, 30) einen Behandlungsdruck im Kammerinnenraum (38) von einem Umgebungsdruck außerhalb der Kammer (12, 30) isoliert, wobei die Kammer (12, 30) eine Anordnung einer oder mehrerer elektrisch leitender Oberflächen aufweist, die asymmetrisch um das Werkstück (46) bei jeder Bearbeitungsstation (40, 42) auf eine Weise angeordnet sind, die ein vorgegebenes Niveau an Gleichförmigkeit des Behandlungsprozesses auf einer Hauptfläche jedes Werkstückes (46) erzeugt; und eine Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010), die im Kammerinnenraum (38) angeordnet ist, für jede der Bearbeitungsstationen (40, 42), wobei jede Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) selektiv betreibbar ist (i) in einem Werkstücktransfermodus, um den Transfer jedes Werkstückes (46) zu und von dem Werkstücksockel (44, 48) einer der Bearbeitungsstationen (40, 42) vorzusehen und (ii) in einem Behandlungsmodus, um jedes Werkstück zu umgeben, das auf dem Werkstücksockel (44, 48) einer der Bearbeitungsstationen (40, 42) angeordnet ist, so dass der Behandlungsmodus eine verbesserte Gleichförmigkeit des Aussetzens des Werkstückes (46) gegenüber der jeweiligen einen der Plasmaquellen (60) vorsieht, die größer ist als das gegebene Niveau an Gleichförmigkeit, das ohne die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) vorgesehen würde, wobei die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Behandlungsmodus eine Anordnung von leitfähigen, geerdeten Oberflächen um jede Bearbeitungsstation (40, 42) herum bereitstellt, die symmetrischer ist als die Anordnung von einer oder mehreren elektrisch leitfähigen Oberflächen, die asymmetrisch um das Werkstück (46) herum an jeder Bearbeitungsstation (40, 42) angeordnet sind.
  2. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 1, wobei ein oder mehrere gasförmige Spezies in jede Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) für jede der Plasmaquellen (60) eingeführt werden und wobei jede Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Behandlungsmodus einen Austausch an gasförmigen Spezies durch die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) vorsieht, was zu einem Ausgleich des Behandlungsdruckes führt, der von jedem Werkstück (46) innerhalb der Kammer (12, 30) erfahren wird.
  3. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 1, wobei die Anordnung von einer oder mehreren elektrisch leitenden Oberflächen, die asymmetrisch um das Werkstück (46) angeordnet sind, eine gegebenen Gleichförmigkeit der Verweilzeit jeglicher gasförmiger Spezies erzeugt, die in jede Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) für jede der Plasmaquellen (60) eingeführt werden, und wobei jede Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Behandlungsmodus eine verbesserte Gleichförmigkeit der Verweilzeit für gasförmige Spezies vorsieht, die in jede Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) eingeführt werden, die größer ist als die gegebene Gleichförmigkeit der Verweilzeit.
  4. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 1, wobei jede der Bearbeitungsstationen (40, 42) konfiguriert ist, um ein Werkstück (46) mit einem kreisförmigen Außenumfang aufzunehmen, und wobei jede Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) für jede Bearbeitungsstation (40, 42) im Behandlungsmodus ein im Allgemeinen zylindrisches Plasmavolumen zumindest zwischen dem Werkstück (46) bei der Bearbeitungsstation (40, 42) und der Plasmaquelle (60) der Bearbeitungsstation (40, 42) einführt, während ein Druckausgleich zwischen dem im Allgemeinen zylindrischen Plasmavolumen von einer Bearbeitungsstation (40, 42) zur nächsten aufrecht erhalten wird, unabhängig von der asymmetrischen Wandanordnung.
  5. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 1, die weiter Folgendes aufweist: eine Betätigungsvorrichtungsanordnung zum Betätigen der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) bei jeder der Bearbeitungsstationen (40, 42) zwischen dem Wafertransfermodus und dem Behandlungsmodus.
  6. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 5, wobei die Betätigungsvorrichtungsanordnung konfiguriert ist, um eine Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) jeder der Bearbeitungsstationen (40, 42) gleichzeitig zu betätigen.
  7. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 1, wobei die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) ein erstes ringförmiges Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) aufweist, das das Werkstück (46) in einer stationären Position umgibt und ein zweites Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014), das für eine Bewegung zwischen einer ersten Position und einer zweiten Position getragen ist, wobei in der ersten Position das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) mit dem ersten Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) zusammenarbeitet für den Betrieb der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Wafertransfermodus, und wobei in der zweiten Position das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) mit dem ersten Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) zusammenarbeitet für den Betrieb der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Behandlungsmodus.
  8. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 7, wobei das erste ringförmige Abschirmglied einen Schlitz zum Bewegen des Werkstückes (46) durch den Schlitz in den Wafertransfermodus zu und von dem Werkstücksockel (44, 48) definiert.
  9. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 8, wobei das erste ringförmige Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) einen zylindrischen Außenumfang aufweist und wobei das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) eine Abschirmoberfläche aufweist, die dem zylindrischen Außenumfang des ersten ringförmigen Abschirmgliedes so gegenüberliegt, dass für jede gegebene Stelle auf der Abschirmoberfläche des zweiten Abschirmgliedes (180, 514, 614, 714, 814, 1014) in der zweiten Position ein projizierter Abstand zum zylindrischen Umfang des ersten ringförmigen Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012), wobei sich die projizierte Distanz senkrecht in einer Richtung zur Oberfläche bezüglich des zylindrischen Umfangs erstreckt, zumindest annähernd konstant ist.
  10. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 9, wobei das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) einen Außenumfang des Abschirmgliedes aufweist, so dass eine Projektion des Abschirmgliedaußenumfangs in Richtung senkrecht zur Oberfläche und wobei sich das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) in der zweiten Position befindet, auf den zylindrischen Außenumfang des ersten Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) fällt und den Schlitz so umgibt, dass das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) als ein Verschlusselement dient.
  11. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 10, wobei das erste ringförmige Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) eine Symmetrieachse aufweist und einen zusätzlichen Schlitz definiert, der symmetrisch gegenüber dem ersten erwähnten Schlitz ist, und wobei die Vorrichtung ein weiteres Abschirmglied aufweist, das sich in einer gegenüberliegenden Beziehung zu dem zusätzlichen Schlitz befindet, um eine Beziehung zwischen dem ersten erwähnten Schlitz und dem zweiten Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) zumindest zu imitieren, so dass der zusätzliche Schlitz und das zusätzliche Abschirmglied zusammenwirken, um eine verbesserte Gleichförmigkeit des Behandlungsprozesses über das Werkstück (46) hinweg vorzusehen, und zwar zumindest in einer Richtung, die sich zwischen dem ersten erwähnten Schlitz und dem zusätzlichen Schlitz erstreckt.
  12. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 7, wobei das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) eine ringförmige Konfiguration aufweist.
  13. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 12, wobei das erste ringförmige Glied eine Symmetrieachse aufweist und einen zusätzlichen Schlitz definiert, der symmetrisch ist gegenüber dem ersten erwähnten Schlitz, so dass das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) dem ersten erwähnten Schlitz und dem zusätzlichen Schlitz in der zweiten Position gegenüberliegt.
  14. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 7, wobei das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) eine Symmetrieachse definiert und wobei sich das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) in einer Richtung entlang der Symmetrieachse zwischen der ersten Position und der zweiten Position bewegt.
  15. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 7, wobei für jede gegebenen Position des zweiten Abschirmgliedes (180, 514, 614, 714, 814, 1014) eine außer Kontakt stehende Beziehung zwischen dem ersten Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) und dem zweiten Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) aufrecht erhalten wird, um die Erzeugung von Partikeln zu begrenzen.
  16. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 7, wobei das Werkstück (46) einen Werkstückdurchmesser aufweist und wobei das erste Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) einen ersten zylindrischen Umfang aufweist, der einen ersten Durchmesser hat und wobei das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) einen zweiten zylindrischen Umfang aufweist, der einen zweiten Umfang hat, so dass der Werkstückdurchmesser geringer ist als der erste Durchmesser und der zweite Durchmesser.
  17. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 16, wobei der erste Durchmesser des ersten Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) größer ist als der zweite Durchmesser des zweiten Abschirmgliedes (180, 514, 614, 714, 814, 1014), so dass das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) innerhalb des Durchmessers des ersten Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) positioniert ist.
  18. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 16, wobei der erste Durchmesser des ersten Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) geringer ist als der zweite Durchmesser des zweiten Abschirmgliedes (180, 514, 614, 714, 814, 1014), so dass das erste Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) innerhalb des Durchmessers des zweiten Abschirmgliedes (180, 514, 614, 714, 814, 1014) positioniert ist.
  19. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 7, wobei die Kammer (12, 30) für mehrere Wafer ein Kammergehäuse (30) und eine Kammerabdeckung (32) aufweist, die selektiv mit dem Kammergehäuse (30) in Eingriff gebracht werden kann, um einen Kammerinnenraum (38) zu definieren, und wobei jedes erste ringförmige Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) einen zylindrischen Körper aufweist, der ein erstes Ende hat, das sich in Richtung einer assoziierten einen der Plasmaquellen (60) öffnet und ein zweites Ende, das sich in Richtung des assoziierten einen der Werkstücke (46) hin öffnet, und wobei das erste Ende einen nach außen vorstehenden Umfangsflansch aufweist, der zwischen der Kammerabdeckung (32) und dem Kammergehäuse (30) festgehalten wird, wenn sich das erste ringförmige Abschirmglied i(142, 512, 612, 712, 812, 1012) n einer installierten Konfiguration befindet.
  20. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 19, wobei der Umfangsflansch zwischen der Kammerabdeckung (32) und dem Kammergehäuse (30) festgehalten wird unter Verwendung eines elektrisch leitenden Materials, das einen Gasfluss dort hindurch vorsieht, so dass ein Druckausgleich zwischen den Bearbeitungsstationen (40, 42) durch das elektrisch leitenden Material um den Umfangsflansch stattfinden kann.
  21. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 7, wobei das zweite Ende des ersten ringförmigen Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) eine Vielzahl von Steggliedern (146) trägt, die sich nach innen und über eine Öffnung des zweiten Endes zu dem Werkstücksockel (44, 48) erstrecken und die um die Öffnung beabstandet sind, um eine elektrische Verbindung zwischen dem ersten ringförmigen Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) und dem Werkstücksockel (44, 48) vorzusehen.
  22. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 21, wobei der Werkstücksockel (44, 48) eine Erdungsabschirmung (68) aufweist und wobei jedes Stegglied (146) mit der Erdungsabschirmung (68) geerdet ist, um das erste ringförmige Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) zu erden.
  23. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 21, wobei jedes Stegglied (146) ein freies Ende aufweist und wobei die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) einen Klemmring (150) aufweist, der das freie Ende jedes Steggliedes (146) gegen den assoziierten einen der Werkstücksockel (44, 48) festhält.
  24. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 21, wobei das Kammergehäuse (30) eine Abgasöffnung zwischen den Bearbeitungsstationen (40, 42) definiert, zum Vakuum- bzw. Auspumpen des Kammerinnenraum (38), was ohne die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) ein gegebenes Flussmuster um einen Umfang eines jeden Werkstücksockels (44, 48) ansprechend auf das Vakuumpumpen erzeugt, und wobei die Stegglieder (146) eine Anordnung von Öffnungen bzw. Apperturen definieren, die jeden Werkstücksockel (44, 48) umgibt, welche mit der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) zusammenwirkt, um ein modifiziertes Flussmuster um den Umfang von jedem der Werkstücksockel (44, 48) zu erzeugen, das gleichförmiger ist als das gegebene Flussmuster.
  25. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 7, wobei das Kammergehäuse (30) eine Abgasöffnung zwischen den Bearbeitungsstationen (40, 42) definiert, zum Vakuumpumpen eines Kammerinnenraums (38), und wobei das zweite Ende des ersten ringförmigen Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) ein Gitterglied aufweist, das sich nach innen und über eine Öffnung des zweiten Endes zu dem Werkstücksockel (44, 48) erstreckt, um eine elektrische Verbindung zwischen dem ersten ringförmigen Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) und dem Werkstücksockel (44, 48) vorzusehen, und wobei das Gitterglied eine Vielzahl von Öffnungen definiert, um eine Gasflussverbindung von innerhalb der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) zu der Abgasöffnung vorzusehen.
  26. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 7, wobei das Kammergehäuse (30) eine Abgasöffnung zwischen den Bearbeitungsstationen (40, 42) definiert, zum Vakuumpumpen des Kammerinnenraums (38), welche ohne die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) ein gegebenes Flussmuster um den Umfang jedes Werkstücksockels (44, 48) ansprechend auf das Vakuumpumpen erzeugt, und wobei jedes ringförmige Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012; 180, 514, 614, 714, 814, 1014) einen zylindrischen Körper aufweist, der ein erstes Ende hat, dass sich in Richtung einer assoziierten einen der Plasmaquellen (60) öffnet und ein zweites Ende, dass sich in Richtung eines assoziierten einen der Werkstücke (46) öffnet und wobei das zweite Ende ein Ablenkelement (530) aufweist, das jeden Werkstücksockel (44, 48) umgibt, welches ein modifiziertes Flussmuster um den Umfang jedes Werkstücksockels (44, 48) erzeugt, das gleichförmiger ist als das das gegebene Flussmuster.
  27. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 1, wobei die Kammer (12, 30) eine Plasmaöffnung für jede der Plasmaquellen (60) definiert und wobei die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) Folgendes aufweist: (i) ein erstes ringförmiges Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012), das eine kreisförmige Öffnung definiert, die zu einer assoziierten einen der Plasmaquellen (60) hinweist und eine gegenüberliegende zweite Öffnung, wobei sich ein ringförmiger ersten Abschirmgliedkörper zwischen den ersten und zweiten Öffnungen erstreckt, um eine erste Symmetrieachse zu definieren, und (ii) ein zweites ringförmiges Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014), das eine zweite Symmetrieachse hat und eine Länge besitzt, das eine erste Endöffnung bzw. -appertur definiert, die zur zweiten Öffnung des ersten Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) hinweist und das eine gegenüberliegende zweite Endöffnung definiert, die von der ersten Endöffnung um eine Länge des zweiten ringförmigen Abschirmliedes (180, 514, 614, 714, 814, 1014) entlang der zweiten Symmetrieachse beabstandet ist, und wobei das zweite ringförmige Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) für eine Bewegung entlang der zweiten Symmetrieachse zwischen einer ersten Position und einer zweiten Position getragen wird, so dass sich die erste Endöffnung des zweiten ringförmigen Abschirmgliedes (180, 514, 614, 714, 814, 1014) in einer gegenüberliegenden Beziehung in Richtung der zweiten Öffnung des ersten ringförmigen Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) und weg davon bewegt, um mit dem ersten ringförmigen Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) zusammenzuwirken für den Betrieb der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Wafertransfermodus, wobei sich die erste Endöffnung des zweiten ringförmigen Abschirmgliedes (180, 514, 614, 714, 814, 1014) in der ersten Position in einem gegebenen Abstand von der zweiten Öffnung des ersten ringförmigen Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) befindet, und wobei sich in der zweiten Position die erste Endöffnung des zweiten Abschirmgliedes (180, 514, 614, 714, 814, 1014) in einem unterschiedlichen Abstand von der zweiten Öffnung des ersten ringförmigen Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) befindet, die geringer ist als die gegebene Distanz, um mit dem ersten ringförmigen Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) für den Betrieb der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Behandlungsmodus zusammenzuwirken.
  28. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 27, wobei das erste ringförmige Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) einen ersten ringförmigen Abschirmgliedkörper aufweist, der durch eine erste Dicke an der zweiten Öffnung gekennzeichnet ist und wobei das zweite ringförmige Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) einen zweiten ringförmigen Abschirmgliedkörper aufweist, der durch eine zweite Dicke an der ersten Endöffnung gekennzeichnet ist, und wobei die ersten Dicke oder die zweiten Dicke eine ringförmige Nut definiert, während die andere der ersten und zweiten Dicken eine Zunge (730) definiert, so dass sich, wenn sich das zweite ringförmige Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) in der zweiten Position befindet, die Zunge (730) in die Nut erstreckt, und zwar in einer nicht kontaktierenden Weise, um einen gewundenen Pfad von jeglicher Position innerhalb jeder Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) zu jeglicher Position außerhalb der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) zu definieren.
  29. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 1, wobei die Kammer eine Plasmaöffnung für jede Plasmaquelle (60) definiert, und wobei jede Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) Folgendes aufweist: ein erstes Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) , das eine Seitenwand hat, die einen Außenumfang definiert, der eine langgestreckte Konfiguration hat, um eine Erstreckungsachse zu definieren, und wobei der Außenumfang ein gegebenes eines der Werkstücke (46) umschließt, wenn es durch eine jeweilige eine der Bearbeitungsstationen (40, 42) getragen wird, und wobei das erste Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) weiter eine erste Öffnung definiert, die zu einer assoziierten einen der Plasmaquellen (60) weist und eine gegenüberliegende zweite Öffnung, und wobei die Seitenwand eine Seitenwandtür definiert, die an die zweite Öffnung angrenzt, und die sich in Richtung der ersten Öffnung erstreckt, um den Transfer des gegebenen Werkstückes (46) zu dem Werkstücksockel (44, 48) der jeweiligen Bearbeitungsstation (40, 42) und von diesem durch die Seitenwandtür vorzusehen, wobei die Seitenwandtür ein Türkantenprofil in der Seitenwand aufweist; und ein zweites Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014), das für eine Bewegung im Allgemeinen parallel zur Erstreckungsachse getragen wird, das einen zweiten Abschirmgliedaußenumfang aufweist, der komplementär zum Türkantenprofil ist, so dass sich das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) in eine gegenüberliegende Beziehung zu der Seitenwandtür des ersten Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) und von dieser weg bewegt, um mit dem ersten Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) zum Betrieb der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Wafertransfermodus zusammenzuwirken, wobei sich das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) in der ersten Position in einem gegebenen Abstand von dem Türkantenprofil befindet, und wobei sich in der zweiten Position das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) in einem unterschiedlichen Abstand zum Türkantenprofil befindet, der geringer ist als der gegebene Abstand, um mit dem ersten Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) für den Betrieb der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Behandlungsmodus zusammenzuwirken.
  30. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) nach Anspruch 29, wobei das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) und das Türkantenprofil in einer gegenüberliegenden Beziehung zusammenwirken, wobei sich das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) in der zweiten Position befindet, um einen gewundenen Pfad von jeglicher Position innerhalb jeder Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) zu jeglicher Position außerhalb dieser Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) zu definieren.
  31. Verfahren zum Erzeugen einer Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) zum Bearbeiten von Werkstücken (46) in einem Behandlungsprozess, wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Vorsehen einer Kammer (12, 30) für mehrere Wafer, die einen Kammerinnenraum (38) definiert, der mindestens zwei Bearbeitungsstationen (40, 42) innerhalb des Kammerinnenraums (38) aufweist, so dass sich die Bearbeitungsstationen (40, 42) den Kammerinnenraum (38) teilen, wobei jede der Bearbeitungsstationen (40, 42) eine Plasmaquelle (60) und einen Werkstücksockel (44, 48) aufweist, und wobei jede der Bearbeitungsstationen (40, 42) konfiguriert ist, um eines der Werkstücke (46) dem Behandlungsprozess auszusetzen, und zwar unter Verwendung einer jeweiligen Plasmaquelle (60), und um einen Behandlungsdruck im Kammerinnenraum (38) von einem Umgebungsdruck außerhalb der Kammer (12, 30) zu isolieren, und wobei die Kammer (12, 30) eine Anordnung von einer oder mehreren elektrisch leitenden Oberflächen aufweist, die asymmetrisch um das Werkstück (46) bei jeder Bearbeitungsstation (40, 42) auf eine Weise angeordnet sind, die ein gegebenes Niveau an Gleichförmigkeit des Behandlungsprozesses auf einer Hauptfläche jedes Werkstückes (46) erzeugt; und Positionieren einer Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) in dem Kammerinnenraum (38) für jede der Bearbeitungsstationen (40, 42), wobei jede Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) selektiv betreibbar ist (i) in einem Werkstücktransfermodus, um den Transfer jedes Werkstückes (46) zu und von dem Werkstücksockel (44, 48) einer der Bearbeitungsstationen (40, 42) vorzusehen und (ii) in einem Behandlungsmodus, um jedes Werkstück (46) zu umgeben, das auf dem Werkstücksockel (44, 48) einer der Bearbeitungsstationen (40, 42) angeordnet ist, so dass der Behandlungsmodus eine verbesserte Gleichförmigkeit der Aussetzens des Werkstückes (46) gegenüber der jeweiligen einen der Plasmaquellen (60) vorsieht, die größer ist als das gegebene Niveau an Gleichförmigkeit, das ohne die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) vorgesehen würde, wobei die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Behandlungsmodus eine Anordnung von leitfähigen, geerdeten Oberflächen um jede Bearbeitungsstation (40, 42) herum bereitstellt, die symmetrischer ist als die Anordnung von einer oder mehreren elektrisch leitfähigen Oberflächen, die asymmetrisch um das Werkstück (46) herum an jeder Bearbeitungsstation (40, 42) angeordnet sind.
  32. Verfahren nach Anspruch 31, das das Konfigurieren der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) derart aufweist, dass die Anordnung ein erstes ringförmiges Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) aufzuweisen, das das Werkstück (46) in einer stationären Position umgibt und ein zweites Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) trägt für eine Bewegung zwischen einer ersten Position und einer zweiten Position, wobei in der ersten Position das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) mit dem ersten Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) für den Betrieb der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Wafertransfermodus zusammenwirkt, und wobei in der zweiten Position das zweite Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) mit dem ersten Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) für den Betrieb der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Behandlungsmodus zusammenwirkt.
  33. Verfahren nach Anspruch 32, das das Definieren eines Schlitzes in dem ersten ringförmigen Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) zum Bewegen des Werkstückes (46) durch den Schlitz im Wafertransfermodus zu und von dem Werkstücksockel (44, 48) aufweist.
  34. Verfahren nach Anspruch 31, wobei die Kammer (12, 30) eine Plasmaöffnung für jede Plasmaquelle (60) definiert, und wobei das Verfahren das Konfigurieren jeder Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) aufweist, um Folgendes aufzuweisen: (i) ein erstes ringförmiges Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012), um eine kreisförmige erste Öffnung zu definieren, die zu der assoziierten einen der Plasmaquellen (60) hinweist, und eine gegenüberliegende, kreisförmige zweite Öffnung mit einem ringförmigen ersten Abschirmgliedkörper, der sich zwischen den kreisförmigen ersten und zweiten Öffnungen erstreckt, um eine erste Symmetrieachse zu definieren, und (ii) ein zweites ringförmiges Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014), das eine zweite Symmetrieachse und eine Länge entlang dieser hat, das eine kreisförmige erste Endöffnung definiert, die zu der kreisförmigen zweiten Öffnung des ersten ringförmigen Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) hinweist und das eine gegenüberliegende kreisförmige zweite Endöffnung definiert, die von der kreisförmigen ersten Endöffnung um eine Länge des zweiten ringförmigen Abschirmgliedes (180, 514, 614, 714, 814, 1014) entlang der zweiten Symmetrieachse beabstandet ist, und wobei das zweite ringförmige Abschirmglied (180, 514, 614, 714, 814, 1014) für eine Bewegung entlang der zweiten Symmetrieachse zwischen einer ersten Position und einer zweiten Position getragen wird, so dass sich die kreisförmige erste Endöffnung des zweiten ringförmigen Abschirmgliedes (180, 514, 614, 714, 814, 1014) in einer gegenüberstehenden Beziehung zu der ringförmigen zweiten Öffnung des ersten ringförmigen Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) hin und weg von diesem bewegt, um mit dem ersten ringförmigen Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) für den Betrieb der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Wafertransfermodus zusammenzuwirken, wobei sich die erste kreisförmige Endöffnung des zweiten ringförmigen Abschirmgliedes (180, 514, 614, 714, 814, 1014) in der ersten Position in einem gegebenen Abstand von der ringförmigen zweiten Öffnung des ersten Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) befindet, und wobei sich in der zweiten Position die kreisförmige erste Endöffnung des zweiten ringförmigen Abschirmgliedes (180, 514, 614, 714, 814, 1014) in einem unterschiedlichen Abstand von der kreisförmigen zweiten Öffnung des ersten ringförmigen Abschirmgliedes (142, 512, 612, 712, 812, 1012) befindet, der geringer ist als der gegebene Abstand, um mit dem ersten ringförmigen Abschirmglied (142, 512, 612, 712, 812, 1012) für den Betrieb der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Behandlungsmodus zusammenzuwirken.
  35. Vorrichtung (10, 500, 600, 700, 800, 1000) zum Bearbeiten von Werkstücken (46) mit einem Behandlungsprozess, wobei die Vorrichtung Folgendes aufweist: eine Kammer (12, 30) für mehrere Wafer, die einen Kammerinnenraum (38) definiert, der mindestens zwei Bearbeitungsstationen (40, 42) im Kammerinnenraum (38) aufweist, um einen Behandlungsdruck im Kammerinnenraum (38) von einem Umgebungsdruck außerhalb der Kammer (12, 30) zu isolieren, so dass sich die Bearbeitungsstationen (40, 42) den Kammerinnenraum (38) teilen, wobei jede der Bearbeitungsstationen (40, 42) eine Plasmaquelle (60) und einen Werkstücksockel (44, 48) aufweist, und wobei jede der Bearbeitungsstationen (40, 42) konfiguriert ist, um eines der Werkstücke (46) dem Behandlungsprozess auszusetzen, und zwar unter Verwendung einer jeweiligen Plasmaquelle (60), und wobei die Kammer (12, 30) eine asymmetrische Anordnung von Kammerwänden aufweist, die mit jeder der Bearbeitungsstationen (40, 42) in Beziehung stehen, die ein gegebenes Niveau an Ungleichförmigkeit einführen, mit der jedes Werkstück (46) dem Behandlungsprozess ausgesetzt wird; eine Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010), die im Kammerinnenraum (38) angeordnet ist, für jede der Bearbeitungsstationen (40, 42), wobei jede Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) selektiv betreibbar ist in einem Werkstücktransfermodus, um den Transfer jedes Werkstückes (46) zu und von dem Werkstücksockel (44, 48) einer der Bearbeitungsstationen (40, 42) vorzusehen und die betreibbar ist in einem Behandlungsmodus, um jedes Werkstück (46) zu umgeben, das auf dem Werkstücksockel (44, 48) einer gegebenen einen der Bearbeitungsstationen (40, 42) angeordnet ist, so dass der Behandlungsmodus eine verbesserte Gleichförmigkeit beim Aussetzen des Werkstückes (46) gegenüber der assoziierten einen der Plasmaquellen (60) vorsieht, die größer ist als das gegebene Niveau an Gleichförmigkeit, das ohne die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) vorgesehen würde, und zwar als Ergebnis der einen oder mehreren asymmetrisch angeordneten elektrisch leitenden Oberflächen; und eine Betätigungsanordnung zum Betätigen der Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) bei jeder der Bearbeitungsstationen (40, 42) zwischen dem Wafertransfermodus und dem Behandlungsmodus, wobei die Abschirmanordnung (140, 510, 610, 710, 810, 1010) im Behandlungsmodus eine Anordnung von leitfähigen, geerdeten Oberflächen um jede Bearbeitungsstation (40, 42) herum bereitstellt, die symmetrischer ist als die Anordnung von einer oder mehreren elektrisch leitfähigen Oberflächen, die asymmetrisch um das Werkstück (46) herum an jeder Bearbeitungsstation (40, 42) angeordnet sind.
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