JP4719337B2 - 可動シールド機構を備えたエッチングチャンバー - Google Patents
可動シールド機構を備えたエッチングチャンバー Download PDFInfo
- Publication number
- JP4719337B2 JP4719337B2 JP2000203765A JP2000203765A JP4719337B2 JP 4719337 B2 JP4719337 B2 JP 4719337B2 JP 2000203765 A JP2000203765 A JP 2000203765A JP 2000203765 A JP2000203765 A JP 2000203765A JP 4719337 B2 JP4719337 B2 JP 4719337B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield part
- etching
- etching chamber
- movable shield
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチングチャンバー内の基板ホルダ上に載置された基板の表面を蝕刻するエッチング装置に関するものであり、特に良好なエッチングレート・分布を得るのに適したエッチングチャンバーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
エッチング装置は真空容器からなるエッチングチャンバーにガスを導入し、このガスを放電によって分解、イオン化し、バイアス電圧によってイオン化したガスを基板上の酸化膜に衝突させ、酸化膜を削りとるものである。
【0003】
エッチングのプロセスにおいて放電中の放電空間を閉じ込め、生成されるデポジション膜によるエッチングチャンバーの汚染を防ぐために、基板ホルダを囲むようにシールド部を設ける必要があるが、マルチチャンバー方式などの装置のように、真空搬送ロボットによって基板をエッチングチャンバー内に搬送するためにはどうしてもそのシールド部に基板搬送用の開口部を設ける必要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
前記従来のエッチング装置においては、真空搬送ロボットによって基板をエッチングチャンバー内に搬送するため、シールド部に前記のような基板搬送用開口部が設けられていた。そこで、エッチング中の放電空間が開口部付近で変化し、またガスの状態も前記開口部のため、シールド部内で一様でなく、削られる酸化膜の分布やエッチングレートが影響を受けてしまうという問題があった。
【0005】
本発明はこの問題を解決し、酸化膜のエッチングレートや分布の改善を可能にするエッチングチャンバーを提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、この発明は、エッチングチャンバー内の基板ホルダ上に載置された基板の表面を蝕刻するエッチング装置のエッチングチャンバーにおいて、前記基板ホルダとエッチングチャンバー壁との間に設置されるシールド部が固定シールド部と可動シールド部とで構成され、前記可動シールド部は、前記基板の前記基板ホルダ上への搬送経路を開閉する位置に設けられていることを特徴とする可動シールド機構を備えたエッチングチャンバーを提案するものである。
【0007】
ここで、基板ホルダとエッチングチャンバー壁との間に設置される前記シールド部は、放電空間の隔離と、エッチング時に生成されるデポジション膜によるエッチングチャンバー壁の汚染を防ぐ目的で設置されているものであるが、本発明のエッチングチャンバーにおいては、前記のように、当該シールド部が固定シールド部と可動シールド部とで構成されており、この可動シールド部は、前記基板の前記基板ホルダ上への搬送経路を開閉する位置に設けられている。すなわち、基板ホルダ上へ基板が搬送される際、又、基板ホルダ上から基板が搬送される際には、前記搬送経路が開かれた状態となるように可動シールド部が移動し、エッチング時には、前記搬送経路が閉じられた状態となるように可動シールド部が移動するものである。
【0008】
かかる構成は、例えば、前記固定シールド部が、基板の基板ホルダ上への搬送経路を構成する開口部を備えており、基板搬送時に可動シールド部が移動して(例えば、下方向に移動して)当該開口部を開け、エッチング時には、可動シールド部が移動して(例えば、上方向に移動して)当該開口部を塞ぐ構成によって実現することができる。
また、前記目的を達成するため本発明は、エッチングチャンバー内の基板ホルダ上に載置された基板の表面を蝕刻するエッチング装置のエッチングチャンバーにおいて、前記基板ホルダとエッチングチャンバー壁との間に設置されるシールド部が、前記基板ホルダ上への基板の搬送経路を構成する開口部を有する固定シールド部と、可動シールド部とで構成され、前記可動シールド部が、前記搬送経路を開閉する位置に設けられていると供に、前記固定シールド部と可動シールド部とに、前記開口部による電位分布の乱れを抑制する機構が備えられていることを特徴とする可動シールド機構を備えたエッチングチャンバーを提案するものである。
ここで、前記固定シールド部と可動シールド部とに備えられている、前記開口部による電位分布の乱れを抑制する機構としては、例えば、固定シールド部、可動シールド部ともアースに落とすことにより、固定シールド部に形成されている開口部による電位分布の乱れを少なくする機構を採用することができる。
【0009】
本発明が提案する前記エッチングチャンバーにおいては、可動シールド部と固定シールド部との間の間隔を調整可能にすることができる。
【0010】
このように可動シールド部と固定シールド部との間の間隔を調整可能とすることによって、基板の基板ホルダ上への搬送経路を開閉する可動シールド部は、エッチングのプロセスにおいて放電中の放電空間を閉じ込め、生成されるデポジション膜によるエッチングチャンバーの汚染を防ぐ役割を果たすだけでなく、エッチングチャンバー内のプラズマ状態を調整し、エッチングレートを良好にする上でも大きな役割を果たすことになる。
【0011】
なお、可動シールド部と固定シールド部との間の間隔は、例えば、固定シールド部が、基板の基板ホルダ上への搬送経路を構成する開口部を備えており、基板搬送時に可動シールド部が移動して(例えば、下方向に移動して)当該開口部を開け、エッチング時には、可動シールド部が移動して(例えば、上方向に移動して)当該開口部を塞ぐように構成されている場合において、固定シールド部と可動シールド部との間に隙間を開けておき、可動シールドの肉厚を変えることにより、あるいは可動シールドを固定シールドに対して近ずく方向、離れる方向に移動可能とすることによって調整することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を用いて本願発明の好ましい実施の形態について説明する。
【0013】
図1は本願発明の好ましい実施形態のエッチングチャンバーを備えたエッチング装置の概略構成を示す断面図である。
【0014】
エッチングチャンバー1に上部電極兼ガス導入口2、下部電極兼基板ホルダ3、真空搬送ロボットによって基板5を搬送する時に開閉するゲートバルブ4が備えられている。
【0015】
エッチングチャンバー1は不図示の排気系を備えた気密な真空容器であり、基板エッチング時のガスを導入するガス供給系(不図示)を備えている。上部電極兼ガス導入口2に接続された所定の周波数の高周波電源より電圧を印加し、エッチングチャンバー1内に導入されたガスをプラズマ放電によって分解・イオン化する。その分解・イオン化したガスを下部電極兼基板ホルダ3に印加した直流電圧もしくは所定周波数の高周波による自己バイアス電圧の一方又は両方によって基板5の方向に引き込み、その衝突によって基板5上の酸化膜等を削る(蝕刻する)ものである。このようなエッチング装置の基本的な構成は従来公知のものである。
【0016】
このようなエッチング装置に用いられる本願発明のエッチングチャンバーは、放電空間の隔離と、エッチング時に生成されるデポジション膜によるエッチングチャンバー壁の汚染を防ぐ目的でエッチングチャンバー1の壁と下部電極兼基板ホルダ3との間に設置されるシールド部、すなわち、上部電極兼ガス導入口2と下部電極兼基板ホルダ3とを取り囲むシールド部を備えており、当該シールド部は、固定シールド部6と、エッチングチャンバー1のほぼ中央部に設けられた可動シールド部7とで構成され、可動シールド部7の設けられている位置は、基板5の下部電極兼基板ホルダ3上への搬送経路を開閉する位置となっている。
【0017】
図1、図3、図4図示の実施形態では、固定シールド部6は、基板5の下部電極兼基板ホルダ3上への搬送経路を構成する開口部11を備えている。可動シールド部7は、駆動機構8によって、矢示12a、12bのように上下方向に移動可能とされている。基板搬送時には、可動シールド部7が基板5の搬送の妨げになることがないように、可動シールド部7が下方向(矢示12a)に移動して開口部11を開く。また、エッチング時には、可動シールド部7が上方向(矢示12b)に移動して開口部11を塞ぎ、これによって、エッチング中のシールド部内のプラズマ状態を調整し、ガス分布を一様にすることができる。
【0018】
可動シールド部7は、図1、図4図示のように、固定シールド部6と同じくアースに落とされており、このようにすることによって、開口部11による電位分布の乱れも少なくすることが可能となる。
【0019】
この結果、図1図示の実施形態のエッチングチャンバーを備えたエッチング装置で、可動シールド部7にて固定シールド部6の開口部11を閉鎖してエッチングを行うことにより、固定シールド部6に開口部が無い場合と同様のエッチングレート・分布を得ることができる。
【0020】
なお、図1では、以下に説明する固定シールド部6と可動シールド部7との間の間隔を調整可能に構成することを考慮して、固定シールド部6と可動シールド部7との間に隙間が存在している状態が現されているが、固定シールド部6と可動シールド部7との間に隙間が存在しておらず、可動シールド部7の一側面が固定シールド部6の一側面上をスライドするように両者が当接している構成とすることもできる。
【0021】
上記のように固定シールド部6の開口部11を可動シールド部7で塞ぐ際に、固定シールド部6と可動シールド部7との間の間隔は、電位分布やガス分布に対して大きく影響する。そこで、固定シールド部6と可動シールド部7との間に隙間を存在させておき、図3に示すように可動シールド部7の肉厚を変えたり、可動シールド部7のシャフトを矢示13b、13aのように固定シールド部6に近付く方向、あるいは、離れる方向に可動にすることによって、容易に固定シールド部6と可動シールド部7との間の間隔を調整可能とし、電位分布やガス分布を良好なものとさせ、これによってエッチングレートの分布を良好なものにさせることができる。
【0022】
図5は、エッチングチャンバー1内を25mmToorとしてエッチングを行った場合の、固定シールド部6と可動シールド部7との間の隙間とエッチングレートとの間の関係を示したものであるが、固定シールド部6と可動シールド部7との間の隙間を5mmから3mmにすることによって、TopからBottomのエッチングレートの分布がより対称に近付いていることがわかる。このように、図3図示の構成等を採用して固定シールド部6と可動シールド部7との間の間隔を調整することによって、より良好なエッチングレートを得ることができる。
【0023】
以上、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載から把握される技術的範囲において種々の実施形態に変更可能である。
【0024】
例えば、本発明のエッチングチャンバーは、図1に示す2周波エッチング装置に限らず、図4に示す単周波によるエッチング装置に於いても採用可能であり、この場合にも前述した効果をあげることが出来る。
【0025】
また、前述した実施形態では、上部電極兼ガス導入口2、下部電極兼基板ホルダ3が採用されているが、上部電極とガス導入口とを兼用させず、両者を別個独立にエッチングチャンバーに備えさせたり、下部電極と基板ホルダとを兼用させず、両者を別個独立にエッチングチャンバーに備えさせることも可能である。
【0026】
【発明の効果】
この発明によれば、基板が搬送される際には、基板の搬送経路が開かれた状態となるように可動シールド部が移動し、エッチング時には、前記搬送経路が閉じられた状態となるように可動シールド部が移動できるので、固定シールド部に開口部がない場合と同じ、良好なエッチングレート・分布を得ることが可能なエッチングチャンバーを提供できる。
【0027】
また、この発明によれば、固定シールド部と可動シールド部との間隔が調整可能とされていて、これによって、良好なエッチングレートを得ることが可能なエッチングチャンバーを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のエッチングチャンバーが採用されているエッチング装置の概略構成を示す断面図である。
【図2】従来のエッチング装置の概略構成を示す断面図である。
【図3】本発明のエッチングチャンバーにおける可動シールド部の固定シールド部に対する位置関係を説明する一部拡大断面図である。
【図4】本発明のエッチングチャンバーが採用されている他のエッチング装置の概略構成を示す断面図である。
【図5】固定シールド部と可動シールド部との間の隙間とエッチングレートとの間の関係を示したグラフ。
【符号の説明】
1 エッチングチャンバー
2 上部電極兼ガス導入口
3 下部電極兼基板ホルダ
4 ゲートバルブ
5 基板
6 固定シールド部
7 可動シールド部
8 駆動機構
9 シャフト
10 エッチングチャンバーの床面
11 開口部
Claims (2)
- エッチングチャンバー内の基板ホルダ上に載置された基板の表面を蝕刻するエッチング装置のエッチングチャンバーにおいて、
前記基板ホルダとエッチングチャンバー壁との間に設置されるシールド部が、前記基板ホルダ上への基板の搬送経路を構成する開口部を有する固定シールド部と、前記搬送経路を開閉する位置に設けられる可動シールド部とで構成され、
前記固定シールド部と前記可動シールド部は、いずれもアースに落とされることを特徴とする可動シールド機構を備えたエッチングチャンバー。 - 可動シールド部と固定シールド部との間の間隔を調整可能であることを特徴とする請求項1記載の可動シールド機構を備えたエッチングチャンバー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000203765A JP4719337B2 (ja) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | 可動シールド機構を備えたエッチングチャンバー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000203765A JP4719337B2 (ja) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | 可動シールド機構を備えたエッチングチャンバー |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010047323A Division JP4918147B2 (ja) | 2010-03-04 | 2010-03-04 | エッチング方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002025983A JP2002025983A (ja) | 2002-01-25 |
JP2002025983A5 JP2002025983A5 (ja) | 2007-07-12 |
JP4719337B2 true JP4719337B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=18701133
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000203765A Expired - Lifetime JP4719337B2 (ja) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | 可動シールド機構を備えたエッチングチャンバー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4719337B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9184072B2 (en) * | 2007-07-27 | 2015-11-10 | Mattson Technology, Inc. | Advanced multi-workpiece processing chamber |
US10319982B2 (en) | 2013-02-01 | 2019-06-11 | Encell Technology, Inc. | Coated iron electrode and method of making same |
US11145495B2 (en) | 2016-06-15 | 2021-10-12 | Evatec Ag | Vacuum treatment chamber and method of manufacturing a vacuum treated plate-shaped substrate |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08111449A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-04-30 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3210207B2 (ja) * | 1994-04-20 | 2001-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JPH0820879A (ja) * | 1994-07-08 | 1996-01-23 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH10107009A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
JPH11111679A (ja) * | 1997-10-07 | 1999-04-23 | Mitsui Chem Inc | 反応性イオンエッチング装置および反応性イオンエッチング方法 |
-
2000
- 2000-07-05 JP JP2000203765A patent/JP4719337B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08111449A (ja) * | 1994-08-19 | 1996-04-30 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002025983A (ja) | 2002-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6433298B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
US6017396A (en) | Plasma film forming apparatus that prevents substantial irradiation damage to the substrate | |
KR101341711B1 (ko) | 웨이퍼의 베벨 에지 및 이면상의 필름들을 제거하는 장치 및 방법들 | |
US7270715B2 (en) | Chemical vapor deposition apparatus | |
US8778813B2 (en) | Confined process volume PECVD chamber | |
US20100163186A1 (en) | Plasma Processing Apparatus | |
KR101289770B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
TW200931570A (en) | Method and apparatus for sealing an opening of a processing chamber | |
JP2001148378A (ja) | プラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法 | |
EP0933803B1 (en) | Method of plasma treatment | |
JP4719337B2 (ja) | 可動シールド機構を備えたエッチングチャンバー | |
JP4575998B2 (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
JP4918147B2 (ja) | エッチング方法 | |
US6431114B1 (en) | Method and apparatus for plasma processing | |
CN213212104U (zh) | 等离子体处理装置 | |
JP4381526B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
KR20220058433A (ko) | 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
JP4364335B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JP4198443B2 (ja) | ガス処理装置 | |
JP6671034B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2864141B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000223440A5 (ja) | スパッタリング装置、処理チャンバー及び基板処理装置 | |
KR101855657B1 (ko) | 기판처리장치 및 그 세정방법 | |
JP2006114676A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH05217920A (ja) | Ecrプラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20041130 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20041130 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20041130 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20041130 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070425 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070507 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100119 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110404 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4719337 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140408 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |