DE112007003412T5 - Prüfgerät und elektronische Vorrichtung - Google Patents

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Abstract

Prüfgerät zum Prüfen eines geprüften Speichers, welches aufweist:
einen Mustergenerator, der eine Leseadresse, aus der Daten aus dem geprüften Speicher gelesen werden, und einen erwarteten Wert für die gelesenen Daten, die aus der gelesenen Adresse des geprüften Speichers gelesen wurden, erzeugt;
einen logischen Komparator, der aus der gelesenen Adresse des geprüften Speichers gelesene Daten mit dem erwarteten Wert vergleicht und Fehlerdaten, die gut/schlecht für jedes Bit der gelesenen Daten anzeigen, ausgibt;
einen ersten Fehlerspeicher, der eine Gruppierung aus der gelesenen Adresse und den Fehlerdaten in einem Fall, in welchem die gelesenen Daten nicht identisch mit dem erwarteten Wert sind, speichert;
einen zweiten Fehlerspeicher, der Fehlerdaten betreffend Adressen entsprechend jeder Adresse des geprüften Speichers speichert; und
eine Aktualisierungsschaltung, die in dem zweiten Fehlerspeicher gespeicherte Fehlerdaten und entsprechend der gelesenen Adresse auf der Grundlage der Gruppierung der gelesenen Adresse und der aus dem ersten Fehlerspeicher gelesenen Fehlerdaten...

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Prüfgerät und eine elektronische Vorrichtung, und insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Prüfgerät, das einen geprüften Speicher prüft, sowie eine elektronische Vorrichtung, die eine Prüfschaltung enthält.
  • STAND DER TECHNIK
  • Herkömmlich ist als eine Prüfung eines geprüften Speichers wie eines Halbleiterspeichers eine Prüfung zum Beurteilen von gut/schlecht jeder Speicherzelle durch Schreiben eines vorgeschriebenen logischen Werts in jede Speicherzelle des geprüften Speichers, Lesen des geschriebenen logischen Werts und Vergleichen des geschriebenen logischen Werts mit einem er warteten Wert bekannt. Informationen über gut/schlecht der Speicherzelle werden in einem Fehlerspeicher des Prüfgeräts gespeichert.
  • er Fehlerspeicher enthält viele Speicherzellen entsprechend eins zu eins mit vielen Speicherzellen des geprüften Speichers und speichert Informationen über gut/schlecht jeder Speicherzelle des geprüften Speichers in der entsprechenden Speicherzelle (siehe z. B. Patentdokument 1 und Patentdokument 2). In einem derartigen Fall wird das Schreiben der Informationen von gut/schlecht in den Fehlerspeicher durch eine Lese-Modifizier-Schreib-Operation ausgeführt.
    • Patentdokument 1: Veröffentlichung der ungeprüften Japanischen Patentanmeldung Nr. 2005-259265 .
    • Patentdokument 2: Veröffentlichung der ungeprüften Japanischen Patentanmeldung Nr. 2005-259266 .
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • DURCH DIE ERFINDUNG ZU LÖSENDE PROBLEME
  • In den letzten Jahren wurde eine beträchtliche Zunahme der Kapazität von Halbleiterspeichern durch eine Zunahme der Prüfzeit begleitet. Hierdurch ist es erwünscht, die Prüfzeit zu verkürzen. Beim herkömmlichen Prüfen jedoch werden, selbst in einem Fall, in welchem jede Speicherzelle entweder gut oder schlecht ist, die Informationen über gut/schlecht bei der Prüfung in die Speicherzelle des entsprechenden Fehlerspeichers durch eine Lese-Modifizier-Schreib-Operation geschrieben. Hierdurch hat das Schreiben der Informationen über gut/schlecht in den Fehlerspeicher stark zugenommen relativ zu der vergrößerten Kapazität des Halbleiterspeichers.
  • Es ist daher eine Aufgabe eines Aspekts der vorliegenden Erfindung, ein Prüfgerät und eine elektronische Vorrichtung vorzusehen, die in der Lage sind, die vorgenannten, den Stand der Technik begleitenden Nachteile zu überwinden. Die vorstehende und andere Aufgaben können durch in den unabhängigen Ansprüchen beschriebene Kombinationen gelöst werden. Die abhängigen Ansprüche definieren weitere vorteilhafte und beispielhafte Kombinationen der vorliegenden Erfindung.
  • MITTEL ZUM LÖSEN DER PROBLEME
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Prüfgerät zum Prüfen eines geprüften Speichers vorgesehen, aufweisend einen Mustergenerator, der eine Leseadresse, aus der Daten aus dem geprüften Speicher gelesen werden, und einen erwarteten Wert der aus der gelesenen Adresse des geprüften Speichers gelesenen Daten erzeugt; einen logischen Komparator, der aus der gelesenen Adresse des geprüften Speichers gelesene Daten mit dem erwarteten Wert vergleicht und Fehlerdaten ausgibt, die gut/schlecht für jedes Bit der gelesenen Daten anzeigen; einen ersten Fehlerspeicher, der eine Gruppierung der gelesenen Adresse und der Fehlerdaten in einem Fall, in welchem die gelesenen Daten nicht mit dem erwarteten Wert identisch sind, speichert; einen zweiten Fehlerspeicher, der Fehlerdaten betreffend Adressen entsprechend jeder Adresse des geprüften Speichers speichert; und eine Aktualisierungsschaltung, die in dem zweiten Fehlerspeicher gespeicherte Fehlerdaten und entsprechend der gelesenen Adresse auf der Grundlage des Gruppie rens der gelesenen Adresse und der aus dem ersten Fehlerspeicher gelesenen Fehlerdaten aktualisiert.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine elektronische Vorrichtung vorgesehen, aufweisend eine Speicherschaltung, die gemäß einem in eine Vorrichtung während der Operation der Vorrichtung eingegebenen Signal arbeitet; und eine Prüfschaltung zum Prüfen der Speicherschaltung, die elektronische Vorrichtung, bei der die Prüfschaltung enthält: einen Mustergenerator, der eine gelesene Adresse, aus der Daten aus der Speicherschaltung gelesen werden, und einen erwarteten Wert für die aus der gelesenen Adresse der Speicherschaltung gelesenen Daten erzeugt; einen logischen Komparator, der aus der gelesenen Adresse der Speicherschaltung gelesene Daten mit dem erwarteten Wert vergleicht und Fehlerdaten, die gut/schlecht jedes Bits der gelesenen Daten anzeigen, ausgibt; einen ersten Fehlerspeicher, der eine Gruppierung der gelesenen Adresse und der Fehlerdaten in einem Fall, in welchem die gelesenen Daten nicht mit dem erwarteten Wert identisch sind, speichert; einen zweiten Fehlerspeicher, der Fehlerdaten betreffend Adressen entsprechend jeder Adresse der Speicherschaltung speichert; und eine Aktualisierungsschaltung, die die in dem zweiten Fehlerspeicher gespeicherten Fehlerdaten und entsprechend der gelesenen Adresse auf der Grundlage der Gruppierung der gelesenen Adresse und der aus dem ersten Fehlerspeicher gelesenen Fehlerdaten aktualisiert.
  • Die Zusammenfassung beschreibt nicht notwendigerweise alle erforderlichen Merkmale der Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung. Die vorliegende Erfindung kann auch eine Unterkombination der vorbeschriebenen Merkmale sein. Die vorstehenden und andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden augenscheinlicher anhand der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen gegeben wird.
  • KURZBESCHREIBUGN DER ZEICHNUNGEN
  • 1 zeigt eine beispielhafte Konfiguration eines Prüfgeräts 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 2 zeigt ein Beispiel für in einem ersten Fehlerspeicher 30 gespeicherte Fehlerinformationen.
  • 3 beschreibt ein Beispiel für eine Operation, die einen zweiten Fehlerspeicher 50 aktualisiert.
  • 4 zeigt ein Beispiel für eine detaillierte Konfiguration einer Speicherschaltung 20 für Informationen über gut/schlecht.
  • 5 ist ein Flussdiagramm, das ein Beispiel für eine Operation des in den 1 bis 4 beschriebenen Prüfgeräts 100 zeigt.
  • 6 beschreibt ein Beispiel für eine Speichervorrichtung, die als der erste Fehlerspeicher 30 und der zweite Fehlerspeicher 50 wirkt.
  • 7 zeigt eine beispielhafte Konfiguration einer elektronischen Vorrichtung 400 BIST(eingebaute Selbstprüfung)-Aspekt gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • BESTE ART DER AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben. Das Ausführungsbeispiel beschränkt die Erfindung gemäß den Ansprüchen nicht, und alle Kombinationen der in dem Ausführungsbeispiel beschriebenen Merkmale sind nicht notwendigerweise wesentlich für durch Aspekte der Erfindung vorgesehene Mittel.
  • 1 zeigt eine beispielhafte Konfiguration eines Prüfgeräts 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das Prüfgerät 100 ist ein Gerät zum Prüfen eines geprüften Speichers 200 wie eines Halbleiterspeichers und ist mit einem Mustergenerator 10, einer Wellenform-Formungsvorrichtung 12, einem Taktgenerator 14, einem logischen Komparator 16 und einer Speicherschaltung 20 für Informationen über gut/schlecht versehen.
  • Der Mustergenerator 10 erzeugt ein Prüfmuster zum Prüfen des geprüften Speichers 200 auf der Grundlage eines zugeführten Prüfprogramms. Beispielsweise kann in einem Fall, in welchem Prüfdaten in den geprüften Speicher 200 geschrieben werden, der Mustergenerator 10 ein Prüfmuster enthaltend eine Adresse des geprüften Speichers 200, in die die Prüfdaten zu schreiben sind, einen logischen Wert der Prüfdaten, der in die vorgenannte Adresse geschrieben wird, und Steuerdaten zum Steuern des geprüften Speichers 200, so dass er in einer Schreibbedingung ist, erzeugen. Weiterhin kann in einem Fall, in welchem die in den geprüften Speicher 200 geschriebenen Prüfdaten gelesen werden, der Mustergenerator 10 ein Prüfmuster enthaltend eine Adresse des geprüften Speichers 200, aus der die Prüfdaten zu lesen sind, einen erwarteten Wert für die gelesenen Daten und Steuerdaten zum Steuern des geprüften Speichers 200, so dass er in einer lesbaren Bedingung ist, erzeugen. Der Mustergenerator 10 kann logische Daten verwenden, die in jede Adresse als erwartete Wertedaten geschrieben sind. Der Mustergenerator 10 kann aufeinanderfolgend mehrere Prüfmuster erzeugen, die mehrere Prüfungen verwenden durch aufeinanderfolgendes Ausführen mehrerer Prüfprogramme.
  • Die Wellenform-Formungsvorrichtung 12 bildet ein in den geprüften Speicher 200 eingegebenes Prüfsignal auf der Grundlage des von dem Mustergenerator 10 zugeführten Prüfmusters. Beispielsweise kann die Wellenform-Formungsvorrichtung 12 ein Prüfsignal bilden durch Ausgeben von Spannungen entsprechend logischen Werten des Prüfmusters gemäß einem vorgesehenen Taktsignal. Die Wellenform-Formungsvorrichtung 12 kann als das Prüfsignal ein Adressensignal, ein Prüfdatensignal, ein Steuersignal oder dergleichen bilden.
  • Der logische Komparator 16 vergleicht aus dem geprüften Speicher 200 gelesene Lesedaten mit den erwarteten Werten. Beispielsweise kann der logische Komparator 16 aufeinanderfolgend einen logischen Wert jedes Bits der gelesenen Daten mit dem entsprechenden erwarteten Wert vergleichen. Jedes Bit der gelesenen Daten kann jeder Speicherzelle des geprüften Speichers 200 entsprechen. Der logische Komparator 16 kann den logischen Wert jedes Bits erfassen durch Erfassen der logischen Werte der aus dem geprüften Speicher 200 gelesenen Daten gemäß einem zugeführten Strobesignal. Für jedes Bit der gelesenen Daten kann der logische Komparator 16 Fehlerinformationen ausgeben, die zeigen, ob der logische Wert derselbe wie der oder verschieden von dem erwarteten Wert ist.
  • Weiterhin kann der logische Komparator 16 Fehlerinformationen für jede Adresse des geprüften Speichers 200 erzeugen. Beispielsweise kann in einem Fall, in welchem der geprüfte Speicher 200 eine Speicherzelle mit mehreren Bits an einer einzelnen Adresse enthält, der logische Komparator 16 eine Anzahl von Kanälen entsprechend den mehreren Bits enthalten. Der logische Komparator kann Fehlerinformationen enthaltend eine Leseadresse, die die Adresse zeigt, aus der die Daten gelesen werden, und Fehlerdaten für die mehreren Bits, die gut/schlecht für jede Speicherzelle der vorgenannten Adresse zeigen, erzeugen.
  • Die Speicherschaltung 20 für Informationen über gut/schlecht speichert die von dem logischen Komparator 16 ausgegebenen Fehlerinformationen. Die Speicherschaltung 20 für Informationen über gut/schlecht enthält einen ersten Fehlerspeicher 30, eine Aktualisierungsschaltung 40 und einen zweiten Fehlerspeicher 50.
  • Der erste Fehlerspeicher 30 speichert die Fehlerinformationen für jede Prüfung. Beispielsweise speichert in einem Fall, in welchem die gelesenen Daten und der erwartete Wert nicht identisch sind, der erste Fehlerspeicher 30 die entsprechende Leseadresse und die Fehlerdaten als eine Gruppe. Insbesondere kann in einem Fall, in welchem eines der Bits ”Fehler” in den von dem logischen Komparator 16 ausgegebenen Fehlerinformationen anzeigt, der erste Fehlerspeicher 30 die gelesene Adresse und die in den Fehlerinformationen enthaltenen Fehlerdaten speichern. Weiterhin kann ein Speicherbereich des ersten Fehlerspeichers 30 kleiner als ein Speicherbereich des ge prüften Speichers 200 sein.
  • Der erste Fehlerspeicher 30 kann einen zwischengeschalteten Hochgeschwindigkeits-Cachespeicher verwenden zum Erfassen der Fehlerinformationen in Echtzeit während der Prüfung der geprüften Vorrichtung 200. Weiterhin werden die in dem ersten Fehlerspeicher 30 gespeicherten Fehlerinformationen in dem zweiten Fehlerspeicher 50 akkumuliert. Beispielsweise können die in dem ersten Fehlerspeicher 30 gespeicherten Fehlerinformationen kumulativ in dem zweiten Fehlerspeicher 50 jedes Mal, wenn eine der Prüfungen beendet ist, addiert werden. Weiterhin können die in dem ersten Fehlerspeicher 30 gespeicherten Fehlerinformationen kumulativ in dem zweiten Fehlerspeicher 50 zu vorgeschriebenen Zeiten während der Prüfung addiert werden. In einem Fall, in welchem der Hochgeschwindigkeits-Cachespeicher vorgesehen ist, kann ein Speicher mit niedrigerer Geschwindigkeit als der erste Fehlerspeicher 30 verwendet werden.
  • Der zweite Fehlerspeicher 50 speichert Fehlerinformationen über jede Adresse des geprüften Speichers 200. Beispielsweise kann der zweite Fehlerspeicher 50 Fehlerdaten über die Adresse für jede Adresse des geprüften Speichers 200 speichern. Der zweite Fehlerspeicher 50 kann einen Speicherbereich mit einer Größe gleich der des geprüften Speichers 200 enthalten. Der zweite Fehlerspeicher 50 kann einen Speicherbereich mit einer Größe, die größer als die des ersten Fehlerspeichers 30 ist, enthalten. Der zweite Fehlerspeicher 50 kann ein Speicher mit niedriger Geschwindigkeit sein.
  • Beispielsweise kann der zweite Fehlerspeicher 50 Adressen entsprechend eins zu eins mit der Adresse des geprüften Speichers 200 enthalten. Weiterhin kann die Anzahl von Bits jeder Adresse des zweiten Fehlerspeichers 50 dieselbe wie die Anzahl von Bits jeder Adresse des geprüften Speichers 200 sein.
  • Die Aktualisierungsschaltung 40 addiert akkumulativ die in dem zweiten Fehlerspeicher 50 gespeicherten Fehlerinformationen auf der Grundlage der in dem ersten Fehlerspeicher 30 gespeicherten Fehlerinformationen. Wie vorstehend beschrieben ist, kann die Aktualisierungsschaltung 40n die in dem zweiten Fehlerspeicher 50 gespeicherten Fehlerinformationen zu einer Zeit aktualisieren, zu der jede Prüfung beendet ist, oder zu vorgeschriebenen Zeiten während der Prüfung. Hier können die vorgeschriebenen Zeiten während der Prüfung solche Zeiten sein, bei denen beispielsweise die Speicherung der Fehlerinformationen in dem ersten Fehlerspeicher 30 nicht gestört wird.
  • Die Aktualisierungsschaltung 40 kann akkumulativ die in den Fehlerinformationen enthaltenen Fehlerdaten an einer entsprechenden Adresse des zweiten Fehlerspeichers 50 auf der Grundlage der gelesenen Adresse, die in jedem Stück von in dem ersten Fehlerspeicher 30 gespeicherten Fehlerinformationen enthalten ist, addieren. Beispielsweise kann die Aktualisierungsschaltung 40 die Fehlerinformationen des zweiten Fehlerspeichers durch eine Lese-Modifizier-Schreib-Operation aktualisieren.
  • Insbesondere kann die Aktualisierungsschaltung 40 die Fehlerdaten der Adresse des zweiten Fehlerspeichers 50 entsprechend der gelesenen Adresse, die in den in dem ersten Fehlerspeicher 30 gespeicherten Fehlerinformationen enthalten ist, lesen. Die Aktualisierungsschaltung 40 kann dann jede logische Summe der einander entsprechenden Bits zwischen den Fehlerdaten der Fehlerinformationen und den aus dem zweiten Fehlerspeicher 50 gelesenen Fehlerdaten erhalten. Der Prozess zum Erhalten der logischen Summen der entsprechenden Bits kann ein Prozess sein, bei dem die logische Summe von zwei entsprechenden Bits ”Fehler” ist, in einem Fall, in welchem zumindest eines der Bits ”Fehler” anzeigt. Durch einen derartigen Prozess kann die Aktualisierungsschaltung 40 an den Adressen des zweiten Fehlerspeichers 50 die neuen, akkumulativ addierten Fehlerdaten betreffend jedes der Bits überschreiben.
  • Durch einen derartigen Prozess können in einem Fall, in welchem die Prüfung mit mehreren Prüfbedingungen durchgeführt wird, Fehlerdaten akkumuliert werden, worin eine Speicherzelle, in der ein ”Fehler” in irgendeiner der Prüfungen erfasst wird, als fehlerhaft bestimmt wird. Weiterhin kann, da der Lese-Modifizier-Schreib-Prozess nicht in Echtzeit durchgeführt wird, ein Speicher niedriger Geschwindigkeit als der zweite Fehlerspeicher 50 mit einer Kapazität gleich der des geprüften Speichers 200 verwendet werden.
  • 2 zeigt ein Beispiel für in dem ersten Fehlerspeicher 30 gespeicherte Fehlerinformationen. Wie vorstehend beschrieben ist, speichert der erste Fehlerspeicher 30 aufeinanderfolgend Gruppierungen von Fehlerdaten und einer gelesenen Adresse, an der der ”Fehler” in einem der Bits in den Fehlerdaten von beispielsweise acht Bits auftritt. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel enthält der geprüfte Speicher 200 eine Acht-Bit-Speicherzelle für jede der Adressen. Die gelesenen Adressen können beispielsweise dreißig Bits sein. In einem Fall, in welchem sämtliche Bits der Fehlerdaten ”gut” (P) sind, werden die Fehlerinformationen nicht in dem ersten Fehlerspeicher 30 gespeichert. Allgemein ist die Frequenz des Auftretens von ”Fehler” niedrig. Aufgrund der niedrigen Frequenz kann der erste Fehlerspeicher 30 einen Speicherbereich haben, der kleiner als der geprüfte Speicher 200 ist. Weiterhin kann die Menge von in Echtzeit in den ersten Fehlerspeicher 30 während der Prüfung geschriebenen Daten verringert werden. Noch weiterhin kann ein Speicher niedriger Geschwindigkeit als der erste Fehlerspeicher 30 durch vorheriges Zwischenschalten des Hochgeschwindigkeits-Cachespeichers verwendet werden.
  • 3 beschreibt ein Beispiel für die Operation, bei der der zweite Fehlerspeicher 50 aktualisiert wird. 3 zeigt ein Beispiel für die Aktualisierung des zweiten Fehlerspeichers 50 unter Verwendung der in 2 gezeigten Fehlerinformationen. Wie vorstehend beschrieben ist, aktualisiert die Aktualisierungsschaltung 40 durch die Lese-Modifizier-Schreib-Operation die Fehlerinformationen des zweiten Fehlerspeichers 50 unter Verwendung jedes Stücks von in dem ersten Fehlerspeicher 30 gespeicherten Fehlerinformationen.
  • Beispielsweise liest die Aktualisierungsschaltung 40 aus dem ersten Fehlerspeicher 30 die Leseadresse ”0001” und die Fehlerdaten ”PPPFPPPP”, die in 2 gezeigt sind. Die Aktualisierungsschaltung 40 liest dann aus dem zweiten Fehlerspeicher 50 die Fehlerdaten ”PPPPPPPP”, wenn die Adresse ”0001” der gelesenen Adresse ”0001” entspricht. Die Aktualisierungsschaltung 40 erhält dann die logischen Summen von entsprechenden Bits in den beiden Sätzen von Fehlerdaten und erzeugt die neuen Fehlerdaten ”PPPFPPPP”. Die erzeugten Fehlerdaten werden dann in die Adresse ”0001” des zweiten Fehlerspeichers 50 geschrieben. Die Aktualisierungsschaltung 40 aktualisiert den zweiten Fehlerspeicher 50, indem ein derartiger Prozess für jedes Stück von in dem ersten Fehlerspeicher 30 gespeicherten Fehlerinformationen durchgeführt wird.
  • 4 zeigt ein Beispiel für eine detaillierte Konfiguration der Speicherschaltung 20 für Informationen über gut/schlecht. Die Speicherschaltung 20 für Informationen über gut/schlecht enthält den ersten Fehlerspeicher 30, die Aktualisierungsschaltung 40, den zweiten Fehlerspeicher 50, eine Steuereinheit 22, einen Cachespeicher 24 und eine Speichersteuerschaltung 28. Die Speichersteuerschaltung 28 enthält einen Fehlerzähler 26, ein Maximalwertregister 32 und eine Zyklusregister 34. Der erste Fehlerspeicher 30, die Aktualisierungsschaltung 40 und der zweite Fehlerspeicher 50 können mit den strukturellen Elementen, die unter Verwendung derselben Bezugszahlen in den 1 bis 3 beschrieben sind, identisch sein. Die Aktualisierungsschaltung 40 kann einen nicht gezeigten Adressenzeiger für den ersten Fehlerspeicher 30 enthalten. Die Aktualisierungsschaltung 40 kann über den Adressenzeiger zu dem ersten Fehlerspeicher 30 zugreifen und aufeinanderfolgend die Fehlerinformationen lesen, um den Aktualisierungsprozess durchzuführen.
  • Der Cachespeicher 24 ist ein Hochgeschwindigkeits-Pufferspeicher mit einer geringen Kapazität (so wie ein FIFO), der zwischen dem logischen Komparator 16 und der Steuerschaltung 22 angeordnet ist. Der Cachespeicher 24 speichert aufeinanderfolgend als Fehlerinformationen die von dem logischen Komparator 16 ausgegebenen Fehlerdaten und die Adressendaten von dem Mustergenerator 10. Die Steuerschaltung 22 liest aufeinanderfolgend die in dem Cachespeicher 24 gespeicherten Fehlerinformationen. In einem Fall, in welchem die Steuerschaltung 22 die Fehlerinformationen aus dem Cachespeicher 24 liest, kann der Speicherbereich des Cachespeichers 24 frei eingestellt werden.
  • Die Steuerschaltung 22 speichert aufeinanderfolgend an leeren Adressen des ersten Fehlerspeichers 30 die aus dem Cachespeicher 24 gelesenen Fehlerinformationen.
  • Der Fehlerzähler 26 zählt die Anzahl von in dem ersten Fehlerspeicher 30 gespeicherten Stücken von Fehlerinformationen durch die Steuerschaltung 22. Der Fehlerzähler 26 untersagt die Speicherung der Fehlerinformationen in dem ersten Fehlerspeicher 30 von der Steuerschaltung 22 unter einer Bedingung, dass ein Zählwert, der die gezählte Anzahl von Stücken von Fehlerinformationen darstellt, einen vorbestimmten Maximalwert erreicht. Der Maximalwert kann beispielsweise gemäß der Anzahl von in dem ersten Fehlerspeicher 30 enthaltenen Adressen eingestellt sein. Weiterhin kann der Maximalwert vorher in dem Maximalwertregister 32 eingestellt sein.
  • Durch eine derartige Operation kann in dem Fall, in welchem keine verbleibende Speicherkapazität in dem ersten Fehlerspeicher 30 ist oder die verbleibende Speicherkapazität kleiner als ein vorgeschriebener Betrag ist, der Verlust von Fehlerinformationen, die bereits in dem ersten Fehlerspeicher 30 gespeichert sind, verhindert werden, da das neue Schreiben von nachfolgenden Fehlerinformationen in den ersten Fehlerspeicher 30 unterbunden wird. Mit anderen Worten, das Schreiben von neuen Fehlerinformationen über Feh lerinformationen, die noch nicht in dem zweiten Fehlerspeicher 50 berücksichtigt wurden, in den ersten Fehlerspeicher 30 wird verhindert.
  • Weiterhin kann das Zyklusregister 34 einen Prüfzyklus einer Prüfung, bei der das Schreiben in den ersten Fehlerspeicher 30 unterbunden wird, speichern, so dass Fehlerinformationen in den folgenden Prüfzyklen nicht in den ersten Fehlerspeicher 30 geschrieben werden können. Daher kann, nachdem die Fehlerinformationen des zweiten Fehlerspeichers 50 unter Verwendung der im ersten Fehlerspeicher 30 gespeicherten Fehlerinformationen aktualisiert wurden, die Speichersteuerschaltung 28 den Speicherbereich des ersten Fehlerspeichers 30 löschen und bewirken, dass der Mustergenerator 10 wieder ein Prüfprogramm entsprechend der Prüfung durchführt.
  • Die Speichersteuerschaltung 28 kann die Steuerschaltung 22 so steuern, dass das Schreiben der Fehlerinformationen in den ersten Fehlerspeicher 30 wieder aufgenommen wird unter einer Bedingung, dass der Prüfzyklus der wieder durchgeführten Prüfung wieder den in dem Zyklusregister 34 gehaltenen Prüfzyklus erreicht hat. Daher wird die Speicherung der nachfolgenden Fehlerinformationen in dem ersten Fehlerspeicher 30 ermöglicht, so dass die Fehlerinformationen, deren Speicherung in dem ersten Fehlerspeicher 30 während des vorhergehenden Prüfvorgangs unterbunden war, nun in dem ersten Fehlerspeicher 30 gespeichert werden können.
  • Beispielsweise gibt in einem Fall, in welchem der Zählwert größer als oder gleich dem Maximalwert ist, der Fehlerzähler 26 ein Freigabesignal aus, das das Schreiben in den ersten Fehlerspeicher 30 unterbin det, und in einem Fall, in welchem der Zählwert kleiner als der Maximalwert ist, gibt der Fehlerzähler 26 ein Freigabesignal aus, das das Schreiben in den ersten Fehlerspeicher 30 ermöglicht. In einem Fall, in welchem der Prüfzyklus der wieder durchgeführten Prüfung wieder den in dem Zyklusregister 34 gehaltenen Prüfzyklus erreicht hat, kann das Zyklusregister 34 den Zählwert des Fehlerzählers 26 auf einen Anfangswert zurücksetzen. Daher wird das Schreiben in den ersten Fehlerspeicher 30 zugelassen, so dass die Fehlerinformationen in den ersten Fehlerspeicher 30 geschrieben werden können, bis die Anzahl von Stücken von geschriebenen Fehlerinformationen wieder den Maximalwert erreicht.
  • 5 ist ein Flussdiagramm, das ein Beispiel für eine Operation des in den 1 bis 4 beschriebenen Prüfgeräts 100 zeigt. Indem ein vorher gesetztes Prüfprogramm durchgeführt wird, erfasst das Prüfgerät 100 aufeinanderfolgend die Fehlerinformationen betreffend jede Adresse des geprüften Speichers 200 (S300). In einem Fall, in welchem ein neues Prüfprogramm durchgeführt wird, ist es wünschenswert, dass das Zyklusregister 34 und der Fehlerzähler 26 zurückgesetzt werden.
  • Die Speichersteuerschaltung 28 empfängt die Fehlerinformationen, die anzeigen, dass eines der Bits der Fehlerdaten ”Fehler” anzeigen, von dem Cachespeicher 24, und speichert aufeinanderfolgend diese Informationen in dem ersten Fehlerspeicher 30 (S310). Zu dieser Zeit zählt der Fehlerspeicher 26 die Anzahl von in den ersten Fehlerspeicher 30 geschriebenen Stücken von Fehlerinformationen.
  • Der Fehlerzähler 26 führt eine Beurteilung dahinge hend durch, ob der Zählwert den von dem Maximalwertregister 32 gesetzten Maximalwert überschreitet, beispielsweise für jede Erhöhung des Zählwerts (S312). In einem Fall, in welchem der Zählwert den Maximalwert nicht überschreitet, bis das Prüfprogramm beendet ist, aktualisiert die Aktualisierungsschaltung 40 den zweiten Fehlerspeicher 50 unter Verwendung der Fehlerinformationen des ersten Fehlerspeichers 30, nachdem das Prüfprogramm beendet ist (S320). Weiterhin kann nach dem Aktualisieren des zweiten Fehlerspeichers 50 die Aktualisierungsschaltung 40 den Speicherbereich des ersten Fehlerspeichers 30 löschen. Das Prüfgerät 100 führt dann eine Beurteilung dahingehend durch, ob alle Programme ausgeführt sind (S340). In einem Fall, in welchem ein Programm noch durchgeführt werden muss, wird das nächste Programm erstellt und die Prozesse vom Schritt S300 an werden wiederholt. In einem Fall, in welchem keine Programme mehr durchgeführt werden müssen, ist die Prüfung beendet.
  • Bei S312 hält in einem Fall, in welchem die Anzahl von in den ersten Fehlerspeicher 30 geschriebenen Stücken von Fehlerinformationen den Maximalwert überschreitet, hält die Speichersteuerschaltung 28 das Schreiben von nachfolgenden Fehlerinformationen in den ersten Fehlerspeicher 30 an (S314). Zu dieser Zeit meldet die Speichersteuerschaltung 28 dem Mustergenerator 10 und der Aktualisierungsschaltung 40, dass das Schreiben der Fehlerinformationen betreffend das gegenwärtige Prüfprogramm angehalten wurde. In einem Fall, in welchem der Mustergenerator 10 die genannte Meldung empfängt, kann die Durchführung des Prüfprogramms angehalten werden oder das Prüfprogramm kann durchgeführt werden, bis es beendet ist.
  • Das Zyklusregister 34 speichert den Prüfzyklus, in welchem das Schreiben der Fehlerinformationen angehalten wurde. Die Benachrichtigung über die Nummer des durchgeführten Prüfzyklus kann von dem Mustergenerator 10 zu dem Zyklusregister 34 geliefert werden. Zu einer Zeit, zu der die Benachrichtigung von dem Fehlerzähler 26, dass das Schreiben der Fehlerinformationen angehalten wurde, empfangen wird, kann das Zyklusregister 34 die Nummer des durchgeführten Prüfzyklus speichern, die von dem Mustergenerator 10 geliefert wurde.
  • In einem Fall, in welchem die Benachrichtigung empfangen wird, dass das Schreiben der Fehlerinformationen angehalten wurde, liest die Aktualisierungsschaltung 40 aufeinanderfolgend die in den ersten Fehlerspeicher 30 geschriebenen Fehlerinformationen und aktualisiert die Fehlerinformationen des zweiten Fehlerspeichers 50 (S320). In einem Fall, in welchem die Aktualisierungsschaltung 40 alle in den ersten Fehlerspeicher 30 geschriebenen Fehlerinformationen liest und die Fehlerinformationen des zweiten Fehlerspeichers 50 aktualisiert, kann die Aktualisierungsschaltung 40 den Speicherbereich des ersten Fehlerspeichers 30 löschen. Weiterhin kann die Aktualisierungsschaltung 40 den Mustergenerator 10 benachrichtigen, dass die Aktualisierung des zweiten Fehlerspeichers 50 beendet ist.
  • Nach Empfang der Benachrichtigung, dass das Schreiben der Fehlerinformationen angehalten wurde, führt der Mustergenerator 10 in einem Fall, in welchem die Benachrichtigung empfangen wird, dass die Aktualisierung des zweiten Fehlerspeichers 50 beendet ist, wieder dasselbe Prüfprogramm durch (S300). Das Prüfgerät 100 führt die folgenden Prozesse durch. Es ist hier festzustellen, dass in dem Prozess nach S310 während einer und weiteren Durchführung desselben Prüfprogramms in einem Fall, in welchem der Prüfzyklus des Prüfprogramms den in dem Zyklusregister 34 gehaltenen Prüfzyklus erreicht, das Schreiben der Fehlerinformationen in den ersten Fehlerspeicher 30 wieder aufgenommen wird. Durch einen derartigen Prozess können die Fehlerinformationen des geprüften Speichers 200 ohne Störungen erfasst werden.
  • Weiterhin wird während der Prozesse nach S320 und S330 der zweite Fehlerspeicher 50 aktualisiert und der erste Fehlerspeicher 30 wird gelöscht, jedes Mal, wenn ein Prüfprogramm beendet ist. Im Gegensatz hierzu kann bei anderen Beispielen das nächste Prüfprogramm ausgeführt werden, ohne den ersten Fehlerspeicher 30 zu löschen, nachdem ein Prüfprogramm beendet ist. Mit anderen Worten, das Prüfgerät 100 kann mehrere Programme aufeinanderfolgend durchführen, bis die Anzahl von in den ersten Fehlerspeicher 30 geschriebenen Stücken von Fehlerinformationen des Maximalwerts erreicht. Durch einen derartigen Vorgang können die Fehlerinformationen effektiver erhalten werden.
  • Weiterhin ist in dem vorbeschriebenen Fall ein Fall denkbar, in welchem Stücke von Fehlerinformationen, die identische Leseadressen haben, in dem ersten Fehlerspeicher 30 gespeichert sind. Beispielsweise werden in 2 zwei Stücke von Fehlerinformationen mit einer Leseadresse ”0100” gespeichert. In einem derartigen Fall kann die Aktualisierungsschaltung 40 neue Fehlerdaten erzeugen durch Erhalten der logischen Summen der mehreren Stücke von Fehlerdaten entsprechend den gelesenen Adressen des ersten Fehlerspeichers 30 und der entsprechenden Stücke von Fehlerda ten in dem zweiten Fehlerspeicher 50. Die so erzeugten Fehlerdaten werden dann in den zweiten Fehlerspeicher 50 geschrieben.
  • Durch einen derartigen Prozess kann der zweite Fehlerspeicher 50 durch eine einzelne Lese-Modifizier-Schreib-Operation, die bei den mehreren Stücken von Fehlerinformationen in dem ersten Fehlerspeicher 30 durchgeführt wird, aktualisiert werden. Daher können die Fehlerinformationen effizienter akkumuliert werden.
  • 6 beschreibt ein Beispiel für eine Speichervorrichtung, die als der erste Fehlerspeicher 30 und der zweite Fehlerspeicher 50 arbeitet. Der erste Fehlerspeicher 30 und der zweite Fehlerspeicher 50 nach dem vorliegenden Ausführungsbeispiel können als verschiedene Adressenbereiche innerhalb derselben Speichervorrichtung zugeteilt werden. Die Speichervorrichtung kann ein Halbleiterspeicher mit geringer Geschwindigkeit und niedrigen Kosten sein, wie ein DRAM.
  • In einem derartigen Fall kann der Steuerschaltung 22 und der Aktualisierungsschaltung 40 mitgeteilt werden, welche der Adressenbereiche der Speichervorrichtung dem ersten Fehlerspeicher 30 und dem zweiten Fehlerspeicher 50 zugeteilt sind. Die Speicherschaltung 20 für Gut/Schlecht-Informationen kann ein Register enthalten, das die erste und letzte Adresse der Adressenbereiche, die als der erste Fehlerspeicher 30 bzw. der zweite Fehlerspeicher 50 zugeteilt sind, speichert. Die Aktualisierungsschaltung 40 kann einen Adressenzeiger, der für den ersten Fehlerspeicher 30 verwendet wird, und einen Adressenzeiger, der für den zweiten Fehlerspeicher 50 verwendet wird, enthalten und kann in der Lage sein, zu beiden Adres sen gleichzeitig zuzugreifen.
  • In der Speichervorrichtung können die Speicherkapazitäten, die für den ersten Fehlerspeicher 30 und den zweiten Fehlerspeicher 50 zugeteilt sind, beide geändert werden. Es ist festzustellen, dass die als der zweite Fehlerspeicher 50 zugeteilte Speicherkapazität so zugeteilt werden kann, dass sie dem geprüften Speicher 200 entspricht.
  • Beispielsweise kann das Prüfgerät 100 den als den zweiten Fehlerspeicher 50 zugeteilten Adressenbereich so setzen, dass die Speicherkapazität des zweiten Fehlerspeichers 50 gleich der Speicherkapazität des geprüften Speichers 200 ist. Der verbleibende Adressenbereich der Speichervorrichtung kann dann als der erste Fehlerspeicher 30 zugeteilt werden.
  • In einem Fall, in welchem der erste Fehlerspeicher 30 und der zweite Fehlerspeicher 50 DRAMs sind, kann die Aktualisierungsschaltung 40 die mehreren Stücke von Gut/Schlecht-Daten aus dem ersten Fehlerspeicher 30 und dem zweiten Fehlerspeicher 50 gemäß einem einzelnen Lesebefehl als Bündel lesen. In einem derartigen Fall kann die Aktualisierungsschaltung 40 die neuen Fehlerdaten, die für jedes Stück von gelesenen Fehlerinformationen erzeugt wurden, als Bündel in den zweiten Fehlerspeicher 50 schreiben.
  • 7 zeigt eine beispielhafte Konfiguration einer elektronischen Vorrichtung 400 BIST(eingebaute Selbstprüfung)-Aspekt gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die elektronische Vorrichtung 400 enthält eine Speicherschaltung 410, eine Prüfschaltung 420, einen Eingabe-/Ausgabestift 430 und einen BIST-Stift 440. Die Speicherschaltung 410 kann eine Schaltung sein, die zu einer Zeit arbeitet, wenn die elektronische Vorrichtung 400 implementiert ist (eine Zeit tatsächlicher Operation). Die Speicherschaltung 410 arbeitet gemäß einem von dem Eingabe-/Ausgabe-Stift 430 zugeführten Signal zu einer Zeit, zu der die elektronische Vorrichtung 400 implementiert ist.
  • Beispielsweise kann die Speicherschaltung 410 eine Schaltung enthaltend eine Speichervorrichtung wie die Speichervorrichtung des in den 1 bis 6 beschriebenen geprüften Speichers 200 sein. Die Prüfschaltung 420 befindet sich auf demselben Halbleiterchip wie die Speicherschaltung 410 und prüft die Speicherschaltung 410. Die Prüfschaltung 420 kann eine Konfiguration haben, die identisch mit der des in den 1 bis 6 beschriebenen Prüfgeräts 100 ist. Weiterhin kann die Prüfschaltung 420 einen Teil der Konfiguration des Prüfgeräts 100 haben. Die Prüfschaltung 420 kann eine Schaltung sein, die einen Teil der Funktionen des Prüfgeräts 100 ausführt.
  • In einem Fall, in welchem ein Signal von einem externen Prüfgerät über den BIST-Stift 440, das mitteilt, dass eine Selbstprüfung der Speicherschaltung 410 durchgeführt wird, geliefert wird, kann die Prüfschaltung 420 bewirken, dass die Speicherschaltung 410 eine Selbstprüfung durchführt. Der BIST-Stift 440 ist ein Stift, der während der Implementierung der elektronischen Vorrichtung 400 nicht verwendet wird. Weiterhin kann die Prüfschaltung 420 ein Prüfergebnis der Speicherschaltung 410 über den BIST-Stift 440 zu dem externen Prüfgerät ausgeben.
  • Das externe Prüfgerät 100 kann ein Prüfprogramm, ein Prüfmuster und dergleichen zu der Prüfschaltung 420 liefern, um zu bewirken, dass die Prüfschaltung 420 in derselben Weise wie das in Beziehung stehende, in den 1 bis 6 beschriebene Prüfgerät arbeitet.
  • Während das Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben wurde, ist der technische Bereich der Erfindung nicht auf das vorbeschriebene Ausführungsbeispiel beschränkt. Es ist für den Fachmann augenscheinlich, dass verschiedene Änderungen und Verbesserungen zu dem vorbeschriebenen Ausführungsbeispiel hinzugefügt werden können. Es ist auch aus dem Bereich der Ansprüche ersichtlich, dass die Ausführungsbeispiele, denen derartige Änderungen oder Verbesserungen hinzugefügt sind, in dem technischen Bereich der Erfindung enthalten sein können.
  • Gewerbliche Anwendbarkeit
  • Wie aus der vorstehenden Beschreibung ersichtlich ist, werden durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ein Prüfgerät und eine elektronische Vorrichtung, die effektiv Fehlerinformationen von jeder Adresse eines geprüften Speichers erfassen können realisiert.
  • Zusammenfassung:
  • Es ist ein Prüfgerät zum Prüfen eines geprüften Speichers vorgesehen, aufweisend einen Mustergenerator, der eine Leseadresse, aus der Daten aus dem geprüften Speicher gelesen werden, und einen erwarteten Wert für die aus der Leseadresse des geprüften Speichers gelesenen Daten erzeugt; einen logischen Komparator, der aus der Leseadresse des geprüften Speichers gelesene Daten mit dem erwarteten Wert vergleicht und Fehlerdaten, die gut/schlecht anzeigen, für jedes Bit der gelesenen Daten ausgibt; einen ersten Fehlerspeicher, der eine Gruppierung aus der Leseadresse und den Fehlerdaten in einem Fall, in welchem die gelesenen Daten nicht mit dem erwarteten Wert identisch sind, speichert; einen zweiten Fehlerspeicher, der Fehlerdaten betreffend Adressen entsprechend jeder Adresse des geprüften Speichers speichert; und eine Aktualisierungsschaltung, die Fehlerdaten, die in dem zweiten Fehlerspeicher gespeichert sind, und entsprechend der Leseadresse auf der Grundlage der Gruppierung aus der Leseadresse und den aus dem ersten Fehlerspeicher gelesenen Fehlerdaten aktualisiert.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 2005-259265 [0003]
    • - JP 2005-259266 [0003]

Claims (10)

  1. Prüfgerät zum Prüfen eines geprüften Speichers, welches aufweist: einen Mustergenerator, der eine Leseadresse, aus der Daten aus dem geprüften Speicher gelesen werden, und einen erwarteten Wert für die gelesenen Daten, die aus der gelesenen Adresse des geprüften Speichers gelesen wurden, erzeugt; einen logischen Komparator, der aus der gelesenen Adresse des geprüften Speichers gelesene Daten mit dem erwarteten Wert vergleicht und Fehlerdaten, die gut/schlecht für jedes Bit der gelesenen Daten anzeigen, ausgibt; einen ersten Fehlerspeicher, der eine Gruppierung aus der gelesenen Adresse und den Fehlerdaten in einem Fall, in welchem die gelesenen Daten nicht identisch mit dem erwarteten Wert sind, speichert; einen zweiten Fehlerspeicher, der Fehlerdaten betreffend Adressen entsprechend jeder Adresse des geprüften Speichers speichert; und eine Aktualisierungsschaltung, die in dem zweiten Fehlerspeicher gespeicherte Fehlerdaten und entsprechend der gelesenen Adresse auf der Grundlage der Gruppierung der gelesenen Adresse und der aus dem ersten Fehlerspeicher gelesenen Fehlerdaten aktualisiert.
  2. Prüfgerät nach Anspruch 1, bei dem die Aktualisierungsschaltung: die in dem zweiten Fehlerspeicher gespeicherten Fehlerdaten und entsprechend der gelesenen Ad resse von dem ersten Fehlerspeicher liest; eine logische Summe von Bits entsprechend in den aus dem ersten Fehlerspeicher gelesenen Fehlerdaten und den aus dem zweiten Fehlerspeicher gelesenen Fehlerdaten erhält und neue Fehlerdaten erzeugt, in denen ein ”Fehler”-Ergebnis bestimmt wird, wenn zumindest eines der Bits in den Fehlerdaten ”Fehle” anzeigt; und die neuen Fehlerdaten an der gelesenen Adresse des zweiten Fehlerspeichers schreibt.
  3. Prüfgerät nach Anspruch 2, bei dem die Aktualisierungsschaltung einen Vergleich der gelesenen Daten entsprechend mehreren der gelesenen Adressen und der erwarteten Werte durchführt, und in einem Fall, in welchem ein Vergleichsergebnis darin besteht, dass die gelesenen Daten entsprechend mehreren der gelesenen Adressen und die erwarteten Wert nicht identisch sind, aufeinander folgend eine Gruppierung aus zumindest einer gelesenen Adresse und den in dem ersten Fehlerspeicher während der Prüfung gespeicherten Fehlerdaten liest und die in dem zweiten Fehlerspeicher gespeicherten Fehlerdaten entsprechend der zumindest einen gelesenen Adresse nach der Beendigung einer Prüfung, gespeichert in dem ersten Fehlerspeicher von der Gruppierung der gelesenen Adresse und der Fehlerdaten, aktualisiert.
  4. Prüfgerät nach Anspruch 1, weiterhin aufweisend eine Speichersteuerschaltung, die eine nachfolgende Speicherung einer Gruppierung aus der gelesenen Adresse und den Fehlerdaten in den ersten Fehlerspeicher unter einer Bedingung, dass eine Anzahl der Gruppierungen aus der gelesenen Adresse und den Fehlerdaten, die in dem ersten Fehlerspeicher gespeichert sind, einen vorher gesetzten Maximalwert erreicht, unterbindet.
  5. Prüfgerät nach Anspruch 4, bei dem die Speichersteuerschaltung: einen Vergleich der gelesenen Daten entsprechend mehreren der gelesenen Adressen und der erwarteten Werte ausführt, und in einem Fall, in welchem ein Vergleichsergebnis darin besteht, dass die gelesenen Daten entsprechend mehreren gelesenen Adressen und die erwarteten Werte nicht identisch sind, eine nachfolgende Speicherung der Gruppierung aus der gelesenen Adresse und den Fehlerdaten in den ersten Fehlerspeicher unter der Bedingung, dass die Anzahl der Gruppierungen aus der gelesenen Adresse und den Fehlerdaten, die in dem ersten Fehlerspeicher gespeichert sind, den vorher eingestellten Maximalwert während einer Prüfung, bei der aufeinander folgend in dem ersten Fehlerspeicher die Gruppierung aus der Leseadresse und den Fehlerdaten gespeichert wird, unterbindet; und die Prüfung nach der Aktualisierung des zweiten Fehlerspeichers mit der Gruppierung aus der gelesenen Adresse und den Fehlerdaten, die in dem ersten Fehlerspeicher gespeichert sind, wieder durchführt und in dem ersten Fehlerspeicher eine Gruppierung aus der gelesenen Adresse und den Fehlerdaten, deren Speicherung in den ersten Fehlerspeicher während des vorhergehenden Durchführens der Prüfung unterbunden war, speichert.
  6. Prüfgerät nach Anspruch 5, bei dem die Speichersteuerschaltung: einen Prüfzyklus speichert, bei dem die Anzahl der Gruppierungen aus der gelesenen Adresse und den Fehlerdaten, die in dem ersten Fehlerspei cher gespeichert sind, den vorher gesetzten Maximalwert erreicht; und eine nachfolgende Speicherung einer Gruppierung aus der gelesenen Adresse und den Fehlerdaten in dem ersten Fehlerspeicher unter einer Bedingung, dass ein Prüfzyklus in der Prüfung, die wieder durchgeführt wird, den gespeicherten Prüfzyklus erreicht, ermöglicht.
  7. Prüfgerät nach Anspruch 1, bei dem die Aktualisierungsschaltung in einem Fall, in welchem eine erste gelesene Adresse und eine zweite gelesene Adresse, die in dem ersten Fehlerspeicher gespeichert sind, identisch sind: die an der ersten gelesenen Adresse des zweiten Fehlerspeichers gespeicherten Fehlerdaten liest; die ersten Fehlerdaten entsprechend der ersten gelesenen Adresse, die aus dem ersten Fehlerspeicher gelesen ist, zweite Fehlerdaten entsprechend der zweiten gelesenen Adresse und eine logische Summe der aus dem zweiten Fehlerspeicher gelesenen Fehlerdaten erhält und neue Fehlerdaten erzeugt, in denen ein ”Fehler”-Ergebnis bestimmt wird, wenn zumindest eines der Bits in den Fehlerdaten ”Fehler” anzeigt; und die neuen Fehlerdaten an der ersten gelesenen Adresse des zweiten Fehlerspeichers schreibt.
  8. Prüfgerät nach Anspruch 1, bei dem der erste Fehlerspeicher und der zweite Fehlerspeicher an verschiedenen Adressenbereichen innerhalb derselben Speichervorrichtung angeordnet sind.
  9. Prüfgerät nach Anspruch 8, bei dem die Speicherkapazität des ersten Fehlerspeichers und des zweiten Fehlerspeichers in der Speichervorrichtung innerhalb eines Bereichs, in welchem der Gesamtspeicherbereich des ersten Fehlerspeichers und des zweiten Fehlerspeichers nicht einen Speicherbereich der Speichervorrichtung überschreitet, änderbar ist.
  10. Elektronische Vorrichtung, aufweisend eine Speicherschaltung, die gemäß einem während der Operation der Vorrichtung in eine Vorrichtung eingegebenen Signal arbeitet; und eine Prüfschaltung zum Prüfen der Speicherschaltung, welche Prüfschaltung in der elektronischen Vorrichtung enthält: einen Mustergenerator, der eine Leseadresse, aus der Daten aus der Speicherschaltung gelesen werden, und einen erwarteten Wert für die aus der Leseadresse der Speicherschaltung gelesenen Daten erzeugt; einen logischen Komparator, der die aus der Leseadresse der Speicherschaltung gelesenen Daten mit dem erwarteten Wert vergleicht und Fehlerdaten, die gut/schlecht anzeigen, für jedes Bit der gelesenen Daten ausgibt; einen ersten Fehlerspeicher, der eine Gruppierung aus der Leseadresse und den Fehlerdaten in einem Fall, in welchem die gelesenen Daten nicht identisch mit dem erwarteten Wert sind, speichert; einen zweiten Fehlerspeicher, der Fehlerdaten betreffend Adressen entsprechend jeder Adresse der Speicherschaltung speichert; und eine Aktualisierungsschaltung, die die in dem zweiten Fehlerspeicher gespeicherten Fehlerdaten und entsprechend der Leseadresse auf der Grundlage der Gruppierung aus der Leseadresse und den aus dem ersten Fehlerspeicher gelesenen Fehlerdaten aktualisiert.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7508724B2 (en) * 2006-11-30 2009-03-24 Mosaid Technologies Incorporated Circuit and method for testing multi-device systems
US7913128B2 (en) 2007-11-23 2011-03-22 Mosaid Technologies Incorporated Data channel test apparatus and method thereof
WO2010013306A1 (ja) * 2008-07-28 2010-02-04 株式会社アドバンテスト 試験装置および試験方法
US8312331B2 (en) * 2009-04-16 2012-11-13 Freescale Semiconductor, Inc. Memory testing with snoop capabilities in a data processing system
KR20120117347A (ko) * 2011-04-15 2012-10-24 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치 및 그의 테스트 방법
US9805825B1 (en) * 2015-08-24 2017-10-31 Apple Inc. Memory error capture logic
US10019332B1 (en) * 2017-03-10 2018-07-10 Western Digital Technologies, Inc. Non-volatile memory with program failure recovery

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005259266A (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Advantest Corp 試験装置及び試験方法
JP2005259265A (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Advantest Corp 試験装置及び試験方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04194682A (ja) * 1990-11-27 1992-07-14 Yokogawa Electric Corp Lsiテスタ
JP3428200B2 (ja) * 1994-12-28 2003-07-22 安藤電気株式会社 不良セル救済解析装置および救済解析方法
JPH0980122A (ja) * 1995-09-11 1997-03-28 Advantest Corp 半導体試験装置の不良解析メモリ装置
JPH1010195A (ja) * 1996-06-20 1998-01-16 Fujitsu Ltd 半導体集積回路の試験方法及び試験装置
JP3549174B2 (ja) * 1996-09-30 2004-08-04 株式会社アドバンテスト メモリ試験装置
KR100299716B1 (ko) * 1997-07-24 2001-09-06 가야시마 고조 Ic시험장치및방법
JP3356098B2 (ja) * 1999-02-03 2002-12-09 日本電気株式会社 半導体メモリ試験装置
JP2001357696A (ja) * 2000-06-16 2001-12-26 Nec Corp 半導体メモリ検査装置と検査方法及び検査プログラムを記録した記録媒体
JP2002278849A (ja) * 2001-03-15 2002-09-27 Toshiba Microelectronics Corp 半導体試験装置
US6910155B2 (en) * 2001-06-25 2005-06-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for chip testing
JP2003132696A (ja) * 2001-10-22 2003-05-09 Advantest Corp 半導体試験装置
US6880117B2 (en) * 2002-06-14 2005-04-12 Macronix International Co., Ltd. Memory device test system and method
US7159145B2 (en) * 2003-05-12 2007-01-02 Infineon Technologies Ag Built-in self test system and method
JP4308637B2 (ja) * 2003-12-17 2009-08-05 株式会社日立製作所 半導体試験装置
JP2007102940A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Advantest Corp 試験装置、及び試験方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005259266A (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Advantest Corp 試験装置及び試験方法
JP2005259265A (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Advantest Corp 試験装置及び試験方法

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KR20100005088A (ko) 2010-01-13
US20080235540A1 (en) 2008-09-25
JP4939427B2 (ja) 2012-05-23
US7757134B2 (en) 2010-07-13
WO2008117381A1 (ja) 2008-10-02

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