DE112006002487T5 - Herstellung von Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Bauteilen - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, mit den folgenden Schritten:
Aufwachsen eines ersten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers über einem Trägerkörper;
Aufwachsen eines zweiten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers über dem ersten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper;
Aufwachsen eines dritten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers über dem zweiten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper;
Aufwachsen eines Schutz-Abstandskörpers über dem dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper;
Entfernen eines Teils des Schutz-Abstandskörpers zur Bildung einer Öffnung in diesem, die einen Teil des dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers freilegt;
Aufwachsen eines vierten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers zumindest über dem freiliegenden Teil; und
Bilden einer Gate-Struktur über dem vierten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper.

Description

  • Verwandte Anmeldung
  • Diese Anmeldung beruht auf der provisorischen US-Patentanmeldung Nr. 60/723,040 vom 3. Oktober 2005 mit dem Titel "RE-GROWING AlGaN N-FACED MATERIALS TO PRODUCE SELF-ALIGNED NORMALLY-OFF AlGaN/GaN-HEMT" und beansprucht deren Vergünstigungen, wobei deren Priorität hiermit beansprucht wird und deren Inhalt durch diese Bezugnahme hier mit aufgenommen wird.
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleiter-Bauteile und insbesondere auf Gruppe-III-Nitrid-Leistungshalbleiter-Bauteile.
  • Definitionen
  • Ein Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter, wie der Begriff hier verwendet wird, bezieht sich auf einen Halbleiter, der Stickstoff und zumindest ein Element aus der Gruppe III einschließt, wie z. B. AlN, GaN, AlGaN, InN, InGaN, InAlGaN.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Die große dielektrische Durchbruchs-Feldstärke (> 2,2 MV/cm) und die hohe Stromdichte des zweidimensionalen Elektronengases (2-DEG) in Gruppe-III-Nitrid-Hetero-Grenzschicht-Halbleiterbauteilen macht sie für Leistungsanwendungen attraktiv.
  • Ein bekanntes Gruppe-III-Nitrid-Heteroübergang-Leistungshalbleiter-Bauteil ist ein eine hohe Elektronenbeweglichkeit aufweisender Transistor (HEMT). Eine wünschenswerte Variation eines HEMT ist ein normalerweise sperrender HEMT; das heißt ein HEMT, der keine Stromleitung (mit Ausnahme eines sehr kleinen Leckstromes) bei Fehlen einer geeigneten Spannung an seiner Gate-Elektrode zulässt.
  • 1 zeigt ein normalerweise sperrendes Gruppe-III-Nitrid-Leistungshalbleiter-Bauteil, das einen Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Stapel 1 einschließt. Der Stapel 1 schließt eine N-polare GaN-Schicht 2, eine N-polare AlGaN-Schicht 3, eine N-polare GaN-Schicht 4 und eine N-polare AlGaN-Schicht 5 ein, die jeweils in üblicher Weise unter Verwendung der Molekularstrahlepitaxy (MBE) zum Aufwachsen gebracht werden.
  • Um ein Bauteil gemäß 1 herzustellen, wird zunächst ein Stapel 1 zum Aufwachsen gebracht, und dann wird die AlGaN-Schicht fortgeätzt, um Bereiche für Leistungselektroden (beispielsweise Source- und Drain-Elektroden) 6, 7 zu bilden. Die Gate-Struktur 8, die einen Gate-Isolations- und Gate-Elektroden-Stapel oder eine Schottky-Gate-Elektrode einschließen kann, wird dann auf dem Rest der AlGaN-Schicht 5 gebildet.
  • Die AlGaN-Schicht 5 unter der Gate-Struktur 8 zieht das Leitungsband über die Fermi-Energie und beseitigt das 2DEG unter der Gate-Struktur 8. Als ein Ergebnis wird das Bauteil normalerweise sperrend gemacht.
  • Wenn das Bauteil gemäß 1 hergestellt wird, wird die N-polare GaN-Schicht 4 während des Ätzens der AlGaN-Schicht 5 beschädigt. Als Ergebnis wird die Qualität des Ohm'schen Kontakts zwischen den Leistungselektroden 6, 7 und der GaN-Schicht 4 verringert, was zu einem Bauteil mit geringerer Qualität führt.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • In einem Prozess gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Gate-Struktur als erstes definiert, während der Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper, der die Leistungselektroden aufnehmen soll, durch einen Schutz-Abstandskörper geschützt ist.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Bauteil dadurch hergestellt, dass ein erster N-polarer Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper über einem Trägerkörper zum Aufwachsen gebracht wird; ein zweiter N-polarer Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper über dem ersten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper zum Aufwachsen gebracht wird; ein dritter N-polarer Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper über dem zweiten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper zum Aufwachsen gebracht wird, ein Schutz-Abstandskörper über dem dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper zum Aufwachsen gebracht wird; ein Teil des Schutz-Abstandskörpers entfernt wird, um eine Öffnung in diesem auszubilden, die einen Teil des dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers für die Aufnahme einer Gate-Struktur freilegt; ein vierter N-polarer Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper zumindest über dem freigelegten Teil zum Aufwachsen gebracht wird; und eine Gate-Struktur über dem vierten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper gebildet wird.
  • Ein Halbleiterbauteil gemäß der vorliegenden Erfindung ist jedoch nicht auf N-polare Gruppe-III-Nitrid-Bauteile beschränkt. So kann in einer alternativen Ausführungsform ein Bauteil gemäß der vorliegenden Erfindung durch Aufwachsen eines ersten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers über einem Trägerkörper; Aufwachsen eines zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers über dem ersten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper; Aufwachsen eines dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers über dem zweiten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper; Aufwachsen eines Schutz-Abstandskörpers über dem dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper; Entfernen eines Teils des Schutz-Abstandskörpers zur Bildung einer Öffnung in diesem, um einen Teil des dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers zur Aufnahme einer Gate-Struktur freizulegen; und Bilden einer Gate-Struktur über dem dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper hergestellt werden.
  • Bei einem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung wirkt der Schutz-Abstandskörper auch als ein Ätzstopp, während die Gate-Struktur gebildet wird. Eine Liste von verfügbaren Materialien zur Bildung des Schutz-Abstandskörpers schließt Ge, SiO2, Si3N4, Al2O3 oder ähnliches Material ein.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Erfindung ersichtlich, die sich auf die beigefügten Zeichnungen bezieht.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 zeigt einen Teil des aktiven Bereiches eines normalerweise sperrenden Gruppe-III-Nitrid-Leistungshalbleiter-Bauteils.
  • 2 zeigt einen Teil des aktiven Bereiches eines Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterbauteils, das gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt ist.
  • 3A–3D zeigen ein Verfahren gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 4 zeigt eine alternative Gate-Struktur für ein Bauteil, das gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt wird.
  • 5 und 6 zeigen jeweils die Band-Diagramme für einen Bereich unter dem Gate und Bereichen unter den Leistungselektroden für ein Bauteil, das gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt ist.
  • 7A–7F zeigen einen Prozess gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Ausführliche Beschreibung der Figuren
  • Gemäß 2 schließt ein Gruppe-III-Nitrid-Leistungshalbleiter-Bauteil, das gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist, einen Trägerkörper 10, einen ersten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper 12, der vorzugsweise aus N-polarem GaN zusammengesetzt ist, einen zweiten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper 14, der vorzugsweise aus N-polarem AlGaN zusammengesetzt ist, der über dem Körper 12 ausgebildet wird, einen dritten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper 16, der vorzugsweise aus N-polarem GaN zusammengesetzt ist und über dem Körper 14 ausgebildet ist, eine erste Leistungselektrode (beispielsweise eine Source-Elektrode) in Ohm'schem Kontakt mit dem Körper 16, eine zweite Leistungselektrode 20 (beispielsweise eine Drain-Elektrode) in Ohm'schem Kontakt mit dem Körper 16, mit Abstand angeordnete Abstandskörper 22, die über dem Körper 16 ausgebildet sind, einen vierten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper 24, der vorzugsweise aus N-polarem AlGaN zusammengesetzt ist und über dem Körper 16 zwischen den Abstandskörpern 22 ausgebildet ist, und eine Gate-Struktur 26 ein, die über dem Körper 24 gebildet ist.
  • Bei der bevorzugten Ausführungsform schließt die Gate-Struktur 26 eine Gate-Isolation 28, die beispielsweise aus SiO2 oder Si3N4 besteht, und eine Gate-Elektrode 30 ein, die aus irgendeinem geeigneten Gate-Material besteht, unter Einschluss von metallischen und nicht-metallischen Gate-Materialien.
  • Der Trägerkörper 10 schließt bei der bevorzugten Ausführungsform ein Substrat 32 und, falls erforderlich, eine Pufferschicht 34 ein. Bei der bevorzugten Ausführungsform besteht das Substrat 32 aus Silizium, und die Pufferschicht 34 besteht aus AlN. Andere Substrat-Materialien schließen SiC, Saphir oder ein Gruppe-III-Nitrid-Substrat, beispielsweise ein GaN-Substrat, ein. Es ist festzustellen, dass wenn ein GaN-Substrat verwendet wird, eine Pufferschicht gegebenenfalls entfallen kann.
  • Gemäß den 3A–3D werden bei der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erste (12) zweite (14) dritte (16) N-polare Gruppe-III-Nitrid-Körper über dem Trägerkörper 10 zum Aufwachsen gebracht, der vorzugsweise ein Silizium-Substrat 32 und eine AlN-Pufferschicht 34 einschließt.
  • Der erste (12), zweite (14) und dritte (16) Halbleiterkörper bestehen jeweils aus N-polarem GaN, N-polarem AlGaN bzw. N-polarem GaN.
  • Als nächstes wird eine Schicht aus Abstandsmaterial (vorzugsweise Ge) auf dem dritten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Körper 16 abgeschieden oder aufgewachsen, und mit Hilfe der Photolithographie oder einer ähnlichen Technik mit einem Muster versehen, um mit Abstand angeordnete Abstandskörper 22 zu erzielen, wie dies in 3B gezeigt ist. Es ist darauf hinzuweisen, dass die Lücke 36 zwischen den Abstandskörpern 22 zumindest den dritten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Körper 16 freilegt und einen Bereich zur Aufnahme einer Gate-Struktur bildet.
  • Danach wird ein vierter N-polarer Gruppe-III-Nitrid-Körper (N-polares AlGaN bei der bevorzugten Ausführungsform) über zumindest dem dritten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper 16 und bei der bevorzugten Ausführungsform über den Abstandskörpern 22 zum Aufwachsen gebracht, wie dies in 3C gezeigt ist.
  • Als nächstes werden Körper zur Herstellung der Gate-Struktur 26 auf dem vierten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Körper 24 gebildet, und der Stapel wird unter Verwendung der Photolithographie oder dergleichen mit einem Muster versehen, um die Gate-Struktur 26 der bevorzugten Ausführungsform zu gewinnen. So werden ein Gate-Isolierkörper und ein Gate-Elektrodenkörper auf dem vierten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Körper 24 gebildet und mit einem Muster versehen, um die Gate-Isolation 28 und die Gate-Elektrode 30 zu erhalten.
  • Nachdem die Gate-Struktur 26 gebildet wurde, werden die Abstandskörper 22 weiter unter Verwendung der Photolithographie oder dergleichen mit einem Muster versehen, wodurch Öffnungen in diesem den dritten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Körper 16 freilegen und Bereiche zur Aufnahme von Leistungselektroden bilden. Erste und zweite Leistungselektroden 18 und 20 werden dann über dem dritten Körper 16 gebildet, um ein Bauteil gemäß der bevorzugten Ausführungsform zu schaffen, wie es in 2 gezeigt ist.
  • Gemäß 4 wird bei der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Gate-Struktur 26 mit einem Material gebildet, das einen Schottky-Kontakt mit dem vierten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper 24 herstellt. Der übrige Teil des Verfahrens entspricht dem der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Ein Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung ist nicht auf N-polare Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterbauteile beschränkt. Vielmehr kann es auf irgendein Halbleiterbauteil angewandt werden.
  • Gemäß den 7A–7E, in denen gleiche Bezugsziffern gleiche Merkmale bezeichnen, werden in einem Verfahren gemäß der dritten Ausführungsform ein erster Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper 12' (beispielsweise GaN), ein zweiter Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper 14' (AlGaN) und ein dritter Halbleiterkörper 16' (beispielsweise GaN) in einer Folge auf einem Trägerkörper 10 zum Aufwachsen gebracht. Es sei darauf hingewiesen, dass die Körper 12', 14' und 16' nicht N-polar sein müssen.
  • Gemäß einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird der Schutzkörper 22 auf dem dritten Gruppe-III-Nitrid-Körper 16' gebildet und unter Verwendung der Photolithographie oder dergleichen mit einem Muster versehen, um eine Gate-Öffnung zu bilden, um einen Teil des Gruppe-III-Nitrid-Körpers 16' zur Aufnahme einer Gate-Struktur freizulegen. Danach wird ein Gate-Isolationskörper 24 über dem Abstandskörper 22 und über dem dritten Gruppe-III-Nitrid-Körper 16' an dem Boden der darin ausgebildeten Gate-Öffnung ausgebildet. Ein Gate-Elektrodenkörper 28 wird dann über dem Gate-Isolationskörper 24 ausgebildet. Das Ergebnis ist in 7A gezeigt.
  • Als nächstes wird eine Gate-Maske 38 über dem Gate-Elektrodenkörper 28 in Ausrichtung mit der Gate-Öffnung in dem Abstandskörper 22 gebildet, wie dies in 7B gezeigt ist. Danach werden die nicht-maskierten Teile des Gate-Elektrodenkörpers 22 und des Gate-Isolationskörpers 24 entfernt, bis der Schutzkörper 22 erreicht ist. Das Ergebnis ist in 7C gezeigt.
  • Als nächstes wird eine erste Leistungselektroden-Maske 40 auf dem Schutz-Abstandskörper 22 aufgebracht. Die Maske 40 definiert Teile des Abstandskörpers 22 benachbart zu der Gate-Struktur 26, die zu entfernen sind, und durch Ätzen oder dergleichen werden unmaskierte Teile des Abstandskörpers 22 benachbart zur Gate-Struktur 26 entfernt, wodurch vorzugsweise der dritte Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper 16' freigelegt wird, wie dies in 7D gezeigt ist. Danach wird ein Isolationskörper 42 über zumindest der Gate-Struktur 26 gebildet, der vorzugsweise den Raum zwischen der Gate-Struktur 26 und den Abstandskörpern 22 füllt. Als nächstes wird eine zweite Leistungselektroden-Maske 44 über dem ersten Isolationskörper 42 aufgebracht, wie dies in 7E gezeigt ist. Danach werden die Abstandskörper 22 benachbart zu dem Isolierkörper 42 entfernt, wodurch Teile des dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers 16' benachbart zu dem Isolationskörper 42 freigelegt werden, und erste (18) und zweite (20) Leistungselektroden werden auf den freiliegenden Teilen des dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers 16' gebildet. Das Ergebnis ist ein Bauteil, das gemäß der dritten Ausführungsform hergestellt ist, wie dies in 7F gezeigt ist.
  • Es sei bemerkt, dass in einer alternativen Ausführungsform die Gate-Struktur 26 einen Körper im Schottky-Kontakt mit dem dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper 16' einschließen kann. In einem derartigen Fall kann der Gate-Isolationskörper 24 aus dem Verfahren fortgelassen werden, und lediglich ein Gate-Schottky-Körper kann über dem Abstandskörper 22 nach dessen Musterbildung ausgebildet werden. Der Rest des Herstellungsverfahrens kann der gleiche sein, wie er vorstehend unter Bezugnahme auf die dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausführlich beschrieben wurde.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass obwohl das bevorzugte Material für den Schutz-Abstandskörper 22 Ge ist, andere Materialien, wie z. B. SiO2, Si3N4, Al2O3 oder dergleichen verwendet werden können, ohne von dem Schutzumfang und Grundgedanken der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • N-Flächen (N-face-) Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterfilme sind sehr empfindlich gegenüber Säuren und können daher sehr leicht durch HCl und einen Fotoabdecklack-Entwickler geätzt werden. Weiterhin beschädigt das Plasma in dem Trockenätz-Verfahren die Materialien und vergrößert die Oberflächen-Rauheit unter den Leistungselektroden. Es wird angenommen, dass die raue Oberfläche zu hochohmigen Kontaktwiderständen führen kann.
  • Bei einem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung schützt der Schutz-Abstandskörper 22 den N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Körper gegen Schäden und ergibt weiterhin eine Begrenzungssperre zum Verhindern der Plasma-Schäden beim Trockenätzen.
  • Es ist weiterhin darauf hinzuweisen, dass die dritten und vierten Gruppe-III-Nitrid-Körper üblicherweise dünn sind (< 100 nm). Ein Überätzen an der Stelle der Leistungselektroden verringert die 2DEG-Dichte und vergrößert damit den Einschaltwiderstand. Weder das Trocken- noch das Nassätzen ist bei der Entfernung eines derartigen dünnen Films steuerbar. Bei einem Verfahren gemäß der Erfindung werden alle die Filmdicken vorzugsweise durch die MBE definiert, bei der die Wachstumsrate präzise überwacht werden kann. H2O2 kann zum selektiven Entfernen des Schutz-Abstandskörpers (wenn Ge als Abstandsmaterial gewählt ist) an der Stelle der Leistungselektroden verwendet werden, ohne das darunterliegende Gruppe-III-Nitrid zu beschädigen.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung bezüglich spezieller Ausführungsformen hiervon beschrieben wurde, werden viele andere Abänderungen und Modifikationen und andere Anwendungen für den Fachmann ersichtlich. Es wird daher bevorzugt, dass die vorliegende Erfindung nicht durch die spezielle Beschreibung sonder lediglich durch die beigefügten Ansprüche beschränkt ist.
  • Zusammenfassung:
  • Verfahren zur Herstellung eines Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterbauteils, das die Bildung einer Gate-Struktur einschließt, während ein Schutzkörper über Bereichen vorgesehen ist, die zur Aufnahme der Leistungselektroden vorgesehen sind.

Claims (27)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, mit den folgenden Schritten: Aufwachsen eines ersten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers über einem Trägerkörper; Aufwachsen eines zweiten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers über dem ersten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper; Aufwachsen eines dritten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers über dem zweiten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper; Aufwachsen eines Schutz-Abstandskörpers über dem dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper; Entfernen eines Teils des Schutz-Abstandskörpers zur Bildung einer Öffnung in diesem, die einen Teil des dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers freilegt; Aufwachsen eines vierten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers zumindest über dem freiliegenden Teil; und Bilden einer Gate-Struktur über dem vierten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die ersten und dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper aus GaN bestehen, und die zweiten und vierten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper aus AlGaN bestehen.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Trägerkörper ein Substrat und eine auf dem Substrat angeordnete Pufferschicht umfasst.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem das Substrat Silizium umfasst.
  5. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem das Substrat Siliziumcarbid umfasst.
  6. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem das Substrat Saphir umfasst.
  7. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die Pufferschicht einen Gruppe-III-Nitrid-Körper umfasst.
  8. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die Pufferschicht AlN umfasst.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Trägerkörper ein Gruppe-III-Nitrid-Material umfasst.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Trägerkörper GaN umfasst.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Gate-Struktur eine Gate-Isolation und eine Gate-Elektrode umfasst.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Gate-Struktur einen Schottky-Kontakt mit dem vierten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper bildet.
  13. Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin die Bildung von Leistungselektroden umfasst, die jeweils elektrisch mit dem dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper gekoppelt sind.
  14. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schutz-Abstandskörper aus zumindest einem von Ge, SiO2, Si3N4 und Al2O3 besteht.
  15. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils, mit den folgenden Schritten: Aufwachsen eines ersten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers über einem Trägerkörper; Aufwachsen eines zweiten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers über dem ersten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper; Aufwachsen eines dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers über dem zweiten N-polaren Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper; Aufwachsen eines Schutz-Abstandskörpers über dem dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper; Entfernen eines Teils des Schutz-Abstandskörpes zur Bildung einer Öffnung in diesem, die einen Teil des dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers freilegt; und Bilden einer Gate-Struktur über dem dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, das weiterhin die Bildung von Leistungselektroden, die elektrisch mit dem dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper gekoppelt sind, nach der Bildung der Gate-Struktur umfasst.
  17. Verfahren nach Anspruch 15, das weiterhin die Entfernung eines Teils des Schutz-Abstandskörpers benachbart zu der Gate-Struktur zum Freilegen zumindest des dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers, die Bildung eines Isolationskörpers über der Gate-Struktur und zumindest über dem freiliegenden Teil benachbart zu der Gate-Struktur, die Entfernung von zumindest einem Teil des Restes des Schutz-Abstandskörpers zum Freilegen von zumindest einem Teil des dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers und die Bildung von Leistungselektroden über den freiliegenden Teilen des dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörpers umfasst.
  18. Verfahren nach Anspruch 15, bei dem die ersten und die dritten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper aus GaN bestehen, und der dritte Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper aus AlGaN besteht.
  19. Verfahren nach Anspruch 15, bei dem der Trägerkörper ein Substrat und eine auf dem Substrat angeordnete Pufferschicht umfasst.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, bei dem das Substrat aus zumindest einem von Silizium, Siliziumcarbid oder Saphir besteht.
  21. Verfahren nach Anspruch 19, bei dem die Pufferschicht einen Gruppe-III-Nitrid-Körper umfasst.
  22. Verfahren nach Anspruch 19, bei dem die Pufferschicht AlN umfasst.
  23. Verfahren nach Anspruch 15, bei dem der Trägerkörper ein Gruppe-III-Nitrid-Material umfasst.
  24. Verfahren nach Anspruch 15, bei dem der Trägerkörper GaN umfasst.
  25. Verfahren nach Anspruch 15, bei dem die Gate-Struktur eine Gate-Isolation und eine Gate-Elektrode umfasst.
  26. Verfahren nach Anspruch 15, bei dem die Gate-Struktur einen Schottky-Kontakt mit dem vierten Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterkörper bildet.
  27. Verfahren nach Anspruch 15, bei dem der Schutz-Abstandskörper aus einem von Ge, SiO2, Si3N4 und Al2O3 besteht.
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