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Technisches Gebiet
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Elektronikkomponente,
die ein Laminat aufweist, bei dem ein Elementsubstrat, das als ein
Elektronikkomponentenelement dient, unter Verwendung eines Haftmittels
an eine Gehäuseplatte
gebondet ist. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung
auf ein Verfahren zum Herstellen einer Elektronikkomponente, bei
der eine elektrische Verbindungsstruktur zwischen einer Elektrode
an dem Elementsubstrat und einer Elektrode an der Gehäuseplatte
sowie eine elektrische Verbindungsstruktur zwischen der Elektronikkomponente
und einer externen Vorrichtung verbessert sind, und auf die Elektronikkomponente.
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Stand der Technik
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Verschiedene
Halbleitersensorvorrichtungen, bei denen ein Sensor, der eine dreidimensionale Struktur
aufweist, auf einem Halbleitersubstrat definiert ist, wurden vorgeschlagen.
Derartige Halbleitersensorvorrichtungen weisen einen sich bewegenden Abschnitt
auf und müssen
so hergestellt und angebracht sein, dass sie die Bewegung des sich
bewegenden Abschnitts nicht behindern. Daher ist beispielsweise
ein Verfahren verfügbar,
bei dem das Halbleitersubstrat in einer Keramikbaueinheit untergebracht
ist und die Keramikbaueinheit an einem Anbringsubstrat angebracht
und unter Verwendung eines Bonddrahts gebondet ist. Aufgrund des
Bedarfs nach einer Keramikbaueinheit bewirkt dieses Verfah ren jedoch
unvermeidlich einen Zuwachs der Größe. Ferner erfordert das Anbringen
an dem Anbringsubstrat unter Verwendung des Bonddrahts unvermeidlich
einen großen
Anbringraum. Insbesondere benötigt
eine Halbleitersensorvorrichtung, die eine große Anzahl von Abschnitten aufweist,
die mit externen Vorrichtungen elektrisch verbunden sind, einen
großen
Anbringraum, auf der Basis eines Bonddrahts an einem Anbringsubstrat.
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Das
Patentdokument 1 unten offenbart eine Halbleitervorrichtung 101,
die in 10 gezeigt ist. Die Halbleitervorrichtung 101 weist
ein Basissubstrat 102 auf. An dem Basissubstrat 102 ist
ein Halbleitersubstrat 103, das einen Halbleitersensor
umfasst, befestigt. Das Halbleitersubstrat 103 weist einen
sich bewegenden Abschnitt auf, der eine Elektrode 103a umfasst,
auf. Obgleich derselbe in 10 schematisch
gezeigt ist, ist ein Sensorabschnitt, der die Elektrode 103a umfasst,
ein sich bewegender Abschnitt. Eine Ausnehmung ist in einer Oberfläche 103b des Halbleitersubstrats 103 gebildet,
um einen Zwischenraum A zu definieren, der dem sich bewegenden Abschnitt
des Halbleitersubstrats 103 zugewandt ist. Das Halbleitersubstrat 103 ist
an dem Basissubstrat 102 befestigt, so dass die Oberfläche 103b,
die die Ausnehmung aufweist, eine untere Oberfläche des Halbleitersubstrats 103 ist.
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Elektroden 103c und 103d,
die an dem Halbleitersubstrat 103 angeordnet sind, sind
an Elektroden 102a und 102b an dem Basissubstrat 102 gebondet
und mit denselben elektrisch verbunden. Die Elektroden 102a und 102b sind
mit Elektroden 102c und 102d, die auf einer unteren
Oberfläche
des Basissubstrats 102 angeordnet sind, über Durchgangslochelektroden,
die in dem Basissubstrat 102 bereitgestellt sind, elektrisch
verbunden. Lötmittel-Bumps 104 und 105 sind
an die Elektroden 102c und 102d gebondet.
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Seiten-
und obere Oberflächen
des Halbleitersubstrats 103 sind durch ein Formharz 106 abgedichtet.
Das Halbleitersub strat 103 ist durch das Basissubstrat 102 und
das Formharz 106 hermetisch abgedichtet.
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Die
Halbleitervorrichtung
101 ist durch ein Anbringen der Lötmittel-Bumps
104 und
105 an
Elektrodenanschlussbereichen an dem Anbringsubstrat an einem Anbringsubstrat
angebracht. Daher kann die Halbleitervorrichtung
101 in
einem kleinen Anbringraum an dem Anbringsubstrat angebracht werden.
Patentdokument
1: ungeprüfte
japanische Patentanmeldungsveröffentlichung
Nr. 2004-340730
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Offenbarung der Erfindung
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Bei
der Halbleitervorrichtung 101, die in dem Patentdokument
1, wie oben beschrieben, beschrieben ist, ist das Halbleitersubstrat 103,
das einen sich bewegenden Abschnitt aufweist, durch das Basissubstrat 102 und
das Formharz 105 hermetisch abgedichtet und kann durch
eine Flip-Chip-Bondtechnik unter
Verwendung der Lötmittel-Bumps 104 und 105 an
einem Substrat angebracht werden. In diesem Fall wird unter Verwendung
der Lötmittel-Bumps 104 und 105 eine
relativ geringe Bondfestigkeit erhalten. Es ist erforderlich, ein
Haftmittel aus Epoxidharz oder dergleichen, eine Unterfüllung genannt,
zwischen das Anbringsubstrat und das Basissubstrat 102 zu füllen, um
die Haftfestigkeit zu erhöhen.
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Als
Folge ist die Beabstandung zwischen dem Anbringsubstrat und dem
Basissubstrat 102 mit der Unterfüllung sowie den Lötmittel-Bumps 104 und 105 gefüllt. Eine
Belastung, die auf das Anbringsubstrat ausgeübt wird, würde durch die Lötmittel-Bumps 104 und 105 sowie
die Unterfüllung
auf das Basissubstrat 102, und folglich auf das Halbleitersubstrat 103, übertragen
werden. Der Einfluss der Belastung kann daher bewirken, dass der
Halbleitersensor, der an dem Halbleitersubstrat 103 definiert
ist, defekt ist.
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Eine
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, den Nachteil der
verwandten Technik, die oben beschrieben ist, zu überwinden
und ein Verfahren zum Herstellen einer Elektronikkomponente zu schaffen,
welche eine Übertragung
einer Belastung von außen
verhindern kann, nachdem die Elektronikkomponente an einem Anbringsubstrat
oder dergleichen angebracht ist, welche in einem relativ kleinen
Anbringraum oberflächenangebracht
werden kann, welche eine einfache Struktur aufweist, und welche
einen Isolationswiderstand zwischen einer Mehrzahl von Externe-Verbindung-Anschlüssen und der
Elektronikkomponente erhöhen
kann.
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Die
vorliegende Erfindung liefert ein Verfahren zum Herstellen einer
Elektronikkomponente, das Folgendes umfasst: einen Schritt eines
Herstellens eines Elementsubstrats, das einen Funktionsabschnitt
zum Bereitstellen einer Funktion einer Elektronikkomponente und
eine Externe-Verbindung-Elektrode,
die auf einer Oberfläche
desselben definiert ist, zum elektrischen Verbinden des Funktionsabschnitts
mit einer externen Vorrichtung aufweist; einen Schritt eines Bondens
einer Gehäuseplatte
mit relativ geringer Widerstandsfähigkeit gegen Sandstrahlen
an das Elementsubstrat unter Verwendung eines Haftmittels mit einer
relativ hohen Widerstandsfähigkeit
gegen Sandstrahlen; einen Schritt eines Bildens, durch eine Sandstrahlverarbeitung,
eines Lochs in der Gehäuseplatte,
so dass das Haftmittel an einem Bereich des Lochs freigelegt wird,
unterhalb dessen ein Bereich der Externe-Verbindung-Elektrode definiert
ist; einen Schritt eines Entfernens, durch Ätzen, eines Haftmittelbereichs,
der in dem Loch freiliegend ist, und der durch die Sandstrahlverarbeitung
nicht entfernt wird, um die Externe-Verbindung-Elektrode freizulegen;
einen Schritt eines Bildens eines Elektrodenfilms, so dass sich
der Elektrodenfilm auf einer Innenoberfläche des Lochs von einer Außenoberfläche der
Gehäuseplatte
erstreckt, und so dass der Elektrodenfilm mit der Externe-Verbindung-Elektrode, die durch
ein Entfernen des Haftmittels freige legt wird, elektrisch verbunden wird;
und einen Schritt eines Bildens, durch eine mechanische Verarbeitung,
eines Vorstands an der Außenoberfläche der
Gehäuseplatte,
wobei der Vorstand eine vordere Endoberfläche aufweist, an der sich der
Elektrodenfilm erstreckt.
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Gemäß einem
spezifischen Aspekt des Verfahrens zum Herstellen einer Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden
Erfindung umfasst das Verfahren ferner einen Schritt eines, vor
einem Bilden des Elektrodenfilms, Aufrauens zumindest eines Bereichs
der Gehäuseplatte,
wo der Elektrodenfilm definiert ist.
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Gemäß einem
anderen spezifischen Aspekt des Verfahrens zum Herstellen einer
Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden
Erfindung wird das Ätzen
durch Trockenätzen
durchgeführt.
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Gemäß noch einem
anderen spezifischen Aspekt des Verfahrens zum Herstellen einer
Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden
Erfindung wird ein Polyimid-basiertes Haftmittel als das Haftmittel
verwendet.
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Gemäß noch einem
anderen spezifischen Aspekt des Verfahrens zum Herstellen einer
Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden
Erfindung umfasst das Verfahren ferner einen Schritt eines Vereinzelns
eines Laminats des Elementsubstrats und der Gehäuseplatte, so dass das Loch
geteilt wird, und eines Bildens einer Ausnehmung in einer Seitenoberfläche des
Vorstands, wobei die Ausnehmung aus einem Bereich einer Innenumfangsoberfläche des
Lochs gebildet wird.
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Gemäß noch einem
anderen spezifischen Aspekt des Verfahrens zum Herstellen einer
Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden
Erfindung umfasst das Verfahren ferner einen Schritt eines Laminierens
einer zweiten Gehäuseplatte
auf eine Oberfläche,
die der Seite des Elementsubstrats, an der die Gehäuseplatte
haftend befestigt ist, gegenüberliegt.
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Gemäß noch einem
anderen spezifischen Aspekt des Verfahrens zum Herstellen einer
Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden
Erfindung wird die zweite Gehäuseplatte
durch ein Haftmittel an das Elementsubstrat gebondet.
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Eine
Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden
Erfindung umfasst ein Elementsubstrat, das einen Funktionsabschnitt
aufweist, der als ein Elektronikkomponentenelement fungiert; eine
Haftmittelschicht, die an einer Oberfläche des Elementsubstrats angeordnet
ist; und eine Gehäuseplatte, die
aus einem Material gebildet ist, das eine geringere Sandstrahlwiderstandsfähigkeit
aufweist als die Haftmittelschicht und durch die Haftmittelschicht
an die Gehäuseplatte
gebondet ist, wobei eine Externe-Verbindung-Elektrode, die mit einer
externen Vorrichtung elektrisch verbunden ist, auf der Oberfläche des
Elementsubstrats definiert ist, auf der die Gehäuseplatte laminiert ist, wobei
die Gehäuseplatte
ein Loch umfasst, das einen unteren Bereich aufweist, an dem die
Haftmittelschicht nicht angeordnet ist, so dass zumindest ein Bereich
der Externe-Verbindung-Elektrode
freiliegend ist, wobei ein Vorstand, der eine Außenoberfläche aufweist, auf die der Elektrodenfilm
aufgetragen ist, auf einer Oberfläche gegenüber der Seite der Gehäuseplatte,
an der das Elementsubstrat laminiert ist, definiert ist, wobei ein
Bereich einer Seitenoberfläche
des Vorstands aus einer Innenumfangsoberfläche des Lochs gebildet ist,
und wobei ein Elektrodenfilm so definiert ist, dass sich der Elektrodenfilm
an der Externe-Verbindung-Elektrode, die
in dem Loch freiliegend ist, von einem vorderen Ende des Vorstands
durch die Seitenoberfläche
des Vorstands erstreckt.
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(Vorteile)
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Bei
dem Verfahren zum Herstellen einer Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden
Erfindung werden ein Elementsubstrat, das einen Funktionsabschnitt
zum Bereitstellen einer Funktion einer Elektronikkomponente aufweist,
und eine Externe-Verbindung-Elektrode, die auf einer Oberfläche des
Elementsubstrats zum elektrischen Verbinden des Funktionsabschnitts
mit einer externen Vorrichtung definiert wird, hergestellt; und
nachdem eine Gehäuseplatte
an eine Oberfläche
des Elementsubstrats, auf der die Externe-Verbindung-Elektrode unter Verwendung
eines Haftmittels mit relativ hoher Widerstandsfähigkeit gegen Sandstrahlen
definiert wird, gebondet wird, wird durch eine Sandstrahlverarbeitung
ein Loch gebildet, so dass eine Haftmittelschicht an einem Bereich
des Lochs freigelegt wird, unter dem ein Bereich der Externe-Verbindung-Elektrode
definiert ist. Da die Haftmittelschicht eine hohe Sandstrahlwiderstandsfähigkeit
aufweist, wird die Sandstrahlverarbeitung so durchgeführt, dass
die Haftmittelschicht nicht vollständig entfernt wird und so,
dass ein Loch in der Gehäuseplatte
gebildet wird, wodurch das Sandstrahlverarbeiten so durchgeführt wird,
dass die Haftmittelschicht an einem unteren Bereich des Lochs freigelegt
werden kann.
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Anschließend wird
ein Haftmittelbereich, der in dem Loch freiliegend ist und der durch
die Sandstrahlverarbeitung nicht entfernt wird, durch ein Ätzen entfernt.
Auf diese Weise wird die Haftmittelschicht an dem unteren Bereich
entfernt, und ein Bereich der Externe-Verbindung-Elektrode an dem
Elementsubstrat wird in dem Loch freigelegt.
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Ein
Elektrodenfilm wird gebildet, so dass sich der Elektrodenfilm auf
einer Innenoberfläche
des Lochs von einer Außenoberfläche der
Gehäuseplatte erstreckt
und so dass der Elektrodenfilm mit der Externe-Verbindung-Elektrode
an dem Elementsubstrat, die durch ein Entfernen des Haftmittelbereichs freigelegt
wird, elektrisch verbunden wird, wodurch der Funktionsabschnitt
an dem Elementsubstrat mit dem Elektrodenfilm, der an der Außenoberfläche der Gehäuseplatte
definiert wird, elektrisch verbunden wird. Ferner wird ein Vorstand,
der eine Seitenoberfläche
aufweist, von der ein Bereich aus einer Innenumfangsoberfläche des
Lochs gebildet wird, und der eine vordere Endoberfläche aufweist,
auf der sich der Elektrodenfilm erstreckt, durch eine mechanische Bearbeitung
an einer Außenoberfläche der
Gehäuseplatte
gebildet. Daher kann die Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden
Erfindung mit einem Elektrodenanschlussbereich oder dergleichen
an einer Anbringoberfläche
unter Verwendung eines Elektrodenfilmbereichs auf der vorderen Endoberfläche des Vorstands
elektrisch verbunden werden.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung kann daher eine Elektronikkomponente realisiert werden,
die oberflächenangebracht
werden kann, so dass der Vorstand in eine Anstoßung mit dem Elektrodenanschlussbereich
an dem Anbringsubstrat gebracht wird. Zusätzlich kann die Elektronikkomponente
unter Verwendung des Vorstands, der einstückig mit dem Gehäuse hergestellt
wird, ohne Verwendung einer Unterfüllung oder dergleichen angebracht
werden.
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Daher
kann nicht nur eine Anbringung mit hoher Dichte, sondern auch ein
Verhindern einer Übertragung
einer Belastung von dem Anbringsubstrat erreicht werden.
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Da
der Vorstand durch ein spanendes Bearbeiten der Gehäuseplatte
einstückig
mit der Gehäuseplatte
gebildet ist, kann der Vorstand nicht ohne weiteres von der Gehäuseplatte
entfernt werden. Die Verwendung einer Unterfüllung kann so entfallen. Es tritt
keine Übertragung
einer Belastung durch eine Unterfüllung auf, und eine Belastung
von dem Anbringsubstrat wird nur durch den Vorstand übertragen.
Daher kann eine Gesamtübertragung
einer Belastung von dem Anbringsubstrat auf den Funktionsabschnitt
an dem Elementsubstrat verhindert werden.
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Zusätzlich wird
keine Unterfüllung
benötigt, wodurch
Verarbeitungsschritte zum Anbringen der Elektronikkomponente an
dem Anbringsubstrat vereinfacht werden. Ferner wird der Vorstand
durch eine mechanische Bearbeitung gebildet, wodurch ohne weiteres
eine Mehrzahl von Vorständen
gebildet wird, die eine einheitliche Höhe aufweisen. Daher kann eine
Elektronikkomponente mit einer extrem kleinen Chipbaueinheit (CSP-Elektronikkomponente, CSP
= chip-size-package) mit einer hohen Anbringqualität erreicht
werden.
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Ferner
wird bei dem Sandstrahlverarbeiten die Sandstrahlverarbeitung so
durchgeführt,
dass die Haftmittelschicht nicht vollständig entfernt wird. Da das
Elementsubstrat dem Sandstrahlverarbeiten nicht unterworfen wird,
besteht keine Sorge, dass das Loch in dem Elementsubstrat gebildet
wird. So kann der Elektrodenfilm, der sich auf der Innenoberfläche des
Lochs von der Außenoberfläche der
Gehäuseplatte
erstreckt, nicht in einer Seitenoberfläche oder dergleichen des Elementsubstrats
gebildet werden. Falls z. B. das Elementsubstrat ein Halbleitersubstrat
ist, könnte
eine Elektrode, die an einer unerwünschten Position an einer Seitenoberfläche des Halbleitersubstrats
definiert ist, einen Isolationswiderstand ändern und das Gleichgewicht
einer Brücke zerstören, um
eine Schwankung einer Versatzspannung oder eine Änderung des absoluten Widerstandswerts
zu bewirken, was zu einer Schwankung der Empfindlichkeit auf eine
Beschleunigung oder einer Verschlechterung der Vorrichtungscharakteristika führt. Auf
der anderen Seite bewirkt die vorliegende Erfindung keine derartige
Schwankung der Charakteristika.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung kann daher eine CSP-Elektronikkomponente,
die eine geringere Schwankung einer Versatzspannung oder einer Empfindlichkeitscharakteristik
auf eine Beschleunigung, die durch eine Belastung von außen bewirkt werden,
aufweist, die in einem kleinen Anbringraum an einem Anbringsubstrat
oder dergleichen angebracht werden kann und die keine Unterfüllung verwendet,
ohne weiteres erreicht werden.
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Falls
das Verfahren ferner den Schritt eines, vor einem Bilden des Elektrodenfilms,
Aufrauens zumindest eines Bereichs der Gehäuseplatte, wo der Elektrodenfilm
definiert wird, aufweist, kann die Haftfestigkeit des Elektrodenfilms
auf der Oberfläche
der Gehäuseplatte
weiter erhöht
werden.
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Falls
das Ätzen
durch Trockenätzen
durchgeführt
wird, kann eine unerwünschte
Korrosion an einem Bereich, der die Externe-Verbindung-Elektrode
und den Funktionsabschnitt bildet, der an dem Elementsubstrat definiert
ist, verhindert werden, und die Haftmittelschicht kann teilweise
entfernt werden.
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Falls
ein Polyimid-basiertes Haftmittel als das Haftmittel verwendet wird,
kann bei der Sandstrahlverarbeitung aufgrund der hohen Sandstrahlwiderstandsfähigkeit
des Polyimid-basierten Haftmittels eine Bearbeitungsbedingung, bei
der das Haftmittel nicht vollständig
entfernt wird, ohne weiteres eingestellt werden.
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Falls
ein Laminat des Elementsubstrats und der Gehäuseplatte so vereinzelt wird,
dass das Loch geteilt wird und in einer Seitenoberfläche des
Vorstands eine Ausnehmung gebildet wird, wobei die Ausnehmung aus
einem Bereich einer Innenumfangsoberfläche des Lochs gebildet wird,
kann gemäß der vorliegenden
Erfindung eine Elektronikkomponente erreicht werden, bei der eine
Ausnehmung in einer Außenseitenoberfläche eines
Vorstands bereitgestellt wird und die Ausnehmung einen Elektrodenfilm
umfasst. Ein Bereich, an dem der Vorstand bereitgestellt wird, entspricht
einem Bereich, der an einen Elektrodenanschlussbereich an einem
Anbringsubstrat oder dergleichen gebondet werden soll, und der Vorstand
befindet sich an einer Position nahe einem Außenrand der Elektronikkomponente.
Daher kann eine kompak te Elektronikkomponente, die oberflächenangebracht
werden kann, erreicht werden.
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Falls
eine zweite Gehäuseplatte
an eine Oberfläche
laminiert wird, die der Seite des Elementsubstrats, an der die Gehäuseplatte
haftend befestigt wird, gegenüberliegt,
können
beide Oberflächen
des Elementsubstrats durch die Gehäuseplatte und die zweite Gehäuseplatte
abgedichtet werden. Daher kann eine Elektronikkomponente mit einer
hohen Umgebungswiderstandsfähigkeit
oder Feuchtigkeitswiderstandsfähigkeit
erreicht werden.
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Falls
die zweite Gehäuseplatte
unter Verwendung eines Haftmittels an das Elementsubstrat gebondet
wird, kann die zweite Gehäuseplatte
ohne weiteres an das Elementsubstrat laminiert und gebondet werden.
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Bei
der Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden
Erfindung wird eine Gehäuseplatte durch
eine Haftmittelschicht an ein Elementsubstrat gebondet. Die Gehäuseplatte
weist eine geringere Sandstrahlwiderstandsfähigkeit als die Haftmittelschicht
auf. Wenn gemäß dem Verfahren
zum Herstellen einer Elektronikkomponente der vorliegenden Erfindung
durch eine Sandstrahlverarbeitung ein Loch gebildet wird, kann die
Sandstrahlverarbeitung ohne weiteres so durchgeführt werden, dass die Haftmittelschicht
an einem unteren Bereich des Lochs verbleiben kann. Gemäß der vorliegenden
Erfindung kann anschließend
nur ein Haftmittelbereich, der an dem unteren Bereich des Lochs
freiliegend ist, durch ein Ätzen
ohne weiteres entfernt werden. Durch ein Bilden eines Elektrodenfilms
an einer Außenoberfläche der
Gehäuseplatte
so, dass sich der Elektrodenfilm an dem unteren Bereich des Lochs
erstreckt, kann der Elektrodenfilm an die Externe-Verbindung-Elektrode
gebondet werden, die an dem unteren Bereich des Lochs freiliegend
ist.
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Bei
der Elektronikkomponente der vorliegenden Erfindung wird, nachdem
ein Vorstand gebildet wird, ein Elektroden film so gebildet, dass
sich der Elektrodenfilm an der Externe-Verbindung-Elektrode von
einer vorderen Endoberfläche
des Vorstands erstreckt. Daher kann eine CSP-Elektronikkomponente, die an einem Anbringsubstrat
oder dergleichen unter Verwendung des Vorstands oberflächenangebracht
werden kann und die durch eine Belastung von dem Anbringsubstrat
weniger beeinflusst wird, erreicht werden.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1(a) bis 1(e) sind
Querschnittsansichten in Teilansicht, die einen Prozess zum Herstellen
einer Halbleitersensorvorrichtung eines ersten Ausführungsbeispiels
zeigen.
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2 ist
eine perspektivische Ansicht, die ein äußeres Erscheinungsbild einer
Halbleitersensorvorrichtung gemäß einem
Ausführungsbeispiel
einer Elektronikkomponente der vorliegenden Erfindung zeigt.
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3 ist
eine perspektivische Explosionsansicht der Halbleitersensorvorrichtung
des Ausführungsbeispiels,
das in 1 gezeigt ist.
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4 ist
eine Längsschnittansicht
der Halbleitersensorvorrichtung des Ausführungsbeispiels, das in 1 gezeigt ist.
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5 ist
eine Vorderquerschnittsansicht in Teilansicht zum Zeigen eines Zustands,
in dem die Halbleitersensorvorrichtung des Ausführungsbeispiels, das in 1 gezeigt ist, an einem Anbringsubstrat
angebracht wird.
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6 ist
ein Grundriss eines Halbleitersubstrats, das bei der Halbleitersensorvorrichtung
des Ausführungsbeispiels,
das in 1 gezeigt ist, verwendet wird.
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7 ist
ein Grundriss in Teilansicht, der einen Hauptbereich des Halbleitersubstrats,
das in 4 gezeigt ist, schematisch zeigt.
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8 ist
ein Diagramm, das eine eine X-Achsen-Richtungsbeschleunigungserfassungsschaltung
zeigt, die an dem Halbleitersubstrat definiert ist, das in 4 gezeigt
ist.
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9 ist
eine schematische perspektivische Ansicht zum Zeigen einer Art und
Weise, auf die ein Beschleunigungssensor, der an dem Halbleitersubstrat,
das in 4 gezeigt ist, angeordnet ist, verschoben wird.
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10 ist
eine Vorderquerschnittsansicht, die ein Beispiel einer vorhandenen
Halbleitervorrichtung zeigt.
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Bester Modus zum Ausführen der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung wird durch die Beschreibung eines spezifischen
Ausführungsbeispiels der
vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen offenkundig.
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Bei
dem Ausführungsbeispiel
wird eine Halbleitersensorvorrichtung, die in einer perspektivischen Ansicht
von 2 gezeigt ist, als eine Elektronikkomponente hergestellt. 3 ist
eine perspektivische Explosionsansicht der Halbleitersensorvorrichtung, die
in 2 gezeigt ist. Vor der Beschreibung eines Herstellungsverfahrens
des Ausführungsbeispiels wird
zuerst eine schematische Struktur der Halbleitersensorvorrichtung
beschrieben.
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Eine
Halbleitersensorvorrichtung 1 umfasst ein Halbleitersubstrat 2,
das als ein Elementsubstrat dient, eine Gehäuseplatte 3, die auf
einer Oberfläche des
Halbleitersubstrats 2 laminiert ist, und eine zweite Gehäuseplatte 4,
die an einer Oberfläche
gegenüber
derselben des Halbleitersubstrats 2 definiert ist.
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Bei
dem Ausführungsbeispiel
weist das Halbleitersubstrat 2 einen Beschleunigungssensor auf,
der auf demselben definiert ist, der als ein Halbleitersensor dient
und einen sich bewegenden Abschnitt umfasst. Der Beschleunigungssensor
ist in der Lage, eine Beschleunigung in drei axialen Richtungen,
die orthogonal zueinander sind, nämlich in X-Achsen-, Y-Achsen- und Z-Achsenrichtung,
zu erfassen. Eine Richtung, die zu dem Halbleitersubstrat 2,
das zu einer rechteckigen Platte geformt ist, orthogonal ist, wird
auf die Z-Achsen-Richtung eingestellt, und Richtungen langer Seiten
und kurzer Seiten des Halbleitersubstrats 2, wie in dem
Grundriss ersichtlich ist, werden auf die Y-Achsen- bzw. X-Achsenrichtung
eingestellt. Das Halbleitersubstrat 2 weist eine obere
und eine untere Oberfläche
auf, die parallel zu der XY-Ebene sind.
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Die
Struktur des Halbleitersensors an dem Halbleitersubstrat 2 ist
nicht auf eine spezifische Struktur beschränkt, und die Struktur des Beschleunigungssensors
an dem Halbleitersubstrat 2 wird nachfolgend kurz beschrieben.
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Die
Gehäuseplatte 3 wird
durch eine Haftmittelschicht 5 an dem Halbleitersubstrat 2 haftend
befestigt. Als ein Haftmittel der Haftmittelschicht 5 wird ein
Haftmittel verwendet, das eine höhere
Sandstrahlwiderstandsfähigkeit
aufweist als das Gehäusesubstrat 3.
So wird verhindert, dass, wenn durch eine Sandstrahlverarbeitung
ein Loch in dem Gehäusesubstrat 3 gebildet
wird, was nachfolgend beschrieben wird, die Haftmittelschicht 5 an
einem unteren Bereich des Lochs vollständig entfernt wird. Die Haftmittelschicht 5 fungiert
als eine Abstoppeinrichtung bei der Sandstrahlverarbeitung. Als
ein Haftmittel der Haftmittelschicht 5 wird ein Polyimid-basiertes Haftmittel,
eine Epoxidbasierte Haftmittelschicht oder dergleichen verwendet,
und vorzugsweise wird ein Polyimid-basiertes Haftmittel mit einer
hohen Sandstrahlwiderstandsfähigkeit
verwendet.
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Wie
in 3 gezeigt ist, wird eine Ausnehmung 4a in
einer oberen Oberfläche
der zweiten Gehäuseplatte 4 gebildet.
Die Ausnehmung 4a ist angeordnet, um einen Zwischenraum
zu definieren, um die Bewegung eines sich bewegenden Abschnitts 2a des
Beschleunigungssensors des Halbleitersubstrats 2 zu ermöglichen.
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Obgleich
es in 2 und 3 nicht klar gezeigt ist, ist
eine ähnliche
Ausnehmung auch in einer unteren Oberfläche der Gehäuseplatte 3 angeordnet. Daher
sind über
und unter dem Beschleunigungssensor des Halbleitersubstrats 2 Zwischenräume bereitgestellt,
um die Bewegung des sich bewegenden Abschnitts 2a des Halbleitersensors
nicht zu behindern.
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Die
Gehäuseplatte 3 und
die zweite Gehäuseplatte 4 weisen
dieselbe planare Form, d. h. dieselbe rechteckige Plattenform, wie
das Halbleitersubstrat auf. Bei einem Ausführungsbeispiel sind die Gehäuseplatte 3 und
die zweite Gehäuseplatte 4 aus
einem wärmebeständigen Glas
gebildet.
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Das
Material der Gehäuseplatten 3 und 4 ist nicht
auf ein wärmebeständiges Glas
beschränkt
und kann ein geeignetes synthetisches Material, beispielsweise eine
Isolierkeramik, wie z. B. Aluminiumoxid oder ein synthetisches Harz,
umfassen. Bei der vorliegenden Erfindung ist es erforderlich, dass
die Gehäuseplatte 3 eine
geringere Sandstrahlwiderstandsfähigkeit
als die oben beschriebene Haftmittelschicht 5 aufweist.
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Die
Halbleitersensorvorrichtung 1 kann bei einer Verwendung
vorzugsweise durch ein Rückflusslötungsverfahren
oder dergleichen an einem Anbringsubstrat angebracht werden. So
sind vorzugsweise die Gehäuseplatten 3 und 4 aus
einem hoch wärmebeständigen wärmebeständigen Glas
oder aus einer derartigen Keramik gebildet.
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Die
Gehäuseplatte 4 ist
eventuell nicht notwendigerweise aus einem Material mit geringer Sandstrahlwiderstandsfähigkeit
gebildet.
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Die
Gehäuseplatte 3 ist
zu einer rechteckigen Platte geformt und umfasst eine Mehrzahl von Vorständen 3b auf
einer Oberfläche 3a gegenüber der
Seite der Gehäuseplatte 3,
die an dem Halbleitersubstrat 2 laminiert ist. Die Vorstände 3b sind
aus dem gleichen Material wie die Gehäuseplatte 3 gebildet
und einstückig
mit derselben gebildet. Wie unten beschrieben wird, werden die Mehrzahl
der Vorstände 3b durch
ein mechanisches spanendes Bearbeiten des Materials der Gehäuseplatte 3 gebildet.
Da die Mehrzahl der Vorstände 3b aus
dem gleichen Material wie die Gehäuseplatte 3 gebildet
werden und mit derselben einstückig
gebildet werden, können
die Vorstände 3b nicht
ohne weiteres von der Gehäuseplatte 3 entfernt
werden.
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Seitenoberflächen 3c und 3d,
die sich entlang eines Paars langer Seiten der Gehäuseplatte 3 erstrecken,
umfassen eine Mehrzahl von Ausnehmungen 3e. Die Mehrzahl
der Ausnehmungen 3e sind angeordnet, um den Seitenoberflächen der Mehrzahl
der Vorstände 3b zu
entsprechen. Eine Anschlusselektrode 7 ist an einem vorderen
Ende jedes der Vorstände 3b definiert.
Jede der Ausnehmungen 3e weist eine Verbindungselektrode 8 auf,
die darin definiert ist. Die Verbindungselektroden 8 sind
mit den Anschlusselektroden 7 verbunden und erstrecken
sich auf den Innenoberflächen
der Ausnehmungen 3e durch die Seitenoberflächen der
Vorstände 3b und
zu der unteren Oberfläche
der Gehäuseplatte 3.
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Wie
in 3 gezeigt ist, sind an der oberen Oberfläche des
Halbleitersubstrats 2 eine Mehrzahl von Externe-Verbindung-Elektroden 9 zum
elektrischen Verbinden des Beschleunigungssensors mit einer externen
Vorrichtung definiert. Die Externe-Verbindung-Elektroden 9 sind
mit den Verbindungselektroden 8 verbunden.
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Daher
ist der Beschleunigungssensor mit den Anschlusselektroden 7,
die an den Vorständen 3b der
Gehäuseplatte 3 definiert
sind, elektrisch verbunden.
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Ferner
ist die Oberfläche,
auf der die Anschlusselektroden 7 und die Verbindungselektroden 8 definiert
sind, aufgeraut, vorzugsweise mit einer Oberflächenrauheit in einem Bereich
von etwa #200 bis etwa #2000, einschließlich, bevorzugter, mit einer Oberflächenrauheit
von etwa #600. Eine derartige raue Oberfläche kann die Haftfestigkeit
der Anschlusselektroden 7 und der Verbindungselektroden 8 erhöhen, die
auf derselben definiert sind.
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Als
nächstes
wird ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung 1 unter
Bezugnahme auf 1(a) bis (e) beschrieben.
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Wie
es in 1(a) gezeigt ist, wird zuerst
ein Halbleitersubstrat 2A, das als ein Elementsubstrat dient,
hergestellt. Gehäuseplatten 3A bzw. 4A werden über und
unter dem Halbleitersubstrat 2A mit zwischen denselben
liegenden Haftmittelschichten 5 bzw. 6 laminiert
und werden gebondet.
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Danach
werden, wie es in 1(b) gezeigt ist,
Löcher 3f an
Positionen gebildet, unter denen die Externe-Verbindung-Elektroden 9 durch
ein Sandstrahlverfahren von einer oberen Oberfläche der Gehäuseplatte 3A definiert
werden. In diesem Fall ist die Sandstrahlwiderstandsfähigkeit
der Haftmittelschicht 5 nach einem Aushärten höher als die Sandstrahlwiderstandsfähigkeit
der Gehäuseplatte 3A.
So wird die Sandstrahlverarbeitung so durchgeführt, dass die Haftmittelschicht 5 an
den unteren Bereichen der Löcher 3f durch
ein Sandstrahlen nicht vollständig
entfernt wird. Daher werden, wie es in 1(b) gezeigt ist,
die Löcher 3f durch
das Sandstrahlverfahren definiert, während die Haftmittelschicht 5 an
den unteren Bereichen der Löcher 3f verbleibt.
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Die
Löcher 3f sind
verjüngt,
um einen Durchmesser derselben zu einer unteren Oberfläche der Gehäuseplatte 3A hin
von der oberen Oberfläche derselben
zu verringern. Bei der Bildung der Löcher 3f wird eine
Verjüngung
gewöhnlich
durch eine Sandstrahlverarbeitung gebildet. Die Löcher 3f sind
eventuell nicht verjüngt.
Die Bildung einer Verjüngung macht
es jedoch schwierig, das Brechen eines Elektroden films an oberen Öffnungsrändern der
Löcher 3f zu
bewirken, was nachfolgend beschrieben wird.
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Anschließend wird
die Haftmittelschicht 5, die an den unteren Bereichen der
Löcher 3f freiliegend
ist, durch Ätzen
entfernt. Das Ätzen
wird durch Trockenätzen
oder Nassätzen
durchgeführt.
Vorzugsweise wird Trockenätzen
verwendet, um eine Korrosion der Externe-Verbindung-Elektroden 9 zu verhindern,
die an den unteren Bereichen der Löcher 3f freiliegend
sind, wobei der Halbleitersensor als der Funktionsabschnitt oder
dergleichen fungiert.
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Durch
ein Durchführen
einer Trockenätzung, wie
es in 1(c) gezeigt ist, werden Haftmittelschichtbereiche,
die an den unteren Bereichen der Löcher 3f freiliegend
sind, entfernt, und die Externe-Verbindung-Elektroden 9 erscheinen.
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Das
heißt,
die Löcher 3f sind
an Positionen angeordnet, an denen die Externe-Verbindung-Elektroden 9 sich
unter der Haftmittelschicht befinden, die an den unteren Bereichen
der Löcher 3f freiliegend ist.
Daher erscheinen, wenn ein Bereich der Haftmittelschicht durch das
oben beschriebene Ätzen
entfernt wird, die Externe-Verbindung-Elektroden 9, die sich
unter der Haftmittelschicht 5 befinden.
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Danach
wird ein Elektrodenfilm 7A, der in 1(d) gezeigt
ist, auf der oberen Oberfläche
der Gehäuseplatte 3A gebildet.
In diesem Fall wird der Elektrodenfilm 7A durch ein geeignetes
Verfahren, wie z. B. ein Sputtern oder eine Aufdampfung, gebildet.
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Wie
es in 1(d) gezeigt ist, ist der Elektrodenfilm 7A so
definiert, dass sich der Elektrodenfilm 7A auf den Innenoberflächen der
Löcher 3f von
der oberen Oberfläche
der Gehäuseplatte 3A erstreckt, und
so, dass der Elektrodenfilm 7A mit den Externe-Verbindung-Elektroden 9,
die an den unteren Bereichen der Löcher 3f freiliegend
sind, elek trisch verbunden ist. Wie es oben beschrieben ist, ist
es, da die Löcher 3f verjüngt sind,
schwierig, das Brechen des Elektrodenfilms 7A an den oberen Öffnungsrändern der
Löcher 3f zu
bewirken. So sind, wie es oben beschrieben ist, die Löcher 3f vorzugsweise
verjüngt.
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Nachdem
der Elektrodenfilm 7A wie oben beschrieben gebildet ist,
kann ferner ein elektrisch leitfähiges
Haftmittel oder dergleichen in die Löcher 3f gefüllt werden,
um die elektrisch verbundenen Bereiche zu verstärken und um die Zuverlässigkeit
einer elektrischen Verbindung zu verbessern.
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Danach
wird, vorzugsweise, nachdem der Elektrodenfilm 7A gebildet
ist, ein Plattierungsfilm an dem Elektrodenfilm 7A gebildet.
Der Plattierungsfilm wird durch ein Plattieren von Sn oder einem
Lötmittel gebildet,
um eine Lötbarkeit
zu verbessern, wenn die Halbleitervorrichtung des Ausführungsbeispiels
oberflächenangebracht
wird. Der Plattierungsfilm wird jedoch eventuell nicht notwendigerweise
gebildet. Wenn z. B. eine elektrisch leitfähige Paste zum Anbringen verwendet
wird, wird der Plattierungsfilm eventuell nicht gebildet.
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Anschließend wird,
wie es in 1(e) gezeigt ist, eine mechanische
Bearbeitung, wie z. B. ein Schleifen, unter Verwendung einer Vereinzelungsvorrichtung
und dergleichen durchgeführt,
um eine Mehrzahl von Vorständen 3b an
einer oberen Oberfläche
eines Mutterlaminats zu bilden. Die Vorstände 3b werden durch
ein Durchführen
eines Schleifens gebildet, so dass die Mehrzahl der Vorstände 3b,
die an der oberen Oberfläche
der Gehäuseplatte 3A vorspringen,
verbleiben. Daher sind die Vorstände 3b aus
dem gleichen Material wie die Gehäuseplatte 3A gebildet
und sind mit derselben einstückig
gebildet.
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Ferner
sind die Vorstände 3b so
definiert, dass ein Bereich des Elektrodenfilms 7A an den
vorderen Endoberflächen
der Vorstände 3b verbleibt und
so, dass sich der Elektrodenfilm 7A an den unteren Bereichen
der Löcher 3f von
den vorderen Endoberflächen
der Vorstände 3b durch
die Seitenoberflächen
derselben erstreckt. Das heißt,
die Vorstände 3b werden
an einer Innenseite eines Bereichs definiert, an dem die Löcher 3f definiert
sind. Da die Vorstände 3b innerhalb
der Ausnehmungen 3e angeordnet sind, die entlang der Außenumfangsseitenränder der
Gehäuseplatte 3 der
Halbleitersensorvorrichtung 1, die schließlich durch
ein Vereinzeln erhalten wird, geöffnet
sind, bezeichnet der Ausdruck „innerhalb" das Innere der schließlich erhaltenen
einzelnen Halbleitersensorvorrichtung 1.
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Anschließend wird
das Mutterlaminat vereinzelt, und die einzelne Halbleitersensorvorrichtung 1, wie
dieselbe in 1(e) und 4 gezeigt
ist, wird erhalten. Der Vereinzelungsvorgang wird durch ein Entfernen
eines Bereichs des Mutterlaminats entlang der mittigen Bereiche
der Löcher 3f durchgeführt. Durch
ein Durchführen
des Vereinzelungsvorgangs wird der Elektrodenfilm 7A geschnitten,
und die Anschlusselektroden 7 und die Verbindungselektroden 8,
die zu den Anschlusselektroden 7 fortlaufend sind, werden
gebildet. Auf diese Weise wird eine Struktur erhalten, bei der die
Ausnehmungen 3e, die durch das Schneiden der Löcher 3f erhalten
werden, außerhalb
der Vorstände 3b angeordnet
sind, und bei der die Verbindungselektroden 8 in den Ausnehmungen 3e angeordnet
sind. Das heißt,
die Halbleitersensorvorrichtung 1, bei der die Ausnehmungen 3e in den äußeren Seitenoberflächen der
Vorstände 3b angeordnet
sind, kann ohne weiteres erhalten werden.
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Wie
es anhand des oben beschriebenen Herstellungsverfahrens offenkundig
ist, wird bei dem Ausführungsbeispiel
die Haftmittelschicht 5 mit einer relativ hohen Sandstrahlwiderstandsfähigkeit
für die Gehäuseplatte 3 mit
einer relativ geringen Sandstrahlwiderstandsfähigkeit verwendet. So kann
eine Sandstrahlverarbeitung ohne weiteres unter einer Bedingung
durchgeführt
werden, bei der die Haftmittelschicht durch die Sandstrahlverarbeitung
nicht vollständig entfernt
wird, wenn die Löcher 3f gebildet werden.
Das heißt,
die Haftmittelschicht 5 kann als eine Abstoppeinrichtung
bei der Sandstrahlverarbeitung dienen.
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Daher
ist es möglich,
zu verhindern, dass das Halbleitersubstrat 2 durch die
Sandstrahlverarbeitung spanend bearbeitet wird. Falls die Löcher 3f auch
in dem Halbleitersubstrat 2 gebildet werden, wird der oben
beschriebene Elektrodenfilm 7A so gebildet, dass sich der
Elektrodenfilm 7A an der Innenumfangsoberfläche des
Lochs erstreckt, das in dem Halbleitersubstrat 2 gebildet
ist. Falls sich der Elektrodenfilm 7A an der Innenumfangsoberfläche der Löcher, die
in dem Halbleitersubstrat 2 gebildet sind, erstreckt, erstrecken
sich schließlich
die Verbindungselektroden 8, die aus dem Elektrodenfilm 7A resultieren,
an Seitenoberflächen
des Halbleitersubstrats, was eine Änderung der Charakteristika
der Halbleitersensorvorrichtung 1 bewirken kann.
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Das
heißt,
falls sich die Verbindungselektroden 8 an den Seitenoberflächen des
Halbleitersubstrats 2 erstrecken, kann ein elektrisches
Feld durch die Verbindungselektroden 8 an das Halbleitersubstrat 2 angelegt
werden, um eine Änderung
der Charakteristika zu bewirken. Im Gegensatz dazu dient bei dem
Ausführungsbeispiel
die Haftmittelschicht 5 als eine Abstoppeinrichtung, und
die Löcher 3f sind
so definiert, dass die Löcher 3f nicht
in dem Halbleitersubstrat 2 gebildet sind. Auf diese Weise
erstrecken sich die Verbindungselektroden 8 nicht an den
Seitenoberflächen
des Halbleitersubstrats 2.
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Nun
wird eine Art und Weise, auf die die Halbleitersensorvorrichtung 1,
die gemäß dem Ausführungsbeispiel
erhalten ist, unter Verwendung der Anschlusselektroden 7 an
einem Anbringsubstrat oberflächenangebracht
werden kann, unter Bezugnahme auf 5 beschrieben.
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Wie
es in 5 gezeigt ist, wird die Halbleitersensorvorrichtung 1 angebracht,
um umgekehrt an einem Anbringsubstrat 51 platziert zu sein,
so dass die Anschlusselektroden 7 in eine Anstoßung mit Elektrodenanschlussbereichen 52 und 53 an
dem Anbringsubstrat 51 gebracht werden. Die Anschlusselektroden 7 werden
unter Verwendung von beispielsweise Lötmitteln 54 und 55 an
die Elektrodenanschlussbereiche 52 und 53 gebondet.
Da die Vorstände 3b,
wie oben beschrieben ist, aus dem gleichen Material wie die Gehäuseplatte 3 gebildet
sind und mit derselben einstückig
gebildet sind, werden die Vorstände 3b von
der Gehäuseplatte 3 nicht
entfernt, selbst wenn während
einer Lötmittelerwärmung Wärme angewendet
wird. Daher kann die Halbleitersensorvorrichtung 1 auf
die Art und Weise, die in 5 gezeigt
ist, ohne ein Verwenden einer Unterfüllung fest an das Anbringsubstrat 51 gebondet
werden. So kann die Verwendung einer Unterfüllung entfallen.
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Daher
kann die Halbleitersensorvorrichtung 1 bereitgestellt werden,
die einen kleinen Anbringraum benötigt und die an dem Anbringsubstrat 51 mit
einer ausreichenden Bondfestigkeit angebracht werden kann. Bei der
Halbleitersensorvorrichtung 1 wird keine Unterfüllung benötigt, was
dazu führt,
dass keine Belastung von dem Anbringsubstrat 51 durch eine
Unterfüllung übertragen
wird. Zusätzlich
wird eine Belastung von dem Anbringsubstrat 51, selbst falls
eine Ablenkung oder dergleichen an dem Anbringsubstrat 51 auftritt,
nur durch die Vorstände 3b auf
die Halbleitersensorvorrichtung 1 übertragen, und die Belastung
wird nicht ohne weiteres auf den Halbleitersensor an dem Halbleitersubstrat 2 übertragen.
Daher kann die Halbleitersensorvorrichtung 1 bereitgestellt
werden, die nicht für
Defekte anfällig
ist, selbst wenn das Anbringsubstrat 51 deformiert wird oder
dergleichen.
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Als
nächstes
wird eine schematische Struktur des Beschleunigungssensors, der
an dem Halbleitersubstrat 2 angeordnet ist, beschrieben.
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Wie
es in 6 in einer Grundrissform gezeigt ist, ist ein
rahmenförmiger
Trägerabschnitt 21 in einem
schwimmenden Zustand (floatenden Zustand) in dem Halbleitersubstrat 2 platziert. 7 ist
ein vergrößerter Grundriss
eines Bereichs, an dem der Trägerabschnitt 21 angeordnet
ist, und eines Bereichs, an dem Gewichtsabschnitte, die nachfolgend
beschrieben werden, angeordnet sind. Der Trägerabschnitt 21 weist
im Grundriss eine gewinkelte ringförmige Form auf. Stützabschnitte 22a und 22b sind fortlaufend
gebildet, um sich nach außen
entlang der X-Achsenrichtung von beiden Enden des Trägerabschnitts 21 in
der X-Achsenrichtung zu erstrecken. Verlängerte Enden der Stützabschnitte 22a und 22b sind
zu einem Hauptbereich des Halbleitersubstrats 2 fortlaufend.
Das heißt,
die Stützabschnitte 22a und 22b ermöglichen
ein Schwimmen des Trägerabschnitts 21.
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Ferner
sind Gewichtsabschnitte 23a und 23b an beiden
Seiten des Trägerabschnitts 21 in
der Y-Achsenrichtung angeordnet. Die Gewichtsabschnitte 23a und 23b sind
mit dem Trägerabschnitt 21 durch
Kopplungsabschnitte 24a und 24b gekoppelt, die
zu dem Trägerabschnitt 21 in
der Y-Achsenrichtung fortlaufend sind. Daher sind die Gewichtsabschnitte 23a und 23b,
wie der Trägerabschnitt 21,
in einem schwimmenden Zustand relativ zu dem Hauptbereich des Halbleitersubstrats 2 angeordnet.
Der Trägerabschnitt 21 wird
abgelenkt, wodurch die Gewichtsabschnitte 23a und 23b in
drei Achsenrichtungen verschoben werden, d. h. der X-Achsen-, Y-Achsen- und Z-Achsenrichtung.
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Bei
dem Ausführungsbeispiel
wird das Halbleitersubstrat 2 durch ein spanendes Bearbeiten
eines SOI-Substrats (SOI = Silicon-On-Insulator, Silizium auf Isolator)
unter Verwendung einer Mikrobearbeitungstechnik gebildet. Das SOI-Substrat ist ein Mehrschichtsubstrat,
bei dem eine Si-Schicht,
eine SiO-Schicht und eine Si-Schicht in dieser Reihenfolge laminiert
sind. Das Halbleitersubstrat, das bei der vorliegenden Erfindung
verwendet wird, ist jedoch nicht auf das SOI-Substrat beschränkt.
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Ferner
umfasst der Trägerabschnitt 21,
wie es in 6 schematisch gezeigt ist, vier
Piezowiderstände
RX1 bis RX4 zum
Erfassen einer Beschleunigung in, beispielsweise, der X-Achsenrichtung.
Die vier Piezowiderstände
RX1 bis RX4 bilden
einen X-Achsenrichtungsbeschleunigungsdetektor zum Erfassen einer
Beschleunigung in der X-Achsenrichtung. Die Piezowiderstände RX1 bis RX4 bilden
unter Verwendung einer Verdrahtungsstruktur, die an dem Halbleitersubstrat 2 definiert
ist, eine Brückenschaltung,
die in 8 gezeigt ist. Die Beschleunigung in der X-Richtung
wird durch eine Ausgabeänderung bei
der Brückenschaltung
erfasst. Wie es in 8 gezeigt ist, sind in der Brückenschaltung
die Piezowiderstände
RX1 und RX2 elektrisch
verbunden, um einen Spannungsdetektor PX1 zu
bilden. Ähnlich
sind die Piezowiderstände
RX3 und RX4 elektrisch
verbunden, um einen Spannungsdetektor PX2 zu
bilden.
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Ferner
sind die Piezowiderstände
RX1 und RX3 elektrisch
verbunden, und ein Verbindungsbereich zwischen denselben dient als
ein Spannungseingangsabschnitt Vs, der mit einer externen Spannungsquelle
verbunden ist. Die Piezowiderstände RX2 und RX4 sind unter
Verwendung einer externen Verdrahtungsstruktur ebenfalls elektrisch
verbunden, und ein Verbindungsbereich zwischen denselben ist mit
einem Massepotential (Masse = ground, GND) verbunden.
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Ähnlich sind
vier Piezowiderstände
ferner angeordnet, um eine Beschleunigung sowohl in der Y-Achsen-
als auch der Z-Achsenrichtung
zu erfassen, und eine Brückenschaltung ähnlich der
Brückenschaltung,
die in 8 gezeigt ist, ist durch ein Verbinden der vier
Piezowiderstände
unter Verwendung einer Verdrahtungsstruktur, die an dem Halbleitersubstrat 2 definiert
ist, konfiguriert.
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Wenn
eine Beschleunigung in der X-Achsenrichtung an dem Halbleitersubstrat 2 erzeugt
wird, wird eine Kraft in der X-Achsenrichtung, die durch die Beschleunigung
verursacht wird, auf die Gewichtsabschnitte 23a und 23b ausgeübt, die
dem sich bewegenden Abschnitt 2a entsprechen. Die Kraft,
die auf die Gewichtsabschnitte 23a und 23b in
der X-Achsenrichtung
ausgeübt
wird, verschiebt die Gewichtsabschnitte 23a und 23b von
einem Referenzzustand, der durch eine gestrichelte Linie angezeigt
ist, die in 9 gezeigt ist, in der X-Achsenrichtung
auf eine Weise, die beispielsweise durch eine durchgezogene Linie,
die in 9 gezeigt ist, angezeigt ist. Die Verschiebung
der Gewichtsabschnitte 23a und 23b in der X-Achsenrichtung
bewirkt, dass der Trägerabschnitt 21 durch
die Kopplungsabschnitte abgelenkt wird, wodurch eine Belastung in
dem Trägerabschnitt 21 erzeugt
wird. Die Belastung, die in dem Trägerabschnitt 21 erzeugt
wird, ändert
die Widerstandswerte der Piezowiderstände des oben beschriebenen X-Achsenrichtungsbeschleunigungsdetektors.
Daher ändert
sich, wenn eine Beschleunigung in der X-Achsenrichtung auftritt,
die Ausgabe der Brückenschaltung,
die in 8 gezeigt ist, die den X-Achsenrichtungsbeschleunigungsdetektor
bildet, und die Beschleunigung in der X-Achsenrichtung wird erfasst.
In diesem Fall wird in der Y-Achsen- oder Z-Achsenrichtung keine Beschleunigung
ausgeübt,
und bei der Ausgabe der Brückenschaltungen,
die den Y-Achsenrichtungsbeschleunigungsdetektor oder den Z-Achsenrichtungsbeschleunigungsdetektor
bilden, wird keine Änderung
beobachtet. Die Beschleunigung in der X-Achsenrichtung wird daher
erfasst.
-
Ähnlich wird
eine Beschleunigung in der Y-Achsen- oder Z-Achsenrichtung erfasst, wenn in der
Y-Achsenrichtung eine Beschleunigung auftritt oder wenn in der Z-Achsenrichtung
eine Beschleunigung auftritt.
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Bei
dem Ausführungsbeispiel
ist der oben beschriebene Beschleunigungssensor als ein Halbleitersensor
konfigu riert, der einen sich bewegenden Abschnitt an einem Halbleitersubstrat
aufweist. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf einen derartigen
Halbleitersensor unter Verwendung eines Beschleunigungssensors beschränkt, und
ein Halbleitersubstrat, das einen beliebigen Halbleitersensor aufweist,
der einen sich bewegenden Abschnitt umfasst, kann verwendet werden.
Beispiele von Halbleitersensoren umfassen, zusätzlich zu einem Beschleunigungssensor,
Sensoren, die einen sich bewegenden Abschnitt unter Verwendung verschiedener
Halbleiter aufweisen, beispielsweise einen Winkelgeschwindigkeitssensor,
einen Winkelbeschleunigungssensor und einen piezoelektrischen Gyrosensor.
-
Bei
dem Ausführungsbeispiel
wird das Halbleitersubstrat 2 als ein Elementsubstrat verwendet. Bei
einem Verfahren zum Herstellen einer Elektronikkomponente gemäß der vorliegenden
Erfindung ist das Elementsubstrat jedoch nicht auf ein Halbleitersubstrat
beschränkt
und kann ein Substrat sein, das aus einem anderen Material als einem
Halbleitermaterial gebildet ist. Ferner ist der Funktionsabschnitt nicht
auf einen Sensor beschränkt,
wie es oben beschrieben ist, und kann eine breite Vielfalt von Funktionsabschnitten
umfassen, die als verschiedene Elektronikkomponenten fungieren.
-
Ferner
ist bei dem Ausführungsbeispiel
die zweite Gehäuseplatte 4 an
die untere Oberfläche
des Halbleitersubstrats 2 laminiert; bei der vorliegenden Erfindung
wird jedoch eventuell die zweite Gehäuseplatte 4 nicht
notwendigerweise verwendet. Das heißt, die zweite Gehäuseplatte 4 wird
eventuell nicht verwendet, und die Halbleitersensorvorrichtung 1 kann
an einer oberen Oberfläche
derselben offen sein, nachdem die Halbleitersensorvorrichtung 1 angebracht
ist.
-
Die
Laminierung der zweiten Gehäuseplatte 4 stellt
jedoch sicher, dass der Funktionsabschnitt, der an dem Elementsubstrat
definiert ist, hermetisch abgedichtet werden kann.
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Die
mechanische Festigkeit der Elektronikkomponente kann auch erhöht werden.
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Ferner
kann die zweite Gehäuseplatte 4 auch
eine Mehrzahl von Vorständen
und Anschlusselektroden umfassen. In diesem Fall kann eine Elektronikkomponente,
die an einem Anbringsubstrat von der Gehäuseplattenseite her angebracht
werden kann, erhalten werden. Das heißt, die Elektronikkomponente
kann unabhängig
davon angebracht werden, ob dieselbe nach oben oder nach unten gerichtet
ist.
-
Ferner
weist eventuell jede der Gehäuseplatten 3 und 4 keine
Ausnehmung 4a auf, usw. In diesem Fall kann die Dicke einer
Haftmittelschicht, die in einer Rahmenform aufgetragen wird, erhöht werden, um
einen Zwischenraum zu definieren.
-
Zusammenfassung
-
Ein
Verfahren zum Herstellen einer Elektronikkomponente mit einer hohen
Bondfestigkeit an ein Anbringsubstrat, weniger Einfluss einer Belastung von
außerhalb,
wie z. B. dem Anbringsubstrat, einer einfachen Struktur und einer
geringeren Schwankung von Charakteristika eines Funktionsabschnitts, der
als eine Elektronikkomponente dient, ist vorgesehen.
-
Ein
Verfahren zum Herstellen einer Elektronikkomponente umfasst folgende
Schritte: Herstellen eines Elementsubstrats 2, das einen
Funktionsabschnitt zum Bereitstellen einer Funktion einer Elektronikkomponente
und eine Externe-Verbindung-Elektrode 9 aufweist;
Bonden einer Gehäuseplatte 3 mit
geringer Sandstrahlwiderstandsfähigkeit durch
eine Haftmittelschicht 5 mit hoher Sandstrahlwiderstandsfähigkeit
an das Elementsubstrat 2; Bilden, durch ein Sandstrahlverarbeiten,
eines Lochs 3f in der Gehäuseplatte 3 über der
Externe-Verbindung-Elektrode 9, so dass die Haftmittelschicht 5 nach
außen
freigelegt wird; Entfernen, durch Ätzen, eines Haftmittelschichtbereichs,
der in dem Loch 3f freiliegend ist; Bilden eines Elektrodenfilms 7A,
um mit der freiliegenden Externe-Verbindung-Elektrode 9 elektrisch
verbunden zu werden; und Bilden, durch ein mechanisches spanendes
Bearbeiten, eines Vorstands 3, der eine vordere Endoberfläche aufweist, an
der eine Anschlusselektrode definiert ist, die aus dem Elektrodenfilm 7A resultiert.
-
- 1
- Halbleitersensorvorrichtung
- 2,
2A
- Halbleitersubstrat
- 3,
3A
- Gehäuseplatte
- 3b
- Vorstand
- 3c,
3d
- Seitenoberfläche
- 3e
- Ausnehmung
- 4,
4A
- zweite
Gehäuseplatte
- 4a
- Ausnehmung
- 7
- Anschlusselektrode
- 7A
- Elektrodenfilm
- 8
- Verbindungselektrode
- 9
- Externe-Verbindung-Elektrode
- 21
- Trägerabschnitt