DE1112586B - Verfahren zum Herstellen der Elektroden einer Halbleiteranordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen der Elektroden einer Halbleiteranordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung

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DE1112586B
DE1112586B DES65034A DES0065034A DE1112586B DE 1112586 B DE1112586 B DE 1112586B DE S65034 A DES65034 A DE S65034A DE S0065034 A DES0065034 A DE S0065034A DE 1112586 B DE1112586 B DE 1112586B
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DE
Germany
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mask
electrodes
semiconductor body
produced
metallic
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DES65034A
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Dipl-Phys Winfried Meer
Dipl-Chem Georg Rosenberger
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Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D64/011—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
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FR839133A FR1268113A (fr) 1959-09-22 1960-09-21 Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur
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