DE1112586B - Verfahren zum Herstellen der Elektroden einer Halbleiteranordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen der Elektroden einer Halbleiteranordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung

Info

Publication number
DE1112586B
DE1112586B DES65034A DES0065034A DE1112586B DE 1112586 B DE1112586 B DE 1112586B DE S65034 A DES65034 A DE S65034A DE S0065034 A DES0065034 A DE S0065034A DE 1112586 B DE1112586 B DE 1112586B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mask
electrodes
semiconductor body
produced
metallic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES65034A
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl-Phys Winfried Meer
Dipl-Chem Georg Rosenberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL255665D priority Critical patent/NL255665A/xx
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES65034A priority patent/DE1112586B/de
Priority to CH1010660A priority patent/CH455048A/de
Priority to FR839133A priority patent/FR1268113A/fr
Priority to GB3259260A priority patent/GB921724A/en
Publication of DE1112586B publication Critical patent/DE1112586B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Description

DEUTSCHES
PATENTAMT
S 65034 Vmc/21g
ANMELDETAG: 22. SEPTEMBER 1959
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 10. AUGUST 1961
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen der Elektroden einer Halbleiteranordnung, insbesondere eines Transistors.
Bei Halbleiteranordnungen, die in der Hochfrequenztechnik Verwendung finden, ist es für die Wirkungsweise wesentlich, das Aufdampfen des Elektrodenmetalls durch eine Maske durchzuführen, bei der die geometrischen Abmessungen ihrer Öffnungen sehr gering sind. Da außerdem die Elektrodenabmessungen auch genau vorgegeben sind und exakt eingehalten werden sollen, ist es praktisch unmöglich, zum Herstellen derartiger Halbleiteranordnungen Masken zu verwenden, die durch mechanische Bearbeitungsmethoden hergestellt sind.
Es sind zwar Verfahren bekannt, bei denen eine lichtempfindliche Schicht direkt auf den Halbleiterkörper aufgebracht und zunächst nur an den Teilen der Oberfläche entfernt wird, an denen die Elektroden auf den Halbleiterkörper aufgedampft werden. Dabei wird bei einem bekannten Verfahren auf einem lichtdurchlässigen Schirm eine undurchsichtige Stelle erzeugt, die in ihrer Geometrie der gewünschten Geometrie der Elektrode entspricht, dann auf optischem Wege ein verkleinertes Bild dieser undurchsichtigen Stelle auf die lichtempfindliche Schicht projiziert und im Anschluß daran die lichtempfindliche Schicht an dieser Stelle auf fotochemischem Wege entfernt. Die an dieser Stelle frei liegende Halbleiteroberfläche wird nun mit dem Elektrodenmetall bedampft. Nach dem Aufdampfen des Elektrodenmetalls muß die lichtempfindliche Schicht von den übrigen Teilen der Halbleiteroberfläche entfernt werden. Geschieht dies vor dem Einlegieren, ζ. B. auf chemischem Wege, so müssen die dünnen Aufdampfflecken, um sie vor dem Angriff des chemischen Mittels zu schützen, abgedeckt werden, wobei sie leicht verwischt werden können. Die Gefahr des Verwischens ist auch beim Entfernen auf mechanischem Wege sehr groß. Entfernt man die lichtempfindliche Schicht jedoch nicht, so brennt sie beim Einlegieren ab, und die verbleibenden Kohlerückstände schaden der Halbleiteroberfläche.
Bei dem Verfahren zum Hestellen der Elektroden einer Halbleiteranordnung wird daher erfindungsgemäß zunächst eine Maske derart hergestellt, daß die Elektrodenform optisch auf eine mit Fotolack überzogene metallische Unterlage projiziert wird, die unbelichteten Stellen des entwickelten Fotolacks werden von der Unterlage abgelöst, auf diese Stellen wird eine Metallschicht aufgebracht und als Maske abgezogen, diese Maske wird dann auf den Halbleiter- -körper aufgelegt, dann wird das Elektrodenmaterial Verfahren zum Herstellen
der Elektroden einer Halbleiteranordnung
und nach diesem Verfahren hergestellte
Halbleiteranordnung
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Dipl.-Chem. Georg Rosenberger
und Dipl.-Phys. Winfried Meer, München,
sind als Erfinder genannt worden
durch diese Maske auf den Halbleiterkörper aufgedampft, und endlich werden die Elektroden in den Halbleiterkörper einlegiert.
Zunächst soll nun auf das Herstellungsverfahren für diese Maske näher eingegangen werden.
Auf der mit Fotolack überzogenen Metalloberfläche der Unterlage wird zunächst auf optischem Wege die Abbildung der Maskenöffnung erzeugt. Es ist so möglich, das Bild einer größeren und mechanisch deshalb sehr genau bearbeitbaren Öffnung, deren Form der der Elektroden entspricht, in beliebig verkleinertem Maßstabe auf die metallische Unterlage zu projizieren. Durch Ablösung des Fotolacks an den unbelichteten Stellen der metallischen Unterlage entstehen so partielle Abdeckungen der Metalloberfläche der Unterlage, die der gewählten Geometrie der projezierten Öffnung exakt als Negativ entsprechen. Nun wird auf die vorher unbelichteten Stellen der metallischen Unterlage, die nun nicht mehr mit Fotolack bedeckt sind, eine Metallschicht aufgebracht und dann der so aufgebrachte Überzug von der metallischen Unterlage entfernt. Man erhält so ein Positiv der Maske, deren Öffnungen kongruent mit dem Projektionsbild sind. Die Abmessungen der Öffnungen entsprechen genau den gewünschten Abmes-
sungen der Elektroden der herzustellenden Halbleiteranordnung. Die metallische Unterlage und die aufgebrachte Metallschicht müssen entweder so gewählt
109 677/166
sein, daß sich die Metallschicht, die dann die Maske bildet, von der metallischen Unterlage abziehen läßt, oder, falls Metalle verwendet werden, bei denen dies nicht der Fall ist, wird zwischen der metallischen Unterlage und der Maske eine das Abziehen der Maske ermöglichende Schicht aufgebracht. Solche Zwischenschichten sind z. B. durch Behändem der Metalloberflächen mit Chromsäurelösungen zu erzielen.
Es ist weiter günstig, beim Verfahren gemäß der Erfindung eine Maske zu verwenden, bei der nach Ablösen des Fotolacks von den unbelichteten Teilen der Unterlage, aber vor Aufbringen der Metallschicht, die Dicke der unbelichteten Teile der metallischen Unterlage verringert wird. Dies kann z. B. durch Eintauchen in ein Ätzbad oder durch anodisches Abtragen erfolgen. Dadurch ist es möglich, die mechanische Stabilität der Maske zu erhöhen.
Außerdem ist es zweckmäßig, die Metallschicht galvanisch aufzubringen.
Um die Maske genügend dick zu machen, ist es günstig, sie nach dem Abziehen galvanisch nachzuverstärken.
Im folgenden wird an Hand der Figuren ein besonders günstiges Ausführungsbeispiel zum Herstellen einer Maske, die zum Aufdampfen von Elektrodenmetall auf einen Halbleiterkörper verwendet wird, und ein nach diesem Verfahren hergestellter Transistor beschrieben. In
Fig. 1 ist eine Anordnung zum Herstellen der Maske dargestellt;, in
Fig. 2 ist die metallische Unterlage nach dem anodischen Abätzen dargestellt; die
Fig. 3 zeigt die metallische Unterlage mit teilweise abgezogener Maske; in
Fig. 4 ist ein Transistor dargestellt, bei dem das Elektrodenmetall durch diese Maske auf den Halbleiterkörper aufgedampft ist und die Elektroden in den Halbleiterkörper einlegiert sind.
Auf die metallische Unterlage 4 der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung zum Herstellen der Maske wird das Bild einer eine oder mehrere Öffnungen 16 und 17 aufweisenden Platte 3 in einem solchen Maßstab projiziert, daß die Abbildungen 18 und 19 die gewünschten vorgegebenen geometrischen Abmessungen der Elektroden aufweisen. Als metallische Unterlage 4 wird z. B. ein Molybdänblech verwendet, das mit dem Fotolack 20 überzogen ist. Die Verkleinerung der Öffnungen 16 und 17, durch die das Licht auf die metallische Unterlage fällt, wird durch ein durch die Linse 2 angedeutetes optisches System durchgeführt. Nach dem Belichten werden in an sich bekannter Weise die Teile der Lackschicht so weggelöst, daß ein Negativ der Maske entsteht, d. h., die Öffnungen in der Maske, die den gewünschten Elektrodenabmessungen entsprechen, bleiben abgedeckt, während die unbelichteten und deshalb unabgedeckten Teile den undurchlässigen Teilen der Maske entsprechen.
Die Fig. 2 zeigt die metallische Unterlage 4 nach dem anodischen Abtragen der unbelichteten Stellen. Die metallischen Oberflächen, die den unbelichteten Teilen der metallischen Unterlage entsprechen, sind in verdünnter Schwefelsäure derart anodisch abgeätzt worden, daß das unter den abgedeckten Flächenteilen liegende Metall 5 und 6 zapfenartig stehenbleibt und durch den Fotolack 20 abgedeckt ist. Das Negativ der Maske wird nun in destilliertem Wasser abgespült und dann auf die unabgedeckte Metalloberfläche eine Metallschicht aus Nickel bis zur Auffüllung der durch die Ätzung hergestellten Vertiefungen aufgebracht.
In Fig. 3 ist der metallische Nickelüberzug 7 dargestellt, der sich ohne Schwierigkeiten von der Molybdänoberfläche abziehen läßt und die Öffnungen 8 und 9 der für die Elektroden gewünschten Geometrie aufweist. Zur Erhöhung der mechanischen
ίο Stabilität läßt sich die Maske noch bis auf 50 μ galvanisch nachverstärken.
In Fig. 4 ist ein Transistor dargestellt, bei dem die Elektroden nach dem Verfahren gemäß der Erfindung durch Aufdampfen von Metall durch eine Maske aufgebracht sind. Vorzugsweise für Transistoren der Hochfrequenztechnik ist es notwendig, nur möglichst kleine und nahe beieinanderliegende Flächen des Halbleiterkörpers mit Elektrodenmetall zu bedampfen. Dies kann erfindungsgemäß durch Aufdampfen durch entsprechend dimensionierte und auf optischem Wege hergestellte Masken durchgeführt werden.
Der Halbleiterkörper 11 des in Fig. 4 dargestellten Transistors besteht z. B. aus p-leitendem Germanium. 12 ist die diffundierte- Basisschicht. Auf diese n-leitende Schicht sind durch Aufdampfen durch die Maske zwei Metallflecken, von denen jeder etwa eine Fläche von 1000 μ2 bedeckt und die etwa 10 μ voneinander entfernt sind, aufgebracht und in die η-leitende Schicht 12 einlegiert. Die Emitterelektrode 15 besteht z.B. aus Aluminium und erzeugt eine p-leitende Zone 13 in der n-Schicht 12. Die Basiselektrode 14 besteht z. B. aus Gold und kontaktiert die Basisschicht 12 sperrfrei. Ebenso ist die Kollektorelektrode 10 sperrfrei auf den Halbleiterkörper 11 aufgebracht.
Es lassen sich auf diese Weise auch Elektroden mit rechteckigen Dimensionen in der Größe von etwa 20 · 50 μ mit exakter Geometrie herstellen.
Da es mit diesen Masken möglich ist, noch Flächen zu bedampfen, deren Abmessungen kleiner oder gleich 50 μ2 sind, ist ihre Verwendung auch überall dort möglich, wo auf mechanischem Wege nicht mehr herstellbare Masken gebraucht werden.

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen der Elektroden einer Halbleiteranordnung, insbesondere eines Transistors, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst eine Maske derart hergestellt wird, daß die Elektrodenform optisch auf eine mit Fotolack überzogene metallische Unterlage projiziert wird, daß die unbelichteten Stellen des entwickelten Fotolacks von der metallischen Unterlage abgelöst werden, daß auf diese Stellen eine Metallschicht aufgebracht und als Maske abgezogen wird, daß diese Maske dann auf den Halbleiterkörper aufgelegt wird, daß das Elektrodenmetall durch diese Maske auf den Halbleiterkörper aufgedampft wird und daß die Elektroden in den Halbleiterkörper einlegiert werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der metallischen Unterlage und der Maske eine das Abziehen der Maske ermöglichende Schicht aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der Metallschicht die Dicke der unbelichteten Teile der metallischen Unterlage verringert wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht galvanisch aufgebracht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske nach dem Abziehen galvanisch nachverstärkt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Unterlage aus Molybdän hergestellt wird.
7. Halbleiteranordnung, insbesondere Transistor, hergestellt nach einem Verfahren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Flächen der nach dem obigen Verfahren hergestellten Emitter- und Basiselektrode kleiner oder gleich 1000 μ2 sind.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 823 470, 971583;
französische Patentschrift Nr. 1185 444;
Elektronische Rundschau, 1955, Nr. 11, S. 389 bis 392;
Electronics, Bd. 31, 1958, Heft 7 vom 14. Februar, S, 142,143.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DES65034A 1959-09-22 1959-09-22 Verfahren zum Herstellen der Elektroden einer Halbleiteranordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung Pending DE1112586B (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL255665D NL255665A (de) 1959-09-22
DES65034A DE1112586B (de) 1959-09-22 1959-09-22 Verfahren zum Herstellen der Elektroden einer Halbleiteranordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung
CH1010660A CH455048A (de) 1959-09-22 1960-09-07 Verfahren zum Herstellen einer Maske für die Aufdampfung des Elektrodenmetalls auf einem Halbleiterkörper
FR839133A FR1268113A (fr) 1959-09-22 1960-09-21 Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur
GB3259260A GB921724A (en) 1959-09-22 1960-09-22 Photographically produced stencils and semi-conductor devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES65034A DE1112586B (de) 1959-09-22 1959-09-22 Verfahren zum Herstellen der Elektroden einer Halbleiteranordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1112586B true DE1112586B (de) 1961-08-10

Family

ID=7497691

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES65034A Pending DE1112586B (de) 1959-09-22 1959-09-22 Verfahren zum Herstellen der Elektroden einer Halbleiteranordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung

Country Status (4)

Country Link
CH (1) CH455048A (de)
DE (1) DE1112586B (de)
GB (1) GB921724A (de)
NL (1) NL255665A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1206090B (de) * 1962-04-16 1965-12-02 Telefunken Patent Verfahren zum AEtzen eines Mesatransistors

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE823470C (de) * 1950-09-12 1951-12-03 Siemens Ag Verfahren zum AEtzen eines Halbleiters
DE971583C (de) * 1951-09-07 1959-02-19 Siemens Ag Trockengleichrichter
FR1185444A (fr) * 1956-02-28 1959-07-31 Philips Nv Procédé de fabrication de systèmes d'électrodes semi-conducteurs

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE823470C (de) * 1950-09-12 1951-12-03 Siemens Ag Verfahren zum AEtzen eines Halbleiters
DE971583C (de) * 1951-09-07 1959-02-19 Siemens Ag Trockengleichrichter
FR1185444A (fr) * 1956-02-28 1959-07-31 Philips Nv Procédé de fabrication de systèmes d'électrodes semi-conducteurs

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1206090B (de) * 1962-04-16 1965-12-02 Telefunken Patent Verfahren zum AEtzen eines Mesatransistors

Also Published As

Publication number Publication date
CH455048A (de) 1968-04-30
NL255665A (de)
GB921724A (en) 1963-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2424338C2 (de) Verfahren zum Aufbringen von Mustern dünner Filme auf einem Substrat
DE3039110C2 (de)
DE2722557A1 (de) Verfahren zum aufbringen von metallisierungsmustern auf einem halbleitersubstrat
DE2512086A1 (de) Verfahren zur herstellung freitragender, duenner metallstrukturen
EP0001429A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmmustern unter Anwendung der Abhebetechnologie
EP0212054B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Masken für die Röntgentiefenlithographie
DE69031143T2 (de) Methode zum Ätzen von Polyimiden und resultierenden passivierten Strukturen
DE1597756A1 (de) Maske zum Herstellen einer Maskierung durch Belichten und Herstellungsverfahren
DE2215906A1 (de) Verfahren zur Herstellung von leitenden Präzisionsmaschengittern
DE1622333A1 (de) Herstellungsverfahren fuer eine Maske zum Herstellen einer Maskierung
DE1764758A1 (de) Verfahren zum Bilden von Anschlussleitungen an einen Koerper aus Halbleitermaterial
DE2643811A1 (de) Verfahren zur herstellung eines musters in einer photolackschicht und hierfuer geeignete maske
DE1112586B (de) Verfahren zum Herstellen der Elektroden einer Halbleiteranordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung
DE2401413A1 (de) Matrize zum ausbilden eines geflechts
DE2050285A1 (en) Screen printing plate - produced using intermediate photo-sensitive polymeric foil
DE1771951A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer weitgehend gleichmaessigen poren- bzw. feinlunkerfreien Metallschicht
DE1145458B (de) Verfahren zur Herstellung von metallischen Aufdampf- und Legierungsmasken fuer Halbleiteranordnungen
DE1154575B (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit klein dimensionierten Kontaktelektroden
DE2259182A1 (de) Verfahren zum herstellen einer matrix zur verwendung in der galvanoformung
DE2315845A1 (de) Verfahren zur herstellung von aus schichten bestehenden elektrischen schaltungen
DE1154327B (de) Verfahren zur Herstellung von Mikromasken
DE4203781C1 (de)
DE2236918C3 (de) Photokathodenmaske
CH503121A (de) Verfahren zur Herstellung von Metallniederschlägen durch Elektrolyse
DE1521529A1 (de) Verfahren zur Herstellung von feinen Strukturen