DE2626851A1 - Verfahren zur herstellung von masken fuer die roentgenlithographie - Google Patents
Verfahren zur herstellung von masken fuer die roentgenlithographieInfo
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Description
SIEIiENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Z&ftit&ß 5 1
Berlin und München TPA 7SP 7 0 6 4 BRD
Verfahren zur Herstellung von Masken für die Röntgenlithographie
Die Erfindung "betrifft ein Verfahren zur Herstellung von
Masken für die Röntgenlithographie, "bei welchem die Masken aus einem dünnen für Röntgenstrahlen durchlässigen Strukturträger,
einer vom Strukturträger getragenen für Röntgenstrahlen undurchlässigen Maskenstruktur und einem tragenden äußeren
Maskenrahmen aufgebaut v;erden.
Bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen und Bauelementen
für Oberflächenwellen und Mikrowellen werden sehr feine Strukturen mit Abmessungen im Mikron- und Submikronbereich
boßtigt. Pur die Strukturerseugung sind hierbei vor
allem Reproduktionstechniken, wie die Elektronenlithographie oder die Röntgenlithographie interessant, da sie mit wesentlich
kürzeren Wellenlängen als die herkömmliche Photolithographie arbeiten und somit ein besseres Auflösungsvermögen
aufweisen. Bei einem Vergleich zwischen der Elektronenlithographie und der. Röntgenlithographie bietet die Röntgenlithographie
eine Reihe.von Vorteilen, die sie für den Einsatz
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9. Juni 1976
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in der industriellen Massenfertigung geeigneter erscheinen lassen. So zeichnet sich die Röntgenlithographie durch eine
längere Lebensdauer der verwendeten Masken, eine geringe Empfindlichkeit gegenüber Staub und anderen Verschmutzungen,
die Verwendbarkeit positiv und negativ wirkender Resistmaterialien
und eine gleichmäßig in die Tiefe gehende Belichtung aus. Außerdem brauchen bei der Röntgenlithographie die
Maske oder das Substrat nicht im Vakuum angeordnet zu werden.
Eine der Hauptschwierigkeiten für die industrielle Anwendung der Röntgenlithographie liegt in der Maskenherstellung. In
der Druckschrift "IEEE Transaction on Electron Devices" Vol. Ed.-22, ITo. 7, Juli, 1975 sind auf den Seiten 434 und 439 zwei
verschiedene Arten von Masken beschrieben. Bei der ersten Art von Masken wird als Strukturträger eine dünne Siliziumschicht
verwendet, auf welcher eine Maskenstruktur aus Gold angeordnet ist. Da die Siliziumschicht nur wenige/um dick sein darf,
muß sie durch eine Anzahl von Stützrippen getragen werden. Die Herstellung der Strukturträger erfolgt daher durch bereichsweises
Dünnätzen einer relativ dicken Siliziuraschicht, wobei die Stützrippen durch eine Ätzmaske abgedeckt werden.
Die Maskenstruktur muß dann zwangsläufig auf die von den Stützr.ippen begrenzten dünngeätzten Bereiche beschränkt werden,
deren Seitenlängen nur wenige Millimeter betragen. Außerdem kann es durch die verschiedene Wärmeausdehnung zwischen den
Stützrippen und den dünngeätsten Bildflächen zu einem Verziehen
der Maskenstruktur kommen. Bei der zweiten Art von Masken wird als Strukturträger eine Kunststoffolie verwendet, welche auf
einen äußeren Maskenrahmen aufgespannt wird und das durch Bedampfen aufgebrachte Maskenmuster trägt. Da für die Kunststoffolien
keine Stützrippen benötigt werden, lassen sich bei diesen Masken sehr große Bildflächen verwirklichen. Die als
Strukturträger geeigneten Kunststoffolien, wie z.B. Polyesterfolien aus Äthylenglykol und Terephthalsäure (Mylar) besitzen
jedoch oft eine rauhe Oberfläche, was sich auf die Präzision des darauf aufgebrachten Maskenmusters schädlich auswirkt.
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Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Masken für die Röntgenlithographie anzugeben,
bei welchem mit geringem Aufwand hochpräzise Maskenstrukturen und große Bildflächen realisiert werden können.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß bei einem Verfahren der eingangs genannten Art der Strukturträger
aus Metall oder Kunststoff besteht und zusammen mit der Maskenstruktur auf einer Unterlage gebildet wird, daß dann die
Unterlage durch selektives Ätzen unter Verwendung einer Ätzabdeckung derart abgeätzt wird, daß lediglich ihr Randbereich
verbleibt und den äußeren Maskenrahmen bildet.
Durch die Bildung des Strukturträgers und der Maskenstruktur auf einer starren Unterlage wird eine äußerst hohe Maßhaltigkeit
der Maskenstruktur erreicht. Danach wird die Unterlage durch einen einfachen Ätzvorgang in einen mechanisch stabilen
Maskenrahmen umgewandelt, so daß das bisher erforderliche aufwendige Einrahmen des Maskenträgers entfallen kann. Da der
Haskenträger gleich bei seiner Bildung fest mit dem Randbereich der Unterlage verbunden wird, ist er auch noch nach der
Herstellung des Maskenrahmens straff und gleichmäßig gespannt.
Für die Reihenfolge der Bildung des Strukturträgers und der Masken3trulitur bietet das erfindungsgemäße Verfahren£wei
Möglichkeiten. So wird bei einer ersten Ausführun^sform der
Erfindung zuerst der Strukturträger auf die Unterlage aufgebracht und dann die Maskenstruktur auf dem Strukturträger gebildet.
Bei einer zweiten Ausführungsform der Erfindung wird
suerst die Maskenstruktur auf der Unterlage gebildet, dann der Strukturträger auf die Maskenstruktur aufgebracht. In beiden
!Fällen läßt sich eine hohe Präzision der Maskenstruktur erzielen,
da sowohl der Strukturträger als auch die Unterlage äußerst glatte Oberflächen besitzen.
Für die Erzeugung der Maskenstruktur gibt es mehrere vorteilhafte Möglichkeiten. So kann die Maskenstruktur durch Aufdampfen
unter Verwendung einer Aufdampfmaske gebildet werden. Bei einer bevorzugten Ausführung der Erfindung wird vor Bildung
der Maskenstruktur eine Haftschicht und eine Kontaktierschicht aufgedampft. In diesem Pail kann die Maskenstruktur
auf der Kontaktierschicht galvanoplastisch aufgebaut werden. Es ist ferner möglich, daß auf die Kontaktierschicht durch
galvanische Metallabseheidung ganzflächig eine Metallschicht
aufgebracht wird und daß aus der Metallschicht unter Anwerfdung des Photoätzverfahrens die Maskenstruktur gebildet wird.
Vorzugsweise wird eine Unterlage aus Glas verwendet. Eine derartige
Unterlage aus Glas besitzt eine besonders glatte Oberfläche und kann zur Bildung des Maskenrahmens durch selektiv
wirkende Ätzmittel leicht abgeätzt werden. Außerdem ist Glas als Material für einen starren Maskenrahmen besonders gut geeignet.
Vorteilhaft wird die Maskenstruktur aus Gold gebildet. Gold ist als Material für die Maskenstruktur am besten geeignet,
da es von allen geläufigen Materialien die höchste Absorption von Röntgenstrahlen aufweist.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird der Strukturträger durch Aufdampfen auf die Unterlage aufgebracht.
Hierdurch kann eine gute Maßhaltigkeit der Masken erreicht werden, da sich beim Aufdampfen des Strukturträgers keine Vorzugsrichtung
von mechanischen Spannungen ausbilden kann.
Besonders vorteilhaft wird der Struktur'träger durch Aufdampfen
eines polymeren Kunststoffes gebildet. Derartige polymere Kunststoffe können mit geringem Aufwand porenfrei aufgedampft
werden und weisen eine sehr hohe Durchlässigkeit für Röntgenstrahlen auf.
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Der Strukturträger kann auch vorteilhaft durch Polymerisation
niedermolekularer, dampfförmiger Verbindungen unmittelbar auf der Oberfläche der Unterlage gebildet werden. Besonders geeignet
ist hierbei die Bildung des Struktur.trägers durch Glimmentladungspolymerisation.
Desgleichen kann der Strukturträger durch Aufbringen einer Lösung eines polymeren Kunststoffes auf die Unterlage und Verdampfen
des Lösungsmittels gebildet werden. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, daß der Strukturträger durch Aufbringen
einer niedermolekularen Kunststoffmasse durch Tauchen, Sprühen oder Schleudern auf der Unterlage gebildet wird und anschliessend
die Kunststoffmasse in eine hochmolekulare Form umgewandelt wird. Die Bildung des Strukturträgers durch galvanische Abscheidung
einer dünnen Metallschicht ist ebenfalls möglich.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der Zeichnung näher erläutert.
Es zeigt Figur 1 bis Figur 4 Verfahrensstufen eines ersten
Ausführungsbeispiels, bei welchem die Maskenstruktur auf den Strukturträger durch Aufdampfen aufgebracht wird,
Figur 5 bis Figur 7 Verfahrensstufen eines zweiten Ausführungsbeispiels,
bei welchem die Maskenstruktur auf dem Strukturträger galvanoplastisch aufgebaut wird,
Figur 8 bis Figur 10 Verfahrensstufen eines dritten Ausführungsbeispiels, bei welchem die Maskenstruktur unter Anwendung
des Photoätzverfahrens auf dem Strukturträger gebildet wird,
Figur 11 bis Figur 13 Verfahrensstufen eines vierten Ausführungsbeispiels,
bei welchem die Maskenstruktur auf die Unterlage durch Aufdampfen aufgebracht wird,
Figur 14 bis Figur 16 Verfahrensstufen eines fünften Ausführungsbeispiels,
bei welchem die Maskenstruktur auf der Unterlage galvanoplastisch aufgebaut wird,
Figur 17 bis Figur 19 Verfahrensstufen eines sechsten Ausfüh-
Figur 17 bis Figur 19 Verfahrensstufen eines sechsten Ausfüh-
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rungsbeispiels, bei welchem die Maskenstruktur unter Anwendung des Photoätzverfahrens auf der Unterlage gebildet wird
und
Figur 20 bis Figur 25 Verfahrensstufen eines siebten Ausführungsbeispiels,
bei welchem der Strukturträger und die Maskenstruktur durch galvanische Metallabscheidung gebildet werden.
Sämtliche Figuren stellen Schnittbilder dar. Gleiche Teile sind in den einzelnen Figuren mit denselben Bezugsziffern
versehen.
Ausführungsbeispiel 1
Figur 1 zeigt eine ca. 800 /um dicke quadratische Glasplatte 1
mit einer Seitenlänge von ca. 100 mm, auf welche ein ca. 10/um
dicker Strukturträger 2 aufgebracht wurde. Der Strukturträger besteht aus einer Schicht einee polymeren Kunststoffes, wie
er beispielsweise durch Aufdampfen von Polyäthylen, durch Glimmentladungspolymerisation oder durch Aufbringen einer Lackschicht
erzeugt werden kann. Das Aufdampfen von Polyäthylen durch Glimmentladungspolymerisation ist beispielsweise in der
Druckschrift IBM Technic. Disclosure Bull. 17 (1975) 10, S. 3023 beschrieben.
Gemäß Figur 2 wird auf den Strukturträger 2 eine ca. 1 /um
dicke Photolackschicht aufgebracht, aus welcher im Wege eines photolithographischen Prozesses eine Aufdampfmaske 3 mit dem
Negativbild der zu bildenden Maskenstruktur hergestellt wird. Neben der Photolithographie kann für die Herstellung der Aufdampfmaske
3 auch die Elektronenlithographie herangezogen werden. Auf die Aufdampfmaske 3 und die freiliegenden Bereiche
des Strukturträgers 2 wird dann im Vakuum eine ca. 0,3/um dicke Schicht 4 aus Gold aufgedampft. Nach Entfernung der Aufdampfmaske
3 bildet dann die verbleibende Schicht 4 eine Maskenstruktur 40, wie es in Figur 3 dargestellt ist. Vorteilhaft
für die Erzeugung der Maskenstruktur mittels einer photolithographisch erzeugten Aufdampfmaske läßt sich hier auch das Verfahren
nach der DT-OS 2 432 719 anwenden. Figur 3 zeigt ferner
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eine Ätzabdeckung 5» welche die Stirnseiten und den unteren
Randbereich der Glasplatte 1 abdeckt und beispielsweise aus einem ätzresistenten Lack oder einem Klebeband besteht. Nach
dem Aufbringen der Ätzabdeckung 5 werden die freiliegenden Bereiche der Glasplatte 1 mit Hilfe eines selektiv wirkenden
Ätzmittels abgeätzt. Ein geeignetes Ätzmittel, welches den polymeren Kunststoff des Strukturträgers 2 und das Gold der
Maskenstruktur 40 nicht angreift, ist beispielsweise Flußsäure. Figur 4 zeigt die fertiggestellte Maske nach Entfernung der
Ätzabdeckung 5. Der verbleibende Randbereich der Glasplatte 1 bildet einen Maskenrahmen 10, auf welchen der Strukturträgor
mit der Maskenstruktur 40 gleichmäßig aufgespannt ist.
Ausführungsbeispiel 2
In Abwandlung des Ausführungsbeispiels 1 wird gemäß Figur 5 auf den Struktur träger 2 im Vakuum eine ca. 0,02 /um dicke Haftschicht
6 aus Titan und darauf eine ca. 0,1 /um dicke Kontaktierschicht
7 aus Kupfer aufgedampft. Auf die Kontaktierschicht 7 wird farm im Wege eines photolithographischen Prozesses eine
Galvanikmaske 8 mit dem Negativbild der herzustellenden Maskenstruktur aufgebracht. Auf die freiliegenden Bereiche der Kontaktierschicht
7 wird sodann durch galvanische Abscheidung von Gold eine Maskenstruktur 9 aufgebracht. Fach Entfernung der
Galvanikmaske 8 wird gemäß Figur 6 die Ätzabdeckung 5 aufgebracht.
Daraufhin wird, wie beim Ausführungsbeispiel 1, aus der Glasplatte 1 der Maskenrahmen 10 gebildet, wobei 8.1s Ätsmittel
Flußsäure verwendet wird. Zur Fertigstellung der Maske werden dann die nicht von der Maskenstruktur 9 bedeckten Bereiche
der Kontaitierschicht 7 und der Haftschicht 6 in einer
ainmoniakalischen ITatriumchlorit-Ätze bzw. in Flußsäure, v/elche
das Gold der Haskenstruktur 8 nicht angreifen, abgeätzt. Figur zeigt die fertiggestellte Maske nach Entfernung der Ätzabdekkung
5. Der auf den Maskenrahmen 10 aufgespannte Strukturträger 2 trägt die verbleibenden Bereiche 60 und 70 der Haftschicht
6 bzw. der Kontaktierschicht 7 sowie die Maskenstruktur 9.
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ORIGINAL IMSPECTED
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'I I
Ausführungsbeispiel 3
In Abwandlung des Ausführungsbeispiels 2 wird gemäß Figur 8 auf die Kontaktierschicht 7 durch galvanische Metallabscheidung
eine ca. 0,5/um dicke Schicht 11 aus Gold aufgebracht. Auf diese Schicht 11 wird dann im Wege eines photolithographischen
Prozesses eine Ätzmaske 12 mit dem Positivbild der zu bildenden Maskenstruktur aufgebracht. Wie es in Figur 9 dargestellt
ist, werden dann zur Bildung einer Maskenstruktur die nicht benötigten Bereiche der Schicht 11 abgeätzt, worauf
die Ätzmaske 12 entfernt und die bereits in den Ausführungsbeispielen 1 und 2 beschriebene Ätzabdeckung 5 aufgebracht
wird. Ein geeignetes Ätzmittel zum Abätzen der nicht der Maskenstruktur
110 entsprechenden Bereiche der Schicht 11 ist beispielsweise eine Jodkali-Lösung. Anschließend werden, in
gleicher ϊ/eise wie beim Ausführungsbeispiel 2, der Maskenrahmen
10 sowie die freiliegenden Bereiche der Kontaktiersehicht 7 und der Haftschicht 6 abgeätzt. Figur 10 zeigt die
fertiggestellte Maske nach Entfernung der Ätzabdeckung 5. Der auf den Maskenrahmen 10 aufgespannte Strukturträger 2 trägt
die verbleibenden Bereiche 60 und 70 der Haftschicht 6 bzw. der Kontaktiersehicht 7 sowie die Maskenstruktur 110.
Ausführungsbeispiel 4
Gemäß Figur 11 wird auf die Glasplatte 1 zunächst eine ca. 0,2/um dicke Haftschicht 13 aus Nickel aufgedampft, auf welche
dann eine Aufdampfmaske 30 aufgebracht wird. Auf die Aufdampfmaske
30 und die freiliegenden Bereiche der Haftschicht 13 wird dann eine ca. 0,5/um dicke Schicht 14 aus Gold aufgedampft.
Nach Entfernung der Aufdampfmaske 30 bildet dann die verbleibende Schicht 14 eine Maskenstruktur 140, wie es in Figur 12
dargestellt ist. Vorteilhaft läßt sich zur Maskenstrukturerzeugung auch hier das in der DT-OS 2 432 719 beschriebene Verfahren
anwenden. Figur 12 zeigt ferner einen auf die Maskenstruktur 40 und die Haftschicht 13 aufgedampften Starukturträger
15 sowie die bereits in den Ausführungsbeispielen 1 bis
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beschriebene Ätzabdeckung 5· Das Aufbringen des Strukturträgers
15 erfolgt durch Aufdampfen, Glimmentladungspolymerisation oder Lackieren wie es für den Strukturträger 2 im Ausführungsbeispiel
1 beschrieben ist. Zur Fertigstellung des Maske wird dann, wie es in Figur 13 dargestellt ist, der Maskenrahmen 10
durch selektives Ätzen in Flußsäure gebildet, die Ätzmaske 5 entfernt und die nicht dem Rahmenbereich 113 entsprechende
Fläche der Haftschicht 13 abgeätzt. Ein geeignetes Ätzmittel,
welches Nickel auflöst, aber die Maskenstruktur 14-0 und den Strukturträger 15 nicht angreift, 1st beispielsweise eine
Eisen(III)-chlorid-Lösung. Die in der vorliegenden Dicke für Röntgenstrahlen gut durchlässige Haftschicht 13 kann jedoch
auch bei der fertigen Maske ganzflächig bestehen bleiben. In diesem Fall wird die durch Absorption von Röntgenstrahlen in
der Maslcenstruktur I40 erzeugte Wärme besser abgeführt.
Ausführungsbeispiel 5
In Abwandlung des Ausführungsbeispiels 4 wird gemäß Figur 14 auf die Glasplatte 1 eine ca. 0,02/um dicke Haftschicht 16
aus Titan und darauf eine ca. 0,1 /um dicke Kontaktierschicht
17 aus Kupfer aufgedampft. Auf die Kontaktierschicht 17 wird dann eine Galvanikmaske 80 mit dem Negativbild der zu bildenden
Maskenstruktur aufgebracht. Auf die freiliegenden Bereiche der Kontaktierschicht 17 wird sodann durch galvanische Abscheidung
von Gold eine Maskenstruktur 19 aufgebracht. Fach Entfernung der Aufdampfmaske 80 wird gemäß Figur 15 in gleicher
Weise wie beim Ausführungsbeispiel 4 der Strukturträger 15 sowie die Ätzabdeckung 5 aufgebracht. Zur Fertigstellung der
Maske wird aus der Glasplatte 1 der Maskenrahmen 10 gebildet, wobei die als Ätzmittel verwendete Flußsäure auch die Haftschicht
16 bis auf ihren Rahmenbereich 160 auflöst. Anschliessend
wird in einer ammoniakalischen Natriumchlorit-Lösung die
Kontäcbierschicht 17 bis auf ihren Rahmenbereich I70 weggeätzt.
Figur 16 zeigt die fertiggestellte Maske nach Entfernung der Ätzabdeckung 5.
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Ausführungsbeispiel 6
In Abwandlung des Ausführungsbeispiels 5 wird gemäß Figur 17
auf die Eontaktierschicht 17 durch galvanische Abscheidung von GaId eine ca. 0,5/um dicke Schicht 18 aufgebracht. Auf diese
Schicht 18 wird dann eine Ätzmaske 20 mit dem Positivbild der herzustellenden Maskenstruktur aufgebracht. Vie es in Figur
18 dargestellt ist, werden dann zur Bildung einer Maskenstruktur 180 die nicht benötigten Bereiche der Schicht 18 abgeätzt,
worauf in einem zweiten Ätzschritt die freiliegenden Bereiche der Kontaktierschicht 17 und der Haftschicht 16 abgeätzt
werden, so daß lediglich die der Maskenstruktur entsprechenden Bereiche 171 verbleiben. Nun werden wie bei den
Ausführungsbeispielen 4 und 5 der Strukturträger 15 und die
Ätzabdeckung 5 aufgebracht. Zur Fertigstellung der Maske brauchen dann nur noch die nicht erwünschten Bereiche der Glasplatte
1 und die freiliegenden Bereiche der Haftschicht 16 abgeätzt werden. Figur 19 zeigt die fertiggestellte Maske nach
Entfernung der Ätzabdeckung 5. Auf den Maskenrahmen 10 und den Rahmenbereich 160 der Haftschicht 16 ist der Strukturträger
15 gespannt, welcher die Maskenstruktur 180 und die entsprechenden
Bereiche 171 der Kontaktierschicht 17 trägt.
Ausführungsbeispiel 7
Gemäß Figur 20 wird auf die Glasplatte 1 zunächst eine ca.
0,02/um dicke Haftschicht 20 aus Titan und darauf eine ca.
0,1 /um dicke Kontaktierschicht 21 aus Kupfer aufgedampft. Auf die Kontaktierschicht 21 wird dann galvanisch*,' z.B. aus einem
Hickelsulfanatbad, ein 0,2/um dicker Strukturträgar 22 aus
Nickel abgeschieden. Anschließend wird gemäß Figur 21 auf dsn Strukturträger 22 im Wege eines photolithographischen Prozesses
eine Galvanikma3ke 23 mit dem Negativbild der herzustellenden
Maskenstruktur aufgebracht. Auf die freiliegenden Bereiche des Strukturträgers 22 wird sodann durch galvanische
Abscheidung von Gold eine 1/um dicke Maskenstruktur 24 aufgebracht.
Wie es in Figur 22 dargestellt ist, werden nach Ent-
709851/0464
fernung der Gfalvanikmaske 23 sowohl die Maskenstruktur 24 als
auch die freiliegenden Bereiche des Strukturträgers 22 durch galvanische Kupferabscheidung ganzflächig mit einer ca. 15/um
dicken Schutzschicht 25 übersogen. Hach dem Aufbringen dieser
Schutzschicht 25 wird gemäß Figur 25 die Ätzabdeckung 5 aufgebracht
und wie beim Ausführungsbeispiel 1 aus der Glasplatte 1 der Maskenrahmen 10 gebildet, wobei die als Ätzmittel verwendete
Flußsäure auch die Haftschicht 20 bis auf ihren Rahmen— bereich 200 auflöst. Wie es aus Figur 24- ersichtlich ist,
schützen die Kontaktierschicht 21 und die Schutzschicht 25 das Nickel des Strukturträgers 22 vor dem Angriff der Flußeäure.
Figur 25 zeigt die fertiggestellte Maske. Die Schutzschicht 25 wird ganz und die Kontaktierschicht 21 bis auf ihren
Rahmenbereich 210 weggeätzt. Hierzu wurde als selektiv wirkendes Ätzmittel eine ammoniakalische Uatriumchlorit-Lösung verwendet.
Die dargestellte Maske kann für die Rönirgensehattenkopie eingesetzt werden, wobei der dünne, aus Wickel bestehende
Strukturträger 22 von den Röntgenstrahlen mit einem zu vertretenden Verlust durchdrungen wird.
Die in den Ausführungsbeispielen 1 bis 7 angegebenen Materialien haben sich als vorteilhaft herausgestellt. Es ist jedoch auch
eine Vielzahl anderer Materialien verwendbar. So kann beispielsweise für die Unterlage anstelle von Glas auch Quarz, Keramik,
Metall oder Kunststoff verwendet werden, wobei lediglich darauf zu achten ist, daß das für die Bildung des Maskenrahmens verwendete
Ätzmittel die übrigen Teile der Maske nicht angreift. Heben Polyäthylen und Hxckel sind als Material für den Struk—
turträger auch andere Polymerisate oder dünne, für Röntgenstrahlen durchlässige Metallschichten geeignet. Dünne, beispielsweise
durch Sprühen aufgebrachte Lackschichten, welche anschließend gehärtet werden, sind für die Bildung des Struk-
^rträgers ebenfalls geeignet. Weiterhin können für die Herstellung
der Maskenstruktur neben Gold auch andere Metalle verwendet werden, die bei entsprechender Dicke für Röntgenstrahlen
genügend undurchlässig sind.
16 Patentansprüche
25 Figuren 709851/0464
Leerseite
Claims (16)
- PatentansprücheVerfahren zur Herstellung von Masken für die Röntgenlithographie, bei welchem die Masken aus einem dünnen für Röntgenstrahlen durchlässigen Strukturtrager, einer vom Strukturträger getragenen für Röntgenstrahlen undurchlässigen Maskenstruktur und einem tragenden äußeren Maskenrahmen aufgebaut werden, dadurch gekennzeichnet , daß der Strukturträger (2, 15, 22) £>.us Metall oder Kunststoff besteht und zusammen mit der Maskenstruktur (9> 19» 40, 110, 140, 180) auf einer unterlage (1) gebildet wird und daß dann die Unterlage (1) durch selektives Ätzen unter Verwendung einer Ätzabdeckung (5) derart abgeätzt wird, daß lediglich ihr Randbereich verbleibt und den äußeren Maskenrahmen (10) bildet.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net , daß zuerst der Strukturträger (2, 22) auf die Unterlage (1) aufgebracht wird und daß dann die Maskenstruktur (9, 40, 110) auf dem Strukturträger (2) gebildet wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net , daß zuerst die Maskenstruktur (19, 40, 180) auf der Unterlage (1) gebildet wird und daß dann der Strukturträger (15) auf die Maskenstruktur (19, 140, 180) aufgebracht wird.
- 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge kennzeichnet , daß die Maskenstruktur (40, 140) durch Aufdampfen unter Verwendung einer Aufdampfmaske (3, 30) gebildet wird.
- 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge kennzeichnet , daß vor Bildung der Maskenstruktur (9, 19, 110, 180) eine Haftschicht (6, 16) und eine Kontaktierschicht (7, 17) aufgedampft wird.709851/0464-VS- 76 P 70 6 4 BRO
- 6. Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeich net , daß die Maskenstruktur (9, 19) auf der Kontaktierschicht (7, 17) galvanoplastisch aufgetaut wird.
- 7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeich net , daß auf die Kontaktierschicht (7» 17) durch galvanische Metallabscheidung ganzflächig eine Metallschicht (11, 18) aufgebracht wird und daß aus der Metallschicht (11, 18) unter Anwendung des Photoätzverfahrens die Maskenstruktur (110, 180) gebildet wird.
- 8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß eine Unterlage (1) aus Glas verwendet wird.
- 9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß die Maskenstruktur (9» 19, 40, 110, HO, 180) aus Gold gebildet wird.
- 10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß der Strukturträger (2, 15) durch Aufdampfen auf die unterlage (1) aufgebracht wird.
- 11. Verfahren nach Anspruch 10, ds.durch gekennzeich net , daß der Strukturträger (2, 15) durch Aufdampfen eines polymeren Kunsxstoffes gebildet wird.
- 12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch g e kennzeichnet , daß der Strukturträger (2, 15) durch Polymerisation niedermolekularer, dampfförmiger Verbindungen unmittelbar auf der Oberfläche der Unterlage (1) gebildet wird.
- 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeicli net , daß der Strukturträger durch Glimmentladungspolymerisation gebildet wird.709851/0464Λ- 76 P 70 6
- 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch g e kennzeichnet , daß der Strukturträger (2, 15) durch Aufbringen einer Lösung eines polymeren Kunststoffes auf die Unterlage (1) und Verdampfen des Lösungsmittels gebildet wird.
- 15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch g e kennzeichnet , daß der Strukturträger (2, 15) durch Aufbringen einer niedermolekularen Kunststoffmasse durch Tauchen, Sprühen oder Schleudern auf die Unterlage (1) gebildet wird und anschließend die Kunststoffmasse in eine hochmolekulare Form umgewandelt wird.
- 16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1, 2, 4, 5, 8 und 9, dadurch gekennzeichnet , daß der Strukturkörper (22) durch galvanische Abscheidung einer dünnen Metallschicht gebildet wird.709851 /0484
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Cited By (1)
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