DE1073632B - Drift-Transistor mit einer Zonenfolge P-N-P bzw. N-P-N und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Drift-Transistor mit einer Zonenfolge P-N-P bzw. N-P-N und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number
DE1073632B
DE1073632B DENDAT1073632D DE1073632DA DE1073632B DE 1073632 B DE1073632 B DE 1073632B DE NDAT1073632 D DENDAT1073632 D DE NDAT1073632D DE 1073632D A DE1073632D A DE 1073632DA DE 1073632 B DE1073632 B DE 1073632B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
semiconductor
compound
impurity element
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DENDAT1073632D
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Princeton N. J. Dietrich Alfred Jenny (V. St. A.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
Radio Corporation of America
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Publication date
Publication of DE1073632B publication Critical patent/DE1073632B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P95/00—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P10/12—
    • H10P50/646—
    • H10P50/691—

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
DENDAT1073632D 1956-06-18 Drift-Transistor mit einer Zonenfolge P-N-P bzw. N-P-N und Verfahren zu seiner Herstellung Pending DE1073632B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US591824A US2846340A (en) 1956-06-18 1956-06-18 Semiconductor devices and method of making same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1073632B true DE1073632B (de) 1960-01-21

Family

ID=24368099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT1073632D Pending DE1073632B (de) 1956-06-18 Drift-Transistor mit einer Zonenfolge P-N-P bzw. N-P-N und Verfahren zu seiner Herstellung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US2846340A (cg-RX-API-DMAC10.html)
BE (1) BE558436A (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE1073632B (cg-RX-API-DMAC10.html)
FR (1) FR1176057A (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB (1) GB867413A (cg-RX-API-DMAC10.html)
NL (2) NL111788C (cg-RX-API-DMAC10.html)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1211336B (de) * 1960-02-12 1966-02-24 Shindengen Electric Mfg Halbleitergleichrichter mit zwei Schichten von verschiedenem spezifischem Widerstand
DE2847451A1 (de) * 1978-11-02 1980-06-04 Licentia Gmbh Halbleiterbauelement

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3211970A (en) * 1957-05-06 1965-10-12 Rca Corp Semiconductor devices
NL121250C (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1958-01-16
FR1193194A (fr) * 1958-03-12 1959-10-30 Perfectionnements aux procédés de fabrication par diffusion des transistors et des redresseurs à jonctions
US3132057A (en) * 1959-01-29 1964-05-05 Raytheon Co Graded energy gap semiconductive device
GB921367A (en) * 1959-04-06 1963-03-20 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor device and method of manufacture
NL125412C (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1959-04-15
US3005735A (en) * 1959-07-24 1961-10-24 Philco Corp Method of fabricating semiconductor devices comprising cadmium-containing contacts
US3028529A (en) * 1959-08-26 1962-04-03 Bendix Corp Semiconductor diode
NL264273A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1960-05-02
US3096219A (en) * 1960-05-02 1963-07-02 Rca Corp Semiconductor devices
US3070477A (en) * 1960-10-03 1962-12-25 Mandelkorn Joseph Method of making a gallium sulfide dioxide
US3139599A (en) * 1960-12-09 1964-06-30 Texas Instruments Inc Infrared detector with pn junctions in indium antimonide
US3176204A (en) * 1960-12-22 1965-03-30 Raytheon Co Device composed of different semiconductive materials
US3148094A (en) * 1961-03-13 1964-09-08 Texas Instruments Inc Method of producing junctions by a relocation process
US3210624A (en) * 1961-04-24 1965-10-05 Monsanto Co Article having a silicon carbide substrate with an epitaxial layer of boron phosphide
NL280641A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1961-07-07
NL280849A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1961-07-12 1900-01-01
US3262825A (en) * 1961-12-29 1966-07-26 Bell Telephone Labor Inc Method for etching crystals of group iii(a)-v(a) compounds and etchant used therefor
US3275539A (en) * 1962-11-09 1966-09-27 North American Phillips Compan Method of manufacturing semiconductor devices
US3239393A (en) * 1962-12-31 1966-03-08 Ibm Method for producing semiconductor articles
US3255055A (en) * 1963-03-20 1966-06-07 Hoffman Electronics Corp Semiconductor device
US3293092A (en) * 1964-03-17 1966-12-20 Ibm Semiconductor device fabrication
SE313623B (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1965-01-30 1969-08-18 Asea Ab
US3484854A (en) * 1966-10-17 1969-12-16 Westinghouse Electric Corp Processing semiconductor materials
CN112143938B (zh) * 2020-09-25 2021-11-19 先导薄膜材料（广东）有限公司 砷化镉的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH277131A (de) * 1948-02-26 1951-08-15 Western Electric Co Halbleiterelement zur Verstärkung elektrischer Signale.
FR1098372A (fr) * 1953-05-22 1955-07-25 Rca Corp Dispositifs semi-conducteurs

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB707008A (en) * 1948-10-01 1954-04-07 Licentia Gmbh Electric un-symmetrically conductive systems, particularly dry-plate rectifiers
US2759861A (en) * 1954-09-22 1956-08-21 Bell Telephone Labor Inc Process of making photoconductive compounds

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH277131A (de) * 1948-02-26 1951-08-15 Western Electric Co Halbleiterelement zur Verstärkung elektrischer Signale.
FR1098372A (fr) * 1953-05-22 1955-07-25 Rca Corp Dispositifs semi-conducteurs

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1211336B (de) * 1960-02-12 1966-02-24 Shindengen Electric Mfg Halbleitergleichrichter mit zwei Schichten von verschiedenem spezifischem Widerstand
DE2847451A1 (de) * 1978-11-02 1980-06-04 Licentia Gmbh Halbleiterbauelement

Also Published As

Publication number Publication date
FR1176057A (fr) 1959-04-03
US2846340A (en) 1958-08-05
BE558436A (cg-RX-API-DMAC10.html)
NL111788C (cg-RX-API-DMAC10.html)
NL218192A (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB867413A (en) 1961-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1073632B (de) Drift-Transistor mit einer Zonenfolge P-N-P bzw. N-P-N und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2711562A1 (de) Halbleiteranordnung und deren herstellung
DE1292256B (de) Drift-Transistor und Diffusionsverfahren zu seiner Herstellung
DE2441432B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines VMOS-Transistors
DE3046701A1 (de) Diode, sowie diese enthaltendes rom- bzw. loeschbares prom-bauelement
DE3002051A1 (de) Verfahren zur herstellung von komplementaeren mos-transistoren hoher integration fuer hohe spannungen
DE68910169T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer auf einem N-Typ-Substrat integrierten Schaltung, umfassend vertikale PNP- und NPN-Transistoren, die voneinander isoliert sind.
DE2422621A1 (de) Halbleiteranordnung vom iii-v-typ mit ohmschen kontakten und verfahren zur herstellung dieser kontakte
DE1130932B (de) Verfahren zur Herstellung kleinflaechiger pn-UEbergaenge in Halbleiter-koerpern von einem Leitfaehigkeitstyp von Halbleiteranordnungen, z. B. Dioden oder Transistoren
DE2133184A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauteilen
DE69023944T2 (de) Bipolartransistor und photoelektrisches Umwandlungsgerät, das den Bipolartransistor benutzt.
DE2735937C2 (de) Flüssigphasenepitaxie-Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Heterostrukturen
DE2450070A1 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauteils
DE102021123815A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE1961739A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1764180B2 (de) Verfahren zum einstellen der ladungstraeger lebensdauer in einer oertlich begrenzten zone eines halbleiterkoerpers
DE967322C (de) Halbleitereinrichtung mit einem Basiskoerper aus p- oder n-Halbleitermaterial und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1489250A1 (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1277827B (de) Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiterkoerpern
DE1764023C3 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen
DE69424717T2 (de) Verbindungsverfahren einer Verdrahtung mit einem Halbleitergebiet und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
DE1802849A1 (de) Verfahren zur Herstellung von monolithischen Schaltungen
DE2039091A1 (de) Transistor mit minimaler Seiteninjektion in einem monolithischen Halbleiterkoerper und Verfahren zur Herstellung dieses Transistors
DE2064084C2 (de) Planartransistor mit einer Schottky-Sperrschicht-Kontakt bildenden Metallkollektorschicht
DE1514656A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkoerpern