DE1052006B - Verfahren zur Herstellung von Siliciumkarbid-Heizstaeben - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Siliciumkarbid-Heizstaeben

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DE1052006B
DE1052006B DES42870A DES0042870A DE1052006B DE 1052006 B DE1052006 B DE 1052006B DE S42870 A DES42870 A DE S42870A DE S0042870 A DES0042870 A DE S0042870A DE 1052006 B DE1052006 B DE 1052006B
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Germany
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silicon carbide
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silicon
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Application number
DES42870A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Franz Josef Mann
Hans Schirmer
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Siemens Plania Werke AG
Original Assignee
Siemens Plania Werke AG
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon

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  • Resistance Heating (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung von Siliciumkarbid-Heizstäben Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von vorzugsweise aus Siliciumkarbid bestehenden Heizstäben für elektrische Widerstandsöfen, deren gut leitende Anschlußenden mit dem Glühteil im Durchmesser gleich sind und einen geringeren spezifischen Widerstand als der Glühteil besitzen.
  • Um den elektrischen Widerstand der Anschluß.-enden gegenüber dem GIfhteil von Siliciumkarbid-Heizstäben herabzusetzen, ist es bekannt, daß nach der Hochtemperaturbehandlung des Heizstabes dieser an seinen Enden mit metallischem Silicium durch Tauchen in eine Siliciumschmelze imprägniert wird. Durch Vergrößerung der Anschlußenden gegenüber dem Glühteil ist es ferner bekannt, den Widerstand der Anschlußenden herabzusetzen. Die Querschnittsvergrößerung der Anschlußenden ist jedoch für den Einbau der Heizstäbe in den Widerstandsofen nachteilig und wird daher bei der vorliegenden Erfindung nicht angewendet.
  • Durch die Erfindung wird die nachträgliche Metallimprägnierung der Anschlußenden vermieden und die Herstellung von Heizstäben ermöglicht, deren gut leitende Anschlußenden im Durchmesser mit dem Glühteil gleich sind und beliebig lang ausgebildet werden können. Siliciumkarbid-Heizstäbe werden meist aus entsprechenden Ausgangsmischungen, die Teer als Bindemittel enthalten, von der Strangpresse ausgeformt und dann einer Glühbehandlung unterzogen, bei der das Bindemittel verkokt und eine Rekristallisation des Siliciumkarbides mit dem sekundär aus dem Kohlenstoff des Bindemittels und dem Silicium sich bildenden Siliciumkarbid eintritt. Da die Ausgangsmischungen das sehr harte Siliciurnkarbid enthalten, unterliegen die Preßwerkzeuge einer starken Abnutzung. Die Erfindung macht ein Strangpressen entbehrlich, so daß auch eine Lagerhaltung von Preßwerkzeugen für die verschiedenen Durchmessergrößen der Heizstäbe fortfällt und die Herstellung der Heizstäbe sich verbilligt.
  • Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß die Bruchempfindlichkeit des nach dem Verfahren hergestellten Heizstabes an der Übergangsstelle zwischen Anschlußenden und Glühteil gegenüber den bisherigen Heizstäben wesentlich herabgesetzt ist.
  • Erreicht werden diese Vorteile nach der Erfindung dadurch, daß Ausgangsmassen verschiedener Zus-aminensetzung für die Anschlußenden und den Glühteil mit einem hoch kohlenstoffhaltigen Bindemittel, wie Teer, unter Beimischung von feinstkö@rnigem Siliciumkarbid unter 60 i1 Korngröße als Einbindemittel und Rekristallisationsbeschleuniger ailgeteigt werden, nacheinander in einem rohrförmigen, bei der Glühbehandlung zerfallenden Behälter eingestampft werden und der so erhaltene Formling mit dem Behälter einem Vorbrand unterzogen wird, durch den ein durchgehendes Bindegerüst entsteht, das die Formbeständigkeit des Heizstabes bei der nachfolgenden Hochtemperaturbehandlung in der sili@ciumhaltigen Atmosphäre des Glühofens gewährleistet.
  • Das für die Formbeständigkeit des Heizstabes beim Hochbrand maßgebliche Bindegerüst entsteht nicht nur durch die Beimengung des feinstkörnigen Siliciumkarbides als Bindemittel, sondern auch durch das heim Vorbrand aus dem kohlenstoffhaltigen Bindemittel sich bildende Koksgerüst, das zur Erhöhung der Formbeständigkeit des Formlings beiträgt. Durch die entsprechende Wahl der Ausgangsmischungen für die Anschlußenden und für den Glühteil erhält der Heizstab im Hochbrand die unterschiedliche elektrische Leitfähigkeit des Glühteiles gegenüber den Anschlußenden. Bei der Hochtemperaturbehandlung, durch die eine Rekristallisation des Siliciumkarbides herbeigeführt wird, muß eine Abwanderung des metallischen Siliciums in den Glühteil verhindert werden, denn bei der hohen Temperatur neigt das metallische Silicium zur Diffusion in die Nachbarbereiche, und es besteht die Gefahr, daß das Silicium ausdampft. Durch den Überschuß an Kohlenstoff im Anschlußteil wird diese Abwanderung des metallischen Siliciums in den Glühteil gehemmt. An der übergangs,stelle von Glüh- und Anschlußteil tritt ein geringer Ausgleich des Siliciumgehaltes der beiden Heizstabteile ein. Die Anreicherung mit Silicium in der Übergangszone ist jedoch nur vorteilhaft, da eine schroffe Übergangsstelle zwischen Zonen verschiedener Materialbeschaffenheit immer eine Gefahrenstelle für einen künftigen Bruch bildet, denn die bekannten Heizstäbe, bei denen das gut leitende Anschlußende an den Glühteil angeschweißt ist, führen an der Schweißstelle meistens zu Brüchen. Diese Bruchgefahr an der Übergangsstelle zwischen Anschlußteil und Glühteil des Heizstabes wird durch das erfindungsgemäße Verfahren weitgehend herabgesetzt.
  • Es ist an sich bekannt, die Leitfähigkeit von Siliciumkarbid-Heizstäben dadurch zu erhöhen, daß der Ausgangsmischung von gepulvertem Siliciumkarbid und einem Bindemittel metallisches Siliciumpulver beigemengt wird.
  • Es ist jedoch nicht bekannt, Ausgangsmassen verschiedener Zusammensetzung nacheinander in einem rohrförmigen, bei der Glühbehandlung zerfallenden Behälter einzustampfen und den so erhaltenen Formling mit dem Behälter einem Vorbrand zu unterziehen, so daß während des Vorbrandes ein durchgehendes Bindegerüst im Heizstab entsteht, das die Formbeständigkeit des Heizstabes bei der nachfolgenden Hochtemperaturbehandlung gewährleistet.
  • Nachstehend ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben.
  • Zur Herstellung des Heizstabes werden für den Glühteil und für die Anschlußenden Ausgangsmassen verschiedener Zusammensetzung mit einem hoch kohlenstoffhaltigen Bindemittel, wie Teer, angeteigt. Für den Glühteil wird hierbei ein Gemisch von Siliciumkarbid verschiedener Körnung benutzt, in dem 30 Gewichtsprozent des Siliciumkarbides in feinster Vermahlung unter 60 u Korngröße vorhanden sind, während für die Anschlußenden ein Gemisch verwendet wird, das außer Siliciumkarbid Kohlenstoff und metallisches Silicium enthält, und zwar 10 Gewichtsprozent Teer als Bindemittel, 50 Gewichtsprozent Siliciumkarbid in Feinstmahlung unter 60 R, Korngröße, 33 Gewichtsprozent grobkörnigen Koks von 0,17 bis 0,5 mm Korngröße und restliche Gewichtsprozente Siliciumpulver mittlerer Korngröße. Diese mit dem Bindemittel angemachten Mischungen werden nacheinander in einen rohrförmigen, bei der Glühbehandlung zerfallenden Behälter, wie z. B. in ein Papprohr, eingestampft und der so erhaltene Formkörper einem Vorbrand in inerter Atmosphäre unterzogen, bei dem das Papprohr allmählich verkohlt, bis der Formling die ausreichende Formbeständigkeit für den späteren Hochbrand in einer siliciumhaltigen Atmosphäre erhält. Bei dem Vorbrand, der beispielsweise in einem elektrisch aufgeheizten Kohlerohr vorgenommen werden kann, wird die Temperatur bis auf etwa 800° C allmählich gesteigert, bis die Verkoh.lung der Bindemittels eingetreten ist. Der nach dem Vorbrand gewonnene Formling wird dann anschließend einem Hochbrand in einer siliciumhaltigen Atmosphäre unterworfen. Hierbei tritt nicht nur eine Umsetzung des Kohlenstoffes mit dem Silicium ein, sondern durch Rekristallisation des Siliciumkarbides mit dem sekundär aus dem Kohlenstoff und Silicium sich bildenden Siliciumkarbid entsteht ein fester zusammenhängender Körper, der trotz verschiedener Zusammensetzung der einzelnen Teilabschnitte des Stabes ein durchgehendes, zusammenhängendes Haufwerk von Siliciumkarbidkristallen enthält, das an den Anschlußenden Si C Si aufweist. Der nach diesem Verfahren erhaltene Heizstab besitzt in seinem Glühteil einen spezifischen Widerstand von etwa 1000 Ohm mm2/m und in den Anschlußenden einen spezifischen Widerstand von etwa 100 Ohm mm/m.
  • Um den Widerstand im Glühteil zu steigern, ist es auch möglich; den Ouerschnitt im Glühteil dadurch zu verringern, daß vor dem Einstampfen der Masse für den Glühteil in den rohrförmigen Behälter ein Kern eingelegt wird, der gleichfalls aus Pappe bestehen kann und bei der nachfolgenden Glühbehandlung zerfällt, so daß ein rohrförmiger Heizstab entsteht.

Claims (4)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Herstellung von Siliciumkarbid enthaltenden Heizstäben, deren gut leitende Anschlwßenden mit dem Glühteil im Durchmesser gleich sind und einen geringeren spezifischen Widerstand als der Glühteil besitzen, dadurch gekennzeichnet, daß Ausgangsmassen verschiedener Zusammensetzung für die Anschlußenden und den Glühteil mit einem hoch kohlenstoffhaltigen Bindemittel, wie Teer, unter Beimischung vori feinstkörnigem Siliciumkarbid unter 60 #t Korngröße als Einbindemittel und Rekristallisationsbeschleuniger angeteigt werden, nacheinander in einem rohrförmigen, bei der Glühbehandlung zerfallenden Behälter eingestampft werden und der so erhaltene Formling mit dem Behälter einem Vorbrand unterzogen wird, durch den eindurchgehendes Bindegerfist entsteht, das die Formbeständigkeit des Heizstabes bei der nachfolgenden Hochtemperaturbehandlung in der siliciumhaltigen Atmosphäre des Glühofens gewährleistet.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Ausgangsmasse für den Glühteil, die mit etwa 10 Gewichtsprozent Teer als Bindemittel angeteigt wird, Siliciumka.rbid in verschiedener Körnung verwendet wird, wobei etwa 30 Gewichtsprozent des Siliciumkarbids in Feinstmahlung unter 60 #x Korngröße vorhanden ist.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Ausgangsmasse für dieAnschlußenden eine Mischung von etwa 10 Gewichtsprozent Teer als Bindemittel, etwa. 50 Gewichtsprozent Siliciumkarbid in Feinstmahlung, 33 Gewichtsprozent grobkörniger Koks von 0;17 bis 0,5 mm Korngröße und restliche Gewichtsprozent metallisches Silicium mittlerer Korngröße verwendet wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung rohrförmiger Heizstäbe beim Einstampfen der Ausgangsmassen in den rohrförmigen Behälter ein gleichfalls beim Vorbrand zerfallender, vor dem Einstampfen in den rohrförmigen Behälter eingelegter Kern benutzt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 488 685, 587 651; österreichische Patentschrift Nr. 34 794; USA.-Patentschrift Nr. 2 640 503.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT34794B (de) * 1905-10-14 1908-10-26 Siemens & Co Geb Verfahren zur Herstellung geformter fester Körper aus Siliziumkarbid.
DE488685C (de) * 1928-03-03 1929-12-31 Siemens Planiawerke A G Fuer K Verfahren zur Herstellung gutleitender Stellen an Staeben aus siliziumkarbidhaltiger Widerstandsmasse
DE587651C (de) * 1929-07-29 1933-11-07 Globar Corp Verfahren zur Erhoehung der Leitfaehigkeit der Anschlussstellen von Heizkoerpern aus Siliciumcarbid
US2640503A (en) * 1950-11-21 1953-06-02 Norton Co Refractory tube

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