DE765699C - Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstaenden - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstaenden

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DE765699C
DE765699C DEN38504D DEN0038504D DE765699C DE 765699 C DE765699 C DE 765699C DE N38504 D DEN38504 D DE N38504D DE N0038504 D DEN0038504 D DE N0038504D DE 765699 C DE765699 C DE 765699C
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/148Silicon, e.g. silicon carbide, magnesium silicide, heating transistors or diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
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    • H01C1/14Terminals or tapping points specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points on resistors
    • H01C1/146Terminals or tapping points specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points on resistors the resistive element surrounding the terminal
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Description

  • Die Erfindung betrifft Widerstände mit negativen Temperaturkoeffizienten, die aus gesinterten, halbleitenden, Silizium im Überschuß enthaltenden Mischungen bestehen.
  • Es bietet Schwierigkeiten, elektrische, aus gesinterten Werkstoffen hergestellte Widerstände mit gut haftenden, keine unerwünschten Übergangswiderstände ergebenden Kontakten zu versehen.
  • Nach bekannten Verfahren, bei denen metallhaltige Widerstandskörper mit Kohlenstoffmassen zusammengesintert werden, muß zur Erzielung einer hinreichenden Festigkeit so hoch erhitzt werden, daß Metallkarbid gebildet wird, was einen allmählichen Übergang von Metall in Kohlenstoff und somit einen hohen Übergangswiderstand herbeiführt. Nach einem dieser Verfahren, bei dem es sich im übrigen um einen eine Eisen-Silizium-Legierung als Leiterbestandteil enthaltenden Widerstand mit geringem Siliziumgehalt handelt, der einen negativen Temperaturkoeffizienten nicht aufweist, mußte zur Verfestigung einer aus Kohlenpulver und Pech bestehenden Kontaktschicht sogar über den Schmelzpunkt des Leiterbestandteils erhitzt werden.
  • Weiterhin ist es bei der Herstellung von keramischen Widerständen schon bekannt, zur Erzielung von Kontakten bestimmte Kohlenstoffkörper in das Widerstandsmaterial einzukitten. Ein genügendes Haften der Kontakte wird jedoch nach diesem Verfahren bei den Widerständen nach der Erfindung, die hohen Betriebstemperaturen ausgesetzt werden, nicht erzielt.
  • Diese Schwierigkeiten werden nun bei der Herstellung von elektrischen Widerständen, die aus gesinterten, halbleitenden, Silizium im Überschuß enthaltenden Mischungen bestehen und an den Kontaktstellen mit einer Masse von besserer Leitfähigkeit als der übrige Widerstand versehen sind, erfindungsgemäß dadurch beseitigt, daß für die Bildung der Kontakte bestimmte Kohlenstoffkörper, vorzugsweise Graphitblöckchen, in die Widerstandsmasse eingepreßt und darauf mit dem Widerstandsmaterial zusammengesintert werden.
  • Die Erfindung ist nachstehend an einem in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiel näher erläutert.
  • 5o g Ferrosilizium mit hohem Siliziumgehalt, z. B. 98()%, werden in Pulverform gebracht, gesiebt und darauf mit io g Ton und 5o mg Tragant, gleichfalls in Pulverform, unter Hinzufügung von 7 cms Wasser gemischt, bis eine homogene Paste erzielt worden ist, die in Form von Stäbchen i gepreßt wird; bei dieser Behandlung werden deichzeitig die Graphitblöckchen 2 angepreßt. Darauf werden die so mit Graphitkontakten 2 versehenen Stäbchen i während einiger Stunden in Luft getrocknet und darauf während annähernd 6o Minuten bei einer Temperatur von i3oo° C in einer reduzierenden Gasatmosphäre erhitzt, wobei das Material sintert. Die Graphitkontakte werden bei diesem Vorgang fest mit siliziumhaltigen Widerstandsmaterial verbunden und weisen keinen hinderlichen Übergangswiderstand auf. Sie können weiter mit z. B. aus Nickel bestehenden Stäbchen 3 für die Stromführung versehen werden.
  • Zur Erläuterung diene noch, daß mit einem Überschuß an Silizium im Widerstandsmaterial erreicht wird, daß der Widerstandswert groß bei Zimmertemperatur, aber klein bei der Betriebstemperatur ist, so daß ein negativer Temperaturkoeffizient von hohem Wert entsteht.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerständen, die aus gesinterten, halbleitenden, Silizium im Überschuß enthaltenden Mischungen bestehen und an den Kontaktstellen mit einer 'Masse von besserer Leitfähigkeit als der übrige Widerstand versehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß für die Bildung der Kontakte bestimmte Kohlenstoffkörper, vorzugsweise Graphitblöckchen, in die Widerstandsmasse eingepreßt und darauf mit dem Widerstandsmaterial zusammengesintert werden. ZurAbgrenzung des Erfindungsgegenstands vom Stand der Tecnik sind im Erteilungsverfahren folgendeDruckschriften in Betracht gezogen worden: Deutsche Patentschriften Nr. 407 880, 487 425, 558 227; österreichische Patentschrift Nr. 126 373; schweizerische Patentschrift Nr. 83 818; USA.-Patentschrift Nr. 1816194.
DEN38504D 1935-08-17 1935-08-17 Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstaenden Expired DE765699C (de)

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GB (1) GB468477A (de)
NL (1) NL45840C (de)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH83818A (de) * 1918-11-20 1920-01-16 Paul Meyer Otto Hugo Drahtloser elektrischer Widerstandskörper
DE407880C (de) * 1922-05-08 1924-12-30 Kengo Idzumi Elektrische Widerstandsmasse
DE487425C (de) * 1923-06-01 1929-12-11 M Hauser Dr Verfahren zur Herstellung von Heizkoerpern von elektrisch beheizten Gefaessen und Wider-staenden, bei denen ein Widerstandsmaterial in ein keramisches Schutzmaterial eingelegt ist
US1816194A (en) * 1927-06-10 1931-07-28 Lynde Bradley Method of forming resistor units
AT126373B (de) * 1926-04-28 1932-01-25 Max Dr Hauser Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstandskörpern.
DE558227C (de) * 1932-09-03 Le Carbone Sa Anordnung bei Anschlussenden fuer elektrische Widerstaende

Patent Citations (6)

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GB468477A (en) 1937-07-06
NL45840C (de) 1939-05-15

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