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Die
Druckschrift
DE 102
19 123 A1 beschreibt ein Verfahren zum Strukturieren keramischer
Schichten auf Halbleitersubstraten, wobei eine keramische Schicht
auf einem Halbleitersubstrat abgeschieden wird, die abgeschiedene
keramische Schicht in einem Verdichtungsschritt verdichtet wird, in
der verdichteten keramischen Schicht zumindest in Abschnitten Fehlstellen
erzeugt werden, und die keramische Schicht mit einem Ätzmedium
behandelt wird, wobei die keramische Schicht in den mit Fehlstellen
versehenen Abschnitten von Substrat abgetragen wird. Insbesondere
in der
3 und der dazugehörigen Beschreibung
werden die Arbeitsschritte für
den Aufbau eines Grabenkondensators beschrieben, wobei der Anschluss
der Topelektrode des Grabenkondensators nur zu einer Seite des Grabens
hin erfolgt.
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für einen
Grabenkondensator in einem Substrat, der über einen vergrabenen Kontakt einseitig
mit dem Substrat elektrisch verbunden ist, insbesondere für eine Halbleiterspeicherzelle,
wie z.B. aus der
DE
198 43 641 A1 bekannt.
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Obwohl
prinzipiell auf beliebige integrierte Schaltungen anwendbar, werden
die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrunde liegende Problematik in
Bezug auf integrierte Speicherschaltungen in Silizium-Technologie
erläutert.
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Das
oben erwähnte
und weitere ähnliche
bekannte Verfahren weisen Probleme auf, wenn es darum geht, einen
tief gelegenen, vergrabenen Kontakt in einem Graben mit sehr hohem
Aspektverhältnis (typischerweise > 3) zu fertigen, wie
es beispielsweise bei DRAMs mit einer Designregel von weniger als 70
nm auftaucht.
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Bekanntermaßen treten
bei der Herstellung des einseitigen Kontaktes mittels des subtraktiven Herstellungsverfahrens
Probleme auf. Nach dem subtraktiven Verfahren wird der einseitige
Kontakt aus einem allseitigen Kontakt gebildet, wobei der allseitige
Kontakt an definierten Stellen mittels einer Maske, welche auf dem
Halbleitersubstrat aufgebracht wird, entfernt wird. Die Maske wird
am oberen Ende des Grabens mit einer Breite von 1/2 bis 1/3 des
Grabens ausgebildet. Die Größe (Breite)
der Position der Maske muss genau gesteuert sein. Diese Steuerung
ist technisch sehr schwierig und mit Ungenauigkeiten belegt.
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Die
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein einfaches
und sicheres Herstellungsverfahren für einen derartigen einseitig
angeschlossenen Grabenkondensator mit hohem Aspektverhältnis anzugeben.
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Erfindungsgemäß wird diese
Aufgabe durch das in Anspruch 1 angegebene Herstellungsverfahren
gelöst.
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Demnach
wird das die Aufgabe lösende
Herstellungsverfahren mit den folgenden Schritten bereitgestellt:
Vorsehen
von einem Graben in dem Substrat, dessen Grabenwand in einem unteren
Grabenabschnitt durch einen ersten Kragen ausgebildet wird und dessen
Grabenwand in einem mittleren Grabenabschnitt und in einem oberen
Grabenabschnitt durch das Substrat ausgebildet wird. Anschließendes Versehen des
Grabens mit einem Kondensatordielektrikum und Füllen eines unteren Teilbereichs
des unteren Grabenbereichs mit einer ersten Füllung. Darauf folgt ein Versehen
der Grabenwand des Grabens oberhalb der ersten Füllung einschließlich des
mittleren Grabenabschnitts mit einem zweiten Kragen und Füllen des
Grabens mit einer zweiten Füllung
oberhalb der ersten Füllung
bis einschließlich
des mittleren Grabenabschnitts. Abdecken eines zweiten vertikalen Teilgrabens
des Grabens mit einer selbstjustierten Maske, wobei ein erster vertikaler
Teilgraben nicht abgedeckt wird. Anschließendes Entfernen des zweiten
Kragens im ersten vertikalen Teilgraben und Entfernen der selbstjustierten
Maske und der zweiten Füllung.
Entfernen des Kondensatordielektrikums in dem ersten vertikalen
Teilgraben oberhalb der dritten Barriereschicht und Füllen des
Grabens mit einer Kontaktierfüllung
zur Ausbildung eines vergrabenen Kontaktes zwischen dem Substrat
und der ersten Füllung über die
Kontaktierfüllung.
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Ein
Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens
liegt insbesondere darin, dass es eine genaue Definition des Anschlussge bietes
beim jeweiligen vergrabenen Kontakt des Grabenkondensators selbst
bei hohem Aspektverhältnis
ermöglicht.
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Ein
weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt darin, dass die
selbstjustierte Maske selbst bei hochaspektischen Konzepten oberflächennah gebaut
werden kann. Die selbstjustierte Maske weist keine Überhänge auf
die umliegende Peripherie des Grabens auf und kann somit sehr leicht
in die Tiefe übertragen
werden.
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Die
der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht im Wesentlichen
darin, eine mittels einfacher Geometrien eines additiven Herstellungsverfahrens
geschaffene oberflächennahe
Maske zu verwenden, um einen einseitigen Kontakt zu vergraben und
für den
Kontakt eine maximale Breite des Grabens zu nutzen.
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In
den Unteransprüchen
finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des
in Anspruch 1 angegebenen Herstellungsverfahrens.
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Gemäß einer
bevorzugten Weiterbildung ist der erste vertikale Teilgraben breiter
als der zweite vertikale Teilgraben.
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Ein
Vorteil dieser bevorzugten Weiterbildung ist, dass ein breiterer
erster vertikaler Teilgraben für den
vergrabenen elektrischen Kontakt mehr Platz schafft und die eigentliche
Kontaktierung des Substrates und der ersten Füllung innerhalb des Grabens vorgenommen
werden kann.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Füllen des Grabens mit einer
Kontaktierfüllung
zur Ausbildung eines vergrabenen Kontaktes mittels folgender Verfahrensschritte
bereitgestellt: Beginnend mit einem Versehen einer fünften Barriereschicht über der
ersten Füllung
in dem unteren Grabenabschnitt wird das Halbleitersubstrat an der
Grabenwand des ersten vertikalen Teilgrabens zur Ausbildung ei ner
dritten Füllung
aufgewachsen. Anschließend
folgt ein Versehen einer vierten Barriereschicht in dem Graben und
Füllen
des Grabens über
der vierten Barriereschicht mit einer vierten Füllung, wobei die Kontaktierfüllung zwischen
dem Substrat und der ersten Füllung
durch die dritte Füllung, die
vierte Barriereschicht und die vierte Füllung ausgebildet wird.
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Ein
Vorteil dieser bevorzugten Weiterbildung ist, dass durch die ausgebildete
dritte Füllung
der vergrabene Kontakt in den Graben gezogen wird. Dies ermöglicht vorteilhafte
elektrische Eigenschaften für die
gesamte Halbleiterstruktur.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist die vierte
Barriereschicht elektrisch leitend, um mit der dritten Füllung und
der vierten Füllung
einen elektrischen Kontakt auszubilden.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Abdecken eines zweiten
vertikalen Teilgrabens des Grabens mit einer selbstjustierten Maske
mittels folgender Verfahrensschritte bereitgestellt: Versehen des
Grabens mit einer zweiten Barriereschicht und anschließendem Entfernen
der zweiten Barriereschicht über
einem ersten vertikalen Teilgraben zur Ausbildung der selbstjustierten
Maske.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung der Weiterbildung wird das Entfernen
der zweiten Barriereschicht über
einem ersten vertikalen Teilgraben zur Ausbildung der selbstjustierten
Maske mittels folgender Verfahrensschritte bereitgestellt: Schräges Implantieren
von Ionen über
der Halbleiterstruktur mit einem Winkel von vorzugsweise 45 Grad derart,
dass die zweite Barriereschicht in dem ersten vertikalen Teilgraben
nicht implantiert wird und selektives Nassätzen der resultierenden Struktur,
sodass ein erster Teilbereich der zweiten Barriereschicht in dem
ersten vertikalen Teilgraben entfernt wird und ein stehenbleibender
zweiter Teilbe reich der zweiten Barriereschicht in dem zweiten vertikalen
Teilgraben die selbstjustierte Maske ausbildet.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die horizontale Ausdehnung
der selbstjustierten Maske größer als
die Breite des zweiten Kragens.
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Ein
Vorteil dieser bevorzugten Weiterbildung ist, dass bei dem Entfernen
der selbstjustierten Maske aufgrund deren größeren horizontalen Ausdehnung
der zweite Kragen nicht verletzt wird.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Abdecken eines zweiten
vertikalen Teilgrabens des Grabens mit einer selbstjustierten Maske
mittels folgender Verfahrensschritte bereitgestellt:
Rückätzen einer
Hartmaske, welche außer
den Graben das Substrat abdeckt,
Versehen der zweiten Füllung und
der rückgeätzten Hartmaske
mit einer dritten Barriereschicht,
Versehen einer zweiten Barriereschicht über der
dritten Barriereschicht,
schräges Implantieren von Ionen über der
zweiten Barriereschicht, sodass ein Teilbereich der zweiten Barriereschicht,
welche links von dem ersten vertikalen Teilgraben und über der
Hartmaske liegt, nicht implantiert wird,
selektives Nassätzen der
Halbleiterstruktur, sodass der nicht-implantierte Teilbereich der
zweiten Barriereschicht entfernt wird,
selektives Entfernen
der freiliegenden dritten Barriereschicht,
selektives Entfernen
der freiliegenden zweiten Füllung
in dem ersten vertikalen Teilgraben zur Ausbildung der selbstjustierten
Maske.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung wird das Versehen der Grabenwand
mit einem zweiten Graben, das Füllen
des Grabens mit einer zweiten Füllung
und das Abdecken eines zweiten vertikalen Teilgrabens mit einer
selbstjustierten Maske mittels folgender Verfahrensschritte bereitgestellt:
Versehen
der Grabenwand mit einem zweiten Kragen,
Entfernen des zweiten
Kragens und des Kondensatordielektrikums in dem oberen Grabenabschnitt,
Füllen des
Grabens mit einer zweiten Füllung,
Rückätzen einer
Hartmaske, welche außer
den Graben das Substrat abdeckt,
Versehen der zweiten Füllung und
der rückgeätzten zweiten
Hartmaske mit einer zweiten Barriereschicht,
schräges Implantieren
von Ionen über
der zweiten Barriereschicht, sodass ein erster Teilbereich der zweiten
Barriereschicht, welche links von dem ersten vertikalen Teilgraben
und über
der Hartmaske liegt, nicht implantiert wird,
reaktives Ionenätzen und
selektives Nassätzen
der Halbleiterstruktur, sodass ein zweiter Teilbereich der zweiten
Barriereschicht über
dem zweiten vertikalen Teilgraben zur Ausbildung der selbstjustierten
Maske erhalten bleibt.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung sind die erste Füllung und
die zweite Füllung aus
Polysilizium.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die dritte Füllung ein
aus einer Epitaxie hergestelltes Silizium.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung besteht die zweite Barriereschicht
aus amorphem Silizium.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung besteht die dritte Barriereschicht
aus Siliziumoxid.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung besteht die vierte Barriereschicht
aus Siliziumnitrid.
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Gemäß einer
weiteren bevorzugten Weiterbildung sind die Ionen Borionen.
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Ausführungsbeispiele
der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden
Beschreibung näher
erläutert.
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Es
zeigen:
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1a-g
schematische Darstellungen aufeinander folgender Verfahrensstadien
eines Herstellungsverfahrens als erste Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung;
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2a-j
schematische Darstellungen aufeinander folgender Verfahrensstadien
eines Herstellungsverfahrens als zweite Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung;
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3a-i
schematische Darstellungen aufeinander folgender Verfahrensstadien
eines Herstellungsverfahrens als dritte Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung.
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In
den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche
Bestandteile.
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1a-g
sind schematische Darstellung aufeinander folgender Verfahrensstadien
eines Herstellungsverfahrens als erste Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung.
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In 1a bezeichnet
Bezugszeichen 1 ein Silizium-Halbleitersubstrat, in dem
mittels einer Hartmaske 32 ein Graben 2 vorgesehen
worden ist. Auf den Grabenwänden 21 befindet
sich ein dünnes
Kondensatordielektrikum 51, welches in einem weiteren Verlauf
des unteren Grabenabschnitts 2' unterhalb des Kragens 41 mit
dem Substrat 1 und einer im Inneren des Grabens 2 vorgesehenen
leitenden ersten Füllung 61,
vorzugsweise aus Polysilizium, einen Kondensator ausbildet. Die
Grabenwände 21 werden in
einem unteren Grabenabschnitt 2' durch einen ersten Kragen 41 ausgebildet
und werden in einem mittleren Grabenabschnitt 2'' und in einem oberen Grabenabschnitt 2''' durch
das Substrat 1 ausgebildet. Die Grabenwand 21 des
Grabens 2 ist oberhalb der ersten Füllung 61 einschließlich des
mittleren Grabenabschnitts 2'' mit einem zweiten
Kragen 42 versehen, sodass sich der zweite Kragen 42 und
die Hartmaske 32 überlappen.
Oberhalb der ersten Füllung 61 bis
einschließlich
des mittleren Grabenabschnitts 2'' ist
der Graben 2 mit einer zweiten Füllung 62 angefüllt.
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Weiter
mit Bezug auf 1b wird dann die Oberfläche der
resultierenden Struktur mit einer zweiten Barriereschicht 52,
vorzugsweise aus amorphem Silizium, konform versehen. Darauf folgend werden
Ionen 9 über
der resultierenden Halbleiterstruktur, mit einem Winkel von vorzugsweise 45 Grad,
schräg
implantiert, sodass ein erster Teilbereich 52' der zweiten
Barriereschicht 52 über
einem ersten vertikalen Teilgraben 22 nicht implantiert
wird.
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Darauf
folgt mit Bezug auf 1c ein selektives Nassätzen derart,
dass der nicht-implantierte erste Teilbereich 52' der zweiten
Barriereschicht 52 des ersten vertikalen Teilgrabens 22 entfernt
wird und ein zweiter Teilbereich 52'' der
zweiten Barriereschicht 52 im Besonderen über dem
zweiten vertikalen Teilgraben 23 die selbstjustierte Maske 31 ausbildet.
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Weiter
mit Bezug auf 1d wird dann der freigelegte
Bereich des zweiten Kragens 42 im ersten vertikalen Teilgraben 22 mittels
eines Ätzprozesses entfernt.
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Weiter
mit Bezug auf 1e werden die zweite Barriereschicht 52 und
die zweite Füllung 62 entfernt.
Daraufhin werden die freiliegenden Bereiche des Kondensatordielektrikums 51 entfernt,
nachdem oberhalb der ersten Füllung 61 eine
fünfte
Barriereschicht 55 aufgebracht worden ist. Die fünfte Barriereschicht 55 hat
die Funktion, bei einem nachfolgenden Epitaxieschritt zu verhindern,
das Dotierstoffe aus der ersten Füllung 61 in darüberliegende Schcihten
diffundieren.
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Weiter
mit Bezug auf 1f wird dann das Halbleitersubstrat 1 an
der Grabenwand 21 des ersten vertikalen Teilgrabens 22 mittels
eines Epitaxieschrittes aufgewachsen, sodass eine dritte Füllung 63 aus
dem Substrat 1 in dem ersten vertikalen Teilgraben 22 ausgebildet
wird.
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Weiter
mit Bezug auf 1g wird die resultierende Struktur
mit einer vierten Barriereschicht 54 in dem Graben 2 versehen.
Vorzugsweise besteht die vierte Barriereschicht 54 aus
einem Siliziumnitrid, welches sehr dünn aufgebracht wird und elektrisch leitend
ist. Dann wird der Graben 2 über der vierten Barriereschicht 54 mit
einer vierten Füllung 64,
vorzugsweise ein Polysilizium, aufgefüllt, wobei eine Kontaktierfüllung 7 zwischen
dem Substrat 1 und der ersten Füllung 61 durch die
dritte Füllung 63,
die vierte Barriereschicht 54 und die vierte Füllung 64 ausgebildet
wird. Folglich ist das Substrat 1 mit der ersten Füllung 61,
einer aus Polysilizium bestehenden Kondensatorelektrode im Inneren
des Grabens 2, einseitig.
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2a-j
sind schematische Darstellungen aufeinander folgender Verfahrensstadien
eines Herstellungsverfahrens als zweite Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung.
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Der
in 2a gezeigte Prozesszustand entspricht dem in 1a gezeigten
Prozesszustand.
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Gemäß 2b wird
das Kondensatordielektrikum 51 oberhalb der Hartmaske 32 optional
entfernt und die zweite Füllung 62,
vorzugsweise ein Polysilizium, wird im gesamten Graben 2 angefüllt und planarisiert.
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Gemäß 2c wird
die Hartmaske 32 in vertikaler Richtung gedünnt, sodass
die zweite Füllung 62 über die
Hartmaske 32 hinaussteht. In einem darauf folgenden Prozessschritt
wird über
der resultierenden Struktur eine dritte Barriereschicht 53,
vorzugsweise ein Siliziumoxid-Liner, abgeschieden. Über dem
abgeschiedenen Siliziumoxid-Liner 53 wird eine zweite Barriereschicht 52,
vorzugsweise amorphes Silizium, abgeschieden. Daraufhin werden Ionen 9,
vorzugsweise Borionen, über
der zweiten Barriereschicht 52, vorzugsweise mit einem
Winkel von 45 Grad schräg
implantiert, sodass ein erster Teilbereich 52' der zweiten
Barriereschicht, welcher links von dem ersten vertikalen Teilgraben 22 und über der
Hartmaske 32 liegt, nicht implantiert wird.
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Gemäß 2d wird
dann die resultierende Struktur selektiv nassgeätzt, sodass der nicht-implantierte
erste Teilbereich 52' der
zweiten Barriereschicht 52 entfernt wird. Dann wird die
freiliegende dritte Barriereschicht 53 selektiv entfernt.
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Daraufhin
wird mit Bezug auf 2e die freiliegende zweite Füllung 62 in
dem ersten vertikalen Teilgraben 22 mittels eines isotropen Ätzprozesses, bsp.
einer isotropen Nass- oder Trocken-Ätzung oder eines LOCOS-Prozessschrittes,
LOCOS-Oxidation und
anschließender
Entfernung des Oxids, selektiv entfernt. Wird der LOCOS-Prozessschritt
angewandt, ist die dritte Barriereschicht 53 ein Siliziumnitrid.
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Gemäß 2f wird
die dritte Barriereschicht 53 mittels eines Oxidätzverfahrens
entfernt. Dann folgt ein reaktives Ionenätzen des Polysiliziums, Füllung 62,
in dem ersten vertikalen Teilgraben 22, sodass in dem ersten
vertikalen Teilgraben 22 der Bereich des zweiten Kragens 42 freigelegt
wird. Über dem
zweiten Kragen 42 in dem zweiten vertikalen Teilgraben 23 bildet
die zweite Füllung 62 die
selbstjustierte Maske 31 aus.
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Gemäß 2g wird
dann der in dem ersten vertikalen Teilgraben 22 freigelegte
zweite Graben 42 entfernt.
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Der
in 2h gezeigte Prozesszustand entspricht dem in 1e gezeigten
Prozesszustand.
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Der
in 2i gezeigte Prozesszustand entspricht dem in 1f gezeigten
Prozesszustand.
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Der
in 2j gezeigte Prozesszustand entspricht dem in 1g gezeigten
Prozesszustand.
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3a-i
sind schematische Darstellungen aufeinander folgender Verfahrensstadien
eines Herstellungsverfahrens als dritte Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung.
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Der
in 3a gezeigte Prozesszustand entspricht einer Erweiterung
des in 2b gezeigten Prozesszustandes.
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Der
Prozesszustand nach 2b ist dahingehend erweitert,
dass über
der Hartmaske 32 und über
dem Kondensatordielektrikum 51 eine dritte Barriereschicht 53,
vorzugsweise ein Siliziumoxid-Liner, vorgesehen ist. Nach einer
besonders bevorzugten Ausführungsform
sind der zweite Kragen 42 und die dritte Barriereschicht 53 gleichen
Materials und werden in gleichen Verfahrensschritten erzeugt. Die dritte
Barriereschicht 53 hat die Funktion, eine Maske zum Herausziehen
der zweiten Füllung 62 über das Niveau
des zweiten Kragens 42 zu bilden. Die zweite Füllung 62,
vorzugsweise ein Polysilizium, bildet eine T-Form aus.
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Gemäß 3b wird
die dritte Barriereschicht 53 entfernt und die Hartmaske 32 wird
zurückgezogen.
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Gemäß 3c wird
dann auch das Kondensatordielektrikum 51 auf das Niveau
der zurückgezogenen
Hartmaske 32 zurückgezogen,
sodass auch die Bereiche des zweiten Kragens 42 bis auf
das Niveau der Hartmaske 32 zurückgezogen werden können. Der
ein großes
T ausbildende Bereich der zweiten Füllung 62 liegt nun
frei und wird mit einer zweiten Barriereschicht 52, vorzugsweise
aus amorphem Silizium, versehen. Daraufhin folgt ein schräges Implantieren
von Ionen 9, vorzugsweise Borionen, über der zweiten Barriereschicht 52,
sodass ein erster Teil bereich 52' der zweiten Barriereschicht, welcher
links von dem ersten vertikalen Teilgraben 22 und über der Hartmaske 32 liegt,
nicht implantiert wird.
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Darauf
folgt mit Bezug auf 3d ein reaktives Ionenätzen der
zweiten Barriereschicht 52, sodass die horizontalen Bereiche
der zweiten Barriereschicht 52 entfernt werden. Die vertikalen
Bereiche der zweiten Barriereschicht 52, welche nach dem
reaktiven Ionenätzen
bestehen bleiben, werden selektiv nassgeätzt, sodass ein zweiter Teilbereich 52'' der zweiten Barriereschicht über dem
zweiten vertikalen Teilgraben 23 bestehen bleibt und der
nicht-implantierte erste Teilbereich 52' der zweiten Barriereschicht über dem
ersten vertikalen Teilgraben 23 entfernt wird.
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Gemäß 3e bildet
der zweite Teilbereich 52'' der zweiten
Barriereschicht 52 über
dem zweiten vertikalen Teilgraben 23 die selbstjustierte
Maske 31 aus.
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Der
in 3f gezeigte Prozesszustand entspricht einer Erweiterung
des in 2g gezeigten Prozesszustandes.
Die zweite Füllung 62,
die nach 3e ein T ausbildet, wird mittels
eines reaktiven Ionenätzens
(RIE-Prozessschritt) zu einem I transformiert.
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Der
in 3g gezeigte Prozesszustand entspricht dem in 2h gezeigten
Prozesszustand.
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Der
in 3h gezeigte Prozesszustand entspricht dem in 2i gezeigten
Prozesszustand.
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Der
in 3i gezeigte Prozesszustand entspricht dem in 2j gezeigten
Prozesszustand.
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Obwohl
die vorliegende Erfindung vorstehend anhand dreier bevorzugter Ausführungsbeispiele
beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art
und Weise modifizierbar.
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Insbesondere
ist die Auswahl der Materialien der Füllungen und der Barriereschichten
nur beispielhaft und kann in vielerlei Art variiert werden.
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- 1
- Halbleitersubstrat
- 2
- Graben
- 2'
- unterer
Grabenabschnitt
- 2'-A
- unterer
Teilbereich des unteren Grabenabschnitts
- 2''
- mittlerer
Grabenabschnitt
- 2'''
- oberer
Grabenabschnitt
- 21
- Grabenwand
- 22
- erster
vertikaler Teilgraben
- 23
- zweiter
vertikaler Teilgraben
- 31
- selbstjustierte
Maske
- 32
- Hartmaske
- 41
- erster
Kragen
- 42
- zweiter
Kragen
- 51
- Kondensatordielektrikum
- 52
- zweite
Barriereschicht
- 52''
- erster
Teilbereich der zweiten Barriereschicht
- 52''
- zweiter
Teilbereich der zweiten Barriereschicht
- 53
- dritte
Barriereschicht
- 54
- vierte
Barriereschicht
- 55
- fünfte Barriereschicht
- 61
- erste
Füllung
- 62
- zweite
Füllung
- 63
- dritte
Füllung
- 64
- vierte
Füllung
- 7
- Kontaktierfüllung
- 17
- Kontakt