DE1035824B

DE1035824B - Verwendung einer Siliconharzmischung fuer die Verbindung von flexiblen Glimmerschichtstoffen

Info

Publication number: DE1035824B
Application number: DEL26106A
Authority: DE
Inventors: Dr-Ing Paul Nowak; Dr Chem Franz Josef Bollig
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1956-10-29
Filing date: 1956-10-29
Publication date: 1958-08-07

Description

Verwendung einer Siliconharzmischung für die Verbindung von flexiblen Glimmerschichtstoffen Es ist bereits bekannt, für die Isolation von elektrischen Leitern glimmerhaltige Schichtstoffe, z. B. Glimmer selbst bzw. Glimmerfolium, mit Siliconharzklebmitteln zu verwenden. Man ist seit langem bestrebt, eine Siliconharzschichtisolation nach Art des Glimmerfoliums mit einer Siliconharzisolation anzuwenden, die sich im Bügelverfahren auf den Leiter so aufbringen läßt, wie es bisher mit dem üblichen Schellack-Glimmerfolium möglich war. Für die Herstellung solcher für das an sich bekannte Bügelverfahren geeigneter Schichtmaterialien sind besondere Anforderungen an das Klebmittel zu stellen. Es kommt darauf an, daß das Klebmittel bei der Herstellung des Schichtstoffes bei niedrigen Temperaturen rasch trocknet und bei normaler Temperatur klebfrei ist, so daß das aufgerollte Schichtmaterial, das für ein späteres Umwickeln der Leiter verwendet werden soll, nicht zusammenklebt. Ferner ist es erforderlich, daß das Material nach dem Umwickeln der Leiter, wenn es zur Isolation verarbeitet wird, bei Einwirkung hoher Temperaturen, besonders nach dem Wickelverfahren, so ausreichend fließfähig ist, daß sämtliche beim Wickeln entstehenden Hohlräume ausgefüllt werden und ein fester Verbund auf dem Leiter entsteht.
Es ist bis jetzt noch nicht gelungen, ein allen diesen Anforderungen entsprechendes Siliconharzisolationsmaterial herzustellen.
So existiert bereits ein Glimmerschichtmaterial zur Isolation, das nach kurzer Trocknung bei niedrigen Temperaturen klebfrei, aber bei hohen Temperaturen nicht mehr genügend fließfähig ist, um einen genügenden Verbund zu erzielen. Andererseits ist ein Klebmittel auf Siliconharzbasis bekannt, das bei der Verarbeitung zu einem Schichtstoff außerordentlich hohe Trocknungstemperaturen und lange Zeiten benötigt, etwa 220 bis 250° C bei 20 bis 30 Minuten. Die bekannten Klebmittel auf Basis von Siliconkautschuk in Kombination mit einem Siliconharzmischpolymerisat sind für den angegebenen Zweck nicht geeignet, da mit diesen kein starres, gegen Druckverformung formbeständiges Produkt hergestellt werden kann.
Die ungünstig hohen Trockentemperaturen mit verhältnismäßig langen Zeiten sind dadurch bedingt, das den hochpolymeren Siliconharzen zur Härtung nur langsam wirkende Metallverbindungen als Härter zugesetzt werden, damit vor der Aushärtung noch ein fließfähiger Zustand des Harzes erreicht werden kann. Bei Zugabe schnell wirkender Härter zu den hochpoly meren Siliconharzen wird kein ausreichend fließfähiger Zustand des Harzes erreicht.
Es wurde nun gefunden, daß man ein Klebmittel für Glimmerschichtstoffe verwenden kann, das außerordentlich kurze Trockenzeiten bei niedrigen Temperatur beansprucht, jedoch bei erhöhter Temperatur vor dem Aushärten genügend fließfähig wird, so daß die nach dem Bügelverfahren aufgewickelte Isolation einen festen und hohlraumfreien Verbund auf dem Leiter ergibt.
Erfindungsgemäß findet hierfür eine Siliconharzmischung Verwendung, die aus hochpolymeren Polysiloxanen mit einem Verhältnis von R : Si < 1,9, wobei R =Alkyl- und/oder Arylgruppen darstellen, in Kombination mit niederpolymeren Siliconharzen, die noch aktiven Wasserstoff in Mengen von 0,1 bis 0,3% enthalten, unter Zusatz von Härtern aus den bekannten organischen Metallverbindungen, wie Kobaltnaphthenat, in Kombination mit monomeren und/oder polymeren Titansäureestern besteht.
Mit den Klebmitteln nach der Erfindung gelingt es, Schichtstoffe, insbesondere Glimmerschichtstoffe, herzustellen, die innerhalb von etwa 10 Minuten bei etwa 140 bis 180° C klebfrei auftrocknen und die bei Wärmeeinwirkung, insbesondere nach dem Umwickeln der zu isolierenden Leiter nach dem Bügelverfahren vor dem Aushärten bei etwa 160 bis 250° C noch fließfähig sind, so daß die Hohlräume zwischen den Leitern mit Harz ausgefüllt sind und die Isolation zu einem festen Verbund auf dem Leiter führt.
Als Klebmittel nach der Erfindung kann beispielsweise ein Siliconharz folgender Zusammensetzung Anwendung finden 50' Teile hochpolymeres Siliconharz mit einem Verhältnis der Methyl- zu den Phenylgruppen von 0,6-1 bis 0,75 : 1 und einem Verhältnis der di- zu den trifunktionellen Gruppen von 50 : 50 bis 40 : 60, wobei die Viskosität einer 75%igen Harzlösung in Toluol zwischen 100 bis 500 cSt liegt. 50 Teile niederpolymeres Siliconharz im gleichen Verhältnis der Methyl- zu den Phenylgruppen wie das vorgenannte Harz, bei dem das Verhältnis der di- zu den trifunktionellen Gruppen von 45 : 55 bis 30 : 70 beträgt, mit einem aktiven Wasserstoffgehalt von 0,1 bis 0,3°/o, wobei die Siliconharzmischung mit den üblichen Lösungsmitteln zu einer 40 bis 50o/oigen Harzlösung hergestellt wird unter Zusatz von 1% Kobaltnaphthenat, bezogen auf den Harzgehalt, und 0,5% Titansäureester (Butyltitanat) als 43o/oige Lösung in Acetessigester.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: 1. Verwendung einer Siliconharzmischung für die Verbindung von flexiblen Glimmerschichtstoffen, die aus hochpolymeren Polysiloxanen mit einem Verhältnis von R : Si G 1,9, wobei R = Al -kyl- und/oder Arylgruppen darstellen, in Kombination mit niederpolymeren Siliconharzen, die noch aktiven Wasserstoff in Mengen von 0,1 bis 0,3°/o enthalten, unter Zusatz von Härtern aus den bekannten organischen Metallverbindungen, wie Kobaltnaphthenat, in Kombination mit monomeren und/oder polymeren Titansäureestern besteht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein hochpolymeres Siliconharz mit einem Verhältnis der Methyl- zu den I'henylgruppen von 0,64 bis 0,75 : 1 und einem Verhältnis der di- zu den trifunktionellen Gruppen von 50 : 50 bis 40 : 60 Verwendung findet. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 878 689, 935 690, 942 225; deutsche Auslegeschriften D 15352IVa/22i (bekanntgemacht am 6. 10. 1955), W 18169 I V a / 22 i (bekanntgemacht am 24. 5. 1956) ; USA.-Patentschrift Nr. 2 442 196; britische Patentschrift Nr. 740 573; französische Patentschriften Nr. 1082 939, 1086 529; Zeitschrift »Angewandte Chemie«, 1954, S. 41, 42.