DE10237489A1 - Photoreaktive Harzzusammensetzung und Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte und eines keramischen Vielschichtsubstrats unter Verwendung der Harzzusammensetzung - Google Patents

Photoreaktive Harzzusammensetzung und Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte und eines keramischen Vielschichtsubstrats unter Verwendung der Harzzusammensetzung

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Masahiro Kubota
Michiaki Iha
Shizuharu Watanabe
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

Es werden eine photoreaktive Harzzusammensetzung mit hoher Empfindlichkeit, die wenig Gelieren verursacht, sowie Verfahren für das Herstellen einer Leiterplatte und eines keramischen Vielschichtsubstrats mit einem hochauflösenden Leiterbild und Kontaktlöchern durch einen Photolithographieprozess mit Hilfe der photoreaktiven Harzzusammensetzung beschrieben. Die photoreaktive Harzzusammensetzung enthält ein anorganisches Pulver, welches ein polyvalentes Metallpulver und/oder ein polyvalentes Metalloxidpulver enthält, ein alkalilösliches erstes Polymer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung, ein Monomer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung, einen Photoreaktionsinitiator, ein organisches Lösungsmittel und ein zweites Polymer mit einem Pyrrolidonring in einer Seitenkette.

Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine für das Ausbilden verschiedener Leiterbilder auf einer Fläche eines Substrats oder in dem Substrat verwendete photoreaktive Harzzusammensetzung sowie Verfahren für das Herstellen einer Leiterplatte und eines keramischen Vielschichtsubstrats unter Verwendung der photoreaktiven Harzzusammensetzung.
  • 2. Beschreibung des Stands der Technik
  • In den letzten Jahren wurde von Hochfrequenz-Elektronikteilen, die für Mobiltelekommunikationsgeräte, Satellitenempfänger, Computer und dergleichen verwendet werden, nachdrücklich eine kleine Größe und hohe Leistung gefordert. Leiterbilder von Hochfrequenz-Elektronikteilen müssen ebenfalls einer höheren Dichte und Signalen höherer Geschwindigkeiten gerecht werden. Um eine höhere Dichte und Signale höherer Geschwindigkeiten zu verwirklichen, ist es erforderlich, Leiterbilder fein und dick zu gestalten und Kontaktlöcher fein zu gestalten.
  • Bei einem Hochfrequenz-Elektronikteil werden Leiterbilder und Kontaktlöcher herkömmlicherweise durch ein Siebdruckverfahren ausgebildet. So wird ein Leiterbild durch Drucken einer Leiterpaste, welche durch Mischen eines leitenden Metallpulvers und eines ein organisches Bindemittel und ein organisches Lösungsmittel umfassenden organischen Trägermediums gebildet wird, durch eine vorbestimmte Siebdruckmaske und dann Härten der aufgebrachten Paste ausgebildet. Ein Kontaktloch wird durch Drucken einer Isolierpaste, die durch Mischen eines isolierenden anorganischen Pulvers, wie Glas oder dergleichen, und eines organischen Trägermediums gebildet wird, durch eine vorbestimmte Siebdruckmaske, Füllen eines für ein Kontaktloch ausgebildeten Lochs mit Leiterpaste und dann Härten der Paste gebildet.
  • Der oben beschriebene Siebdruckvorgang ist jedoch mit dem Problem behaftet, dass ein Verfeinern von Leiterbildern und Kontaktlöchern aufgrund Verwischen und Dünnerwerden nicht hinreichend verwirklicht werden kann. Insbesondere beim Ausbilden eines Leiterbilds mittels des Siebdruckverfahrens fällt der Rand des Leiterbilds aufgrund von Durchhängen während des Einebnens dünner als der mittlere Teils des Leiterbilds aus. Bei einer Hochfrequenz ist der sogenannte Randeffekt des Konzentrierens eines Stroms am Rand des Leiterbilds wichtig und dadurch weist der verdünnte Rand des Leiterbilds das Problem auf, dass Nachteile beim Beschleunigen von Signalen bei Hochfrequenz verursacht werden.
  • Daher wird in der ungeprüften japanischen Patentanmeldungsschrift Nr. 1-296534 ein Photolithographieverfahren unter Verwendung einer photoreaktiven Harzzusammensetzung vorgeschlagen. Dieser Prozess umfasst das Aufbringen einer photoreaktiven Harzzusammensetzung, welche ein anorganisches Pulver (ein leitendes Metallpulver für das Ausbilden von Leiterbildern oder ein Glaspulver für das Ausbilden einer Isolierschicht mit Kontaktlochlöchern) und einen photoreaktiven organischen Bestandteil, welcher ein Polymer, ein Monomer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung und einen Photoreaktionsinitiator umfasst, enthält, auf ein Substrat; das Bilden einer Maske in Kontakt mit dem aufgebrachten Film nach dem Trocknen; das Strukturieren des Films durch Belichten und Entwickeln mit einem alkalischen Entwickler; und dann das Durchbrennen des strukturierten Films, um ein Leiterbild in einer vorbestimmten Form oder eine Isolierschicht mit Kontaktlochlöchern zu bilden.
  • Dieses Verfahren verwendet den Photolithographieprozess und kann somit verglichen mit dem Siebdruckprozess feine und dicke Leiterbilder sowie eine Isolierschicht mit feinen Kontaktlöchern bilden. Dieses Verfahren kann auch ein Leiterbild mit einem mittleren Teil und einem Randteil ausbilden, welche im Wesentlichen die gleiche Dicke aufweisen. Daher kann dieses Verfahren verglichen mit dem Siebdruckprozess Leiterbilder und Kontaktlöcher verwirklichen, die bei der Erhöhung der Dichte und Signalgeschwindigkeit bei Hochfrequenz vorteilhaft sind.
  • Die photoreaktive Harzzusammensetzung weist jedoch eine geringe Belichtungsempfindlichkeit auf und hat somit das Problem einer geringen Auflösung der Leiterbildausbildung.
  • Daher schlägt die ungeprüfte japanische Patentanmeldungsschrift Nr. 2000-204130 ein Verfahren des Verwendens eines ethylenisch ungesättigten, alkalilöslichen Polymers vor. Dieses Verfahren kann die Belichtungsempfindlichkeit einer photoreaktiven Harzzusammensetzung steigern, wodurch ein hochauflösendes Leiterbild erhalten wird.
  • Wenn jedoch ein anorganisches Pulver, das ein polyvalentes Metallpulver aus Kupfer oder dergleichen oder ein polyvalentes Metalloxidpulver aus Boroxid oder dergleichen enthält, für eine photoreaktive Harzzusammensetzung verwendet wird, welche ein alkalilösliches Polymer umfasst, das eine ethylenisch ungesättigte Doppelbindung enthält, kommt es zu dem Problem des Gelierens der photoreaktiven Harzzusammensetzung.
  • Als Mittel für das Verhindern eines Gelierens der photoreaktiven Harzzusammensetzung offenbart die ungeprüfte japanische Patentanmeldungsschrift Nr. 3-205462, dass Benzotriazol oder dergleichen als Stabilisator hinzugegeben wird. Dieses Mittei kann das Gelieren aus folgendem Grund nicht hinreichend verhindern.
  • Die photoreaktive Harzzusammensetzung hat im Grund die Eigenschaft, dass sie aufgrund der Reaktion von sauren funktionellen Gruppen (Carboxylgruppen und dergleichen) in dem alkalilöslichen Polymer mit einem polyvalenten Metallhydroxid an den Oberflächen des anorganischen Pulvers, welches das polyvalente Metallpulver oder das polyvalente Metalloxidpulver enthält, mühelos geliert wird. Der Stabilisator, zum Beispiel Benzotriazol, kann jedoch die Reaktion der sauren funktionellen Gruppen mit dem polyvalenten Metallhydroxid verlangsamen. Wenn dem alkalilöslichen Polymer die ethylenisch ungesättigte Doppelbindung hinzugegeben wird, um die Empfindlichkeit der photoreaktiven Harzzusammensetzung zu verbessern, wirkt die ethylenisch ungesättigte Doppelbindung so auf das polyvalente Metallhydroxid, dass die Reaktion der sauren funktionellen Gruppen in dem alkalilöslichen Polymer mit dem polyvalenten Metallhydroxid beschleunigt wird. Somit kann der Stabilisator die Reaktion der sauren funktionellen Gruppen in dem alkalilöslichen Polymer mit dem polyvalenten Metallhydroxid nicht verlangsamen, wodurch es nicht gelingt, das Gelieren zu verhindern.
  • Das Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung erschwert das Beschichten und destabilisiert den Entwicklungsvorgang, selbst wenn Beschichten möglich ist.
    • ZUSAMMENFASSENDE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Demgemäss besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine photoreaktive Harzzusammensetzung, welche eine hohe Belichtungsempfindlichkeit aufweist und kein Gelieren verursacht, zur Hand zu geben. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, Verfahren für das Herstellen einer Leiterplatte und eines keramischen Vielschichtsubstrats, die jeweils durch den Photolithographieprozess unter Verwendung der photoreaktiven Harzzusammensetzung gebildete Leiterbilder und Kontaktlöcher aufweisen, zur Hand zu geben.
  • Infolge intensiver Forschung zur Lösung des obigen Problems haben die Erfinder festgestellt, dass durch Hinzugeben einer vorbestimmten Menge Polymer mit einem Pyrrolidonring in einer Seitenkette zu einer photoreaktiven Harzzusammensetzung, welche ein alkalilösliches Polymer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung umfasst, ein Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung effektiv verhindert werden kann, während eine hohe Empfindlichkeit gewahrt bleibt.
  • So betrifft die vorliegende Erfindung eine photoreaktive Harzzusammensetzung, welche (a) ein anorganisches Pulver, das ein polyvalentes Metallpulver und/oder ein polyvalentes Metalloxidpulver enthält, (b) ein alkalilösliches erstes Polymer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung, (c) ein Monomer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung, (d) einen Photoreaktionsinitiator, (e) ein organisches Lösungsmittel und (f) ein zweites Polymer mit einem Pyrrolidonring in einer Seitenkette umfasst.
  • Insbesondere enthält die photoreaktive Harzzusammensetzung der vorliegenden Erfindung das zweite Polymer mit einem Pyrrolidonring in einer Seitenkette, und die Reaktion der sauren funktionellen Gruppen in dem alkalilöslichen ersten Polymer mit dem polyvalenten Metallhydroxid an den Oberflächen des anorganischen Pulvers, das das polyvalente Metallpulver und/oder das polyvalente Metalloxidpulver enthält, kann wesentlich verlangsamt werden, selbst wenn das erste Polymer die ethylenisch ungesättigte Doppelbindung aufweist, wodurch ein Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung verhindert wird.
  • Der Grund hierfür ist, dass ein durch die Reaktion des einen Pyrrolidonring in einer Seitenkette aufweisenden zweiten Polymers mit dem polyvalenten Metallhydroxid erzeugtes Mikro-Gel eine sterische Hinderung verursacht, so dass die Wirkung der ethylenisch ungesättigten Doppelbindung in dem alkalilöslichen ersten Polymer an dem polyvalenten Metallhydroxid gehemmt wird, was die Reaktion der sauren funktionellen Gruppen des ersten Polymers mit dem polyvalenten Metallhydroxid wesentlich verlangsamt.
  • Bei der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung kann das in dem anorganischen Pulver enthaltene polyvalente Metallpulver ein Kupferpulver sein und das Kupferpulver wird vorzugsweise mit einem Kupferoxid beschichtet. In diesem Fall liegt der Sauerstoffgehalt des Kupferpulvers vorzugsweise bei 0,4 bis 1,2 Masseprozent.
  • Bei der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung ist das zweite Polymer vorzugsweise ein Copolymer aus Vinylpyrrolidon und einem Monomer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung. Alternativ kann das zweite Polymer ein Homopolymer sein. In diesem Fall ist das zweite Polymer vorzugsweise Polyvinylpyrrolidon.
  • Bei der photoreaktiven Harzzusammensetzung der vorliegenden Erfindung liegt der charakteristische Viskositätswert nach Fikentscher des zweiten Polymers vorzugsweise bei 15 bis 60.
  • In der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung liegt der Anteil des zweiten Polymers vorzugsweise bei 0,1 bis 5 Masseteile beruhend auf 100 Masseteilen des in dem anorganischen Pulvers enthaltenen polyvalenten Metallpulvers oder bei 0,01 bis 1 Masseteil beruhend auf 100 Masseteilen des in dem anorganischen Pulver enthaltenen polyvalenten Metalloxidpulvers.
  • Bei der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung enthält das organische Lösungsmittel vorzugsweise eine Diolverbindung mit zwei Hydroxylgruppen pro Molekül.
  • Der Anteil des organischen Lösungsmittels beträgt vorzugsweise das zehn- bis fünfzigfache des Gewichts des zweiten Polymers.
  • Die erfindungsgemäße photoreaktive Harzzusammensetzung enthält vorzugsweise weiterhin einen Polyalkohol mit vier oder mehr Hydroxylgruppen pro Molekül.
  • Die vorliegende Erfindung gibt auch ein Verfahren für das Herstellen einer Leiterplatte zur Hand, welches die Schritte des Aufbringens der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung auf ein Substrat, das Belichten und Entwickeln der photoreaktiven Harzzusammensetzung zum Ausbilden eines vorbestimmten Leiterbilds auf dem Substrat und das Härten des Leiterbilds umfasst.
  • Die vorliegende Erfindung sieht weiterhin auch ein Verfahren für das Herstellen einer Leiterplatte vor, welches die Schritte des Aufbringens der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung auf einem Tragelement, das Belichten und Entwickeln der photoreaktiven Harzzusammensetzung zum Ausbilden eines vorbestimmten Leiterbilds auf dem Tragelement, das Übertragen des auf dem Tragelement ausgebildeten Leiterbilds auf ein Substrat und das Härten des Leiterbilds umfasst.
  • Weiterhin gibt die vorliegende Erfindung ein Verfahren für das Herstellen eines keramischen Vielschichtsubstrats zur Hand, welches die Schritte des Aufbringens der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung auf eine ungesinterte Keramikplatte, das Belichten und Entwickeln der photoreaktiven Harzzusammensetzung zum Ausbilden eines vorbestimmten Leiterbilds auf der ungesinterten Keramikplatte, das Laminieren mehrerer der ungesinterten Platten mit jeweils dem darauf ausgebildeten Leiterbild zum Bilden eines Laminats und das Härten des Laminats umfasst.
  • Weiterhin gibt die vorliegende Erfindung ein Verfahren für das Herstellen eines keramischen Vielschichtsubstrats zur Hand, welches die Schritte des Aufbringens der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung auf ein Tragelement, das Belichten und Entwickeln der photoreaktiven Harzzusammensetzung zum Ausbilden eines vorbestimmten Leiterbilds auf dem Tragelement, das Übertragen des auf dem Tragelement ausgebildeten Leiterbilds auf eine ungesinterte Keramikplatte, das Laminieren mehrerer der ungesinterten Keramikplatten mit jeweils dem darauf ausgebildeten Leiterbild zum Bilden eines Laminats und das Härten des Laminats umfasst.
    • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Fig. 1A bis 1E sind schematische Schnittansichten, welche ein Beispiel eines leiterbildausbildenden Verfahrens unter Verwendung einer erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung zeigen;
  • Fig. 2 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht, welche eine erfindungsgemäße Leiterplatte (Chip-Spule) zeigt, und
  • Fig. 3 ist eine schematische Schnittansicht, welche ein erfindungsgemäßes keramisches Vielschichtsubstrat zeigt.
    • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGEN
  • Nachstehend wird eine erfindungsgemäße photoreaktive Harzzusammensetzung eingehender beschrieben.
  • Die erfindungsgemäße photoreaktive Harzzusammensetzung enthält die folgenden Bestandteile:
    • a) ein anorganisches Pulver, welches ein polyvalentes Metallpulver und/oder ein polyvalentes Metalloxidpulver enthält;
    • b) ein alkalilösliches erstes Polymer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung;
    • c) ein Monomer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung;
    • d) einen Photoreaktionsinitiator;
    • e) ein organisches Lösungsmittel und
    • f) ein zweites Polymer mit einem Pyrrolidonring in einer Seitenkette.
  • Die photoreaktive Harzzusammensetzung kann weiterhin die folgenden Bestandteile enthalten:
    • a) einen Polyalkohol mit vier oder mehr Hydroxylgruppen pro Molekül;
  • (h) einen Ultraviolett-Absorber;
  • (i) ein Thixotropiermittel und
  • (j) ein Plastifizierungsmittel.
  • Die photoreaktive Harzzusammensetzung kann weiterhin ein Schaumdämpfungsmittel, ein Dispergiermittel, einen oberflächenaktiven Stoff, einen Polymerisationsinhibitor, ein Trennmittel, einen Stabilisator und dergleichen enthalten.
  • Jeder der Bestandteile wird nachstehend eingehend beschrieben.
    • (a) Anorganisches Pulver
  • Das in der vorliegenden Erfindung verwendete anorganische Pulver enthält ein polyvalentes Metallpulver und/oder ein polyvalentes Metalloxid pulver. Das polyvalente Metall ist ein Metall mit einer Valenz von 2 oder mehr beim Ionisieren.
    • A1: Polyvalentes Metallpulver
  • Wenn zum Beispiel einer Leiterbild wie ein Verdrahtungsmuster eines keramischen Vielschichtsubstrats, eine Elektrodenstruktur eines keramischen Elektronikteils oder dergleichen, durch Verwenden der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung gebildet wird, wird das polyvalente Metallpulver als anorganisches Pulver verwendet. Bei der Ausbildung eines solchen Leiterbilds kann ein leitendes Metallpulver aus Silber, Platin, Aluminium oder dergleichen dem polyvalenten Metallpulver zugegeben werden. Das nachstehend beschriebene polyvalente Metalloxidpulver kann ferner dem polyvalenten Metallpulver zugegeben werden, um die Adhäsion zwischen dem Leiterbild und dem Substrat nach dem Härten zu verbessern.
  • Das polyvalente Metallpulver umfasst vorzugsweise sphärische Partikel und weist einen durchschnittlichen Partikeldurchmesser D50 von 1 µm bis 5 µm sowie eine spezifische Oberfläche von 0,1 bis 2,0 m2/g auf. Mit dem durchschnittlichen Partikeldurchmesser und der spezifischen Oberfläche aus den obigen Bereichen wird es in manchen Fällen schwierig, ein Leiterbild auszubilden.
  • Als polyvalentes Metallpulver können Kupfer, Nickel, Palladium, Molybdän, Wolfram und dergleichen verwendet werden. Kupfer hat insbesondere die starke Funktion, das Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung zu verursachen. Die vorliegende Erfindung kann jedoch das Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung verhindern, selbst wenn ein Kupferpulver mit starker Geliereigenschaft verwendet wird. Daher kann die vorliegende Erfindung ein Leiterbild mit hoher Leitfähigkeit bei geringen Kosten ausbilden.
  • Das Problem des Kupferpulvers kann ferner durch Beschichten der Oberflächen des Kupferpulvers mit Kupferoxid gelöst werden. Das Verwenden des Kupferpulvers mit den mit einem Kupferoxid beschichteten Oberflächen kann so effektiv das Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung verhindern.
  • Verfahren für das Beschichten der Oberflächen des Kupferpulvers mit Kupferoxid beinhalten das Erwärmen des Kupferpulvers bei Raumtemperatur oder höher in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre. Dieses Verfahren kann den Zustand des Kupferoxids an den Oberflächen des Kupferpulvers mühelos steuern, um einen dichten Kupferoxidfilm auszubilden.
  • Beim Beschichten der Oberflächen des Kupferpulvers mit dem Kupferoxid beträgt der Sauerstoffgehalt des Kupferpulvers vorzugsweise 0,4 Masseprozent bis 1,2 Masseprozent. Bei einem Sauerstoffgehalt von weniger als 0,4 Masseprozent können die Oberflächen des Kupferpulvers nicht ausreichend mit dem Kupferoxid beschichtet werden und es wird keine hinreichende Wirkung der Verhinderung eines Gelierens erhalten. Bei einem Sauerstoffgehalt von über 1,2 Masseprozent dagegen wird das Kupferoxid brüchig und erreicht keine hinreichende Wirkung der Verhinderung eines Gelierens. Der Sauerstoffgehalt liegt bevorzugter bei 0,6 Masseprozent bis 1,0 Masseprozent.
    • A2: Polyvalentes Metalloxidpulver
  • Wenn ein Keramiksubstrat oder eine ungesinterte Keramikplatte mit einem Kontaktloch durch Verwenden der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung gebildet wird, wird ein polyvalentes Metalloxidpulver als anorganisches Pulver verwendet. Als polyvalentes Metalloxidpulver kann ein Glaspulver, ein Keramikpulver und dergleichen verwendet werden.
  • Beispiele für Glaspulver beinhalten Pulver aus dem System SiO2-PbO, System SiO2- ZnO, System SiO2-Bi2O3, System SiO2-K2O, System SiO2-Na2O, System SiO2-PbO- B2O3, System SiO2-ZnO-B2O3, System SiO2-Bi2O3-B2O3, System SiO2-K2O-B2O3 und Systemglas SiO2-Na2O-B2O3 und dergleichen.
  • Als Keramikpulver können bekannte Keramikpulver, wie kristalllisierte Glassystem-, Glasverbundsystem- und Nichtglassystempulver verwendet werden. Beispiele für solche Keramikpulver umfassen Oxidpulver mindestens eines polyvalenten Metalls, gewählt aus Al, Ba, Ti, Sr, Pb, Zr, Mn, Co, Ni, Fe, Y, Nb, La und Ru.
  • Das polyvalente Metalloxidpulver umfasst vorzugsweise sphärische Partikel und hat einen durchschnittlichen Partikeldurchmesser D50 von 0,1 µm bis 5,0 µm und eine spezifische Oberfläche von 1,0 bis 10,0 m2/g. Mit dem durchschnittlichen Partikeldurchmesser und der spezifischen Oberfläche aus den obigen Bereichen wird es manchmal schwierig, Kontaktlöcher auszubilden.
    • (b) Erstes Polymer
  • Das bei der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung verwendete erste Polymer ist ein alkalilösliches Binderpolymer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung.
  • Als erstes Polymer können verschiedene Harze, wie Celluloseharze, Acrylharze und dergleichen verwendet werden. Das erste Polymer umfasst insbesondere vorzugsweise ein Acrylcopolymer mit einer Carboxylgruppe in einer Seitenkette. Die Verwendung eines solchen Polymers kann die Entwicklung der photoreaktiven Harzzusammensetzung mit einem alkalischen oder wässrigen Entwickler erleichtern.
  • Das ein Acrylcopolymer mit einer Carboxylgruppe in einer Seitenkette umfassende Polymer kann zum Beispiel durch Copolymerisation einer ungesättigten Carbonsäure und einer ethylenisch ungesättigten Verbindung erzeugt werden. Beispiele für eine ungesättigte Carbonsäure umfassen Acrylsäure, Methacrylsäure, Maleinsäure, Fumarsäure, Vinylessigsäure und dergleichen. Die Anhydride derselben können ebenfalls verwendet werden. Beispiele für die ethylenisch ungesättigte Verbindung schließen Acrylester, wie zum Beispiel Methylacrylat, Ethylacrylat und dergleichen, Methacrylester, wie zum Beispiel Methylmethacrylat, Ethylmethacrylat und dergleichen, sowie Fumarester, wie zum Beispiel Monoethylfumarat und dergleichen ein.
  • Die folgenden Verfahren können als Verfahren für die Zugabe der ethylenisch ungesättigten Doppelbindung zu dem Acrylcopolymer mit einer Carboxylgruppe in einer Seitenkette verwendet werden.
  • Das Verfahren des Zugebens eines Acrylmonomers mit einer funktionellen Gruppe, zum Beispiel einer Epoxidharzgruppe oder dergleichen, die mit der Carboxylgruppe in einer Seitenkette des Acrylcopolymers reagierbar ist.
  • Das Verfahren des Reagierens einer ungesättigten Monocarbonsäure mit einem Acrylcopolymer, in welches eine Epoxidharzgruppe an Stelle der Carboxylgruppe in einer Seitenkette eingebracht wird, und weiterhin das Einbringen eines gesättigten oder ungesättigten polyvalenten Carboxylanhydrids.
  • Das Acrylcopolymer mit einer Carboxylgruppe in einer Seitenkette weist vorzugsweise einen Mittelwert der relativen Molekülmasse (Mw) von 50 000 oder weniger und eine Säurezahl von 50 bis 150 auf. Über diese Bereiche hinaus wird es schwierig, ein Leiterbild auszubilden.
    • (c) Monomer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung
  • Das in der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung verwendete Monomer ist ein photoaushärtendes Monomer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung.
  • Beispiele für das Monomer umfassen Hexandioltriacrylat, Tripropylenglykoltriacrylat, Trimethylolpropantriacrylat, Stearylacrylat, Tetrahydrofurfurylacrylat, Laurylacrylat, 2- Phenoxyethylacrylat, Isodecylacrylat, Isooctylacrylat, Tridecylacrylat, Caprolactonacrylat, ethoxyliertes Nonylphenolacrylat, 1,3-Butandioldiacrylat, 1,4- Butandioldiacrylat, Diethylenglykoldiacrylat, Tetraethylenglykoldiacrylat, Triethylenglykoldiacrylat, ethoxyliertes Bisphenol-A-diacrylat, propoxyliertes Neopentylglykoldiacrylat, Tris(2-hydroxyethyl)isocyanurattriacrylat, ethoxyliertes Trimethylolpropantriacrylat, Pentaerythritoltriacrylat, propoxyliertes Trimethylolpropantriacrylat, propoxyliertes Glyceryltriacrylat, Pentaerythritoltetraacrylat, Ditrimethylolpropantetraacrylat, Dipentaerythritolhydroxypentaacrylat, ethoxyliertes Pentaerythritoltetraacrylat, Tetrahydrofufurylmethacrylat, Cyclohexylmethacrylat, Isodecylmethacrylat, Laurylmethacrylat, Triethylenglykoldimethacrylat, Ethylenglykoldimethacrylat, Tetraethylenglykoldimethacrylat, 1,4-Butandioldimethacrylat, Diethylenglykoldimethacrylat, 1,6-Hexandioldemethacrylat, Neopentylglykoldimethacrylat, 1,3-Butylenglykoldimethacrylat, ethoxyliertes Bisphenol-A-Dimethacrylat, Trimethylolpropantrimethacrylat und dergleichen.
    • (d) Photoreaktionsinitiator
  • Beispiele für den in der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung verwendeten Photoreaktionsinitiator umfassen Benzoin, Benzoinethylether, Benzoinisobutylether, Benzoinisopropylether, Benzophenon, Benzoylbenzoesäure, Methylbenzoylbenzoat, 4-Benzoyl-4'methyldiphenylsulfid, Benzyldimethylketal,2-n- butoxy-4-dimethylaminobenzoat, 2-Chlorothioxanthon, 2,4-Diethylthioxanthon, 2,4- Diisopropylthioxathon, Isopropylthioxanthon, 2-Dimethylaminoethylbenzoat, Ethyl-pdimethylaminobenzoat, Isoamyl-pdimethylaminobenzoat, 3,3'-Dimethyl-4- methoxybenzophenon, 2,4-Dimethylthioxanthon, 1-(4-Dodecylphenyl)-2-hydroxy-2- methylpropan-1-on, 2,2'-Dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-on, Hydroxycyclohexylphenylketon, 2-Hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-on, 1-[4-(2- Hydroxyethoxy)-phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-on, 2-Methyl-1-[4- (methylthio)phenyl]-2-morpholinpropan-1-on, Methylbenzoylformat, 1-Phenyl-1,2- propanedion-2-(o-ethoxycarbonyl)oxim, 2-Benzyl-2-dimethylamino1-(4- morpholinphenyl)-1-butanon, Bis(2,6,-dimethoxybenzoyl)-2,4,4- trimethylpentylphosphinoxid, Bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphinoxid und dergleichen.
    • (e) Organisches Lösungsmittel
  • Als für die erfindungsgemäße photoreaktive Harzzusammensetzung verwendetes organisches Lösungsmittel können Alkohole, wie zum Beispiel Dipropylenglykolmonomethylether und dergleichen, sowie Alkoholacetate, wie Ethylcarbitolacetat und dergleichen, verwendet werden.
  • Der Siedepunkt des organischen Lösungsmittels liegt vorzugsweise bei 170°C bis 300°C. Bei einem Siedepunkt von unter 170°C verdunstet das organische Lösungsmittel während des Aufbringens der photoreaktiven Harzzusammensetzung auf das Substrat, so dass in manchen Fällen die Viskosität der photoreaktiven Harzzusammensetzung geändert wird. Bei einem Siedepunkt von über 300°C verdunstet das organische Lösungsmittel während des Trocknens der photoreaktiven Harzzusammensetzung weniger.
  • Das organische Lösungsmittel enthält vorzugsweise eine Diolverbindung mit zwei Hydroxylgruppen pro Molekül. Daher kann die Diolverbindung das Wachstum des durch die Reaktion des zweiten Polymers mit dem polyvalenten Metallhydroxid erzeugten Mikro-Gels verhindern und kann weiterhin das Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung verhindern.
  • Beispiele für die Diolverbindung umfassen Ethylenglykol, Propylenglykol, Trimethylenglykol, Butylenglykol, Tetramethylenglykol, Pentamethylenglykol, Butendiol, Hexamethylenglykol, Heptandiol, Octandiol, Nonandiol, Decandiol, Diethylenglykol, Dipropylenglykol, Triethylenglykol, Tripropylenglykol und dergleichen.
  • Der Anteil des organischen Lösungsmittels beträgt gewichtsmäßig vorzugsweise das 10- bis 50fache des Gewichts des zweiten Polymers. Bei einem Lösungsmittelanteil von unter dem 10-fachen des Gewichts nimmt das durch die Reaktion des zweiten Polymers mit dem polyvalenten Metallhydroxid erzeugte Mikro-Gel in der Größe zu und somit geliert die photoreaktive Harzzusammensetzung in manchen Fällen. Bei einem Lösungsmittelanteil von über dem 50-fachen des Gewichts nimmt dagegen die Viskosität der photoreaktiven Harzzusammensetzung signifikant ab, so dass in manchen Fällen ein gleichmäßiges Auftragen der photoreaktiven Harzzusammensetzung auf dem Substrat fehlschlägt.
    • (f) Zweites Polymer
  • Das in der vorliegenden Erfindung verwendete zweite Polymer weist einen Pyrrolidonring in einer Seitenkette auf. Beispiele für ein solches Polymer umfassen ein Copolymer eines Monomers mit einem Pyrrolidonring in einer Seitenkette und ein Monomer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung und dergleichen.
  • Als Monomer mit einem Pyrrolidonring in einer Seitenkette können Vinylpyrrolidon, Allylpyrrolidon, Butenylpyrrolidon und dergleichen verwendet werden. Von diesen Monomeren weist Vinylpyrrolidon eine kurze funktionelle Gruppe auf, die an dem Pyrrolidonring gebunden ist, und somit enthält das zweite Polymer den Pyrrolidonring bei einer hohen relativen Dichte. Daher kann die Verwendung von Vinylpyrrolidon als Monomer mit einem Pyrrolidonring in einer Seitenkette das Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung effektiv verhindern.
  • Als Monomer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung können die gleichen oben für das erste Polymer beschriebenen Monomere verwendet werden. Bei dem zweiten Polymer hat das Monomer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung jedoch vorzugsweise keine saure funktionelle Gruppe. Beispiele der sauren funktionellen Gruppen umfassen eine Carboxylgruppe, eine Hydroxylgruppe, eine Sulfonsäuregruppe, eine Acrylgruppe und dergleichen. Durch Verwenden des Monomers mit einer solchen sauren funktionellen Gruppe nimmt das durch die Reaktion des zweiten Polymers mit dem polyvalenten Metallhydroxid erzeugte Mikro- Gel übermäßig an Größe zu, was in manchen Fällen ein Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung verursacht.
  • Wird Vinylpyrrolidon sowohl als Monomer mit einem Pyrrolidonring in einer Seitenkette als auch als Monomer mit der ethylenisch ungesättigten Doppelbindung gewählt, ist das zweite Polymer das Homopolymer Polyvinylpyrrolidon. Durch Verwenden des Polyvinylpyrrolidons als zweites Polymer wird die in dem zweiten Polymer enthaltene relative Dichte des Pyrrolidonrings erhöht, so dass die Reaktion des zweiten Polymers mit dem polyvalenten Metallhydroxid erleichtert wird, wodurch das Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung effektiv verhindert werden kann.
  • Wird nicht Vinylpyrrolidon als Monomer mit der ethylenisch ungesättigten Doppelbindung in dem zweiten Polymer gewählt, beträgt das Verhältnis des Monomers mit der ethylenisch ungesättigten Doppelbindung in dem zweiten Polymer vorzugsweise 90 Molprozent oder weniger. Bei einem Monomerverhältnis von über 90 Molprozent läuft die Reaktion des zweiten Polymers mit dem polyvalenten Metallhydroxid geringfügig ab, so dass in manchen Fällen Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung verursacht wird.
  • Der charakteristische Viskositätswert nach Fikentscher des zweiten Polymers liegt vorzugsweise bei 15 bis 60. Der charakteristische Viskositätswert nach Fikentscher (nachstehend kurz als "charakteristischer F-Wert" bezeichnet) wird durch die folgende Gleichung ermittelt:
    F = (1,5log ηrel-1)/(0,15 + 0,003c) + (300c.log ηrel + (c + 1,5c.log ηrel)2)1/2/(0,15c + 0,003c2).
  • In der Gleichung steht ηrel für die relative Viskosität einer wässrigen Lösung des zweiten Polymers zu Wasser, welche durch ein Kapillarviskosimeter bei 25°C gemessen wird, und c steht für die Konzentration (%) des zweiten Polymers in der wässrigen Lösung des zweiten Polymers.
  • Bei einem charakteristischen F-Wert von unter 15 nimmt das durch die Reaktion des zweiten Polymers mit dem polyvalenten Metallhydroxid erzeugte Mikro-Gel an Größe ab, was die Funktion der Verhinderung der Reaktion der sauren funktionellen Gruppe des ersten Polymers mit dem polyvalenten Metallhydroxid abschwächt, wodurch ein Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung verursacht wird. Bei einem charakteristischen F-Wert von über 60 dagegen nimmt das Mikro-Gel übermäßig an Größe zu, was Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung verursacht.
  • Der Anteil des zweiten Polymers beträgt vorzugsweise 0,1 bis 5 Masseteile beruhend auf 100 Masseteilen des in dem anorganischen Pulver enthaltenen polyvalenten Metallpulvers. Bei einem Anteil von weniger als 0,1 Masseteilen nimmt das durch die Reaktion des zweiten Polymers mit dem polyvalenten Metallhydroxid erzeugte Mikro- Gel mengenmäßig ab, was in manchen Fällen Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung verursacht. Bei einem Anteil von über 5 Masseteilen nimmt das Mikro-Gel mengenmäßig zu, was in manchen Fällen Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung verursacht.
  • Ferner liegt der Anteil des zweiten Polymers vorzugsweise bei 0,01 bis 1 Masseteil beruhend auf 100 Masseteilen des in dem anorganischen Pulver enthaltenen polyvalenten Metalloxidpulvers. Bei einem Anteil von weniger als 0,1 Masseteilen nimmt das durch die Reaktion des zweiten Polymers mit dem polyvalenten Metallhydroxid erzeugte Mikro-Gel mengenmäßig ab, was in manchen Fällen Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung verursacht. Bei einem Anteil von über 1 Masseteil dagegen nimmt das Mikro-Gel mengenmäßig zu, was in manchen Fällen Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung verursacht.
    • (g) Polyalkohol
  • Der Polyalkohol weist vorzugsweise vier oder mehr Hydroxylgruppen pro Molekül auf. Das Zugeben eines solchen Polyalkohols kann die Bildung des Mikro-Gels aufgrund der Reaktion des zweiten Polymers mit dem polyvalenten Metallhydroxid beschleunigen, wodurch weiterhin das Gelieren der photoreaktiven Harzzusammensetzung verhindert wird.
  • Beispiele des Polyalkohols umfassen Threitol, Erythritol, Arabitol, Xylitol, Ribitol, Adonitol, Glucitol, Mannitol, Iditol, Talitol, Galactitol, Allitol, Perseitol, Volemitol und dergleichen.
    • (h) Ultraviolett-Absorber
  • Durch Zugeben des Ultraviolett-Absorbers zu der photoreaktiven Harzzusammensetzung kann das Absorptionsvermögen von Belichtungslicht verbessert werden und Belichtungsfehler aufgrund Lichtstreuung unterdrückt werden. Als Ultraviolett-Absorber können ein Azorotpigment, ein Aminrotfarbstoff und dergleichen verwendet werden.
    • (i) Thixotropiermittel
  • Ein als "verdickendes, läuferverhinderndes, absetzverhinderndes Mittel" oder "läuferverhinderndes, absetzverhinderndes Mittel" oder "pigmentbenetzendes, dispergierendes, absetzverhinderndes Mittel" bezeichnetes Mittel kann als Thixotropiemittel verwendet werden. Als "verdickendes, läuferverhinderndes, absetzverhinderndes Mittel" kann ein pflanzliches polymerisiertes Ölsystem, ein polyetheresterartiges Tensid, ein hydriertes Kastorölsystem, ein Gemisch aus einem hydrierten Kastorölsystem und einem Amidsystem, ein Fettsäurenamidwachssystem und dergleichen verwendet werden. Als "läuferverhinderndes, absetzverhinderndes Mittel" kann ein spezifisches Fettsäuresystem, ein schwefelesterartiges anionisches Tensid, ein Polyethylenoxidsystem, ein Gemisch aus einem Polyethylenoxidsystem und einem Amidsystem und dergleichen verwendet werden. Als "pigmentbenetzendes, dispergierendes, absetzverhinderndes Mittel" kann eine fettsäureartige polyvalente Carbonsäure, ein polymeres Polyesteraminsalz, ein polyetheresterartiges anionisches Tensid, ein langkettiges Aminsalz von Polycarbonsäure mit hohem Molekulargewicht, ein Salz eines langkettigen Polyaminoamids und polymeren Säurepolyesters, ein Salz einer langkettigen Polyaminamid- und Phosphorsäure, ein spezifisches modifiziertes Polyamidsystem, ein phosphatartiges Tensid, ein Amidoaminsalz eines polymeren Säurepolyesters und dergleichen verwendet werden.
  • Andere Beispiele für das Thixotropiermittel schließen feine Pulver aus Hydroxylethylcellulose, Methylcellulose, Carboxymethylcellulose, Natriumalginat, Casein, Natriumcaseinat, Xanthan, polyetherurethanmodifizierte Erzeugnisse, Polyacrylester, Polymethacrylester, Montmorillonit, Aluminiumstearat, Zinkstearat, Aluminiumoctylat, Dextrinfettsäureester, Benzylidensorbitol, polymerisiertes Pflanzenöl, oberflächenbehandeltes Calciumcarbonat, organisches Bentonit, Siliciumdioxid, Titaniumdioxid, Zirkoniumdioxid, Aluminiumoxid und dergleichen ein.
    • (j) Plastifizierungsmittel
  • Beispiele für das Plastifizierungsmittel umfassen normale Alkylphthalate, wie zum Beispiel Dimethylphthalat, Di-n-octylphthalat, Bis-2-ethylhexylphthalat und dergleichen; Phthalicester, wie Di-2-ethylhexalphthalat, Diisodecylphthalat, Butylbenzylphthalat, Diisononylphthalat, Ethylphthalethylglykolat, Butylphthalylbutylglykolat und dergleichen; Trimellitester, wie zum Beispiel Tri-2- ethylhexyltrimmelitat, Tri-n-alkyltrimellitat, Triisononyltrimellitat, Triisodecyltrimellitat und dergleichen; zweibasige Fettsäureester, wie Dimethyladipat, Dibutyladipat, Di-2- ethylhexyladipat, Diisodecyladipat, Dibutyldiglykoladipat, Di-2-ethylhexylazelat, Dimethylsebacat, Di-2-ethylhexylsebacat, Di-2-ethylhexylmalat, Acetyl-tri-(2- ethylhexyl)citrat, Acetyltributylcitrat und dergleichen; Glykolderivate, wie Polyethylenglykolbenzoat, Triethylenglykoldi-(2-ethylhexoat), Polyglykolether und dergleichen; Glyzerinderivate, wie Glyceroltriacetat, Glyceroldiacetylmonolaurat und dergleichen; Polyester von Sebacinsäure, Adipinsäure, Azelainsäure, Phthalsäure und dergleichen; Polyether von geringer Molekülmasse mit einer Molekülmasse von 300 bis 3000; Poly-α-Styren von geringer Molekülmasse und Polystyren von geringer Molekülmasse; Orthophosphorester, wie Trimethylphosphat, Triethylphosphat, Tributylphosphat, Tri-2-ethylhexylphosphat, Tributoxyethylphosphat, Triphenylphosphat, Tricresylphosphat, Trixylenylphosphat, Cresyldiphenylphosphat, Xylenyldiphenylphosphat, 2-Ethylhexyldiphenylphosphat und dergleichen; Rizinolester wie Methylacetylricinoleat und dergleichen; Polyester wie Poly-1,3-butandioladipat und dergleichen; Epoxidharzesterwie epoxidiertes Sojaöl und dergleichen; Essigsäureester wie Glycerintriacetat, 2-Ethylhexylacetat und dergleichen.
  • Die erfindungsgemäße photoreaktive Harzzusammensetzung kann entweder eine Paste oder ein Schlicker sein.
    • Erste Ausführung Verfahren für das Bilden des Leiterbilds
  • Das Verfahren für das Bilden eines Leiterbilds unter Verwendung der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung wird nachstehend unter Bezug auf Fig. 1 eingehend beschrieben. Zwar wird hier ein Beispiel beschrieben, bei dem die photoreaktive Harzzusammensetzung negativ ist, doch kann auch eine positive photoreaktive Harzzusammensetzung durch Umkehren von Licht und Form eines Photomaskenbilds verwendet werden.
  • Zuerst wird, wie in Fig. 1A gezeigt, die erfindungsgemäße photoreaktive Harzzusammensetzung mittels eines Schleuderbeschichtungsverfahrens, eines Siebdruckverfahrens, eines Rakelbeschichtungsverfahrens oder dergleichen auf einem Tragelement 1 aufgebracht und dann 10 Minuten bis 2 Stunden bei 40 bis 100°C getrocknet, um einen aus der photoreaktiven Harzzusammensetzung hergestellten Schichtfilm 2 auszubilden.
  • Als Nächstes wird, wie in Fig. 1B gezeigt, der Schichtfilm 2 auf dem Tragelement 1 mit von einer Hochdruckquecksilberlampe abgestrahlten aktiven Lichtstrahlen 4 mit einer Belichtung von 20 bis 5000 mJ/cm2 durch eine Maske 3 mit einer darin ausgebildeten gewünschten Struktur bestrahlt, um ein vorbestimmtes Leiterbild auszubilden. Somit werden die mit den Lichtstrahlen 4 bestrahlten Teile (belichteten Teile) 2a und 2b gehärtet, um Bereiche zu bilden, die in dem folgenden Entwicklungsprozess nicht entwickelt werden.
  • Als Nächstes wird der die belichteten Teile 2a und 2b und die nicht belichteten Teile 2c und 2e umfassende Schichtfilm mit einem Sprühschauer oder dergleichen mit einer alkalischen wässrigen Allzwecklösung, beispielsweise wässriger Natriumcarbonatlösung, behandelt, um die nicht belichteten Teile 2c bis 2e in der alkalischen wässrigen Lösung aufzulösen (d. h. zu entwickeln), wobei Leiterbilder 5a und 5b auf dem Tragelement 1 ausgebildet werden, wie in Fig. 1C gezeigt.
  • Als Nächstes werden, wie in Fig. 1D gezeigt, die auf dem Tragelement 1 ausgebildeten Leiterbilder 5a und 5b mit Hilfe einer allgemeinen Warmpressenvorrichtung unter Bedingungen von 1 bis 200 MPa und 50 bis 150°C 5 Sekunden bis 5 Minuten lang thermisch auf ein Substrat 6 übertragen.
  • Dann wird das Tragelement 1 von dem Substrat 6 getrennt, um die hochauflösenden feinen Leiterbilder 5a und 5b (nicht gebrannt) auf dem Substrat 6 auszubilden, wie in Fig. 1E gezeigt.
  • Die nicht gebrannten Leiterbilder 5a und 5b werden bei einer vorbestimmten Temperatur gebrannt. Dadurch kann das Substrat 6 mit den darauf ausgebildeten Leiterbildern 5a und 5b mit Hilfe der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung hergestellt werden.
  • Als Tragelement 1 für die Übertragung kann ein filmartiges Tragelement wie zum Beispiel ein Polyesterfilm, ein Polypropylenfilm, ein Nylonfilm oder dergleichen verwendet werden. Zur Verwirklichung einer einfachen Abtrenneigenschaft von dem Substrat 6 kann die Oberfläche des Tragelements 1 durch eine bekannte Abtrennbehandlung behandelt werden, um eine Siliconbeschichtung, Wachsbeschichtung, Melaminbeschichtung oder dergleichen vorzusehen.
  • Als Substrat 6 kann eine ungesinterte Keramikplatte durch Formen eines Schlickergemisches aus einem Keramikpulver und einem organischen Trägermedium zu einer Platte verwendet werden. Die ungesinterte Keramikplatte kann ein Glaspulver enthalten.
  • Alternativ kann die ungesinterte Keramikplatte eine photoempfindliche ungesinterte Keramikplatte sein, welche ein Gemisch aus einem organischen Trägermedium und einem photoempfindlichen organischen Bestandteil umfasst und durch den Photolithographieprozess darin ausgebildete feine Kontaktlöcher aufweist.
  • Insbesondere kann eine ungesinterte Keramikplatte, welche ein isolierendes Keramikpulver aus Al2O3 oder dergleichen, ein dielektrisches Keramikpulver aus BaTiO3 oder dergleichen, ein Ferritpulver aus Nickelzinkferrit, Nickelzinkkupferferrit oder dergleichen, ein leitendes Keramikpulver aus RuO2, Pb2Ru2O7, Bi2Ru2O7, ein Verbindungsoxid aus Mn.Co.Ni oder dergleichen, ein piezoelektrisches Keramikpulver aus PZT oder dergleichen enthält, vorteilhaft als ungesinterte Keramikplatte verwendet werden.
  • In diesem Beispiel wird die ungesinterte Keramikplatte als Substrat verwendet, auf welchem ein Leiterbild ausgebildet wird. Die vorliegende Erfindung kann jedoch in verschiedenen Fällen eingesetzt werden, zum Beispiel zur Bildung eines Leiterbilds auf einer isolierenden Keramikschicht oder einer dielektrischen Keramikschicht oder dergleichen.
  • Neben dem Leiterbildausbildungsverfahren mit Hilfe des in Fig. 1 gezeigten Tragelements 1 kann ein feines Leiterbild durch Aufbringen der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung ohne den Übertragungsschritt direkt auf das als Tragelement 1 verwendete isolierende Substrat und dann Strukturieren des sich ergebenden Films durch Photolithographie gebildet werden.
    • Zweite Ausführung Verfahren für das Ausbilden von Kontaktlöchern und Verfahren für das Herstellen einer Leiterplatte
  • Als Nächstes wird nachstehend das Verfahren für das Ausbilden von Kontaktlöchern mit Hilfe der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung (welche ein isolierendes anorganisches Pulver enthält) unter Bezug auf ein Beispiel unter Heranziehen der in Fig. 2 gezeigten Leiterplatte (Chip-Spule) eingehend beschrieben.
  • Die in Fig. 2 gezeigte Chip-Spule 11 umfasst ein durch abwechselndes Laminieren von aus Aluminiumoxid oder dergleichen hergestellten Isolatorschichten 13a bis 13e, die jeweils darin ausgebildete Innenelektroden 12a bis 12d aufiweisen, ausgebildetes Laminat. Zwar wird dies in der Zeichnung nicht gezeigt, doch sind an beiden Enden der Chip-Spule 11 Außenelektroden vorgesehen.
  • In der Chip-Spule 11 sind die Innenelektroden 12a bis 12d, welche eine Spulenstruktur bilden, jeweils zwischen den Isolatorschichten 13a bis 13b, zwischen den Isolatorschichten 13b und 13c, zwischen den Isolatorschichten 13c und 13d und zwischen den Isolatorschichten 13d und 13e vorgesehen und die zwischen den Isolatorschichten 13a und 13b vorgesehene Innenelektrode 12a sowie die zwischen den Isolatorschichten 13d und 13e vorgesehene Innenelektrode 12d sind jeweils mit den Außenelektroden verbunden.
  • Die zwischen den Isolatorschichten 13a und 13b vorgesehene Innenelektrode 12a ist mit der zwischen den Isolatorschichten 13b und 13c vorgesehenen Innenelektrode 12b durch (in der Zeichnung nicht abgebildete) Kontaktlöcher, die in der Isolierschicht 13b ausgebildet sind, elektrisch verbunden. Analog sind die Innenelektroden 12b und 12c durch (in der Zeichnung nicht abgebildete) Kontaktlöcher, die in der Isolierschicht 13c ausgebildet sind, mit einander elektrisch verbunden und die Innenelektroden 12c und 12d sind durch (in der Zeichnung nicht abgebildete) Kontaktlöcher, die in der Isolierschicht 13d ausgebildet sind, mit einander elektrisch verbunden.
  • Nachstehend wird das Verfahren für das Herstellen der Chip-Spule 11 beschrieben.
  • In der Chip-Spule 11 werden die Innenelektroden 12a bis 12d durch das Leiterbildausbildungsverfahren mit Hilfe der photoreaktiven Harzzusammensetzung (eine ein leitendes Metallpulver enthaltende leitende Paste) gebildet und die Kontaktlöcher werden in den Isolatorschichten 13b bis 13d durch Photolithographiestrukturierung mit der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung (eine ein isolierendes anorganisches Pulver enthaltende Isolierpaste) gebildet.
  • Zuerst wird auf der aus Aluminiumoxid oder dergleichen gebildeten Isolatorschicht 13a ein gewünschtes Leiterbild mit Hilfe des Leiterbildausbildungsverfahrens der ersten Ausführung unter Verwendung der photoreaktiven Harzzusammensetzung, die ein leitendes Metallpulver als Hauptbestandteil des anorganischen Pulvers enthält, gebildet. Als Nächstes wird das Leiterbild nach dem Entfetten gebrannt, zum Beispiel 1 Stunde lang bei 850°C in Luft, um die spiralförmige Innenelektrode 12a auszubilden.
  • Dann wird die Isolatorschicht 13b mit darin ausgebildeten Löchern für Kontaktlöcher auf der Isolatorschicht 13a ausgebildet, auf welcher die Innenelektrode 12a mittels des Leiterbildausbildungsverfahrens der ersten Ausführung unter Verwendung der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung gebildet wurde.
  • Im Einzelnen wird die erfindungsgemäße photoreaktive Harzzusammensetzung auf die Isolatorschicht 13a aufgebracht, auf welcher die Innenelektrode 12a gebildet wurde, und dann durch eine vorbestimmte Maske belichtet und entwickelt, um eine Harzschicht, die das isolierende anorganische Pulver enthält und die Löcher für Kontaktlöcher aufweist, auszubilden. Weiterhin wird die das isolierende anorganische Pulver enthaltende Harzschicht bei einer vorbestimmten Temperatur in Luft gebrannt, um die Isolatorschicht 13b mit den Löchern für Kontaktlöcher auszubilden.
  • Weiterhin werden die Löcher für Kontaktlöcher der Isolatorschicht 13b mit einer leitenden Paste gefüllt und dann getrocknet, um die Kontaktlöcher für das Verbinden eines Endes der Innenelektrode 12a mit einem Ende der Innenelektrode 12b zu bilden.
  • Dann wird durch das gleiche Verfahren wie bei der Innenelektrode 12a die spiralförmige Innenelektrode 12b auf der Isolatorschicht 13b gebildet. Analog werden die Isolatorschicht 13c, die Innenelektrode 12c, die Isolatorschicht 13d und die Innenelektrode 12d durch das gleiche, vorstehend beschriebene Verfahren vorgesehen, um die Chip-Spule 11 mit einem Aufbau zu erhalten, bei dem die Innenelektroden 12a bis 12d und die Isolatorschichten 13a bis 13e laminiert sind.
  • Neben der Chip-Spule kann die erfindungsgemäße Leiterplatte ein Substrat für Schaltkreiselemente wie ein Chip-Kondensator, ein Chip-LC-Filter und dergleichen, ein Substrat für Module wie einen spannungsgesteuerten Oszillator (VCO), eine phasensynchronisierte Schleife (PLL) und dergleichen sein.
  • Nach Ausbilden eines feinen Leiterbilds auf dem Tragelement 1 oder dem Substrat 6 durch Verwendung der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung kann ein ein funktionelles organisches Bindemittel enthaltendes Gemisch aufgebracht werden, um einen Schichtaufbau zu bilden, und dann durch Brennen wärmebehandelt werden, um eine Vielschichtleiterplatte oder ein Vielschichtschaltkreiselement herzustellen. Als das das funktionelle organische Bindemittel enthaltende Gemisch kann ein Gemisch, das das Keramikpulver und das organische Bindemittel enthält, ein Gemisch, das ein leitendes Metallpulver aus Kupfer, Silber oder dergleichen und das organische Bindemittel enthält, und ein Gemisch, welches weiterhin ein Glaspulver enthält, verwendet werden.
    • Dritte Ausführung
  • Verfahren für die Herstellung eines keramischen Vielschichtsubstrats
  • Das Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen keramischen Vielschichtsubstrats wird unter Bezug auf Fig. 3 beschrieben.
  • Ein keramisches Vielschichtsubstrat 21 ist eine Vielschichtleiterplatte, welche ein Laminat aus Isolatorschichten 22a bis 22e und dielektrischen Schichten 23a und 23b umfasst. Bei dem keramischen Vielschichtsubstrat 21 werden eine Kondensatorstruktur, eine Spulenstruktur, ein Streifenleiter und dergleichen durch Innenschichtstrukturen 24a bis 24c und Kontaktlöcher 25 gebildet. Weiterhin werden ein Chipteil 26, zum Beispiel ein Chipkondensator oder dergleichen, ein Dickschichtwiderstand 27, ein Halbleiter IC 28 und dergleichen an einer Hauptfläche des keramischen Vielschichtsubstrats 21 gebildet. Diese Elemente werden jeweils mit einer Oberflächenschichtstruktur 29 und den Innenschichtstrukturen 24a bis 24c verbunden.
  • Als Nächstes wird das Verfahren für das Herstellen des keramischen Vielschichtsubstrats 21 beschrieben.
  • Zuerst wird ein Glaspulver, ein Keramikpulver und ein organisches Trägermedium gemischt, um Schlicker für die ungesinterten Isolatorkeramikplatten zu erzeugen. Analog wird dann Schlicker für dielektrische ungesinterte Keramikplatten hergestellt. Als Nächstes wird dann jeder der Schlicker mittels des Rakelbeschichtungsverfahrens oder dergleichen zu einer Platte ausgebildet und bei einer Temperatur von 50 bis 150°C gebrannt, um eine ungesinterte Isolatorkeramikplatte und eine ungesinterte dielektrische Keramikplatte zu erzeugen.
  • Dann wird jede der Innenschichtstrukturen 24a bis 24c, welche die Kondensatorstruktur, die Spulenstruktur und dergleichen bilden, durch das leiterbildausbildende Verfahren der ersten Ausführung mit Hilfe der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung auf der sich ergebenden ungesinterten Isolatorkeramikplatte oder der ungesinterten dielektrischen Keramikplatte ausgebildet. Die Kontaktlöcher 25 werden nach Bedarf in der ungesinterten Isolatorkeramikplatte und der ungesinterten dielektrischen Keramikplatte ausgebildet.
  • Die ungesinterten Keramikplatten, die jeweils die Innenschichtstruktur 24 und die Kontaktlöcher 25 darin ausgebildet aufweisen, werden laminiert, druckgebondet und dann bei einer vorbestimmten Temperatur gebrannt.
  • Ferner wird die Oberflächenschichtstruktur 29 an der äußeren Oberfläche des erhaltenen gebrannten Erzeugnisses durch das leiterbildausbildende Verfahren der ersten Ausführung mit Hilfe der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung gebildet und dann bei der vorbestimmten Temperatur gebrannt.
  • Weiterhin werden der Chipteil 26, der Dickschichtwiderstand 27 und der Halbleiter IC 28 auf dem gebrannten Erzeugnis aufgedruckt, um das in Fig. 3 gezeigte keramische Vielschichtsubstrat 21 auszubilden.
    • Beispiele
  • Die vorliegende Erfindung wird nachstehend unter Bezug auf Beispiele beschrieben.
    • (1) Herstellung der ungesinterten Keramikplatte
  • 37,3 g Borosilikatglaspulver, 24,9 g Aluminiumoxidpulver, 6,2 g Copolymer (Mittelwert der relativen Molekülmasse = 50 000) Methacrylsäure und Methylmethacrylat bei einem Copolymerisationsverhältnis von gewichtsmäßig 25/75, 3,1 g Ethanol und 0,5 g Dipropylenglykolmonomethylether wurden gemischt, um einen Schlicker zu bilden. Der so erhaltene Schlicker wurde durch das Rakelbeschichtungsverfahren zu einer Platte geformt und dann 1 Stunde lang bei 100°C getrocknet, um eine ungesinterten Keramikplatte von 30 µm Dicke herzustellen.
    • (2) Herstellung der photoreaktiven Harzzusammensetzung
  • In den Beispielen wurden die folgenden Materialien für das Erzeugen der photoreaktiven Harzzusammensetzungen verwendet.
    • a) Anorganisches Pulver, welches polyvalentes Metallpulver und/oder polyvalentes Metalloxidpulver enthielt
    A1. Polyvalentes Metallpulver Kupferpulver a
  • Hergestellt durch Stehenlassen von Kupferpulver bei 200°C und 70% rel. Feuchte zum Oxidieren seiner Oberfläche. Das Kupferpulver hatte einen Sauerstoffgehalt von 0,5 Masseprozent und einen durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 3 µm und enthielt sphärische Partikel.
    • Kupferpulver b
  • Hergestellt durch Aufsprühen eines CuO-Pulvers mit einem Partikeldurchmesser von 0,1 µm oder weniger auf ein Kupferpulver, um das Pulver mit CuO zu beschichten. Das Kupferpulver hatte einen Sauerstoffgehalt von 0,5 Masseprozent und einen durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 3 µm und enthielt sphärische Partikel.
    • Kupferpulver c
  • Ohne Oxidieren. Das Kupferpulver hatte einen Sauerstoffgehalt von 0,2 Masseprozent und einen durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 3 µm und enthielt sphärische Partikel.
    • Kupferpulver d
  • Hergestellt durch Stehenlassen von Kupferpulver bei 200°C und 70% rel. Feuchte in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre zum Oxidieren seiner Oberfläche. Das Kupferpulver hatte einen Sauerstoffgehalt von 0,3 Masseprozent und einen durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 3 µm und enthielt sphärische Partikel.
    • Kupferpulver e
  • Hergestellt durch Oberflächenoxidation mit dem gleichen Verfahren wie Kupferpulver d. Das Kupferpulver hatte einen Sauerstoffgehalt von 1,0 Masseprozent und einen durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 3 µm und enthielt sphärische Partikel.
    • Kupferpulver f
  • Hergestellt durch Oberflächenoxidation mit dem gleichen Verfahren wie Kupferpulver d. Das Kupferpulver hatte einen Sauerstoffgehalt von 1,5 Masseprozent und einen durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 3 µm und enthielt sphärische Partikel.
    • A2. Polyvalentes Metalloxidpulver Glaspulver a
  • SiO2-Bi2O3-B2O3 Glas mit einem durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 3 µm und mit sphärischen Partikeln. Glaspulver b: SiO2- PbO-B2O3 Glas mit einem durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 3 µm und mit sphärischen Partikeln.
    • a) Alkalilösliches erstes Polymer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung
  • Methacrylsäure und Methylmethacrylat wurden copolymerisiert, gefolgt von Anlagerungsreaktion mit Epoxidharzcyclohexylmethacrylat in einer Molmenge des 0,2-fachen der Methacrylsäure, um das alkalilösliche erste Polymer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung zu erhalten (Mw = 20 000, Säurezahl = 118).
    • a) Monomer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung
      Ethoxyliertes Trimethylolpropantriacrylat
    • b) Photoreaktionsinitiator
      Initiator a: 2-Methyl-1-[4-methylthio)phenyl]-2-morpholinpropan-1-on
      Initiator b: 2,4-Diethylthioxanthon
    • c) Organisches Lösungsmittel
      Organisches Lösungsmittel a: Dipropylenglykolmonomethylether
      Organisches Lösungsmittel b: Pentamethylenglykol
    • d) Zweites Polymer mit einem Pyrrolidonring in einer Seitenkette
      PVP12: Polyvinylpyrrolidon (charakteristischer F-Wert = 12)
      PVP15: Polyvinylpyrrolidon (charakteristischer F-Wert = 15)
      PVP30: Polyvinylpyrrolidon (charakteristischer F-Wert = 30)
      PVP90: Polyvinylpyrrolidon (charakteristischer F-Wert = 90)
      P(VP/AA): Copolymer aus 50% Vinylpyrrolidon und 50% Acrylsäure (Mw = 100 000)
      P(VP/AA): Copolymer aus 50% Vinylpyrrolidon und 50% Vinylacetat (Mw = 100 000)
    • e) Polyalkohol
      Polyalkohol a: Glucitol (mit sechs Hydroxylgruppen)
      Polyalkohol b: Glycerin (mit drei Hydroxylgruppen)
      Polyalkohol a: Erythritol (mit vier Hydroxylgruppen)
    • f) Ultraviolett-Absorber
      Ultraviolett-Absorber: Azofarbstoff
    • g) Sonstige
      Dispergiermittel: Polyvalentes carbonsäureartiges Dispergiermittel mit einem Feststoffgehalt von 50%
      Stabilisator: 1,2,3-Benzotriazol
  • Die obigen Materialien wurden abgewogen und gemischt, um die in den Tabellen 1 bis 4 gezeigten Zusammensetzungen zu erhalten. Jede der so erhaltenen Zusammensetzungen wurde mit einer Dreiwalzenmühle geknetet, um die Proben 1 bis 32 der photoreaktiven Harzzusammensetzungen zu erzeugen.
    • (3) Beurteilung der Anzahl an Tagen vor dem Gelieren
  • Jede der Proben 1 bis 32 der photoreaktiven Harzzusammensetzungen wurde mittels einer Schleuderbeschichtungsanlage auf einem Aluminiiumoxidsubstrat aufgebracht und eine Stunde lang bei 100°C getrocknet, um zu beurteilen, ob sich ein gleichmäßiger Film ausbildete. Als Nächstes wurde jeder der erhaltenen Filme mit einer wässrigen Natriumcarbonatlösung entwickelt, um zu beurteilen, ob der Film entfernt wurde.
  • Die oben beschriebene Beurteilung wurde für die photoreaktive Harzzusammensetzung jeder der Proben bei einem Intervall von 10 Tagen während der Aufbewahrung unter Entfeuchtungsbedingungen bei Raumtemperatur durchgeführt, um den Zeitpunkt als Zahl der Tage vor dem Gelieren festzustellen, zu dem ein gleichmäßiger Film nicht gebildet oder nicht entfernt werden konnte. Die Proben wurden anhand der Anzahl Tage vor dem Gelieren mit einander verglichen. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 bis 4 gezeigt. Tabelle 1

    Tabelle 2

    Tabelle 3

    Tabelle 4

  • Die Tabellen 1 bis 4 zeigen, dass die photoreaktive Harzzusammensetzung von Probe 1 mit PVP30 90 Tage oder länger verwendet werden kann, während die photoreaktiven Harzzusammensetzungen der Proben 11 und 26, die kein PVP30 enthalten, nach Verstreichen von 10 Tagen unbrauchbar sind.
  • Weiterhin wurde festgestellt, dass die photoreaktiven Harzzusammensetzungen der Proben 2 und 6, die P(VP/AA) und P(VP/VA) an Stelle von PVP30 enthalten, nach Verstreichen von 20 bzw. 60 Tagen unbrauchbar sind.
  • Ferner können die photoreaktiven Harzzusammensetzungen der Proben 1 und 4, welche Polyvinylpyrrolidon mit einem charakteristischen F-Wert von 15 bis 60 enthalten, 90 Tage oder länger verwendet werden können, während die photoreaktiven Harzzusammensetzungen der Proben 3 und 5, die Polyvinylpyrrolidon mit einem charakteristischen F-Wert von unter 15 oder über 60 enthalten, nach Verstreichen von 30 Tagen bzw. 20 Tagen unbrauchbar sind.
  • Weiterhin können die photoreaktiven Harzzusammensetzungen der Proben 1, 8 und 9, welche PVP30 in einer Menge von 0,1 bis 5 Masseteilen pro 100 Masseteile Kupferpulver enthalten, 90 Tage oder länger verwendet werden, während die photoreaktiven Harzzusammensetzungen der Proben 7 und 10, die PVP30 in einer Menge von unter 0,1 Masseteilen oder über 5 Masseteilen enthalten, nach Verstreichen von 60 Tagen unbrauchbar sind.
  • Ferner können die photoreaktiven Harzzusammensetzungen der Proben 1 und 14, welche einen Polyalkohol mit vier oder mehr Hydroxylgruppen pro Molekül enthalten, 90 Tage oder länger verwendet werden, während die photoreaktive Harzzusammensetzung der Probe 12, die keinen Polyalkohol enthält, und die photoreaktive Harzzusammensetzung der Probe 13, die einen Polyalkohol mit nur drei Hydroxylgruppen pro Molekül enthält, nach Verstreichen von 40 Tagen unbrauchbar sind.
  • Die photoreaktive Harzzusammensetzung der Probe 1, welche ein organisches Lösungsmittel B, welches eine Diolverbindung ist, enthält, kann 90 Tage oder länger verwendet werden, während die photoreaktive Harzzusammensetzung der Probe 15, die kein Lösungsmittel B enthält, nach Verstreichen von 40 Tagen unbrauchbar ist.
  • Die photoreaktiven Harzzusammensetzungen der Proben 1 und 17 bis 19, welche ein organisches Lösungsmittel in einer Menge des 10- bis 50fachen des Gewichts des PVP enthalten, können 90 Tage oder länger verwendet werden, während die photoreaktive Harzzusammensetzung der Probe 16, die ein organisches Lösungsmittel in einer Menge von weniger als das 10fache des Gewichts des PVP30 enthält, nach Verstreichen von 60 Tagen unbrauchbar ist.
  • Die photoreaktive Harzzusammensetzung der Probe 20, welche durch Aufsprühen eines CuO-Pulvers ein mit CuO beschichtetes Kupferpulver B enthält, ist nach Verstreichen von 20 Tagen unbrauchbar, während die photoreaktive Harzzusammensetzung der Probe 21, die ein nicht beschichtetes Kupferpulver A enthält, nach Verstreichen von 10 Tagen unbrauchbar ist. Wie aus der photoreaktiven Harzzusammensetzung von Probe 1 hervorgeht, kann durch Verwenden des Kupferpulvers A mit der durch Erhitzen in Luft oxidierten Oberfläche die photoreaktive Harzzusammensetzung 90 Tage und länger verwendet werden.
  • Die photoreaktiven Harzzusammensetzungen der Proben 1 und 23, welche ein Kupferpulver mit einem Sauerstoffgehalt von 0,4 bis 1,2 Masseprozent enthalten, können 90 Tage und länger verwendet werden, während die photoreaktiven Harzzusammensetzungen der Proben 22 und 24, welche ein Kupferpulver mit einem Sauerstoffgehalt von unter 0,4 Masseprozent oder über 1,2 Masseprozent enthalten, nach Verstreichen von 60 Tagen unbrauchbar sind.
  • Die photoreaktive Harzzusammensetzung der Probe 25, welche PVP30 enthält, kann 90 Tage und länger verwendet werden, während die photoreaktive Harzzusammensetzung der Probe 26, welche kein PVP30 enthält, nach Verstreichen von 10 Tagen unbrauchbar ist.
  • Die photoreaktiven Harzzusammensetzungen der Proben 25 und 28 bis 31, welche PVP30 in einer Menge von 0,01 bis 1 Masseteil pro 100 Masseteile Glaspulver enthalten, können 90 Tage oder länger verwendet werden, während die photoreaktiven Harzzusammensetzungen der Proben 27 und 32, die PVP30 in einer Menge von unter 0,01 Masseteilen oder über 1 Masseteil enthalten, nach Verstreichen von 60 Tagen unbrauchbar sind.
    • 1. Ausbildung der Kupferstruktur
  • Jede der photoreaktiven Harzzusammensetzungen der Proben 1, 4, 8, 9, 14, 17 bis 19 und 23, welche 90 Tage oder länger verwendet werden können, wurde mittels einer Schleuderbeschichtungsvorrichtung auf einen Polyethylenterephthalat(PET)- Film aufgebracht und dann 1 Stunde lang bei 100°C getrocknet, um einen Film von 20 µm Dicke auszubilden. Die photoreaktive Harzzusammensetzung der Probe 19, welche das organische Lösungsmittel in einer Menge von über dem 50fachen des Gewichts des PVP30 enthielt, konnte aufgrund ihrer geringen Viskosität nicht gleichmäßig aufgebracht werden.
  • Als Nächstes wurde jeder der so erhaltenen Filme belichtet. Bei der Belichtung wurde jeder Film mit aktiven Strahlen von einer Hochdruckquecksilberlampe mit einer Belichtung von 250 mJ/cm2 durch eine Maske mit einer Struktur bestrahlt, welche mit Linie/Abstand (L/S) = 20/20 (µm) ausgebildet war. Dann wurde eine Entwicklung mit einer wässrigen Natriumcarbonatlösung vorgenommen, um eine Struktur mit L/S = 20/20 auf dem PET-Film zu bilden.
  • Die Strukturbildungsoberfläche des PET-Films wurde auf die durch das oben unter (1) beschriebene Verfahren erzeugte ungesinterte Keramikplatte aufgesetzt und 1 Minute lang bei 10 MPa und 60°C warmgepresst. Dann wurde der PET-Film von der ungesinterten Keramikplatte getrennt, um die Struktur auf die ungesinterte Keramikplatte zu übertragen.
  • Weiterhin wurden fünf ungesinterte Keramikplatten mit jeweils einer durch das gleiche oben beschriebene Verfahren ausgebildeten Struktur gebildet. Diese ungesinterten Keramikplatten wurden laminiert und dann bei 200 MPa und 60°C 1 Stunde lang warmgepresst. Nach dem Entfetten wurde das sich ergebende Laminat bei 900°C in einer N2-Atmosphäre gebrannt, um ein Vielschicht- Aluminiumoxidsubstrat mit in der Oberflächenschicht und in den Innenschichten ausgebildeten Strukturen mit L/S = 10/30 (µm) zu erhalten.
  • Die erfindungsgemäße photoreaktive Harzzusammensetzung enthält eine vorbestimmte Menge Polymer mit einem Pyrrolidonring in einer Seitenkette und somit geliert die Zusammensetzung nicht, selbst wenn das alkalilösliche Polymer eine ethylenisch ungesättigte Doppelbindung hat. Daher ermöglicht die photoreaktive Harzzusammensetzung die Bildung einer feinen Dickschichtstruktur, während sie die Empfindlichkeit stabil auf einem hohen Wert hält.
  • Weiterhin umfasst das Verfahren für das Herstellen einer Leiterplatte und eines keramischen Vielschichtsubstrats der vorliegenden Erfindung das Aufbringen der erfindungsgemäßen photoreaktiven Harzzusammensetzung auf ein Substrat (oder ein Tragelement) mittels Siebdruck, Schleuderbeschichtung oder dergleichen, das Trocknen des aufgebrachten Films, das Belichten und Entwickeln des Films mittels Photolithographie, um eine vorbestimmte Struktur (ungebrannt) auszubilden, und dann das Härten der Struktur. Daher kann eine hochauflösende Struktur gebildet werden und es können ein feines und gleichmäßiges Dickschlicht-Leiterbild und Kontaktlöcher, welche nicht durch ein herkömmliches Siebdruckverfahren erhalten werden können, gebildet werden. Daher kann eine Leiterplatte bzw. ein Schaltkreiselement kleiner Größe mit ausgezeichneten Hochfrequenzeigenschaften hergestellt werden. Somit können ein Hochfrequenz-Chipelektronikteil und ein keramisches Vielschichtsubstrat, welche hinreichend mit einer höheren Dichte und Signalen höherer Geschwindigkeit zurecht kommen, hergestellt werden.
  • An dem Prozess und den Erzeugnissen dieser Erfindung können verschiedene Änderungen und Abwandlungen vorgenommen werden, ohne vom Wesen und Schutzumfang derselben abzuweichen. Die hier dargelegten Ausführungen dienen lediglich der Veranschaulichung und sollen die Erfindung nicht einschränken.

Claims (20)

1. Photoreaktive Harzzusammensetzung mit:
a) einem anorganischen Pulver, welches mindestes eines von einem polyvalenten Metallpulver und einem polyvalenten Metalloxidpulver enthält;
b) einem alkalilöslichen ersten Polymer, welches eine ethylenisch ungesättigte Doppelbindung enthält;
c) einem ethylenisch ungesättigten Monomer;
d) einem Photoreaktionsinitiator;
e) einem organischen Lösungsmittel und
f) einem zweiten Polymer mit einem Pyrrolidonring in einer Seitenkette.
2. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 1, welche ein polyvalentes Metallpulver enthält, das ein mit einem Kupferoxid beschichtetes Kupferpulver umfasst.
3. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Sauerstoffgehalt des Kupferpulvers 0,4 bis 1,2 Masseprozent beträgt.
4. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Polymer ein Copolymer von Vinylpyrrolidon und einem Monomer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung ist.
5. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Monomer mit einer ethylenisch ungesättigten Doppelbindung keine saure funktionelle Gruppe hat.
6. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Polymer Polyvinylpyrrolidon ist.
7. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Polymer einen charakteristischen Viskositätswert nach Fikentscher von 15 bis 60 aufweist.
8. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des zweiten Polymers bei 0,1 bis 5 Masseteilen pro 100 Masseteilen des in dem anorganischen Pulver enthaltenen polyvalenten Metallpulvers liegt.
9. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des zweiten Polymers bei 0,01 bis 1 Masseteil pro 100 Masseteilen des in dem anorganischen Pulver enthaltenen polyvalenten Metalloxidpulvers liegt.
10. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das organische Lösungsmittel ein Diol umfasst.
11. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des organischen Lösungsmittels das 10- bis 50fache des Gewichts des zweiten Polymers beträgt.
12. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 1, welche weiterhin einen Polyalkohol mit vier oder mehr Hydroxylgruppen pro Molekül umfasst.
13. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 1 mit:
a) einem anorganisches Pulver, welches mindestens eines von einem polyvalenten Metallpulver mit einem durchschnittlichen Partikeldurchmesser D50 von 1 µm bis 5 µm und einer spezifischen Oberfläche von 0,1 bis 2 m2/g und einem polyvalenten Metalloxidpulver mit einem durchschnittlichen Partikeldurchmesser D50 von 1 µm bis 5 µm und einer spezifischen Oberfläche von 1 bis 10 m2/g umfasst;
b) einem alkalilöslichen (Meth)acrylpolymer mit einem Mittelwert der relativen Molekülmasse von 50 000 oder weniger und einer Säurezahl von 50 bis 150;
c) einem photopolymerisierbaren ethylenisch ungesättigten Monomer;
d) einem Photoreaktionsinitiator;
e) einem organischen Lösungsmittel mit einem Siedepunkt von 170 bis 300°C und
f) einem zweiten Polymer mit einem Pyrrolidonring in einer Seitenkette und einem charakteristischen Viskositätswert nach Fikentscher von 15 bis 60.
14. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des organischen Lösungsmittels das 10- bis 50fache des Gewichts des zweiten Polymers beträgt, der Anteil des zweiten Polymers 0,1 bis 5 Masseteile pro 100 Masseteile des in dem anorganischen Pulver enthaltenen polyvalenten Metallpulvers beträgt und dass das polyvalente Metallpulver ein mit einem Kupferoxid beschichtetes Kupferpulver, das einen Sauerstoffgehalt von 0,4 bis 1, 2 Masseprozent aufweist, umfasst.
15. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Polymer Polyvinylpyrrolidon ist.
16. Photoreaktive Harzzusammensetzung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das organische Lösungsmittel ein Diol umfasst und die photoreaktive Harzzusammensetzung weiterhin einen Polyalkohol mit vier oder mehr Hydroxylgruppen pro Molekül umfasst.
17. Verfahren für das Herstellen einer Leiterplatte, welches folgende Schritte umfasst:
Aufbringen einer photoreaktiven Harzzusammensetzung nach Anspruch 1 auf ein Substrat;
Belichten und Entwickeln der photoreaktiven Harzzusammensetzung zum Ausbilden einer vorbestimmten Struktur auf dem Substrat und
Härten der Struktur.
18. Verfahren für das Herstellen einer Leiterplatte, welches folgende Schritte umfasst:
Aufbringen einer photoreaktiven Harzzusammensetzung nach Anspruch 1 auf ein Tragelement;
Belichten und Entwickeln der photoreaktiven Harzzusammensetzung zum Ausbilden einer vorbestimmten Struktur auf dem Tragelement;
Übertragen der auf dem Tragelement ausgebildeten Struktur auf ein Substrat und
Härten der Struktur.
19. Verfahren für das Herstellen eines keramischen Vielschichtsubstrats, welches folgende Schritte umfasst:
Aufbringen einer photoreaktiven Harzzusammensetzung nach Anspruch 1 auf eine ungesinterte Keramikplatte;
Belichten und Entwickeln der photoreaktiven Harzzusammensetzung zum Ausbilden einer vorbestimmten Struktur auf der ungesinterten Keramikplatte;
Laminieren mehrerer ungesinterter Platten, auf denen allen jeweils die Struktur ausgebildet ist, um ein Laminat zu bilden, und
Härten des Laminats.
20. Verfahren für das Herstellen eines keramischen Vielschichtsubstrats, welches folgende Schritte umfasst:
Aufbringen einer photoreaktiven Harzzusammensetzung nach Anspruch 1 auf ein Tragelement;
Belichten und Entwickeln der photoreaktiven Harzzusammensetzung zum Ausbilden einer vorbestimmten Struktur auf dem Tragelement;
Übertragen der auf dem Tragelement ausgebildeten Struktur auf eine ungesinterte Keramikplatte;
Laminieren mehrerer ungesinterter Platten, auf denen allen jeweils die Struktur ausgebildet ist, um ein Laminat zu bilden, und
Härten des Laminats.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3614152B2 (ja) * 2001-08-07 2005-01-26 株式会社村田製作所 感光性導電ペースト、それを用いた回路基板及びセラミック多層基板の製造方法
TW594404B (en) * 2001-12-31 2004-06-21 Ind Tech Res Inst Photosensitive thick film composition
US7015256B2 (en) * 2002-01-28 2006-03-21 Jsr Corporation Composition for forming photosensitive dielectric material, and transfer film, dielectric material and electronic parts using the same
JP3975932B2 (ja) * 2003-02-12 2007-09-12 株式会社村田製作所 光反応性樹脂組成物、回路基板の製造方法、およびセラミック多層基板の製造方法
JP4372493B2 (ja) * 2003-08-28 2009-11-25 Ｔｄｋ株式会社 セラミックグリーンシートの製造方法および当該セラミックグリーンシートを用いた電子部品の製造方法
KR100633235B1 (ko) * 2004-07-05 2006-10-11 주식회사 엘지화학 패턴드 스페이서를 구비하는 디스플레이 패널
US7803510B2 (en) * 2005-08-17 2010-09-28 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Positive photosensitive polybenzoxazole precursor compositions
JP4929722B2 (ja) * 2006-01-12 2012-05-09 日立化成工業株式会社 光硬化型ナノプリント用レジスト材及びパターン形成法
US20080216947A1 (en) * 2007-03-07 2008-09-11 Gilchrist Rael M Temporary Tatoo for Rubber Tires
JP5104852B2 (ja) * 2007-03-26 2012-12-19 株式会社村田製作所 感光性誘電体ペーストおよびそれを用いた電子部品
KR100887382B1 (ko) * 2007-03-28 2009-03-06 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 제조방법
JP5058839B2 (ja) * 2008-02-01 2012-10-24 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 転写用感光性導体ペーストおよび感光性転写シート
US8221958B2 (en) 2008-05-30 2012-07-17 E.I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive paste and sintered layer
JP2010018666A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Fujifilm Corp ナノインプリント用組成物、パターンおよびパターン形成方法
US7887992B2 (en) * 2008-12-23 2011-02-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive paste and process for production of pattern using the same
JP7400167B2 (ja) 2019-11-08 2023-12-19 サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． 無機化合物スラリー用バインダー、当該バインダーを含む組成物、およびこれを用いたグリーンシート

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2634192B2 (ja) 1988-05-24 1997-07-23 大日本印刷株式会社 ガス放電パネルの製造法
US5047313A (en) * 1989-08-21 1991-09-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive semi-aqueous developable copper conductor composition
JPH04104976A (ja) * 1990-08-17 1992-04-07 Nec Corp グリーンシート
JPH05206600A (ja) * 1991-11-29 1993-08-13 Asahi Chem Ind Co Ltd 導体パターン形成用積層体
US5286415A (en) * 1992-12-28 1994-02-15 Advanced Products, Inc. Water-based polymer thick film conductive ink
JP3668978B2 (ja) * 1993-07-29 2005-07-06 東レ株式会社 感光性絶縁ペースト
US5725978A (en) * 1995-01-31 1998-03-10 Basf Aktiengesellschaft Water-soluble photosensitive resin composition and a method of forming black matrix patterns using the same
TW367504B (en) * 1996-05-21 1999-08-21 Du Pont Photosensitive aqueous developable thick film composition employing vinylpyrrolidone polymer
JP2000204130A (ja) 1998-11-09 2000-07-25 Toray Ind Inc 感光性ペ―ストおよびそれを用いたディスプレイ用部材の製造方法
JP2000321768A (ja) * 1999-03-08 2000-11-24 Toray Ind Inc 感光性ペースト
JP3674501B2 (ja) * 2000-11-30 2005-07-20 株式会社村田製作所 感光性銅ペースト、銅パターンの形成方法、及びセラミック多層基板の製造方法

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