DE102020113613A1

DE102020113613A1 - Anzeigevorrichtung und herstellungsverfahren dafür

Info

Publication number: DE102020113613A1
Application number: DE102020113613.7A
Authority: DE
Inventors: Sheng-Yu Wu; Mirng-Ji Lii; Shang-Yun Tu; Ching-Hui Chen
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2019-07-24
Filing date: 2020-05-20
Publication date: 2021-01-28
Also published as: TWI755792B; US20210028266A1; US20220149141A1; US11239305B2; KR20210013532A; TW202105716A; KR102356843B1; CN112289828A; US11812646B2

Abstract

Eine Anzeigevorrichtung weist ein Halbleitersubstrat, eine Isolationsschicht, eine Licht-emittierende Schicht und eine zweite Elektrode auf. Das Halbleitersubstrat weist einen Pixelbereich und einen peripheren Bereich auf, der um den Pixelbereich angeordnet ist. Das Halbleitersubstrat weist erste Elektroden und eine Treiberelementschicht auf. Die ersten Elektroden sind in dem Pixelbereich angeordnet und sind mit der Treiberelementschicht elektrisch verbunden. Die Isolationsschicht ist auf dem Halbleitersubstrat angeordnet. Die Isolationsschicht weist eine erste Isolationsstruktur auf, die in dem peripheren Bereich angeordnet ist, wobei die erste Isolationsstruktur eine erste Seitenfläche und eine der ersten Seitenfläche gegenüberliegende zweite Seitenfläche hat. Die Licht-emittierende Schicht ist auf der Isolationsschicht und den ersten Elektroden angeordnet und bedeckt die erste Seitenfläche und die zweite Seitenfläche der ersten Isolationsstruktur. Die zweite Elektrode ist auf der Licht-emittierenden Schicht angeordnet.

Description

Querverweis auf verwandte Anmeldung
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der am 24. Juli 2019 eingereichten vorläufigen US-Patentanmeldung mit dem Aktenzeichen 62/877.846, die durch Bezugnahme aufgenommen ist.
Hintergrund
Mit den sich rasch entwickelnden Halbleitertechnologien in den letzten Jahren haben Near-Eye-Displays Zuspruch gefunden. Auf Grund von Beschränkungen bei den derzeitigen Fertigungstechnologien ist es jedoch schwierig, den Abstand zwischen den Licht-emittierenden Elementen der Anzeigevorrichtung zu verringern. Die Entwicklung von Fertigungstechnologien für Anzeigevorrichtungen, die in Near-Eye-Displays auf Waferebene verwendet werden, ist im Gange, um die Forderung nach Reduzierung der Größe und hoher Auflösung zu erfüllen.
Figurenliste
Aspekte der vorliegenden Erfindung lassen sich am besten anhand der nachstehenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen verstehen. Es ist zu beachten, dass entsprechend der üblichen Praxis in der Branche verschiedene Elemente nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind. Vielmehr können der Übersichtlichkeit der Erörterung halber die Abmessungen der verschiedenen Elemente beliebig vergrößert oder verkleinert sein.

1 ist eine schematische Schnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
2 ist eine vereinfachte Draufsicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
Die 3A bis 3F sind schematische Schnittansichten verschiedener Stufen eines Herstellungsverfahrens für eine Anzeigevorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
4 ist eine vereinfachte Draufsicht einer Zwischenstufe eines Herstellungsverfahrens für eine Anzeigevorrichtung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
5 ist eine schematische Schnittansicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einigen alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.

Detaillierte Beschreibung
Die nachstehende Beschreibung liefert viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zum Implementieren verschiedener Merkmale des bereitgestellten Gegenstands. Nachstehend werden spezielle Beispiele für Komponenten, Werte, Schritte, Materialien, Anordnungen und dergleichen beschrieben, um die vorliegende Darstellung zu vereinfachen. Diese sind natürlich lediglich Beispiele und sollen nicht beschränkend sein. Es werden auch andere Komponenten, Werte, Schritte, Materialien, Anordnungen und dergleichen in Betracht gezogen. Zum Beispiel kann die Herstellung eines ersten Elements über oder auf einem zweiten Element in der nachstehenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, bei denen das erste und das zweite Element in direktem Kontakt hergestellt werden, und sie kann auch Ausführungsformen umfassen, bei denen zusätzliche Elemente zwischen dem ersten und dem zweiten Element hergestellt werden können, sodass das erste und das zweite Element nicht in direktem Kontakt sind. Darüber hinaus können in der vorliegenden Erfindung Bezugszahlen und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholt werden. Diese Wiederholung dient der Einfachheit und Übersichtlichkeit und schreibt an sich keine Beziehung zwischen den verschiedenen erörterten Ausführungsformen und/oder Konfigurationen vor.
Darüber hinaus können hier räumlich relative Begriffe, wie etwa „darunter befindlich“, „unter“, „untere(r)“/„unteres“, „darüber befindlich“, „obere(r)“/„oberes“ und dergleichen, zur einfachen Beschreibung der Beziehung eines Elements oder einer Struktur zu einem oder mehreren anderen Elementen oder Strukturen verwendet werden, die in den Figuren dargestellt sind. Die räumlich relativen Begriffe sollen zusätzlich zu der in den Figuren dargestellten Orientierung andere Orientierungen der in Gebrauch oder in Betrieb befindlichen Vorrichtung umfassen. Die Vorrichtung kann anders ausgerichtet werden (um 90 Grad gedreht oder in einer anderen Orientierung), und die räumlich relativen Deskriptoren, die hier verwendet werden, können ebenso entsprechend interpretiert werden.
Außerdem können Begriffe wie „erste(r) / erstes“, „zweite(r) / zweites“, „dritte(r) / drittes“, „vierte(r) / viertes“ und dergleichen hier zur einfachen Beschreibung verwendet werden, um ähnliche oder unterschiedliche Elemente oder Merkmale, die in den Figuren gezeigt sind, zu beschreiben, und sie können in Abhängigkeit von der Reihenfolge des Auftretens oder der Zusammenhänge der Beschreibung austauschbar verwendet werden.
1 ist eine schematische Schnittansicht einer Anzeigevorrichtung 10 gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. 2 ist eine vereinfachte Draufsicht der Anzeigevorrichtung 10 gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Insbesondere ist 1 eine Schnittansicht entlang einer Linie 1 - I' von 2. Der Einfachheit und Übersichtlichkeit der Darstellung halber sind in der vereinfachten Draufsicht von 2 nur wenige Elemente der Anzeigevorrichtung 10, wie etwa ein Halbleitersubstrat, eine Isolationsschicht, erste Elektroden und eine zweite Elektrode, dargestellt, wobei diese Elemente nicht unbedingt in der gleichen Ebene liegen müssen.
In den 1 und 2 weist die Anzeigevorrichtung 10 ein Halbleitersubstrat 100, eine Isolationsschicht 110, eine Licht-emittierende Schicht 120 und eine zweite Elektrode 130 auf. Bei einigen Ausführungsformen kann die Anzeigevorrichtung 10 weiterhin eine dielektrische Verkapselung 140 aufweisen. Bei einigen Ausführungsformen ist die Anzeigevorrichtung 10 eine selbstleuchtende Anzeigevorrichtung. Bei bestimmten Ausführungsformen ist die Anzeigevorrichtung 10 eine OLED-Anzeigevorrichtung (OLED: organische Leuchtdiode). Bei einigen alternativen Ausführungsformen weist die Anzeigevorrichtung 10 noch weitere benötigte Elemente auf, wie etwa eine Abdeckplatte, eine Glas- und/oder eine andere transparente Schutzabdeckung. Das heißt, die Anzeigevorrichtung 10 der Erfindung ist nicht auf das beschränkt, was in 1 dargestellt ist. Bei einigen Ausführungsformen sind die Abdeckplatte und das Halbleitersubstrat 100 einander gegenüberliegend angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen kann die Abdeckplatte ein flexibles Substrat sein, wie etwa ein Polymersubstrat oder ein Kunststoffsubstrat. Die Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Bei einigen alternativen Ausführungsformen ist die Abdeckplatte ein starres Substrat, wie etwa ein Glassubstrat, ein Quarzsubstrat oder ein Siliziumsubstrat.
Bei einigen Ausführungsformen hat das Halbleitersubstrat 100 einen Pixelbereich A und einen peripheren Bereich B, der um den Pixelbereich A angeordnet ist. Wie in der Draufsicht von 2 gezeigt ist, hat der periphere Bereich B eine Ringform. Bei einigen Ausführungsformen weist das Halbleitersubstrat 100 ein Substrat 102, eine Treiberelementschicht 104, eine Verbindungsstruktur 106, erste Elektroden 108a und eine gemeinsame Elektrode 108b auf. Bei einigen Ausführungsformen wird das Substrat 102 aus Folgendem hergestellt: einem elementaren Halbleitermaterial, wie etwa kristallinem Silizium, Diamant oder Germanium; einem Verbindungshalbleitermaterial, wie etwa Siliziumcarbid, Galliumarsen, Indiumarsenid oder Indiumphosphid; oder einem Legierungshalbleitermaterial, wie etwa Siliziumgermanium, Siliziumgermaniumcarbid, Galliumarsenphosphid oder Galliumindiumphosphid. Bei einigen Ausführungsformen ist das Substrat 102 ein massives Halbleitermaterial. Zum Beispiel kann das Substrat 102 ein massives Siliziumsubstrat, wie etwa ein massives Substrat aus mikrokristallinem Silizium, ein dotiertes Siliziumsubstrat, ein undotiertes Siliziumsubstrat oder ein Silizium-auf-Isolator-Substrat (SOI-Substrat), sein, wobei der Dotand des dotierten Siliziumsubstrats ein n-Dotand, ein p-Dotand oder eine Kombination davon sein kann.
Bei einigen Ausführungsformen ist die Treiberelementschicht 104 auf dem Substrat 102 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen weist die Treiberelementschicht 104 aktive Komponenten (z. B. Transistoren oder dergleichen) und/oder passive Komponenten (z. B. Widerstände, Kondensatoren, Induktoren oder dergleichen) auf, die darin hergestellt sind. Bei einigen Ausführungsformen ist die Treiberelementschicht 104 eine CMOS-Schaltungsschicht (CMOS: komplementärer Metalloxidhalbleiter).
Bei einigen Ausführungsformen wird die Verbindungsstruktur 106 zum Verbinden der aktiven Komponenten (nicht dargestellt) und/oder der passiven Komponenten (nicht dargestellt) in der Treiberelementschicht 104 verwendet. Bei einigen Ausführungsformen umfasst die Verbindungsstruktur 106 eine Isolierschicht (nicht dargestellt) und eine Mehrzahl von metallischen Strukturelementen (nicht dargestellt), die in der Isolierschicht angeordnet sind. Bei einigen Ausführungsformen umfasst die Isolierschicht eine Zwischenschichtdielektrikum-Schicht (ILD-Schicht) auf der Treiberelementschicht 104 und mindestens eine Zwischenmetall-Dielektrikumschicht (IMD-Schicht) über der ILD-Schicht. Bei einigen Ausführungsformen ist das Material der Isolierschicht Siliziumoxid, Siliziumoxidnitrid, Siliziumnitrid, ein Material mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante (dielektrisches Low-k-Material) oder eine Kombination davon. Die Isolierschicht kann eine einzelne Schicht oder eine Mehrschichtstruktur sein. Bei einigen Ausführungsformen umfassen die metallischen Strukturelemente Metallleitungen und Durchkontaktierungen (nicht dargestellt). Bei einigen Ausführungsformen ist das Material der metallischen Strukturelemente Wolfram (W), Kupfer (Cu), eine Kupferlegierung, Aluminium (Al), eine Aluminiumlegierung oder eine Kombination davon. Bei einigen Ausführungsformen wird die Verbindungsstruktur 106 mit einem Dual-Damascene-Prozess hergestellt. Bei alternativen Ausführungsformen wird die Verbindungsstruktur 106 mit mehreren Single-Damascene-Prozessen hergestellt. Bei weiteren alternativen Ausführungsformen wird die Verbindungsstruktur 106 durch Elektroplattierung hergestellt.
Bei einigen Ausführungsformen sind die ersten Elektroden 108a in dem Pixelbereich A angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen sind einige der ersten Elektroden 108a in dem Pixelbereich A angeordnet, und sie erstrecken sich außerdem in den peripheren Bereich B hinein, wie in 1 gezeigt ist. Die Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Bei einigen alternativen Ausführungsformen ist keine der ersten Elektroden 108a in dem peripheren Bereich B angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen sind die ersten Elektroden 108a durch die Verbindungsstruktur 106 mit den aktiven Komponenten (nicht dargestellt) und/oder den passiven Komponenten (nicht dargestellt) in der Treiberelementschicht 104 elektrisch verbunden. Das heißt, die Steuersignale können über die aktiven Komponenten (nicht dargestellt) in der Treiberelementschicht 104 und über die Verbindungsstruktur 106 an die ersten Elektroden 108a gesendet werden. Bei einigen Ausführungsformen ist das Material der ersten Elektroden 108a ein transparentes leitfähiges Material. Bei bestimmten Ausführungsformen kann das transparente leitfähige Material ein leitfähiges Metalloxidmaterial, wie etwa Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumzinnoxid, Aluminiumzinkoxid, Indiumgalliumzinkoxid oder ein anderes geeignetes Oxid, oder eine Stapelschicht aus mindestens zwei der vorgenannten Materialien sein. Die Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Bei einigen alternativen Ausführungsformen ist das Material der ersten Elektroden 108a ein nicht-transparentes leitfähiges Material. Bei bestimmten Ausführungsformen ist das nicht-transparente leitfähige Material ein Metall. Bei einigen Ausführungsformen sind die ersten Elektroden 108a über der dargestellten Oberseite der Verbindungsstruktur 106 angeordnet, wie in 1 gezeigt ist. Die Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Bei einigen alternativen Ausführungsformen sind die ersten Elektroden 108a in die Verbindungsstruktur 106 eingebettet. Bei einigen Ausführungsformen werden die ersten Elektroden 108a mit fotolithografischen und Ätzprozessen hergestellt. Zum Beispiel kann ein Verfahren zum Herstellen der ersten Elektroden 108a Folgendes umfassen: Herstellen einer leitfähigen Materialschicht vollständig auf der Verbindungsstruktur 106 mit geeigneten Herstellungsverfahren wie chemische Aufdampfung (CVD), physikalische Aufdampfung (PVD) oder Aufdampfung; und anschließendes Durchführen von fotolithografischen und Ätzprozessen zum Strukturieren der leitfähigen Materialschicht. In der Anzeigevorrichtung 10 kann die Anzahl der ersten Elektroden 108a kleiner oder größer als die sein, die in 2 gezeigt ist, und sie kann in Abhängigkeit von den Anforderungen und/oder dem Entwurfslayout festgelegt werden, aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt.
Bei einigen Ausführungsformen ist die gemeinsame Elektrode 108b in dem peripheren Bereich B angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist die gemeinsame Elektrode 108b elektrisch mit Erde verbunden (z. B. 0 V). Bei einigen Ausführungsformen ist das Material der gemeinsamen Elektrode 108b ein transparentes leitfähiges Material. Bei bestimmten Ausführungsformen ist das transparente leitfähige Material ein leitfähiges Metalloxidmaterial, wie etwa Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumzinnoxid, Aluminiumzinkoxid, Indiumgalliumzinkoxid oder ein anderes geeignetes Oxid, oder eine Stapelschicht aus mindestens zwei der vorgenannten Materialien. Die Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Bei einigen alternativen Ausführungsformen ist das Material der gemeinsamen Elektrode 108b ein nicht-transparentes leitfähiges Material. Bei bestimmten Ausführungsformen ist das nicht-transparente leitfähige Material ein Metall. Bei bestimmten Ausführungsformen ist das Material der gemeinsamen Elektrode 108b das Gleiche wie das der ersten Elektroden 108a. Bei bestimmten Ausführungsformen ist das Material der gemeinsamen Elektrode 108b von dem der ersten Elektroden 108a verschieden. Bei einigen Ausführungsformen ist die gemeinsame Elektrode 108b über der dargestellten Oberseite der Verbindungsstruktur 106 angeordnet, wie in 1 gezeigt ist. Die Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Bei einigen alternativen Ausführungsformen ist die gemeinsame Elektrode 108b in die Verbindungsstruktur 106 eingebettet. Bei einigen Ausführungsformen wird die gemeinsame Elektrode 108b mit fotolithografischen und Ätzprozessen hergestellt. Ein Verfahren zum Herstellen der gemeinsamen Elektrode 108b kann Folgendes umfassen: Herstellen einer leitfähigen Materialschicht vollständig auf der Verbindungsstruktur 106 mit geeigneten Herstellungsverfahren wie CVD, PVD oder Aufdampfung; und anschließendes Durchführen von fotolithografischen und Ätzprozessen zum Strukturieren der leitfähigen Materialschicht. Bei einigen Ausführungsformen werden die gemeinsame Elektrode 108b und die ersten Elektroden 108a in dem gleichen Prozess hergestellt. Das heißt, die gemeinsame Elektrode 108b und die ersten Elektroden 108a stammen alle aus ein und derselben leitfähigen Materialschicht. Die Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Bei einigen alternativen Ausführungsformen werden die gemeinsame Elektrode 108b und die ersten Elektroden 108a in getrennten Prozessen hergestellt. Wie in 2 gezeigt ist, ist nur eine gemeinsame Elektrode 108b in dem peripheren Bereich B vorgesehen, aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Die Anzahl der gemeinsamen Elektroden 108b kann größer als die sein, die in 2 gezeigt ist, und sie kann in Abhängigkeit von den Anforderungen und/oder dem Entwurfslayout festgelegt werden.
Bei einigen Ausführungsformen ist die Isolationsschicht 110 auf dem Halbleitersubstrat 100 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen ist das Material der Isolationsschicht 110 Siliziumoxid, Siliziumoxidnitrid, Siliziumnitrid oder eine Kombination davon. Bei bestimmten Ausführungsformen ist die Isolationsschicht 110 eine Oxid-Nitrid-Oxid(ONO)-Schicht. Bei einigen Ausführungsformen wird die Isolationsschicht 110 mit fotolithografischen und Ätzprozessen hergestellt.
Bei einigen Ausführungsformen weist die Isolationsschicht 110 eine erste Isolationsstruktur 112 und eine zweite Isolationsstruktur 114 auf, wobei die erste Isolationsstruktur 112 um die zweite Isolationsstruktur 114 angeordnet ist. Bei einigen Ausführungsformen ist die erste Isolationsstruktur 112 in dem peripheren Bereich B angeordnet. Wie in der Draufsicht von 2 gezeigt ist, hat die erste Isolationsstruktur 112 eine Ringform. Bei einigen Ausführungsformen hat die erste Isolationsstruktur 112 eine erste Seitenfläche S1 und eine zweite Seitenfläche S2 gegenüber der ersten Seitenfläche S1. Die zweite Seitenfläche S2 der ersten Isolationsstruktur 112 zeigt zu der zweiten Isolationsstruktur 114, wie in 2 gezeigt ist. Die zweite Seitenfläche S2 ist näher an dem Pixelbereich A als die erste Seitenfläche S1, wie in 1 gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen sind das Querschnittsprofil der ersten Seitenfläche S1 und das Querschnittsprofil der zweiten Seitenfläche S2 im Wesentlichen zueinander symmetrisch, wie in 1 gezeigt ist. Das Querschnittsprofil der ersten Seitenfläche S1 und das Querschnittsprofil der zweiten Seitenfläche S2 können Spiegelbilder sein. Bei dieser Konfiguration können das Querschnittsprofil der ersten Seitenfläche S1 und das Querschnittsprofil der zweiten Seitenfläche S2 als im Wesentlichen gleich angesehen werden.
Bei einigen Ausführungsformen ist die zweite Isolationsstruktur 114 in dem Pixelbereich A angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen hat die zweite Isolationsstruktur 114 erste Strukturteile 114a und zweite Strukturteile 114b. Wie in 2 gezeigt ist, sind bei einigen Ausführungsformen die ersten Strukturteile 114a entlang der x-Richtung angeordnet, die senkrecht zu der Dickenrichtung z des Halbleitersubstrats 100 ist, und die zweiten Strukturteile 114b sind entlang der y-Richtung angeordnet, die senkrecht zu der Dickenrichtung z ist, wobei die x-Richtung senkrecht zu der y-Richtung ist. Bei einigen Ausführungsformen erstreckt sich jeder erste Strukturteil 114a entlang der y-Richtung, und jeder zweite Strukturteil 114b erstreckt sich entlang der x-Richtung, wie in 2 gezeigt ist. Wie in 2 gezeigt ist, werden die ersten Strukturteile 114a mit den zweiten Strukturteilen 114b zu einer Netzstruktur verbunden.
Bei einigen Ausführungsformen hat jeder erste Strukturteil 114a eine dritte Seitenfläche S3 und eine vierte Seitenfläche S4 gegenüber der dritten Seitenfläche S3, und jeder zweite Strukturteil 114b hat eine fünfte Seitenfläche S5 und eine sechste Seitenfläche S6 gegenüber der fünften Seitenfläche S5. Wie in 1 gezeigt ist, sind bei einigen Ausführungsformen das Querschnittsprofil der dritten Seitenfläche S3 und das Querschnittsprofil der vierten Seitenfläche S4 im Wesentlichen zueinander symmetrisch. Das Querschnittsprofil der dritten Seitenfläche S3 und das Querschnittsprofil der vierten Seitenfläche S4 können Spiegelbilder sein. Bei dieser Konfiguration können das Querschnittsprofil der dritten Seitenfläche S3 und das Querschnittsprofil der vierten Seitenfläche S4 als im Wesentlichen gleich angesehen werden. In ähnlicher Weise sind das Querschnittsprofil der fünften Seitenfläche S5 und das Querschnittsprofil der sechsten Seitenfläche S6 im Wesentlichen zueinander symmetrisch, wie in 1 gezeigt ist, sodass das Querschnittsprofil der fünften Seitenfläche S5 und das Querschnittsprofil der sechsten Seitenfläche S6 als im Wesentlichen gleich angesehen werden können. Außerdem ist, wie in 1 gezeigt ist, bei einigen Ausführungsformen das Querschnittsprofil der dritten Seitenfläche S3 im Wesentlichen gleich dem Querschnittsprofil der fünften Seitenfläche S5. Das heißt, bei der zweiten Isolationsstruktur 114 haben die ersten Strukturteile 114a und die zweiten Strukturteile 114b ein im Wesentlichen übereinstimmendes Querschnittsprofil der Seitenflächen. Wie in 1 gezeigt ist, ist bei einigen Ausführungsformen das Querschnittsprofil der ersten Seitenfläche S1 im Wesentlichen gleich dem Querschnittsprofil der dritten Seitenfläche S3. Das heißt, in der Isolationsschicht 110 haben die erste Isolationsstruktur 112 und die zweite Isolationsstruktur 114 ein im Wesentlichen übereinstimmendes Querschnittsprofil der Seitenflächen. Bei bestimmten Ausführungsformen beträgt eine Differenz der Profilabmessungen zwischen dem Querschnittsprofil der Seitenflächen der ersten Isolationsstruktur 112 und dem Querschnittsprofil der Seitenflächen der zweiten Isolationsstruktur 114 weniger als etwa 10 %.
Bei einigen Ausführungsformen hat die Isolationsschicht 110 eine erste Öffnung O1 in dem peripheren Bereich B und zweite Öffnungen O2 in dem Pixelbereich A. Bei einigen Ausführungsformen sind einige der zweiten Öffnungen O2 in dem Pixelbereich A angeordnet, und sie erstrecken sich außerdem in den peripheren Bereich B hinein, wie in 1 gezeigt ist. Die Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Bei einigen alternativen Ausführungsformen ist keine der zweiten Öffnungen O2 in dem peripheren Bereich B angeordnet.
Bei gemeinsamer Betrachtung der 1 und 2 ist die erste Öffnung O1 eine nicht-umschlossene Öffnung mit nur einer Seitenwand, die von der Isolationsschicht 110 definiert wird. Die erste Seitenfläche S1 der ersten Isolationsstruktur 112 kann als die Seitenwand der ersten Öffnung O1 angesehen werden. Wie in 1 gezeigt ist, fällt bei einigen Ausführungsformen entlang der Dickenrichtung z des Halbleitersubstrats 100 die vertikale Projektion der gemeinsamen Elektrode 108b auf das Substrat 102 in den Bereich der vertikalen Projektion der ersten Öffnung O1 auf das Substrat 102. Das heißt, während des Prozesses zur Herstellung der Anzeigevorrichtung 10 kann auf einigen Stufen die gemeinsame Elektrode 108b von der ersten Öffnung O1 freigelegt werden.
Bei gemeinsamer Betrachtung der 1 und 2 ist außerdem jede zweite Öffnung O2 eine umschlossene Öffnung, deren vertikale Projektion auf das Substrat 102 entlang der Dickenrichtung z eine rechteckige Form hat. Mit anderen Worten, jede zweite Öffnung O2 hat vier Seitenwände. Die Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Bei einigen alternativen Ausführungsformen kann die vertikale Projektion jeder zweiten Öffnung O2 auf das Substrat 102 entlang der Dickenrichtung z eine polygonale Form oder eine andere geeignete Form in der Draufsicht haben. Bei einigen Ausführungsformen werden die Seitenwände jeder zweiten Öffnung O2 von der Isolationsschicht 110 definiert. Im Einzelnen werden die Seitenwände jeder der zweiten Öffnungen O2 an dem Rand des Pixelbereichs A von der ersten Isolationsstruktur 112 und der zweiten Isolationsstruktur 114 definiert, und die Seitenwände jeder der zweiten Öffnungen O2 in der Mitte des Pixelbereichs A werden nur von der zweiten Isolationsstruktur 114 definiert, wie in 2 gezeigt ist. Das heißt, die zweite Seitenfläche S2 der ersten Isolationsstruktur 112, die dritten Seitenflächen S3 und die vierten Seitenflächen S4 der ersten Strukturteile 114a sowie die fünften Seitenflächen S5 und die sechsten Seitenflächen S6 der zweiten Strukturteile 114b können als die Seitenwände der zweiten Öffnungen O2 angesehen werden. Bei gemeinsamer Betrachtung der 1 und 2 können die zweite Seitenfläche S2 der ersten Isolationsstruktur 112, die dritte Seitenfläche S3 des ersten Strukturteils 114a und die fünfte Seitenfläche S5 des zweiten Strukturteils 114b als die Seitenwände der in 1 links dargestellten zweiten Öffnung O2 angesehen werden; die zweite Seitenfläche S2 der ersten Isolationsstruktur 112, die dritte Seitenfläche S3 des ersten Strukturteils 114a, die vierte Seitenfläche S4 des anderen ersten Strukturteils 114a und die fünfte Seitenfläche S5 des zweiten Strukturteils 114b können als die Seitenwände der in 1 in der Mitte dargestellten zweiten Öffnung O2 angesehen werden; und die dritte Seitenfläche S3 des ersten Strukturteils 114a, die vierte Seitenfläche S4 des anderen ersten Strukturteils 114a, die fünfte Seitenfläche S5 des zweiten Strukturteils 114b und die sechste Seitenfläche S6 des anderen zweiten Strukturteils 114b können als die Seitenwände der in 1 rechts dargestellten zweiten Öffnung O2 angesehen werden.
Wie in den 1 und 2 gezeigt ist, sind bei einigen Ausführungsformen die zweiten Öffnungen O2 entsprechend den darunter befindlichen ersten Elektroden 108a angeordnet. Wie in den 1 und 2 im Einzelnen gezeigt ist, ist entlang der Dickenrichtung z des Halbleitersubstrats 100 die vertikale Projektion der ersten Elektroden 108a auf das Substrat 102 teilweise mit dem Bereich der vertikalen Projektion der entsprechenden zweiten Öffnung O2 auf das Substrat 102 überdeckt. Das heißt, während des Herstellungsprozesses für die Anzeigevorrichtung 10 werden auf der Stufe der Erzeugung der zweiten Öffnungen O2 die ersten Elektroden 108a teilweise von den zweiten Öffnungen O2 freigelegt. Wie vorstehend dargelegt worden ist, ist die Anzahl der ersten Elektroden 108a nicht auf die beschränkt, die in 2 dargestellt ist, sodass die Anzahl der zweiten Öffnungen O2, die den ersten Elektroden 108a entsprechen, ebenfalls nicht auf die beschränkt ist, die in 2 dargestellt ist, und sie kann in Abhängigkeit von den Anforderungen und/oder dem Entwurfslayout festgelegt werden.
Bei einigen Ausführungsformen ist die Licht-emittierende Schicht 120 auf der Isolationsschicht 110 und den ersten Elektroden 108a angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen kann die Licht-emittierende Schicht 120 jede Licht-emittierende Schicht sein, die in der Anzeigevorrichtung verwendet werden kann und Fachleuten bekannt ist. Bei einigen Ausführungsformen kann das Material der Licht-emittierenden Schicht 120 ein organisches Licht-emittierendes Material in roter, grüner, blauer, weißer oder einer anderen geeigneten Farbe oder eine Kombination dieser Licht-emittierenden Materialien sein. Zum Beispiel weist bei bestimmten Ausführungsformen die Licht-emittierende Schicht 120 ein weißes organisches Licht-emittierendes Material auf. Bei einigen Ausführungsformen weist die Licht-emittierende Schicht 120 außerdem weitere funktionelle organische Schichten auf, wie etwa eine Elektronentransportschicht, eine Elektroneninjektionsschicht, eine Löchertransportschicht, eine Löcherinjektionsschicht oder eine Kombination dieser funktionellen Schichten.
Bei einigen Ausführungsformen ist die Licht-emittierende Schicht 120 auf der Isolationsschicht 110 und den ersten Elektroden 108a unterbrochen angeordnet, wie in 1 gezeigt ist. Insbesondere wird die Licht-emittierende Schicht 120 während ihres Herstellungsprozesses durch die Isolationsschicht 110 auf Grund des Querschnittsprofils der Seitenflächen zertrennt. Das heißt, die Isolationsschicht 110 ist so konfiguriert, dass sie bewirkt, dass die Licht-emittierende Schicht 120 unterbrochen angeordnet wird. Die Konfiguration des Querschnittsprofils der Seitenflächen der Isolationsschicht 110 ist nicht auf die beschränkt, die in 1 gezeigt ist, und sie kann in Abhängigkeit von den Anforderungen und/oder dem Entwurfslayout festgelegt werden, solange die Isolationsschicht 110 bewirken kann, dass die Licht-emittierende Schicht 120 unterbrochen angeordnet wird.
Bei einigen Ausführungsformen sind Teile der Licht-emittierenden Schicht 120 in den zweiten Öffnungen O2 angeordnet. Im Einzelnen sind, wie in 1 gezeigt ist, die Teile der Licht-emittierenden Schicht 120, die in den zweiten Öffnungen O2 angeordnet sind, in direktem Kontakt mit den darunter befindlichen ersten Elektroden 108a, die von den zweiten Öffnungen O2 freigelegt werden. Wie außerdem in 1 gezeigt ist, bedecken die Teile der Licht-emittierenden Schicht 120, die in den zweiten Öffnungen O2 angeordnet sind, die Seitenwände der zweiten Öffnungen O2, die von der Isolationsschicht 110 definiert werden. Das heißt, die zweite Seitenfläche S2 der ersten Isolationsstruktur 112, die dritten Seitenflächen S3 und die vierten Seitenflächen S4 der ersten Strukturteile 114a sowie die fünften Seitenflächen S5 und die sechsten Seitenflächen S6 der zweiten Strukturteile 114b werden von der Licht-emittierenden Schicht 120 bedeckt.
Bei einigen Ausführungsformen ist ein Teil der Licht-emittierenden Schicht 120 in der ersten Öffnung O1 angeordnet. Im Einzelnen bedeckt der Teil der Licht-emittierenden Schicht 120, der in der ersten Öffnung O1 angeordnet ist, die Seitenwand der ersten Öffnung O1, die von der Isolationsschicht 110 definiert wird (d. h., die erste Seitenfläche S1 der ersten Isolationsstruktur 112), und einen Teil der dargestellten Oberseite des Halbleitersubstrats 100, der von der ersten Öffnung O1 freigelegt wird, wie in 1 gezeigt ist. Das heißt, der Teil der Licht-emittierenden Schicht 120, der in der ersten Öffnung O1 angeordnet ist, erstreckt sich von der ersten Seitenfläche S1 der ersten Isolationsstruktur 112 bis zu der dargestellten Oberseite des Halbleitersubstrats 100, die nicht von der ersten Isolationsstruktur 112 in dem peripheren Bereich B bedeckt ist. Wie außerdem in 1 gezeigt ist, ist ein Mindestabstand D zwischen dem äußeren Rand des Teils der Licht-emittierenden Schicht 120, der in der ersten Öffnung O1 angeordnet ist, und der ersten Seitenfläche S1 der ersten Isolationsstruktur 112 (d. h., der Seitenwand der ersten Öffnung O1), gleich der oder größer als die Hälfte einer Höhe H der Isolationsschicht 110. Das heißt, der äußere Rand des Teils der Licht-emittierenden Schicht 120, der in der ersten Öffnung O1 angeordnet ist, ragt mit dem Mindestabstand D zu der ersten Seitenfläche S1 der ersten Isolationsstruktur 112. Mit anderen Worten, das Halbleitersubstrat 100 wird von dem Teil der Licht-emittierenden Schicht 120 bedeckt, der in der ersten Öffnung O1 angeordnet ist, im Umfang des Mindestabstands D bedeckt. Wie in 1 gezeigt ist, befindet sich entlang der x-Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung z des Halbleitersubstrats 100 bei einer vertikalen Projektion auf der dargestellten Oberseite des Halbleitersubstrats 100 eine Projektionsstelle des äußersten Rands der gesamten Licht-emittierenden Schicht 120 neben einer Projektionsstelle des äußersten Rands der gesamten Isolationsschicht 110 für den Mindestabstand D.
Bei einigen Ausführungsformen ist die zweite Elektrode 130 auf der Licht-emittierenden Schicht 120 angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen erstreckt sich die zweite Elektrode 130 von dem Pixelbereich A zu dem peripheren Bereich B, wie in 2 gezeigt ist. Außerdem ist bei einigen Ausführungsformen die zweite Elektrode 130 in der ersten Öffnung O2 und den zweiten Öffnungen O2 angeordnet, wie in 1 gezeigt ist. Bei einigen Ausführungsformen ist die zweite Elektrode 130 in direktem Kontakt mit der darunter befindlichen gemeinsamen Elektrode 108b, um mit dem Halbleitersubstrat 100 elektrisch verbunden zu werden. Wie vorstehend dargelegt worden ist, kann die gemeinsame Elektrode 108b elektrisch geerdet werden, sodass auch die zweite Elektrode 130 elektrisch geerdet werden kann. Bei einigen Ausführungsformen weist die zweite Elektrode 130 ein transparentes leitfähiges Material auf. Bei bestimmten Ausführungsformen ist das transparente leitfähige Material ein leitfähiges Metalloxidmaterial, wie etwa Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminiumzinnoxid, Aluminiumzinkoxid, Indiumgalliumzinkoxid oder ein anderes geeignetes Oxid, oder eine Stapelschicht aus mindestens zwei der vorgenannten Materialien. Die Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Bei einigen alternativen Ausführungsformen ist das Material der zweiten Elektrode 130 ein nicht-transparentes leitfähiges Material. Bei bestimmten Ausführungsformen ist das nicht-transparente leitfähige Material ein Metall.
Bei einigen Ausführungsformen bilden die erste Elektrode 108a, der Teil der Licht-emittierenden Schicht 120, der in der zweiten Öffnung O2 angeordnet ist und in direktem Kontakt mit der darunter befindlichen ersten Elektrode 108a ist, und der Teil der zweiten Elektrode 130, der mit der Licht-emittierenden Schicht 120 entlang der Dickenrichtung z überdeckt ist, ein Licht-emittierendes Element. In der Anzeigevorrichtung 10 ist eine Mehrzahl von Licht-emittierenden Elementen in dem Pixelbereich A angeordnet. Da die Anzahl der ersten Elektroden 108a nicht auf die in 2 dargestellte Anzahl beschränkt ist, ist auch die Anzahl der Licht-emittierenden Elemente in der Anzeigevorrichtung 10 nicht auf die in 2 dargestellte Anzahl beschränkt und sie kann entsprechend den Anforderungen und/oder dem Entwurfslayout festgelegt werden. Bei bestimmten Ausführungsformen kann das Licht-emittierende Element ein OLED-Element sein. Insbesondere wird die Licht-emittierende Schicht 120 des Licht-emittierenden Elements mit der Spannungsdifferenz betrieben, die zwischen der ersten Elektrode 108a und der zweiten Elektrode 130 entsteht, um Licht zu emittieren. Da die Steuersignale über die aktiven Komponenten (nicht dargestellt) in der Treiberelementschicht 104 an die ersten Elektroden 108a gesendet werden können, können die Licht-emittierenden Elemente in der Anzeigevorrichtung 10 mit den aktiven Komponenten (nicht dargestellt) in der Treiberelementschicht 104 gesteuert werden. Bei einigen Ausführungsformen dient die erste Elektrode 108a als die Anode des Licht-emittierenden Elements, und die zweite Elektrode 130 dient als die Katode des Licht-emittierenden Elements. Die Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Bei einigen alternativen Ausführungsformen dient entsprechend den Entwurfsanforderungen die erste Elektrode 108a als die Katode des Licht-emittierenden Elements, und die zweite Elektrode 130 dient als dessen Anode.
Bei einigen Ausführungsformen ist die zweite Elektrode 130 zusammenhängend auf der Licht-emittierenden Schicht 120 und der gemeinsamen Elektrode 108b angeordnet, wie in 1 gezeigt ist. Insbesondere da die Seitenflächen der Isolationsschicht 110 (z. B. die erste Seitenfläche S1 und die zweite Seitenfläche S2 der ersten Isolationsstruktur 112, die dritten Seitenflächen S3 und die vierten Seitenflächen S4 der ersten Strukturteile 114a sowie die fünften Seitenflächen S5 und die sechsten Seitenflächen S6 der zweiten Strukturteile 114b) von der Licht-emittierenden Schicht 120 bedeckt sind, wird die zweite Elektrode 130 durch die darunter befindliche Licht-emittierende Schicht 120 angehoben, sodass die zweite Elektrode 130 von den Seitenflächen der Isolationsschicht 110 entfernt ist, wodurch die Schicht (z. B. die Licht-emittierende Schicht 120) unterbrochen wird. Wenn außerdem der Mindestabstand D zwischen dem äußeren Rand des Teils der Licht-emittierenden Schicht 120, der in der ersten Öffnung O1 angeordnet ist, und der ersten Seitenfläche S1 der ersten Isolationsstruktur 112 gleich der oder größer als die Hälfte der Höhe H der Isolationsschicht 110 ist, kann verhindert werden, dass die zweite Elektrode 130, die durch die darunter befindliche Licht-emittierende Schicht 120 angehoben wird, von der Isolationsschicht 110 zertrennt wird. Dadurch wird die zweite Elektrode 130 mit einer guten Kontinuität bereitgestellt, sodass die elektrische Ausbeute der Anzeigevorrichtung 10 sichergestellt werden kann.
Bei einigen Ausführungsformen verkapselt und bedeckt die dielektrische Verkapselung 140 die zweite Elektrode 130. Bei einigen Ausführungsformen füllt die dielektrische Verkapselung 140 die erste Öffnung O1, um die zweite Elektrode 130 seitlich zu verkapseln. Bei einigen Ausführungsformen verkapselt die dielektrische Verkapselung 140 die Licht-emittierenden Elemente in der Anzeigevorrichtung 10, um die Licht-emittierenden Elemente gegen Feuchte, Verunreinigungen und dergleichen zu isolieren. Bei einigen Ausführungsformen ist das Material der dielektrischen Verkapselung 140 Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxid, Siliziumcarbonitrid (SiCN), Siliziumoxidnitrid, Acrylharz, Hexamethyldisiloxan (HMDSO) oder Glas, aber die Erfindung ist nicht darauf beschränkt.
Das Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung 10 wird nachstehend unter Bezugnahme auf die 3A bis 3F und 4 näher beschrieben. Die 3A bis 3F sind schematische Schnittansichten verschiedener Stufen eines Herstellungsverfahrens für die Anzeigevorrichtung 10 gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. 4 ist eine vereinfachte Draufsicht einer Zwischenstufe eines Herstellungsverfahrens für die Anzeigevorrichtung 10 gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Insbesondere ist 3A eine Schnittansicht entlang einer Linie II - II' von 4.
In den 3A und 4 wird ein Halbleitersubstrat 100 bereitgestellt. Bei einigen Ausführungsformen kann das Halbleitersubstrat 100 ein Halbleiterwafer sein. Daher kann das in den 3A bis 3F dargestellte Herstellungsverfahren für die Anzeigevorrichtung 10 als ein Prozess auf Waferebene angesehen werden. Wie in 4 gezeigt ist, weist bei einigen Ausführungsformen das Halbleitersubstrat 100 eine Mehrzahl von Bauelement-Einheiten DU auf, die in einer Matrix angeordnet sind. Jede Bauelement-Einheit DU entspricht einem Teil eines Halbleiterwafers W. Wie in 4 gezeigt ist, werden die Bauelement-Einheiten DU von einer Mehrzahl von Ritzgräben SL1 und einer Mehrzahl von Ritzgräben SL2 definiert. Wie in 4 gezeigt ist, sind bei einigen Ausführungsformen die Ritzgräben SL1 entlang der x-Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung z des Halbleitersubstrats 100 angeordnet, und die Ritzgräben SL2 sind entlang der y-Richtung senkrecht zu der Dickenrichtung z angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen verlaufen die Ritzgräben SL1 jeweils entlang der y-Richtung, und die Ritzgräben SL2 verlaufen jeweils entlang der x-Richtung, wie in 4 gezeigt ist. Wie außerdem in 4 gezeigt ist, überkreuzen die Ritzgräben SL1 die Ritzgräben SL2, sodass eine Mehrzahl von Spalten und eine Mehrzahl von Zeilen entstehen. Die Anzahl der Bauelement-Einheiten DU, die Anzahl der Ritzgräben SL1 und die Anzahl der Ritzgräben SL2 können jeweils kleiner oder größer als die Anzahlen sein, die in 4 dargestellt sind, und sie können in Abhängigkeit von den Anforderungen und/oder dem Entwurfslayout festgelegt werden, aber die Erfindung ist nicht speziell darauf beschränkt.
Wie in 4 gezeigt ist, sind in jeder der Bauelement-Einheiten DU ein Pixelbereich A und einer peripherer Bereich B angeordnet. Auf der Stufe von 3A kann das Halbleitersubstrat 100 eine Mehrzahl von Pixelbereichen A haben, die in einer Matrix angeordnet sind. Einzelheiten des Pixelbereichs A und des peripheren Bereichs B sind vorstehend beschrieben worden und werden hier nicht wiederholt. Wie in 3A gezeigt ist, weisen bei einigen Ausführungsformen die Bauelement-Einheiten DU jeweils ein Substrat 102, eine Treiberelementschicht 104, eine Verbindungsstruktur 106, erste Elektroden 108a und eine gemeinsame Elektrode 108b auf. Bei einigen Ausführungsformen werden auf der Stufe von 3A die Substrate 102 der Bauelement-Einheiten DU miteinander verbunden. Ebenso werden bei einigen Ausführungsformen auf der Stufe von 3A die Treiberelementschichten 104 der Bauelement-Einheiten DU miteinander verbunden, und die Verbindungsstrukturen 106 der Bauelement-Einheiten DU werden miteinander verbunden. Einzelheiten des Substrats 102, der Treiberelementschicht 104, der Verbindungsstruktur 106, der ersten Elektrode 108a und der gemeinsamen Elektrode 108b sind vorstehend beschrieben worden und werden hier nicht wiederholt.
In 3B wird eine Isolationsschicht 110' auf dem Halbleitersubstrat 100 hergestellt, um die ersten Elektroden 108a und die gemeinsame Elektrode 108b zu bedecken. Bei einigen Ausführungsformen ist das Material der Isolationsschicht 110' Siliziumoxid, Siliziumoxidnitrid, Siliziumnitrid oder eine Kombination davon. Bei bestimmten Ausführungsformen ist die Isolationsschicht 110' eine Oxid-Nitrid-Oxid(ONO)-Schicht. Bei einigen Ausführungsformen wird die Isolationsschicht 110' durch CVD und mit einem anderen geeigneten Schichtabscheidungsverfahren hergestellt.
In 3C wird die Isolationsschicht 110' zu einer Isolationsschicht 110 strukturiert. Bei einigen Ausführungsformen wird die Isolationsschicht 110 durch Durchführen von fotolithografischen und Ätzprozessen hergestellt. Bei einigen Ausführungsformen wird die Isolationsschicht 110 mindestens mit den folgenden Schritten hergestellt. Zunächst wird eine Fotoresistschicht (nicht dargestellt) über der Isolationsschicht 110' hergestellt. Bei einigen Ausführungsformen kann die Fotoresistschicht durch Schleuderbeschichtung oder mit anderen geeigneten Verfahren hergestellt werden. Anschließend wird die Fotoresistschicht zu einer strukturierten Fotoresistschicht strukturiert, und die Isolationsschicht 110' wird unter Verwendung der strukturierten Fotoresistschicht als eine Maske geätzt, um die Isolationsschicht 110 herzustellen. Dann wird die strukturierte Fotoresistschicht entfernt oder abgelöst. Bei einigen Ausführungsformen wird die Isolationsschicht 110' mit einem Trockenätzprozess, einem Nassätzprozess oder einer Kombination davon geätzt. Bei einigen Ausführungsformen kann die strukturierte Fotoresistschicht zum Beispiel durch Ätzung, Ablösung oder mit anderen geeigneten Entfernungsprozessen entfernt oder abgelöst werden.
Bei einigen Ausführungsformen weist die Isolationsschicht 110 eine erste Isolationsstruktur 112 und eine zweite Isolationsstruktur 114 auf, wobei die zweite Isolationsstruktur 114 erste Strukturteile 114a und zweite Strukturteile 114b hat, wie in 3C gezeigt ist. In 3C sind der Einfachheit halber nur ein erster Strukturteil 114a und nur ein zweiter Strukturteil 114b gezeigt. Auf Grund der vorstehenden Beschreibung der 1 und 2 können Fachleute verstehen, dass mehrere erste Strukturteile 114a und mehrere zweite Strukturteile 114b so hergestellt werden können, dass eine Netzstruktur entsteht.
Bei einigen Ausführungsformen sind das Querschnittsprofil der ersten Seitenfläche Si der ersten Isolationsstruktur 112 und das Querschnittsprofil der zweiten Seitenfläche S2 der ersten Isolationsstruktur 112 im Wesentlichen zueinander symmetrisch, wie in 3C gezeigt ist. Das Querschnittsprofil der dritten Seitenfläche S3 des ersten Strukturteils 114a und das Querschnittsprofil der vierten Seitenfläche S4 des ersten Strukturteils 114a sind ebenfalls im Wesentlichen zueinander symmetrisch. Das Querschnittsprofil der fünften Seitenfläche S5 des zweiten Strukturteils 114b und das Querschnittsprofil der sechsten Seitenfläche S6 des zweiten Strukturteils 114b sind ebenfalls im Wesentlichen zueinander symmetrisch. Das Querschnittsprofil der ersten Seitenfläche S1, das Querschnittsprofil der dritten Seitenfläche S3 und das Querschnittsprofil der fünften Seitenfläche S5 sind im Wesentlichen gleich. Das Querschnittsprofil der zweiten Seitenfläche S2, das Querschnittsprofil der vierten Seitenfläche S4 und das Querschnittsprofil der sechsten Seitenfläche S6 sind ebenfalls im Wesentlichen gleich. Bei dieser Konfiguration können das Querschnittsprofil der ersten Seitenfläche S1, das Querschnittsprofil der zweiten Seitenfläche S2, das Querschnittsprofil der dritten Seitenfläche S3, das Querschnittsprofil der vierten Seitenfläche S4, das Querschnittsprofil der fünften Seitenfläche S5 und das Querschnittsprofil der sechsten Seitenfläche S6 als im Wesentlichen gleich angesehen werden. In Anbetracht dessen kann die Isolationsschicht 110 durch Durchführen des fotolithografischen Prozesses mit nur einer Maske hergestellt werden. Dadurch ist der Herstellungsprozess für die Isolationsschicht 110 einfach und kostengünstig.
Wie in 3C gezeigt ist, werden bei einigen Ausführungsformen nach der Durchführung des Strukturierungsprozesses an der Isolationsschicht 110' weiterhin eine erste Öffnung O1 und zweite Öffnungen O2 in der Isolationsschicht 110 erzeugt. Wie in 3C gezeigt ist, wird insbesondere die gemeinsame Elektrode 108b durch die erste Öffnung O1 freigelegt, und Teile der ersten Elektroden 108a werden durch die zweiten Öffnungen O2 freigelegt. Die anderen Einzelheiten der Isolationsschicht 110 sind vorstehend beschrieben worden und werden hier nicht wiederholt.
In 3D wird die Licht-emittierende Schicht 120 auf der Isolationsschicht 110 und in der ersten Öffnung O1 und den zweiten Öffnungen O2 hergestellt. Die Licht-emittierende Schicht 120 wird in dem Pixelbereich A und dem peripheren Bereich B angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen wird die Licht-emittierende Schicht 120 durch Aufdampfung oder mit einem anderen geeigneten Schichtabscheidungsverfahren hergestellt. Wie in 3D gezeigt ist, wird eine erste Maske M1 mit einer ersten Öffnungsstruktur OP1 zum Herstellen der Licht-emittierenden Schicht 120 verwendet. In 3D ist der Einfachheit halber nur eine erste Öffnungsstruktur OP1 gezeigt. Auf Grund der vorstehenden Beschreibung der 3A und 4 können Fachleute verstehen, dass mehrere erste Öffnungsstrukturen OP1, die den Bauelement-Einheiten DU entsprechen, in der ersten Maske M1 erzeugt werden.
Bei einigen Ausführungsformen ist die erste Öffnungsstruktur OP1 zum Definieren einer Position der Licht-emittierenden Schicht 120 vorgesehen. Bei einigen Ausführungsformen legt die erste Öffnungsstruktur OP1 die Isolationsschicht 110 in der Dickenrichtung z des Halbleitersubstrats 100 frei. Wie in 3D gezeigt ist, wird die Licht-emittierende Schicht 120 auf Grund des Querschnittsprofils der Seitenflächen der Isolationsschicht 110 unterbrochen auf der Isolationsschicht 110 hergestellt. Das heißt, obwohl die gesamte Isolationsschicht 110 von der ersten Öffnungsstruktur OP1 freigelegt wird, sind Teile 110p der Isolationsschicht 110 nicht von der Licht-emittierenden Schicht 120 bedeckt. Bei einigen Ausführungsformen ist ein Mindestabstand D2 zwischen einer Grenze der ersten Öffnungsstruktur OP1 und der ersten Seitenfläche S1 der ersten Isolationsstruktur 112 gleich der oder größer als die Hälfte der Höhe H der Isolationsschicht 110. Bei dieser Lagebeziehung zwischen der ersten Maske M1 und der Isolationsschicht 110 ist der Mindestabstand D zwischen dem äußeren Rand des Teils der Licht-emittierenden Schicht 120, der in der ersten Öffnung O1 angeordnet ist, und der ersten Seitenfläche S1 der ersten Isolationsstruktur 112 gleich der oder größer als die Hälfte der Höhe H der Isolationsschicht 110. Die anderen Einzelheiten der Licht-emittierenden Schicht 120 sind vorstehend beschrieben worden und werden hier nicht wiederholt.
In 3E wird eine zweite Elektrode 130 auf der Licht-emittierenden Schicht 120 hergestellt. Bei einigen Ausführungsformen wird die zweite Elektrode 130 durch Aufdampfung, CVD, PVD oder mit einem anderen geeigneten Schichtabscheidungsverfahren hergestellt. Wie in 3E gezeigt ist, wird insbesondere eine zweite Maske M2 mit einer zweiten Öffnungsstruktur OP2 zum Herstellen der zweiten Elektrode 130 verwendet. In 3E ist der Einfachheit halber nur eine zweite Öffnungsstruktur OP2 gezeigt. Wie in den 3A und 4 gezeigt ist und vorstehend dargelegt worden ist, können mehrere zweite Öffnungsstrukturen OP2, die den Bauelement-Einheiten DU entsprechen, in der zweiten Maske M2 erzeugt werden.
Bei einigen Ausführungsformen ist die zweite Öffnungsstruktur OP2 zum Definieren einer Position der zweiten Elektrode 130 vorgesehen. Bei einigen Ausführungsformen legt die zweite Öffnungsstruktur OP2 die Licht-emittierende Schicht 120 in der Dickenrichtung z des Halbleitersubstrats 100 frei. Wie in 3E gezeigt ist, wird die zweite Elektrode 130 so hergestellt, dass sie sich zusammenhängend von dem Pixelbereich A bis zu dem peripheren Bereich B über das Halbleitersubstrat 100 erstreckt. Insbesondere wird die zweite Elektrode 130 durch die darunter befindliche Licht-emittierende Schicht 120 angehoben, sodass die zweite Elektrode 130 von den Seitenflächen der Isolationsschicht 110 entfernt ist, wodurch die Schicht (z. B. die Licht-emittierende Schicht 120) unterbrochen wird. Außerdem ist bei bestimmten Ausführungsformen der Mindestabstand D, mit dem sich die Licht-emittierende Schicht 120 auf die dargestellte Oberseite des Halbleitersubstrats 100 in dem peripheren Bereich B erstreckt, gleich der oder größer als die Hälfte der Höhe H der Isolationsschicht 110, sodass verhindert werden kann, dass die zweite Elektrode 130, die durch die darunter befindliche Licht-emittierende Schicht 120 angehoben wird, von der Isolationsschicht 110 zertrennt wird. Dadurch, dass der Mindestabstand D so gewählt wird, dass er gleich der oder größer als die Hälfte der Höhe H der Isolationsschicht 110 ist, kann die zweite Elektrode 130 zusammenhängend über dem Halbleitersubstrat 100 hergestellt werden, um die elektrische Ausbeute der Anzeigevorrichtung 10 zu gewährleisten, auch wenn die Isolationsschicht 110 mit nur einer Maske hergestellt wird, damit alle Seitenflächen ein einheitliches Querschnittsprofil haben, wodurch normalerweise die darauf hergestellte Schicht unterbrochen wird. Dementsprechend werden die Komplexität und die Kosten für die Herstellung der Anzeigevorrichtung 10 reduziert, und die Ausbeute und die Leistung der Anzeigevorrichtung 10 werden verbessert.
Bei einigen Ausführungsformen legt die zweite Öffnungsstruktur OP2 die gemeinsame Elektrode 108b in der Dickenrichtung z des Halbleitersubstrats 100 frei. Die zweite Elektrode 130, die unter Verwendung der zweiten Maske M2 hergestellt wird, ist in direktem Kontakt mit der darunter befindlichen gemeinsamen Elektrode 108b, um eine elektrische Verbindung mit dem Halbleitersubstrat 100 herzustellen. Die anderen Einzelheiten der zweiten Elektrode 130 sind vorstehend beschrieben worden und werden hier nicht wiederholt.
In 3F wird eine dielektrische Verkapselung 140 über der zweiten Elektrode 130 hergestellt. Wie in 3F gezeigt ist, wird bei einigen Ausführungsformen die dielektrische Verkapselung 140 vollständig über dem Halbleitersubstrat 100 hergestellt. Bei einigen Ausführungsformen wird die dielektrische Verkapselung 140 durch CVD, Aufdampfung oder mit einem anderen geeigneten Schichtabscheidungsverfahren hergestellt. Die anderen Einzelheiten der dielektrischen Verkapselung 140 sind vorstehend beschrieben worden und werden hier nicht wiederholt.
Nachdem die dielektrische Verkapselung 140 hergestellt worden ist, wird ein Vereinzelungsprozess durchgeführt, um das Halbleitersubstrat 100 und die dielektrische Verkapselung 140 zu zertrennen, um eine Mehrzahl von Anzeigevorrichtungen 10 zu erhalten. Der Vereinzelungsprozess wird durchgeführt, um die einzelnen Anzeigevorrichtungen 10 zum Beispiel durch Schneiden entlang den in 4 gezeigten Ritzgräben SL1 und SL2 voneinander zu trennen. Der Vereinzelungsprozess kann ein Laserschneideprozess, ein mechanischer Schneideprozess oder ein anderer geeigneter Prozess sein. Bei einigen Ausführungsformen erfolgt der Vereinzelungsprozess durch Zertrennen mit einem umlaufenden Messer oder einem Laserstrahl. Bei einigen Ausführungsformen ist die Anzeigevorrichtung 10 für Near-Eye-Display-Anwendungen geeignet.
Die Prozesse sind hier zwar als eine Reihe von Schritten oder Ereignissen dargestellt und beschrieben, aber es dürfte wohlverstanden sein, dass die dargestellte Reihenfolge dieser Schritte oder Ereignisse nicht in einem beschränkenden Sinn ausgelegt werden darf. Darüber hinaus brauchen nicht alle dargestellten Prozesse eine oder mehrere Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zu implementieren.
Bei dem Herstellungsverfahren für die in den 3A bis 3F gezeigte Anzeigevorrichtung 10 wird die Licht-emittierende Schicht 120 so hergestellt, dass sie das Halbleitersubstrat 100 in dem peripheren Bereich B im Umfang des Mindestabstands D bedeckt, während die erste Isolationsstruktur 112 der Isolationsschicht 110 so hergestellt wird, dass sie nicht in direktem Kontakt mit der gemeinsamen Elektrode 108b ist. Die Herstellung der Isolationsschicht 110 kann mit einem Masken-Rückziehprozess erfolgen. Bei einigen Ausführungsformen umfasst der Masken-Rückziehprozess ein Aufweiten der Öffnungsstruktur in der Maske, die zum Definieren der ersten Öffnung O1 der Isolationsschicht 110 verwendet wird. Die Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Nachstehend werden weitere Ausführungsformen unter Bezugnahme auf 5 beschrieben.
5 ist eine schematische Schnittansicht einer Anzeigevorrichtung 20 gemäß einigen alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. Betrachtet man die 5 und 1, so ist die Anzeigevorrichtung 20 von 5 der Anzeigevorrichtung 10 von 1 ähnlich, die als ein Querschnitt entlang der Linie 1 - I' von 2 gezeigt ist. Daher werden die gleichen Bezugszahlen zum Bezeichnen von gleichen oder ähnlichen Teilen verwendet, und ihre detaillierte Beschreibung wird hier nicht wiederholt. Nachstehend werden die Unterschiede zwischen der Anzeigevorrichtung 20 und der Anzeigevorrichtung 10 beschrieben.
In 5 bedeckt in der Anzeigevorrichtung 20 die Licht-emittierende Schicht 120 das Halbleitersubstrat 100 in dem peripheren Bereich B im Umfang des Mindestabstands D, während die erste Isolationsstruktur 112 der Isolationsschicht 110 in direktem Kontakt mit der gemeinsamen Elektrode 108b hergestellt wird. In diesem Fall kann die Herstellung der Licht-emittierenden Schicht 120 mit einem Masken-Rückziehprozess erfolgen. Bei dem Masken-Rückziehprozess zum Herstellen der Licht-emittierenden Schicht 120 kann die erste Öffnungsstruktur OP1 der ersten Maske M1 (die in 3D gezeigt ist) zum Definieren der Position der Licht-emittierenden Schicht 120 aufgeweitet werden, um die Isolationsschicht 110 und die gemeinsame Elektrode 108b freizulegen.
Gemäß einigen Ausführungsformen weist eine Anzeigevorrichtung ein Halbleitersubstrat, eine Isolationsschicht, eine Licht-emittierende Schicht und eine zweite Elektrode auf. Das Halbleitersubstrat weist einen Pixelbereich und einen peripheren Bereich auf, der um den Pixelbereich angeordnet ist, wobei das Halbleitersubstrat erste Elektroden und eine Treiberelementschicht aufweist. Die ersten Elektroden sind in dem Pixelbereich angeordnet und sind mit der Treiberelementschicht elektrisch verbunden. Die Isolationsschicht ist auf dem Halbleitersubstrat angeordnet, wobei die Isolationsschicht eine erste Isolationsstruktur aufweist, die in dem peripheren Bereich angeordnet ist, wobei die erste Isolationsstruktur eine erste Seitenfläche und eine der ersten Seitenfläche gegenüberliegende zweite Seitenfläche hat. Die Licht-emittierende Schicht ist auf der Isolationsschicht und den ersten Elektroden angeordnet und bedeckt die erste Seitenfläche und die zweite Seitenfläche der ersten Isolationsstruktur. Die zweite Elektrode ist auf der Licht-emittierenden Schicht angeordnet.
Gemäß einigen Ausführungsformen weist eine Anzeigevorrichtung ein Halbleitersubstrat, eine Isolationsschicht, eine Licht-emittierende Schicht und eine zweite Elektrode auf. Das Halbleitersubstrat weist einen Pixelbereich und einen peripheren Bereich auf, der um den Pixelbereich angeordnet ist, wobei das Halbleitersubstrat erste Elektroden und eine Treiberelementschicht aufweist. Die ersten Elektroden sind in dem Pixelbereich angeordnet und sind mit der Treiberelementschicht elektrisch verbunden. Die Isolationsschicht ist auf dem Halbleitersubstrat angeordnet, wobei die Isolationsschicht eine erste Öffnung in dem peripheren Bereich und zweite Öffnungen in dem Pixelbereich aufweist. Die Licht-emittierende Schicht ist auf der Isolationsschicht und in der ersten Öffnung und den zweiten Öffnungen angeordnet. Die zweite Elektrode ist auf der Licht-emittierenden Schicht angeordnet.
Gemäß einigen Ausführungsformen weist ein Herstellungsverfahren für eine Anzeigevorrichtung mindestens die folgenden Schritte auf. Es wird ein Halbleitersubstrat mit Bauelement-Einheiten bereitgestellt, wobei jede der Bauelement-Einheiten einen Pixelbereich und einen peripheren Bereich, der um den Pixelbereich angeordnet ist, aufweist, wobei das Halbleitersubstrat erste Elektroden und eine Treiberelementschicht aufweist. Die ersten Elektroden werden in dem Pixelbereich angeordnet und werden mit der Treiberelementschicht elektrisch verbunden. Auf dem Halbleitersubstrat wird eine Isolationsschicht hergestellt. Die Isolationsschicht wird so strukturiert, dass eine erste Öffnung in dem peripheren Bereich und zweite Öffnungen in dem Pixelbereich entstehen, wobei die zweiten Öffnungen die ersten Elektroden freilegen. Eine Licht-emittierende Schicht wird auf der strukturierten Isolationsschicht und in der ersten Öffnung und den zweiten Öffnungen hergestellt. Auf der Licht-emittierenden Schicht wird eine zweite Elektrode hergestellt.
Vorstehend sind Merkmale verschiedener Ausführungsformen beschrieben worden, sodass Fachleute die Aspekte der vorliegenden Erfindung besser verstehen können. Fachleuten dürfte klar sein, dass sie die vorliegende Erfindung ohne Weiteres als eine Grundlage zum Gestalten oder Modifizieren anderer Verfahren und Strukturen zum Erreichen der gleichen Ziele und/oder zum Erzielen der gleichen Vorzüge wie bei den hier vorgestellten Ausführungsformen verwenden können. Fachleute dürften ebenfalls erkennen, dass solche äquivalenten Auslegungen nicht von dem Grundgedanken und Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abweichen und dass sie hier verschiedene Änderungen, Ersetzungen und Abwandlungen vornehmen können, ohne von dem Grundgedanken und Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.

Claims

Anzeigevorrichtung mit: einem Halbleitersubstrat mit einem Pixelbereich und einem peripheren Bereich, der um den Pixelbereich angeordnet ist, wobei das Halbleitersubstrat erste Elektroden, die in dem Pixelbereich angeordnet sind, und eine Treiberelementschicht aufweist, wobei die ersten Elektroden mit der Treiberelementschicht elektrisch verbunden sind; einer Isolationsschicht, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, wobei die Isolationsschicht eine erste Isolationsstruktur aufweist, die in dem peripheren Bereich angeordnet ist, wobei die erste Isolationsstruktur eine erste Seitenfläche und eine der ersten Seitenfläche entgegengesetzte zweite Seitenfläche hat; einer Licht-emittierenden Schicht, die auf der Isolationsschicht und den ersten Elektroden angeordnet ist und die erste Seitenfläche und die zweite Seitenfläche der ersten Isolationsstruktur bedeckt; und einer zweiten Elektrode, die auf der Licht-emittierenden Schicht angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die zweite Seitenfläche näher an dem Pixelbereich als die erste Seitenfläche ist und ein Mindestabstand zwischen einem äußeren Rand der Licht-emittierenden Schicht und der ersten Seitenfläche gleich der oder größer als die Hälfte einer Höhe der Isolationsschicht ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Isolationsschicht weiterhin eine zweite Isolationsstruktur aufweist, die in dem Pixelbereich angeordnet ist, wobei die zweite Isolationsstruktur erste Strukturteile und zweite Strukturteile aufweist, wobei die ersten Strukturteile entlang einer ersten Richtung angeordnet sind und die zweiten Strukturteile entlang einer zweiten Richtung angeordnet sind, wobei die erste Richtung senkrecht zu der zweiten Richtung ist und jeder der ersten Strukturteile eine dritte Seitenfläche und eine der dritten Seitenfläche entgegengesetzte vierte Seitenfläche hat.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, wobei ein Querschnittsprofil der ersten Seitenfläche, ein Querschnittsprofil der zweiten Seitenfläche, ein Querschnittsprofil der dritten Seitenfläche und ein Querschnittsprofil der vierten Seitenfläche im Wesentlichen gleich sind.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Halbleitersubstrat weiterhin eine gemeinsame Elektrode aufweist, die in dem peripheren Bereich angeordnet ist und mit der zweiten Elektrode elektrisch verbunden ist.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Licht-emittierende Schicht unterbrochen auf der Isolationsschicht und den ersten Elektroden angeordnet ist und die zweite Elektrode zusammenhängend auf der Licht-emittierenden Schicht angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Isolationsstruktur eine Ringform hat.
Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die weiterhin eine dielektrische Verkapselung aufweist, die die zweite Elektrode verkapselt und bedeckt.
Anzeigevorrichtung mit: einem Halbleitersubstrat mit einem Pixelbereich und einem peripheren Bereich, der um den Pixelbereich angeordnet ist, wobei das Halbleitersubstrat erste Elektroden, die in dem Pixelbereich angeordnet sind, und eine Treiberelementschicht aufweist, wobei die ersten Elektroden mit der Treiberelementschicht elektrisch verbunden sind; einer Isolationsschicht, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, wobei die Isolationsschicht eine erste Öffnung in dem peripheren Bereich und zweite Öffnungen in dem Pixelbereich aufweist; einer Licht-emittierenden Schicht, die auf der Isolationsschicht und in der ersten Öffnung und den zweiten Öffnungen angeordnet ist; und einer zweiten Elektrode, die auf der Licht-emittierenden Schicht angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Licht-emittierende Schicht eine Seitenwand der ersten Öffnung, die von der Isolationsschicht definiert wird, und Seitenwände der zweiten Öffnungen bedeckt, die von der Isolationsschicht definiert werden.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, wobei die in den zweiten Öffnungen angeordnete Licht-emittierende Schicht die ersten Elektroden kontaktiert.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10, wobei ein Mindestabstand zwischen einem äußeren Rand der in der ersten Öffnung angeordneten Licht-emittierenden Schicht und der Seitenwand der ersten Öffnung, die von der Isolationsschicht definiert wird, gleich der oder größer als die Hälfte einer Höhe der Isolationsschicht ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 10 oder 12, wobei ein Querschnittsprofil der Seitenwand der ersten Öffnung, die von der Isolationsschicht definiert wird, im Wesentlichen gleich einem Querschnittsprofil jeder der Seitenwände der zweiten Öffnung ist, die von der Isolationsschicht definiert werden.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 13, die weiterhin eine dielektrische Verkapselung aufweist, die die zweite Elektrode verkapselt und die erste Öffnung füllt.
Herstellungsverfahren für eine Anzeigevorrichtung mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats mit Vorrichtungseinheiten, wobei jede der Vorrichtungseinheiten einen Pixelbereich und einen peripheren Bereich, der um den Pixelbereich angeordnet ist, aufweist, wobei das Halbleitersubstrat erste Elektroden, die in dem Pixelbereich angeordnet sind, und eine Treiberelementschicht aufweist, wobei die ersten Elektroden mit der Treiberelementschicht elektrisch verbunden sind; Herstellen einer Isolationsschicht auf dem Halbleitersubstrat; Strukturieren der Isolationsschicht so, dass eine erste Öffnung in dem peripheren Bereich und zweite Öffnungen in dem Pixelbereich entstehen, wobei die zweiten Öffnungen die ersten Elektroden freilegen; Herstellen einer Licht-emittierenden Schicht auf der strukturierten Isolationsschicht und in der ersten Öffnung und den zweiten Öffnungen; und Herstellen einer zweiten Elektrode auf der Licht-emittierenden Schicht.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 15, wobei das Strukturieren der Isolationsschicht ein Durchführen eines fotolithografischen Prozesses für die Isolationsschicht mit nur einer Maske umfasst.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 15 oder 16, wobei das Herstellen der Licht-emittierenden Schicht Folgendes umfasst: Bereitstellen einer ersten Maske mit einer ersten Öffnungsstruktur; und Durchführen eines ersten Abscheidungsprozesses, um die Licht-emittierende Schicht auf der strukturierten Isolationsschicht entsprechend der ersten Öffnungsstruktur der ersten Maske herzustellen, wobei die erste Öffnungsstruktur die strukturierte Isolationsschicht in einer Dickenrichtung des Halbleitersubstrats freilegt.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 17, wobei während des ersten Abscheidungsprozesses ein Mindestabstand zwischen einer Grenze der ersten Öffnungsstruktur der ersten Maske und einer Seitenwand der ersten Öffnung, die von der strukturierten Isolationsschicht definiert wird, gleich der oder größer als die Hälfte einer Höhe der strukturierten Isolationsschicht ist.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 17 oder 18, wobei das Herstellen der zweiten Elektrode Folgendes umfasst: Bereitstellen einer zweiten Maske mit einer zweiten Öffnungsstruktur; und Durchführen eines zweiten Abscheidungsprozesses, um die zweite Elektrode auf der Licht-emittierenden Schicht entsprechend der zweiten Öffnungsstruktur der zweiten Maske herzustellen, wobei die zweite Öffnungsstruktur die Licht-emittierende Schicht in der Dickenrichtung des Halbleitersubstrats freilegt.
Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, das weiterhin Folgendes umfasst: Herstellen einer dielektrischen Verkapselung über der zweiten Elektrode; und Durchführen eines Vereinzelungsprozesses, um das Halbleitersubstrat und die dielektrische Verkapselung zu zertrennen.