DE102019215259A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 24
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N Dicyclohexylamine Chemical compound C1CCCCC1NC1CCCCC1 XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 235000012730 carminic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4821—Bridge structure with air gap
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/467—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing gases, e.g. air
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/647—Resistive arrangements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Abstract
Eine Aufgabe besteht darin, eine Technik vorzusehen, die imstande ist, ein Wärmeabstrahlvermögen beim Abstrahlen einer in einem Shunt-Widerstand erzeugten Wärme zu erhöhen. Eine Halbleitervorrichtung umfasst: einen Behälterkörper (1), der einen Raum mit einer Öffnung aufweist; einen Halbleiterchip (2), einen Shunt-Widerstand (4) und eine Schaltungsstruktur (5), die in dem Raum im Behälterkörper (1) angeordnet sind; ein Abtrennelement (11); eine erste Abdeckung (16a); und eine zweite Abdeckung (16b). Das Abtrennelement (11) trennt den Raum im Behälterkörper (1) in einen ersten Raum (1e) und einen zweiten Raum (1f). Die erste Abdeckung (16a) deckt einen dem ersten Raum (1e) entsprechenden Teil der Öffnung ab, und die zweite Abdeckung (16b) deckt einen dem zweiten Raum (1f) entsprechenden Teil der Öffnung ab. Zumindest ein Loch (18), durch das der zweite Raum (1f) und die Außenseite des Behälterkörpers (1) miteinander in Verbindung stehen, ist in der zweiten Abdeckung (16b) oder durch die zweite Abdeckung (16b) ausgebildet.
Description
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine einen Shunt-Widerstand enthaltende Halbleitervorrichtung.
- Beschreibung des allgemeinen Stands der Technik
- In jüngster Zeit wird eine Halbleitervorrichtung mit einem eingebauten Shunt-Widerstand, der imstande ist, einen Schaltungsstrom mit einem hohen Grad an Genauigkeit zu detektieren, für verschiedene Vorrichtungen verwendet. Da eine Temperatur des Shunt-Widerstands ansteigt, wenn ein Strom angelegt wird, ist ein verfügbarer Shunt-Widerstand beispielsweise aufgrund einer oberen Temperaturgrenze eines Versiegelungselements, das den Shunt-Widerstand versiegelt, beschränkt. Folglich wird in einer Halbleitervorrichtung, die beispielsweise in einer Größenordnung von einigen Ampere verwendet wird, ein Wärmeabstrahleffekt verbessert, indem die Anzahl von Shunt-Widerständen erhöht wird; jedoch tritt ein weiteres Problem auf, dass infolgedessen eine Größe der Vorrichtung zunimmt. In einer Technik in der offengelegten
japanischen Patentanmeldung Nr. 4-162489 - ZUSAMMENFASSUNG
- In der Technik in der offengelegten
japanischen Patentanmeldung Nr. 4-162489 - Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die oben erwähnten Probleme zu lösen, und eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Technik vorzusehen, die imstande ist, ein Wärmeabstrahlvermögen beim Abstrahlen der im Shunt-Widerstand erzeugten Wärme zu erhöhen.
- Die vorliegende Erfindung ist eine Halbleitervorrichtung, welche umfasst: einen Behälterkörper, der einen Raum mit einer Öffnung enthält; einen Halbleiterchip, der in dem Raum in dem Behälterkörper angeordnet ist; einen in dem Raum angeordneten Shunt-Widerstand, der vom Halbleiterchip getrennt werden soll; eine Schaltungsstruktur, die in dem Raum angeordnet ist, um den Halbleiterchip und den Shunt-Widerstand zu verbinden; ein Abtrennelement, das den Raum in dem Behälterkörper in einen ersten Raum auf einer Seite des Halbleiterchips und einen zweiten Raum auf einer Seite des Shunt-Widerstands trennt; ein erstes Versiegelungselement, das in dem ersten Raum angeordnet ist, um den Halbleiterchip zu versiegeln; und eine erste Abdeckung, die einen dem ersten Raum entsprechenden Teil der Öffnung abdeckt, und eine zweite Abdeckung, die einen dem zweiten Raum entsprechenden Teil der Öffnung abdeckt. Zumindest ein Loch, durch das der zweite Raum und die Außenseite des Behälterkörpers miteinander in Verbindung stehen, ist in der zweiten Abdeckung oder durch die zweite Abdeckung ausgebildet.
- Ein Wärmeabstrahlvermögen beim Abstrahlen einer im Shunt-Widerstand erzeugten Wärme kann erhöht werden.
- Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlicher werden, wenn sie in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen vorgenommen wird.
- Figurenliste
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1 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 1 veranschaulicht. -
2 ist eine Querschnittsansicht, die eine Konfiguration der Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht. -
3 ist ein Schaltungsdiagramm, das eine Konfiguration eines Teils der Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 1 veranschaulicht. -
4 ist eine Querschnittsansicht, die eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 2 veranschaulicht. -
5 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 3 veranschaulicht. -
6 ist eine Querschnittsansicht, die die Konfiguration der Halbleitervorrichtung gemäß der Ausführungsform 3 veranschaulicht. -
7 bis9 sind Draufsichten, die eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 4 veranschaulichen. -
10 ist eine Querschnittsansicht, die eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 5 veranschaulicht. - BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
- <Ausführungsform 1 >
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1 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung veranschaulicht, und2 ist eine die Konfiguration veranschaulichende Querschnittsansicht. - Die in
2 veranschaulichte Halbleitervorrichtung umfasst einen Behälterkörper1 , einen Halbleiterchip2 , ein Verbindungsmaterial3 , einen Shunt-Widerstand4 , eine Schaltungsstruktur5 , Elektroden7a und7b , Verdrahtungen8a ,8b und8c , ein Abtrennelement11 , ein erstes Versiegelungselement12 , eine erste Abdeckung16a und eine zweite Abdeckung16b . - Der Behälterkörper
1 weist einen Raum mit einer Öffnung auf einer Oberseite auf, und der Halbleiterchip2 und der Shunt-Widerstand4 sind in dem Raum im Behälterkörper1 in einem voneinander getrennten Zustand angeordnet. In der vorliegenden Ausführungsform 1 weist der Behälterkörper1 eine Basisplatte1a , ein isolierendes Substrat1b und ein Gehäuse1c auf, ist aber nicht darauf beschränkt. - Eine leitfähige Schaltungsstruktur
5 ist auf einer oberen Oberfläche angeordnet, welche eine Hauptoberfläche des isolierenden Substrats1b ist, und die Basisplatte1a ist auf einer unteren Oberfläche angeordnet, welche die andere Hauptoberfläche des isolierenden Substrats1b ist. Ein oberer Teilbereich der Schaltungsstruktur5 ist durch das leitfähige Verbindungselement3 mit dem Halbleiterchip2 und dem Shunt-Widerstand4 verbunden. Dementsprechend verbindet die Schaltungsstruktur5 den Halbleiterchip2 und den Shunt-Widerstand4 elektrisch, wie in3 veranschaulicht ist. Der Halbleiterchip2 ist ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) in3 ; jedoch ist der Halbleiterchip2 nicht darauf beschränkt, sondern kann beispielsweise ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), eine Schottky-Barrierendiode (SBD) oder eine PN-Diode sein. - Das Gehäuse
1c in2 umgibt laterale Seiten des Halbleiterchips2 und des Shunt-Widerstands4 , und ein unterer Teilbereich des Gehäuses1c ist durch das isolierende Substrat1b und die Basisplatte1a verschlossen. - Die Elektrode
7a und die Elektrode7b sind an dem Gehäuse1c in einem voneinander getrennten Zustand befestigt. Die Elektrode7a ist über die Verdrahtung8a mit der Schaltungsstruktur5 elektrisch verbunden; somit sind die Schaltungsstruktur5 und ein Teil der Elektrode7a , der außerhalb des Behälterkörpers1 gelegen ist, miteinander elektrisch verbunden. Die Elektrode7b ist über die Verdrahtung8c mit der Schaltungsstruktur5 elektrisch verbunden; somit sind die Schaltungsstruktur5 und ein Teil der Elektrode7b , der außerhalb des Behälterkörpers1 gelegen ist, miteinander elektrisch verbunden. Die Verdrahtung8b verbindet den Halbleiterchip2 und die Schaltungsstruktur5 elektrisch. - Das Abtrennelement
11 trennt den Raum im Behälterkörper1 in einen ersten Raum1e auf einer Seite des Halbleiterchips2 und einen zweiten Raum1f auf einer Seite des Shunt-Widerstands4 . Wie in1 und2 veranschaulicht ist, ist in einer Draufsicht ein Teil der Halbleitervorrichtung, der dem ersten Raum1e entspricht, „ein Teil zur Montage eines Halbleiterchips“, und ein Teil der Halbleitervorrichtung, der dem zweiten Raum1f entspricht, ist „ein Teil zur Montage eines Shunt-Widerstands“. - In dem ersten Raum
1e ist ein erstes Versiegelungselement12 angeordnet, um den Halbleiterchip2 zu versiegeln. In der vorliegenden Ausführungsform 1 versiegelt das erste Versiegelungselement12 nicht nur den Halbleiterchip2 , sondern auch die Verdrahtungen8a und8b und die Schaltungsstruktur5 im ersten Raum1e ; die Konfiguration ist jedoch nicht darauf beschränkt. Indes ist im zweiten Raum1f das Versiegelungselement nicht angeordnet. In dem Beispiel in2 ist ein zentraler Teilbereich des Shunt-Widerstands4 auf einer Aussparung der Schaltungsstruktur5 angeordnet; folglich ist eine Fläche des zentralen Teilbereichs, die mit Luft in Kontakt ist, verhältnismäßig groß. - Die erste Abdeckung
16a ist eine Abdeckung des Teils zur Montage eines Halbleiterchips und deckt einen dem ersten Raum1e entsprechenden Teil der Öffnung des Behälterkörpers1 ab. Die zweite Abdeckung16b ist eine Abdeckung des Teils zur Montage eines Shunt-Widerstands und deckt einen dem zweiten Raum1f entsprechenden Teil der Öffnung des Behälterkörpers1 ab. Zumindest ein Loch18 , durch welches der zweite Raum1f und die Außenseite des Behälterkörpers1 miteinander in Verbindung stehen, ist in der zweiten Abdeckung16b oder durch die zweite Abdeckung16b ausgebildet. In der vorliegenden Ausführungsform 1 umfasst das zumindest eine Loch18 in einer Draufsicht ein Loch18a auf einer Endseite der zweiten Abdeckung16b und ein Loch18b auf dessen anderer Endseite. Das Loch18a ist zwischen einem Endteilbereich der zweiten Abdeckung16b und dem Abtrennelement11 ausgebildet, und das Loch18b ist zwischen dem anderen Endteilbereich der zweiten Abdeckung16b und dem Gehäuse1c ausgebildet. - Das Abtrennelement
11 ist mit der ersten Abdeckung16a in3 integriert; die Konfiguration ist jedoch nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann das Abtrennelement11 mit dem Gehäuse1c des Behälterkörpers1 integriert sein oder kann mit der zweiten Abdeckung16b integriert sein. - Entsprechend der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform 1 mit der oben beschriebene Konfiguration ist das zumindest eine Loch
18 , durch welches der zweite Raum1f und die Außenseite des Behälterkörpers1 miteinander in Verbindung stehen, in der zweiten Abdeckung16b oder durch die zweite Abdeckung16b ausgebildet. Gemäß der oben beschriebenen Konfiguration kann die Luft, die die Wärme des Shunt-Widerstands4 aufnimmt, über das Loch18 aus dem zweiten Raum1f aus dem Behälterkörper1 heraus transportiert werden. Dementsprechend kann die Wärme des Shunt-Widerstands4 zuverlässig aus dem Behälterkörper1 abgestrahlt werden; somit kann ein Wärmeabstrahlvermögen (ein Luftkühleffekt) erhöht werden. Als Folge kann, selbst wenn die Temperatur des Shunt-Widerstands4 200°C in einer Konfiguration übersteigt, in der beispielsweise ein Gel oder ein Epoxidharz, welches ein gewöhnliches Versiegelungselement ist, für das erste Versiegelungselement12 übernommen ist, eine Abnahme elektrischer Charakteristiken oder eine Verkürzung der Lebensdauer der Halbleitervorrichtung reduziert werden. - In der vorliegenden Ausführungsform 1 umfasst das zumindest eine Loch
18 die beiden Löcher18a und18b , kann aber ein Loch sein. Das zumindest eine Loch18 ist vorzugsweise an einer anderen Stelle als einer Oberseite des Shunt-Widerstands4 ausgebildet. Gemäß der oben beschriebenen Konfiguration kann der Shunt-Widerstand4 vor einer physischen Schädigung geschützt werden, während das Wärmeabstrahlvermögen sichergestellt ist. - <Ausführungsform 2>
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4 ist eine Querschnittsansicht, die eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Die gleichen Bezugsziffern wie jene, die in der Ausführungsform 1 beschrieben sind, sind dem gleichen oder ähnlichen Bestandteil in der Konfiguration gemäß der Ausführungsform 2 zugeordnet, und im Folgenden werden vorwiegend unterschiedliche Bestandteile beschrieben. - In der vorliegenden Ausführungsform 2 ist zumindest ein Teil eines Aufbaus, der den Shunt-Widerstand
4 und die Schaltungsstruktur5 im zweiten Raum1f umfasst, durch einen korrosionshemmenden Film20 bedeckt. In der vorliegenden Ausführungsform 2 sind auch die Elektrode7b und die Verdrahtung8c durch den korrosionshemmenden Film20 bedeckt. - Der korrosionshemmende Film
20 wird gebildet, indem ein flüchtiger Korrosionshemmstoff, der beispielsweise aus einem reaktiven Material aus Dicyclohexylamin und Octansäure oder einem den flüchtigen Korrosionshemmstoff enthaltenden Material besteht, im zweiten Raum1f aufgesprüht (aufgebracht) wird. - Entsprechend der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform 2 mit der oben beschriebenen Konfiguration kann der korrosionshemmende Film
20 beispielsweise eine Oxidation und Schwefelung des Shunt-Widerstands4 und der Schaltungsstruktur5 reduzieren. - <Ausführungsform 3>
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5 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung veranschaulicht, und6 ist eine die Konfiguration veranschaulichende Querschnittsansicht. Die gleichen Bezugsziffern wie jene, die in den obigen Ausführungsformen beschrieben wurden, sind dem gleichen oder ähnlichen Bestandteil in der Konfiguration gemäß der Ausführungsform 3 zugeordnet, und im Folgenden werden vorwiegend die unterschiedlichen Bestandteile beschrieben. - Auch in der vorliegenden Ausführungsform 3 umfasst in der der Ausführungsform 1 ähnlichen Art und Weise das zumindest eine Loch
18 in einer Draufsicht das Loch18a auf der einen Endseite der zweiten Abdeckung16b und das Loch18b auf dessen anderer Endseite. In der vorliegenden Ausführungsform 3 sind jedoch eine Form einer oberen Oberfläche der zweiten Abdeckung16b und eine Form ihrer unteren Oberfläche in einer Querschnittsansicht voneinander verschieden. Die Konfiguration, in der die Form der oberen Oberfläche und die Form der unteren Oberfläche voneinander verschieden sind, umfasst nicht nur eine Konfiguration, in der, wie in6 veranschaulicht, die obere Oberfläche eine gekrümmte Oberfläche ist und die untere Oberfläche eine flache Oberfläche ist, sondern beispielsweise auch eine Konfiguration, in der ein Flächeninhalt der oberen Oberfläche und ein Flächeninhalt der unteren Oberfläche voneinander verschieden sind, oder eine Konfiguration, in der ein Gradient der oberen Oberfläche bezüglich einer horizontalen Richtung und ein Gradient der unteren Oberfläche bezüglich einer horizontalen Richtung voneinander verschieden sind. - Entsprechend der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform 3 mit der oben beschriebenen Konfiguration tritt eine Differenz zwischen einem Volumenstrom eines entlang der oberen Oberfläche strömenden Winds und einem Volumenstrom eines entlang der unteren Oberfläche strömenden Winds auf, und ein Karmanwirbel entsteht. Der Karmanwirbel kann die Luft im zweiten Raum
1f aufwirbeln; somit kann das Wärmeabstrahlvermögen weiter erhöht werden. - <Ausführungsform 4>
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7 ist eine Draufsicht, die eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 4 der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Die gleichen Bezugsziffern wie jene, die in den obigen Ausführungsformen beschrieben wurden, sind dem gleichen oder ähnlichen Bestandteil in der Konfiguration gemäß der Ausführungsform 4 zugeordnet, und im Folgenden werden vorwiegend die unterschiedlichen Bestandteile beschrieben. - In der vorliegenden Ausführungsform 4 ist zumindest ein Loch eine Vielzahl von Löchern
18c , die in der zweiten Abdeckung16b angeordnet sind. Die Vielzahl von Löchern18c ist vorzugsweise an einer anderen Stelle als einer Oberseite des Shunt-Widerstands4 angeordnet. Entsprechend der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform 4, die oben beschrieben wurde, kann der Shunt-Widerstand4 vor einer physischen Schädigung geschützt werden; somit kann man beispielsweise eine Verlängerung der Lebensdauer erwarten. Jedes der Vielzahl von Löchern18c hat eine Funktion als Entlüftungsloch, das die Wärme des Shunt-Widerstands4 nach außen abstrahlt, und kann so den Luftkühleffekt verbessern. - Die Vielzahl von Löchern
18c ist nicht auf kreisförmige Löcher beschränkt. Beispielsweise kann die Vielzahl von Löchern18c , wie in8 veranschaulicht, Schlitze sein. Auch in solch einer Konfiguration kann der Effekt ähnlich demjenigen der Konfiguration in7 erhalten werden. Wie in9 veranschaulicht ist, kann beispielsweise die zweite Abdeckung16b eine Maschenstruktur aufweisen, und die Vielzahl von Löchern18c kann durch die Struktur definierte Löcher sein. Auch in solch einer Konfiguration kann der Effekt ähnlich demjenigen der Konfiguration in7 erhalten werden. - <Ausführungsform 5>
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10 ist eine Querschnittsansicht, die eine Konfiguration einer Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform 5 der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Die gleichen Bezugsziffern wie jene, die in den obigen Ausführungsformen beschrieben wurden, sind dem gleichen oder ähnlichen Bestandteil in der Konfiguration gemäß der Ausführungsform 5 zugeordnet, und im Folgenden werden vorwiegend die unterschiedlichen Bestandteile beschrieben. - Eine Konfiguration der vorliegenden Ausführungsform 5 ist der Konfiguration der Ausführungsform 1 (
2 ) ähnlich, außer dass ein zweites Versiegelungselement22 hinzugefügt ist. Das zweite Versiegelungselement22 ist im zweiten Raum1f angeordnet, um den Shunt-Widerstand4 zu versiegeln. Ein Material des ersten Versiegelungselements12 und ein Material des zweiten Versiegelungselements22 sind voneinander verschieden. Beispielsweise wird für das erste Versiegelungselement12 ein Gel oder ein Epoxidharz übernommen, das ein gewöhnliches Versiegelungselement ist, und für das zweite Versiegelungselement22 wird ein Versiegelungselement übernommen, das eine höhere Wärmebeständigkeit als das gewöhnliche Versiegelungselement aufweist. Entsprechend der Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform 5, die oben beschrieben wurde, kann das für jeden des Halbleiterchips2 und des Shunt-Widerstands4 geeignete Versiegelungselement verwendet werden. - Gemäß der vorliegenden Erfindung können die obigen Ausführungsformen beliebig kombiniert werden, oder jede Ausführungsform kann innerhalb des Umfangs der Erfindung geeignet variiert oder weggelassen werden.
- Obgleich die Erfindung im Detail dargestellt und beschrieben wurde, ist die vorhergehende Beschreibung in allen Aspekten veranschaulichend und nicht beschränkend. Es versteht sich daher, dass zahlreiche Modifikationen und Variationen konzipiert werden können, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
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- JP 4162489 [0002, 0003]
Claims (9)
- Halbleitervorrichtung, umfassend: einen Behälterkörper (1), der einen Raum mit einer Öffnung enthält; einen Halbleiterchip (2), der in dem Raum in dem Behälterkörper angeordnet ist; einen in dem Raum angeordneten Shunt-Widerstand (4), der vom Halbleiterchip getrennt werden soll; eine Schaltungsstruktur (5), die in dem Raum angeordnet ist, um den Halbleiterchip und den Shunt-Widerstand zu verbinden; ein Abtrennelement (11), das den Raum in dem Behälterkörper in einen ersten Raum (1e) auf einer Seite des Halbleiterchips und einen zweiten Raum (1f) auf einer Seite des Shunt-Widerstands trennt; ein erstes Versiegelungselement (12), das in dem ersten Raum angeordnet ist, um den Halbleiterchip zu versiegeln; und eine erste Abdeckung (16a), die einen dem ersten Raum entsprechenden Teil der Öffnung abdeckt, und eine zweite Abdeckung (16b), die einen dem zweiten Raum entsprechenden Teil der Öffnung abdeckt, wobei zumindest ein Loch (18), durch das der zweite Raum und die Außenseite des Behälterkörpers miteinander in Verbindung stehen, in der zweiten Abdeckung oder durch die zweite Abdeckung ausgebildet ist.
- Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 1 , wobei zumindest ein Teil eines Aufbaus, der den Shunt-Widerstand (4) und die Schaltungsstruktur (5) in dem zweiten Raum (1f) umfasst, durch einen korrosionshemmenden Film (20) bedeckt ist. - Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 1 oderAnspruch 2 , wobei das zumindest eine Loch (18) in einer Draufsicht ein Loch (18a) auf einer Endseite der zweiten Abdeckung (16b) und ein Loch (18b) auf einer anderen Endseite der zweiten Abdeckung umfasst, und eine Form einer oberen Oberfläche der zweiten Abdeckung und eine Form einer unteren Oberfläche der zweiten Abdeckung in einer Querschnittsansicht voneinander verschieden sind. - Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 1 oderAnspruch 2 , wobei das zumindest eine Loch (18) eine Vielzahl von Löchern (18c) umfasst, die in der zweiten Abdeckung (16b) angeordnet sind. - Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 4 , wobei die Vielzahl von Löchern (18c) Schlitze umfasst. - Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 4 , wobei die zweite Abdeckung (16b) eine Maschenstruktur aufweist, und die Vielzahl von Löchern (18c) durch die Struktur definierte Löcher umfasst. - Halbleitervorrichtung nach
Anspruch 1 , ferner umfassend ein zweites Versiegelungselement (22), das in dem zweiten Raum (1f) angeordnet ist, um den Shunt-Widerstand (4) zu versiegeln, und ein Material des ersten Versiegelungselements (12) und ein Material des zweiten Versiegelungselements voneinander verschieden sind. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis7 , wobei das zumindest eine Loch (18) an einer anderen Stelle als einer Oberseite des Shunt-Widerstands (4) ausgebildet ist. - Halbleitervorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis8 , wobei das Abtrennelement (11) mit dem Behälterkörper (1) oder der ersten Abdeckung (16a) integriert ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018191657A JP7050643B2 (ja) | 2018-10-10 | 2018-10-10 | 半導体装置 |
JP2018-191657 | 2018-10-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102019215259A1 true DE102019215259A1 (de) | 2020-04-16 |
DE102019215259B4 DE102019215259B4 (de) | 2023-02-23 |
Family
ID=69954813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102019215259.7A Active DE102019215259B4 (de) | 2018-10-10 | 2019-10-02 | Halbleitervorrichtung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10847437B2 (de) |
JP (1) | JP7050643B2 (de) |
CN (1) | CN111029314B (de) |
DE (1) | DE102019215259B4 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111739847B (zh) * | 2020-07-27 | 2020-11-20 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 芯片封装结构、其制作方法和电子设备 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5139133U (de) * | 1974-09-17 | 1976-03-24 | ||
JPS52115844U (de) * | 1976-03-01 | 1977-09-02 | ||
JPS6170971U (de) * | 1984-10-15 | 1986-05-15 | ||
JP2523055Y2 (ja) * | 1990-04-16 | 1997-01-22 | ヤンマー農機株式会社 | 管理機の耕耘部構造 |
JP2523055B2 (ja) * | 1990-10-24 | 1996-08-07 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路 |
JP2527642B2 (ja) * | 1990-10-24 | 1996-08-28 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路 |
JP2854120B2 (ja) * | 1990-10-25 | 1999-02-03 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路 |
JPH07161925A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
JPH0964549A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-07 | Nec Kansai Ltd | 通気孔を有する電子機器筐体 |
JP3674333B2 (ja) * | 1998-09-11 | 2005-07-20 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体モジュール並びにそれを用いた電動機駆動システム |
JP4168114B2 (ja) | 2001-09-28 | 2008-10-22 | Dowaホールディングス株式会社 | 金属−セラミックス接合体 |
JP3764687B2 (ja) | 2002-02-18 | 2006-04-12 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体装置及びその製造方法 |
JP2007281219A (ja) | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス回路基板およびその製造方法 |
CN101257780B (zh) | 2007-02-27 | 2011-05-04 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 电子设备导风装置 |
KR20110085481A (ko) * | 2010-01-20 | 2011-07-27 | 삼성전자주식회사 | 적층 반도체 패키지 |
DE102013219571B4 (de) * | 2013-09-27 | 2019-05-23 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodul mit vertikalem Shunt-Widerstand |
JP2015130492A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-07-16 | ローム株式会社 | 半導体モジュール |
JP6600172B2 (ja) * | 2015-06-08 | 2019-10-30 | ローム株式会社 | パワーモジュール半導体装置およびその製造方法、およびインバータ装置 |
JP6455364B2 (ja) * | 2015-08-28 | 2019-01-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、インテリジェントパワーモジュールおよび電力変換装置 |
JP6666927B2 (ja) * | 2015-12-10 | 2020-03-18 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電子制御装置 |
CN106455446B (zh) * | 2016-10-28 | 2019-02-15 | 曙光信息产业(北京)有限公司 | 发热元件的冷却装置及冷却装置的制造方法 |
WO2019216299A1 (ja) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールの製造方法および高周波モジュール |
-
2018
- 2018-10-10 JP JP2018191657A patent/JP7050643B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-25 US US16/451,857 patent/US10847437B2/en active Active
- 2019-09-27 CN CN201910925653.3A patent/CN111029314B/zh active Active
- 2019-10-02 DE DE102019215259.7A patent/DE102019215259B4/de active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7050643B2 (ja) | 2022-04-08 |
CN111029314A (zh) | 2020-04-17 |
US10847437B2 (en) | 2020-11-24 |
JP2020061455A (ja) | 2020-04-16 |
DE102019215259B4 (de) | 2023-02-23 |
CN111029314B (zh) | 2023-09-08 |
US20200118903A1 (en) | 2020-04-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R084 | Declaration of willingness to licence | ||
R020 | Patent grant now final |