DE102019127083A1 - Galliumnitrid-auf-silizium-vorrichtungen - Google Patents

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Abstract

Offenbart ist eine Galliumnitrid-auf-Silizium-Struktur, in welcher die zweidimensionale Elektronengas- (2DEG-) Schicht eine unterbrochene Schicht ist, welche mindestens zwei 2DEG-Segmente umfasst. Jedes der 2DEG-Segmente ist durch einen Spalt von einem weiteren 2DEG-Segment getrennt. Die 2DEG-Schicht kann durch eine p-dotierte Galliumnitrid-Schicht verarmt werden, welche über einem Abschnitt einer Aluminium-Galliumnitrid-Schicht angeordnet wird. Zusätzlich oder alternativ dazu kann ein Graben in der Struktur durch die 2DEG-Schicht hindurch gebildet werden, um einen Spalt in der 2DEG-Schicht zu schaffen. Eine elektrische Komponente wird über mindestens einem Abschnitt eines Spalts angeordnet.

Description

  • Entwickler von Halbleiterbauelementen und elektronischen Vorrichtungen sind häufig auf der Suche nach anderen Materialien zur Verwendung in der Fertigung der Schaltungen und Bauelemente. Aufgrund einer Anzahl vorteilhafter Eigenschaften, darunter hohe Elektronenmobilität und die Fähigkeit, Signale mit hoher Frequenz zu übertragen, werden Galliumnitrid-Materialien vermehrt in Halbleiter- und elektronischen Vorrichtungen verwendet. Galliumnitrid-Materialien werden zum Beispiel in Stromwandlern, Funkfrequenz-(RF-) Vorrichtungen und optoelektronischen Bauelementen verwendet.
  • Mit Galliumnitrid-Materialien gefertigte Strukturen und Bauelemente umfassen elektrische Komponenten, wie zum Beispiel Induktoren, Kondensatoren, Widerstände und Transformatoren. Eine Leistungsverstärkervorrichtung weist zum Beispiel einen Induktor auf. Ein Vorteil der Verwendung von Galliumnitrid-Materialien in der Leistungsverstärkervorrichtung ist der hohe Q-Wert des Induktors. Der Q-Wert bestimmt die Qualität des Induktors. Typischerweise weist ein Induktor mit einem hohen Q-Wert niedrigere Verluste auf, als ein Induktor mit einem niedrigeren Q-Wert.
  • Wird ein Induktor jedoch auf einer Aluminium-Galliumnitrid- (AlGaN-) Schicht einer Galliumnitrid- (GaN-) Struktur gefertigt, kann der Q-Wert durch eine zweidimensionale Elektronengas- (2DEG-) Schicht, die sich an der Grenzfläche zwischen der AlGaN-Schicht und der GaN-Schicht bildet, begrenzt sein. Die 2DEG-Schicht wirkt als eine Metallschicht und beeinflusst den Q-Wert des Induktors negativ.
  • Ausführungsformen sind in Bezug auf diese und andere allgemeine Überlegungen beschrieben worden. Obwohl relativ spezifische Schwierigkeiten erörtert worden sind, ist davon auszugehen, dass die Ausführungsformen nicht auf das Lösen der beim allgemeinen Stand der Technik erkannten spezifischen Schwierigkeiten beschränkt werden sollten.
  • Figurenliste
  • Die Offenbarung ist problemlos verständlich durch die folgende ausführliche Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen, wobei dieselben Bezugsziffern ähnliche strukturelle Elemente bezeichnen, und in welchen:
    • 1 ein Blockschaltbild einer elektronischen Vorrichtung zeigt, in welcher Aspekte der Offenbarung im Einklang mit einigen Ausführungsformen ausgeführt werden können;
    • 2 ein Flussdiagramm eines Beispielverfahrens zur Herstellung einer elektrischen Komponentenvorrichtung im Einklang mit einigen Ausführungsformen abbildet;
    • 3 eine Querschnittsansicht eines ersten Beispiels einer elektrischen Komponentenvorrichtung im Einklang mit einigen Ausführungsformen zeigt;
    • 4 eine Querschnittsansicht eines zweiten Beispiels einer elektrischen Komponentenvorrichtung im Einklang mit einigen Ausführungsformen zeigt;
    • 5 ein Flussdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform der elektrischen Komponentenvorrichtung, die in 3 und 4 gezeigt sind, zeigt;
    • 6A - 6D Querschnittsansichten eines Verfahrens zur Herstellung eines dritten Beispiels einer elektrischen Komponentenvorrichtung im Einklang mit einigen Ausführungsformen abbilden;
    • 7 - 10 Querschnittsansichten zum dritten Beispiel der elektrischen Komponentenvorrichtung, das in 6D gezeigt ist, alternative On-Chip-Induktoren zeigen;
    • 11A - 11D Querschnittsansichten eines Verfahrens zur Herstellung eines vierten Beispiels einer elektrischen Komponentenvorrichtung im Einklang mit einigen Ausführungsformen abbilden;
    • 12 - 14 Beispielinduktoren zeigen, welche zur Verwendung in einer elektrischen Komponentenvorrichtung im Einklang mit einigen Ausführungsformen geeignet sind; und
    • 15 ein Blockschaltbild einer Datenverarbeitungsvorrichtung abbildet, mit welcher Aspekte der Offenbarung im Einklang mit einigen Ausführungsformen ausgeführt werden können.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Die folgende Offenbarung stellt viele verschiedene Ausführungsformen, oder Beispiele, zum Umsetzen verschiedener Merkmale des bereitgestellten Gegenstands dar. Spezifische Beispiele von Komponenten und Anordnungen sind nachfolgend beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Dies sind natürlich nur Beispiele und nicht als Einschränkung auszulegen. Zum Beispiel kann die Bildung eines ersten Elements über oder auf einem zweiten Element in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, in welchen das erste Element und das zweite Merkmal in direktem Kontakt miteinander gebildet sind, und kann ebenfalls Ausführungsformen umfassen, in welchen zusätzliche Merkmale zwischen dem ersten Merkmal und dem zweiten Element gebildet sein können, sodass das erste Element und das zweite Element nicht in direktem Kontakt miteinander sein können. Darüber hinaus kann die vorliegende Offenbarung Bezugsziffern und/oder -Zeichen in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient dem Zweck der Vereinfachung und Klarheit, und schreibt für sich selbst keine Beziehung zwischen den verschiedenen erörterten Ausführungsformen und/oder Konfigurationen vor.
  • Ferner können Begriffe räumlicher Beziehungen, wie zum Beispiel „unterhalb“, „darunter“, „niedriger“, „oberhalb“, „darüber“, „unter“, „obere/r“, „oberster“, „unterster“, „vorne“, „hinten“ und dergleichen hierin zur einfacheren Beschreibung der Beziehung eines in den Figuren dargestellten Elements oder Merkmals zu (einem) anderen Element(en) oder Merkmal(en) verwendet werden. Die Begriffe räumlicher Beziehungen sollen dazu dienen, verschiedene Ausrichtungen der Vorrichtung bei der Verwendung oder im Betrieb zusätzlich zur in den Figuren abgebildeten Ausrichtung einzuschließen. Da Komponenten in verschiedenen Ausführungsformen in mehreren verschiedenen Ausrichtungen angeordnet sein können, wird die Richtungsterminologie nur zum Zweck der Veranschaulichung verwendet und ist in keiner Weise als Einschränkung auszulegen. Verwendet in Verbindung mit Schichten einer integrierten Schaltung, eines Halbleiterbauelements oder einer elektronischen Vorrichtung ist die Richtungsterminologie breit auszulegen, und ist daher nicht als Ausschließung einer oder mehrerer dazwischenliegenden Schichten oder anderer dazwischenliegender Merkmale oder Elemente auszulegen. Somit kann eine bestimmte Schicht, die hierin als gebildet auf, gebildet über, angeordnet auf oder angeordnet über einer anderen Schicht beschrieben ist, von letzterer Schicht durch eine oder mehrere zusätzliche Schichten getrennt sein.
  • Hierin beschriebene Ausführungsformen stellen eine Galliumnitrid- (GaN)-auf-Silizium-Struktur bereit, in welcher die zweidimensionale Elektronengas- (2DEG-) Schicht eine unterbrochene Schicht ist, welche durch einen Spalt getrennte 2DEG-Segmente aufweist. In einer Ausführungsform wird die 2DEG-Schicht durch eine p-dotierte GaN-Schicht verarmt, welche über einem Abschnitt der AlGaN-Schicht angeordnet ist. In einer weiteren Ausführungsform wird ein Graben in der Struktur von der Vorderseite oder der Rückseite der Struktur und durch die 2DEG-Schicht gebildet, um einen Spalt in der 2DEG-Schicht zu schaffen. Ein Vorteil der offenbarten Galliumnitrid- (GaN)-auf-Silizium-Struktur besteht darin, dass ein On-Chip-Induktor mit einem höheren Q-Wert erzielt werden kann. Darüber hinaus hat die Galliumnitrid- (GaN)-auf-Silizium-Struktur keinen, oder im Wesentlichen keinen, Einfluss auf die Induktivität des Induktors.
  • Diese und andere Ausführungsformen sind unten in Bezug auf die 1 - 14 erörtert. Fachleute werden jedoch problemlos erkennen, dass die hierin in Bezug auf diese Figuren enthaltene ausführliche Beschreibung nur zur Erläuterung dient, und keineswegs als Einschränkung auszulegen ist.
  • 1 zeigt ein Blockschaltbild einer elektronischen Vorrichtung, in welcher Aspekte der Offenbarung im Einklang mit einigen Ausführungsformen ausgeführt werden können. Die elektronische Vorrichtung 100 weist eine oder mehrere elektrische Komponenten auf (dargestellt durch die elektrische Komponente 102), welche mit einer oder mehreren elektrischen Komponentenvorrichtungen (dargestellt durch die elektrische Komponentenvorrichtung 104) wirkungstechnisch verbunden ist/sind. Die elektrische Komponente 102 weist eine oder mehrere Schaltungen oder Schaltungskomponenten auf, welche dafür ausgelegt sind, Signale zur elektrischen Komponentenvorrichtung 104 zu übertragen und/oder Signale von der elektrischen Komponentenvorrichtung 104 zu empfangen. Die elektrische Komponentenvorrichtung 104 kann irgendeine geeignete Schaltung aufweisen, wie zum Beispiel einen oder mehrere Induktoren, einen oder mehrere Kondensatoren, einen oder mehrere Transformatoren, einen oder mehrere Widerstände und Kombinationen davon.
  • Beispiele der elektronische Vorrichtung 100 umfassen, sind jedoch nicht beschränkt auf, eine gedruckte Schaltungsplatte, eine integrierte Mikrowellenschaltung (MIC), eine monolithische integrierte Mikrowellenschaltung (MMIC) oder andere integrierte Schaltungen oder elektrische Komponenten. In einer Ausführungsform ist die elektrische Komponente 102 in einer ersten elektronischen Vorrichtung (z.B. einer integrierten Schaltung) angeordnet, und die elektrische Komponentenvorrichtung 104 ist auf einer getrennten zweiten elektronischen Vorrichtung angeordnet. In einer weiteren Ausführungsform sind die elektrische Komponente 102 und die elektrische Komponentenvorrichtung 104 in derselben elektronischen Vorrichtung enthalten.
  • 2 bildet ein Flussdiagramm eines Beispielverfahrens zur Herstellung einer elektrischen Komponentenvorrichtung im Einklang mit einigen Ausführungsformen ab. Zunächst wird, wie in Block 200 gezeigt, eine Pufferschicht über einem Substrat gebildet. In einer Ausführungsform ist die Pufferschicht eine Galliumnitrid-Schicht (GaxN1-x) mit einer Dicke von ungefähr 0,01 ~ 20 Mikrometern, und das Substrat ist ein siliziumbasiertes Substrat mit einer Dicke von ungefähr 10 ~ 1000 Mikrometern. Andere Ausführungsformen sind nicht auf diese Dicken beschränkt.
  • Als nächstes wird, wie in Block 202 gezeigt, eine erste Schicht über der Pufferschicht gebildet. Dann wird eine zweite Schicht über der ersten Schicht gebildet (Block 204). In einer Ausführungsform ist die erste Schicht eine Galliumnitrid-Schicht (GayN1-y) mit einer Dicke von ungefähr 0,01 ~ 20 Mikrometern, und die zweite Schicht ist eine Aluminium-Galliumnitrid-Schicht (AlGaN) mit einer Dicke von ungefähr 0,01 ~ 20 Mikrometern. Andere Ausführungsformen sind nicht auf diese Dicken beschränkt.
  • An der Grenzfläche zwischen der Galliumnitrid-Schicht (z.B. der ersten Schicht) und der Aluminium-Galliumnitrid-Schicht (z.B. der zweiten Schicht) fließen Elektronen in die Galliumnitrid-Schicht und sammeln sich an der Grenzfläche, um eine zweidimensionale Elektronengas- (2DEG-) Schicht zu bilden. Wie in Block 206 gezeigt, werden 2DEG-Segmente in der 2DEG-Schicht an der Grenzfläche zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht gebildet. Die 2DEG-Segmente sind durch einen Spalt voneinander getrennt. Dann wird eine elektrische Komponente auf der Struktur über der zweiten Schicht angeordnet (Block 208).
  • Hierin offenbart sind verschiedene Techniken zur Bildung der 2DEG-Segmente in einer elektrischen Komponentenvorrichtung. 3 zeigt eine Querschnittsansicht eines ersten Beispiels einer elektrischen Komponentenvorrichtung im Einklang mit einigen Ausführungsformen. Die elektrische Komponentenvorrichtung 300 weist eine Pufferschicht 302 angeordnet über einem Substrat 304 auf. Wie zuvor beschrieben ist die Pufferschicht 302 in einer Ausführungsform eine GaN-Schicht. Das GaN in der Pufferschicht 302 wird dazu verwendet, das Kristallgitter zur Gitteranpassung vom Substrat 304 zur Pufferschicht 302 zu übertragen. In einem nicht einschränkenden Beispiel ist das Substrat 304 ein Siliziumsubstrat mit hohem spezifischem Widerstand.
  • Eine erste Schicht 306 wird über der Pufferschicht 302 angeordnet, und eine zweite Schicht 308 wird über der ersten Schicht 306 angeordnet. In einer Ausführungsform ist die erste Schicht 306 eine Galliumnitrid-Schicht und die zweite Schicht 308 ist eine Aluminium-Galliumnitrid-Schicht (AlGaN). Eine 2DEG-Schicht 310 bildet sich an der Grenzfläche zwischen der Galliumnitrid-Schicht (z.B. der ersten Schicht 306) und der Aluminium-Galliumnitrid-Schicht (z.B. der zweiten Schicht 308).
  • Eine dritte Schicht 312 wird über der zweiten Schicht 308 angeordnet. In einer Beispielausführungsform ist die dritte Schicht 312 eine p-dotierte Galliumnitrid-Schicht (P-GaN) mit einer Dicke von ungefähr 0,01 ~ 20 Mikrometern. Die dritte Schicht 312 ist insofern eine unterbrochene Schicht, dass die dritte Schicht Öffnungen 314, 316 aufweist. Somit ist die dritte Schicht 312 nur über einem Abschnitt der zweiten Schicht 308 angeordnet. Jede der Öffnungen 314, 316 kann eine beliebige Form aufweisen, und ein dielektrisches Material 318 wird in den Öffnungen 314, 316 angeordnet.
  • Die dritte Schicht 312 weist einen Umriss oder eine Kontur auf, welche die Form der dritten Schicht 312 auf der zweiten Schicht 308 umgrenzt. Die dritte Schicht 312 schafft einen Spalt 320 in der 2DEG-Schicht 310, sodass die 2DEG-Schicht 310 eine unterbrochene 3DEG-Schicht ist, welche 2DEG-Segments 322, 324 aufweist. Die dritte Schicht 312 verarmt die 2DEG-Schicht 310 derart, dass der Spalt 320 eine Form aufweist, welche der Kontur der dritten Schicht 312 entspricht. Die 2DEG-Segmente 322, 324 sind in jenen Bereichen vorhanden, in welchen die dritte Schicht 312 fehlt. Wie in 3 gezeigt, werden die 2DEG-Segmente 314, 316 in jenen Bereichen gebildet, welche den Öffnungen 314, 316 entsprechen.
  • Eine oder mehrere elektrische Komponenten (dargestellt durch die elektrische Komponente 326) werden über der dritten Schicht 312 angeordnet. In einer Ausführungsform wird die elektrische Komponente über dem gesamten Spalt 320 angeordnet (wie in 3 gezeigt). In einer weiteren Ausführungsform überdeckt die elektrische Komponente 326 nur einen Abschnitt des Spalts 320. In einem nicht einschränkenden Beispiel weist die elektrische Komponente 326 einen oder mehrere Widerstände auf, während andere Ausführungsformen nicht auf diese Umsetzung beschränkt sind. Andere Beispiele der elektrischen Komponente 326 umfassen, sind aber nicht beschränkt auf, einen oder mehrere Kondensatoren, einen oder mehrere Widerstände oder mehrere Transformatoren und Kombinationen davon.
  • Wie in 3 gezeigt, liegt die dritte Schicht 312 unter der elektrischen Komponente 326. Die dritte Schicht 312 kann irgendwelche geeigneten Abmessungen aufweisen. Zum Beispiel sind die Abmessungen der dritten Schicht 312 in einer Ausführungsform größer, als die Abmessungen der elektrischen Komponente 326. Somit erstreckt sich die dritte Schicht 312 über mindestens eine Abmessung der elektrische Komponente 326 hinaus. In einer weiteren Ausführungsform stimmen die Abmessungen der dritten Schicht 312 mit den Abmessungen der elektrischen Komponente 326 überein. In einigen Fällen sind die Abmessungen der dritten Schicht 312 kleiner, als die Abmessungen der elektrischen Komponente 326. Somit umfasst die Schicht unter der elektrischen Komponente 326 sowohl die dritte Schicht 312 als auch das dielektrische Material 318.
  • 4 bildet eine Querschnittsansicht eines zweiten Beispiels einer elektrischen Komponentenvorrichtung im Einklang mit einigen Ausführungsformen ab. Die elektrische Komponentenvorrichtung 400 ist ähnlich der elektrischen Komponentenvorrichtung 300, die in 3 gezeigt ist, außer dass die dritte Schicht 312 strukturiert wird, um in der dritten Schicht 312 die Öffnungen 402, 404, 406, 308 zu schaffen. Das dielektrische Material 318 wird in den Öffnungen 402, 404, 406, 408 in der dritten Schicht 312 angeordnet.
  • Die 2DEG-Schicht 310 ist eine unterbrochene Schicht und weist 2DEG-Segmente 410, 412, 414, 416 auf, die an jenen Stellen angeordnet sind, welche Bereichen entsprechen, wo die dritte Schicht 312 fehlt. Wie in 4 gezeigt, werden die 2DEG-Segmente 410, 412, 414, 416 in jenen Bereichen gebildet, welche den Öffnungen 310, 312, 314, 316 in der dritten Schicht 312 entsprechen. Wie bei der Ausführungsform, die in 2 gezeigt ist, weisen die Spalten zwischen den 2DEG-Segmenten 310, 312, 314, 316 Formen auf, welche den Konturen der dritten Schicht 312 entsprechen.
  • Wie bei der Ausführungsform, die in 3 gezeigt ist, kann die dritte Schicht 312 irgendwelche geeigneten Abmessungen aufweisen. Zum Beispiel sind die Abmessungen der dritten Schicht 312 in einer Ausführungsform größer, als die Abmessungen der elektrischen Komponente 326. Somit erstreckt sich die dritte Schicht 312 über mindestens eine Abmessung der elektrischen Komponente 326 hinaus. In einer weiteren Ausführungsform stimmen die Abmessungen der dritten Schicht 312 mit den Abmessungen der elektrischen Komponente 326 überein. In einigen Fällen sind die Abmessungen der dritten Schicht 312 kleiner, als die Abmessungen der elektrischen Komponente 326. Somit umfasst die Schicht unter der elektrischen Komponente 326 sowohl die dritte Schicht 312 als auch das dielektrische Material 318.
  • 5 zeigt ein Flussdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform der elektrischen Komponentenvorrichtung, die in den 3 und 4 gezeigt sind. Zunächst, wie in Block 500 gezeigt, wird die Pufferschicht über einem Substrat gebildet. In einer Ausführungsform kann die Pufferschicht zum Beispiel auf dem Substrat abgeschieden oder aufgewachsen werden. Wie zuvor beschrieben, ist die Pufferschicht in einer Ausführungsform eine Galliumnitrid-Schicht (GaxN1-x) und das Substrat ist ein Siliziumsubstrat mit hohem spezifischen Widerstand.
  • Als nächstes wird, wie in Block 502 gezeigt, die erste Schicht über der Pufferschicht gebildet. Dann wird die zweite Schicht über der ersten Schicht gebildet (Block 504). In einem nicht einschränkenden Beispiel können die erste Schicht und die zweite Schicht auf dem Substrat abgeschieden oder aufgewachsen werden. In einer Ausführungsform ist die erste Schicht eine Galliumnitrid-Schicht (GayN1-y) und die zweite Schicht ist eine Aluminium-Galliumnitrid-Schicht (AlGaN).
  • Eine Schicht, welche die dritte Schicht werden wird, wird bei Block 506 über der zweiten Schicht gebildet. In einer Ausführungsform ist die Schicht eine GaN-Schicht. Dann wird die Schicht mit einem p-Dotierstoff dotiert und strukturiert, um eine oder mehrere Öffnungen in der dritten Schicht zu schaffen (Block 508). Zum Beispiel wird ein p-Dotierstoff (z.B. Magnesium) während eines Aufwachsprozesses in die Schicht eingebracht. Alternativ dazu wird der p-Dotierstoff in die Schicht implantiert, um die p-GaN-Schicht (P-GaN) zu schaffen.
  • In einer Ausführungsform werden die eine oder die mehreren Öffnungen in der P-GaN-Schicht durch Bilden einer Maske über der p-GaN-Schicht und Strukturieren der Maske zur Schaffung einer oder mehrerer Öffnungen in der Maske an Stellen, welche den Stellen der Öffnung(en) in der dritten Schicht entsprechen, geschaffen. Dann wird der Abschnitt der dritten Schicht, der in jeder Öffnung freigelegt ist, zum Beispiel unter Verwendung einer chemischen Ätzung oder eines Ionenätzprozesses entfernt. Somit wird die unterbrochene dritte Schicht (z.B. die unterbrochene P-GaN-Schicht) über der zweiten Schicht geschaffen.
  • Als nächstes wird, wie in Block 510 gezeigt, ein dielektrisches Material in der einen oder den mehreren Öffnungen in der dritten Schicht gebildet. Zum Beispiel wird das dielektrische Material in der einen oder den mehreren Öffnungen abgeschieden. Die elektrische Komponente wird dann bei Block 512 über der dritten Schicht angeordnet oder gebildet.
  • 6A - 6D zeigen Querschnittsansichten eines Verfahrens zur Herstellung eines dritten Beispiels einer elektrischen Komponentenvorrichtung im Einklang mit einigen Ausführungsformen. Der gezeigte Prozess schafft einen Spalt in der 2DEG-Schicht beginnend an der Vorderseite der Struktur. In 5A wird die Pufferschicht 302 über dem Substrat 304 gebildet. Die erste Schicht 306 wird über der Pufferschicht 302 angeordnet, und die zweite Schicht 308 wird über der ersten Schicht 306 angeordnet. Eine 2DEG-Schicht 500 wird an der Grenzfläche zwischen der ersten Schicht 306 und der zweiten Schicht 308 gebildet.
  • Wie in 6B gezeigt, wird ein Graben 502 durch die zweite Schicht 308, die 2DEG-Schicht 500 und die erste Schicht 306 hindurch und in einen Abschnitt der Pufferschicht 302 hinein gebildet. Ein dielektrisches Material 318 wird im Graben 502 gebildet (6C). In einer Ausführungsform wird das dielektrische Material 318 in die Öffnung abgeschieden. Dann wird ein Planarisierungsprozess durchgeführt, um eine planare Fläche auf der Struktur zu bilden. In einem nicht einschränkenden Beispiel kann der Planarisierungsprozess ein chemischmechanischer Polierprozess sein.
  • In 6D wird die elektrische Komponente 326 über der zweiten Schicht 308 angeordnet. Der Graben (502 in 6B), der durch die 2DEG-Schicht 500 hindurch gebildet wird, bewirkt, dass die 2DEG-Schicht 500 eine unterbrochene Schicht ist, welche 2DEG-Segmente 504, 506 aufweist. Wie in 6D gezeigt, überdeckt die elektrische Komponente 326 den Spalt 508 zwischen den 2DEG-Segmenten 504, 506 und erstreckt sich über diesen hinaus. In anderen Ausführungsformen können die Abmessungen des Spalts 508 im Wesentlichen gleich den Abmessungen der elektrischen Komponentenvorrichtung 326 sein, oder mindestens eine Abmessung des Spalts 508 kann größer sein, als eine entsprechende Abmessung der elektrischen Komponentenvorrichtung 326.
  • 7 - 10 zeigen Querschnittsansichten alternativer Strukturen für die elektrische Komponentenvorrichtung, die in 5D gezeigt ist. In 7 wird der Graben 700 durch die zweite Schicht 308 und die 2DEG-Schicht 300 hindurch und in einen Abschnitt der ersten Schicht 306 hinein gebildet. In der gezeigten Ausführungsform wird der Graben 700 mit dem dielektrischen Material 218 gefüllt.
  • In 8 wird der Graben 800 durch die zweite Schicht 308, die 2DEG-Schicht 500 und die erste Schicht 306 hindurch gebildet. Der Graben 800 erstreckt sich nicht in die Pufferschicht 302 in 8. In 9 wird der Graben 900 jedoch durch die zweite Schicht 308, die 2DEG-Schicht 500, die erste Schicht 306 und die Pufferschicht 302 hindurch gebildet. Wie in 10 gezeigt, wird der Graben 1000 durch die zweite Schicht 308, die 2DEG-Schicht 500, die erste Schicht 306 und die Pufferschicht 302 hindurch und in einen Abschnitt des Substrats 204 hinein gebildet. Die Öffnung wird in den Ausführungsformen, die in 9 und 10 gezeigt sind, mit dem dielektrischen Material 218 gefüllt.
  • 11A - 11D zeigen Querschnittsansichten eines Verfahrens zur Herstellung eines vierten Beispiels einer elektrischen Komponentenvorrichtung im Einklang mit einigen Ausführungsformen. Der gezeigte Prozess schafft einen Spalt in der 2DEG-Schicht beginnend an der Rückseite der Struktur. In 11A wird die Pufferschicht 302 über dem Substrat 304 gebildet. Die erste Schicht 306 wird über der Pufferschicht 302 angeordnet, und die zweite Schicht 308 wird über der ersten Schicht 306 angeordnet. Eine 2DEG-Schicht 500 wird an der Grenzfläche zwischen der ersten Schicht 306 und der zweiten Schicht 308 gebildet.
  • Wie in 11B gezeigt, wird ein Graben 1100 von der Rückseite des Substrats 304 durch das Substrat 304, die Pufferschicht 302, die erste Schicht 306 und die 2DEG-Schicht 500 hindurch und in einen Abschnitt der zweiten Schicht 308 hinein gebildet. In 11C wird ein dielektrisches Material 218 im Graben 110 angeordnet. In einer Ausführungsform wird das dielektrische Material 218 in den Graben 1100 abgeschieden. Dann wird ein Planarisierungsprozess durchgeführt, um eine planare Fläche auf der Struktur zu bilden.
  • In 11D wird die elektrische Komponente 326 über der zweiten Schicht 308 angeordnet. Der Graben 1100, der durch die 2DEG-Schicht 500 hindurch gebildet wird, bewirkt, dass die 2DEG-Schicht 500 eine unterbrochene Schicht ist, welche 2DEG-Segmente 1102, 1104 aufweist. Wie in 11D gezeigt, überdeckt die elektrische Komponente 326 den Spalt 1106 zwischen den 2DEG-Segmenten 1102, 1104 und erstreckt sich über diesen hinaus. In anderen Ausführungsformen können die Abmessungen des Spalts 1106 im Wesentlichen gleich den Abmessungen der elektrischen Komponentenvorrichtung 326 sein, oder mindestens eine Abmessung des Spalts 1106 kann größer sein, als eine entsprechende Abmessung der elektrischen Komponentenvorrichtung 326.
  • 12 - 14 zeigen Beispielinduktoren, welche zur Verwendung in einer elektrischen Komponentenvorrichtung im Einklang mit einigen Ausführungsformen geeignet sind. Der Induktor kann ein Spiralinduktor 1200, 1400 (12 und 14) oder ein rechteckiger Induktor 1300 (13) sein. Der Induktor kann zwei oder mehr Anschlüsse aufweisen. Zum Beispiel weist der Beispielinduktor 1200 in 12 zwei Anschlüsse 1202, 1204 auf, und der in 14 gezeigte Induktor 1400 weist vier Anschlüsse 1402, 1404, 1406, 1408 auf. Darüber hinaus kann ein Induktor aus einer einzigen Metallschicht oder mehreren Metallschichten gebildet sein. Der Induktor 1300 ist zum Beispiel aus einer ersten Metallschicht 1302 und einer zweiten Metallschicht 1304 gebildet.
  • Typischerweise werden die Anschlüsse eines Induktors (z.B. der Induktoren 1200, 1300, 1400) durch leitfähige Schichten in der elektrischen Komponentenvorrichtung oder in der elektrischen Komponente wirkungstechnisch verbunden mit anderen Schaltungen in der elektrische Komponentenvorrichtung (z.B. 104 in 1) und/oder in der elektrischen Komponente (z.B. 102 in 1). In einer Ausführungsform sind die leitfähigen Schichten Metallschichten. Die Anschlüsse können direkt mit den leitfähigen Schichten verbunden sein, oder die Anschlüsse können mit Durchkontaktierungen in Durchkontaktierungsschichten zwischen den leitfähigen Schichten verbunden sein.
  • 15 bildet ein Blockschaltbild einer Datenverarbeitungsvorrichtung ab, mit welcher Aspekte der Offenbarung im Einklang mit einigen Ausführungsformen ausgeführt werden können. In einer Grundkonfiguration kann die Datenverarbeitungsvorrichtung 1500 mindestens eine Verarbeitungseinheit 1502 und mindestens einen Speicher 1504 aufweisen. Jede beliebige Verarbeitungseinheit oder -einheiten können verwendet werden. Beispielverarbeitungseinheiten umfassen, sind aber nicht beschränkt auf, einen Mikroprozessor, eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung und/oder eine feldprogrammierbare Gate-Matrix.
  • Abhängig von der Konfiguration und Art der Datenverarbeitungsvorrichtung 1500, kann der Speicher 1504 flüchtigen Speicher (z.B. Direktzugriffsspeicher), nichtflüchtigen Speicher (z.B. Nur-Lese-Speicher), Flashspeicher oder eine beliebige Kombination solcher Speicher umfassen, ist aber nicht beschränkt auf diese. Der Speicher 1504 kann eine Anzahl von Programmmodulen und Datendateien, wie zum Beispiel ein Betriebssystem 1506 zum Steuern des Betriebs der Datenverarbeitungsvorrichtung 1500, ein oder mehrere Programmmodule 1508, welche zum Analysieren empfangener Eingaben, Ermitteln des Inhalts der empfangenen Eingaben, Bestimmen von Aktionen in Zusammenhang mit den Eingaben und so weiter, geeignet sind, und eine oder mehrere andere Anwendungen 1510, enthalten.
  • Die Datenverarbeitungsvorrichtung 1500 kann zusätzliche Merkmale oder Funktionalitäten aufweisen. Zum Beispiel kann die Datenverarbeitungsvorrichtung 1500 auch zusätzliche (entfernbare und/oder nicht entfernbare) Datenspeichervorrichtungen, wie zum Beispiel Magnetplatten, optische Platten oder Band, umfassen. Solch zusätzlicher Speicher ist in 15 durch eine entfernbare Speichervorrichtung 1512 und eine nicht entfernbare Speichervorrichtung 1514 gezeigt.
  • Die Datenverarbeitungsvorrichtung 1500 kann auch eine oder mehrere Eingabevorrichtungen 1516, wie zum Beispiel eine Tastatur, ein Touchpad, eine Maus, einen Stift, eine Ton- oder Stimmeneingabevorrichtung, eine Berührungs-, Kraft- und/oder Wischeingabevorrichtung, etc., aufweisen. Die Ausgabevorrichtung(en) 1518, wie zum Beispiel eine Anzeige, Lautsprecher, ein Drucker, etc., können ebenfalls enthalten sein. Die vorgenannten Vorrichtungen sind Beispiele, und es können auch andere verwendet werden. Die Datenverarbeitungsvorrichtung 1500 kann eine oder mehrere Kommunikationsvorrichtungen 1520 aufweisen, welche Kommunikationen mit anderen Datenverarbeitungsvorrichtungen 1522 ermöglichen. Beispiele geeigneter Kommunikationsvorrichtungen 1520 umfassen, sind jedoch nicht beschränkt auf, Mobil-, IR-, NFC-, RF- und/oder Satellitensender, Empfänger und/oder Senderempfängerschaltungen, universelle serielle Bus- (USB-), parallele und/oder serielle Anschlüsse.
  • Der Begriff computerlesbare Medien wie hierin verwendet kann Computerspeichermedien umfassen. Computerspeichermedien können flüchtige und nichtflüchtige, entfernbare und nicht entfernbare Medien implementiert in irgendein Verfahren oder irgendeine Technologie zum Speichern von Informationen, wie zum Beispiel computerlesbaren Anweisungen, Datenstrukturen oder Programmodulen, umfassen.
  • Der Speicher 1504, die entfernbare Speichervorrichtung 1512 und die nicht entfernbare Speichervorrichtung 1514 sind jeweils Beispiele für Computerspeichermedien (z.B. Speicherplatz- oder Speichervorrichtungen), welche verschiedene Kombinationen der hierin offenbarten LRD-Schaltungen enthalten können. Computerspeichermedien können RAM, ROM, elektrisch löschbaren Nur-Lese-Speicher (EEPROM), Flashspeicher oder andere Speichertechnologien, CD-ROM, digitale vielseitige Scheiben (DVD) oder andere optische Speicher, Magnetkassetten, Magnetband, Magnetplattenspeicher oder andere Magnetspeichervorrichtungen oder jeglichen sonstigen Herstellungsgegenstand, der dazu verwendet werden kann, Informationen zu speichern und auf welchen die Datenverarbeitungsvorrichtung 1500 zugreifen kann, umfassen. Jegliches derartige Computerspeichermedium kann einen Teil der Datenverarbeitungsvorrichtung 1500 bilden.
  • In einem Aspekt weist die elektrische Komponentenvorrichtung eine Pufferschicht auf, die über einem Substrat angeordnet ist, und eine erste Schicht, die über der Pufferschicht angeordnet ist. In einer Ausführungsform umfasst die erste Schicht eine Schicht aus Galliumnitrid. Eine zweite Schicht ist über der ersten Schicht angeordnet. In einer nicht einschränkenden Ausführungsform ist die zweite Schicht eine Schicht aus Aluminium-Galliumnitrid. Eine Schicht eines zweidimensionalen Elektronengases (2DEG) gebildet an einer Grenzfläche zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht umfasst ein erstes 2DEG-Segment und ein zweites 2DEG-Segment sowie einen Spalt zwischen dem ersten 2DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment. Eine elektrische Komponente ist über der zweiten Schicht und mindestens über einem Abschnitt des Spalts zwischen dem ersten 2DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment angeordnet.
  • In einem weiteren Aspekt weist eine elektronische Vorrichtung eine erste elektrische Komponente und eine elektrische Komponentenvorrichtung auf. Die elektrische Komponentenvorrichtung weist eine Pufferschicht auf, die über einem Substrat angeordnet ist, sowie eine erste Schicht, die über der Pufferschicht angeordnet ist. In einer Ausführungsform umfasst die erste Schicht eine Schicht aus Galliumnitrid. Eine zweite Schicht ist über der ersten Schicht angeordnet. In einer nicht einschränkenden Ausführungsform ist die zweite Schicht eine Schicht aus Aluminium-Galliumnitrid. Eine Schicht eines zweidimensionalen Elektronengases (2DEG) gebildet an einer Grenzfläche zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht umfasst ein erstes 2DEG-Segment und ein zweites 2DEG-Segment sowie einen Spalt zwischen dem ersten 2DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment. Eine zweite elektrische Komponente ist über der zweiten Schicht und mindestens über einem Abschnitt des Spalts zwischen dem ersten 2DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment angeordnet. Die zweite elektrische Komponente ist mit der ersten elektrischen Komponente wirkungstechnisch verbunden.
  • In noch einem weiteren Aspekt umfasst ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Komponentenvorrichtung das Bilden einer Pufferschicht über einem Substrat und das Bilden einer ersten Schicht über der Pufferschicht. In einer Ausführungsform umfasst die erste Schicht eine Schicht aus Galliumnitrid. Eine zweite Schicht wird über der ersten Schicht gebildet. In einer nicht einschränkenden Ausführungsform ist die zweite Schicht eine Schicht aus Aluminium-Galliumnitrid. Ein erstes zweidimensionales Elektronengas- (2DEG-) Segment und ein zweites 2DEG-Segment werden an einer Grenzfläche zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht gebildet. Das erste 2DEG-Segment ist durch einen Spalt vom zweiten 2DEG-Segment getrennt. Eine elektrische Komponente wird über der zweiten Schicht und mindestens einem Abschnitt des Spalts angeordnet.
  • In einem Aspekt umfasst ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Komponentenvorrichtung das Bilden einer Pufferschicht über einem Substrat und das Bilden einer ersten Schicht über der Pufferschicht. In einer Ausführungsform umfasst die erste Schicht eine Schicht aus Galliumnitrid. Eine zweite Schicht wird über der ersten Schicht gebildet. In einer nicht einschränkenden Ausführungsform ist die zweite Schicht eine Schicht aus Aluminium-Galliumnitrid. Eine dritte Schicht wird über einem Abschnitt der zweiten Schicht gebildet. In einer Ausführungsform ist die dritte Schicht eine Schicht aus einem p-dotierten Galliumnitrid. Ein erstes zweidimensionales Elektronengas- (2DEG-) Segment und ein zweites 2DEG-Segment werden an einer Grenzfläche zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht mit einem Spalt zwischen dem ersten 2DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment gebildet. Der Spalt entspricht einer Kontur der dritten Schicht. Eine elektrische Komponente wird über der dritten Schicht und mindestens einem Abschnitt des Spalts angeordnet.
  • In einem weiteren Aspekt umfasst ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Komponentenvorrichtung das Bilden einer Pufferschicht über einem Substrat und das Bilden einer ersten Schicht über der Pufferschicht. In einer Ausführungsform umfasst die erste Schicht eine Schicht aus Galliumnitrid. Eine zweite Schicht wird über der ersten Schicht gebildet. In einer nicht einschränkenden Ausführungsform ist die zweite Schicht eine Schicht aus Aluminium-Galliumnitrid. Eine zweidimensionale Elektronengas- (2DEG-) Schicht wird an einer Grenzfläche zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet. Ein Graben wird durch die 2DEG-Schicht hindurch gebildet, und ein dielektrisches Material wird im Graben gebildet. Eine elektrische Komponente wird über der zweiten Schicht und mindestens einem Abschnitt des Grabens angeordnet.
  • Aspekte der vorliegenden Offenbarung sind oben zum Beispiel in Bezug auf Blockschaltbilder und/oder operative Abbildungen von Verfahren, Systemen und Computerprogrammprodukten gemäß Aspekten der Offenbarung beschrieben. Die in den Blocks angegebenen Funktionen/Aktionen können in einer anderen Reihenfolge erfolgen, als in irgendeinem der Flussdiagramme gezeigt. Zum Beispiel können zwei hintereinander gezeigte Blocks in Wahrheit im Wesentlichen gleichzeitig ausgeführt werden, oder die Blocks können abhängig von den betreffenden Funktionalitäten/Aktionen manchmal in umgekehrter Reihenfolge ausgeführt werden.
  • Die Beschreibung und Veranschaulichung eines oder mehrerer in dieser Anmeldung bereitgestellten Aspekte sollen den Umfang der beanspruchten Offenbarung in keiner Weise eingrenzen oder beschränken. Die in dieser Anmeldung bereitgestellten Aspekte, Beispiele und Einzelheiten werden als ausreichend erachtet, den Besitz daran zum Ausdruck zu bringen, und ermöglichen anderen, den für sie besten Modus der beanspruchten Offenbarung zu erstellen und zu nutzen. Die beanspruchte Offenbarung ist nicht als auf irgendeinen in dieser Anwendung bereitgestellten Aspekt, ein solches Beispiel oder eine solche Einzelheit beschränkt auszulegen. Unabhängig davon, ob sie in einer Kombination oder getrennt voneinander gezeigt und beschrieben worden sind, ist beabsichtigt, dass die verschiedenen Merkmale (sowohl hinsichtlich Struktur als auch Verfahren) selektiv einbezogen oder weggelassen werden können, um eine Ausführungsform mit einem bestimmten Merkmalsumfang zu schaffen. Nach Erhalt der Beschreibung und der Veranschaulichung der vorliegenden Anmeldung sind Fachleute in der Lage, sich Variationen, Modifikationen und alternative Aspekte, welche dem Geist der breiteren Aspekte des in dieser Anmeldung zum Ausdruck gebrachten allgemeinen erfinderischen Konzepts entsprechen, vorzustellen, welche nicht vom breiteren Umfang der beanspruchten Offenbarung abweichen.

Claims (20)

  1. Elektrische Komponentenvorrichtung, aufweisend: eine Pufferschicht angeordnet über einem Substrat; eine erste Schicht aus Galliumnitrid angeordnet über der Pufferschicht; und eine zweite Schicht aus Aluminium-Galliumnitrid angeordnet über der ersten Schicht, wobei eine Schicht eines zweidimensionalen Elektronengases (2DEG) gebildet an einer Grenzfläche zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht ein erstes 2DEG-Segment und ein zweites 2DEG-Segment sowie einen Spalt zwischen dem ersten 2DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment umfasst; und eine elektrische Komponente angeordnet über der zweiten Schicht und mindestens über einem Abschnitt des Spalts zwischen dem ersten 2DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment.
  2. Elektrische Komponentenvorrichtung nach Anspruch 1, ferner aufweisend eine dritte Schicht aus p-dotiertem Galliumnitrid angeordnet nur über einem Abschnitt der zweiten Schicht, wobei der Spalt zwischen dem ersten 2-DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment einer Kontur der p-dotierten Galliumnitrid-Schicht entspricht.
  3. Elektrische Komponentenvorrichtung nach Anspruch 2, wobei die elektrische Komponente über der dritten Schicht, welche die zweite Schicht überdeckt, angeordnet ist.
  4. Elektrische Komponentenvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die elektrische Komponente einen Induktor aufweist.
  5. Elektrische Komponentenvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, ferner aufweisend einen Graben gebildet von der Rückseite durch das Substrat, die Pufferschicht, die erste Schicht und die Schicht des 2DEG, wobei der Spalt zwischen dem ersten 2DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment der Graben ist.
  6. Elektrische Komponentenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, ferner aufweisend einen Graben gebildet von der Vorderseite durch die zweite Schicht und die Schicht des 2DEG, wobei der Spalt zwischen dem ersten 2DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment der Graben ist.
  7. Elektrische Komponentenvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die elektrische Komponente einen Induktor aufweist.
  8. Elektrische Komponentenvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Substrat ein Substrat mit hohem spezifischem Widerstand umfasst.
  9. Elektronische Vorrichtung, aufweisend: eine erste elektrische Komponente; und eine elektrische Komponentenvorrichtung, aufweisend: eine Pufferschicht angeordnet über einem Substrat; eine erste Schicht aus Galliumnitrid angeordnet über der Pufferschicht; und eine zweite Schicht aus Aluminium-Galliumnitrid angeordnet über der ersten Schicht, wobei eine Schicht eines zweidimensionalen Elektronengases (2DEG) gebildet an einer Grenzfläche zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht ein erstes 2DEG-Segment und ein zweites 2DEG-Segment sowie einen Spalt zwischen dem ersten 2DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment umfasst; und eine zweite elektrische Komponente angeordnet über der zweiten Schicht und mindestens über einem Abschnitt des Spalts zwischen dem ersten 2DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment, wobei die zweite elektrische Komponente mit der ersten elektrischen Komponente wirkungstechnisch verbunden ist.
  10. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 9, ferner aufweisend eine dritte Schicht aus p-dotiertem Galliumnitrid angeordnet nur über einem Abschnitt der zweiten Schicht, wobei der Spalt zwischen dem ersten 2-DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment einer Kontur der p-dotierten Galliumnitrid-Schicht entspricht.
  11. Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei die zweite elektrische Komponente über der dritten Schicht, welche die zweite Schicht überdeckt, angeordnet ist.
  12. Elektronische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei die zweite elektrische Komponente einen Induktor umfasst.
  13. Elektronische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, ferner aufweisend einen Graben gebildet von der Rückseite durch das Substrat, die Pufferschicht, die erste Schicht und die Schicht des 2DEG, wobei der Spalt zwischen dem ersten 2DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment der Graben ist.
  14. Elektronische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, ferner aufweisend einen Graben gebildet von der Vorderseite durch die zweite Schicht und die Schicht des 2DEG, wobei der Spalt zwischen dem ersten 2DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment der Graben ist.
  15. Elektronische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 14, wobei die zweite elektrische Komponente einen Induktor umfasst.
  16. Elektronische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 15, wobei das Substrat ein Substrat mit hohem spezifischen Widerstand umfasst.
  17. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Komponentenvorrichtung, umfassend: Bilden einer Pufferschicht über einem Substrat; Bilden einer ersten Schicht aus Galliumnitrid über der Pufferschicht; Bilden einer zweiten Schicht aus Aluminium-Galliumnitrid über der ersten Schicht; Bilden eines ersten zweidimensionalen Elektronengas- (2DEG-) Segments und eines zweiten 2DEG-Segments an einer Grenzfläche zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht, wobei das erste 2DEG-Segment vom zweiten 2DEG-Segment durch einen Spalt getrennt ist; und Anordnen einer elektrischen Komponente über der zweiten Schicht und über mindestens einem Abschnitt des Spalts.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Bilden des ersten 2DEG-Segments und des zweiten 2DEG-Segments umfasst: Bilden einer dritten Schicht aus einem p-dotierten Galliumnitrid über einem Abschnitt der zweiten Schicht, wobei der Spalt zwischen dem ersten 2DEG-Segment und dem zweiten 2DEG-Segment einer Kontur der dritten Schicht entspricht, wobei die elektrische Komponente über der dritten Schicht, welche die zweite Schicht überdeckt, und mindestens einem Abschnitt des Spalts angeordnet wird.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, ferner umfassend ein Strukturieren der dritten Schicht zum Bilden einer oder mehrerer Öffnungen in der dritten Schicht vor dem Anordnen der elektrischen Komponente über der dritten Schicht, wobei ein zusätzliches 2DEG-Segment an der Grenzfläche zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht unter jeder der einen oder mehreren Öffnungen in der dritten Schicht gebildet wird.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, wobei das Bilden des ersten 2DEG-Segments und des zweiten 2DEG-Segments umfasst: Bilden eines Grabens durch die 2DEG-Schicht hindurch, um das erste 2DEG-Segment und das zweite 2DEG-Segment zu schaffen, wobei der Graben den Spalt umfasst; und Bilden eines dielektrischen Materials im Graben.
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