DE102016124935A1 - Flüssigkristallanzeige mit Berührungserfassfunktion - Google Patents

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Abstract

Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion kann die Produktivität verbessern ohne eine Beschränkung des Abstands zwischen Pads in einem Padgebiet (PA). Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung kann aufweisen: eine Berührungssignalleitung (TL) aus einer dritten Verdrahtungsschicht (102, 104), welche eine untere Schicht (102) und eine obere Schicht (104) aufweist, wobei die untere Schicht (102) aus demselben Material gebildet ist wie eine Pixelelektrode (PXL). Eine Berührung-Gemeinsam-Elektrode (TE) aus einer vierten Verdrahtungsschicht ist auf einer zweiten Passivierungsschicht (PAS2) angeordnet und ist mit der Berührungssignalleitung (TL) verbunden über ein zweites Kontaktloch (H2). Ein erstes Datenpad (DPa) weist ein erstes unteres Pad (132) auf, das aus der dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) gebildet ist und mit einer ersten Datenverbindung (DKa) verbunden ist, ein zweites unteres Pad (134), das aus einer ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein oberes Pad (136), das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und das erste untere Pad (132) mit dem zweiten unteren Pad (134) verbindet über ein drittes Kontaktloch (H7) und ein viertes Kontaktloch (H8).

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2015-0183758 , eingereicht beim koreanischen Patentamt am 22. Dezember 2015.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion, die in der Lage ist, die Produktivität zu verbessern ohne Beschränkung eines Abstands (Pitch) zwischen Pads in einem Pad-Teil.
  • Diskussion der verwandten Technik
  • Berührungssensoren, die in der Lage sind, Informationen mittels einer Berührung auf einem Schirm einer Anzeigevorrichtung einzugeben, werden weit verbreitet angewendet bei tragbaren Informationsgeräten wie beispielsweise Smartphones sowie diversen Anzeigevorrichtungen wie beispielspeise Laptops, Monitoren und Haushaltsgeräten.
  • Berührungstechnologien, die bei Anzeigevorrichtungen verwendet werden, werden unterteilt in Technologien vom Zusatzkomponententyp (engl.: add-on type) und vom In-Zellen-Typ (engl.: in-cell type). Eine Anzeigevorrichtung vom Zusatzkomponententyp ist ein externes System, bei dem ein Berührungsschirm(Touchscreen)-Panel auf einem Anzeigepanel (Display-Panel) durch Befestigen (z.B. Ankleben) ausgebildet ist. Eine Anzeigevorrichtung vom In-Zellen-Typ ist ein internes System, bei dem eine Berührungselektrode (Touch-Elektrode) in einem Anzeigepanel eingebettet ist, so dass das Anzeigepanel und der Berührungsschirm (Touchscreen) integriert sind.
  • Bei Anzeigevorrichtungen vom In-Zellen-Typ wurde eine fortschrittliche In-Zellen-Berührung(engl.: advanced in-cell touch (AIT))-Technologie entwickelt, bei der eine gemeinsame Elektrode (engl.: common electrode) einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung unterteilt wird, um als Berührungselektroden verwendet zu werden.
  • Jedoch weisen Anzeigevorrichtungen vom In-Zellen-Typ ferner eine Berührungssignalleitung auf, die eine Gemeinsam-Berührungs-Elektrode (engl.: common-touch electrode) (mit anderen Worten, eine Elektrode, die als gemeinsame Elektrode und als Berührungselektrode fungiert) mit einer Berührungserfasseinheit elektrisch verbindet, wodurch die Anzahl der Prozessschritte (bei der Herstellung) erhöht wird und die Produktivität verringert wird. Da die Anzahl an Pads in einem Pad-Teil (z.B. einem Pad-Bereich), die mit einem Treiberschaltkreis verbunden sind, erhöht wird, reicht der Pitch (Abstand) oder die Fläche zwischen den Pads nicht (mehr) aus. Dadurch ergibt sich der Nachteil, dass die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung verringert ist.
  • ERLÄUTERUNG DER ERFINDUNG
  • Daher ist die vorliegende Erfindung gemacht worden im Hinblick auf die oben genannten Probleme, und es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einer Berührungserfassfunktion (bzw. Berührungserfassfunktionalität) bereitzustellen, die in der Lage ist, die Produktivität (z.B. beim Herstellungsprozess) zu verbessern, ohne Beschränkung des Pitches bzw. ohne Abstandsbeschränkungen zwischen Pads in einem Pad-Teil (z.B. Pad-Bereich).
  • Zusätzliche Vorteile, Ziele und Eigenschaften der Erfindung werden zum Teil in der nachfolgenden Beschreibung dargelegt und werden zum Teil ersichtlich werden für diejenigen, die mit der Technik vertraut sind, beim Studium des folgenden, oder können aus der Ausübung der Erfindung in Erfahrung gebracht werden. Die Ziele und weitere Vorteile der Erfindung können realisiert und erreicht werden durch die Struktur, die besonders herausgestellt ist in der schriftlichen Beschreibung und den zugehörigen Ansprüchen sowie den beigefügten Zeichnungen.
  • Um diese Ziele und weitere Vorteile zu erreichen und in Übereinstimmung mit dem Zweck der Erfindung, so wie hierin verkörpert und breit beschrieben, stellen diverse Ausführungsformen bereit: eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion, aufweisend eine Pixelelektrode angeordnet auf einer ersten Passivierungsschicht und einer Planarisierungsschicht, die einen Dünnfilmtransistor bedecken, wobei die Pixelelektrode mit einer Drainelektrode über ein erstes Kontaktloch, das durch die Planarisierungsschicht und die erste Passivierungsschicht reicht, verbunden ist, und eine Berührungssignalleitung aufweisend eine eine untere Schicht und eine obere Schicht aufweisende dritte Verdrahtungsschicht, wobei die untere Schicht aus demselben Material gebildet ist wie die Pixelelektrode. Eine Berührung-Gemeinsam-Elektrode (mit anderen Worten, eine Elektrode, die als Berührungselektrode und als gemeinsame Elektrode fungiert) ist aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet, auf einer zweiten Passivierungsschicht angeordnet, so dass sie die Pixelelektrode und die Berührungssignalleitung bedeckt, und über ein zweites Kontaktloch, das durch die zweite Passivierungsschicht reicht, mit der Berührungssignalleitung verbunden.
  • Ein erstes Datenpad kann mit einer Datenleitung über eine erste Datenverbindung verbunden sein, und eine zweites Datenpad, das mit der benachbarten Datenleitung über eine zweite Datenverbindung verbunden ist, kann in einem Pad-Gebiet angeordnet sein, das durch ein erstes Loch bereitgestellt wird, welches durch die Planarisierungsschicht und die erste Passivierungsschicht reicht.
  • Das erste Datenpad kann aufweisen: ein erstes unteres Pad, das mit der ersten Datenverbindung verbunden ist, wobei das erste untere Pad aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist; ein zweites unteres Pad, das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist; und ein oberes Pad, das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist, wobei das obere Pad das erste untere Pad über ein drittes Kontaktloch, das durch die zweite Passivierungsschicht reicht, und ein viertes Kontaktloch, das durch die zweite Passivierungsschicht und eine Gateisolationsschicht reicht, mit dem zweiten unteren Pad verbindet.
  • Das zweite Datenpad kann aufweisen: ein unteres Pad, das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, wobei das untere Pad mit der zweiten Datenverbindung verbunden ist, und ein oberes Pad, das aus der vierten Verdrahtungsschicht verbunden ist, wobei das obere Pad mit dem unteren Pad verbunden ist über ein fünftes Kontaktloch, das durch die zweite Passivierungsschicht und die Gateisolationsschicht reicht.
  • Verschiedene Ausführungsformen stellen eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion bereit, aufweisend: einen Dünnfilmtransistor aufweisend eine Gateelektrode aus einer ersten Verdrahtungsschicht, eine Gateisolationsschicht, und eine aktive Schicht, welche übereinander gestapelt sind, und eine Sourceelektrode und eine Drainelektrode gebildet aus einer zweiten Verdrahtungsschicht auf der aktiven Schicht; eine Pixelelektrode angeordnet auf einer ersten Passivierungsschicht und einer Planarisierungsschicht, die den Dünnfilmtransistor bedecken, wobei die Pixelelektrode über ein erstes Kontaktloch, das durch die Planarisierungsschicht und die erste Passivierungsschicht reicht, mit der Drainelektrode verbunden ist; eine Berührungssignalleitung aufweisend eine eine untere Schicht und eine obere Schicht aufweisende dritte Verdrahtungsschicht, wobei die untere Schicht aus demselben Material gebildet ist wie die Pixelelektrode; eine Berührung-Gemeinsam-Elektrode, die auf einer zweiten Passivierungsschicht angeordnet ist und die Pixelelektrode und die Berührungssignalleitung bedeckt, wobei die Berührung-Gemeinsam-Elektrode über ein zweites Kontaktloch, das durch die zweite Passivierungsschicht reicht, mit der Berührungssignalleitung verbunden ist, und wobei die Berührung-Gemeinsam-Elektrode aus einer vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist; eine Gateleitung und eine Datenleitung, die mit dem Dünnfilmtransistor verbunden sind; und ein erstes Datenpad, das über eine erste Datenverbindung mit der Datenleitung verbunden ist, wobei das erste Datenpad in einem Padgebiet angeordnet ist, das durch ein erstes Loch, welches durch die Planarisierungsschicht und die erste Passivierungsschicht reicht, bereitgestellt ist, wobei das erste Datenpad aufweist: ein erstes unteres Pad, das aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit der ersten Datenverbindung verbunden ist; ein zweites unteres Pad, das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist; ein oberes Pad, das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und das erste untere Pad mit dem zweiten unteren Pad verbindet über ein drittes Kontaktloch, das durch die zweite Passivierungsschicht reicht, und ein viertes Kontaktloch, das durch die die zweite Passivierungsschicht und die Gateisolationsschicht reicht.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion ferner auf: eine zweite Datenverbindung, die aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit einer benachbarten Datenleitung neben der Datenleitung verbunden ist über einen ersten Brückenverbinder (engl.: jumping connector); und ein zweites Datenpad, das in dem Padgebiet angeordnet ist und mit der zweiten Datenverbindung verbunden ist, wobei das zweite Datenpad aufweist: ein unteres Pad, das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit der zweiten Datenverbindung verbunden ist; und ein oberes Pad, das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit dem unteren Pad über ein fünftes Kontaktloch, das durch die zweite Passivierungsschicht und die Gateisolationsschicht reicht, verbunden ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion ferner auf: ein Berührungspad, das mit der Berührungssignalleitung über eine Berührungsverbindung verbunden ist, wobei das Berührungspad aufweist: ein erstes unteres Pad, das aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist; ein zweites unteres Pad, das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist; und ein oberes Pad, das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und das erste untere Pad des Berührungspads mit dem zweiten unteren Pad des Berührungspads verbindet über ein sechstes Kontaktloch, das durch die zweite Passivierungsschicht reicht, und ein siebtes Kontaktloch, das durch die zweite Passivierungsschicht und die Gateisolationsschicht reicht.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion ferner auf: erste Prüftransistoren, die einzeln mit dem ersten Datenpad bzw. dem zweiten Datenpad verbunden sind über jeweils einen zweiten Brückenverbinder; und einen zweiten Prüftransistor, der einzeln mit dem Berührungspad verbunden ist über einen dritten Brückenverbinder, wobei die zweiten Brückenverbinder und der dritte Brückenverbinder jeweils aufweisen: eine erste untere Elektrode, die mit dem ersten unteren Pad des ersten Datenpads, dem unteren Pad des zweiten Datenpads, oder dem zweiten unteren Pad des Berührungspads verbunden ist über eine Verbindungsleitung, die aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist; eine zweite untere Elektrode, die aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit einem der ersten Prüftransistoren oder dem zweiten Prüftransistor verbunden ist; ein zweites Loch, das durch die Planarisierungsschicht und die erste Passivierungsschicht reicht, um die erste untere Elektrode und die zweite untere Elektrode freizulegen; eine mittlere Elektrode, die aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit der zweiten unteren Elektrode über das zweite Loch verbunden ist, so dass die zweite untere Elektrode der zweiten Verdrahtungsschicht bedeckt ist; und eine obere Elektrode, die aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und die erste untere Elektrode mit der mittleren Elektrode verbindet über ein achtes Kontaktloch, das durch die zweite Passivierungsschicht reicht, und ein neuntes Kontaktloch, das durch die zweite Passivierungsschicht und die Gateisolationsschicht reicht.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist der erste Brückenverbinder, der die benachbarte Datenleitung mit der zweiten Datenverbindung verbindet, auf: eine erste untere Elektrode, die aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit der zweiten Datenverbindung verbunden ist; eine zweite untere Elektrode, die aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit der benachbarten Datenleitung verbunden ist; ein drittes Loch, das durch die Planarisierungsschicht und die erste Passivierungsschicht reicht, um die erste untere Elektrode und die zweite untere Elektrode des ersten Brückenverbinders freizulegen; eine mittlere Elektrode, die aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit der zweiten unteren Elektrode des ersten Brückenverbinders, die aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist, verbunden ist über das dritte Loch, so dass die zweite untere Elektrode bedeckt ist; und eine obere Elektrode, die aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und die erste untere Elektrode mit der mittleren Elektrode des ersten Brückenverbinders verbindet über ein zehntes Kontaktloch, das durch die zweite Passivierungsschicht reicht, und ein elftes Kontaktloch, das durch die zweite Passivierungsschicht und die Gateisolationsschicht reicht.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen sind die erste Datenverbindung und die Datenleitung aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet; und ein Teil des ersten unteren Pads des ersten Datenpads, das aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist, bedeckt ein freigelegtes Ende der ersten Datenverbindung in dem Padgebiet und ist mit der ersten Datenverbindung verbunden.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion ferner auf: eine Mehrzahl von ersten Datenverbindungen und eine Mehrzahl von zweiten Datenverbindungen, wobei die Mehrzahl von ersten Datenverbindungen und die Mehrzahl von zweiten Datenverbindungen abwechselnd in einem Nichtanzeigebereich angeordnet sind, und wobei die zweiten Datenverbindungen aus einer anderen Verdrahtungsschicht gebildet sind als die erste Verdrahtungsschicht der ersten Datenverbindungen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen sind das erste Datenpad und das zweite Datenpad nicht zueinander benachbart.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen ist die zweite Verdrahtungsschicht zwischen der ersten Verdrahtungsschicht und der dritten Verdrahtungsschicht angeordnet, wobei die dritte Verdrahtungsschicht zwischen der zweiten Verdrahtungsschicht und der vierten Verdrahtungsschicht angeordnet ist.
  • Verschiedene Ausführungsformen stellen eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion bereit, aufweisend: ein Anzeigepanel, das eine Mehrzahl von Datenleitungen und eine Mehrzahl von Gateleitungen aufweist, die entsprechend mit einer Mehrzahl von Dünnfilmtransistoren verbunden sind, und eine Mehrzahl von Pixeln, wobei jedes Pixel der Mehrzahl von Pixeln eine Pixelelektrode aufweist, die aus einer dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist; eine Berührung-Gemeinsam-Elektrode, die aus einer vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und die Pixelelektrode überlappt; eine Berührungssignalleitung, die aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit der Berührung-Gemeinsam-Elektrode verbunden ist, wobei die Berührungssignalleitung und die Pixelelektrode aus demselben Material gebildet sind; ein erstes Datenpad, das mit einer Datenleitung verbunden ist, und ein zweites Datenpad, das mit einer benachbarten Datenleitung verbunden ist, wobei das erste Datenpad und das zweite Datenpad mindestens eine der folgenden Schichten aufweisen: eine erste Verdrahtungsschicht, die dritte Verdrahtungsschicht, die vierte Verdrahtungsschicht; und ein Berührungspad, das mit der Berührungssignalleitung verbunden ist, wobei das Berührungspad ein erstes unteres Pad aufweist, das aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist, ein zweites unteres Pad, das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein oberes Pad, das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und wobei das obere Pad des Berührungspads das erste untere Pad des Berührungspads mit dem zweiten unteren Pad des Berührungspads verbindet.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen ist die dritte Verdrahtungsschicht zwischen der ersten Verdrahtungsschicht und der vierten Verdrahtungsschicht angeordnet.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist das erste Datenpad ein erstes unteres Pad auf, das aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist, ein zweites unteres Pad, das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein oberes Pad, das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist, wobei das obere Pad des ersten Datenpads das erste untere Pad des ersten Datenpads mit dem zweiten unteren Pad des ersten Datenpads verbindet.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen ist das erste untere Pad des ersten Datenpads mit der Datenleitung verbunden über eine erste Datenverbindung, die aus einer zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen hat das obere Pad des ersten Datenpads eine Breite, die größer ist als eine Breite des ersten unteren Pads des ersten Datenpads, wobei die Breite des ersten unteren Pads des ersten Datenpads breiter ist als eine Breite der ersten Datenverbindung.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist das zweite Datenpad ein unteres Pad auf, das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein oberes Pad, das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist, wobei das obere Pad des zweiten Datenpads zwei Teilbereiche des unteren Pads des zweiten Datenpads miteinander verbindet, und wobei das untere Pad des zweiten Datenpads mit der benachbarten Datenleitung verbunden ist über eine zweite Datenverbindung, die aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion ferner auf: eine Mehrzahl von Prüftransistoren, die jeweils verbunden sind mit dem Berührungspad und dem ersten und zweiten Datenpad über entsprechende Brückenverbinder.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist jeder der entsprechenden Brückenverbinder ein Ende auf, das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein anderes Ende, das aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und eine obere Elektrode, die aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und das eine Ende mit dem anderen Ende verbindet.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist jeder der entsprechenden Brückenverbinder eine mittlere Elektrode auf, die aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist und das andere Ende, das aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist, mit der oberen Elektrode, die aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist, verbindet.
  • Verschiedene Ausführungsformen stellen eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion bereit, aufweisend: ein Anzeigepanel, das eine Mehrzahl von Datenleitungen und eine Mehrzahl von Gateleitungen, die entsprechend mit einer Mehrzahl von Dünnfilmtransistoren verbunden sind, und eine Mehrzahl von Pixeln aufweist; eine Berührung-Gemeinsam-Elektrode, die aus einer vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist eine Berührungssignalleitung, die aus einer dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit der Berührung-Gemeinsam-Elektrode verbunden ist; ein erstes Datenpad, das mit einer Datenleitung der Mehrzahl von Datenleitungen verbunden ist und ein erstes unteres Datenpad, das aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit der Datenleitung über eine erste Datenverbindung verbunden ist, ein zweites unteres Datenpad, das aus einer ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein oberes Datenpad, das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und das erste untere Datenpad mit dem zweiten unteren Datenpad verbindet, aufweist; ein Berührungspad, das mit der Berührungssignalleitung verbunden ist und ein erstes unteres Berührungspad, das aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist, ein zweites unteres Berührungspad, das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein oberes Berührungspad, das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und das erste untere Berührungspad mit dem zweiten unteren Berührungspad verbindet, aufweist; und eine Mehrzahl von Prüftransistoren, die jeweils verbunden sind mit dem Berührungspad und dem ersten Datenpad über entsprechende Brückenverbinder, wobei jeder der entsprechenden Brückenverbinder ein Ende aufweist, das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein anderes Ende, das aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und eine obere Elektrode, die aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und das eine Ende mit dem anderen Ende verbindet.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen ist die zweite Verdrahtungsschicht zwischen der ersten Verdrahtungsschicht und der dritten Verdrahtungsschicht angeordnet, wobei die dritte Verdrahtungsschicht zwischen der zweiten Verdrahtungsschicht und der vierten Verdrahtungsschicht angeordnet ist.
  • Es ist zu verstehen, dass sowohl die vorangegangene allgemeine Beschreibung als auch die nachfolgende ausführliche Beschreibung der vorliegenden Erfindung beispielhaft und erläuternd sind und dazu gedacht sind, eine weitere Erläuterung der Erfindung, so wie sie beansprucht ist, bereitzustellen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die beigefügten Zeichnungen, welche enthalten sind, um ein weitergehendes Verständnis der Erfindung zu liefern und enthalten sind in und einen Teil bilden dieser Anmeldung, veranschaulichen Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, das Prinzip der Erfindung zu erläutern. In den Zeichnungen gilt:
  • 1 ist eine Ansicht, die schematisch eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 2 ist eine Ansicht, die einen Pixelteil (z.B. Pixelbereich) in der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 3A bis 3F sind Ansichten, die Prozesse zum Herstellen des in 2 dargestellten Pixelteils durch Maskenprozesse darstellen;
  • 4 ist eine Ansicht, die schematisch Datenverdrahtungen in einem Nichtanzeigegebiet der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 5 ist eine Ansicht, die schematisch Berührungsverdrahtungen in dem Nichtanzeigegebiet der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 6 ist eine vergrößerte Draufsicht, die die Berührungsverdrahtungen in dem Nichtanzeigegebiet der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 7A bis 7C sind Querschnittsansichten, die die in 6 dargestellten Berührungsverdrahtungen nach Bereichen darstellen;
  • 8 ist eine vergrößerte Draufsicht, die die Datenverdrahtungen in dem Nichtanzeigegebiet der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 9A bis 9D sind Querschnittsansichten, die die in 8 dargestellten Berührungsverdrahtungen in dem Nichtanzeigegebiet nach Bereichen darstellen;
  • 10 ist eine Draufsicht, die Berührungspads in einem Pad-Teil (z.B. einem Pad-Bereich) der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 11 ist eine Draufsicht, die Datenpads in dem Pad-Teil der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt; und
  • 12 ist ein Flussdiagramm, das einen Prozess zum Herstellen eines Dünnfilmtransistoranordnungsubstrats in der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • 1 ist eine Ansicht, die schematisch eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Wie in 1 gezeigt ist, weist die Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion ein Anzeigepanel (Display-Panel) 10, einen Gate-Treiber 20, einen Datentreiber 30 und eine Berührungserfasseinheit (anders ausgedrückt, Berührungssensoreinheit) 40 auf.
  • Das Anzeigepanel 10 zeigt ein Bild an mittels einer Pixelanordnung (anders ausgedrückt, eines Pixel-Arrays), in der Pixel in einer Matrix angeordnet sind. Das Anzeigepanel erfasst eine kapazitive Berührung (z.B. eine Änderung einer Kapazität aufgrund einer Berührung) unter Verwendung einer Berührung-Gemeinsam-Elektrode TE (anders ausgedrückt, einer Elektrode, die sowohl als gemeinsame Elektrode als auch als Berührungselektrode fungiert).
  • Das Anzeigepanel 10 weist ein Dünnfilmtransistoranordnungssubstrat (Dünnfilmtransistorarraysubstrat), ein Farbfilteranordungssubstrat (Farbfilterarraysubstrat) und eine zwischen dem Dünnfilmtransistoranordnungssubstrat und dem Farbfilteranordungssubstrat eingefügte Flüssigkristallschicht auf. In 10 ist das Anzeigepanel 10 im Wesentlichen mit dem Dünnfilmtransistoranordnungssubstrat gezeigt.
  • Das Dünnfilmtransistoranordnungssubstrat des Anzeigepanels 10 weist Dünnfilmtransistoren TFT auf, die mit einer Gateleitung GL und einer Datenleitung DL verbunden sind, Pixelelektroden PXL, die mit den Dünnfilmtransistoren verbunden sind, wobei jedem Pixel eine Pixelelektrode zugeordnet ist, und Berührung-Gemeinsam-Elektroden (nachfolgend als Berührungselektroden bezeichnet) TE, wobei eine Berührung-Gemeinsam-Elektrode TE jeweils einer Pixelblockeinheit mit mehreren Pixeln zugeordnet ist. Jedes Pixel treibt Flüssigkristallmoleküle an entsprechend einer Spannungsdifferenz zwischen einem Datensignal, das durch einen Dünnfilmtransistor an eine Pixelelektrode PXL geliefert wird, und einer gemeinsamen Spannung (engl.: common voltage) Vcom, die an eine Berührungselektrode TE geliefert wird, um die Lichtdurchlässigkeit einzustellen. Eine Mehrzahl von Schlitzen SL ist an der Pixelelektrode PXL oder der Berührungselektrode TE, die überlappen, vorgesehen, wobei eine Isolationsschicht zwischen der Pixelelektrode PXL und der Berührungselektrode TE eingefügt ist. Die Pixelelektroden PXL und die Berührungselektroden TE treiben die Flüssigkristallschicht (bzw. darin enthaltene Flüssigkristallmoleküle) an in einem In-Plane-Switching(IPS)-Modus („in der Ebene schalten“) oder einem Fringe-Field-Switching(FFS)-Modus („Streufeldschalten“).
  • Jede der Berührungselektroden TE weist eine Struktur auf, bei der eine gemeinsame Elektrode so unterteilt ist, dass sie eine gleichförmige Größe hat hinsichtlich einer Berührungspunktgröße (z.B. kann eine gemeinsame Elektrode so in einzelne Berührungselektroden unterteilt sein, dass diese alle dieselbe Größe haben). Das Dünnfilmtransistoranordnungssubstrat weist eine Mehrzahl von Berührungszeilen auf. Jede Berührungszeile weist eine Mehrzahl von Berührungselektroden TE auf, die entlang einer Längsrichtung der Datenleitung DL (mit anderen Worten, entlang einer Richtung, in der sich die Datenleitung erstreckt) angeordnet sind, und eine Mehrzahl von Berührungssignalleitungen TL, die einzeln mit den Berührungselektroden TE verbunden sind (z.B. ist jeweils eine Berührungssignalleitung mit einer entsprechenden Berührungselektrode TE verbunden), während sie ebenfalls mit der Berührungserfasseinheit 40 verbunden sind.
  • Der Datentreiber 30 wandelt Bilddaten, die von einer Zeitablaufsteuerung (Timing Controller) geliefert werden, in ein Analogsignal um während einer Betriebsperiode der Anzeigevorrichtung, um das Analogsignal an die Datenleitungen DL zu liefern. Der Datentreiber 30 unterteilt einen Satz von Gammaspannungen, die von einem Gammaspannungsgenerator geliefert werden, welcher in dem Datentreiber 30 enthalten (z.B. eingebettet) ist oder separat bereitgestellt ist, in Graustufenspannungen, die jeweils zu Graustufenwerten von Daten korrespondieren. Der Datentreiber 30 wandelt Digitaldaten in positive oder negative analoge Datenspannungen um unter Verwendung der durch die Unterteilung erhaltenen Graustufenspannungen während der Betriebsperiode der Anzeigevorrichtung. Immer wenn die Gateleitungen GL angesteuert werden, liefert der Datentreiber 30 Datenspannungen an die entsprechenden Datenleitungen DL. Während einer Berührungserfassperiode verhindert der Datentreiber 30, dass Datenspannungen an die Datenleitungen DL geliefert (anders ausgedrückt, angelegt) werden.
  • Der Gatetreiber 20 steuert nacheinander die Gateleitungen GL an während der Betriebsperiode der Anzeigevorrichtung. Während der Betriebsperiode der Anzeigevorrichtung wird in jeder Abtastperiode (Scan-Periode) ein Abtastpuls (Scan-Puls) mit einer Gate-An-Spannung an eine Gateleitung GL angelegt. In der Betriebsdauer der anderen Gateleitungen wird eine Gate-Aus-Spannung angelegt. In der Berührungserfassperiode liefert der Gate-Treiber 20 keinen Abtastpuls an die Gateleitungen GL.
  • Während der Betriebsperiode der Anzeigevorrichtung liefert eine Gemeinsame-Spannung-Versorgungseinheit die gemeinsame Spannung Vcom an die Berührungselektroden TE durch die Berührungssignalleitungen TL.
  • Während der Berührungserfassperiode erfasst die Berührungserfasseinheit 40 mittels der Berührungselektroden TE auf Eigenkapazitätberührungsweise (mit anderen Worten, durch Erfassen einer Änderung der Eigenkapazität), ob eine Berührung erfolgt ist oder nicht. Die Berührungserfasseinheit 40 reagiert auf ein Berührungssynchronisiersignal (engl.: touch sync signal), das von der Zeitablaufsteuerung bereitgestellt wird, so dass sie mittels der Berührungssignalleitungen TL ein Berührungsansteuersignal (engl.: touch drive signal) an die Berührungselektroden TE liefert während der Berührungserfassperiode. Dann empfängt die Berührungserfasseinheit 40 ein Rückkopplungssignal (Feedbacksignal) von der entsprechenden Berührungselektrode TE. Die Berührungserfasseinheit 40 verstärkt das Berührungsansteuersignal und das Rückkopplungssignal der Berührungselektrode TE (z.B. verstärkt die Berührungserfasseinheit eine Differenz zwischen den beiden Signalen), um eine durch eine Berührung bedingte Änderung in der Eigenkapazität (Signalverzögerungsmaß) der Berührungselektrode TE zu erfassen, und erzeugt dadurch Erfassinformationen (Sensorinformationen). Die Berührungserfasseinheit 40 berechnet Berührungskoordinateninformationen durch Signalverarbeitung der Erfassinformationen und gibt die Berührungskoordinateninformationen mittels eines Hostsystems aus.
  • Die Berührungserfasseinheit 40 kann in einem integrierten Berührungschip (IC) oder in dem Datentreiber 30 und einem Treiber-IC integriert sein. Der Datentreiber 30 kann mindestens einen IC aufweisen. Der Gatetreiber 20 kann mindestens einen IC aufweisen oder kann in einer Gate-in-Panel(GIP)-Weise in ein Nichtanzeigegebiet (hier auch als Nichtanzeigebereich bezeichnet) des Dünnfilmtransistoranordnungssubstrats eingebettet werden, während der Gatetreiber 20 und die Dünnfilmtransistoranordnung des Dünnfilmtransistoranordnungssubstrats gleichzeitig gebildet werden.
  • 2 ist eine Ansicht, die einen Pixelteil (z.B. Pixelbereich) in der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Wie in 2 gezeigt, weist der Dünnfilmtransistor TFT (siehe 1) eine Gateelektrode G auf einem Substrat SUB auf, eine Gateisolationsschicht GI, die die Gateelektrode G bedeckt, eine aktive Schicht ACT auf der Gateisolationsschicht GI, und eine Sourceelektrode S und eine Drainelektrode D auf der aktiven Schicht ACT.
  • Eine erste Verdrahtungsschichtgruppe, welche die mit einer Gateleitung GL (siehe 1) verbundene Gateelektrode aufweist, ist auf dem Substrat SUB ausgebildet. Die erste Verdrahtungsschichtgruppe kann so ausgebildet sein, dass sie eine erste Verdrahtungsschicht mit einer Monolagenstruktur oder einer Multilagenstruktur aufweist, die aus mindestens einem der folgenden Metalle gebildet ist: Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Kupfer (Cu), oder Legierungen davon.
  • Die Gateisolationsschicht GI ist auf dem Substrat SUB so ausgebildet, dass sie die erste Verdrahtungsschichtgruppe bedeckt. Die Gateisolationsschicht GI kann so ausgebildet sein, dass sie eine Monolagenstruktur oder eine Multilagenstruktur hat, die aus einem anorganischen isolierenden Material wie beispielsweise Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) oder Aluminiumoxid (AlOx) gebildet ist.
  • Die aktive Schicht ACT ist auf der Gateisolationsschicht GI ausgebildet. Eine zweite Verdrahtungsschichtgruppe, welche die Sourceelektrode S, die Drainelektrode D und eine mit der Sourceelektrode S verbundene Datenleitung DL aufweist, ist auf der aktiven Schicht ACT ausgebildet.
  • Die aktive Schicht ACT ist so ausgebildet, dass sie eine amorphe Siliziumschicht und eine mit einer Verunreinigung (n+) dotierte amorphe Siliziumschicht, die als ohmscher Kontakt fungiert, aufweist, die auf der Gateisolationsschicht GI übereinander gestapelt sind. Der Teil der ohmschen Kontaktschicht, welcher zu einem Kanal zwischen der Sourceelektrode S und der Drainelektrode korrespondiert, ist entfernt. Alternativ kann ein Oxid-Halbleiter als die aktive Schicht ACT verwendet werden. Der Oxid-Halbleiter kann mindestens einen der folgenden aufweisen oder sein: ein Zinkoxid(ZnO)-Halbleiter, ein Indiumzinkoxid(IZO)-Halbleiter, ein Indiumaluminiumzinkoxid(IAZO)-Halbleiter, ein Indiumgalliumzinkoxid(IGZO)-Halbleiter, ein Indiumzinnzinkoxid(ITZO)-Halbleiter.
  • Die zweite Verdrahtungsschichtgruppe, welche die Sourceelektrode S, die Drainelektrode D und die Datenleitung DL auf der aktiven Schicht ACT aufweist, kann so ausgebildet sein, dass sie eine Monolagenstruktur oder eine Multilagenstruktur hat, die aus mindestens einem der folgenden Metalle gebildet ist: Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Kupfer (Cu), oder Legierungen davon.
  • Eine erste Passivierungsschicht PAS1 ist auf der Gateisolationsschicht GI ausgebildet, so dass sie die aktive Schicht ACT und die zweite Verdrahtungsschichtgruppe auf der aktiven Schicht ACT, die auf der Gateisolationsschicht GI übereinander gestapelt sind, bedeckt. Die erste Passivierungsschicht PAS1 kann so ausgebildet sein, dass sie eine Monolagenstruktur oder eine Multilagenstruktur hat, die aus einem anorganischen isolierenden Material wie beispielsweise Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) oder Aluminiumoxid (AlOx) gebildet ist.
  • Eine Planarisierungsschicht PAC ist auf der ersten Passivierungsschicht PAS1 ausgebildet. Die Planarisierungsschicht PAC ist aus einem organischen isolierenden Material wie beispielsweise Photoacryl gebildet.
  • Eine dritte Verdrahtungsschichtgruppe, welche eine Pixelelektrode PXL und eine Berührungssignalleitung TL aufweist, ist auf der Planarisierungsschicht PAC ausgebildet. Die Pixelelektrode PXL ist mit der Drainelektrode D verbunden durch ein erstes Kontaktloch H1, das durch die Planarisierungsschicht PAC und die erste Passivierungsschicht PAS1 reicht. Die Pixelelektrode PXL ist aus einer transparenten leitfähigen Schicht gebildet, wie beispielsweise aus Indiumzinnoxid (ITO) und/oder Indiumzinkoxid (IZO). Die Berührungssignalleitung TL weist eine transparente leitfähige Schicht 102 auf, die in derselben Ebene ausgebildet ist wie die Pixelelektrode PXL und aus demselben Material gebildet ist wie die Pixelelektrode PXL, und eine metallische Schicht 104, die auf die transparente leitfähige Schicht 102 gestapelt ist. Die metallische Schicht 104 kann so ausgebildet sein, dass sie eine Monolagenstruktur oder eine Multilagenstruktur hat, die aus mindestens einem der folgenden Metalle gebildet ist: Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Kupfer (Cu), oder Legierungen davon. Da die Berührungssignalleitung TL auf der Planarisierungsschicht PAC ausgebildet ist, welche relativ dick ist, können Signalinterferenzen zwischen der Berührungssignalleitung TL, der Gateleitung GL und der Datenleitung DL verringert werden.
  • Eine zweite Passivierungsschicht PAS2 ist auf der Planarisierungsschicht PAC ausgebildet, so dass sie die Pixelelektrode PXL und die dritte Verdrahtungsschichtgruppe bedeckt. Die zweite Passivierungsschicht PAS2 kann so ausgebildet sein, dass sie eine Monolagenstruktur oder eine Multilagenstruktur hat, die aus einem anorganischen isolierenden Material wie beispielsweise Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) oder Aluminiumoxid (AlOx) gebildet ist.
  • Eine vierte Verdrahtungsschichtgruppe, welche die Berührungselektrode TE aufweist, ist auf der zweiten Passivierungsschicht PAS2 ausgebildet. Die Berührungselektrode TE überlappt die Pixelelektrode PXL, wobei die zweite Passivierungsschicht PAS2 dazwischen eingefügt ist. Eine Mehrzahl von Schlitzen SL ist so ausgebildet, dass sie die Pixelelektrode PXL überlappen. Die Berührungselektrode TE ist mit der Berührungssignalleitung TL verbunden durch ein zweites Kontaktloch H2, das durch die zweite Passivierungsschicht PAS2 reicht. Die vierte Verdrahtungsschichtgruppe, welche die Berührungselektrode TE aufweist, ist aus einer transparenten leitfähigen Schicht gebildet wie beispielsweise aus ITO und/oder IZO.
  • 3A bis 3F sind Ansichten, die Prozesse zum Herstellen des in 2 dargestellten Pixelteils durch Maskenprozesse darstellen.
  • Wie in 3A gezeigt, wird die erste Verdrahtungsschichtgruppe, welche die Gateleitung GL und die Gateelektrode G aufweist, auf dem Substrat SUB gebildet unter Verwendung eines ersten Maskenprozesses. Eine erste Verdrahtungsschicht wird auf dem Substrat SUB abgeschieden und wird mittels eines Photolithographieprozesses und eines Ätzprozesses unter Verwendung einer ersten Maske strukturiert, um die erste Verdrahtungsschichtgruppe, welche die Gateleitung GL und die Gateelektrode G aufweist, auf dem Substrat SUB zu bilden.
  • Wie in 3B gezeigt, werden in einem zweiten Maskenprozess die Gateisolationsschicht GI, die aktive Schicht ACT und die zweite Verdrahtungsschichtgruppe auf dem Substrat SUB, auf dem die erste Verdrahtungsschichtgruppe ausgebildet ist, so gebildet, dass sie eine Stapelstruktur haben (mit anderen Worten sind Gateisolationsschicht, die aktive Schicht und die zweite Verdrahtungsschichtgruppe übereinander gestapelt). Die zweite Verdrahtungsschichtgruppe weist die Sourceelektrode S, die Drainelektrode D und die Datenleitung DL auf. Die Gateisolationsschicht GI wird auf dem Substrat SUB so abgeschieden, dass sie die erste Verdrahtungsschichtgruppe bedeckt. Nachdem eine Halbleiterschicht und eine zweite Verdrahtungsschicht auf der Gateisolationsschicht GI übereinander gestapelt wurden, werden die Halbleiterschicht und die zweite Verdrahtungsschicht mittels eines Photolithographieprozesses und eines Ätzprozesses unter Verwendung einer zweiten Maske strukturiert, um die zweite Verdrahtungsschichtgruppe zu bilden, welche die Sourceelektrode S, die Drainelektrode D und die Datenleitung DL aufweist.
  • Eine Halbtonmaske oder eine Beugungs(Schlitz)-Maske wird als die zweite Maske verwendet. Photolackstrukturen mit einer ersten Höhe und einer zweiten Höhe werden auf der zweiten Verdrahtungsschicht mittels des Photolithographieprozesses unter Verwendung der zweiten Maske gebildet. Ein erster Photolackbereich mit der ersten Höhe, der zu einem Halbtonteil (oder Beugungsteil) der zweiten Maske korrespondiert, wird an einem Teil (z.B. Bereich) gebildet, an dem (nachfolgend) ein Kanalteil (z.B. Kanalbereich) der aktiven Schicht ACT gebildet wird. Ein zweiter Photolackbereich mit der zweiten Höhe (z.B. einer Höhe, die größer ist als die erste Höhe), der zu einem Lichtabschirmteil (z.B. Lichtabschirmbereich) der zweiten Maske korrespondiert, wird an einem Teil (z.B. Bereich) gebildet, an dem (nachfolgend) die zweite Verdrahtungsschichtgruppe und die aktive Schicht ACT unter der zweiten Verdrahtungsschichtgruppe gebildet werden. Der Photolack wird nicht an einem Teil (z.B. Bereich) gebildet, von dem die Halbleiterschicht und die zweite Verdrahtungsschicht entfernt werden, korrespondierend zu einem Belichtungsteil (z.B. Belichtungsbereich) der zweiten Maske (mit anderen Worten, dort, wo die Halbleiterschicht und die zweite Verdrahtungsschicht entfernt werden sollen, wird kein Photolack gebildet). Die zweite Verdrahtungsschicht und die Halbleiterschicht werden mittels eines Ätzprozesses strukturiert unter Verwendung der Photolackstruktur (anders ausgedrückt, des Photolackmusters) als Maske, um die aktive Schicht ACT und die zweite Verdrahtungsschichtgruppe auf der aktiven Schicht ACT zu bilden. Hierbei ist die Sourceelektrode S mit der Drainelektrode D verbunden. Der erste Photolackbereich, und die zweite Verdrahtungsschicht und die ohmsche Kontaktschicht unter dem ersten Photolackbereich, werden durch einen sequentiellen Ätzprozess (z.B. einen nachfolgenden Ätzprozess, z.B. aufeinander folgende Ätzprozesse) entfernt, um in die Sourceelektrode S und die Drainelektrode D aufgeteilt zu werden, und um den Kanalteil (z.B. Kanalbereich) ohne die ohmsche Kontaktschicht in der aktiven Schicht ACT unter der Sourceelektrode S und der Drainelektrode D zu bilden.
  • Wie in 3C gezeigt, werden die erste Passivierungsschicht PAS1 und die Planarisierungsschicht PAC auf der Gateisolationsschicht GI, auf welcher die aktive Schicht ACT und die zweite Verdrahtungsschichtgruppe gebildet sind, so gebildet, dass sie eine Stapelstruktur haben. Die erste Passivierungsschicht PAS1 wird auf der Gateisolationsschicht GI mittels Abscheidung gebildet, so dass sie die aktive Schicht ACT und die zweite Verdrahtungsschichtgruppe bedeckt. Die Planarisierungsschicht PAC wird auf der ersten Passivierungsschicht PAS1 gebildet. Das erste Kontaktloch H1, das durch die Planarisierungsschicht PAC und die erste Passivierungsschicht PAS1 reicht, um einen Teil der Drainelektrode D freizulegen, wird durch einen Photolithographieprozess und einen Ätzprozess unter Verwendung einer dritten Maske gebildet.
  • Wie in 3D gezeigt, wird in einem vierten Maskenprozess auf der Planarisierungsschicht PAC die dritte Verdrahtungsschichtgruppe gebildet, welche die Pixelelektrode PXL und die Berührungssignalleitung TL, welche die transparente leitfähige Schicht 102 und die metallische Schicht 104, die übereinander gestapelt sind, aufweist, aufweist. Die transparente leitfähige Schicht 102 und die metallische Schicht 104 werden nacheinander auf der Planarisierungsschicht PAC abgeschieden, um eine dritte Verdrahtungsschicht zu bilden. Die dritte Verdrahtungsschicht wird mittels eines Photolithographieprozesses und eines Ätzprozesses unter Verwendung einer vierten Maske strukturiert, um die dritte Verdrahtungsschichtgruppe, welche die Pixelelektrode PXL und die Berührungssignalleitung TL aufweist, zu bilden.
  • Eine Halbtonmaske oder eine Beugungs(Schlitz)-Maske wird als die vierte Maske verwendet. Photolackstrukturen mit einer ersten Höhe und einer zweiten Höhe werden auf einer oberen metallischen Schicht mittels des Photolithographieprozesses unter Verwendung der vierten Maske gebildet. Ein erster Photolackbereich mit der ersten Höhe, der zu einem Halbtonteil (oder Beugungsteil) der vierten Maske korrespondiert, wird an einem Teil (z.B. Bereich) gebildet, an dem (nachfolgend) die Pixelelektrode gebildet wird. Ein zweiter Photolackbereich mit der zweiten Höhe (z.B. einer Höhe, die größer ist als die erste Höhe), der zu einem Lichtabschirmteil (z.B. Lichtabschirmbereich) der vierten Maske korrespondiert, wird an einem Teil (z.B. Bereich) gebildet, an dem (nachfolgend) die Berührungssignalleitung TL gebildet wird. Der Photolack wird nicht an einem Teil (z.B. Bereich) gebildet, von dem die dritte Verdrahtungsschicht entfernt wird, korrespondierend zu einem Belichtungsteil (z.B. Belichtungsbereich) der vierten Maske (mit anderen Worten, dort, wo die dritte Verdrahtungsschicht entfernt werden soll, wird kein Photolack gebildet). Die obere metallische Schicht wird mittels eines Ätzprozesses strukturiert unter Verwendung der Photolackstruktur (anders ausgedrückt, des Photolackmusters) als Maske. Nachdem der erste Photolackbereich, an dem die Pixelelektrode PXL gebildet wird, mittels eines Veraschungsprozesses entfernt ist, wird eine untere transparente leitfähige Schicht mittels eines Ätzprozesses strukturiert unter Verwendung der strukturierten oberen metallischen Schicht als Maske. Dann, nachdem die auf der Pixelelektrode PXL freigelegte obere metallische Schicht mittels eines Ätzprozesses entfernt wurde, wird der auf der Berührungssignalleitung TL verbliebene zweite Photolackbereich mittels eines Ablöseprozesses (Strippingprozesses) entfernt. Als Ergebnis davon, da die Pixelelektrode PXL aus der transparenten leitfähigen Schicht und die Berührungssignalleitung TL, welche die aufeinander gestapelte transparente Schicht 102 und metallische Schicht 104 aufweist, gebildet werden, gibt es keinen separaten Maskenprozess für die Berührungssignalleitung TL, wodurch die Produktivität verbessert wird. Die Pixelelektrode ist mit der Drainelektrode D verbunden durch das erste Kontaktloch H1.
  • Unterdessen korrespondiert ein Freiraum (z.B. Fläche, z.B. Abstand) zwischen der Pixelelektrode PXL und der Berührungssignalleitung TL zu dem Belichtungsteil (z.B. Belichtungsbereich) der vierten Maske. Es gibt eine Grenze, was das Reduzieren der Abmessung des Freiraums unterhalb 6 µm anbelangt, aufgrund der Belichtung (mit anderen Worten ist es möglich, dass, bedingt durch die Belichtung mittels der Maske, die untere Grenze für den Abstand zwischen Pixelelektrode und Berührungssignalleitung bei 6 µm liegt). Dadurch ist der Abstand zwischen der Pixelelektrode PXL und der Berührungssignalleitung TL vergrößert, so dass die Größe der Pixelelektrode PXL verringert ist. Jedoch wird gemäß mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine 0,5 bis 1,5 µm dicke Lichtabschirmlinie (oder dunkle Linie) an einem Rand des Halbtonteils (oder des Beugungsteils), der zu einem Teil (z.B. Bereich) korrespondiert, an dem die Pixelelektrode PXL gebildet wird, bereitgestellt, um die Belichtungsmenge zu verringern. Dadurch kann der Abstand zwischen der Pixelelektrode PXL und der Berührungssignalleitung TL auf 6 µm oder weniger verringert werden, so dass verhindert werden kann, dass die Größe der Pixelelektrode PXL abnimmt.
  • Wie in 3E gezeigt, wird in einem fünften Maskenprozess die zweite Passivierungsschicht PAS2 auf der Planarisierungsschicht PAC, auf der die dritte Verdrahtungsschichtgruppe ausgebildet ist, gebildet. Die zweite Passivierungsschicht PAS2 wird auf der Planarisierungsschicht PAC mittels Abscheidung gebildet, so dass sie die dritte Verdrahtungsschichtgruppe bedeckt. Das zweite Kontaktloch H2, das durch die zweite Passivierungsschicht PAS2 reicht und einen Teil der metallischen Schicht 104, welche die obere Schicht der Berührungssignalleitung TL ist, freilegt, wird mittels eines Photolithographieprozesses und eines Ätzprozesses unter Verwendung einer fünften Maske gebildet.
  • Wie in 3F gezeigt, wird in einem sechsten Maskenprozess die Berührungselektrode TE auf der zweiten Passivierungsschicht PAS2 gebildet. Eine transparente leitfähige Schicht wird auf der zweiten Passivierungsschicht PAS2 mittels Abscheidung gebildet. Die transparente leitfähige Schicht wird durch den sechsten Maskenprozess strukturiert, um die Berührungselektrode TE auf der zweiten Passivierungsschicht PAS2 zu bilden (z.B. bilden, wie oben erläutert, die Berührungselektroden zusammen die gemeinsame Spannung Vcom (bzw. eine gemeinsame Elektrode, die die gemeinsame Spannung Vcom bereitstellt) der Anzeige während des Anzeigebetriebs). Die Berührungselektrode TE ist mit der Berührungssignalleitung TL durch das zweite Kontaktloch H2 verbunden.
  • Gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden bei der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion die Berührungssignalleitung TL, welche die transparente leitfähige Schicht 102 und die metallische Schicht 104 aufweist, die übereinander gestapelt sind, und die dritte Verdrahtungsschichtgruppe, welche die Pixelelektrode PXL aufweist, die aus einer transparenten leitfähigen Schicht gebildet ist, in derselben Ebene unter Verwendung desselben Maskenprozesses gebildet. Somit ist kein separater Prozess zum Bilden der Berührungssignalleitung TL erforderlich, wodurch die Produktivität verbessert wird verglichen mit der Verwendung einer separaten Maske zum Bilden der Berührungssignalleitung TL.
  • 4 ist eine Ansicht, die schematisch Datenverdrahtungen in einem Nichtanzeigegebiet der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Wie in 4 gezeigt, sind die Datenleitungen DL (siehe 1) eines Anzeigegebiets AA über Datenverbindungen (anders ausgedrückt, Datenverbindungsstücke) DKa und DKb, die in dem Nichtanzeigegebiet ausgebildet sind, mit entsprechenden Datenpads DP, die in dem Padgebiet ausgebildet sind, verbunden, wobei jede Datenleitung mit einem jeweils zugehörigen Datenpad verbunden ist. Die Datenpads DP sind Teile (z.B. Bereiche), die mit Treiber-ICs verbunden werden, die darauf angebracht werden. Zusätzlich sind die Datenpads über Verbindungsleitungen DC (hierin auch als Datenverbindungsleitungen bezeichnet) mit entsprechenden Prüftransistoren Tr1 (hierin auch als erste Prüftransistoren Tr1 bezeichnet) verbunden, wobei jedes Datenpad mit einem jeweils zugehörigen Prüftransistor verbunden ist.
  • Die Datenverbindungen DKa und DKb weisen eine erste Datenverbindung DKa (anders ausgedrückt, erstes Datenverbindungsstück) auf, die aus der zweiten Verdrahtungsschicht (der Datenverdrahtung) gebildet ist, aus der auch die Datenleitung DL (siehe 1) gebildet ist, und mit der Datenleitung DL verbunden ist, und eine zweite Datenverbindung DKb (anders ausgedrückt, zweites Datenverbindungsstück), die aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, welche sich von der zweiten Verdrahtungsschicht unterscheidet, aus der die Datenleitung DL gebildet ist, und mit einer benachbarten Datenleitung (z.B., eine andere Datenleitung neben der Datenleitung DL) über einen ersten Brückenverbinder JC1 verbunden ist. Die erste Datenverbindung DKa aus der zweiten Verdrahtungsschicht und die zweite Datenverbindung DKb aus der ersten Verdrahtungsschicht sind abwechselnd angeordnet in dem Nichtanzeigegebiet und sind aus unterschiedlichen Verdrahtungsschichten hergestellt. Dementsprechend ist ein ausreichender Pitch (Abstand) oder eine ausreichende Fläche zwischen den Datenverbindungen DKa und DKb in dem begrenzten Nichtanzeigegebiet, das eine Vielzahl von Datenverbindungen DKa und DKb enthält, sichergestellt, wodurch die Zuverlässigkeit verbessert wird (z.B. können, da die sich abwechselnden ersten und zweiten Datenverbindungen aus unterschiedlichen Verdrahtungsschichten mit unterschiedlichen Masken gebildet werden, die Datenverbindungen näher zueinander platziert werden).
  • Die erste Datenverbindung DKa aus der zweiten Verdrahtungsschicht in dem Padgebiet ist mit der Verbindungsleitung DC aus der ersten Verdrahtungsschicht über das Datenpad DP verbunden. Die zweite Datenverbindung DKb aus der ersten Verdrahtungsschicht ist mit der Verbindungsleitung DC aus der ersten Verdrahtungsschicht über das Datenpad DP verbunden. Die Verbindungsleitungen DC aus der ersten Verdrahtungsschicht sind über zweite Brückenverbinder JC2 mit den aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildeten Drainelektroden entsprechender Prüftransistoren Tr1 verbunden, wobei jede Verbindungsleitung DC jeweils mit der Drainelektrode eines zugehörigen Prüftransistors Tr1 verbunden ist.
  • Die Drainelektroden der Prüftransistoren Tr1 sind mit den entsprechenden Datenleitungen DL verbunden über die zweiten Brückenverbinder JC2, die Verbindungsleitungen DC, die Datenpads DP, und die Datenverbindungen DKa und DKb, wobei jede Drainelektrode jeweils mit einer zugehörigen Datenleitung verbunden ist. Die Gateelektroden (der Prüftransistoren Tr1) sind gemeinsam mit einer Steuerleitung CL1 verbunden (mit anderen Worten, sind die Gateelektroden aller Prüftransistoren Tr1 mit derselben Steuerleitung CL1 verbunden). Die Sourceelektroden (der Prüftransistoren Tr1) sind gemeinsam mit einer Signalleitung SL1 verbunden (mit anderen Worten, sind die Sourceelektroden aller Prüftransistoren Tr1 mit derselben Signalleitung SL1 verbunden). Die Prüftransistoren Tr1 werden dazu verwendet, zu prüfen, ob ein Defekt wie beispielsweise ein Kurzschluss oder eine Leitungsunterbrechung (engl.: opening) der Datenleitungen DL vorliegt.
  • 5 ist eine Ansicht, die schematisch Berührungsverdrahtungen in dem Nichtanzeigegebiet der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Wie in 5 gezeigt, sind die Berührungssignalleitungen TL (siehe 1) des Anzeigegebiets über die Berührungsverbindungen TK (auch als Berührungsverbindungsstücke bezeichnet), die in dem Nichtanzeigegebiet ausgebildet sind, mit entsprechenden Berührungspads TP, die in dem Padteil (z.B. Padbereich) ausgebildet sind, verbunden, wobei jede Berührungssignalleitung mit einem jeweils zugehörigen Berührungspad verbunden ist. Jedes Berührungspad TP ist ein Teil (z.B. Bereich), das mit einem Daten-IC verbunden wird, der darauf angebracht wird. Zusätzlich sind die Berührungspads über Verbindungsleitungen TC (hierin auch als Berührungsverbindungleitungen bezeichnet) mit entsprechenden Prüftransistoren Tr2 (hierin auch als zweite Prüftransistoren Tr2 bezeichnet) verbunden, wobei jedes Berührungspad mit einem jeweils zugehörigen Prüftransistor verbunden ist. Die Berührungspads TP in dem Padgebiet können getrennt an beiden Seiten der Datenpads DP angeordnet sein, wie in 4 dargestellt (zum Beispiel können die Datenpads DP in der Mitte des Padgebiets angeordnet sein, und links und rechts davon können jeweils Berührungspads angeordnet sein).
  • Die Berührungsverbindungen TK sind aus der dritten Verdrahtungsschicht ausgebildet, aus der auch die Berührungssignalleitung TL (siehe 1) ausgebildet ist, und werden mit der Berührungssignalleitung TL verbunden. Die Berührungsverbindungen TK sind über die Berührungspads TP mit den Verbindungsleitungen TC aus der ersten Verdrahtungsschicht verbunden. Die Verbindungsleitungen TC aus der ersten Verdrahtungsschicht sind über dritte Brückenverbinder JC3 mit aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildeten Drainelektroden entsprechender Prüftransistoren Tr2 verbunden, wobei jede Verbindungsleitung TC jeweils mit der Drainelektrode eines zugehörigen Prüftransistors Tr2 verbunden ist.
  • Die Drainelektroden der Prüftransistoren Tr2 sind mit entsprechenden Berührungssignalleitungen TL verbunden über die dritten Brückenverbinder JC3, die Verbindungsleitungen TC, die Berührungspads TP und die Berührungsverbindungen TK, wobei jede Drainelektrode jeweils mit einer zugehörigen Berührungssignalleitung verbunden ist. Die Gateelektroden sind gemeinsam mit einer Steuerleitung CL2 verbunden (mit anderen Worten, sind die Gateelektroden aller Prüftransistoren Tr2 mit derselben Steuerleitung CL2 verbunden). Die Sourceelektroden (der Prüftransistoren Tr2) sind gemeinsam mit einer Signalleitung SL2 verbunden (mit anderen Worten, sind die Sourceelektroden aller Prüftransistoren Tr2 mit derselben Signalleitung SL2 verbunden). Die Prüftransistoren Tr2 werden dazu verwendet, zu prüfen, ob ein Defekt wie beispielsweise ein Kurzschluss oder eine Leitungsunterbrechung (engl.: opening) der Berührungssignalleitungen TL und/oder der Berührungselektroden TE vorliegt.
  • 6 ist eine vergrößerte Draufsicht, die die Berührungsverdrahtungen in dem Nichtanzeigegebiet der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. 7A ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie A1-A1’, die das Berührungspad in dem Padgebiet PA darstellt. 7B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie B1-B1’, die die Brückenverbinder in einem Brückengebiet JCA darstellt. 7C ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie C1-C1’, die ein Prüftransistorgebiet AP-Tr darstellt.
  • Wie in 6 und 7A gezeigt, weist das Berührungspad TP ein erstes unteres Pad 112 (hierin auch als erstes unteres Berührungspad bezeichnet), ein zweites unteres Pad 114 (hierin auch als zweites unteres Berührungspad bezeichnet) und eine oberes Pad 116 (hierin auch als oberes Berührungspad bezeichnet) auf, welche in unterschiedlichen Schichten ausgebildet sind. Das obere Pad 116 ist ein Teil, der das erste untere Pad 112 mit dem zweiten unteren Pad 114 verbindet und mit dem Treiber-IC verbunden ist.
  • Das erste untere Pad 112 des Berührungspads TP ist aus der dritten Verdrahtungsschicht 102 und 104 gebildet, aus der auch die Berührungssignalleitung TL (siehe 1 und 2) und die Berührungsverbindung TK, die mit der Berührungssignalleitung TL verbunden wird, gebildet sind.
  • Ein Loch PH1 (hierin auch als erstes Loch PH1 bezeichnet), das durch Entfernen der Planarisierungsschicht PAC und der ersten Passivierungsschicht PAS1 gebildet ist, ist in dem Padgebiet PA bereitgestellt, um eine Haftkraft des Treiber-ICs zu verstärken. In dem Loch PH1 des Padgebiets PA sind die Berührungsverbindung TK und das erste untere Pad 112 aus der dritten Verdrahtungsschicht 102 und 104 auf der Gateisolationsschicht GI angeordnet.
  • Das zweite untere Pad 114 des Berührungspads TP ist zwischen dem Substrat SUB und der Gateisolationsschicht GI ausgebildet und ist aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet. Die erste Verdrahtungsschicht und die Gateelektrode (d.h., die erste Verdrahtungsschichtgruppe) werden gleichzeitig gebildet.
  • Das obere Pad 116 des Berührungspads TP ist aus der vierten Verdrahtungsschicht auf der zweiten Passivierungsschicht PAS2 gebildet. Das obere Pad 116 ist mit dem ersten unteren Pad 112 und dem zweiten unteren Pad 114 verbunden über ein Kontaktloch H3, das durch die zweite Passivierungsschicht PAS2 reicht, um einen Teil des ersten unteren Pads 112 freizulegen, und ein Kontaktloch H4, das durch die zweite Passivierungsschicht PAS2 und die Gateisolationsschicht GI reicht, um einen Teil des zweiten unteren Pads 114 freizulegen. Die vierte Verdrahtungsschicht ist eine transparente leitfähige Schicht, die dieselbe Schicht ist, aus der auch die Berührungselektrode TE gebildet ist, und gebildet ist aus mindestens einem von ITO, IZO und ITZO, die hohe Korrosionsbeständigkeit und Säurebeständigkeit haben.
  • Wie in 6, 7B und 7C gezeigt, weist der dritte Brückenverbinder JC3 in dem Brückengebiet JCA eine erste untere Elektrode 122, die mit dem zweiten unteren Pad 114 des Berührungspads TP über die Verbindungsleitung TC verbunden ist, eine zweite untere Elektrode 124, die in einer anderen Schicht ausgebildet ist als die erste untere Elektrode 122, eine mittlere Elektrode 128 und eine obere Elektrode 126 auf.
  • Die erste untere Elektrode 122 des dritten Brückenverbinders JC3 ist aus derselben ersten Verdrahtungsschicht gebildet wie das zweite untere Pad 114 des Berührungspads TP und die Verbindungsleitung TC, die mit der Berührungsverbindung TK verbunden wird.
  • Die zweite untere Elektrode 124 des dritten Brückenverbinders JC3 ist aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet. Die zweite untere Elektrode 124 erstreckt sich zu dem Prüftransistorgebiet AP-Tr, um mit der Drainelektrode (der zweiten Verdrahtungsschicht) des Prüftransistors Tr2 verbunden zu werden. Die aktive Schicht ACT ist unter der zweiten unteren Elektrode 124 ausgebildet.
  • Das Brückengebiet JCA weist ein Loch PH2 auf (hierin auch als zweites Loch PH2 bezeichnet), das durch die Planarisierungsschicht PAC und die erste Passivierungsschicht PAS1 reicht. Die mittlere Elektrode 128 des dritten Brückenverbinders JC3 ist aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet, die die zweite untere Elektrode 124 aus der zweiten Verdrahtungsschicht, die durch das Loch PH2 freigelegt wird, bedeckt und die transparente leitfähige Schicht 102 und die metallische Schicht 104 aufweist, welche übereinander gestapelt sind. Dadurch dient die mittlere Elektrode 128 dazu, zu verhindern, dass die zweite untere Elektrode 124 aus der zweiten Verdrahtungsschicht geätzt wird in einem Prozess des Bildens der dritten Verdrahtungsschichtgruppe. Die mittlere Elektrode 128 ist so ausgebildet, dass sie eine größere Breite hat als das zweite Loch PH2, so dass die mittlere Elektrode 128 auf der Planarisierungsschicht PAC ausgebildet ist über eine geneigte Fläche (z.B. Seitenfläche) der Planarisierungsschicht PAC und der ersten Passivierungsschicht PAS1, welche das Loch PH2 umgeben (z.B. kann die mittlere Elektrode über die geneigte Fläche der Planarisierungsschicht und der ersten Passivierungsschicht aus dem zweiten Loch PH2 heraus bis zu einer Oberseite der Planarisierungsschicht reichen).
  • Die obere Elektrode 126 ist auf der zweiten Passivierungsschicht PAS2 ausgebildet und ist aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet. Die vierte Verdrahtungsschicht weist eine transparente leitfähige Schicht auf, welche dieselbe Schicht ist wie die der Berührungselektrode TE, und ist aus mindestens einem von ITO, IZO und ITZO, die hohe Korrosionsbeständigkeit und Säurebeständigkeit haben, gebildet. Die obere Elektrode 126 verbindet die erste untere Elektrode 122 mit der mittleren Elektrode 128 über ein Kontaktloch H5, das durch die zweite Passivierungsschicht PAS2 und die Gateisolationsschicht GI reicht, um einen Teil der ersten unteren Elektrode 122 freizulegen, und ein Kontaktloch H6, das durch die zweite Passivierungsschicht PAS2 reicht, um einen Teil der mittleren Elektrode 128 freizulegen. Dementsprechend verbindet der dritte Brückenverbinder JC3 die Verbindungsleitung TC, die aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, mit der Drainelektrode des Prüftransistors Tr2, die aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist.
  • 8 ist eine vergrößerte Draufsicht, die die Datenverdrahtungen in dem Nichtanzeigegebiet der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. 9A ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie A2-A2’, die ein erstes Datenpad in dem Padgebiet PA darstellt. 9B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie A3-A3’, die ein zweites Datenpad in dem Padgebiet PA darstellt. 9C ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie B2-B2’, die einen Brückenverbinder in dem Brückengebiet JCA darstellt. 9D ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie C2-C2’, die das Prüftransistorgebiet AP-Tr darstellt.
  • Wie in 8 und 9A bis 9D gezeigt, weist das Padgebiet PA erste und zweite Datenpads DPa und DPb auf, welche unterschiedliche Querschnittsstrukturen haben. Die ersten und zweiten Datenpads DPa und DPb sind abwechselnd in dem Padgebiet angeordnet.
  • Das erste Datenpad DPa (bzw. jedes erste Datenpad DPa) weist ein erstes unteres Pad 132 (hierin auch als erstes unteres Datenpad bezeichnet), ein zweites unteres Pad 134 (hierin auch als zweites unteres Datenpad bezeichnet) und ein oberes Pad 136 (hierin auch als oberes Datenpad bezeichnet) auf, welche in unterschiedlichen Schichten angeordnet sind. Das obere Pad 146 ist ein Teil, der das erste untere Pad 132 mit dem zweiten unteren Pad 134 verbindet und mit dem Treiber-IC verbunden ist.
  • Das erste untere Pad 132 des ersten Datenpads DPa ist aus der dritten Verdrahtungsschicht 102 und 104 gebildet. Das erste untere Pad 132 ist mit der ersten Datenverbindung DKa verbunden, die aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist, so dass es ein Ende der ersten Datenverbindung DKa bedeckt. Das Padgebiet PA weist ein Loch PH1 auf, welches durch Entfernen der Planarisierungsschicht PAC und der ersten Passivierungsschicht PAS1 gebildet ist, und welches eine Haftkraft des Treiber-ICs verstärkt. In dem Loch PH1 des Padgebiets PA ist das erste untere Pad 132 aus der dritten Verdrahtungsschicht 102 und 104 auf dem Ende der ersten Datenverbindung DKa und der Gateisolationsschicht GI angeordnet. In einem Prozess des Bildens der dritten Verdrahtungsschichtgruppe fungiert das erste untere Pad 132 dazu, zu verhindern, dass das freigelegte Ende der ersten Datenverbindung DKa aus der zweiten Verdrahtungsschicht geätzt wird. Das Ende der ersten Datenverbindung DKa ist unter einem Teil des ersten unteren Pads 132 ausgebildet, der eine relativ geringe Breite hat, und ist nicht unter einem Teil des ersten unteren Pads 132 ausgebildet, der eine relativ große Breite hat.
  • Das zweite untere Pad 134 des ersten Datenpads DPa ist zwischen dem Substrat SUB und der Gateisolationsschicht GI ausgebildet und wird aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet. Die erste Verdrahtungsschicht und eine Gateverdrahtung (d.h., die erste Verdrahtungsschichtgruppe) werden gleichzeitig gebildet.
  • Das obere Pad 136 des ersten Datenpads DPa ist auf der zweiten Passivierungsschicht PAS2 ausgebildet und ist aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet. Das obere Pad 136 verbindet das erste untere Pad 132 mit dem zweiten unteren Pad 134 über ein Kontaktloch H7, das durch die zweite Passivierungsschicht PAS2 reicht, um einen Teil des ersten unteren Pads 132 freizulegen, und ein Kontaktloch H8, das durch die zweite Passivierungsschicht PAS2 und die Gateisolationsschicht GI reicht, um einen Teil des zweiten unteren Pads 134 freizulegen. Die vierte Verdrahtungsschicht ist eine transparente leitfähige Schicht, welche dieselbe Schicht ist wie die Berührungselektrode, und ist gebildet aus mindestens einem von ITO, IZO und ITZO, die hohe Korrosionsbeständigkeit und Säurebeständigkeit haben.
  • Das zweite Datenpad DPb weist ein unteres Pad 144, das aus der ersten Verdrahtungsschicht auf dem Substrat SUB gebildet ist, und ein oberes Pad 146, das aus der vierten Verdrahtungsschicht auf der zweiten Passivierungsschicht PAS2 gebildet ist, auf. Das obere Pad 146 ist ein Teil, der mit dem Treiber-IC verbunden ist und mit dem unteren Pad 144 über ein oder mehrere Kontaktlöcher H9 verbunden ist, das (die) durch die zweite Passivierungsschicht PAS2 und die Gateisolationsschicht GI reicht (reichen).
  • Wie in 8, 9C und 9D gezeigt, weist der zweite Brückenverbinder JC2 in dem Brückengebiet JCA eine erste untere Elektrode 152, eine zweite untere Elektrode 154, die in einer anderen Schicht ausgebildet ist als die erste untere Elektrode 152, eine mittlere Elektrode 158 und eine obere Elektrode 156 auf.
  • Die erste untere Elektrode 152 des zweiten Brückenverbinders JC2 ist aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet, aus der auch das zweite untere Pad 134 des ersten Datenpads DPa, das untere Pad 144 des zweiten Datenpads DPb und die Verbindungsleitung DC gebildet sind. Dadurch ist die untere Elektrode 152 über die Verbindungsleitung DC verbunden mit dem zweiten unteren Pad 134 des ersten Datenpads DPa oder dem unteren Pad 144 des zweiten Datenpads DPb.
  • Die zweite untere Elektrode 154 des zweiten Brückenverbinders JC2 ist aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet, aus der auch die Drainelektrode des Prüftransistors Tr1 gebildet ist. Dadurch ist die zweite untere Elektrode 154 mit der Drainelektrode des Prüftransistors Tr1 verbunden. Die aktive Schicht ACT ist unter der zweiten unteren Elektrode 154 ausgebildet.
  • Das Brückengebiet JCA weist ein Loch PH3 auf (hierin auch als drittes Loch PH3 bezeichnet), das durch die Planarisierungsschicht PAC und die erste Passivierungsschicht PAS1 reicht. Die mittlere Elektrode 158 des zweiten Brückenverbinders JC2 ist aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet, welche die transparente leitfähige Schicht 102 und die metallische Schicht 104 aufweist, welche übereinander gestapelt sind, so dass sie die zweite untere Elektrode 154 der zweiten Verdrahtungsschicht, welche durch das Loch PH3 freigelegt wird, bedeckt. Dadurch dient in einem Prozess des Bildens der dritten Verdrahtungsschichtgruppe die mittlere Elektrode 158 dazu, zu verhindern, dass die zweite untere Elektrode 154 aus der zweiten Verdrahtungsschicht geätzt wird. Die mittlere Elektrode 158 ist so ausgebildet, dass sie eine größere Breite hat als das dritte Loch PH3, so dass die mittlere Elektrode 158 auf der Planarisierungsschicht PAC ausgebildet ist über eine geneigte Fläche (z.B. Seitenfläche) der Planarisierungsschicht PAC und der ersten Passivierungsschicht PAS1, welche das Loch PH3 umgeben.
  • Die obere Elektrode 156 des zweiten Brückenverbinders JC2 ist aus der vierten Verdrahtungsschicht auf der zweiten Passivierungsschicht PAS2 ausgebildet. Die vierte Verdrahtungsschicht weist eine transparente leitfähige Schicht auf, welche dieselbe ist wie die Schicht der Berührungselektrode TE, und ist aus mindestens einem von ITO, IZO und ITZO, die hohe Korrosionsbeständigkeit und Säurebeständigkeit haben, gebildet. Die obere Elektrode 156 verbindet die erste untere Elektrode 152 mit der mittleren Elektrode 158 über ein Kontaktloch H10, das durch die zweite Passivierungsschicht PAS2 und die Gateisolationsschicht GI reicht, um einen Teil der ersten unteren Elektrode 152 freizulegen, und ein Kontaktloch H11, das durch die zweite Passivierungsschicht PAS2 reicht, um einen Teil der mittleren Elektrode 158 freizulegen. Dementsprechend verbindet der zweite Brückenverbinder JC2 die Verbindungsleitung DC, die aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, mit der Drainelektrode des Prüftransistors Tr1, die aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist.
  • Unterdessen hat der erste Brückenverbinder JC1, der die Datenleitung DL (siehe 2), die aus der zweiten Verdrahtungsschicht in dem Anzeigegebiet AA gebildet ist, mit der zweiten Datenverbindung DKb, die aus der ersten Verdrahtungsschicht in dem Nichtanzeigegebiet gebildet ist, verbindet, dieselbe Struktur wie der zweite Brückenverbinder JC2, wie sie in 8 und 9C dargestellt ist. Das heißt, der erste Brückenverbinder JC1 weist die erste untere Elektrode 152, die aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit der zweiten Datenverbindung DKb verbunden wird, die zweite untere Elektrode 154, die aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit der Datenleitung verbunden wird, die mittlere Elektrode 158, die die zweite untere Elektrode 154, die durch das Loch PH3, das durch die Planarisierungsschicht PAC und die erste Passivierungsschicht PAS1 reicht, freigelegt wird, mit der dritten Verdrahtungsschicht verbindet, und die obere Elektrode 156, die aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und die erste untere Elektrode 152 mit der mittleren Elektrode 158 über Kontaktlöcher H10 und H11 verbindet, auf.
  • Unterdessen sind bzw. werden das Loch PH1, das durch die Planarisierungsschicht PAC und die erste Passivierungsschicht PAS1 reicht, um das Padgebiet bereitzustellen, und das Padgebiet PA, in dem die Berührungspads TP und Datenpads DP, die mit dem Treiber-IC verbunden sind, ausgebildet sind, in integrierter Weise (z.B. gemeinsam) ausgebildet. Dadurch umgibt die geneigte Fläche (z.B. Seitenfläche) der Planarisierungsschicht PAC und der ersten Passivierungsschicht PAS1 in dem Loch PH1 die Berührungspads TP und die Datenpads DP. Die Löcher PH2 und PH3, die durch die Planarisierungsschicht PAC und die erste Passivierungsschicht PAS1 reichen, sind bzw. werden einzeln bei den Brückenverbindern JC1, JC2 und JC3 ausgebildet. Daher umgibt die geneigte Fläche (z.B. Seitenfläche) der Planarisierungsschicht PAC und der ersten Passivierungsschicht PAS1 in den Löchern PH2 und PH3 jeden der Brückenverbinder JC1, JC2 und JC3.
  • 10 ist eine Draufsicht, die Berührungspads in einem Pad-Teil (z.B. einem Pad-Bereich) der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. 11 ist eine Draufsicht, die Datenpads in dem Pad-Teil der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Wie in 10 gezeigt, weisen die Berührungspads TP, die in dem durch das erste Loch PH1 bereitgestellten Padgebiet angeordnet sind, und die mit dem Treiber-IC verbunden sind, (jeweils) das erste untere Pad 112 und das zweite untere Pad 114 auf, die eine relativ große Fläche haben, sowie das obere Pad 116. Die Berührungspads TP sind in vertikaler Richtung (in der Figur die Richtung von oben nach unten) an verschiedenen Positionen angeordnet, so dass die Berührungspads TP in horizontaler Richtung (in der Figur die Richtung von links nach rechts) nicht zueinander benachbart sind (z.B. nicht aneinander grenzen). Dementsprechend kann der Pitch (Abstand) oder eine ausreichende Fläche (z.B. ausreichender Freiraum) zwischen den Berührungspads TP in dem (räumlich) begrenzten Padgebiet sichergestellt werden, wodurch die Zuverlässigkeit verbessert wird (da z.B. Kurzschlüsse vermieden werden können).
  • Wie in 11 gezeigt, weist das erste Datenpad DPa, das in dem durch das erste Loch PH1 bereitgestellten Padgebiet angeordnet ist, und das mit dem Treiber-IC verbunden ist, das erste untere Pad 132 und das zweite untere Pad 134 auf, die eine relativ große Fläche haben, sowie das obere Pad 136. Das zweite Datenpad DPb weist das untere Pad 144 auf, das eine relativ große Fläche hat, und das obere Pad 146. Das erste Datenpad DPa und das zweite Datenpad DPb sind in vertikaler Richtung (in der Figur die Richtung von oben nach unten) an verschiedenen Positionen angeordnet, so dass die Datenpads in horizontaler Richtung (in der Figur die Richtung von links nach rechts) nicht zueinander benachbart sind (z.B. nicht aneinander angrenzen). Dementsprechend kann der Pitch (Abstand) oder Freiraum zwischen den Datenpads DPa und DPb in dem begrenzten Padgebiet sichergestellt werden, wodurch die Zuverlässigkeit erhöht werden kann.
  • Insbesondere ist die Datenverbindung DKa der zweiten Verdrahtungsschicht mit einem Verlängerungsteil (anders ausgedrückt, Auslegerteil; noch anders ausgedrückt, ein Teil, der sich von einem zentralen Teil aus erstreckt) des aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildeten ersten unteren Pads 132, so dass es in dem Padgebiet keine zweite Verdrahtungsschicht gibt, welche die dritte Verdrahtungsschicht zur Verhinderung eines (An-)Ätzens benötigt.
  • Wenn die zweite Verdrahtungsschicht in dem Padgebiet angeordnet wäre, so wäre die Breite sowohl des ersten Datenpads DPa als auch des zweiten Datenpads DPb um die der zweiten Verdrahtungsschicht und die der dritten Verdrahtungsschicht, welche zum Abdecken der zweiten Verdrahtungsschicht dient, um zu verhindern, dass die zweite Verdrahtungsschicht geätzt wird, vergrößert. Folglich wäre der Pitch (Abstand) zwischen den Datenpads DPa und DPb unzureichend, so dass ein Kurzschluss erzeugt würde.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung gibt es jedoch keine zweite Verdrahtungsschicht in dem Padgebiet, so dass die Breite sowohl des ersten Datenpads DPa als auch des zweiten Datenpads DPb nicht vergrößert ist. Dementsprechend ist der Pitch (Abstand) zwischen den Datenpads DPa und DPb sichergestellt, so dass die Zuverlässigkeit erhöht ist im Vergleich zu der Anordnung, bei der die zweite Verdrahtungsschicht im Padgebiet vorhanden ist, wie oben beschrieben.
  • 12 ist ein Flussdiagramm, das einen Prozess zum Herstellen eines Dünnfilmtransistoranordnungsubstrats in der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Weiterhin wird 12 bei den oben beschriebenen Ausführungsformen verwendet.
  • Die aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildete erste Verdrahtungsschichtgruppe wird auf dem Substrat SUB in dem ersten Maskenprozess M1 gebildet. Die erste Verdrahtungsschichtgruppe weist eine die Gateleitung GL enthaltende Gateverdrahtung, die Gateelektrode G, das zweite untere Pad 114 des Berührungspads TP, die Berührungsverbindungsleitung TC, die zweite Datenverbindung DKb, das zweite untere Pad 134 des ersten Datenpads DPa, das untere Pad 144 des zweiten Datenpads DPb und die Datenverbindungsleitung DC auf
  • In dem zweiten Maskenprozess M2 werden die Gateisolationsschicht, die aktive Schicht ACT und die zweite Verdrahtungsschichtgruppe auf dem Substrat SUB gebildet, auf dem die erste Verdrahtungsschichtgruppe ausgebildet ist. Die zweite Verdrahtungsschichtgruppe weist die Datenverdrahtung auf, welche die Sourceelektrode S, die Drainelektrode D, die Datenleitung DL und die erste Datenverbindung DKa aufweist, und die zweite untere Elektrode 124 des Brückenverbinders JC2 und die zweite untere Elektrode 154 des Brückenverbinders JC3. Die aktive Schicht ACT und die zweite Verdrahtungsschichtgruppe werden unter Verwendung einer Halbtonmaske (engl.: half-tone mask) oder einer Beugungsmaske (engl.: diffraction mask) gebildet und werden in demselben zweiten Maskenprozess M2 gebildet. Auf diese Weise wird die aktive Schicht unter der zweiten Verdrahtungsschichtgruppe angeordnet.
  • In dem dritten Maskenprozess M3 werden die erste Passivierungsschicht PAS1 und die Planarisierungsschicht PAC so gebildet, dass sie auf der Gateisolationsschicht GI, auf der die aktive Schicht ACT und die zweite Verdrahtungsschichtgruppe ausgebildet sind, übereinandergestapelt werden. Das Kontaktloch H1, das durch die Planarisierungsschicht PAC und die erste Passivierungsschicht PAS1 reicht, um einen Teil der Drainelektrode D freizulegen, das erste Loch PH1, das das Padgebiet bereitstellt, und die Löcher PH2 und PH3, die einzeln an den Brückenverbindern JC1, JC2 und JC3 ausgebildet sind, werden bereitgestellt. Die Gateisolationsschicht GI und das Ende der ersten Datenverbindung DKa aus der zweiten Verdrahtungsschicht werden durch das Loch PH1 in dem Padgebiet freigelegt. Die Gateisolationsschicht GI und die zweite Verdrahtungsschicht werden durch die Löcher PH2 und PH3 in den Brückenverbindern JC1, JC2 und JC3 freigelegt.
  • In dem vierten Maskenprozess M4 werden auf der Planarisierungsschicht PAC die Pixelelektrode PXL, welche eine transparente leitfähige Schicht aufweist, und die aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildete dritte Verdrahtungsschichtgruppe, welche die transparente leitfähige Schicht und die metallische Schicht, die übereinandergestapelt sind, aufweist, gebildet. Die dritte Verdrahtungsschichtgruppe, welche aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist und die transparente leitfähige Schicht und die metallische Schicht aufweist, die übereinander gestapelt sind, weist die Berührungssignalleitung TL, die Berührungsverbindung TK, das erste untere Pad 112 des Berührungspads TP, das erste untere Pad 132 des ersten Datenpads DPa, und die mittleren Elektroden 128 und 158 in den Brückenverbindern JC2 und JC3 zum Verhindern des (An-)Ätzens der zweiten Verdrahtungsschicht, auf. Die Pixelelektrode PXL, welche die transparente leitfähige Schicht aufweist, und die dritte Verdrahtungsschichtgruppe, welche aus der dritten Verdrahtungsschicht gebildet ist und die transparente leitfähige Schicht und die metallische Schicht, die übereinander gestapelt sind, aufweist, werden simultan mittels desselben Prozesses unter Verwendung einer Halbtonmaske oder einer Beugungsmaske gebildet, wie oben beschrieben.
  • In dem fünften Maskenprozess M5 wird die zweite Passivierungsschicht PAS2 auf der Planarisierungsschicht PAC gebildet, auf der die Pixelelektrode PXL und die dritte Verdrahtungsschichtgruppe ausgebildet sind. Das zweite Kontaktloch H2, das durch die zweite Passivierungsschicht PAS2 reicht, um einen Teil der Berührungssignalleitung TL freizulegen, wird gebildet. Ferner werden in dem Padgebiet die Kontaktlöcher H3 und H4 der Berührungspads TP, die Kontaktlöcher H7, H8 und H9 der Datenpads DPa und DPb, und die Kontaktlöcher H5, H6, H10 und H11 der Brückenverbinder JC1, JC2 und JC3 gebildet, so dass sie durch die zweite Passivierungsschicht PAS2 oder durch die zweite Passivierungsschicht PAS2 und die Gateisolationsschicht GI reichen.
  • In dem sechsten Maskenprozess M6 wird die Verdrahtungsschichtgruppe aus der vierten Verdrahtungsschicht, welche die transparente leitfähige Schicht ist, auf der zweiten Passivierungsschicht PAS2 gebildet. Die vierte Verdrahtungsschichtgruppe weist die Berührungselektrode TE, das obere Pad 116 des Berührungspads TP, die oberen Pads 136 und 146 der Datenpads DPa und DPb, und die oberen Elektroden 126 und 156 der Brückenverbinder JC1, JC2 und JC3 auf.
  • Gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden bei der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion die Berührungssignalleitung TL aus der dritten Verdrahtungsschicht, welche die transparente leitfähige Schicht 102 und die metallische Schicht 104 aufweist, die übereinander gestapelt sind, und die Pixelelektrode PXL, welche die transparente leitfähige Schicht aufweist, in derselben Ebene (im selben Level) unter Verwendung desselben Maskenprozesses gebildet. Somit wird kein separater Maskenprozess zum Bilden der Berührungssignalleitung TL benötigt, wodurch die Produktivität erhöht wird verglichen mit einem Prozessfluss, bei dem die Berührungssignalleitung TL mit einem separaten Maskenprozess gebildet wird.
  • Weiterhin sind gemäß der dargestellten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bei der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion das erste Datenpad DPa, welches das erste untere Pad 132 aus der dritten Verdrahtungsschicht, das zweite untere Pad 134 aus der ersten Verdrahtungsschicht, und das obere Pad 136 aus der vierten Verdrahtungsschicht aufweist, und das zweite Datenpad DPb, welches das untere Pad 144 aus der ersten Verdrahtungsschicht und das obere Pad 146 aus der vierten Verdrahtungsschicht aufweist, abwechselnd in dem Padgebiet angeordnet. Die zweite Verdrahtungsschicht, die Schutz durch die dritte Verdrahtungsschicht erfordert, wird nicht benötigt, so dass ein ausreichender Pitch (Abstand) zwischen den Datenpads DPa und DPb sichergestellt ist, wodurch die Zuverlässigkeit erhöht ist.
  • Wie aus der vorangegangenen Beschreibung ersichtlich, werden gemäß der vorliegenden Erfindung bei der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform die Berührungssignalleitung aus der dritten Verdrahtungsschicht, welche eine transparente leitfähige Schicht und eine metallische Schicht aufweist, die übereinander gestapelt sind, und die Pixelelektrode, welche eine transparente leitfähige Schicht aufweist, in derselben Ebene (demselben Level) unter Verwendung desselben Maskenprozesses gebildet, so dass ein separater Maskenprozess zum Bilden der Berührungssignalleitung nicht benötigt wird, wodurch die Produktivität verbessert wird.
  • Bei der Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß der dargestellten Ausführungsform sind das erste Datenpad, welches das erste untere Pad aus der dritten Verdrahtungsschicht, das zweite untere Pad aus der ersten Verdrahtungsschicht und das obere Pad aus der vierten Verdrahtungsschicht aufweist, und das zweite Datenpad, welches das untere Pad aus der ersten Verdrahtungsschicht und das obere Pad aus der vierten Verdrahtungsschicht aufweist, in dem Padgebiet abwechselnd angeordnet, so dass die zweite Verdrahtungsschicht, welche durch die dritte Verdrahtungsschicht geschützt werden muss, in dem Padgebiet nicht benötigt wird. Somit ist sichergestellt, dass der Abstand (Pitch) zwischen den Pads ausreichend groß ist, wodurch die Zuverlässigkeit erhöht wird.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 10-2015-0183758 [0001]

Claims (20)

  1. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion, aufweisend: einen Dünnfilmtransistor (TFT) aufweisend eine Gateelektrode (G) aus einer ersten Verdrahtungsschicht, eine Gateisolationsschicht (GI), und eine aktive Schicht (ACT), welche übereinander gestapelt sind, und eine Sourceelektrode (S) und eine Drainelektrode (D) gebildet aus einer zweiten Verdrahtungsschicht auf der aktiven Schicht (ACT); eine Pixelelektrode (PXL) angeordnet auf einer ersten Passivierungsschicht (PAS1) und einer Planarisierungsschicht (PAC), die den Dünnfilmtransistor (TFT) bedecken, wobei die Pixelelektrode (PXL) über ein erstes Kontaktloch (H1), das durch die Planarisierungsschicht (PAC) und die erste Passivierungsschicht (PAS1) reicht, mit der Drainelektrode (D) verbunden ist; eine Berührungssignalleitung (TL) aufweisend eine eine untere Schicht (102) und eine obere Schicht (104) aufweisende dritte Verdrahtungsschicht (102, 104), wobei die untere Schicht (102) aus demselben Material gebildet ist wie die Pixelelektrode (PXL); eine Berührung-Gemeinsam-Elektrode (TE), die auf einer zweiten Passivierungsschicht (PAS2) angeordnet ist und die Pixelelektrode (PXL) und die Berührungssignalleitung (TL) bedeckt, wobei die Berührung-Gemeinsam-Elektrode (TE) über ein zweites Kontaktloch (H2), das durch die zweite Passivierungsschicht (PAS2) reicht, mit der Berührungssignalleitung (TL) verbunden ist, und wobei die Berührung-Gemeinsam-Elektrode (TE) aus einer vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist; eine Gateleitung (GL) und eine Datenleitung (DL), die mit dem Dünnfilmtransistor (TFT) verbunden sind; und ein erstes Datenpad (DPa), das über eine erste Datenverbindung (DKa) mit der Datenleitung (DL) verbunden ist, wobei das erste Datenpad (DPa) in einem Padgebiet (PA) angeordnet ist, das durch ein erstes Loch (PH1), welches durch die Planarisierungsschicht (PAC) und die erste Passivierungsschicht (PAS1) reicht, bereitgestellt ist, wobei das erste Datenpad (DPa) aufweist: ein erstes unteres Pad (132), das aus der dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) gebildet ist und mit der ersten Datenverbindung (DKa) verbunden ist; ein zweites unteres Pad (134), das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist; ein oberes Pad (136), das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und das erste untere Pad (132) über ein drittes Kontaktloch (H7), das durch die zweite Passivierungsschicht (PAS2) reicht, und ein viertes Kontaktloch (H8), das durch die die zweite Passivierungsschicht (PAS2) und die Gateisolationsschicht (GI) reicht, mit dem zweiten unteren Pad (134) verbindet.
  2. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß Anspruch 1, ferner aufweisend: eine zweite Datenverbindung (DKb), die aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist und über einen ersten Brückenverbinder (JC1) mit einer benachbarten Datenleitung (DL) neben der Datenleitung (DL) verbunden ist; und ein zweites Datenpad (DPb), das in dem Padgebiet (PA) angeordnet ist und mit der zweiten Datenverbindung (DKb) verbunden ist, wobei das zweite Datenpad (DPb) aufweist: ein unteres Pad (144), das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit der zweiten Datenverbindung (DKb) verbunden ist; und ein oberes Pad (146), das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit dem unteren Pad (144) über ein fünftes Kontaktloch (H9), das durch die zweite Passivierungsschicht (PAS2) und die Gateisolationsschicht (GI) reicht, verbunden ist.
  3. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß Anspruch 2, ferner aufweisend: ein Berührungspad (TP), das mit der Berührungssignalleitung (TL) über eine Berührungsverbindung (TK) verbunden ist, wobei das Berührungspad (TP) aufweist: ein erstes unteres Pad (112), das aus der dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) gebildet ist; ein zweites unteres Pad (114), das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist; und ein oberes Pad (116), das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und das erste untere Pad (112) des Berührungspads (TP) über ein sechstes Kontaktloch (H3), das durch die zweite Passivierungsschicht (PAS2) reicht, und ein siebtes Kontaktloch (H4), das durch die zweite Passivierungsschicht (PAS2) und die Gateisolationsschicht (GI) reicht, mit dem zweiten unteren Pad (114) des Berührungspads (TP) verbindet.
  4. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß Anspruch 3, ferner aufweisend: erste Prüftransistoren (Tr1), die über jeweils einen zweiten Brückenverbinder (JC2) einzeln mit dem ersten Datenpad (DPa) bzw. dem zweiten Datenpad (DPb) verbunden sind; und einen zweiten Prüftransistor (Tr2), der über einen dritten Brückenverbinder (JC3) einzeln mit dem Berührungspad (TP) verbunden ist, wobei die zweiten Brückenverbinder (JC2) und der dritte Brückenverbinder (JC3) jeweils aufweisen: eine erste untere Elektrode (122, 152), die mit dem ersten unteren Pad (132) des ersten Datenpads (DPa), dem unteren Pad (144) des zweiten Datenpads (DPb), oder dem zweiten unteren Pad (114) des Berührungspads (TP) verbunden ist über eine Verbindungsleitung (DC, TC), die aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist; eine zweite untere Elektrode (124, 154), die aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit einem der ersten Prüftransistoren (Tr1) oder dem zweiten Prüftransistor (Tr2) verbunden ist; ein zweites Loch (PH2), das durch die Planarisierungsschicht (PAC) und die erste Passivierungsschicht (PAS1) reicht, um die erste untere Elektrode (122, 152) und die zweite untere Elektrode (124, 154) freizulegen; eine mittlere Elektrode (128, 158), die aus der dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) gebildet ist und mit der zweiten unteren Elektrode (124, 154) über das zweite Loch (PH2) verbunden ist, so dass die zweite untere Elektrode (124, 154) der zweiten Verdrahtungsschicht bedeckt ist; und eine obere Elektrode (126, 156), die aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und die erste untere Elektrode (122, 152) mit der mittleren Elektrode (128, 158) verbindet über ein achtes Kontaktloch (H6), das durch die zweite Passivierungsschicht (PAS2) reicht, und ein neuntes Kontaktloch (H5), das durch die zweite Passivierungsschicht (PAS2) und die Gateisolationsschicht (GI) reicht.
  5. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß Anspruch 4, wobei der erste Brückenverbinder (JC1), der die benachbarte Datenleitung (DL) mit der zweiten Datenverbindung (DKb) verbindet, aufweist: eine erste untere Elektrode (152), die aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit der zweiten Datenverbindung (DKb) verbunden ist; eine zweite untere Elektrode (154), die aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist und mit der benachbarten Datenleitung (DL) verbunden ist; ein drittes Loch (PH3), das durch die Planarisierungsschicht (PAC) und die erste Passivierungsschicht (PAS1) reicht, um die erste untere Elektrode (152) und die zweite untere Elektrode (154) des ersten Brückenverbinders (JC1) freizulegen; eine mittlere Elektrode (158), die aus der dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) gebildet ist und mit der zweiten unteren Elektrode (154) des ersten Brückenverbinders (JC1), die aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist, verbunden ist über das dritte Loch (PH3), so dass die zweite untere Elektrode (154) bedeckt ist; und eine obere Elektrode (156), die aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und die erste untere Elektrode (152) mit der mittleren Elektrode (158) des ersten Brückenverbinders (JC1) verbindet über ein zehntes Kontaktloch (H11), das durch die zweite Passivierungsschicht (PAS2) reicht, und ein elftes Kontaktloch (H10), das durch die zweite Passivierungsschicht (PAS2) und die Gateisolationsschicht (GI) reicht.
  6. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß einem der Ansprüche 2 bis 5, wobei: die erste Datenverbindung (DKa) und die Datenleitung (DL) aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet sind; und ein Teil des ersten unteren Pads (132) des ersten Datenpads (DPa), das aus der dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) gebildet ist, ein freigelegtes Ende der ersten Datenverbindung (DKa) in dem Padgebiet bedeckt und mit der ersten Datenverbindung (DKa) verbunden ist.
  7. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß einem der Ansprüche 2 bis 6, ferner aufweisend eine Mehrzahl von ersten Datenverbindungen (DKa) und eine Mehrzahl von zweiten Datenverbindungen (DKb), wobei die Mehrzahl von ersten Datenverbindungen (DKa) und die Mehrzahl von zweiten Datenverbindungen (DKb) abwechselnd in einem Nichtanzeigebereich angeordnet sind, und wobei die zweiten Datenverbindungen (DKb) aus einer anderen Verdrahtungsschicht gebildet sind als die erste Verdrahtungsschicht der ersten Datenverbindungen (DKa).
  8. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß einem der Ansprüche 2 bis 7, wobei das erste Datenpad (DPa) und das zweite Datenpad (DPb) nicht zueinander benachbart sind.
  9. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die zweite Verdrahtungsschicht zwischen der ersten Verdrahtungsschicht und der dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) angeordnet ist, und wobei die dritte Verdrahtungsschicht (102, 104) zwischen der zweiten Verdrahtungsschicht und der vierten Verdrahtungsschicht angeordnet ist.
  10. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion, aufweisend: ein Anzeigepanel (10), das eine Mehrzahl von Datenleitungen (DL) und eine Mehrzahl von Gateleitungen (GL) aufweist, die entsprechend mit einer Mehrzahl von Dünnfilmtransistoren (TFT) verbunden sind, und eine Mehrzahl von Pixeln, wobei jedes Pixel der Mehrzahl von Pixeln eine Pixelelektrode (PXL) aufweist, die aus einer dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) gebildet ist; eine Berührung-Gemeinsam-Elektrode (TE), die aus einer vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und die Pixelelektrode (PXL) überlappt; eine Berührungssignalleitung (TL), die aus der dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) gebildet ist und mit der Berührung-Gemeinsam-Elektrode (TE) verbunden ist, wobei die Berührungssignalleitung (TL) und die Pixelelektrode (PXL) aus demselben Material gebildet sind; ein erstes Datenpad (DPa), das mit einer Datenleitung (DL) verbunden ist, und ein zweites Datenpad (DPb), das mit einer benachbarten Datenleitung (DPb) verbunden ist, wobei das erste Datenpad (DPa) und das zweite Datenpad (DPb) mindestens eine der folgenden Schichten aufweisen: eine erste Verdrahtungsschicht, die dritte Verdrahtungsschicht (102, 104), die vierte Verdrahtungsschicht; und ein Berührungspad (TP), das mit der Berührungssignalleitung (TL) verbunden ist, wobei das Berührungspad (TP) ein erstes unteres Pad (112) aufweist, das aus der dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) gebildet ist, ein zweites unteres Pad (114), das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein oberes Pad (116), das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und wobei das obere Pad (116) des Berührungspads (TP) das erste untere Pad (112) des Berührungspads (TP) mit dem zweiten unteren Pad (114) des Berührungspads (TP) verbindet.
  11. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß Anspruch 10, wobei die dritte Verdrahtungsschicht (102, 104) zwischen der ersten Verdrahtungsschicht und der vierten Verdrahtungsschicht angeordnet ist.
  12. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß Anspruch 10 oder 11, wobei das erste Datenpad (DPa) ein erstes unteres Pad (132) aufweist, das aus der dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) gebildet ist, ein zweites unteres Pad (134), das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein oberes Pad (136), das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und wobei das obere Pad (136) des ersten Datenpads (DPa) das erste untere Pad (132) des ersten Datenpads (DPa) mit dem zweiten unteren Pad (134) des ersten Datenpads (DPa) verbindet.
  13. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß Anspruch 12, wobei das erste untere Pad (132) des ersten Datenpads (DPa) mit der Datenleitung (DL) verbunden ist über eine erste Datenverbindung (DKa), die aus einer zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist.
  14. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß Anspruch 12 oder 13, wobei das obere Pad (136) des ersten Datenpads (DPa) eine Breite hat, die größer ist als eine Breite des ersten unteren Pads (132) des ersten Datenpads (DPa), und wobei die Breite des ersten unteren Pads (132) des ersten Datenpads (DPa) breiter ist als eine Breite der ersten Datenverbindung (DKa).
  15. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß einem der Ansprüche 10 bis 14, wobei das zweite Datenpad (DPb) ein unteres Pad (144) aufweist, das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein oberes Pad (146), das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist, wobei das obere Pad (146) des zweiten Datenpads (DPb) zwei Teilbereiche des unteren Pads (144) des zweiten Datenpads (DPb) miteinander verbindet, und wobei das untere Pad (144) des zweiten Datenpads (DPb) mit der benachbarten Datenleitung (DL) verbunden ist über eine zweite Datenverbindung (DKb), die aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist.
  16. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß einem der Ansprüche 10 bis 15, ferner aufweisend: eine Mehrzahl von Prüftransistoren (Tr1, Tr2), die jeweils verbunden sind mit dem Berührungspad (TP) und dem ersten und zweiten Datenpad (DPa, DPb) über entsprechende Brückenverbinder (JC1, JC2, JC3).
  17. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß Anspruch 16, wobei jeder der entsprechenden Brückenverbinder (JC1, JC2, JC3) ein Ende aufweist, das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein anderes Ende, das aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und eine obere Elektrode (126, 156), die aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und das eine Ende mit dem anderen Ende verbindet.
  18. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß Anspruch 17, wobei jeder der entsprechenden Brückenverbinder (JC1, JC2, JC3) eine mittlere Elektrode (128, 158) aufweist, die aus der dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) gebildet ist und das andere Ende, das aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist, mit der oberen Elektrode (126, 156), die aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist, verbindet.
  19. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion, aufweisend: ein Anzeigepanel, das eine Mehrzahl von Datenleitungen (DL) und eine Mehrzahl von Gateleitungen (GL), die entsprechend mit einer Mehrzahl von Dünnfilmtransistoren (TFT) verbunden sind, und eine Mehrzahl von Pixeln aufweist; eine Berührung-Gemeinsam-Elektrode (TE), die aus einer vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist eine Berührungssignalleitung (TL), die aus einer dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) gebildet ist und mit der Berührung-Gemeinsam-Elektrode (TE) verbunden ist; ein erstes Datenpad (DPa), das mit einer Datenleitung (DL) der Mehrzahl von Datenleitungen (DL) verbunden ist und ein erstes unteres Datenpad (132), das aus der dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) gebildet ist und mit der Datenleitung (DL) über eine erste Datenverbindung (DKa) verbunden ist, ein zweites unteres Datenpad (134), das aus einer ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein oberes Datenpad (136), das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und das erste untere Datenpad (132) mit dem zweiten unteren Datenpad (134) verbindet, aufweist; ein Berührungspad (TP), das mit der Berührungssignalleitung (TL) verbunden ist und ein erstes unteres Berührungspad (112), das aus der dritten Verdrahtungsschicht (102, 104) gebildet ist, ein zweites unteres Berührungspad (114), das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein oberes Berührungspad (116), das aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und das erste untere Berührungspad (112) mit dem zweiten unteren Berührungspad (114) verbindet, aufweist; und eine Mehrzahl von Prüftransistoren (Tr1, Tr2), die jeweils verbunden sind mit dem Berührungspad (TP) und dem ersten Datenpad (DPa) über entsprechende Brückenverbinder (JC1, JC2, JC3), wobei jeder der entsprechenden Brückenverbinder (JC1, JC2, JC3) ein Ende aufweist, das aus der ersten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und ein anderes Ende, das aus der zweiten Verdrahtungsschicht gebildet ist, und eine obere Elektrode (126, 156), die aus der vierten Verdrahtungsschicht gebildet ist und das eine Ende mit dem anderen Ende verbindet.
  20. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Berührungserfassfunktion gemäß Anspruch 19, wobei die zweite Verdrahtungsschicht zwischen der ersten Verdrahtungsschicht und der dritten Verdrahtungsschicht angeordnet ist, und wobei die dritte Verdrahtungsschicht (102, 104) zwischen der zweiten Verdrahtungsschicht und der vierten Verdrahtungsschicht angeordnet ist.
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