JP2019040120A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】表示領域内の金属配線の断線対策を行う。【解決手段】第1の基板100と第2の基板200の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記第1の基板には、複数の走査線11と、前記走査線と交差する複数の映像信号線12と、半導体層102と、画素電極112と、前記複数の映像信号線に跨って形成されるコモン電極109と、前記半導体層と前記画素電極を接続するためのスルーホール130と、前記コモン電極に積層して形成され、前記映像信号線に沿って配置される複数のコモン金属配線110が形成され、前記コモン電極は、前記スルーホール上で前記走査線延在方向と平行にスリットを有し、前記コモン金属配線の前記スリットとの交差位置において、前記コモン金属配線に絶縁膜を介してブリッジ配線113を有し、前記コモン金属配線と前記ブリッジ配線は、前記スリット両端の前記コモン電極上で、お互いに電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図6
Description
本発明は表示装置に係り、特にタッチパネル機能を内蔵した液晶表示装置に関する。
中小型の液晶表示装置に対する入力方法として、タッチパネル方式の液晶表示装置が増えている。タッチパネル方式は、液晶表示パネルの上にタッチパネルを搭載する方式と、タッチパネル機能を液晶表示パネル内に作りこむ、いわゆるインセルタッチパネル方式がある。
インセルタッチパネル方式は、対向基板の外側にRx電極(レシーバ電極)を形成し、TFT基板の内側にTx電極(トランスファ電極)を形成する。Tx電極はコモン電極を分割して形成する。一方、コモン電極の抵抗を小さくするために、金属で形成されたコモンメタル配線を使用する場合がある。
特許文献1及び特許文献2には、インセルタッチパネル方式の液晶表示装置において、コモン電極をTx電極として使用する場合に、コモンメタル配線の配置方法が記載されている。
液晶表示装置は、TFT(Thin Film Transistor、薄膜トランジスタ)、画素電極、コモン電極、走査線、映像信号線等が形成されたTFT基板に対向基板が対向し、TFT基板と対向基板の間に液晶層が挟持された構成である。
インセルタッチパネル方式は、対向基板の外側にRx電極(受信電極)を、例えば、走査線と同じ方向(以後横方向ともいう)に延在するように形成する。また、TFT基板の液晶層側に形成されたコモン電極を分割して、走査線と直角方向(以後縦方向ともいう)に延在するTx電極(送信電極)を形成する。Rx電極とTx電極で形成される静電容量Ctの変化を検出することによってタッチ位置を検出する。
各画素には、画素電極とTFTのソース電極を接続するためにスルーホールが形成されるが、このスルーホールは厚く形成された有機パッシベーション膜に形成されるので、径が大きくなる。このスルーホールを避けてコモン電極が形成される。したがって、縦方向にコモン電極を接続するには、スルーホールとスルーホールの間にコモン電極間を接続する接続配線を形成する必要がある。
画面が高精細になるにしたがって、画素サイズが小さくなる。一方、スルーホールが形成される有機パッシベーション膜はそれに比例して薄くすることが出来ないので、スルーホールの径は小さく出来ない。そうすると、スルーホールと隣接するスルーホールの間隔が小さくなり、コモン電極間を接続するためのスペースを十分とることが出来なくなる。
本発明の課題は、スルーホールと隣接するスルーホールの間隔が小さくなった場合であっても、コモン電極とコモン電極の間の接続配線を、加工性よく、かつ、高い信頼性を維持しつつ形成するための構成を実現することである。
本発明は上記課題を解決するものであり、主な具体的な手段は次のとおりである。
(1)第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記第1の基板には、複数の走査線と、前記走査線と交差する複数の映像信号線と、半導体層と、画素電極と、前記複数の映像信号線に跨って形成されるコモン電極と、前記半導体層と前記画素電極を接続するためのスルーホールと、前記コモン電極に積層して形成され、前記映像信号線に沿って配置される複数のコモン金属配線が形成され、前記コモン電極は、前記スルーホール上で前記走査線延在方向と平行にスリットを有し、前記コモン金属配線の前記スリットとの交差位置において、前記コモン金属配線に絶縁膜を介してブリッジ配線を有し、前記コモン金属配線と前記ブリッジ配線は、前記スリット両端の前記コモン電極上で、お互いに電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
(2)第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持され、タッチパネル機能を含む液晶表示装置であって、前記第1の基板には、複数の走査線と、前記走査線と交差する複数の映像信号線と、半導体層と、画素電極と、前記複数の映像信号線に跨って形成され、且つタッチパネル用の送信電極を兼ねるコモン電極と、前記半導体層と前記画素電極を接続するための第1のスルーホールと、前記コモン電極に積層して形成され、前記映像信号線に沿って配置される複数のコモン金属配線が形成され、前記コモン電極は、前記第1のスルーホール上で前記走査線延在方向と平行に複数の第1のスリットを有し、前記コモン金属配線の前記第1のスリットとの交差位置において、前記コモン金属配線に絶縁膜を介してブリッジ配線を有し、前記コモン金属配線と前記ブリッジ配線は、前記第1のスリット両端の前記コモン電極上で、お互いに電気的に接続されており、前記コモン電極は、前記映像信号線に沿って、複数の第2のスリットを有し、前記第2の基板の前記液晶と接する面と反対側の面には、前記タッチパネル用の受信電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
図1は本発明による液晶表示装置の例を示す分解斜視図である。図1は、表示用としての液晶表示パネルにタッチパネルの機能も持たせたものである。図1において、TFT基板100の上に対向基板200が配置し、対向基板200の外側にタッチパネル用の電極が形成されている。このタッチパネル用電極を覆って、アクリル等の透明有機材料による保護膜210が形成されている。保護膜210を覆って上偏光板220が配置されている。上偏光板220を覆ってカバーガラス240が配置されている。図1には記載してないが、TFT基板100の下側に下偏光板が配置される。
図1において、対向基板200の外側に形成されたタッチパネル用電極と接続をするために、対向基板の端部にはタッチパネル用フレキシブル配線基板50が取り付けられている。なお、図1の液晶表示パネルをタッチパネルとして機能させるために、液晶表示パネルのTFT基板100に形成されるコモン電極をパターニングしてタッチパネル用の他方の電極の機能を持たせている。
図1において、TFT基板100と対向基板200が重なった部分に表示領域10が形成されている。TFT基板100は対向基板200よりも大きく形成され、TFT基板100が対向基板200と重なっていない部分は端子部20となっており、この部分にドライバIC40が搭載されている。端子部20には、液晶表示装置に信号や電力を供給するために、メインフレキシブル配線基板が接続されるが、図1では省略されている。図1において、横方向すなわち、端子辺と直角方向をy軸、端子辺と平行方向をx軸としている。
図2は、図1の液晶表示装置における、TFT基板100と対向基板200で構成される液晶表示パネルについての斜視図である。図2におけるTFT基板100の厚さは例えば0.15mmであり、対向基板200の厚さは0.15mmである。
図2において、TFT基板100の上にシール材30によって対向基板200が接着し、TFT基板100と対向基板200の間に液晶が封入されている。シール材30によって囲まれた領域が表示領域10である。対向基板200の外側には、タッチパネル用のRx電極が形成され、TFT基板100の液晶層側には、コモン電極をパターニングすることよってタッチパネル用のTx電極が形成されている。図2において、端子辺と平行方向がx軸であり、端子辺と直角方向がy軸である。以下の図面でも同様である。
図3は、TFT基板に形成されたTx電極を示す平面図である。図3において、走査線11が横方向(x方向)に延在し、縦方向(y方向)に配列している。また、映像信号線12が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査線11と映像信号線12で囲まれた領域が画素13になっている。
透明導電膜であるITO(Indium Tin Oxide)で形成されたコモン電極109は、IPS(In Plane Switching)方式の液晶表示装置であれば、複数の画素13に跨って平面上に配置される。ただし、コモン電極109の上下の層にある画素電極とTFTのソース電極のコンタクトを行うために形成されたスルーホール130周辺は、コモン電極109には開口部が形成される。高精細化により、画素サイズが小さい場合、スルーホール130を避けるための開口部は複数の画素13に渡って連続的に設けられる。図3の例では、コモン電極109は、走査線11に沿って形成されているスルーホール130上で、横方向に、スリットが形成されている。コモン電極109は、縦方向には、スルーホール130を避けるように、映像信号線12上となる位置に、部分的にブリッジ部1091によって接続している。図3におけるブリッジ部1091では、ブリッジが形成できるよう、平面で視て、両側の画素におけるスルーホール130の中心を画素の中心からずらす等の対策が取られる場合もある。
コモン電極109は、タッチパネルのTx電極を兼ねる。本実施例においては、Tx電極はy方向に延設されるため、図3では、コモン電極109は、x方向に画素6個分の幅を持ち、縦方向に延在するTx電極を構成している。すなわち、6画素毎に映像信号線12上には、コモン電極109の非形成部分(スリット)が形成され、Tx電極とTx電極の間は、電気的に絶縁される。
尚、コモン電極109は、ITOで形成されるため、金属よりも電気抵抗が低い。特に、ITOで形成されるブリッジ部1091の部分では、抵抗が大きくなる。これを補うため、図4に示すように、コモン電極109に積層して、コモン金属配線110が形成される。コモン金属配線110は、映像信号線12上に配置され、複数の画素13に跨ってy方向に延設される。ただし、コモン電極109のy方向のスリット形成位置と、ブリッジ部1091の形成位置となる映像信号線12上は形成されない。
図4に示すように、本実施例のコモン電極109は、走査線11に沿って、スリットが形成され、そのスリットを乗り越えるように、コモン金属配線110が配置される。スリット位置には、コモン電極109の端面があるが、当然この部分でコモン電極109の厚さ分の段差が生じる。
図10は、図3−1のC−C断面に相当する断面図である。図10において、コモン電極109の厚さは100nm、コモン金属配線110の厚さは例えば100nmである。図10において、コモン金属配線110は、ITOで形成されたコモン電極109と有機絶縁膜108の両方に跨って配置される。この際、コモン電極109の端面による段差をコモン金属配線110が乗り超えるような配置となる。
製造工程において、コモン電極109が形成される際、端面がなだらかにならず、エッジが立った状態で形成されてしまう場合があり、このような時、図10に示すように、コモン金属配線110が段差の影響で断線1101を生じる場合がある。このような断線1101が発生する場合は、1か所だけではなく、同じパネル内の複数個所で同時に発生する場合が多い。断線1101が発生する状態になると、図3−1において、y方向側のコモン電極109同士の導通が取れなくなる。
製造工程において、コモン電極109が形成される際、端面がなだらかにならず、エッジが立った状態で形成されてしまう場合があり、このような時、図10に示すように、コモン金属配線110が段差の影響で断線1101を生じる場合がある。このような断線1101が発生する場合は、1か所だけではなく、同じパネル内の複数個所で同時に発生する場合が多い。断線1101が発生する状態になると、図3−1において、y方向側のコモン電極109同士の導通が取れなくなる。
本発明は、このコモン金属配線120の断線を対策するものであり、具体的には、図5で示すように、コモン電極109の走査線11に沿ったスリット形成位置において、スリットを跨ぐように、ブリッジ部113を設けるものである。
図6は、図5における枠線Aで示した画素13の平面図である。また、図11は、図5における枠線Bで示したブリッジ配線113周辺の拡大平面図である。
図6で示す画素13は、IPS方式の画素構造である。図6において、走査線11が横方向(x方向)に延在し、縦方向(y方向)に配列している。また、映像信号線12が縦方向に延在して横方向に配列している。走査線11と映像信号線12に囲まれた領域に画素電極112が形成されている。
図6で示す画素13は、IPS方式の画素構造である。図6において、走査線11が横方向(x方向)に延在し、縦方向(y方向)に配列している。また、映像信号線12が縦方向に延在して横方向に配列している。走査線11と映像信号線12に囲まれた領域に画素電極112が形成されている。
図6において、半導体層102が映像信号線12及び走査線11よりも下層に形成されている。半導体層102はポリシリコン(poly-Silicon)で形成されている。半導体層102は映像信号線12とスルーホール121で接続し、映像信号線12の下を延在して走査線11の下を通過する。この時、第1のTFTが形成される。半導体層102は屈曲して、再び走査線11の下を通過して、画素電極112側に向かう。この時、第2のTFTが形成される。なお、図2では、走査線11がゲート電極を兼ねている。
半導体層102はスルーホール122を介してソース電極107と接続する。ソース電極107はスルーホール130等を介して画素電極112と接続する。したがって、画素電極113と映像信号線12との間にTFTが2個形成されており、いわゆるダブルゲート構成となっている。
図6において、画素電極112は、後で説明する容量絶縁膜111を介して下層に平面状に形成されたコモン電極109との間に形成され、液晶層300を通過する電界によって液晶分子を回転させて、画素におけるバックライトからの光を制御する。図6では走査線11の延在方向(x方向)の画素ピッチが30μm程度の小さな画素を想定しているので、画素電極112は単一の線状であるが、画素のサイズがもっと大きい場合は、画素電極112は内側にスリットを有する複数の線状の電極となることもある。
図6においては、画素電極はy方向に延在している。液晶の初期配向を決める配向膜の配向方向は矢印ALで示されている。配向方向ALは、y方向とθだけ傾いている。電界が印加されたときに、液晶の回転方向を決めるためである。θは一般には、5度乃至15度である。なお、配向方向をy方向にしたい場合は、画素電極112の延在方向をy方向に対してθだけ傾けることになる。この時、映像信号線12もy方向に対してθだけ傾くことになる。
図6において、有機パッシベーション膜に形成されたスルーホール130の部分は画素電極112とTFTとの接続を確実にとるために、やや複雑な構成となっている。スルーホール130は、有機パッシベーション膜に形成されるが、有機パッシベーション膜は2乃至4.5μm程度と、厚く形成されるので、液晶層側の開口径も大きくなり、断面は逆台形になっている。スルーホール130のソース電極107側が小さい径のスルーホール1301で、上側が大きい径のスルーホール1302である。
図6において、ソース電極107がスルーホール122を介して半導体層102と接続している。ソース電極107は有機パッシベーション膜に形成されたスルーホール1301を介して、スルーホール130を覆って形成されたコンタクト電極150と接続する。コンタクト電極150はITOで形成され、コモン電極109と同時に形成されるが、コモン電極109とは絶縁されている。
容量絶縁膜にはスルーホール130内にスルーホール135が形成され、このスルーホール135において、コンタクト電極150と画素電極112が接続する。すなわち、画素電極112は、コンタクト電極150を介してソース電極107と接続されている。
図6において、映像信号線12の上に、有機パッシベーション膜を挟んで、コモン金属配線110が、平面で視て、重複して形成されている。コモン金属配線110は金属で形成されており、コモン電極109の電圧降下を防止する。図6において、上側の画素のコモン電極109と下側の画素のコモン電極109はコモン金属配線110およびITOで形成されたブリッジ配線113によって接続している。
図7は、図6のA−A断面図である。図7において、例えばガラスで形成されたTFT基板100の上に下地膜101が形成されている。液晶表示装置を湾曲可能とするためには、ガラス基板を0.2mm以下に薄くするか、TFT基板100をポリイミド等の樹脂で形成することが出来る。
図7は、図6のA−A断面図である。図7において、例えばガラスで形成されたTFT基板100の上に下地膜101が形成されている。液晶表示装置を湾曲可能とするためには、ガラス基板を0.2mm以下に薄くするか、TFT基板100をポリイミド等の樹脂で形成することが出来る。
下地膜101は、ガラスあるいは樹脂からの不純物が後で形成される半導体層102を汚染することを防止する役割を有する。下地膜101は一般には、窒化シリコン膜(以後SiN膜という)と酸化シリコン膜(以下SiO膜という)の積層膜で構成される。下地膜101の上に半導体層102が形成される。半導体層102は、まずCVDによってa−Siを形成し、その後、エキシマレーザを照射することによってPoly−Siに変換したものである。なお、下地膜101を構成するSiN、SiO、半導体層となるa−Siは、CVDによって連続して形成される。
半導体層102をパターニングした後、これを覆ってゲート絶縁膜103を形成する。ゲート絶縁膜103はTEOS(テトラエトキシシラン)を原料としたSiO膜である。ゲート絶縁膜103の上にゲート電極104が形成される。ゲート電極104は例えば、MoW(モリブデンタングステン)合金で形成され、MoW合金をスパッタリング等で成膜した後、パターニングして形成する。図6の構成では、走査線11がゲート電極104を兼用しており、半導体層102が走査線1の下を2回通過することによって、2個のTFTが形成されるので、図7においては、ゲート電極104が2個形成されている。なお、走査線11を低抵抗としたい場合は、AlをTi等でサンドイッチした構造が使用される。
ゲート電極104をパターニングした後、P(リン)、B(ボロン)等のイオンインプランテーションを行い、ゲート電極104で覆われた領域以外の半導体層102に導電性を付与する。これによって、半導体層102にドレイン領域1021及びソース領域1022を形成する。
その後、ゲート電極104を覆ってSiNあるいはSiO、または、SiNとSiOの積層膜によって層間絶縁膜105を形成する。層間絶縁膜105はCVDによって形成することが出来る。層間絶縁膜105およびゲート絶縁膜103にスルーホール121を形成して、半導体層102のドレイン領域1021と映像信号線12を接続する。この場合、映像信号線12がドレイン電極106となる。
一方、半導体層102のソース領域1022は層間絶縁膜105及びゲート絶縁膜103に形成されたスルーホール122を介してソース電極107と接続する。ソース電極107は層間絶縁膜105上を延在して、スルーホール130において、画素電極112と接続する。
映像信号線12とソース電極107は同じ材料で同時に形成される。映像信号線12は例えば、アルミニウム(Al)を、ベースメタルであるチタン(Ti)およびキャップメタルであるチタン(Ti)でサンドイッチした構成である。ベースメタルの厚さt1は例えば10nm、Alの厚さt2は例えば80nm、キャップメタルの厚さt3は例えば10nmである。なお、AlはAlを主成分とする合金である場合が多い。また、Tiの代わりにMoW等が使用される場合もある。Al、MoW、Ti等はスパッタリングで形成される。
映像信号線12、ソース電極107等を覆って有機パッシベーション膜108が形成されている。有機パッシベーション膜108は平坦化膜としての役割を有しているので、2乃至4.5μm程度と厚く形成される。ソース電極107と画素電極112を接続するために、有機パッシベーション膜108にスルーホール130が形成される。
図7において、ITOで形成されたコンタクト電極150がスルーホール130を覆うように形成されている。コンタクト電極150はコモン電極109と同時に形成されるが、コモン電極109とは絶縁されている。コンタクト電極150はスルーホール130の下部1301において、ソース電極107と接続している。コモン電極109と画素電極112を絶縁する容量絶縁膜111はスルーホール130内にも延在しているが、スルーホール130内において、容量絶縁膜111に形成された大きな開口部135を介して画素電極112とコンタクト電極150が接続する。画素電極112はコンタクト電極150を介してソース電極107と接続するが、容量絶縁膜111に形成された比較的大きな開口部135を介して接続するので、確実に導通をとることが出来る。
図7におけるスルーホール130の右外側において、有機パッシベーション膜108の上にコモン電極109が平面状に形成されている。コモン電極109はスルーホール130の部分からは除去されている。また、図7のスルーホール130の左外側ではコモン電極109は除去されている。その後、容量絶縁膜111をSiNで形成する。容量絶縁膜111は、画素電極113との間に蓄積容量を形成するので、容量絶縁膜と呼ばれる。 コモン電極109はITOで形成されるが、ITOは金属に比べて抵抗が大きいので、コモン電極109における電圧降下が問題になる。これを防止するために、コモン電極109と接触してコモン金属配線110が形成される。ただし、図7におけるスルーホール130よりも左側は、コモン電極109の走査線11に沿ったスリット形成位置となっているので、平面で視て、映像信号線12と重複した部分には、ITOで形成されたコモン電極109は存在せず、コモン金属配線110、及び、画素電極112と同時に形成されたITOによるブリッジ配線113が形成されている。
画素電極112や容量絶縁膜111を覆って液晶分子を初期配向させるための配向膜114が形成される。容量絶縁膜111の上に形成された画素電極112に信号電圧が印加されると、図5に示すような電気力線が発生し、液晶分子301を回転させて画素におけるバックライトからの光の透過を制御する。これによって画像を形成する。
図7において、液晶層300を挟んで、対向基板200が配置している。対向基板200の内側、すなわち、液晶層300側にはブラックマトリクス202とカラーフィルタ201が形成されている。カラーフィルタ201およびブラックマトリクス202を覆ってオーバーコート膜203が形成されている。オーバーコート膜203は、カラーフィルタ202からの顔料が液晶層を汚染することを防止する。オーバーコート膜203の上には、配向膜204が形成され、液晶分子300を初期配向させる。
図7において、対向基板200の外側、すなわち、視認者側には、タッチパネルのRx電極が形成され、Rx電極を覆って保護膜210が形成されている。Rx電極と、コモン電極109で形成されるTx電極との間に容量Ctが発生する。人間が対向基板200の表面をタッチすると、容量Ctが変化し、これによってタッチ位置を検出する。
図8は図6のB−B断面図である。図8において、TFT基板100の上に下地膜101、ゲート絶縁膜103、層間絶縁膜105が形成され、その上に映像信号線12が形成されている。映像信号線12を覆って有機パッシベーション膜108が形成され、その上にコモン電極109が形成されている。B−B断面においては、図6に示すように、y方向上側のコモン電極109とy方向下側のコモン電極109は分断され、この部分は、コモン金属配線110によって接続されている。
コモン金属配線110に異常が無ければ上側のコモン電極109と下側のコモン電極109はコモン金属配線110によって導通するが、コモン金属配線110は、コモン電極109の端面の段差を吸収できずに、断線を起こす可能性がある。これに対して、本発明では、コモン電極109およびコモン金属配線110を覆って形成される容量絶縁膜の上に、画素電極112と同時に形成されるITOによるブリッジ配線113によって、y方向上側のコモン電極109とy方向下側のコモン電極109を接続している。具体的には、容量絶縁膜111に形成したスルーホール141および142を介して、ブリッジ配線113とコモン金属配線110が接続している。これによって、上側の画素のコモン電極109と下側の画素のコモン電極109が導通不良になることを防止している。ブリッジ配線113および容量絶縁膜111を覆って配向膜114が形成されている。
液晶層300を挟んで対向基板200が配置されていることは図7で説明したのと同様である。図8は図6のB−B断面に対応するので、対向基板にはブラックマトリクス202のみが存在している。その他の対向基板200の構成は図7で説明したのと同様である。図8は2つのコモン電極を本発明による構成によって接続している状態を示すものである。
上述したように、本実施例においては、コモン金属配線110の上には容量絶縁膜111が形成されているので、容量絶縁膜111にスルーホール141および142を形成してコモン金属配線110とブリッジ配線113を接続している。このような構成によって、仮に、コモン金属配線110が断線を生じても、ITOで形成されたブリッジ配線113によってコモン電極109間の導通をとることが出来る。
容量絶縁膜111に形成するスルーホール141、142は、他の領域例えば、スルーホール130において容量絶縁膜111に形成する開口部135と同時に形成されるので、プロセス負荷が増大することは無い。また、ブリッジ配線113は画素電極112と同時に形成されるので、プロセス負荷になることは無い。
図12は図11のE−E断面図である。なお、図12のD−D断面は図8と同じである。図12において、層間絶縁膜105の上に映像信号線12が形成され、これを覆って有機パッシベーション膜108が形成されている。有機パッシベーション膜108にはスルーホールが形成されているが、図12では、スルーホール130の上端1302付近が見えている。なお、スルーホール上端1302は一般には、はっきりした境界は見えないが、図12では便宜的に記載している。
スルーホール130を覆ってコンタクト電極150が形成されている。コンタクト電極はスルーホールの130周辺まで覆うように形成している。また、スルーホール130とスルーホール130の間にコモン金属配線110が形成されている。コンタクト電極150とコモン金属配線110の間隔は、例えば、d1である。d1は2.5μm程度の小さな値であっても、コンタクト電極150とコモン金属配線110は別工程のフォトリソグラフィで形成されるので、レジストのパターニングの問題はない。
図12において、コンタクト電極150、コモン金属配線110を覆って容量絶縁膜111が形成されている。そして、容量絶縁膜111の上にコモン金属配線110と重複してITOによるブリッジ配線113が形成されている。ブリッジ配線113は図11に示すように、スルーホール141および142でコモン金属配線110と接続している。したがって、図11におけるy方向上側のコモン電極109とy方向下側のコモン電極109は確実に導通を取ることが出来る。ブリッジ配線113および容量絶縁膜111を覆って配向膜114が形成されている。
図13はブリッジ配線113の変形例を示す拡大平面図である。図13が図11と異なる点は、ブリッジ部におけるコモン金属配線110の幅とブリッジ配線113の幅が小さくなっている点である。画素サイズがさらに小さくなると、コモン金属配線110等とコンタクト電極150の間隔d1がさらに小さくなる。
間隔d1が小さい場合、本発明によれば、レジストのパターニングは問題なくなるが、マスク合わせの問題が生じてくる。また、コンタクト電極150とコモン金属配線110との電気的な絶縁を確保するために、d1は所定の値が必要である。そこで、図13では、例えば、コモン金属配線110とブリッジ配線113の幅は映像信号線12と同じ程度にまで小さくしている。これによってより高精細の画面に対応できるようになる。
コモン金属配線110の幅が小さくなると、断線による接続不良が生じやすくなるが、仮に断線が生じてもブリッジ配線113によって接続することが出来るので、コモン電極109間の導通の問題は生じない。図13におけるF−F断面は図8と同じである。
なお、図12に示すように、コンタクト電極110とブリッジ配線113は別層に形成されているので、ブリッジ配線113の幅をコモン金属配線110の幅よりも広げることが出来る。つまり、ブリッジ配線113とコンタクト電極150は容量絶縁膜111によって絶縁されているので、コンタクト電極109とブリッジ配線113が導通してしまうという問題は生じない。したがって、本発明は、より高精細な画素構成に対応することが出来る。
図11及び図13では、スルーホール141、142を介してコモンメタル配線109とブリッジ配線113が接続しているが、スルーホールを、コモンメタル配線110の上に溝状に形成してもよい。そしてこの溝状のスルーホールを覆ってブリッジ配線113を形成する構成とすることもできる。
図6等において、コンタクト電極150の中心は2本の映像信号線12の間の中心に存在しているが、レイアウトの都合上、コンタクト電極150が映像信号線の1方の側に偏心して形成される場合がある。このような場合、一方の側においてコンタクト電極150とコモンメタル配線110等との距離が小さくなるので、本発明はより効果を発揮することになる。
図9は、図5の枠線Cに相当する平面図である。左側の画素と右側の画素の境界には映像信号線12が存在している。画素には、スルーホール130が形成されているが、スルーホールを覆ってコモン電極109と同時に形成されたITOによるコンタクト電極150が形成されている。コンタクト電極150はコモン電極109と同時に形成されるが、コモン電極109とは絶縁されている。そして、コンタクト電極150は、画素電極112と同じ電位となる。
図9は、スルーホール130のy方向上側のコモン電極109とスルーホール130のy方向下側のコモン電極109がブリッジ部1091によってつながっている状態である。この状態であれば、ブリッジ部1091は、当然ながらコモン電極109と同層であるため、コモンメタル配線110のような断線は生じない。本実施例では、部分的にこのようなコモン電極109と同時に形成するブリッジ部1091も設けているため、y方向におけるコモン電極109同士の導通信頼性を向上することができる。
図14は、本発明を他の画素配置の構成に対して適用した場合のスルーホール130付近の平面図である。図14は、本発明の説明に不要な層は省略している。図15において、走査線11のy方向上側の画素を第1の画素、走査線11のy方向下側の画素を第2の画素と呼ぶ。図14が、実施例1の図3あるいは図6と異なる点は、第1の画素における映像信号線12がy軸方向からθだけ傾き、第2の画素における映像信号線12がy軸方向から−θだけ傾いている点である。
図14の配向膜の配向軸方向ALはy軸方向である。このような構成においては、電圧が画素電極112に印加された場合、液晶分子の回転が上側の第1の画素と下側の第2の画素とは逆側になる。したがって、方位角方向において、視野角を均一にすることが出来る。このような構成を疑似マルチドメイン構成とよんでいる。
このような、図14の構成においても、実施例1で説明した本発明の構成はそのまま適応することが出来る。図14において、上側の第1の画素のコモン電極109と下側の第2の画素のコモン電極109はコモンメタル配線110およびブリッジ配線113によって電気的に接続している。図14のブリッジ部の構成は、実施例1における図13と同じであるが、実施例1の図11と同じであってもよい。このように、本発明は、映像信号線12の傾き、あるいは、画素の配置構成に関わらず適用することが出来る。
実施例1および実施例2では、図6あるいは図7に示すように、画素電極112がコモン電極109よりも上層に形成された構成である。これとは逆に、IPS方式の構成として、スリットを有するコモン電極109が画素電極112よりも上層に形成される場合も存在する。このような構成であっても、コモン電極109をタッチパネルの一方の電極として使用することが可能であり、このような場合も、本発明を適用することが出来る。
また、実施例1及び実施例2は、対向基板200の表側、つまり、液晶層と対向していない側と、TFT基板100とでタッチパネルを構成する構成で説明をした。しかし、本発明は、タッチパネルが形成されていない、通常の液晶表示装置についても適用することが出来る。すなわち、画素ピッチが小さくなるにつれて、スルーホール130に形成されたコンタクト電極150とy方向上側の画素行におけるコモン電極109とy方向下側の画素行におけるコモン電極109を接続する場合、同様な問題を生ずるからである。
10…表示領域、 11…走査線、 12…映像信号線、 13…画素、 20…端子領域、 30…シール材、 40…ドライバIC、 50…タッチパネル用フレキシブル配線基板、 100…TFT基板、 101…第1下地膜、 102…半導体層、 103…ゲート絶縁膜、 104…ゲート電極、 105…層間絶縁膜、 106…ドレイン電極、 107…ソース電極、 108…有機パッシベーション膜、 109…コモン電極、 110…コモン金属配線、 111…容量絶縁膜、 112…画素電極、 113…ブリッジ配線、 114…配向膜、 121…スルーホール、 122…スルーホール、 130…スルーホール、 135…開口部、 141…スルーホール、 142…スルーホール、 150…コンタクト電極、 200…対向基板、 201…カラーフィルタ、 202…ブラックマトリクス、 203…オーバーコート膜、 204…配向膜、 210…保護膜、 220…上偏光板、 240…カバーガラス、 300…液晶層、 301…液晶分子、 1021…ドレイン領域、 1022…ソース領域、 1091…コモン電極によるブリッジ部、 1101…断線、 1301…スルーホールの小孔、 1302…スルーホールの大孔、 Ct…タッチパネル電極間容量、 Rx…タッチパネル用レシーバ電極、 Tx…タッチパネル用トランスファー電極
Claims (13)
- 第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記第1の基板には、複数の走査線と、前記走査線と交差する複数の映像信号線と、半導体層と、画素電極と、前記複数の映像信号線に跨って形成されるコモン電極と、前記半導体層と前記画素電極を接続するためのスルーホールと、前記コモン電極に積層して形成され、前記映像信号線に沿って配置される複数のコモン金属配線が形成され、
前記コモン電極は、前記スルーホール上で前記走査線延在方向と平行にスリットを有し、
前記コモン金属配線の前記スリットとの交差位置において、前記コモン金属配線に絶縁膜を介してブリッジ配線を有し、
前記コモン金属配線と前記ブリッジ配線は、前記スリット両端の前記コモン電極上で、お互いに電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記ブリッジ配線は、透明導電膜によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記ブリッジ配線は、前記画素電極と同層に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記コモン金属配線と前記ブリッジ配線は、平面で視て、前記映像信号線と重複して形成され、前記コモン金属配線の幅は前記映像信号線の幅よりも大きいことを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
- 前記コモン金属配線と前記ブリッジ配線は、平面で視て、前記映像信号線と重複して形成され、前記コモン金属配線の幅は前記映像信号線の幅と同じであることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記コモン金属配線の前記スリット上の幅は、前記コモン金属配線の前記コモン電極上の幅に対して、平面で視て、小さいことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記映像信号線は、前記スリットの一方において、第1の角度θを成して延在し、前記スリットの他方において、前記第1の角度θと逆方向である角度−θを成して延在していることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記コモン電極は前記画素電極よりも第1の基板側に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持され、タッチパネル機能を含む液晶表示装置であって、
前記第1の基板には、複数の走査線と、前記走査線と交差する複数の映像信号線と、半導体層と、画素電極と、前記複数の映像信号線に跨って形成され、且つタッチパネル用の送信電極を兼ねるコモン電極と、前記半導体層と前記画素電極を接続するための第1のスルーホールと、前記コモン電極に積層して形成され、前記映像信号線に沿って配置される複数のコモン金属配線が形成され、
前記コモン電極は、前記第1のスルーホール上で前記走査線延在方向と平行に複数の第1のスリットを有し、
前記コモン金属配線の前記第1のスリットとの交差位置において、前記コモン金属配線に絶縁膜を介してブリッジ配線を有し、
前記コモン金属配線と前記ブリッジ配線は、前記第1のスリット両端の前記コモン電極上で、お互いに電気的に接続されており、
前記コモン電極は、前記映像信号線に沿って、複数の第2のスリットを有し、
前記第2の基板の前記液晶と接する面と反対側の面には、前記タッチパネル用の受信電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記受信電極は、前記走査線の延在方向と平行に延在し、前記走査線延在方向と直角方向に配列していることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。
- 前記第2のスリットの間隔は、前記タッチパネルの前記送信電極の幅であることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。
- 前記ブリッジ配線は、透明導電膜によって形成されることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。
- 前記ブリッジ配線は、前記画素電極と同層に形成されていることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置。
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