DE102014214940A1 - Bearbeitungsvorrichtung, die einen Laserstrahlaufbringmechanismus und ein Trennmittel beinhaltet - Google Patents

Bearbeitungsvorrichtung, die einen Laserstrahlaufbringmechanismus und ein Trennmittel beinhaltet Download PDF

Info

Publication number
DE102014214940A1
DE102014214940A1 DE102014214940.1A DE102014214940A DE102014214940A1 DE 102014214940 A1 DE102014214940 A1 DE 102014214940A1 DE 102014214940 A DE102014214940 A DE 102014214940A DE 102014214940 A1 DE102014214940 A1 DE 102014214940A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
workpiece
laser beam
grinding
polishing
modified layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102014214940.1A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshio c/o DISCO CORP. Umeda
c/o DISCO CORPORATION Kobayashi Satoshi
c/o DISCO CORPORATION Yubira Yasuyoshi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of DE102014214940A1 publication Critical patent/DE102014214940A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0093Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring combined with mechanical machining or metal-working covered by other subclasses than B23K
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

Eine Bearbeitungsvorrichtung beinhaltet einen Einspanntisch mit einer Halteoberfläche zum Halten eines Werkstücks in drehbarer Weise, einen Laserstrahlaufbringmechanismus mit einer Laserstrahlerzeugungseinheit zum Erzeugen eines Laserstrahls und einer Fokussiereinheit zum Fokussieren des durch die Laserstrahlerzeugungseinheit erzeugten Laserstrahls im Inneren des an dem Einspanntisch gehaltenen Werkstücks, eine Relativbewegungseinheit zum relativen Bewegen des Einspanntischs und des Laserstrahlaufbringmechanismus in einer Richtung parallel zu der Halteoberfläche des Einspanntischs, während der Laserstrahl auf das Werkstück aufgebracht wird, um dadurch eine modifizierte Schicht innerhalb des Werkstücks auszubilden, eine Trenneinheit zum Trennen eines Teils des Werkstücks entlang der modifizierten Schicht als einer innerhalb des Werkstücks ausgebildeten Grenze und eine Schleif/Polier-Einheit mit einer Schleif/Polier-Scheibe zum Schleifen oder Polieren der nach dem Trennen des Teils an dem Werkstück verbliebenen modifizierten Schicht und mit einer Spindel zum drehbaren Anbringen der Schleif/Polier-Scheibe.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Bearbeitungsvorrichtung zum Bearbeiten eines Werkstücks, wie zum Beispiel eines Ingots, der aus einem Halbleitermaterial ausgebildet ist.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Ein in der Herstellung von Halbleiterbauelementen zu verwendender Wafer wird üblicherweise erhalten, indem ein aus einem Halbleitermaterial, wie zum Beispiel Silizium, Siliziumcarbid und Galliumnitrid, ausgebildeter Ingot mit einem Werkzeug, wie zum Beispiel einer Bandsäge und einer Drahtsäge, geschnitten wird und anschließend beide Seiten eines geschnittenen Teils des Ingots poliert werden (siehe zum Beispiel das offengelegte japanische Patent Nr. Hei 10-256203 ).
  • Es ist nicht einfach, den Ingot durch Verwendung eines Werkzeugs, wie zum Beispiel einer Bandsäge und einer Drahtsäge, dünn zu schneiden, um dadurch einen Wafer mit einer geringen Dicke zu erhalten. Um die kürzliche Anforderung einer Verringerung der Dicke des Wafers zu erfüllen, wird ein relativ dicker Wafer geschliffen, um die Dicke des Wafers zu verringern.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Jedoch wird bei diesem Verfahren ein Großteil des relativ dicken Wafers durch Schleifen entfernt. Dementsprechend ist dieses Verfahren hinsichtlich der Gesichtspunkte der Anzahl der Schritte, der Verwendungseffizienz des Halbleitermaterials etc. unwirtschaftlich. Ferner geht, falls der Ingot durch Verwendung eines Werkzeugs, wie zum Beispiel einer Bandsäge und einer Drahtsäge, geschnitten wird, zumindest ein Teil des Ingots verloren, welcher der Dicke des Werkzeugs entspricht, wodurch eine Zunahme des Verlusts bewirkt wird.
  • Es ist deshalb ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Bearbeitungsvorrichtung bereitzustellen, die ein Werkstück, wie zum Beispiel einen Ingot, ohne Verlust bearbeiten kann.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Bearbeitungsvorrichtung bereitgestellt, die beinhaltet: ein Haltemittel mit einer Halteoberfläche zum Halten eines Werkstücks in drehbarer Weise; einen Laserstrahlaufbringmechanismus mit einem Laserstrahlerzeugungsmittel zum Erzeugen eines Laserstrahls und einem Fokussiermittel zum Fokussieren des durch das Laserstrahlerzeugungsmittel erzeugten Laserstrahls im Inneren des durch das Haltemittel gehaltenen Werkstücks; ein Relativbewegungsmittel zum relativen Bewegen des Haltemittels und des Laserstrahlaufbringmechanismus in einer Richtung parallel zu der Halteoberfläche des Haltemittels, während der Laserstrahl auf das Werkstück aufgebracht wird, um dadurch eine modifizierte Schicht innerhalb des Werkstücks auszubilden; ein Trennmittel zum Trennen eines Teils des Werkstücks entlang der modifizierten Schicht als einer innerhalb des Werkstücks ausgebildeten Grenze; und ein Schleif/Polier-Mittel mit einer Schleif/Polier-Scheibe zum Schleifen oder Polieren der an dem Werkstück nach dem Trennen des Teils verbliebenen modifizierten Schicht und mit einer Spindel zum drehbaren Anbringen der Schleif/Polier-Scheibe.
  • Vorzugsweise beinhaltet die Bearbeitungsvorrichtung ferner ein Positioniermittel zum wahlweisen Anordnen des Haltemittels an einer Laserbearbeitungsposition, die dem Laserstrahlaufbringmechanismus entspricht, und einer Schleif/Polier-Position, die dem Schleif/Polier-Mittel entspricht.
  • Wie oben beschrieben wurde, beinhaltet die Bearbeitungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung das Haltemittel mit der Halteoberfläche zum Halten des Werkstücks in drehbarer Weise, den Laserstrahlaufbringmechanismus zum Aufbringen des Laserstrahls auf das Werkstück, um so die modifizierte Schicht innerhalb des Werkstücks auszubilden, das Relativbewegungsmittel zum relativen Bewegen des Haltemittels und des Laserstrahlaufbringmechanismus in der Richtung parallel zu der Halteoberfläche und das Trennmittel zum Trennen eines Teils des Werkstücks entlang der modifizierten Schicht als einer Grenze.
  • Mit diesem Aufbau kann ein Teil des Werkstücks entlang der modifizierten Schicht als einer Grenze, die durch das Aufbringen des Laserstrahls ausgebildet wird, von dem Werkstück getrennt werden. Das heißt, das Schneiden des Werkstücks durch die Verwendung einer Werkzeugs, wie zum Beispiel einer Bandsäge und einer Drahtsäge, ist bei der vorliegenden Erfindung nicht erforderlich, so dass ein Teil des Werkstücks, welcher der Dicke des Werkzeugs entspricht, nicht verloren geht.
  • Ferner kann durch Einstellen der Tiefe der innerhalb des Werkstücks auszubildenden modifizierten Schicht ein Teil des Werkstücks so getrennt werden, dass er eine geringe Dicke aufweist. Dementsprechend ist es möglich, eine schlechte Wirtschaftlichkeit dahingehend, dass ein dicker Teil des Werkstücks durch Schneiden getrennt und danach geschliffen wird, um die Dicke des getrennten Teils zu verringern, zu verhindern. Somit kann gemäß der vorliegenden Erfindung eine Bearbeitungsvorrichtung bereitgestellt werden, bei der das Werkstück, wie zum Beispiel ein Ingot, ohne Verlust bearbeitet werden kann.
  • Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise, diese zu verwirklichen, werden offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden, indem die folgende Beschreibung und die angefügten Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, studiert werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch den Aufbau einer Bearbeitungsvorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 ist eine teilweise geschnittene Seitenansicht, die schematisch einen Modifikationsschichtausbildungsschritt in einem Bearbeitungsverfahren gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform zeigt;
  • 3 ist eine teilweise geschnittene Seitenansicht, die schematisch einen Trennschnitt in dem Bearbeitungsverfahren zeigt; und
  • 4 ist eine teilweise geschnittene Seitenansicht, die schematisch einen Schleif/Polier-Schritt in dem Bearbeitungsverfahren zeigt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend im Einzelnen mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch den Aufbau einer Bearbeitungsvorrichtung 2 gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform zeigt. Wie in 1 gezeigt ist, weist die Bearbeitungsvorrichtung 2 eine Basis 4 zum Halten verschiedener Teile auf. Eine Öffnung 4a ist an der oberen Oberfläche der Basis 4 an einem vorderen Endabschnitt derselben ausgebildet. Ein Handhabungsmechanismus 6 zum Handhaben eines zu bearbeitenden Werkstücks 11 (siehe zum Beispiel 2) ist innerhalb der Öffnung 4a vorgesehen. In einem Bereich an der vorderen Seite der Öffnung 4a sind eine Kassette 8a zum Speichern des Werkstücks 11 und eine Kassette 8b zum Speichern eines von dem Werkstück 11 getrennten plattenförmigen Elements (nicht gezeigt) angeordnet.
  • Das Werkstück 11 ist ein aus einem Halbleitermaterial, wie zum Beispiel Silizium, Siliziumcarbid, und Galliumnitrid, ausgebildeter Ingot. Das Werkstück 11 weist eine massive Zylinderform und eine Größe, welche die Handhabung durch den Handhabungsmechanismus 6 oder dergleichen ermöglicht, auf. Jedoch ist der Aufbau des Werkstücks 11 nicht auf den obigen beschränkt.
  • Ein Positioniermechanismus 10 zum vorübergehenden Anordnen des Werkstücks 11 und Positionieren des Werkstücks 11 ist an der hinteren Seite der Öffnung 4a und des Bereichs, an dem die Kassette 8a angeordnet ist, angeordnet. Zum Beispiel ist der Positioniermechanismus 10 dafür ausgelegt, das durch den Handhabungsmechanismus 6 aus der Kassette 8a herausgenommene und vorübergehend in dem Positioniermechanismus 10 angeordnete Werkstück 11 zu zentrieren. Ein Lademechanismus 12 zum Laden des Werkstücks 11 unter Ansaugen ist schwenkbar neben dem Positioniermechanismus 10 vorgesehen. Der Lademechanismus 12 ist dafür ausgelegt, die vordere Seite (obere Oberfläche) 11a des durch den Positioniermechanismus 10 positionierten Werkstücks 11 unter Ansaugen zu halten und anschließend das Werkstück 11 zu einer vorgegebenen Position an der hinteren Seite des Positioniermechanismus 10 zu befördern.
  • Eine Öffnung 4b ist an der oberen Oberfläche der Basis 4 in einem Bereich an der hinteren Seite des Lademechanismus 12 ausgebildet. Innerhalb der Öffnung 4b sind ein entlang der X-Achse bewegbarer Tisch 14, ein X-Achsen-Bewegungsmechanismus (Relativbewegungsmittel, Positioniermittel) (nicht gezeigt) zum Bewegen des entlang der X-Achse bewegbaren Tischs 14 in der in 1 durch einen Pfeil X gezeigten X-Richtung (Längsrichtung) und eine wasserdichte Abdeckung 16 zum Abdecken des X-Achsen-Bewegungsmechanismus vorgesehen. Der X-Achsen-Bewegungsmechanismus beinhaltet ein Paar von parallelen X-Achsen-Führungsschienen (nicht gezeigt), die sich in der X-Richtung erstrecken, und der entlang der X-Achse bewegbare Tisch 14 ist verschiebbar an den X-Achsen-Führungsschienen gehalten. Eine Mutter (nicht gezeigt) ist an der unteren Oberfläche des entlang der X-Achse bewegbaren Tischs 14 befestigt und eine X-Achsen-Kugelgewindespindel (nicht gezeigt), die sich parallel zu den X-Achsen-Führungsschienen erstreckt, steht mit dieser Mutter in Schraubeingriff. Ein X-Achsen-Pulsmotor (nicht gezeigt) ist mit einem Ende der X-Achsen-Kugelgewindespindel verbunden. Dementsprechend wird, wenn die X-Achsen-Kugelgewindespindel durch den X-Achsen-Pulsmotor gedreht wird, der entlang der X-Achse bewegbare Tisch 14 entlang der X-Achsen-Führungsschienen in der X-Richtung bewegt.
  • Ein Einspanntisch (Haltemittel) 18 zum Halten des Werkstücks 11 unter Ansaugen ist an dem entlang der X-Achse bewegbaren Tisch 14 vorgesehen. Der Einspanntisch 18 ist mit einem Drehantriebsmechanismus (Relativbewegungsmittel) (nicht gezeigt), wie zum Beispiel einem Motor, verbunden, so dass der Einspanntisch 18 um eine vertikale Achse, die sich in der in 1 durch einen Pfeil Z gezeigten vertikalen Richtung (Z-Richtung) erstreckt, drehbar ist. Der Einspanntisch 18 ist durch den oben beschriebenen X-Achsen-Bewegungsmechanismus in der X-Richtung bewegbar, so dass er wahlweise eine vordere Position als eine Lade/Entlade-Position, in der das Werkstück 11 oder das von dem Werkstück 11 getrennte plattenförmige Element geladen oder entladen wird, eine hintere Position als eine Schleif/Polier-Position, in der das Werkstück 11 geschliffen oder poliert wird, und eine mittlere Position als eine Laserbearbeitungsposition, in der das Werkstück 11 laserbearbeitet wird, einnimmt. Die obere Oberfläche des Einspanntischs 18 wirkt als eine Halteoberfläche 18a zum Halten des Werkstücks 11 unter Ansaugen. Die Halteoberfläche 18a ist durch einen in dem Einspanntisch 18 ausgebildeten Durchlass (nicht gezeigt) mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) verbunden. Das durch den Lademechanismus 12 auf den Einspanntisch 18 geladene Werkstück 11 wird durch ein von der Vakuumquelle auf die Halteoberfläche 18a des Einspanntischs 18 aufgebrachtes Vakuum in dem Zustand unter Ansaugen gehalten, in dem die hintere Seite (untere Oberfläche) 11b des Werkstücks 11 mit der Halteoberfläche 18a in Kontakt steht.
  • Eine Haltesäule 20 ist nahe zu der oben genannten Laserbearbeitungsposition so vorgesehen, dass sie sich von der oberen Oberfläche der Basis 4 nach oben erstreckt. Ein Haltearm 22 ist an einer Seitenoberfläche der Haltesäule 20 so vorgesehen, dass er sich in Richtung auf die obere Seite der Öffnung 4b in der in 1 durch einen Pfeil Y gezeigten Y-Richtung erstreckt. Ein Laserstrahlaufbringmechanismus 24 ist an dem vorderen Ende des Haltearms 22 vorgesehen. Der Laserstrahlaufbringmechanismus 24 beinhaltet einen Laseroszillator (Laserstrahlerzeugungsmittel) (nicht gezeigt) zum Oszillieren eines Laserstrahls L (siehe 2) und eine Fokussiereinheit (Fokussiermittel) 24a (siehe 2) zum Fokussieren des durch den Laseroszillator oszillierten Laserstrahls L auf eine Position innerhalb des an dem Einspanntisch 18 gehaltenen Werkstücks 11. Nachdem das durch den Lademechanismus 12 geladene Werkstück 11 unter Ansaugen an dem an der Lade/Entlade-Position angeordneten Einspanntisch 18 gehalten wird, wird der Einspanntisch 18 zu der Laserbearbeitungsposition bewegt, um dadurch das Werkstück 11 unterhalb des Laserstrahlaufbringmechanismus 24 anzuordnen. Der Laserstrahlaufbringmechanismus 24 ist dafür ausgelegt, den Laserstrahl L mit einer vorgegebenen Wellenlänge, bei der die Energie in dem Werkstück 11 in geringem Maße absorbiert wird, zu erzeugen und anschließend diesen Laserstrahl L innerhalb des Werkstücks 11 zu fokussieren, wodurch eine modifizierte Schicht 11c (siehe 3) wegen Multiphotonenabsorption ausgebildet wird.
  • Ein Trennmechanismus (Trennmittel) 26 zum Trennen eines Teils des Werkstücks 11 nahe zu der vorderen Seite 11a nach dem Ausbilden der modifizierten Schicht 11c in dem Werkstück 11 ist an der vorderen Seite des Laserstrahlaufbringmechanismus 24 angeordnet. Der Trennmechanismus 26 beinhaltet einen Ansaugblock 28 zum Ansaugen der vorderen Seite 11a des Werkstücks 11 und einen Antriebsmechanismus 30 zum vertikalen Bewegen und Drehen des Ansaugblocks 28. Nachdem die modifizierte Schicht 11c innerhalb des Werkstücks 11 ausgebildet wurde, wird der Einspanntisch 18 zu der Lade/Entlade-Position bewegt, um dadurch das Werkstück 11 unterhalb des Ansaugblocks 28 anzuordnen. Danach wird der Ansaugblock 28 abgesenkt, um die vordere Seite 11a des Werkstücks 11 anzusaugen. Als Folge dessen wird das Werkstück 11 in zwei Teile geteilt, wobei die modifizierte Schicht 11c als eine Grenze dient, einer der zwei Teile an dem Einspanntisch 18 angebracht ist und der andere an dem Ansaugblock 28 angebracht ist. Das heißt, ein Teil (plattenförmiges Element) des Werkstücks 11 wird entlang der modifizierten Schicht 11c als einer Grenze von dem Werkstück 11 getrennt.
  • Eine Haltesäule 32 ist an der hinteren Seite des Laserstrahlaufbringmechanismus 24 so angeordnet, dass sie sich von der oberen Oberfläche der Basis 4 nach oben erstreckt. Ein entlang der Z-Achse bewegbarer Tisch 36 ist an der vorderen Oberfläche der Haltesäule 32 durch einen Z-Achsen-Bewegungsmechanismus 34 vorgesehen. Der Z-Achsen-Bewegungsmechanismus 34 beinhaltet ein Paar paralleler Z-Achsen-Führungsschienen 38, die sich in der Z-Richtung erstrecken, und der entlang der Z-Achse bewegbare Tisch 36 ist verschiebbar an den Z-Achsen-Führungsschienen 38 gehalten. Eine Mutter (nicht gezeigt) ist an der hinteren Oberfläche (Rückfläche) des entlang der Z-Achse bewegbaren Tischs 36 befestigt und eine Z-Achsen-Kugelgewindespindel 40, die sich parallel zu den Z-Achsen-Führungsschienen 38 erstreckt, steht mit dieser Mutter in Schraubeingriff. Ein Z-Achsen-Pulsmotor 42 ist mit einem Ende der Z-Achsen-Kugelgewindespindel 40 verbunden. Dementsprechend wird, wenn die Z-Achsen-Kugelgewindespindel 40 durch den Z-Achsen-Pulsmotor 42 gedreht wird, der entlang der Z-Achse bewegbare Tisch 36 entlang der Z-Achsen-Führungsschienen 38 in der Z-Richtung bewegt.
  • Ein Schleif/Polier-Mechanismus (Schleif/Polier-Mittel) 44 zum Schleifen oder Polieren des Werkstücks 11 ist an der vorderen Oberfläche des entlang der Z-Achse bewegbaren Tischs 36 vorgesehen. Der Schleif/Polier-Mechanismus 44 beinhaltet ein an dem entlang der Z-Achse bewegbaren Tisch 36 befestigtes Spindelgehäuse 46. Eine Spindel 48 (siehe 4) ist drehbar an dem Spindelgehäuse 46 gehalten. Eine Scheibenanbringung 50 ist an dem unteren Ende der Spindel 48 befestigt und eine Schleif/Polier-Scheibe 52 ist an der unteren Oberfläche der Scheibenanbringung 50 angebracht. Wie in 4 gezeigt ist, beinhaltet die Schleif/Polier-Scheibe 52 eine aus einem Metallmaterial, wie zum Beispiel Aluminium und Edelstahl, ausgebildete zylindrische Scheibenbasis 54 und mehrere Schleifelemente 56, die ringförmig an der unteren Oberfläche der Scheibenbasis 54 angeordnet sind. Nachdem ein Teil (plattenförmiges Element) des Werkstücks 11 durch den oben genannten Trennmechanismus 26 entlang der modifizierten Schicht 11c als einer Grenze von dem Werkstück 11 getrennt wurde, wird der Einspanntisch 18, der den verbliebenen Teil des Werkstücks 11 hält, zu der Schleif/Polier-Position bewegt, um dadurch das verbliebene Werkstück 11 unterhalb des Schleif/Polier-Mechanismus 44 anzuordnen. Danach werden der Einspanntisch 18 und die Schleif/Polier-Scheibe 52 gedreht und wird der Schleif/Polier-Mechanismus 44 durch den Z-Achsen-Bewegungsmechanismus 34 abgesenkt, um die Schleifelemente 56 der Schleif/Polier-Scheibe 52 mit dem Werkstück 11 in Kontakt zu bringen. Als Folge dessen wird die an dem Werkstück 11 verbliebene modifizierte Schicht 11c entfernt.
  • Ein Entlademechanismus 58 zum Entladen des von dem Werkstück 11 getrennten plattenförmigen Elements unter Ansaugen ist schwenkbar neben dem Lademechanismus 12 vorgesehen. Ferner ist ein Reinigungsmechanismus 60 zum Reinigen des durch den Entlademechanismus 58 entladenen plattenförmigen Elements nahe zu dem Entlademechanismus 58 angeordnet. Das durch den Reinigungsmechanismus 60 gereinigte plattenförmige Element wird durch den Handhabungsmechanismus 6 befördert und in der Kassette 8b gespeichert.
  • Nachfolgend wird ein Bearbeitungsverfahren für das Werkstück 11 durch die Bearbeitungsvorrichtung 2 beschrieben. Zunächst wird ein Ladeschritt in einer solchen Weise durchgeführt, dass das in der Kassette 8a gespeicherte Werkstück 11 durch Verwendung des Handhabungsmechanismus 6 und des Lademechanismus 12 auf den Einspanntisch 18 geladen wird. In diesem Ladeschritt wird das Werkstück 11 in dem Zustand auf den Einspanntisch 18 geladen, in dem die hintere Seite 11b des Werkstücks 11 mit der Halteoberfläche 18a des Einspanntischs 18 in Kontakt steht. Nachdem das Werkstück 11 wie oben beschrieben auf den Einspanntisch 18 geladen wurde, wird ein Vakuum auf die Halteoberfläche 18a aufgebracht, um dadurch das Werkstück 11 unter Ansaugen an dem Einspanntisch 18 zu halten.
  • Danach wird ein Modifikationsschichtausbildungsschritt in einer solchen Weise durchgeführt, dass der Laserstrahl L auf das Werkstück 11 aufgebracht wird, um dadurch die modifizierte Schicht 11c innerhalb des Werkstücks 11 auszubilden. 2 ist eine teilweise geschnittene Seitenansicht, die schematisch den Modifikationsschichtausbildungsschritt in dem Bearbeitungsverfahren dieser Ausführungsform zeigt. Wie in 2 gezeigt ist, wird der Einspanntisch 18 zu der Laserbearbeitungsposition nahe zu dem Laserstrahlaufbringmechanismus 24 bewegt. An dieser Laserbearbeitungsposition wird der Laserstrahl L von dem Laserstrahlaufbringmechanismus 24 in Richtung auf das Werkstück 11 aufgebracht. Der Laserstrahl L wird unter den Bearbeitungsbedingungen aufgebracht, die eine Wellenlänge und eine Leistung beinhalten, die das Werkstück 11 geeignet modifizieren können. Der Fokus L1 des Laserstrahls L ist innerhalb des Werkstücks 11 angeordnet, so dass das plattenförmige Element mit einer gewünschten Dicke von dem Werkstück 11 getrennt werden kann. Ferner wird beim Aufbringen des Laserstrahls L der Einspanntisch 18 gedreht und mit einer geringen Geschwindigkeit in der X-Richtung parallel zu der Halteoberfläche 18a bewegt. Das heißt, der Einspanntisch 18 und der Laserstrahlaufbringmechanismus 24 werden in einer Richtung (Halteoberflächenrichtung) parallel zu der Halteoberfläche 18a relativ bewegt. Als Folge dessen wird der Fokus L1 des Laserstrahls L so bewegt, dass er bei einer vorgegebenen Tiefe innerhalb des Werkstücks 11 eine Spiralkurve beschreibt. Dementsprechend wird die modifizierte Schicht 11c bei dieser vorgegebenen Tiefe innerhalb des Werkstücks 11 parallel zu der Halteoberfläche 18a ausgebildet. Die Drehgeschwindigkeit und die Zuführgeschwindigkeit des Einspanntischs 18 werden so eingestellt, dass die modifizierte Schicht 11c für die Trennung des plattenförmigen Elements von dem Werkstück 11 geeignet ist.
  • Nachdem der Modifikationsschichtausbildungsschritt durchgeführt wurde, wird ein Trennschritt in einer solchen Weise durchgeführt, dass das plattenförmige Element entlang der modifizierten Schicht 11c als einer Grenze von dem Werkstück 11 getrennt wird. 3 ist eine teilweise geschnittene Seitenansicht, die schematisch den Trennschritt zeigt. In diesem Trennschritt wird der Einspanntisch 18 zunächst zu der Lade/Entlade-Position nahe zu dem Trennmechanismus 26 bewegt. Danach wird der Ansaugblock 28 durch den Antriebsmechanismus 30 abgesenkt, um die untere Oberfläche (Ansaugoberfläche) des Ansaugblocks 28 mit der vorderen Seite 11a des Werkstücks 11 in Kontakt zu bringen. In diesem Zustand wird das Werkstück 11 durch den Ansaugblock 28 angesaugt. Dementsprechend wird eine Spannung auf die modifizierte Schicht 11c aufgebracht, um dadurch einen Teil (plattenförmiges Element) des Werkstücks 11 entlang der modifizierten Schicht 11c nahe zu der vorderen Seite 11a des Werkstücks 11 zu trennen.
  • Nachdem der Trennschritt wie oben beschrieben durchgeführt wurde, wird ein Entladeschritt in einer solchen Weise durchgeführt, dass das von dem Werkstück 11 getrennte und durch den Trennmechanismus 26 gehaltente plattenförmige Element durch den Entlademechanismus 58 entladen wird. Zur gleichen Zeit wird ein Schleif/Polier-Schritt in einer solchen Weise durchgeführt, dass das an dem Einspanntisch 18 gehaltene verbliebene Werkstück 11 durch den Schleif/Polier-Mechanismus 44 geschliffen oder poliert wird. 4 ist eine teilweise geschnittene Seitenansicht, die schematisch den Schleif/Polier-Schritt zeigt. In dem Entladeschritt wird der Ansaugblock 28 angehoben und um 180 Grad um eine horizontale Achse, die sich in der Y-Richtung erstreckt, gedreht. Als Folge dessen ist das von dem Werkstück 11 getrennte und durch den Ansaugblock 28 gehaltene plattenförmige Element nach oben gerichtet, so dass das plattenförmige Element durch den Entlademechanismus 58 unter Ansaugen gehalten werden kann. Danach wird das plattenförmige Element durch den Entlademechanismus 58 unter Ansaugen gehalten und zu dem Reinigungsmechanismus 60 entladen. Das durch den Reinigungsmechanismus 60 gereinigte plattenförmige Element wird durch den Handhabungsmechanismus 6 befördert und in der Kassette 8b gespeichert.
  • Andererseits wird der Schleif/Polier-Schritt in der folgenden Weise durchgeführt. Zunächst wird der Einspanntisch 18, der das verbliebene Werkstück 11 hält, zu der Schleif/Polier-Position bewegt, um dadurch das Werkstück 11 unterhalb des Schleif/Polier-Mechanismus 44 anzuordnen. Danach werden der Einspanntisch 18 und die Schleif/Polier-Scheibe 52 gedreht und wird der Schleif/Polier-Mechanismus 44 durch den Z-Achsen-Bewegungsmechanismus 34 abgesenkt, um die Schleifelemente 56 der Schleif/Polier-Scheibe 52 mit dem Werkstück 11 in Kontakt zu bringen. Dementsprechend wird das Werkstück 11 geschliffen oder poliert, um dadurch die an der oberen Oberfläche des Werkstücks 11 verbliebene modifizierte Schicht 11c zu entfernen. Nachdem dieser Schleif/Polier-Schritt beendet wurde, werden der Modifikationsschichtausbildungsschritt, der Trennschritt und der Schleif/Polier-Schritt wiederholt durchgeführt, um durchgehend das Werkstück 11 zu bearbeiten.
  • Wie oben beschrieben wurde, beinhaltet die Bearbeitungsvorrichtung 2 gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform den Einspanntisch (Haltemittel) 18 mit der Halteoberfläche 18a zum Halten des Werkstücks 11 in drehbarer Weise, den Laserstrahlaufbringmechanismus 24 zum Aufbringen des Laserstrahls L auf das Werkstück 11, um so die modifizierte Schicht 11c innerhalb des Werkstück 11 auszubilden, den X-Achsen-Bewegungsmechanismus und den Drehantriebsmechanismus (Relativbewegungsmittel) zum relativen Bewegen des Einspanntischs 18 und des Laserstrahlaufbringmechanismus 24 in der Richtung parallel zu der Halteoberfläche 18a und den Trennmechanismus (Trennmittel) 26 zum Trennen eines Teils des Werkstücks 11 entlang der modifizierten Schicht 11c als einer Grenze.
  • Mit diesem Aufbau kann ein Teil des Werkstücks 11 entlang der modifizierten Schicht 11c als einer Grenze, die durch das Aufbringen des Laserstrahls L ausgebildet wurde, von dem Werkstück 11 getrennt werden. Das heißt, das Schneiden des Werkstücks 11 durch Verwendung eines Werkzeugs, wie zum Beispiel einer Bandsäge und einer Drahtsäge, ist bei dieser bevorzugten Ausführungsform nicht erforderlich, so dass ein Teil des Werkstücks 11, welcher der Dicke des Werkzeugs entspricht, nicht verloren geht.
  • Ferner kann durch Einstellen der Tiefe der innerhalb des Werkstücks 11 auszubildenden modifizierten Schicht 11c ein Teil des Werkstücks 11 so getrennt werden, dass er eine geringe Dicke aufweist. Dementsprechend ist es möglich, eine schlechte Wirtschaftlichkeit dahingehend, dass ein dicker Teil des Werkstücks 11 durch Schneiden getrennt und danach geschliffen wird, um die Dicke des getrennten Teils zu verringern, zu verhindern. Somit kann gemäß der Bearbeitungsvorrichtung 2 das Werkstück 11, wie zum Beispiel ein Ingot, ohne Verlust bearbeitet werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obige bevorzugte Ausführungsform beschränkt, sondern verschiedene Abwandlungen können vorgenommen werden. Zum Beispiel kann, obwohl bei der obigen bevorzugten Ausführungsform ein aus einem Halbleitermaterial ausgebildeter Ingot als das Werkstück 11 verwendet wird, die Bearbeitungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung auch verwendet werden, um einen Wafer oder dergleichen mit einer üblichen Dicke dünner zu machen. Das heißt, ein Wafer oder dergleichen kann als das Werkstück 11 verwendet werden.
  • Ferner kann die Bearbeitungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung auch verwendet werden, um einen Wafer dünner zu machen, der an der vorderen Seite ausgebildete Bauelemente aufweist. In diesem Fall kann das oben beschriebene Bearbeitungsverfahren anstelle des Rückseitenschleifens des Wafers durchgeführt werden.
  • Ferner kann, obwohl bei der obigen bevorzugten Ausführungsform der Laserstrahl L ein Strahl mit einzelnem Fleck ist, der Laserstrahl L ein Strahl mit mehreren Flecken sein. Zum Beispiel kann ein Laserstrahl L auf das Werkstück 11 aufgebracht werden, der durch Verwendung eines wie in dem offengelegten japanischen Patent Nr. 2011-79044 offenbarten Verfahrens geformt ist. Durch Verwendung eines Strahls mit mehreren Flecken als der Laserstrahl L kann die modifizierte Schicht 11c in einer kurzen Zeit ausgebildet werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Abwandlungen, die innerhalb der Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche liegen, werden deshalb durch die Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 10-256203 [0002]
    • JP 2011-79044 [0036]

Claims (2)

  1. Bearbeitungsvorrichtung, die umfasst: ein Haltemittel mit einer Halteoberfläche zum Halten eines Werkstücks in drehbarer Weise; einen Laserstrahlaufbringmechanismus mit einem Laserstrahlerzeugungsmittel zum Erzeugen eines Laserstrahls und einem Fokussiermittel zum Fokussieren des durch das Laserstrahlerzeugungsmittel erzeugten Laserstrahls im Inneren des durch das Haltemittel gehaltenen Werkstücks; ein Relativbewegungsmittel zum relativen Bewegen des Haltemittels und des Laserstrahlaufbringmechanismus in einer Richtung parallel zu der Halteoberfläche des Haltemittels, während der Laserstrahl auf das Werkstück aufgebracht wird, um dadurch eine modifizierte Schicht innerhalb des Werkstücks auszubilden; ein Trennmittel zum Trennen eines Teils des Werkstücks entlang der modifizierten Schicht als einer innerhalb des Werkstücks ausgebildeten Grenze; und ein Schleif/Polier-Mittel mit einer Schleif/Polier-Scheibe zum Schleifen oder Polieren der an dem Werkstück nach dem Trennen des Teils verbliebenen modifizierten Schicht und mit einer Spindel zum drehbaren Anbringen der Schleif/Polier-Scheibe.
  2. Bearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, die ferner umfasst: ein Positioniermittel zum wahlweisen Anordnen des Haltemittels an einer Laserbearbeitungsposition, die dem Laserstrahlaufbringmechanismus entspricht, und einer Schleif/Polier-Position, die dem Schleif/Polier-Mittel entspricht.
DE102014214940.1A 2013-08-01 2014-07-30 Bearbeitungsvorrichtung, die einen Laserstrahlaufbringmechanismus und ein Trennmittel beinhaltet Pending DE102014214940A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-160420 2013-08-01
JP2013160420A JP6341639B2 (ja) 2013-08-01 2013-08-01 加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102014214940A1 true DE102014214940A1 (de) 2015-02-05

Family

ID=52342151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014214940.1A Pending DE102014214940A1 (de) 2013-08-01 2014-07-30 Bearbeitungsvorrichtung, die einen Laserstrahlaufbringmechanismus und ein Trennmittel beinhaltet

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9649723B2 (de)
JP (1) JP6341639B2 (de)
CN (1) CN104339087A (de)
DE (1) DE102014214940A1 (de)
TW (1) TWI626106B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10978311B2 (en) 2016-12-12 2021-04-13 Siltectra Gmbh Method for thinning solid body layers provided with components
US11130200B2 (en) 2016-03-22 2021-09-28 Siltectra Gmbh Combined laser treatment of a solid body to be split
DE102018208190B4 (de) 2017-06-08 2023-11-30 Disco Corporation Waferherstellungsvorrichtung

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9847457B2 (en) 2013-07-29 2017-12-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode, method of fabricating the same and LED module having the same
JP6395632B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395633B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6429715B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6425606B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472333B2 (ja) 2015-06-02 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
DE102015110264A1 (de) * 2015-06-25 2016-12-29 Cl Schutzrechtsverwaltungs Gmbh Vorrichtung zur generativen Herstellung wenigstens eines dreidimensionalen Objekts
JP6482425B2 (ja) * 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6472347B2 (ja) 2015-07-21 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
US9881896B2 (en) 2015-12-17 2018-01-30 International Business Machines Corporation Advanced chip to wafer stacking
JP6654435B2 (ja) * 2016-01-07 2020-02-26 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
WO2017126098A1 (ja) * 2016-01-22 2017-07-27 リンテック株式会社 板状部材の分割装置および板状部材の分割方法
JP6690983B2 (ja) 2016-04-11 2020-04-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び実第2のオリエンテーションフラット検出方法
JP6775880B2 (ja) * 2016-09-21 2020-10-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2018093046A (ja) * 2016-12-02 2018-06-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
US9925604B1 (en) * 2016-12-07 2018-03-27 Design Ready Controls, Inc. Automated DIN rail shear system
JP2018094596A (ja) * 2016-12-13 2018-06-21 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN108213745B (zh) * 2016-12-16 2020-01-24 上海新昇半导体科技有限公司 SiC晶体切片移动设备及移动方法
JP6858587B2 (ja) 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6976745B2 (ja) * 2017-06-30 2021-12-08 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP2019033134A (ja) * 2017-08-04 2019-02-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
CN111052316A (zh) * 2017-09-04 2020-04-21 琳得科株式会社 薄型化板状部件的制造方法以及制造装置
JP6946153B2 (ja) * 2017-11-16 2021-10-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハ生成装置
JP7009194B2 (ja) * 2017-12-12 2022-01-25 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置および搬送トレー
US10940611B2 (en) 2018-07-26 2021-03-09 Halo Industries, Inc. Incident radiation induced subsurface damage for controlled crack propagation in material cleavage
JP7164396B2 (ja) * 2018-10-29 2022-11-01 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP7291470B2 (ja) * 2018-11-02 2023-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7216613B2 (ja) * 2019-05-16 2023-02-01 株式会社ディスコ 加工装置
TW202116468A (zh) * 2019-07-18 2021-05-01 日商東京威力科創股份有限公司 處理裝置及處理方法
CN112440190B (zh) * 2019-09-04 2022-04-08 新颖机械工业股份有限公司 具多组研磨机构的磨床加工设备
JP7398242B2 (ja) * 2019-10-28 2023-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
CN112338669B (zh) * 2020-10-29 2021-08-13 邵阳学院 一种用于高端装备制造的钢块分割抛光设备
CN113579890B (zh) * 2021-08-04 2022-10-04 成都天码行空机器人研究有限公司 一种多模益智产品去毛刺设备及其使用方法
CN113714659B (zh) * 2021-08-31 2023-10-24 东莞光韵达光电科技有限公司 一种用于smt模板的飞秒激光切割装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10256203A (ja) 1997-03-11 1998-09-25 Super Silicon Kenkyusho:Kk 鏡面仕上げされた薄板状ウェーハの製造方法
JP2011079044A (ja) 2009-10-09 2011-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH635769A5 (fr) * 1980-03-10 1983-04-29 Far Fab Assortiments Reunies Installation pour le sciage de plaques et dispositif de manutention pour une telle installation.
DE4134110A1 (de) * 1991-10-15 1993-04-22 Wacker Chemitronic Verfahren zum rotationssaegen sproedharter werkstoffe, insbesondere solcher mit durchmessern ueber 200 mm in duenne scheiben vermittels innenlochsaege und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
JP2898827B2 (ja) * 1992-08-28 1999-06-02 信越化学工業株式会社 基板の切り出しおよび面取り方法と装置
JP2967251B2 (ja) * 1993-05-20 1999-10-25 セイコー精機株式会社 複合加工機
US5679060A (en) * 1994-07-14 1997-10-21 Silicon Technology Corporation Wafer grinding machine
JPH08148451A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体ウェーハ自動剥し装置
US5830045A (en) * 1995-08-21 1998-11-03 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP3231659B2 (ja) * 1997-04-28 2001-11-26 日本電気株式会社 自動研磨装置
US6036582A (en) * 1997-06-06 2000-03-14 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP2005028550A (ja) * 2003-07-11 2005-02-03 Disco Abrasive Syst Ltd 結晶方位を有するウエーハの研磨方法
JP2005277136A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Sharp Corp 基板製造方法および基板製造装置
JP4790322B2 (ja) * 2005-06-10 2011-10-12 株式会社ディスコ 加工装置および加工方法
JP2010021398A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの処理方法
JP5619559B2 (ja) * 2010-10-12 2014-11-05 株式会社ディスコ 加工装置
JP5917862B2 (ja) * 2011-08-30 2016-05-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10256203A (ja) 1997-03-11 1998-09-25 Super Silicon Kenkyusho:Kk 鏡面仕上げされた薄板状ウェーハの製造方法
JP2011079044A (ja) 2009-10-09 2011-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11130200B2 (en) 2016-03-22 2021-09-28 Siltectra Gmbh Combined laser treatment of a solid body to be split
EP3433048B1 (de) * 2016-03-22 2022-10-19 Siltectra GmbH Kombinierte laserbehandlung eines zu splittenden festkörpers
EP4166270A1 (de) * 2016-03-22 2023-04-19 Siltectra GmbH Verfahren zum abtrennen durch laserbestrahlung einer festkörperschicht von einem festkörper
US10978311B2 (en) 2016-12-12 2021-04-13 Siltectra Gmbh Method for thinning solid body layers provided with components
DE102018208190B4 (de) 2017-06-08 2023-11-30 Disco Corporation Waferherstellungsvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015030005A (ja) 2015-02-16
TW201515752A (zh) 2015-05-01
US20150038062A1 (en) 2015-02-05
TWI626106B (zh) 2018-06-11
JP6341639B2 (ja) 2018-06-13
CN104339087A (zh) 2015-02-11
US9649723B2 (en) 2017-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014214940A1 (de) Bearbeitungsvorrichtung, die einen Laserstrahlaufbringmechanismus und ein Trennmittel beinhaltet
DE102018201298B4 (de) SiC-Waferherstellungsverfahren
DE102009030454B4 (de) Waferbehandlungsverfahren
DE102018208190B4 (de) Waferherstellungsvorrichtung
DE102004025707B4 (de) Verfahren zum Teilen eines nicht-metallischen Substrats
DE102018210110A1 (de) Waferherstellungsvorrichtung
DE60213710T2 (de) Waferplanarisierungsvorrichtung
DE112004000768B4 (de) Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Elements
DE102017217793A1 (de) Einspannung zum Fixieren eines Rahmens
DE102015208893A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102018221394A1 (de) Waferherstellungsvorrichtung und Transportablage
DE60103701T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum schleifen von Halbleiterscheiben
DE102018205905A1 (de) SiC-Waferherstellungsverfahren
DE102012218212A1 (de) Verfahren für Trägerfilm
DE112006002502T5 (de) Laserdicingvorrichtung und Laserdicingverfahren
DE102018219424A1 (de) Waferherstellungsverfahren und waferherstellungsvorrichtung
DE112007000520T5 (de) Halbleiterscheibenbearbeitungsverfahren
DE102016224033B4 (de) Bearbeitungsverfahren für einen Wafer
DE102021207672A1 (de) Si-substratherstellungsverfahren
DE102019218374A1 (de) Bearbeitungsverfahren für einen wafer
DE102017205104A1 (de) Werkstückevaluierungsverfahren
DE102010039798B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102010008975A1 (de) Werkstückbearbeitungsverfahren und -vorrichtung
DE102017219344A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102022203118A1 (de) Bearbeitungsverfahren für ein werkstück

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0021302000

Ipc: H01L0021304000

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0021304000

Ipc: B28D0005000000