JP2898827B2 - 基板の切り出しおよび面取り方法と装置 - Google Patents
基板の切り出しおよび面取り方法と装置Info
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- JP2898827B2 JP2898827B2 JP4253778A JP25377892A JP2898827B2 JP 2898827 B2 JP2898827 B2 JP 2898827B2 JP 4253778 A JP4253778 A JP 4253778A JP 25377892 A JP25377892 A JP 25377892A JP 2898827 B2 JP2898827 B2 JP 2898827B2
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク用基板の
ような磁気記録媒体基板（以下、基板と略称する）の切
り出しおよび面取り方法と装置に関する。
ような磁気記録媒体基板（以下、基板と略称する）の切
り出しおよび面取り方法と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報社会の進展にともない、大容量の磁
気記録媒体が必要とされ、特にコンピュータの外部メモ
リとして中心的な役割をはたしている磁気ディスクは年
々記録容量、記録密度ともに増加しているが、更に高密
度な記録を行なうための開発が進められている。特に、
ノート型パソコンやパームトップパソコンの開発によ
り、小型で衝撃に強い記録装置が望まれ、そのために、
より高密度記録ができ、機械強度の強い磁気記録媒体が
望まれている。
気記録媒体が必要とされ、特にコンピュータの外部メモ
リとして中心的な役割をはたしている磁気ディスクは年
々記録容量、記録密度ともに増加しているが、更に高密
度な記録を行なうための開発が進められている。特に、
ノート型パソコンやパームトップパソコンの開発によ
り、小型で衝撃に強い記録装置が望まれ、そのために、
より高密度記録ができ、機械強度の強い磁気記録媒体が
望まれている。
【０００３】この磁気記録媒体である磁気ディスク用の
基板としてはアルミニウム合金およびその表面にＮｉＰ
メッキ処理をしたものや、ガラス基板が従来より採用さ
れている。しかしながら、アルミニウム合金の基板は耐
摩耗性，加工性が悪く、この欠点を補うためにＮｉＰメ
ッキ処理を施すが、このＮｉＰメッキ処理を施したもの
では反りが生じ易く、かつ高温処理時に磁性を帯びる等
の欠点を有する。また、ガラス基板は強化処理時に表面
にひずみ層が発生し、圧縮応力が作用し、基板加熱時に
反りが生じ易いという問題点がある。
基板としてはアルミニウム合金およびその表面にＮｉＰ
メッキ処理をしたものや、ガラス基板が従来より採用さ
れている。しかしながら、アルミニウム合金の基板は耐
摩耗性，加工性が悪く、この欠点を補うためにＮｉＰメ
ッキ処理を施すが、このＮｉＰメッキ処理を施したもの
では反りが生じ易く、かつ高温処理時に磁性を帯びる等
の欠点を有する。また、ガラス基板は強化処理時に表面
にひずみ層が発生し、圧縮応力が作用し、基板加熱時に
反りが生じ易いという問題点がある。
【０００４】一方、単結晶シリコンは高温特性がよく、
熱膨脹率が小さく、アルミニウムより比重が小さくて導
電性を有する等の多くの長所があるため、基板材として
最適のものである。
熱膨脹率が小さく、アルミニウムより比重が小さくて導
電性を有する等の多くの長所があるため、基板材として
最適のものである。
【０００５】図７は基板の製造方法の概要を示すもので
ある。図に示すように、基板５６ａは直径ｄ1 で中心に
回転軸を挿入しクランプするための中心孔５４ａを有す
る薄肉の円板からなる。この基板５６ａの製造方法とし
ては、まず、直径ｄ1 の単結晶シリコン棒５０を作る。
次に、中心孔５４ａに相当する貫通孔５１を穿孔する孔
開け加工が行われる。貫通孔５１を穿孔した単結晶シリ
コン棒５０は所定の厚みにスライス加工される。スライ
ス加工されたドーナツ状の円板５３ａは中心孔５４ａお
よび外周の縁部を砥石（図略）等により面取り加工され
た後、その表裏面のラップおよび仕上げ研磨が行われ
る。最後に研磨剤等を除去すべく洗浄することにより基
板５６ａが完成する。
ある。図に示すように、基板５６ａは直径ｄ1 で中心に
回転軸を挿入しクランプするための中心孔５４ａを有す
る薄肉の円板からなる。この基板５６ａの製造方法とし
ては、まず、直径ｄ1 の単結晶シリコン棒５０を作る。
次に、中心孔５４ａに相当する貫通孔５１を穿孔する孔
開け加工が行われる。貫通孔５１を穿孔した単結晶シリ
コン棒５０は所定の厚みにスライス加工される。スライ
ス加工されたドーナツ状の円板５３ａは中心孔５４ａお
よび外周の縁部を砥石（図略）等により面取り加工され
た後、その表裏面のラップおよび仕上げ研磨が行われ
る。最後に研磨剤等を除去すべく洗浄することにより基
板５６ａが完成する。
【０００６】ところが、上記の方法では、小口径の基板
単位で仕上げ加工等が行われるため、生産性が悪く、ま
た生産性を上げるためにスライス速度を上げると、反り
が大きくなるという問題がある。一方、中心孔５４ａと
外周とは同心円板に形成されることが必要である。すな
わち、基板５６ａは中心孔５４ａに回転軸を挿入して回
転されるが、中心孔５４ａと外周とに偏心があると重心
の偏りが生じ、基板５６ａの回転が不安定になる。
単位で仕上げ加工等が行われるため、生産性が悪く、ま
た生産性を上げるためにスライス速度を上げると、反り
が大きくなるという問題がある。一方、中心孔５４ａと
外周とは同心円板に形成されることが必要である。すな
わち、基板５６ａは中心孔５４ａに回転軸を挿入して回
転されるが、中心孔５４ａと外周とに偏心があると重心
の偏りが生じ、基板５６ａの回転が不安定になる。
【０００７】また、記録容量を増やすために磁気ディス
クのなるべく外周まで記録を行いたいが、基板内周と外
周の同心度が悪いと基板の内周と外周の距離が最も短い
ところで律則になり、それ以上外側を利用することがで
きなくなる。しかしながら、図７に示した従来の製造方
法では、単結晶シリコン棒５０の状態で中心孔５４ａが
穿孔されるために孔曲りを生じ易く、かつ孔加工時の切
削抵抗も不均一となり、高精度の同心度を保持すること
が困難になる。
クのなるべく外周まで記録を行いたいが、基板内周と外
周の同心度が悪いと基板の内周と外周の距離が最も短い
ところで律則になり、それ以上外側を利用することがで
きなくなる。しかしながら、図７に示した従来の製造方
法では、単結晶シリコン棒５０の状態で中心孔５４ａが
穿孔されるために孔曲りを生じ易く、かつ孔加工時の切
削抵抗も不均一となり、高精度の同心度を保持すること
が困難になる。
【０００８】これを解決するために、本発明者らは大口
径のウェーハから小口径の基板を切り出す方法を検討し
た。その際、切り出された基板の中心孔および外周の欠
けを防止するため、それらの縁部を面取り砥石等により
別工程で面取り加工することを試みた。しかし切り出し
された基板の面取りを別の面取り加工機等により行う
と、面取り加工機の面取り砥石と切り出しされた基板と
の中心位置合わせが必要となり、場合により削り代を多
くしなければならず、加工の効率が悪いという問題点が
あった。更に、切り出しと面取り加工が別々に行われる
ため生産効率が悪く、多くの搬出入時間と人手が必要で
あった。また、偏心量の大きい基板の修正等にも多大の
手直し工数を必要とする問題点があった。
径のウェーハから小口径の基板を切り出す方法を検討し
た。その際、切り出された基板の中心孔および外周の欠
けを防止するため、それらの縁部を面取り砥石等により
別工程で面取り加工することを試みた。しかし切り出し
された基板の面取りを別の面取り加工機等により行う
と、面取り加工機の面取り砥石と切り出しされた基板と
の中心位置合わせが必要となり、場合により削り代を多
くしなければならず、加工の効率が悪いという問題点が
あった。更に、切り出しと面取り加工が別々に行われる
ため生産効率が悪く、多くの搬出入時間と人手が必要で
あった。また、偏心量の大きい基板の修正等にも多大の
手直し工数を必要とする問題点があった。
【０００９】本発明は、以上の問題点を解決するもの
で、大口径のウェーハから小口径の基板を高精度に切り
出しし得ると共に、偏心も少なく、工程間の搬出入ロス
が少なく、生産性を向上し得る基板の切り出しおよび面
取り方法と装置を提供することを目的とする。
で、大口径のウェーハから小口径の基板を高精度に切り
出しし得ると共に、偏心も少なく、工程間の搬出入ロス
が少なく、生産性を向上し得る基板の切り出しおよび面
取り方法と装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は以上の目的を達
成するために、大口径のウェーハから中心孔を有する小
口径の基板を切り出しすると共に、中心孔および外周の
縁部を面取り加工する方法であって、前記ウェーハを切
り出し位置で吸着し、前記ウェーハから切り出される基
板の中心まわりに、前記ウェーハを回転すると共に、前
記レーザ光の照射点を基板の前記中心孔の縁部およびそ
の外周に位置決めして、ドーナツ状の基板を切り出した
後、該基板を吸着したままの状態で面取り加工位置に移
動して、前記中心孔および外周の縁部を面取り加工し、
同時に基板を切り出したウェーハ、又は新規のウェーハ
を基板の切り出し位置に位置決めして、レーザ光による
切り出しを行うことを特徴とする。
成するために、大口径のウェーハから中心孔を有する小
口径の基板を切り出しすると共に、中心孔および外周の
縁部を面取り加工する方法であって、前記ウェーハを切
り出し位置で吸着し、前記ウェーハから切り出される基
板の中心まわりに、前記ウェーハを回転すると共に、前
記レーザ光の照射点を基板の前記中心孔の縁部およびそ
の外周に位置決めして、ドーナツ状の基板を切り出した
後、該基板を吸着したままの状態で面取り加工位置に移
動して、前記中心孔および外周の縁部を面取り加工し、
同時に基板を切り出したウェーハ、又は新規のウェーハ
を基板の切り出し位置に位置決めして、レーザ光による
切り出しを行うことを特徴とする。
【００１１】また、この方法を実施するための装置とし
て、大口径のウェーハから、中心孔を有する小口径の基
板をレーザ光により切り出しすると共に、前記中心孔お
よび外周の縁部を面取り加工する装置であって、第３の
モータで割り出し回転される回転盤と、該回転盤上の同
一円周上に載置される少なくとも一対の第１の吸着台お
よびその駆動用の第１のモータと、前記第１の吸着台上
に載置される第２の吸着台およびその駆動用の第２のモ
ータと、切り出しされる基板の中心孔および外周の縁部
にレーザ光を投光するレーザ光供給装置と、切り出しさ
れた基板の中心孔および外周の縁部に着離自在に係合す
る面取り砥石および面取り砥石駆動機構部と、前記ウェ
ーハおよび基板の搬出入用のロボットと、前記各モー
タ，レーザ光供給装置，駆動機構部，ロボット等を駆動
制御する制御装置を備え、前記第２の吸着台は前記ウェ
ーハの中心を吸着すべく配置され、前記第１の吸着台は
ウェーハの切り出し位置に配置され、前記第１のモータ
の回転軸は切り出し位置における中心孔中心に一致して
配置するようにした基板の切り出しおよび面取り装置を
構成するものである。
て、大口径のウェーハから、中心孔を有する小口径の基
板をレーザ光により切り出しすると共に、前記中心孔お
よび外周の縁部を面取り加工する装置であって、第３の
モータで割り出し回転される回転盤と、該回転盤上の同
一円周上に載置される少なくとも一対の第１の吸着台お
よびその駆動用の第１のモータと、前記第１の吸着台上
に載置される第２の吸着台およびその駆動用の第２のモ
ータと、切り出しされる基板の中心孔および外周の縁部
にレーザ光を投光するレーザ光供給装置と、切り出しさ
れた基板の中心孔および外周の縁部に着離自在に係合す
る面取り砥石および面取り砥石駆動機構部と、前記ウェ
ーハおよび基板の搬出入用のロボットと、前記各モー
タ，レーザ光供給装置，駆動機構部，ロボット等を駆動
制御する制御装置を備え、前記第２の吸着台は前記ウェ
ーハの中心を吸着すべく配置され、前記第１の吸着台は
ウェーハの切り出し位置に配置され、前記第１のモータ
の回転軸は切り出し位置における中心孔中心に一致して
配置するようにした基板の切り出しおよび面取り装置を
構成するものである。
【００１２】
【作用】単結晶シリコン棒からスライスして形成された
大口径のウェーハはロボット等により第２の吸着台上に
中心支持される。切り出し位置の割り出しを行い、第１
の吸着台によりウェーハの切り出し位置を吸着する。第
２の吸着台の吸着を解除して第１のモータを駆動するこ
とにより、ウェーハは切り出し位置を中心に回転され
る。一方、レーザ光供給装置から小口径の基板の中心孔
および外周の縁部にレーザ光が投光されているため、ウ
ェーハの回転によって基板の中心孔および外周がウェー
ハから切り離されて基板が形成される。次に、ロボット
等によりウェーハを基板から離し、第１の吸着台に基板
を吸着したままの状態で第３のモータを駆動し、回転盤
を例えば１８０°回動する。それにより、一対の第１の
吸着台の１つが面取り砥石側に係合し、他の１つがウェ
ーハ側に割り出し位置決めされる。面取り砥石駆動機構
部を動作して、基板の中心孔および外周の縁部の同時面
取りを行う。一方、前記ロボット等により、基板を切り
出したウェーハを再び第２の吸着台に吸着させ、切り出
し位置を割り出し、第１の吸着台でウェーハを吸着し、
前記と同様に次の基板の切り出しを行う。一方、面取り
加工済の基板はロボット等により第１の吸着台側から取
り外され、次工程側に搬送される。
大口径のウェーハはロボット等により第２の吸着台上に
中心支持される。切り出し位置の割り出しを行い、第１
の吸着台によりウェーハの切り出し位置を吸着する。第
２の吸着台の吸着を解除して第１のモータを駆動するこ
とにより、ウェーハは切り出し位置を中心に回転され
る。一方、レーザ光供給装置から小口径の基板の中心孔
および外周の縁部にレーザ光が投光されているため、ウ
ェーハの回転によって基板の中心孔および外周がウェー
ハから切り離されて基板が形成される。次に、ロボット
等によりウェーハを基板から離し、第１の吸着台に基板
を吸着したままの状態で第３のモータを駆動し、回転盤
を例えば１８０°回動する。それにより、一対の第１の
吸着台の１つが面取り砥石側に係合し、他の１つがウェ
ーハ側に割り出し位置決めされる。面取り砥石駆動機構
部を動作して、基板の中心孔および外周の縁部の同時面
取りを行う。一方、前記ロボット等により、基板を切り
出したウェーハを再び第２の吸着台に吸着させ、切り出
し位置を割り出し、第１の吸着台でウェーハを吸着し、
前記と同様に次の基板の切り出しを行う。一方、面取り
加工済の基板はロボット等により第１の吸着台側から取
り外され、次工程側に搬送される。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明
する。図１は本実施例の全製造工程を説明するための説
明図であり、図２は本発明の装置の一実施例を示す構成
図であり、図３は面取り砥石機構部の概要構成を示す構
成図であり、図４は本実施例の装置による切り出しおよ
び面取り加工を説明するためのフローチャートであり、
図５および図６は主として面取り動作を説明するための
説明図である。
する。図１は本実施例の全製造工程を説明するための説
明図であり、図２は本発明の装置の一実施例を示す構成
図であり、図３は面取り砥石機構部の概要構成を示す構
成図であり、図４は本実施例の装置による切り出しおよ
び面取り加工を説明するためのフローチャートであり、
図５および図６は主として面取り動作を説明するための
説明図である。
【００１４】まず、図１により本実施例の全製造工程を
説明する。大口径の単結晶シリコン棒（直径ｄ2 ）２０
をスライスし、ウェーハ１２が形成される。このウェー
ハは、その厚みと表面を整えるために砥粒を用いてラッ
プ仕上げが行われる。次に、後に説明する切り出し面取
り装置により小口径の基板１４の切り出しが行われる。
本実施例では図示のように一枚のウェーハ１２から４枚
の基板１４が切り出される。なお、中心孔１８とそれと
同心の直径ｄ1 の外周を有する薄肉円板からなる切り出
しされた基板１４は、前記切り出し面取り装置の面取り
砥石側に移動され、中心孔１８および外周１９の縁部の
面取りが行われる。次に、表裏面の研磨仕上げ加工が行
われ洗浄により付着した研磨剤等を除去し、所望の基板
１４の製造が完了する。
説明する。大口径の単結晶シリコン棒（直径ｄ2 ）２０
をスライスし、ウェーハ１２が形成される。このウェー
ハは、その厚みと表面を整えるために砥粒を用いてラッ
プ仕上げが行われる。次に、後に説明する切り出し面取
り装置により小口径の基板１４の切り出しが行われる。
本実施例では図示のように一枚のウェーハ１２から４枚
の基板１４が切り出される。なお、中心孔１８とそれと
同心の直径ｄ1 の外周を有する薄肉円板からなる切り出
しされた基板１４は、前記切り出し面取り装置の面取り
砥石側に移動され、中心孔１８および外周１９の縁部の
面取りが行われる。次に、表裏面の研磨仕上げ加工が行
われ洗浄により付着した研磨剤等を除去し、所望の基板
１４の製造が完了する。
【００１５】次に、図１に示した製造工程を実施する切
り出し面取り装置１を図２により説明する。本装置１は
大別して、回転盤２とそれを駆動する第３のモータ３
と、回転盤２上に載置される一対の第１の吸着台４，４
およびその駆動用の第１のモータ５と、第１の吸着台４
上に載置される第２の吸着台６およびその駆動用の第２
のモータ７と、レーザ光供給装置８と、面取り砥石９，
１０とそれを駆動する面取り砥石駆動機構部１１と、ウ
ェーハ１２を搬出入するためのロボット１３および面取
り済の基板１４を搬出入するためのロボット１５と、第
１および第２の吸着台４，６に連結する真空源１６と、
第１乃至第３のモータ５，７，３、レーザ光供給装置
８、面取り砥石駆動機構部１１、ロボット１３，１５お
よび真空源１６等の動作制御を行う制御装置１７等から
構成される。
り出し面取り装置１を図２により説明する。本装置１は
大別して、回転盤２とそれを駆動する第３のモータ３
と、回転盤２上に載置される一対の第１の吸着台４，４
およびその駆動用の第１のモータ５と、第１の吸着台４
上に載置される第２の吸着台６およびその駆動用の第２
のモータ７と、レーザ光供給装置８と、面取り砥石９，
１０とそれを駆動する面取り砥石駆動機構部１１と、ウ
ェーハ１２を搬出入するためのロボット１３および面取
り済の基板１４を搬出入するためのロボット１５と、第
１および第２の吸着台４，６に連結する真空源１６と、
第１乃至第３のモータ５，７，３、レーザ光供給装置
８、面取り砥石駆動機構部１１、ロボット１３，１５お
よび真空源１６等の動作制御を行う制御装置１７等から
構成される。
【００１６】大径の回転盤２は装置の不動側に枢支さ
れ、第３のモータ３により割り出し回転される。
れ、第３のモータ３により割り出し回転される。
【００１７】第１の吸着台４は本実施例では２セットの
ものからなり、同一円周上に１８０°離れて相対向して
配設される。第１の吸着台４は回転盤２上に軸受２１に
より回転自在に支持され第１のモータ５により回転駆動
される。第１の吸着台４には吸着口２２および真空通路
２３が内設され真空源１６に連通する。第２のモータ７
は第１の吸着台４のフランジ２４上に載置され、第２の
吸着台６を回転駆動する。第２の吸着台６には吸着口２
５および真空通路２６が内設され真空源１６に連通す
る。ウェーハ１２は第１および第２の吸着台４，６上に
搭載され、それぞれの吸着口２２，２５により吸着され
る。なお、第２の吸着台６によりウェーハ１２の中心を
吸着支持した状態で、第１の吸着台４はウェーハ１２の
切り出し位置に吸着口２２をほぼ一致すべく配置され
る。
ものからなり、同一円周上に１８０°離れて相対向して
配設される。第１の吸着台４は回転盤２上に軸受２１に
より回転自在に支持され第１のモータ５により回転駆動
される。第１の吸着台４には吸着口２２および真空通路
２３が内設され真空源１６に連通する。第２のモータ７
は第１の吸着台４のフランジ２４上に載置され、第２の
吸着台６を回転駆動する。第２の吸着台６には吸着口２
５および真空通路２６が内設され真空源１６に連通す
る。ウェーハ１２は第１および第２の吸着台４，６上に
搭載され、それぞれの吸着口２２，２５により吸着され
る。なお、第２の吸着台６によりウェーハ１２の中心を
吸着支持した状態で、第１の吸着台４はウェーハ１２の
切り出し位置に吸着口２２をほぼ一致すべく配置され
る。
【００１８】レーザ光供給装置８は、本実施例ではレー
ザ発振器２７と、ハーフミラー２８および反射ミラー２
９等から構成される。レーザ発振器２７は公知のもので
ある。レーザ発振器２７からのレーザ光３０はハーフミ
ラー２８で反射し、切り出しされる基板１４の外周１９
の縁部に投光される。また、ハーフミラー２８を通過し
たレーザ光３０は反射ミラー２９で反射し、中心孔１８
の縁部に投光するように配置される。なお、中心孔１８
の中心と第１のモータ５の回転軸線は一致する。
ザ発振器２７と、ハーフミラー２８および反射ミラー２
９等から構成される。レーザ発振器２７は公知のもので
ある。レーザ発振器２７からのレーザ光３０はハーフミ
ラー２８で反射し、切り出しされる基板１４の外周１９
の縁部に投光される。また、ハーフミラー２８を通過し
たレーザ光３０は反射ミラー２９で反射し、中心孔１８
の縁部に投光するように配置される。なお、中心孔１８
の中心と第１のモータ５の回転軸線は一致する。
【００１９】次に、図１および図３により基板１４の中
心孔１８の縁部３１および外周１９の縁部３２を面取り
する面取り砥石９，１０および面取り砥石駆動機構部１
１の概要構造を説明する。面取り砥石９および１０は切
り出し側と反射側に割り出し位置決めされた第１の吸着
台４上に吸着保持される基板１４の外周１９および中心
孔１８に係合すべく配置される。図３に示すように、面
取り砥石９，１０は砥石駆動機構部３３，３４により、
基板１４の平面と直交する矢印Ａ−Ａ方向および平面方
向Ｂ−Ｂ方向に移動自在に支持されると共に、その移動
位置を制御部３５により制御される。それにより、面取
り砥石９，１０は切り出しされた基板１４の中心孔１８
の内周および外周１９の基準位置に正確に位置決めされ
ると共に、所定の切り込み量だけ面取り砥石９，１０を
移動させることができる。また、面取り砥石９，１０に
はドレッサ３６，３７が係合し、ドレッサ駆動部３８，
３９によりドレッサ３６，３７を駆動制御して所定のド
レス加工を行う。図３に示すように面取り砥石９，１０
には面取り用の傾斜面４０，４１が形成されるため、砥
石９，１０を外周１９および中心孔１８に当接すること
により縁部３１，３２の面取り加工が行われる。
心孔１８の縁部３１および外周１９の縁部３２を面取り
する面取り砥石９，１０および面取り砥石駆動機構部１
１の概要構造を説明する。面取り砥石９および１０は切
り出し側と反射側に割り出し位置決めされた第１の吸着
台４上に吸着保持される基板１４の外周１９および中心
孔１８に係合すべく配置される。図３に示すように、面
取り砥石９，１０は砥石駆動機構部３３，３４により、
基板１４の平面と直交する矢印Ａ−Ａ方向および平面方
向Ｂ−Ｂ方向に移動自在に支持されると共に、その移動
位置を制御部３５により制御される。それにより、面取
り砥石９，１０は切り出しされた基板１４の中心孔１８
の内周および外周１９の基準位置に正確に位置決めされ
ると共に、所定の切り込み量だけ面取り砥石９，１０を
移動させることができる。また、面取り砥石９，１０に
はドレッサ３６，３７が係合し、ドレッサ駆動部３８，
３９によりドレッサ３６，３７を駆動制御して所定のド
レス加工を行う。図３に示すように面取り砥石９，１０
には面取り用の傾斜面４０，４１が形成されるため、砥
石９，１０を外周１９および中心孔１８に当接すること
により縁部３１，３２の面取り加工が行われる。
【００２０】図２におけるロボット１３はウェーハ１２
に当接係合するもので、ウェーハ１２を図２の上下方向
に沿って移動させる。また、ロボット１５は面取り加工
された基板１４を第１の吸着台４から取り外し、次工程
側に移動するものである。
に当接係合するもので、ウェーハ１２を図２の上下方向
に沿って移動させる。また、ロボット１５は面取り加工
された基板１４を第１の吸着台４から取り外し、次工程
側に移動するものである。
【００２１】次に、図２等に示した本実施例の装置に係
る切り出しおよび面取り作用とその制御装置による制御
動作を図４のフローチャートおよび図５，図６により説
明する。ウェーハ１２の中心点を第２の吸着台６の吸着
口２５にほぼ一致させ第２の吸着台６により吸着する
（ステップ１００）。第２のモータ７を駆動し、ウェー
ハ１２を割り出し回転してその切り出し位置を第１の吸
着台４と合致すべく位置決めし（ステップ１０１）、切
り出し位置の中心を第１の吸着台４により吸着する（ス
テップ１０２）。第２の吸着台６の吸着を解除し、切り
出しされる基板１４の中心孔１８の内周および外周１９
に相当する位置にレーザ光３０の投光位置を合わせる
（ステップ１０３）。第１のモータを駆動し、ウェーハ
１２を切り出し位置の中心孔１８の中心まわりに回転
し、基板１４を切り出す（ステップ１０４）。次に、図
５に示すように、ロボット１３により基板１４が切り出
しされたウェーハ１２を把持する（ステップ１０５）。
この場合、切り出しされた基板１４は第１の吸着台４に
吸着されたままになる。次に、第３のモータ３を駆動し
て回転盤２を１８０°回動し、図６に示すように基板１
４を吸着していた第１の吸着台４を面取り砥石９，１０
側に回動し、基板１４を面取り砥石９，１０と係合する
位置に位置決めする（ステップ１０６）。面取り砥石駆
動機構部１１を作動し、面取り砥石９，１０を外周１９
および吸着孔１８に当接させ、縁部３２，３１の面取り
加工を行う（ステップ１０７）。この場合、基板１４は
第１の吸着台４に吸着されたままの状態にあるため、砥
石９，１０側のみを移動制御して面取りが行われる。そ
のため、面取り砥石駆動機構部１１によるコントロール
を高精度に行うことにより高精度の面取り加工が行われ
る。基板１４が面取り加工されていると同時期に、図６
に示すようにロボット１３に把握されていたウェーハ１
２が第２の吸着台６に吸着され、ウェーハ１２の次の切
り出し位置が割り出しされ、第１の吸着台４により吸着
される（ステップ１０８）。面取り砥石９，１０により
面取り加工された基板１４は図５に示すようにロボット
１５により取り出され次工程側に移動される（ステップ
１０９）。この状態で第３のモータ３を駆動して回転盤
２を１８０°回転し再び同様の工程を行う（ステップ１
１０）。以下、同様の動作を繰返し行うことにより一枚
のウェーハ１２から４枚の基板１４を切り出し、かつ面
取りして次工程側に送ることができる。
る切り出しおよび面取り作用とその制御装置による制御
動作を図４のフローチャートおよび図５，図６により説
明する。ウェーハ１２の中心点を第２の吸着台６の吸着
口２５にほぼ一致させ第２の吸着台６により吸着する
（ステップ１００）。第２のモータ７を駆動し、ウェー
ハ１２を割り出し回転してその切り出し位置を第１の吸
着台４と合致すべく位置決めし（ステップ１０１）、切
り出し位置の中心を第１の吸着台４により吸着する（ス
テップ１０２）。第２の吸着台６の吸着を解除し、切り
出しされる基板１４の中心孔１８の内周および外周１９
に相当する位置にレーザ光３０の投光位置を合わせる
（ステップ１０３）。第１のモータを駆動し、ウェーハ
１２を切り出し位置の中心孔１８の中心まわりに回転
し、基板１４を切り出す（ステップ１０４）。次に、図
５に示すように、ロボット１３により基板１４が切り出
しされたウェーハ１２を把持する（ステップ１０５）。
この場合、切り出しされた基板１４は第１の吸着台４に
吸着されたままになる。次に、第３のモータ３を駆動し
て回転盤２を１８０°回動し、図６に示すように基板１
４を吸着していた第１の吸着台４を面取り砥石９，１０
側に回動し、基板１４を面取り砥石９，１０と係合する
位置に位置決めする（ステップ１０６）。面取り砥石駆
動機構部１１を作動し、面取り砥石９，１０を外周１９
および吸着孔１８に当接させ、縁部３２，３１の面取り
加工を行う（ステップ１０７）。この場合、基板１４は
第１の吸着台４に吸着されたままの状態にあるため、砥
石９，１０側のみを移動制御して面取りが行われる。そ
のため、面取り砥石駆動機構部１１によるコントロール
を高精度に行うことにより高精度の面取り加工が行われ
る。基板１４が面取り加工されていると同時期に、図６
に示すようにロボット１３に把握されていたウェーハ１
２が第２の吸着台６に吸着され、ウェーハ１２の次の切
り出し位置が割り出しされ、第１の吸着台４により吸着
される（ステップ１０８）。面取り砥石９，１０により
面取り加工された基板１４は図５に示すようにロボット
１５により取り出され次工程側に移動される（ステップ
１０９）。この状態で第３のモータ３を駆動して回転盤
２を１８０°回転し再び同様の工程を行う（ステップ１
１０）。以下、同様の動作を繰返し行うことにより一枚
のウェーハ１２から４枚の基板１４を切り出し、かつ面
取りして次工程側に送ることができる。
【００２２】以上の実施例において、ウェーハ１２から
４枚の基板１４を切り出す場合について説明したが勿論
それに限らない。また、面取り砥石９，１０の構造や面
取り砥石駆動機構部１１の構造，動作等も本実施例に限
定するものではない。また、ロボット１３，１５の替わ
りに吸着手段を用いてもよい。更に、本実施例では一対
の第１の吸着台４，４を採用したが、更に複数個のもの
を用いても構わない。なお、一枚のウェーハ１２からの
基板１４の切り出しが終了したら新しいウェーハ１２を
ロボット１３等により搬入して同様の動作が行われる。
また、本実施例ではレーザ光供給装置として図示のもの
を採用したが、勿論それに限らない。例えば、レーザ発
振器に可撓の光ファイバを複数本（本実施例では２本）
連結した光ファイバ伝送モジュール等を使用しても勿論
構わない。それにより、レーザ光の投光位置の位置決め
をより簡単に、かつ確実に行うことができる。
４枚の基板１４を切り出す場合について説明したが勿論
それに限らない。また、面取り砥石９，１０の構造や面
取り砥石駆動機構部１１の構造，動作等も本実施例に限
定するものではない。また、ロボット１３，１５の替わ
りに吸着手段を用いてもよい。更に、本実施例では一対
の第１の吸着台４，４を採用したが、更に複数個のもの
を用いても構わない。なお、一枚のウェーハ１２からの
基板１４の切り出しが終了したら新しいウェーハ１２を
ロボット１３等により搬入して同様の動作が行われる。
また、本実施例ではレーザ光供給装置として図示のもの
を採用したが、勿論それに限らない。例えば、レーザ発
振器に可撓の光ファイバを複数本（本実施例では２本）
連結した光ファイバ伝送モジュール等を使用しても勿論
構わない。それにより、レーザ光の投光位置の位置決め
をより簡単に、かつ確実に行うことができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、次のような顕著な効果
を奏する。 （１）レーザ光により基板の中心孔および外周が同時に
同心円上で切り出しされるため、同心度の高い基板を形
成することができる。 （２）切り出しされたままの状態で、基板が面取り砥石
側に移動され、面取り砥石により中心孔および外周の縁
部が面取り加工されるため、高精度の面取りが行われ
る。そのため、中心孔と外周との偏心がほとんど発生し
ない。 （３）面取り加工中に次の基板の切り出しが行われると
共に、切り出しされた基板を回転盤の回動によって面取
り砥石側に回動位置決めするように構成されるため、工
程間の無駄がなく、移送時間が短縮され生産性を向上す
ることができる。 （４）全工程の自動運転が可能になり、生産効率の向上
が可能となる。
を奏する。 （１）レーザ光により基板の中心孔および外周が同時に
同心円上で切り出しされるため、同心度の高い基板を形
成することができる。 （２）切り出しされたままの状態で、基板が面取り砥石
側に移動され、面取り砥石により中心孔および外周の縁
部が面取り加工されるため、高精度の面取りが行われ
る。そのため、中心孔と外周との偏心がほとんど発生し
ない。 （３）面取り加工中に次の基板の切り出しが行われると
共に、切り出しされた基板を回転盤の回動によって面取
り砥石側に回動位置決めするように構成されるため、工
程間の無駄がなく、移送時間が短縮され生産性を向上す
ることができる。 （４）全工程の自動運転が可能になり、生産効率の向上
が可能となる。
【図１】本発明の一実施例の製造方法の全工程の概要を
説明するための説明図である。
説明するための説明図である。
【図２】本発明の製造方法を実施する装置の一実施例を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図３】切り出し面取り装置の面取り部の概要構成図で
ある。
ある。
【図４】図２の装置による基板の切り出しと面取り加工
を説明するためのフローチャートである。
を説明するためのフローチャートである。
【図５】基板の切り出しと面取り加工を説明するための
説明図である。
説明図である。
【図６】基板の切り出しと面取り加工を説明するための
説明図である。
説明図である。
【図７】基板の製造方法の一例を説明するための説明図
である。
である。
１ 切り出し面取り装置 ２ 回転盤 ３ 第３のモータ ４ 第１の吸着台 ５ 第１のモータ ６ 第２の吸着台 ７ 第２のモータ ８ レーザ光供給装置 ９ 面取り砥石 １０ 面取り砥石 １１ 面取り砥石駆動機構部 １２ ウェーハ １３ ロボット １４ 基板 １５ ロボット １６ 真空源 １７ 制御装置 １８ 中心孔 １９ 外周 ２０ 単結晶シリコン棒 ２１ 軸受 ２２ 吸着口 ２３ 真空通路 ２４ フランジ ２５ 吸着口 ２６ 真空通路 ２７ レーザ発振器 ２８ ハーフミラー ２９ 反射ミラー ３０ レーザ光 ３１ 縁部 ３２ 縁部 ３３ 砥石駆動機構部 ３４ 砥石駆動機構部 ３５ 制御部 ３６ ドレッサ ３７ ドレッサ ３８ ドレッサ駆動部 ３９ ドレッサ駆動部 ４０ 傾斜面 ４１ 傾斜面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中里 泰章 長野県更埴市大字屋代1393番地 長野電 子工業株式会社内 (72)発明者 青木 豊文 長野県更埴市大字屋代1393番地 長野電 子工業株式会社内 (72)発明者 黒柳 逸夫 東京都千代田区丸の内１丁目４番２号 信越半導体株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−76282（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/304 B24B 9/00
Claims (4)
- 【請求項１】 大口径のウェーハから中心孔を有する小
口径の基板を切り出しすると共に、中心孔および外周の
縁部を面取り加工する方法であって、前記ウェーハを切
り出し位置で吸着し、前記ウェーハから切り出される基
板の中心まわりに、前記ウェーハを回転すると共に、前
記レーザ光の照射点を基板の前記中心孔の縁部およびそ
の外周に位置決めして、ドーナツ状の基板を切り出した
後、該基板を吸着したままの状態で面取り加工位置に移
動して、前記中心孔および外周の縁部を面取り加工し、
同時に基板を切り出したウェーハ、又は新規のウェーハ
を基板の切り出し位置に位置決めして、レーザ光による
切り出しを行うことを特徴とする基板の切り出しおよび
面取り方法。 - 【請求項２】 大口径のウエーハから、中心孔を有する
小口径の基板をレーザ光により切り出しすると共に、前
記中心孔および外周の縁部を面取り加工する装置であっ
て、第３のモータで割り出し回転される回転盤と、該回
転盤上の同一円周上に載置される少なくとも一対の第１
の吸着台およびその駆動用の第１のモータと、前記第１
の吸着台上に載置される第２の吸着台およびその駆動用
の第２のモータと、切り出しされる基板の中心孔および
外周の縁部にレーザ光を投光するレーザ光供給装置と、
切り出しされた基板の中心孔および外周の縁部に着離自
在に係合する面取り砥石および面取り砥石駆動機構部
と、前記ウェーハおよび基板の搬出入用のロボットと、
前記各モータ，レーザ光供給装置，駆動機構部，ロボッ
ト等を駆動制御する制御装置を備え、前記第２の吸着台
は前記ウェーハの中心を吸着すべく配置され、前記第１
の吸着台はウェーハの切り出し位置に配置され、前記第
１のモータの回転軸は切り出し位置における中心孔中心
に一致して配置されることを特徴とする基板の切り出し
および面取り装置。 - 【請求項３】 前記レーザ光供給装置がレーザ発振器
と、レーザ光を前記照射点に位置決めするためのミラー
からなることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒
体の製造装置。 - 【請求項４】 前記レーザ光供給装置が、レーザ発振器
とそれに連結される複数個の光ファイバ伝送モジュール
からなることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒
体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4253778A JP2898827B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 基板の切り出しおよび面取り方法と装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4253778A JP2898827B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 基板の切り出しおよび面取り方法と装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684855A JPH0684855A (ja) | 1994-03-25 |
| JP2898827B2 true JP2898827B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=17256020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4253778A Expired - Fee Related JP2898827B2 (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 基板の切り出しおよび面取り方法と装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2898827B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101462822B (zh) | 2007-12-21 | 2012-08-29 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 具有通孔的脆性非金属工件及其加工方法 |
| TWI382907B (zh) * | 2007-12-31 | 2013-01-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 具有通孔之脆性非金屬工件及其加工方法 |
| JP6341639B2 (ja) * | 2013-08-01 | 2018-06-13 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| CN113815135A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-12-21 | 钟兴进 | 一种晶片自动定位装置 |
| CN116214372B (zh) * | 2023-02-10 | 2024-03-12 | 陕西航空宏峰精密机械工具有限责任公司 | 一种螺纹磨砂轮的修整装置 |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP4253778A patent/JP2898827B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0684855A (ja) | 1994-03-25 |
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