DE102014207420B4

DE102014207420B4 - Flüssigkristallanzeige und Verfahren zum Testen einer Flüssigkristallanzeige

Info

Publication number: DE102014207420B4
Application number: DE102014207420.7A
Authority: DE
Inventors: Mouxing MA; Bo Wu; Zhijie Zou; Yingru Hu
Original assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Chengdu Tianma Micro Electronics Co Ltd
Current assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Chengdu Tianma Micro Electronics Co Ltd
Priority date: 2013-10-17
Filing date: 2014-04-17
Publication date: 2023-08-24
Anticipated expiration: 2034-04-18
Also published as: US9886879B2; DE102014207420A1; CN103926767B; CN103926767A; US20150109018A1

Abstract

Flüssigkristallanzeige, die folgende Merkmale aufweist:ein TFT-Substrat (11; 21; 31; 41; 51; 61; 71), eine Mehrzahl von Gatetreiberschaltungen und eine Treiberleistungsleitung (12; 22; 32; 42; 52; 62; 72), wobei das TFT-Substrat M Abtastleitungen (G1, G2, G3, G4, ..., GM-3, GM-2, GM-1und GM) und N Datenleitungen (D1, D2, ..., DN-1, DN) aufweist;wobei die Flüssigkristallanzeige ferner eine Schalteinheit (23; 33; 43; 53; 63; 73) aufweist, wobei die Schalteinheit (23; 33; 43; 53; 63; 73) M Transistoren aufweist, und so konfiguriert ist, um die Treiberleistungsleitung und die M Abtastleitungen unter der Steuerung eines Steuersignals (Vc) während einer Erfassung einer Quelle einer Mura der Flüssigkristallanzeige direkt zu verbinden und gleichzeitig die M Abtastleitungen anzusteuern und gleichzeitig alle M Transistoren in einem auf dem TFT-Substrat angeordneten TFT-Array einzuschalten;wobei die Treiberleistungsleitung so konfiguriert ist, dass sie eine Treiberversorgungsspannung für die mehreren Gatetreiberschaltungen bereitstellt, und jede Gatetreiberschaltung so konfiguriert ist, dass sie eine Abtastspannung für eine der M Abtastleitungen bereitstellt.

Description

Querverweise auf verwandte Anmeldungen
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der chinesischen Patentschrift CN103926767A mit dem Titel „LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD FOR TESTING LIQUID CRYSTAL DISPLAY“ (Flüssigkristallanzeige und ein Verfahren zum Testen einer Flüssigkristallanzeige), die am 17. Oktober 2013 beim chinesischen Patentamt eingereicht wurde.
Beschreibung
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf das technische Gebiet von Flüssigkristallanzeigen und insbesondere auf eine Flüssigkristallanzeige und ein Verfahren zum Testen der Flüssigkristallanzeige.
Eine Dünnfilmtransistor-Flüssigkristallanzeige (TFT-LCD - Thin Film Transistor Liquid Crystal Display) ist eine repräsentative Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige. Aufgrund ihrer Vorteile, wie beispielsweise der hohen Leistungsfähigkeit, der Eignung für Massenfertigung und des hohen Maßes an Automatisierung wird die TFT-LCD auf verschiedenen Gebieten wie beispielsweise Laptop-, Videokamera- und Digitalkamera-Bildschirmen umfassend eingesetzt.
Um die Qualität eines Produkts zu verbessern, ist es notwendig, verschiedene unerwünschte Phänomene des Produkts rechtzeitig während der Herstellung der TFT-LCD zu erkennen. Mura (was sich auf eine ungleichmäßige Helligkeit der Anzeige bezieht) (japanisch: Ungleichmäßigkeit, Unregelmäßigkeit) ist ein häufiges unerwünschtes Phänomen während einer Erfassung der TFT-LCD. Es gibt zwei Ursachen für das Mura-Phänomen, die entweder durch einen Arrayprozess oder durch einen Zellprozess während der Herstellung der TFT-LCD bewirkt werden. Auf der Basis verschiedener Ursachen für das Mura-Phänomen können an der TFT-LCD mit dem Mura-Phänomen verschiedene Operationen durchgeführt werden. Jedoch ist es schwierig, den das Mura-Phänomen bewirkenden Grund zu ermitteln, somit ist es erforderlich, eine Quelle der Mura zu erfassen.
Ein Verfahren zum Erfassen der Quelle der Mura ist in einer chinesischen Patentanmeldung Nr. 201010223560.5 mit dem Titel „THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURE METHOD AND TESTING METHOD THEREOF“ (Dünnfilmtransistorarray und Herstellungsverfahren und Testverfahren desselben) offenbart. Jedoch ist es bei dem in jener Anmeldung bereitgestellten Testverfahren notwendig, ein Loch zum Löten zu bohren, und die für den Test benötigte Zeitspanne ist relativ lang.
Die Druckschrift CN201413440Y offenbart eine Flüssigkristallanzeige (LCD), die in der Lage ist, Defekte der LC-Einheit, der Punktleitung und der Drahtverteilung zu testen. Insbesondere umfasst die Erkennungseinheit 240 einen Kurzschlussstab 242, ein Testpad PG und eine Vielzahl von Schalterbaugruppen SW_G1-SW_Gn. Der Ausgangsanschluss O_G1-O_Gn des Gittertreibers 220 ist jeweils über die entsprechende Schalterbaugruppe SW_G1-SW_Gn mit dem Kurzschlussstab 242 verbunden. Während der Prüfung wird das Erkennungssignal über das Testpad PG eingegeben. Zu diesem Zeitpunkt wird die Schalterbaugruppe SWG1-SWGn nacheinander geöffnet (Kurzschluss), und dann wird das Erfassungssignal über den Ausgangsanschluss O_G1-O_Gn des Gittertreibers 220 nacheinander an die Gitterleitung G1-Gn übertragen.
Die Druckschrift US2010090719A1 offenbart eine Schaltsteuereinheit, ein Testgerät und ein Verfahren für eine Flüssigkristallzelle. Die Schaltersteuereinheit steuert ein Eingangssignal für den Flüssigkristallanzeigetreiber und steuert die Ausgabe des Signals von dem Flüssigkristallanzeigetreiber entsprechend und umfasst einen Steuersignalgenerator und ein Schaltermodul. Die Testvorrichtung für die Flüssigkristallzelle umfasst: eine Schaltersteuereinheit, die mit einem Gate-Treiber verbunden ist, um das Ein- und Ausschalten eines Signaleingangs an den Gate-Treiber zu steuern und das Ein- und Ausschalten eines Gate-Abtastsignals entsprechend zu steuern. Das Testverfahren für die Flüssigkristallzelle umfasst: Eingeben eines Testsignals; Steuern von EIN und AUS eines Gate-Abtastsignals durch Steuern von EIN und AUS eines Signaleingangs zu einem Gate-Treiber, um die Schlechtigkeits-Positionen auf einem Bildschirm zu bestimmen.
Die Druckschrift EP2372650B1 offenbart ein Verfahren zum Messen des Luminanzniveaus in einer Anzeige zur Messung des Mura-Effektniveaus, das die folgenden Schritte umfasst: Messen der Luminanz der Anzeige in einer berechneten Anzahl von Punkten auf parallelen vertikalen Linien auf der Anzeige, und in einem stabilen Zustand der Luminanz, Vergleichen der gemessenen Luminanz mit Nennwerten, um eine Standardabweichung vom Nennwert zu erhalten.
Die Druckschrift US2011063336A1 offenbart eine transflektive Flüssigkristallanzeige vom Einzelzellenspalttyp und ein Ansteuerungsverfahren dafür. Jedem Pixel eines Dünnschichttransistorsubstrats der Anzeige wird ein Multiplexer hinzugefügt, um jeweils die Spannungen eines transmissiven Bereichs und eines reflektiven Bereichs jedes Pixels in Verbindung mit einem Modulationsabtastsignal und unterschiedlichen Spannungsdatensignalen zu steuern. Auf diese Weise können eine VT-Kurve des transmissiven Bereichs und eine VR-Kurve des reflektiven Bereichs so eingestellt werden, dass sie identisch sind.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Flüssigkristallanzeige und ein Verfahren zum Testen einer Flüssigkristallanzeige mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch eine Flüssigkristallanzeige gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren gemäß den Anspruch 11 gelöst.
Das in der Offenbarung zu lösende Problem besteht darin, die Zeit, die zum Erfassen einer Mura-Quelle einer Flüssigkristallanzeige benötigt wird, zu verringern.
Um das obige Problem zu lösen, ist in der Offenbarung eine Flüssigkristallanzeige vorgesehen. Die Flüssigkristallanzeige umfasst ein TFT-Substrat, eine Mehrzahl von Gatetreiberschaltungen und eine Treiberleistungsleitung. Das TFT-Substrat umfasst M Abtastleitungen und N Datenleitungen. Die Flüssigkristallanzeige umfasst ferner eine Schalteinheit die M Transistoren aufweist. Die Schalteinheit ist so konfiguriert, um die Treiberleistungsleitung unter der Steuerung eines Steuersignals während einer Erfassung einer Mura-Quelle der Flüssigkristallanzeige mit den M Abtastleitungen direkt zu verbinden und gleichzeitig die M Abtastleitungen anzusteuern und gleichzeitig alle M Transistoren in einem auf dem TFT-Substrat angeordneten TFT-Array einzuschalten. Die Treiberleistungsleitung ist so konfiguriert, dass sie eine Treiberversorgungsspannung für die mehreren Gatetreiberschaltungen bereitstellt, und jede Gatetreiberschaltung so konfiguriert ist, dass sie eine Abtastspannung für eine der M Abtastleitungen bereitstellt.
In einem Ausführungsbeispiel wird das Steuersignal durch eine Steuersignalerzeugungseinheit bereitgestellt.
In einem Ausführungsbeispiel ist die Steuersignalerzeugungseinheit eine Testanordnung für die Flüssigkristallanzeige.
In einem Ausführungsbeispiel wird die Steuersignalerzeugungseinheit ferner dazu angepasst ist, das Erzeugen des Steuersignals (Vc) zu beenden, wenn die Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige nicht durchgeführt.
In einem Ausführungsbeispiel sind Gates der M Transistoren miteinander verbunden und dazu angepasst, das Steuersignal (Vc) zu empfangen, wobei eine erste Elektrode jedes Transistors mit der Treiberleistungsleitung verbunden ist und eine zweite Elektrode jedes Transistors entsprechend mit einer der Abtastleitungen verbunden ist.
In einem Ausführungsbeispiel sind Gates der M Transistoren miteinander verbunden und dazu angepasst, das Steuersignal zu empfangen, wobei eine erste Elektrode eines mten Transistors entsprechend mit einer m-1 ten Abtastleitung verbunden ist, eine zweite Elektrode eines m.ten Transistors entsprechend mit einer mten Abtastleitung verbunden ist, wobei 1<m≤M, und die erste Elektrode eines ersten Transistors mit der Treiberleistungsleitung verbunden ist.
In einem Ausführungsbeispiel weist das TFT-Substrat ferner ein Glassubstrat auf und die Gates der M Transistoren sind mit einer Masseanschlussstelle einer flexiblen Schaltungsplatine auf dem Glassubstrat verbunden.
In einem Ausführungsbeispiel weist die Flüssigkristallanzeige ferner eine elektrische Sicherung auf, durch die das Steuersignal seitens der Gates der M Transistoren empfangen wird.
In einem Ausführungsbeispiel befinden sich Eingangsanschlüsse von ungeradzahligen Abtastleitungen und Eingangsanschlüsse von geradzahligen Abtastleitungen von den M Abtastleitungen jeweils auf gegenüberliegenden Seiten des TFT-Substrats.
In einem Ausführungsbeispiel befinden sich Eingangsanschlüsse der M Abtastleitungen auf einer selben Seite des TFT-Substrats.
Auf der Basis der obigen Flüssigkristallanzeige ist ferner ein Verfahren zum Testen der Flüssigkristallanzeige vorgesehen. Das Verfahren umfasst: Anlegen eines Steuersignals an die Schalteinheit; Anlegen eines Datensignals an die N Datenleitungen, nachdem das Steuersignal an die Schalteinheit angelegt wurde; Ermitteln einer Mura-Quelle der Flüssigkristallanzeige je nach einer aktuellen Helligkeit der Flüssigkristallanzeige, nachdem das Datensignal an die N Datenleitungen angelegt wurde; und Beenden des Anlegens des Steuersignals an die Schalteinheit, nachdem die Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige ermittelt wurde.
Im Vergleich zum Stand der Technik weist eine technische Lösung der Offenbarung zumindest einen der folgenden Vorteile auf.
Die Flüssigkristallanzeige gemäß der Offenbarung umfasst die Schalteinheit, und die Schalteinheit ist mit der Treiberleistungsleitung und allen Abtastleitungen auf dem TFT-Substrat verbunden. Während der Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige empfängt die Schalteinheit ein durch eine Steuersignalerzeugungseinheit bereitgestelltes Steuersignal, das Steuersignal steuert die Schalteinheit dahin gehend, eingeschaltet zu werden, und alle Abtastleitungen werden gleichzeitig durch eine Spannung auf der Treiberleistungsleitung getrieben. Da alle Abtastleitungen gleichzeitig getrieben werden, wird die durch ein TFT-Merkmal bewirkte Mura eliminiert. Falls die Mura während der Erfassung immer noch vorliegt, wird möglicherweise ermittelt, dass die bei normalem Treiben erzeugte Mura durch einen Zellprozess verursacht wird; oder, falls die Mura während der Erfassung aufhört, wird möglicherweise ermittelt, dass die bei normalem Treiben erzeugte Mura durch einen Arrayprozess verursacht wird.
Während der Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige muss die Schalteinheit lediglich das durch die Steuersignalerzeugungseinheit bereitgestellte Steuersignal empfangen, wobei es nicht notwendig ist, ein Loch zum Löten zu bohren, und somit wird kein zusätzlicher Vorgang eingebracht, und die Erfassungszeit wird entsprechend verringert.
Ferner ist es während der Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige im Stand der Technik notwendig, eine Eingangsspannung und eine Ausgangsspannung zu erfassen, und somit muss zusätzlich eine Erfassungsvorrichtung eingesetzt werden. Da es während der Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige bei der Offenbarung nicht notwendig ist, die Eingangsspannung und die Ausgangsspannung zu messen, ist somit keine zusätzliche Erfassungsvorrichtung notwendig, und die Erfassungskosten verringern sich entsprechend.
Bei einer alternativen Lösung der Offenbarung umfasst die Schalteinheit eine Mehrzahl von Transistoren, und die Flüssigkristallanzeige umfasst ferner eine elektrische Sicherung. Das Steuersignal wird über die elektrische Sicherung durch Gates der Mehrzahl von Transistoren empfangen. Nachdem die Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige ermittelt wurde, legt die Steuersignalerzeugungseinheit eine Hochspannung an, um die Sicherung durchzubrennen, und dementsprechend funktioniert die Schalteinheit nicht; somit wird effektiv gewährleistet, dass andere Funktionen der Flüssigkristallanzeige nicht beeinträchtigt werden.
Bei einer anderen alternativen Lösung der Offenbarung umfasst die Schalteinheit eine Mehrzahl von Transistoren, und das TFT-Substrat umfasst ferner ein Glassubstrat. Gates der Mehrzahl von Transistoren sind mit einer Masseanschlussstelle einer flexiblen Schaltungsplatine auf einem Glassubstrat verbunden. Nachdem die Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige ermittelt wurde, werden die Gates der Mehrzahl von Transistoren während eines Lötvorgangs eines Treiberchips und der flexiblen Schaltungsplatine mit der Masseanschlussstelle verbunden, und somit werden Pfade zum Entladen statischer Elektrizität vermehrt, und die Fähigkeit der Flüssigkristallanzeige zur antielektrostatischen Entladung wird verbessert.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

1 ein schematisches Strukturdiagramm einer existierenden Flüssigkristallanzeige;
2 ein schematisches Strukturdiagramm einer Flüssigkristallanzeige gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
3 ein schematisches Strukturdiagramm einer Flüssigkristallanzeige gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
4 ein schematisches Strukturdiagramm einer Flüssigkristallanzeige gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
5 ein schematisches Strukturdiagramm einer Flüssigkristallanzeige gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
6 ein schematisches Strukturdiagramm einer Flüssigkristallanzeige gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
7 ein schematisches Strukturdiagramm einer Flüssigkristallanzeige gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel der Offenbarung; und
8 ein schematisches Flussdiagramm eines Verfahrens zum Testen einer Flüssigkristallanzeige gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.

Wie auf den ersten Seiten beschrieben wurde, müssen während der Herstellung der TFT-LCD verschiedene Tests an dem Produkt durchgeführt werden, um verschiedene unerwünschte Phänomene, die in dem Produkt vorhanden sind, zu ermitteln. Nach einem Zellprozess und vor dem Löten eines Treiberchips und einer flexiblen Schaltungsplatine muss an der Flüssigkristallanzeige ein visueller Test durchgeführt werden.
1 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer vorhandenen Flüssigkristallanzeige nach dem Zellprozess und vor dem Löten des Treiberchips und der flexiblen Schaltungsplatine. Unter Bezugnahme auf 1 umfasst die Flüssigkristallanzeige ein TFT-Substrat 11, eine Treiberleistungsleitung 12 und eine Mehrzahl von Gatetreiberschaltungen (engl.: gate drive circuits). Das TFT-Substrat 11 umfasst M Abtastleitungen und N Datenleitungen. Die M Abtastleitungen sind jeweils eine Abtastleitung G₁, eine Abtastleitung G₂, eine Abtastleitung G₃, eine Abtastleitung G₄, ..., eine Abtastleitung G_M-3, eine Abtastleitung G_M-2, eine Abtastleitung G_M-1 und eine Abtastleitung G_M. Die N Datenleitungen sind jeweils eine Datenleitung D₁, eine Datenleitung D₂, ..., eine Datenleitung D_N-1 und eine Datenleitung D_N. Die Treiberleistungsleitung 12 ist dazu angepasst, der Mehrzahl von Gatetreiberschaltungen eine Treiberversorgungsspannung bereitzustellen, und jede Gatetreiberschaltung ist dazu angepasst, einer der Abtastleitungen eine Abtastspannung bereitzustellen.
Wenn der visuelle Test an der in 1 gezeigten Flüssigkristallanzeige durchgeführt wird, wird beobachtet, ob die Flüssigkristallanzeige bei normalem Treiben ein Mura-Phänomen aufweist. Im Einzelnen werden, nachdem die Flüssigkristallanzeige mit Leistung versorgt wurde, ein Freigabesignal und ein Taktsignal der Mehrzahl von Gatetreiberschaltungen seitens einer LCD-Testanordnung bereitgestellt, und ein Datensignal wird den N Datenleitungen seitens der LCD-Testanordnung bereitgestellt, und die Flüssigkristallanzeige führt eine Zwischenzeilenabtastung durch. Während der Abtastung wird beobachtet, ob die Flüssigkristallanzeige das Mura-Phänomen aufweist.
Falls die Flüssigkristallanzeige das Mura-Phänomen aufweist, werden an der Flüssigkristallanzeige je nach den verschiedenen Ursachen, die die Mura bewirken, verschiedene Operationen durchgeführt. Somit ist es notwendig, eine Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige zu erfassen.
Bei technischen Lösungen der Offenbarung ist eine Flüssigkristallanzeige vorgesehen. Die Flüssigkristallanzeige umfasst ein TFT-Substrat und eine Treiberleistungsleitung. Das TFT-Substrat umfasst M Abtastleitungen und N Datenleitungen und umfasst ferner eine Schalteinheit. Die Schalteinheit ist dazu angepasst, die Treiberleistungsleitung unter der Steuerung eines Steuersignals während der Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige mit den M Abtastleitungen zu verbinden.
Im Einzelnen wird während der Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige das Steuersignal durch eine Steuersignalerzeugungseinheit bereitgestellt, die Steuersignalerzeugungseinheit steuert die Schalteinheit dahin gehend, eingeschaltet zu werden, und die M Abtastleitungen werden gleichzeitig durch eine Treiberversorgungsspannung auf der Treiberleistungsleitung getrieben. Nachdem das Steuersignal erzeugt wurde, wird ein Datensignal an die N Datenleitungen angelegt, und es wird beobachtet, ob die bei normalem Treiben in der Flüssigkristallanzeige vorhandene Mura beseitigt wird.
Es gibt zwei Ursachen für das Mura-Phänomen, das entweder durch ein Arrayprozess oder durch den Zellprozess während der Herstellung bewirkt wird. Das durch den Arrayprozess bewirkte Mura-Phänomen bezieht sich darauf, dass eine Drift einer charakteristischen Kurve einer Schaltröhre bei einem TFT-Array ein Laden/Entladen von Pixeln verlangsamt, dass während eines Schaltvorgangs der Schaltröhre ein unvollständiges Entladen der Pixel bewirkt wird und schließlich dass das Mura-Phänomen an der Flüssigkristallanzeige vorliegt.
Bei der bei den technischen Lösungen der Offenbarung vorgesehenen Flüssigkristallanzeige werden, da die M Abtastleitungen während der Erfassung gleichzeitig getrieben werden und alle Schaltröhren in dem TFT-Array gleichzeitig eingeschaltet werden, die Pixel vollständig entladen, und die durch das TFT-Merkmal bewirkte Mura wird eliminiert, d.h. die durch den Arrayprozess bewirkte Mura wird eliminiert. Falls das Mura-Phänomen während der Erfassung noch vorliegt, wird möglicherweise ermittelt, dass die bei normalem Treiben erzeugte Mura durch den Zellprozess bewirkt wird; oder falls die Mura während der Erfassung aufhört, wird möglicherweise ermittelt, dass die bei normalem Treiben erzeugte Mura durch den Arrayprozess bewirkt wird.
Bei der Offenbarung ist es während der Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige lediglich erforderlich, dass die Steuersignalerzeugungseinheit das Steuersignal bereitstellt, während es nicht nötig ist, ein Loch zum Löten zu bohren, und somit wird kein zusätzlicher Vorgang eingebracht, und die Erfassungszeit wird entsprechend verringert.
Damit die obigen Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Offenbarung leichter verständlich werden, werden Ausführungsbeispiele der Offenbarung in Verbindung mit Zeichnungen hiernach ausführlich beschrieben.
Man sollte beachten, dass sich von den in 1 gezeigten M Abtastleitungen Eingangsanschlüsse von ungeradzahligen Abtastleitungen und Eingangsanschlüsse von geradzahligen Abtastleitungen jeweils auf gegenüberliegenden Seiten des TFT-Substrats 11 befinden, d.h. die Abtastleitung G₁, die Abtastleitung G₃, ..., die Abtastleitung G_M-3 und die Abtastleitung G_M-1 befinden sich auf der linken Seite des TFT-Substrats 11, und die Abtastleitung G₂, die Abtastleitung G₄, ..., die Abtastleitung G_M-2 und die Abtastleitung G_M befinden sich auf der rechten Seite des TFT-Substrats 11. Bei den folgenden Ausführungsbeispielen beruht die Beschreibung auf der Anordnung, dass sich die Eingangsanschlüsse der ungeradzahligen Abtastleitungen und die Eingangsanschlüsse der geradzahligen Abtastleitungen von den M Abtastleitungen jeweils auf den gegenüberliegenden Seiten des TFT-Substrats befinden. Bei anderen Ausführungsbeispielen können die Eingangsanschlüsse der M Abtastleitungen auch auf einer selben Seite des TFT-Substrats angeordnet sein, was bei der Offenbarung nicht eingeschränkt ist.
Ein erstes Ausführungsbeispiel:
2 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Flüssigkristallanzeige gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Offenbarung. Die in 2 gezeigte Flüssigkristallanzeige umfasst ein TFT-Substrat 21, eine Treiberleistungsleitung 22, eine Mehrzahl von Gatetreiberschaltungen und eine Schalteinheit 23.
Das TFT-Substrat 21 umfasst M Abtastleitungen und N Datenleitungen. Die M Abtastleitungen sind jeweils eine Abtastleitung G₁, eine Abtastleitung G₂, eine Abtastleitung G₃, eine Abtastleitung G₄, ..., eine Abtastleitung G_M-3, eine Abtastleitung G_M-2, eine Abtastleitung G_M-1 und eine Abtastleitung G_M. Die N Datenleitungen sind jeweils eine Datenleitung D₁, eine Datenleitung D₂, ..., eine Datenleitung D_N-1 und eine Datenleitung D_N. Die Treiberleistungsleitung 22 ist dazu angepasst, der Mehrzahl von Gatetreiberschaltungen eine Treiberversorgungsspannung bereitzustellen, und jede Gatetreiberschaltung ist dazu angepasst, einer der Abtastleitungen eine Abtastspannung bereitzustellen.
Die Schalteinheit 23 ist dazu angepasst, die Treiberleistungsleitung 22 und die M Abtastleitungen unter der Steuerung eines Steuersignals Vc während einer Erfassung einer Mura-Quelle der Flüssigkristallanzeige zu verbinden.
Im Einzelnen wird das Steuersignal Vc durch eine Steuersignalerzeugungseinheit bereitgestellt und ist dazu angepasst, die Schalteinheit 23 dahin gehend zu steuern, eingeschaltet zu werden. Im Einzelnen ist das Steuersignal Vc ein Gleichspannungssignal. Gemäß dem Ausführungsbeispiel ist die Steuersignalerzeugungseinheit eine LCD-Testanordnung, und das Gleichspannungssignal wird durch die LCD-Testanordnung bereitgestellt. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen kann die Steuersignalerzeugungseinheit auch andere Spannungsquellen umfassen, die Gleichspannungssignale bereitstellen können, was bei der Offenbarung nicht eingeschränkt ist.
Die Steuersignalerzeugungseinheit ist ferner dazu angepasst, ein Erzeugen des Steuersignals Vc zu beenden, wenn die Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige nicht durchgeführt wird, d.h. die Steuersignalerzeugungseinheit gibt das Steuersignal Vc möglicherweise nicht aus, wenn die Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige nicht durchgeführt wird.
Die Schalteinheit 23 umfasst M Transistoren. Gates jeweiliger Transistoren sind verbunden und sind dazu angepasst, das durch die Steuersignalerzeugungseinheit erzeugte Steuersignal Vc zu empfangen, eine erste Elektrode jedes Transistors ist mit der Treiberleistungsleitung 22 verbunden und eine zweite Elektrode jedes Transistors ist entsprechend mit einer der Abtastleitungen verbunden.
Gemäß dem Ausführungsbeispiel sind alle M Transistoren NMOS-Röhren, die ersten Elektroden der Transistoren sind Drains der NMOS-Röhren, und die zweiten Elektroden der Transistoren sind Sources der NMOS-Röhren. Da alle M Transistoren NMOS-Röhren sind, ist das Steuersignal Vc ein Signal mit hohem Pegel, und die Spannung des Steuersignals Vc ist je nach Spannungsschwellen der jeweiligen Transistoren eingestellt.
Entsprechend sind gemäß anderen Ausführungsbeispielen in dem Fall, dass alle M Transistoren PMOS-Röhren sind, die ersten Elektroden der Transistoren Sources der PMOS-Röhren, die zweiten Elektroden der Transistoren sind Drains der PMOS-Röhren, und das Steuersignal Vc ist ein Signal mit niedrigem Pegel. Desgleichen können in dem Fall, in dem einige der M Transistoren PMOS-Röhren sind und die anderen M Transistoren NMOS-Röhren sind, seitens Fachleuten je nach der Wesensart der Offenbarung entsprechende Umformungen vorgenommen werden, um die Effekte der Schalteinheit 23 zu erzielen, was nicht erschöpfend aufgezählt wird.
Wenn Schaltröhren bei einem TFT-Array hergestellt werden, werden die M Transistoren zusammen mit einer zugehörigen Verbindungsleitung auf einem Glassubstrat des TFT-Substrats hergestellt, und es wird kein zusätzlicher Prozess benötigt.
Während der Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige gemäß dem Ausführungsbeispiel wird das Steuersignal Vc seitens der Steuersignalerzeugungseinheit an die Schalteinheit 23 angelegt. Im Einzelnen werden gemäß dem Ausführungsbeispiel die Gates der M Transistoren über die Verbindungsleitung mit der LCD-Testanordnung verbunden. Nach der Verbindung gibt die LCD-Testanordnung das Steuersignal Vc mit hohem Pegel aus.
Nachdem das Steuersignal Vc an die Schalteinheit 23 angelegt wurde, wird ein Datensignal an die N Datenleitungen angelegt. Die M Transistoren in der Schalteinheit 23 werden unter der Steuerung des Steuersignals Vc eingeschaltet, und die M Abtastleitungen werden gleichzeitig durch die Treiberversorgungsspannung auf der Treiberleistungsleitung 22 getrieben. Nachdem das Datensignal angelegt wurde, wird beobachtet, ob das Mura-Phänomen immer noch an der Flüssigkristallanzeige vorliegt.
Da die M Abtastleitungen gleichzeitig getrieben werden, werden alle Schaltröhren in dem TFT-Array gleichzeitig eingeschaltet, Pixel werden vollständig entladen, und die durch das TFT-Merkmal verursachte Mura wird entsprechend eliminiert, d.h. die durch einen Arrayprozess verursachte Mura wird eliminiert. Falls die Mura während der Erfassung immer noch vorliegt, wird möglicherweise ermittelt, dass die bei normalem Treiben erzeugte Mura durch einen Zellprozess verursacht wird; oder falls die Mura während der Erfassung aufhört, wird möglicherweise ermittelt, dass die bei normalem Treiben erzeugte Mura durch den Arrayprozess verursacht wird.
Nachdem die Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige ermittelt wurde, hört die Steuersignalerzeugungseinheit auf, das Steuersignal Vc an die Schalteinheit 23 anzulegen. Im Einzelnen hört die LCD-Testanordnung auf, das Steuersignal Vc zu erzeugen, und trennt die Verbindungsleitung zwischen der LCD-Testanordnung und der Schalteinheit 23.
Verglichen mit dem Stand der Technik muss die Schalteinheit 23 während der Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige lediglich das seitens der Steuersignalerzeugungseinheit bereitgestellte Steuersignal Vc empfangen, während es nicht erforderlich ist, ein Loch zum Löten zu bohren, und somit wird kein zusätzlicher Prozess eingebracht, und die Erfassungszeit wird entsprechend verringert.
Ferner ist es während der Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige im Stand der Technik notwendig, eine Eingangsspannung und eine Ausgangsspannung zu erfassen, und somit muss zusätzlich eine Erfassungsvorrichtung eingesetzt werden. Da es während der Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige gemäß dem Ausführungsbeispiel nicht nötig ist, die Eingangsspannung und die Ausgangsspannung zu messen, und die Steuersignalerzeugungseinheit als vorhandene LCD-Testanordnung verkörpert ist, ist somit keine zusätzliche Erfassungsvorrichtung notwendig, und die Erfassungskosten verringern sich entsprechend.
Ein zweites Ausführungsbeispiel:
3 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Flüssigkristallanzeige gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der Offenbarung. Die in 3 gezeigte Flüssigkristallanzeige umfasst ein TFT-Substrat 31, eine Treiberleistungsleitung 32, eine Schalteinheit 33 und eine Mehrzahl von Gatetreiberschaltungen und umfasst ferner eine elektrische Sicherung (E-Sicherung) F3. Das TFT-Substrat 31, die Treiberleistungsleitung 32 und die Schalteinheit 33 sind jeweils denen gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel ähnlich, und Strukturen und Funktionen des TFT-Substrats 31, der Treiberleistungsleitung 32 und der Schalteinheit 33 sind der Beschreibung des ersten Ausführungsbeispiels zu entnehmen.
Gemäß dem Ausführungsbeispiel empfangen Gates von M Transistoren in der Schalteinheit 33 über die E-Sicherung F3 ein durch eine Steuersignalerzeugungseinheit erzeugtes Steuersignal Vc. Die E-Sicherung F3 ist äquivalent zu einem Draht, wenn das Steuersignal Vc empfangen wird, und wird durchgebrannt, wenn eine Hochspannung empfangen wird.
Wenn Schaltröhren bei einem TFT-Array hergestellt werden, werden die M Transistoren und die E-Sicherung F3 zusammen mit einer zugehörigen Verbindungsleitung auf einem Glassubstrat des TFT-Substrats hergestellt, und es wird kein zusätzlicher Prozess benötigt.
Eine Prozedur des Erfassens einer Mura-Quelle der Flüssigkristallanzeige gemäß dem Ausführungsbeispiel ist ähnlich der gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, wobei sie sich von dem ersten Ausführungsbeispiel darin unterscheidet, dass, nachdem die Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige ermittelt wurde, die Steuersignalerzeugungseinheit aufhört, das Steuersignal Vc auszugeben, und eine Hochspannung an die E-Sicherung F3 anlegt, um die E-Sicherung F3 durchzubrennen, und dementsprechend funktioniert die Schalteinheit 33 nicht. Nachdem die E-Sicherung F3 durchgebrannt wurde, kann die Schalteinheit 33 auch in dem Fall nicht eingeschaltet werden, dass erneut das Steuersignal Vc an die Flüssigkristallanzeige angelegt wird.
Gemäß dem Ausführungsbeispiel wird die Hochspannung zum Durchbrennen der E-Sicherung F3 durch die Steuersignalerzeugungseinheit, d.h. die LCD-Testanordnung, bereitgestellt. Gemäß anderen Ausführungsbeispielen kann die Hochspannung zum Durchbrennen der E-Sicherung F3 auch durch eine Spannungsquelle bereitgestellt werden, die eine hohe Gleichspannung ausgeben kann, was gemäß dem Ausführungsbeispiel nicht eingeschränkt ist.
Gemäß dem Ausführungsbeispiel wird, nachdem die Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige ermittelt wurde, die Hochspannung angelegt, um die E-Sicherung F3 durchzubrennen, und dementsprechend funktioniert die Schalteinheit 33 nicht. Somit wird ein Fall, bei dem die Schalteinheit 33 eingeschaltet wird, wenn das Steuersignal Vc unabsichtlich angelegt wird, und somit andere Funktionen der Flüssigkristallanzeige beeinträchtigt werden, vermieden.
Ein drittes Ausführungsbeispiel:
4 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Flüssigkristallanzeige gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der Offenbarung. Die in 4 gezeigte Flüssigkristallanzeige umfasst ein TFT-Substrat 41, eine Treiberleistungsleitung 42, eine Schalteinheit 43 und eine Mehrzahl von Gatetreiberschaltungen. Das TFT-Substrat 41, die Treiberleistungsleitung 42 und die Schalteinheit 43 sind jeweils denen bei dem ersten Ausführungsbeispiel ähnlich, und Strukturen und Funktionen des TFT-Substrats 41, der Treiberleistungsleitung 42 und der Schalteinheit 43 sind der Beschreibung des ersten Ausführungsbeispiels zu entnehmen und werden hier nicht ausführlich beschrieben.
Das Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem ersten Ausführungsbeispiel darin, dass, nachdem eine Mura-Quelle der Flüssigkristallanzeige erfasst wurde, Gates von M Transistoren in der Schalteinheit 43 während eines Lötprozesses eines Treiberchips und der flexiblen Schaltungsplatine mit einer Masseanschlussstelle einer flexiblen Schaltungsplatine, die auf einem Glassubstrat angeordnet ist, verbunden werden.
Im Einzelnen geht die Herstellung der Flüssigkristallanzeige, nachdem die Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige erfasst wurde, zum Vorgang des Lötens des Treiberchips und der flexiblen Schaltungsplatine über. Die in 4 gezeigte flexible Schaltungsplatine 44 umfasst die Masseanschlussstelle 45. Wenn die flexible Schaltungsplatine 44 auf das Glassubstrat gelötet wird, werden die Gates der M Transistoren mit der Masseanschlussstelle 45 verbunden, um eine Schleife auf Masse zu bilden. Die Schleife auf Masse weist die Funktion auf, statische Elektrizität zu entladen, und die Fähigkeit der Flüssigkristallanzeige zur antielektrostatischen Entladung wird folglich verbessert.
Ein viertes Ausführungsbeispiel:
5 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Flüssigkristallanzeige gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel der Offenbarung. Die in 5 gezeigte Flüssigkristallanzeige umfasst ein TFT-Substrat 51, eine Treiberleistungsleitung 52, eine Schalteinheit 53 und eine Mehrzahl von Gatetreiberschaltungen. Das TFT-Substrat 51 und die Treiberleistungsleitung 52 sind jeweils denen gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel ähnlich, und Strukturen und Funktionen des TFT-Substrats 51 und der Treiberleistungsleitung 52 sind der Beschreibung des ersten Ausführungsbeispiels zu entnehmen.
Die Schalteinheit 53 umfasst M Transistoren. Gates von jeweiligen Transistoren werden verbunden und dahin gehend angepasst, ein durch eine Steuersignalerzeugungseinheit erzeugtes Steuersignal Vc zu empfangen. Gemäß dem Ausführungsbeispiel befinden sich Eingangsanschlüsse von ungeradzahligen Abtastleitungen und Eingangsanschlüsse von geradzahligen Abtastleitungen von den M Abtastleitungen jeweils auf gegenüberliegenden Seiten des TFT-Substrats 51. Somit ist eine erste Elektrode eines mten Transistors entsprechend mit einer m-2ten Abtastleitung verbunden, eine zweite Elektrode des mten Transistors ist entsprechend mit einer mten Abtastleitung verbunden, wobei 2<m≤M, und die erste Elektrode eines ersten Transistors und die erste Elektrode eines zweiten Transistors sind mit der Treiberleistungsleitung 52 verbunden.
Gemäß anderen Ausführungsbeispielen ist in dem Fall, dass sich die Eingangsanschlüsse der M Abtastleitungen auf einer selben Seite des TFT-Substrats 51 befinden, die erste Elektrode des mten Transistors entsprechend mit der m-1 ten Abtastleitung verbunden, die zweite Elektrode des mten Transistors ist entsprechend mit der mten Abtastleitung verbunden, wobei 1<m≤M, und die erste Elektrode des ersten Transistors ist mit der Treiberleistungsleitung 52 verbunden.
Gemäß dem Ausführungsbeispiel sind alle M Transistoren NMOS-Röhren, die ersten Elektroden der Transistoren sind Drains der NMOS-Röhren, und die zweiten Elektroden der Transistoren sind Sources der NMOS-Röhren. Da alle M Transistoren NMOS-Röhren sind, ist das Steuersignal Vc ein Signal mit hohem Pegel, und die Spannung des Steuersignals Vc ist gemäß Spannungsschwellen jeweiliger Transistoren eingestellt.
Entsprechend sind gemäß anderen Ausführungsbeispielen in dem Fall, dass alle M Transistoren PMOS-Röhren sind, die ersten Elektroden der Transistoren Sources der PMOS-Röhren, die zweiten Elektroden der Transistoren sind Drains der PMOS-Röhren, und das Steuersignal Vc ist ein Signal mit niedrigem Pegel. Desgleichen können in dem Fall, dass einige der M Transistoren PMOS-Röhren sind und die anderen M Transistoren NMOS-Röhren sind, seitens Fachleuten je nach der Wesensart der Offenbarung entsprechende Umformungen vorgenommen werden, um die Effekte der Schalteinheit 53 zu erzielen, was nicht erschöpfend aufgezählt wird.
Wenn Schaltröhren bei einem TFT-Array hergestellt werden, werden die M Transistoren zusammen mit einer zugehörigen Verbindungsleitung auf einem Glassubstrat des TFT-Substrats hergestellt, und es wird kein zusätzlicher Prozess benötigt.
Eine Prozedur des Erfassens einer Mura-Quelle der Flüssigkristallanzeige gemäß dem Ausführungsbeispiel ist ähnlich der gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, die hier nicht ausführlich beschrieben ist. Bei der Flüssigkristallanzeige gemäß dem Ausführungsbeispiel wird während einer Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige die Erfassungszeit verkürzt, und die Erfassungskosten verringern sich.
Ein fünftes Ausführungsbeispiel:
6 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Flüssigkristallanzeige gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel der Offenbarung. Die in 6 gezeigte Flüssigkristallanzeige umfasst ein TFT-Substrat 61, eine Treiberleistungsleitung 62, eine Schalteinheit 63 und eine Mehrzahl von Gatetreiberschaltungen und umfasst ferner eine E-Sicherung F6. Das TFT-Substrat 61, die Treiberleistungsleitung 62 und die Schalteinheit 63 sind jeweils denen gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel ähnlich, und Strukturen und Funktionen des TFT-Substrats 61, der Treiberleistungsleitung 52 und der Schalteinheit 63 sind der Beschreibung des vierten Ausführungsbeispiels zu entnehmen, und die Funktion der E-Sicherung F6 lässt sich der Beschreibung des zweiten Ausführungsbeispiels entnehmen, die hier nicht ausführlich beschrieben werden.
Eine Mura-Quelle der Flüssigkristallanzeige gemäß dem Ausführungsbeispiel wird erfasst, und nachdem die Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige ermittelt wurde, wird eine Hochspannung angelegt, um die E-Sicherung F6 durchzubrennen, und dementsprechend funktioniert die Schalteinheit 63 nicht, und somit wird ein Fall, bei dem die Schalteinheit 63 eingeschaltet wird, wenn das Steuersignal Vc unabsichtlich angelegt wird, und somit andere Funktionen der Flüssigkristallanzeige beeinträchtigt werden, vermieden.
Ein sechstes Ausführungsbeispiel:
7 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Flüssigkristallanzeige gemäß dem sechsten Ausführungsbeispiel der Offenbarung. Die in 7 gezeigte Flüssigkristallanzeige umfasst ein TFT-Substrat 71, eine Treiberleistungsleitung 72, eine Schalteinheit 73 und eine Mehrzahl von Gatetreiberschaltungen. Das TFT-Substrat 71, die Treiberleistungsleitung 72 und die Schalteinheit 73 sind jeweils denen gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel ähnlich, die hier nicht ausführlich beschrieben werden.
Das Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem vierten Ausführungsbeispiel darin, dass, nachdem eine Mura-Quelle der Flüssigkristallanzeige erfasst wurde, Gates von M Transistoren in der Schalteinheit 73 während eines Lötprozesses eines Treiberchips und der flexiblen Schaltungsplatine mit einer Masseanschlussstelle einer flexiblen Schaltungsplatine auf einem Glassubstrat verbunden werden.
Im Einzelnen geht die Herstellung der Flüssigkristallanzeige, nachdem die Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige erfasst wurde, zum Vorgang des Lötens des Treiberchips und der flexiblen Schaltungsplatine über. Die in 7 gezeigte flexible Schaltungsplatine 74 umfasst die Masseanschlussstelle 75. Wenn die flexible Schaltungsplatine 74 auf das Glassubstrat gelötet wird, werden die Gates der M Transistoren mit der Masseanschlussstelle 75 verbunden, um eine Schleife auf Masse zu bilden. Die Schleife auf Masse ist dazu angepasst, statische Elektrizität zu entladen, und die Fähigkeit der Flüssigkristallanzeige zur antielektrostatischen Entladung wird verbessert.
Auf der Basis der obigen Ausführungsbeispiele wird bei den technischen Lösungen der Offenbarung ferner ein Verfahren zum Erfassen einer Mura-Quelle einer Flüssigkristallanzeige bereitgestellt. Die Flüssigkristallanzeige kann eine Struktur aufweisen, wie sie in einer der 1 bis 6 gezeigt ist. 8 ist ein schematisches Flussdiagramm eines Verfahrens zum Testen einer Flüssigkristallanzeige gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung. Wie in 8 gezeigt ist, umfasst das Verfahren Schritte S81 bis S84.
Bei dem Schritt S81 wird ein Steuersignal an die Schalteinheit angelegt.
Nachdem das Steuersignal an die Schalteinheit angelegt wurde, geht der Ablauf zum Schritt S82 über. Bei dem Schritt S82 wird ein Datensignal an die N Datenleitungen angelegt.
Nachdem das Datensignal an die N Datenleitungen angelegt wurde, geht der Ablauf zum Schritt S83 über. Bei dem Schritt S83 wird eine Mura-Quelle der Flüssigkristallanzeige je nach einer aktuellen Helligkeit der Flüssigkristallanzeige ermittelt.
Nachdem die Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige ermittelt wurde, geht der Ablauf zum Schritt S84 über. Bei dem Schritt S84 wird das Anlegen des Steuersignals an die Schalteinheit beendet.
Eine Implementierung des Verfahrens lässt sich der Beschreibung des ersten Ausführungsbeispiels entnehmen, was hier nicht ausführlich beschrieben wird.
Zusammenfassend gesagt kann mit der Flüssigkristallanzeige und dem Verfahren zum Testen der Flüssigkristallanzeige, die bei den technischen Lösungen der Offenbarung vorgesehen sind, Zeit, die zum Erfassen der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige benötigt wird, verkürzt werden, und die Kosten der Erfassung können verringert werden.
Obwohl die Offenbarung wie oben beschrieben offenbart wurde, ist die Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Fachleute können verschiedene Änderungen und Modifikationen vornehmen, ohne von der Wesensart und dem Schutzumfang der Offenbarung abzuweichen. Deshalb sollte der Schutzumfang der Offenbarung dem durch die Patentansprüche definierten Schutzumfang unterworfen sein.

Claims

Flüssigkristallanzeige, die folgende Merkmale aufweist: ein TFT-Substrat (11; 21; 31; 41; 51; 61; 71), eine Mehrzahl von Gatetreiberschaltungen und eine Treiberleistungsleitung (12; 22; 32; 42; 52; 62; 72), wobei das TFT-Substrat M Abtastleitungen (G₁, G₂, G₃, G₄, ..., G_M-3, G_M-2, G_M-1 und G_M) und N Datenleitungen (D₁, D₂, ..., D_N-1, D_N) aufweist; wobei die Flüssigkristallanzeige ferner eine Schalteinheit (23; 33; 43; 53; 63; 73) aufweist, wobei die Schalteinheit (23; 33; 43; 53; 63; 73) M Transistoren aufweist, und so konfiguriert ist, um die Treiberleistungsleitung und die M Abtastleitungen unter der Steuerung eines Steuersignals (Vc) während einer Erfassung einer Quelle einer Mura der Flüssigkristallanzeige direkt zu verbinden und gleichzeitig die M Abtastleitungen anzusteuern und gleichzeitig alle M Transistoren in einem auf dem TFT-Substrat angeordneten TFT-Array einzuschalten; wobei die Treiberleistungsleitung so konfiguriert ist, dass sie eine Treiberversorgungsspannung für die mehreren Gatetreiberschaltungen bereitstellt, und jede Gatetreiberschaltung so konfiguriert ist, dass sie eine Abtastspannung für eine der M Abtastleitungen bereitstellt.
Flüssigkristallanzeige gemäß Anspruch 1, bei der das Steuersignal (Vc) durch eine Steuersignalerzeugungseinheit bereitgestellt wird.
Flüssigkristallanzeige gemäß Anspruch 2, bei der die Steuersignalerzeugungseinheit eine Testanordnung für die Flüssigkristallanzeige ist.
Flüssigkristallanzeige gemäß Anspruch 2 oder 3, bei der die Steuersignalerzeugungseinheit ferner dazu angepasst ist, das Erzeugen des Steuersignals (Vc) zu beenden, wenn die Erfassung der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige nicht durchgeführt wird.
Flüssigkristallanzeige gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der Gates der M Transistoren miteinander verbunden sind und dazu angepasst sind, das Steuersignal (Vc) zu empfangen, eine erste Elektrode jedes Transistors mit der Treiberleistungsleitung verbunden ist und eine zweite Elektrode jedes Transistors entsprechend mit einer der Abtastleitungen verbunden ist.
Flüssigkristallanzeige gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der Gates der M Transistoren miteinander verbunden sind und dazu angepasst sind, das Steuersignal zu empfangen, eine erste Elektrode eines mten Transistors entsprechend mit einer m-1ten Abtastleitung verbunden ist, eine zweite Elektrode eines m.ten Transistors entsprechend mit einer mten Abtastleitung verbunden ist, wobei 1 <m≤M, und die erste Elektrode eines ersten Transistors mit der Treiberleistungsleitung verbunden ist.
Flüssigkristallanzeige gemäß Anspruch 5 oder 6, bei der das TFT-Substrat (11; 21; 31; 41; 51; 61; 71) ferner ein Glassubstrat aufweist und die Gates der M Transistoren mit einer Masseanschlussstelle einer flexiblen Schaltungsplatine auf dem Glassubstrat verbunden sind.
Flüssigkristallanzeige gemäß Anspruch 5 oder 6 oder 7, die ferner eine elektrische Sicherung (F3; F6) aufweist, durch die das Steuersignal (Vc) seitens der Gates der M Transistoren empfangen wird.
Flüssigkristallanzeige gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei der sich Eingangsanschlüsse von ungeradzahligen Abtastleitungen und Eingangsanschlüsse von geradzahligen Abtastleitungen von den M Abtastleitungen jeweils auf gegenüberliegenden Seiten des TFT-Substrats befinden.
Flüssigkristallanzeige gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei der sich Eingangsanschlüsse der M Abtastleitungen auf einer selben Seite des TFT-Substrats (11; 21; 31; 41; 51; 61; 71) befinden.
Verfahren zum Testen der Flüssigkristallanzeige gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Anlegen des Steuersignals (Vc) an die Schalteinheit (23; 33; 43; 53; 63; 73); Anlegen eines Datensignals an die N Datenleitungen, nachdem das Steuersignal an die Schalteinheit angelegt wurde; nachdem das Datensignal an die N Datenleitungen angelegt wurde, Ermitteln der Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige auf der Basis einer aktuellen Helligkeit der Flüssigkristallanzeige; und nachdem die Quelle der Mura der Flüssigkristallanzeige ermittelt wurde, Beenden des Anlegens des Steuersignals an die Schalteinheit.