DE112008000244T5 - Verfahren und Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels Download PDF

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Abstract

Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400), gekennzeichnet durch:
einen Impedanzeinstellschritt (Schritte S1, S11 und S12) zum Einstellen der Impedanz zwischen der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) eines TFT (4A, 400A) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) auf einen Wert, der kleiner oder gleich einem vorgegebenen Wert ist;
einen Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) zum Zuführen einer sich zyklisch ändernden Spannung zu einer Flüssigkristallschicht (4B, 400B) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400); und
einen Schritt zum Messen physikalischer Eigenschaften (Schritte S3, S4, S14 und S15) zum Messen eines Übergangsstroms, der durch die Flüssigkristallschicht (4B, 400B) fließt, welcher im Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) die sich zyklisch ändernde Spannung zugeführt wird, zum Messen physikalischer Eigenschaften der Flüssigkristallschicht (4B, 400B).

Description

  • Technischer Bereich
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften eines Dünnschichttransistor-(TFT-)Flüssigkristall-Panels.
  • Hintergrundtechnik
  • Hinsichtlich eines Dünnschichttransistor-(TFT)Flüssigkristall-Panels sind Messungen verschiedener physikalischer Eigenschaften einer Flüssigkristallschicht des TFT-Flüssigkristall-Panels aufgrund seiner Schaltungskonfiguration bislang schwierig gewesen. Daher wird eine Ionendichtemessung für Ionen als in einer Flüssigkristallschicht enthaltene Störstellen oder eine Messung verschiedener physikalischer Eigenschaften, z. B. einer Spannungshaltestabilität (Voltage Holding Ratio (VHR)), normalerweise durch eine Materialanalyse unter Verwendung einer Test-Flüssigkristallzelle ohne TFT-Transistor ersetzt, die getrennt von einem tatsächlichen Produkt (einem TFT-Flüssigkristall-Panel) mit einem TFT-Transistor hergestellt wird.
  • Messwerte für verschiedene physikalische Eigenschaften der Test-Flüssigkristallzelle unterscheiden sich natürlich von verschiedenen physikalischen Eigenschaften des das tatsächliche Produkt darstellenden TFT-Flüssigkristall-Panels. Außerdem ist ein zusätzlicher Arbeitsaufwand erforderlich, um die Test-Flüssigkristallzelle getrennt vom tatsächlichen Produkt herzustellen. Außerdem können, weil die verschiedenen physikalischen Eigenschaften des tatsächlichen Produkts nicht gemessen werden können, verschiedene physikalische Ei genschaften eines defekten Produkts, das unter den tatsächlichen Produkten hergestellt werden kann, natürlich nicht gemessen werden.
  • Angesichts dieser Umstände wird beispielsweise im Patentdokument JP-A-2001-264805 (KOKAI) die folgende Technik als eine Technik beschrieben, die zum Messen einer Spannungshaltestabilität eines TFT-Flüssigkristall-Panels verwendet wird.
  • D. h., gemäß der im Patentdokument JP-A-2001-264805 beschriebenen Technik wird eine zeitliche Änderung der transmittierten Lichtintensität eines Flüssigkristall-Panels gemessen, während ein TFT angesteuert wird, wird eine Spannungs-Lichtdurchlässigkeit-Kennlinie zum Umwandeln der gemessenen transmittierten Lichtintensität in eine Spannung verwendet, und wird ein mit der zeitlichen Änderung der transmittierten Lichtintensität in Beziehung stehender Abschwächungs- oder Dämpfungswert der Spannung ermittelt, wodurch eine Spannungshaltestabilität des TFT-Flüssigkristall-Panels erhalten wird.
  • Weil das im Patentdokument JP-A-2001-264805 beschriebene Verfahren zum Messen einer Spannungshaltestabilität für ein TFT-Flüssigkristall-Panel jedoch ein Messverfahren unter Verwendung einer optischen Technik ist, ist seine Genauigkeit natürlich geringer als diejenige eines Messverfahrens unter Verwendung einer elektrischen Technik.
  • In einem TFT-Flüssigkristall-Panel wird ein unter Fachleuten als ”Eingangsportfleck” (”Inlet-Port-Stain”) bezeichneter defekter Bereich in der Nähe eines Flüssigkristalleinlassports des TFT-Flüssigkristall-Panels während seines Herstellungsprozesses unregelmäßig erzeugt. Daher wird eine Technik gefordert, die eine Messung physikalischer Eigenschaften einer Flüssigkristallschicht nur in einem gewünschten Bereich (Pixel) des TFT-Flüssigkristall-Panels ermöglicht. Gemäß einer derartigen Technik kann nicht nur der den Eingangsportfleck erzeugende Bereich, sondern beispielsweise auch ein Bereich gefunden werden, der mit einem Fehler des TFT-Flüssigkristall-Panels in Beziehung steht.
  • Eine Technik, die eine Messung physikalischer Eigenschaften der Flüssigkristallschicht in einem gewünschten Bereich (Pixel) des TFT-Flüssigkristall-Panels ermöglicht, wird jedoch nicht vorgeschlagen, und die im Patentdokument JP-A-2001-264805 beschriebene Technik ist keine derartige Technik.
  • Kurze Beschreibung der Erfindung
  • Hinsichtlich der vorstehend beschriebenen Probleme ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels bereitzustellen, das eine exakte Messung verschiedener physikalischer Eigenschaften einer Flüssigkristallschicht des TFT-Flüssigkristall-Panels, das als ein tatsächliches Produkt verwendbar ist, bezüglich jedes gewünschten Bereichs (Pixels) unter Verwendung einer elektrischen Technik ermöglicht.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung weist ein Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels die Schritte auf:
    einen Impedanzeinstellschritt zum Einstellen der Impedanz zwischen der Source- und der Drain-Elektrode eines TFT des TFT-Flüssigkristall-Panels auf einen Wert, der kleiner oder gleich einem vorgegebenen Wert ist;
    einen Spannungszufuhrschritt zum Zuführen einer sich zyklisch ändernden Spannung zu einer Flüssigkristallschicht des TFT-Flüssigkristall-Panels; und
    einen Schritt zum Messen physikalischer Eigenschaften zum Messen eines transienten Stroms oder Übergangsstroms, der durch die Flüssigkristallschicht fließt, welcher im Spannungszufuhrschritt die sich zyklisch ändernde Spannung zugeführt wird, zum Messen physikalischer Eigenschaften der Flüssigkristallschicht.
  • Außerdem weist gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels die Schritte auf:
    einen Schritt zum Zuführen einer vorgegebenen Spannung zu einer Gate-Elektrode eines TFT im TFT-Flüssigkristall-Panel;
    einen Schritt zum Schreiben einer Pulsspannung in eine Flüssigkristallschicht des TFT-Flüssigkristall-Panels; und
    einen Schritt zum Erfassen einer Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht, in die die Pulsspannung geschrieben ist, zum Messen einer Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht.
  • Außerdem weist gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels die Schritte auf:
    einen Impedanzeinstellschritt zum Einstellen der Impedanz zwischen der Source- und der Drain-Elektrode eines TFT des TFT-Flüssigkristall-Panels auf einen Wert, der kleiner oder gleich einem vorgegebenen Wert ist;
    einen Spannungszufuhrschritt zum Zuführen einer sich zyklisch ändernden Spannung zu einer Flüssigkristallschicht des TFT-Flüssigkristall-Panels und zu einem zur Flüssigkristallschicht parallelgeschalteten Hilfskondensator; und
    einen Schritt zum Messen physikalischer Eigenschaften zum Messen eines kombinierten Stroms aus einem durch die Flüssigkristallschicht fließenden Übergangsstrom und einem durch den Hilfskondensator fließenden Übergangsstrom, denen im Spannungszufuhrschritt die sich zyklisch ändernde Spannung zugeführt wird, zum Messen physikalischer Eigenschaften als eine Kombination von Eigenschaften der Flüssigkristallschicht und Eigenschaften des Hilfskondensators.
  • Außerdem weist gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels die Schritte auf:
    einen Schritt zum Zuführen einer vorgegebenen Spannung zu einer Gate-Elektrode eines TFT des TFT-Flüssigkristall-Panels;
    einen Schritt zum Schreiben einer Pulsspannung in eine Flüssigkristallschicht des TFT-Flüssigkristall-Panels und in einen zur Flüssigkristallschicht parallelgeschalteten Hilfskondensator; und
    einen Schritt zum Erfassen einer Änderung eines kombinierten Potenzials der Flüssigkristallschicht und des Hilfskondensators, in die die Pulsspannung geschrieben ist, zum Messen einer kombinierten Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht und im Hilfskondensator.
  • Außerdem wird gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels bereitgestellt, wobei die Vorrichtung aufweist:
    eine Dreieckswellenerzeugungseinheit, die einer Flüssigkristallschicht des TFT-Flüssigkristall-Panels eine Dreieckswellenspannung zuführt;
    eine Messeinheit zum Messen eines Übergangsstroms, der durch die Flüssigkristallschicht fließt, welcher durch die Dreieckswellenerzeugungseinheit die Dreieckswellenspannung zugeführt wird; und
    eine Gate-Potenzial-Halteeinheit, die einer Gate-Elektrode eines TFT des TFT-Flüssigkristall-Panels eine vorgegebene Spannung zuführt.
  • Außerdem wird gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels bereitgestellt, wobei die Vorrichtung aufweist:
    eine Pulsspannungszufuhrschaltung, die eine Pulsspannung in eine Flüssigkristallschicht des TFT-Flüssigkristall-Panels schreibt;
    eine Potenzialänderungserfassungsschaltung, die eine Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht erfasst, der durch die Pulsspannungszufuhrschaltung eine Pulsspannung zugeführt wird, um eine Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht zu messen; und
    eine Gate-Potenzial-Halteschaltung, die einer Gate-Elektrode eines TFT des TFT-Flüssigkristall-Panels eine vorgegebene Spannung zuführt.
  • Außerdem wird gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels bereitgestellt, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:
    einen Impedanzeinstellschritt zum Verbinden einer Strommesseinheit mit einer einem TFT in einem Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels zugeordneten Datenleitung und zum Halten eines Potenzials einer dem TFT im Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels zugeordneten Gate-Leitung;
    einen Spannungszufuhrschritt zum Zuführen einer sich zyklisch ändernden Spannung zur Flüssigkristallschicht im Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels; und
    einen Schritt zum Messen physikalischer Eigenschaften zum Messen eines Übergangsstroms, der durch die Flüssigkristallsschicht fließt, welcher im Spannungszufuhrschritt die sich zyklisch ändernde Spannung zugeführt wird, zum Messen physikalischer Eigenschaften der Flüssigkristallschicht.
  • Außerdem wird gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigen schaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels bereitgestellt, wobei die Vorrichtung aufweist:
    eine Konstantspannungsquelle, die einer Gate-Elektrode eines TFT in einem Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels eine vorgegebene Spannung zuführt;
    eine Spannungszufuhreinheit, die eine Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht des TFT-Flüssigkristall-Panels im Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften schreibt;
    eine Messeinheit, die eine Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht erfasst, in die die Pulsspannung geschrieben wurde, um eine Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht zu messen; und
    eine Rückkopplungseinheit, die ein Ausgangssignal von einer Source-Elektrode des TFT im Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften an die Spannungszufuhreinheit zurückkoppelt, wenn die Spannungshaltestabilität durch die Messeinheit gemessen wird.
  • Außerdem wird gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels bereitgestellt, wobei die Vorrichtung aufweist:
    eine Gate-Potenzial-Halteeinheit, die ein Potenzial einer einem TFT in einem Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften des TFT-Flüssigristall-Panels zugeordneten Gate-Leitung auf einem vorgegebenen Potenzial hält;
    eine Dreieckswellenerzeugungseinheit, die einer Flüssigkristallschicht des TFT-Flüssigkristall-Panels eine Dreieckswellenspannung zuführt; und
    eine Strommesseinheit, die mit einer dem TFT im Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften zugeordneten Datenleitung verbunden ist und einen Übergangsstrom mißt, der durch die Flüssigkristallschicht fließt, welcher die Dreieckswellenspannung durch die Dreieckswellenerzeugungseinheit zugeführt wird.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1A zeigt eine Ansicht zum schematischen Darstellen einer Vorrichtungsstruktur, durch die eine erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels realisiert wird;
  • 1B zeigt eine Ansicht zum Darstellen eines Ersatzschaltbildes der in 1A dargestellten Vorrichtung;
  • 2 zeigt ein Ablaufdiagramm der ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels;
  • 3 zeigt einen Graphen einer [Spannung (Zeit)]-[Strom]-Kennlinie, die durch Messen eines Übergangsstroms erhalten wird, der fließt, wenn einer Flüssigkristallschicht eine Dreieckswelle zugeführt wird;
  • 4(a) zeigt ein Ersatzschaltbild, in dem eine Flüssigkristallschicht durch einen Widerstand und einen Kondensator ersetzt ist; und 4(b) zeigt einen Graphen einer [Spannung (Zeit)]-[Strom]-Kennlinie, die durch Messen eines Übergangsstroms erhalten wird, der fließt, wenn der Flüssigkristallschicht eine Dreieckswelle zugeführt wird;
  • 5 zeigt eine Struktur einer Messschaltung bei der Messung verschiedener physikalischer Eigenschaften eines Hilfskondensators;
  • 6A zeigt eine Schaltung, die zum Schreiben einer Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht verwendet wird.
  • 6B zeigt eine Schaltung, die zum Erfassen einer Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht verwendet wird;
  • 7 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Spannungshaltestabilitätsmessverfahrens für die Flüssigkristallschicht in der ersten Ausführungsform;
  • 8 zeigt einen Graphen zum Darstellen einer Pulsspannung für den Fall, dass eine Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht geschrieben wird, und einen Graphen für den Fall, dass eine Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht erfasst wird;
  • 9(a) und 9(b) zeigen Graphen zum Darstellen von Flächen, die in den in 8 dargestellten Graphen berechnet werden sollen, um eine Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht zu erhalten;
  • 10 zeigt eine Ansicht zum Darstellen einer Modifikation der in 1B dargestellten Schaltung;
  • 11 zeigt eine Messschaltung, die zum gleichzeitigen Messen physikalischer Eigenschaften der Flüssigkristallschicht und physikalischer Eigenschaften des Hilfkondensators verwendet wird;
  • 12 zeigt eine Schaltung, die zum gleichzeitigen Schreiben einer Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht und in den Hilfskondensator verwendet wird;
  • 13 zeigt eine Schaltung, die zum Erfassen einer Änderung eines kombinierten Potenzials der Flüssigkristallschicht und des Hilfskondensators verwendet wird;
  • 14A zeigt ein Beispiel einer Vorrichtungsstruktur, durch die eine zweite Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels realisiert wird;
  • 14B zeigt ein Beispiel der Vorrichtungsstruktur, durch die die zweite Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels realisiert wird;
  • 14C zeigt ein Beispiel einer Vorrichtungsstruktur, durch die eine zweite Ausführungsform eines erfindungsgemä ßen Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels realisiert wird;
  • 14D zeigt ein Beispiel der Vorrichtungsstruktur, durch die die zweite Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels realisiert wird;
  • 15 zeigt ein Ablaufdiagramm der zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels;
  • 16A zeigt eine Schaltung, die zum Schreiben einer Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht verwendet wird.
  • 16B zeigt eine Schaltung, die zum Erfassen einer Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht verwendet wird;
  • 17 zeigt ein Ablaufdiagramm eines in der zweiten Ausführungsform vorgesehenen Verfahrens zum Messen einer Spannungshaltestabilität für die Flüssigkristallschicht.
  • Beste Technik zum Implementieren der Erfindung
  • Nachstehend wird die beste Technik zum Implementieren der vorliegenden Erfindung unter Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
  • Erste Ausführungsform
  • Nachstehend wird eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
  • 1A zeigt eine schematische Ansicht eines Strukturbeispiels einer Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels gemäß der ersten Ausführungsform. D. h., die Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels gemäß dieser ersten Ausführungsform weist, wie in 1A darges tellt ist, eine Messeinrichtung 2, ein TFT-Flüssigkristall-Panel 4 und eine Gate-Potenzial-Halteeinrichtung 6 auf.
  • Die Messeinrichtung 2 weist eine Strommesseinheit 2A mit einem I/V-Verstärker und einen Dreieckswellengenerator 2B auf. Das TFT-Flüssigkristall-Panel 4 weist einen TFT 4A, eine Flüssigkristallschicht 4B, eine Gegenelektrode 4C, eine Pixelelektrode 4D und einen (in 1A nicht dargestellten, aber in einem in 1B dargestellten Ersatzschaltbild dargestellten) Hilfskondensator 4E auf. Der TFT 4A weist eine Gate-Elektrode 41A, eine Source-Elektrode 42A und eine Drain-Elektrode 43A auf.
  • Die Gate-Potenzial-Halteschaltung 6 weist eine Konstantspannungsquelle 6A auf, die zum Halten eines Potenzials Vg der Gate-Elektrode 41A des TFT 4A auf einem vorgegebenen Potenzial verwendet wird. Außerdem ist die Source-Elektrode 42A des TFT 4A durch die Strommesseinheit 2A virtuell geerdet, wie in der Zeichnung dargestellt ist. Infolgedessen wird die Source-Elektrode 42A des TFT 4A im Wesentlichen auf Erdpotenzial gehalten.
  • Ein durch die Pixelelektrode 4D in die Flüssigkristallschicht 4B geschriebenes Bildsignal mit einem vorgegebenen Pegel wird für eine vorgegebene Zeitdauer gehalten. Zum Verhindern, dass das gehaltene Bildsignal leckt, wird hierbei der Hilfskondensator 4E parallel zur Flüssigkristallschicht 4B bereitgestellt.
  • D. h., der Hilfskondensator 4E verbessert die Ladungshalteeigenschaften in der Flüssigkristallschicht 4B, so dass ein Display realisiert wird, in dem nahezu keine Ungleichmäßigkeit in der Darstellung auftritt. Außerdem können gemäß der ersten Ausführungsform, auch wenn Einzelheiten erst später beschrieben werden, der Widerstand und die Kapazität des Hilfskondensators 4E erhalten werden.
  • 1B zeigt eine Ersatzschaltbild der in 1A dargestellten Vorrichtung. 2 zeigt ein Ablaufdiagramm der ersten Ausführungsform des Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels. Die erste Ausführungsform des Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels wird nachstehend unter Bezug auf die 1B und 2 beschrieben.
  • Zunächst wird ein Potenzial Vg der Gate-Elektrode 41A des TFT 4A durch die Konstantspannungsquelle 6A auf einem vorgegebenen Potenzial gehalten (Schritt S1). Hierbei ist das vorgegebene Potenzial ein Potenzial, bei dem eine Impedanz des TFT 4A auf einen kleinen Wert vermindert werden kann, bei dem ein durch die Flüssigkristallschicht fließender Strom messbar ist. D. h., das vorgegebene Potenzial bezeichnet ein Potenzial, durch das die Impedanz zwischen der Source-Elektrode 42A und der Drain-Elektrode 43A des TFT auf einen Wert eingestellt werden kann, bei dem zwischen der Source-Elektrode 42A und der Drain-Elektrode 43A des TFT ein Strom fließen kann (ein detaillierter numerischer Wert wird später beschrieben).
  • D. h., wenn das Potenzial Vg der Gate-Elektrode 41A des TFT 4A bei dem vorgegebenen Potenzial gehalten wird, können verschiedene physikalische Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 4B des TFT-Flüssigkristall-Panels 4 durch eine elektrische Technik genauer gemessen werden (Einzelheiten werden später beschrieben).
  • Das Potenzial Vg der Gate-Elektrode 41A wird zwar auf dem vorgegebenen Potenzial gehalten, aber das Potenzial Vg der Gate-Elektrode 41A muss nicht notwendigerweise auf einem festen Potenzial gehalten werden, so lange es ein Potenzial ist, durch das ein Wert der Impedanz des TFT 4A auf einen Wert eingestellt werden kann, bei dem ein Stromfluss zwischen der Source-Elektrode 42A und der Drain-Elektrode 43A des TFT ermöglicht wird.
  • D. h., das Potenzial Vg der Gate-Elektrode 41A kann ein Potenzial sein, das sich mit der Zeit verändert, so lange es ein Potenzial ist, bei dem die Impedanz des TFT 4A auf einen Wert eingestellt werden kann, bei dem ein Stromfluss zwischen der Source-Elektrode 42A und der Drain-Elektrode 43A des TFT ermöglicht wird.
  • Eine durch den Dreieckswellengenerator 2B erzeugte Dreieckswelle wird dem TFT-Flüssigkristall-Panel 4 nach der Verarbeitung von Schritt S1 zugeführt (Schritt S2). Außerdem wird ein durch die Flüssigkristallschicht 4B fließender Übergangsstrom gemessen (Schritt S3). 3 zeigt einen Graphen einer [Spannung V (Zeit t)]-[Strom I]-Kennlinie, die durch die in Schritt S3 ausgeführte Messung des Übergangsstroms erhalten wird.
  • Eine Beziehung zwischen einem Graphen der [Spannung V (Zeit t)]-[Strom I]-Kennlinie und später erläuterten verschiedenen physikalischen Eigenschaften wird nachstehend unter Bezug auf 3 beschrieben.
  • Unter den verschiedenen physikalischen Eigenschaften werden zunächst die fünf folgenden Haupteigenschaften betrachtet:
    • 1: Widerstand der Flüssigkristallschicht 4B;
    • 2: Kapazität der Flüssigkristallschicht 4B;
    • 3: Schaltspannung der Flüssigkristallschicht 4B;
    • 4: Ionendichte der Flüssigkristallschicht 4B; und
    • 5: Ionenmobilität der Flüssigkristallschicht 4B.
  • Außerdem besteht folgende Beziehung zwischen dem Graphen der [Spannung V (Zeit t)]-[Strom I]-Kennlinie und den verschiedenen physikalischen Eigenschaften.
  • Die Steigung 21 bezüglich einer V-Achse (t-Achse) zeigt einen Widerstandswert der Flüssigkristallschicht 4B an. Außerdem zeigt die Breite 23 eines in 3 dargestellten, im Wesentlichen parallelogrammförmigen Graphen entlang einer I-Achsenrichtung die Kapazität der Flüssigkristallschicht 4B an. Eine Spannung an einem Peak 25 des im Wesentlichen parallelogrammförmigen Graphen entlang der I-Achse zeigt eine Schaltspannung der Flüssigkristallschicht 4B an. Eine Fläche des im Wesentlichen parallelogrammförmigen Graphen in einem Vorsprungabschnitt 27 zeigt eine Ionendichte der Flüssigkristallschicht 4B an. Außerdem kann eine Ionenmobilität μ der Flüssigkristallschicht 4B anhand der folgenden Gleichung berechnet werden.
  • Figure 00140001
  • Hierbei bezeichnen d eine Dicke (cm) der Flüssigkristallschicht 4B, t eine Zeit (s) am Scheitelpunkt 29 des Vorsprungabschnitts 27 und V einen Spannungswert (V) am Scheitelpunkt 29 des Vorsprungabschnitts 27.
  • Basierend auf dem vorstehend beschriebenen Verfahren werden die verschiedenen physikalischen Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 4B, d. h. der Widerstand der Flüssigkristallschicht 4B, die Kapazität der Flüssigkristallschicht 4B, die Schaltspannung der Flüssigkristallschicht 4B, die Ionendichte der Flüssigkristallschicht 4B und die Ionenmobilität der Flüssigkristallschicht 4B, anhand des Graphen der [Spannung V (Zeit t)]-[Strom I]-Kennlinie erhalten, die durch Messen eines Übergangsstroms erhalten wird, der fließt, wenn der Flüssigkristallschicht 4B eine Dreieckswelle zugeführt wird (Schritt S4).
  • 4(a) zeigt eine Schaltung, die der Flüssigkristallschicht 4B (einem Widerstand R und einem Kondensator C) eine Dreieckswelle zuführt, wenn die Flüssigkristallschicht 4B durch den Widerstand R und den Kondensator C ersetzt wird. Außerdem zeigt 4(b) eine [Spannung (Zeit)]-[Strom]-Kennlinie, die durch Messen eines Übergangsstroms erhalten wird, der fließt, wenn der Flüssigkristallschicht der in 4(a) dargestellten Schaltung eine Dreieckswelle zugeführt wird. Nachstehend wird unter Bezug auf die 4(a) und (b) die [Spannung (Zeit)]-[Strom]-Kennlinie diskutiert, die durch Messen eines Übergangsstroms erhalten wird, der fließt, wenn der Flüssigkristallschicht 4B eine Dreieckswelle zugeführt wird.
  • In der in 4(a) dargestellten Schaltung ist die Flüssigkristallschicht 4B einfach durch den Widerstand R und den Kondensator C ersetzt, so dass eine Wellenform des in 4(b) dargestellten Graphen nicht die gleiche Form hat wie in 3, sondern eine einfache Parallelogrammform.
  • Zunächst wird vorausgesetzt, dass ein durch die Schaltung fließender Strom durch I, ein durch den Widerstand R fließender Strom durch IR und ein durch den Kondensator C fließender Strom durch IC bezeichnet werden, wenn der Flüssigkristallschicht 4B durch den Dreieckswellengenerator 2B eine Dreieckswelle zugeführt wird; dann wird der Strom I folgendermaßen dargestellt: I = IC + IR = CdVdt + 1R V (Gleichung 2)
  • Unter Berücksichtigung, dass eine der Flüssigkristallschicht 4B zugeführte Spannung eine Dreieckswellenform hat, wird der Strom I folgendermaßen dargestellt: Ip = CdVdt + 1R V (Gleichung 3)wobei Ip der Strom I ist, wenn dV/dt > 0 ist.
  • Ein Strom In wird dagegen folgendermaßen dargestellt: In = –CdVdt + 1R V (Gleichung 4)wobei In der Strom I ist, wenn dV/dt < 0 ist. Daher werden sowohl der Strom Ip als auch der Strom In durch einen Graphen mit einer in 4(b) dargestellten Form dargestellt. Hierbei ist eine Differenz zwischen dem Strom Ip und dem Strom In folgendermaßen gegeben: ΔI = Ip – In = 2C·dVdt (Gleichung 5)
  • D. h., anhand von Gleichung 5 ist ersichtlich, dass ein Wert der Kapazität C anhand einer Breite 23 des im Wesentlichen parallelogrammförmigen Graphen in der I-Achsenrichtung erhalten werden kann. Außerdem kann, wenn Gleichung 2 nach V differenziert wird, die folgende Gleichung erhalten werden, wobei anhand der Steigung 21 bezüglich der V-Achse (t-Achse) ein Wert für den Widerstand R erhalten werden kann durch: dIdV = 0 + 1R (Gleichung 6)
  • Gemäß der ersten Ausführungsform können nicht nur physikalische Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 4B erhalten werden, sondern auch physikalische Eigenschaften des Hilfskondensators 4E. Unter den physikalischen Eigenschaften des Hilfskondensators 4E sind die beiden folgenden die Haupteigenschaften:
    • 1: Widerstand des Hilfskondensators 4E; und
    • 2: Kapazität des Hilfskondensators 4E.
  • Für die Messung verschiedener physikalischer Eigenschaften des Hilfskondensators 4E wird nicht die in 1B dargestellte Konfiguration verwendet, sondern die Schaltungskonfiguration für die Messung wird in eine in 5 dargestellte Konfiguration geändert. D. h., der Dreieckswellengenerator 2B wird anstatt mit der Gegenelektrode 4C mit dem Hilfskondensator 4E verbunden. D. h., es wird eine Schaltungskonfiguration zum Zuführen einer Dreieckswelle zum Hilfskondensator 4E verwendet.
  • Der Hilfskondensator 4E weist keine Flüssigkristallschicht auf, so dass er einfach durch den Widerstand R und den Kondensator C ersetzt werden kann. Daher kann die in 4(a) dargestellte Schaltung als eine Schaltung betrachtet werden, die dem Hilfskondensator 4E (dem Widerstand R und dem Kondensator C) eine unveränderte Dreieckswelle zu führt. Außerdem entspricht in der in 4(a) dargestellten Schaltung ein Graph einer [Spannung (Zeit)]-[Strom]-Kennlinie, die durch Messen eines Übergangsstroms erhalten wird, der fließt, wenn dem Hilfskondensator 4E eine Dreieckswelle zugeführt wird, dem in 4(b) dargestellten Graphen.
  • Beispiele verschiedener Vorausssetzungen, die zum präzisen Messen der verschiedenen physikalischen Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 4B und des Hilfskondensators 4E des TFT-Flüssigkristall-Panels 4 durch eine elektrische Technik erfüllt sein müssen, werden nachstehend beschrieben. D. h., wenn beispielsweise vorausgesetzt wird, dass eine Amplitude einer durch den Dreieckswellengenerator 2B zugeführten Dreieckswelle 10 V beträgt und eine Frequenz der Dreieckswelle 0,01 Hz beträgt, beträgt das vorgegebene Potenzial Vg, bei dem die Gate-Elektrode 41A gehalten werden sollte, +10 V.
  • Die Messverarbeitung kann in der Folge der Schritte S1, S2, S3 und S4 abgearbeitet werden, wie vorstehend beschrieben wurde, die Messverarbeitung muss allerdings nicht unbedingt in dieser Folge abgearbeitet werden, sondern die Messverarbeitung kann beispielsweise auch in der Folge der Schritte S2, S1, S3 und S4 abgearbeitet werden.
  • Nachstehend wird ein Verfahren zum Bestimmen einer Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht 4B beschrieben. 6A zeigt eine Schaltung, die verwendet wird, um eine Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht 4B zu schreiben, und 6B zeigt eine Schaltung, die dazu verwendet wird, eine Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht 4B zu erfassen. 7 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Messen der Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht 4B.
  • Wie in den 6A und 6B dargestellt ist, wird zum Erfassen einer Potenzialänderung in der Flüssigkristall schicht 4B durch einen Monitor 33 das Potenzial Vg der Gate-Elektrode 41A des TFT 4A unter Verwendung der Konstantspannungsquelle 6A auf einem vorgegebenen Potenzial gehalten (Schritt S21).
  • Dieses vorgegebene Potenzial ist ein Potenzial, durch das eine Impedanz des TFT 4A auf einen kleinen Wert eingestellt werden kann, bei dem eine der Flüssigkristallschicht 4B zugeführte Spannung durch den Monitor 33 gemessen werden kann.
  • In der Schaltung, die zum Schreiben einer Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht 4B verwendet wird, wird eine Spannungszufuhreinheit 31, die aus einem Widerstand R1, einem Widerstand R2 und einem Operationsverstärker OP gebildet wird, mit dem TFT-Flüssigkristall-Panel 4 verbunden, das den TFT 4A und die Flüssigkristallschicht 4B aufweist, wie in 6A dargestellt ist. D. h., durch die Spannungszufuhrschaltung 31 wird eine Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht 4B geschrieben.
  • Außerdem ist die Spannungszufuhreinheit 31 mit einer (nicht dargestellten) Spannungsquelle verbunden, die die Pulsspannung erzeugt, und empfängt ein von der Spannungsquelle (nicht dargestellt) zugeführtes Spannungssignal. Außerdem sind die Spannungszufuhreinheit 31 und das TFT-Flüssigkristall-Panel 4 über einen Widerstand R3 mit dem Monitor 33 verbunden, der zum Erfassen einer Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht 4B verwendet wird. Außerdem ist die Source-Elektrode 42A des TFT 4A geerdet.
  • Gemäß einer derartigen in 6A dargestellten Schaltungskonfiguration wird der Flüssigkristallschicht 4B eine Pulsspannung, deren Wert basierend auf einem Verhältnis zwischen einem Wert des Widerstands R1 und einem Wert des Widerstands R2 in der Spannungszufuhreinheit 31 bestimmt ist, unter Verwendung der Spannungsquelle (nicht dargestellt) zu geführt, um die Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht 4B zu schreiben (Schritt S22).
  • Anschließend wird, wie in 6B dargestellt ist, ein Ausgangssignal der Source-Elektrode 42A des TFT 4A dem Operationsverstärker OP zugeführt. D. h., ein Ausgangssignal der Source-Elektrode 42A wird zum Operationsverstärker OP zurückgekoppelt.
  • Hierbei kann hinsichtlich der Struktur, gemäß der die Flüssigkristallschicht 4B eine Widerstandskomponente und eine kapazitive Komponente aufweist, ein Abschnitt, der aus dem Widerstand R1, dem Widerstand R2, der Flüssigkristallschicht 4B und dem Operationsverstärker OB gebildet wird, als eine Art Integrator betrachtet werden.
  • D. h., gemäß der in 6B dargestellten Schaltung erscheint, wenn die Widerstandskomponente oder die kapazitive Komponente in der Flüssigkristallschicht 4B sich ändert, diese Änderung als eine Änderung der Ausgangsspannung des Operationsverstärkers OP. Daher wird eine Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht 4B durch Erfassen dieser Änderung unter Verwendung des Monitors 33 gemessen (Schritt S23). Dieses Messverfahren wird nachstehend näher beschrieben.
  • 8 zeigt einen Graphen, der eine Pulsspannung anzeigt, wenn eine Pulsspannung unter Verwendung der in 6A dargestellten Schaltung in die Flüssigkristallschicht 4B geschrieben wird, (einen Graphen für einen Abtastmodus) und einen Graphen, der eine Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht 4B anzeigt, die durch die in 6B dargestellte Schaltung verursacht wird (einen Graphen für einen Haltemodus).
  • D. h., wie im Graph für einen Abtastmodus dargestellt ist, wird eine Pulsspannung für den Fall, dass die Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht 4B geschrieben wird, z. B. auf eine Pulsspannung mit einer Breite von 60 μs und einem Intervall von 16,67 ms gesetzt. Wenn eine derartige Pulsspannung zugeführt wird, nimmt eine Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht 4B zunächst den Wert V1 an und nimmt daraufhin ab. Hierbei ist ein Potenzial in der Flüssigkristallschicht 4B unmittelbar bevor der Flüssigkristallschicht 4B die nächste Pulsspannung zugeführt wird, durch V2 bezeichnet.
  • Dann wird die Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht 4B erhalten als ein Verhältnis zwischen einer Fläche S1 eines Trapezes, das durch die Abszisse (Zeitachse) und einen Potenzialänderungsgraphen (Potenziale V1 und V2) in der Flüssigkristallschicht 4B umschlossen ist (vergl. 9(a)), und einer Fläche S2 eines Rechtecks, das durch einen Graphen der Flüssigkristallschicht 4B, der erhalten wird, wenn das Potenzial der Flüssigkristallschicht 4B nicht von V1 abgenommen hat, und die Abszisse (Zeitachse) umschlossen ist (vergl. 9(a)) (vergl. den Graphen im Haltemodus). D. h., die Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht 4B ist durch S1/S2 bestimmt.
  • Wie vorstehend erläutert wurde, kann gemäß dieser ersten Ausführungsform ein Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels bereitgestellt werden, das eine präzise Messung verschiedener physikalischer Eigenschaften eines gewünschten Bereichs (Pixels) in der Flüssigkristallschicht des TFT-Flüssigkristall-Panels, das als ein tatsächliches Produkt verwendbar ist, durch eine elektrische Technik ermöglicht.
  • Insbesondere können die verschiedenen physikalischen Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 4B des TFT-Flüssigkristall-Panels 4 durch die elektrische Technik nicht gemessen werden, insofern das Potenzial Vg der Gate-Elektrode 41A des TFT 4A nicht auf dem vorgegebenen Potenzial gehalten wird, was eines der Hauptmerkmale der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die vorstehende Ausführungsform beschränkt, sondern kann innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung modifiziert und auf vielerlei Weisen angewendet werden.
  • Modifikation
  • Beispielsweise kann das in Verbindung mit 1B beschriebene Ersatzschaltbild mit der Vorrichtungskonfiguration, durch die die erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels realisiert wird, durch eine Schaltung mit einer in 10 dargestellten Konfiguration ersetzt werden. Nachstehend wird ein Unterschied zwischen der in 1B dargestellten Schaltung und der in 10 dargestellten Schaltung beschrieben.
  • Zunächst wird in der ersten Ausführungsform die (nachstehend als GND-Seite bezeichnete) Seite, die durch virtuelles Erden in der Messeinrichtung 2 auf Erdpotenzial gehalten wird, mit der Source-Elektrode 42A des TFT 4A verbunden.
  • In dieser Modifikation wird die GND-Seite der Messeinrichtung 2 dagegen über die Strommesseinheit 2A mit der Gegenelektrode 4C der Flüssigkristallschicht 4B verbunden, wie in 10 dargestellt ist.
  • Außerdem ist in der ersten Ausführungsform die Gegenelektrode 4C der Flüssigkristallschicht 4B des TFT-Flüssigkristall-Panels 4 mit einer (nachstehend als Potenzialfluktuationsseite bezeichneten) Seite verbunden, an der sich ein Potenzial aufgrund einer durch den Dreieckswellengenerator 2B in der Messeinrichtung 3 zugeführten Spannung ändert.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist die Source-Elektrode 42A des TFT 4A dagegen mit der Potenzialfluktuationsseite in der Messeinrichtung 2 verbunden, wie in 10 dargestellt ist.
  • Außerdem wird in dieser Modifikation ein Dreieckswellengenerator als Konstantspannungsquelle 6A verwendet, die zum Zuführen einer Konstantspannung zur Gate-Elektrode 41A des TFT 4A verwendet wird.
  • Der als Konstantspannungsquelle 6A verwendete Dreieckswellengenerator gibt eine Dreieckswelle aus, die versetzt ist, um eine Spannung auszugeben, die um einen vorgegebenen Wert höher ist als die Spannung, die der Source-Elektrode 42A des TFT 4A zugeführt wird. Dadurch wird eine der Haupteigenschaften der vorliegenden Erfindung ermöglicht, d. h. das Halten des Potenzials Vg der Gate-Elektrode 41A des TFT 4A auf dem vorgegebenen Potenzial.
  • Die Ausführungsform und die Modifikation sind nicht auf einen TN-Flüssigkristall beschränkt, sondern können auf Flüssigkristall-Panels angewendet werden, die verschiedene Strukturen verwenden, die auf verschiedenen Techniken basieren, z. B. auf einer IPS-(In-Plane-Switching) Technik.
  • Außerdem ist es bei einer tatsächlichen Messung ausreichend, wenn eine Impedanz zwischen einer Source- und einer Drain-Elektrode des TFT 4A vermindert wird, um zu vermeiden, dass die I-V-Kurve (vergl. 3 und 4(b)) stumpfwinklig wird.
  • Hierbei kann bei der Messung der verschiedenen physikalischen Eigenschaften bestätigt werden, ob eine Impedanz zwischen der Source- und der Drain-Elektrode des TFT 4 einen ausreichend kleinen Wert hat, indem beispielsweise die Ionendichte in der Flüssigkristallschicht 4B gemessen wird, während das Potenzial Vg der Gate-Elektrode 41A beispielsweise ausgehend von einem Potenzial V graduell erhöht wird (in einem typischen amorphen TFT oder einem n-Kanal-TFT wird eine Impedanz vermindert, wenn ein Wert des Potenzials Vg der Gate-Elektrode 41A erhöht wird), um zu prüfen, dass die V-I-Kurve nicht stumpfwinklig ist.
  • Außerdem können die verschiedenen physikalischen Eigenschaften unter Verwendung des Wertes des Potenzials Vg der Gate-Elektrode 41A gemessen werden, der durch die Messung erhalten wird, wenn die V-I-Kurve nicht stumpfwinklig ist. Beispielsweise wird in der Ausführungsform der Wert des Potenzials Vg der Gate-Elektrode 41A bei 10 V gehalten, um die Messung auszuführen. Außerdem wird, wenn ein Wert des Potenzials Vg der Gate-Elektrode 41A auf 0 V gesetzt wird, die V-I-Kurve stumpfwinklig, was für eine Messung ungeeignet ist.
  • Weil ein Wert des Potenzials Vg der Gate-Elektrode 41A und ein Wert der Impedanz zwischen der Source- und der Drain-Elektrode sich bei jedem Flüssigkristall-Panel-Produkt unterscheiden, ist das Potenzial von 10 V als Wert des Potenzials Vg der Gate-Elektrode 41A nicht unbedingt geeignet, und 0 V als Wert des Potenzials Vg der Gate-Elektrode ist natürlich nicht unbedingt ein ungeeigneter Wert.
  • Die jeweiligen physikalischen Eigenschaften werden einzeln gemessen, wenn in der Ausführungsform und in der Modifikation die physikalischen Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 4B und des Hilfskondensators 4E gemessen werden. Die physikalischen Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 4B und die physikalischen Eigenschaften des Hilfskondensators 4E können natürlich auch gleichzeitig gemessen werden. Die Messschaltung für diesen Fall ist beispielsweise in 11 dargestellt.
  • Hierbei besteht der Unterschied zwischen einer in 11 dargestellten Messschaltung, die die physikalischen Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 45 und die physikalischen Eigenschaften des Hilfskondensators 4E gleichzeitig misst, und der in 1B dargestellten Messschaltung darin, dass die Flüssigkristallschicht 4B und der Hilfskondensator 4E zum Dreieckswellengenerator 2B in der in 11 dargestellten Messschaltung parallelgeschaltet sind.
  • Wenn diese in 11 dargestellte Messschaltung zum Ausführen einer Messung basierend auf dem gleichen Messverfahren wie das in Verbindung mit der vorstehend beschriebenen Ausführungsform dargestellte Verfahren verwendet wird, können physikalische Eigenschaften erhalten werden, gemäß denen Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 4B mit Eigenschaften des Hilfskondensators 4E kombiniert sind. D. h., beispielsweise kann eine V-I-Kennlinie erhalten werden, bei der die Breite 23, die die Kapazität der Flüssigkristallschicht 4B anzeigt, wie in 3 dargestellt ist, um ein der Kapazität des Hilfskondensators 4E entsprechendes Maß erhöht ist. Außerdem können die verschiedenen physikalischen Eigenschaften anhand der V-I-Kennlinie erhalten werden, wie vorstehend erläutert wurde.
  • D. h., in der in 11 dargestellten Messschaltung kann, wenn das in Verbindung mit der ersten Ausführungsform beschriebene Messverfahren ausgeführt wird, ein kombinierter Strom aus einem Übergangsstrom, der durch die Flüssigkristallschicht 4B fließt, der die Dreieckswellenspannung zugeführt wird, und einem durch den Hilfskondensator 4E fließenden Übergangsstrom gemessen werden, um physikalische Eigenschaften zu erhalten, bei denen Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 45 mit Eigenschaften des Hilfskondensators 4E kombiniert sind.
  • Außerdem kann in den in den 12 und 13 dargestellten Schaltungen, wenn das Verfahren zum Messen der Spannungshaltestabilität angewendet wird, eine kombinierte Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht 4B und im zur Flüssigkristallschicht 4B parallelgeschalteten Hilfskondensator 4E gemessen werden.
  • 12 zeigt die Schaltung, die zum gleichzeitigen Schreiben einer Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht 4B und in den Hilfskondensator 4E verwendet wird. 13 zeigt die Schaltung, die zum Erfassen einer Änderung eines kombinierten Potenzials in der Flüssigkristallschicht 4B und im Hilfskondensator 4E verwendet wird.
  • Der Unterschied zwischen den in den 12 und 13 dargestellten Schaltungen und den in den 6A und 6B dargestellten Schaltungen besteht darin, dass der Hilfskondensator 4E in den Schaltungen der 12 und 13 zur Flüssigkristallschicht 4B parallelgeschaltet ist und im anderen Fall nicht.
  • Zweite Ausführungsform
  • Nachstehend wird eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
  • In der ersten Ausführungsform ist hauptsächlich das grundsätzliche Messprinzip des Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels erläutert worden. In der zweiten Ausführungsform wird nun ein spezifischeres Messverfahren ausführlich beschrieben.
  • 14A zeigt ein Strukturbeispiel einer Vorrichtung, durch die die zweite Ausführungsform des Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels realisiert wird. 15 zeigt ein Ablaufdiagramm der zweiten Ausführungsform des Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels.
  • Die zweite Ausführungsform des Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels wird nachstehend unter Bezug auf die 14A und 15 beschrieben. Inhalte, die sich mit der Beschreibung der ersten Ausführungsform decken, werden nicht näher erläutert.
  • Wie in 14A dargestellt ist, wird die zweite Ausführungsform des Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels durch eine Messeinrichtung 200 realisiert. D. h., die Messeinrichtung 200 misst verschiedene physikalische Eigenschaften eines gewünschten Bereichs in einem TFT-Flüssigkristall-Panel 400.
  • Die Messeinrichtung 200 weist Strommesseinheiten 200A1 bis 200An, die jeweils einen I/V-Verstärker aufweisen, einen Dreieckswellengenerator 200B, eine Gate-Potenzial-Halteeinheit 260, die zum Halten eines Potenzials Vg von später erläuterten Gate-Leitungen G1 bis Gm auf einem vorgegebenen Potenzial (VgH oder VgL) verwendet wird, und Umschalter 260A1 bis 260Am auf, die das Potenzial Vg der Gate-Leitungen G1 bis Gm schalten.
  • Wie in der Zeichnung dargestellt ist, weist das TFT-Flüssigkristall-Panel 400 Gate-Leitungen G1 bis Gm, Datenleitungen S1 bis Sn, TFTs 400A11 bis 400Amn, Flüssigkristallschichten 400B11 bis 400Bmn, Gegenelektroden 400C11 bis 400Cmn und Pixelelektroden 400D11 bis 400Dmn auf. D. h., im in der Zeichnung dargestellten Beispiel weist das TFT-Flüssigkristall-Panel 400 m×n Pixel auf.
  • Im Einzelnen sind beispielsweise, wie in der Zeichnung dargestellt ist, die Gate-Leitung G1 und die Datenleitung S1 mit dem TFT 400A11 verbunden, und die Gate-Leitung Gm und die Datenleitung Sn sind ähnlicherweise mit dem TFT 400Amn verbunden.
  • In der zweiten Ausführungsform misst die Messeinrichtung 200 mit der vorstehend beschriebenen Struktur physikalische Eigenschaften einer gewünschten der Flüssigkristallschichten 400B11 bis 400Bmn des TFT-Flüssigkristall-Panels 400. Ein (nachstehend als Mess-Zielbereich bezeichneter) Bereich, der aus den Flüssigkristallschichten gebildet wird, in denen physikalische Eigenschaften gemessen werden, ist ein Bereich, der zur vereinfachenden Beschreibung aus den Flüssigkristallschichten 400B11, 40B12, 400B13, 400B21, 400B22, 400B23, 400B31, 400B32 und 400B33 gebildet wird.
  • Zunächst werden die Strommesseinheiten 200A1 bis 200A3, die den jeweiligen Datenleitungen zugeordnet sind, mit den dem Mess-Zielbereich zugeordneten Datenleitungen S1 bis S3 verbunden (Schritt S11). Außerdem wird der Dreieckswellengenerator 200B mit einer für alle Pixel gemeinsamen Gegenelektrode verbunden (die in 14A zur Vereinfachung als einzelne Gegenelektroden 400C11 bis 400Cmn dargestellt ist).
  • Außerdem werden die Umschalter 260A1 bis 260A3 eingeschaltet, um das Potenzial Vg der dem Mess-Zielbereich zugeordneten Gate-Leitungen G1 bis G3 auf dem Potenzial VgH zu halten (Schritt S12). Hierbei ist das Potenzial VgH ein Potenzial, bei dem eine Impedanz jedes TFT (in diesem Beispiel jedes der TFTs 400A11 bis 400A33; wobei jeder TFT im Mess-Zielbereich nachstehend allgemein als TFT 400A bezeichnet wird) auf einen kleinen Wert eingestellt wird, bei dem eine Messung eines durch eine Flüssigkristallschicht 400B fließenden Stroms ermöglicht wird (in diesem Beispiel durch jede der Flüssigkristallschichten 400B11 bis B33; jede Flüssigkristallschicht im Mess-Zielbereich wird allgemein als Flüssigkristallschicht 400B bezeichnet).
  • Die Source-Elektroden 420A11 bis 420A33 des TFT 400A im Mess-Zielbereich werden allgemein als Source-Elektrode 420A bezeichnet, und die Drain-Elektroden 430A11 bis 430A33 des TFT 400A im Mess-Zielbereich werden allgemein als Drain-Elektrode 430A bezeichnet.
  • Unter Verwendung dieser Abkürzungen ist VgH ein Potenzial, durch das eine Impedanz zwischen der Source-Elektrode 420A und der Drain-Elektrode 430A des TFT 400A als der TFT im Mess-Zielbereich auf einen Wert eingestellt werden kann, bei dem zwischen der Source-Elektrode 420A und der Drain-Elektrode 430A des TFT 400A ein Strom fließen kann (ein detaillierter numerischer Wert entspricht dem in Verbindung mit der ersten Ausführungsform erläuterten Wert).
  • D. h., in der zweiten Ausführungsform wird eine dem Mess-Zielbereich zugeordnete Gate-Leitung auf dem vorgegebenen Potenzial gehalten, und eine dem Mess-Zielbereich zu geordnete Datenleitung wird mit der Strommesseinheit verbunden. Außerdem wird der Dreieckswellengenerator 200B mit der für alle Pixel gemeinsamen Gegenelektrode verbunden. Außerdem werden verschiedene physikalische Eigenschaften unter Verwendung des in Verbindung mit der ersten Ausführungsform beschriebenen Messverfahrens gemessen. Dadurch können die verschiedenen physikalischen Eigenschaften nur der Flüssigkristallschichten im Mess-Zielbereich präzise gemessen werden.
  • Das Potenzial Vg der Gate-Elektrode 410A wird zwar auf dem Potenzial VgH gehalten, das Potenzial Vg der Gate-Elektrode 410A muss allerdings nicht notwendigerweise auf einem festen Wert gehalten werden, so lange es ein Potenzial ist, gemäß dem die Impedanz des TFT 400A auf einen Wert eingestellt werden kann, bei dem ein Stromfluss zwischen der Source-Elektrode 420A und der Drain-Elektrode 430A des TFT ermöglicht wird.
  • D. h., das Potenzial Vg der Gate-Elektrode 410A kann sich mit der Zeit ändern, so lange durch das Potenzial die Impedanz des TFT 400A auf einen Wert eingestellt werden kann, bei dem ein Stromfluss zwischen der Source-Elektrode 420A und der Drain-Elektrode 430A des TFT ermöglicht wird.
  • Nach der Verarbeitung von Schritt S12 wird der Gegenelektrode 400C des TFT-Flüssigkristall-Panels 400 ein durch den Dreieckswellengenerator 200B erzeugtes Dreieckswellensignal zugeführt, und der Flüssigkristallschicht 400B wird eine sich zyklisch ändernde Spannung zugeführt (Schritt S13). Die Gegenelektroden 400C11 bis 400C33 im Mess-Zielbereich werden allgemein als Gegenelektrode 400C bezeichnet.
  • Nach der Verarbeitung von Schritt S13 wird ein durch die Flüssigkristallschicht 400B fließender Übergangsstrom gemessen (Schritt S14), um verschiedene physikalische Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 400B zu messen (Schritt S15). Ein Graph einer [Spannung V (Zeit t)]-[Strom I]-Kennlinie, die durch Messen des Übergangsstroms in Schritt S14 erhalten wird, und eine Beziehung zwischen dem Graphen und verschiedenen physikalischen Eigenschaften entsprechen denjenigen, die in Verbindung mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurden.
  • Potenziale der Datenleitungen und der Gate-Leitungen, die einem vom Mess-Zielbereich verschiedenen Bereich zugeordnet sind (der nachstehend als Nicht-Mess-Zielbereich bezeichnet wird) werden wie nachstehend ausführlich beschrieben wird gesetzt.
  • D. h., eine oder mehrere Datenleitungen, die dem Nicht-Mess-Zielbereich zugeordnet sind, können teilweise oder vollständig geerdet werden (auf Erdpotenzial gehalten werden), oder können auf irgendeinem anderen Potenzial gehalten werden, ohne dass sie geerdet sind (auf Erdpotenzial gehalten werden). D. h., das Potenzial jeder dem Nicht-Mess-Zielbereich zugeordneten Datenleitung kann auf einem beliebigen Potenzial gehalten werden, durch das die Messung im Mess-Zielbereich nicht beeinträchtigt wird.
  • Andererseits können eine oder mehrere Gate-Leitungen, die dem Nicht-Mess-Zielbereich zugeordnet sind, teilweise oder vollständig auf dem Potenzial VgL oder auf irgendeinem anderen Potenzial gehalten werden. D. h., es ist ausreichend, das Potenzial jeder dem Nicht-Mess-Zielbereich zugeordneten Gate-Leitung (im in 14 dargestellten Beispiel jeder der Gate-Leitungen G4, G5, ... und Gm) auf einem Wert zu halten, bei dem ein Strom, der über jede Flüssigkristallschicht (jede der Flüssigkristallschichten 400B41, 400B42, 400B43, 400B51, 400B52, 400B53, ..., 400Bm1, 400Bm2 und 400Bm3) im Nicht-Mess-Zielbereich, die mit der dem Mess-Zielbereich zugeordneten Source-Leitung verbunden ist, durch jede der Messeinheiten 200A1, 200A2 und 200A3 fließt, auf einen Wert eingestellt wird, der kleiner ist als der durch den Mess-Zielbereich fließende Strom.
  • Ob das Potenzial jeder dem Nicht-Mess-Zielbereich zugeordneten Gate-Leitung einen ausreichend kleinen Wert hat, kann basierend auf einer Messwellenform (vergl. 3) im Mess-Zielbereich entschieden werden, während das Potenzial VgL graduell vermindert wird.
  • Wenn beispielsweise das Potenzial jeder dem Nicht-Mess-Zielbereich zugeordneten Gate-Leitung nicht ausreichend klein ist, spiegelt sich ein Strom vom Nicht-Mess-Zielbereich in der Messwellenform wider. Ein Messstrom wird in diesem Fall derart berechnet, dass er größer ist als in dem Fall, in dem der Strom vom Nicht-Messbereich keinen Einfluss hat. Daher wird die Kapazität der Flüssigkristallschicht, die basierend auf der Messwellenform berechnet wird, in diesem Fall so berechnet, dass sie größer ist als die tatsächliche Kapazität. Außerdem wird in diesem Fall in einer derartigen in 3 dargestellten Messwellenform natürlich eine Störung oder ein ähnlicher Einfluss verursacht.
  • Es werden verschiedene Bereiche als Mess-Zielbereiche angenommen, und das Verfahren zum Messen verschiedener physikalischer Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels 400 wird nachstehend unter Bezug auf die 14B bis 14D beschrieben. Die Beschreibung bezieht sich nur auf Unterschiede bezüglich der Messvorrichtung und des Messverfahrens, die bezüglich der unter Bezug auf 14A beschrieben wurden, um eine wiederholte Beschreibung zu vermeiden.
  • 14B zeigt ein Strukturbeispiel einer Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften, wenn der Mess-Zielbereich der gesamten Fläche des TFT-Flüssigkristall-Panels 400 entspricht. Wie in der Zeichnung dargestellt ist, weist eine Messeinrichtung 200 eine Strommesseinheit 200A1 mit einem I/V-Verstärker, einen Dreieckswellengenerator 200B, eine Gate-Potenzial-Halteeinheit 260, die zum Halten eines Potenzials Vg von Gate-Leitungen G1 bis Gm auf einem vorgegebenen Potenzial (VgH oder VgL) verwendet wird, und einen Umschalter 260A1 auf, der zum Umschalten des Potenzials Vg der Gate-Leitungen G1 bis Gm verwendet wird.
  • Obgleich Einzelheiten später beschrieben werden, sind alle Gate-Leitungen (die Gate-Leitungen G1 bis Gm) über den Umschalter 260A1 mit der Gate-Potenzial-Halteeinheit 260 verbunden. Andererseits sind alle Datenleitungen (die Datenleitungen S1 bis Sn) mit der Strommesseinheit 200A1 verbunden. Außerdem ist der Dreieckswellengenerator 200B mit einer für alle Pixel gemeinsamen Gegenelektrode verbunden (die in 14B zur Vereinfachung als einzelne Gegenelektroden 400C11 bis 400Cmn dargestellt ist).
  • Die zweite Ausführungsform des Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels wird nachstehend unter Bezug auf ein in 15 dargestelltes Ablaufdiagramm beschrieben.
  • Zunächst wird die Strommesseinheit 200A1 mit den dem Mess-Zielbereich zugeordneten Datenleitungen S1 bis Sn verbunden (Schritt S11). Außerdem wird der Dreieckswellengenerator 200B mit der für alle Pixel gemeinsamen Gegenelektrode verbunden (die in 14B zur Vereinfachung als einzelne Gegenelektroden 400C11 bis 400Cmn dargestellt ist).
  • Außerdem wird der Umschalter 260A1 eingeschaltet, um das Potenzial Vg der dem Mess-Zielbereich zugeordneten Gate-Leitungen G1 bis Gm auf dem Potenzial VgH zu halten (Schritt S12). Hierbei ist das Potenzial VgH ein Potenzial, gemäß dem eine Impedanz jedes TFT (im vorliegenden Beispiel jedes der TFTs 400A11 bis 400Amn; jeder TFT im Mess-Zielbereich wird nachstehend allgemein als TFT 400A bezeichnet) auf einen kleinen Wert eingestellt wird, bei dem ein durch eine Flüssigkristallschicht 400B (im vorliegenden Beispiel durch jede der Flüssigkristallschichten 400B11 bis 400Bmn; jede Flüssigkristallschicht im Mess-Zielbereich wird nachstehend all gemein als Flüssigkristallschicht 400B bezeichnet) fließender Strom gemessen werden kann.
  • Die Source-Elektroden 420A11 bis 420Amn des TFT 400A im Mess-Zielbereich werden allgemein als Source-Elektrode 420A bezeichnet, und die Drain-Elektroden 430A11 bis 430Amn des TFT 400A im Mess-Zielbereich werden allgemein als Drain-Elektrode 430A bezeichnet.
  • Unter Verwendung dieser Abkürzungen ist VgH ein Potenzial, durch das die Impedanz zwischen der Source-Elektrode 420A und der Drain-Elektrode 430A des TFT 400A als der TFT im Mess-Zielbereich auf einen Wert eingestellt werden kann, bei dem zwischen der Source-Elektrode 420A und der Drain-Elektrode 430A des TFT 400A ein Strom fließen kann (ein detaillierter numerischer Wert entspricht dem in Verbindung mit der ersten Ausführungsform erläuterten Wert).
  • Nach der Verarbeitung von Schritt S12 wird der Gegenelektrode 400C des TFT-Flüssigkristall-Panels 400 ein durch den Dreieckswellengenerator 200B erzeugtes Dreieckswellensignal zugeführt, und der Flüssigkristallschicht 400B wird eine sich zyklisch ändernde Spannung zugeführt (Schritt S13). Die Gegenelektroden 400C11 bis 400Cmn im Mess-Zielbereich werden allgemein als Gegenelektrode 400C bezeichnet.
  • Nach der Verarbeitung von Schritt S13 wird ein durch die Flüssigkristallschicht 400B fließender Übergangsstrom gemessen (Schritt S14), um verschiedene physikalische Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 400B zu messen (Schritt S15). Ein Graph einer [Spannung V (Zeit t)]-[Strom I]-Kennlinie, die durch Messen des Übergangsstroms in Schritt S14 erhalten wird, und eine Beziehung zwischen dem Graphen und verschiedenen physikalischen Eigenschaften entsprechen denjenigen die in Verbindung mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurden.
  • 14C zeigt ein Strukturbeispiel einer Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften, wenn einer von zwei geteilten Bereichen (ein den Datenleitungen S1 bis Sk zugeordneter Bereich oder ein den Datenleitungen Sk + 1 bis Sn zugeordneter Bereich), der durch Teilen des TFT-Flüssigkristall-Panels 400 in der Querrichtung in zwei Teile erhalten wird, dem Mess-Zielbereich entspricht. Wie in der Zeichnung dargestellt ist, weist eine Messeinrichtung 200 Strommesseinheiten 200A1 und 200A2, die jeweils einen I/V-Verstärker aufweisen, einen Dreieckswellengenerator 200B, eine Gate-Potenzial-Halteeinheit 260, die ein Potenzial Vg von Gate-Leitungen G1 bis Gm auf einem vorgegebenen Potenzial (VgH oder VgL) hält, und einen Umschalter 260A1 auf, der zum Schalten des Potenzials Vg der Gate-Leitungen G1 bis Gm verwendet wird.
  • Obgleich Einzelheiten später beschrieben werden, sind alle Gate-Leitungen (die Gate-Leitungen G1 bis Gm) über den Umschalter 260A1 mit der Gate-Potenzial-Halteeinheit 260 verbunden. Andererseits sind die Datenleitungen S1 bis Sk mit der Strommesseinheit 200A1 und die Datenleitungen Sk + 1 bis Sn mit der Strommesseinheit 200A2 verbunden.
  • Außerdem ist der Dreieckswellengenerator 200B mit einer für alle Pixel gemeinsamen Gegenelektrode verbunden (die in 14B zur Vereinfachung als einzelne Gegenelektroden 400C11 bis 400Cmn dargestellt ist).
  • Die zweite Ausführungsform des Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels wird nachstehend unter Bezug auf 15 beschrieben. Hierbei wird ein Bereich, der den TFT enthält, der mit den Datenleitungen S1 bis Sk verbunden ist, als Mess-Zielbereich bestimmt.
  • Zunächst werden die dem Mess-Zielbereich zugeordneten Datenleitungen S1 bis Sk mit der Strommesseinheit 200A1 verbunden (Schritt S11). Außerdem wird der Dreieckswellengene rator 200B mit der für alle Pixel gemeinsamen Gegenelektrode verbunden (die in 14C zur Vereinfachung als einzelne Gegenelektroden 400C11 bis 400Cmn dargestellt ist).
  • Außerdem wird der Umschalter 260A1 eingeschaltet, um das Potenzial Vg der dem Mess-Zielbereich zugeordneten Gate-Leitungen G1 bis Gm auf dem Potenzial VgH zu halten (Schritt S12). Hierbei ist das Potenzial VgH ein Potenzial, gemäß dem eine Impedanz jedes TFT (im vorliegenden Beispiel wird jeder TFT im Mess-Zielbereich nachstehend allgemein als TFT 400A bezeichnet) im Mess-Zielbereich auf einen kleinen Wert eingestellt wird, bei dem ein durch die Flüssigkristallschicht 400B (jede Flüssigkristallschicht im Mess-Zielbereich wird nachstehend allgemein als Flüssigkristallschicht 400B bezeichnet) fließender Strom gemessen werden kann.
  • Jede Source-Elektrode des TFT 400A im Mess-Zielbereich wird allgemein als Source-Elektrode 420A bezeichnet, und jede Drain-Elektrode des TFT 400A im Mess-Zielbereich wird allgemein als Drain-Elektrode 430A bezeichnet.
  • Unter Verwendung dieser Abkürzungen ist VgH ein Potenzial, durch das die Impedanz zwischen der Source-Elektrode 420A und der Drain-Elektrode 430A des TFT 400A als der TFT im Mess-Zielbereich auf einen Wert eingestellt werden kann, bei dem zwischen der Source-Elektrode 420A und der Drain-Elektrode 430A des TFT 400A ein Strom fließen kann (ein detaillierter numerischer Wert entspricht dem in Verbindung mit der ersten Ausführungsform erläuterten Wert).
  • Nach der Verarbeitung von Schritt S12 wird der Gegenelektrode 400C des TFT-Flüssigkristall-Panels 400 ein durch den Dreieckswellengenerator 200B erzeugtes Dreieckswellensignal zugeführt, und der Flüssigkristallschicht 400B wird eine sich zyklisch ändernde Spannung zugeführt (Schritt S13). Jede Gegenelektrode Mess-Zielbereich wird allgemein als Gegenelektrode 400C bezeichnet.
  • Nach der Verarbeitung von Schritt S13 wird ein durch die Flüssigkristallschicht 400B fließender Übergangsstrom gemessen (Schritt S14), um verschiedene physikalische Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 400B zu messen (Schritt S15). Ein Graph einer [Spannung V (Zeit t)]-[Strom I]-Kennlinie, die durch Messen des Übergangsstroms in Schritt S14 erhalten wird, und eine Beziehung zwischen dem Graphen und den verschiedenen physikalischen Eigenschaften entsprechen denjenigen die in Verbindung mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurden.
  • Die durch das von der Strommesseinheit 200A1 zugeführte Messergebnis erhaltenen verschiedenen physikalischen Eigenschaften sind verschiedene physikalische Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 400B (im vorliegenden Beispiel jeder der Flüssigkristallschichten 400B11 bis 400Bmk), die dem mit den Datenleitungen S1 bis Sk verbundenen TFT 400A zugeordnet sind. Ähnlicherweise sind die durch das von der Strommesseinheit 200A2 zugeführte Messergebnis erhaltenen verschiedenen physikalischen Eigenschaften verschiedene physikalische Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 400B (im vorliegenden Beispiel jeder der Flüssigkristallschichten 400B1(k+1) bis 400Bmn), die dem mit den Datenleitungen Sk + 1 bis Sn verbundenen TFT 400A zugeordnet sind.
  • 14D zeigt ein Strukturbeispiel einer Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften, wenn einer von zwei geteilten Bereichen, der durch vertikales Teilen des TFT-Flüssigkristall-Panels 400 in zwei Teile erhalten wird (ein Bereich, der den Gate-Leitungen G1 bis Gk zugeordnet ist, oder ein Bereich, der den Gate-Leitungen Gk + 1 bis Gn zugeordnet ist), dem Mess-Zielbereich entspricht. Wie in der Zeichnung dargestellt ist, weist eine Messeinrichtung 200 eine Strommesseinheit 200A1 mit einem I/V-Verstärker, einen Dreieckswellengenerator 200B, eine Gate-Potenzial-Halteeinheit 260, die ein Potenzial Vg der Gate-Leitungen G1 bis Gm auf einem vorgegebenen Potenzial (VgH oder VgL) hält, einen Umschalter 260A1, der zum Schalten des Potenzials Vg der Gate-Leitungen G1 bis Gk verwendet wird, und einen Umschalter 260A2 auf, der zum Schalten des Potenzials Vg der Gate-Leitungen Gk + 1 bis Gm verwendet wird.
  • Obgleich Einzelheiten später beschrieben werden, sind die Gate-Leitungen G1 bis Gk über den Umschalter 260A1 mit der Gate-Potenzial-Halteeinheit 260 verbunden, und die Gate-Leitungen Gk + 1 bis Gm sind über den Umschalter 260A2 mit der Gate-Potenzial-Halteeinheit 260 verbunden. Andererseits sind die Datenleitungen S1 bis Sn mit der Strommesseinheit 200A1 verbunden.
  • Außerdem ist der Dreieckswellengenerator 200B mit einer für alle Pixel gemeinsamen Gegenelektrode verbunden (die in 14B zur Vereinfachung als einzelne Gegenelektroden 400C11 bis 400Cmn dargestellt ist).
  • Nachstehend wird die zweite Ausführungsform des Verfahrens zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels unter Bezug auf ein in 15 dargestelltes Ablaufdiagramm beschrieben. Hierbei ist ein Bereich, der den mit den Gate-Leitungen G1 bis Gk verbundenen TFT enthält, als Mess-Zielbereich bestimmt.
  • Zunächst werden die Datenleitungen S1 bis Sn mit der Strommesseinheit 200A1 verbunden (Schritt S11). Außerdem wird der Dreieckswellengenerator 200B mit der für alle Pixel gemeinsamen Gegenelektrode verbunden (die in 14D zur Vereinfachung als einzelne Gegenelektroden 400C11 bis 400Cmn dargestellt ist).
  • Außerdem wird der Umschalter 260A1 eingeschaltet, um das Potenzial Vg der dem Mess-Zielbereich zugeordneten Gate-Leitungen G1 bis Gk auf dem Potenzial VgH zu halten (Schritt S12). Hierbei ist das Potenzial VgH ein Potenzial, gemäß dem eine Impedanz jedes TFT (im vorliegenden Beispiel wird jeder TFT im Mess-Zielbereich allgemein als TFT 400A bezeichnet) im Mess-Zielbereich auf einen kleinen Wert eingestellt wird, bei dem ein durch die Flüssigkristallschicht 400B (im vorliegenden Beispiel wird jede Flüssigkristallschicht im Mess-Zielbereich allgemein als Flüssigkristallschicht 400B bezeichnet) fließender Strom gemessen werden kann.
  • Der Umschalter 260A2 wird ausgeschaltet, um das Potenzial Vg der Gate-Leitungen Gk + 1 bis Gm auf dem Potenzial VgL zu halten.
  • Jede Source-Elektrode des TFT 400A im Mess-Zielbereich wird allgemein als Source-Elektrode 420A bezeichnet, und jede Drain-Elektrode des TFT 400A im Mess-Zielbereich wird allgemein als Drain-Elektrode 430A bezeichnet.
  • Unter Verwendung dieser Abkürzungen ist VgH ein Potenzial, durch das die Impedanz zwischen der Source-Elektrode 420A und der Drain-Elektrode 430A des TFT 400A als der TFT im Mess-Zielbereich auf einen Wert eingestellt werden kann, bei dem zwischen der Source-Elektrode 420A und der Drain-Elektrode 430A des TFT 400A ein Strom fließen kann (ein detaillierter numerischer Wert entspricht dem in Verbindung mit der ersten Ausführungsform erläuterten Wert).
  • Nach der Verarbeitung von Schritt S12 wird der Gegenelektrode 400C des TFT-Flüssigkristall-Panels 400 ein durch den Dreieckswellengenerator 200B erzeugtes Dreieckswellensignal zugeführt, und der Flüssigkristallschicht 400B wird eine sich zyklisch ändernde Spannung zugeführt (Schritt S13). Jede Gegenelektrode im Mess-Zielbereich wird allgemein als Gegenelektrode 400C bezeichnet.
  • Nach der Verarbeitung von Schritt S13 wird ein durch die Flüssigkristallschicht 400B fließender Übergangsstrom gemessen (Schritt S14), um verschiedene physikalische Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 400B zu messen (Schritt S15). Ein Graph einer [Spannung V (Zeit t)]-[Strom I]-Kennlinie, die durch Messen des Übergangsstroms in Schritt S14 erhalten wird, und eine Beziehung zwischen dem Graphen und verschiedenen physikalischen Eigenschaften entsprechen denjenigen die in Verbindung mit der ersten Ausführungsform beschrieben wurden.
  • Wenn die Umschalter 260A1 und 260A2 geschaltet werden, um das Potenzial der Gate-Leitungen G1 bis Gk bei VgH und das Potenzial der Gate-Leitungen Gk + 1 bis Gm bei VgL zu halten, sind die verschiedenen physikalischen Eigenschaften, die anhand des von der Strommesseinheit 200A1 zugeführten Messergebnisses erhalten werden, verschiedene physikalische Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 400B (im vorliegenden Beispiel jeder der Flüssigkristallschichten 400B11 bis 400Bkn), die dem mit den Gate-Leitungen G1 bis Gk verbundenen TFT 400A zugeordnet sind. Ähnlicherweise sind, wenn die Umschalter 260A1 und 260A2 geschaltet werden, um das Potenzial der Gate-Leitungen Gk + 1 bis Gm bei VgH und das Potenzial der Gate-Leitungen G1 bis Gk bei VgL zu halten, die verschiedenen physikalischen Eigenschaften, die anhand des von der Strommesseinheit 200A1 zugeführten Messergebnisses erhalten werden, verschiedene physikalische Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 400B (im vorliegenden Beispiel jeder der Flüssigkristallschichten 400B(k+1)1 bis 400Bmn), die dem mit den Gate-Leitungen Gk + 1 bis Gm verbundenen TFT 400A zugeordnet sind.
  • Nachstehend wird unter Bezug auf die 16A und 16B ein Verfahren zum Bestimmen einer Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht in der zweiten Ausführungsform beschrieben.
  • 16A zeigt eine Schaltung, die zum Schreiben einer Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht 400B verwendet wird, und 16B zeigt eine Schaltung, die zum Erfassen einer Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht 400B verwendet wird. 17 zeigt ein Ablaufdiagramm des Verfahrens zum Bestimmen einer Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht 400B.
  • Zum Erfassen einer Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht 400B durch den Monitor 330 wird das Potenzial Vg der Gate-Elektrode 410A des TFT 400A durch eine Konstantspannungsquelle 60A konstant bei einem vorgegebenen Potenzial gehalten, wie in den 16A und 16B dargestellt ist (Schritt S31).
  • In der Schaltung, die zum Schreiben einer Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht 400B verwendet wird, wird eine Spannungszufuhreinheit 310, die aus einem Widerstand R1, einem Widerstand R2 und einem Operationsverstärker OP gebildet wird, mit dem TFT-Flüssigkristall-Panel 400 verbunden, das den TFT 400A und die Flüssigkristallschicht 400B aufweist. D. h., die Spannungszufuhreinheit 310 schreibt eine Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht 400B (Schritt S32).
  • Die Spannungszufuhreinheit 310 ist mit einer (nicht dargestellten) Spannungsquelle verbunden, die die Pulsspannung erzeugt. D. h., die (nicht dargestellte) Spannungsquelle führt der Spannungszufuhreinheit 310 ein Spannungssignal zu.
  • Außerdem sind die Spannungszufuhreinheit 310 und das TFT-Flüssigkristall-Panel 400 mit dem Monitor 330 verbunden, der zum Erfassen einer Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht 400B über den Widerstand R3 verwendet wird. Außerdem ist die Source-Elektrode 420A des TFT 400A geerdet.
  • Mit der in 16A dargestellten, vorstehend beschriebenen Schaltungskonfiguration wird eine Pulsspannung, die durch das Verhältnis zwischen dem Widerstandswert des Widerstands R1 und dem Widerstandswert des Widerstands R2 in der Spannungszufuhreinheit 310 bestimmt ist, der Flüssigkristallschicht 400B durch die (nicht dargestellte) Spannungsquelle zugeführt, wodurch die Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht 400B geschrieben wird (Schritt S32).
  • Anschließend wird die Struktur auf ein in 16B dargestelltes Gegenstück geschaltet, um dem Operationsverstärker OP ein Ausgangssignal der Source-Elektrode 420A des TFT 400A zuzuführen. D. h., ein Ausgangssignal der Source-Elektrode 420 wird zum Operationsverstärker OP zurückgekoppelt.
  • Zu diesem Zeitpunkt wird das Signal der Source-Elektrode 420A nur des TFT 400A, der der Flüssigkristallschicht 400B im Mess-Zielbereich zugeordnet ist, dem Operationsverstärker OP zugeführt, und die Source-Elektrode des TFT, der einer Flüssigkristallschicht außerhalb des Mess-Zielbereichs zugeordnet ist, ist geerdet.
  • Hinsichtlich der Struktur, gemäß der die Flüssigkristallschicht 400B eine Widerstandskomponente und eine kapazitive Komponente aufweist, kann ein Abschnitt, der aus dem Widerstand R1, dem Widerstand R2, der Flüssigkristallschicht 400B und dem Operationsverstärker OP gebildet wird, als eine Art Integrator betrachtet werden.
  • D. h., gemäß der in 16B dargestellten Schaltung erscheint, wenn die Widerstandskomponente oder die kapazitive Komponente in der Flüssigkristallschicht 400B sich ändert, diese Änderung als eine Änderung in der Ausgangsspannung des Operationsverstärkers OP. Daher wird, wenn diese Änderung durch den Monitor 330 erfasst wird und das in Verbindung mit der ersten Ausführungsform beschriebene Messverfahren verwendet wird, eine Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht 400B gemessen (Schritt S33).
  • Wie vorstehend erläutert wurde, kann gemäß der zweiten Ausführungsform ein Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels bereitgestellt werden, das unter Verwendung einer elektrischen Technik eine exakte Messung verschiedener phyikalischer Eigenschaften eines gewünschten Bereichs (Pixels) der Flüssigkristallschicht des TFT-Flüssigkristall-Panels ermöglicht, das als tatsächliches Produkt verwendet wird.
  • Insbesondere kann eine Messung der verschiedenen physikalischen Eigenschaften der Flüssigkristallschicht 4B des TFT-Flüssigkristall-Panels 4 basierend auf einer elektrischen Technik so lange nicht ausgeführt werden, bis das Potanzial Vg der Gate-Elektrode 41A des TFT 4A bei dem vorgegebenen Potenzial gehalten wird, was eines der Hauptmerkmale der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung basierend auf der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform beschrieben worden ist, ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt, sondern innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Erfindung sind verschiedene Modifikationen und Anwendungen möglich.
  • Beispielsweise kann ”das Verfahren zum gleichzeitigen Messen physikalischer Eigenschaften der Flüssigkristallschicht und des Hilfskondensators”, das unter Bezug auf 11 als Modifikation der ersten Ausführungsform beschrieben worden ist, natürlich auch auf die zweite Ausführungsform angewendet werden.
  • Ähnlicherweise kann ”das Verfahren zum Messen einer kombinierten Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht und des bei der Messung der Spannungshaltestabilität zur Flüssigkristallschicht parallelgeschalteten Hilfskondensators”, das unter Bezug auf die 12 und 13 als Modifikation der ersten Ausführungsform beschrieben worden ist, natürlich auch auf die zweite Ausführungsform angewendet werden.
  • Hinsichtlich der zweiten Ausführungsform ist die Anzahl der Strommesseinheiten 200A1 bis 200An nicht auf n beschränkt, wobei n der Anzahl der Pixelspalten entspricht, sondern es kann ausreichend sein, mindestens eine Strommesseinheit bereitzustellen. Beispielsweise kann, wenn nur eine einzige Strommesseinheit bereitgestellt wird, die Strommesseinheit sequenziell mit des Datenleitungen S1 bis Sn verbunden werden, um den aus mehreren Spalten gebildeten Mess-Zielbereich zu messen.
  • Wenn die Anzahl der Strommesseinheiten erhöht wird, kann natürlich die für die Messung erforderliche Zeit verkürzt werden.
  • Die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen stellen lediglich verschiedene Beispiele der Erfindung dar, und basierend auf geeigneten Kombinationen mehrerer der beschriebenen Elemente und Komponenten sind andere Ausführungsformen realisierbar. Beispielsweise kann, insofern die vorstehend beschriebenen Probleme gelöst und die erfindungsgemäßen Wirkungen erzielt werden können, auch wenn mehrere Elemente oder Komponenten von allen in Verbindung mit den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen dargestellten Elementen und Komponenten eliminiert werden, eine erfindungsgemäße Ausführungsform erhalten werden, in der diese Elemente und Komponente eliminiert sind.
  • Zusammenfassung
  • Verfahren und Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels
  • Durch die vorliegende Erfindung wird ein Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) bereitgestellt, wobei das Verfahren die Schritte aufweist: einen Impedanzeinstellschritt (Schritte S1, S11 und S12) zum Einstellen der Impedanz zwischen der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) eines TFT (4A, 400A) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) auf einen Wert, der kleiner oder gleich einem vorgegebenen Wert ist; einen Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) zum Zuführen einer sich zyklisch ändernden Spannung zu einer Flüssigkristallschicht (4B, 400B) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400); und einen Schritt zum Messen physikalischer Eigenschaften (Schritte S3, S4, S14 und S15) zum Messen eines Übergangsstroms, der durch die Flüssigkristallschicht (4B, 400B) fließt, der im Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) die sich zyklisch ändernde Spannung zugeführt wird, zum Messen physikalischer Eigenschaften der Flüssigkristallschicht (4B, 400B).
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 2001-264805 A [0004, 0005, 0006, 0008]

Claims (52)

  1. Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400), gekennzeichnet durch: einen Impedanzeinstellschritt (Schritte S1, S11 und S12) zum Einstellen der Impedanz zwischen der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) eines TFT (4A, 400A) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) auf einen Wert, der kleiner oder gleich einem vorgegebenen Wert ist; einen Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) zum Zuführen einer sich zyklisch ändernden Spannung zu einer Flüssigkristallschicht (4B, 400B) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400); und einen Schritt zum Messen physikalischer Eigenschaften (Schritte S3, S4, S14 und S15) zum Messen eines Übergangsstroms, der durch die Flüssigkristallschicht (4B, 400B) fließt, welcher im Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) die sich zyklisch ändernde Spannung zugeführt wird, zum Messen physikalischer Eigenschaften der Flüssigkristallschicht (4B, 400B).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Impedanzeinstellschritt (Schritte S1, S11 und S12) die Impedanz zwischen der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) des TFT (4A, 400A) auf einen Wert eingestellt wird, bei dem durch Zuführen einer vorgegebenen Spannung zur Gate-Elektrode (41A, 410A) des TFT (4A, 400A) ein Stromfluss zwischen der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) des TFT (4A, 400A) ermöglicht wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass Flüssigkristallmoleküle in der Flüssigkristallschicht (4B, 400B) durch ein elektrisches Feld ausgerichtet werden, das durch eine Pixelelektrode (4D, 400D), die durch den TFT (4A, 400A) angesteuert wird, und eine gemeinsame Elektrode (4C, 400C) erzeugt wird, die in Zuordnung zur Pixelelektrode (4C, 400D) angeordnet ist; und der gemeinsamen Elektrode (4C, 400C) im Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) als sich zyklisch ändernde Spannung eine Dreieckswellenspannung zugeführt wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die vorgegebene Spannung höher ist als die der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) des TFT (4A, 400A) zugeführte Spannung.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass im Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) das Potenzial der Source-Elektrode (42A, 420A) des TFT (4A, 400A) auf Erdpotenzial gehalten wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass im Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) das Potenzial der Source-Elektrode (42A, 420A) des TFT (4A, 400A) durch virtuelles Erden auf Erdpotenzial gehalten wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die physikalischen Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) mindestens einer der folgenden Eigenschaften entsprechen: dem Widerstand der Flüssigkristallschicht (4B, 400B), der Kapazität der Flüssigkristallschicht (4B, 400B), der Schaltspannung der Flüssigkristallschicht (4B, 400B), der Ionendichte der Flüssigkristallschicht (4B, 400B) und der Ionenmobilität der Flüssigkristallschicht (4B, 400B).
  8. Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400), gekennzeichnet durch: einen Impedanzeinstellschritt (Schritte S1, S11 und S12) zum Einstellen der Impedanz zwischen der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) eines TFT (4A, 400A) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) auf einen Wert, der kleiner oder gleich einem vorgegebenen Wert ist; einen Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) zum Zuführen einer sich zyklisch ändernden Spannung zu einem Hilfskondensator (4E), der zu einer Flüssigkristallschicht (4B, 400B) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) parallelgeschaltet ist; und einen Schritt zum Messen physikalischer Eigenschaften (Schritte S3, S4, S14 und S15) zum Messen eines Übergangsstroms, der durch den Hilfskondensator (4E) fließt, welchem im Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) die sich zyklisch ändernde Spannung zugeführt wird, zum Messen physikalischer Eigenschaften des Hilfskondensators (4E).
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass im Impedanzeinstellschritt (Schritte S1, S11 und S12) die Impedanz zwischen der Source-Elektrode (42Aa, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) des TFT (4A, 400A) auf einen Wert eingestellt wird, bei dem durch Zuführen einer vorgegebenen Spannung zur Gate-Elektrode (41A, 410A) des TFT (4A, 400A) ein Stromfluss zwischen der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) des TFT (4A, 400A) ermöglicht wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die sich zyklisch ändernde Spannung eine Dreieckswellenspannung ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die vorgegebene Spannung höher ist als die der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) des TFT (4A, 400A) zugeführte Spannung.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass ein Potenzial der Source-Elektrode (42A, 420A) des TFT (4A, 400A) während der Messung physikalischer Eigenschaften des Hilfskondensators (4E) auf Erdpotenzial gehalten wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die physikalischen Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) dem Widerstand des Hilfskondensators (4E) und/oder der Kapazität des Hilfskondensators entsprechen.
  14. Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400), gekennzeichnet durch: einen Schritt (Schritte S21 und S31) zum Zuführen einer vorgegebenen Spannung zu einer Gate-Elektrode (41A, 410A) eines TFT (4A, 400A) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400); einen Schritt (Schritte S22 und S32) zum Schreiben einer Pulsspannung in eine Flüssigkristallschicht (4B, 440B) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400); und einen Schritt (Schritte S23 und S33) zum Erfassen einer Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht (4B, 440B), in die die Pulsspannung geschrieben wurde, zum Messen einer Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht (4B, 400B).
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die vorgegebene Spannung einen Wert hat, gemäß dem die Impedanz zwischen der Source- und der Drain-Elektrode des TFT (4A, 400A) auf einen Wert eingestellt wird, bei dem ein Stromfluss zwischen der Source-Elektrode (42Aa, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) des TFT ermöglicht wird.
  16. Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400), gekennzeichnet durch: einen Impedanzeinstellschritt (Schritte S1, S11 und S12) zum Einstellen der Impedanz zwischen der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) eines TFT (4A, 400A) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) auf einen Wert, der kleiner oder gleich einem vorgegebenen Wert ist; einen Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) zum Zuführen einer sich zyklisch ändernden Spannung zu einer Flüssigkristallschicht (4B, 400B) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) und zu einem Hilfskondensator (4E), der zur Flüssigkristallschicht (4B, 400B) parallelgeschaltet ist; und einen Schritt zum Messen physikalischer Eigenschaften (Schritte S3, S4, S14 und S15) zum Messen eines kombinierten Stroms aus einem Übergangsstrom, der durch die Flüssigkristallschicht (4B, 400B) fließt, und einem Übergangsstrom, der durch den Hilfskondensator (4E) fließt, denen im Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) die sich zyklisch ändernde Spannung zugeführt wird, zum Messen physikalischer Eigenschaften als eine Kombination von Eigenschaften der Flüssigkristallschicht (4B, 400B) und des Hilfskondensators (4E).
  17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass im Impedanzeinstellschritt (Schritte S1, S11 und S12) die Impedanz zwischen der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) des TFT (4A, 400A) auf einen Wert eingestellt wird, bei dem durch Zuführen einer vorgegebenen Spannung zur Gate-Elektrode (41A, 410A) des TFT (4A, 400A) ein Stromfluss zwischen der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) des TFT (4A, 400A) ermöglicht wird.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass Flüssigkristallmoleküle in der Flüssigkristallschicht (4B, 400B) durch ein elektrisches Feld ausgerichtet werden, das durch eine Pixelelektrode (4D, 400D), die durch den TFT (4A, 400A) angesteuert wird, und eine gemeinsame Elektrode (4C, 400C) erzeugt wird, die in Zuordnung zur Pixelelektrode (4C, 400D) angeordnet ist; und der gemeinsamen Elektrode (4C, 400C) im Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) als die sich zyklisch ändernde Spannung eine Dreieckswellenspannung zugeführt wird.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die vorgegebene Spannung höher ist als die der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) des TFT (4A, 400A) zugeführte Spannung.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass im Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) ein Potenzial der Source-Elektrode (42A, 420A) des TFT (4A, 400A) auf Erdpotenzial gehalten wird.
  21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass im Spannungszufuhrschritt (Schritte S2 und S13) das Potenzial der Source-Elektrode (42A, 420A) des TFT (4A, 400A) durch virtuelles Erden auf Erdpotenzial gehalten wird.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die physikalischen Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) mindestens einer der folgenden Eigenschaften entsprechen: dem kombinierten Widerstand der Flüssigkristallschicht (4B, 400B) und des Hilfskondensators (4E), der kombinierten Kapazität der Flüssigkristallschicht (4B, 400B) und des Hilfskondensators (4E), der Schaltspannung der Flüssigkristallschicht (4B, 400B), der Ionendichte der Flüssigkristallschicht (4B, 400B) und der Ionenmobilität der Flüssigkristallschicht (4B, 400B).
  23. Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400), gekennzeichnet durch: einen Schritt (Schritte S21 und S31) zum Zuführen einer vorgegebenen Spannung zu einer Gate-Elektrode (41A, 410A) eines TFT (4A, 400A) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400); einen Schritt (Schritte S22 und S32) zum Schreiben einer Pulsspannung in eine Flüssigkristallschicht (4B, 440B) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) und in einen zur Flüssigkristallschicht (4B, 400B) parallelgeschalteten Hilfskondensator (4E); und einen Schritt (Schritte S23 und S33) zum Erfassen einer Änderung eines kombinierten Potenzials der Flüssigkristallschicht (4B, 440B) und des Hilfskondensators (4E), in die die Pulsspannung geschrieben ist, zum Messen einer kombinierten Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht (4B, 400B) und im Hilfskondensator (4E)
  24. Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400), dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung aufweist: eine Dreieckswellenerzeugungseinheit (2B, 200B), die einer Flüssigkristallschicht (4B, 440B) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) eine Dreieckswellenspannung zuführt; eine Messeinheit (2, 200) zum Messen eines Übergangsstroms, der durch die Flüssigkristallschicht (4B, 400B) fließt, der durch die Dreieckswellenerzeugungseinheit (2B, 200B) die Dreieckswellenspannung zugeführt wird; und eine Gate-Potenzial-Halteeinheit (6A, 60A, 260), die einer Gate-Elektrode (41A, 410A) eines TFT (4A, 400A) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) eine vorgegebene Spannung zuführt.
  25. Vorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die vorgegebene Spannung einen Wert hat, gemäß dem die Impedanz zwischen der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) des TFT (4A, 400A) auf einen Wert eingestellt wird, bei dem ein Stromfluss zwischen der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) des TFT (4A, 400A) ermöglicht wird.
  26. Vorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die vorgegebene Spannung dem Maximalwert der Dreieckswellenspannung gleicht.
  27. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 24 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass ein Potenzial der Source-Elektrode (42A, 420A) des TFT (4A, 400A) während der Messung physikalischer Eigenschaften der Flüssigkristallschicht (4B, 400B) auf Erdpotenzial gehalten wird.
  28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass das Potenzial der Source-Elektrode (42A, 420A) des TFT (4A, 400A) durch virtuelles Erden auf Erdpotenzial gehalten wird.
  29. Vorrichtung nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass die physikalischen Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) mindestens einer der folgenden Eigenschaften entsprechen: dem Widerstand der Flüssigkristallschicht (4B, 400B), der Kapazität der Flüssigkristallschicht (4B, 400B), der Schaltspannung der Flüssigkristallschicht (4B, 400B), der Ionendichte der Flüssigkristallschicht (4B, 400B), der Ionenmobilität der Flüssigkristallschicht (4B, 400B), dem Widerstand des Hilfskondensators (4E) und der Kapazität des Hilfskondensators (4E).
  30. Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400), dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung aufweist: eine Pulsspannungszufuhrschaltung (31, 310), die eine Pulsspannung in eine Flüssigkristallschicht (4B, 400B) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) schreibt; eine Potenzialänderungserfassungsschaltung (31, 310), die eine Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht (4B, 400B) erfasst, der durch die Pulsspannungszufuhrschaltung (31, 310) die Pulsspannung zugeführt wird, um eine Spannungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht (4B, 400B) zu messen; und eine Gate-Potenzial-Halteschaltung (6A, 60A, 260), die einer Gate-Elektrode (41A, 410A) eines TFT (4A, 400A) des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) eine vorgegebene Spannung zuführt.
  31. Vorrichtung nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, dass die vorgegebene Spannung einen Wert hat, gemäß dem die Impedanz zwischen der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) des TFT (4A, 400A) auf einen Wert eingestellt wird, bei dem ein Stromfluss zwischen der Source-Elektrode (42A, 420A) und der Drain-Elektrode (43A, 430A) des TFT (4A, 400A) ermöglicht wird.
  32. Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften einer Flüssigkristallschicht (400B) in einem TFT-Flüssigkristall-Panel (400), gekennzeichnet durch: einen Impedanzeinstellschritt (Schritte S11 und S12) zum Verbinden einer Strommesseinheit (200A) mit einer einem TFT (400A) in einem Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels (400) zugeordneten Datenleitung (S) und zum Halten eines Potenzials einer dem TFT (400A) im Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaf ten zugeordneten Gate-Leitung (G) auf einem vorgegebenen Potenzial; einen Spannungszufuhrschritt (Schritt S13) zum Zuführen einer sich zyklisch ändernden Spannung zur Flüssigkristallschicht (400B) im Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften; und einen Schritt zum Messen physikalischer Eigenschaften (Schritte S14 und S15) zum Messen eines Übergangsstroms, der durch die Flüssigkristallsschicht (400B) fließt, welcher im Spannungszufuhrschritt die sich zyklisch ändernde Spannung zugeführt wird, zum Messen physikalischer Eigenschaften der Flüssigkristallschicht (400B).
  33. Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, dass das vorgegebene Potenzial einen Wert hat, gemäß dem die Impedanz zwischen der Source-Elektrode (420A) und der Drain-Elektrode (430A) des TFT (400A) auf einen Wert eingestellt wird, bei dem ein Stromfluss zwischen der Source-Elektrode (420A) und der Drain-Elektrode (430A) des TFT (400A) ermöglicht wird, indem der Gate-Elektrode (410A) des TFT (400A) im Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften eine vorgegebene Spannung zugeführt wird.
  34. Verfahren nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, dass Flüssigkristallmoleküle in der Flüssigkristallschicht (400B) durch ein elektrisches Feld ausgerichtet werden, das durch eine Pixelelektrode (400D), die durch den TFT (400A) angesteuert wird, und eine gemeinsame Elektrode (400C) erzeugt wird, die in Zuordnung zur Pixelelektrode (400D) angeordnet ist; und der gemeinsamen Elektrode (400C) im Spannungszufuhrschritt (Schritt S13) als die sich zyklisch ändernde Spannung eine Dreieckswellenspannung zugeführt wird.
  35. Verfahren nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, dass die vorgegebene Spannung höher ist als die der Source-Elektrode (420A) und der Drain-Elektrode (430A) des TFT (400A) zugeführte Spannung.
  36. Verfahren nach Anspruch 35, dadurch gekennzeichnet, dass im Spannungszufuhrschritt (Schritt S13) ein Potenzial der Source-Elektrode (420A) des TFT (400A) auf Erdpotenzial gehalten wird.
  37. Verfahren nach Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet, dass im Spannungszufuhrschritt (Schritt S13) das Potenzial der Source-Elektrode (420A) des TFT (400A) durch virtuelles Erden auf Erdpotenzial gehalten wird.
  38. Verfahren nach einem der Ansprüche 32 bis 37, dadurch gekennzeichnet, dass die physikalischen Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels (400) mindestens einer der folgenden Eigenschaften entsprechen: dem Widerstand der Flüssigkristallschicht (400B), der Kapazität der Flüssigkristallschicht (400B), der Schaltspannung der Flüssigkristallschicht (400B), der Ionendichte der Flüssigkristallschicht (400B) und der Ionenmobilität der Flüssigkristallschicht (400B).
  39. Verfahren zum Messen physikalischer Eigenschaften eines Flüssigkristall-Panels (400), gekennzeichnet durch: einen Impedanzeinstellschritt (Schritte S11 und S12) zum Verbinden einer Strommesseinheit (200A) mit einer einem TFT (400A) in einem Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels (400) zugeordneten Datenleitung (S) und zum Halten eines Potenzials einer dem TFT (400A) im Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften zugeordneten Gate-Leitung (G) auf einem vorgegebenen Potenzial; einen Spannungszufuhrschritt (Schritt S13) zum Zuführen einer sich zyklisch ändernden Spannung zu einem zur Flüssigkristallschicht (400B) im Mess-Zielbereich für physikalische Eigenschaften parallelgeschalteten Hilfskondensator (4E); und einen Schritt zum Messen physikalischer Eigenschaften (Schritte S14 und S15) zum Messen eines Übergangsstroms, der durch den Hilfskondensator (4E) fließt, welchem im Spannungszufuhrschritt (Schritt S13) die sich zyklisch ändernde Spannung zugeführt wird, zum Messen physikalischer Eigenschaften des Hilfskondensators.
  40. Verfahren nach Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, dass im Impedanzeinstellschritt (Schritte S11 und S12) die Impedanz zwischen der Source-Elektrode (420A) und der Drain-Elektrode (430A) des TFT (400A) auf einen Wert eingestellt wird, bei dem durch Zuführen einer vorgegebenen Spannung zur Gate-Elektrode (410A) des TFT (400A) ein Stromfluss zwischen der Source-Elektrode (420A) und der Drain-Elektrode (430A) des TFT (400A) ermöglicht wird.
  41. Verfahren nach Anspruch 40, dadurch gekennzeichnet, dass die sich zyklisch ändernde Spannung eine Dreieckswellenspannung ist.
  42. Verfahren nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, dass die vorgegebene Spannung höher ist als die der Source-Elektrode (420A) und der Drain-Elektrode (430A) des TFT (400A) zugeführte Spannung.
  43. Verfahren nach Anspruch 42, dadurch gekennzeichnet, dass ein Potenzial der Source-Elektrode (420A) des TFT (400A) auf Erdpotenzial gehalten wird, während physikalische Eigenschaften des Hilfskondensators (4E) gemessen werden.
  44. Verfahren nach einem der Ansprüche 39 bis 43, dadurch gekennzeichnet, dass die physikalischen Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels (400) dem Widerstand des Hilfskondensators (4E) und/oder der Kapazität des Hilfskondensators (4E) entsprechen.
  45. Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften einer Flüssigkristallschicht (400B) in einem TFT-Flüssigkristall-Panel (400), dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung aufweist: eine Konstantspannungsquelle (60A), die einer Gate-Elektrode (410A) eines TFT (400A) in einem Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels (400A) eine vorgegebene Spannung zuführt; eine Spannungszufuhreinheit (R1, R2, OP), die eine Pulsspannung in die Flüssigkristallschicht (400B) des TFT-Flüssigkristall-Panels (400) im Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften schreibt; eine Messeinheit (OP, 330), die eine Potenzialänderung in der Flüssigkristallschicht (400B) erfasst, in die die Pulsspannung geschrieben wurde, um eine Span nungshaltestabilität der Flüssigkristallschicht (400B) zu messen; und eine Rückkopplungseinheit, die ein Ausgangssignal von einer Source-Elektrode (420A) des TFT (400A) im Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften an die Spannungszufuhreinheit (OP) zurückkoppelt, wenn die Spannungshaltestabilität durch die Messeinheit gemessen wird.
  46. Vorrichtung nach Anspruch 45, dadurch gekennzeichnet, dass die vorgegebene Spannung einen Wert hat, gemäß dem die Impedanz zwischen der Source- und der Drain-Elektrode des TFT (400A) auf einen Wert eingestellt wird, bei dem ein Stromfluss zwischen der Source-Elektrode (420A) und der Drain-Elektrode (430A) des TFT (400A) ermöglicht wird.
  47. Vorrichtung zum Messen physikalischer Eigenschaften eines TFT-Flüssigkristall-Panels (400), dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung aufweist: eine Gate-Potenzial-Halteeinheit (260), die ein Potenzial einer einem TFT (400A) in einem Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels (400) zugeordneten Gate-Leitung auf einem vorgegebenen Potenzial hält; eine Dreieckswellenerzeugungseinheit (200B), die einer Flüssigkristallschicht (400B) des TFT-Flüssigkristall-Panels (400) eine Dreieckswellenspannung zuführt; und eine Strommesseinheit (200A), die mit einer dem TFT (400A) im Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften zugeordneten Datenleitung (S) verbunden ist und einen Übergangsstrom mißt, der durch die Flüssigkristallschicht (400B) fließt, der die Dreiecks wellenspannung durch die Dreieckswellenerzeugungseinheit (200B) zugeführt wird.
  48. Vorrichtung nach Anspruch 47, dadurch gekennzeichnet, dass die vorgegebene Spannung einen Wert hat, gemäß dem die Impedanz zwischen der Source-Elektrode (420A) und der Drain-Elektrode (430A) des TFT (400A) auf einen Wert eingestellt wird, bei dem ein Stromfluss zwischen der Source-Elektrode (420A) und der Drain-Elektrode (430A) des TFT (400A) ermöglicht wird.
  49. Vorrichtung nach Anspruch 47, dadurch gekennzeichnet, dass die vorgegebene Spannung dem Maximalwert der Dreieckswellenspannung gleicht.
  50. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 47 bis 49, dadurch gekennzeichnet, dass ein Potenzial der Source-Elektrode (420A) des TFT (400A) im Zielbereich für die Messung physikalischer Eigenschaften während der Messung physikalischer Eigenschaften der Flüssigkristallschicht (400B) auf Erdpotenzial gehalten wird.
  51. Verfahren nach Anspruch 50, dadurch gekennzeichnet, dass das Potenzial der Source-Elektrode (420A) des TFT (400A) durch virtuelles Erden auf Erdpotenzial gehalten wird.
  52. Vorrichtung nach Anspruch 51, dadurch gekennzeichnet, dass die physikalischen Eigenschaften des TFT-Flüssigkristall-Panels (4, 400) mindestens einer der folgenden Eigenschaften entsprechen: dem Widerstand der Flüssigkristallschicht (4B, 400B), der Kapazität der Flüssigkristallschicht (4B, 400B), der Schaltspannung der Flüssigkristallschicht (4B, 400B), der Ionendichte der Flüssigkristallschicht (4B, 400B), der Ionenmobilität der Flüssigkristallschicht (4B, 400B), dem Widerstand des Hilfskondensators (4E) und der Kapazität des Hilfskondensators (4E).
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