DE69217070T2

DE69217070T2 - Vorrichtung und verfahren zum prüfen einer aktiven pixelmatrix-anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE69217070T2
Application number: DE69217070T
Authority: DE
Inventors: Larry A. Bellevue Washington 98008 Nelson
Original assignee: Honeywell Inc
Current assignee: Honeywell Inc
Priority date: 1991-09-18
Filing date: 1992-09-17
Publication date: 1997-05-28
Anticipated expiration: 2012-09-18
Also published as: DE69217070D1; EP0604581A1; WO1993006551A1; US5184082A; EP0604581B1; CA2116856C; JPH06511325A; CA2116856A1

Description

Die Erfindung bezieht sich allgemein auf Aktivmatrix-Anzeigevorrichtungen mit aktiven Pixelelementen und insbesondere auf eine Vorrichtung sowie ein Verfahren zum Prüfen von Aktivmatrix-Anzeigevorrichtungen.

Hintergrund der Erfindung

Bei einer Flüssigkristall-Matrixanzeige ist eine Vielzahl aktiver Elemente, üblicherweise Dünnschicht-Feldeffekttransistoren, einem Flüssigkristallvolumen zugeordnet, welche das Pixelelement der Anzeige bildet. Diese Aktivelemente werden auf einer von zwei Scheiben angeordnet, welche das Flüssigkristallmaterial begrenzen. Sind die Aktivelemente und/oder die zugeordneten Schaltkreise fehlerhaft, so kann das zugeordnete Pixel nicht angesteuert werden, und die Anzeigevorrichtung ist entsprechend beeinträchtigt. Ein einzelnes Pixel der Anzeige wird üblicherweise durch Ankoppeln der Aktivelemente in einem Gitter aus Zeilen und Spalten adressiert. Zum Prüfen der einzelnen Pixel wurde ein Aktivierungssignal dem Steuergitter (Steuerelektrode des Feldeffekttransistors) des dem zu prüfenden Pixel zugeordneten aktiven Elements (Zeilenelement) zugeführt, sowie eine Spannung zum Ändern der optischen Eigenschaften des Flüssigkristallmaterials an die Eingangsklemme (Quellenanschluß eines Feldeffekttransistors) des dem Pixel (Spalte) zugeordneten aktiven Elements gelegt. Die Anzeigevorrichtung konnte mit einem Bild aktiviert werden, welches bei ordnungsgemäßer Wiedergabe durch die Flüssigkristallanzeige ein undurchsichtiges Bild liefert. Durch geeignete Beleuchtung konnte man die vom aktivierenden Bild nicht undurchsichtig gesteuerten Pixel durch visuelle Inspektion ausfindig machen.
Der Prüfvorgang dieser Art hat mehrere Schwachpunkte. Mit der Verkleinerung der Pixel zur Erzeugung von Bildern höherer Auflösung ist die Möglichkeit, Fehlfunktionen eines Pixels optisch festzustellen, schwieriger und zeitraubender geworden. Der Hauptnachteil der bekannten Prüfmethoden zusätzlich dazu, daß sie nicht automatisch ablaufen, bestand darin, daß die Prüfung erst durchgeführt werden konnte, wenn die Anzeigevorrichtung völlig zusammengebaut ist, so daß die Möglichkeit einer Reparatur fehlerhafte Elemente auf ein Minimum verringert war.
Man hat deshalb nach einer Vorrichtung sowie einem zugeordneten Verfahren gesucht, welches die einer Flüssigkristallanzeige zugeordneten aktiven Elemente prüfen kann und für einen automatisierten Betrieb geeignet ist. Außerdem wurde eine Prüftechnik gesucht, welche zwar nach der Fabrikation der aktiven Elemente jedoch vor dem endgültigen Zusammenbau der Anzeigevorrichtung durchgeführt werden kann.
EP-A-0 272 506 beschreibt die Prüfung einer Dünnschichttransistoranordnung für Flüssigkristallanzeigen während der Herstellung. Die Dünnschichttransistoren sind mit einer Leiterregion, beispielsweise einem Streifen versehen, um eine potentialfreie Elektrode jeder dieser Dünnschichtanordnungen vorübergehend mit einem auf einen darunterliegenden Substrat angeordneten Leiter zu koppeln. Dieser Leiter kann eine Zeilen- oder Spaltenmetallisierungsleitung sein, welche einer benachbarten Zeile oder Spalte der Wiedergabevorrichtung zugeordnet ist. Sie kann aus amorphem Silizium bestehen, welches während der Prüfung beleuchtet wird, um den Eigenwiderstand des Streifens zu verringern. Dadurch, daß man auf diese Weise die Streifen einzeln oder gemeinsam einer Lichtquelle aussetzt, werden die potentialfreien Elektroden mit einer der benachbarten Metalleitungen leitend gekoppelt. Man kann dadurch die elektrischen Eigenschaften der Dünnschichteinrichtungen durch Anlegen geeigneter Spannungen an die Zeilen- und Spaltenleitungen kennzeichnen und anschließend den durch die Dünnschichtanordnung fließenden Ergebnisstrom messen.

Zusammenfassung der Erfindung

Die Erfindung stellt eine verbesserte Vorrichtung und ein verbessertes Verfahren zum Prüfen einer Flüssigkristallanzeige zur Verfügung, welche ein Rechtecksignal sowie ein Sinussignal an die jedem Pixel zugeordneten aktiven Elemente legt. Die Leistung der Modulationskomponenten im Pixelausgangssignal sind ein Maß für die Leistungsfähigkeit des aktiven Elements.
Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine verbesserte Vorrichtung sowie ein verbessertes Verfahren zum Prüfen von Aktivmatrix-Anzeigevorrichtungen zu schaffen. Weiterhin soll mit der Erfindung eine verbesserte Vorrichtung sowie ein verbessertes Verfahren zum Prüfen einer Flüssigkristall-Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden, wobei das Prüfen der Flüssigkristallanzeige folgt, ehe die rückseitige Scheibe der Anzeigevorrichtung eingebaut und das Flüssigkristallmaterial hinzugefügt wird. Schließlich schafft die vorliegende Erfindung ein verbessertes Prüfverfahren sowie eine entsprechende Vorrichtung zum Prüfen von Flüssigkristall-Matrixanzeigen, welche einen Kondensator im Ausgangsschaltkreis jedes Aktivelements einer Flüssigkristallmatrixanzeige aufweist, um das Ausgangssignal des Aktivelements an eine unbenutzte Elektrode zu koppeln, wodurch das Substrat geprüft werden kann, bevor die Anzeigevorrichtung zusammengebaut wird.
Die genannten und weitere Ziele der Erfindung werden in vorteilhafter Weise im Grunde genommen durch Anwendung der Merkmale der unabhängigen Ansprüche erzielt, nämlich durch Anlegen eines Rechtecksignals und eines Sinussignals an ein dem Pixel zugeordnetes Aktivelement. Weitere Verbesserungen ergeben sich aus den Unteransprüchen. Die Modulationsprodukte, welche sich aus der Kombination der Rechteck- und der Sinussignale in den aktiven Elementen ergeben, können zwischen den Spektralkomponenten dieser Komponenten positioniert werden, welche sich aus der Zufuhr des Rechtecksignals allein ergeben. Hierdurch kann man die Modulationsprodukte durch Filtern abtrennen. Die Leistung der Modulationsprodukte ist ein Maß für die Leistungsfähigkeit des zugeordneten Aktivelements. Um die Leistung in den Modulationsprodukten zu bestimmen, werden Nicht-Modulationsprodukte durch ein Kammfilter entfernt. Die Signalleistung, welche sich nach der Anwendung des Kammfilters ergibt, ist ein Maß für die Leistungsfähigkeit des Aktivelements und der zugeordneten Schaltkreise. Das Ausgangssignal der Aktiveinrichtung kann an der gemeinsamen Elektrode der Flüssigkristallanzeige gemessen werden. Um das Signal/Rausch-Verhältnis des Ausgangssignals des Aktivelements zu verbessern, wird das Ausgangssignal, über einen zusammen mit jedem Aktivelement hergestellten Testkondensator an eine unbenutzte Elektrode gelegt, typischerweise an eine Zeilenelektrode benachbart zu derjenigen Zeilenelektrode, der das Rechtecksignal zugeführt wird. Das Vorhandensein des Prüfkondensators ermöglicht das Prüfen vor dem endgültigen Zusammenbau der Flüssigkristallanzeige.
Weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich für den Fachmann aus der Beschreibung des bevorzugten Ausführungsbeispiels, den Ansprüchen sowie der Zeichnung, worin gleiche Bezugszeichen auf übereinstimmende Elemente hinweisen.

Kurzbeschreibung der Zeichnungen

Zur Veranschaulichung der Erfindung wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Das bevorzugte Ausführungsbeispiel betrifft ein Prüfverfahren sowie eine Prüfvorrichtung für eine Flüssigkristallanzeige.
Figur 1 ist ein Blockschaltbild einer typischen Flüssigkristall- Aktivmatrixanzeige.
Figur 2 ist ein Äquivalenzschaltbild der Matrixanzeige zur Veranschaulichung der Elemente, welche die Wechselstrom- Antwort der Matrixanzeige beeinflussen.
Figur 3 ist ein Blockschaltbild der zum Prüfen der Pixelelemente der Flüssigkristallanzeige benutzten Vorrichtung;
die Figuren 4a bis 4e zeigen an die Matrixanzeige gelegte sowie sich an ausgewählten Teilen der Anzeige ergebende Signale im zeitlichen Verlauf;
Figur 5 zeigt das Leistungsspektrum, welches aus der Modulation des Matrixanzeige-Aktivelements mit dem Rechtecksignal und dem Sinussignal ergibt, wobei die Frequenzen dieser Signale geeignet gewählt sind, um Frequenzen entstehen zu lassen, welche eine optimale Trennung der Modulationsprodukte von Signalen ermöglicht, welche linear mit dem Eingangssignal verknüpft sind.
Figur 6 zeigt das Leistungsspektrum der Modulation des Matrixanzeige- Aktivelements mit einem Rechtecksignal und einem Sinussignal, deren Frequenzen geeignet gewählt sind, um Frequenzen entstehen zu lassen, die keine Überlappung zwischen positiven und negativen Frequenzmodulationsprodukten verursachen.
Figur 7 ist ein Blockschaltbild der Ankopplung des Dünnschichttransistors mit Hilfe eines Substratkondensators.
Figur 8 ist ein Blockschaltbild mehrerer Spalten und Zeilen von Pixelelementen in einer Flüssigkristallanzeige in einer Konfiguration zum Prüfen der Pixelelemente;
Figur 9 ist ein Querschnitt durch eine Flüssigkristallanzeige mit einem Dünnschichttransistor und veranschaulicht eine Konfiguration zum Anordnen einer Kapazität zwischen den Zeilenelektroden.
Figur 10 ist das Spektralprofil eines Kammfilters.
Figur 11 zeigt die Aufteilung der Funktionen zum Prüfen jedes Pixels der Anzeigevorrichtung.

Beschreibung des bevorzugten Ausführungsbeispiels

Das bevorzugte Ausführungsbeispiel der Erfindung betrifft das Prüfen einer Aktivmatrix- Flüssigkristallanzeige mit Aktivelementen in ihrem Aufbau. Figur 1 zeigt ein Blockschaltbild der elektronischen Komponenten einer Flüssigkristall-Aktivmatrix-Anzeige. Die optisch aktiven Elemente sind durch ein Feld von Kondensatoren Cmn dargestellt. Ein erster Anschluß jedes Kondensators Cmn ist an Masse bzw. eine Bezugsklemme 10 angeschlossen. Jedem Kondensator Cmn ist ein Dünnschichttransistor TFTmn zugeordnet. Der Senkenanschluß jedes Dünnschichttransistors TFTmn steht mit einem zweiten Anschluß des zugeordneten Kondensators Cmn in Verbindung. Jeder Zeile von Dünnschichttransistoren TFTmn ist ein Zeilentreiber 141-148 zugeordnet. Jeder Zeilentreiber ist an die Steuerelektrode jedes TFTmn der zugeordneten Zeile angeschlossen. In ähnlicher Weise ist jeder Spalte von Dünnschichttransistoren TFTmn ein Spaltentreiber 131-138 zugeordnet, und jeder dieser Spaltentreiber 131-138 ist mit einem Quellenanschluß jedes Dünnschichttransistors TFTmn der entsprechenden Spalte verbunden. Die Zeilentreiber aktivieren eine Zeile von Dünnschichttransistoren TFTmn, während die Spaltentreiber eine Signalamplitude entsprechend dem Anzeigebild an das Aktivelement Cmn liefern, wenn der zugehörige Dünnschichttransistor TFTmn durch einen Zeilentreiber 141-148 aktiviert wird. Beim bevorzugten Ausführungsbeispiel ist das anzuzeigende Bild üblicherweise ein zeitabhängiges Analogsignal. Jedem Spaltentreiber 131-138 ist ein Abtast- und Halteschaltkries 111-118 zugeordnet, welcher an den geeigneten räumlichen Positionen einen Abtastwert des Videosignals bereitstellt. Dieses Signal wird durch Verstärker 121 bis 128 gepuffert den Spaltentreibern 131-138 zugeleitet.
Figur 2 läßt die äquivalenten Schaltkreisparameter für die Einschaltung des Dünnschichttransistors TFTmn in eine Matrix mit Zeilen- und Spaltenelektroden erkennen. Die Werte dieser Parameter für im bevorzugten Ausführungsbeispiel benutzten Elemente wurden bestimmt. Der Dünnschichttransistor-Steuerelektroden-Widerstand RG 60Ω pro Zelle, der Dünnschichttransistor-Quellenwiderstand RS 2,5Ω pro Zelle und der Widerstand zwischen der Bezugselektrode (auf der Rückplatte) und dem Pixelkondensator RD 100Ω pro Zelle. Die Kapazität zwischen der Steuerelektrode und dem Quellenanschluß CGS 3,4x10&supmin;¹&sup4;F, während die Kapazität zwischen dem Steuerelektrodenanschluß und dem Senkenanschluß CGD 1,7x10¹&sup4;F beträgt. Die Kapazität zwischen der Steuerelektrode und der Rückplatte (d.h. der gemeinsamen Elektrode) CGBP 1,6x10&supmin;¹&sup4;F, während die Kapazität zwischen Quellenanschluß und Rückplatte CSBP 1,0x10&supmin;¹&sup4;F ist. Die Kapazität zwischen dem Senkenanschluß des Dünnschichttransistors und der vorangehenden Steuerleitung ist CPGL 0,8x10&supmin;&sup9;F. Die Kapazität des Gleichstrom- Sperrkondensators COX ist groß gegenüber der Kapazität CLL(EIN) gewählt und zwar COX 2,7x10&supmin;¹³F. Die Kapazität der Flüssigkristallzelle im optisch aktiven Zustand beträgt CLC(EIN) 2,7x10&supmin;¹&sup4;F, während die Kapazität der Flüssigkristallzelle im optisch nicht- aktiven Zustand CLC(AUS) ungefähr 9,3x10&supmin;¹³F beträgt. Das Verhältnis CLC(AUS)/CGD 5,4 und der gesättigte Senkenstrom IDSAT ist etwa gleich 3,0x10&supmin;&sup7;A. Die Kapazität CSBP der Spalte gegenüber der gemeinsamen Elektrode (Rückplatte) sowie die Kapazität CGBP der Steuerelektrode gegenüber der gemeinsamen Elektrode nimmt mit der Anzahl der Pixel in der Anzeigevorrichtung zu, d.h. wenn die Anzeigefläche zunimmt. Die Kapazitäten der einzelnen Elemente bleiben die gleichen.
Figur 3 zeigt eine Vorrichtung zum Prüfen eines Aktivelements einer Flüssigkristall- Flachbildanzeige. Ein Dünnschichttransistor TFTmn ist mit seiner Steuerelektrode an die Zeilenelektrode 11 und mit seiner Quellenelektrode an die Spaltenelektrode 12 angeschlossen. Die Senkenklemme des Dünnschichttransistors TFTmn steht über den Pixelkondensator CLC mit der gemeinsamen Elektrode (oder Rückplatte) 10 in Verbindung. Die Kapazität zwischen der Zeilenelektrode 11 und der gemeinsamen Elektrode 10 ist CRBP, während die Kapazität zwischen der Spaltenelektrode 12 und der gemeinsamen Elektrode durch den Wert des Kondensators CCBP dargestellt wird. An die Zeilenelektrode ist ein Reckteckgenerator 302 angeschlossen, während die Spaltenelektrode mit dem Sinusoszillator 301 verbunden ist. Die gemeinsame Elektrode liegt am invertierenden Eingang eines Differenzverstärkers 303, dessen nicht-invertierender Eingang über den Eingangswiderstand RIN an Masse liegt. Der Ausgang des Differenzverstärkers 303 steht über den Rückführwiderstand RF mit der gemeinsamen Elektrode 10, ferner über den Rückführkondensator CF ebenfalls mit der gemeinsamen Elektrode sowie ferner mit dem Eingang eines Kammfilters 304 in Verbindung. Das Ausgangssignal des Kammfilters 304 gelangt zum Detektor 305, dessen Ausgangssignal sich auf ein vorgegebenes Pixelelement in der Matrixanzeige bezieht.
Die Figuren 4a bis 4e zeigen die Zeitabhängigkeit bestimmter Signale der Schaltung von Figur 3. In Figur 4a ist das Ausgangssignal des Rechteckoszillators 302 wiedergegeben, welcher die Zeilenelektrode 11 ansteuert. Figur 4b zeigt die Zeitabhängigkeit des Ausgangssignals des Sinusoszillators 301, der die Spaltenelektrode 12 speist. In Figur 4c ist der Strom durch den Flüssigkristall (Kondensator CLC) als Funktion der Zeit aufgetragen. In ähnlicher Weise ist in Figur 4d der Strom zwischen der Zeilenelektrode 11 und der gemeinsamen Elektrode 10 (über die parasitäre Kapazität CRBP) als Zeitfunktion dargestellt. Der Strom zwischen der Spaltenelektrode 12 und der gemeinsamen Elektrode 10 (über die parasitäre Kapazität CCBP) ist als Zeitfunktion in Figur 4e gezeigt.
Figur 5 gibt das Ergebnis der Kombination des Rechtecksignals und des Sinussignals im Dünnschichttransistor wieder, wobei der quadrierte Modulus der Fourier-Transformation dargestellt ist. Die ausgezogenen Linien veranschaulichen die Frequenzkomponenten, welche durch den über CRBP (Kurve d) eingegebenen Strom verursacht werden, während die gepunkteten Linien die Frequenzen anzeigen, welche von der modulierten Sinuswelle (Kurve c) stammen. Die Frequenz SO ist die Frequenz der angelegten Sinuswelle, welche zusätzlich zum Beitrag über den Flüssigkristall (Kurve c) ein Signal über CCBP (Kurve e) empfängt. Die Frequenzen der Rechteckschwingung und der Sinusschwingung werden so gewählt, daß die Modulationsprodukte, d.h. die gestrichelten Linien, in die Mitte zwischen den Spektrallinien fallen, welche sich aus dem Rechteck-Treibersignal ergeben, so daß sie die positiven und negativen Frequenzkomponenten verstärken. Das in Figur 5 dargestellte Spektrum ist insofern idealisiert als die Rechteckwellen-Erregung und die Sinuswellen- Erregung ohne Unterbrechung (vollständig periodisch) fortlaufen. Der diese Beschreibung lesende Fachmann erkennt, daß kein linearer Weg innerhalb der Aktivmatrixanzeige besteht, welcher Frequenzen erzeugen könnte (ausgenommen bei +/-SO), die bei Frequenzwerten zwischen der Zeilenanregungsfrequenzen (ausgezogene Linien) liegen. Nur die aktive Vorrichtung (Modulator) kann diese Energie erzeugen. Damit ist eine Basis für die Messung sehr kleiner Signale beim TFT-Betrieb geschaffen, weil große Störsignale durch Filtern beseitigt werden können.
Figur 6 zeigt das Leistungsspektrum für den Fall, daß die Rechteckwellenfrequenz und die Sinuswellenfrequenz derart gewählt sind, daß die durch positive und negative Frequenzen verursachten Modulationsprodukte der Erregung der Quellenelektrode sich nicht verstärken. Das Spektrum ist wiederum idealisiert als ob die Rechteckwellenmodulation und die Sinuswellenmodulation über eine unendliche Zeit periodisch wäre.
In Figur 7 ist der Rechteckoszillator 302 an die Zeilenelektrode 11 angeschlossen. Die parasitäre Kapazität CRBP liegt zwischen der Zeilenelektrode 11 und der gemeinsamen Elektrode 10. Der Sinusoszillator 301 ist an die Spaltenelektrode geführt. Diese ist mit dem Dünnschichttransistor TFTmn sowie dem Dünnschichttransistor TFT(m-1)n verbunden. Der Dünnschichttransistor TFTmn steht mit der Zeilenelektrode 11 und der Dünnschichttransistor TFT(m-1)n mit der Zeilenelektrode 11' (vorhergehende Zeile) in Verbindung. An seinem nicht-invertierenden Eingang ist der Differenzverstärker 303 mit Masse verbunden. Dies bewirkt, daß der Zeilentreiber von TFT(m-1)n auf AUS vorgespannt ist. Ein Strom, welcher durch CR fließt, muß über den Widerstand RF fließen. Somit wird ein Ausgangssignal erzeugt, welches hauptsächlich auf die Modulationsprodukte anspricht. Die Ausgangsklemme des Transimpedanzverstärkers 303 ist über das Kammfilter 304 an den Detektor 305 angeschlossen.
In Figur 8 ist eine Prüfkonfiguration unter Verwendung von Kondensatoren der in Figur 7 dargestellten Art wiedergegeben. Jede der Zeilenelektroden ist an den invertierenden Eingang eines zugeordneten Verstärkers angeschlossen, z.B. die Zeilenelektrode 11A an den invertierenden Eingang des Verstärkers 91A usw. Die Ausgangsklemmen der Operationsverstärker sind an einen ersten Eingang eines Umschalters angeschlossen, dessen zweiter Eingang mit dem Ausgang des Differenzverstärkers in Verbindung steht, welcher dem Elektrodenpaar der zweiten Zeile zugeordnet ist. Z.B. ist der Ausgang des Differenzverstärkers 91A an den ersten Eingang des Schalters 95A und der Ausgang des Differenzverstärkers 91'B an den zweiten Eingang des Schalters 95A geführt. Der Ausgang jedes Schalters ist mit einer Kombination aus Kammfilter/- und -Detektor verbunden, z.B. der Ausgang des Schalters 95A an die Kammfilter/Detektor-Einheit 304/305A. Jeder Dünnschichttransistor ist mit seiner Quellenelektrode an eine Spaltenelektrode, mit seiner Steuerelektrode an den invertierenden Eingang eines zugeordneten Differenzverstärkers sowie mit seiner Senkenelektrode über den Flüssigkristallkondensator CLC an die gemeinsame Elektrode und über den Prüfkondensator CT an die Zeilenelektrode der vorangehenden Reihe angeschlossen. Z.B. ist die Steuerelektrode des Dünnschichttransistors TFT(m+2,n) an die Zeilenelektrode 11C, die Quellenelektrode an die Spaltenelektrode 12A und die Senkenelektrode über den Kondensator CLC(m+2,n) an die gemeinsame Elektrode sowie über den Kondensator CT(m+2,n) an die Zeilenelektrode 11B angeschlossen. Die nicht-invertierenden Eingänge der Differenzverstärker sind mit einem Register 92 verbunden, welches ein Rechtecksignal an jeden anderen Differenzverstärker legt. Ein Gleichspannungsbezugssignal (von 0V) wird den nicht-angesteuerten Klemmen, wie dargestellt, abwechselnd zugeleitet.
Der Fachmann erkennt, daß ein mehrfaches Prüfen aller anderen Pixelzeilen nur als Beispiel und nicht als Beschränkung beschrieben wurde. Statt dessen können drei oder vier Zeilen im Multiplexbetrieb mit einem einzigen Filter/Detektor verbunden werden.
Figur 9 gibt einen Querschnitt durch eine Flüssigkristallanzeige mit Dünnschichtkondensator gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wieder. Die Flüssigkristallanzeige umfaßt zwei transparente ebene Strukturscheiben 151 und 152, welche die Trägerstruktur für die Anzeige bilden. Die Strukturscheiben 151 und 152 werden durch in Figur 9 nicht-dargestellte Abstandshalter parallel zueinander gehalten und sind aus einem transparenten Material hergestellt. Polarisierendes Material 153, welches in Verbindung mit dem Flüssigkristallmaterial zur Steuerung der optischen Durchlässigkeit benötigt wird, ist auf der Außenfläche der ebenen Strukturscheibe 152 angebracht. Auf der Innenseite einer der Strukturscheiben 152 befindet sich ein leitfähiges Material, welches die gemeinsame Elektrode 10 bildet. Auf der Innenseite der gemeinsamen Elektrode 10 ist eine Ausrichtschicht 155 angeordnet, um die Ausrichtung der Flüssigkristallmoleküle bei fehlendem elektrischen Feld zu steuern. Eine leitende Region 156, welche die eine Oberfläche des jedem Dünnschichtkondensator zugeordneten Prüfkondensators CT bildet, ist auf der Innenfläche der Strukturscheibe 151 angebracht. Eine Schicht aus SiO&sub2; wird dann über den leitenden Regionen 156 sowie den exponierten Regionen der Strukturscheibe 151 gebildet. Durch geeignete Verarbeitung und Abscheidung von Material entsteht ein Dünnschichttransistor TFT mit einer Quellenregion 157, einer Senkenregion 158 sowie einer Steuerregion 159. Außerdem ist eine Leiterregion 160 an die Senkenklemme jedes Dünnschichttransistors TFT angeschlossen und bildet zusammen mit der gemeinsamen Elektrode die Kapazität zur Zufuhr eines elektrischen Feldes an das Flüssigkristallmaterial 150. Die Leiterregion 160 ist gegenüber der Leiterregion 156 angeordnet, um somit den Kondensator CT zu bilden. Die Leiterregion 156 umfaßt einen Leiterpfad, der mit der Zeilenelektrode gekoppelt ist, welche mit derjenigen Dünnschichttransistorzeile gekoppelt ist, die in der Folge derjenigen vorangeht, welche der Leiterzone zugeordnet ist. Eine Isolierschicht 151 ist über dem Dünnschichttransistor und den zugehörigen Elementen auf der Innenseite der Strukturscheibe 151 angebracht. Eine Ausrichtschicht 162 zum Ausrichten der Flüssigkristallmoleküle wird anschließend über der Isolierschicht 161 gebildet. Das Flüssigkristallmaterial 150 befindet sich zwischen den Ausrichtschichten 155 und 162.
Figur 10 zeigt die Frequenzkennlinie eines Kammfilters. Es hat eine Einhüllende gebildet durch die Transkonduktanzfunktion des Eingangselements g(s) multipliziert mit der Funktion LPF(s), welches das Bandbegrenzungsfilter sowie das Trägerfrequenz-Kerbfilter darstellt. Im gezeigten Ausführungsbeispiel sind die Übertragungsteile des Kammfilters gegeben durch e - π ²S². Das Kammfilter hat die Eigenschaft, daß harmonisch zueinander in Beziehung stehende Frequenzen übertragen werden können.
Mit Bezug auf die Figuren 8 und 11 ist eine Konfiguration zum Prüfen der Pixel einer Flüssigkeitskristallanzeige dargestellt. Dem die Zeilenelektrode 11 ansteuernden Differenzverstärker 91 ist derjenige Kondensator zugeordnet, der mit dem zu prüfenden Dünnschichttransistor gekoppelt ist. Das Signal am nicht-invertierenden Eingang des Verstärkers 91 ist "0", wenn die nachfolgende Zeilenelektrode, die Zeile mit dem zu prüfenden Dünnschichttransistor, durch ein Rechtecksignal aktiviert wird. In Figur 11 ist das Ausgangssignal des Differenzverstärkers eine Spannung analog zum Strom durch CT, welcher dem Verstärker 181 zugeführt wird. Dieser hat eine Übertragungsfunktion dargestellt durch die LPF(s)-Funktion (siehe Figur 10). Das Ausgangssignal des Verstärkers 181 gelangt zu einem Abtast- und Halteregister 182, welches periodisch einen Stromsignalpegel vom Ausgang des Verstärkers 181 speichert. Das Ausgangssignal des Abtast- und Halteschaltkreises 182 wird einem A/D-Umsetzer 185 zugeführt. Dieser übernimmt das abgetastete analoge Spannungssignal vom Abtast- und Halteschaltkreis 182 und liefert ein dazu in Beziehung stehendes quantisiertes Signal an der Ausgangsklemme. Das quantisierte Signal des A/D-Umsetzers 185 wird der Datenverarbeitungseinrichtung 190 zugeleitet. Die Programme der Datenverarbeitungseinheit realisieren das Kammfilter mit einer minimalen Anzahl von Faltungen des Eingangssignals mit einer abgetasteten (in diesem Falle Gauss'schen) Filterkennlinie. Der Kammfilteralgorithmus wird so ausgewählt, daß die maximale Signaldämpfung für Frequenzkomponenten auftritt, welche sich aus der Zufuhr der Rechteckfrequenz an die Zeilenelektroden ergeben. Die Durchlaßteile des Kammfilters sind so angeordnet, daß die Modulationsprodukte der den Spaltenelektroden zugeführten Frequenz hindurchgelassen werden. Das sich aus der Faltung des Signals vom A/D-Umsetzer 185 ergebende Signal und der Kammfilteralgorithmus werden summiert und liefern ein Signal, welches einem Detektor 193 zugeleitet wird. Das resultierende Signal wird in einem Vergleicher 183 mit einem Schwellwert verglichen, um festzustellen, ob das Signal vom Detektor (Stufe oder Algorithmus) die Leistungskriterien für ein funktionierendes Aktivelement erfüllt, welches einem Flüssigkristallanzeigepixel zugeordnet ist. Die relative Güte des überprüften Dünnschichttransistors ist dem Detektorausgangssignal proportional.

Arbeitsweise des bevorzugten Ausführungsbeispiels

Obwohl die vorangehende Beschreibung technischer Art ist, kann das der Technik der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Konzept auf folgende Weise verstanden werden. Ein Rechtecksignal wird benutzt, um den Zeilenbus periodisch zu aktivieren, während ein Sinussignal den Spaltenbus während des Prüfvorgangs ständig aktiviert. Die Kombination des periodischen Recktecksignals mit dem ständig anstehenden Sinussignal ergibt bei Betrachtung in der Frequenzebene Frequenzkomponenten mit gleichen Abständen. Durch geeignete Auswahl der Frequenzen der Rechtwellen und der Sinuswellen sind die Modulationskomponenten, welche sich aus der Kombination der Reckteckwelle und dem Sinuswellensignal ergeben, im Abstand zwischen den Komponenten angeordnet, die sich aus der Zufuhr der Rechteckwelle allein ergeben. Durch Verwendung eines Kammfilters geeigneter Steilheit können die Modulationssignalkomponenten vom restlichen Signalspektrum getrennt werden, und die Leistung der Modulationssignalkomponenten kann ein Anzeichen für die Nicht-Linearität des aktiven Elements sein. Ein Prüfkondensator kann jedem aktiven Element hinzugefügt werden, welcher das Ausgangssignal auf eine gerade nicht-benutzte Elektrode überträgt, wodurch das Signal/Rausch-Verhältnis für die Modulationssignalkomponenten erhöht wird. Zusätzlich erlaubt die Verwendung eines Prüfkondensators die Durchführung der Prüfung vor dem Zusammenbau und schafft damit die Möglichkeit von Reparaturen.
Mit Bezug auf Figur 3 sowie die Figuren 4a - 4e ist ersichtlich, daß das Rechtecksignal an der Zeilenelektrode 11 einen Einschaltzustand für die Zeit t&sub1; und eine Periodizität von t&sub2; hat, so daß es mit folgender Gleichung beschrieben werden kann:
f(t) = K&sub1;* II(t/t&sub1;)**III(t/t&sub2;) (1)
darin ist K&sub1; ein konstanter Wert,
II(t/t&sub1;) = 1, wenn -t&sub1;/2< t< +t&sub1;/2, und
= 0 ansonsten, und
III(t/t&sub2;) ist eine Dirac-Kombinationsfunktion mit einer Periodizität von t&sub2; Sekunden, wobei das Symbol * eine Multiplikation und das Symbol ** eine Faltungsoperation anzeigt. Der von der Zeilenelektrode 10 durch die parasitäre Kapazität CSRBP zur gemeinsamen Elektrode 10 fließende Strom ist durch folgende Gleichung gegeben:
I(t) = f(t)*(jsCRBP) (2)
Das Spektrum des Stroms kann durch die Fourier-Transformation von I(t) bestimmt werden oder:
I(s) = K* Sinc(t&sub1;*s)*III(t&sub2;*s) (3).
Dabei ist K = [K*j2πsCRBP)] und III(t&sub2;*S) ist eine Dirac-Kombinationsfunktion mit einer Periodizität von 1/t&sub2;Hz und Sinc(t) = sin(π t)/π t. Aus der Gleichung (3) ergibt sich, daß das resultierende Leistungsspektrum mit einer Periodizität konzentriert ist, welche eine Funktion der Periodizität 1/t&sub2; des Rechtecksignals in der Zeitebene und damit hierdurch auswählbar ist. Die Amplitude jeder Spektralkomponente ist eine Funktion der Dauer t&sub1; des Einschaltzustands des Rechtecksignals in der Zeitebene. Wird folglich ein geeignetes Rechtecksignal zum Aktivieren der Zeilenelektrode ausgewählt, können die Spektren der TFT-Ausgangsmodulationsprodukte zwischen den Spektralkomponenten eingeschoben werden, die an der gemeinsamen Elektrode vorhanden sind, wenn das Pixel der Anzeigematrix funktioniert oder auch nicht funktioniert. Ein Filter kann zum Abtrennen und Summieren dieser Modulationsprodukte und anschließend zur Bestimmung von deren Amplitude benutzt werden.
Wird eine Sinusfunktion an die Spaltenelektrode gelegt, so ergibt sich:
f(t) = cos(SOt)*{II(t/t&sub1;)**III(t/t&sub2;)} (4).
Die Fourier-Transformation dieser Funktion ist:
F(s) = {½δ(s-s&sub0; + ½δ(s+s&sub0;)}**t&sub1;*sinc(t&sub1;*s)*t&sub2;*III(t&sub2;*s) (5).
Die sich aus dieser Gleichung ergebenden Spektralprofile sind in den Figuren 5 und 6 wiedergegeben, wobei Figur 5 den Umstand darstellt, wenn die Modulationsprodukte überlagert sind.
Ist die Rechteck-Anregungsfrequenz nicht genau periodisch, sondern nur während einer begrenzten Zeitspanne vorhanden, so kann das Ergebnis in der Zeitebene geschrieben werden als:
Der Ausdruck II(t/t&sub3;) bedeutet einen Abbruch der periodischen Funktion zur Zeit t=±t&sub3;/2. Die Fourier-Transformation der Gleichung (5) ergibt sich zu:
Das Sinussignal hat üblicherweise eine wesentlich höhere Frequenz und Beiträge aus der begrenzten Dauer dieses Signals können vernachläßt werden. Die allgemeine Auswirkung der begrenzten Dauer des Rechtecksignals stellt eine Verbreiterung des Erregerspektrums der Zeilenelektrode und des Modulationsspektrums dar. Diese Verbreiterung der Spektralkomponenten beeinträchtigt die Möglichkeit, diese Komponenten zu trennen, d.h. sie verringert das Signal/Rauschverhältnis beim Versuch, nur die Modulations- Spektralkomponenten zu messen.
Andere Faktoren, welche die Fähigkeit der Ermittlung der Spektralkomponenten der Modulationsprodukte beeinflussen, sind das Rauschen sowie die Nicht-Linearität des Transkonduktanzverstärkers, welcher das Kammfilter ansteuert (gegeben beispielsweise durch dynamische Bereichsbegrenzungen). Das dem Pixel zugeordnete Aktivelement kann ebenfalls während seiner Einschaltzeit Nicht-Linearitäten in das System eingeben. Die Nicht-Linearität erzeugt Intermodulationsprodukte, welche zu einer Verbreiterung der Spektralkomponenten und damit zu einer Verringerung der Erfaßbarkeit von Modulationskomponenten führen.
Die Spannungspegel am Ausgang des dem Pixelaktivelement zugeordneten Transkonduktanzverstärkers können so klein sein, daß die sich ergebende Auswirkung auf die optische Übertragung durch das Flüssigkristallpixel nicht erkennbar ist. Die Prüfung des Pixels kann folglich während der normalen Anzeigeoperation der Flüssigkristallanzeige durchgeführt werden.
In Flüssigkristallanzeigen ist die jedem Pixelanzeigeelement zugeordnete Kapazität klein, während der Widerstand im Einschaltzustand des aktiven Elements (Feldeffekttransistor) groß ist (er ist im Einschaltzustand um etwa fünf Größenordnungen geringer als im Ausschaltzustand, zeigt aber im Einschaltzustand immer noch eine hohe Impedanz). Folglich fließen als Ergebnis der Aktivierung des aktiven Elements (TFT) relativ kleine Ströme in die gemeinsame Elektrode. Natürlich erhöht sich der Strom in der gemeinsamen Elektrode mit der Anzahl der gleichzeitig adressierten Aktivelemente. Eine entsprechende Zunahme im Signal/Rausch-Verhältnis ergibt sich dabei. Eine solche Zunahme tritt auf, wenn ein Prüfkondensator zwischen die angesteuerte Klemme der Pixelanzeigeelektrode und die Zeilenelektrode eingeschaltet wird, welche einer Zeile von Dünnfilmtransistoren zugeordnet ist, die der des gerade adressierten Dünnfilmtransistors benachbart ist. Dies zeigen die Figuren 8 und 9. Der Prüfkondensator mit relativ eng beeinander angeordneten Elektroden kann einen Stromweg niedriger Impedanz für das Ausgangssignal des Dünnschichttransistors bilden und dieses Signal mit weniger Einwirkungen von anderen, an der gemeinsamen Elektrode anstehenden Signalen weitergeben.
Das Kammfilter kann durch Verwendung elektronischer Komponenten realisiert werden, oder seine Funktion kann in digitaler Signalverarbeitungstechnik erzielt werden, wie dies Figur 11 zeigt. Die gewünschte Antwortfunktion eines Kammfilters läßt sich mit folgender Gleichung darstellen:
Darin ist: F(s) das Eingangssignal für den Detektor;
g(s) ist das Signalspektrum am Ausgang des Transkonduktanzverstärkers;
LPF(s) ist die Funktion des Bandbegrenzungs- und Kerbfilters (bei der Spaltentreiberfrequenz;
e - π ²S² ist die Frequenzantwort einer der Zellen des Kammfilters;
wird gewählt, um die Breite der Spektralkomponenten des Filters zu regeln (ein Gauss-Filter wird hier als einfaches Beispiel benutzt, ist aber nicht optimal, und
III(t&sub1;*s) ist die Antwortfunktion, welche den Kamm aufbaut, wobei t&sub1; so ausgewählt, daß die Zinken des Kammfilters auf die Modulationskomponenten fallen.
Die Transformation der Gleichung (8) in den Zeitbereich ergibt sich zu:
Dabei ist fz(t) = g(t)**LPF(t), wobei fz(t) das Signal ist, welches die Modulationsprodukte enthält, die herausgefiltert werden sollen.
Die Erfindung wurde in vielen Einzelheiten beschrieben, um dem Fachmann die für die Anwendung der neuen Prinzipien erforderliche Information zu vermitteln und die erforderlichen Spezialkomponenten zu entwerfen und zu benutzen. Es ist jedoch zu beachten, daß die Erfindung mit unterschiedlicher Ausrüstung und unterschiedlichen Einrichtungen ausgeübt werden kann und daß zahlreiche Modifikationen sowohl hinsichtlich der Vorrichtungseinzelheiten als auch der Betriebsabläufe vorgenommen werden können, ohne vom Umfang der Erfindung selbst abzuweichen.

Claims

1. Verfahren zur Zustandsüberprüfung eines Aktivelementpixels, welches eine Spaltentreiberelektrode (12), eine Zeilentreiberelektrode (11) sowie eine gemeinsame Elektrode (10) hat, gekennzeichnet durch die Schritte:

a) Ansteuern der Spaltentreiberelektrode (12) mit einem ersten periodischen Signal (301), welches ein erstes Frequenzspektrum sowie erste Frequenzkomponenten aufweist;

b) Ansteuern der Zeilentreiberelektrode (11) mit einem zweiten periodischen Signal (302), welches ein zweites Frequenzspektrum sowie zweite Frequenzkomponenten aufweist, wobei die Kombination des ersten und des zweiten periodischen Signals an der gemeinsamen Elektrode (10) ein drittes periodisches Signal erzeugt, welches ein Modulationsfrequenzspektrum mit Modulationsfrequenzkomponenten aufweist, und wobei das zweite Frequenzspektrum so gewählt ist, daß das Modulationsfrequenzspektrum mit den Modulationsfrequenzkomponenten zwischen den zweiten Frequenzkomponenten liegt;

c) Herausfiltern des ersten Frequenzspektrums aus dem Modulationsfrequenzspektrum, um ein gefiltertes Signal mit einer Filtersignalamplitude zu erzeugen;

d) Setzen der Filtersignalamplitude in Beziehung zum Zustand des Aktivelementpixels; wobei

e) das erste periodische Signal eine Sinuswelle und das zweite periodische Signal eine Rechteckwelle ist oder umgekehrt.

2. Verfahren zur Zustandsüberprüfung mehrerer Aktivelementpixel, von denen jedes eine Spaltentreiberelektrode (12), eine Zeilentreiberelektrode (11) sowie eine gemeinsame Elektrode (10) hat, gekennzeichnet durch die Schritte:

a) Ansteuern jeder Spaltentreiberelektrode (12) der Reihe nach mit einem ersten periodischen Signal, welches ein erstes Frequenzspektrum sowie erste Frequenzkomponenten aufweist;

b) Ansteuern jeder Zeilentreiberelektrode (11) der Reihe nach mit einem zweiten periodischen Signal, welches eine zweite Frequenz mit zweiten Frequenzkomponenten aufweist, wobei die Kombination des ersten und des zweiten periodischen Signals an der gemeinsamen Elektrode (10) ein drittes periodisches Signal entstehen läßt, welches ein Modulationsfrequenzspektrum mit Modulationsfrequenzkomponenten aufweist und wobei das zweite Frequenzspektrum so gewählt ist, daß das Modulationsfrequenzspektrum mit Modulationsfrequenzkomponenten zwischen den zweiten Frequenzkomponenten liegt;

c) Herausfiltern des ersten Frequenzspektrums der Reihe nach aus dem Modulationsfrequenzspektrum, um ein gefiltertes Signal mit einer Filtersignalamplitude zu liefern;

d) der Reihe nach Feststellen, welches der mehreren Aktivelementpixel geprüft wurde; und

e) der Reihe nach die Filtersignalamplitude in bezug setzen zum Zustand des festgestellten Aktivelementpixels, wobei

f) das erste periodische Signal eine Sinuswelle und das zweite periodische Signal eine Rechteckwelle ist oder umgekehrt.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kammfilter (304) das zweite Frequenzspektrum aus dem Modulationsfrequenzspektrum herausfiltert.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Modulationsfrequenzspektrum zur Erzeugung einer digitalmodulierten Frequenz digitalisiert wird, welche durch ein auf einem Mikroprozessor basierendes Kammfilter (304) zur Erzeugung des gefilterten Signals verarbeitet wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Modulationsfrequenzspektrum zur Erzeugung eines digitalmodulierten Frequenzspektrums digitalisiert wird, wobei das digitalmodulierte Frequenzspektrum von einem Kammfilter basierend auf einem digitalen Signalprozessor verarbeitet wird, um das gefilterte Signal zu erzeugen.

6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Aktivelementpixel bzw. jedes Aktivelementpixel umfaßt:

a) ein Flüssigkristallpixel mit einer vierten sowie einer fünften Elektrode, wobei die fünfte Elektrode an die gemeinsame Elektrode angeschlossen ist; sowie

b) einen Dünnschichtfeldeffekttransistor (TFT) mit einem Steueranschluß, einem Quellenanschluß sowie einem Senkenanschluß, wobei der Senkenanschluß an die vierte Elektrode angeschlossen und das zweite periodische Signal an den Steueranschluß gelegt ist und das erste periodische Signal dem Quellenanschluß des Dünnschichttransistors zugeführt wird.

7. Vorrichtung zur Zustandsüberprüfung eines Aktivelementpixels, welches eine Spaltentreiberelektrode (12), eine Zeilentreiberelektrode (11) sowie eine gemeinsame Elektrode (10) aufweist, gekennzeichnet durch

a) Mittel (301) zum Ansteuern der Spaltentreiberelektrode (12) mit einem ersten periodischen Signal, welches ein erstes Frequenzspektrum sowie erste Frequenzkomponenten aufweist;

b) Mittel (302) zum Ansteuern der Zeilentreiberelektrode (11) mit einem zweiten periodischen Signal, welches eine zweite Frequenz mit zweiten Frequenzkomponenten aufweist und wobei die Kombination des ersten periodischen Signals mit dem zweiten periodischen Signal an der gemeinsamen Elektrode (10) ein drittes periodisches Signal entstehen läßt, welches ein Modulationsfrequenzspektrum mit Modulationsfrequenzkomponenten aufweist und wobei das zweite Frequenzspektrum so gewählt ist, daß das Modulationsfrequenzspektrum mit Modulationsfrequenzkomponenten zwischen den zweiten Frequenzkomponenten liegt;

c) Mittel (304) zum Herausfiltern des zweiten Frequenzspektrums aus dem Modulationsfrequenzspektrum, um ein gefiltertes Signal mit einer Filtersignalamplitude zu erzeugen; und

d) Mittel (305), um die Filtersignalamplitude zum Zustand des Aktivelementpixels in Beziehung zu setzen; wobei

8. Vorrichtung zur Zustandsüberprüfung mehrerer in Spalten und Zeilen angeordneter Aktivelementpixel, wobei jedes Aktivelementpixel eine Spaltentreiberelektrode (12), eine Zeilentreiberelektrode (11) sowie eine gemeinsame Elektrode (10) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß

a) alle Spaltentreiberelektrode (12) in jeder einzelnen Spalte an mehrere Spaltenbusse angeschlossen sind;

b) alle Zeilentreiberelektroden (11) in jeder einzelnen Zeile an mehrere Zeilenbusse angeschlossen sind;

c) alle gemeinsamen Elektroden (10) in jeder einzelnen Reihe an mehrere Gemeinschaftsbusse angeschlossen sind;

d) jede Spalte durch einen Generator (301) für ein erstes periodisches Signal angesteuert wird, welches ein erstes Frequenzspektrum mit ersten Frequenzkomponenten aufweist;

e) jeder zweite Zeilenbus von einem Generator (302) für ein zweites periodisches Signal angesteuert wird, welches eine zweite Frequenz mit zweiten Frequenzkomponenten aufweist;

f) die Kombination des ersten periodischen Signals mit dem zweiten periodischen Signal an der gemeinsamen Elektrode ein drittes periodisches Signal entstehen läßt;

g) das dritte periodische Signal ein Modulationsfrequenzspektrum mit Modulationsfrequenzkomponenten aufweist;

h) das zweite Frequenzspektrum so gewählt ist, daß das Modulationsfrequenzspektrum mit Modulationsfrequenzkomponenten zwischen den zweiten Frequenzkomponenten liegt;

i) mehrere Mittel (95A, 95B) vorgesehen sind, um zwischen jedem zweiten Gemeinschaftbus umzuschalten und zwar als Antwort auf ein Schaltsignal, welches mit den Mitteln zum Ansteuern jedes zweiten Zeilenbusses koordiniert ist, der ein geschaltetes Gemeinschaftsbus-Ausgangssignal hat;

j) mehrere Mittel (304) vorgesehen sind, um das erste Frequenzspektrum aus dem Modulationsfrequenzspektrum herauszufiltern und ein gefiltertes Signal mit einer Filtersignalamplitude zu liefern, wobei jedes Filtermittel an das geschaltete Gemeinschaftsbus-Ausgangssignal angeschlossen ist;

k) mehrere Mittel (305A, 305B) feststellen, welches der mehreren Aktivelementpixel überprüft wurde und wobei jeder Detektor an die Filtereinrichtung (304) angeschlossen ist;

l) Mittel vorgesehen sind, um die Filtersignalamplitude mit dem Zustand des ermittelten Aktivelementpixels in Verbindung zu setzen, wobei

m) das erste periodische Signal eine Sinuswelle und das zweite periodische Signal eine Rechteckwelle ist oder umgekehrt.

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kammfilter (304) das zweite Frequenzspektrum aus dem Modulationsfrequenzspektrum herausfiltert und dieses Modulationsfrequenzspektrum digitalisiert und anschließend mit Hilfe eines auf einem Mikroprozessor basierenden Kammfilters (304) verarbeitet wird, um das gefilterte Signal zu erzeugen.

10. Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Aktivelementpixel umfaßt: