DE3434594A1

DE3434594A1 - Verfahren zum ansteuern einer bildplatte

Info

Publication number: DE3434594A1
Application number: DE19843434594
Authority: DE
Inventors: Katsunori Yokohama Kanagawa Hatanaka; Takashi Hiratsuka Kanagawa Nakamura; Satoshi Tokio/Tokyo Omata; Yoshiyuki Yokosuka Kanagawa Osada
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1983-09-21
Filing date: 1984-09-20
Publication date: 1985-04-11
Also published as: US4675667A; JPS6066236A; JPH0477294B2; DE3434594C2

Description

Die Erfindung bezieht sich allgemein auf ein Verfahren zum Ansteuern einer Bildplatte und insbesondere auf ein Verfahren zum Ansteuern einer aktiven Matrix-Bildplatte, bei der an Bildelemente der Flüssigkristall-Bildplatte Schalttransistoren angeschlossen sind.

Aus dem Stand der Technik sind Matrix-Flüssigkri'stall-Bildplatten bekannt, bei welchen jedes Anzeigeelement bzw. jede Anzeigeeinheit mit einem Schalttransistor versehen ist, um damit Ziffern, Buchstaben oder andersartige Bilder darzustellen.

Derartige vorstehend beschriebenen Flüssigkristall-Bildplatten haben eine Äquivalenzschaltung, wie sie in Fig. 1 gezeigt ist. Gemäß diesem Beispiel weist jedes Anzeigeelement bzw. jede Anzeigeeinheit einen von Dünnfilm-Transistoren 4a bis 4c aus amorphem Silicium und eine von Flüssigkristall-Zelleneinheiten 5a bis 5c auf. Die Dünnfilm-Transistoren 4a bis

A/25

Dfosdner Bank (München) Klo 3939fM 4

Bayer Veremsbank (München) Kto 5Ο8 θ*ι

^ι*;ΐ) Κίο 670-43-60*

4c sind auf einem Glassubstrat nach einem Dünnfilm-Herstellungsverfahren gebildet. Die Gate-Elektroden der Transistoren 4a bis 4c sind jeweils mit Abtastelektroden 2a bis 2c verbunden, während die Source-Elektroden mit einer Signalelektrode 1 verbunden sind. Die Drain-Elektroden sind jeweils mit einem der Anschlüsse der Flüssigkristall-Zelleneinheiten 5a bis 5c verbunden. Die jeweils anderen Anschlüsse der Flüssigkristall-Zelleneinheiten 5a bis 5c sind mit

!Q einer gemeinsamen Elektrode 3 verbunden, die dem Glassubstrat gegenübergesetzt ist, wobei zwischen das Glassubstrat und die gemeinsame Elektrode 3 das Flüssigkristall eingefügt ist. Eine solche Flüssigkristall-Bildplatte gemäß der vorstehenden Beschreibung wird mit einem Wechselspannungs-

,p- Ansteuerungsverfahren betrieben, das nachstehend anhand von Fig. 2 bis 5 beschrieben wird.

Die Fig. 2(a) zeigt die Kurvenform einer an die gemeinsame Elektrode 3 angelegten Spannung, die Fig.'2(b) zeigt die

2Q Kurvenform einer an die Signalelektrode 1 angelegten Spannung, die Fig. 3(a), 4(a) und 5(a) zeigen die Kurvenformen von jeweils an die Abtastelektroden 2a, 2b bzw. 2c angelegten Spannungen und die Fig. 3(b), 4(b) und 5(b) zeigen jeweils die Kurvenformen von an den Flüssigkristall-Zellenein-

2J- heiten 5a, 5b bzw. 5c angelegten Spannungen V.

Wenn an das Gate des Dünnfilm-Transistors 4 eine Spannung V„ angelegt wird, wird der Transistor 4 durchgeschaltet, so daß die Spannung zwischen den das Flüssigkristall einfassenden Elektroden einer Spannung nahekommt, welche die Differenz zwischen den Potentialen an der Signalelektrode 1 und an der gemeinsamen Elektrode 3 ist. In diesem Fall muß zum Sicherstellen einer hohen Bildqualität und bis zu dem nachfolgenden Zyklus (der zyklischen Anzeigeperiode),

„,_ bei dem der Anzeigeinhalt auf einen nachfolgenden Inhalt geändert wird, diese Spannung im wesentlichen auf einem vor-

bestimmten Pegel gehalten werden.

Mit einer solchen Bildplatte gemäß der vorstehenden Beschreibung kann zwar die sogenannte Matrix-Darstellung durch das Anwählen der Transistoren über die Abtastelektroden 2a bis 2c herbeigeführt werden, jedoch hat diese Bildplatte die folgenden Mangel:

Bekanntermaßen hat ein Dünnfilm-Transistor eine elektrostatische Kapazität C~_D zwischen der Drain-Elektrode und der Gate-Elektrode, während die Flüssigkristall-Zelleneinheit als ein Kondensator angesehen werden kann. Nimmt man an, daß die Flüssigkristall-Zelleneinheit eine Kapazität C,_c

,p- hat, ergibt sich bei dem Ausschalten des Dünnfilm-Transistors für ein einzelnes Bildelement der Flüssigkristall-Bildplatte eine Äquivalenzschaltung gemäß Fig. 6. Zu den Zeitpunkten der Wechsel der Potentiale an der gemeinsamen Elektrode 3 (T₁ bis T, gemäß Fig. 2 bis 5) wird der Transistor gesperrt, so daß ein einzelnes Bildelement der Flüssigkristall-Bildplatte durch die in Fig. 6 gezeigte Äquivalenzschaltung dargestellt ist. Wenn sich gemäß Fig. 6 das Potential der gemeinsamen Elektrode 3 um AVc ändert, ändert sich die Spannung an der Kapazität C. ^ um den Wert AV, der

„c durch die folgende Gleichung gegeben ist:

(1)

LC ^UGD

Die Polarität der Spannung AV ist die gleiche wie diejenige der Spannung AVc. Infolgedessen bewirkt gemäß der Dar-

stellung in den Figuren 3 bis 5 die Spannung AV immer eine

Abnahme des Absolutwerts der Spannung V.- an der Kapazität Cj p. Dies bedeutet, daß der Effektivwert der an dem Flüssigkristall anliegenden Spannung durch die Spannung AV vermindert wird.
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Wenn die Verringerungen der Effektivwerte der an die Flüssigkristall-Zelleneinheiten 5a, 5b und 5c jeweils als ^V_pF AVpp, bzw. ^Vpp angenommen werden, ergibt sich gemäß den Figuren 3 bis 5 der folgende Zusammenhang:

(2) Ferner können folgende Werte eingerechnet werden:

^^VEF ^ ° ^

^AVEFC ** ^{V (4)}

Dies bedeutet, daß selbst bei dem Anlegen der gleichen Signalspannung an jedes der Bildelemente der Flüssigkristall-Bildjplatte ein Unterschied hinsichtlich des Effektivwerts der angelegten Spannung zwischen den Bildelementen besteht, an welche die Abtastspannungen zu verschiedenen Zeitpunkten angelegt werden. Infolgedessen besteht zwischen den Bildele-

2Q menten ein Unterschied hinsichtlich der Lichtdurchlässigkeit, so daß über das ganze Bild hinweg ein Helligkeitsgradient in Erscheinung tritt.

Bei den Flüssigkristall-Bildplatten wird die Abtastspannung von der am weitesten links gelegenen Abtastelektrode an aufeinanderfolgend angelegt, so daß gemäß den Fig. .3 bis 5 eine umso höhere Lichtdurchlässigkeit erreicht wird, je näher ein Bildelement an dem linken Rand liegt. Nimmt man folgende Werte an:

^CLC ^{= lpF>
C}GD ⁼ °'^{05 pF und} ^^{Vc = 10V} so ergeben sich aus den Gleichungen (1) und (4) die Spannungsverminderungen zu <4V = 0,48 V und AV^p = 0,48 V. Wenn beispielsweise eine Gradations-Darstellung durch Ändern der an die Signalelektroden angelegten Spannung in Stufen

Q₅ von 0,24 V ausgeführt werden soll, entspricht die Spannung 0,48 V derjenigen Spannung, welche zwei Gradationsstufen

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darstellt. Infolgedessen ist es unmöglich, eine praktisch verwendbare Gradationsdarstellung zu erzielen. Die Fig. 7 zeigt den durch eine Simulation der vorstehend beschriebenen g Bedingungen erzielten Zusammenhang zwischen der Lage eines Bildelements auf der Platte und dem Effektivwert der an dem Flüssigkristall des Bildelements angelegten Spannung (wobei die Signalspannung zu 6,5 V angenommen ist). Die Ordinate stellt die Spannung dar, während die Abszisse die Lage auf der Flüssigkristall-Platte darstellt, wobei der linke Rand mit "0" und der rechte Rand mit "1" dargestellt ist. Es ist ersichtlich, daß sich der Effektivspannungswert in Bezug auf die Lage nahezu linear ändert.

,r Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, zum Beheben der Mängel der herkömmlichen Verfahren zum Ansteuern von Flüssigkristall-Bildplatten ein Verfahren zu schaffen, das eine praktisch brauchbare Gradationsdarstellung mittels einer Flüssigkristall-Bildplatte ermöglicht.

Ferner soll das erfindungsgemäße Verfahren zum Ansteuern einer Flüssigkristall-Bildplatte eine Darstellung mit sog. "gleichförmiger Ausleuchtung" ohne Entstehung irgendeines Helligkeitsgradienten ergeben.

Erfindungsgemäß wird mit einem Verfahren zum Ansteuern einer Flüssigkristall-Bildplatte, in der jedes von in einer Matrix angeordneten Bildelementen mit einem Schalttransistor versehen ist und eine gemeinsame Elektrode auf einer Grundplat-

_on te ausgebildet ist, die einer Grundplatte mit den Anzeige-Bildelementen derart gegenübergesetzt ist, daß zwischen den beiden Grundplatten Flüssigkristall eingefaßt ist, welches mittels elektrischer Wechselfelder mit zwei Spannungspegeln dadurch angesteuert wird, daß das Potential der gemeinsamen

ο,- Elektrode bei jedem Anzeigezyklus zwischen zwei Pegeln umgeschaltet wird, die Aufgabe dadurch gelöst, daß während

einer Anzeigeperiode, während der der niedrigere der beiden Spannungspegel anliegt, das Potential der gemeinsamen Elektrode allmählich verringert wird, und während einer Anzeigeperiode mit dem höheren Spannungspegel das Potential der gemeinsamen Elektrode allmählich angehoben wird.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.

Fig. 1 zeigt eine Äquivalenzschaltung einer Matrix-Flüssigkristall-Bildplatte.

Fig. 2(a) und (b) sind Darstellungen zur Erläuterung eines •je herkömmlichen Verfahrens zum Ansteuern einer Flüssigkristall-Bildplatte.

Fig. 3(a) und (b), 4(a) und (b) und 5(a) und (b) sind Darstellungen zur Erläuterung von Abtastelektrodenpo-2Q tentialen und Spannungen, die bei dem herkömmlichen Ansteuerungsverfahren an das Flüssigkristall angelegt werden.

Fig. 6 zeigt eine Äquivalenzschaltung eines einzelnen BiIdelements einer Flüssigkristall-Bildplatte bei dem Ausschalten eines Schalttransistors.

Fig. 7 zeigt den Zusammenhang zwischen der Lage eines Bildelements auf einer Flüssigkristall-Platte und dem OQ Effektivwert der an das Flüssigkristall angelegten Spannung bei der Anwendung des herkömmlichen Ansteuerungsverfahrens.

Fig. 8(a) und (b) sind Darstellungen zur Erläuterung des „c erfindungsgemäßen Ansteuerungsverfahrens gemäß einem Ausführungsbeispiel.

Fig. 9Ca) und Cb), 1OCa) und (b) und 11(a) und (b) sind Darstellungen zur Erläuterung von Abtastspannungen und Spannungen, die bei der Anwendung des erfindungsgemäßen Ansteuerungsverfahrens an dem Flüssigkristall anliegen.

Fig. 12 zeigt den Zusammenhang zwischen der Lage eines Bildelements in einer Flüssigkristall-Platte und dem Effektivwert der an dem Flüssigkristall anliegenden Spannung bei der Anwendung des erfindungsgemäßen Ansteuerungsverfahrens .

Fig. 13 ist eine Darstellung zur Erläuterung des erfindungsjg gemäßen Verfahrens gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.

Fig. 14 ist eine perspektivische Ansicht von Dünnfilm-Transistoren, die bei dem erfindungsgemäßen Ansteuerungsverfahren verwendet werden.

Die Fig. 8 bis 11 sind Darstellungen zur Erläuterung eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Ansteuern einer Flüssigkristall-Bildplatte. Die Fig. 8(a) zeigt das Potential an einer gemeinsamen Elektrode 3, während die Fig. 8(b) das Potential an einer Signalelektrode 1 zeigt. Gemäß der vorstehenden Beschreibung nimmt gemäß Fig. 7 bei dem herkömmlichen Flüssigkristall-Ansteuerungsverfahren der Effektivwert der an dem Flüssigkristall anliegenden Spannung im wesentlichen linear in Bezug auf die Lage bzw. Stelle auf einer Bildplatte ab. Infolgedessen wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Ansteuern einer Flüssigkristall-Bildplatte aufgrund der Erkenntnis, daß die von der Lage abhängige Verringerung der Effektivspannung aufgehoben bzw. unterdrückt werden kann, wenn die Flüssigkristall-Ladespannung in Abhängigkeit von der Lage linear

zunimmt, gemäß Fig. 8(a) das Potential an der gemeinsamen Elektrode während eines Anzeigezyklus in der Form einer Schräge bzw. Sägezahnkurve um ΔΥ geändert. Die Fig. 8(b), 9(a), 10(a) und 11 (a) sind jeweils den Fig. 2(b), 3(a), 4(a) bzw. 5(a) gleichartig. Die Fig. 9(b), 10"Cb) und 11 (b) zeigen die bei dem erfindungsgemäßen Verfahren an Flüssigkristall-Zelleneinheiten 5a, 5b bzw. 5c der Bildplatte anliegenden Spannungen.

Gemäß Fig. 9(b) beträgt der Spitzenwert der an der Flüssigkristall-Zelleneinheit 5a anliegenden Spannung V, während gemäß Fig. 10(b) der Spitzenwert der an der Flüssigkristall-Zelleneinheit 5b anliegenden Spannung Va ist. D.h., die

jg Spannung Va wird so gewählt, daß die an den Flüssigkristall-Zelleneinheiten 5a und 5b anliegenden Effektivspannungen gleich werden (V<Va). Gemäß Fig. 11 (b) ist der Spitzenwert der an der Flüssigkristall-Zelleneinheit 5c anliegenden Spannung Vb. Die Spannungen V, Va und Vb werden so gewählt,

2Q daß die Effektivspannungen an den Flüssigkristall-Zelleneinheiten 5a, 5b und 5c einander gleich sind (V<Va<^Vb).

Die Fig. 12 zeigt den Zusammenhang zi^ischen der Lage auf der Platte und dem Effektivwert der an dem Flüssigkristall anliegenden Spannung. Diese Daten wurden durch Simulation für eine Signalspannung von 6,5 V erzielt. Es is.t ersichtlich, daß mit dem erfindungsgemäßen Verfahren die Änderung der an dem Flüssigkristall anliegenden Effektivspannung im wesentlichen ausgeschaltet ist.

Gemäß der vorangehenden Beschreibung wurde das Potential von der gemeinsamen Elektrode während eines Anzeigezyklus auf lineare Weise geändert, jedoch ist es ersichtlich, daß die lineare Änderung des Potentials der gemeinsamen Elektrode nicht erforderlich ist, wenn eine ausreichende Aufhebe- bzw. Korrekturwirkung durch eine nichtlineare Änderung

des Potentials der gemeinsamen Elektrode erzielbar ist. Ferner kann gemäß Fig. 13 die Spannung bzw. das Potential stufenweise verändert werden, falls eine kontinuierliche Änderung des Potentials schwierig ist. Auch in diesem Fall wird mit dem erfindungsgemäßen Verfahren die Aufgabe gelöst. Darüberhinaus kann die Aufgabe der Erfindung auch durch das Ändern der höheren oder der niedrigeren Spannung während eines Anzeigezyklus gelöst werden, wenn es schwierig ist, so-IQ wohl die höhere als auch die niedrigere Spannung zu ändern.

Die bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendeten Schalttransistoren wurden bisher als Dünnfilm-Transistoren mit amorphem Siliciuim beschrieben, jedoch ist es ersichtlich,

■ic daß das gleiche Ansteuerungsverfahren auch bei der Verwendung von Dünnfilm-Transistoren mit einkristallinem Silicium, polykristallinem bzw. Poly-Silicium oder einem anderen amorphen Halbleiter angewandt werden kann. Das erfindungsgemäße Verfahren ist auch bei allen Arten von Flüssigkristallen

„_n einschließlich Feldeffekt-Flüssigkristallen oder Flüssigkristallen zur Nutzung des dynamischen Steuerungseffekts anwendbar, sofern die Flüssigkristalle zur Sichtanzeige durch das Anlegen einer Spannung eingesetzt werden. Das erfindungsgemäße Verfahren ist insbesondere für die Anwendung bei verdrilltem nematischem Flüssigkristall geeignet, wie es von M. Schadt und W. Helfrich in "Applied Physics Letters", Vol. 18, No. 4 (5. Februar 1971) auf den Seiten 127 und 128 in dem Artikel "Voltage-Dependent Optical Activity of a Twisted Nematic Liquid Cristal" beschrieben ist. Wenn bei

„₀ Flüssigkristallen dieser Art kein elektrisches Feld angelegt wird, bilden die Moleküle eines nematischen Flüssigkristalls mit positiver dielektrischer Anisotropie^ eine in der Richtung der Dicke einer Flüssigkristallschicht verdrillte Struktur (Helixstruktur), wobei an den beiden Elektroden-

_Qf- flächen die Flüssigkristallmoleküle parallel zueinander angeordnet sind. Wenn ein elektrisches Feld angelegt wird,

werden die Moleküle des nematischen Flüssigkristalls mit der positiven dielektrischen Anisotropie in der Richtung des elektrischen Felds ausgerichtet, so daß damit die optische Modulation herbeigeführt werden kann. Wenn zur Verwendung einer Matrix-Flüssigkristall-Bi.ldplatte der vorstehend beschriebenen Art Flüssigkristall dieser Art verwendet wird, wird an Bereichen (angewählten Punkten), an denen sowohl die Abtastelektrode als auch die Signalelektrode gewählt

IQ ist, eine Spannung angelegt, die höher als eine Schwellenspannung ist, bei welcher die Ausrichtung der Flüssigkristallmoleküle senkrecht zu den Elektrodenflächen hervorgerufen wird. Im Gegensatz dazu wird an Bereichen (nicht angewählten Punkten), an denen die Abtastelektrode und die Signalelektrode nicht gewählt sind, keine Spannung angelegt, wodurch die Flüssigkristallmoleküle ihre zu den Elektrodenflächen parallele stabile Anordnung beibehalten können. Wenn oberhalb und unterhalb einer solchen Flüssigkristallzelle gemäß der vorstehenden Beschreibung lineare Polarisatoren unter

on Nikolscher Überkreuzung angeordnet werden, wird an den angewählten Punkten kein Licht durchgelassen, Avährend an den nicht angewählten Punkten Licht durchgelassen wird. Daher kann die Zelle als Anzeigevorrichtung benutzt werden.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Ansteuern einer Flüssigkristall-Bildplatte können Dünnfilm-Transistoren gemäß Fig. 14 eingesetzt werden.

Gemäß Fig. 14 werden für die Ansteuerung Dünnfilm-Transis-OQ toren auf einer Grundplatte (aus Glas oder dergleichen) in einer Matrixanordnung mit einer Dichte in der Größenordnung von 2 bis 10 Linien/mm angeordnet. Die Dünnfilm-Transistoren weisen auf einer Grundplatte S gebildete Gate-Leitungen 21aa und 21 ab aus durchsichtigen metallischen dünnen Leiterfilmen gg auf, auf denen Gate-Elektroden 21a, 21b, 21c und 21d ausgebildet sind; auf diese Elektrode ist ein Isolierfilm I auf-

geschichtet, über dem oberhalb der Gate-Elektroden Dünnfilm-Halbleiter 22a, 22b, 22c und 22d gebildet sind; an jeweils ein Ende der Halbleiter sind Source-Leitungen 23a und 23b (aus Leiterfilmen) angeschlossen, während an die anderen Enden der Halbleiter Drain-Elektroden 24a, 24b, 24c und 24d angeschlossen sind.

Die Drain-Elektroden bestehen aus einem transparenten Lei-"LQ terfilm aus In₂O₃, SnO₂ oder dergleichen oder einem dünnen metallischen Film aus Au, Al, Pd oder dergleichen. Die Gate-Elektroden und die Source-Leitungen bestehen aus einem Metall wie Al, Au, Ag, Pt, Pd, Cu oder dergleichen.

,ρ- Gemäß der vorstehenden Beschreibung wird nach dem erfindungsgemäßen Verfahren die an die gemeinsame Elektrode angelegte Spannung mit dem Zeitablauf derart geändert, daß auf einer parasitären Kapazität Cp~ zwischen dem Gate und dem Drain eines jeden Dünnfilm-Transistors beruhende Abweichungen hin-

„Q sichtlich der Effektivspannung zwischen den Bildelementen im wesentlichen aufgehoben werden. Infolgedessen kann eine Anzeige bzw. Bilddarstellung hoher Qualität und insbesondere eine Darstellung mit Gradation bzw. Tönung erzielt werden.

Bei einem Verfahren zum Ansteuern einer Flüssigkristall-Bildplatte, bei der jedes von in einer Matrixanqrdnung angeordneten Anzeigebildelementen mit einem Schalttransistor versehen ist, eine gemeinsame Elektrode auf einer Grundplatte ausgebildet ist, die einer Grundplatte mit daran aus-

_₀ gebildeten Anzeigebildelement-Elektroden gegenübergesetzt ist, und zwischen die Grundplatten ein Flüssigkristall eingeschichtet ist, welches durch ein elektrisches Wechselfeld mit zwei Spannungspegeln dadurch angesteuert wird, daß während eines jeden Anzeigezyklus das Potential der gemeinsamen Elektrode zwischen zwei Potentialpegeln umgeschaltet wird, wird das Potential der gemeinsamen Elektrode während einer

Anzeigeperiode mit dem niedrigeren der beiden Spannungspegel allmählich abgesenkt und während einer Anzeigeperiode mit dem höheren Spannungspegel allmählich angehoben.

- Leerseite -

Claims

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Hellmann - orams - otruif Dii-ciem. α Bowing

Dipl.-Ing. R. Kinne Dipl.-Ing. R Grupe

3 4 3 A 5 9 4 Dipl.-Ing. B. Pellmann

Dipl.-Ing. K. Grams Dipl.-Chem. Dr. B. Struif

Bavariaring 4, Postfach 20240 8000 München 2 Tel.: 089-539653 Telex: 5-24845 tipat Telecopier: 0 89-537377 cable: Germaniapatent Münche·

20. September 1984 DE 4276

Patentansprüche

( 1.ι Verfahren zur Ansteuerung einer Flüssigkristall-Bildplatte, bei der ein jedes von in einer Matrix angeordneten Anzeigebildelementen mit einem Schalttransistor versehen ist, eine gemeinsame Elektrode auf einer Grundplatte angebracht ist, die einer Elektroden für die Anzeigebildelemente tragenden Grundplatte gegenübergesetzt ist, und zwischen die Grundplatten Flüssigkristall eingelegt ist, welches mit einem elektrischen Wechselfeld mit zwei Spannungspegeln angesteuert wird, die sich durch das Umschalten des Potentials der gemeinsamen Elektrode zwischen zwei Potentialpegeln während eines jeden Anzeigezyklus ergeben, dadurch gekennzeichnet, daß das Potential der gemeinsamen Elektrode während einer Anzeigeperiode mit denn niedrigeren der beiden Spannungspegel verringert und/oder während einer Anzeigeperiode mit dem höheren der beiden Spannungspegel angehoben wird.
2. Verfahren zum Ansteuern einer Bildplatte, bei der jedes von in einer Matrix angeordneten Anzeigebildelementen mit einem Schalttransistor versehen ist, der ein mit einer Adressenleitung verbundenes Gate, eine mit einer Datenleitung verbundene Source und einen Drain hat, wobei zwischen den Drain und eine gemeinsame Elektrode ein Kondensator ger Bank (München) Klo. 3939 8*4 Bayer. Vereinst«* (Mjncnen) Ko 50β 9*1 Postsii*« (München) Klo 670-X3-80*

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schaltet ist und ein jedes Bildanzeigeelement mittels eines elektrischen Wechselfelds mit zwei Spannungspegeln dadurch angesteuert wird, daß das an die gemeinsame Elektrode angelegte Potential während eines Anzeigezyklus zwischen zwei Potentialpegeln umgeschaltet wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Potential an der gemeinsamen Elektrode während einer Anzeigeperiode mit dem niedrigeren Spannungspegel verringert und/oder während einer Anzeigeperiode mit dem höheren Spannungspegel gesteigert wird.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Potential an der gemeinsamen Elektrode während der Anzeigeperiode mit dem niedrigeren Spanne nungspegel allmählich vermindert und während der Anzeigeperiode mit dem höheren Spannungspegel allmählich gesteigert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Vermindern und Steigern des Potentials an der gemeinsamen Elektrode kontinuierlich vorgenommen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Vermindern und Steigern des Potentials an der gemeinsamen Elektrode stufenweise vorgenommen wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem niedrigeren und dem höheren Spannungspegel die Spannungen unterschiedliche Polarität haben.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Schalttransistor durch einen Dünnfilm-Transistor gebildet wird.

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8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,

daß zwischen dem Gate und dem Drain des Dünnfilm-Transistors eine parasitäre Kapazität gebildet ist.