DE102006026217B4

DE102006026217B4 - Vorrichtung und Verfahren zum Steuern der Gatespannung eines Flüssigkristalldisplays

Info

Publication number: DE102006026217B4
Application number: DE102006026217.4A
Authority: DE
Inventors: Chang Ju Park
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2005-06-28
Filing date: 2006-06-06
Publication date: 2018-10-25
Anticipated expiration: 2026-06-07
Also published as: DE102006026217A1; US20060290640A1; KR101146382B1; KR20070000872A; US7764257B2

Abstract

Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung für ein Flüssigkristalldisplay, mit:einer Spannungsversorgung (51, 52), die mindestens zwei Gatespannungen mit verschiedenen Spannungspegeln erzeugt;einem Gatetreiber (53), der unter Verwendung der mindestens zwei Gatespannungen mit verschiedenen Spannungspegeln einen Scanimpuls erzeugt, der eine Anzeigeleitung auswählt; undeiner Gatespannungs-Steuerungseinrichtung (54), die in der Abfolge einer niedrigeren Spannung gefolgt von einer höheren Spannung die Gatespannungen an den Gatetreiber (53) liefert,bei der zu den Gatespannungen eine niedrige Gatespannung (VGL), die einer niedrigen Logikspannung des Scanimpulses entspricht, eine hohe Gatespannung (VGH), die einer hohen Logikspannung des Scanimpulses entspricht und eine Gate-modulierte Spannung (VGPM) zwischen der niedrigen Gatespannung und der hohen Gatespannung gehören,wobei die Gatespannungs-Steuerungseinrichtung (54) dem Gatetreiber (53) die niedrige Gatespannung (VGL) als Niedrigpegelspannung zu einem früheren Zeitpunkt als die Gate-modulierte Spannung als Mittelpegelspannung und die hohe Gatespannung als Hochpegelspannung zuführt,wobei anschließend an das Zuführen der niedrigen Gatespannung (VGL) ein erster Transistor (Q1) der Gatespannungs-Steuereinrichtung (54) mittels einer ersten Spannungsdifferenz (71) eingeschaltet wird,eine durch den eingeschalteten ersten Transistor (Q1) eingestellte zweite Spannungsdifferenz (72) einen zweiten Transistor (Q2) der Gatespannungs-Steuereinrichtung (54) einschaltet, um die Gate-modulierte Spannung (VGPM) verzögert zur niedrigen Gatespannung (VGL) an den Gatetreiber (53) anzulegen,eine durch den eingeschalteten zweiten Transistor (Q2) eingestellte dritte Spannungsdifferenz (73) einen dritten Transistor (Q3) der Gatespannungs-Steuereinrichtung (54) einschaltet,eine durch den eingeschalteten dritten Transistor (Q3) eingestellte vierte Spannungsdifferenz (74) einen vierten Transistor (Q4) der Gatespannungs-Steuereinrichtung (54) einschaltet, um die hohe Gatespannung (VGH) verzögert zur Gate-modulierten Spannung (VGPM) an den Gatetreiber (53) anzulegen.

Description

Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Flüssigkristalldisplay, und spezieller betrifft sie eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Steuern einer Gatespannung, wobei eine Gatespannung sequenziell von einer niedrigeren Spannung gefolgt durch eine höhere Spannung an einen Gatetreiber gelegt werden kann, um diesen stabil anzusteuern und zu schützen, um dadurch jegliche Defekte in ihm zu minimieren.
Erörterung der einschlägigen Technik
Allgemein werden Flüssigkristalldisplays (LCDs) wegen ihrer wünschenswerten Eigenschaften, wie geringem Gewicht, flachem Profil und niedrigem Energieverbrauch usw. in immer weiterer Verbreitung verwendet. Demgemäß wurden LCDs für Büroautomatisierungseinrichtungen sowie Video/Audio-Geräte usw. verwendet. Ein LCD steuert die Lichtmenge, wie sie auf ein Datensignal hin durchgelassen wird, das an mehrere Steuerschalter angelegt wird, die in einer Matrix auf einer Flüssigkristalldisplay-Tafel angeordnet sind, um dadurch ein gewünschtes Bild auf dem Schirm anzuzeigen.
Bei einer Flüssigkristalldisplay-Tafel sind eine Vielzahl von Datenleitungen und eine Vielzahl von Scanleitungen einander schneidend angeordnet, und Flüssigkristallzellen zwischen einem oberen und einem unteren Substrat sind in einer Matrix angeordnet. Ferner ist die Flüssigkristalldisplay-Tafel mit Pixelelektroden und gemeinsamen Elektroden versehen, um ein elektrisches Feld an jede Flüssigkristallzelle anzulegen. Die Schnittpunkte zwischen der Vielzahl von Datenleitungen und der Vielzahl von Scanleitungen sind mit Dünnschichttransistoren (TFTs) zum Schalten einer Datenspannung an eine Pixelelektrode auf ein Scansignal hin versehen. Bei einer derartigen Flüssigkristalldisplay-Tafel sind integrierte Gatetreiberschaltkreise elektrisch, über ein Bandträgergehäuse (TCP = tape carrier package) mit integrierten Datentreiber-Schaltkreisen verbunden.
Die 1 zeigt schematisch ein typisches Flüssigkristalldisplay-Modul.
Gemäß der 1 verfügt das Flüssigkristalldisplay-Modul über eine Flüssigkristalldisplay-Tafel 10, einen Datentreiber 12, einen Gatetreiber 13 und eine gedruckte Quellen-Leiterplatte 11, die mit einer ersten und einer zweiten Spannungsversorgung 14 und 15 versehen ist. Eine hohe Gatespannung VGH und eine niedrige Gatespannung VGL, wie sie durch die erste und die zweite Spannungsversorgung 14 und 15 erzeugt werden, werden, über eine Leiterbahn auf Glas (LOG = line on glass), an den Gatetreiber 13 gelegt. Dabei werden, obwohl die hohe Gatespannung VGH und die niedrige Gatespannung VGL über eine wechselseitige Spannungsdifferenz verfügen, dieselben unabhängig von einer bestimmten Abfolge entsprechend einem Spannungspegel an den Gatetreiber 13 angelegt. Aus diesem Grund kann es, wenn die hohe Gatespannung VGH mit einem Pegel, der um 20 V höher als die niedrige Gatespannung VGL ist, früher als die niedrige Gatespannung VGL an den Gatetreiber 13 angelegt wird, zu einer Beschädigung des Gatetreibers 13 kommen.
US 2003/0034965 A1 beschreibt eine Stromvorrichtung und ein Ansteuerverfahren, das die Steuerung einer Stromsequenz einfach macht und eine Fehlfunktion in einem Treiber-IC verhindert. Die Stromvorrichtung enthält eine Stromversorgung zum gleichzeitigen Erzeugen einer hohen Gatespannung und einer niedrigen Gatespannung, eine Gate-Ansteuerschaltung, die sequentiell die hohe Gatespannung und dann die niedrige Gatespannung an Gateleitungen liefert, und eine Spannungssteuerung, die zwischen der Stromversorgung der Gate-Ansteuerschaltung angeordnet ist, die die hohe Gatespannung unter Verwendung mehrerer Schaltkreise verarbeitet, um die hohe Gatespannung an die Gate-Ansteuerschaltung zu liefern, nachdem die niedrige Gatespannung an die Gate-Ansteuerschaltung angelegt wird.
DE 199 44 724 A1 beschreibt eine Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung, welche einen vereinfachten Schaltkreisaufbau aufweist und Flimmern und Restbilder vermeidet. Die Vorrichtung weist eine Mehrzahl von Pixeln auf, welche jeweils einen Schalt-Transistor mit einer zweiten, an eine Gateelektrode angeschlossenen Elektrode, eine erste Elektrode und eine Pixelelektrode aufweisen. Jede einer Mehrzahl von Datensignalleitungen ist mit der zweiten Elektrode verbunden, welche einen der Transistoren zugeordnet ist und jede der Mehrzahl von Gatesignalleitungen ist an die Gateelektrode angeschlossen, welche einem der Transistoren zugeordnet ist. Ein Gatetreiber ist an die Mehrzahl von Gatesignalleitungen angeschlossen und empfängt erste und zweite Spannungen und gibt eine der ersten und zweiten Spannungen zum sequentiellen Ansteuern der Gatesignalleitungen aus. Die erste Spannung wird vor dem Ansteuern nachfolgender Gatesignalleitungen geändert.
US 2005/0088391 A1 beschreibt eine Flüssigkristallanzeige mit einem Flüssigkristallanzeigefeld mit Flüssigkristallzellen, die in einer Matrix angeordnet sind, die durch Datenleitun gen und Gateleitungen definiert ist, die einander kreuzen, wobei ein Dünnfilmtransistor in jeder jeweiligen Zelle angrenzend an eine Kreuzung einer Datenleitung vorgesehen ist und eine Gateleitung für die jeweilige Zelle; einen Abtastspannungsgenerator zum Erzeugen von mindestens zwei Abtastspannungen, die unterschiedliche Werte haben; eine Vielzahl von integrierten Gate-Ansteuerschaltungen zum Erzeugen von Abtastimpulsen unter Verwendung der Abtastspannungen und zum Zuführen des Abtastimpulses zu den Gateleitungen; und eine Umschaltschaltung zum Umschalten der Abtastspannungen und zum Anlegen der Abtastspannungen an die integrierten Gateansteuerschaltungen.
DE 28 10 641 A1 , US 2003/0076138 A1 , und DE 20 2004 011 706 U1 beschreiben weitere Schaltungsanordnungen mit speziellen Stromverläufen.
Die US 2002/0190937 A1 beschreibt eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einer Steuerung und einem Gatetreiber, der ein Shiftregister und einen Mehrschritt-Pegelversetzer aufweist. Das Shiftregister reagiert auf einen dualen Gatestartpuls, der von der Steuerung in das Shiftregister eingegeben wird, um sequentiell Scanpulse zu erzeugen. Der Mehrschritt-Pegelversetzer wandelt eine Spannung der Scanpulse in eine für eine Flüssigkristallzelle geeignete Ansteuerspannung. Vom Gatetreiber werden als Antwort auf den dualen Gatestartpuls Ausgabesignale an die Gateleitungen ausgegeben. Die Ausgabesignale, die an die Gateleitungen angelegt werden, können verschiedene Pegel aufweisen, umfassend die erste Gatespannung und die zweite Gatespannung.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die oben genannten Aufgaben werden durch die Merkmale der nebengeordneten Patentansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den jeweils abhängigen Ansprüchen angegeben.
Demgemäß ist die Erfindung auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Steuern einer Gatespannung eines Flüssigkristalldisplays gerichtet, die im Wesentlichen eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Einschränkungen und Nachteilen in der einschlägigen Technik vermeiden.
Es ist ein Vorteil der Erfindung, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Steuern einer Gatespannung zu schaffen, bei denen eine Gatespannung sequenziell von einer niedrigeren Spannung, gefolgt von einer höheren Spannung, an einen Gatetreiber angelegt werden kann, um diesen stabil anzusteuern und ihn zu schützen, um dadurch jegliche Defekte in diesem zu minimieren.
Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt, und sie werden teilweise aus der Beschreibung ersichtlich oder ergeben sich beim Ausüben der Erfindung. Die Ziele und andere Vorteile der Erfindung werden durch die Struktur realisiert und erreicht, wie sie speziell in der schriftlichen Beschreibung und den zugehörigen Ansprüchen sowie den beigefügten Zeichnungen dargelegt ist.
Um diese und andere Vorteile zu erreichen, und gemäß dem Zweck der Erfindung, wie sie realisiert wurde und umfassend beschrieben wird, ist eine Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung für ein Flüssigkristalldisplay unter anderem mit Folgendem versehen: einer Spannungsversorgung, die mindestens zwei Gatespannungen mit verschiedenen Spannungspegeln erzeugt; einem Gatetreiber, der unter Verwendung der mindestens zwei Gatespannungen mit verschiedenen Spannungspegeln einen Scanimpuls erzeugt, der eine Anzeigeleitung auswählt; und einer Gatespannungs-Steuerungseinrichtung, die in der Abfolge einer niedrigeren Spannung zu einer höheren Spannung hin die Gatespannungen an den Gatetreiber liefert.
Gemäß einer anderen Erscheinungsform ist eine Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung für ein Flüssigkristalldisplay mit Folgendem versehen: einer Spannungsversorgung, die mindestens zwei Gatespannungen mit verschiedenen Spannungspegeln erzeugt; einem Gatetreiber, der unter Verwendung der mindestens zwei Gatespannungen mit verschiedenen Spannungspegeln einen Scanimpuls erzeugt, der eine Anzeigeleitung auswählt; und einer Gatespannungs-Steuerungseinrichtung, die eine an den Gatetreiber zulegende höhere der Spannungen verzögert.
Gemäß einer anderen Erscheinungsform der Erfindung verfügt ein Gatespannungs-Steuerungsverfahren für ein Flüssigkristalldisplay unter anderem über Folgendes: Erzeugen mindestens zweier Gatespannungen mit verschiedenen Spannungspegeln; Liefern der Gatespannungen in der Abfolge von einer niedrigeren Spannung zu einer höheren Spannung an den Gatetreiber; und Ermöglichen des Erzeugens eines Scanimpulses zum Auswählen einer Anzeigeleitung durch den mit den Gatespannungen versorgten Gatetreiber.
Es ist zu beachten, dass sowohl die vorstehenden allgemeinen Beschreibungsteile als auch die folgende detaillierte Beschreibung beispielhaft und erläuternd sind und dazu vorgesehen sind, für eine weitere Erläuterung der beanspruchten Erfindung zu sorgen.
Figurenliste
Diese und andere Aufgaben der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen deutlich werden.
In den Zeichnungen ist Folgendes dargestellt.

1 ist eine schematische Draufsicht, die eine Konfiguration eines üblichen Flüssigkristalldisplays-Moduls zeigt;
2 zeigt eine Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform;
3 zeigt eine hohe Gatespannung und eine niedrige Gatespannung;
4 ist ein Schaltbild des in der 2 dargestellten Gatespannungs-Controllers;
5 zeigt eine Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
6 zeigt eine hohe Gatespannung, eine niedrige Gatespannung und eine Gate-modulierte Spannung; und
7 ist ein Schaltbild des in der 5 dargestellten Gatespannungs-Controllers.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER VERANSCHAULICHTEN AUSFÜHRUNGSFORM
Nun wird detailliert auf eine Ausführungsform der Erfindung Bezug genommen, zu der in den beigefügten Zeichnungen ein Beispiel veranschaulicht ist.
Die 2 zeigt eine Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform.
Gemäß der 2 werden, bei der Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung, eine hohe Gatespannung VGH und eine niedrige Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung VGL, wie sie durch eine erste Spannungsversorgung 22 bzw. eine zweite Spannungsversorgung 21 erzeugt werden, über einen Gatespannungs-Controller 24 an einen Gatetreiber 23 angelegt. Dabei verfügen die hohe Gatespannung VGH und die niedrige Gatespannung VGL über eine wechselseitige Spannungsdifferenz, wie sie aus der 3 erkennbar ist. Hierbei ist die niedrige Gatespannung VGL eine Spannung, die in einer Nicht-Scanperiode an die Gateleitung geliefert wird. Die hohe Gatespannung VGH ist eine Spannung von hohem Pegel, die eine Schwellenspannung zum Ansteuern eines Dünnschichttransistors der Flüssigkristalldisplay-Tafel überschreitet und die während einer Scanperiode an die Gateleitung geliefert wird.
Die 4 ist ein Schaltbild des in der 2 dargestellten Gatespannungs-Controllers 24.
Gemäß der 4 ermöglicht es der Gatespannungs-Controller 24, die niedrige Gatespannung VGL früher als die hohe Gatespannung VGH an den Gatetreiber anzulegen. Als Nächstes schaltet eine Spannungsdifferenz 41 einen ersten Transistor Q1 ein, um eine Spannung an einem Knoten 43 zu bilden, und eine Spannungsdifferenz 42 schaltet einen zweiten Transistor Q2 ein, um eine Spannung am Ausgang von Q2 zu bilden, so dass die hohe Gatespannung VGH an den Gatetreiber 23 gelegt wird. Die Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung legt als Erstes die niedrige Gatespannung VGL als Spannung niedrigen Pegels an den Gatetreiber 23 an, und danach legt sie die hohe Gatespannung VGH als Spannung hohen Pegels an ihn an, so dass der Gatetreiber stabil angesteuert werden kann, um jegliche Defekte in ihn zu minimieren.
Es wird der erste Transistor Q1 eingeschaltet, und danach wird der zweite Transistor Q2 durch einen RC-Verzögerungswert aufgrund einer parasitären Kapazität des zweiten Transistors Q2 sowie Widerständen R1, R2 eingeschaltet.
In der 4 sind R1 bis R4 eingeschaltet.
In der 4 sind R1 bis R4 Vorspannungs-Widerstände, die die Betriebsspannung der Transistoren Q1, Q2 einstellen und einen Strom begrenzen.
Die 5 zeigt eine Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
Gemäß der 5 werden, in der Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung, eine hohe Gatespannung VGH und eine niedrige Gatespannung VGL, die von einer ersten Spannungsversorgung 52 bzw. einer zweiten Spannungsversorgung 51 erzeugt werden, und eine von der ersten Spannungsversorgung 52 ausgegebene Gate-modulierte Spannung VGPM, über einen Gatespannungs-Controller 54, an einen Gatetreiber 53 gelegt. Dabei verfügen die hohe Gatespannung VGH, die niedrige Gatespannung VGL und die Gate-modulierte Spannung VGPM über eine wechselseitige Spannungsdifferenz, wie es aus der 6 erkennbar ist. Die niedrige Gatespannung VGL ist eine Spannung, die während einer Nicht-Scanperiode an die Gateleitung gelegt wird. Die hohe Gatespannung VGH ist eine Spannung hohen Pegels, die eine Schwellenspannung zum Ansteuern eines Dünnschichttransistors der Flüssigkristalldisplay-Tafel überschreitet und die während einer Scanperiode an die Gateleitung geliefert wird. Die Gate-modulierte Spannung VGPM ist eine Spannung, die bei der Flanke der hohen Gatespannung VGH geliefert wird, um die Spannungsdifferenz zwischen der hohen Gatespannung VGH und der niedrigen Gatespannung VGL zu verringern, um dadurch einen Verzögerungseffekt zu lindern, wie er während einer Abfallzeit eines Gateimpulses vorliegt, und um einen Flackereffekt zu verringern.
Die 7 ist ein Schaltbild des in der 5 dargestellten Gatespannungs-Controllers 54.
Zunächst ermöglicht es der Gatespannungs-Controller 54, die von der ersten Spannungsversorgung 52 ausgegebene niedrige Gatespannung VGL zu einem früheren Zeitpunkt als die Gatemoduliertes Spannung VGPM und die hohe Gatespannung VGH an den Gatetreiber zu legen. Als Nächstes schaltet eine Spannungsdifferenz 71 einen ersten Transistor Q1 ein, um eine Spannung an einem Knoten 75 zu erzeugen, und eine Spannungsdifferenz 72 schaltet einen zweiten Transistor Q2 an, damit die Gate-modulierte Spannung VGPM an den Gatetreiber 53 angelegt wird. Während die Gate-modulierte Spannung VGPM geliefert wird, schaltet eine Spannungsdifferenz 73 einen dritten Transistor Q3 ein, um eine Spannung an einem Knoten 76 zu erzeugen, und eine Spannungsdifferenz 74 schaltet einen vierten Transistor Q4 ein, damit die hohe Gatespannung VGH an den Gatetreiber 53 gelegt wird.
Die Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung liefert als Erstes die niedrige Gatespannung VGL als Spannung niedrigen Pegels an den Gatetreiber 23; und dann liefert sie die Gate-modulierte Spannung VGPM als Spannung mittleren Pegels an ihn; und schließlich liefert sie die hohe Gatespannung VGH als Spannung hohen Pegels an ihn, so dass sie den Gatetreiber stabil ansteuern kann, um jegliche Defekte desselben zu minimieren.
In der 7 sind R stabil ansteuern kann, um jegliche Defekte desselben zu minimieren.
In der 7 sind R5 bis R12 Vorspannungs-Widerstände, die die Betriebsspannung der Transistoren Q1 bis Q4 einstellen und einen Strom begrenzen.
Bei der Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung gemäß der ersten und der zweiten Ausführungsform der Erfindung werden die Transistoren durch einen RC-Verzögerungswert verzögert, um dadurch eine Gatespannung sequenziell von einer niedrigeren Spannung gefolgt von einer höheren Spannung an den Gatetreiber zu liefern. Der RC-Verzögerungswert zum Verzögern der Einschaltvorgänge der Transistoren kann durch einen parasitären Widerstand und eine parasitäre Kapazität im Transistor oder durch eine gesonderte Verbindung eines Widerstands und eines Kondensators zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors kontrolliert werden.
Wie oben beschrieben, liefern die Vorrichtung und das Verfahren zum Steuern einer Gatespannung dieselbe in solcher Weise an den Gatetreiber, dass zwischen der niedrigsten Spannung und der höchsten Spannung eine Zeitdifferenz besteht, so dass sie den Gatetreiber stabil ansteuern können und ihn schützen können, wodurch jegliche Defekte in ihm minimiert werden.

Claims

Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung für ein Flüssigkristalldisplay, mit: einer Spannungsversorgung (51, 52), die mindestens zwei Gatespannungen mit verschiedenen Spannungspegeln erzeugt; einem Gatetreiber (53), der unter Verwendung der mindestens zwei Gatespannungen mit verschiedenen Spannungspegeln einen Scanimpuls erzeugt, der eine Anzeigeleitung auswählt; und einer Gatespannungs-Steuerungseinrichtung (54), die in der Abfolge einer niedrigeren Spannung gefolgt von einer höheren Spannung die Gatespannungen an den Gatetreiber (53) liefert, bei der zu den Gatespannungen eine niedrige Gatespannung (VGL), die einer niedrigen Logikspannung des Scanimpulses entspricht, eine hohe Gatespannung (VGH), die einer hohen Logikspannung des Scanimpulses entspricht und eine Gate-modulierte Spannung (VGPM) zwischen der niedrigen Gatespannung und der hohen Gatespannung gehören, wobei die Gatespannungs-Steuerungseinrichtung (54) dem Gatetreiber (53) die niedrige Gatespannung (VGL) als Niedrigpegelspannung zu einem früheren Zeitpunkt als die Gate-modulierte Spannung als Mittelpegelspannung und die hohe Gatespannung als Hochpegelspannung zuführt, wobei anschließend an das Zuführen der niedrigen Gatespannung (VGL) ein erster Transistor (Q1) der Gatespannungs-Steuereinrichtung (54) mittels einer ersten Spannungsdifferenz (71) eingeschaltet wird, eine durch den eingeschalteten ersten Transistor (Q1) eingestellte zweite Spannungsdifferenz (72) einen zweiten Transistor (Q2) der Gatespannungs-Steuereinrichtung (54) einschaltet, um die Gate-modulierte Spannung (VGPM) verzögert zur niedrigen Gatespannung (VGL) an den Gatetreiber (53) anzulegen, eine durch den eingeschalteten zweiten Transistor (Q2) eingestellte dritte Spannungsdifferenz (73) einen dritten Transistor (Q3) der Gatespannungs-Steuereinrichtung (54) einschaltet, eine durch den eingeschalteten dritten Transistor (Q3) eingestellte vierte Spannungsdifferenz (74) einen vierten Transistor (Q4) der Gatespannungs-Steuereinrichtung (54) einschaltet, um die hohe Gatespannung (VGH) verzögert zur Gate-modulierten Spannung (VGPM) an den Gatetreiber (53) anzulegen.
Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Gatespannungs-Steuerungseinrichtung (54) Folgendes aufweist: eine erste Spannungsleitung, die die niedrige Gatespannung (VGL) liefert; eine zweite Spannungsleitung, die die hohe Gatespannung (VGH) liefert; eine dritte Spannungsleitung, die die Gate-modulierte Spannung (VGPM) liefert; den ersten Transistor (Q1), der zwischen die erste Spannungsleitung und die zweite Spannungsleitung geschaltet ist, um eine Spannung an einem ersten Knoten (75) zwischen der ersten Spannungsleitung und der zweiten Spannungsleitung auf eine Spannung auf der ersten Spannungsleitung hin zu steuern; den zweiten Transistor (Q2), der einen Strompfad der zweiten Spannungsleitung auf die Spannung am ersten Knoten (75) hin schaltet; den dritten Transistor (Q3), der zwischen die zweite Spannungsleitung und die dritte Spannungsleitung geschaltet ist, um eine Spannung an einem zweiten Knoten (76) zwischen der zweiten Spannungsleitung und der dritten Spannungsleitung auf eine Spannung auf der zweiten Spannungsleitung hin zu steuern; und den vierten Transistor (Q4), der einen Strompfad der dritten Spannungsleitung auf eine Spannung an dem zweiten Knoten (76) zwischen der zweiten Spannungsleitung und der dritten Spannungsleitung schaltet.
Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der der erste, der zweite, der dritte und der vierte Transistor (Q1, Q2, Q3, Q4) aufgrund eines RC-Verzögerungswerts sequenziell eingeschaltet werden.
Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 3, bei der RC-Verzögerungswert zum Verzögern der Einschaltvorgänge des ersten, des zweiten, des dritten und des vierten Transistors (Q1, Q2, Q3, Q4) durch einen parasitären Widerstand und eine parasitäre Kapazität im jeweiligen Transistor (Q1, Q2, Q3, Q4) kontrolliert wird.
Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 3, bei der RC-Verzögerungswert zum Verzögern der Einschaltvorgänge des ersten, des zweiten, des dritten und des vierten Transistors (Q1, Q2, Q3, Q4) durch einen Widerstand und eine Kapazität zwischen dem Basis-Anschluss und dem Ernitter-Anschluss der jeweiligen Transistoren (Q1, Q2, Q3, Q4) kontrolliert wird.
Gatespannungs-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei dem die Gatespannungs-Steuerungseinrichtung (54) dann angesteuert wird, wenn die Spannung des Flüssigkristalldisplays eingeschaltet wird.
Gatespannungs-Steuerungsverfahren für ein Flüssigkristalldisplay, das Folgendes beinhaltet: Erzeugen mindestens zweier Gatespannungen mit verschiedenen Spannungspegeln und Zuführen zu einer Gatespannungs-Steuerungseinrichtung (54); Liefern der Gatespannungen in der Abfolge einer niedrigeren Spannung gefolgt von einer höheren Spannung an den Gatetreiber (53); und Erzeugen eines Scanimpulses zum Auswählen einer Anzeigeleitung unter Verwendung des mit den Gatespannungen versorgten Gatetreibers (53), wobei zu den Gatespannungen eine niedrige Gatespannung (VGL), die einer niedrigeren Logikspannung des Scanimpulses entspricht, eine hohe Gatespannung (VGH), die einer hohen Logikspannung des Scanimpulses entspricht, und eine Gate-modulierte Spannung (VGPM) zwischen der niedrigen Gatespannung (VGL) und der hohen Gatespannung (VGH) gehören und wobei die Gatespannungs-Steuerungseinrichtung (54) dem Gatetreiber (53) die niedrige Gatespannung (VGL) als Niedrigpegelspannung zu einem früheren Zeitpunkt als die Gate-modulierte Spannung (VGPM) als Mittelpegelspannung und die hohe Gatespannung (VGH) als Hochpegelspannung zuführt, wobei anschließend an das Zuführen der niedrigen Gatespannung (VGL) ein erster Transistor (Q1) der Gatespannungs-Steuereinrichtung (54) mittels einer ersten Spannungsdifferenz (71) eingeschaltet wird, eine durch den eingeschalteten ersten Transistor (Q1) eingestellte zweite Spannungsdifferenz (72) einen zweiten Transistor (Q2) der Gatespannungs-Steuereinrichtung (54) einschaltet, um die Gate-modulierte Spannung (VGPM) verzögert zur niedrigen Gatespannung (VGL) an den Gatetreiber (53) anzulegen, eine durch den eingeschalteten zweiten Transistor (Q2) eingestellte dritte Spannungsdifferenz (73) einen dritten Transistor (Q3) der Gatespannungs-Steuereinrichtung (54) einschaltet, eine durch den eingeschalteten dritten Transistor (Q3) eingestellte vierte Spannungsdifferenz (74) einen vierten Transistor (Q4) der Gatespannungs-Steuereinrichtung (54) einschaltet, um die hohe Gatespannung (VGH) verzögert zur Gate-modulierten Spannung (VGPM) an den Gatetreiber (53) anzulegen.
Gatespannung-Steuerungsverfahren nach Anspruch 7, bei dem zum Liefern der Gatespannungen Folgendes gehört: Schließen eines Strompfads einer zweiten Spannungsleitung, die die hohe Gatespannung (VGH) als Antwort auf eine Spannung auf einer ersten Spannungsleitung liefert, die die niedrige Gatespannung (VGL) liefert; und Schließen eines Strompfads einer dritten Spannungsleitung, die die Gate-modulierte Spannung (VGPM) als Antwort auf eine Spannung auf der zweiten Spannungsleitung liefert.
Gatespannungs-Steuerungsverfahren nach Anspruch 7, bei dem die Gatespannungs-Steuerungseinrichtung (54) dann angesteuert wird, wenn die Spannung des Flüssigkristalldisplays eingeschaltet wird.