JPH0682835A - 液晶セルの特性測定方法 - Google Patents
液晶セルの特性測定方法Info
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- JPH0682835A JPH0682835A JP26601292A JP26601292A JPH0682835A JP H0682835 A JPH0682835 A JP H0682835A JP 26601292 A JP26601292 A JP 26601292A JP 26601292 A JP26601292 A JP 26601292A JP H0682835 A JPH0682835 A JP H0682835A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜トランジスタ液晶セルの特性を測定する
方法に関し、薄膜トランジスタ液晶セルの特性測定にお
いて、電圧保持率と誘電率の測定とを同時に行って、液
晶分子の挙動を動的に測定することを目的とする。 【構成】 液晶セルの液晶層を挟む電極間に所定の変化
する電圧を印加し、前記液晶層の過渡的誘電率を測定す
ることにより、前記電極間に所定の電圧を印加した状態
で液晶分子の挙動を観測することを特徴とする。
方法に関し、薄膜トランジスタ液晶セルの特性測定にお
いて、電圧保持率と誘電率の測定とを同時に行って、液
晶分子の挙動を動的に測定することを目的とする。 【構成】 液晶セルの液晶層を挟む電極間に所定の変化
する電圧を印加し、前記液晶層の過渡的誘電率を測定す
ることにより、前記電極間に所定の電圧を印加した状態
で液晶分子の挙動を観測することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶セルの特性測定方法
に関し、特に薄膜トランジスタ液晶セルの過渡的誘電率
と電圧保持率を測定する方法に関する。
に関し、特に薄膜トランジスタ液晶セルの過渡的誘電率
と電圧保持率を測定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタ液晶セルはガラス基板
上に形成した薄膜トランジスタにより液晶セルを駆動す
るもので、アクティブマトリックス形液晶表示装置の液
晶セルとして利用される。
上に形成した薄膜トランジスタにより液晶セルを駆動す
るもので、アクティブマトリックス形液晶表示装置の液
晶セルとして利用される。
【０００３】薄膜トランジスタ液晶セルの特性を評価す
る簡易な測定方法の一つとして、図４に示したような電
圧保持率測定方法がある。図４（Ａ）の測定システムに
おいて、被測定液晶セル２０は、２枚の基板上に電極と
配向膜を形成し、基板同士を所定ギャップをおいて対向
配置して固定し、ギャップ間に液晶を注入してテストセ
ルとしたものである。
る簡易な測定方法の一つとして、図４に示したような電
圧保持率測定方法がある。図４（Ａ）の測定システムに
おいて、被測定液晶セル２０は、２枚の基板上に電極と
配向膜を形成し、基板同士を所定ギャップをおいて対向
配置して固定し、ギャップ間に液晶を注入してテストセ
ルとしたものである。
【０００４】被測定液晶セル２０を駆動する薄膜トラン
ジスタ２１は液晶セル２０中に組み込んでもよいが、よ
り簡便には外部回路として用意する。薄膜トランジスタ
２１を外部回路として接続しても、薄膜トランジスタ液
晶セルの特性をシミュレートすることができる。
ジスタ２１は液晶セル２０中に組み込んでもよいが、よ
り簡便には外部回路として用意する。薄膜トランジスタ
２１を外部回路として接続しても、薄膜トランジスタ液
晶セルの特性をシミュレートすることができる。
【０００５】駆動回路２２で図４（Ｂ）の波形のゲート
パルス電圧ＶG とソースパルス電圧ＶS とを発生して薄
膜トランジスタ２１のゲート電極Ｇとソース電極Ｓとに
それぞれ印加する。ドレイン電極Ｄにはテストセル２０
の一方の電極が接続される。テストセル２０の他方の電
極は接地される。
パルス電圧ＶG とソースパルス電圧ＶS とを発生して薄
膜トランジスタ２１のゲート電極Ｇとソース電極Ｓとに
それぞれ印加する。ドレイン電極Ｄにはテストセル２０
の一方の電極が接続される。テストセル２０の他方の電
極は接地される。
【０００６】液晶セル２０は容量負荷であるので、その
駆動信号であるドレイン電極Ｄの波形は図４（Ｂ）のＶ
D に示すような電圧保持波形となる。ドレイン信号ＶD
の波形はバッファアンプ２３を介してオシロスコープに
与えられて波形観測を行う。
駆動信号であるドレイン電極Ｄの波形は図４（Ｂ）のＶ
D に示すような電圧保持波形となる。ドレイン信号ＶD
の波形はバッファアンプ２３を介してオシロスコープに
与えられて波形観測を行う。
【０００７】理想的な液晶セルであれば、駆動信号は図
４（Ｂ）のＶD の実線の矩形波のように１フレーム期間
中電圧を完全に保持しなければならない。しかし、実際
の液晶セル２０においては液晶の時定数などにより、図
４（Ｂ）のＶD の破線で示すように、電圧値が徐々に低
下する波形となる。
４（Ｂ）のＶD の実線の矩形波のように１フレーム期間
中電圧を完全に保持しなければならない。しかし、実際
の液晶セル２０においては液晶の時定数などにより、図
４（Ｂ）のＶD の破線で示すように、電圧値が徐々に低
下する波形となる。
【０００８】実線の理想波形の場合の波形の面積を１０
０とした場合の、破線の実際の波形の面積（斜線部）の
値を電圧保持率と定義し、その値が高い程（１００に近
い程）薄膜トランジスタ液晶セルとしては良い評価が与
えられる。
０とした場合の、破線の実際の波形の面積（斜線部）の
値を電圧保持率と定義し、その値が高い程（１００に近
い程）薄膜トランジスタ液晶セルとしては良い評価が与
えられる。
【０００９】ネマチック液晶セルの特性を評価する測定
方法の一つとして、分子スイッチングの測定があるが、
従来はそれは電気光学応答の観測を行うものであった。
その例を図５に示す。
方法の一つとして、分子スイッチングの測定があるが、
従来はそれは電気光学応答の観測を行うものであった。
その例を図５に示す。
【００１０】図５の測定装置は、液晶セル３０に交流電
圧３１を印加しつつ液晶セル３０に一方より光３２を入
射せしめ、透過光を偏光顕微鏡３３によって観測するも
のである。その際、液晶セル３０は温度制御された容器
内に収められ、偏光顕微鏡３３で観測する透過光は電気
信号に変換されて図示しないオシロスコープのようなも
ので波形観測することも行われる。図５のような測定装
置によって印加電圧に対する光透過率の変化を測定する
と、一般に図６（Ａ）ような電圧─透過率特性が得られ
る。これはＴＮ（ツイストネマチック）液晶セルあるい
はＳＴＮ（スーパーツイストネマチック）液晶セルでも
基本的に同じである。
圧３１を印加しつつ液晶セル３０に一方より光３２を入
射せしめ、透過光を偏光顕微鏡３３によって観測するも
のである。その際、液晶セル３０は温度制御された容器
内に収められ、偏光顕微鏡３３で観測する透過光は電気
信号に変換されて図示しないオシロスコープのようなも
ので波形観測することも行われる。図５のような測定装
置によって印加電圧に対する光透過率の変化を測定する
と、一般に図６（Ａ）ような電圧─透過率特性が得られ
る。これはＴＮ（ツイストネマチック）液晶セルあるい
はＳＴＮ（スーパーツイストネマチック）液晶セルでも
基本的に同じである。
【００１１】また、液晶セルの静的な特性評価方法とし
ては、Ｃ−Ｖ法などが用いられるが、これは静的な電圧
に対する液晶の誘電率の変化が測定できるものである。
ては、Ｃ−Ｖ法などが用いられるが、これは静的な電圧
に対する液晶の誘電率の変化が測定できるものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図４の電圧保持率の測
定は、簡便な測定方法として優れているが、得られる情
報が少ない。たとえば、電圧保持時の液晶分子の挙動の
観測は興味深いテーマであるが、図４の測定方法では判
らないことが多い。
定は、簡便な測定方法として優れているが、得られる情
報が少ない。たとえば、電圧保持時の液晶分子の挙動の
観測は興味深いテーマであるが、図４の測定方法では判
らないことが多い。
【００１３】図５のような電気光学応答による測定は液
晶セルの特性測定としては簡便な方法であるが、ネマチ
ック液晶の評価方法としては充分とはいえない。何故な
ら、図６（Ａ）のように光透過率はある程度大きな電圧
値では飽和してそれ以上の電圧値でも変化はないが、実
際には液晶分子の動きは飽和しておらず、電圧によって
その傾きが変化する。
晶セルの特性測定としては簡便な方法であるが、ネマチ
ック液晶の評価方法としては充分とはいえない。何故な
ら、図６（Ａ）のように光透過率はある程度大きな電圧
値では飽和してそれ以上の電圧値でも変化はないが、実
際には液晶分子の動きは飽和しておらず、電圧によって
その傾きが変化する。
【００１４】すなわち、ネマチック液晶では電圧─光透
過率特性は図６（Ａ）に示すようになるが、そのときの
液晶分子の状態は図６（Ｂ）〜（Ｅ）に示すようになっ
ていると考えられる。つまり、透過率Ｔ２とＴ３の点は
電圧─透過率特性では同じ透過率の状態としてしか液晶
セルを評価できないが、実際には透過率Ｔ２とＴ３の間
では図６（Ｄ）と（Ｅ）のように液晶分子の傾斜角が異
なっており、このような液晶分子のわずかな挙動変化は
従来の電気光学応答法やＣ−Ｖ法では測定できなかっ
た。
過率特性は図６（Ａ）に示すようになるが、そのときの
液晶分子の状態は図６（Ｂ）〜（Ｅ）に示すようになっ
ていると考えられる。つまり、透過率Ｔ２とＴ３の点は
電圧─透過率特性では同じ透過率の状態としてしか液晶
セルを評価できないが、実際には透過率Ｔ２とＴ３の間
では図６（Ｄ）と（Ｅ）のように液晶分子の傾斜角が異
なっており、このような液晶分子のわずかな挙動変化は
従来の電気光学応答法やＣ−Ｖ法では測定できなかっ
た。
【００１５】これらの液晶分子挙動の観測は誘電率の測
定ができれば行えるが、従来の誘電率測定装置では動的
な測定を行うことができなかった。薄膜トランジスタ液
晶セルの等価回路を考えた場合、液晶セルの容量はその
まま薄膜トランジスタの付加容量となる。そのため、電
圧保持時の液晶セル容量の過渡的な変化の測定は薄膜ト
ランジスタ液晶セルの設計やシミュレーションなどを行
う場合にも極めて重要である。
定ができれば行えるが、従来の誘電率測定装置では動的
な測定を行うことができなかった。薄膜トランジスタ液
晶セルの等価回路を考えた場合、液晶セルの容量はその
まま薄膜トランジスタの付加容量となる。そのため、電
圧保持時の液晶セル容量の過渡的な変化の測定は薄膜ト
ランジスタ液晶セルの設計やシミュレーションなどを行
う場合にも極めて重要である。
【００１６】本発明の目的は、液晶セルの特性測定にお
いて、液晶分子の挙動を動的に測定することにある。
いて、液晶分子の挙動を動的に測定することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明による薄膜トラン
ジスタ液晶セルの特性測定方法は、薄膜トランジスタ液
晶セル用の液晶層を挟む電極間に所定の変化する電圧を
印加し、前記液晶層の過渡的誘電率を測定するととも
に、前記電極間の電圧保持状態で液晶分子の挙動を観測
することを特徴とする。
ジスタ液晶セルの特性測定方法は、薄膜トランジスタ液
晶セル用の液晶層を挟む電極間に所定の変化する電圧を
印加し、前記液晶層の過渡的誘電率を測定するととも
に、前記電極間の電圧保持状態で液晶分子の挙動を観測
することを特徴とする。
【００１８】本発明によるネマチック液晶セルの特性測
定方法は、液晶セルを挟む電極を介して液晶セルに所定
の交流電圧を印加し、前記液晶セルの過渡的誘電率を測
定することによって液晶分子の挙動を観測することを特
徴とする。
定方法は、液晶セルを挟む電極を介して液晶セルに所定
の交流電圧を印加し、前記液晶セルの過渡的誘電率を測
定することによって液晶分子の挙動を観測することを特
徴とする。
【００１９】
【作用】液晶セルに所定の変化する電圧を印加して、電
圧保持時の液晶セルの過渡的容量値の変化を観測すれ
ば、誘電率が測定でき、電圧保持時の液晶分子の挙動が
検出できる。
圧保持時の液晶セルの過渡的容量値の変化を観測すれ
ば、誘電率が測定でき、電圧保持時の液晶分子の挙動が
検出できる。
【００２０】また、液晶セルに交通電圧を印加して過渡
的誘電率を測定すれば、液晶分子の過渡的挙動が検出で
きる。
的誘電率を測定すれば、液晶分子の過渡的挙動が検出で
きる。
【００２１】
【実施例】図１に本発明の実施例による薄膜トランジス
タ液晶セルの特性測定システムを示す。また図２に、図
１の各部の波形を示す。
タ液晶セルの特性測定システムを示す。また図２に、図
１の各部の波形を示す。
【００２２】図１において、任意波形発生装置１から発
生した任意波形は、アンプ２を介して液晶セルの試料５
を挟む電極４ａ，４ｂ間に印加される。試料５はウィー
ンブリッジ発振回路３の帰還回路の容量の一部を構成し
ている。
生した任意波形は、アンプ２を介して液晶セルの試料５
を挟む電極４ａ，４ｂ間に印加される。試料５はウィー
ンブリッジ発振回路３の帰還回路の容量の一部を構成し
ている。
【００２３】ウィーンブリッジ発振回路は増幅器の正帰
還回路のコンデンサ容量と抵抗の値で発振周波数が決定
されるので、発振周波数を測定すれば電極４ａ、４ｂ間
の容量が決定される。
還回路のコンデンサ容量と抵抗の値で発振周波数が決定
されるので、発振周波数を測定すれば電極４ａ、４ｂ間
の容量が決定される。
【００２４】ウィーンブリッジ発振回路３の出力信号
は、周波数／電圧変換回路６を介してオシロスコープ７
に印加され、コンピュータ８に供給される。コンピュー
タ８は得られた測定信号から過渡的誘電率を算出する。
なお、コンピュータ８は任意波形発生装置１の制御も行
う。
は、周波数／電圧変換回路６を介してオシロスコープ７
に印加され、コンピュータ８に供給される。コンピュー
タ８は得られた測定信号から過渡的誘電率を算出する。
なお、コンピュータ８は任意波形発生装置１の制御も行
う。
【００２５】試料５に連続的に変化する所定の交流電圧
を印加し、セルの容量変化をウィーンブリッジ発振回路
３で発振周波数の変化に変換し、過渡的誘電率の測定を
行う。
を印加し、セルの容量変化をウィーンブリッジ発振回路
３で発振周波数の変化に変換し、過渡的誘電率の測定を
行う。
【００２６】薄膜トランジスタ液晶セルの電圧保持率と
ともに誘電率も同時に測定するには、図１のアンプ２と
して、またはアンプ２に並列に、図４（Ａ）のような外
部回路（ＦＥＴ）を用いて、任意波形発生装置１の信号
をセル５に印加すればよい。この方法で測定した波形が
図２に示される。
ともに誘電率も同時に測定するには、図１のアンプ２と
して、またはアンプ２に並列に、図４（Ａ）のような外
部回路（ＦＥＴ）を用いて、任意波形発生装置１の信号
をセル５に印加すればよい。この方法で測定した波形が
図２に示される。
【００２７】図２に示すようなゲートパルス電圧ＶG と
ソースパルス電圧ＶS とを発生して薄膜トランジスタの
ゲート電極とソース電極とにそれぞれ印加する。ドレイ
ン電極には液晶セル５の一方の電極が接続される。
ソースパルス電圧ＶS とを発生して薄膜トランジスタの
ゲート電極とソース電極とにそれぞれ印加する。ドレイ
ン電極には液晶セル５の一方の電極が接続される。
【００２８】液晶セル５の他方の電極は接地される。液
晶セル５は容量負荷であるので、その駆動信号であるド
レイン電極の波形は図１（Ｂ）のＶD に示すような電圧
保持波形となる。図４（Ｂ）に関連して説明したよう
に、この波形から電圧保持率が測定できる。
晶セル５は容量負荷であるので、その駆動信号であるド
レイン電極の波形は図１（Ｂ）のＶD に示すような電圧
保持波形となる。図４（Ｂ）に関連して説明したよう
に、この波形から電圧保持率が測定できる。
【００２９】また、ウィーンブリッジ発振回路３の発振
周波数を周波数／電圧変換回路６を用いて検出し、試料
５の容量変化を測定する。図２の曲線Ｃに得られた容量
変化の一例を示す。
周波数を周波数／電圧変換回路６を用いて検出し、試料
５の容量変化を測定する。図２の曲線Ｃに得られた容量
変化の一例を示す。
【００３０】ゲート信号ＶD の印加とともに液晶セルの
容量値Ｃが増加しているように見えるが、これは実際に
増加しているのではなく、パルス波形の立ち上がりでウ
ィーンブリッジ発振周波数に干渉が生じたためで、この
部分は除いて考慮する。しかし、１フレーム期間におけ
るゲートパルスによる干渉部分はごくわずかであるの
で、あまり問題とはならない。
容量値Ｃが増加しているように見えるが、これは実際に
増加しているのではなく、パルス波形の立ち上がりでウ
ィーンブリッジ発振周波数に干渉が生じたためで、この
部分は除いて考慮する。しかし、１フレーム期間におけ
るゲートパルスによる干渉部分はごくわずかであるの
で、あまり問題とはならない。
【００３１】この干渉後の容量値Ｃの変化が誘電率の変
化を表し、液晶分子の動きを反映している。電圧保持時
の液晶分子の挙動が誘電率の変化から判る。また、任意
波形発生装置１から種々の波形の電圧信号を発生するこ
とにより、液晶セルの過渡的応答を測定し、過渡的容
量、過渡的誘電率を測定できる。
化を表し、液晶分子の動きを反映している。電圧保持時
の液晶分子の挙動が誘電率の変化から判る。また、任意
波形発生装置１から種々の波形の電圧信号を発生するこ
とにより、液晶セルの過渡的応答を測定し、過渡的容
量、過渡的誘電率を測定できる。
【００３２】なお、容量値Ｃの上下に一点鎖線で描いた
Ｃ‖とＣ⊥は、それぞれ液晶分子の垂直配向時の容量値
と水平配向時の容量値とを示す。一般に、ＴＮ（ツイス
ト−ネマチック）液晶では、電圧に対する光透過率は図
６（Ａ）に示すようになる。この時の液晶分子の状態
は、図６（Ｂ）〜（Ｅ）に示すようになっていると考え
られる。
Ｃ‖とＣ⊥は、それぞれ液晶分子の垂直配向時の容量値
と水平配向時の容量値とを示す。一般に、ＴＮ（ツイス
ト−ネマチック）液晶では、電圧に対する光透過率は図
６（Ａ）に示すようになる。この時の液晶分子の状態
は、図６（Ｂ）〜（Ｅ）に示すようになっていると考え
られる。
【００３３】液晶分子は誘電率異方性があり、通常長軸
方向の誘電率の方が高いため、誘電率の変化により、液
晶分子の傾き状態（挙動）が判る。たとえば、中間調を
用いる場合、それが図６（Ｃ）の状態に相当するとす
る。上述の測定法によって電圧保持時の液晶分子の挙動
を観測することにより、中間調の光透過率の変化を推測
することができる。
方向の誘電率の方が高いため、誘電率の変化により、液
晶分子の傾き状態（挙動）が判る。たとえば、中間調を
用いる場合、それが図６（Ｃ）の状態に相当するとす
る。上述の測定法によって電圧保持時の液晶分子の挙動
を観測することにより、中間調の光透過率の変化を推測
することができる。
【００３４】図３はＴＮ液晶セルを図１の装置で測定し
た他の一例である。なお、測定の際は図５の従来の電気
光学応答の測定を同時に行った。図３において、Ａは液
晶セルの印加電圧、Ｂが電気光学応答（光透過率）、Ｃ
が過渡的誘電率である。イ→ニの電圧変化に伴い、ネマ
チック液晶分子がぼ垂直に立ってくる（図６（Ｂ）→
（Ｅ））ことに対応して電気光学応答Ｂと誘電率Ｃも同
時に変化していることが判る。
た他の一例である。なお、測定の際は図５の従来の電気
光学応答の測定を同時に行った。図３において、Ａは液
晶セルの印加電圧、Ｂが電気光学応答（光透過率）、Ｃ
が過渡的誘電率である。イ→ニの電圧変化に伴い、ネマ
チック液晶分子がぼ垂直に立ってくる（図６（Ｂ）→
（Ｅ））ことに対応して電気光学応答Ｂと誘電率Ｃも同
時に変化していることが判る。
【００３５】しかし、その変化の様子は図３ＢとＣとで
はやや異なっている。まず、イ，ロの低電圧領域に注目
すると、ロの点では誘電率Ｃには変化が見られたことか
ら、すでに液晶分子は電界方向に傾き始めているはずで
あるが、ある程度以下の傾きでは光の旋光性は失われ
ず、従って図３Ｂの光透過率には変化が見られない。こ
れは誘電率と光透過率とでそれぞれの閾値がずれている
ことを示す。この事実は過去にＲＣＡ社より報告された
ことと一致し、誘電率の方が液晶分子の動き（挙動）を
より精度よく反映していることを表している。
はやや異なっている。まず、イ，ロの低電圧領域に注目
すると、ロの点では誘電率Ｃには変化が見られたことか
ら、すでに液晶分子は電界方向に傾き始めているはずで
あるが、ある程度以下の傾きでは光の旋光性は失われ
ず、従って図３Ｂの光透過率には変化が見られない。こ
れは誘電率と光透過率とでそれぞれの閾値がずれている
ことを示す。この事実は過去にＲＣＡ社より報告された
ことと一致し、誘電率の方が液晶分子の動き（挙動）を
より精度よく反映していることを表している。
【００３６】また、ハ，ニの点の光透過率Ｂが飽和する
領域に注目すると、ハの点で光透過率は飽和しているの
に、誘電率Ｃはまだ飽和しておらず、電圧増加に対して
さらに増加傾向にあることを示す。この様に、電圧によ
り液晶分子がほぼ垂直に立ち、旋向性が完全に失われて
もまだ完全には液晶分子は立っておらず、その液晶分子
の動きは誘電率測定により観察できることが判る。
領域に注目すると、ハの点で光透過率は飽和しているの
に、誘電率Ｃはまだ飽和しておらず、電圧増加に対して
さらに増加傾向にあることを示す。この様に、電圧によ
り液晶分子がほぼ垂直に立ち、旋向性が完全に失われて
もまだ完全には液晶分子は立っておらず、その液晶分子
の動きは誘電率測定により観察できることが判る。
【００３７】また、かなり広い周波数範囲の印加電圧に
対する誘電率変化を測定でき、液晶の評価に通常用いる
周波数域（０．０１〜１００Ｈｚ程度）の応答特性を測
定することもできる。液晶の物性をより精度高く解析し
て結果を液晶表示装置の開発等にフィードバックするこ
ともできる。
対する誘電率変化を測定でき、液晶の評価に通常用いる
周波数域（０．０１〜１００Ｈｚ程度）の応答特性を測
定することもできる。液晶の物性をより精度高く解析し
て結果を液晶表示装置の開発等にフィードバックするこ
ともできる。
【００３８】液晶セルをＴＦＴ（薄膜トランジスタ）液
晶セルに使用した場合、その等価回路では液晶セルの容
量はそのままＴＦＴの付加容量となる。そのため動的な
誘電率の変化の測定はＴＦＴ液晶セルの設計やシミュレ
ーションを行う場合に有効である。
晶セルに使用した場合、その等価回路では液晶セルの容
量はそのままＴＦＴの付加容量となる。そのため動的な
誘電率の変化の測定はＴＦＴ液晶セルの設計やシミュレ
ーションを行う場合に有効である。
【００３９】本発明は上記実施例に限るものではなく、
当業者であれば、本明細書の開示に基づいて様々な改良
や変更が可能であることは自明であろう。
当業者であれば、本明細書の開示に基づいて様々な改良
や変更が可能であることは自明であろう。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、薄膜トランジスタ液晶
表示装置用の液晶セルに変化する電圧を印加して、液晶
セルの過渡的誘電率を測定して容量値の変化を観測する
ことにより液晶分子の挙動が検出でき、薄膜トランジス
タ液晶セルの設計やシミュレーションに有効な解析デー
タが得られる。電圧光学応答が飽和した領域でのわずか
な液晶分子の変化も観測できる。
表示装置用の液晶セルに変化する電圧を印加して、液晶
セルの過渡的誘電率を測定して容量値の変化を観測する
ことにより液晶分子の挙動が検出でき、薄膜トランジス
タ液晶セルの設計やシミュレーションに有効な解析デー
タが得られる。電圧光学応答が飽和した領域でのわずか
な液晶分子の変化も観測できる。
【図１】 本発明の実施例による液晶セルの特性測定シ
ステムのブロック図である。
ステムのブロック図である。
【図２】 図１の特性測定システムにより測定された波
形グラフである。
形グラフである。
【図３】 図１の特性測定システムにより測定された波
形グラフである。
形グラフである。
【図４】 従来の技術による液晶セルの電圧保持率の測
定システムのブロック図である。
定システムのブロック図である。
【図５】 従来の電気光学応答特性測定システムのブロ
ック図である。
ック図である。
【図６】 液晶分子の挙動を示すグラフと概念図であ
る。
る。
１・・・・・任意波形発生装置 ２・・・・・アンプ ３・・・・・ウイーンブリッジ発振回路 ４ａ，４ｂ・・・電極 ５・・・・・試料 ６・・・・・周波数／電圧変換回路 ７・・・・・オシロスコープ ８・・・・・コンピュータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 都甲 康夫 神奈川県横浜市緑区荏田西１−３−１ ス タンレー電気株式会社内 (72)発明者 小林 駿介 東京都練馬区西大泉３−13−40 (72)発明者 木村 宗弘 新潟県長岡市下山２−2427−１ 高頭貸家 Ｂ棟
Claims (4)
- 【請求項１】 液晶セルの液晶層を挟む電極間に所定の
変化する電圧を印加し、前記液晶層の過渡的誘電率を測
定することにより、前記電極間に所定の電圧を印加した
状態で液晶分子の挙動を観測することを特徴とする液晶
セルの特性測定方法。 - 【請求項２】 前記過渡的誘電率の測定はウィーンブリ
ッジ回路に前記液晶層を挟む電極を組み込み、該ウィー
ンブリッジ回路の発振周波数の変化を測定することによ
り行うことを特徴とする請求項１記載の液晶セルの特性
測定方法。 - 【請求項３】 前記液晶セルがネマチック液晶セルであ
り、前記所定の変化する電圧が所定の交流電圧であるこ
とを特徴とする請求項１ないし２記載の液晶セルの特性
測定方法。 - 【請求項４】 前記所定の変化する電圧がパルス電圧で
あり、前記液晶セルがこの電圧を保持する構成を有し、
前記過渡的誘電率が電圧保持状態での過渡的誘電率であ
ることを特徴とする請求項１ないし２記載の液晶セルの
特性測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26601292A JPH0682835A (ja) | 1992-07-13 | 1992-10-05 | 液晶セルの特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18555192 | 1992-07-13 | ||
| JP4-185551 | 1992-07-13 | ||
| JP26601292A JPH0682835A (ja) | 1992-07-13 | 1992-10-05 | 液晶セルの特性測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0682835A true JPH0682835A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=26503173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26601292A Withdrawn JPH0682835A (ja) | 1992-07-13 | 1992-10-05 | 液晶セルの特性測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682835A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008090786A1 (ja) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Toyo Corporation | Ｔｆｔ液晶パネルの物性測定方法、及びｔｆｔ液晶パネルの物性測定装置 |
| US11112440B2 (en) * | 2018-07-02 | 2021-09-07 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Measuring device for liquid crystal dielectric constant, measuring apparatus, measuring method |
-
1992
- 1992-10-05 JP JP26601292A patent/JPH0682835A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008090786A1 (ja) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Toyo Corporation | Ｔｆｔ液晶パネルの物性測定方法、及びｔｆｔ液晶パネルの物性測定装置 |
| US7893707B2 (en) | 2007-01-25 | 2011-02-22 | Toyo Corporation | Physical property measuring method for TFT liquid crystal panel and physical property measuring apparatus for TFT liquid crystal panel |
| US8212582B2 (en) | 2007-01-25 | 2012-07-03 | Toyo Corporation | Physical property measuring method for TFT liquid crystal panel and physical property measuring apparatus for TFT liquid crystal panel |
| JP5348751B2 (ja) * | 2007-01-25 | 2013-11-20 | 株式会社東陽テクニカ | Ｔｆｔ液晶パネルの物性測定方法、及びｔｆｔ液晶パネルの物性測定装置 |
| KR101432338B1 (ko) * | 2007-01-25 | 2014-08-20 | 가부시키가이샤 도요 테크니카 | Ｔｆｔ 액정 패널의 물성 측정 방법, 및 ｔｆｔ 액정 패널의 물성 측정 장치 |
| CN104181711A (zh) * | 2007-01-25 | 2014-12-03 | 东阳特克尼卡株式会社 | Tft液晶面板的物理性质测量方法及tft液晶面板的物理性质测量装置 |
| US9158140B2 (en) | 2007-01-25 | 2015-10-13 | Toyo Corporation | Physical property measuring method for TFT liquid crystal panel and physical property measuring apparatus for TFT liquid crystal panel |
| US11112440B2 (en) * | 2018-07-02 | 2021-09-07 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Measuring device for liquid crystal dielectric constant, measuring apparatus, measuring method |
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