DE102014206601A1 - Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube - Google Patents

Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube Download PDF

Info

Publication number
DE102014206601A1
DE102014206601A1 DE102014206601.8A DE102014206601A DE102014206601A1 DE 102014206601 A1 DE102014206601 A1 DE 102014206601A1 DE 102014206601 A DE102014206601 A DE 102014206601A DE 102014206601 A1 DE102014206601 A1 DE 102014206601A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
hood
substrate
component
joining
level
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102014206601.8A
Other languages
English (en)
Inventor
Nora Busche
Jörg Strogies
Klaus Wilke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE102014206601.8A priority Critical patent/DE102014206601A1/de
Priority to PCT/EP2015/056912 priority patent/WO2015150335A1/de
Priority to EP15714453.6A priority patent/EP3103138A1/de
Priority to JP2017503064A priority patent/JP6629290B2/ja
Priority to CN201580018036.5A priority patent/CN106133892B/zh
Priority to US15/301,772 priority patent/US11424170B2/en
Publication of DE102014206601A1 publication Critical patent/DE102014206601A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/057Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4875Connection or disconnection of other leads to or from bases or plates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4882Assembly of heatsink parts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3731Ceramic materials or glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49833Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the chip support structure consisting of a plurality of insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29111Tin [Sn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29116Lead [Pb] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/29294Material of the matrix with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/292 - H01L2224/29291
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/33Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H01L2224/331Disposition
    • H01L2224/3318Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/33181On opposite sides of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399Material
    • H01L2224/834Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/83439Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399Material
    • H01L2224/834Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/83444Gold [Au] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83399Material
    • H01L2224/834Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/83438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/83447Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/83801Soldering or alloying
    • H01L2224/8382Diffusion bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8384Sintering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/10Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1027IV
    • H01L2924/10272Silicon Carbide [SiC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1032III-V
    • H01L2924/10329Gallium arsenide [GaAs]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/1026Compound semiconductors
    • H01L2924/1032III-V
    • H01L2924/1033Gallium nitride [GaN]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • H01L2924/15192Resurf arrangement of the internal vias
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/162Disposition
    • H01L2924/16235Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/162Disposition
    • H01L2924/16251Connecting to an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. cap-to-substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/163Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/164Material
    • H01L2924/165Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/166Material
    • H01L2924/16786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/16787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/166Material
    • H01L2924/1679Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements (12) auf einen Substrat (13). Erfindungsgemäß wird das Fügen durch eine Haube (11) vereinfacht, indem in dieser Haube eine Kontaktierungsstruktur (16) vorgesehen ist und diese beim Aufsetzen der Haube (11) auf verschiedenen Fügeleveln (28, 29) gleichzeitig mit einem Zusatzwerkstoff (35) gefügt wird. Außerdem kann über die Haube ein erforderlicher Fügedruck aufgebaut werden, wie er beispielsweise bei Diffusionsverbindungen oder Sinterverbindungen der elektrischen Kontakte erforderlich ist. Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf eine Haube, welche zur Anwendung in dem genannten Verfahren geeignet ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements auf einem Substrat, wobei das Bauelement eine dem Substrat zugewandte Unterseite und eine dieser gegenüberliegende Oberseite aufweist. Bei dem Verfahren wird die Unterseite des Bauelements mit der durch das Substrat zur Verfügung stehenden Baugruppe mechanisch verbunden. Die Oberseite des Bauelements wird dann mit einer Kontaktierungsstruktur mechanisch verbunden. Dabei liegen die Fügeverbindungen, die beim Fügen entstehen, in mindestens zwei unterschiedlichen Fügeleveln.
  • Weiterhin betrifft die Erfindung eine Haube für eine elektrische Baugruppe, wobei die Baugruppe ein Substrat und mindestens ein auf diesem montiertes Bauelement aufweist. Die Haube weist eine Stützfläche auf, mit der sie auf das Substrat aufgesetzt werden kann. Außerdem weist die Haube eine Kavität auf, in der das Bauelement aufgenommen werden kann. Das Bauelement weist sowohl an seiner Oberseite als auch an seiner Unterseite, mit der es auf dem Substrat montiert wird, Kontakte auf. Diese Kontakte befinden sich damit auf verschiedenen Fügeleveln.
  • Die Fügelevel werden dadurch definiert, dass sich die Kontakte elektronischer Bauelemente beim Montieren auf einem Substrat und beim Kontaktieren in verschiedenen Ebenen befinden, wobei der Ausdruck Ebene hier im technischen und nicht im mathematischen Sinne gemeint ist. Eine Ebene oder auch der zugehörige Fügelevel definiert Bereiche, in denen bestimmte Fügeverbindungen der zu kontaktierenden Bauelemente liegen. Durch die Anordnung von Bauelementen übereinander liegen die Fügelevel vorzugsweise ebenfalls übereinander, insbesondere in paralleler Ausrichtung zueinander.
  • Verfahren zum Montieren von elektronischen Bauelementen auf Substraten sind bekannt. Diese Montageverfahren finden auch bei der Montage von elektronischen Baugruppen der Leistungselektronik Anwendung. Beispielsweise ist in der DE 100 62 108 A1 beschrieben, dass ein Leistungsmodul ausgebildet werden kann, bei dem die elektronischen Leistungsbauelemente über eine Sinterschicht mit dem Substrat verbunden werden können. Bei dem Substrat kann es sich um in der Leistungselektronik üblicherweise verwendete DCB-Keramiksubstrate handeln (DCB steht für Direct Copper Bond). Die Oberseiten der Leistungsbauelemente können mit einer Sinterschicht beispielsweise an eine zusätzliche Wärmekapazität angeschlossen werden, die einen Kühlkörper zur Verfügung stellt. Genauso kann das Substrat mit seiner Unterseite über eine Sinterschicht mit einem weiteren Kühlkörper verbunden werden.
  • Gemäß der DE 10 2007 047 698 A1 ist bekannt, dass die Sinterverbindungen elektronischer Baugruppen mit Hilfe spezieller Werkzeuge gefertigt werden können. Diese Werkzeuge weisen Druckflächen auf, die die zu sinternden Bauteile berühren, so dass während der Sinterbehandlung ein Druck auf diese ausgeübt werden kann. Über Toleranzausgleiche in dem Werkzeug kann gewährleistet werden, dass der aufgebrachte Druck auch dann gleichmäßig ist, wenn die zu sinternde Baugruppe toleranzbedingte Fertigungsungenauigkeiten aufweist. Bei der Sinterbehandlung wird zusätzlich zu dem Druckaufbau das Erreichen einer bestimmten Sintertemperatur über einen definierten Zeitraum erforderlich. Statt Sinterverbindungen können auch Lötverbindungen vorgesehen werden.
  • Gemäß der US 2013/0201631 A1 ist darauf zu achten, dass die für den Sintervorgang notwendigen Temperaturen so gewählt sind, dass bereits montierte Fügeverbindungen in der Baugruppe durch die gerade stattfindende Wärmebehandlung nicht wieder aufgeschmolzen werden. Dies wird dadurch erreicht, dass die Bauteilverbindungen, die vor dem betreffenden Verbindungsvorgang schon durchgeführt wurden, Verbindungsmaterialen aufweisen, deren Prozesstemperaturen (Erweichungstemperatur, Sintertemperatur, Schmelztemperatur) mit einem genügenden Sicherheitsabstand oberhalb derjenigen Prozesstemperatur des gerade stattfindenden Verbindungsprozesses liegen. Auf diesem Wege werden die bereits ausgebildeten Fügeverbindungen hinsichtlich ihrer Integrität durch den gerade ablaufenden Verbindungsvorgang nicht gefährdet.
  • Nach erfolgter Montage der Bauelemente auf dem Substrat muss in der Regel noch eine Kontaktierung dieser Bauelemente mit dem Substrat über geeignete Kontaktierungsstrukturen erfolgen. Dabei werden an der Oberseite des Bauelements liegende Kontakte mit korrespondierenden Kontakten auf dem Substrat verbunden. Hierzu können neben den allgemein bekannten Bonddrähten gemäß der US 2012/0106109 A1 auch metallische Leitstrukturen verwendete werden, die beispielsweise Teil eines Leadframes sein können. Die in geeigneter Weise gebogenen Leitstrukturen werden vorzugsweise mittels Sintern oder Löten mit den betreffenden Kontaktflächen verbunden. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die Kontaktierungsstrukturen durch Flexfolien zur Verfügung zu stellen, auf denen die Leitstruktur beispielsweise aufgedruckt ist. Auch die Flexfolien können gemäß der DE 10 2009 016 112 A1 mittels Sinterverbindungen an den betreffenden Kontaktflächen der Oberseite des Bauelements und der Montageseite des Substrats verbunden werden.
  • Durch die bei Aufbauten der Leistungselektronik umgesetzten elektrischen Leistungen werden die leistungselektronischen Baugruppen thermisch und elektrisch stark belastet, weswegen die elektrischen Verbindungen und anderen Fügeverbindungen eine hohe Zuverlässigkeit aufweisen müssen. Gerade Sinterverbindungen eignen sich zu diesem Zweck in besonderem Maße, da ihre thermische Stabilität sowie eine fehlerfreie Ausbildung der Fügeverbindung gewährleistet werden können. Allerdings bedeutet die Montage leistungselektronischer Baugruppen durch Sinterverbindungen im Vergleich beispielsweise zum Löten zur Zeit einen gewissen Mehraufwand in der Fertigung.
  • Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements auf einem Substrat anzugeben, wobei dieses vereinfacht wird und auch die Montage von leistungselektronischen Bauelementen zulässt. Weiterhin besteht die Aufgabe eine Haube der eingangs angegebenen Art anzugeben, die in diesem verbesserten Verfahren zum Einsatz kommen kann.
  • Diese Aufgabe wird mit dem eingangs angegebenen Verfahren erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Kontaktierungsstruktur in Form von Leitpfaden auf der Innenseite einer Haube ausgeführt ist. Bei der Montage wird diese Haube auf eine Montageseite des Substrates aufgesetzt, wobei eine elektrische Kontaktierung der Kontaktierungsstruktur mit dem Substrat innerhalb eines ersten Fügelevels, der durch die Montageseite des Substrats zur Verfügung gestellt wird, erzeugt wird. Die Haube überspannt das Bauelement und auf der Innenseite der Haube wird innerhalb eines zweiten Fügelevels auf Höhe der Oberseite des Bauelementes eine elektrische Kontaktierung der Kontaktierungsstruktur mit dem Bauelement erzeugt. Dies bedeutet, dass Kontaktflächen der Kontaktierungsstruktur jeweils auf einem ersten Fügelevel auf dem Niveau der Montageseite des Substrates und auf einem zweiten Fügelevel auf dem Niveau der Oberseite des Bauelementes vorgesehen sind. Die Kontaktierungsstruktur überbrückt damit zwei unterschiedliche Fügelevel, die vorteilhaft ohne beispielsweise die Zuhilfenahme von Bonddrähten oder freistehenden Leadframes durch Aufsetzen der Haube in einem Montageschritt zuverlässig gefügt werden können. Dabei können auch Fertigungstoleranzen bei der Kontaktierung von Kontaktflächen in unterschiedlichen Fügeleveln verringert werden, da diese in einem vergleichsweise einfach und genau zu fertigenden Bauteil, nämlich der Haube, schon bei der Herstellung derselben integriert werden können. Eine nachträgliche Montage von einzeln stehenden Kontaktierungsstrukturen ist daher nicht erforderlich. Eine Positionierung der Kontaktierungsstrukturen erfolgt vorteilhaft gemeinsam mit der Positionierung der Haube auf dem Substrat.
  • Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass das Substrat, das Bauelement und die Haube mit der Kontaktierungsstruktur zuerst in der zu erzeugenden Konfiguration zueinander platziert werden. Erst danach sollen die Fügeverbindungen, insbesondere elektrische Verbindungen, am Bauelement innerhalb der mindestens zwei Fügelevel in ein und demselben Arbeitsgang durch eine Temperaturerhöhung oder eine Temperatur- und Druckerhöhung fertiggestellt werden. Gemäß der Erfindung ist mit anderen Worten vorgesehen, dass das Verfahren zur Montage der elektronischen Baugruppe auf dem Substrat in zwei definierten Prozessabschnitten ablaufen soll. Im ersten Prozessabschnitt werden alle zu montierenden Bauteile der durch das Substrat zur Verfügung gestellten Baugruppe zueinander platziert. Hierbei kommt es auch zur Ausbildung der Fügeverbindungen, die allerdings noch nicht fertiggestellt sind. In der zweiten Fertigungsphase werden die Fügeverbindungen fertiggestellt. Hierzu ist die Anwendung eines geeigneten Fügeverfahrens notwendig, wobei je nach Art der herzustellenden mechanischen Verbindungen eine Temperaturerhöhung (beispielsweise beim Löten) oder eine Temperatur- und Druckerhöhung (beispielsweise beim Diffusionslöten oder beim Sintern) erforderlich ist. Vorteilhaft ist vorgesehen, dass diese Fügeverbindungen in einem Arbeitsgang hergestellt werden können. Hierzu ist es erforderlich, alle zu erzeugenden Fügeverbindungen auf die bei diesem einzigen Arbeitsgang eingestellten Prozessparameter auszulegen. Hierbei wird ein bestimmtes Temperaturniveau erreicht. Außerdem kann zumindest auf einen Teil der Verbindungen zusätzlich ein Druck ausgeübt werden. Die jeweils gewählte Verbindungsart sowie evtl. notwendiges Zusatzmaterial muss nicht notwendigerweise bei allen Fügeverbindungen genau gleich sein. Wesentlich ist lediglich, dass die Prozessparameter bei allen Verbindungsarten und Materialien aufeinander abgestimmt sind und auf diese Weise die gleichzeitige Ausbildung aller Fügeverbindungen in einem Arbeitsgang möglich ist.
  • Durch die gleichzeitige Ausbildung aller Fügeverbindungen wird es vorteilhaft insbesondere auch möglich, Kontaktierungsstrukturen zu montieren, deren insbesondere elektrischen Verbindungen auf unterschiedlichen Fügeleveln liegen. Hierbei können diese Fügelevel überbrückt werden, ohne dass ein zusätzlicher Arbeitsgang zur Ausbildung der Fügeverbindungen notwendig würde. Vorteilhaft gelingt dies, indem die Unterseite des Bauelements innerhalb eines ersten Fügelevels liegt, der durch eine Montageseite des Substrates zur Verfügung gestellt wird und die Oberseite des Bauelements innerhalb eines zweiten Fügelevels liegt. Der erste Fügelevel wird durch die Ebene definiert, die gewöhnlich durch das Substrat zur Verfügung gestellt wird. Auf dieser Ebene (die bei nicht ebenen Substraten, wie beispielsweise Gehäusen, nicht zwangsläufig im mathematischen Sinne eben sein muss) liegt die Gruppe von Fügeverbindungen, mit denen jeweils die Unterseite der elektrischen Bauelemente auf dem Substrat kontaktiert wird. Die Oberseite der Bauelemente definiert dann, sofern diese elektrische Kontaktflächen aufweisen, einen zweiten Fügelevel, der durch die räumliche Höhenausdehnung der elektrischen Bauelemente von dem ersten Fügelevel beabstandet ist. Durch unterschiedliche Höhen der elektrischen Bauelemente kann es sein, dass der zweite Fügelevel nicht in einer Ebene liegt, wobei die Summe aller Kontaktflächen auf der jeweiligen Oberseite von Bauelementen diesen Fügelevel definiert.
  • Werden mehrere elektrische Bauelemente aufeinander gestapelt, so entstehen dementsprechend in jeder "Etage" des Stapels weitere Fügelevel, die beim elektrischen Anschluss durch entsprechende Kontaktstrukturen evtl. überbrückt werden müssen. Die Anordnung der elektrischen Bauelemente derart, dass ihre Kontakte jeweils unterschiedlichen Fügeleveln zugeordnet werden können, erleichtert vorteilhaft die Montage der elektrischen Baugruppe, bei der die Bauelemente und Kontaktstrukturen Level für Level vormontiert werden können (d. h. zueinander platziert werden können), um anschließend die vorzugsweise elektrischen Verbindungen in allen Fügeleveln in einem Arbeitsgang herzustellen.
  • Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass das Substrat mit seiner der Montageseite abgekehrten Rückseite eine Kontaktfläche zur Verfügung stellt, mit der ein dritter Fügelevel zur Verfügung gestellt wird. Innerhalb dieses Fügelevels wird ein Bauteil platziert. Anschließend wird in der erfindungsgemäßen Weise eine Verbindung zwischen dem Bauteil und dem Substrat in genau dem Arbeitsgang durch eine Temperaturerhöhung oder eine Temperatur- und Druckerhöhung fertiggestellt, in dem auch die Fügeverbindungen am elektrischen Bauelement in dem ersten Fügelevel und dem zweiten Fügelevel (und evtl. weiteren Fügeleveln) fertiggestellt werden. Hierdurch ist vorteilhaft eine weitere Vereinfachung des Montageverfahrens möglich. Je mehr unterschiedliche Fügelevel in einem Arbeitsgang bei der Fertigstellung der Verbindungen berücksichtigt werden können, desto größer ist die Vereinfachung des Montageprozesses, was sich letztendlich auch vorteilhaft auf dessen Wirtschaftlichkeit auswirkt.
  • Bei dem Bauteil, welches auf der Rückseite des Substrats montiert wird, kann es sich beispielsweise um einen Kühlkörper handeln, der bei leistungselektronischen Baugruppen zu einer Abführung der Verlustwärme dient. Dieser Kühlkörper kann auch als Grundkörper ausgebildet sein, wobei dieser zur gemeinsamen Montage von mehreren elektronischen Baugruppen zur Verfügung steht. Eine andere Möglichkeit besteht darin, das Substrat beidseitig mit elektrischen Bauelementen zu bestücken. Eine Kühlung könnte in diesem Fall beispielsweise durch Kühlkanäle im Substrat erfolgen.
  • Gemäß einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass alle Fügeverbindungen mit ein und demselben Fügeverfahren fertiggestellt werden. Wie bereits erwähnt, ist es ebenso möglich, unterschiedliche Fügeverfahren für die einzelnen Fügeverbindungen auszuwählen. Jedoch muss die Bedingung erfüllt sein, dass die verschiedenen ausgewählten Fügeverfahren unter den vorgegebenen Prozessbedingungen (Druck, Temperatur) durchgeführt werden können. Insbesondere die Temperatur muss über die gesamte zu montierende elektrische Baugruppe gleich sein. Der Druck kann variieren, indem beispielsweise mehrere Fügewerkzeuge zum Einsatz kommen oder ein Fügewerkzeug vorgesehen wird, bei dem beispielsweise durch Federmechanismen mit unterschiedlicher Federsteifigkeit unterschiedliche Fertigungsdrücke an unterschiedlichen Komponenten des zu fügenden Aufbaus angelegt werden. Auch für den Fall, dass alle elektrischen Verbindungen mit ein und demselben Fügeverfahren fertiggestellt werden, gelten diese Bedingungen. Besonders vorteilhaft kann bei dem ausgewählten Fügeverfahren (insbesondere Diffusionslöten oder Sintern) auch derselbe Zusatzwerkstoff ausgewählt werden, so dass die Fertigungsbedingungen für das Fügeverfahren für die gesamte Baugruppe einheitlich sind. Es ist aber auch möglich, unterschiedliche Zusatzwerkstoffe auszuwählen, soweit diese in der oben erläuterten Weise unter den vorgegebenen Fügebedingungen fertiggestellt werden können.
  • Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass neben den Fügeverbindungen auch die Verbindung zwischen dem Bauteil (beispielsweise dem Kühlkörper) und dem Substrat (auf der Rückseite) mit dem ausgewählten Fügeverfahren fertiggestellt werden. Hiermit können die erläuterten Vorteile auch auf das Fügen der Verbindung zwischen dem Bauteil und dem Substrat ausgeweitet werden, die sich in einem Arbeitsgang zusammen mit den Fügeverbindungen auf der Montageseite des Substrats fertigstellen lassen. Natürlich können auch die Verbindungen auf der Rückseite des Substrats elektrische Verbindungen sein, wenn das Bauteil, welches dort montiert wird, ein elektrisches Bauteil ist.
  • Eine wieder andere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass als Fügeverfahren ein Diffusionslöten oder ein Sintern zum Einsatz kommt. Diese Verfahren eignen sich vorteilhaft in besonderer Weise, wenn Leistungselektronik montiert werden soll, da die ausgebildeten Verbindungen eine geringe Fehlerdichte aufweisen und eine hohe thermische Stabilität besitzen. Das Diffusionslöten hat einen mit dem Sintern verwandten Verfahrensablauf. Ein Zusatzwerkstoff wird in den Bereich zwischen den zu fügenden Bauteilen eingebracht, wobei dieser unter der Einwirkung von Temperatur und ggf. erhöhtem Druck zu einer Diffusion von niedrigschmelzenden und hochschmelzenden Legierungskomponenten beiträgt. Durch diese lokalen Konzentrationsänderungen kommt es in der Fügezone und an deren Grenzflächen zu den benachbarten Bauteilen zur Generierung von hochschmelzenden intermetallischen Phasen, die eine hohe Temperaturstabilität besitzen. Die entstehende Verbindung hat sehr hohe elektrische und thermische Leitfähigkeiten sowie hohe mechanische Festigkeiten.
  • Weiterhin kann vorteilhaft vorgesehen werden, dass vor dem Platzieren in der zu erzeugenden Konfiguration auf das Substrat und/oder das Bauelement und/oder die Kontaktierungsstruktur in der Haube und/oder das Bauteil ein Zusatzwerkstoff aufgebracht wird. Wie bereits erwähnt, können diese Zusatzwerkstoffe das Fügen, beispielsweise das Sintern oder das Diffusionslöten erleichtern. Die für die Sintervorgänge bzw. Diffusionsvorgänge verantwortlichen Verbindungsbestandteile können allerdings auch in die Kontaktflächen für die auszubildende Verbindung enthalten sein. Beim klassischen Löten ist allerdings als Zusatzwerkstoff immer ein Lotwerkstoff erforderlich.
  • Eine andere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass die Haube außen eine ebene Fläche aufweist, die parallel zum Substrat verläuft. Dies hat große Vorteile für den Ablauf des Montageverfahrens, welcher dadurch vereinfacht wird. Eine ebene Fläche erlaubt nämlich das einfache Aufsetzen eines Fügewerkzeugs, mit dem der Druck auf die zu montierende Baugruppe ausgeübt werden kann. Über dieses Werkzeug lässt sich im Übrigen auch die erforderliche Prozesswärme einbringen, wenn dieses erwärmt wird. Die Übertragung der Prozesswärme auf die zu fügenden Bauteile, insbesondere die Haube, wird ebenfalls verbessert, wenn eine ebene Fläche zur Verfügung steht, die sich insbesondere über die gesamte Flächenausdehnung der Haube erstreckt. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass das Fügewerkzeug geometrisch nicht an die Haube angepasst werden muss. Das Fügewerkzeug kann standardmäßig mit einer ebenen Fläche zur Druckausübung ausgestattet sein, wobei grundsätzlich Hauben unterschiedlicher Anwendungsfälle, also beispielsweise mit unterschiedlicher Größe oder mit unterschiedlicher Strukturierung der Innenseite, mit ein und demselben Fügewerkzeug montiert werden können.
  • Eine andere Ausgestaltung der Erfindung erhält man, wenn auf der Innenseite mindestens eine Fügefläche vorgesehen ist, die bei der Montage auf dem Substrat mit dem Bauelement in Eingriff gelangt. Hierdurch ist es vorteilhaft möglich, auch das Bauelement durch Aufsetzen der Haube zumindest in einer Raumrichtung eindeutig gegenüber dem Substrat auszurichten und zu fixieren. Beispielsweise kann die Fügefläche als waagerechte Fläche auf der Innenseite der Haube vorgesehen sein. Eine solche Fügefläche ermöglicht die Positionierung des Bauelements in Richtung senkrecht zur Oberfläche des Substrats. Durch die Fügefläche kann insbesondere auch ein erforderlicher Druck aufgebaut werden, der für das Fügen der elektrischen Kontakte beispielsweise mittels einer Sinterbehandlung oder einer Ausbildung von Diffusionslötverbindungen erforderlich ist. Die Ausbildung des Fügedrucks kommt hierbei durch ein Übermaß der Fügefläche im Vergleich zum Aufsetzniveau der Haube auf dem Substrat zustande, welche zu einer elastischen Verformung der Haube führt. Mit anderen Worten ist die lichte Höhe in der durch die Haube auf dem Substrat ausgebildeten Kavität unterhalb des Bauelements geringer als die Bauhöhe des Bauelements im bestückten Zustand auf dem Substrat. Hierdurch kommt eine Fügekraft P zustande, die beispielsweise über ein Fügewerkzeug übertragen wird.
  • Eine andere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass die Kontaktierungsstruktur auf den Kontaktflächen mit einem Zusatzwerkstoff versehen wird, bevor die Haube auf das Substrat aufgesetzt ist. Der Zusatzwerkstoff soll eine zuverlässige Ausbildung der Fügeverbindungen gewährleisten. Dieser kann beispielsweise aus einem Diffusionslot bestehen, wenn ein Diffusionslöten durchgeführt werden soll. Auch ist es möglich, einen Sinterwerkstoff zu verwenden, wenn eine Sinterverbindung hergestellt werden soll. Andere Möglichkeiten bestehen darin, einen Lotwerkstoff, insbesondere ein Hochtemperaturlot zu verwenden. Die Verwendung von Sinterwerkstoffen, Diffusionsloten oder Hochtemperaturloten ist dann besonders vorteilhaft, wenn die Baugruppe mit leistungselektronischen Bauelementen ausgestattet werden soll. Diese erwärmen sich während des Betriebs vergleichsweise stark, weswegen die thermischen Belastungen auch von den ausgebildeten elektrischen Kontaktierungen ertragen werden müssen. Die Kontaktierungsstruktur kann mit dem Zusatzwerkstoff versehen werden, dies hat weiterhin den Vorteil, dass das Bauelement selbst nicht mit einem Zusatzwerkstoff versehen werden muss. Die notwendigen Zusatzwerkstoffe können auf das Substrat und auf die Kontaktierungsstruktur aufgebracht werden. Hierbei genügt es vorteilhaft, nur zwei Bauteile mit dem Zusatzwerkstoff zu versehen, nämlich das Substrat und die Haube. Dies ist in der Handhabung einfacher, als wenn stattdessen mehrere Bauelemente mit dem Zusatzwerkstoff versehen werden müssten.
  • Die Aufgabe wird weiterhin durch die eingangs angegebene Haube gelöst, bei der auf der Innenseite der Haube eine Kontaktierungsstruktur vorgesehen ist, welche von der Stützfläche in die Kavität führt. Eine solche Haube ist, wie eingangs bereits ausführlich erläutert, zur Montage auf einem Substrat gemäß dem angeführten Verfahren geeignet. Erfindungsgemäß ist dabei vorgesehen, dass eine Überbrückung von Kontaktflächen der Baugruppe auf unterschiedlichen Fügeleveln ermöglicht wird, indem sich die in die Innenseite der Haube integrierte Kontaktierungsstruktur von der Stützfläche, die auf dem Niveau des Substrats (erster Fügelevel) liegt, zur Oberseite von Bauelementen, deren Kontaktflächen höher (zweiter Fügelevel) liegen, erstreckt. Damit vereinfacht der Einsatz der erfindungsgemäßen Haube vorteilhaft das Montageverfahren von elektrischen Bauelementen auf Substraten.
  • Die Haube kann vorteilhaft als LTCC-Bauteil oder als MID-Bauteil ausgeführt sein. Bei LTCC-Bauteilen handelt es sich um Bauteile, die in der sogenannten LTCC-Technologie hergestellt wurden. Diese Abkürzung steht für das Verfahren der „Low Temperature Co-Fired Ceramics“ also Keramiken, die bei geringen Temperaturen hergestellt werden, und bei denen elektrische Schaltungen oder auch Leiterbahnen, die die Kontaktstruktur bilden können, eingebrannt werden. Die Herstellung solcher Bauteile ist an sich bekannt, beispielsweise durch Boleslav Psota et al., „Usage of LTCC Technology in Electronic Packaging" 36th Int. Spring Seminar on Electronics Technology, IEEE 2013, ab Seite 206.
  • Wird die Haube als MID-Bauteil dargestellt, bedeutet dies, dass die sogenannte MID-Technologie verwendet wird. Diese Abkürzung steht für ein Verfahren, bei dem sogenannte „Molded Interconnect Devices“ hergestellt werden. Die Kontaktierungsstrukturen werden dabei beispielsweise in ein Bauteil eingegossen. Diese Technologie ist ebenfalls allgemein bekannt, zum Beispiel aus N. Bachnak, „3D-MID Technology MEMS Connectivity at System Level" IEEE 2012, ab Seite 572.
  • Besonders vorteilhaft ist es, wenn in der Haube auf die Kontaktflächen der Kontaktierungsstruktur ein Zusatzwerkstoff aufgebracht ist. Hierbei kann es sich, wie bereits erläutert, um ein Hochtemperaturlot, ein Diffusionslot oder ein Sintermaterial handeln. Diese Zusatzwerkstoffe stehen dann nach Montage der Haube auf der Baugruppe zur Ausbildung der Fügeverbindungen zur Verfügung. Ein Fügen kann in der oben bereits erläuterten Weise erfolgen.
  • Vorteilhaft ist es auch, wenn die Stützfläche durch einen Rand der Haube gebildet ist. Die Haube wird dann mit ihrem Rand auf das Substrat aufgesetzt. Sofern der Rand umlaufend ist, entsteht beim Aufsetzen der Haube auf das Substrat eine geschlossene Kavität, die vorteilhaft einen Schutz der Baugruppe gegen Verschmutzung und andere Umwelteinflüsse gewährleistet. Auf dem Rand der Haube können im Übrigen auch die Kontaktflächen bzw. die mit dem Zusatzwerkstoff versehenen Kontaktflächen vorgesehen werden, da hierdurch eine Kontaktierung der Kontaktierungsstruktur mit dem Substrat erfolgen kann.
  • Außerdem ist es besonders vorteilhaft, wenn die Außenseite der Haube eben ist. Dies bringt die bereits erläuterten Vorteile einer vereinfachten Montage mit sich, da das Fügewerkzeug eine ebene und damit einfache Geometrie aufweisen kann und auch für unterschiedliche Haubengeometrien (mit ebener Außenseite) Verwendung finden kann. Vorteilhaft ist es selbstverständlich, wenn die Außenseite der Haube parallel zur Stützfläche ausgebildet ist, da das Substrat, sofern dieses in waagerechter Positionierung montiert wird, auch durch waagerechtes Aufbringen der Fügewerkzeuge montiert werden kann.
  • Als Materialien für das elektrische Bauelement kommen Silizium, Siliziumcarbid, Galliumarsenid oder Galliumnitrid in Betracht. Diese Materialien werden vorzugsweise für leistungselektronische Bauelemente verwendet. Das Substrat kann zum Beispiel aus einer Keramik gefertigt sein. Diese kann mit Kupfer, Silber oder Gold beschichtet sein, wobei die Beschichtung zur Ausbildung von elektrischen Kontaktflächen und Leiterbahnen strukturiert sein kann. Als Zusatzwerkstoffe können je nach Fügeverfahren Hochtemperaturlote wie Antimonhaltige Legierungen oder konventionelle hoch-bleihaltige Lote, Diffusionslote der Materialsystems Sn-Cu, Sn-Cu-Ni, Sn-Cu-Ag, und vorzugweise silberhaltige Sinterpasten oder Sinterfolien zum Einsatz kommen. Im Folgenden werden exemplarisch folgende Beispiele für Zusatzwerkstoffe genannt.
  • Sinterverbindungen:
  • Silber-Sinterpaste (z.B. Heraeus mAgic Paste, Microbond ASP Serie) mit einem Temperaturbereich von 200–280°C
  • Diffusionslötverbindungen:
  • Materialsystem SnCu, SnAg, SnNi und weitere Materialsysteme, die hochschmelzende intermetallische Phasen bilden können. Dabei können verschiedene Formulierungen verwendet werden, wie zum Beispiel
    • – Einpastensysteme mit in der Grundmatrix aus niedrigschmelzenden Legierungen (wie SnCu) dispergierten hochschmelzenden Partikeln (z.B. Cu),
    • – Zweipastensysteme mit sequentiellen Auftragsmethoden (hochschmelzendes Cu gefolgt von SnCu-Legierung) oder
    • – Methoden, den niedrigschmelzenden Zusatzwerkstoff (z.B. SnCu-Legierung) zwischen die hochschmelzenden Grenzflächen (z.B. Cu) zu applizieren, wobei unter Prozessbedingungen durch diffusive Konzentrationsänderungen die hochschmelzende Fügezone generiert wird.
  • Weitere Einzelheiten der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung beschrieben. Gleiche oder sich entsprechende Zeichnungselemente sind jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden nur insoweit mehrfach erläutert, wie sich Unterschiede zwischen den einzelnen Figuren ergeben. Es zeigen:
  • 1 ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Haube im schematischen Querschnitt, wobei es sich hierbei auch um den ersten Schritt eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahren handelt, und
  • 2 und 3 weitere Verfahrensschritte dieses Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens als Seitenansicht, teilweise geschnitten.
  • In 1 ist eine Haube 11 dargestellt, die gemäß 3 auf ein mit einem elektrischen Bauelement 12 ausgestattetem Substrat 13 aufgesetzt werden kann. Die Haube 11 besteht aus einem Kunststoffmaterial, mit dem das MID-Bauteil hergestellt wurde. In der Haube ist eine Innenseite 18 ausgeführt, in der Kontaktierungsstrukturen 16 mittels der MID-Technologie eingegossen oder anderweitig erzeugt wurden. Die Kontaktierungsstruktur 16 ist somit in das Material der Haube integriert. An den Enden der Kontaktierungsstruktur, die Kontaktflächen zur Kontaktierung zur Verfügung stellen, ist ein Zusatzwerkstoff 17 in Form eines Diffusionslotes vorgesehen. Die Haube weist neben der Innenseite 18 auch eine Außenseite 19 auf, wobei die Außenseite 19 eben ausgeführt ist, damit ein Fügewerkzeug 20a mit einer ebenen Druckfläche auf die Außenseite 19 der Haube aufgesetzt werden kann (vgl. 3). Dabei kommt eine Fügefläche 15 zum Einsatz, die, wie 3 zeigt, auf eine Oberseite 27 des zu montierenden Bauelementes 12 aufsetzt.
  • Auf der Innenseite 18 der Haube ist außerdem eine Stützfläche 21 gebildet, die in dem in 1 dargestellten Schnitt durch den Zusatzwerkstoff 17 am äußeren Rand der Haube zur Verfügung gestellt wird. Wo kein Zusatzwerkstoff vorgesehen ist, kann diese Stützfläche 21 auch durch das Material der Haube 11 ausgebildet werden (nicht dargestellt). Die Stützfläche dient dazu, in einem weiteren Verfahrensschritt direkt auf das Substrat aufgesetzt werden zu können. Hierdurch kann das Innere der Haube gegenüber der Umgebung abgedichtet werden, so dass im Inneren eine Kavität 22 entsteht (vgl. 3).
  • In 2 ist das Substrat 13 zu erkennen, welches eine Montageseite 23 und eine Rückseite 24 aufweist. Hierbei handelt es sich um ein nicht näher dargestelltes DCB-Keramiksubstrat, wobei die Kupferschichten nicht näher dargestellt sind. Auf der Montageseite 23 und auf der Rückseite 24 sind weitere Bereiche mit dem Zusatzwerkstoff 17 versehen, wo später verschiedene Fügepartner montiert werden sollen (vgl. 3). Die nicht dargestellte Kupferschicht auf der Montageseite 23 ist in geeigneter Weise strukturiert, damit das zu montierende Bauelement 12 in geeigneter Weise kontaktiert werden kann.
  • In 3 ist dargestellt, wie die zu montierende elektrische Baugruppe ausgebildet ist. Es ist zu erkennen, dass auf der Montageseite 23 des Substrats 13 im Bereich des Zusatzwerkstoffs (vgl. 2) das Bauelement 12 mit seiner Unterseite 26 auf die Montageseite 23 des Substrats 13 aufgesetzt wurde. Dieses Bauelement 12 weist auf seiner Oberseite 27 nicht näher dargestellte elektrische Kontakte auf. Auf die so gebildete Baugruppe, bestehend aus dem Substrat 13 und dem Bauelement 12, wird die Haube 11 gemäß 1 aufgesetzt, wobei die Kontaktierungsstrukturen 16 mit ihren Enden und dem Zusatzwerkstoff (vgl. 1) auf der Oberseite 27 des Bauelements 12 und der Montageseite 23 des Substrats 13 zu liegen kommen. Hierbei ist zu berücksichtigen, dass die Enden der Kontaktierungsstruktur 16 jeweils auf unterschiedlichen Niveaus liegen, die in 3 als erster Fügelevel 28, vorgegeben durch die Montageseite 23 des Substrats 13, und als zweiter Fügelevel 29, vorgegeben durch Oberseite 27 des Bauelements 12, gekennzeichnet sind. Ein dritter Fügelevel 30 wird durch die Unterseite 24 des Substrats 13 zur Verfügung gestellt. Dieser dient zur Befestigung einer Grundplatte 31, die als Kühlkörper ausgeführt ist und als Bauteil über den Zusatzwerkstoff (vgl. 2) mit der Unterseite 24 des Substrats 13 thermisch leitend verbunden ist. In der Grundplatte 23 können zum Zwecke der Kühlung beispielsweise Kühlkanäle 32 vorgesehen sein. Die Baugruppe gemäß 3 ist nun vormontiert. Das heißt, dass die einzelnen Komponenten (Grundplatte 31, Substrat 13, Bauelement 12, Kontaktierungsstruktur 16) in der zu erzeugenden Konfiguration zueinander platziert wurden. Der Zusatzwerkstoff 17 sorgt dafür, dass diese Konfiguration für Handhabungszwecke im weiteren Verfahren der Fertigung bereits eine genügende Stabilität aufweist. Zu diesem Zwecke können außerdem nicht näher dargestellte Fügehilfen vorhanden sein. Diese können beispielsweise aus externen Werkzeugen, wie beispielsweise Klammern, bestehen. Auch ist es möglich, in die einzelnen Bauteile Fügehilfen, wie beispielsweise Clipverbindungen, zu integrieren (nicht dargestellt). Die Halterung der einzelnen Komponenten der Baugruppe mittels dieser Fügehilfen ist nur vorläufig bis zur endgültigen Montage der Baugruppe.
  • Die endgültige Montage ist ebenfalls in 3 angedeutet. Die Baugruppe wird in ein geeignetes Werkzeug eingelegt. Dieses besteht aus Fügewerkzeugen 20a, 20b, welche von unten und von oben an die fertigzustellende Baugruppe 25 herangeführt werden. Die Fügewerkzeuge verfügen über Auflageflächen 34, mit denen eine Druckkraft P auf die zu fügenden Bauteile ausgeübt werden kann. Diese Auflageflächen 34 sind vorteilhaft eben ausgeführt, was dadurch gelingt, dass sowohl die Grundplatte 31 als auch die Haube 11 in geeigneter Weise ebene Auflageflächen für die Fügewerkzeuge 20a, 20b zur Verfügung stellen. Daher kann eine nicht näher dargestellte Heizung, mit denen die Fügewerkzeuge auf die Temperatur T gebracht werden, die Wärme über die gesamte Auflagefläche 34 auf die Baugruppe 25 übertragen. Die Wärme in den Fügewerkzeugen kann beispielsweise über eine nicht dargestellte elektrische Widerstandsheizung erfolgen. Zusammen mit der erforderlichen Druckkraft P wird der Zusatzwerkstoff (vgl. 1) in Fügeverbindungen 35 gemäß 3 umgewandelt, so dass die Baugruppe auf diese Weise bleibend montiert wird.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 10062108 A1 [0004]
    • DE 102007047698 A1 [0005]
    • US 2013/0201631 A1 [0006]
    • US 2012/0106109 A1 [0007]
    • DE 102009016112 A1 [0007]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • Boleslav Psota et al., „Usage of LTCC Technology in Electronic Packaging“ 36th Int. Spring Seminar on Electronics Technology, IEEE 2013, ab Seite 206 [0024]
    • N. Bachnak, „3D-MID Technology MEMS Connectivity at System Level“ IEEE 2012, ab Seite 572 [0025]

Claims (13)

  1. Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelementes (12) auf einem Substrat (13), wobei • das Bauelement eine dem Substrat zugewandte Unterseite (26) und eine dieser genüberliegende Oberseite (27) aufweist, • die Unterseite (26) des Bauelementes (12) mit der durch das Substrat (13) zur Verfügung stehende Baugruppe mechanisch verbunden wird, • die Oberseite (27) des Bauelementes (12) und die Montageseite (23) des Substrates (13) über eine Kontaktierungsstruktur (16) mechanisch verbunden wird, wobei Fügeverbindungen, die beim Fügen entstehen, in mindestens zwei unterschiedlichen Fügeleveln liegen, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktierungsstruktur (16) in Form von Leitpfaden auf der Innenseite einer Haube (11) ausgeführt ist, wobei die Haube (11) bei der Montage • auf eine Montageseite (23) des Substrates (13) aufgesetzt wird, wobei eine mechanische Kontaktierung der Kontaktierungsstruktur (16) mit dem Substrat (13) innerhalb eines ersten Fügelevels (28), der durch die Montageseite (23) des Substates (13) zur Verfügung gestellt wird, erzeugt wird, • das Bauelement (12) überspannt und • auf der Innenseite der Haube (11) innerhalb eines zweiten Fügelevels (29) auf Höhe der Oberseite (27) des Bauelementes eine elektrische Kontaktierung der Kontaktierungsstruktur (16) mit dem Bauelement (12) erzeugt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass • das Substrat (13), das Bauelement (12) und die Haube (11) zusammengesetzt werden, bevor • Fügeverbindungen (35) am Bauelement (12) in dem ersten Fügelevel (28) und in dem zweiten Fügelevel (29) in ein und demselben Arbeitsgang durch eine Temperaturerhöhung oder eine Temperatur- und Druckerhöhung fertiggestellt werden.
  3. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass • das Substrat (13) mit seiner der Montageseite (23) abgekehrten Rückseite (24), die einen dritte Fügelevel +20 zur Verfügung stellt, mit einem Bauteil (31) zusammengesetzt wird, bevor • eine Verbindung zwischen dem Bauteil (31) und dem Substrat (13) in demjenigen Arbeitsgang fertiggestellt wird, in dem auch die Fügeverbindungen (35) am Bauelement (12) in dem ersten Fügelevel (28) und in dem zweiten Fügelevel (29) fertiggestellt werden.
  4. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Haube (11) außen eine ebene Fläche aufweist, die parallel zum Substrat verläuft.
  5. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Innenseite mindestens eine Fügefläche (15) vorgesehen ist, die bei der Montage auf dem Substrat (13) mit dem Bauelement (12) in Eingriff gelangen.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Fügefläche (15) mit der Oberseite (27) des elektrischen Bauelementes (12) in Eingriff gebracht wird, wobei die so entstehende Kontaktfläche außerhalb der elektrischen Kontaktierung liegt.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Fertigstellen der Fügeverbindungen durch Diffusionslöten oder Sintern erfolgt.
  8. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktierungsstruktur (16) auf Kontaktflächen mit einem Zusatzwerkstoff(17) versehen wird, bevor die Haube (11) auf das Substrat (13) aufgesetzt wird.
  9. Haube für eine elektrische Baugruppe, die ein Substrat (13) und mindestens ein auf diesem montiertes Bauelement (12) aufweist, wobei die Haube – eine Stützfläche (21) aufweist, mit der sie auf das Substrat aufgesetzt werden kann, – eine Kavität aufweist, in der das Bauelement aufgenommen werden kann, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Innenseite der Haube eine Kontaktierungsstruktur (16) vorgesehen ist, welche von der Stützfläche (21) in die Kavität (22) führt.
  10. Haube nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass in der Haube auf Kontaktflächen der Kontaktierungsstuktur (16) ein Zusatzwerkstoff (17) aufgebracht ist.
  11. Haube nach einem der Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass diese als LTCC-Bauteil oder als MID-Bauteil ausgeführt ist.
  12. Haube nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Stützfläche (21) durch einen Rand der Haube (11) gebildet ist.
  13. Haube nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Außenseite der Haube (11) eben ist.
DE102014206601.8A 2014-04-04 2014-04-04 Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube Withdrawn DE102014206601A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014206601.8A DE102014206601A1 (de) 2014-04-04 2014-04-04 Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube
PCT/EP2015/056912 WO2015150335A1 (de) 2014-04-04 2015-03-30 Verfahren zum montieren eines elektrischen bauelements, bei der eine haube zum einsatz kommt, und zur anwendung in diesem verfahren geeignete haube
EP15714453.6A EP3103138A1 (de) 2014-04-04 2015-03-30 Verfahren zum montieren eines elektrischen bauelements, bei der eine haube zum einsatz kommt, und zur anwendung in diesem verfahren geeignete haube
JP2017503064A JP6629290B2 (ja) 2014-04-04 2015-03-30 蓋部を用いる電気的デバイスの搭載方法、および、当該方法における使用に適した蓋部
CN201580018036.5A CN106133892B (zh) 2014-04-04 2015-03-30 使用罩盖装配电构件的方法和适合在该方法中使用的罩盖
US15/301,772 US11424170B2 (en) 2014-04-04 2015-03-30 Method for mounting an electrical component in which a hood is used, and a hood that is suitable for use in this method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014206601.8A DE102014206601A1 (de) 2014-04-04 2014-04-04 Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102014206601A1 true DE102014206601A1 (de) 2015-10-08

Family

ID=52814083

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014206601.8A Withdrawn DE102014206601A1 (de) 2014-04-04 2014-04-04 Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11424170B2 (de)
EP (1) EP3103138A1 (de)
JP (1) JP6629290B2 (de)
CN (1) CN106133892B (de)
DE (1) DE102014206601A1 (de)
WO (1) WO2015150335A1 (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3246941A1 (de) 2016-05-18 2017-11-22 Siemens Aktiengesellschaft Elektronische baugruppe mit einem zwischen zwei schaltungsträgern angeordneten bauelement und verfahren zum fügen einer solchen baugruppe
WO2017198446A1 (de) 2016-05-18 2017-11-23 Siemens Aktiengesellschaft Elektronische baugruppe mit zwischen zwei schaltungsträgern befindlichen bauelement und verfahren zu deren herstellung
EP3399546A1 (de) 2017-05-02 2018-11-07 Siemens Aktiengesellschaft Elektronische baugruppe mit einem zwischen zwei substraten eingebauten bauelement und verfahren zu dessen herstellung
WO2018202438A1 (de) 2017-05-02 2018-11-08 Siemens Aktiengesellschaft Elektronische baugruppe mit einem zwischen zwei substraten eingebauten bauelement und verfahren zu dessen herstellung
WO2019007624A1 (de) * 2017-07-04 2019-01-10 Siemens Aktiengesellschaft Toleranzausgleichselement für schaltbilder
DE102023113658B3 (de) 2023-05-24 2024-04-11 Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwischen einem elektronischen Modul und einem Kontaktelement und einer Verbindung zwischen dem elektronischen Modul und einem Kühlkanal

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014206608A1 (de) 2014-04-04 2015-10-08 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube
DE102014206601A1 (de) 2014-04-04 2015-10-08 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube
US10910325B2 (en) 2017-05-29 2021-02-02 Intel Corporation Integrated circuit packages with conductive element having cavities housing electrically connected embedded components
US20200006166A1 (en) * 2018-06-28 2020-01-02 Intel Corporation Microelectronic assemblies
CN109494198A (zh) * 2018-12-05 2019-03-19 河北中瓷电子科技有限公司 陶瓷封装外壳制备方法及陶瓷封装外壳
DE102020109555A1 (de) * 2020-04-06 2021-10-07 Infineon Technologies Ag Eingehäuste halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung einer eingehäusten halbleitervorrichtung
JP2021190524A (ja) * 2020-05-28 2021-12-13 新光電気工業株式会社 電子部品内蔵基板及びその製造方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996009646A1 (de) * 1994-09-23 1996-03-28 Siemens N.V. Polymer stud grid array
DE10062108A1 (de) 2000-12-13 2002-06-27 Daimler Chrysler Ag Leistungsmodul mit verbessertem transienten Wärmewiderstand
JP2006352080A (ja) * 2005-05-16 2006-12-28 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
DE102007047698A1 (de) 2006-10-13 2008-04-17 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden von Komponenten
DE102007036045A1 (de) * 2007-08-01 2009-02-05 Siemens Ag Elektronischer Baustein mit zumindest einem Bauelement, insbesondere einem Halbleiterbauelement, und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007057346B3 (de) * 2007-11-28 2009-06-10 Fachhochschule Kiel Laminierte Leistungselektronikbaugruppe
DE102009016112A1 (de) 2009-04-03 2010-10-14 Technische Universität Carolo-Wilhelmina Zu Braunschweig Einrichtung mit einem elektrischen Bauelement und wenigstens einer elektrischen Anschlussleitung
US20120106109A1 (en) 2010-11-02 2012-05-03 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Power module using sintering die attach and manufacturing method thereof
US20130201631A1 (en) 2012-02-08 2013-08-08 Crane Electronics, Inc. Multilayer electronics assembly and method for embedding electrical circuit components within a three dimensional module
DE102013101258A1 (de) * 2012-02-08 2013-08-08 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement unter Verwendung von Diffusionslöten
US20140008811A1 (en) * 2012-07-09 2014-01-09 Freescale Semiconductor, Inc. Device package with rigid interconnect structure connecting die and substrate and method thereof

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5986334A (en) * 1996-10-04 1999-11-16 Anam Industrial Co., Ltd. Semiconductor package having light, thin, simple and compact structure
JPH11289023A (ja) * 1998-04-02 1999-10-19 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6207475B1 (en) 1999-03-30 2001-03-27 Industrial Technology Research Institute Method for dispensing underfill and devices formed
US7012315B1 (en) * 2000-11-01 2006-03-14 Micron Technology, Inc. Frame scale package using contact lines through the elements
JP4045083B2 (ja) * 2000-12-25 2008-02-13 株式会社ルネサステクノロジ 半導体モジュールおよび実装構造体
US20070262470A1 (en) 2004-10-21 2007-11-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module With Built-In Semiconductor And Method For Manufacturing The Module
US7468548B2 (en) * 2005-12-09 2008-12-23 Fairchild Semiconductor Corporation Thermal enhanced upper and dual heat sink exposed molded leadless package
JP2007324550A (ja) 2006-06-05 2007-12-13 Denso Corp 多層基板
KR100790994B1 (ko) * 2006-08-01 2008-01-03 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지, 그 제조 방법 및 이미지 센서패키지를 포함하는 이미지 센서 모듈
DE102006044525B3 (de) 2006-09-21 2008-01-31 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung von gemeinsam bereitstellbaren flexiblen integrierten Schaltkreisen
JP5042591B2 (ja) * 2006-10-27 2012-10-03 新光電気工業株式会社 半導体パッケージおよび積層型半導体パッケージ
KR100825793B1 (ko) * 2006-11-10 2008-04-29 삼성전자주식회사 배선을 구비하는 배선 필름, 상기 배선 필름을 구비하는반도체 패키지 및 상기 반도체 패키지의 제조방법
US8247267B2 (en) * 2008-03-11 2012-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer level IC assembly method
JP5543086B2 (ja) 2008-06-25 2014-07-09 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置及びその製造方法
US8201326B2 (en) 2008-12-23 2012-06-19 Infineon Technologies Ag Method of manufacturing a semiconductor device
JP5245925B2 (ja) 2009-03-06 2013-07-24 富士通株式会社 電子部品及びその製造方法
JP5077448B2 (ja) * 2010-04-02 2012-11-21 株式会社デンソー 半導体チップ内蔵配線基板及びその製造方法
US8847376B2 (en) * 2010-07-23 2014-09-30 Tessera, Inc. Microelectronic elements with post-assembly planarization
US8598695B2 (en) * 2010-07-23 2013-12-03 Tessera, Inc. Active chip on carrier or laminated chip having microelectronic element embedded therein
US8502367B2 (en) 2010-09-29 2013-08-06 Stmicroelectronics Pte Ltd. Wafer-level packaging method using composite material as a base
KR101218989B1 (ko) 2011-07-15 2013-01-21 삼성전기주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
US9018725B2 (en) * 2011-09-02 2015-04-28 Optiz, Inc. Stepped package for image sensor and method of making same
CN102496612B (zh) * 2011-12-21 2013-09-18 重庆西南集成电路设计有限责任公司 一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路
US8803185B2 (en) * 2012-02-21 2014-08-12 Peiching Ling Light emitting diode package and method of fabricating the same
CN102738131B (zh) * 2012-03-07 2016-02-24 苏州晶方半导体科技股份有限公司 半导体模组、封装结构及其封装方法
CN202495439U (zh) 2012-03-07 2012-10-17 苏州晶方半导体科技股份有限公司 半导体封装结构及其模组
JP2014011236A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Honda Motor Co Ltd 半導体装置、並びに、半導体装置の製造装置及び製造方法
DE102014206601A1 (de) 2014-04-04 2015-10-08 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube
DE102014206608A1 (de) 2014-04-04 2015-10-08 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996009646A1 (de) * 1994-09-23 1996-03-28 Siemens N.V. Polymer stud grid array
DE10062108A1 (de) 2000-12-13 2002-06-27 Daimler Chrysler Ag Leistungsmodul mit verbessertem transienten Wärmewiderstand
JP2006352080A (ja) * 2005-05-16 2006-12-28 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
DE102007047698A1 (de) 2006-10-13 2008-04-17 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden von Komponenten
DE102007036045A1 (de) * 2007-08-01 2009-02-05 Siemens Ag Elektronischer Baustein mit zumindest einem Bauelement, insbesondere einem Halbleiterbauelement, und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007057346B3 (de) * 2007-11-28 2009-06-10 Fachhochschule Kiel Laminierte Leistungselektronikbaugruppe
DE102009016112A1 (de) 2009-04-03 2010-10-14 Technische Universität Carolo-Wilhelmina Zu Braunschweig Einrichtung mit einem elektrischen Bauelement und wenigstens einer elektrischen Anschlussleitung
US20120106109A1 (en) 2010-11-02 2012-05-03 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Power module using sintering die attach and manufacturing method thereof
US20130201631A1 (en) 2012-02-08 2013-08-08 Crane Electronics, Inc. Multilayer electronics assembly and method for embedding electrical circuit components within a three dimensional module
DE102013101258A1 (de) * 2012-02-08 2013-08-08 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement unter Verwendung von Diffusionslöten
US20140008811A1 (en) * 2012-07-09 2014-01-09 Freescale Semiconductor, Inc. Device package with rigid interconnect structure connecting die and substrate and method thereof

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Boleslav Psota et al., "Usage of LTCC Technology in Electronic Packaging" 36th Int. Spring Seminar on Electronics Technology, IEEE 2013, ab Seite 206
N. Bachnak, "3D-MID Technology MEMS Connectivity at System Level" IEEE 2012, ab Seite 572

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3246941A1 (de) 2016-05-18 2017-11-22 Siemens Aktiengesellschaft Elektronische baugruppe mit einem zwischen zwei schaltungsträgern angeordneten bauelement und verfahren zum fügen einer solchen baugruppe
WO2017198446A1 (de) 2016-05-18 2017-11-23 Siemens Aktiengesellschaft Elektronische baugruppe mit zwischen zwei schaltungsträgern befindlichen bauelement und verfahren zu deren herstellung
DE102016208498A1 (de) 2016-05-18 2017-11-23 Siemens Aktiengesellschaft Elektronische Baugruppe mit zwischen zwei Schaltungsträgern befindlichen Bauelement und Verfahren zu deren Herstellung
WO2017198447A1 (de) 2016-05-18 2017-11-23 Siemens Aktiengesellschaft Elektronische baugruppe mit einem zwischen zwei schaltungsträgern angeordneten bauelement und verfahren zum fügen einer solchen baugruppe
US10420220B2 (en) 2016-05-18 2019-09-17 Siemens Aktiengesellschaft Electronic assembly with a component arranged between two circuit carriers, and method for joining such an assembly
EP3399546A1 (de) 2017-05-02 2018-11-07 Siemens Aktiengesellschaft Elektronische baugruppe mit einem zwischen zwei substraten eingebauten bauelement und verfahren zu dessen herstellung
WO2018202438A1 (de) 2017-05-02 2018-11-08 Siemens Aktiengesellschaft Elektronische baugruppe mit einem zwischen zwei substraten eingebauten bauelement und verfahren zu dessen herstellung
WO2018202439A1 (de) 2017-05-02 2018-11-08 Siemens Aktiengesellschaft Elektronische baugruppe mit einem zwischen zwei substraten eingebauten bauelement und verfahren zu dessen herstellung
WO2019007624A1 (de) * 2017-07-04 2019-01-10 Siemens Aktiengesellschaft Toleranzausgleichselement für schaltbilder
DE102023113658B3 (de) 2023-05-24 2024-04-11 Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zwischen einem elektronischen Modul und einem Kontaktelement und einer Verbindung zwischen dem elektronischen Modul und einem Kühlkanal

Also Published As

Publication number Publication date
CN106133892B (zh) 2020-12-04
CN106133892A (zh) 2016-11-16
JP2017515317A (ja) 2017-06-08
JP6629290B2 (ja) 2020-01-15
EP3103138A1 (de) 2016-12-14
US11424170B2 (en) 2022-08-23
US20170033024A1 (en) 2017-02-02
WO2015150335A1 (de) 2015-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014206601A1 (de) Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube
DE102014206608A1 (de) Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube
DE102010049499B4 (de) Metall-Keramik-Substrat sowie Verfahren zum Herstellen eines solchen Substrates
DE102007010242A1 (de) Verfahren zum Diffusionslöten
DE102012222791A1 (de) Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiters und Halbleiterbauelement mit erhöhter Stabilität gegenüber thermomechanischen Einflüssen
DE3009295A1 (de) Halbleiterbaustein
EP2812912A2 (de) Verbindungsanordnung eines elektrischen und/oder elektronischen bauelements
EP3036761B1 (de) Verfahren zum diffusionslöten eines elektronischen bauelements mit einer montagefläche mit vertiefungen auf einem substrat
EP2179443A1 (de) Baugruppe sowie herstellung einer baugruppe
DE102012202281A1 (de) Halbleiteranordnung für Druckkontaktierung
EP2390904A2 (de) Verfahren zur Niedertemperatur Drucksinterverbindung zweier Verbindungspartner und hiermit hergestellte Anordnung
DE102010053760A1 (de) Sensor mit einem vorzugsweise mehrschichtigen Keramiksubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102012213003A1 (de) Befestigung eines Halbleiterchips in trockenen und druckunterstützten Verbindungsverfahren
DE102014206606A1 (de) Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements auf einem Substrat
DE102014105000A1 (de) Verfahren zur Herstellung und zum Bestücken eines Schaltungsträgers
DE102013200868B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung und einer elektrischen Verbindung
DE102016115221A1 (de) Verfahren zum Verbinden von mindestens zwei Substraten zur Bildung eines Moduls
DE102019115573B4 (de) Leistungselektronische Schalteinrichtung und Verfahren zur Herstellung
DE102017207329A1 (de) Elektronische Baugruppe mit einem zwischen zwei Substraten eingebauten Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009044933A1 (de) Leistungshalbleitermodul mit mindestens zwei verbundenen Schaltungsträgern und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit mindestens zwei verbundenen Schaltungsträgern
WO2017198446A1 (de) Elektronische baugruppe mit zwischen zwei schaltungsträgern befindlichen bauelement und verfahren zu deren herstellung
DE102015115133B3 (de) Verfahren zum Verbinden eines Kühlkörpers mit wenigstens einem Schaltungsträger durch Aufschrumpfen
DE102014106763B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls
DE102014218426A1 (de) Baugruppe mit mindestens zwei Tragkörpern und einen Lotverbund
DE102022120293A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leiterplattenanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination