DE102013114026A1 - Organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

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Abstract

Eine organische Leuchtdioden-Anzeigenvorrichtung gemäß einer Ausführungsform weist auf: ein Substrat (120), eine Oxid-Halbleiterschicht (126) über dem Substrat, eine emittierende Diode (D) über der Oxid-Halbleiterschicht, wobei die emittierende Diode eine erste Elektrode (140), eine über der ersten Elektrode angeordnete emittierende Schicht (146) und eine über der emittierenden Schicht angeordnete zweite Elektrode (148) aufweist, eine Passivierungsschicht (152) über der emittierenden Diode, sowie eine Wasserstoff-Sperrschicht (142, 143) wenigstens teilweise zwischen der Oxid-Halbleiterschicht und der Passivierungsschicht, um die Wasserstoffdiffusion aus der Passivierungsschicht in die Oxid-Halbleiterschicht zu blockieren, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht wenigstens eines von einem Metall, einer Metalllegierung und einem Oxid einer Metalllegierung aufweist.

Description

  • Querverweis auf verwandte Anmeldung
  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Prioritäten der koreanischen Patentanmeldungen Nr. 10-2012-0150716 und Nr. 10-2013-0075523 , jeweils eingereicht am 21. Dezember 2012 und am 28. Juni 2013, deren gesamter Inhalt durch diese Bezugnahme hierin mitaufgenommen ist.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine organische Leuchtdioden(engl. organic light emitting diode, OLED)-Anzeigevorrichtung (bzw. OLED-Displayvorrichtung) und insbesondere eine OLED-Anzeigevorrichtung, die eine Oxid-Halbleiterschicht aufweist.
  • Beschreibung der bezogenen Technik
  • Eine OLED-Anzeigevorrichtung von neuen Flachpaneel-Anzeigevorrichtungen (bzw. Flachbildschirmen) hat eine hohe Helligkeit und eine geringe Ansteuerungsspannung. Die OLED-Anzeigevorrichtung ist selbstemittierend und hat ausgezeichnete Eigenschaften beispielsweise hinsichtlich eines Betrachtungswinkels, eines Kontrastverhältnisses und einer Reaktionszeit.
  • Außerdem gibt es einen großen Vorteil bei den Herstellungskosten. Ein Herstellungsprozess der OLED-Anzeigevorrichtung ist sehr einfach und erfordert eine Abscheidungsvorrichtung und eine Verkapselungsvorrichtung.
  • Die OLED-Anzeigevorrichtung weist eine Mehrzahl von Pixel-Unterbereichen (bzw. -Teilbereichen) in einem Pixelbereich auf. In jedem der Pixel-Unterbereiche sind ein Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) und ein Treiber(bzw. Ansteuer)-Dünnschichttransistor (TFT) ausgebildet. Im Allgemeinen sind die Dünnschichttransistoren (TFT) durch Verwendung von amorphem Silizium als Halbleitermaterial gebildet.
  • Um den Anforderungen von großen Abmessungen und hoher Auflösung zu genügen, ist in letzter Zeit eine OLED-Anzeigevorrichtung notwendig, die Dünnschichttransistoren (TFT) hat, welche eine schnellere Signalverarbeitung, einen stabileren Betrieb und eine stabilere Lebensdauer aufweisen. Allerdings hat der Dünnschichttransistor (TFT), der amorphes Silizium verwendet, eine relativ niedrige Beweglichkeit (z.B. Driftbeweglichkeit), beispielsweise von weniger als 1 cm2 /Vsec, und es gibt eine Einschränkung für die große und hochauflösende OLED-Anzeigevorrichtung.
  • Dementsprechend kann ein Oxid-Dünnschichttransistor (TFT) verwendet werden, der eine aktive Schicht aus einem Oxid-Halbleitermaterial hat, welches eine ausgezeichnete elektrische Eigenschaft, z.B. Beweglichkeit und Aus-Strom (bzw. Abschaltstrom), hat, um einige dieser Schwächen zu vermeiden.
  • 1 ist eine Querschnittsansicht einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der bezogenen Technik. Wie in 1 gezeigt, weist eine OLED-Anzeigevorrichtung 10 ein erstes und ein zweites Substrat 20 und 56, einen Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td und eine emittierende Diode (z.B. eine licht-emittierende Diode oder Leuchtdiode) D auf (bzw. über) dem ersten Substrat 20 sowie eine Versiegelungsschicht (bzw. Dichtungsschicht) 54 auf, die die gesamte Fläche zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 20 und 56 bedeckt (z.B. abdeckt).
  • Das erste und das zweite Substrat 20 und 56, die sich einander gegenüberliegen und voneinander getrennt sind, weisen eine Mehrzahl von Pixel-Unterbereichen in einem Pixelbereich auf. Das erste Substrat 20 kann als ein unteres Substrat, ein Dünnschichttransistor(TFT)-Substrat oder eine Rückplatte (engl. backplane) bezeichnet werden. Das zweite Substrat 56 kann als ein Verkapselungssubstrat bezeichnet werden.
  • Eine Gate-Elektrode 22 ist auf dem ersten Substrat 20 ausgebildet, und eine Gate-Isolierungsschicht 24 ist auf der Gate-Elektrode 22 ausgebildet. Eine Oxid-Halbleiterschicht 26, die der Gate-Elektrode 22 entspricht (bzw. zur Gate-Elektrode 22 korrespondierend ausgebildet ist), ist auf der Gate-Isolierungsschicht 24 ausgebildet, und ein Ätz-Stopper (z.B. eine Ätz-Schutzschicht) 28 ist auf der Oxid-Halbleiterschicht 26 ausgebildet. Außerdem sind eine Source-Elektrode 30 und eine Drain-Elektrode 32 an beiden Enden des Ätz-Stoppers 28 und der Oxid-Halbleiterschicht 26 ausgebildet.
  • Die Gate-Elektrode 22, die Oxid-Halbleiterschicht 26, die Source-Elektrode 30 und die Drain-Elektrode 32 bilden den Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td.
  • Eine erste Passivierungsschicht 34 ist auf dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td ausgebildet, und eine Farbfilterschicht 36 ist auf der ersten Passivierungsschicht 34 (und) in jedem der Pixel-Unterbereiche ausgebildet.
  • Eine Planarisierungsschicht 38 ist auf der Farbfilterschicht 36 ausgebildet, um einen Stufenunterschied (bzw. Absatzunterschied) zu beseitigen, und eine erste Elektrode 40, die der Farbfilterschicht 36 entspricht (bzw. zur Farbfilterschicht 36 korrespondierend ausgebildet ist), ist auf der Planarisierungsschicht 38 ausgebildet. Ein Drain-Kontaktloch, das die Drain-Elektrode 32 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td freilegt, ist durch die erste Passivierungsschicht 34 und die Planarisierungsschicht 38 hindurch ausgebildet, und die erste Elektrode 40 ist durch das Drain-Kontaktloch mit der Drain-Elektrode 32 verbunden.
  • Eine Überhöhung (bzw. ein Damm, engl. bank) 44, die die Ränder der ersten Elektrode 40 bedeckt, ist auf der ersten Elektrode 40 ausgebildet. Mit anderen Worten weist die Überhöhung 44 eine Öffnung auf, so dass eine Mitte der ersten Elektrode 40 freigelegt ist.
  • Eine emittierende Schicht (z.B. eine licht-emittierende Schicht) 46, die die erste Elektrode 40 durch die Öffnung der Überhöhung 44 kontaktiert, ist auf der Überhöhung 44 ausgebildet, und eine zweite Elektrode 48 ist auf der emittierenden Schicht 46 ausgebildet.
  • Die erste Elektrode 40, die emittierende Schicht 46 und die zweite Elektrode 48 bilden die emittierende Diode (z.B. die licht-emittierende Diode oder Leuchtdiode) D.
  • Außerdem ist eine zweite Passivierungsschicht 52 auf der emittierenden Diode D ausgebildet. Die Versiegelungsschicht 54 ist an (bzw. zwischen) einer gesamten Fläche der zweiten Passivierungsschicht 52 und des zweiten Substrats 56 ausgebildet, so dass das erste und das zweite Substrat 20 und 56 einander befestigt sind.
  • In der OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der bezogenen Technik wird eine Schädigung der emittierenden Diode 52, die aus einer Einwirkung von äußerer Feuchtigkeit und Partikeln (z.B. Fremdkörper) resultiert, durch die zweite Passivierungsschicht 52 verhindert. Wie oben erläutert, ist die zweite Passivierungsschicht 52 über eine gesamte Fläche des ersten Substrats 20 ausgebildet, und die zweite Passivierungsschicht 52 deckt den Pixelbereich ab.
  • Die zweite Passivierungsschicht 52 wird durch eine plasma(unterstützte)-chemische Gasphasenabscheidungs(engl. plasma chemical vapour deposition, PCVD)-Vorrichtung oder eine physikalische Gasphasenabscheidungs(engl. physical vapour deposition, PVD)-Vorrichtung wie einer Sputterdepositions-Vorrichtung hergestellt. Zum Beispiel kann die zweite Passivierungsschicht 52 eine Siliziumnitrid(SiNx)-Schicht, eine Siliziumoxidnitrid(SiON)-Schicht oder eine Siliziumoxid(SiOx)-Schicht sein, welche in der PCVD-Vorrichtung hergestellt wird, oder kann eine Aluminiumoxid(AlOx)-Schicht sein, welche in der Sputterdepositions-Vorrichtung hergestellt wird.
  • Wenn die zweite Passivierungsschicht 52 aus einem Siliziumstoff (z.B. eine Silizium-Verbindung) in der PCVD-Vorrichtung oder der PVD-Vorrichtung hergestellt wird, sollte allerdings der Abscheidungs(bzw. Depositions)-Prozess bei einer niedrigen Temperatur (z.B. weniger als etwa 100 °C) durchgeführt werden, um eine thermische Zersetzung (bzw. Abbau) der emittierenden Schicht 46 zu verhindern. Aufgrund der niedrigen Prozesstemperatur reagieren die Ausgangsgase nicht vollständig, und Wasserstoff(H)-Rückstände aus den Ausgangsgasen wie Monosilan(SiH4)-Gas oder Ammoniak(NH3)-Gas werden in der zweiten Passivierungsschicht 52 erzeugt.
  • Die Wasserstoffrückstände diffundieren durch die Planarisierungsschicht 38 und die erste Passivierungsschicht 34 hindurch in die Oxid-Halbleiterschicht 26 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td, wodurch ein Reduktionsvorgang des Oxid-Halbleitermaterials der Oxid-Halbleiterschicht 26 hervorgerufen wird.
  • Als Folge der Reduktion des Oxid-Halbleiters, die eine Schwellspannungsverschiebung des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td verursacht, werden Helligkeitsunterschiede in einem Bild hervorgerufen, und eine Anzeigequalität der OLED-Anzeigevorrichtung wird verringert.
  • Außerdem können zu hohe Ströme, die durch die Schwellspannungsverschiebung des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td erzeugt werden, thermische Schäden an der OLED-Anzeigevorrichtung verursachen, wenn die OLED-Anzeigevorrichtung über eine lange Zeitperiode betrieben wird.
  • Erläuterung der Erfindung
  • Dementsprechend ist die vorliegende Erfindung auf eine OLED-Anzeigevorrichtung gerichtet, die im Wesentlichen ein oder mehrere Probleme bedingt durch die Einschränkungen und Nachteile der bezogenen Technik vermeidet.
  • Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der Beschreibung dargelegt, die folgt, und werden zum Teil aus der Beschreibung deutlich, oder können durch Anwendung der Erfindung gelernt werden. Diese und andere Vorteile der Erfindung werden realisiert und erreicht durch den Aufbau, der besonders in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen davon sowie den angehängten Zeichnungen dargelegt ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine organische Leuchtdioden(bzw. licht-emittierende Dioden)-Anzeigevorrichtung vorgesehen, die aufweist: ein Substrat, eine Oxid-Halbleiterschicht über dem Substrat, eine emittierende Diode (z.B. licht-emittierende Diode oder Leuchtdiode) über der Oxid-Halbleiterschicht, wobei die emittierende Diode eine erste Elektrode, eine über der ersten Elektrode angeordnete emittierende Schicht und eine über der emittierenden (z.B. licht-emittierende) Schicht angeordnete zweite Elektrode aufweist, eine Passivierungsschicht über der emittierenden Diode, sowie eine Wasserstoff-Sperrschicht (bzw. Wasserstoff-Blockierschicht) wenigstens teilweise zwischen der Oxid-Halbleiterschicht und der Passivierungsschicht, um die Wasserstoffdiffusion aus der Passivierungsschicht in die Oxid-Halbleiterschicht zu blockieren, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht wenigstens eines von einem Metall, einer Metalllegierung und einem Oxid einer Metalllegierung aufweist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ferner eine organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung vorgesehen, die aufweist: ein Substrat, eine Oxid-Halbleiterschicht über dem Substrat, eine erste Passivierungsschicht über der Oxid-Halbleiterschicht, eine Planarisierungsschicht über der ersten Passivierungsschicht, eine emittierende Diode über der Planarisierungsschicht, wobei die emittierende Diode eine erste Elektrode, eine über der ersten Elektrode angeordnete emittierende Schicht und eine über der emittierenden Schicht angeordnete zweite Elektrode aufweist, eine zweite Passivierungsschicht über der emittierenden Diode, sowie eine Wasserstoff-Sperrschicht (bzw. Wasserstoff-Blockierschicht) wenigstens teilweise zwischen der Planarisierungsschicht und der zweiten Passivierungsschicht, um die Wasserstoffdiffusion aus der zweiten Passivierungsschicht in die Oxid-Halbleiterschicht zu blockieren, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht ein anorganisches Material aufweist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ferner eine organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung vorgesehen, die aufweist: ein Substrat, eine Oxid-Halbleiterschicht über dem Substrat, eine erste Passivierungsschicht über der Oxid-Halbleiterschicht, eine emittierende Diode über der ersten Passivierungsschicht, wobei die emittierende Diode eine erste Elektrode, eine über der ersten Elektrode angeordnete emittierende Schicht und eine über der emittierenden Schicht angeordnete zweite Elektrode aufweist; eine zweite Passivierungsschicht über der emittierenden Diode; eine Wasserstoff-Sperrschicht (bzw. Wasserstoff-Blockierschicht) wenigstens teilweise zwischen der ersten Passivierungsschicht und der zweiten Passivierungsschicht, um die Wasserstoffdiffusion aus der zweiten Passivierungsschicht in die Oxid-Halbleiterschicht zu blockieren; sowie eine Planarisierungsschicht, die wenigstens teilweise zwischen der Wasserstoff-Sperrschicht und der zweiten Passivierungsschicht angeordnet ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ferner eine organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung vorgesehen, die aufweist: ein Substrat, eine Oxid-Halbleiterschicht über dem Substrat, eine erste Passivierungsschicht über der Oxid-Halbleiterschicht, eine Planarisierungsschicht über der ersten Passivierungsschicht, eine emittierende Diode über der Planarisierungsschicht, wobei die emittierende Diode eine erste Elektrode, eine über der ersten Elektrode angeordnete emittierende Schicht und eine über der emittierenden Schicht angeordnete zweite Elektrode aufweist, eine zweite Passivierungsschicht über der emittierenden Diode, eine Wasserstoff-Sperrschicht wenigstens teilweise zwischen der Planarisierungsschicht und der zweiten Passivierungsschicht, um die Wasserstoffdiffusion aus der zweiten Passivierungsschicht in die Oxid-Halbleiterschicht zu blockieren, und eine Überhöhung (bzw. Überhöhungsschicht oder Damm) (engl. bank layer) wenigstens teilweise zwischen der Wasserstoff-Sperrschicht und der zweiten Passivierungsschicht.
  • Zusätzliche exemplarische Ausführungsformen werden in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • In einem weiteren Aspekt weist eine organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung auf: ein Substrat; eine Gate-Leitung, eine Daten-Leitung und eine Stromleitung auf (bzw. an) dem Substrat, wobei die Gate- und die Daten-Leitungen sich einander kreuzen, um einen Pixelbereich zu definieren, und ein Dünnschichttransistor in dem Pixelbereich, eine erste Passivierungsschicht auf dem Dünnschichttransistor, eine emittierende Diode über der Passivierungsschicht (und) in dem Pixelbereich, eine zweite Passivierungsschicht über der emittierenden Diode sowie eine Wasserstoff-Sperrschicht zwischen dem Dünnschichttransistor und der zweiten Passivierungsschicht.
  • In einem weiteren Aspekt weist ein Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung auf: ein Bilden einer Gate-Leitung, einer Daten-Leitung und einer Stromleitung (bzw. Energieleitung oder Netzleitung) auf (bzw. an) dem Substrat, wobei die Gate- und die Daten-Leitungen sich einander kreuzen, um einen Pixelbereich zu definieren, ein Bilden eines Dünnschichttransistors in dem Pixelbereich, ein Bilden einer ersten Passivierungsschicht auf dem Dünnschichttransistor, ein Bilden einer Wasserstoff-Sperrschicht über der ersten Passivierungsschicht, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht dem Dünnschichttransistor entspricht (bzw. zum Dünnschichttransistor korrespondierend ausgebildet ist), ein Bilden einer emittierenden Diode über der Passivierungsschicht sowie ein Bilden einer zweiten Passivierungsschicht über der emittierenden Diode.
  • In einem weiteren Aspekt weist ein Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdioden-Anzeigenvorrichtung auf: ein Bilden einer Gate-Leitung, einer Daten-Leitung und einer Stromleitung auf (bzw. an) dem Substrat, wobei die Gate- und die Daten-Leitungen sich einander kreuzen, um einen Pixelbereich zu definieren, ein Bilden eines Dünnschichttransistors in dem Pixelbereich, ein Bilden einer ersten Passivierungsschicht auf dem Dünnschichttransistor, ein Bilden einer emittierenden Diode über der Passivierungsschicht, ein Bilden einer Wasserstoff-Sperrschicht auf der emittierenden Diode sowie ein Bilden einer zweiten Passivierungsschicht über der emittierenden Diode.
  • In einem weiteren Aspekt weist eine organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung auf: ein Substrat; eine Gate-Leitung, eine Daten-Leitung und eine Stromleitung auf (bzw. an) dem Substrat, wobei die Gate- und die Daten-Leitungen sich einander kreuzen, um einen Pixelbereich zu definieren, einen Dünnschichttransistor in dem Pixelbereich, eine Planarisierungsschicht über dem Dünnschichttransistor, eine erste Elektrode in jedem Pixelbereich auf der Planarisierungsschicht, eine emittierende Schicht auf der ersten Elektrode, eine zweite Elektrode auf der emittierenden Schicht, die die Mehrzahl von Pixelbereichen abdeckt (bzw. bedeckt), eine zweite Passivierungsschicht auf der zweiten Elektrode, und wobei eine Wasserstoff-Sperrschicht die Planarisierungsschicht bedeckt, die zwischen der zweiten Passivierungsschicht und der zweiten Elektrode freigelegt ist.
  • Es sollte verständlich sein, dass sowohl die vorhergehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung exemplarisch und erläuternd sind und beabsichtigt sind, eine weitere Erläuterung der Erfindung, wie beansprucht, bereitzustellen.
  • Kurze Erläuterung der Zeichnungen
  • Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung bereitzustellen, und die mit einbezogen sind und einen Teil dieser Beschreibung bilden, veranschaulichen exemplarische Ausführungsformen der Erfindung und dienen gemeinsam mit der Beschreibung dazu, die Grundprinzipien der Erfindung zu erklären.
  • 1 ist eine Querschnittsansicht einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der bezogenen Technik.
  • 2 ist eine Draufsicht eines Beispiels einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht, die entlang der Linie III-III aus 2 genommen ist.
  • 4 ist eine Grafik, die die Wasserstofflöslichkeit gemäß eines Beispiels von einem Material einer Wasserstoff-Sperrschicht (bzw. Wasserstoff-Blockierungsschicht) für eine OLED-Anzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 5 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 7 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel von einem Rand einer OLED-Anzeigevorrichtung zeigt.
  • 9 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 10 ist eine Draufsicht der OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Es wird nun im Detail Bezug auf bevorzugte Ausführungsformen genommen, von denen Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind.
  • 2 ist eine Draufsicht einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und 3 ist eine Querschnittsansicht, die entlang der Linie III-III aus 2 genommen ist.
  • Wie in den 2 und 3 gezeigt, weist ein Beispiel einer OLED-Anzeigevorrichtung 110 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein erstes und ein zweites Substrat 120 und 156, einen Treiber(bzw. Ansteuer)-Dünnschichttransistor (TFT) Td, einen Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) Ts, eine emittierende Diode (z.B. eine licht-emittierende Diode oder Leuchtdiode) D an (bzw. über) dem ersten Substrat 120 sowie eine Versiegelungsschicht (bzw. Dichtungsschicht) 154 zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 120 und 156 auf. Das erste und das zweite Substrat 120 und 156 liegen sich einander gegenüber und sind voneinander getrennt. Die Versiegelungsschicht 154 bedeckt eine gesamte Fläche des ersten und des zweiten Substrats 120 und 156.
  • Das erste und das zweite Substrat 120 und 156, die sich einander gegenüberliegen und voneinander getrennt sind, weisen eine Mehrzahl von Pixel-Unterbereichen in einem Pixelbereich P auf. Das erste Substrat 120 kann als ein unteres Substrat, ein Dünnschichttransistor(TFT)-Substrat oder eine Rückplatte (engl. backplane) bezeichnet werden. Das zweite Substrat 156 kann als ein Verkapselungssubstrat bezeichnet werden.
  • Eine Gate-Leitung 121 und eine Gate-Elektrode 122 sind auf dem ersten Substrat 120 ausgebildet. Eine Gate-Isolierungsschicht 124 ist auf der Gate-Leitung 121 und der Gate-Elektrode 122 ausgebildet. Eine Oxid-Halbleiterschicht 126, die der Gate-Elektrode 122 entspricht (bzw. zur Gate-Elektrode 122 korrespondierend ausgebildet ist), ist auf der Gate-Isolierungsschicht 124 ausgebildet, und ein Ätz-Stopper (z.B. eine Ätz-Schutzschicht) 128 ist auf der Oxid-Halbleiterschicht 126 ausgebildet. Eine Source-Elektrode 130 und eine Drain-Elektrode 132 sind an beiden Enden des Ätz-Stoppers 128 und der Oxid-Halbleiterschicht 126 ausgebildet. Außerdem sind eine Daten-Leitung 127 und eine Stromleitung (bzw. Energieleitung oder Netzleitung) 129 auf der Gate-Isolierungsschicht 124 ausgebildet, wobei die Daten-Leitung 127 die Gate-Leitung 121 kreuzt, um den Pixelbereich P zu definieren. Die Source-Elektrode 130 kann mit der Stromleitung 129 verbunden sein.
  • Die Gate-Elektrode 122, die Oxid-Halbleiterschicht 126, die Source-Elektrode 130 und die Drain-Elektrode 132 bilden den Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td.
  • Ähnlich dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td weist der Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) Ts eine Gate-Elektrode, eine Oxid-Halbleiterschicht, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode auf. Die Gate-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) Ts kann mit der Gate-Leitung 121 verbunden sein. Die Source-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) Ts kann mit der Daten-Leitung 127 verbunden sein, und die Drain-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) Ts kann mit der Gate-Elektrode 122 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td verbunden sein.
  • Eine jede der Oxid-Halbleiterschicht 126 des Treiber-Dünnschichttranstors (TFT) Td und der Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) Ts ist aus einem Oxid-Halbleitermaterial hergestellt, beispielsweise Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), Zink-Indium-Oxid (engl. zinc-indium-oxide, ZIO), Zink-Gallium-Oxid (engl. zinc-gallium-oxide, ZGO) oder Zink-Zinn-Oxid (engl. zinc-tin-oxide, ZTO), welches dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td ausgezeichnete elektrische Eigenschaften gibt, dazu gehören eine hohe Beweglichkeit (z.B. Driftbeweglichkeit), ein niedriger Aus-Strom (engl. off-current) und ein gleichförmiger, konstanter Strom.
  • Eine erste Passivierungsschicht 134 ist auf dem Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) Ts und dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td ausgebildet, und eine Farbfilterschicht 136 ist auf der ersten Passivierungsschicht 134 (und) in jedem der Pixel-Unterbereiche in dem Pixelbereich P ausgebildet. Zum Beispiel kann die Farbfilterschicht 136 jeweils rote, grüne und blaue Farbfilter in jedem der Pixel-Unterbereiche in dem Pixelbereich P aufweisen.
  • Eine Planarisierungsschicht 138 ist auf der Farbfilterschicht 136 ausgebildet, um einen Stufenunterschied (bzw. Absatzunterschied) zu beseitigen, und ein Drain-Kontaktloch 139, das die Drain-Elektrode 132 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td freigibt, ist durch die erste Passivierungsschicht 134 und die Planarisierungsschicht 138 hindurch ausgebildet.
  • Eine erste Elektrode 140, die der Farbfilterschicht 136 entspricht (bzw. zur Farbfilterschicht 136 korrespondierend ausgebildet ist), ist auf der Planarisierungsschicht 138 ausgebildet. Die erste Elektrode 140 ist durch das Drain-Kontaktloch 139 mit der Drain-Elektrode 132 verbunden.
  • Eine erste Wasserstoff-Sperrschicht (bzw. Wasserstoff-Blockierungsschicht) 142, die dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td entspricht (bzw. zum Treiber-Dünnschichttransistor korrespondierend ausgebildet ist), und eine zweite Wasserstoff-Sperrschicht (bzw. Wasserstoff-Blockierungsschicht) 143, die dem Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) Ts entspricht (bzw. zum Schalt-Dünnschichttransistor korrespondierend ausgebildet ist), sind auf der Planarisierungsschicht 138 ausgebildet.
  • Die Diffusion der Wasserstoffrückstände einer zweiten Passivierungsschicht 152, die in einem späteren Prozess gebildet wird, in die Oxid-Halbleiterschicht 126 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und in die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) Ts wird durch die erste und die zweite Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 verhindert.
  • Zum Beispiel können die erste und die zweite Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 eine Fläche aufweisen, die jeweils gleich oder größer als die Oxid-Halbleiterschicht 126 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) Ts ist.
  • Um die Diffusion der Wasserstoffrückstände effizient zu verhindern, kann wenigstens eine, z.B. eine jede, von der ersten und der zweiten Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 aus einem anorganischen Material hergestellt sein, beispielsweise ein Metall, eine Metalllegierung oder einem Oxid einer Metalllegierung, z.B. Indium-Zinn-Oxid (engl. indium-tin-oxide, ITO), Indium-Zink-Oxid (engl. indium-zinc-oxide, IZO), Molybdän (Mo), Molybdän-Titan-Legierung (MoTi), Kupfer (Cu), Silber (Ag), Gold (Au), Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Thorium (Th), Vanadium (V), Palladium (Pd), Nickel (Ni) oder Zinn (Sn).
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die erste und/oder die zweite Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 in derselben Schicht und/oder aus demselben Material wie die erste Elektrode 140 ausgebildet sein. Wenn beispielsweise die erste Elektrode 140 aus ITO oder IZO hergestellt ist, können die erste und die zweite Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 aus demselben Material und in derselben Schicht wie die erste Elektrode 140 ausgebildet sein. Die erste und die zweite Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 können von der ersten Elektrode 140 beabstandet (bzw. räumlich getrennt) sein, um eine Parasitärkapazität zwischen jeder der ersten und der zweiten Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 und jedem des Treiber-Dünnschichttransistors Td und des Schalt-Dünnschichttransistors Ts zu vermeiden. Alternativ können sich die erste und die zweite Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 von der ersten Elektrode 140 (aus) erstrecken.
  • Da die erste Elektrode 140 und die erste und die zweite Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 durch einen einzelnen Maskenprozess hergestellt werden können, braucht in diesem Fall die OLED-Anzeigevorrichtung keine mehreren Herstellungsprozesse zum Ausbilden der ersten und der zweiten Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143.
  • Die erste und die zweite Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 können durch ein chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren (engl. chemical vapour deposition, CVD) oder ein physikalisches Gasphasenabscheidungsverfahren (engl. physical vapour deposition, PVD) hergestellt werden/sein.
  • Eine Überhöhung (bzw. eine Bank oder ein Damm, engl. bank) 144, die Ränder der ersten Elektrode 140 bedeckt, ist auf der ersten Elektrode 140 sowie der ersten und der zweiten Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 ausgebildet. Mit anderen Worten weist die Überhöhung 144 eine Öffnung auf, so dass eine Mitte der ersten Elektrode 140 freigelegt ist.
  • Eine emittierende Schicht (z.B. licht-emittierende Schicht) 146, die durch die Öffnung der Überhöhung 144 die erste Elektrode 140 kontaktiert, ist auf der Überhöhung 144 ausgebildet, und eine zweite Elektrode 148 ist auf der emittierenden Schicht 146 ausgebildet.
  • Die erste Elektrode 140, die emittierende Schicht 146 und die zweite Elektrode 148 bilden die emittierende Diode (z.B. licht-emittierende Diode oder Leuchtdiode) D.
  • Außerdem ist eine zweite Passivierungsschicht 152 auf der emittierenden Diode D ausgebildet.
  • Die zweite Passivierungsschicht 152 kann eine Siliziumnitrid(SiNx)-Schicht, eine Siliziumoxidnitrid (SiON)-Schicht oder eine Siliziumoxid (SiOx)-Schicht sein, die durch eine plasma(unterstützte) chemische Gasphasenabscheidungs(engl. plasma chemical vapour deposition, PCVD)-Vorrichtung oder eine physikalische Gasphasenabscheidungs(PVD)-Vorrichtung wie z.B. eine Sputterdepositions-Vorrichtung hergestellt ist.
  • Die zweite Passivierungsschicht 152 ist in der PCVD-Vorrichtung oder der PVD-Vorrichtung bei einer niedrigen Temperatur (z.B. unter etwa 100 °C) aus einem Siliziumstoff (z.B. eine Siliziumverbindung, z.B. ein Siliziumgemisch) hergestellt, um einen thermischen Abbau der emittierenden Schicht 146 zu verhindern.
  • Die Versiegelungsschicht 154 ist an (bzw. zwischen) einer gesamten Fläche der zweiten Passivierungsschicht 152 und des zweiten Substrats 156 ausgebildet, so dass das erste und das zweite Substrat 120 und 156 (aneinander) befestigt sind. Alternativ hat die OLED-Anzeigevorrichtung eine Oberseite (bzw. obere Fläche) der zweiten Passivierungsschicht ohne die Versiegelungsschicht und das zweite Substrat.
  • In der OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der bezogenen Technik werden Schädigungen der emittierenden Diode D, die aus einer Einwirkung von äußerer Feuchtigkeit und Partikeln (z.B. Fremdkörper) resultieren, durch die zweite Passivierungsschicht 152 verhindert. Wie oben erläutert ist die zweite Passivierungsschicht 152 über eine gesamte Fläche des ersten Substrats 120 ausgebildet, und die zweite Passivierungsschicht 152 deckt den Pixelbereich P ab.
  • Aufgrund der ersten und der zweiten Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143, die jeweils die Oxid-Halbleiterschicht 126 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) Ts abdecken, wird außerdem die Diffusion der Wasserstoffrückstände der zweiten Passivierungsschicht 152 in die Oxid-Halbleiterschicht 126 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und in die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) Ts verhindert.
  • Andererseits hängt der Grad der Wasserstoff-Blockierung des anorganischen Materials der ersten und der zweiten Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 von der Wasserstofflöslichkeit des anorganischen Materials der ersten und der zweiten Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 ab.
  • Bezugnehmend auf 4, die eine Grafik ist, welche eine Wasserstofflöslichkeit gemäß einem Material einer Wasserstoff-Sperrschicht für eine OLED-Anzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt, haben Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Thorium (Th), Vanadium (V), Palladium (Pd), Nickel (Ni) und Zinn (Sn) eine relativ hohe Wasserstofflöslichkeit, während Gold (Au), Silber (Ag), Aluminium (Al), Platin (Pt) und Kupfer (Cu) eine relativ niedrige Wasserstofflöslichkeit haben. Unter Berücksichtigung der Wasserstofflöslichkeit, einer Hafteigenschaft, einer Anti-Oxidationseigenschaft und einer Prozesstemperatur, können die erste und die zweite Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 aus einem von Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Thorium (Th), Vanadium (V), Palladium (Pd), Nickel (Ni) und Zinn (Sn) hergestellt sein. Da eine Legierung des obigen anorganischen Materials mit hoher Wasserstofflöslichkeit, d.h. Ti, Zr, Th, V, Pd, Ni und Sn, eine relativ niedrige Schmelztemperatur aufweist, gibt es außerdem einen Vorteil bei einer Prozesstemperatur, wenn die erste und die zweite Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 aus der Legierung des anorganischen Materials mit hoher Wasserstofflöslichkeit hergestellt werden. In einer oder mehreren Ausführungsformen können die erste und/oder die zweite Wasserstoff-Sperrschicht eine Eisen-Nickel(FeNi)-Legierung aufweisen oder aus einer FeNi-Legierung hergestellt sein.
  • Da die Diffusion der Wasserstoffrückstände der zweiten Passivierungsschicht 152 in die Oxid-Halbleiterschicht 126 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) Ts durch die erste und die zweite Wasserstoff-Sperrschicht 142 und 143 verhindert wird, die jeweils zwischen der zweiten Passivierungsschicht 152 und einer jeden der Oxid-Halbleiterschicht 126 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und der Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) Ts positioniert ist, wird in der obenerwähnten OLED-Anzeigevorrichtung 110 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Reduktion der Oxid-Halbleiterschicht 126 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und der Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) Ts verhindert. Als Folge davon werden Defekte wie Helligkeitsunterschiede in den Bildern für die OLED-Anzeigevorrichtung verhindert, und eine Anzeigequalität der OLED-Anzeigevorrichtung wird verbessert.
  • In der obenerwähnten OLED-Anzeigevorrichtung emittiert die emittierende Schicht 146 weißes Licht. Folglich ist die Farbfilterschicht 136 ausgebildet, um Farbbilder bereitzustellen. Alternativ können die emittierenden Schichten in den Pixel-Unterbereichen rotes Licht, grünes Licht und blaues Licht emittieren. In diesem Fall können die Farbfilterschicht 136 und die Planarisierungsschicht 138 weggelassen werden.
  • Außerdem sind in der obenerwähnten OLED-Anzeigevorrichtung das erste und das zweite Substrat 120 und 156 durch die Versiegelungsschicht 154 (aneinander) befestigt. Alternativ können das erste und das zweite Substrat durch ein Versiegelungsmuster (bzw. Dichtungsmuster) (aneinander) befestigt sein, das an Rändern des ersten und des zweiten Substrates ausgebildet ist.
  • 5 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Wie in 5 gezeigt, weist eine OLED-Anzeigevorrichtung 210 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein erstes und ein zweites Substrat 220 und 256, einen Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td, einen Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) und eine emittierende Diode (z.B. eine licht-emittierende Diode oder Leuchtdiode) D an (bzw. über) dem ersten Substrat 220 sowie eine Versiegelungsschicht 254 auf, die eine gesamte Fläche zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 220 und 256 abdeckt.
  • Das erste und das zweite Substrat 220 und 256, die sich einander gegenüberliegen und voneinander getrennt sind, weisen eine Mehrzahl von Pixel-Unterbereichen in einem Pixelbereich auf. Das erste Substrat 220 kann als ein unteres Substrat, ein Dünnschichttransistor(TFT)-Substrat oder eine Rückplatte (engl. backplane) bezeichnet werden. Das zweite Substrat 256 kann als ein Verkapselungssubstrat bezeichnet werden.
  • Eine Gate-Leitung (siehe 2) und eine Gate-Elektrode 222 sind auf dem ersten Substrat 220 ausgebildet, und eine Gate-Isolierungsschicht 224 ist auf der Gate-Leitung und der Gate-Elektrode 222 ausgebildet. Eine Oxid-Halbleiterschicht 226, die der Gate-Elektrode 222 entspricht (bzw. zur Gate-Elektrode 222 korrespondierend ausgebildet ist), ist auf der Gate-Isolierungsschicht 224 ausgebildet, und ein Ätz-Stopper (z.B. eine Ätz-Schutzschicht) 228 ist auf der Oxid-Halbleiterschicht 226 ausgebildet. Eine Source-Elektrode 230 und eine Drain-Elektrode 232 sind an beiden Enden des Ätz-Stoppers 228 und der Oxid-Halbleiterschicht 226 ausgebildet. Außerdem sind eine Daten-Leitung (siehe 2), die die Gate-Leitung kreuzt, um den Pixelbereich zu definieren, und eine Stromleitung (siehe 2) auf der Gate-Isolierungsschicht 224 ausgebildet. Die Source-Elektrode 230 kann mit der Stromleitung verbunden sein.
  • Die Gate-Elektrode 222, die Oxid-Halbleiterschicht 226, die Source-Elektrode 230 und die Drain-Elektrode 232 bilden den Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td.
  • Ähnlich dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td weist der Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) eine Gate-Elektrode, eine Oxid-Halbleiterschicht, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode auf. Die Gate-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) kann mit der Gate-Leitung verbunden sein. Die Source-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) kann mit der Daten-Leitung verbunden sein, und die Drain-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) kann mit der Gate-Elektrode 222 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td verbunden sein.
  • Eine jede der Oxid-Halbleiterschicht 226 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und der Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) ist aus einem Oxid-Halbleitermaterial hergestellt, beispielsweise Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), Zink-Indium-Oxid (engl. zinc-indium-oxide, ZIO), Zink-Gallium-Oxid (engl. zinc-gallium-oxide, ZGO) oder Zink-Zinn-Oxid (engl. zinc-tin-oxide, ZTO), welches dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td ausgezeichnete elektrische Eigenschaften gibt, dazu gehören eine hohe Beweglichkeit (z.B. Driftbeweglichkeit), ein niedriger Aus-Strom (engl. off-current) und ein gleichförmiger, konstanter Strom.
  • Eine erste Passivierungsschicht 234 ist auf dem Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) und dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td ausgebildet, und eine Farbfilterschicht 236 ist auf der ersten Passivierungsschicht 234 (und) in jedem der Pixel-Unterbereiche ausgebildet. Zum Beispiel kann die Farbfilterschicht 236 jeweils rote, grüne und blaue Farbfilter in den Pixel-Unterbereichen aufweisen.
  • Eine Planarisierungsschicht 238 ist auf der Farbfilterschicht 236 ausgebildet, um einen Stufenunterschied (bzw. Absatzunterschied) zu beseitigen, und ein Drain-Kontaktloch 239, das die Drain-Elektrode 232 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td freigibt, ist durch die erste Passivierungsschicht 234 und die Planarisierungsschicht 238 hindurch ausgebildet.
  • Eine erste Elektrode 240, die der Farbfilterschicht 236 entspricht (zur Farbfilterschicht 236 korrespondierend ausgebildet ist), ist auf der Planarisierungsschicht 238 ausgebildet. Die erste Elektrode 240 ist durch das Drain-Kontaktloch 239 mit der Drain-Elektrode 232 verbunden.
  • Eine Überhöhung (bzw. eine Bank oder ein Damm, engl. bank) 244, die Ränder der ersten Elektrode 240 bedeckt, ist auf der ersten Elektrode 240 ausgebildet. Mit anderen Worten weist die Überhöhung 244 eine Öffnung auf, so dass eine Mitte der ersten Elektrode 240 freigelegt ist.
  • Eine emittierende Schicht (z.B. licht-emittierende Schicht) 246, die durch die Öffnung der Überhöhung 244 die erste Elektrode 240 kontaktiert, ist auf der Überhöhung 244 ausgebildet, und eine zweite Elektrode 248 ist auf der emittierenden Schicht 246 ausgebildet.
  • Die erste Elektrode 240, die emittierende Schicht 246 und die zweite Elektrode 248 bilden die emittierende Diode (z.B. licht-emittierende Diode oder Leuchtdiode) D.
  • Eine Wasserstoff-Sperrschicht (bzw. Wasserstoff-Blockierschicht) 250 ist auf der zweiten Elektrode 248 der emittierenden Diode D ausgebildet.
  • Die Diffusion der Wasserstoffrückstände einer zweiten Passivierungsschicht 252, die in einem späteren Prozess gebildet wird, in die Oxid-Halbleiterschicht 226 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und in die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) wird durch die Wasserstoff-Sperrschicht 250 verhindert.
  • Zum Beispiel kann die Sperrschicht 250 über eine gesamte Fläche des ersten Substrates 220 ausgebildet sein, um die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) und die Oxid-Halbleiterschicht 226 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td abzudecken. Alternativ kann die Sperrschicht 250 eine Inselform aufweisen, die der Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) und der Oxid-Halbleiterschicht 226 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td entspricht.
  • Um die Diffusion der Wasserstoffrückstände effizient zu verhindern, kann die Wasserstoff-Sperrschicht 250 aus einem anorganischen Material hergestellt sein, beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (engl. indium-tin-oxide, ITO), Indium-Zink-Oxid (engl. indium-zinc-oxide, IZO), Molybdän (Mo), Molybdän-Titan-Legierung (MoTi), Kupfer (Cu), Silber (Ag), Gold (Au), Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Thorium (Th), Vanadium (V), Palladium (Pd), Nickel (Ni) oder Zinn (Sn).
  • Die Wasserstoff-Sperrschicht 250 kann durch ein chemisches Gasphasenabscheidungs(engl. chemical vapour deposition, CVD)-Verfahren oder ein physikalisches Gasphasenabscheidungs(engl. physical vapour deposition, PVD)-Verfahren hergestellt werden/sein.
  • Eine zweite Passivierungsschicht 252 ist auf der Wasserstoff-Sperrschicht 250 ausgebildet. Die Versiegelungsschicht 254 ist an (bzw. zwischen) einer gesamten Fläche der zweiten Passivierungsschicht 252 und des zweiten Substrats 256 ausgebildet, so dass das erste und das zweite Substrat 220 und 256 (aneinander) befestigt sind.
  • Da die Diffusion der Wasserstoffrückstände der zweiten Passivierungsschicht 252 in die Oxid-Halbleiterschicht 226 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) durch die Wasserstoff-Sperrschicht 250 verhindert wird, die jeweils zwischen der zweiten Passivierungsschicht 252 und einer jeden der Oxid-Halbleiterschicht 226 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und der Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) positioniert ist, wird in der obenerwähnten OLED-Anzeigevorrichtung 210 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Reduktion der Oxid-Halbleiterschicht 226 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und der Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) verhindert. Als Folge davon werden Defekte wie Helligkeitsunterschiede in den Bildern für die OLED-Anzeigevorrichtung verhindert, und eine Anzeigequalität der OLED-Anzeigevorrichtung wird verbessert.
  • In der obenerwähnten OLED-Anzeigevorrichtung emittiert die emittierende Schicht 246 weißes Licht. Folglich ist die Farbfilterschicht 236 ausgebildet, um Farbbilder bereitzustellen. Alternativ können die emittierenden Schichten in den Pixel-Unterbereichen rotes Licht, grünes Licht und blaues Licht emittieren. In diesem Fall können die Farbfilterschicht 236 und die Planarisierungsschicht 238 weggelassen werden.
  • Außerdem sind in der obenerwähnten OLED-Anzeigevorrichtung das erste und das zweite Substrat 220 und 256 durch die Versiegelungsschicht 254 (aneinander) befestigt. Alternativ können das erste und das zweite Substrat durch ein Versiegelungsmuster (aneinander) befestigt sein, das an Rändern des ersten und des zweiten Substrates ausgebildet ist.
  • Andererseits kann die Sperrschicht eine Inselform haben, die der Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) und der Oxid-Halbleiterschicht des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) entspricht. Dieser Aufbau wird unter Bezugnahme auf 6 erläutert.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Wie in 6 gezeigt, weist eine OLED-Anzeigevorrichtung 310 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein erstes und ein zweites Substrat 320 und 356, einen Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td, einen Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) und eine emittierende Diode (z.B. licht-emittierende Diode oder Leuchtdiode) D an (bzw. über) dem ersten Substrat 320 sowie eine Versiegelungsschicht 354 auf, die eine gesamte Fläche zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 320 und 356 abdeckt.
  • Der Schalt-Dünnschichttransistor (TFT), der Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) und die emittierende Diode D haben im Wesentlichen die gleichen Strukturen wie jene der OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Eine Erläuterung des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT), des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) und der emittierenden Diode D wird weggelassen.
  • Eine Wasserstoff-Sperrschicht (bzw. Wasserstoff-Blockierschicht) 350 ist auf der zweiten Elektrode 348 der emittierenden Diode D ausgebildet. Und zwar hat die Wasserstoff-Sperrschicht 350 anders als die Wasserstoff-Sperrschicht 250 (siehe 5) eine Inselform, um die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) und die Oxid-Halbleiterschicht 326 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td vollständig abzudecken.
  • Die Diffusion der Wasserstoffrückstände einer zweiten Passivierungsschicht 352, die in einem späteren Prozess gebildet wird, in die Oxid-Halbleiterschicht 326 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und in die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) wird durch die Wasserstoff-Sperrschicht 350 verhindert.
  • Um die Diffusion der Wasserstoffrückstände effizient zu verhindern, kann die Wasserstoff-Sperrschicht 350 aus einem anorganischen Material hergestellt sein, beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (engl. indium-tin-oxide, ITO), Indium-Zink-Oxid (engl. indium-zinc-oxide, IZO), Molybdän (Mo), Molybdän-Titan-Legierung (MoTi), Kupfer (Cu), Silber (Ag), Gold (Au), Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Thorium (Th), Vanadium (V), Palladium (Pd), Nickel (Ni) oder Zinn (Sn).
  • Die Wasserstoff-Sperrschicht 350 kann durch ein chemisches Gasphasenabscheidungs(engl. chemical vapour deposition, CVD)-Verfahren oder ein physikalisches Gasphasenabscheidungs(engl. physical vapour deposition, PVD)-Verfahren hergestellt werden/sein.
  • Die zweite Passivierungsschicht 352 und die Versiegelungsschicht 354 über der Wasserstoff-Sperrschicht 350 haben im Wesentlichen die gleichen Strukturen wie jene der OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Eine Erläuterung der zweiten Passivierungsschicht 352 und der Versiegelungsschicht 354 wird weggelassen.
  • Da die Diffusion der Wasserstoffrückstände der zweiten Passivierungsschicht 352 in die Oxid-Halbleiterschicht 326 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) durch die Wasserstoff-Sperrschicht 350 verhindert wird, die zwischen der zweiten Passivierungsschicht 352 und einer jeden der Oxid-Halbleiterschicht 326 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und der Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) positioniert ist, wird in der obenerwähnten OLED-Anzeigevorrichtung 310 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Reduktion der Oxid-Halbleiterschicht 326 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und der Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) verhindert. Als Folge davon werden Defekte wie Helligkeitsunterschiede in den Bildern für die OLED-Anzeigevorrichtung verhindert, und eine Anzeigequalität der OLED-Anzeigevorrichtung wird verbessert.
  • Da die Wasserstoff-Sperrschicht 350 eine Inselform hat, um die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) und die Oxid-Halbleiterschicht 326 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td vollständig abzudecken, hat außerdem die OLED-Anzeigevorrichtung 310 bei einem nach oben abstrahlenden Typ (engl. top emission type) eine verbesserte Helligkeit, weil die Sperrschicht 350 nicht die zweite Elektrode 348 abdeckt, die der emittierenden Schicht 346 entspricht (bzw. zur emittierenden Schicht 346 korrespondierend ausgebildet ist).
  • Alternativ kann die Wasserstoff-Sperrschicht zwischen der ersten Passivierungsschicht und der Planarisierungsschicht positioniert sein. Dieser Aufbau wird unter Bezugnahme auf die 7 erläutert.
  • 7 ist eine Querschnittsansicht eines Beispiels einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Erläuterung konzentriert sich auf die Unterschiede zu anderen Ausführungsformen.
  • Wie in 7 gezeigt, weist eine OLED-Anzeigevorrichtung 410 gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein erstes und ein zweites Substrat 420 und 456, einen Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td, einen Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) und eine emittierende Diode (z.B. licht-emittierende Diode oder Leuchtdiode) D an (bzw. über) dem ersten Substrat 420 sowie eine Versiegelungsschicht 454 auf, die eine gesamte Fläche zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 420 und 456 abdeckt.
  • Der Schalt-Dünnschichttransistor (TFT), der Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) und die emittierende Diode D haben im Wesentlichen die gleichen Strukturen wie jene der OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Eine Erläuterung des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT), des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) und der emittierende Diode D wird weggelassen.
  • Eine erste Passivierungsschicht 434 ist auf dem Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) und dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td ausgebildet, und eine Farbfilterschicht 436 ist auf der ersten Passivierungsschicht 434 (und) in jedem der Pixel-Unterbereiche ausgebildet. Zum Beispiel kann die Farbfilterschicht 436 jeweils rote, grüne und blaue Farbfilter in jedem der Pixel-Unterbereiche aufweisen.
  • Eine Wasserstoff-Sperrschicht (bzw. Wasserstoff-Blockierschicht) 437, die dem Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) und dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td entspricht (bzw. zum Schalt-TFT und Treiber-TFT korrespondierend ausgebildet ist), ist auf der ersten Passivierungsschicht 434 ausgebildet. Die Wasserstoff-Sperrschicht 437 hat eine Inselform, um die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) und die Oxid-Halbleiterschicht 426 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td vollständig abzudecken.
  • Die Diffusion der Wasserstoffrückstände einer zweiten Passivierungsschicht 452, die in einem späteren Prozess gebildet wird, in die Oxid-Halbleiterschicht 426 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und in die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) wird durch die Wasserstoff-Sperrschicht 437 verhindert.
  • Um die Diffusion der Wasserstoffrückstände effizient zu verhindern, kann die Wasserstoff-Sperrschicht 437 aus einem anorganischen Material hergestellt sein, beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (engl. indium-tin-oxide, ITO), Indium-Zink-Oxid (engl. indium-zinc-oxide, IZO), Molybdän (Mo), Molybdän-Titan-Legierung (MoTi), Kupfer (Cu), Silber (Ag), Gold (Au), Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Thorium (Th), Vanadium (V), Palladium (Pd), Nickel (Ni) oder Zinn (Sn).
  • Die Wasserstoff-Sperrschicht 437 kann durch ein chemisches Gasphasenabscheidungs(engl. chemical vapour deposition, CVD)-Verfahren oder ein physikalisches Gasphasenabscheidungs(engl. physical vapour deposition, PVD)-Verfahren hergestellt werden/sein.
  • Eine Planarisierungsschicht 438 ist auf der Farbfilterschicht 436 und der Wasserstoff-Sperrschicht 437 ausgebildet, um einen Stufenunterschied (bzw. Absatzunterschied) zu beseitigen, und ein Drain-Kontaktloch 439, das die Drain-Elektrode 432 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td freigibt, ist durch die erste Passivierungsschicht 434 und die Planarisierungsschicht 438 hindurch ausgebildet.
  • Da die Diffusion der Wasserstoffrückstände der zweiten Passivierungsschicht 452 in die Oxid-Halbleiterschicht 426 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und die Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) durch die Wasserstoff-Sperrschicht 437 verhindert wird, die zwischen der zweiten Passivierungsschicht 452 und einer jeden der Oxid-Halbleiterschicht 426 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und der Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) positioniert ist, wird in der obenerwähnten OLED-Anzeigevorrichtung 410 gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Reduktion der Oxid-Halbleiterschicht 426 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und der Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) verhindert. Als Folge davon werden Defekte wie Helligkeitsunterschiede in den Bildern für die OLED-Anzeigevorrichtung verhindert, und eine Anzeigequalität der OLED-Anzeigevorrichtung wird verbessert.
  • Andererseits ist 8 eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel von einem Rand einer OLED-Anzeigevorrichtung zeigt, in der die Wasserstoffdiffusion an dem Rand der OLED-Anzeigevorrichtung erzeugt wird, so dass ein Problem des Helligkeitsunterschiedes in den Pixelbereichen entlang dem Rand der OLED-Anzeigevorrichtung hervorgerufen wird.
  • Im Detail weist beispielsweise eine OLED-Anzeigevorrichtung 510 ein erstes und ein zweites Substrat 520 und 556, einen Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td, einen Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) (siehe 2) und eine emittierende Diode (z.B. licht-emittierende Diode oder Leuchtdiode) D an (bzw. über) dem ersten Substrat 520 sowie eine Versiegelungsschicht 560 an Rändern zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 520 und 556 auf.
  • Das erste und das zweite Substrat 520 und 556, die sich einander gegenüberliegen und voneinander getrennt sind, weisen eine Mehrzahl von Pixel-Unterbereichen in einem Pixelbereich (siehe 2) auf. Das erste Substrat 520 kann als ein unteres Substrat, ein Dünnschichttransistor(TFT)-Substrat oder eine Rückplatte (engl. backplane) bezeichnet werden. Das zweite Substrat 556 kann als ein Verkapselungssubstrat bezeichnet werden.
  • Eine Gate-Leitung (siehe 2) und eine Gate-Elektrode 522 sind auf dem ersten Substrat 520 ausgebildet, und eine Gate-Isolierungsschicht 524 ist auf der Gate-Leitung und der Gate-Elektrode 522 ausgebildet. Eine Oxid-Halbleiterschicht 526, die der Gate-Elektrode 522 entspricht (bzw. zur Gate-Elektrode 522 korrespondierend ausgebildet ist), ist auf der Gate-Isolierungsschicht 524 ausgebildet, und ein Ätz-Stopper (z.B. eine Ätz-Schutzschicht) 528 ist auf der Oxid-Halbleiterschicht 526 ausgebildet. Eine Source-Elektrode 530 und eine Drain-Elektrode 532 sind an beiden Enden des Ätz-Stoppers 528 und der Oxid-Halbleiterschicht 526 ausgebildet. Außerdem ist eine Daten-Leitung (siehe 2), die die Gate-Leitung kreuzt, um den Pixelbereich zu definieren, und eine Stromleitung (siehe 2) auf der Gate-Isolierungsschicht 524 ausgebildet. Die Source-Elektrode 530 kann mit der Stromleitung verbunden sein.
  • Die Gate-Elektrode 522, die Oxid-Halbleiterschicht 526, die Source-Elektrode 530 und die Drain-Elektrode 532 bilden den Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td.
  • Ähnlich dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td weist der Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) eine Gate-Elektrode, eine Oxid-Halbleiterschicht, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode auf. Die Gate-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) kann mit der Gate-Leitung verbunden sein. Die Source-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) kann mit der Daten-Leitung verbunden sein, und die Drain-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) kann mit der Gate-Elektrode 522 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td verbunden sein.
  • Eine jede der Oxid-Halbleiterschicht 526 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und der Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) ist aus einem Oxid-Halbleitermaterial hergestellt, beispielsweise Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), Zink-Indium-Oxid (engl. zinc-indium-oxide, ZIO), Zink-Gallium-Oxid (engl. zinc-gallium-oxide, ZGO) oder Zink-Zinn-Oxid (engl. zinc-tin-oxide, ZTO), so dass der Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td ausgezeichnete elektrische Eigenschaften einer hohen Beweglichkeit (z.B. Driftbeweglichkeit), eines niedrigen Aus-Stromes (engl. off-current) und eines gleichförmigen, konstanten Stromes hat.
  • Eine erste Passivierungsschicht 534 ist auf dem Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) und dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td ausgebildet. Obwohl nicht dargestellt, ist eine Farbfilterschicht auf der ersten Passivierungsschicht 534 (und) in jedem Pixelbereich ausgebildet. Zum Beispiel kann die Farbfilterschicht jeweils rote, grüne und blaue Farbfilter in den Pixelbereichen aufweisen.
  • Eine Planarisierungsschicht 538 ist auf der ersten Passivierungsschicht 534 ausgebildet, um einen Stufenunterschied (bzw. Absatzunterschied) zu beseitigen, und ein Drain-Kontaktloch 539, das die Drain-Elektrode 532 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td freigibt (bzw. freilegt), ist durch die erste Passivierungsschicht 534 und die Planarisierungsschicht 538 hindurch ausgebildet.
  • Eine erste Elektrode 540, die dem Pixelbereich entspricht (bzw. zum Pixelbereich korrespondierend ausgebildet ist), ist auf der Planarisierungsschicht 538 ausgebildet. Die erste Elektrode 540 ist durch das Drain-Kontaktloch 539 mit der Drain-Elektrode 532 verbunden.
  • Eine Überhöhung (bzw. eine Bank oder ein Damm, engl. bank) 544, die Ränder der ersten Elektrode 540 bedeckt, ist auf der ersten Elektrode 540 ausgebildet. Mit anderen Worten weist die Überhöhung 544 eine Öffnung auf, so dass eine Mitte der ersten Elektrode 540 freigelegt ist.
  • Eine emittierende Schicht (z.B. licht-emittierende Schicht) 546, die durch die Öffnung der Überhöhung 544 die erste Elektrode 540 kontaktiert, ist auf der Überhöhung 544 ausgebildet, und eine zweite Elektrode 548 ist auf der emittierenden Schicht 546 ausgebildet.
  • Die erste Elektrode 540, die emittierende Schicht 546 und die zweite Elektrode 548 bilden die emittierende Diode (z.B. licht-emittierende Diode oder Leuchtdiode) D.
  • Eine zweite Passivierungsschicht 552 ist auf der zweiten Elektrode 548 ausgebildet. Das Versiegelungsmuster 560 ist an dem Rand zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 520 und 556 ausgebildet, um einen Raum zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 520 und 556 abzudichten.
  • In der obigen OLED-Anzeigevorrichtung 510 sollte die zweite Passivierungsschicht 552 die zweite Elektrode 548 vollständig abdecken, um ein Erosionsproblem der zweiten Elektrode 548 zu vermeiden. Und zwar sollte die zweite Passivierungsschicht 552 eine Fläche größer als die zweite Elektrode 548 aufweisen. Wenn die zweite Elektrode 548 unvollständig von der zweiten Passivierungsschicht 552 abgedeckt ist, ist die zweite Elektrode 548 der Feuchtigkeit ausgesetzt, die durch das Versiegelungsmuster 560 durchgeht. Als Folge davon wird die zweite Elektrode 548 erodiert.
  • Andererseits diffundiert in der obigen OLED-Anzeigevorrichtung 510 der Wasserstoffrückstand in der zweiten Passivierungsschicht 552 durch die Planarisierungsschicht 538 und die erste Passivierungsschicht 534 (hindurch). Als Folge davon diffundiert der Wasserstoffrückstand in die Oxid-Halbleiterschicht 526, so dass die Eigenschaften des Dünnschichttransistors (TFT) verschlechtert werden und Helligkeitsunterschiede in einem Bild hervorgerufen werden. Insbesondere kontaktiert die zweite Passivierungsschicht 552 mit der zweiten Elektrode 548 die Planarisierungsschicht 538 an Rändern eines Anzeigebereiches, und die obigen Probleme können häufig in den Rändern der OLED-Anzeigevorrichtung hervorgerufen werden.
  • Eine OLED-Anzeigevorrichtung, die die obigen Probleme vermeiden kann, wird erläutert.
  • 9 ist eine Querschnittsansicht einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 10 ist eine Draufsicht der OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Wie in 9 gezeigt, weist eine OLED-Anzeigevorrichtung 610 ein erstes und ein zweites Substrat 620 und 656, einen Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td, einen Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) (nicht dargestellt) und eine emittierende Diode (z.B. licht-emittierende Diode oder Leuchtdiode) D an (bzw. über) dem ersten Substrat 620 sowie ein Versiegelungsmuster 660 an Rändern zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 620 und 656 auf.
  • Das erste und das zweite Substrat 620 und 656, die sich einander gegenüberliegen und voneinander getrennt sind, weisen eine Mehrzahl von Pixelbereichen (nicht dargestellt) auf. Das erste Substrat 620 weist einen Anzeigebereich DR und einen nicht-anzeigenden Bereich NDR auf. Die Mehrzahl der Pixelbereiche ist in dem Anzeigebereich DR angeordnet. Das erste Substrat 620 kann als ein unteres Substrat, ein Dünnschichttransistor(TFT)-Substrat oder eine Rückplatte (engl. backplane) bezeichnet werden. Das zweite Substrat 656 kann als ein Verkapselungssubstrat bezeichnet werden.
  • Eine Gate-Leitung (siehe 2) und eine Gate-Elektrode 622 sind auf dem ersten Substrat 620 ausgebildet, und eine Gate-Isolierungsschicht 624 ist auf der Gate-Leitung und der Gate-Elektrode 622 ausgebildet. Eine Oxid-Halbleiterschicht 626, die der Gate-Elektrode 622 entspricht (bzw. zur Gate-Elektrode 622 korrespondierend ausgebildet ist), ist auf der Gate-Isolierungsschicht 624 ausgebildet, und ein Ätz-Stopper (z.B. eine Ätz-Schutzschicht) 628 ist auf der Oxid-Halbleiterschicht 626 ausgebildet. Eine Source-Elektrode 630 und eine Drain-Elektrode 632 sind an beiden Enden des Ätz-Stoppers 628 und der Oxid-Halbleiterschicht 626 ausgebildet. Außerdem sind eine Daten-Leitung (siehe 2), die die Gate-Leitung kreuzt, um den Pixelbereich zu definieren, und eine Stromleitung (siehe 2) auf der Gate-Isolierungsschicht 624 ausgebildet. Die Source-Elektrode 630 kann mit der Stromleitung verbunden sein.
  • Die Gate-Elektrode 622, die Oxid-Halbleiterschicht 626, die Source-Elektrode 630 und die Drain-Elektrode 632 bilden den Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td.
  • Ähnlich dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td weist der Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) eine Gate-Elektrode, eine Oxid-Halbleiterschicht, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode auf. Die Gate-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) kann mit der Gate-Leitung verbunden sein. Die Source-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) kann mit der Daten-Leitung verbunden sein, und die Drain-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) kann mit der Gate-Elektrode 622 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td verbunden sein.
  • Eine jede der Oxid-Halbleiterschicht 626 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td und der Oxid-Halbleiterschicht des Schalt-Dünnschichttransistors (TFT) ist aus einem Oxid-Halbleitermaterial hergestellt, beispielsweise Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), Zink-Indium-Oxid (engl. zinc-indium-oxide, ZIO), Zink-Gallium-Oxid (engl. zinc-gallium-oxide, ZGO) oder Zink-Zinn-Oxid (engl. zinc-tin-oxide, ZTO), so dass der Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td ausgezeichnete elektrische Eigenschaften einer hohen Beweglichkeit (z.B. Driftbeweglichkeit), eines niedrigen Aus-Stromes (engl. off-current) und eines gleichförmigen, konstanten Stromes hat.
  • Eine erste Passivierungsschicht 634 ist auf dem Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) und dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td ausgebildet. Obwohl nicht dargestellt, ist eine Farbfilterschicht auf der ersten Passivierungsschicht 634 (und) in jedem Pixelbereich ausgebildet. Zum Beispiel kann die Farbfilterschicht jeweils rote, grüne und blaue Farbfilter in den Pixelbereichen aufweisen.
  • Eine Planarisierungsschicht 638 ist auf der ersten Passivierungsschicht 634 ausgebildet, um einen Stufenunterschied (bzw. Absatzunterschied) zu beseitigen, und ein Drain-Kontaktloch 639, das die Drain-Elektrode 632 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td freigibt (bzw. freilegt), ist durch die erste Passivierungsschicht 634 und die Planarisierungsschicht 638 hindurch ausgebildet.
  • Eine erste Elektrode 640, die dem Pixelbereich entspricht (bzw. zum Pixelbereich korrespondierend ausgebildet ist), ist auf der Planarisierungsschicht 638 ausgebildet. Die erste Elektrode 640 kann aus Indium-Zinn-Oxid (engl. indium-tin-oxide, ITO), Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO) oder Indium-Zink-Oxid (engl. indium-zinc-oxide, IZO) hergestellt sein. Die erste Elektrode 640 ist durch das Drain-Kontaktloch 639 mit der Drain-Elektrode 632 verbunden.
  • Eine Überhöhung (bzw. eine Bank oder ein Damm, engl. bank) 644, die Ränder der ersten Elektrode 640 bedeckt, ist auf der ersten Elektrode 640 ausgebildet. Mit anderen Worten weist die Überhöhung 644 eine Öffnung auf, so dass eine Mitte der ersten Elektrode 640 freigelegt ist.
  • Eine emittierende Schicht (z.B. licht-emittierende Schicht) 646, die durch die Öffnung der Überhöhung 644 die erste Elektrode 640 kontaktiert, ist auf der Überhöhung 644 ausgebildet, und eine zweite Elektrode 648 ist auf der emittierenden Schicht 646 ausgebildet. Die zweite Elektrode 648 kann aus Aluminium (Al) oder einer Aluminiumlegierung hergestellt sein.
  • Die erste Elektrode 640, die emittierende Schicht 646 und die zweite Elektrode 648 bilden die emittierende Diode (z.B. licht-emittierende Diode oder Leuchtdiode) D.
  • Eine zweite Passivierungsschicht 652 ist auf der zweiten Elektrode 648 ausgebildet. Die zweite Passivierungsschicht 652 deckt die zweite Elektrode 648 vollständig ab, um ein Erosionsproblem der zweiten Elektrode 648 zu vermeiden.
  • Außerdem ist eine Wasserstoff-Sperrschicht (bzw. Wasserstoff-Blockierschicht) 642 zwischen der zweiten Passivierungsschicht 652 und der Planarisierungsschicht 638 ausgebildet, um die Wasserstoffdiffusion aus der zweiten Passivierungsschicht 652 in die Oxid-Halbleiterschicht 626 zu verhindern.
  • Bezugnehmend auf 10 mit 9 kann die Wasserstoff-Sperrschicht 642 mit einer Breite W den Anzeigebereich DR der OLED-Anzeigevorrichtung umgeben (bzw. umschließen).
  • Wie oben erläutert, sollte die zweite Passivierungsschicht 652 die zweite Elektrode 648 vollständig abdecken. Und zwar sollte ein Ende der zweiten Passivierungsschicht 652 von einem Ende der zweiten Elektrode 648 um einen Abstand D beabstandet (bzw. räumlich getrennt) sein.
  • Die Wasserstoff-Sperrschicht 642 hat die Breite W, die gleich oder größer als der Abstand D zwischen dem Ende der zweiten Passivierungsschicht 652 und dem Ende der zweiten Elektrode 648 ist und die einen Raum zwischen dem Ende der zweiten Passivierungsschicht 652 und dem Ende der zweiten Elektrode 648 vollständig überlappt. Mit anderen Worten ragt ein Ende der Wasserstoff-Sperrschicht 642 aus dem Ende der zweiten Passivierungsschicht 652 heraus, und das andere Ende der Wasserstoff-Sperrschicht 642 bedeckt das Ende der zweiten Elektrode 648 oder wird von dem Ende der zweiten Elektrode 648 bedeckt. Als Folge davon kontaktiert die zweite Passivierungsschicht 652 nicht die Planarisierungsschicht 638, so dass die Diffusion von Wasserstoffrückständen in der zweiten Passivierungsschicht 652 durch die Planarisierungsschicht 638 und die erste Passivierungsschicht 643 hindurch in die Oxid-Halbleiterschicht 626 (hinein) ausreichend verhindert wird.
  • Die Wasserstoff-Sperrschicht 642 ist zwischen dem Ende der zweiten Passivierungsschicht 652 und dem Ende der zweiten Elektrode 648 angeordnet, um die Planarisierungsschicht 638 zu bedecken, welche zwischen der zweiten Passivierungsschicht 652 und der zweiten Elektrode 648 freigelegt ist.
  • Die Wasserstoff-Sperrschicht 642 weist eines (aus der Menge) von einem Metall, einer Metalllegierung und einem Oxid der Metalllegierung auf. Zum Beispiel kann die Wasserstoff-Sperrschicht 642 aus einem (aus der Menge) von Indium-Zinn-Oxid (engl. indium-tin-oxide, ITO), Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), Indium-Zink-Oxid (engl. indium-zinc-oxide, IZO), Molybdän (Mo), Molybdän-Titan-Legierung (MoTi), Kupfer (Cu), Silber (Ag), Gold (Au), Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Thorium (Th), Vanadium (V), Palladium (Pd), Nickel (Ni) oder Zinn (Sn) hergestellt sein.
  • In 9 ist die Wasserstoff-Sperrschicht 642 zwischen der zweiten Elektrode 648 und der Planarisierungsschicht 638 angeordnet. In diesem Fall kann die Wasserstoff-Sperrschicht 642 durch einen einzelnen Maskenprozess (bzw. Maskierungsprozess) auf derselben Schicht und aus demselben Material wie die erste Elektrode 640 ausgebildet sein. Die Wasserstoff-Sperrschicht 642 und die erste Elektrode 640 können aus ITO, IGZO oder IZO hergestellt sein.
  • Ein Teil einer Oberseite (bzw. oberen Fläche) der Wasserstoff-Sperrschicht 642 kontaktiert die zweite Passivierungsschicht 652, und eine gesamte Unterseite (bzw. untere Fläche) der Wasserstoff-Sperrschicht 642 kontaktiert die Planarisierungsschicht 638. In diesem Fall ist eine Kontaktfläche der Wasserstoff-Sperrschicht 642 und der Planarisierungsschicht 638 größer als eine Kontaktfläche der Wasserstoff-Sperrschicht 638 und der zweiten Passivierungsschicht 652.
  • Alternativ kann die Wasserstoff-Sperrschicht 642 zwischen der zweiten Elektrode 648 und der zweiten Passivierungsschicht 652 angeordnet sein, so dass ein Ende der Wasserstoff-Sperrschicht 642 ein Ende der zweiten Elektrode 648 bedeckt.
  • Das Versiegelungsmuster (engl. seal pattern) 660 ist an dem Rand zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 620 und 656 ausgebildet, um einen Raum zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 620 und 656 abzudichten. Alternativ ist statt des Versiegelungsmusters 660 eine Versiegelungsschicht (siehe 1) zwischen dem zweiten Substrat 656 und der zweiten Passivierungsschicht 652 ausgebildet.
  • Ein Verfahren zur Herstellung der OLED-Anzeigevorrichtung 610 wird unter Bezugnahme auf 9 kurz erläutert.
  • Die Gate-Leitung (siehe 2) und die Gate-Elektrode 622 werden auf dem ersten Substrat 620 ausgebildet. Die Gate-Isolierungsschicht 624 wird auf der Gate-Leitung und der Gate-Elektrode 622 ausgebildet.
  • Als Nächstes wird die Oxid-Halbleiterschicht 626, die der Gate-Elektrode 622 entspricht (bzw. zur Gate-Elektrode 622 korrespondierend ausgebildet ist), auf der Gate-Isolierungsschicht 624 ausgebildet.
  • Als Nächstes wird der Ätz-Stopper (z.B. eine Ätz-Schutzschicht) 628 zum Schutz der Oxid-Halbleiterschicht 626 auf der Oxid-Halbleiterschicht 626 ausgebildet.
  • Als Nächstes werden die Source-Elektrode 630, die Drain-Elektrode 632, die Daten-Leitung (siehe 2), die Stromleitung (siehe 2) ausgebildet. Die Source-Elektrode 630 und die Drain-Elektrode 632 werden an beiden Enden des Ätz-Stoppers 628 und der Oxid-Halbleiterschicht 626 ausgebildet. Die Daten-Leitung kreuzt die Gate-Leitung, um den Pixelbereich zu definieren. Die Source-Elektrode 630 kann mit der Stromleitung verbunden sein und von der Drain-Elektrode 632 beabstandet (bzw. räumlich getrennt) sein.
  • Als Nächstes wird die erste Passivierungsschicht 634 auf dem Treiber-Dünnschichttransistor (TFT) Td ausgebildet.
  • Als Nächstes wird die Planarisierungsschicht 638 auf der ersten Passivierungsschicht 634 ausgebildet. Die Planarisierungsschicht 638 und die erste Passivierungsschicht 634 werden strukturiert, um das Drain-Kontaktloch 639 zu bilden, welches die Drain-Elektrode 632 des Treiber-Dünnschichttransistors (TFT) Td freigibt.
  • Als Nächstes wird die erste Elektrode 640, die dem Pixelbereich entspricht (bzw. zum Pixelbereich korrespondierend ausgebildet ist), auf der Planarisierungsschicht 638 ausgebildet. Außerdem kann die Wasserstoff-Sperrschicht 642 auf der Planarisierungsschicht 638 ausgebildet werden. Die Wasserstoff-Sperrschicht 642 kann auf derselben Schicht und aus demselben Material wie die erste Elektrode 640 ausgebildet werden. In diesem Fall können die Wasserstoff-Sperrschicht 642 und die erste Elektrode 640 gleichzeitig gebildet werden.
  • Als Nächstes wird die Überhöhung 644, die Ränder der ersten Elektrode 640 abdeckt, auf der ersten Elektrode 640 ausgebildet.
  • Als Nächstes wird die emittierende Schicht 646, die durch die Öffnung der Überhöhung 644 die erste Elektrode 640 kontaktiert, auf der Überhöhung 644 ausgebildet.
  • Als Nächstes wird die zweite Elektrode 648 auf der emittierenden Schicht 646 ausgebildet.
  • Als Nächstes wird die zweite Passivierungsschicht 652 auf der zweiten Elektrode 648 ausgebildet. Wenn die Wasserstoff-Sperrschicht 642 nicht auf der Planarisierungsschicht 638 ausgebildet wird, wird die Wasserstoff-Sperrschicht 642 nach dem Ausbilden der zweiten Elektrode 648 und vor dem Ausbilden der zweiten Passivierungsschicht 652 gebildet.
  • Als Nächstes wird das Versiegelungsmuster 660 an dem Rand von einem des ersten und des zweiten Substrats 620 und 656 ausgebildet, und das erste und das zweite Substrat 620 und 656 werden (aneinander) befestigt.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdioden(bzw. licht-emittierenden Dioden)-Anzeigevorrichtung gemäß einer oder mehrerer Ausführungsformen kann aufweisen: ein Bilden eines Substrates, ein Bilden einer Oxid-Halbleiterschicht über dem Substrat, ein Bilden einer Planarisierungsschicht über der Oxid-Halbleiterschicht, ein Bilden einer emittierenden Diode (z.B. licht-emittierenden Diode oder Leuchtdiode) über der Planarisierungsschicht, ein Bilden einer Passivierungsschicht über der emittierenden Diode sowie ein Bilden einer Wasserstoff-Sperrschicht zwischen der Planarisierungsschicht und der Passivierungsschicht, um eine Wasserstoffdiffusion aus der Passivierungsschicht in die Oxid-Halbleiterschicht zu blockieren.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: ein Bilden einer Gate-Leitung, einer Daten-Leitung und einer Stromleitung auf (bzw. an) dem Substrat, wobei die Gate- und die Daten-Leitungen sich einander kreuzen, um einen Pixelbereich zu definieren, sowie ein Bilden eines Dünnschichttransistors (TFT) in dem Pixelbereich, wobei der Dünnschichttransistor die Oxid-Halbleiterschicht eines Oxid-Halbleitermaterials aufweist und wobei die Wasserstoff-Sperrschicht eine Fläche hat, die größer ist als eine Fläche der Oxid-Halbleiterschicht.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Oxid-Halbleiterschicht eines von Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), Zink-Indium-Oxid (engl. zinc-indium-oxide, ZIO), Zink-Gallium-Oxid (engl. zinc-gallium-oxide, ZGO) und Zink-Zinn-Oxid (engl. zinc-tin-oxide, ZTO) aufweisen, wobei die Passivierungsschicht eine von einer Siliziumnitrid(SiNx)-Schicht, einer Siliziumoxidnitrid(SiON)-Schicht und einer Siliziumoxid(SiOx)-Schicht ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Wasserstoff-Sperrschicht eines von Indium-Zinn-Oxid (engl. indium-tin-oxide, ITO), Indium-Zink-Oxid (engl. indium-zinc-oxide, IZO), Molybdän (Mo), Molybdän-Titan-Legierung (MoTi), Kupfer (Cu), Silber (Ag), Gold (Au), Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Thorium (Th), Vanadium (V), Palladium (Pd), Nickel (Ni) und Zinn (Sn) aufweisen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: ein Bilden einer zusätzlichen Passivierungsschicht zwischen der Oxid-Halbleiterschicht und der Planarisierungsschicht, ein Bilden einer Gate-Leitung, einer Daten-Leitung und einer Stromleitung auf (bzw. an) dem Substrat, wobei die Gate- und die Daten-Leitungen sich einander kreuzen, um einen Pixelbereich zu definieren, wobei die emittierende Diode eine erste Elektrode auf der zusätzlichen Passivierungsschicht (und) in dem Pixelbereich, eine emittierende Schicht (z.B. licht-emittierende Schicht) auf der ersten Elektrode sowie eine zweite Elektrode auf der emittierenden Schicht aufweist und wobei die Wasserstoff-Sperrschicht auf derselben Schicht wie die erste Elektrode ausgebildet ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Wasserstoff-Sperrschicht aus demselben Material wie die erste Elektrode ausgebildet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Wasserstoff-Sperrschicht zwischen der Passivierungsschicht und der emittierenden Diode angeordnet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: ein Bilden einer Gate-Leitung, einer Daten-Leitung und einer Stromleitung auf (bzw. an) dem Substrat, wobei die Gate- und die Daten-Leitungen sich einander kreuzen, um einen Pixelbereich zu definieren, sowie ein Bilden einer zusätzlichen Passivierungsschicht zwischen der Oxid- Halbleiterschicht und der Planarisierungsschicht, wobei die emittierende Diode eine erste Elektrode auf der zusätzlichen Passivierungsschicht (und) in dem Pixelbereich, eine emittierende Schicht auf der ersten Elektrode und eine zweite Elektrode auf der emittierenden Schicht aufweist und wobei die Wasserstoff-Sperrschicht auf der zweiten Elektrode angeordnet ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Verfahren ferner aufweisen: ein Vorsehen (bzw. Bereitstellen) eines Anzeigepaneels, das einen Anzeigebereich aufweist, wobei der Anzeigebereich die Passivierungsschicht umfasst (bzw. aufweist) und wobei die Wasserstoff-Sperrschicht unter der Passivierungsschicht ist und den Anzeigebereich umgibt (bzw. umschließt).
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kontaktiert eine erste Fläche (bzw. Oberfläche) der Wasserstoff-Sperrschicht die Passivierungsschicht, und eine zweite Fläche (bzw. Oberfläche) der Wasserstoff-Sperrschicht kontaktiert die Planarisierungsschicht, wobei die zweite Fläche größer als die erste Fläche ist.
  • Es wird einem Fachmann verständlich sein, dass verschiedene Modifikationen und Variationen bei der vorliegenden Erfindung gemacht werden können, ohne von dem Sinn oder Umfang der Erfindungen abzuweichen. Somit ist es beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung die Modifikationen und Variationen dieser Erfindung abdeckt, sofern diese im Umfang der angehängten Ansprüche und deren Äquivalente liegen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 10-2012-0150716 [0001]
    • KR 10-2013-0075523 [0001]

Claims (20)

  1. Eine organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung, aufweisend: ein Substrat (120), eine Oxid-Halbleiterschicht (126) über dem Substrat, eine emittierende Diode (D) über der Oxid-Halbleiterschicht, wobei die emittierende Diode eine erste Elektrode (140), eine über der ersten Elektrode angeordnete emittierende Schicht (146) und eine über der emittierenden Schicht angeordnete zweite Elektrode (148) aufweist, eine Passivierungsschicht (152) über der emittierenden Diode, und eine Wasserstoff-Sperrschicht (142, 143) wenigstens teilweise zwischen der Oxid-Halbleiterschicht und der Passivierungsschicht, um die Wasserstoffdiffusion aus der Passivierungsschicht in die Oxid-Halbleiterschicht zu blockieren, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht wenigstens eines von einem Metall, einer Metalllegierung und einem Oxid einer Metalllegierung aufweist.
  2. Die Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner aufweisend: eine Planarisierungsschicht (138) über der Oxid-Halbleiterschicht, wobei die emittierende Diode über der Planarisierungsschicht angeordnet ist und die Wasserstoff-Sperrschicht wenigstens teilweise zwischen der Planarisierungsschicht und der Passivierungsschicht angeordnet ist.
  3. Die Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–2, wobei die Passivierungsschicht eine von einer Siliziumnitrid(SiNx)-Schicht, einer Siliziumoxidnitrid(SiON)-Schicht und einer Siliziumoxid(SiOx)-Schicht ist.
  4. Die Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–3, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht eines von Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO), Molybdän (Mo), Molybdän-Titan-Legierung (MoTi), Kupfer (Cu), Silber (Ag), Gold (Au), Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Thorium (Th), Vanadium (V), Palladium (Pd), Nickel (Ni) und Zinn (Sn) aufweist.
  5. Die Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–4, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht zwischen der Passivierungsschicht und der emittierenden Diode angeordnet ist, wobei vorzugsweise die Wasserstoff-Sperrschicht auf der zweiten Elektrode angeordnet ist.
  6. Die Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–4, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht wenigstens eine Öffnung aufweist, die über der emittierenden Diode angeordnet ist.
  7. Die Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–4, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht in derselben Schicht wie die erste Elektrode ausgebildet ist, wobei vorzugsweise die Wasserstoff-Sperrschicht aus demselben Material wie die erste Elektrode hergestellt ist.
  8. Eine organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung, aufweisend: ein Substrat (120), eine Oxid-Halbleiterschicht (126) über dem Substrat, eine erste Passivierungsschicht (134) über der Oxid-Halbleiterschicht, eine Planarisierungsschicht (138) über der ersten Passivierungsschicht, eine emittierende Diode (D) über der Planarisierungsschicht, wobei die emittierende Diode eine erste Elektrode (140), eine über der ersten Elektrode angeordnete emittierende Schicht (146) und eine über der emittierenden Schicht angeordnete zweite Elektrode (148) aufweist, eine zweite Passivierungsschicht (152) über der emittierenden Diode, und eine Wasserstoff-Sperrschicht (142, 143) wenigstens teilweise zwischen der Planarisierungsschicht und der zweiten Passivierungsschicht, um die Wasserstoffdiffusion aus der zweiten Passivierungsschicht in die Oxid-Halbleiterschicht zu blockieren, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht ein anorganisches Material aufweist.
  9. Die Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei das anorganische Material wenigstens eines von einem Metall, einer Metalllegierung und einem Oxid einer Metalllegierung aufweist, wobei vorzugsweise das Metall, die Metalllegierung oder das Oxid einer Metalllegierung wenigstens eines von Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO), Molybdän (Mo), Molybdän-Titan-Legierung (MoTi), Kupfer (Cu), Silber (Ag), Gold (Au), Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Thorium (Th), Vanadium (V), Palladium (Pd), Nickel (Ni) und Zinn (Sn) aufweist.
  10. Die Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8–9, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht in derselben Schicht wie die erste Elektrode ausgebildet ist, wobei vorzugsweise die Wasserstoff-Sperrschicht aus demselben Material wie die erste Elektrode hergestellt ist.
  11. Die Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8–9, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht zwischen der zweiten Passivierungsschicht und der emittierenden Diode angeordnet ist, wobei vorzugsweise die Wasserstoff-Sperrschicht auf der zweiten Elektrode angeordnet ist.
  12. Die Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8–9, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht wenigstens eine Öffnung aufweist, die über der emittierenden Diode angeordnet ist.
  13. Eine organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung, aufweisend: ein Substrat (420), eine Oxid-Halbleiterschicht (426) über dem Substrat, eine erste Passivierungsschicht (434) über der Oxid-Halbleiterschicht, eine emittierende Diode (D) über der ersten Passivierungsschicht, wobei die emittierende Diode eine erste Elektrode (440), eine über der ersten Elektrode angeordnete emittierende Schicht (446) und eine über der emittierenden Schicht angeordnete zweite Elektrode (448) aufweist, eine zweite Passivierungsschicht (452) über der emittierenden Diode, eine Wasserstoff-Sperrschicht (437) wenigstens teilweise zwischen der ersten Passivierungsschicht und der zweiten Passivierungsschicht, um die Wasserstoffdiffusion aus der zweiten Passivierungsschicht in die Oxid-Halbleiterschicht zu blockieren, und eine Planarisierungsschicht (438), die wenigstens teilweise zwischen der Wasserstoff-Sperrschicht und der zweiten Passivierungsschicht angeordnet ist.
  14. Eine organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung, aufweisend: ein Substrat (120), eine Oxid-Halbleiterschicht (126) über dem Substrat, eine erste Passivierungsschicht (134) über der Oxid-Halbleiterschicht, eine Planarisierungsschicht (138) über der ersten Passivierungsschicht, eine emittierende Diode (D) über der Planarisierungsschicht, wobei die emittierende Diode eine erste Elektrode (140), eine über der ersten Elektrode angeordnete emittierende Schicht (146) und eine über der emittierenden Schicht angeordnete zweite Elektrode (148) aufweist, eine zweite Passivierungsschicht (152) über der emittierenden Diode, eine Wasserstoff-Sperrschicht (142, 143) wenigstens teilweise zwischen der Planarisierungsschicht und der zweiten Passivierungsschicht, um die Wasserstoffdiffusion aus der zweiten Passivierungsschicht in die Oxid-Halbleiterschicht zu blockieren, und eine Überhöhung (144) wenigstens teilweise zwischen der Wasserstoff-Sperrschicht und der zweiten Passivierungsschicht.
  15. Die Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8–14, wobei die erste Passivierungsschicht und/oder die zweite Passivierungsschicht eine von einer Siliziumnitrid(SiNx)-Schicht, einer Siliziumoxidnitrid(SiON)-Schicht und einer Siliziumoxid(SiOx)-Schicht ist.
  16. Die Vorrichtung nach einem der Ansprüche 13–15, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht ein anorganisches Material aufweist, wobei vorzugsweise das anorganische Material wenigstens eines von einem Metall, einer Metalllegierung und einem Oxid einer Metalllegierung aufweist, wobei weiter vorzugsweise das Metall, die Metalllegierung oder das Oxid einer Metalllegierung wenigstens eines von Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO), Molybdän (Mo), Molybdän-Titan-Legierung (MoTi), Kupfer (Cu), Silber (Ag), Gold (Au), Titan (Ti), Zirkonium (Zr), Thorium (Th), Vanadium (V), Palladium (Pd), Nickel (Ni) und Zinn (Sn) aufweist.
  17. Die Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–16, ferner aufweisend: eine Gate-Leitung (121), eine Daten-Leitung (127) und eine Stromleitung (129), wobei die Gate- und die Daten-Leitung einander kreuzen, um einen Pixelbereich zu definieren, und einen Dünnschichttransistor (Td) in dem Pixelbereich, wobei der Dünnschichttransistor die Oxid-Halbleiterschicht eines Oxid-Halbleitermaterials aufweist, und wobei die Wasserstoff-Sperrschicht eine Fläche hat, die größer als eine Fläche der Oxid-Halbleiterschicht ist.
  18. Die Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–17, wobei die Oxid-Halbleiterschicht eines von Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO), Zink-Indium-Oxid (ZIO), Zink-Gallium-Oxid (ZGO) und Zink-Zinn-Oxid (ZTO) aufweist.
  19. Ein Anzeigepaneel, aufweisend: die organische Leuchtdioden-Anzeigenvorrichtung nach einem der Ansprüche 2–4, und einen Anzeigebereich (DR), der die Passivierungsschicht der Anzeigevorrichtung aufweist, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht der Anzeigevorrichtung wenigstens teilweise unter der Passivierungsschicht ist und den Anzeigebereich umgibt, wobei vorzugsweise eine erste Fläche der Wasserstoff-Sperrschicht die Passivierungsschicht kontaktiert, und eine zweite Fläche der Wasserstoff-Sperrschicht die Planarisierungsschicht kontaktiert, und wobei die zweite Fläche größer als die erste Fläche ist.
  20. Ein Anzeigepaneel, aufweisend: die organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 8–10, und einen Anzeigebereich (DR), der die zweite Passivierungsschicht der Anzeigevorrichtung aufweist, wobei die Wasserstoff-Sperrschicht der Anzeigevorrichtung wenigstens teilweise unter der zweiten Passivierungsschicht ist und den Anzeigebereich umgibt, wobei vorzugsweise eine erste Fläche der Wasserstoff-Sperrschicht die zweite Passivierungsschicht kontaktiert, und eine zweite Fläche der Wasserstoff-Sperrschicht die Planarisierungsschicht kontaktiert, und wobei die zweite Fläche größer als die erste Fläche ist.
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