CN116014048A - 发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光显示装置及其制造方法，其中发光显示装置包括：薄膜晶体管上的钝化层，该钝化层具有氢；钝化层上的发光二极管，该发光二极管具有阳极、阳极上的发光层、以及发光层上的阴极；以及发光二极管上的氢吸收层，该氢吸收层包括质量百分比为0.08％至50％的无机材料。

Description

发光显示装置及其制造方法
本申请是名为“发光显示装置及其制造方法”、申请号为201910638935.5的中国专利申请的分案申请，专利申请201910638935.5是根据巴黎条约于2019年7月15日向中国专利局提交的发明专利申请，该申请最早优先权日为2018年8月28日。
相关申请的交叉引用
本申请要求在韩国知识产权局于2018年8月28日提交的韩国专利申请No.10-2018-0101229和2018年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2018-0173630的优先权，所有这些申请的公开内容通过引用并入本专利申请。
技术领域
本公开涉及一种发光显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种能够减少由氢引起的薄膜晶体管缺陷的发光显示装置及其制造方法。
背景技术
发光显示装置是自发光显示装置，因此不需要单独的光源，这与液晶显示装置不同。因此，可以将发光显示装置制造成重量轻且厚度薄。此外，由于发光显示装置以低电压驱动，因此不仅在功耗方面，而且在颜色、响应速度、视角和对比度的实现方面都是有利的，因此，正在研究发光显示装置作为下一代显示器。
在发光显示装置中，设置在每个子像素中的发光二极管被驱动以发光。在这种情况下，为了独立地驱动子像素的发光二极管，在每个子像素中设置一个或更多个电连接至发光二极管的薄膜晶体管(TFT)。
薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层。源电极和漏电极与半导体层接触，并且栅电极设置为与半导体层交叠。当将预定电压或更高电压的栅极电压施加至薄膜晶体管的栅电极时，在半导体层中形成沟道，以使得电流能够在源电极与漏电极之间流动。如上所述，薄膜晶体管具有开关特性，并且开关特性可以由各种各样的因素确定。例如，当半导体层的材料变形时，薄膜晶体管的迁移率改变，从而可以改变薄膜晶体管的开关特性。
发光显示装置包括钝化层，该钝化层保护发光二极管免受穿透发光二极管的水分或氧气的影响。钝化层形成在发光二极管上以保护发光二极管。
通过例如使用硅烷(SiH4)和氨(NH3)的化学气相沉积(CVD)方法形成钝化层。在通过化学气相沉积方法形成钝化层的过程中，可能从硅烷和氨产生少量的氢。因此，在形成钝化层的过程中产生的氢扩散到钝化层以被包含在钝化层中。包含在钝化层中的残留氢可以在发光二极管中移动。当残留的氢扩散到薄膜晶体管的半导体层以与半导体层反应时，可能改变薄膜晶体管的特性。因此，在形成钝化层的过程中产生的氢不仅会降低薄膜晶体管的特性，还会降低发光显示装置的特性。
发明内容
为了解决在形成发光显示装置的钝化层时产生的氢保留在发光显示装置中以及残留的氢向薄膜晶体管扩散而使得薄膜晶体管的特性被改变而使发光显示装置的特性降低的问题，本公开的发明人发明了一种能够吸收包含在钝化层中的氢的发光显示装置的新结构及其制造方法。
因此，本公开要实现的一个目的是提供一种发光显示装置以及制造发光显示装置的方法，该发光显示装置通过吸收保留在钝化层中的氢来抑制薄膜晶体管的特性降低。
此外，本公开要实现的另一目的是提供一种发光显示装置和制造发光显示装置的方法，该发光显示装置具有能够去除钝化层中的氢的结构而无需提供用于去除在形成钝化层的过程中产生的氢的单独的装置。
本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员从以下描述中可以清楚地理解上面未提及的其他目的。
根据本公开的一个方面，一种发光显示装置包括：在薄膜晶体管上的钝化层；在钝化层上的发光二极管，发光二极管具有阳极、在阳极上的发光层和在发光层上的阴极；以及在发光二极管上的氢吸收层，氢吸收层包括质量百分比为0.08％至50％的无机材料。
根据本发明的另一方面，一种发光显示装置包括：下基板；下基板上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括氧化物半导体层；薄膜晶体管上的钝化层；薄膜晶体管和钝化层上的发光二极管，发光二极管包括阳极、阳极上的发光层和发光层上的阴极；以及与发光二极管接触的密封件，该密封件包括吸氢填料。
根据本公开的另一方面，一种发光显示装置包括：下基板，其包括薄膜晶体管和发光二极管；下基板上的上基板；位于下基板和上基板之间的粘结剂层，粘结剂层位于薄膜晶体管上；以及粘结剂层和上基板之间的密封件，该密封件包括与粘结剂层接触的吸氢填料。
根据本发明的另一方面，一种制造发光显示装置的方法，包括：在下基板上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成钝化层；在钝化层上形成包括阳极、发光层和阴极的发光二极管；以及在发光二极管上形成氢吸收层。本发明提供以下技术方案：
方案1.一种发光显示装置，包括：
下基板；
在所述下基板上的薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上的第一钝化层，所述第一钝化层具有氢；
在所述第一钝化层上的发光二极管，所述发光二极管具有阳极、所述阳极上的发光层，和所述发光层上的阴极；以及
在所述发光二极管上的氢吸收层，所述氢吸收层包括质量百分比为0.08％至50％的无机材料。
方案2.根据方案1所述的发光显示装置，
其中所述无机材料包括金属、包含所述金属的混合物、和包含所述金属的化合物中的至少一种。
方案3.根据方案2所述的发光显示装置，
其中所述金属包括以下中的一种或更多种：碱金属、碱土金属、稀土金属、过渡金属和后过渡金属。
方案4.根据方案2所述的发光显示装置，其中所述金属包括钛(Ti)族金属。
方案5.根据方案2所述的发光显示装置，
其中所述金属包括以下中的一种或更多种：钍(Th)、锆(Zr)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、镁(Mg)、镍(Ni)、锡(Sn)、铂(Pt)、铬(Cr)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钴(Co)和铁(Fe)。
方案6.根据方案2所述的发光显示装置，
其中所述混合物包括镧-镍(La-Ni)、镧-镍-铝(La-Ni-Al)、镍-镁(Ni-Mg)、铁-钛(Fe-Ti)和钛-锰(Ti-Mn)中的一种或更多种。
方案7.根据方案2所述的发光显示装置，其中所述金属是直径小于100nm的颗粒。
方案8.根据方案1所述的发光显示装置，其中所述无机材料分散在所述氢吸收层中。
方案9.根据方案1所述的发光显示装置，其中所述氢吸收层与所述阴极接触并且还包括粘结剂材料。
方案10.根据方案9所述的发光显示装置，还包括：
与所述下基板相对的上基板，
其中所述上基板和所述下基板通过所述氢吸收层附接。
方案11.根据方案1所述的发光显示装置，其中所述氢吸收层还包括吸气剂和氢化合物中的至少一种。
方案12.根据方案1所述的发光显示装置，还包括：
与所述下基板相对的上基板；以及
粘结剂层，其配置成将所述上基板和所述下基板附接。
方案13.根据方案1所述的发光显示装置，还包括：
在所述薄膜晶体管上的外涂层；以及
在所述外涂层上方的堤部，
其中所述无机材料还包含在所述外涂层和所述堤部中。
方案14.根据方案13所述的发光显示装置，其中所述堤部与所述第一钝化层的上部接触并且形成为包围所述阳极的侧表面和所述外涂层的侧表面。
方案15.根据方案1所述的发光显示装置，
其中所述薄膜晶体管包括半导体层，以及
所述半导体层由氧化物半导体或非晶半导体形成。
方案16.根据方案1所述的发光显示装置，
其中所述阳极包括透明导电层，或包括反射层和所述反射层上的透明导电层。
方案17.根据方案1所述的发光显示装置，还包括：
在所述发光二极管和所述氢吸收层之间的第二钝化层，
其中所述第二钝化层也包含氢。
方案18.根据方案17所述的发光显示装置，其中所述氢吸收层接触所述第二钝化层的上表面和侧表面。
方案19.根据方案1或方案17所述的发光显示装置，其中所述氢吸收层的下表面的一部分与所述第一钝化层接触。
方案20.根据方案1所述的发光显示装置，还包括：
与所述发光二极管交叠的滤色器，
其中所述滤色器包含氢。
方案21.根据方案1所述的发光显示装置，
其中，所述第一钝化层设置成覆盖所述薄膜晶体管的上表面和侧表面，以保护所述薄膜晶体管免受来自所述发光显示装置外部的氧或水分的影响。
方案22.根据方案1所述的发光显示装置，其中对于入射到所述氢吸收层上的光，所述氢吸收层的透射率是70％或更高。
方案23.根据方案1所述的发光显示装置，其中所述发光二极管设置在所述氢吸收层和所述第一钝化层之间。
方案24.一种发光显示装置，包括：
下基板；
在所述下基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括氧化物半导体层；
在所述薄膜晶体管上的钝化层；
在所述薄膜晶体管和所述钝化层上的发光二极管，所述发光二极管包括阳极、所述阳极上的发光层、和所述发光层上的阴极；以及
在所述发光二极管上的密封件，所述密封件包括吸氢填料。
方案25.根据方案24所述的发光显示装置，
其中所述吸氢填料分散在所述密封件中。
方案26.根据方案24所述的发光显示装置，
其中所述吸氢填料包括以下中的一种或更多种：钍(Th)、锆(Zr)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、镁(Mg)、镍(Ni)、锡(Sn)、铂(Pt)、铬(Cr)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钴(Co)和铁(Fe)。
方案27.根据方案24所述的发光显示装置，
其中所述吸氢填料包括以下中的一种或多种：镧-镍(La-Ni)、镧-镍-铝(La-Ni-Al)、镍-镁(Ni-Mg)、铁-钛(Fe-Ti)和钛-锰(Ti-Mn)。
方案28.根据方案24所述的发光显示装置，其中所述密封件覆盖所述发光二极管的侧表面。
方案29.根据方案24所述的发光显示装置，还包括：
在所述发光二极管的发光区域中的所述钝化层上的滤色器。
方案30.根据方案24所述的发光显示装置，其中对于入射到所述密封件上的光，所述密封件的透射率是70％或更高。
方案31.根据方案24所述的发光显示装置，还包括：在所述薄膜晶体管以及所述钝化层上的外涂层，
其中所述密封件以及钝化层围绕所述发光二极管和所述外涂层。
方案32.根据方案24所述的发光显示装置，还包括：
在所述薄膜晶体管以及所述钝化层上的外涂层，
其中密封件在所述发光二极管和外涂层的外部处接触所述钝化层。
方案33.一种发光显示装置，包括：
下基板，其包括薄膜晶体管和发光二极管；
在所述下基板上的上基板；
在所述下基板和所述上基板之间的粘结剂层，所述粘结剂层位于所述薄膜晶体管上；以及
在所述粘结剂层和所述上基板之间的密封件，所述密封件包括与所述粘结剂层接触的吸氢填料。
方案34.根据方案33所述的发光显示装置，其中对于入射到所述密封件上的光，所述密封件的透射率是70％或更高。
方案35.根据方案33所述的发光显示装置，其中所述吸氢填料包括以下中的一种或更多种：钍(Th)、锆(Zr)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、镁(Mg)、镍(Ni)、锡(Sn)、铂(Pt)、铬(Cr)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钴(Co)和铁(Fe)。
方案36.根据方案33所述的发光显示装置，
其中所述吸氢填料包括以下中的一种或更多种：镧-镍(La-Ni)、镧-镍-铝(La-Ni-Al)、镍-镁(Ni-Mg)、铁-钛(Fe-Ti)和钛-锰(Ti-Mn)。
方案37.一种制造发光显示装置的方法，所述方法包括：
在下基板上形成薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成第一钝化层；
在所述第一钝化层上形成包括阳极、发光层和阴极的发光二极管；以及
在所述发光二极管上形成具有无机材料的氢吸收层。
方案38.根据方案37所述的方法，
其中形成所述氢吸收层包括：
执行所述无机材料的化学气相沉积方法、溅射方法或热蒸镀方法。
方案39.根据方案37所述的方法，
其中形成所述氢吸收层包括：
将有机材料设置在所述发光二极管上；以及
将所述无机材料分散或掺入在所述有机材料中。
方案40.根据方案37所述的方法，
还包括：
在形成所述第一钝化层之后，在所述第一钝化层上形成滤色器。
方案41.根据方案37所述的方法，还包括：
在形成所述发光二极管之后，
形成第二钝化层以覆盖所述发光二极管的外表面。
实施方案的其他详细内容包括在具体实施方式和附图中。
根据本公开，吸收保留在钝化层中的氢的氢吸收层可以改进(modify)薄膜晶体管的特性，氢吸收层被配置成抑制薄膜晶体管的特性降低。
根据本公开的效果不限于上面例举的内容，并且在本说明书中包括更多种效果。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和其他优点。
图1A示出了根据本公开的一个实施方案的发光显示装置。
图1B是沿图1A的线I-I'截取的截面图。
图2是用于说明根据本公开的一个实施方案的发光显示装置的薄膜晶体管的阈值电压的变化的曲线图。
图3是根据本公开另一实施方案的发光显示装置的一个子像素的示意性截面图。
图4是用于说明根据本公开的实施方案的制造发光显示装置的方法的流程图。
具体实施方式
通过参考下面结合附图详细描述的实施方案，本公开的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文公开的实施方案，而是将以各种形式实现。仅通过示例的方式提供实施方案，使得本领域技术人员可以完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
附图中示出的用于描述本公开的实施方案的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开的主题。这里使用的诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。
即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“旁边”的术语描述两个部分之间的位置关系时，除非使用术语“紧接”或“直接”，否则一个或更多个部分可以位于这两个部分之间。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接插入另一元件上或其之间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件与其他部件。因此，下面提到的第一部件可以是本公开的技术构思中的第二部件。
为了便于描述，示出了附图中示出的每个部件的尺寸和厚度，而本公开不限于所示部件的尺寸和厚度。
本公开的各种不同的实施方案的特征可以彼此部分地或完全地附接或组合，并且可以以技术上的各种方式互锁和操作，并且这些实施方案可以彼此独立地执行或相互关联地执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的实施方案的发光显示装置。
图1A示出了根据本公开的一个实施方案的发光显示装置，图1B是沿着图1A的线I-I'截取的截面图。
例如，在图1A中，线I-I'设置在发光显示装置100的一侧，使得图1B是沿着发光显示装置100的一侧截取的截面图。
参照图1A和图1B，发光显示装置100包括下基板110、栅极绝缘层120、薄膜晶体管130、钝化层140、发光二极管150、外涂层160、堤部170、氢吸收层180、侧密封构件190和上基板119。
钝化层140包括覆盖薄膜晶体管130的第一钝化层141和覆盖发光二极管150的第二钝化层142。
作为参考，为了便于描述，在图1A中，仅示出了发光显示装置100的钝化层140和氢吸收层180。
参照图1A，发光显示装置100包括多个像素PX。每个像素PX包括多个子像素SP。子像素SP可以是构造发光显示装置100的基本发光单元，以及构造一个像素PX的子像素SP中的每个子像素SP发射具有不同颜色的光。如图1A所示，子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，或者仅包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
此外，参照图1B，根据本公开的一个实施方案的显示装置100可以包括具有晶体管上滤色器(COT)结构的子像素SP。例如，子像素SP的颜色可以由设置在薄膜晶体管130的上层上以与子像素SP的发光区域交叠的滤色器CF实现。例如，当发光二极管150发射白光时，红色滤色器CF设置在与发光二极管150的发光区域对应的区域中，以实现红色子像素SP。此外，绿色滤色器CF设置在与发光二极管150的发光区域对应的区域中，以实现绿色子像素SP。此外，蓝色滤色器CF设置在与发光二极管150的发光区域对应的区域中，以实现蓝色子像素SP。此外，在与发光二极管150的发光区域对应的区域中不设置滤色器CL，以实现白色子像素SP。下面将描述滤色器CF的细节。
包括半导体层131、栅电极132、源电极133和漏电极134的薄膜晶体管130形成在由绝缘材料形成的下基板110上。例如，半导体层131形成在下基板110上，并且使栅电极132与半导体层131绝缘的栅极绝缘层120设置在半导体层131和下基板110上。栅电极132形成在栅极绝缘层120上，并且源电极133和漏电极134形成在半导体层131和栅极绝缘层120上。源电极133和漏电极134与半导体层131接触以电连接至半导体层131，并且形成在栅极绝缘层120的部分区域上。在本说明书中，为了便于描述，在可以包括在发光显示装置100中的各种各样的薄膜晶体管中，尽管仅示出了驱动薄膜晶体管，但是也可以包括开关薄膜晶体管。此外，在本说明书中，尽管描述了薄膜晶体管130具有共面结构，但是也可以使用具有反相交错结构的薄膜晶体管。
半导体层131可以由氧化物半导体或非晶半导体构成。非晶半导体可以由非晶硅构成。半导体层可以由多晶硅构成，但不限于此。多晶硅具有比非晶硅更好的迁移率，并且具有低功耗和优异的可靠性，以应用于像素中的驱动薄膜晶体管。
第一钝化层141共形地设置在薄膜晶体管130的上表面上。例如，第一钝化层141可以沿着薄膜晶体管130的上表面的形状形成。第一钝化层层141形成为覆盖薄膜晶体管130，并还设置在下基板110的其上设置薄膜晶体管130的整个表面上。此外，参照图1A，第一钝化层141形成为与所有多个子像素SP交叠。
第一钝化层141可以形成为具有10μm或更小的厚度，例如，可以形成为具有0.5μm的厚度，但是不限于此。
如上所述，第一钝化层141可以被设置成覆盖薄膜晶体管130。第一钝化层141可以保护薄膜晶体管130免受来自发光显示装置100外部的氧气或水分的影响。各种各样的有机层或无机层可以用于第一钝化层141。第一钝化层141可以通过各种各样的结构形成，例如有机层的单个沉积结构、无机层的单个沉积结构、或者可替选的有机层/无机层的沉积结构。例如，第一钝化层141可以由硅氮化物SiNx或硅氧化物SiOx形成，但不限于此。
滤色器CF可以设置在第一钝化层141上，以与子像素SP的发光区域交叠。由于滤色器CF设置在子像素SP的发光区域中，所以滤色器CF设置在薄膜晶体管130的上层上，但设置为不与薄膜晶体管130交叠。
每个滤色器CF可以包括包含红色颜料的红色滤色器CF、包含绿色颜料的绿色滤色器CF、以及包含蓝色颜料的蓝色滤色器，以实现子像素SP的颜色。
为了形成滤色器CF，需要对红色滤色器CF、绿色滤色器CF和蓝色滤色器CF进行涂布处理、曝光处理、显影处理和后烘烤处理。
在这些工艺中，在后烘烤处理期间，加热用于形成滤色器CF的颜料层，从而排出包含在颜料层中的包含氢的气体。
尽管进行了后烘烤处理，但氢仍可能保留在滤色器CF中。因此，包含在滤色器CF中的残留氢可以在发光显示装置100中移动并且扩散到薄膜晶体管130的半导体层131，使得可以改变薄膜晶体管130的特性。例如，半导体层131可以吸收氢。当半导体层131吸收氢时，薄膜晶体管130的阈值电压Vth移位，从而可以增加薄膜晶体管130的迁移率。因此，薄膜晶体管130的特性改变，使得性能下降，产生斑点或亮点，并引起亮度不均匀。因此，在形成滤色器CF的过程中产生的氢不仅会降低薄膜晶体管130的性能，而且还会降低发光显示装置100的性能，从而需要去除滤色器CF中残留的氢。
外涂层160(over coating layer)设置在栅极绝缘层120、薄膜晶体管130、第一钝化层141和滤色器CF上。外涂层160形成为覆盖薄膜晶体管130和第一钝化层141，并使薄膜晶体管130和第一钝化层141的上部平坦化。外涂层160可以由绝缘材料形成。
在外涂层160上形成包括阳极151、发光层152和阴极153的发光二极管150以及堤部170。例如，向发光层152提供空穴的阳极151形成在外涂层160的上表面上，发光层152形成在阳极151上，并且向发光层152提供电子的阴极153形成在发光层152上。
例如，当发光显示装置100是底部发光型时，阳极151可以包括由透明导电氧化物(下文中，缩写为TCO)(例如，铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)或ZnO)形成的透明导电层。此外，阴极153可以由具有低光学透射率的金属材料形成。
当发光显示装置100是顶部发光型时，阳极151可以包括反射层和透明导电层，透明导电层由透明导电氧化物形成在反射层上。此外，阴极153可以由具有低功函数的薄金属材料形成或者由透明导电氧化物形成。当阴极153由透明导电氧化物形成时，可以在阴极153和发光层152之间设置多层，使得电子移动通过阴极153。例如，可以在阴极153和发光层152之间设置金属掺杂层。此外，可以在发光层152和金属掺杂层之间附加地设置有机缓冲层。
堤部170形成为覆盖阳极151的侧面以限定每个子像素SP的发光区域。
例如，如图1B所示，堤部170与第一钝化层141的上部接触并且形成为包围(enclose)阳极151的侧面和外涂层160的侧面。通过这样做，堤部170可以阻挡来自外涂层160的侧面的水分和杂质的进入和扩散。
第二钝化层142共形地设置在发光二极管150的外表面上。例如，第二钝化层142可以沿着阴极153的上表面和侧面的形状形成。例如，第二钝化层142不仅可以形成为包围阴极153的侧面，而且还可以形成为与第一钝化层141接触。此外，参照图1A，第二钝化层142形成为与所有多个子像素SP交叠。
此外，第二钝化层142也可以形成为具有10μm或更小的厚度，例如，可以形成为具有0.5μm的厚度，但是不限于此。
如上所述，第二钝化层142可以被设置成覆盖发光二极管150。第二钝化层142可以保护发光二极管150免受来自发光显示装置100外部的氧气或水分的影响。各种各样的有机层或无机层可以用于第二钝化层142。第二钝化层142可以通过各种各样的结构形成，例如有机层的单个沉积结构、无机层的单个沉积结构、或者有机层/无机层的交替沉积结构。例如，第二钝化层142可以由硅氮化物SiNx或硅氧化物SiOx形成，但不限于此。
包括第一钝化层141和第二钝化层142的钝化层140通过使用含氢(例如，硅烷(SiH4)和氨(NH3))气体的化学气相沉积(CVD)方法形成。因此，在形成钝化层140的过程中，可能产生氢，并且所产生的氢扩散到钝化层140以包含在钝化层140中。这里，氢可以指氢的元素，其可以包括氢原子(H)和氢分子(H2)。例如，保留在钝化层140中的氢可以在所有方向上扩散。扩散可以根据浓度梯度例如化学势进行。因此，包含在钝化层140中的残留氢可以在发光显示装置100中移动并且扩散到薄膜晶体管130的半导体层131，使得可以改变薄膜晶体管130的特性。例如，半导体层131可以吸收氢。当半导体层131吸收氢时，薄膜晶体管130的阈值电压Vth移位，从而可以增加薄膜晶体管130的迁移率。因此，薄膜晶体管130的特性改变，使得性能下降，产生斑点或亮点，并引起亮度不均匀。因此，在形成钝化层140的过程中产生的氢不仅会降低薄膜晶体管130的性能，还会降低发光显示装置100的性能，从而需要去除钝化层140中残留的氢。此外，由于取决于上基板119的材料的钝化层140中的残留氢，薄膜晶体管130的特性发生变化，从而可能产生亮点(bright spot)。
因此，为了去除保留在滤色器CF和钝化层140中的氢，可以设置覆盖第二钝化层142的上表面和侧面的氢吸收层180。例如，氢吸收层180不仅可以与第二钝化层142的上表面接触，而且可以与第二钝化层142的侧面接触，以覆盖第二钝化层142的外表面以进行平坦化。此外，氢吸收层180的下表面的一侧(或一部分)可以与第一钝化层141接触。
如上所述，由于氢吸收层180形成为与第一钝化层141和第二钝化层142接触，因此氢吸收层180与第一钝化层141和第二钝化层142的接触面积可以增加。因此，氢吸收层180可以有效地吸收包含在第一钝化层141和第二钝化层142中的氢。
氢吸收层180可以形成为具有
Figure BDA0004098008480000141
或更小的厚度，例如，可以形成为具有最大50μm的厚度，但是不限于此。在一些实施方案中，氢吸收层180可以是密封件，并且不限于该术语。密封件可以设置在整个发光二极管上。
可以基于可固化树脂或光固化树脂形成密封件。例如，可固化树脂可以是环氧树脂，但不限于此。例如，光固化树脂可以是聚烯烃树脂，但不限于此。
此外，氢吸收层180的一侧和上基板119的一侧还可以包括侧密封构件190，侧密封构件190使发光显示装置100的侧面边缘化。例如，侧密封构件190可以与第一钝化层141的上表面的一侧、氢吸收层180的一侧和上基板119的一侧接触。此外，侧密封构件190可以使侧面的水分渗透最小化。为此，侧密封构件190可以由例如丙烯酸、氨基甲酸乙酯和硅基可固化材料形成，但是不限于此。
上述氢吸收层180可以包括吸收或吸附氢(例如，氢原子(H)和氢分子(H2))或水分的无机材料FT，以用作吸收滤色器CF和钝化层140中的残余氢的过滤器。无机材料FT可以是吸氢填料并吸收或吸附氢或水分。填料可以是粉末或颗粒，并且不限于该术语或形式。例如，填料可以是薄片(flake)，团状(nodule)或其他形式。氢吸收层180的无机材料FT可以包括金属、包含金属的混合物、以及包含金属的化合物中的至少一种。例如，氢吸收层180可以被配置成包括金属、金属的混合物、金属的化合物、金属和金属的混合物的组合、金属和金属的化合物的组合、金属的混合物和金属的化合物的组合、或金属、金属的混合物和金属的化合物的组合。这里，金属可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、钛(Ti)族金属、过渡金属和后过渡金属中的一种或更多种。然而，实施方案不限于此。例如，“后过渡金属”可以指元素周期表中的第13族至第15族中的金属元素。此外，金属可以是直径为几纳米至几十纳米(nm)的颗粒。例如，金属可以是直径为100nm或更小的颗粒，但不限于此。
氢吸收层180的无机材料FT可以以各种各样的方式吸收氢。例如，氢吸收层180的无机材料FT可以通过化学反应吸收氢，或者通过捕获无机材料FT之间的间隙中的氢来吸收氢。
氢吸收层180的无机材料FT与滤色器CF和钝化层140中的保留的氢反应，以产生氢化合物。因此，通过氢吸收层180的无机材料FT与滤色器CF和钝化层140中的保留的氢反应获得的氢化合物可以包含在氢吸收层180中。例如，氢吸收层180不仅可以包括无机材料FT，还可以包括氢化合物。在氢吸收层180中产生的氢化合物可以通过由以下化学式1表示的反应形成。
[化学式1]
Me+(X/2)H2→MeHx
[化学式1]是解释氢吸收层180的无机材料FT与剩余的氢反应以产生氢化合物MeHx的过程的化学式。在这里，Me指的是金属。然而，不仅金属而且金属化合物或金属混合物也可以与化学式1中所示的氢反应以形成氢化合物。在实施方案中，氢化合物可以是一种或更多种金属卤化物，或者卤化物。
因此，当氢吸收层180的无机材料FT与滤色器CT和钝化层140中的残留氢反应以产生氢化合物时，产生或吸收能量。这种能量被称为氢吸附能(hydrogen adsorptionenergy)。
在这方面，在表1中，当温度为298K时，呈现根据金属类型的氢吸附能。在这方面，当氢吸附能为正时，意味着当吸附作为无机材料FT的金属和氢时，金属和氢发热并自发地反应。当氢吸附能为负时，意味着当吸附作为无机材料FT的金属和氢时，金属和氢吸收热量并且彼此非自发地反应。
[表1]
金属类型 氢吸附能[eV]
钒(V) -0.08
镍(Ni) 0.02
钯(Pd) 0.05
铜(Cu) -0.05
铁(Fe) -0.01
例如，这意味着氢吸附反应更自发地产生，因为氢吸附能较低，使得以钒(V)、铜(Cu)、铁(Fe)、镍(Ni)和钯(Pd)的顺序令人满意地发生与氢的吸附反应。
在表1中，呈现了在298K的温度下的氢吸附能。然而，工艺温度通常高于300K，因此氢吸附能可以低于表1中所述的氢吸附能。
例如，包括在氢吸收层180中的无机材料FT可以包括诸如钍(Th)、锆(Zr)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、镁(Mg)、镍(Ni)、锡(Sn)、铂(Pt)、铬(Cr)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钴(Co)、铁(Fe)、镧-镍(La-Ni)、镧-镍-铝(La-Ni-Al)、镍-镁(Ni-Mg)、铁-钛(Fe-Ti)和钛-锰(Ti-Mn)的金属中的一种或更多种，但不限于此。
除了无机材料FT之外，包括在氢吸收层180中的材料还可以是碳纳米管(CNT)和石墨烯中的至少一种，但不限于此。
包括在根据本公开的实施方案的发光显示装置中的半导体层131可以由氧化物半导体形成。氧化物半导体具有优异的迁移率和均匀性。半导体层可以由诸如作为四元金属氧化物的铟锡镓锌氧化物(InSnGaZnO)基材料、作为三元金属氧化物的铟镓锌氧化物(InGaZnO)基材料、铟锡锌氧化物(InSnZnO)基材料、铟铝锌氧化物(InAlZnO)基材料、锡镓锌氧化物(SnGaZnO)基材料、铝镓锌氧化物(AlGaZnO)基材料、锡铝锌氧化(SnAlZnO)基材料、作为双金属氧化物的铟锌氧化物(InZnO)基材料、锌锡氧化物(SnZnO)基材料、铝锌氧化物(AlZnO)基材料、锌镁氧化物(ZnMgO)基材料、锡镁氧化物(SnMgO)基材料、铟镁氧化物(InMgO)基材料、铟镓氧化物(InGaO)基材料，铟氧化物(InO)基材料、锡氧化物(SnO)基材料和锌氧化物(ZnO)基材料的氧化物半导体构成，但是各个元素的组成比例不受限制。
如上所述，当半导体层131是氧化物半导体时，包括在滤色器CF和钝化层140中的残留氢扩散到由氧化物半导体构成的半导体层131。因此，由氧化物半导体构成的半导体层131被还原，从而增加了电子的浓度。因此，在由氧化物半导体构成的半导体层131中，由于高电子浓度而可能形成非预期的漏电流可能流过的沟道，从而产生亮点。因此，根据本公开的实施方案的发光显示装置去除包括在滤色器CF和钝化层140中的残留氢，从而可以解决当半导体层131由氧化物半导体构成时引起的问题。例如，即使氢从滤色器CF和钝化层140扩散，扩散的氢也被氢吸收层180的无机材料FT吸收，使得氢不会影响由氧化物半导体构成的半导体层131。
此外，包括氢吸收层180或吸氢填料的密封件被配置成使得可以解决根据上基板的材料产生亮点的问题。
上基板119可以是金属、塑料膜和玻璃，但不限于此。例如，金属可以是铁-镍(Fe-Ni)，但不限于此。因此，即使上基板119的材料发生变化，由残留氢产生的诸如亮点的缺陷也会减少，从而可以提高上基板119的材料的自由度。
图2是用于解释根据本公开的一个实施方案的发光显示装置的薄膜晶体管的阈值电压的变化的曲线图。吸收氢的无机材料FT可以以相对于包括粘结剂层的氢吸收层180的总质量的0.08％至50％的质量百分比包括在内。例如，相对于图3的粘结剂层和氢吸收层的总质量，无机材料FT可以包括0.08％至50％的质量百分比。
例如，吸收氢吸收层180中包含的氢的无机材料FT的质量百分比可以是0.08％至50％。
在这方面，当吸收氢的无机材料FT的质量百分比低于0.08％时，薄膜晶体管130的阈值电压Vth相对于1V至-1V的正常范围具有负变化量，使得薄膜晶体管130不受控制，而总是导通从而导致在显示装置100中产生亮点。相反，当吸收氢的无机材料FT的质量百分比为0.08％或更高，则薄膜晶体管130的阈值电压Vth是正常范围的1V至-1V，从而薄膜晶体管130被正常控制并且在显示装置100中不产生亮点。
参照图2，例如，如比较例中所述，当吸收氢的无机材料FT的质量百分比低于0.08％时，薄膜晶体管130的阈值电压Vth为在1V至-1V的正常范围之外的-5.14V，使得薄膜晶体管130不受控制，而总是导通以在显示装置100中产生亮点。相反，根据实施例，当吸收氢的无机材料FT的质量百分比为0.08％时，薄膜晶体管130的阈值电压Vth为在正常范围内的1V，使得薄膜晶体管130被正常控制而在显示装置中不产生亮点。
当吸收氢的无机材料FT的质量百分比为50％或更高时，包括粘结剂层的氢吸收层180的粘合性降低，使得下基板110和与基板110相对的上基板119不稳定地接合。因此，机械可靠性可能降低。因此，相对于包括粘结剂层的氢吸收层180的总质量，吸收氢的无机材料FT可以以0.08％至50％的质量百分比被包含。
氢吸收层180中的无机材料FT可以使入射到氢吸收层180上的光透射。例如，对于入射到氢吸收层180上的光，氢吸收层180的透射率可以是50％或更高。例如，对于入射到氢吸收层180上的光，氢吸收层180的透射率可以是70％或更高。氢吸收层180的透光特性可以有利于确保顶部发光型发光显示装置中的透射率并改善发光效率。
此外，氢吸收层180还可以包括粘结剂层，以接合下基板110和与下基板110相对的上基板119。吸氢层和粘结剂层可以是密封件，但是不限于此术语。
在形成滤色器CF和钝化层140的过程中产生而保留在滤色器CF和钝化层140中的氢可以在发光显示装置100中移动。半导体层131吸收残留的氢以使薄膜晶体管130的特性降低。因此，在根据本公开的实施方案的发光显示装置100中，包括吸收氢的无机材料的氢吸收层180被设置成与发光二极管150的阴极153的上表面接触。因此，氢吸收层180与滤色器CF和钝化层140中的残留氢反应以形成氢化合物。因此，氢吸收层180吸收或吸附从钝化层140移动到薄膜晶体管130的残留氢。因此，发光显示装置100可以通过氢吸收层180抑制由于移动的残留氢导致的薄膜晶体管130的特性降低，减少斑点或亮点，并减少亮度不规则性。
在一些实施方案中，除了吸收氢的无机材料之外，氢吸收层180还可以包括吸气剂(getter)。吸气剂可以是吸收水分和气体的颗粒。
此外，在一些实施方案中，吸收氢的无机材料也可以包括在设置在薄膜晶体管130上的外涂层160和设置在外涂层160上的堤部170中。
吸收氢的无机材料也包括在外涂层160和堤部170中，使得包含在外涂层160和堤部170中的无机材料通过化学反应吸收氢或通过捕获无机材料之间的间隙中的氢来吸收氢。
因此，可以更有效地吸收从钝化层140移动到薄膜晶体管130的残留氢，从而可以有效地抑制由于移动的残留氢导致的薄膜晶体管130的特性降低。
图3是根据本公开另一实施方案的发光显示装置的一个子像素的示意性截面图。图3的发光显示装置200的氢吸收层283和粘结剂层281与图1B的发光显示装置100的不同，但是其他部件基本相同，因此将省略多余的描述。
参照图3，粘结剂层281共形地设置在第二钝化层142的外表面上。例如，粘结剂层281可以沿着第二钝化层142的上表面和侧面的形状形成。粘结剂层281不仅可以形成为覆盖第二钝化层142，还可以形成为覆盖第一钝化层141的一侧。
这里，粘结剂层281将下基板110和与下基板110相对的上基板119接合。因此，粘结剂层281可以包括粘结剂材料。例如，粘结剂层281可以由液体型或膜型粘结剂材料形成。例如，粘结剂层281可以由树脂、环氧树脂或丙烯酸材料形成，但不限于此。
氢吸收层283覆盖粘结剂层281的外表面，并且氢吸收层283的上表面可以形成为平坦的，同时与上基板119接触。
因此，氢吸收层283形成为与粘结剂层281分开并独立，使得可以改善与粘结剂层281接触的发光二极管150的阴极153的接触特性。因此，发光二极管150和粘结剂层281可以更持久地彼此接合，使得包含在氢吸收层283中的无机材料可以通过化学反应吸收氢或通过捕获无机材料之间的间隙中的氢来吸收氢。
因此，可以更有效地吸收从滤色器CF和钝化层140移动到薄膜晶体管130的残留氢，使得可以有效抑制由于移动的残留氢导致的薄膜晶体管130的特性降低。
图4是用于说明根据本公开的一个实施方案的制造发光显示装置的方法的流程图。在下文中，将主要参照图1A和图1B描述形成第一钝化层141、滤色器CF、第二钝化层142和氢吸收层180的工艺顺序。
首先，在步骤S310中，在下基板110上形成薄膜晶体管130。
参照图1B，在下基板110上形成半导体层131，在半导体层131和下基板110上形成栅极绝缘层120，在栅极绝缘层120上形成栅电极132，在半导体层131和栅极绝缘层120上形成源电极133和漏电极134，以形成薄膜晶体管130。
接着，在步骤S320中，在薄膜晶体管130上形成第一钝化层141。
通过使用硅烷和氨的化学气相沉积(CVD)方法形成第一钝化层141。因此，可以从在通过化学气相沉积方法形成第一钝化层141的过程中使用的硅烷和氨中产生氢。产生的氢可以扩散以包括在第一钝化层141中。
接下来，在步骤S330中，在第一钝化层141上形成滤色器CF。
为了形成滤色器CF，对红色滤色器CF、绿色滤色器CF和蓝色滤色器CF进行涂布处理、曝光处理、显影处理和后烘烤处理。在这些处理中，在后烘烤处理期间，对用于形成滤色器CF的颜料层进行加热，从而排出包含在颜料层中的包含氢的气体。尽管经过后烘烤处理，氢仍可能保留在滤色器CF中。
接着，在步骤S340中，依次在滤色器CF上形成阳极151，在阳极151上形成发光层152，并在发光层152上形成阴极153，以形成发光二极管150。
参照图1B，阳极151通过外涂层160中的接触孔电连接至漏电极134，堤部170形成为覆盖阳极151的两端的一部分，发光层152和阴极153设置在阳极151和堤部170上，以形成发光二极管150。
接下来，在步骤S350中，在发光二极管150上形成第二钝化层142。
还使用硅烷和氨通过化学气相沉积(CVD)方法形成第二钝化层142。因此，可以从在通过化学气相沉积方法形成第二钝化层142的过程中使用的硅烷和氨中产生氢。产生的氢可以扩散以包含在第二钝化层142中。可以省略第二钝化层142。
接下来，在步骤S360中，在第二钝化层142上形成氢吸收层180。
参照图1B，氢吸收层180形成为覆盖第二钝化层142的上表面和侧面。这里，氢吸收层180包括吸收氢的无机材料。当没有配置第二钝化层142时，氢吸收层180可以沿着发光二极管150的上表面和侧面设置。例如，氢吸收层180可以设置成与发光二极管150的阴极153的上表面接触。例如，氢吸收层180可以设置成与发光二极管150的阴极153的上表面和侧面接触。
可以通过对无机材料执行化学气相沉积方法、溅射方法或热蒸镀方法来形成氢吸收层180。具体地，如图1B所示，当氢吸收层180形成为与第二钝化层142的上表面接触时，可以通过对第二钝化层142的上表面上的无机材料执行化学气相沉积方法、溅射方法或热蒸镀方法来形成氢吸收层180。
在一些实施方案中，还可以通过将无机材料分散或掺入到有机材料中来形成氢吸收层180。例如，有机材料设置在第二钝化层142上，并且吸收氢的无机材料被分散或掺入到有机材料中以形成氢吸收层180。这里，有机材料可以是与用于发光层152的材料相同的材料。氢吸收层180可以形成为具有
Figure BDA0004098008480000201
或更小的厚度，例如，可以形成为具有50μm的厚度，但是不限于此。
在根据本公开的实施方案的制造发光显示装置的方法中，可以通过氢吸收层180有效地去除残留的氢而不使用额外的设备或成本，使得滤色器CF和钝化层140中的残留氢不影响薄膜晶体管130的迁移率。例如，使用化学气相沉积方法、溅射方法或热蒸镀方法形成氢吸收层180，使得发光显示装置100可以包括可以吸收滤色器CF和钝化层140中的残留氢的构造而没有过多额外成本。
本公开的实施方案还可以描述如下：
根据本公开的一个方面，一种发光显示装置包括：在薄膜晶体管上钝化层，所述钝化层包含氢；在钝化层上的发光二极管，发光二极管具有阳极、在阳极上的发光层和在发光层上的阴极；以及在发光二极管上的氢吸收层，氢吸收层包括质量百分比为0.08％至50％的无机材料。
根据一些实施方案，无机材料可以包括金属、包括金属的混合物和包含金属的化合物中的至少一种。
根据一些实施方案，金属可以包括以下中的一种或多种：碱金属、碱土金属、稀土金属、过渡金属和后过渡金属。
根据一些实施方案，金属可以包括钛(Ti)族金属。
根据一些实施方案，金属包括钍(Th)、锆(Zr)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、镁(Mg)、镍(Ni)、锡(Sn)、铂(Pt)、铬(Cr)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钴(Co)和铁(Fe)中的一种或多种。
根据一些实施方案，混合物可以包括以下中的一种或多种：镧-镍(La-Ni)、镧-镍-铝(La-Ni-Al)、镍-镁(Ni-Mg)、铁-钛(Fe-Ti)和钛-锰(Ti-Mn)。
根据一些实施方案，金属可以是直径小于100nm的颗粒。
根据一些实施方案，无机材料可以分散在氢吸收层中。
根据一些实施方案，氢吸收层可以与阴极接触并且还包括粘结剂材料。
根据一些实施方案，发光显示装置还可以包括与下基板相对的上基板，并且上基板和下基板使用氢吸收层附接。
根据一些实施方案，氢吸收层还可以包括吸气剂和氢化合物中的至少一种。
根据一些实施方案，发光显示装置还可以包括与下基板相对的上基板；以及被配置成将上基板和下基板附接的粘结剂层。
根据一些实施方案，发光显示装置还可以包括在薄膜晶体管上方的外涂层；和在外涂层上方的堤部，其中无机材料在外涂层和堤部中。
根据一些实施方案，堤部还可以与第一钝化层的上部接触并且形成为包围阳极的侧表面以及外涂层的侧表面。
根据一些实施方案，薄膜晶体管可以包括半导体层，并且半导体层由氧化物半导体或非晶半导体形成。
根据一些实施方案，阳极可以包括透明导电层或包括反射层和反射层上的透明导电层。
根据一些实施方案，发光显示装置还可以包括在发光二极管和氢吸收层之间的第二钝化层，第二钝化层包含氢。
根据一些实施方案，氢吸收层可以接触第二钝化层的上表面和侧表面。
根据一些实施方案，部分氢吸收层的下表面可以接触第一钝化层。
根据一些实施方案，发光显示装置还可以包括与发光二极管交叠的滤色器，滤色器包含氢。
根据一些实施方案，第一钝化层可以设置成覆盖薄膜晶体管的上表面和侧表面以保护薄膜晶体管免受来自发光显示装置外部的氧和水分的影响。
根据一些实施方案，对于入射至氢吸收层之上的光，氢吸收层的透射率可以是70％或更高。
根据一些实施方案，发光二极管可以设置在氢吸收层和第一钝化层之间。
根据本公开的另一方面，一种发光显示装置包括：下基板；下基板上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括氧化物半导体层；薄膜晶体管上的钝化层；薄膜晶体管和钝化层上的发光二极管，发光二极管包括阳极、阳极上的发光层和发光层上的阴极；以及发光二极管接触上的密封件，该密封件包括吸氢填料。
根据一些实施方案，吸氢填料可以分散在密封件中。
根据一些实施方案，吸氢填料包括以下中的一种或更多种：钍(Th)、锆(Zr)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、镁(Mg)、镍(Ni)、锡(Sn)、铂(Pt)、铬(Cr)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钴(Co)和铁(Fe)。
根据一些实施方案，吸氢填料包括以下中的一种或更多种：镧-镍(La-Ni)、镧-镍-铝(La-Ni-Al)、镍-镁(Ni-Mg)、铁-钛(Fe-Ti)和钛锰(Ti-Mn)。
根据一些实施方案，密封件覆盖发光二极管的侧表面。
根据一些实施方案，发光显示装置还可以包括在发光二极管的发光区域中的钝化层上的滤色器。
根据一些实施方案，密封件对于入射至密封件上的光的透射率可以是70％或更高。
根据一些实施方案，发光显示装置还可以包括在薄膜晶体管以及钝化层上的外涂层，密封件以及钝化层可以围绕发光二极管和外涂层。
根据一些实施方案，发光显示装置还可以包括在薄膜晶体管以及钝化层上的外涂层，密封件可以在发光二极管和外涂层的外部处接触钝化层。
根据本公开的另一方面，一种发光显示装置包括：下基板，其包括薄膜晶体管和发光二极管；下基板上的上基板；位于下基板和上基板之间的粘结剂层，粘结剂层位于薄膜晶体管上；以及粘结剂层和上基板之间的密封件，该密封件包括与粘结剂层接触的吸氢填料。
根据一些实施方案，对于入射至密封件上的光，密封件的透射率可以是70％或更高。
根据一些实施方案，吸氢填料可以包括以下中的一种或更多种：钍(Th)、锆(Zr)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、镁(Mg)、镍(Ni)、锡(Sn)、铂(Pt)、铬(Cr)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钴(Co)和铁(Fe)。
根据一些实施方案，吸氢填料包括以下中的一种或更多种：镧-镍(La-Ni)、镧-镍-铝(La-Ni-Al)、镍-镁(Ni-Mg)、铁-钛(Fe-Ti)和钛-锰(Ti-Mn)。
根据本公开的另一方面，一种制造发光显示装置的方法包括：在下基板上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成钝化层；在钝化层上形成包括阳极、发光层和阴极的发光二极管；以及在发光二极管上形成具有无机材料的氢吸收层。
根据一些实施方案，氢吸收层的形成可以包括执行无机材料的化学气相沉积方法、溅射方法或热蒸镀方法。
根据一些实施方案，氢吸收层的形成可以包括：将有机材料设置发光二极管上，以及将无机材料分散或掺入在有机材料中。
根据一些实施方案，在形成第一钝化层之后，在第一钝化层上形成滤色器。
根据一些实施方案，该方法还可以包括在形成发光二极管之后，形成第二钝化层以覆盖发光二极管的外表面。
尽管已经参考附图详细描述了本公开的实施方案，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开的实施方案仅用于说明性目的，而不旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应该理解，上述实施方案在所有方面都是说明性的，并不限制本公开。本公开的保护范围应基于以下权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术构思应被解释为落入本公开的范围内。

Claims (25)

1.一种发光显示装置，包括：
下基板；
在所述下基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有栅电极、源电极、漏电极和半导体层；
在所述薄膜晶体管上的第一钝化层；以及
在所述第一钝化层上的发光二极管，所述发光二极管具有阳极、在所述阳极上的发光层、和在所述发光层上的阴极，以及
其中所述半导体层由氧化物半导体形成。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括设置在所述半导体层和所述下基板上的栅极绝缘层，
其中所述半导体层设置在所述下基板上，
其中所述栅电极设置在所述栅极绝缘层上，
其中所述源电极和所述漏电极设置在所述半导体层和所述栅极绝缘层上，并且与所述半导体层接触，以与所述半导体层电连接。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置，
其中所述氧化物半导体包含以下中的至少一者：铟锡镓锌氧化物(InSnGaZnO)基材料、铟镓锌氧化物(InGaZnO)基材料、铟锡锌氧化物(InSnZnO)基材料、铟铝锌氧化物(InAlZnO)基材料、锡镓锌氧化物(SnGaZnO)基材料、铝镓锌氧化物(AlGaZnO)基材料、锡铝锌氧化(SnAlZnO)基材料、铟锌氧化物(InZnO)基材料、锡锌氧化物(SnZnO)基材料、铝锌氧化物(AlZnO)基材料、锌镁氧化物(ZnMgO)基材料、锡镁氧化物(SnMgO)基材料、铟镁氧化物(InMgO)基材料、铟镓氧化物(InGaO)基材料、铟氧化物(InO)基材料、锡氧化物(SnO)基材料和锌氧化物(ZnO)基材料。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括：
在所述发光二极管上的氢吸收层，所述氢吸收层包含质量百分比为0.08％至50％的无机材料；以及
其中所述无机材料分散在所述氢吸收层中。
5.根据权利要求4所述的发光显示装置，还包括：
与所述下基板相对的上基板；以及
在所述下基板上的侧密封构件，
其中所述侧密封构件接触所述第一钝化层的上表面、所述氢吸收层的一侧和所述上基板的一侧。
6.根据权利要求4所述的发光显示装置，
其中所述无机材料包括金属、包含所述金属的混合物、和包含所述金属的化合物中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的发光显示装置，
其中所述金属包括以下中的一种或更多种：碱金属、碱土金属、稀土金属、过渡金属和后过渡金属。
8.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中所述金属包括钛(Ti)族金属。
9.根据权利要求6所述的发光显示装置，
其中所述金属包括以下中的一种或更多种：钍(Th)、锆(Zr)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、镁(Mg)、镍(Ni)、锡(Sn)、铂(Pt)、铬(Cr)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、钴(Co)和铁(Fe)。
10.根据权利要求6所述的发光显示装置，
其中所述混合物包括镧-镍(La-Ni)、镧-镍-铝(La-Ni-Al)、镍-镁(Ni-Mg)、铁-钛(Fe-Ti)和钛-锰(Ti-Mn)中的一种或更多种。
11.根据权利要求6所述的发光显示装置，
其中所述金属是直径小于100nm的颗粒。
12.根据权利要求4所述的发光显示装置，
其中所述氢吸收层与所述阴极接触并且还包含粘结剂材料。
13.根据权利要求12所述的发光显示装置，
其中所述上基板和所述下基板通过所述氢吸收层附接。
14.根据权利要求4所述的发光显示装置，
其中所述氢吸收层还包括吸气剂和氢化合物中的至少一种。
15.根据权利要求4所述的发光显示装置，还包括被配置成将所述上基板和所述下基板附接的粘结剂层。
16.根据权利要求4所述的发光显示装置，还包括：
在所述薄膜晶体管上的外涂层；以及
在所述外涂层上的堤部，
其中所述无机材料还包含在所述外涂层和所述堤部中。
17.根据权利要求16所述的发光显示装置，
其中所述堤部与所述第一钝化层的上部接触并且形成为包围所述阳极的侧表面以及所述外涂层的侧表面。
18.根据权利要求1所述的发光显示装置，
其中所述阳极包括透明导电层，或包括反射层和在所述反射层上的透明导电层。
19.根据权利要求4所述的发光显示装置，还包括：
在所述发光二极管与所述氢吸收层之间的第二钝化层。
20.根据权利要求19所述的发光显示装置，
其中所述氢吸收层与所述第二钝化层的上表面和侧表面接触。
21.根据权利要求4或权利要求20所述的发光显示装置，其中所述氢吸收层的下表面的一部分与所述第一钝化层接触。
22.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括与所述发光二极管交叠的滤色器。
23.根据权利要求1所述的发光显示装置，
其中所述第一钝化层被设置成覆盖所述薄膜晶体管的上表面和侧表面，以保护所述薄膜晶体管免受来自所述发光显示装置外部的氧或水分的影响。
24.根据权利要求4所述的发光显示装置，其中对于入射到所述氢吸收层上的光，所述氢吸收层的透射率为70％或更高。
25.根据权利要求4所述的发光显示装置，
其中所述发光二极管设置在所述氢吸收层与所述第一钝化层之间。
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