DE102012214817A1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung - Google Patents
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Abstract
Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung enthält einen Waferschleifschritt mittels eines rotierenden Schleifsteins (24), in dem in einem Wafer (10) ein verdünnter Abschnitt (26) ausgebildet wird, während gleichzeitig eine Steigung (25) ausgebildet wird, die den verdünnten Abschnitt (26) umgibt, wobei der Schleifstein (24) während der Ausbildung der Steigung (25) in der Weise positioniert wird, dass es zwischen der Steigung (25) und der ihr zugewandten Seite des Schleifsteins (24) stets einen Zwischenraum gibt, wobei der verdünnte Abschnitt (26) dünner als ein Umfangsabschnitt (32) des Wafers (10) ist und wobei die Steigung (25) entlang einer Innenumfangsseite des Umfangsabschnitts (32) verläuft und sie definiert und gegen eine Hauptoberfläche des Wafers (10) einen Winkel von wenigstens 75°, aber kleiner als 90° bildet. Ferner enthält das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung einen Schritt des Ausbildens einer Halbleitervorrichtung in dem verdünnten Abschnitt (26).
Description
- Die Erfindung betrifft das Gebiet der Halbleitervorrichtungen und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die z. B. für die Steuerung von Industrie- und Fahrzeugmotoren usw. verwendet wird.
-
JP2009-279661 - Das Abschleifen eines Wafers unter Verwendung eines Schleifsteins führt zur Entstehung von Schliff oder Spänen. Falls sich der Schliff zwischen dem Schleifstein und dem Wafer verfängt und die Schleifoperation dennoch fortgeführt wird, können in dem Wafer örtliche Risse entstehen. Solche Risse werden als ”Abplatzungen” bezeichnet. Von diesen Abplatzungen ausgehend können sich Risse ausbreiten, was zum Bruch des Wafers führen kann, während Chemikalienlösung usw. wegen der darin gebildeten Abplatzungen auf der Waferoberfläche eingeschlossen werden können.
- Die Erfindung soll die obigen Probleme lösen. Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung zu schaffen, mit dem ein Wafer abgeschliffen werden kann, während die Ausbildung von Abplatzungen in dem Wafer verhindert wird.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1. Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
- Die Merkmale und Vorteile der Erfindung können wie folgt zusammengefasst werden.
- In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung einen Waferschleifschritt mittels eines rotierenden Schleifsteins, in dem in einem Wafer ein verdünnter Abschnitt ausgebildet wird, während gleichzeitig eine Steigung ausgebildet wird, die den verdünnten Abschnitt umgibt, wobei der Schleifstein während der Ausbildung der Steigung in der Weise positioniert wird, dass es zwischen der Steigung und der ihr zugewandten Seite des Schleifsteins stets einen Zwischenraum gibt, wobei der verdünnte Abschnitt dünner als ein Umfangsabschnitt des Wafers ist und wobei die Steigung entlang einer Innenumfangsseite des Umfangsabschnitts verläuft und sie definiert und gegen eine Hauptoberfläche des Wafers einen Winkel von wenigstens 75°, aber kleiner als 90° bildet, und einen Schritt des Ausbildens einer Halbleitervorrichtung in dem verdünnten Abschnitt.
- Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
-
1 eine Querschnittsansicht eines Wafers, bevor er dem Abschleifen ausgesetzt wird; -
2 ein Diagramm des an dem Tisch der Waferschleifvorrichtung befestigten Wafers; -
3 eine perspektivische Ansicht des Schleifsteins aus2 , schräg von unten gesehen; -
4 ein Diagramm der Art und Weise, in der der Wafer durch die Waferschleifvorrichtung abgeschliffen wird; -
5 eine Querschnittsansicht des Wafers, nachdem er dem Schleifprozess ausgesetzt worden ist; -
6 eine Draufsicht der Ansicht von5 ; -
7 eine Querschnittsansicht der auf dem verdünnten Abschnitt ausgebildeten Halbleitervorrichtungen; -
8 eine Querschnittsansicht eines herkömmlichen Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, das zu Vergleichszwecken dargestellt ist; -
9 eine Querschnittsansicht des Wafers, nachdem er durch das obige herkömmliche Vergleichsverfahren abgeschliffen und daraufhin verarbeitet worden ist; -
10 eine Draufsicht der Ansicht aus9 ; und -
11 eine graphische Darstellung der Abhängigkeit der Anzahl der Abplatzungen, der Anzahl der Flecke und der Dickenschwankung des verdünnten Abschnitts in Abhängigkeit von dem Winkel θ der Steigung gegen die Hauptoberfläche des Wafers. - Anhand der Zeichnung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der Erfindung beschrieben.
1 ist eine Querschnittsansicht eines Wafers10 , bevor er dem Abschleifen ausgesetzt wird. Der Wafer10 besteht aus Silicium und wird z. B. durch das FZ-Verfahren ausgebildet. Der Wafer10 weist eine untere Oberfläche10a und eine obere Oberfläche10b auf. (Es wird angemerkt, dass der Wafer10 in1 in einer umgekehrten Lage gezeigt ist.) Halbleitervorrichtungsstrukturen wie etwa z. B. Transistoren und Verdrahtungsstrukturen werden in der oberen Oberfläche10b ausgebildet. Daraufhin wird der Wafer10 in der Weise gehalten, dass die untere Oberfläche10a nach oben weist, wobei auf der oberen Oberfläche10b des Wafers10 ein Schutzband12 befestigt wird. - Daraufhin wird der Wafer
10 auf dem Tisch einer Waferschleifvorrichtung befestigt.2 zeigt den auf dem Tisch20 der Waferschleifvorrichtung befestigten Wafer. Das Befestigen des Wafers10 an dem Tisch20 erfolgt durch Befestigen des Schutzbands12 an dem Tisch20 mittels Ansaugen. Die Waferschleifvorrichtung wird über dem Tisch20 mit einer Schleifscheibe22 und mit einem an dieser befestigten Schleifstein24 bereitgestellt. Im Folgenden wird die Form des Schleifsteins24 beschrieben.3 ist eine perspektivische Ansicht des Schleifsteins aus2 , schräg von unten gesehen. Der Schleifstein24 ist insgesamt ringförmig. Der Schleifstein24 weist einen Kantenabschnitt24a und eine untere Oberfläche24b auf. - Nachfolgend wird ein Schleifprozess ausgeführt.
4 zeigt die Art und Weise, in der der Wafer durch die Waferschleifvorrichtung abgeschliffen wird. In diesem Schleifprozess wird z. B. der Tisch20 in der in4 gezeigten Richtung gedreht, während die Schleifscheibe22 mit dem Schleifstein24 daran in der entgegengesetzten Richtung gedreht wird. Daraufhin wird der Schleifstein24 mit dem Wafer10 in Kontakt gebracht, um den Wafer10 abzuschleifen. Der Schleifstein24 wechselt zwischen einer Bewegung parallel zu der in4 gezeigten xy-Ebene und einer Bewegung in der z-Richtung. Durch dieses Abschleifen werden in dem Wafer10 eine Steigung25 und ein verdünnter Abschnitt26 ausgebildet. Es wird angemerkt, dass der Tisch20 und der Schleifstein24 nicht notwendig in entgegengesetzten Richtungen gedreht zu werden brauchen. - Die Steigung
25 wird in der Weise ausgebildet, dass sie entlang der Innenumfangsseite des Umfangsabschnitts des Wafers10 verläuft und diese definiert, wobei sie gegen die Hauptoberfläche (d. h. die untere Oberfläche10a ) des Wafers einen Winkel von wenigstens 75°, jedoch kleiner als 90°, bildet. In dem in4 gezeigten Beispiel bildet die Steigung25 mit der Hauptoberfläche des Wafers10 einen Winkel von 80°. In diesem Schleifprozess wird die Steigung25 dadurch ausgebildet, dass der Schleifstein24 in Dickenrichtung des Wafers10 allmählich in der Weise bewegt wird, dass es zwischen der Steigung25 und der ihr zugewandten Seite des Schleifsteins24 stets einen Zwischenraum gibt. Die Steigung25 wird hauptsächlich unter Verwendung des Kantenabschnitts24a des Schleifsteins24 ausgebildet. Es wird angemerkt, dass4 die Art und Weise zeigt, in der der durch die Schleifoperation erzeugte Schliff29 durch den oben beschriebenen Zwischenraum ausgestoßen wird. - Der verdünnte Abschnitt
26 ist von der Steigung25 umgeben und dünner als der Umfangsabschnitt des Wafers10 ausgebildet. Der verdünnte Abschnitt26 wird hauptsächlich dadurch ausgebildet, dass die untere Oberfläche24b des Schleifsteins24 mit dem Wafer in Kontakt gebracht wird. Die Oberfläche des verdünnten Abschnitts26 ist flach. Der verdünnte Abschnitt26 weist z. B. eine Dicke von näherungsweise 60 μm auf. -
5 ist eine Querschnittsansicht des Wafers, nachdem er dem Schleifprozess ausgesetzt gewesen ist. Der zentrale Abschnitt30 des Wafers10 weist die Steigung25 und den darin ausgebildeten verdünnten Abschnitt26 auf. Der zentrale Abschnitt30 des Wafers ist von dem nicht abgeschliffenen Umfangsabschnitt32 des Wafers umgeben. Der nicht abgeschliffene Umfangsabschnitt32 wird als eine Stegstruktur bezeichnet.6 ist eine Draufsicht der Ansicht aus5 . Der Umfangsabschnitt32 ist ringförmig und verläuft entlang des Umfangs des Wafers10 . - Daraufhin wird nass oder trocken geätzt, um Verarbeitungsflecke in dem Wafer, die während des Schleifprozesses eingeführt worden sind, zu entfernen. Ferner wird zu einem geeigneten Zeitpunkt das Schutzband
12 entfernt. Daraufhin werden auf dem verdünnten Abschnitt Halbleitervorrichtungen ausgebildet.7 ist eine Querschnittsansicht der auf dem verdünnten Abschnitt ausgebildeten Halbleitervorrichtungen. Da auf der oberen Oberfläche10b des Wafers10 wie oben beschrieben bereits Halbleitervorrichtungsstrukturen ausgebildet worden sind, wird in diesem Prozess hauptsächlich nur die untere Oberfläche10a des verdünnten Abschnitts26 der notwendigen Verarbeitung zum Ausbilden der Halbleitervorrichtungen ausgesetzt. Genauer enthält dieser Prozess einen Photolithographieschritt, einen Ionenimplantationsschritt, einen Schritt der thermischen Diffusion, einen Dünnschicht-Ausbildungsprozess wie etwa Zerstäuben und einen Ätzprozess. Ferner werden in diesem Halbleitervorrichtungs-Ausbildungsprozess auf der oberen Oberfläche10b des verdünnten Abschnitts26 eine erste Elektrode27 und auf der unteren Oberfläche10a eine zweite Elektrode28 ausgebildet. In Fällen, in denen die Halbleitervorrichtungen IGBTs sind, ist die erste Elektrode27 die Emitterelektrode und ist die zweite Elektrode28 die Kollektorelektrode. Die Querschnittsansicht aus7 zeigt 6 Halbleitervorrichtungen D1 bis D6, die auf dem verdünnten Abschnitt26 ausgebildet worden sind. - Bevor die Vorteile der Erfindung beschrieben werden, ist die folgende Beschreibung auf ein Vergleichsbeispiel gerichtet.
8 ist eine Querschnittsansicht eines herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, das zu Vergleichszwecken dargestellt ist. In diesem Verfahren wird der Wafer40 in der Weise abgeschliffen, dass die Innenumfangsseite44a des Umfangsabschnitts44 des Wafers40 senkrecht zu der Hauptoberfläche40a des Wafers40 ist. Das heißt, die Innenumfangsseite44a des Umfangsabschnitts44 bildet mit der Hauptoberfläche40a des Wafers einen Winkel von 90°. In diesem Fall verfängt sich der Schliff29 zwischen der Innenumfangsseite44a und dem Schleifstein24 , was zur Ausbildung von Abplatzungen auf der Innenumfangsseite44a führt. Nach Abschluss dieses Schleifprozesses werden durch denselben Halbleitervorrichtungs-Ausbildungsprozess, wie er oben in Verbindung mit der vorliegenden Ausführungsform beschrieben wurde, Halbleitervorrichtungen ausgebildet. -
9 ist eine Querschnittsansicht des Wafers, nachdem er durch das obige herkömmliche Vergleichsverfahren abgeschliffen und daraufhin verarbeitet worden ist.10 ist eine Draufsicht der Ansicht aus9 . Wie gezeigt ist, weist die Innenumfangsseite44a mehrere Abplatzungen50 auf. Somit können sich bei der Handhabung des Wafers40 von den Abplatzungen50 ausgehende Risse ausbilden, die zum Bruch des Wafers40 führen können. Wie in9 ferner gezeigt ist, befinden sich auf dem verdünnten Abschnitt42 Flecke52 . Diese Flecke52 sind Reste der Chemikalienlösung, des Photoresists, der Entwicklungslösung usw., die bei der Nass- und Photolithographieverarbeitung nach dem Waferschleifprozess verwendet wurden. Die Flecke52 sind in Abplatzungen eingeschlossen und haften an dem verdünnten Abschnitt42 ; d. h., sie konnten auch durch Trockenschleudern nicht entfernt werden. Falls auf einem Abschnitt des verdünnten Abschnitts42 mit einem Fleck52 eine Elektrode ausgebildet wird, wirkt dieser Fleck52 als eine resistive Schicht, die zu Änderungen der Eigenschaften der Halbleitervorrichtungen führt. - Dagegen ermöglicht das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform, einen zentralen Abschnitt eines Wafers abzuschleifen, während die Ausbildung von Abplatzungen in dem Wafer verhindert wird. Unter Rückbezug auf
4 , die den von diesem Herstellungsverfahren verwendeten Waferschleifprozess zeigt, wird die Steigung25 genauer dadurch ausgebildet, dass der Schleifstein24 allmählich in der Weise in der Dickenrichtung des Wafers10 bewegt wird, dass es zwischen der Steigung25 und der ihr zugewandten Seite des Schleifsteins24 stets einen Zwischenraum gibt. Im Ergebnis wird durch die Schleifoperation erzeugter Schliff29 durch den Zwischenraum ausgestoßen, wodurch die Ausbildung von Abplatzungen in dem Wafer verhindert werden kann. - Genauer wird der Wafer in der Weise abgeschliffen, dass die Steigung
25 gegen die Hauptoberfläche des Wafers einen Winkel von wenigstens 75°, jedoch kleiner als 90° bildet. Infolge der Steigung25 wird der durch die Drehbewegung des Schleifsteins weggeschleuderte Schliff29 durch den obenerwähnten Zwischenraum leicht ausgestoßen. Ferner ist in der vorliegenden Ausführungsform während des Schleifprozesses hauptsächlich nur der Kantenabschnitt24a des Schleifsteins24 mit der Steigung25 in Kontakt. Somit kann der Schliff29 in der vorliegenden Ausführungsform im Vergleich zu dem obigen Vergleichsbeispiel, in dem der Schleifstein24 mit der Innenumfangsseite44a in Oberflächenkontakt gebracht wird, leicht nach außen ausgestoßen werden. - Im Folgenden ist die Wirkung der Tatsache beschrieben, dass die Steigung
25 gegen die Hauptoberfläche des Wafers10 einen Winkel von 75°, jedoch kleiner als 90°, bildet.11 ist eine graphische Darstellung der Abhängigkeit der Anzahl der Abplatzungen, der Anzahl der Flecke und der Dickenschwankung des verdünnten Abschnitts in Abhängigkeit von dem Winkel θ der Steigung25 gegen die Hauptoberfläche des Wafers. Die für diese graphische Darstellung erhobenen Daten wurden von einer Waferprobe erhalten, in der der verdünnte Abschnitt bis auf eine Dicke von 50 μm abgeschliffen worden ist. Die Anzahlen der Abplatzungen und der Flecke nehmen schnell zu, während sich θ 90° annähert. Es wird davon ausgegangen, dass das daran liegt, dass der Schliff wie im Fall des Vergleichsbeispiels schwer auszustoßen ist, wenn θ im Wesentlichen 90° beträgt. Da der Winkel θ der Steigung25 in dem Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren der vorliegenden Ausführungsform kleiner als 90° ist, kann der Schliff29 entlang der Steigung25 ausgestoßen werden, wodurch die Anzahlen des Schliffs und der Flecke verringert werden können. - Da im Fall von Halbleitervorrichtungen wie etwa IGBTs und MOSFETs in der Dickenrichtung des verdünnten Abschnitts ein Strom fließt, führt eine Dickenschwankung des verdünnten Abschnitts zu einer Schwankung der Eigenschaften der Halbleitervorrichtung. Somit ist es erwünscht, die Dickenschwankung des verdünnten Abschnitts zu minimieren. Anhand von
11 nimmt die Dickenschwankung des verdünnten Abschnitts zu, wenn θ kleiner als 75° ist. In dem Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren der vorliegenden Ausführungsform wird die Steigung25 in der Weise ausgebildet, dass θ wenigstens 75° beträgt, d. h., dass die Dickenschwankung des verdünnten Abschnitts verhältnismäßig klein ist. Es wird davon ausgegangen, dass die Tatsache, dass die Dickenschwankung des verdünnten Abschnitts zunimmt, wenn der Winkel θ der Steigung25 kleiner als 75° ist, folgende Ursache hat: Um eine solche Steigung auszubilden, muss der Schleifstein über eine erhöhte Entfernung in einer Richtung parallel zu der Hauptoberfläche des Wafers bewegt werden. Dies führt zu einem verringerten Grad an Parallelität zwischen dem Schleifstein und der Hauptoberfläche des Wafers und somit zu einer erhöhten Dickenschwankung des verdünnten Abschnitts. - An dem Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren der vorliegenden Ausführungsform können verschiedene Änderungen vorgenommen werden, ohne von den Merkmalen der Erfindung abzuweichen.
- In Übereinstimmung mit der Erfindung wird der Schliff während des Abschleifens eines Wafers nach außen ausgestoßen, wodurch die Ausbildung von Abplatzungen in dem Wafer verhindert werden kann.
- Die gesamte Offenbarung der
JP2011-184441 - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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- Zitierte Patentliteratur
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- JP 2009-279661 [0002]
- JP 2011-184441 [0035]
Claims (3)
- Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren umfasst: einen Waferschleifschritt mittels eines rotierenden Schleifsteins (
24 ), in dem in einem Wafer (10 ) ein verdünnter Abschnitt (26 ) ausgebildet wird, während gleichzeitig eine Steigung (25 ) ausgebildet wird, die den verdünnten Abschnitt (26 ) umgibt, wobei der Schleifstein (24 ) während der Ausbildung der Steigung (25 ) in der Weise positioniert wird, dass es zwischen der Steigung (25 ) und der ihr zugewandten Seite des Schleifsteins (24 ) stets einen Zwischenraum gibt, wobei der verdünnte Abschnitt (26 ) dünner als ein Umfangsabschnitt (32 ) des Wafers (10 ) ist und wobei die Steigung (25 ) entlang einer Innenumfangsseite des Umfangsabschnitts (32 ) verläuft und sie definiert und gegen eine Hauptoberfläche des Wafers (10 ) einen Winkel von wenigstens 75°, aber kleiner als 90° bildet; und einen Schritt des Ausbildens einer Halbleitervorrichtung in dem verdünnten Abschnitt (26 ). - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Ausbildens der Halbleitervorrichtung einen Photolithographieprozess, einen Ionenimplantationsprozess, einen Prozess der thermischen Diffusion, einen Dünnschicht-Ausbildungsprozess oder einen Ätzprozess enthält.
- Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Ausbildens der Halbleitervorrichtung das Ausbilden einer ersten Elektrode (
27 ) auf einer oberen Oberfläche (10b ) des verdünnten Abschnitts (26 ) und einer zweiten Elektrode (28 ) auf einer unteren Oberfläche (10a ) des verdünnten Abschnitts (26 ) enthält.
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