DE102012207155B4 - Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Halbleiter-Schaltelements - Google Patents

Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Halbleiter-Schaltelements Download PDF

Info

Publication number
DE102012207155B4
DE102012207155B4 DE201210207155 DE102012207155A DE102012207155B4 DE 102012207155 B4 DE102012207155 B4 DE 102012207155B4 DE 201210207155 DE201210207155 DE 201210207155 DE 102012207155 A DE102012207155 A DE 102012207155A DE 102012207155 B4 DE102012207155 B4 DE 102012207155B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit arrangement
electrode
pulse generator
capacitor
bias capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE201210207155
Other languages
English (en)
Other versions
DE102012207155A1 (de
Inventor
Matthias Ridder
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vitesco Technologies Germany GmbH
Original Assignee
Conti Temic Microelectronic GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Conti Temic Microelectronic GmbH filed Critical Conti Temic Microelectronic GmbH
Priority to DE201210207155 priority Critical patent/DE102012207155B4/de
Priority to PCT/EP2013/058371 priority patent/WO2013164222A1/de
Priority to US14/397,732 priority patent/US9496862B2/en
Priority to CN201380022790.7A priority patent/CN104620504B/zh
Publication of DE102012207155A1 publication Critical patent/DE102012207155A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102012207155B4 publication Critical patent/DE102012207155B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching
    • H03K17/0406Modifications for accelerating switching in composite switches
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
    • H02M7/04Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/12Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/21Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/217Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0412Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/04123Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0416Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
    • H03K17/04163Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in field-effect transistor switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/06Modifications for ensuring a fully conducting state
    • H03K17/063Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/689Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • H03K17/691Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/06Modifications for ensuring a fully conducting state
    • H03K2017/066Maximizing the OFF-resistance instead of minimizing the ON-resistance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)

Abstract

Offenbart wird eine Schaltungsanordnung (1) zum Ansteuern eines ersten spannungsgesteuerten Halbleiter-Schaltelements (2, 2') mit einer ersten Elektrode (3), einer zweiten Elektrode (4) und einer Steuerelektrode (5). Die Schaltungsanordnung (1) weist einen Pulsgenerator auf, der zum Erzeugen von unipolaren Steuerspannungs-Eingangssignalen (7, 7') zum Ansteuern des ersten Halbleiter-Schaltelements (2, 2') ausgebildet ist. Zudem weist die Schaltungsanordnung (1) einen Vorspannungskondensator (8) auf, wobei der Vorspannungskondensator (8) mit dem Pulsgenerator derart elektrisch verbunden ist, dass mittels des Vorspannungskondensators (8) eine Amplitude eines an die Steuerelektrode (5) anlegbaren Ausschaltspannungssignals veränderbar ist. Weiterhin weist die Schaltungsanordnung (1) einen ersten elektrischen Widerstand (9) auf. Der erste elektrische Widerstand (9) und der Vorspannungskondensator (8) sind in einem elektrischen Pfad zwischen einem ersten Anschluss (10) des Pulsgenerators und einem zweiten Anschluss (11) des Pulsgenerators elektrisch in Reihe geschaltet. Die Steuerelektrode (5) ist mit einem ersten Anschluss (12) des Vorspannungskondensators (8) und einem ersten Anschluss (13) des ersten elektrischen Widerstands (9) elektrisch verbunden. Ferner ist die erste Elektrode (3) mit einem zweiten Anschluss (14) des Vorspannungskondensators (8) und einem zweiten Anschluss (15) des ersten elektrischen Widerstands (9) elektrisch verbunden.

Description

  • Die Anmeldung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines ersten spannungsgesteuerten Halbleiter-Schaltelements sowie eine Brückenschaltung und einen DC/DC-Wandler mit einer derartigen Schaltungsanordnung.
  • Aus der DE 697 20 176 T2 ist eine Stromversorgungsschaltung mit einer Stromquelle, einem Leistungstransformator, dessen Sekundärseite mit einer von der Stromversorgungsschaltung zu versorgenden Schaltungsanordnung verbunden ist, und einem spannungsgesteuerten Schaltelement mit einem Steueranschluss bekannt. Ferner beinhaltet die Stromversorgungsschaltung einen mit dem Schaltelement in Reihe geschalteten LC-Schwingkreis, dessen Induktivität die erste Wicklung des Leistungstransformators bildet, eine Rückkopplungswicklung zur Zuführung einer einem hochfrequenten Strom des LC-Schwingkreises entsprechenden Rückkopplungsspannung zum Steueranschluss des Schaltelements und eine der Reihenschaltung des LC-Schwingkreises und des Schaltelements parallel geschaltete Vorspannungsschaltung, die mit der Rückkopplungswicklung verbunden ist, um dem Steueranschluss über die Rückkopplungswicklung eine Vorspannung zuzuführen. Weiterhin weist die Stromversorgungsschaltung eine Vorspannungssteuerschaltung zur Steuerung der Vorspannung, die zwischen die Vorspannungsschaltung und die Reihenschaltung des LC-Schwingkreises mit dem Schaltelement geschaltet ist, und einen mit dem Steueranschluss des Schaltelements verbundenen Widerstand auf, wobei die Vorspannung und die Rückkopplungsspannung dem Steueranschluss des Schaltelements über den Widerstand zugeführt werden, und wobei der Widerstand zur Verzögerung der Rückkopplungsspannung um eine vorgegebene Zeitdauer ausgewählt ist.
  • Die Druckschrift DE 10 2005 029 353 A1 beschreibt eine Steuerschaltung für spannungsgesteuerte Halbleiterschalter mit einer Ansteuerschaltung, die pulsweitenmodulierte Steuersignale zum Ansteuern der Halbleiterschalter bereitstellt. Die Steuerschaltung umfasst ferner einen Kondensator, der zwischen der Ansteuerschaltung und dem Steueranschluss eines Halbleiterschalters seriell geschaltet ist. Außerdem ist ein elektrischer Widerstand zwischen zwei Anschlüssen der Ansteuerschaltung und parallel zu der Gate-Source-Strecke des Halbleiterschalters vorgesehen, über den der Kondensator in einem Einschaltvorgang des Halbleiterschalters aufgeladen bzw. in einem Ausschaltvorgang des Halbleiterschalters entladen wird. Dabei ist die Auflade- bzw. Entladedauer des Kondensators durch die Zeitkonstante des aus diesem Kondensator und dem elektrischen Widerstand bestehenden RC-Gliedes bestimmt.
  • Ist die Ein- und Ausschaltdauer der pulsweitenmodulierten Steuersignale kürzer als die Auflade- bzw. Entladedauer des Kondensators, so kann dieser nicht mehr bis auf eine gewünschte Ladespannung geladen werden, die erforderlich ist, um den unerwünschten Spannungseintrag an dem Steueranschluss also dem Gateanschluss des Halbleiterschalters aufgrund der Miller-Kapazität in der Drain-Gate- bzw. Gate-Source-Strecke zu kompensieren.
  • Die Druckschrift DE 44 41 492 A1 beschreibt eine Treiberschaltung zur Ansteuerung von zwei spannungesteuerten Halbleiterventilen, die jeweils einen Kondensator als Gleichspannungsquelle für die jeweiligen Halbleiterventile aufweist. Dabei sind die beiden Kondensatoren jeweils zwischen einem Ansteuerübertrager und dem Gateanschluss der jeweiligen Halbleiterventile angeordnet. Ferner weist die Treiberschaltung jeweils einen elektrischen Widerstand parallel zur Gate-Source-Strecke der jeweiligen Halbleiterventile auf. Außerdem sind zwei zusätzliche Kondensatoren zum Stabilisieren des Gateanschlusses der jeweiligen Halbleiterventile vorgesehen, die jeweils parallel zu dem jeweiligen elektrischen Widerstand geschaltet sind.
  • Aufgabe der Anmeldung ist es, eine Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines ersten spannungsgesteuerten Halbleiter-Schaltelements sowie eine Brückenschaltung und einen DC/DC-Wandler mit einer derartigen Schaltungsanordnung anzugeben, welche eine Verringerung der Dauer für die Bereitstellung einer angepassten Ausschaltspannung ermöglichen.
  • Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Eine Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines ersten spannungsgesteuerten Halbleiter-Schaltelements mit einer ersten Elektrode, einer zweiten Elektrode und einer Steuerelektrode weist gemäß einem Aspekt der Anmeldung einen Pulsgenerator auf, der zum Erzeugen von unipolaren Steuerspannungs-Eingangssignalen zum Ansteuern des ersten Halbleiter-Schaltelements ausgebildet ist, wobei die Steuerspannungs-Eingangssignale ein Einschaltspannungssignal zum Einschalten des ersten Halbleiter-Schaltelements und ein Ausschaltspannungssignal zum Ausschalten des ersten Halbleiter-Schaltelements beinhalten. Zudem weist die Schaltungsanordnung einen Vorspannungskondensator auf, wobei der Vorspannungskondensator mit dem Pulsgenerator derart elektrisch verbunden bzw. gekoppelt ist, dass mittels des Vorspannungskondensators eine Amplitude eines an die Steuerelektrode anlegbaren Ausschaltspannungssignals veränderbar ist. Weiterhin weist die Schaltungsanordnung einen ersten elektrischen Widerstand auf. Der erste elektrische Widerstand und der Vorspannungskondensator sind in einem elektrischen Pfad zwischen einem ersten Anschluss des Pulsgenerators und einem zweiten Anschluss des Pulsgenerators elektrisch in Reihe geschaltet. Die Steuerelektrode ist mit einem ersten Anschluss des Vorspannungskondensators und einem ersten Anschluss des ersten elektrischen Widerstands elektrisch verbunden. Ferner ist die erste Elektrode mit dem zweiten Anschluss des Pulsgenerators und einem zweiten Anschluss des ersten elektrischen Widerstands elektrisch verbunden. Die Schaltungsanordnung weist ferner einen Kondensator auf, der in dem Leitungspfad zwischen dem ersten Anschluss des Pulsgenerators und dem zweiten Anschluss des Pulsgenerators mit dem ersten elektrischen Widerstand und dem Vorspannungskondensator elektrisch in Reihe geschaltet ist.
  • In der genannten Ausführungsform sind der erste elektrische Widerstand und der Vorspannungskondensator damit in einem Leitungspfad zwischen der ersten Elektrode und der Steuerelektrode elektrisch parallel zueinander angeordnet und mit der ersten Elektrode und der Steuerelektrode elektrisch verbunden.
  • Dabei wird hier und im Folgenden unter einem ersten Anschluss des Pulsgenerators und einem zweiten Anschluss des Pulsgenerators verstanden, dass der erste Anschluss und der zweite Anschluss mit dem Pulsgenerator elektrisch verbunden bzw. gekoppelt sind und damit elektrisch in Wirkverbindung mit dem Pulsgenerator stehen, ohne dabei jedoch notwendigerweise mit dem Pulsgenerator über einen Leitungspfad verbunden zu sein. Ferner wird unter dem ersten elektrischen Widerstand hier und im Folgenden ein passives elektrisches Bauelement und nicht die physikalische Größe verstanden.
  • Die Schaltungsanordnung gemäß der genannten Ausführungsform ermöglicht eine Verringerung der Dauer für die Bereitstellung einer veränderten bzw. angepassten Ausschaltspannung. Dabei kann mittels einer Überlagerung der Steuerspannungs-Eingangssignale mit einer Ladespannung des Vorspannungskondensators die Amplitude des an die Steuerelektrode anlegbaren Ausschaltspannungssignals verändert werden. Die Aufladung des Vorspannungskondensators geschieht bei einem Einschalten der Schaltungsanordnung bzw. einem Einschalten des die Schaltungsanordnung enthaltenden Bauelements schrittweise durch die Energie, mit der die Steuerelektrode aufgeladen wird. Dieser Vorgang dauert typischerweise einigen Millisekunden, während derer das erste Halbleiter-Schaltelement im Vergleich zu einem folgenden Dauerbetrieb langsamer ausschaltbar ist. Mittels der gezeigten Ausführungsform wird in vorteilhafter Weise eine Beschleunigung der Bereitstellung der angepassten Ausschaltspannung ermöglicht. Dies erfolgt insbesondere durch die Bereitstellung des ersten elektrischen Widerstands. Dabei wird von der Überlegung ausgegangen, dass die Aufladung des Vorspannungskondensators von der Energie abhängt, die die Schaltungsanordnung bei jedem Einschaltvorgang an die Steuerelektrode des ersten Halbleiter-Schaltelements abgibt. Damit kann die Aufladung des Vorspannungskondensators dadurch beschleunigt werden, dass eine zusätzliche Last an den Ausgang der Schaltungsanordnung angeschlossen wird. Dies erfolgt in der gezeigten Ausführungsform durch den ersten elektrischen Widerstand, der zwischen der Steuerelektrode und der ersten Elektrode des ersten Halbleiter-Schaltelements angeordnet ist. Die Kosten für die gesamte Schaltungsanordnung werden dabei in vorteilhafter Weise nicht signifikant erhöht.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Schaltungsanordnung ist die Amplitude des an die Steuerelektrode anlegbaren Ausschaltspannungssignals mittels des Vorspannungskondensators derart veränderbar, dass das Ausschaltspannungssignal eine zu einem Einschaltspannungssignal entgegengesetzte Polarität aufweist. Dadurch kann eine Störanfälligkeit des ersten Halbleiter-Schaltelements verringert werden.
  • In einer weiteren Ausgestaltung weist die Schaltungsanordnung weiterhin eine erste Diode auf, wobei die erste Diode in dem elektrischen Pfad zwischen dem ersten Anschluss des Pulsgenerators und dem zweiten Anschluss des Pulsgenerators mit dem ersten elektrischen Widerstand und dem Vorspannungskondensator elektrisch in Reihe geschaltet ist. Die erste Diode ist dabei bevorzugt ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einer Schottky-Diode und einer Bipolardiode. Weiterhin können der erste elektrische Widerstand und die erste Diode in der Schaltungsanordnung monolithisch integriert sein.
  • Der Vorspannungskondensator weist in einer bevorzugten Ausgestaltung eine erste Kapazität C1 und der Kondensator eine dritte Kapazität C3 auf, wobei die erste Kapazität C1 im Wesentlichen der dritten Kapazität C3 entspricht. Bevorzugt gilt dabei C1 = C3.
  • Mittels der genannten Ausführungsformen wird das weitere Schaltverhalten der Schaltungsanordnung, das heißt das Schaltverhalten abgesehen von der beschleunigten Bereitstellung der angepassten Ausschaltspannung, in möglichst geringem Maße verändert. Insbesondere wird ermöglicht, dass nach einem Einschwingvorgang die Zusatzlast in Form des ersten elektrischen Widerstands die Schaltungsanordnung möglichst nicht belastet. Dies erfolgt mittels der Bereitstellung des Kondensators und der ersten Diode, die in Reihe zu dem ersten elektrischen Widerstand geschaltet sind. Der erste elektrische Widerstand belastet die Schaltungsanordnung dadurch nur solange der Kondensator noch nicht aufgeladen ist.
  • Das erste Halbleiter-Schaltelement kann insbesondere als MOSFET ausgebildet sein. In dieser Ausgestaltung bildet die erste Elektrode eine Source-Elektrode, die zweite Elektrode eine Drain-Elektrode und die Steuerelektrode eine Gate-Elektrode des MOSFET. Insbesondere kann das erste Halbleiter-Schaltelement als normal sperrender n-Kanal-MOSFET ausgebildet sein. Das veränderte Ausschaltspannungssignal besitzt in dieser Ausgestaltung eine negative Polarität und das Einschaltspannungssignal eine positive Polarität.
  • Weiterhin kann das erste Halbleiter-Schaltelement als IGBT ausgebildet sein. Dabei bildet die erste Elektrode eine Emitter-Elektrode, die zweite Elektrode eine Kollektor-Elektrode und die Steuerelektrode eine Gate-Elektrode des IGBT.
  • Die Schaltungsanordnung weist bevorzugt weiterhin eine Entladeschaltung auf, die zum Entladen der Steuerelektrode ausgebildet ist. Die Entladeschaltung ist dabei von dem Pulsgenerator aus gesehen elektrisch parallel zu dem Vorspannungskondensator geschaltet und weist einen zweiten elektrischen Widerstand und ein zweites Halbleiter-Schaltelement auf. Das zweite Halbleiter-Schaltelement kann insbesondere als MOSFET oder als Bipolartransistor ausgebildet sein.
  • In einer weiteren Ausführungsform weist die Schaltungsanordnung weiterhin eine zweite Diode auf, wobei die zweite Diode elektrisch parallel zu dem Vorspannungskondensator geschaltet ist. In dieser Ausführungsform ist der erste elektrische Widerstand in dem elektrischen Pfad zwischen dem ersten Anschluss des Pulsgenerators und dem zweiten Anschluss des Pulsgenerators elektrisch in Reihe zu der Parallelschaltung aus der zweiten Diode und dem Vorspannungskondensator geschaltet. Mittels der zweiten Diode kann eine maximale Ladespannung für den Vorspannungskondensator festgelegt werden. Die zweite Diode ist dazu bevorzugt als Zener-Diode ausgebildet.
  • Der erste elektrische Widerstand beträgt in einer bevorzugten Ausführungsform 100 Ohm. Damit kann sichergestellt werden, dass der erste elektrische Widerstand auch während eines Einschwingvorgangs die Schaltungsanordnung nicht kurzschließt.
  • Die Anmeldung betrifft ferner eine Brückenschaltung, die eine Schaltungsanordnung gemäß einer der genannten Ausführungsformen aufweist. Insbesondere kann die Brückenschaltung als Halbbrückenschaltung ausgebildet sein.
  • Weiterhin betrifft die Anmeldung einen DC/DC-Wandler, der eine Schaltungsanordnung gemäß einer der genannten Ausführungsformen aufweist.
  • Die Brückenschaltung und der DC/DC-Wandler gemäß der Anmeldung weisen die bereits im Zusammenhang mit der Schaltungsanordnung gemäß der Anmeldung genannten Vorteile auf, welche an dieser Stelle zur Vermeidung von Wiederholungen nicht nochmals aufgeführt werden.
  • Ausführungsformen der Anmeldung werden nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
  • 1A zeigt ein Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung gemäß einer ersten Ausführungsform der Anmeldung;
  • 1B zeigt ein Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Anmeldung;
  • 2 zeigt ein Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung gemäß einer dritten Ausführungsform der Anmeldung;
  • 3A zeigt ein Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung;
  • 3B zeigt ein Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung gemäß einer vierten Ausführungsform der Anmeldung;
  • 4 zeigt ein Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung gemäß einer fünften Ausführungsform der Anmeldung;
  • 5A zeigt ein schematisches Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung zu Simulationszwecken;
  • 5B zeigt ein schematisches Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung zu Simulationszwecken;
  • 6A und 6B zeigen Spannungs-Zeit-Diagramme für einen ersten Parametersatz;
  • 7A und 7B zeigen Spannungs-Zeit-Diagramme für einen zweiten Parametersatz;
  • 8A und 8B zeigen Spannungs-Zeit-Diagramme für einen dritten Parametersatz;
  • 9A und 9B zeigen Spannungs-Zeit-Diagramme für einen vierten Parametersatz;
  • 10A und 10B zeigen Spannungs-Zeit-Diagramme für einen fünften Parametersatz;
  • 11A und 11B zeigen Spannungs-Zeit-Diagramme für einen sechsten Parametersatz.
  • 1A zeigt ein Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung 1 zum Ansteuern von spannungsgesteuerten Halbleiter-Schaltelementen 2 und 2'.
  • Die Halbleiter-Schaltelemente 2 und 2' sind in der gezeigten Ausführungsform als normal sperrende n-Kanal-MOSFETs ausgebildet und weisen jeweils eine erste Elektrode 3 in Form einer Source-Elektrode, eine zweite Elektrode 4 in Form einer Drain-Elektrode und eine Steuerelektrode 5 in Form einer Gate-Elektrode auf. Die Schaltungsanordnung 1 bildet damit in der gezeigten Ausführungsform eine Gatetreiber-Schaltung und die erste Elektrode 3 eine Bezugselektrode für die Steuerelektrode 5. Die Halbleiter-Schaltelemente 2 und 2' sind Bestandteil einer Halbbrückenschaltung, wobei das Halbleiter-Schaltelemente 2 einen so genannten High Side Switch und das Halbleiter-Schaltelemente 2' einen so genannten Low Side Switch der Halbbrückenschaltung bilden.
  • Die Schaltungsanordnung 1 weist einen ersten Pulsgenerator sowie einen zweiten Pulsgenerator auf, wobei in 1A jeweils lediglich ein Verstärker 6 bzw. 6' des entsprechenden Pulsgenerators dargestellt ist. Dabei ist der erste Pulsgenerator zum Erzeugen von unipolaren Steuerspannungs-Eingangssignalen 7 und der zweite Pulsgenerator zum Erzeugen von unipolaren Steuerspannungs-Eingangssignalen 7' ausgebildet. Die Steuerspannungs-Eingangssignale 7 und 7' weisen jeweils ein Einschaltspannungssignal zum Einschalten des Halbleiter-Schaltelements 2 bzw. 2' und ein Ausschaltspannungssignal zum Ausschalten des Halbleiter-Schaltelements 2 bzw. 2' auf, wobei die Steuerspannungs-Eingangssignale 7 und 7' zueinander um 180° phasenverschoben bezüglich des Puls/Pausen-Verhältnisses sind. Mittels des an die jeweilige Steuerelektrode 5 anlegbaren Ausschaltspannungssignals wird bewirkt, dass kein elektrisch leitender Kanal in dem Halbleiter-Schaltelement 2 bzw. 2' ausgebildet wird, wohingegen mittels des Einschaltspannungssignals eine Steuerspannung an die Steuerelektrode 5 angelegt wird, bei der ein elektrisch leitender Kanal ausgebildet wird.
  • Weitere Einzelheiten zur Ansteuerung der Halbleiter-Schaltelemente 2 und 2' werden im Folgenden näher erläutert.
  • Der erste Pulsgenerator und der zweite Pulsgenerator sind in der gezeigten Ausführungsform auf einer Primärseite 25 eines Transformators 24 der Schaltungsanordnung 1 angeordnet. Auf einer Sekundärseite 26 des Transformators 24 weist die Schaltungsanordnung 1 jeweils einen Vorspannungskondensator 8 für die Halbleiter-Schaltelemente 2 und 2' auf. Die Vorspannungskondensatoren 8 sind dabei mit den Pulsgeneratoren derart elektrisch verbunden, dass mittels des jeweiligen Vorspannungskondensators 8 eine Amplitude eines an die Steuerelektrode 5 des entsprechenden Halbleiter-Schaltelements 2 bzw. 2' anlegbaren Ausschaltspannungssignals veränderbar ist. Die Amplitude ist dabei derart veränderbar, dass ein negatives Ausschaltspannungssignal bereitstellbar ist, das damit zu einem positiven Einschaltspannungssignal eine entgegengesetzte Polarität aufweist.
  • Ferner weist die Schaltungsanordnung 1 auf der Sekundärseite 26 des Transformators 24 jeweils einen ersten elektrischen Widerstand 9 für die Halbleiter-Schaltelemente 2 und 2' auf. Zudem weist die Schaltungsanordnung 1 in der gezeigten Ausführungsform jeweils eine zweite Diode 21 für die Halbleiter-Schaltelemente 2 und 2' auf, wobei die zweite Diode 21 elektrisch parallel zu dem jeweiligen Vorspannungskondensator 8 geschaltet ist. Damit ist der erste elektrische Widerstand 9 in der gezeigten Ausführungsform in einem elektrischen Pfad zwischen einem ersten Anschluss 10 und einem zweiten Anschluss 11 des entsprechenden Pulsgenerators elektrisch in Reihe zu der Parallelschaltung aus der zweiten Diode 21 und dem Vorspannungskondensator 8 geschaltet. Die zweite Diode 21 ist beispielsweise als Zener-Diode ausgebildet. Mittels der zweiten Diode 21 kann damit die maximale Ladespannung des Vorspannungskondensators 8 festgelegt werden.
  • Die Steuerelektrode 5 des jeweiligen Halbleiter-Schaltelements 2 bzw. 2' ist mit einem ersten Anschluss 12 des entsprechenden Vorspannungskondensators 8 und einem ersten Anschluss 13 des entsprechenden ersten elektrischen Widerstands 9 elektrisch verbunden. Weiterhin ist die erste Elektrode 3 des jeweiligen Halbleiter-Schaltelements 2 bzw. 2' mit einem zweiten Anschluss 14 des entsprechenden Vorspannungskondensators 8 und einem zweiten Anschluss 15 des entsprechenden ersten elektrischen Widerstands 9 elektrisch verbunden. Damit sind der erste elektrische Widerstand 9 und die Parallelschaltung aus der zweiten Diode 21 und dem Vorspannungskondensator 8 in einem Leitungspfad zwischen der ersten Elektrode 3 und der Steuerelektrode 5 elektrisch parallel zueinander angeordnet und mit der ersten Elektrode 3 und der Steuerelektrode 5 elektrisch verbunden.
  • In der gezeigten Ausführungsform weist die Schaltungsanordnung 1 weiterhin eine erste Diode 16 sowie einen Kondensator 17 auf, wobei die erste Diode 16 und der Kondensator 17 in dem elektrischen Pfad zwischen dem ersten Anschluss 10 und dem zweiten Anschluss 11 des entsprechenden Pulsgenerators mit dem ersten elektrischen Widerstand 9 und der Parallelschaltung aus der zweiten Diode 21 und dem Vorspannungskondensator 8 elektrisch in Reihe geschaltet sind. Die erste Diode 16 ist beispielsweise ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einer Schottky-Diode und einer Bipolardiode und der Vorspannungskondensator 8 weist typischerweise eine erste Kapazität C1 auf, die im Wesentlichen einer dritten Kapazität C3 des Kondensators 17 entspricht. Insbesondere kann die Beziehung C1 = C3 gelten.
  • In der gezeigten Ausführungsform ist der erste Anschluss 12 des Vorspannungskondensators 8 mit der ersten Diode 16 elektrisch verbunden und die erste Diode 16 weiterhin elektrisch mit dem ersten Anschluss 13 des ersten elektrischen Widerstands 9 verbunden. Der zweite Anschluss 15 des ersten elektrischen Widerstands 9 ist ferner mit dem Kondensator 17 elektrisch verbunden.
  • Mittels des Transformators 24 werden die Steuerspannungs-Eingangssignale 7 und 7' zum Ansteuern der Halbleiter-Schaltelemente 2 bzw. 2' galvanisch getrennt auf die Halbleiter-Schaltelemente 2 und 2' übertragen. Die Entladung der jeweiligen Gate-Elektrode erfolgt auf der Sekundärseite 26 des Transformators 24 mittels einer Entladeschaltung 18, wobei die Entladeschaltung 18 elektrisch parallel zu der Reihenschaltung aus dem jeweiligen Vorspannungskondensator 8 und der jeweiligen Steuerelektrode 5 geschaltet ist und einen zweiten elektrischen Widerstand 19 und ein zweites Halbleiter-Schaltelement 20 aufweist, wobei das zweite Halbleiter-Schaltelement 20 in der gezeigten Ausführungsform einen Ausschalt-MOSFET bildet.
  • Um die Halbleiter-Schaltelemente 2 und 2' mit einer negativen Gate-Spannung auszuschalten, wird dem jeweiligen Gate-Signal die Ladespannung des entsprechenden Vorspannungskondensators 8 überlagert. Die Aufladung des Vorspannungskondensators 8 beim Einschalten geschieht dabei schrittweise durch die Energie, mit der das jeweilige MOSFET-Gate aufgeladen wird. Mittels der gezeigten Ausführungsform kann dabei die Bereitstellung der negativen Ausschaltspannung beschleunigt werden, ohne das sonstige Schaltverhalten der Schaltungsanordnung 1 zu verändern. Da die Aufladung der Vorspannungskondensatoren 8 von der Energie abhängt, die der Gatetreiber bei jedem Einschaltvorgang an das jeweilige Gate der Halbleiter-Schaltelemente 2 bzw. 2' abgibt, kann diese dadurch beschleunigt werden, dass eine zusätzliche Last an den Ausgang des Gatetreibers angeschlossen wird. Dies erreicht die gezeigte Ausführungsform durch den relativ niederohmigen ersten elektrischen Widerstand 9 zwischen dem jeweiligen Gate- und Source-Anschluss der beiden MOSFETs. Der erste elektrische Widerstand 9 ist dabei so bemessen, dass dieser auch während des Einschwingens die Schaltungsanordnung 1 nicht kurzschließt und beträgt typischerweise 100 Ohm.
  • Da nach dem Einschwingen die Zusatzlast in Form des ersten elektrischen Widerstands 9 den Gatetreiber möglichst nicht belasten soll, wird der Kondensator 17 und die erste Diode 16 in Reihe zu dem ersten elektrischen Widerstand 9 geschaltet. Der erste elektrische Widerstand 9 belastet dadurch die Schaltungsanordnung 1 nur solange der Kondensator 17 noch nicht aufgeladen ist.
  • Weiterhin weist die Schaltungsanordnung 1 in der gezeigten Ausführungsform einen zweiten elektrischen Widerstand 22 auf, der elektrisch parallel zu dem Kondensator 17 geschaltet ist und zum Entladen des Kondensators 17 dient. Ferner weist die Schaltungsanordnung 1 einen dritten elektrischen Widerstand 23 auf, der elektrisch in Reihe zu der Parallelschaltung aus der zweiten Diode 21 und dem Vorspannungskondensator 8 geschaltet ist und einen Aufladewiderstand für den Vorspannungskondensator 8 bildet.
  • 1B zeigt ein Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung 1 gemäß einer zweiten Ausführungsform der Anmeldung. Komponenten mit den gleichen Funktionen wie in 1A werden mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und im Folgenden nicht nochmals erläutert.
  • Die in 1B gezeigte zweite Ausführungsform unterscheidet sich von der in 1A gezeigten ersten Ausführungsform dahingehend, dass die Reihenfolge der Anordnung des ersten elektrischen Widerstands 9 und der ersten Diode 16 in dem elektrischen Pfad zwischen dem ersten Anschluss 10 und dem zweiten Anschluss 11 vertauscht ist, das heißt der erste Anschluss 12 des Vorspannungskondensators 8 ist mit dem ersten Anschluss 13 des ersten elektrischen Widerstands 9 elektrisch verbunden und der zweite Anschluss 15 des ersten elektrischen Widerstand 9 ist mit der ersten Diode 16 elektrisch verbunden. Die erste Diode 16 ist ferner mit dem Kondensator 17 verbunden.
  • Weiterhin kann die Reihenfolge der Anordnung des ersten elektrischen Widerstands 9, der ersten Diode 16 und des Kondensators 17 in der durch diese Komponenten gebildeten elektrischen Reihenschaltung in beliebiger Weise kommutiert werden, wobei der zweite elektrische Widerstand 22 stets elektrisch parallel zu dem Kondensator 17 geschaltet ist.
  • 2 zeigt ein Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung 1 gemäß einer dritten Ausführungsform der Anmeldung. Komponenten mit den gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und im Folgenden nicht nochmals erläutert.
  • Die in 2 gezeigte dritte Ausführungsform unterscheidet sich von den vorherigen Ausführungsformen dadurch, dass lediglich ein Pulsgenerator auf der Primärseite 25 des Transformators 24 angeordnet ist, wobei wiederum ein Verstärker 6 des Pulsgenerators dargestellt ist. Damit ist die Spannungsamplitude im Vergleich zu den vorherigen Ausführungsformen halbiert. Entsprechend werden lediglich Steuerspannungs-Eingangssignale 7 zum Ansteuern der Halbleiter-Schaltelemente 2 und 2' mittels des Pulsgenerators erzeugt.
  • 3A zeigt ein Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung 1. Komponenten mit den gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und im Folgenden nicht nochmals erläutert.
  • Die in 3A gezeigte Schaltungsanordnung 1 unterscheidet sich von den vorhergehenden Schaltungsanordnungen dadurch, dass die Schaltungsanordnung 1 in 3A lediglich ein Halbleiter-Schaltelement 2 in Form eines normal sperrenden n-Kanal-MOSFET aufweist. Ferner weist die Schaltungsanordnung 1 keinen Transformator auf. Der Pulsgenerator ist somit nicht von den weiteren Komponenten galvanisch getrennt.
  • Weiterhin beinhaltet die in 3A gezeigte Schaltungsanordnung 1 neben dem Vorspannungskondensator 8 keinen weiteren Kondensator sowie keinen parallelen dazu angeordneten zweiten elektrischen Widerstand und keine Entladeschaltung gemäß den vorhergehenden Schaltungsanordnungen.
  • 3B zeigt ein Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung 1 gemäß einer vierten Ausführungsform der Anmeldung. Komponenten mit den gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und im Folgenden nicht nochmals erläutert.
  • Die in 3B gezeigte Schaltungsanordnung 1 unterscheidet sich von der in 3A gezeigten Schaltungsanordnung dahingehend, dass die Schaltungsanordnung 1 zusätzlich zu dem Vorspannungskondensator 8 einen Kondensator 17 aufweist, wobei der Kondensator 17 in dem Leitungspfad zwischen dem ersten Anschluss 10 des Pulsgenerators und dem zweiten Anschluss 11 des Pulsgenerators mit dem ersten elektrischen Widerstand 9 und der Parallelschaltung aus der zweiten Diode 21 und dem Vorspannungskondensator 8 elektrisch in Reihe geschaltet ist. Ferner weist die Schaltungsanordnung 1 einen zweiten elektrischen Widerstand 22 auf, der elektrisch parallel zu dem Kondensator 17 geschaltet ist.
  • 4 zeigt ein Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung 1 gemäß einer fünften Ausführungsform der Anmeldung. Komponenten mit den gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und im Folgenden nicht nochmals erläutert.
  • Die in 4 gezeigte Ausführungsform unterscheidet sich von der in 2 gezeigten Ausführungsform dahingehend, dass die Entladeschaltung 18 ein zweites Halbleiter-Schaltelement 20 in Form eines Bipolartransistors aufweist.
  • Die in den 1A, 1B, 2, 3B und 4 gezeigten Ausführungsformen der Schaltungsanordnung 1 stellen lediglich exemplarische Gatetreiber-Schaltungen dar. Die Beschleunigungsschaltung gemäß der Anmeldung kann dabei in jedem Gatetreiber verwendet werden, der einen Vorspannungskondensator 8 aufweist, der durch die Gate-Energie aufgeladen wird.
  • Derartige Gatetreiber werden beispielsweise in DC/DC-Wandlern der mittleren Leistungsklasse, das heißt von einigen Hundert Watt bis einigen Kilowatt, verwendet. Insbesondere kann die Schaltungsanordnung 1 für DC/DC-Wandler eingesetzt werden, die in solartechnischen Anlagen Verwendung finden.
  • 5A zeigt ein schematisches Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung, welche die Grundlage für die in den 6A und 6B gezeigten Simulationen bildet und 5B zeigt ein schematisches Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung, welche die Grundlage für die in den 7A bis 11B gezeigten Simulationen bildet. Komponenten mit den gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und im Folgenden nicht nochmals erläutert.
  • 5A zeigt dabei ein schematisches Blockschaltbild einer Schaltungsanordnung, welche keine Beschleunigungsschaltung gemäß der Anmeldung aufweist, wohingegen 5B eine Schaltungsanordnung gemäß der Anmeldung zeigt.
  • Der Pulsgenerator ist in den 5A und 5B lediglich schematisch als Spannungsquelle dargestellt. Weiterhin ist das anzusteuernde Halbleiter-Schaltelement in Form eines MOSFET in den 5A und 5B nicht näher dargestellt.
  • Der Pulsgenerator erzeugt unipolare rechteckförmige Steuerspannungs-Eingangssignale, welche zwischen Null Volt und 18 V liegen, wobei die ansteigende bzw. abfallende Flanke jeweils 100 ns Anstiegs- bzw. Abfallszeit aufweist. Die Pulsdauer beträgt 4,9 μs und die Periodendauer 10 μs, das heißt die Pause zwischen den Pulsen beträgt unter Berücksichtigung der Anstiegs- und Abfallszeiten 4,9 μs.
  • In Tabelle 1 sind die Größen für die in den 5A und 5B gezeigten Komponenten der Schaltungsanordnung für den jeweiligen, der Simulation zugrunde liegenden Parametersatz aufgeführt, wobei C2 die Eingangskapazität des als MOSFET ausgebildeten Halbleiter-Schaltelements ist und somit kein eigenes Bauelement darstellt.
    Parametersatz C1 (nF) C2 (nF) C3 (nF) R1 (Ω) R2 (Ω) R3 (Ω)
    1 330 50 - 10 10000 -
    2 330 50 330 10 10000 100
    3 330 50 330 10 10000 470
    4 330 50 330 10 10000 33
    5 330 50 1000 10 10000 100
    6 330 50 68 10 10000 100
    Tabelle 1
  • 6A und 6B zeigen Spannungs-Zeit-Diagramme für den ersten Parametersatz. Dabei zeigt 6A eine Übersicht über den zeitlichen Verlauf der Spannung in einem Zeitintervall von 2 ms und 6B eine Detailansicht eines Zeitintervalls von 200 μs, wobei in dem jeweiligen oberen Spannungs-Zeit-Diagramm die von dem Pulsgenerator erzeugten Steuerspannungs-Eingangssignale und in dem jeweiligen unteren Spannungs-Zeit-Diagramm die an der Steuerelektrode in Form der Gate-Elektrode anliegende Spannung dargestellt sind.
  • 7A und 7B zeigen Spannungs-Zeit-Diagramme für den zweiten Parametersatz, der dabei optimal gewählte Parameter beinhaltet. Dabei zeigt 7A eine Übersicht über den zeitlichen Verlauf der Spannung in einem Zeitintervall von 2 ms und 7B eine Detailansicht eines Zeitintervalls von 200 μs, wobei in dem jeweiligen oberen Spannungs-Zeit-Diagramm die Spannung des Kondensators, in dem jeweiligen mittleren Spannungs-Zeit-Diagramm die von dem Pulsgenerator erzeugten Steuerspannungs-Eingangssignale und in dem jeweiligen unteren Spannungs-Zeit-Diagramm die an der Steuerelektrode in Form der Gate-Elektrode anliegende Spannung dargestellt sind.
  • Wie mittels der in den 7A und 7B gezeigten Diagramme erkennbar ist, kann durch das Vorsehen des Vorspannungskondensators 8 die negative Amplitude eines an die Steuerelektrode anlegbaren Ausschaltspannungssignals von 0 V auf –2 V verändert und damit eine negative Ausschaltspannung bereitgestellt werden. Die Dauer der Bereitstellung der negativen Ausschaltspannung kann dabei durch das Vorsehen des ersten elektrischen Widerstands 9 im Vergleich zu der Dauer der in 5A gezeigten Schaltungsanordnung in vorteilhafter Weise verkürzt werden.
  • 8A bis 11B zeigen Spannungs-Zeit-Diagramme für die weiteren Parametersätze, wobei wiederum eine Übersicht über den zeitlichen Verlauf der Spannung in einem Zeitintervall von 2 ms sowie eine Detailansicht eines Zeitintervalls von 200 μs gezeigt werden.
  • Wie mit den 8A bis 11B gezeigt wird, kann die Dauer für die Bereitstellung der negativen Ausschaltspannung verringert werden, falls der Widerstand und/oder die Kapazität verringert werden. Dies führt jedoch zu einer erhöhten Belastung der Treiberschaltung. Daher ist eine Abwägung zwischen den genannten Parametern erforderlich.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    Schaltungsanordnung
    2
    Halbleiter-Schaltelement
    2'
    Halbleiter-Schaltelement
    3
    Elektrode
    4
    Elektrode
    5
    Steuerelektrode
    6
    Verstärker
    6'
    Verstärker
    7
    Steuerspannungs-Eingangssignal
    7'
    Steuerspannungs-Eingangssignal
    8
    Vorspannungskondensator
    9
    Widerstand
    10
    Anschluss
    11
    Anschluss
    12
    Anschluss
    13
    Anschluss
    14
    Anschluss
    15
    Anschluss
    16
    Diode
    17
    Kondensator
    18
    Entladeschaltung
    19
    Widerstand
    20
    Halbleiter-Schaltelement
    21
    Diode
    22
    Widerstand
    23
    Widerstand
    24
    Transformator
    25
    Primärseite
    26
    Sekundärseite

Claims (12)

  1. Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines ersten spannungsgesteuerten Halbleiter-Schaltelements (2, 2') mit einer ersten Elektrode (3), einer zweiten Elektrode (4) und einer Steuerelektrode (5) aufweisend – einen Pulsgenerator ausgebildet zum Erzeugen von unipolaren Steuerspannungs-Eingangssignalen (7, 7') zum Ansteuern des ersten Halbleiter-Schaltelements (2, 2'), wobei die Steuerspannungs-Eingangssignale (7, 7') ein Einschaltspannungssignal zum Einschalten des ersten Halbleiter-Schaltelements und ein Ausschaltspannungssignal zum Ausschalten des ersten Halbleiter-Schaltelements (2, 2') beinhalten, – einen Vorspannungskondensator (8), wobei der Vorspannungskondensator (8) mit dem Pulsgenerator derart elektrisch verbunden ist, dass mittels des Vorspannungskondensators (8) eine Amplitude eines an die Steuerelektrode (5) anlegbaren Ausschaltspannungssignals veränderbar ist, – einen ersten elektrischen Widerstand (9), wobei der erste elektrische Widerstand (9) und der Vorspannungskondensator (8) in einem elektrischen Pfad zwischen einem ersten Anschluss (10) des Pulsgenerators und einem zweiten Anschluss (11) des Pulsgenerators elektrisch in Reihe geschaltet sind und wobei die Steuerelektrode (5) mit einem ersten Anschluss (12) des Vorspannungskondensators (8) und einem ersten Anschluss (13) des ersten elektrischen Widerstands (9) elektrisch verbunden ist und wobei die erste Elektrode (3) mit dem zweiten Anschluss (11) des Pulsgenerators und einem zweiten Anschluss (15) des ersten elektrischen Widerstands (9) elektrisch verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass – die Schaltungsanordnung ferner einen Kondensator (17) aufweist, wobei der Kondensator (17) in dem Leitungspfad zwischen dem ersten Anschluss (10) des Pulsgenerators und dem zweiten Anschluss (11) des Pulsgenerators mit dem ersten elektrischen Widerstand (9) und dem Vorspannungskondensator (8) elektrisch in Reihe geschaltet ist.
  2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, wobei mittels des Vorspannungskondensators (8) die Amplitude des an die Steuerelektrode (5) anlegbaren Ausschaltspannungssignals derart veränderbar ist, dass das Ausschaltspannungssignal eine zu einem Einschaltspannungssignal entgegengesetzte Polarität aufweist.
  3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, weiterhin aufweisend eine erste Diode (16), wobei die erste Diode (16) in dem elektrischen Pfad zwischen dem ersten Anschluss (10) des Pulsgenerators und dem zweiten Anschluss (11) des Pulsgenerators mit dem ersten elektrischen Widerstand (9) und dem Vorspannungskondensator (8) elektrisch in Reihe geschaltet ist.
  4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, wobei der erste elektrische Widerstand (9) und die erste Diode (16) in der Schaltungsanordnung (1) monolithisch integriert sind.
  5. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Vorspannungskondensator (8) einer erste Kapazität C1 aufweist und wobei der Kondensator (17) eine dritte Kapazität C3 aufweist, wobei die erste Kapazität C1 im Wesentlichen der dritten Kapazität C3 entspricht, wobei insbesondere gilt: C1 = C3.
  6. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das erste Halbleiter-Schaltelement (2, 2') als MOSFET ausgebildet ist und wobei die erste Elektrode (3) eine Source-Elektrode, die zweite Elektrode (4) eine Drain-Elektrode und die Steuerelektrode (5) eine Gate-Elektrode des MOSFET bilden.
  7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das erste Halbleiter-Schaltelement (2, 2') als IGBT ausgebildet ist und wobei die erste Elektrode (3) eine Emitter-Elektrode, die zweite Elektrode (4) eine Kollektor-Elektrode und die Steuerelektrode (5) eine Gate-Elektrode des IGBT bilden.
  8. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiterhin aufweisend eine Entladeschaltung (18) ausgebildet zum Entladen der Steuerelektrode (5), wobei die Entladeschaltung (18) elektrisch parallel zu dem Vorspannungskondensator (8) geschaltet ist und einen zweiten elektrischen Widerstand (19) und ein zweites Halbleiter-Schaltelement (20) aufweist.
  9. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiterhin aufweisend eine zweite Diode (21), wobei die zweite Diode (21) elektrisch parallel zu dem Vorspannungskondensator (8) geschaltet ist und wobei der erste elektrische Widerstand (9) in dem elektrischen Pfad zwischen dem ersten Anschluss (10) des Pulsgenerators und dem zweiten Anschluss (11) des Pulsgenerators elektrisch in Reihe zu der Parallelschaltung aus der zweiten Diode (21) und dem Vorspannungskondensator (8) geschaltet ist.
  10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, wobei die zweite Diode (21) als Zener-Diode ausgebildet ist.
  11. Brückenschaltung aufweisend eine Schaltungsanordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
  12. DC/DC-Wandler aufweisend eine Schaltungsanordnung (1) nach einem Ansprüche 1 bis 10.
DE201210207155 2012-04-30 2012-04-30 Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Halbleiter-Schaltelements Active DE102012207155B4 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201210207155 DE102012207155B4 (de) 2012-04-30 2012-04-30 Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Halbleiter-Schaltelements
PCT/EP2013/058371 WO2013164222A1 (de) 2012-04-30 2013-04-23 Schaltungsanordnung zum ansteuern eines halbleiter-schaltelements
US14/397,732 US9496862B2 (en) 2012-04-30 2013-04-23 Circuit arrangement for actuating a semiconductor switching element
CN201380022790.7A CN104620504B (zh) 2012-04-30 2013-04-23 用于操控半导体开关元件的电路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201210207155 DE102012207155B4 (de) 2012-04-30 2012-04-30 Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Halbleiter-Schaltelements

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102012207155A1 DE102012207155A1 (de) 2013-10-31
DE102012207155B4 true DE102012207155B4 (de) 2013-11-21

Family

ID=48170483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE201210207155 Active DE102012207155B4 (de) 2012-04-30 2012-04-30 Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Halbleiter-Schaltelements

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9496862B2 (de)
CN (1) CN104620504B (de)
DE (1) DE102012207155B4 (de)
WO (1) WO2013164222A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021214521A1 (de) 2021-12-16 2023-06-22 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Vorrichtung, Halbbrücke und Verfahren zum Betreiben einer Vorrichtung

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012207155B4 (de) 2012-04-30 2013-11-21 Conti Temic Microelectronic Gmbh Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Halbleiter-Schaltelements
WO2015016891A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Schneider Electric Solar Inverters Usa, Inc. Isolated uni-polar transistor gate drive
CN104716816A (zh) * 2013-12-17 2015-06-17 台达电子企业管理(上海)有限公司 功率转换装置、隔离驱动电路与隔离驱动方法
US9461642B1 (en) * 2015-08-26 2016-10-04 Southwest Research Institute Radiation-tolerant high-speed high-voltage pulser
US9966837B1 (en) 2016-07-08 2018-05-08 Vpt, Inc. Power converter with circuits for providing gate driving
JP6745660B2 (ja) * 2016-07-08 2020-08-26 ローム株式会社 ゲート駆動回路
KR101806731B1 (ko) * 2016-08-17 2017-12-08 현대자동차주식회사 게이트 구동 장치
US10211828B2 (en) * 2016-09-08 2019-02-19 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Driving device for insulated gate semiconductor element, and driving system for the same element
JP6985600B2 (ja) * 2018-01-25 2021-12-22 富士通株式会社 波形成形回路、半導体装置及びスイッチング電源装置
JP6863337B2 (ja) * 2018-05-30 2021-04-21 横河電機株式会社 パルス信号出力回路
CN110868073B (zh) * 2019-08-26 2021-04-13 哈尔滨工业大学 一种基于多绕组变压器耦合的串联SiC MOSFET驱动电路

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4441492A1 (de) * 1994-11-22 1996-05-23 Abb Research Ltd Potentialtrennende Treiberschaltung zur Ansteuerung spannungsgesteuerter Halbleiterventile
DE69720176T2 (de) * 1996-12-24 2003-10-23 Matsushita Electric Works Ltd Stromversorgungsschaltung
DE102005029353A1 (de) * 2005-06-22 2006-12-28 Iav Gmbh Ingenieurgesellschaft Auto Und Verkehr Steuerschaltung für spannungsgesteuerte Halbleiterschalter vorzugsweise in Halbbbrückenkonfiguration

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4052623A (en) 1976-08-10 1977-10-04 General Electric Company Isolated semiconductor gate control circuit
JPH0993908A (ja) * 1995-09-22 1997-04-04 Denshi Seigyo Group:Kk 半導体スイッチ駆動回路
US5786687A (en) * 1996-12-03 1998-07-28 Compaq Computer Corporation Transformer-isolated pulse drive circuit
US6094087A (en) * 1997-07-30 2000-07-25 Lucent Technologies Inc. Gate drive circuit for isolated gate devices and method of operation thereof
JP4640495B2 (ja) * 2008-11-27 2011-03-02 トヨタ自動車株式会社 電気絶縁型スイッチング素子駆動装置
JP2010130786A (ja) * 2008-11-27 2010-06-10 Denso Corp パワースイッチング素子の駆動回路
JP4787350B2 (ja) * 2009-10-14 2011-10-05 Smk株式会社 自励式スイッチング電源回路
JP5786281B2 (ja) * 2010-05-19 2015-09-30 サンケン電気株式会社 駆動回路
CN102315757B (zh) * 2010-07-07 2014-07-09 台达能源技术(上海)有限公司 驱动功率开关元件的驱动器
CN201781466U (zh) * 2010-09-07 2011-03-30 中国电子科技集团公司第十四研究所 单脉冲变压器沿触发小型浮动板调制器
DE102012207155B4 (de) 2012-04-30 2013-11-21 Conti Temic Microelectronic Gmbh Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Halbleiter-Schaltelements

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4441492A1 (de) * 1994-11-22 1996-05-23 Abb Research Ltd Potentialtrennende Treiberschaltung zur Ansteuerung spannungsgesteuerter Halbleiterventile
DE69720176T2 (de) * 1996-12-24 2003-10-23 Matsushita Electric Works Ltd Stromversorgungsschaltung
DE102005029353A1 (de) * 2005-06-22 2006-12-28 Iav Gmbh Ingenieurgesellschaft Auto Und Verkehr Steuerschaltung für spannungsgesteuerte Halbleiterschalter vorzugsweise in Halbbbrückenkonfiguration

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021214521A1 (de) 2021-12-16 2023-06-22 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Vorrichtung, Halbbrücke und Verfahren zum Betreiben einer Vorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US20150124507A1 (en) 2015-05-07
WO2013164222A1 (de) 2013-11-07
CN104620504B (zh) 2018-06-12
DE102012207155A1 (de) 2013-10-31
CN104620504A (zh) 2015-05-13
US9496862B2 (en) 2016-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012207155B4 (de) Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Halbleiter-Schaltelements
DE19750168B4 (de) Drei Spannungsversorgungen für Treiberschaltungen von Leistungs-Halbleiterschaltern
DE102013002266B4 (de) Bootstrap-Schaltungsanordnung für einen IGBT
DE102007027505B3 (de) Ansteuerschaltkreis für einen High-Side-Halbleiterschalter zum Schalten einer Versorgungsspannung
DE102005045099B4 (de) Entsättigungsschaltung mit einem IGBT
EP1715582B1 (de) Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines elektrischen Leistungsschalters auf hohem Spannungspotenzial
DE102010039141B4 (de) Halbleiterschaltung
DE10235444B4 (de) Treibersteuerungseinrichtung, Leistungsumformungseinrichtung, Verfahren zur Steuerung einer Leistungsumformungseinrichtung und Verfahren zum Gebrauch einer Leistungsumformungseinrichtung
EP1783910B1 (de) Schaltungsanordnung und ein Verfahren zur galvanisch getrennten Ansteuerung eines Halbleiterschalters
EP0060336A2 (de) Verfahren zur Ansteuerung eines Leistungs-Feldeffekt-Schalttransistors und Schaltungsanordnungen zur Durchführung des Verfahrens
DE102012212348A1 (de) Ansteuerschaltung mit einstellbarer totzeit
DE102005027442B4 (de) Schaltungsanordnung zum Schalten einer Last
DE60313733T2 (de) Ansteuerschaltung für einen Steueranschluss eines Bipolartransistors, der in der Emitterschattkonfiguration ist und entsprechenes Ansteuerverfahren
DE102014108576A1 (de) Treiberschaltung mit Miller-Clamping-Funktionalität für Leistungshalbleiterschalter, Leistungshalbleiterschalter und Wechselrichterbrücke
WO1993022835A1 (de) Schaltungsanordnung zum ansteuern eines mos-feldeffekttransistors
DE102014110878B4 (de) Schaltsteuerkreisanordnungen und Verfahren zur Energieversorgung eines Treiberschaltkreises
EP1561366B1 (de) Schaltungsanordnung zum betreiben mindestens einer leuchtdiode
EP3317967B1 (de) Schaltungsanordnung zur ansteuerung eines transistors
EP3552310B1 (de) Steuereinrichtung zum ansteuern eines bipolaren schaltbaren leistungshalbleiterbauelements, halbleitermodul sowie verfahren
DE102008034688B4 (de) Schalteinrichtung zum Schalten bei einer hohen Betriebsspannung
DE10245046B3 (de) Leistungsschaltvorrichtung
DE10035387B4 (de) Stromschaltanordnung
DE10035388A1 (de) Stromschaltanordnung
EP1484947B1 (de) Ansteuerschaltung für den Betrieb mindestens einer Lampe in einem dazugehörigen Lastkreis
DE102004063536B4 (de) Umrichterschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R082 Change of representative
R020 Patent grant now final

Effective date: 20140222

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: VITESCO TECHNOLOGIES GERMANY GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: CONTI TEMIC MICROELECTRONIC GMBH, 90411 NUERNBERG, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: VITESCO TECHNOLOGIES GERMANY GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: VITESCO TECHNOLOGIES GERMANY GMBH, 30165 HANNOVER, DE

R084 Declaration of willingness to licence