DE102012025892B4 - Lichtemittierende Vorrichtungen und Fahrzeug mit einer lichtemittierenden Vorrichtung - Google Patents

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Abstract

Eine lichtemittierende Vorrichtung, die im Inneren eines Fahrzeugs bereitgestellt ist, umfassend:ein Substrat;ein lichtemittierendes Element über dem Substrat;eine Abdichtungsschicht über dem lichtemittierenden Element, wobei die Abdichtungsschicht das lichtemittierende Element abdichtet; undeine Schutzschicht über und befestigt an der Abdichtungsschicht,wobei für das Ausbilden der Schutzschicht eine Platte, in der eine Glasschicht, eine Bondschicht und eine organische Harzschicht gestapelt sind, verwendet wurde, wobei die Glasschicht dem lichtemittierenden Element zugewandt ist und wobei die organische Harzschicht außerhalb der Glasschicht vorgesehen ist.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine lichtemittierende Vorrichtung und ein Herstellungsverfahren dafür. Im Besonderen betrifft die vorliegende Erfindung eine lichtemittierende Vorrichtung mit einer gekrümmten Oberfläche.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Organische EL- (Elektrolumineszenz-) Elemente werden extensiv erforscht und entwickelt. Bei der grundlegenden Struktur des organischen EL-Elements (nachstehend auch als EL-Element oder lichtemittierendes Element bezeichnet) ist eine Schicht, die eine lichtemittierende organische Verbindung enthält, zwischen einem Paar von Elektroden vorgesehen. Durch Anlegen einer Spannung an dieses Element kann eine Lichtemission aus der lichtemittierenden organischen Verbindung erhalten.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung, bei der das organische EL-Element verwendet wird, ist beispielsweise eine Beleuchtungsvorrichtung oder eine Bildanzeigevorrichtung, die eine Kombination von Dünnschichttransistoren aufweist.
  • Das organische EL-Element kann in Form eines Films ausgebildet werden; somit kann leicht ein großflächiges Element gebildet werden. Daher hat das organische EL-Element einen hohen Gebrauchswert als eine Flächenlichtquelle, die auf Beleuchtung oder dergleichen angewendet werden kann. Beispielsweise ist eine Beleuchtungsvorrichtung, die ein organisches EL-Element aufweist, in Patentdokument 1 offenbart.
  • Außerdem braucht eine Bildanzeigevorrichtung, bei der das organische EL-Element verwendet wird, keine Hintergrundbeleuchtung, die für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD) und dergleichen erforderlich ist; somit können dünne, leichte und kontrastreiche Anzeigevorrichtungen mit niedrigem Energieverbrauch erhalten werden.
  • Beim Ausbilden des organischen EL-Elements gibt es als ein Verfahren zum Ausbilden einer Schicht, die eine lichtemittierende organische Verbindung enthält, über einer unteren Elektrode, die über einem Substrat mit einer isolierenden Oberfläche ausgebildet ist, beispielsweise ein Vakuumaufdampfungsverfahren, ein Beschichtungsverfahren oder dergleichen. Als ein Verfahren zum Ausbilden der unteren Elektrode und der oberen Elektrode gibt es ein Vakuumaufdampfungsverfahren, ein Sputterverfahren, ein Beschichtungsverfahren, ein Druckverfahren oder dergleichen.
  • In den letzten Jahren wurde Diversifikation der Form einer lichtemittierenden Vorrichtung erforderlich. Ein Beispiel ist eine lichtemittierende Vorrichtung mit einer gekrümmten Oberfläche. Wenn eine lichtemittierende Vorrichtung eine gekrümmte Oberfläche aufweist, werden das Design und vielseitige Einsetzbarkeit verbessert, so dass die Freiheit bezüglich des Installationsorts und der Form von eingebauten Bestandteilen verbessert wird. Beispielsweise kann eine Beleuchtungsvorrichtung oder eine Anzeigevorrichtung entlang einer gekrümmten Oberfläche der Innenausstattung oder Außenausstattung eines Gebäudes oder eines Autos eingebaut werden. Außerdem kann die lichtemittierende Vorrichtung verschiedene Anwendungen finden; eine tragbare Beleuchtungsvorrichtung oder Anzeigevorrichtung wie z. B. ein Armband, ein tragbares Endgerät wie z. B. ein Mobiltelefon und ein Tablet-Computer mit einem gekrümmten Anzeigeabschnitt und dergleichen können angegeben werden.
  • [Referenz]
  • [Patentdokument]
  • [Patentdokument 1] Japanische Patentoffenlegungsschrift JP 2009-130132 A.
  • US 2005/0269943 A1 offenbart geschützte organische elektronische Geräte und Verfahren zu deren Herstellung.
  • US 2005/0164470 A1 offenbart ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements durch Übertragen einer Schicht auf einen Träger mit einer Krümmung.
  • US 2010/0293782 A1 offenbart ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Wenn eine untere Elektrode, eine Schicht, die eine lichtemittierende organische Verbindung enthält, und eine obere Elektrode, die in einem EL-Element enthalten sind, in dieser Reihenfolge gestapelt sind, muss die Dicke jeder Schicht in der Oberfläche eines Substrats gleichmäßig sein. Wenn jede Dicke in der Oberfläche des Substrats ungleichmäßig ist, könnte es eine ungleiche Verteilung der Leuchtdichte in der Oberfläche des Substrats geben. Besonders in einem Teil, wo die Dicke der Schicht, die eine lichtemittierende organische Verbindung enthält, zwischen den Elektroden klein ist, könnte die Leuchtdichte erhöht werden oder ein Kurzschluss könnte aufgrund der Konzentration des elektrischen Felds erfolgen. Andererseits wird in dem Fall, in dem ihre Dicke groß ist, eine Spannung, die zur Lichtemission erforderlich ist, vergrößert, und somit könnte die Leuchtdichte verringert werden oder ein Bereich, der nicht Licht emittiert, könnte auftreten.
  • Jedoch ist es schwer, die untere Elektrode, die Schicht, die eine lichtemittierende organische Verbindung enthält, und die obere Elektrode, die in einem EL-Element enthalten sind, mit gleichmäßiger Dicke auszubilden, in dem Fall, in dem das EL-Element über einem Substrat mit einer gekrümmten Oberfläche ausgebildet ist. Beispielsweise sind in dem Fall, in dem ein Vakuumaufdampfungsverfahren oder ein Sputterverfahren verwendet wird, die Abscheidungsraten von auszubildenden Filmen unterschiedlich in Abhängigkeit von dem Abstand oder dem Winkel zwischen einer Aufdampfungsquelle oder einem Target und einer Ausbildungsoberfläche. Ferner ist es wegen der Vorrichtungsstrukturen sehr schwer, ein Beschichtungsverfahren und ein Druckverfahren zum Ausbilden der Filme über dem Substrat mit einer gekrümmten Oberfläche einzusetzen.
  • Die vorliegende Erfindung ist angesichts des vorstehenden technischen Hintergrunds gemacht worden. Dementsprechend ist ein Zweck der vorliegenden Erfindung, eine lichtemittierende Vorrichtung mit einer gekrümmten lichtemittierenden Oberfläche bereitzustellen. Ein weiterer Zweck einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine lichtemittierende Vorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit bereitzustellen.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erreicht zumindest einen der oben angegebenen Zwecke.
  • Um die oben angegebenen Zwecke zu erreichen, wird in der vorliegenden Erfindung ein Substratmaterial, über dem ein lichtemittierendes Element ausgebildet wird, betrachtet. Ein Substrat mit Plastizität wird als das Substrat verwendet. Ein lichtemittierendes Element wird über dem Substrat ausgebildet, das flach gemacht wird. Das Substrat, über dem das lichtemittierende Element ausgebildet worden ist, wird über einer gekrümmten Oberfläche einer Stütze angeordnet, während das Substrat gekrümmt wird. Dann wird eine Schutzschicht zum Schützen des lichtemittierenden Elements ausgebildet, wobei das Substrat gekrümmt wird.
  • Es sei angemerkt, dass mit einer „gekrümmte Oberfläche“ in dieser Beschreibung eine gekrümmte Oberfläche gemeint ist, die durch Verformung aufgrund von Expansion und Kontraktion einer flachen Oberfläche erhalten wird. Mit anderen Worten eine gekrümmte Oberfläche, bei der eine flache Oberfläche und eine Linie an einem bestimmten Punkt in Kontakt miteinander stehen. Hierbei schließen eine gekrümmte Oberfläche in dieser Beschreibung und dergleichen eine gekrümmte Oberfläche nicht ein, die durch Verformung ohne Expansion und Kontraktion einer flachen Oberfläche erhalten wird (so genannte dreidimensional gekrümmte Oberfläche).
  • Durch das oben angegebene Verfahren kann eine lichtemittierende Vorrichtung, wie z. B. eine Beleuchtungsvorrichtung und eine Anzeigevorrichtung, mit einer gekrümmten lichtemittierenden Oberfläche hergestellt werden.
  • Dank des Substrats mit Plastizität kann die hergestellte lichtemittierende Vorrichtung ihre Form behalten, auch wenn die Vorrichtung von der Stütze getrennt wird, nachdem die Schutzschicht ausgebildet worden ist. Daher kann die lichtemittierende Vorrichtung als eine lichtemittierende Vorrichtung mit einer lichtemittierenden Oberfläche, die entlang der gekrümmten Oberfläche der Stütze gekrümmt worden ist, verwendet werden.
  • Mit anderen Worten: eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine lichtemittierende Vorrichtung, die aufweist: ein Substrat mit einer gekrümmten Oberfläche und Plastizität, ein lichtemittierendes Element, das über der Oberfläche des Substrats ausgebildet ist und eine lichtemittierende Schicht zwischen einem Paar von Elektroden aufweist, eine Abdichtungsschicht, die das lichtemittierende Element bedeckt, und eine Schutzschicht über und in Kontakt mit der Abdichtungsschicht.
  • Mit einer solchen Struktur kann eine zuverlässige lichtemittierende Vorrichtung bereitgestellt werden, die eine gekrümmte lichtemittierende Oberfläche hat und in der Verteilung von Fremdstoffen wie z. B. Wasser von außen durch eine Abdichtungsschicht, die das lichtemittierende Element bedeckt, und durch eine Schutzschicht über und in Kontakt mit der Abdichtungsschicht verhindert wird.
  • Eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine lichtemittierende Vorrichtung, die aufweist: ein Substrat mit einer gekrümmten Oberfläche und Plastizität, eine Vielzahl von Pixeln über der Oberfläche des Substrats, die jeweils ein lichtemittierendes Element mit einer lichtemittierenden Schicht zwischen einem Paar von Elektroden und einen Transistor aufweisen, eine Abdichtungsschicht, die das lichtemittierende Element bedeckt, und eine Schutzschicht über und in Kontakt mit der Abdichtungsschicht.
  • Wie oben beschrieben worden ist, kann eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung für die lichtemittierende Vorrichtung (auch als eine Bildanzeigevorrichtung bezeichnet) verwendet werden, in der eine Vielzahl von Pixeln mit einer Kombination von einem Transistor und einem lichtemittierenden Element vorgesehen sind. Die lichtemittierende Vorrichtung kann an einer gekrümmten Wand oder Decke eines Gebäudes, eines Fahrzeugs und dergleichen befestigt werden, und kann ein elektronisches Gerät mit gutem Design wie z. B. ein tragbares Gerät erzielen.
  • In einer der lichtemittierenden Vorrichtungen nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält das Substrat ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial.
  • In einer der lichtemittierenden Vorrichtungen nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält das Substrat zumindest eins von Aluminium, Kupfer, Eisen, Nickel, Titan und Magnesium.
  • Wie oben beschrieben, kann unter Verwendung eines Metallmaterials oder eines Legierungsmaterials mit hoher Wärmeleitfähigkeit für das Substrat, über dem eine lichtemittierende Vorrichtung vorgesehen ist, Wärmeableitung erhöht werden. Infolgedessen kann Wärmeerzeugung von der lichtemittierenden Vorrichtung auch nach einer langen Nutzungsdauer unterbunden werden, und somit kann die Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtung erhöht werden.
  • In einer der lichtemittierenden Vorrichtungen nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Planarisierungsschicht zwischen dem lichtemittierenden Element und dem Substrat vorgesehen.
  • Es ist zu bevorzugen, eine Planarisierungsschicht näher einem Substrat als ein lichtemittierendes Element anzuordnen, weil die Gleichmäßigkeit der Dicke eines Films, der sich in dem lichtemittierenden Element befindet, vergrößert wird. Im Besonderen ist die Oberfläche eines Substrats, das ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial enthält, häufig rau; es ist besonders effektiv, eine Planarisierungsschicht anzuordnen.
  • In einer der lichtemittierenden Vorrichtungen nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält die Planarisierungsschicht ein wärmeleitfähiges Material.
  • In einer der lichtemittierenden Vorrichtungen nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält die Planarisierungsschicht ein Harz, in dem Teilchen, die ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial enthalten, verteilt sind.
  • Die Planarisierungsschicht, die näher an dem lichtemittierenden Element vorgesehen ist, ist unter Verwendung eines wärmeleitfähigen Materials ausgebildet; somit kann Ableitung von Wärme, die von dem lichtemittierenden Element erzeugt wird, erhöht werden. Insbesondere kann in dem Fall von Verwendung eines wärmeleitfähigen Substrats, das ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial enthält, Wärme, die von dem lichtemittierenden Element erzeugt wird, durch die Planarisierungsschicht auf das Substrat übertragen werden; somit kann Wärmeerzeugung von der lichtemittierenden Vorrichtung weiter unterbunden werden.
  • In einer der lichtemittierenden Vorrichtungen nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Schutzschicht unter Verwendung einer Glasschicht ausgebildet.
  • Es ist zu bevorzugen, eine Glasschicht als die Schutzschicht zum Schützen eines lichtemittierenden Elements zu verwenden, weil Verteilung von Fremdstoffen wie z. B. Wasser und Sauerstoff erheblich unterbunden werden kann.
  • In einer der lichtemittierenden Vorrichtungen nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Schutzschicht ein Stapel, in dem eine Glasschicht, eine Bondschicht (Verbindungsschicht) und eine Harzschicht in dieser Reihenfolge gestapelt sind.
  • Wenn die Schutzschicht die Struktur hat, bei der wie oben beschrieben eine Harzschicht über einer Glasschicht gestapelt ist, kann ein Riss oder ein Bruch in der Glasschicht unterbunden werden und somit kann die lichtemittierende Vorrichtung hohe Belastbarkeit aufweisen. Hier ist es besonders zu bevorzugen, die Glasschicht so anzuordnen, dass die Glasschicht dem lichtemittierenden Element zugewandt ist, weil Verteilung von Fremdstoffen von der Harzschicht unterbunden werden kann.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Substrats mit Plastizität, so dass eine Oberfläche flach ist, und dann Stapeln von einer ersten Elektrode, einer lichtemittierenden Schicht und einer zweiten Elektrode in dieser Reihenfolge über der einen Oberfläche des Substrats, so dass ein lichtemittierendes Element ausgebildet wird; Bereitstellen des Substrats, über dem das lichtemittierende Element ausgebildet ist, über einer Stütze mit einer gekrümmten Oberfläche entlang der gekrümmten Oberfläche der Stütze, so dass die andere Oberfläche, die der einen Oberfläche des Substrats, über der das lichtemittierende Element ausgebildet ist, gegenüber liegt, der Stütze zugewandt ist; Tropfen eines härtenden Materials auf die eine Oberfläche des Substrats; Bereitstellen einer Schutzschicht über dem Substrat in einem Bereich, in dem das lichtemittierende Element nicht ausgebildet ist, so dass das härtende Material in Kontakt mit einem Teil eines Randes der Schutzschicht steht, und dann Fixieren der Schutzschicht in einem Bereich, in dem die Schutzschicht in Kontakt mit dem härtenden Material steht; Krümmen der Schutzschicht entlang der einen Oberfläche des Substrats, so dass die Oberfläche der Schutzschicht, die dem Substrat zugewandt ist, in dem Bereich, in dem das lichtemittierende Element ausgebildet ist, in Kontakt mit dem härtenden Material steht; und Härten des härtenden Materials, so dass eine Abdichtungsschicht ausgebildet wird.
  • Durch ein solches Verfahren kann eine lichtemittierende Vorrichtung mit einer gekrümmten lichtemittierenden Oberfläche hergestellt werden. Da eine Oberfläche, über der ein lichtemittierendes Element ausgebildet wird, flach ist, wird die Gleichmäßigkeit der Dicke der Schicht, die in dem lichtemittierenden Element eingeschlossen ist, verbessert, und somit kann Emissionsleuchtdichte in der Oberfläche des Substrats gleichmäßig sein. Wenn die Schutzschicht ausgebildet wird, wird zunächst nur der Rand der Schutzschicht angebracht. Dann wird die Schutzschicht an einem wärmehärtenden Material, das zu einer Abdichtungsschicht wird, befestigt, während die Schutzschicht entlang der Oberfläche des Substrats gekrümmt ist. Folglich kann Erzeugung von Blasen zwischen der Schutzschicht und der Abdichtungsschicht unterbunden werden, und eine zuverlässige lichtemittierende Vorrichtung kann hergestellt werden.
  • Eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Substrats mit Plastizität, so dass eine Oberfläche flach ist, und dann werden eine erste Elektrode, eine lichtemittierende Schicht und eine zweite Elektrode in dieser Reihenfolge über der einen Oberfläche des Substrats gestapelt, so dass ein lichtemittierendes Element ausgebildet wird; Bereitstellen des Substrats, über dem das lichtemittierende Element ausgebildet ist, über einer Stütze mit einer gekrümmten Oberfläche entlang der gekrümmten Oberfläche der Stütze, so dass die andere Oberfläche, die der einen Oberfläche des Substrats, über der das lichtemittierende Element ausgebildet ist, gegenüber liegt, der Stütze zugewandt ist; Tropfen eines fotohärtenden Materials auf die eine Oberfläche des Substrats; Bereitstellen einer Schutzschicht über dem Substrat in einem Bereich, in dem das lichtemittierende Element nicht ausgebildet ist, so dass das fotohärtende Material in Kontakt mit einem Teil eines Randes der Schutzschicht steht, und dann Bestrahlen des Bereichs, wo die Schutzschicht in Kontakt mit dem fotohärtenden Material steht, mit Licht, um einen Teil des fotohärtenden Materials zu härten, so dass ein Teil einer Abdichtungsschicht ausgebildet wird, mit dem die Schutzschicht an einem Teil des Substrats befestigt wird; Krümmen der Schutzschicht entlang der einen Oberfläche des Substrats, so dass eine Oberfläche der Schutzschicht, die dem Substrat zugewandt ist, in dem Bereich, in dem das lichtemittierende Element ausgebildet ist, in Kontakt mit dem fotohärtenden Harz steht; und Bestrahlen eines Teils des fotohärtende Materials, der nicht gehärtet worden ist, mit Licht, so dass die Abdichtungsschicht ausgebildet wird.
  • Bei diesem Verfahren ist ein Halter zum Fixieren eines Teils der Schutzschicht an das Substrat nicht nötig. Dadurch kann eine lichtemittierende Vorrichtung mit einer gekrümmten lichtemittierenden Oberfläche leicht hergestellt werden.
  • Eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist: über einem Stützsubstrat mit einer flachen Oberfläche, Ausbilden einer zu trennenden Schicht über der flachen Oberfläche, und dann, über der zu trennenden Schicht, Ausbilden einer Vielzahl von Pixeln, die eine lichtemittierende Schicht zwischen einem Paar von Elektroden und einen Transistor aufweisen; Trennen der zu trennenden Schicht, über der die Pixel ausgebildet sind, von dem Stützsubstrat und Übertragen der zu trennenden Schicht, über der die Pixel ausgebildet sind, auf eine Oberfläche eines Substrats mit Plastizität; Bereitstellen des Substrats, das die Pixeln aufweist, über einer Stütze mit einer gekrümmten Oberfläche, so dass eine Oberfläche, die der einen Oberfläche, über der die Pixel ausgebildet sind, gegenüber liegt, der Stütze zugewandt ist; Krümmen des Substrats entlang der gekrümmten Oberfläche der Stütze; Tropfen eines härtenden Materials auf die eine Oberfläche des Substrats; Bereitstellen einer Schutzschicht über dem Substrat in einem Bereich, in dem das Pixel nicht vorgesehen ist, so dass das härtende Material in Kontakt mit einem Teil eines Randes der Schutzschicht steht; und dann Fixieren der Schutzschicht in dem Bereich, in dem die Schutzschicht in Kontakt mit dem härtenden Material steht; Krümmen der Schutzschicht entlang der einen Oberfläche des Substrats, so dass die Oberfläche der Schutzschicht, die dem Substrat zugewandt ist, in dem Bereich, in dem die Pixel vorgesehen sind, in Kontakt mit dem härtenden Harz steht; und Härten des härtenden Materials, so dass eine Abdichtungsschicht ausgebildet wird.
  • Durch ein solches Verfahren kann eine Bildanzeigevorrichtung mit einem Anzeigeabschnitt, der gekrümmt ist und eine Vielzahl von Pixeln aufweist, hergestellt werden. Weil eine Oberfläche, über der ein lichtemittierendes Element und ein Transistor ausgebildet werden, flach ist, können sie leicht ausgebildet werden, und außerdem kann eine zuverlässige Anzeigevorrichtung, in der Schwankungen der elektrischen Eigenschaften unterbunden werden, hergestellt werden.
  • Eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist: über einem Stützsubstrat mit einer flachen Oberfläche, Ausbilden einer zu trennenden Schicht über der flachen Oberfläche, und dann, über der zu trennenden Schicht, Ausbilden einer Vielzahl von Pixeln, die eine lichtemittierende Schicht zwischen einem Paar von Elektroden und einen Transistor aufweisen; Trennen der zu trennenden Schicht, über der die Pixel ausgebildet sind, von dem Stützsubstrat und Übertragen der zu trennenden Schicht, über der die Pixel ausgebildet sind, auf eine Oberfläche eines Substrats mit Plastizität; Bereitstellen des Substrats, das die Pixel aufweist, über einer Stütze mit einer gekrümmten Oberfläche, so dass eine Oberfläche, die der einen Oberfläche, über der die Pixel ausgebildet sind, gegenüber liegt, der Stütze zugewandt ist, Krümmen des Substrats entlang der gekrümmten Oberfläche der Stütze; Tropfen eines fotohärtenden Materials auf die eine Oberfläche des Substrats; Bereitstellen einer Schutzschicht über dem Substrat in einem Bereich, in dem die Pixel nicht vorgesehen sind, so dass das fotohärtende Material in Kontakt mit einem Teil eines Randes der Schutzschicht steht, und dann Bestrahlen des Bereichs, wo die Schutzschicht in Kontakt mit dem fotohärtenden Material steht, mit Licht, um einen Teil des fotohärtenden Materials zu härten, so dass ein Teil einer Abdichtungsschicht ausgebildet wird, von dem die Schutzschicht an einem Teil des Substrats befestigt wird; Krümmen der Schutzschicht entlang der einen Oberfläche des Substrats, so dass die Oberfläche der Schutzschicht, die dem Substrat zugewandt ist, in dem Bereich, in dem die Pixel vorgesehen sind, in Kontakt mit dem fotohärtenden Material steht; und Bestrahlen eines Teils des fotohärtenden Materials, der nicht gehärtet worden ist, mit Licht, so dass die Abdichtungsschicht ausgebildet wird.
  • Auf eine solche Weise wird vorzugsweise ein Teil der Schutzschicht mittels eines fotohärtenden Materials fixiert.
  • Die hergestellte lichtemittierende Vorrichtung kann von der Stütze beabstandet werden oder kann von der Stütze weiterhin gehalten werden. Beispielsweise ist es möglich, dass ein Bestandteil, der zu einem Gehäuse einer Beleuchtungsvorrichtung oder eines elektronischen Geräts werden soll, als die Stütze verwendet wird und eine lichtemittierende Vorrichtung über der Stütze hergestellt wird und dann in der Beleuchtungsvorrichtung oder dem elektronischen Gerät eingebaut wird.
  • Bei einem der Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Substrat, das ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial enthält, als das Substrat verwendet.
  • In einem der Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält das Substrat zumindest eins von Aluminium, Kupfer, Eisen, Nickel, Titan und Magnesium.
  • Wie oben beschrieben worden ist, kann dann, wenn ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial mit hoher Wärmeleitfähigkeit für das Substrat verwendet wird, eine lichtemittierende Vorrichtung, in der Wärmeableitung erhöht wird, hergestellt werden. Ferner kann ein Planarisierungsfilm oder ein Planarisierungsfilm, der ein wärmeleitfähiges Material enthält, über einer Oberfläche des Substrats, über der ein Element ausgebildet ist, vorgesehen sein.
  • In einem der Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird die Schutzschicht unter Verwendung einer Glasschicht ausgebildet.
  • In einem der Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Schutzschicht ein Stapel, in dem eine Glasschicht, eine Bondschicht und eine Harzschicht in dieser Reihenfolge gestapelt sind.
  • Durch das Herstellungsverfahren kann eine zuverlässige lichtemittierende Vorrichtung, in der Verteilung von Fremdstoffen wie z. B. Wasser und Sauerstoff unterbunden wird, hergestellt werden. Ferner kann eine lichtemittierende Vorrichtung mit hoher mechanischer Belastbarkeit unter Verwendung eines Stapels von Glas und Harz hergestellt werden.
  • Der Ausdruck „EL-Schicht“ in dieser Beschreibung und dergleichen bezeichnet eine Schicht, die zwischen einem Paar von Elektroden eines lichtemittierenden Elements liegt, und insbesondere zumindest eine Schicht, die eine lichtemittierende organische Verbindung enthält (auch als eine lichtemittierende Schicht bezeichnet), oder einen Stapel, der die lichtemittierende Schicht aufweist.
  • Es sei angemerkt, dass mit einer lichtemittierenden Vorrichtung in dieser Beschreibung eine Bildanzeigeeinheit und eine Lichtquelle (einschließlich einer Beleuchtungsvorrichtung) gemeint ist. Ferner umfasst die lichtemittierende Vorrichtung eines der folgenden Module in ihrer Kategorie: ein Modul, in dem ein Anschlussteil, wie z. B. eine flexible gedruckte Schaltung (flexible printed circuit: FPC) oder ein Tape Carrier Package (TCP) an einer lichtemittierenden Vorrichtung angebracht ist; ein Modul, das ein TCP aufweist, dessen Ende mit einer gedruckten Leiterplatte versehen ist; und ein Modul, das eine integrierte Schaltung (integrated circuit: IC) aufweist, die direkt über einem Substrat, über dem ein lichtemittierendes Element ausgebildet ist, mittels eines Chip-On-Glass- (COG-) Verfahrens montiert ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine lichtemittierende Vorrichtung mit einer gekrümmten lichtemittierenden Oberfläche bereitgestellt werden. Ferner kann eine zuverlässige lichtemittierende Vorrichtung bereitgestellt werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Bei den begleitenden Zeichnungen zeigen:
    • 1A bis 1D ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 2A bis 2E ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 3 eine lichtemittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 4A und 4B eine lichtemittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 5A bis 5D ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 6A bis 6C ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 7A bis 7E Anwendungsbeispiele für eine lichtemittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 8A und 8B Messergebnisse von Temperatureigenschaften nach Beispiel 1.
    • 9 ein Bild einer lichtemittierenden Vorrichtung nach Beispiel 2.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Anhand der begleitenden Zeichnungen werden Ausführungsformen und Beispiele ausführlich beschrieben. Es sei angemerkt, dass die Erfindung nicht auf die folgende Beschreibung beschränkt ist, und ein Fachmann wird leicht verstehen, dass verschiedene Änderungen und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne vom Erfindungsgedanken und vom Schutzbereich der Erfindung abzuweichen. Dementsprechend soll die Erfindung nicht als durch die Beschreibung der nachstehenden Ausführungsformen beschränkt angesehen werden. Es sei angemerkt, dass bei den nachstehenden Strukturen der Erfindung gleiche Teile oder Teile mit ähnlichen Funktionen in unterschiedlichen Zeichnungen mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet werden, und die Beschreibung solcher Teile nicht wiederholt wird.
  • Es sei angemerkt, dass in jeder Zeichnung in dieser Beschreibung die Größe, die Dicke einer Schicht oder der Bereich jeder Komponente in einigen Fällen der Klarheit wegen übertrieben ist. Somit sind Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung nicht auf solche Maße beschränkt.
  • (Ausführungsform 1)
  • Bei dieser Ausführungsform werden eine lichtemittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und ein Herstellungsverfahren dafür anhand von Zeichnungen beschrieben.
  • [Beispiel für Herstellungsverfahren für lichtemittierende Vorrichtung]
  • Ein Herstellungsverfahren für eine lichtemittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird im Nachstehenden anhand von 1A bis 1D und 2A bis 2E beschrieben. 1A bis 1D und 2A bis 2E zeigen schematische Draufsichten in jeweiligen Abschnitten und schematische Querschnittansichten entlang der Linie A-B in den schematischen Draufsichten.
  • Zuerst wird ein Substrat 101 vorbereitet. Für das Substrat 101 werden ein Material mit Plastizität und ein Substrat, bei dem zumindest eine Ausbildungsoberfläche flach ist, verwendet.
  • Wenn ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial für das Substrat 101 verwendet wird, kann Ableitung von Wärme, die von einem später ausgebildeten lichtemittierenden Element erzeugt wird, erhöht werden, was bevorzugt ist. Ein Material, das für das Substrat 101 verwendet wird, kann ein Metallmaterial wie z. B. Aluminium, Kupfer, Eisen, Nickel, Titan und Magnesium oder ein Legierungsmaterial, das das Metallmaterial enthält, sein. Alternativ kann rostfreier Stahl oder Duralumin verwendet werden.
  • Vorzugsweise wird ein Substrat verwendet, an dem eine Isolierungsbehandlung durchgeführt worden ist. Beispielsweise wird eine Oberfläche eines leitenden Substrats oxidiert, oder ein Isolierfilm wird über einer Oberfläche eines Substrats ausgebildet. Ein Isolierfilm kann durch z. B. ein elektrolytisches Abscheidungsverfahren, ein Beschichtungsverfahren wie z. B. ein Rotationsbeschichtungsverfahren und ein Tauchverfahren, ein Aufdampfungsverfahren oder ein Sputterverfahren ausgebildet werden. Ein Oxidfilm kann über einer Oberfläche des Substrats 101 durch ein bekanntes Verfahren wie z. B. ein anodisches Oxidationsverfahren, Exposition oder Erwärmung in einer Sauerstoffatmosphäre oder dergleichen ausgebildet werden.
  • Dann wird eine Planarisierungsschicht 113 über der Ausbildungsoberfläche des Substrats 101 ausgebildet. Die Planarisierungsschicht 113 wird ausgebildet, um die Unebenheit der Oberfläche des Substrats 101 zu bedecken und zu ebnen. Für die Planarisierungsschicht 113 kann ein Isoliermaterial verwendet werden: z. B. ein organisches Material wie z. B. ein auf Polyimid, Acryl, Epoxid oder Benzocyclobuten basiertes Harz.
  • Die Planarisierungsschicht 113 kann durch ein Beschichtungsverfahren wie z. B. ein Rotationsbeschichtungsverfahren oder ein Tauchverfahren, ein Entladungsverfahren wie z. B. ein Tintenstrahlverfahren oder ein Dispenserverfahren, ein Druckverfahren wie z. B. ein Siebdruckverfahren oder dergleichen ausgebildet werden.
  • Ein organisches Harz, in dem Teilchen verteilt sind, die ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial enthalten, kann für die Planarisierungsschicht 113 verwendet werden. Wenn die Planarisierungsschicht 113, in der leitende Materialien verteilt sind, verwendet wird, kann so Wärme, die von einem später ausgebildeten lichtemittierenden Element erzeugt wird, effektiv auf das Substrat 101 übertragen werden und somit wird eine Wärmeableitungseigenschaft weiter erhöht. Um eine Planarisierungseigenschaft oder eine Isoliereigenschaft zu erhöhen, kann ein organisches Harz ferner über dem organischen Harz, in dem leitende Teilchen verteilt sind, gestapelt werden.
  • Es sei angemerkt, dass dann, wenn die Oberfläche des Substrats 101 einer Isolierungsbehandlung unterzogen worden ist und seine Planarisierungseigenschaft hoch ist, die Planarisierungsschicht 113 nicht notwendigerweise vorgesehen ist.
  • Als Nächstes werden eine erste Elektrodenschicht 103 und eine Leitung 111 über der Planarisierungsschicht 113 ausgebildet.
  • Ein Teil der ersten Elektrodenschicht 103 dient als eine Elektrode des lichtemittierenden Elements. Die Leitung 111 ist eine Leitung zum Zuführen der Elektrizität zu einer später ausgebildeten zweiten Elektrode des lichtemittierenden Elements. Hier dienen ein Teil der ersten Elektrodenschicht 103 und ein Teil der Leitung 111 je auch als eine Extraktionselektrode zum Zuführen der Elektrizität.
  • Die erste Elektrodenschicht 103 und die Leitung 111 können aus dem gleichen Material oder unterschiedlichen Materialien ausgebildet werden. Zumindest ein Bereich über der ersten Elektrodenschicht 103, wo ein lichtemittierendes Element ausgebildet wird, wird unter Verwendung eines Materials ausgebildet, das Lichtemission von einer später ausgebildeten EL-Schicht 105 reflektiert. Ein Material mit hohen Reflexionseigenschaften, das ein anderes als das für die erste Elektrodenschicht 103 ist, kann in dem Bereich der ersten Elektrodenschicht 103, wo ein lichtemittierendes Element ausgebildet wird, gestapelt werden.
  • Als Beispiele für das Material, das für die erste Elektrodenschicht 103 und die Leitung 111 verwendet wird, kann ein Metallmaterial wie z. B. Aluminium, Gold, Platin, Silber, Nickel, Wolfram, Chrom, Molybdän, Eisen, Kobalt, Kupfer oder Palladium, oder eine Legierung, die eines dieser Materialien enthält, angegeben werden. Alternativ kann Lanthan, Neodym, Germanium oder dergleichen einem Metallmaterial oder einem Legierungsmaterial zugesetzt werden. Ferner können verwendet werden: Legierungen, die Aluminium enthalten (Aluminiumlegierungen), wie z. B. eine Legierung von Aluminium und Titan, eine Legierung von Aluminium und Nickel, und eine Legierung von Aluminium und Neodym; und Legierungen, die Silber enthalten, wie z. B. eine Legierung von Silber und Kupfer, und eine Legierung von Silber und Magnesium. Eine Legierung von Silber und Kupfer wird wegen deren hohen Wärmebeständigkeit bevorzugt. Zudem kann durch Stapeln eines Metallfilms oder eines Metalloxidfilms in Kontakt mit einem Aluminiumlegierungsfilm Oxidation des Aluminiumlegierungsfilms unterbunden werden. Als Beispiele für ein Material für den Metallfilm oder den Metalloxidfilm werden Titan, Titanoxid und dergleichen angegeben. Alternativ kann die leitende Schicht ein Stapel aus einem Film, der eines der vorstehenden lichtdurchlässigen Materialien enthält, und einem Film, der eines der vorstehenden Metallmaterialien enthält, sein. Beispielsweise können ein gestapelter Film aus Silber und Indiumoxid-Zinnoxid, ein gestapelter Film aus einer Silber-Magnesiumlegierung und Indiumoxid-Zinnoxid oder dergleichen verwendet werden.
  • Die erste Elektrodenschicht 103 und die Leitung 111 können durch ein Sputterverfahren, ein Vakuumaufdampfungsverfahren, ein Druckverfahren wie z. B. ein Siebdruckverfahren, ein Entladungsverfahren wie z. B. ein Tintenstrahlverfahren oder ein Dispenserverfahren, ein Plattierverfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Insbesondere werden sie vorzugsweise zur gleichen Zeit mittels eines Siebdruckverfahrens ausgebildet.
  • 1A zeigt eine schematische Draufsicht und eine schematische Querschnittansicht in diesem Abschnitt.
  • Als Nächstes wird eine Isolierschicht 115 ausgebildet, die teilweise Endteile der ersten Elektrodenschicht 103 und der Leitung 111 bedeckt und Öffnungen hat, wo Teile der ersten Elektrodenschicht 103 und der Leitung 111 freigelegt sind.
  • Die Isolierschicht 115 kann durch ein Entladungsverfahren wie z. B. ein Tintenstrahlverfahren oder ein Dispenserverfahren, ein Druckverfahren wie z. B. ein Siebdruckverfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Alternativ kann ein Fotolithografieverfahren verwendet werden.
  • Ein oberer Endteil oder ein unterer Endteil der Isolierschicht 115 weist vorzugsweise eine gekrümmte Oberfläche mit einem Krümmungsradius von 0,2 µm bis 3 µm auf, um mit einer später ausgebildeten zweiten Elektrode 107 angemessen bedeckt zu werden. Die Isolierschicht 115 kann unter Verwendung eines Materials, das dem für die Planarisierungsschicht 113 ähnlich ist, einer organischen Verbindung wie z. B. eines negativ fotoempfindlichen Harzes oder eines positiv fotoempfindlichen Harzes, oder einer anorganischen Verbindung wie z. B. eines Siliziumoxids oder eines Siliziumoxynitrids ausgebildet werden.
  • 1B zeigt eine schematische Draufsicht und eine schematische Querschnittansicht in diesem Abschnitt.
  • Als Nächstes wird die EL-Schicht 105 über der ersten Elektrodenschicht 103 ausgebildet. Die EL-Schicht 105 wird durch ein Vakuumaufdampfungsverfahren, ein Entladungsverfahren wie z. B. ein Tintenstrahlverfahren oder ein Dispenserverfahren, oder ein Beschichtungsverfahren wie z. B. ein Rotationsbeschichtungsverfahren ausgebildet.
  • Die EL-Schicht 105 weist zumindest eine Schicht auf, die eine lichtemittierende organische Verbindung enthält (nachstehend auch als eine lichtemittierende Schicht bezeichnet), und kann entweder eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur haben. Als die Struktur, bei der eine Vielzahl von Schichten gestapelt sind, kann eine Struktur, bei der eine Anode, eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine lichtemittierende Schicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht in dieser Reihenfolge gestapelt sind, als ein Beispiel angegeben werden. Es sei angemerkt, dass außer der lichtemittierenden Schicht nicht alle dieser Schichten notwendigerweise in der EL-Schicht 105 vorgesehen sind. Ferner kann jede dieser Schichten doppelt oder mehrfach vorgesehen sein. Insbesondere können sich in der EL-Schicht 105 eine Vielzahl von lichtemittierenden Schichten miteinander überlappen, oder eine weitere Lochinjektionsschicht kann sich mit der Elektroneninjektionsschicht überlappen. Außerdem kann eine weitere Komponente wie z. B. eine Elektronenweiterleitungsschicht soweit angemessen als eine Zwischenschicht zusätzlich zu einer Ladungserzeugungsschicht hinzugefügt werden. Alternativ können eine Vielzahl von lichtemittierenden Schichten, die unterschiedliche Farben zeigen, aufeinander gestapelt werden. Beispielsweise kann eine weiße Emission durch Stapeln von zwei oder mehr lichtemittierenden Schichten mit komplementären Farben erhalten werden.
  • 1C zeigt eine schematische Draufsicht und eine schematische Querschnittansicht in diesem Abschnitt.
  • Die zweite Elektrodenschicht 107, die die EL-Schicht 105 bedeckt und elektrisch mit der Leitung 111 verbunden wird, wird ausgebildet.
  • Ein Material mit einer Eigenschaft, Licht durchzulassen, das von der EL-Schicht 105 emittiert wird, wird für die zweite Elektrodenschicht 107 verwendet.
  • Als das lichtdurchlässige Material kann ein leitendes Oxid wie z. B. Indiumoxid, Indiumoxid-Zinnoxid, Indiumoxid-Zinkoxid, Zinkoxid und Zinkoxid, dem Gallium zugesetzt worden ist, verwendet werden. Ferner kann Graphen verwendet werden. Andere Beispiele sind ein Metallmaterial wie z. B. Gold, Silber, Platin, Magnesium, Nickel, Wolfram, Chrom, Molybdän, Eisen, Kobalt, Kupfer, Palladium und Titan; und ein Legierungsmaterial, das eines dieser Metallmaterialien enthält. Alternativ kann Nitrid des Metallmaterials (wie z. B. Titannitrid) oder dergleichen verwendet werden. In dem Fall von Verwendung des Metallmaterials (oder des Nitrids davon) kann die Dicke der leitenden Schicht reduziert werden, damit Licht durchgelassen werden kann. Alternativ kann ein Stapel mit den vorstehenden Materialien als die leitende Schicht verwendet werden. Beispielsweise werden gestapelte Filme von einer Silber-Magnesium Legierung und Indiumoxid-Zinnoxid vorzugsweise verwendet, wodurch elektrische Leitfähigkeit erhöht werden kann.
  • Die zweite Elektrodenschicht 107 wird durch ein Vakuumaufdampfungsverfahren, ein Sputterverfahren oder dergleichen ausgebildet. Ein Entladungsverfahren wie z. B. ein Tintenstrahlverfahren, ein Druckverfahren wie z. B. ein Siebdruckverfahren, oder ein Plattierverfahren kann verwendet werden.
  • Es sei angemerkt, dass dann, wenn der vorstehende leitende Oxidfilm mit einer Lichtdurchlasseigenschaft durch ein Sputterverfahren ausgebildet wird, die Verwendung einer Abscheidungsatmosphäre, die Argon und Sauerstoff enthält, Erhöhung der Lichtdurchlasseigenschaft ermöglicht.
  • Ferner ist es in dem Fall, in dem der leitende Oxidfilm über der EL-Schicht ausgebildet wird, zu bevorzugen, einen ersten leitenden Oxidfilm, der in einer Argon enthaltenden Atmosphäre mit einer reduzierten Sauerstoffkonzentration ausgebildet wird, und einen zweiten leitenden Oxidfilm, der in einer Argon und Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre ausgebildet wird, zu stapeln, weil Beschädigung bei Filmausbildung an der EL-Schicht reduziert werden kann. Hier ist die Reinheit eines Argongases, das zum Ausbilden des ersten leitenden Oxidfilms verwendet wird, vorzugsweise hoch, und zum Beispiel wird vorzugsweise das Argongas verwendet, dessen Taupunkt niedriger als oder gleich -70 °C, insbesondere niedriger als oder gleich -100 °C ist.
  • Auf diese Weise wird ein lichtemittierendes Element 120, in dem die erste Elektrodenschicht 103, die EL-Schicht 105 und die zweite Elektrodenschicht 107 gestapelt sind, ausgebildet. Hier wird die Struktur, die über dem Substrat 101 ausgebildet ist, insgesamt als eine lichtemittierende Einheit 110 bezeichnet.
  • In jedem der Prozesse zum Ausbilden der lichtemittierenden Einheit 110 wird die Ausbildungsoberfläche des Substrats 101 so bereitgestellt, dass die Ausbildungsoberfläche flach ist. Somit können Dicke, Form, Position und dergleichen jeder Schicht, die in der lichtemittierenden Einheit 110 eingeschlossen ist, gut gesteuert werden. Besonders kann die jeweilige Dicke der ersten Elektrodenschicht 103, der EL-Schicht 105 und der zweiten Elektrodenschicht 107, die in dem lichtemittierenden Element 120 eingeschlossen sind, gleichmäßig sein; daher kann eine lichtemittierende Vorrichtung mit hoher Leuchtdichtegleichmäßigkeit hergestellt werden.
  • Ein Schutzfilm kann über der zweiten Elektrodenschicht 107 ausgebildet werden. Durch Ausbilden eines Schutzfilms kann Verteilung von Fremdstoffen wie z. B. Wasser und Sauerstoff in das lichtemittierende Element 120 unterbunden werden. Somit kann eine lichtemittierende Vorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit bereitgestellt werden. Für den Schutzfilm wird ein Material mit einer Lichtdurchlasseigenschaft und einer Barriereeigenschaft gegen Wasser und Sauerstoff verwendet; ein Halbleiter wie z. B. Silizium oder Oxid oder Nitrid von Metal wie z. B. Aluminium kann beispielsweise verwendet werden.
  • 1D zeigt eine schematische Draufsicht und eine schematische Querschnittansicht in diesem Abschnitt.
  • Als Nächstes wird das Substrat 101, über dem die lichtemittierende Einheit 110 ausgebildet ist, über einer Stütze 121 angebracht, wie in 2A gezeigt ist. Der Klarheit halber ist die lichtemittierende Einheit 110 in den nachstehenden Zeichnungen vereinfacht.
  • Die Stütze 121 hat eine gekrümmte Oberfläche. Der Querschnitt der Stütze 121 hat vorzugsweise eine kontinuierliche Krümmung. Die Stütze 121 in 2A hat einen vorspringenden bogenförmigen Querschnitt. Außerdem sind verschiedene Formen möglich: ein vertiefter bogenförmiger Querschnitt, ein wellenförmiger Querschnitt oder dergleichen.
  • Das Substrat 101 wird entlang der gekrümmten Oberfläche der Stützte 121 angebracht. Da das Substrat 101 Plastizität hat, kann die gekrümmte Form aufrechterhalten werden, nachdem das Substrat 101 entlang der gekrümmten Oberfläche der Stützte 121 angebracht worden ist.
  • Die Stütze 121 und das Substrat 101 können unter Verwendung eines klebenden Materials oder eines Halters fixiert werden. Es sei angemerkt, dass in dem Fall, in dem eine lichtemittierende Vorrichtung 100 von der Stütze 121 getrennt wird, ein niedrigviskoses klebendes Material oder ein lösbarer Halter verwendet wird.
  • Hier kann der Krümmungsradius der Stütze 121 so eingestellt werden, dass in keiner Schicht in der lichtemittierenden Einheit 110 ein Riss oder ein Bruch erfolgt, wenn das Substrat 101 gekrümmt wird. Ferner kann, da jede Schicht in der lichtemittierenden Einheit 110 dünner ist, eine Stütze mit kleinerem Krümmungsradius verwendet werden.
  • Als Nächstes wird ein Abdichtungsmaterial 122 auf das gekrümmte Substrat 101 aufgebracht (2B). Das Abdichtungsmaterial 122 wird beispielsweise durch Tropfen eines Materials, das für das Abdichtungsmaterial 122 verwendet wird, auf zumindest einen Bereich, der das lichtemittierende Element 120 bedeckt, und einen Bereich, in dem später eine Schutzschicht ausgebildet wird, ausgebildet. Zu dieser Zeit wird das Abdichtungsmaterial 122 aufgebracht, so dass ein Bereich der ersten Elektrodenschicht 103 und der Leitung 111, der als eine Extraktionselektrode in der Peripherie des Substrats 101 dient, freigelegt ist.
  • Ein fotohärtendes organisches Harz wird als das Abdichtungsmaterial 122 verwendet. Außerdem wird als das Abdichtungsmaterial 122 ein Material verwendet, das zumindest von einem lichtemittierenden Element emittiertes Licht durchlässt, nachdem sich das Abdichtungsmaterial 122 durch Lichtbestrahlung gehärtet hat.
  • Beispielsweise kann PVC (Polyvinylchlorid), Acryl, Polyimid, ein Epoxidharz, ein Silikonharz, PVB (Polyvinylbutyral), EVA (Ethylenvinylacetat) oder dergleichen für das Abdichtungsmaterial 122 verwendet werden.
  • Als Nächstes wird eine Schutzschicht 125 so ausgebildet, dass sie in Kontakt mit einem Teil des Abdichtungsmaterials 122 steht (2C).
  • Die Schutzschicht 125 wird beispielsweise unter Verwendung eines Materials, das zumindest Licht, das von dem lichtemittierenden Element 120 emittiert wird, durchlässt, wie z. B. eines plattenförmigen organischen Harzes oder eines Glasmaterials mit einer ausreichenden Dicke, um eine Flexibilität zu haben, ausgebildet.
  • Die Schutzschicht 125 kann durch Stapeln einer Vielzahl von Schichten ausgebildet werden. Wenn eine Glasschicht verwendet wird, kann eine Barriereeigenschaft gegen Wasser und Sauerstoff verbessert werden und somit kann eine zuverlässige lichtemittierende Vorrichtung bereitgestellt werden.
  • Insbesondere wird vorzugsweise eine Platte, in der eine Glasschicht, eine Bondschicht und eine organische Harzschicht von der einem lichtemittierenden Element näheren Seite aus gestapelt sind, für die Schutzschicht 125 verwendet. Die Dicke der Glasschicht ist größer als oder gleich 20 µm und kleiner als oder gleich 200 µm, vorzugsweise größer als oder gleich 25 µm und kleiner als oder gleich 100 µm. Mit einer solchen Dicke kann die Glasschicht sowohl eine hohe Barriereeigenschaft gegen Wasser und Sauerstoff als auch eine hohe Flexibilität aufweisen. Die Dicke der organischen Harzschicht ist größer als oder gleich 10 µm und kleiner als oder gleich 200 µm, vorzugsweise größer als oder gleich 20 µm und kleiner als oder gleich 50 µm. Dank einer solchen organischen Harzschicht, die außerhalb der Glasschicht vorgesehen ist, kann ein Riss oder ein Bruch in der Glasschicht vermieden werden, und mechanische Belastbarkeit kann verbessert werden. Durch Ausbilden der Schutzschicht 125 unter Verwendung eines solchen Verbundmaterials von einem Glasmaterial und einem organischen Harz kann eine lichtemittierende Vorrichtung mit einer gekrümmten lichtemittierenden Oberfläche und hoher Zuverlässigkeit bereitgestellt werden.
  • Zuerst wird die Schutzschicht 125 so angebracht, dass ihr Endteil in Kontakt mit dem Abdichtungsmaterial 122 zumindest in einem Bereich des Substrats 101 außerhalb des Bereichs, in dem das lichtemittierende Element 120 vorgesehen ist, steht. Hier steht die Schutzschicht 125 außer ihrem Endteil vorzugsweise nicht in Kontakt mit dem Abdichtungsmaterial 122, wie in 2C gezeigt ist.
  • Dann wird der Bereich, in dem die Schutzschicht 125 in Kontakt mit dem Abdichtungsmaterial 122 steht, mit Licht 127 bestrahlt. Das Abdichtungsmaterial 122 in diesem Bereich wird gehärtet, wodurch das Substrat 101 an der Schutzschicht 125 befestigt wird. Hierbei wird ein Teil des gehärteten Abdichtungsmaterials 122 zu einer Abdichtungsschicht 123.
  • Dann wird die Schutzschicht 125 fest an dem Abdichtungsmaterial 122 angebracht, während die Schutzschicht 125 unter Verwendung des Bereichs, in dem die Schutzschicht 125 an der Abdichtungsschicht 123 befestigt worden ist, als ein Stützpunkt graduell gekrümmt wird. Der Endteil der Schutzschicht 125 wird erst befestigt, und dann wird die Schutzschicht 125 graduell an dem Abdichtungsmaterial 122 von dem befestigten Teil zu dem Außenteil hin angebracht; somit wird Eintritt von Luftblasen und dergleichen unterbunden. Auf diese Weise kann eine lichtemittierende Vorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit bereitgestellt werden.
  • Wenn die Schutzschicht 125 an dem Abdichtungsmaterial 122 befestigt wird, wird vorzugsweise ein Rollenpressungselement oder dergleichen von dem befestigten Teil (einem Startpunkt) aus gerollt. Zu dieser Zeit wird vorzugsweise ein bestimmter Abstand zwischen der Schutzschicht 125 und dem Substrat 101 aufrechterhalten.
  • Als Nächstes wird, wie in 2D gezeigt ist, das Abdichtungsmaterial 122 mit dem Licht 127 von oberhalb der Schutzschicht 125 bestrahlt, wodurch das Abdichtungsmaterial 122 gehärtet wird und die Abdichtungsschicht 123 ausgebildet wird.
  • Zu dieser Zeit kann das Abdichtungsmaterial 122 mit dem Licht 127 bestrahlt werden, während die Schutzschicht 125 fixiert wird, um nicht abgetrennt zu werden.
  • Durch die vorstehenden Schritte kann die lichtemittierende Vorrichtung 100 mit der gekrümmten lichtemittierenden Oberfläche über der Stütze 121 ausgebildet werden.
  • Obwohl ein fotohärtendes organisches Harz als das Material für das Abdichtungsmaterial 122 verwendet wird, ist ein Material nicht darauf beschränkt; ein wärmehärtendes organisches Harz, ein zwei-Komponenten-Misch-Harz, das bei Raumtemperatur gehärtet wird oder dergleichen kann verwendet werden.
  • Wenn das wärmehärtende Harz als das Abdichtungsmaterial 122 verwendet wird, wird ein Teil der Schutzschicht 125 fest an dem Abdichtungsmaterial 122 angebracht, und dann wird der befestigte Teil lokal erwärmt und gehärtet. Dann wird die Schutzschicht 125 gekrümmt und fest an dem Abdichtungsmaterial 122 angebracht, und wird vollständig erwärmt und gehärtet. Als ein Verfahren zum lokalen Erwärmen des Teils wird lokale Bestrahlung mit Licht aus einer Lampe, Bewegen einer Wärmequelle wie z. B. eines Heizelements nahe an den Teil heran oder dergleichen angegeben. Um die ganze Schicht zu erwärmen, können eine Lampe, ein Heizelement, eine Heizplatte, ein Ofen und dergleichen verwendet werden.
  • In dem Fall, in dem ein Harz, das bei Raumtemperatur gehärtet wird, als das Abdichtungsmaterial 122 verwendet wird, wird der Bereich außer dem Bereich, in dem das lichtemittierende Element 120 vorgesehen ist, im Voraus mit dem Harz beschichtet, und das Harz wird gehärtet, während es fest an dem Teil der Schutzschicht 125 angebracht ist. Ein Harz wird wieder auf den Bereich, der sich mit dem lichtemittierenden Element 120 überlappt, aufgebracht, und die Schutzschicht 125 wird gekrümmt und fest an dem Harz angebracht, das dann gehärtet wird.
  • Obwohl ein Verfahren oben beschrieben worden ist, bei dem die Schutzschicht 125 an dem Substrat 101 durch Härten des Abdichtungsmaterials 122 befestigt wird, das an der Schutzschicht 125 in dem Bereich außer dem Bereich, in dem das lichtemittierende Element 120 vorgesehen ist, fest angebracht wird, gibt es keine Beschränkung darauf. Ein anderes Verfahren kann verwendet werden, solange die Position der Schutzschicht 125 in dem Bereich zumindest dann fixiert ist, wenn die Schutzschicht 125 gekrümmt wird.
  • Beispielsweise kann das folgende Verfahren verwendet werden: das Abdichtungsmaterial 122 wird auf das Substrat 101 aufgebracht; die Schutzschicht 125 wird fest an dem Abdichtungsmaterial 122 in dem Bereich außer dem Bereich, wo das lichtemittierende Element 120 vorgesehen ist, angebracht; die Schutzschicht 125 wird gekrümmt, während der Endteil der Schutzschicht 125 an dem Substrat 101 fixiert ist und fest an dem Abdichtungsmaterial 122 angebracht ist; und das ganze Abdichtungsmaterial 122 wird gehärtet. Als ein Verfahren zum Fixieren des Endteils der Schutzschicht 125 an das Substrat 101 kann das folgende Verfahren angegeben werden: ein Verfahren, bei dem die Schutzschicht 125 von oben mittels eines Pressungselements gedrückt wird, ein Verfahren, bei dem die Stütze 121 oder das Substrat 101 direkt an den Endteil der Schutzschicht 125 mittels eines Halters wie z. B. eines Bands fixiert wird, oder dergleichen.
  • Wenn ein solches Verfahren verwendet wird, ist das härtende Material für das Abdichtungsmaterial 122 nicht beschränkt: ein fotohärtendes Harz, ein wärmehärtendes Harz, ein härtendes Harz, das bei Raumtemperatur gehärtet wird, oder dergleichen.
  • Es sei angemerkt, dass die lichtemittierende Vorrichtung 100, wie in 2D gezeigt ist, von der Stütze 121 getragen werden kann oder, wie in 2E gezeigt ist, von der Stütze 121 getrennt werden kann.
  • In dem Fall, in dem die lichtemittierende Vorrichtung 100 von der Stütze 121 getragen wird, kann ein Bauteil, das zu einem Gehäuse einer Beleuchtungsvorrichtung oder eines elektronischen Geräts wird, als die Stütze 121 verwendet werden, und eine lichtemittierende Vorrichtung 100 kann über der Stütze 121 hergestellt werden und dann in der Beleuchtungsvorrichtung oder dem elektronischen Gerät eingebaut werden.
  • Wie oben beschrieben worden ist, kann dann, wenn ein Material mit Plastizität für das Substrat 101 verwendet wird, die lichtemittierende Einheit 110 über dem Substrat 101 ausgebildet werden, während die Ausbildungsoberfläche flach ist. Infolgedessen kann eine lichtemittierende Vorrichtung, in der Leuchtdichteverteilung verbessert wird, bereitgestellt werden.
  • Ferner können das Substrat 101 und die Schutzschicht 125 aneinander angebracht werden, während sie gekrümmt sind, und Spannung aufgrund der Schutzschicht 125, die nach dem Kleben erzeugt wird, kann abgebaut werden. Beispielsweise wird in dem Fall, in dem das Kleben in einem Zustand, in dem die Schutzschicht 125 flach ist, durchgeführt wird und dann die ganze lichtemittierende Vorrichtung 100 gekrümmt wird, Spannung an die Schutzschicht 125 selbst oder eine Abdichtungsschicht oder eine lichtemittierende Vorrichtung, die an die Schutzschicht 125 fixiert ist, angelegt, so dass ein Riss oder ein Bruch in ihnen ausgebildet wird. Jedoch kann solche Spannung durch Befestigen einer Schutzschicht, die wie oben beschrieben dabei gekrümmt wird, abgebaut werden und eine zuverlässige lichtemittierende Vorrichtung bereitgestellt werden.
  • In dem Fall, in dem ein Material, das eine Glasschicht enthält, für eine Abdichtungsschicht verwendet wird, besteht insbesondere eine hohe Wahrscheinlichkeit, einen Riss zu verursachen, wenn die Schicht nach dem Kleben in einem flachen Zustand stark gekrümmt wird, auch wenn die Abdichtungsschicht selbst Flexibilität hat. Das liegt daran, dass die Abdichtungsschicht an dem Substrat befestigt ist und Spannung, die an die Glasschicht angelegt wird, erhöht wird. Andererseits besteht, wenn das vorstehende Verfahren verwendet wird, keine Wahrscheinlichkeit von einem Riss, selbst wenn die Schicht stark gekrümmt wird, da die Abdichtungsschicht nicht an einem Substrat befestigt ist, wenn die Abdichtungsschicht gekrümmt wird. Folglich kann eine zuverlässige lichtemittierende Vorrichtung bereitgestellt werden, die eine lichtemittierende Oberfläche mit einem kleinen Krümmungsradius aufweist und in der Verteilung von Fremdstoffen aus einer Glasschicht unterbunden wird.
  • [Modifikationsbeispiel]
  • Durch Variieren der Form der Stütze 121 können lichtemittierende Vorrichtungen mit verschiedenen Formen leicht hergestellt werden. Beispielsweise kann eine wellenförmige lichtemittierende Vorrichtung 100, wie in 3 gezeigt ist, bereitgestellt werden.
  • Die lichtemittierende Einheit 110 hat bei dieser Ausführungsform eine quadratische obere Oberfläche. Eine lichtemittierende Vorrichtung kann verschiedene Formen aufweisen. Beispiele für eine solche Form umfassen, ohne Beschränkung darauf, eine Kreisform einschließlich einer ovalen Form, ein Polygon, eine Form, die mit einer Kurve von unterschiedlichen Krümmungen gezeichnet ist, eine Form, die mit einer Kurve und einer geraden Linie gezeichnet ist, und dergleichen, was zur Verbesserung des Designs führt.
  • Da ein plattenförmiges Material für das Substrat 101 und die Schutzschicht 125 verwendet werden kann, ist es ferner für ein Rolle-zu-Rolle-Verfahren geeignet. Folglich kann eine große lichtemittierende Vorrichtung leicht hergestellt werden.
  • Es sei angemerkt, dass diese Ausführungsform soweit angemessen mit einer/einem der anderen Ausführungsformen und Beispiele in dieser Beschreibung kombiniert werden kann.
  • (Ausführungsform 2)
  • Bei dieser Ausführungsform wird das Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung, die bei der obigen Ausführungsform als ein Beispiel beschrieben worden ist, anhand von Zeichnungen beschrieben. Hierbei wird eine Bildanzeigeeinheit als eine lichtemittierende Einheit verwendet.
  • In der nachstehenden Beschreibung wird die Beschreibung des gleichen Inhalts wie bei der Ausführungsform 1 manchmal ausgelassen oder vereinfacht.
  • Eine Bildanzeigeeinheit, die über dem Substrat 101 mit Plastizität ausgebildet ist, weist eine Vielzahl von Pixeln auf, die je zumindest ein lichtemittierendes Element aufweist. Als die Bildanzeigeeinheit gibt es eine Passivmatrix-Bildanzeigeeinheit, in der ein Pixel ein lichtemittierendes Element aufweist, und eine Aktivmatrix-Bildanzeigeeinheit, in der ein Pixel ein lichtemittierendes Element und zumindest einen Transistor aufweist.
  • Eine Aktivmatrix-Bildanzeigevorrichtung wird wie folgt als ein Beispiel für eine Bildanzeigevorrichtung beschrieben, die auf das Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angewendet werden kann.
  • [Strukturbeispiel]
  • 4A zeigt einen Teil eines Pixels einer Bildanzeigeeinheit 150. 4B ist eine schematische Querschnittansicht entlang der Linie C-D in 4A.
  • In der Bildanzeigeeinheit 150 in 4A sind eine Vielzahl von Source-Leitungen 151 zueinander parallel und voneinander beabstandet angeordnet, und eine Vielzahl von Gate-Leitungen 152, die die Source-Leitungen 151 kreuzen, sind zueinander parallel und voneinander beabstandet angeordnet. Ein Bereich, der von der Source-Leitung 151 und der Gate-Leitung 152 umgeben ist, ist ein Pixel der Bildanzeigeeinheit 150. Die Bereiche sind in einer Matrix angeordnet.
  • Jedes Pixel weist einen Transistor 153, einen Transistor 154 und ein lichtemittierendes Element 120, das über dem Transistor 154 ausgebildet ist, auf.
  • Als das Substrat 101 kann ein Substrat, das dem bei der Ausführungsform 1 ähnlich ist, verwendet werden.
  • 4B ist eine schematische Querschnittansicht, die das Substrat 101, eine Bondschicht 161, die über dem Substrat 101 vorgesehen ist, eine Isolierschicht 163, die über der Bondschicht 161 vorgesehen ist, den Transistor 154, der über der Isolierschicht 163 ausgebildet ist, und das lichtemittierende Element 120, das elektrisch mit dem Transistor 154 verbunden ist, zeigt.
  • Der Transistor 154 weist eine Gate-Elektrodenschicht, eine Gate-Isolierschicht, eine Halbleiterschicht und Source- und Drain-Elektrodenschichten auf.
  • Es gibt keine besondere Beschränkung hinsichtlich der Struktur des Transistors, der in der Bildanzeigeeinheit 150 eingeschlossen ist. Beispielsweise kann ein vorwärts gestapelter Transistor oder ein umgekehrt gestapelter Transistor verwendet werden. Ferner kann ein Transistor mit oben liegendem Gate oder ein Transistor mit unten liegendem Gate verwendet werden.
  • Als ein Halbleitermaterial, das für die Transistoren verwendet wird, kann beispielsweise ein Halbleitermaterial wie z. B. Silizium oder Germanium oder ein Oxidhalbleitermaterial, das zumindest eins von Indium, Gallium und Zink enthält, verwendet werden. Außerdem gibt es keine besondere Beschränkung hinsichtlich der Kristallinität eines Halbleiters, der für die Transistoren verwendet wird, und ein amorpher Halbleiter oder ein Halbleiter mit Kristallinität (ein mikrokristalliner Halbleiter, ein polykristalliner Halbleiter, ein einkristalliner Halbleiter oder ein Halbleiter, der teilweise Kristallbereiche aufweist) kann verwendet werden. Es ist zu bevorzugen, dass ein Halbleiter mit Kristallinität verwendet wird, weil Verschlechterung der Transistoreigenschaften unterbunden werden kann.
  • Das lichtemittierende Element 120 kann die Struktur, die der bei der Ausführungsform 1 ähnlich ist, aufweisen: die erste Elektrodenschicht 103, die EL-Schicht 105 und die zweite Elektrodenschicht 107 sind in dieser Reihenfolge gestapelt. Die erste Elektrodenschicht 103 ist elektrisch mit der Source-Elektrodenschicht oder der Drain-Elektrodenschicht des Transistors 154 durch eine Öffnung, die in einer Isolierschicht 165 und einer Isolierschicht 167 vorgesehen ist, verbunden.
  • Eine Isolierschicht 166, die das lichtemittierende Element 120 bedeckt, ist ausgebildet. Die Isolierschicht 166 ist zum Unterbinden der Verteilung von Fremdstoffen wie z. B. Wasser und Sauerstoff in ein lichtemittierendes Element ausgebildet. Beispielsweise kann ein anorganisches Isoliermaterial wie z. B. Oxid oder Nitrid eines Halbleiters wie z. B. Siliziums oder eines Metalls wie z. B. Aluminiums verwendet werden.
  • Die lichtemittierenden Elemente 120 angrenzender Pixel weisen jeweils die EL-Schicht 105 auf, die unterschiedliche Farben aufweist. Beispielsweise kann dann, wenn die lichtemittierenden Elemente 120 die EL-Schichten 105 aufweisen, die jeweils rotes (R), grünes (G) und blaues (B) Licht aufweisen, die Farbbildanzeigeeinheit 150 bereitgestellt werden. Zusätzlich zu diesen drei Farben kann das lichtemittierende Element 120 mit der EL-Schicht 105, die gelbes (Y) oder weißes (W) Licht aufweist, versehen sein.
  • Eine Isolierschicht 115 ist so ausgebildet, dass die Öffnung in der Isolierschicht 165 und der Isolierschicht 167 und ein Endteil der ersten Elektrodenschicht 103 bedeckt sind. Die Isolierschicht 115 kann eine Struktur, die der bei der Ausführungsform 1 ähnlich ist, aufweisen.
  • Die Isolierschicht 165 dient als eine Planarisierungsschicht zum Unterbinden des Einflusses der Rauheit aufgrund der Transistoren und dergleichen, die darunter vorgesehen sind. Die Isolierschicht 165 kann einen Kurzschluss oder dergleichen des lichtemittierenden Elements 120 unterbinden. Die Isolierschicht 165 kann unter Verwendung eines fotoempfindlichen organischen Harzes oder dergleichen ausgebildet werden.
  • Isolierschichten 168 und 169, die in Kontakt mit der Halbleiterschicht in den Transistoren stehen, und die Isolierschicht 167, die die Transistoren bedeckt, reduzieren vorzugsweise Verteilung von Fremdstoffen in den Halbleiter, der in den Transistoren eingeschlossen ist. Diese Isolierschichten können unter Verwendung von, zum Beispiel, Oxid oder Nitrid eines Halbleiters wie z. B. Siliziums, Oxid oder Nitrid eines Metalls wie z. B. Aluminiums ausgebildet werden. Alternativ können gestapelte Filme von einem solchen anorganischen Isoliermaterial oder gestapelte Filme von einem solchen anorganischen Isoliermaterial und einem organischen Isoliermaterial verwendet werden.
  • Ein Isoliermaterial kann für die Bondschicht 161 verwendet werden. Die Bondschicht 161 hat wie die Planarisierungsschicht 113, die bei der Ausführungsform 1 als ein Beispiel beschrieben worden ist, eine Funktion zum Bedecken der Rauheit der Oberfläche des Substrats 101. Wenn die Bondschicht 161 ein organisches Harz enthält, in dem Teilchen verteilt sind, die ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial enthalten, kann Wärme, die von dem lichtemittierenden Element 120 erzeugt wird, effektiv auf das Substrat 101 übertragen werden und somit kann eine Wärmeableitungseigenschaft weiter erhöht werden.
  • Das Obige ist die Beschreibung des Strukturbeispiels für die Bildanzeigeeinheit 150.
  • [Beispiel für Herstellungsverfahren]
  • Ein Verfahren zum Herstellen der Bildanzeigeeinheit 150 wird wie folgt anhand von Zeichnungen beschrieben.
  • Zuerst werden eine Trennschicht 173 und die Isolierschicht 163 in dieser Reihenfolge über einem Stützsubstrat 171 gestapelt (5A). Es ist zu bevorzugen, dass die Isolierschicht 163 nach dem Ausbilden der Trennschicht 173 sukzessiv ausgebildet wird, ohne der Luft ausgesetzt zu werden; somit kann Eintritt von Fremdstoffen unterbunden werden.
  • Ein Substrat mit einer flachen Oberfläche kann als das Stützsubstrat 171 verwendet werden: ein Substrat von Glas, Quarz, Saphir, Keramik, Metall und dergleichen. Da das Stützsubstrat 171 Wärmebeständigkeit gegenüber Temperaturen beim Herstellungsprozess hat, kann es ein Substrat aus einem organischen Harz wie z. B. Kunststoff sein. In dem Fall eines Kunststoffsubstrats ist die Trennschicht 173 unter Umständen nicht erforderlich.
  • Obwohl die Trennschicht 173 bei dieser Ausführungsform ausgebildet wird, so dass sie in Kontakt mit dem Stützsubstrat 171 steht, ist es besonders zu bevorzugen in dem Fall von Verwendung eines Glassubstrats als das Stützsubstrat 171, zwischen dem Stützsubstrat 171 und der Trennschicht 173 eine Isolierschicht wie z. B. einen Siliziumoxidfilm, einen Siliziumoxynitridfilm, einen Siliziumnitridfilm oder einen Siliziumnitridoxidfilm auszubilden, um Verunreinigung aufgrund des Substrats zu vermeiden.
  • Die Trennschicht 173 hat eine einschichtige Struktur oder eine gestapelte Struktur, die enthält: ein Metallmaterial, das aus Wolfram, Molybdän, Titan, Tantal, Niob, Nickel, Kobalt, Zirkonium, Ruthenium, Rhodium, Palladium, Osmium und Iridium ausgewählt wird; ein Legierungsmaterial, das eines der Metallmaterialien enthält; ein Verbundmaterial, das eines der Metallmaterialien enthält; oder ein Material, das Silizium enthält. Eine Kristallstruktur einer Schicht, die Silizium enthält, kann amorph, mikrokristallin oder polykristallin sein.
  • Die Trennschicht 173 kann durch ein Sputterverfahren, ein Plasma-CVD-Verfahren, ein Beschichtungsverfahren, ein Druckverfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Es sei angemerkt, dass das Beschichtungsverfahren ein Rotationsbeschichtungsverfahren aufweist. Zusätzlich dazu kann ein Tropfenentladungsverfahren, ein Dispenserverfahren oder dergleichen verwendet werden.
  • Wenn die Trennschicht 173 eine einschichtige Struktur hat, wird vorzugsweise eine Wolframschicht, eine Molybdänschicht oder eine Schicht, die eine Mischung von Wolfram und Molybdän enthält, ausgebildet. Alternativ wird eine Schicht, die Oxid oder Oxynitrid von Wolfram enthält, eine Schicht, die Oxid oder Oxynitrid von Molybdän enthält, oder eine Schicht, die Oxid oder Oxynitrid von einer Mischung von Wolfram und Molybdän enthält, ausgebildet. Es sei angemerkt, dass die Mischung von Wolfram und Molybdän beispielsweise einer Legierung von Wolfram und Molybdän entspricht.
  • Wenn die Trennschicht 173 eine gestapelte Struktur hat, die eine Wolfram enthaltende Schicht und eine Wolframoxid enthaltende Schicht aufweist, kann beim Ausbilden der Wolfram enthaltenden Schicht und einer aus Oxid ausgebildeten Isolierschicht darüber Folgendes angewendet werden: die Wolframoxid enthaltende Schicht wird an der Grenzfläche zwischen der Wolfram enthaltenden Schicht und der Isolierschicht ausgebildet. Alternativ kann die Wolframoxid enthaltende Schicht durch eine thermische Oxidationsbehandlung, eine Sauerstoffplasmabehandlung, eine Behandlung mittels einer starken Oxidationslösung wie z. B. Ozonwassers oder dergleichen, die an der Oberfläche der Wolfram enthaltenden Schicht durchgeführt wird, ausgebildet werden. Außerdem kann eine Plasmabehandlung oder Wärmebehandlung in einer Atmosphäre von Sauerstoff, Stickstoff, Distickstoffoxid selbst oder in einem aus einem dieser Gase und einem anderen Gas gemischten Gas durchgeführt werden. Der Oberflächenzustand der Trennschicht 173 wird durch die Plasmabehandlung oder Wärmebehandlung verändert, wodurch die Bindung zwischen der Trennschicht 173 und der später ausgebildeten Isolierschicht 163 gesteuert werden kann.
  • Als Nächstes wird die Isolierschicht 163 über der Trennschicht 173 ausgebildet. Die Isolierschicht 163 wird vorzugsweise unter Verwendung einer Einzelschicht oder einer gestapelten Schicht aus Siliziumnitrid, Siliziumoxynitrid, Siliziumnitridoxid oder dergleichen ausgebildet.
  • Die Isolierschicht 163 kann durch ein Sputterverfahren, ein Plasma-CVD-Verfahren, ein Beschichtungsverfahren, ein Druckverfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Beispielsweise wird die Isolierschicht 163 bei einer Abscheidungstemperatur von höher als oder gleich 250 °C und niedriger als oder gleich 400 °C durch ein Plasma-CVD-Verfahren ausgebildet, wodurch ein dichter Film mit sehr niedriger Wasserdurchlässigkeit erhalten werden kann. Es sei angemerkt, dass die Isolierschicht 163 vorzugsweise so ausgebildet wird, dass sie eine Dicke von größer als oder gleich 10 nm und kleiner als oder gleich 3000 nm, insbesondere größer als oder gleich 200 nm und kleiner als oder gleich 1500 nm aufweist.
  • Dann werden der Transistor 153 (nicht gezeigt), der Transistor 154, die Source-Leitung 151, die Gate-Leitung 152 (nicht gezeigt) und dergleichen über der Isolierschicht 163 ausgebildet. Hier werden Transistoren mit unten liegenden Gates hergestellt.
  • Zuerst wird eine Gate-Elektrodenschitcht auf die folgende Weise ausgebildet: ein leitender Film, der zu der Gate-Elektrodenschicht wird, wird ausgebildet und dann werden unnötige Teile des leitenden Films durch ein bekanntes Fotolithografieverfahren beabstandet. Gleichzeitig werden hierbei auch eine Leitung und dergleichen ausgebildet, die durch Verarbeitung des leitenden Films zum Ausbilden der Gate-Elektrodenschicht ausgebildet werden.
  • Die Gate-Elektrodenschicht kann unter Verwendung einer Einzelschicht oder einer gestapelten Schicht aus einem Metallmaterial wie z. B. Molybdän, Titan, Chrom, Tantal, Wolfram, Aluminium, Kupfer, Neodym oder Scandium, oder einem Legierungsmaterial, das eines dieser Metallmaterialien enthält, ausgebildet werden.
  • Dann wird die Isolierschicht 169, die zu der Gate-Isolierschicht werden soll, über der Gate-Elektrodenschicht ausgebildet. Die Isolierschicht 169 kann unter Verwendung einer Einzelschicht oder einer gestapelten Schicht aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxynitrid, Siliziumnitridoxid oder Aluminiumoxid durch ein Plasma-CVD-Verfahren, ein Sputterverfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Beispielsweise wird ein Siliziumoxynitridfilm unter Verwendung eines Abscheidungsgases, das SiH4 und N2O enthält, durch ein Plasma-CVD-Verfahren ausgebildet.
  • Als Nächstes wird ein Halbleiterfilm ausgebildet und zu einer inselförmigen Halbleiterschicht durch ein Fotolithografieverfahren verarbeitet.
  • Der Halbleiterfilm kann unter Verwendung eines Materials wie z. B. eines Siliziumhalbleiters oder eines Oxidhalbleiters ausgebildet werden. Einkristallines Silizium, polykristallines Silizium, mikrokristallines Silizium oder dergleichen wird als ein Siliziumhalbleiter angegeben. Beispielsweise kann ein Oxidhalbleiter, der zumindest eins von In, Ga und Zn enthält, als ein Oxidhalbleiter verwendet werden. Typischerweise kann ein auf In-Ga-Zn basierendes Metalloxid angegeben werden. Hier wird die Halbleiterschicht unter Verwendung eines auf In-Ga-Zn basierenden Metalloxids, das ein Oxidhalbleiter ist, ausgebildet, um niedrigere Ladungsträgerdichte aufzuweisen, wodurch ein Aus-Leckstrom eines später ausgebildeten lichtemittierenden Elements verringert werden kann, was bevorzugt ist.
  • Als Nächstes wird ein Isolierfilm, der die Halbleiterschicht bedeckt, ausgebildet, und dann wird die Isolierschicht 168 mit einer Öffnung, wo ein Teil der Halbleiterschicht freigelegt ist, durch ein Fotolithografieverfahren ausgebildet.
  • Dann wird ein leitender Film ausgebildet, um durch ein Fotolithografieverfahren eine Source-Elektrodenschicht und eine Drain-Elektrodenschicht auszubilden. Gleichzeitig werden auch eine Leitung und dergleichen hier durch Bearbeiten des leitenden Films zum Ausbilden der Source-Elektrodenschicht und der Drain-Elektrodenschicht ausgebildet.
  • Als der leitende Film, der für die Source-Elektrodenschicht und die Drain-Elektrodenschicht verwendet wird, kann beispielsweise ein Dünnfilm eines Metallmaterials, das aus Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo und W ausgewählt wird, ein Dünnfilm eines Metallnitridmaterials, das eines der oben genannten Metallmaterialien enthält (wie z. B. Titannitrid, Molybdännitrid oder Wolframnitrid), oder dergleichen verwendet werden. Alternativ kann ein Film aus einem einen hohen Schmelzpunkt aufweisenden Metall wie z. B. Ti, Mo oder W oder ein Metallnitridfilm aus einem dieser Elemente (wie z. B. ein Titannitridfilm, ein Molybdännitridfilm oder ein Wolframnitridfilm) auf eine oder beide einer Unterseite und einer Oberseite eines Metallfilms aus Al, Cu oder dergleichen gestapelt werden. Alternativ kann der leitende Film, der als die Source-Elektrodenschicht und die Drain-Elektrodenschicht verwendet wird, unter Verwendung eines leitenden Metalloxids ausgebildet werden. Als das leitende Metalloxid kann Indiumoxid (In2O3 oder dergleichen), Zinnoxid (SnO2 oder dergleichen), Zinkoxid (ZnO), Indiumoxid-Zinnoxid (In2O3-SnO2 oder dergleichen), Indiumoxid-Zinkoxid (In2O3-ZnO oder dergleichen) oder eines dieser Metalloxide, das Siliziumoxid enthält, verwendet werden.
  • Durch die vorstehenden Schritte wird der Transistor 154 ausgebildet.
  • Als Nächstes wird die Isolierschicht 167 über der Halbleiterschicht, der Source-Elektrodenschicht und der Drain-Elektrodenschicht ausgebildet. Als die Isolierschicht 167 kann ein anorganischer Isolierfilm wie z. B. ein Siliziumoxidfilm, ein Siliziumoxynitridfilm oder ein Aluminiumoxidfilm verwendet werden.
  • Die Isolierschicht 165 wird über der Isolierschicht 167 ausgebildet (siehe 5B).
  • Als die Isolierschicht 165 wird vorzugsweise ein Isolierfilm mit einer Planarisierungsfunktion ausgewählt, um die Unebenheit der Oberfläche aufgrund des Transistors zu verringern. Beispielsweise kann ein organisches Material wie z. B. ein auf Polyimid, Acryl oder Benzocyclobuten basierendes Harz verwendet werden. Abgesehen von solchen organischen Materialien ist es auch möglich, ein Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante (ein Material mit niedrigem k) oder dergleichen zu verwenden. Die Isolierschicht 165 kann durch Stapeln einer Vielzahl von Isolierfilmen, die unter Verwendung eines dieser Materialien ausgebildet werden, ausgebildet werden.
  • Eine Öffnung, die die Source-Elektrodenschicht oder die Drain-Elektrodenschicht erreicht, wird in der Isolierschicht 165 und der Isolierschicht 167 durch ein Fotolithografieverfahren ausgebildet. Als ein Verfahren zum Ausbilden der Öffnung wird ein Trockenätzverfahren, ein Nassätzverfahren oder dergleichen kann angemessen ausgewählt werden. Es ist möglich, dass die Isolierschicht 165 mit einer Öffnung durch ein Fotolithografieverfahren unter Verwendung eines fotoempfindlichen Materials für die Isolierschicht 165 ausgebildet wird, und dann die Isolierschicht 167 teilweise mittels der Isolierschicht 165 als Masken geätzt wird, um eine Öffnung auszubilden. Es ist auch möglich, dass, nachdem die Isolierschicht 167 im Voraus ausgebildet worden ist, eine Öffnung in der Isolierschicht 167 ausgebildet wird, und dann die Isolierschicht 165 mit einer Öffnung ausgebildet wird.
  • Als Nächstes wird ein leitender Film über der Isolierschicht 165 ausgebildet, um eine erste Elektrodenschicht 103 durch ein Fotolithografieverfahren auszubilden, die elektrisch mit der Source-Elektrodenschicht oder der Drain-Elektrodenschicht des Transistors 154 verbunden ist.
  • Als Nächstes wird die Isolierschicht 115, die einen Endteil der ersten Elektrodenschicht 103 und eine Öffnung in der Isolierschicht 165 bedeckt, ausgebildet (siehe 5C).
  • Dann wird die EL-Schicht 105 über der ersten Elektrodenschicht 103 ausgebildet. Die EL-Schichten 105 werden selektiv durch ein Aufdampfungsverfahren unter Verwendung von Metallmasken ausgebildet und weisen unterschiedliche Emissionsfarben in angrenzenden Pixeln auf.
  • Eine Struktur für Farbanzeige kann möglich sein; eine EL-Schicht, die weißes Licht zeigt, wird als jede EL-Schicht 105 verwendet, und Farbfilter, die unterschiedliche Farben durchlassen, sind über den lichtemittierenden Elementen 120 angrenzender Pixel vorgesehen. In diesem Fall wird ein Farbfilter über der Isolierschicht 166 oder im Voraus über einer ganzen Oberfläche der Schutzschicht 125, die bei der Ausführungsform 1 als ein Beispiel beschrieben worden ist, ausgebildet. Wenn die weißes Licht emittierende EL-Schicht als jede EL-Schicht 105 verwendet wird, sind Metallmasken zum getrennten Ausbilden der EL-Schichten für unterschiedliche Farben in den Pixeln nicht erforderlich, was bevorzugt ist.
  • Dann wird die zweite Elektrodenschicht 107 über der EL-Schicht 105 ausgebildet.
  • Es sei angemerkt, dass die erste Elektrodenschicht 103 oder die zweite Elektrodenschicht 107 als eine Anode des lichtemittierenden Elements 120 dient, und die andere als eine Kathode des lichtemittierenden Elements 120 dient. Es ist zu bevorzugen, eine Substanz mit einer hohen Austrittarbeit für die Elektrode, die als eine Anode dient, zu verwenden, und eine Substanz mit einer niedrigen Austrittarbeit für die Elektrode, die als eine Kathode dient, zu verwenden.
  • Durch die vorstehenden Schritte wird das lichtemittierende Element 120 ausgebildet.
  • Schließlich wird die Isolierschicht 166, die die zweite Elektrodenschicht 107 bedeckt, ausgebildet (siehe 5D).
  • Durch den vorstehenden Prozess können ein Transistor, eine Leitung und das lichtemittierende Element 120 über dem Stützsubstrat 171 ausgebildet werden.
  • Dann wird Trennung zwischen der Isolierschicht 163 und der Trennschicht 173 durchgeführt (siehe 6A). Als ein Trennungsverfahren kann eines von verschiedenen Verfahren eingesetzt werden.
  • Hier wird ein Metalloxidfilm an der Grenzfläche zwischen der Trennschicht 173 und der Isolierschicht 163 wegen Wärme, die an die Trennschicht 173 und die Isolierschicht 163 in dem Herstellungsprozess des Transistors angelegt wird, ausgebildet. Beispielsweise wird eine Rille (nicht gezeigt), die die Trennschicht 173 erreicht, ausgebildet, um ein solches Phänomen zu nützen, dass der Metalloxidfilm wegen der Rille versprödet wird, so dass die Trennung an der Grenzfläche zwischen der Trennschicht 173 und der Isolierschicht 163 erfolgt.
  • Als ein Trennungsverfahren kann mechanische Kraft (ein Trennungsprozess mit einer Menschenhand oder mit einem Greifer, ein Trennungsprozess durch Rotation einer Rolle oder dergleichen) verwendet werden. Außerdem kann die Isolierschicht 163 von der Trennschicht 173 durch Tropfen einer Flüssigkeit in die Rille und Fließen der Flüssigkeit in die Grenzfläche zwischen der Trennschicht 173 und der Isolierschicht 163 getrennt werden. Alternativ kann ein Verfahren verwendet werden, bei dem ein Fluoridgas wie z. B. NF3, BrF3 oder CIF3 in die Rille eingeleitet wird und die Trennschicht 173 durch Ätzen mittels des Fluoridgases beabstandet wird, damit die Isolierschicht 163 von dem Stützsubstrat 171 mit einer isolierenden Oberfläche getrennt wird.
  • Als ein anderes Trennungsverfahren kann in dem Fall, in dem die Trennschicht 173 unter Verwendung von Wolfram ausgebildet wird, Trennung durchgeführt werden, während die Trennschicht 173 mit einer gemischten Lösung von Ammoniakwasser und Wasserstoffperoxid geätzt wird.
  • Wenn ein Film, der Stickstoff, Sauerstoff, Wasserstoff oder dergleichen enthält (wie z. B. ein amorpher Siliziumfilm, der Wasserstoff enthält, ein Legierungsfilm, der Wasserstoff enthält, oder ein Legierungsfilm, der Sauerstoff enthält), als die Trennschicht 173 verwendet wird und ein Substrat mit einer Lichtdurchlasseigenschaft als das Stützsubstrat 171 verwendet wird, kann das folgende Verfahren verwendet werden: die Trennschicht 173 wird mit Laserlicht von der Stützsubstrat 171-Seite bestrahlt, und Stickstoff, Sauerstoff oder Wasserstoff, der in der Trennschicht enthalten ist, wird verdampft, so dass Trennung zwischen dem Stützsubstrat 171 und der Trennschicht 173 erfolgt.
  • Als Nächstes wird die Isolierschicht 163 an dem Substrat 101 unter Verwendung der Bondschicht 161 befestigt (siehe 6B). Dieser Prozess wird auch als Übertragung bezeichnet.
  • Als die Bondschicht 161 können verschiedene härtende Klebstoffe wie z. B. ein fotohärtender Klebstoff wie z. B. ein UV-härtender Klebstoff, ein reaktiver härtender Klebstoff, ein wärmehärtender Klebstoff und ein anaerobischer Klebstoff verwendet werden. Als das Material für den Klebstoff kann ein Epoxidharz, ein Acrylharz, ein Silikonharz, ein Phenolharz oder dergleichen verwendet werden.
  • Durch den obigen Prozess kann die Bildanzeigeeinheit 150 über dem Substrat 101 mit Plastizität ausgebildet werden (siehe 6C).
  • Ein solches Substrat 101 mit der Bildanzeigeeinheit 150 wird auf das Herstellungsverfahren für eine lichtemittierende Vorrichtung, das bei der Ausführungsform 1 als ein Beispiel beschrieben worden ist, angewendet; somit kann eine Bildanzeigevorrichtung mit einer gekrümmten lichtemittierenden Oberfläche hergestellt werden. In diesem Fall wird die lichtemittierende Einheit 110, die bei der Ausführungsform 1 als ein Beispiel beschrieben worden ist, durch die Bildanzeigeeinheit 150 ersetzt.
  • Es sei angemerkt, dass diese Ausführungsform mit einer/einem der anderen Ausführungsformen und Beispiele, die in dieser Beschreibung beschrieben werden, soweit angemessen kombiniert werden kann.
  • (Ausführungsform 3)
  • Bei dieser Ausführungsform werden Beispiele für ein elektronisches Gerät oder eine Beleuchtungsvorrichtung, bei dem/der die lichtemittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird, anhand von Zeichnungen beschrieben.
  • Als Beispiele für die elektronischen Geräte, auf die die lichtemittierende Vorrichtung mit einer gekrümmten Oberfläche angewendet wird, können die Folgenden angegeben werden: Fernsehgeräte (auch als Fernseher oder Fernsehempfänger bezeichnet), Monitore von Computern oder dergleichen, Kameras wie z. B. Digitalkameras oder Digitalvideokameras, digitale Fotorahmen, Mobiltelefone (auch als Mobiltelefonapparate oder Mobiltelefonvorrichtungen bezeichnet), tragbare Spieleinrichtungen, tragbare Informationsendgeräte, Audiowiedergabevorrichtungen, große Spieleinrichtungen wie z. B. Pachinko-Einrichtungen und dergleichen.
  • Außerdem kann eine Beleuchtungsvorrichtung oder eine Anzeigevorrichtung entlang einer gekrümmten Innenwandoberfläche/Außenwandoberfläche eines Hauses oder eines Gebäudes oder einer gekrümmten Oberfläche einer Innenausstattung/Außenausstattung eines Autos eingebaut werden.
  • 7A zeigt ein Beispiel für ein Mobiltelefon. Das Mobiltelefon 7400 weist einen Anzeigeabschnitt 7402, der in einem Gehäuse 7401 eingebaut ist, Bedienungsknöpfe 7403, einen externen Verbindungsanschluss 7404, einen Lautsprecher 7405, ein Mikrofon 7406 und dergleichen auf. Es sei angemerkt, dass das Mobiltelefon 7400 unter Verwendung einer lichtemittierenden Vorrichtung für den Anzeigeabschnitt 7402 hergestellt wird.
  • Wenn der Anzeigeabschnitt 7402 des Mobiltelefons 7400 in 7A mit einem Finger oder dergleichen berührt wird, können Daten in das Mobiltelefon 7400 eingegeben werden. Ferner können Bedienungsvorgänge wie z. B. Anrufen und Eingeben eines Texts durch Berühren des Anzeigeabschnitts 7402 mit einem Finger oder dergleichen durchgeführt werden.
  • Mit den Bedienungsknöpfen 7403 können Einschalten und Ausschalten gesteuert werden. Außerdem können verschiedene Bilder, die auf dem Anzeigeabschnitt 7402 angezeigt werden, gesteuert werden; z. B. Schalten eines Bildschirms zum Schreiben einer E-Mail auf einen Bildschirm für Hauptmenü.
  • Der Anzeigeabschnitt 7402 weist eine lichtemittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auf; somit kann ein zuverlässiges Mobiltelefon mit einem gekrümmten Anzeigeabschnitt bereitgestellt werden.
  • 7B ist ein Beispiel für eine Armband-Anzeigevorrichtung. Eine tragbare Anzeigevorrichtung 7100 weist ein Gehäuse 7101, einen Anzeigeabschnitt 7102, einen Bedienungsknopf 7103 und eine Sende- und Empfangsvorrichtung 7104 auf.
  • Die tragbare Anzeigevorrichtung 7100 kann ein Bildsignal mittels der Sende- und Empfangsvorrichtung 7104 empfangen und kann das empfangene Bild auf dem Anzeigeabschnitt 7102 anzeigen. Außerdem kann die tragbare Anzeigevorrichtung 7100 mittels der Sende- und Empfangsvorrichtung 7104 ein Audiosignal an eine andere Empfangsvorrichtung senden.
  • Mit dem Bedienungsknopf 7103 können Einschalten/Ausschalten, Schalten von angezeigten Bildern, Einstellung von Lautstärke und dergleichen durchgeführt werden.
  • Der Anzeigeabschnitt 7102 weist eine lichtemittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auf; somit kann eine zuverlässige Anzeigevorrichtung mit einem gekrümmten Anzeigeabschnitt bereitgestellt werden.
  • 7C bis 7E zeigen Beispiele für eine Beleuchtungsvorrichtung. Beleuchtungsvorrichtungen 7200, 7210 und 7220 weisen je eine Basis 7201, die mit einem Bedienungsschalter 7203 versehen ist, und einen lichtemittierenden Abschnitt, der von der Basis 7201 gestützt wird, auf.
  • Die Beleuchtungsvorrichtung 7200, die in 7C gezeigt ist, weist einen lichtemittierenden Abschnitt 7202 mit einer wellenförmigen lichtemittierenden Oberfläche auf, was eine gut designte Beleuchtungsvorrichtung ist.
  • Ein lichtemittierender Abschnitt 7212 in der Beleuchtungsvorrichtung 7210, die in 7D gezeigt ist, hat zwei konvex gekrümmten lichtemittierenden Abschnitte, die symmetrisch angeordnet sind. Daher können alle Richtungen bezüglich der als Zentrum dienenden Beleuchtungsvorrichtung 7210 beleuchtet werden.
  • Die Beleuchtungsvorrichtung 7220 in 7E weist einen konkav gekrümmten lichtemittierenden Abschnitt 7222 auf. Sie ist zum Beleuchten eines bestimmten Bereich geeignet, weil Licht, das von dem lichtemittierenden Abschnitt 7222 emittiert wird, an der Vorderseite der Beleuchtungsvorrichtung 7220 gesammelt wird.
  • Der lichtemittierende Abschnitt 7222 weist eine lichtemittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auf; somit kann eine zuverlässige Beleuchtungsvorrichtung mit einem gekrümmten lichtemittierenden Abschnitt bereitgestellt werden.
  • Natürlich gibt es keine besondere Beschränkung auf das vorstehende elektronische Gerät oder die vorstehende Beleuchtungsvorrichtung, solange die lichtemittierende Vorrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darin enthalten ist.
  • Es sei angemerkt, dass diese Ausführungsform mit einer/einem der anderen Ausführungsformen und Beispiele, die in dieser Beschreibung beschrieben werden, soweit angemessen kombiniert werden kann.
  • [Beispiel 1]
  • In diesem Beispiel wurden lichtemittierende Elemente jeweilig über einem Isoliersubstrat und einem leitenden Substrat ausgebildet. Messergebnisse von Temperatureigenschaften zum Zeitpunkt, wenn diese lichtemittierenden Elemente Licht emittierten, werden beschrieben.
  • [Herstellung von Probe]
  • Zuerst wurden ein 0,2 mm dickes Aluminiumsubstrat und ein 0,7 mm dickes Glassubstrat vorbereitet.
  • Dann wurde als eine Planarisierungsschicht eine Epoxidharzschicht, die ca. 6 µm dick ist, über jedem Substrat durch ein Rotationsbeschichtungsverfahren ausgebildet.
  • Als Nächstes wurden als eine erste Elektrode und eine Leitung ein Titanfilm, der ca. 50 nm dick ist, ein Aluminiumfilm, der ca. 200 nm dick ist, und ein Titanfilm, der ca. 100 nm dick ist, in dieser Reihenfolge durch ein Sputterverfahren unter Verwendung einer Sperrmaske (blocking mask) gestapelt.
  • Dann wurde als eine Isolierschicht, die einen Endteil und dergleichen der ersten Elektrode bedeckt, eine Epoxidharzschicht, die ca. 20 µm dick ist, durch ein Siebdruckverfahren ausgebildet.
  • Eine weißes Licht emittierende EL-Schicht wurde durch ein Vakuumaufdampfungsverfahren ausgebildet, so dass sie sich mit der ersten Elektrode überlappt. Dann wurde als eine zweite Elektrode ein Film aus einer Silber-Magnesium Legierung, der ca. 30 nm dick ist, über der EL-Schicht durch ein Vakuumaufdampfungsverfahren ausgebildet.
  • Auf diese Weise wurde ein lichtemittierendes Element mit einem lichtemittierenden Bereich, der ca. 56 mm lang und ca. 42 mm breit ist, über sowohl dem Aluminiumsubstrat als auch dem Glassubstrat ausgebildet. Hier wird eine Probe, bei der das Aluminiumsubstrat verwendet wird, als Probe 1 bezeichnet, und eine Probe, bei der das Glassubstrat verwendet wird, als Probe 2 bezeichnet. Bei diesem Beispiel wurden zwei Proben 1 und zwei Proben 2 hergestellt.
  • [Bewertung von Temperatureigenschaften]
  • Zeitabhängigkeit der Temperatur der lichtemittierenden Oberflächen zum Zeitpunkt, wenn die Proben Licht emittieren, wurde bewertet.
  • Bei der Bewertung wurde die Probe auf einen Tisch aus rostfreiem Stahl gelegt, eine 0,7 mm dicke Glasplatte wurde auf die Probe gelegt, und ein Thermoelement wurde an einer oberen Oberfläche der Glasplatte angebracht, wodurch die Temperatur in der Nähe der lichtemittierenden Oberfläche gemessen wurde. Die Messung der Temperatur wurde an zwei Punkten auf der lichtemittierenden Oberfläche durchgeführt: ein Zentrum und ein einer Außenkante naher Bereich.
  • 8A und 8B zeigen Messergebnisse von Änderung der Temperatur mit der Zeit von Anfang einer Lichtemission an, an den Messpunkten jeder Probe. 8A zeigt Messergebnisse im Zentrum der lichtemittierenden Oberfläche. 8B zeigt eine Messung in dem Bereich, der einer Außenkante der lichtemittierenden Oberfläche nahe ist. Die Messergebnisse werden wie folgt beschrieben.
  • In jeder Probe neigten die Wärmeerzeugungstemperaturen im Zentrum dazu, höher als die in dem Bereich zu sein, der einer Außenkante der lichtemittierenden Oberfläche nahe ist.
  • Wenn das Zentrum der Probe 1, bei der das Aluminiumsubstrat verwendet wird, beachtet wird, erhöhten sich Temperaturen stark binnen ca. 50 Sekunden von dem Anfang der Lichtemission an, und dann neigten die Temperaturen dazu, sich allmählich zu erhöhen. Die Temperaturen in der Nähe der lichtemittierenden Oberfläche waren nach 300 Sekunden von dem Anfang der Lichtemission ca. 37 °C im Zentrum und ca. 34 °C in dem einer Außenkante nahen Bereich.
  • Andererseits erhöhten sich in der Probe 2, bei der das Glassubstrat verwendet wird, Temperaturen stärker als in der Probe 1 nach dem Anfang der Lichtemission, und dann neigten Temperaturen dazu, sich weiterhin mit einer höheren Geschwindigkeit als in der Probe 1 zu erhöhen. Die Temperaturen in der Nähe der lichtemittierenden Oberfläche waren nach 300 Sekunden von dem Anfang der Lichtemission ca. 42 °C im Zentrum und ca. 37 °C in dem einer Außenkante nahen Bereich.
  • Durch die oben angegebenen Ergebnisse wurde bestätigt, dass mehr Wärmeableitung durch Anwenden eines Metallsubstrats als ein Substrat erhalten werden kann.
  • Dieses Beispiel kann mit dem anderen Bespiel und einer der Ausführungsformen, die in dieser Beschreibung beschrieben werden, soweit angemessen kombiniert werden.
  • [Beispiel 2]
  • In diesem Beispiel wird eine lichtemittierende Vorrichtung beschrieben, die durch das bei der Ausführungsform 1 als ein Beispiel beschriebene Verfahren hergestellt wird.
  • Zuerst wurden wie bei der Probe 1 in Beispiel 1 eine Planarisierungsschicht, eine erste Elektrodenschicht, eine Isolierschicht, eine EL-Schicht und eine zweite Elektrodenschicht über einem Aluminiumsubstrat ausgebildet; somit wurde ein lichtemittierendes Element mit einem lichtemittierenden Bereich, der ca. 56 mm lang und ca. 42 mm breit ist, ausgebildet.
  • Zum Zweiten wurde das Aluminiumsubstrat mit dem lichtemittierenden Element gekrümmt und unter Verwendung eines niedrigviskosen Klebstoffs an eine Stütze mit einer konvexen Oberfläche mit einem Krümmungsradius von 45 mm fixiert.
  • Als Nächstes wurde ein fotohärtendes Epoxidharz als ein Abdichtungsmaterial auf das Aluminiumsubstrat getropft.
  • Als eine Schutzschicht wurde ein Stapel verwendet, in dem eine ca. 50 µm dicke Glasschicht, eine ca. 20 µm dicke Bondschicht und eine ca. 38 µm dicke Harzschicht aus Polyethyleneterephthalat (PET) in dieser Reihenfolge gestapelt sind, und ein Endteil der Schutzschicht wurde fest an dem fotohärtenden Epoxidharz in einem Bereich angebracht, wo das lichtemittierende Element über dem Aluminiumsubstrat nicht vorgesehen ist. Dann wurde der angebrachte Teil mit UV-Strahlen von 365 nm Wellenlänge aus einer Oberseite der Schutzschicht bestrahlt, um das Epoxidharz zu härten, wodurch die Schutzschicht fest an einem Teil des Aluminiumsubstrats angebracht wurde.
  • Als Nächstes wurde, während ein Rollenelement auf einer oberen Oberfläche der Schutzschicht gedrückt wurde, das Rollenelement entlang der gekrümmten Oberfläche der Stütze gerollt, mit dem angebrachten Teil als Startpunkt, wodurch die Schutzschicht fest an dem fotohärtenden Harz angebracht wurde.
  • Schließlich wurde ein nicht gehärteter Bereich des fotohärtenden Harzes mit den UV-Strahlen aus einer Oberseite der Schutzschicht bestrahlt und gehärtet, wodurch das Aluminiumsubstrat komplett an der Schutzschicht angebracht wurde.
  • Auf diese Weise wurde eine lichtemittierende Vorrichtung, die einen gekrümmten lichtemittierenden Abschnitt über einem Aluminiumsubstrat aufweist, hergestellt.
  • 9 ist ein Bild, wobei die hergestellte lichtemittierende Vorrichtung Licht emittiert.
  • Es ist bestätigt worden, dass die lichtemittierende Vorrichtung, die in diesem Beispiel hergestellt wurde, Licht selbst nach 380 Stunden auf günstige Weise bei Raumtemperatur und bei normaler Luftfeuchtigkeit emittierte. Es sei angemerkt, dass in einer Probe ohne Schutzschicht ca. 82 Stunden nach der Herstellung ein Defekt bei der Lichtemission festgestellt wurde.
  • Durch die vorstehenden Ergebnissen wurde bestätigt, dass durch das Herstellungsverfahren nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine lichtemittierende Vorrichtung mit einer gekrümmten lichtemittierenden Oberfläche ohne Probleme wie z. B. Riss oder Bruch hergestellt werden kann. Ferner wurde bestätigt, dass die lichtemittierende Vorrichtung, die auf diese Weise hergestellt wird, hochzuverlässig ohne defekte Abdichtung ist.
  • Dieses Beispiel kann mit einer der Ausführungsformen und einem Bespiel, die in dieser Beschreibung beschrieben werden, soweit angemessen kombiniert werden.

Claims (6)

  1. Eine lichtemittierende Vorrichtung, die im Inneren eines Fahrzeugs bereitgestellt ist, umfassend: ein Substrat; ein lichtemittierendes Element über dem Substrat; eine Abdichtungsschicht über dem lichtemittierenden Element, wobei die Abdichtungsschicht das lichtemittierende Element abdichtet; und eine Schutzschicht über und befestigt an der Abdichtungsschicht, wobei für das Ausbilden der Schutzschicht eine Platte, in der eine Glasschicht, eine Bondschicht und eine organische Harzschicht gestapelt sind, verwendet wurde, wobei die Glasschicht dem lichtemittierenden Element zugewandt ist und wobei die organische Harzschicht außerhalb der Glasschicht vorgesehen ist.
  2. Eine lichtemittierende Vorrichtung, die im Inneren eines Fahrzeugs bereitgestellt ist, umfassend: ein Substrat; ein lichtemittierendes Element über dem Substrat; eine Abdichtungsschicht über dem lichtemittierenden Element, wobei die Abdichtungsschicht das lichtemittierende Element abdichtet; und eine Schutzschicht über und befestigt an der Abdichtungsschicht, wobei für das Ausbilden der Schutzschicht eine Platte, in der eine Glasschicht, eine Bondschicht und eine organische Harzschicht gestapelt sind, verwendet wurde, wobei die Glasschicht dem lichtemittierenden Element zugewandt ist und wobei die organische Harzschicht außerhalb der Glasschicht vorgesehen ist, wobei eine obere Oberfläche und eine Seitenfläche des lichtemittierenden Elementes von der Abdichtungsschicht bedeckt sind.
  3. Eine lichtemittierende Vorrichtung, die im Inneren eines Fahrzeugs bereitgestellt ist, umfassend: ein Substrat; ein lichtemittierendes Element über dem Substrat; eine Abdichtungsschicht über dem lichtemittierenden Element, wobei die Abdichtungsschicht das lichtemittierende Element abdichtet; und eine Schutzschicht über und befestigt an der Abdichtungsschicht, wobei für das Ausbilden der Schutzschicht eine Platte, in der eine Glasschicht, eine Bondschicht und eine organische Harzschicht gestapelt sind, verwendet wurde, wobei die Glasschicht dem lichtemittierenden Element zugewandt ist und wobei die organische Harzschicht außerhalb der Glasschicht vorgesehen ist, wobei das Substrat, das lichtemittierende Element, die Abdichtungsschicht und die Schutzschicht eine Form aufweisen, die einer gekrümmten Oberfläche des Inneren des Fahrzeugs in einer Querschnittsansicht folgt.
  4. Eine lichtemittierende Vorrichtung, umfassend: ein Substrat; ein lichtemittierendes Element über dem Substrat; eine Abdichtungsschicht über dem lichtemittierenden Element, wobei die Abdichtungsschicht das lichtemittierende Element abdichtet; und eine Schutzschicht über und befestigt an der Abdichtungsschicht, wobei für das Ausbilden der Schutzschicht eine Platte, in der eine Glasschicht, eine Bondschicht und eine organische Harzschicht gestapelt sind, verwendet wurde, wobei die Glasschicht dem lichtemittierenden Element zugewandt ist und wobei die organische Harzschicht außerhalb der Glasschicht vorgesehen ist, wobei das Substrat, das lichtemittierende Element, die Abdichtungsschicht und die Schutzschicht eine Form aufweisen, die einer gekrümmten Oberfläche einer Außenseite eines Fahrzeugs in einer Querschnittsansicht folgt.
  5. Die lichtemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Substrat mindestens eines ausgewählt aus Aluminium, Kupfer, Eisen, Nickel, Titan und Magnesium umfasst.
  6. Ein Fahrzeug, umfassend eine lichtemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5.
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