CN103178083B - 发光装置以及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的一个方式提供一种具备弯曲的发光面的发光装置。此外，本发明的一个方式提供一种可靠性高的发光装置。作为衬底使用具有可塑性的衬底，在使衬底为平坦的状态下形成发光元件。接着，将形成有上述发光元件的衬底弯曲地配置在具有弯曲的表面的支撑体的该表面上。然后，通过保持上述状态地形成用来保护发光元件的保护层，可以制造具备弯曲的发光面的照明装置或显示装置等的发光装置。

Description

发光装置以及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光装置以及其制造方法，特别涉及一种具有曲面的发光装置。
背景技术
目前，对有机EL（Electroluminescence：电致发光）元件的研究开发日益火热。有机EL元件（下面，也称为EL元件或发光元件）的基本结构是在一对电极之间夹持包含发光有机化合物的层的结构。通过对该元件施加电压，可以得到来自发光有机化合物的发光。
作为应用有机EL元件的发光装置，例如可以举出照明装置以及包括薄膜晶体管的组合的图像显示装置等。
因为有机EL元件可以形成为膜状，所以可以容易形成大面积的元件。因此，作为能够应用于照明等的面光源的利用价值也高。例如，专利文献1公开了使用有机EL元件的照明设备。
此外，因为应用有机EL元件的图像显示装置不需要液晶显示装置等所需要的背光灯，所以可以实现薄型、轻量、高对比度且低耗电量的显示装置。
当形成有机EL元件时，作为在形成于具有绝缘表面的衬底上的下部电极上形成包含发光有机化合物的层的方法，例如有真空蒸镀法或涂敷法等。此外，作为形成下部电极及上部电极的方法，除了真空蒸镀法或溅射法之外还有涂敷法、印刷法等。
近年来，发光装置的形状被要求具有多样化。作为其中之一，有具有曲面的发光装置。通过使发光装置具有曲面，使设计性及通用性得到提高而使设置部分或组装的部件的形状的自由度也得到提高。例如，可以沿着建筑物或汽车的内部装修或外部装修的曲面组装照明装置及显示装置。此外，可以应用于各种用途，诸如腕带等能够佩戴的照明装置或显示装置；以及具备具有曲面的显示部的移动电话或平板终端等的便携式终端等。
[专利文献1]日本专利申请公开2009-130132号公报。
在此，当按顺序层叠形成构成EL元件的下部电极、包含发光有机化合物的层和上部电极时，需要在衬底面内使它们各自的厚度为均匀。当在衬底面内它们各自的厚度不均匀时，可能在衬底面内产生发光亮度的分布的不均匀。特别是，在被夹持在电极之间的包含发光有机化合物的层的厚度薄的部分，有因电场集中而使亮度增高或产生短路的忧虑。另一方面，在被夹持在电极之间的包含发光有机化合物的层的厚度厚的部分，有因发光所需要的电压增高而使亮度降低或形成非发光的区域等的忧虑。
然而，在具有曲面的衬底形成EL元件时，难以使其厚度均匀地形成构成EL元件的下部电极、包含发光有机化合物的层及上部电极。例如，当采用真空蒸镀法、溅射法时，依赖于蒸镀源或靶材和被形成面之间的距离及角度而形成的膜的成膜速度不同。此外，就装置的结构而言，将涂敷法及印刷法应用于具有曲面的衬底是极为困难的。
发明内容
本发明鉴于上述技术背景而被提出。因此，本发明的课题之一是提供具备弯曲的发光面的发光装置。此外，本发明的课题之一是提供可靠性高的发光装置。
本发明的一个方式解决上述课题中的至少一个。
为了解决上述课题，本发明着眼于形成发光元件的衬底的材料。作为衬底使用具有可塑性的衬底，在使衬底为平坦的状态下形成发光元件，并且在具有弯曲的表面的支撑体的该表面使形成有上述发光元件的衬底弯曲而配置。然后，在使衬底弯曲的状态下形成保护发光元件的保护层，即可。
注意，本说明书等中所示的“曲面”是指通过改变平面的形状而不使平面伸缩来得到的曲面。换言之，在曲面上的任意的点上可以与平面以线接触的曲面。在此，本说明书等中所示的曲面不包括不能通过改变平面的形状而不使平面伸缩来得到的曲面（所谓的三维曲面）。
通过采用上述方法，可以制造具备弯曲的发光面的照明装置或显示装置等的发光装置。
所制造的发光装置即使在形成保护层之后从支撑体分离也可以由可塑衬底保持其形态。因此，发光装置可以用作具备与支撑体的弯曲面同样弯曲的发光面的发光装置。
换言之，本发明的一个方式的发光装置包括：具有弯曲的表面且具有可塑性的衬底；形成在衬底的表面上的在一对电极之间具备发光层的发光元件；覆盖发光元件的密封层；以及与密封层上接触的保护层。
这种结构的发光装置由具备弯曲的发光面且覆盖发光元件的密封层及与密封层上接触的保护层抑制来自外部的水等杂质的扩散，而成为可靠性高的发光装置。
此外，本发明的另一个方式的发光装置包括：具有弯曲的表面且具有可塑性的衬底；包括形成在衬底的表面上且在一对电极之间具备发光层的发光元件及晶体管的多个像素；覆盖发光元件的密封层；以及与密封层上接触的保护层。
此外，像这样，本发明的一个方式可以应用于设置有组合晶体管和发光元件的多个像素的发光装置（也称为图像显示装置）。这种发光装置可以贴附在建筑物或车辆等的弯曲的墙面或天花板而使用，也可以实现设计性高的便携式终端等的电子设备。
此外，在上述任一个发光装置中，衬底包含金属材料或合金材料。
此外，在上述任一个发光装置中，衬底包含选自铝、铜、铁、镍、钛、镁中的至少一种。
像这样，通过作为设置有发光装置的衬底使用导热性高的金属材料或合金材料，可以提高放热性。因此，即使长时间使用也可以抑制发光装置的发热，所以可以提供可靠性高的发光装置。
此外，在上述任一个发光装置中，在发光元件和衬底之间具备平坦化层。
此外，像这样，当在发光元件的衬底一侧设置平坦化层时，构成发光元件的层的厚度的均匀性提高，所以是优选的。特别是，在包含金属材料或合金材料的衬底中，在很多情况下其表面的起伏大，所以设置平坦化层是有效的。
此外，在上述任一个发光装置中，平坦化层包含导热材料。
此外，在上述任一个发光装置中，平坦化层包含分散有包含金属材料或合金材料的粒子的树脂。
此外，像这样，通过将导热材料用于更靠近于发光元件的平坦化层，可以提高对来自发光元件的发热的放热性。另外，特别是，因为当使用包含金属材料或合金材料的导热衬底时，可以通过该平坦化层将来自发光元件的发热传导到衬底，所以可以进一步抑制发光装置的发热。
此外，在上述任一个发光装置中，保护层包括玻璃层而构成。
此外，像这样，通过将玻璃层应用于保护发光元件的保护层，水或氧等的杂质的扩散可以显著得到抑制，所以是优选的。
此外，在上述任一个发光装置中，保护层是按顺序层叠玻璃层、粘合层和树脂层的叠层体。
此外，像这样，通过在玻璃层上层叠树脂层作为保护层，可以抑制在玻璃层中产生破裂或裂缝，从而可以提供强度高的发光装置。此外，此时，通过将玻璃层设置为与发光元件相对，可以抑制来自树脂层的杂质扩散，所以是特别优选的。
此外，本发明的一个方式是一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：以使一个表面成为平坦的方式配置具有可塑性的衬底，且在衬底的一个表面上按顺序层叠第一电极、发光层、第二电极层来形成发光元件；以沿着支撑体的弯曲的表面弯曲的方式将形成有发光元件的衬底配置在具有弯曲的表面的支撑体上，并使与形成有发光元件的一个表面相反的表面相对于支撑体；对衬底的一个表面上滴加固化材料；在衬底中的没有设置发光元件的区域上以使固化材料和端部的一部分接触的方式配置保护层，且在保护层和固化材料接触的区域中固定保护层；以保护层的相对于衬底的表面在设置有发光元件的区域中与固化材料接触的方式使保护层沿着衬底的一个表面弯曲；以及使固化材料固化来形成密封层。
通过上述方法，可以制造具备弯曲的发光面的发光装置。此外，通过当形成发光元件时使被形成面为平坦，可以使构成发光元件的层的厚度的均匀性得到提高来可以使衬底面内的发光亮度为均匀。此外，当设置保护层时，首先只将其端部粘合，然后一边沿着衬底面使保护层弯曲，一边使其与在后面用作密封层的热固化材料紧贴，从而抑制混入到保护层和密封层之间的气泡等来可以制造可靠性高的发光装置。
此外，本发明的另一个方式是一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：以使一个表面成为平坦的方式配置具有可塑性的衬底，且在衬底的一个表面上按顺序层叠第一电极、发光层、第二电极层来形成发光元件；以沿着支撑体的弯曲的表面弯曲的方式将形成有发光元件的衬底配置在具有弯曲的表面的支撑体上，并使与形成有发光元件的一个表面相反的表面相对于支撑体；对衬底的一个表面上滴加光固化材料；在衬底中的没有设置发光元件的区域上以使光固化材料和端部的一部分接触的方式配置保护层，且对保护层和光固化材料接触的区域照射光使光固化材料的一部分固化，来形成粘合保护层和衬底的一部分的密封层的一部分；以保护层的相对于衬底的表面在设置有发光元件的区域中与光固化材料接触的方式使保护层沿着衬底的一个表面弯曲；以及对光固化材料的没有固化的部分照射光来形成密封层。
此外，通过上述方法，不需要用来固定保护层的一部分和衬底的固定工具，从而可以容易制造具有弯曲的发光面的发光装置。
此外，本发明的另一个方式是一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：在具备平坦面的支撑衬底的平坦面上形成被剥离层，且在被剥离层上形成包括在一对电极之间具备发光层的发光元件及晶体管的多个像素；从支撑衬底剥离形成有像素的被剥离层，且对具有可塑性的衬底的一个表面上转置形成有像素的被剥离层；以沿着支撑体的弯曲的表面弯曲的方式将具备像素的衬底配置在具有弯曲的表面的支撑体上，并使与具备像素的一个表面相反的表面相对于支撑体；对衬底的一个表面上滴加固化材料；在衬底中的没有设置像素的区域上以使固化材料和端部的一部分接触的方式配置保护层，且在保护层和固化材料接触的区域上固定保护层；以保护层的相对于衬底的表面在设置有像素的区域中与固化材料接触的方式使保护层沿着衬底的一个表面弯曲；以及使固化材料固化来形成密封层。
通过上述方法，可以形成弯曲且具有由多个像素构成的显示部的图像显示装置。因为当除了发光元件之外还形成晶体管时也可以使被形成面为平坦，所以容易形成，而且晶体管的电特性的不均匀得到抑制，从而可以提供可靠性高的显示装置。
此外，本发明的另一个方式是一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：在具备平坦面的支撑衬底的平坦面上形成被剥离层，且在被剥离层上形成包括在一对电极之间具备发光层的发光元件及晶体管的多个像素；从支撑衬底剥离形成有像素的被剥离层，且对具有可塑性的衬底的一个表面上转置形成有像素的被剥离层；以沿着支撑体的弯曲的表面弯曲的方式将具备像素的衬底配置在具有弯曲的表面的支撑体上，并使与具备像素的一个表面相反的表面相对于支撑体；对衬底的一个表面上滴加光固化材料；在衬底中的没有设置像素的区域上以使光固化材料和端部的一部分接触的方式配置保护层，且对保护层和光固化材料接触的区域照射光使光固化材料的一部分固化，来形成粘合保护层和衬底的一部分的密封层的一部分；以保护层的相对于衬底的表面在设置有像素的区域中与光固化材料接触的方式使保护层沿着衬底的一个表面弯曲；以及对光固化材料的没有固化的部分照射光来形成密封层。
此外，像这样，优选使用光固化材料固定保护层的一部分。
此外，在制造发光装置之后，可以将该发光装置从支撑体分离而使用或保持在支撑体上而使用。例如，将成为照明装置或电子设备的框体的部件用作支撑体且在支撑体上制造发光装置之后直接将发光装置组装在照明装置或电子设备中。
此外，在上述任一个发光装置的制造方法中，作为衬底使用包含金属材料或合金材料的衬底。
此外，在上述任一个发光装置的制造方法中，作为衬底使用包含选自铝、铜、铁、镍、钛、镁中的至少一种元素的衬底。
此外，像这样，通过作为衬底使用导热性高的金属材料或合金材料，可以制造放热性提高了的发光装置。另外，也可以在衬底中的形成元件的表面上使用平坦化膜或包含具有导热性的材料的平坦化膜。
此外，在上述任一个发光装置的制造方法中，保护层采用包括玻璃层的结构。
此外，在上述任一个发光装置的制造方法中，保护层使用按顺序层叠玻璃层、粘合层、树脂层的叠层体。
此外，通过采用上述制造方法，抑制水、氧等杂质的扩散来可以制造可靠性高的发光装置。再者，通过使用玻璃和树脂的叠层体，可以制造机械强度提高了的发光装置。
注意，在本说明书中，EL层是指设置在发光元件的一对电极之间且至少包括发光有机化合物的层（也称为发光层）或包括发光层的叠层体。
注意，本说明书中的发光装置是指图像显示装置或光源（包括照明装置）。另外，如下模块也都包括在发光装置中：在发光装置安装有连接器如FPC（Flexible printedcircuit：柔性印刷电路）或TCP（Tape Carrier Package：带载封装）的模块；TCP的前端设置有印刷布线板的模块；或通过COG（Chip On Glass：晶玻接装）方式将IC（集成电路）直接安装在形成有发光元件的衬底的模块。
根据本发明可以提供具备弯曲的发光面的发光装置。此外，可以提供可靠性高的发光装置。
附图说明
图1A至1D是说明本发明的一个方式的发光装置的制造方法的图；
图2A至2E是说明本发明的一个方式的发光装置的制造方法的图；
图3是说明本发明的一个方式的发光装置的图；
图4A和4B是说明本发明的一个方式的发光装置的图；
图5A至5D是说明本发明的一个方式的发光装置的制造方法的图；
图6A至6C是说明本发明的一个方式的发光装置的制造方法的图；
图7A至7E是说明本发明的一个方式的发光装置的应用例子的图；
图8A和8B是根据实施例1的温度特性的测量结果；
图9是根据实施例2的发光装置的照片。
本发明的选择图是图2A至2E。
具体实施方式
参照附图对实施方式进行详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。注意，在以下说明的发明的结构中，在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。
注意，在本说明书所说明的每一个附图中，有时为了明确起见，夸大表示各结构的大小、层的厚度、区域。因此，本发明并不一定限定于该尺度。
实施方式1
在本实施方式中，参照附图说明本发明的一个方式的发光装置及其制造方法。
[发光装置的制造方法例子]
下面参照图1A至1D以及图2A至2E说明本发明的一个方式的发光装置的制造方法。图1A至1D以及图2A至2E是每个阶段的俯视示意图以及沿着俯视示意图中所示的截断线A-B截断的截面示意图。
首先，准备衬底101。作为衬底101使用具有可塑性的材料且使用至少被形成面为平坦的衬底。
此外，当作为衬底101使用金属材料或合金材料时，对来自在后面形成的发光元件的发热的放热性提高，所以是优选的。作为用于衬底101的材料，也可以使用铝、铜、铁、镍、钛、镁等金属材料或包含该金属材料的合金材料。此外，还可以使用不锈钢或硬铝。
此外，优选使用使导电衬底的表面氧化或在表面形成绝缘膜等进行过绝缘处理的衬底。例如，既可以采用电沉积法、旋涂法或浸渍法等的涂敷法、蒸镀法或溅射法等的方法形成绝缘膜，又可以通过在氧气氛下放置或加热或者采用阳极氧化法等的已知方法，在衬底101的表面形成氧化膜。
接着，在衬底101的被形成面上形成平坦化层113。为了覆盖衬底101的表面的凹凸形状来实现平坦化，形成平坦化层113。作为平坦化层113可以使用绝缘材料，例如可以使用聚酰亚胺、丙烯酸树脂、环氧树脂、苯并环丁烯类树脂等有机材料。
平坦化层113可以通过旋涂法或浸渍法等的涂敷法、喷墨法或分配器法等的喷出法、丝网印刷等的印刷法等形成。
此外，作为平坦化层113也可以使用分散有包含金属材料或合金材料的粒子的有机树脂。像这样，通过使用分散有导电材料的平坦化层113，可以将来自在后面形成的发光元件的发热高效地传导到衬底101，所以可以进一步提高放热性。此外，为了提高平坦性或绝缘性，也可以在分散有导电粒子的有机树脂上进一步层叠有机树脂而使用。
另外，当对衬底101的表面进行绝缘处理且其平坦性高时，可以不设置平坦化层113。
接着，在平坦化层113上形成第一电极层103及布线111。
第一电极层103的一部分成为构成发光元件的一方电极。此外，布线111是对在后面形成的构成发光元件的第二电极供应电力的布线。在此，第一电极层103及布线111的一部分分别用作供应电力的取出电极。
第一电极层103及布线111可以由同一材料形成或由不同的材料形成。此外，至少第一电极层103上的形成发光元件的区域使用对来自在后面形成的EL层105的发光具有反射性的材料。另外，也可以在第一电极层103上的形成发光元件的区域层叠与用于第一电极层103的材料不同的光反射性高的材料。
作为用于第一电极层103及布线111的材料，例如可以使用铝、金、铂、银、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜或钯等的金属材料或包含它们的合金材料。此外，也可以对这些金属材料或合金材料添加镧、钕、锗等。除此之外，也可以使用铝和钛的合金、铝和镍的合金、铝和钕的合金等含有铝的合金（铝合金），或者银和铜的合金、银和镁的合金等含有银的合金。银和铜的合金具有高耐热性，所以是优选的。再者，通过层叠接触于铝合金膜的金属膜或金属氧化物膜，可以抑制铝合金膜的氧化。作为该金属膜、该金属氧化物膜的材料，可以举出钛、氧化钛等。此外，也可以层叠由上述具有透过性的材料构成的膜与由上述金属材料构成的膜。例如，可以使用银与氧化银氧化锡的叠层膜或银和镁的合金与氧化银氧化锡的叠层膜等。
第一电极层103及布线111可以通过溅射法、真空蒸镀法或丝网印刷法等的印刷法、喷墨法或分配器法等的喷出法或者镀法等形成。特别是，优选使用丝网印刷法同时形成第一电极层103和布线111。
此阶段的俯视示意图及截面示意图相当于图1A。
接着，形成绝缘层115，该绝缘层115覆盖第一电极层103及布线111的端部的一部分且具备使第一电极层103及布线111的一部分露出的开口部。
绝缘层115可以通过喷墨法或分配器法等的喷出法、丝网印刷等的印刷法等形成。此外，也可以采用光刻法。
为了改进在后面形成的第二电极层107的覆盖性，优选使绝缘层115的上端部或下端部具备具有曲率半径（0.2μm至3μm）的曲面。此外，作为绝缘层115的材料，除了可以使用与平坦化层113同样的材料之外还可以使用：负型光敏树脂或正型光敏树脂等的有机化合物；或者氧化硅、氧氮化硅等的无机化合物。
此阶段的俯视示意图及截面示意图相当于图1B。
接着，在第一电极层103上形成EL层105。EL层105通过真空蒸镀法、喷墨法或分配器法等的喷出法或者旋涂法等的涂敷法形成。
EL层105只要包括至少包含发光有机化合物的层（下面，也称为发光层）即可，且也可以由单个层构成或由多个层构成。作为由多个层构成的结构，可以举出从阳极一侧层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的结构作为例子。另外，除了发光层之外的上述层不一定需要设置在EL层105中。此外，上述层也可以重叠设置。具体而言，可以在EL层105中重叠设置多个发光层，而且还可以与电子注入层重叠设置空穴注入层。另外，作为中间层，除了电荷产生层之外还可以适当地追加电子中继层等的其他结构。此外，例如也可以层叠多个呈现不同的发光颜色的发光层，即可以通过层叠处于补色关系的两个以上的发光层，得到白色发光。
此阶段的俯视示意图及截面示意图相当于图1C。
接着，形成覆盖EL层105且与布线111电连接的第二电极层107。
第二电极层107使用对来自EL层105的发光具有透光性的材料。
作为透光材料，可以使用导电氧化物诸如氧化铟、氧化铟氧化锡、氧化铟氧化锌、氧化锌、添加有镓的氧化锌等。或者，也可以使用石墨烯。另外，作为导电层，可以使用金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯、钛等金属材料或包含上述材料的合金材料。或者，也可以使用上述金属材料的氮化物（例如，氮化钛）等。另外，当使用金属材料（或者其氮化物）时，将金属材料形成得薄，以使其具有透光性，即可。此外，可以将上述材料的叠层膜用作导电层。例如，通过使用银和镁的合金以及氧化铟氧化锡的叠层膜等，可以提高导电性，所以是优选的。
第二电极层107通过蒸镀法或溅射法等形成。除此之外，也可以通过喷墨法等的喷出法、丝网印刷法等的印刷法或镀法形成。
另外，当通过溅射法形成具有透光性的上述导电氧化物时，通过在包含氩和氧的气氛下形成该导电氧化物，可以提高透光性。
此外，当在EL层上形成导电氧化物膜时，通过采用层叠在减少氧浓度的包含氩的气氛下形成的第一导电氧化物膜和在包含氩和氧的气氛下形成的第二导电氧化物膜的叠层膜，可以减少对EL层的成膜损坏，所以是优选的。在此，特别优选的是，当形成第一导电氧化物膜时使用的氩的纯度高，例如使用露点为-70℃以下，优选为-100℃以下的氩气体。
通过上述步骤形成层叠有第一电极层103、EL层105及第二电极层107的发光元件120。在此，将形成在衬底101上的结构总称为发光器件110。
此外，在形成发光器件110的各工序中，将衬底101配置为使被形成面为平坦而形成。因此，可以提高构成发光器件110的各层的厚度、形状、位置等的控制性。特别是，因为可以使构成发光元件120的第一电极层103、EL层105及第二电极层107的各厚度为均匀，所以可以制造发光亮度的均匀性提高了的发光装置。
此外，也可以在第二电极层107上形成保护膜。通过形成保护膜，对发光元件120的水或氧等的杂质的扩散得到抑制，从而可以提供可靠性高的发光装置。作为保护膜，使用具有透光性且对水或氧具有阻挡性的材料。例如，可以使用硅等的半导体、铝等的金属的氧化物或氮化物，即可。
此阶段的俯视示意图及截面示意图相当于图1D。
接着，如图2A所示，在支撑体121上配置形成有发光器件110的衬底101。为了明确起见，在下面的附图中简明表示发光器件110。
支撑体121具有弯曲的表面。此外，其截面优选由连续的曲线构成。作为图2A示出截面形状为凸状的圆弧形的支撑体121，但是除此之外还可以采用各种形状。例如，可以采用其截面形状是凹状的圆弧形或波浪形等。
沿着支撑体121的弯曲的表面配置衬底101。在此，因为衬底101具备可塑性，所以可以在沿着支撑体121的弯曲的表面弯曲而配置之后保持其形状。
此外，也可以使用粘合材料或固定工具使支撑体121和衬底101固定。另外，当在后面将发光装置100从支撑体121分离而使用时，使用低粘性的粘合材料或能够装卸的固定工具固定。
在此，作为使用的支撑体121的曲率半径，可以采用在使衬底101弯曲时，在构成发光器件110的各层中不产生裂缝或破裂的程度的曲率半径。此外，将构成发光器件110的各层形成得越薄，可以使用曲率半径越小的支撑体。
接着，在弯曲的衬底101上涂敷密封材料122（图2B）。作为密封材料122，通过对至少覆盖发光元件120且在后面形成保护层的区域上滴加用于密封材料122的材料等来形成。此外，此时，以使第一电极层103及布线111的设置在衬底101的外周一侧的用作取出电极的区域露出的方式涂敷密封材料122。
作为密封材料122，使用光固化有机树脂。此外，作为密封材料122使用在通过光照射进行固化之后至少对来自发光元件的发光具有透光性的材料。
例如，作为密封材料122，可以使用PVC（聚氯乙烯）、丙烯酸树脂、聚酰亚胺、环氧树脂、硅酮树脂、PVB（聚乙烯醇缩丁醛）、EVA（乙烯-醋酸乙烯酯）。
接着，以与密封材料122的一部分接触的方式设置保护层125（图2C）。
作为保护层125使用至少对来自发光元件120的发光具有透光性的材料。例如，可以使用薄片状的有机树脂或厚度为具有柔性程度的玻璃材料。
也可以层叠多个层而用作保护层125。特别是，通过采用具有玻璃层的结构，可以提高对水或氧的阻挡性而提供可靠性高的发光装置。
特别是，作为保护层125优选使用从靠近于发光元件的一侧依次层叠有玻璃层、粘合层和有机树脂层的薄片。该玻璃层的厚度为20μm以上且200μm以下，优选为25μm以上且100μm以下。这种厚度的玻璃层可以同时实现对水或氧的高阻挡性和柔性。此外，有机树脂层的厚度为10μm以上且200μm以下，优选为20μm以上且50μm以下。通过在玻璃层的外侧设置这种有机树脂层，抑制玻璃层的破裂或缝裂来提高机械强度。通过将这种玻璃材料和有机树脂的复合材料应用于保护层125，可以提供可靠性极高且具有弯曲的发光面的发光装置。
首先，将保护层125以使其端部与密封材料122接触的方式至少设置在衬底101上的设置有发光元件120的区域的外侧的区域。此时，如图2C所示，优选不使保护层125的端部之外的部分与密封材料122接触。
接着，对保护层125和密封材料122接触的区域照射光127，使该区域的密封材料122固化，来粘合衬底101和保护层125。此时，密封材料122固化的一部分的区域成为密封层123。
然后，以保护层125和密封层123粘合的区域为支点，一边使保护层125逐渐地弯曲一边使保护层125与密封材料122紧贴。像这样，在使保护层125的端部粘合一次之后，从粘合部分向外侧逐渐进行贴合，从而抑制气泡等的引入来可以提供可靠性高的发光装置。
上述贴合优选通过如下步骤进行：例如，使用滚筒状的按压部件，该按压部件以上述粘合部分为起点滚动，来使保护层125和密封材料122紧贴。此外，此时将保护层125和衬底101之间的距离控制为固定。
接着，如图2D所示，从保护层125的上方对密封材料122照射光127来使密封材料122固化，从而形成密封层123。
此时，也可以在防止剥离地固定保护层125的状态下对密封材料122照射光127。
通过上述工序，在支撑体121上形成具备弯曲的发光面的发光装置100。
另外，在上述工序中，作为用于密封材料122的材料使用光固化有机树脂，但是不局限于此而也可以使用热固化有机树脂或两液混合型树脂等的在常温下固化的固化树脂。
当作为密封材料122使用热固化树脂时，可以在使保护层125的一部分与密封材料122紧贴之后，对该紧贴部分局部性地进行加热而使密封材料固化。然后，使保护层125弯曲而与密封材料122紧贴之后，对保护层125整体进行加热而使其固化，即可。作为局部性地进行加热的方法，可以举出局部性地照射灯光或使加热器等的热源接近等的方法。此外，作为对整体进行加热的方法，除了灯光及加热器之外还可以使用热板或烤箱等。
此外，当作为密封材料122使用在常温下固化的树脂时，预先在设置有发光元件120的区域的外侧的区域涂敷树脂，且在该树脂与保护层125的一部分紧贴的状态下进行固化。然后，在与发光元件120重叠的区域再次涂敷树脂，一边使保护层125弯曲一边将保护层125紧贴到该树脂，然后进行固化，即可。
此外，虽然在上述工序中说明了在设置有发光元件120的区域的外侧的区域中，通过使与保护层125紧贴的密封材料122固化来粘合保护层125和衬底101的方法，但是不局限于该方法而可以至少在使保护层125弯曲时，在该区域中以不使保护层125的位置偏移的方式进行固定。
例如，在将密封材料122涂敷到衬底101上之后，在设置有发光元件120的区域的外侧的区域将保护层125与密封材料122紧贴地配置，在将保护层125的端部固定到衬底101的状态下使保护层125弯曲并使其与密封材料122紧贴，然后使密封材料122的整体固化，即可。作为将保护层125的端部固定到衬底101的方法，可以举出如下方法：使用按压部件从保护层125的上方按压的方法；或者使用胶带等的固定工具直接固定支撑体121或衬底101和保护层125的端部的方法等。
当使用这种方法时，对用于密封材料122的固化材料的种类没有限制，而可以适当地使用光固化树脂、热固化树脂或在常温下固化的固化树脂等。
另外，既可以如图2D所示那样使用由支撑体121支撑的状态的发光装置100，又可以如图2E所示那样使用从支撑体121分离的状态的发光装置100。
在使用由支撑体121支撑的状态的发光装置100的情况下，例如也可以将成为照明装置或电子设备的框体的部件用作支撑体121，且在支撑体121上制造发光装置100之后直接将发光装置100安装到照明装置或电子设备中。
像这样，通过将具有可塑性的材料用于衬底101，可以在被形成面平坦的状态下进行在衬底101上形成发光器件110的工序，所以可以提供亮度的分布得到改善的发光装置。
再者，由于能够在弯曲的状态下进行贴合衬底101和保护层125的工序，所以可以缓和在贴合之后产生的起因于保护层125的应力。在此，例如在以平坦的状态进行保护层125的贴合，然后使发光装置100的整体弯曲时，由于在保护层125自身中或在与保护层125固定的密封层或发光器件中产生大的应力，因此在它们中产生缝裂或破裂。像这样，通过在弯曲的状态下粘合保护层，可以缓和这种应力，从而可以提供可靠性高的发光装置。
特别是，当作为密封层使用包括玻璃层的材料时，通过在以平坦的状态进行贴合之后使密封层大幅度地弯曲，即使密封层自身具有柔性，由于密封层与衬底粘合而使该玻璃层受到的应力变大，所以产生破裂的可能性也高。另一方面，当采用上述方法时，由于在使密封层弯曲时密封层和衬底未粘合，因此即使使密封层大幅度地弯曲也没有破裂的忧虑。其结果是，可以实现具备曲率半径小的发光面且由玻璃层抑制杂质的扩散的可靠性高的发光装置。
[变形例子]
此外，通过使支撑体121的形状为不同，可以容易制造各种形状的发光装置。例如，如图3所示，可以提供波浪形的发光装置100。
另外，在本实施方式中，将发光器件110的俯视形状设定为四角形，但是不局限于此而还可以制造各种形状的发光器件。因为可以制造包括椭圆的圆形、多角形、由不同的曲率的曲线围绕的图形、由曲线和直线围绕的图形等的各种形状的发光装置，所以可以实现高设计性。
此外，由于作为衬底101或保护层125可以使用薄片状材料，因此适合于辊对辊（Roll To Roll）方式而可以容易制造大面积的发光装置。
本实施方式可以与本说明书所记载的其他实施方式及实施例适当地组合而实施。
实施方式2
在本实施方式中，参照附图说明在上述实施方式所例示的发光装置的制造方法中应用图像显示器件作为发光器件的情况。
注意，下面，关于与实施方式1所说明的内容重复的部分，省略说明或简单地说明。
形成在具有可塑性的衬底101上的图像显示器件具备多个包括至少一个发光元件的像素。作为图像显示器件有：一个像素由一个发光元件构成的被动矩阵型图像显示器件；以及一个像素由发光元件和至少一个晶体管构成的有源矩阵型图像显示器件。
下面，作为能够应用于本发明的一个方式的发光装置的制造方法的图像显示装置的一个例子，以有源矩阵型的图像显示器件为例子而进行说明。
[结构例子]
图4A示出图像显示器件150的像素的一部分，而图4B示出沿着图4A中的截断线C-D截断的截面的截面示意图。
在图4A所示的图像显示器件150中，多个源极布线151彼此平行且彼此分离地配置，并且与源极布线151交叉的多个栅极布线152彼此平行且彼此分离地配置。此外，被源极布线151和栅极布线152围绕的区域成为图像显示器件150的一个像素，且该像素被配置为矩阵状。
此外，各像素具备晶体管153、晶体管154以及形成在晶体管154上的发光元件120。
衬底101可以使用与实施方式1同样的衬底。
图4B示出包括衬底101、设置在衬底101上的粘合层161、设置在粘合层161上的绝缘层163、形成在绝缘层163上的晶体管154以及与晶体管154电连接的发光元件120的截面示意图。
晶体管154包括栅电极层、栅极绝缘层、半导体层、源电极层以及漏电极层。
对构成图像显示器件150的晶体管的结构没有特别的限制。例如，可以采用交错型的晶体管或反交错型的晶体管。此外，也可以采用顶栅型或底栅型的晶体管结构。
此外，作为用于晶体管的半导体材料，例如既可以使用硅或锗等的半导体材料，又可以使用包含铟、镓和锌中的至少一个的氧化物半导体材料。此外，对用于晶体管的半导体的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体或结晶半导体（微晶半导体、多晶半导体、单晶半导体或其一部分具有结晶区的半导体）。当使用结晶半导体时可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。
发光元件120可以采用与实施方式1相同的结构，且具有按顺序层叠第一电极层103、EL层105及第二电极层107的结构。此外，第一电极层103通过设置在绝缘层165及绝缘层167的开口部与晶体管154的源电极或漏电极电连接。
此外，形成有覆盖发光元件120的绝缘层166。设置绝缘层166是为了抑制水或氧等杂质扩散到发光元件中。例如，可以使用无机绝缘材料诸如硅等的半导体的氧化物或氮化物或者铝等的金属的氧化物或氮化物等。
相邻的像素的发光元件120具备呈现不同的发光颜色的EL层105。例如，通过采用具备分别呈现红色（R）、绿色（G）、蓝色（B）的发光颜色的EL层105的发光元件120，可以提供能够进行全彩色显示的发光器件150。此外，也可以设置除了上述三种颜色之外还具备呈现黄色（Y）及白色（W）的发光颜色的EL层105的发光元件120。
此外，覆盖设置在上述绝缘层165及绝缘层167的开口部以及第一电极层103的端部地形成有绝缘层115。作为绝缘层115的结构可以采用与实施方式1同样的结构。
绝缘层165起平坦化层的作用，其用来抑制因设置在下部的晶体管等产生的凹凸形状的影响。通过设置绝缘层165，可以抑制发光元件120的短路等。绝缘层165可以使用光敏有机树脂等形成。
此外，与晶体管的半导体层接触的绝缘层168及绝缘层169以及覆盖晶体管的绝缘层167优选抑制对构成晶体管的半导体的杂质的扩散。作为这些绝缘层可以使用硅等的半导体的氧化物或氮化物或者铝等的金属的氧化物或氮化物。此外，也可以使用这种无机绝缘材料的叠层膜或无机绝缘材料和有机绝缘材料的叠层膜。
在此，粘合层161可以使用绝缘材料。此外，粘合层161与实施方式1所例示的平坦化层113同样地具有覆盖衬底101的表面的凹凸形状的功能。此外，通过采用具备分散有包含金属材料或合金材料的粒子的有机树脂的结构，可以将来自发光元件120的发热高效地传导到衬底101，所以可以进一步提高放热性。
以上是图像显示器件150的结构例子的说明。
[制造方法例子]
下面，参照附图说明图像显示器件150的制造方法。
首先，在支撑衬底171上层叠形成剥离层173和绝缘层163（图5A）。通过在形成剥离层173之后，不暴露于大气地连续形成绝缘层163，可以抑制杂质的混入，所以是优选的。
作为支撑衬底171使用具有平坦面的衬底。例如，可以使用玻璃、石英、蓝宝石、不锈钢或金属等的衬底。此外，在对制造工序中的温度具有耐热性时，也可以使用塑料等的有机树脂衬底。在此，在使用塑料衬底时，有时不需要剥离层173。
此外，在本实施方式中与支撑衬底171接触地形成剥离层173，但是当作为支撑衬底171使用玻璃衬底时，通过在支撑衬底171和剥离层173之间形成氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜等的绝缘层，可以防止来自玻璃衬底的污染，所以是更优选的。
剥离层173由选自钨、钼、钛、钽、铌、镍、钴、锆、钌、铑、钯、锇、铱、硅中的金属材料、包含上述金属材料的合金材料、包含上述金属材料的化合物材料或包含硅的材料构成，且是单层或叠层。包含硅的层的结晶结构可以是非晶、微晶或多晶中的任一种。
此外，剥离层173可以通过溅射法、等离子体CVD法、涂敷法、印刷法等形成。另外，涂敷法包括旋涂法。除此之外，还可以使用液滴喷出法、分配器法等。
当剥离层173是单层结构时，优选形成钨层、钼层或包含钨和钼的混合物的层。此外，形成包含钨的氧化物或氧氮化物的层、包含钼的氧化物或氧氮化物的层或者包含钨和钼的混合物的氧化物或氧氮化物的层。另外，钨和钼的混合物例如相当于钨和钼的合金。
此外，当作为剥离层173形成包含钨的层和包含钨的氧化物的层的叠层结构时，也可以应用如下现象：通过形成包含钨的层且在其上层形成由氧化物形成的绝缘层，在包含钨的层和绝缘层之间的界面形成包含钨的氧化物的层。另外，通过对包含钨的层的表面进行热氧化处理、氧等离子体处理、使用臭氧水等的氧化力高的溶液的处理等，来形成包含钨的氧化物的层。此外，等离子体处理或加热处理也可以在单独地使用氧、氮、一氧化二氮的气氛下或上述气体和其他气体的混合气体气氛下进行。通过上述等离子体处理或加热处理来改变剥离层173的表面状态，可以控制剥离层173和在后面形成的绝缘层163之间的紧贴性。
接着，在剥离层173上形成绝缘层163。绝缘层163优选由氮化硅、氧氮化硅或氮氧化硅等的单层或叠层形成。
绝缘层163可以通过溅射法或等离子体CVD法、涂敷法、印刷法等形成。例如，通过采用等离子体CVD法，以250℃以上且400℃以下的成膜温度形成绝缘层163，可以形成致密且透水性非常低的膜。另外，绝缘层163的厚度为10nm以上且3000nm以下，更优选为200nm以上且1500nm以下。
接着，在绝缘层163上形成晶体管153（未图示）、晶体管154、源极布线151以及栅极布线152（未图示）等。在此，制造底栅型的晶体管。
首先，在形成成为栅电极层的导电膜之后，使用已知的光刻法去除该导电膜的不需要的部分，来形成栅电极层。另外，在此同时形成通过对与栅电极层相同的导电膜进行加工来形成的布线等。
可以使用钼、钛、铬、钽、钨、铝、铜、钕、钪等金属材料或包含上述金属材料的合金材料作为材料并以这种材料的单层或叠层形成栅电极层。
接着，在栅电极层上形成成为栅极绝缘层的绝缘层169。绝缘层169可以通过等离子体CVD法或溅射法等并使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅或氧化铝的单层或叠层形成。例如，作为成膜气体使用SiH4、N2O并通过等离子体CVD法形成氧氮化硅膜，即可。
接着，形成半导体膜，通过光刻法形成岛状的半导体层。
半导体膜可以使用硅半导体或氧化物半导体形成。作为硅半导体，有单晶硅、多晶硅或微晶硅等，而作为氧化物半导体，例如可以使用至少包含In、Ga、Zn中任一个的氧化物半导体。典型地，可以举出In-Ga-Zn类金属氧化物等。在此，通过使用In-Ga-Zn类金属氧化物的氧化物半导体形成载流子密度低的半导体层作为半导体层，可以抑制在后面形成的发光元件的截止时的泄漏电流，所以是优选的。
接着，在形成覆盖半导体层的绝缘膜之后，通过光刻法形成具有使半导体层的一部分露出的开口部的绝缘层168。
然后，在形成导电膜之后，通过光刻法形成源电极层及漏电极层。此外，与此同时，通过对与源电极层及漏电极层相同的导电膜进行加工来形成布线等。
作为用于源电极层及漏电极层的导电膜，例如使用选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W中的金属材料或包含上述金属材料的金属氮化物材料（例如，氮化钛、氮化钼、氮化钨）等的薄膜。此外，还可以在Al、Cu等的金属膜的下侧和上侧中的一方或双方层叠Ti、Mo、W等的高熔点金属膜或它们的金属氮化物膜（氮化钛膜、氮化钼膜、氮化钨膜）。另外，也可以使用导电金属氧化物形成用于源电极层及漏电极层的导电膜。作为导电金属氧化物，可以使用氧化铟（In2O3等）、氧化锡（SnO2等）、氧化锌（ZnO）、氧化铟氧化锡合金（In2O3-SnO2等）、氧化铟氧化锌（In2O3-ZnO等）或者在这些金属氧化物中含有氧化硅的材料。
通过上述工序形成晶体管154。
接着，在半导体层、源电极层及漏电极层上形成绝缘层167。作为绝缘层167，可以使用无机绝缘膜诸如氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜等。
接着，在绝缘层167上形成绝缘层165（参照图5B）。
作为绝缘层165选择具有平坦化功能的绝缘层，以减少起因于晶体管的表面凹凸。例如，可以使用聚酰亚胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯类树脂等有机材料。此外，除了上述有机材料之外，还可以使用低介电常数材料（low-k材料）等。例如，也可以通过层叠由这些材料形成的多个绝缘膜，形成绝缘层165。
接着，通过光刻法，在绝缘层165及绝缘层167形成到达源电极层或漏电极层的开口部。当形成开口部时，可以适当地选择干蚀刻、湿蚀刻等。或者，也可以作为绝缘层165使用光敏材料并通过光刻法形成具备开口部的绝缘层165，然后以该绝缘层165为掩模对绝缘层167的一部分进行蚀刻来形成开口部。或者，也可以在预先形成绝缘层167之后形成开口部，然后形成具备开口部的绝缘层165。
接着，在绝缘层165上形成导电膜，通过光刻法形成与晶体管154的源电极层或漏电极层电连接的第一电极层103。
接着，形成覆盖第一电极层103的端部以及形成在绝缘层165的开口部的绝缘层115（参照图5C）。
接着，在第一电极层103上形成EL层105。在此，通过采用蒸镀法并使用金属掩模，选择性地形成呈现与相邻的像素不同的发光颜色的EL层105。
另外，作为EL层105也可以共同使用呈现白色发光的EL层，通过在相邻的像素的发光元件120的上方设置分别透射不同的光的滤光片来进行全彩色显示。在此情况下，在绝缘层166上形成滤光片或者在实施方式1所例示的保护层125的一个表面预先形成滤光片。通过共同使用白色发光的EL层，不需要用来在像素中分开形成不同颜色的EL层的金属掩模，所以是优选的。
接着，在EL层105上形成第二电极层107。
另外，第一电极层103和第二电极层107中的一方用作发光元件120的阳极，另一方用作发光元件120的阴极。作为用作阳极的电极优选使用功函数大的物质，而作为用作阴极的电极优选使用功函数小的物质。
通过上述工序，形成发光元件120。
最后，形成覆盖第二电极层107的绝缘层166（参照图5D）。
通过上述工序，可以在支撑衬底171上形成晶体管、布线或发光元件120。
接着，在绝缘层163和剥离层173之间进行剥离（分离）（参照图6A）。作为剥离方法可以使用各种方法。
在此，利用在晶体管的形成工序中产生的热在剥离层173和绝缘层163之间的界面形成金属氧化膜。例如，也可以利用如下现象：形成到达剥离层173的凹槽（未图示），以该凹槽为起因使金属氧化膜脆弱化，而在剥离层173和绝缘层163之间的界面产生剥离。
作为剥离方法，施加机械力（使用人手或夹具来剥离的处理或使滚筒转动来进行分离的处理等），即可。此外，也可以对凹槽滴加液体，并使液体浸透到剥离层173与绝缘层163的界面来从剥离层173剥离绝缘层163。此外，也可以采用如下方法：对凹槽引入NF3、BrF3、ClF3等的氟化气体，使用氟化气体蚀刻并去除剥离层173，然后从具有绝缘表面的支撑衬底171剥离绝缘层163。
作为其他剥离方法，可以使用如下方法：当由钨形成剥离层173时，一边使用氨水和过氧化氢水的混合溶液对剥离层进行蚀刻，一边进行剥离。
此外，当作为剥离层173使用包含氮、氧或氢等的膜（例如，包含氢的非晶硅膜、含氢合金膜、含氧和金膜等），且作为支撑衬底171使用具有透光性的衬底时，可以使用如下方法：从支撑衬底171一侧对剥离层173照射激光，使剥离层所包含的氮、氧及氢气化而在支撑衬底171和剥离层173之间进行剥离。
接着，由粘合层161粘合绝缘层163和衬底101（参照图6B）。该工序也称为转置。
粘合层161可以使用各种固化型粘合剂如紫外线固化型粘合剂等光固化粘合剂、反应固化型粘合剂、热固化型粘合剂或厌氧型粘合剂等。作为这些粘合剂的材料可以使用环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂等。
通过上述工序，可以在具有可塑性的衬底101上形成图像显示器件150（参照图6C）。
通过将形成有这种图像显示器件150的衬底101应用于实施方式1所例示的发光装置的制造方法，可以制造具备弯曲的发光面的图像显示装置。在此情况下，也可以将图像显示器件150置换为实施方式1所例示的发光器件110。
本实施方式可以与本说明书所记载的其他实施方式及实施例适当地组合而实施。
实施方式3
在本实施方式中，参照附图说明应用本发明的一个方式的发光装置的电子设备或照明装置的例子。
作为应用具备弯曲的发光面的发光装置的电子设备，例如可以举出电视装置（也称为电视或电视接收机）、用于计算机等的显示屏、数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机（也称为移动电话、移动电话装置）、便携式游戏机、便携式信息终端、音频再现装置、弹珠机等的大型游戏机等。
此外，也可以将照明或显示装置沿着在房屋及高楼等的内壁或外壁、汽车的内部装修或外部装修的曲面组装。
图7A示出移动电话机的一个例子。移动电话机7400包括组装在框体7401中的显示部7402、操作按钮7403、外部连接端口7404、扬声器7405、扬声器7406等。另外，通过将发光装置用于显示部7402制造移动电话机7400。
图7A所示的移动电话机7400通过用手指等触摸显示部7402，可以输入信息。此外，通过用手指等触摸显示部7402可以进行打电话或输入文字等的所有操作。
此外，通过操作按钮7403的操作，可以切换电源的ON、OFF或显示在显示部7402的图像的种类。例如，可以将电子邮件的编写画面切换为主菜单画面。
在此，在显示部7402中组装有本发明的一个方式的发光装置。因此，可以提供具备弯曲的显示部且可靠性高的移动电话机。
图7B是腕带型的显示装置的一个例子。便携式显示装置7100包括框体7101、显示部7102、操作按钮7103以及收发装置7104。
便携式显示装置7100能够由收发装置7104接收图像信号，且可以将所接收的图像显示在显示部7102。此外，也可以将声音信号发送到其他接收设备。
此外，可以由操作按钮7103进行电源的ON、OFF工作或所显示的图像的切换或者音量调整等。
在此，显示部7102组装有本发明的一个方式的发光装置。因此，可以提供具备弯曲的显示部且可靠性高的便携式显示装置。
图7C至7E示出照明装置的一例。照明装置7200、7210、7220分别包括具备操作开关7203的底座7201、以及由底座7201支撑的发光部。
图7C所示的照明装置7200具备具有波状的发光面的发光部7202。因此，提供设计性高的照明装置。
图7D所示的照明装置7210所具备的发光部7212采用对称地配置弯曲为凸状的两个发光部的结构。因此，可以以照明装置7210为中心全方位地进行照射。
图7E所示的照明装置7220具备弯曲为凹状的发光部7222。因此，因为将来自发光部7222的发光聚集到照明装置7220的前面，所以适合应用于照亮特定的范围的情况。
在此，在发光部7222中组装有本发明的一个方式的发光装置。因此，可以提供具备弯曲的显示部且可靠性高的照明装置。
另外，不用说，如果具备本发明的一个方式的发光装置，则并不局限于如上所示的电子设备或照明装置。
本实施方式可以与本说明书中所记载的其他实施方式及实施例适当地组合而实施。
实施例1
在本实施例中说明在绝缘衬底及导电衬底上分别制造发光元件，且对使这些发光元件发光时的温度特性进行测量而得的结果。
[样本的制造]
首先，准备厚度为0.2mm的铝衬底以及厚度为0.7mm的玻璃衬底。
接着，在各衬底上作为平坦化层分别通过旋涂法形成厚度大约为6μm的环氧树脂的层。
接着，作为第一电极及布线，通过使用屏蔽掩模的溅射法依次层叠形成厚度大约为50nm的钛膜、厚度大约为200nm的铝膜和厚度大约为100nm的钛膜。
接着，作为覆盖第一电极的端部等的绝缘层，通过丝网印刷法形成厚度大约为20μm的环氧树脂的层。
然后，在与第一电极重叠的位置上通过真空蒸镀法形成呈现白色发光的EL层。接着，在EL层上作为第二电极通过真空蒸镀法形成厚度大约为30nm的银和镁的合金膜。
像这样，在铝衬底及玻璃衬底上形成具备长度大约为56mm且宽度大约为42mm的发光区域的发光元件。在此，将使用铝衬底的样品作为样品1，而将使用玻璃衬底的样品作为样品2。在本实施例中，分别制造两个样品1及样品2。
[温度特性评价]
接着，对使各样品发光时的发光面上的温度的时间依赖性进行评价。
当进行评价时，将样品接触地配置在不锈钢制造的桌子上，将0.7mm的玻璃板接触地设置在样品上，并将热电耦贴附到该玻璃板上而测量发光面附近的温度。对两个部分，即发光面的中央部和靠近于外周的区域进行温度的测量。
图8A、8B都是各样品的各测量点的从发光开始的时间的温度变动的测量结果。图8A示出发光面的中央部分的测量结果，图8B示出靠近于发光面的外周的区域的测量结果。下面，说明测量结果。
首先，在所有的样品中都有发光面的中央部分的发热温度比靠近于发光面的外周的区域的发热温度高的趋势。
在使用铝衬底的样品1中，当注目于中央部分时确认到如下趋势，即虽然在从发光开始大约50秒的期间温度陡然升高，但是之后温度上升变缓慢。至于从发光开始到300秒钟后的发光面附近的温度，在中央部分有37℃左右，且在靠近于外周的区域有34℃左右。
另一方面，在使用玻璃衬底的样品2中确认到如下趋势，即在发光开始之后的温度上升是陡然的，且之后温度上升的比例也比样品1大。至于从发光开始到300秒钟后的发光面近旁的温度，在中央部分有42℃且在靠近于外周的区域有37℃左右。
根据上述结果，确认到通过作为衬底使用金属衬底，可以实现高放热性。
本实施例可以与本说明书所记载的其他实施方式或实施例适当地组合而实施。
实施例2
在本实施例中，说明通过实施方式1所例示的方法制造的发光装置。
首先，与实施例1所说明的样品1同样，在铝衬底上形成平坦化层、第一电极层、绝缘层、EL层及第二电极层，来形成具备长度大约为56mm且宽度大约为42mm的发光区域的发光元件。
接着，使用低粘性的粘合剂将形成有发光元件的铝衬底弯曲地固定到具备曲率半径为45mm的凸状的表面的支撑体。
接着，在铝衬底上滴加光固化环氧树脂作为密封剂。
接着，作为保护层使用依次层叠厚度大约为50μm的玻璃层、厚度大约为20μm的粘合层和厚度大约为38μm的由PET（Polyethylene terephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯）构成的树脂层的叠层体，并且在铝衬底上的没有设置发光元件的区域中，将该保护层的端部紧贴到上述光固化环氧树脂。然后，从保护层的上方对该紧贴部分照射波长为365nm的紫外线来使环氧树脂固化，从而使保护层和铝衬底的一部分粘合。
接着，使用滚筒状的部件，一边将该滚筒状的部件按压到保护层的表面，一边以上述紧贴部分为开始点使该滚筒状的部件沿着支撑体的曲面按压滚动，来使保护层和光固化树脂紧贴。
接着，从保护层的上方对光固化树脂的未固化的区域照射上述紫外线而进行固化，来使铝衬底和保护层完全粘合。
像这样，在铝衬底上制造具备弯曲的发光部的发光装置。
图9示出使所制造的发光装置发光时的照片。
此外，确认到在本实施例中制造的发光装置在常温常湿下的超过380小时时也进行优良的发光。另外，没有形成保护层的样品在制造之后大约82小时时产生发光不良。
根据上述结果，可以确认到根据本发明的一个方式的制造方法，能够在不产生缝裂或破裂等的不良的情况下制造具备弯曲的发光面的发光装置。此外，还可以确认到这样制造的发光装置是没有密封不良的可靠性高的发光装置。
本实施例可以与本说明书中所记载的其他实施方式及实施例适当地组合而实施。

Claims (7)

1.一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：
配置具有可塑性的衬底，并使所述具有可塑性的衬底的一个表面成为平坦；
在所述具有可塑性的衬底的所述一个表面上形成发光元件；
在具有弯曲的表面的支撑体上沿着所述支撑体的所述弯曲的表面配置在其上形成有所述发光元件的所述具有可塑性的衬底，并使与所述具有可塑性的衬底的所述一个表面相反的另一个表面相对于所述支撑体；
对所述具有可塑性的衬底的所述一个表面上滴加固化材料；
在所述具有可塑性的衬底上配置保护层，并使所述固化材料与所述保护层的一部分接触；
在所述保护层与所述固化材料接触的区域中固定所述保护层；
使所述保护层沿着所述具有可塑性的衬底的所述一个表面弯曲，并使所述保护层的相对于所述具有可塑性的衬底的表面在与所述发光元件重叠的区域中接触于所述固化材料；以及
使所述固化材料固化。
2.一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：
在支撑衬底上形成被剥离层；
在所述被剥离层上形成包括发光元件的多个像素；
从所述支撑衬底剥离所述被剥离层；
将所述被剥离层转置到具有可塑性的衬底的一个表面；
在具有弯曲的表面的支撑体上沿着所述支撑体的所述弯曲的表面配置在其上形成有所述多个像素的所述具有可塑性的衬底，并使与所述具有可塑性的衬底的所述一个表面相反的另一个表面相对于所述支撑体；
对所述具有可塑性的衬底的所述一个表面上滴加固化材料；
在所述具有可塑性的衬底上配置保护层，并使所述固化材料与所述保护层的一部分接触；
在所述保护层与所述固化材料接触的区域中固定所述保护层；
使所述保护层沿着所述具有可塑性的衬底的所述一个表面弯曲，并使所述保护层的相对于所述具有可塑性的衬底的表面在与所述发光元件重叠的区域中接触于所述固化材料；以及
使所述固化材料固化。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置的制造方法，其中所述固化材料是光固化材料。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置的制造方法，其中所述具有可塑性的衬底包含金属材料和合金材料中的至少一个。
5.根据权利要求1或2所述的发光装置的制造方法，其中所述具有可塑性的衬底包含铝、铜、铁、镍、钛和镁中的至少一个。
6.根据权利要求1或2所述的发光装置的制造方法，其中所述保护层包括玻璃层。
7.根据权利要求1或2所述的发光装置的制造方法，其中所述保护层是层叠玻璃层、粘合层和树脂层的叠层体。
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Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102296378B1 (ko) 2012-08-10 2021-09-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 장치
CN105102218B (zh) * 2013-03-28 2017-11-21 株式会社神户制钢所 金属基板、使用其的衬底型薄膜太阳能电池及顶部发光型有机el元件
USD778248S1 (en) * 2013-04-08 2017-02-07 Lg Electronics Inc. Television receiver
USD778249S1 (en) * 2013-04-08 2017-02-07 Lg Electronics Inc. Television receiver
TWI612689B (zh) * 2013-04-15 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
WO2015005263A1 (ja) * 2013-07-11 2015-01-15 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US9356049B2 (en) 2013-07-26 2016-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with a transistor on an outer side of a bent portion
EP3042328A2 (en) 2013-09-04 2016-07-13 Zero360, Inc. Processing system and method
KR102062353B1 (ko) * 2013-10-16 2020-01-06 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR102315659B1 (ko) 2013-11-27 2021-10-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20180021926A (ko) * 2013-12-02 2018-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제조방법
TWI655442B (zh) 2014-05-02 2019-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 輸入／輸出裝置
JP6722980B2 (ja) * 2014-05-09 2020-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および発光装置、並びに電子機器
CN103985739B (zh) * 2014-05-09 2017-06-13 青岛海信电器股份有限公司 一种曲面显示面板和显示装置
CN105448852A (zh) * 2014-08-27 2016-03-30 群创光电股份有限公司 曲面电子装置
KR102006505B1 (ko) * 2014-09-24 2019-08-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102472238B1 (ko) * 2014-10-17 2022-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 및 발광 장치의 제작 방법
US9614168B2 (en) 2015-01-12 2017-04-04 Apple Inc. Flexible display panel with bent substrate
CN104600208B (zh) * 2015-02-05 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种盖板、oled显示面板和显示装置
CN104851364A (zh) * 2015-05-27 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 封装盖板、曲面显示面板和显示装置
CN104977746B (zh) * 2015-07-30 2018-07-10 武汉华星光电技术有限公司 曲面玻璃盖板及曲面液晶显示装置
KR102438718B1 (ko) * 2015-08-11 2022-08-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
USD744579S1 (en) 2015-08-31 2015-12-01 Nanolumens Acquisition, Inc. Tunnel shaped display
DE102015117487A1 (de) * 2015-10-14 2017-04-20 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Moduls
USD747718S1 (en) 2015-10-14 2016-01-19 Nanolumens Acquisition, Inc. Ellipsoidal shaped display
KR102480086B1 (ko) 2016-01-11 2022-12-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
USD770406S1 (en) 2016-02-25 2016-11-01 Nanolumens Acquisition, Inc. Curved pentagonal shaped display
US10287745B1 (en) 2016-04-13 2019-05-14 Abi Attachments, Inc. Work machines including automatic grading features and functions
US12024852B2 (en) 2016-04-13 2024-07-02 Abi Attachments, Inc. Work machines including automatic grading features and functions
DE102016108681A1 (de) * 2016-05-11 2017-11-16 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
FR3053839A1 (fr) * 2016-06-10 2018-01-12 Valeo Vision Module lumineux a diode electroluminescente organique flexible
CN106058074B (zh) * 2016-07-29 2018-04-03 京东方科技集团股份有限公司 封装件及封装方法、固化装置、封装系统、显示装置
US10637005B2 (en) 2016-08-26 2020-04-28 Osram Oled Gmbh Method of producing a component module and component module
CN106972113B (zh) * 2017-05-25 2018-09-11 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的封装组件及封装方法、显示装置
GB201714297D0 (en) 2017-09-06 2017-10-18 Flexenable Ltd Curved display devices
KR102309847B1 (ko) * 2017-10-31 2021-10-08 엘지디스플레이 주식회사 커브드 표시 장치 및 이를 이용한 전자 장치
US11183674B2 (en) * 2018-02-27 2021-11-23 Sakai Display Products Corporation Method for manufacturing flexible OLED device and support substrate
CN109031846B (zh) * 2018-08-29 2022-05-10 合肥鑫晟光电科技有限公司 柔性纤维基板和包括其的柔性显示装置
JP6828727B2 (ja) * 2018-09-27 2021-02-10 株式会社デンソー 表示装置
JP7323251B2 (ja) * 2019-07-24 2023-08-08 スタンレー電気株式会社 発光装置の製造方法、及び、発光装置
WO2021064509A1 (ja) 2019-10-04 2021-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN112705915B (zh) * 2020-01-21 2022-07-01 深圳市佳康捷科技有限公司 一种回转式曲面光源生产机器人的光源制作方法
USD1010735S1 (en) 2020-02-06 2024-01-09 Nanolumens Acquisition, Inc. Light emitting tunnel shaped display
CN113497078A (zh) * 2020-04-08 2021-10-12 深圳市柔宇科技有限公司 显示装置及其制备方法
JP2020167174A (ja) * 2020-06-29 2020-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN113192830A (zh) * 2021-04-27 2021-07-30 蚌埠芯视源光电科技有限公司 硅基oled微显示器及其制作方法
CN114420861B (zh) * 2022-01-04 2023-06-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN115164166B (zh) * 2022-07-01 2024-01-30 固安翌光科技有限公司 一种照明装置

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01287529A (ja) 1988-05-14 1989-11-20 Stanley Electric Co Ltd 液晶表示素子
JPH07114347A (ja) 1993-10-14 1995-05-02 Alps Electric Co Ltd ディスプレイ装置およびその製造方法
DE4415132C2 (de) 1994-04-29 1997-03-20 Siemens Ag Verfahren zur formgebenden Bearbeitung von dünnen Wafern und Solarzellen aus kristallinem Silizium
JPH08124679A (ja) * 1994-10-25 1996-05-17 Ibm Japan Ltd エレクトロ・ルミネッセンス装置
JPH1173148A (ja) 1997-08-27 1999-03-16 Pioneer Electron Corp 発光表示装置及びその製造方法
US6573652B1 (en) 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
JP4566475B2 (ja) 2000-08-04 2010-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2002093586A (ja) 2000-09-19 2002-03-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US6956324B2 (en) 2000-08-04 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6605826B2 (en) 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP2002299041A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Hitachi Ltd 有機ｅｌ装置に用いるフィルム基材及び有機ｅｌ素子
JP5057619B2 (ja) 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US20050062412A1 (en) * 2001-10-25 2005-03-24 Yoshio Taniguchi Light emitting apparatus
JP2003229548A (ja) * 2001-11-30 2003-08-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 乗物、表示装置、および半導体装置の作製方法
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
US6953735B2 (en) 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
JP4104489B2 (ja) * 2002-05-17 2008-06-18 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置及びその製造方法
JP2004079432A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Nitto Denko Corp 透明ガスバリア性部材及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004140267A (ja) 2002-10-18 2004-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
EP1565782A1 (en) 2002-11-22 2005-08-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a curved display
US20040135160A1 (en) 2003-01-10 2004-07-15 Eastman Kodak Company OLED device
TWI277042B (en) 2003-10-28 2007-03-21 Seiko Epson Corp Electro-optical device, electronic equipment, and method of manufacturing electro-optical device
JP4027914B2 (ja) 2004-05-21 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置及びそれを用いた機器
US20050269943A1 (en) 2004-06-04 2005-12-08 Michael Hack Protected organic electronic devices and methods for making the same
JP2006040580A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Ams:Kk 有機ｅｌ素子の製法
US7559836B2 (en) * 2005-01-14 2009-07-14 Id Interactive Llc System and method for administering a progressive jackpot limited to a bonus round
JP4618002B2 (ja) 2005-05-26 2011-01-26 パナソニック電工株式会社 照明装置
US7368307B2 (en) * 2005-06-07 2008-05-06 Eastman Kodak Company Method of manufacturing an OLED device with a curved light emitting surface
KR100879207B1 (ko) 2005-12-30 2009-01-16 주식회사 엘지화학 플렉시블 디스플레이장치 및 이의 제조방법
JP2007200692A (ja) 2006-01-26 2007-08-09 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネル
US7878675B2 (en) * 2006-11-24 2011-02-01 Bruce L. Finn Fashion illumination system
JP2008218306A (ja) 2007-03-07 2008-09-18 Pioneer Electronic Corp 光デバイス
JP2008235193A (ja) 2007-03-23 2008-10-02 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP5074129B2 (ja) 2007-08-21 2012-11-14 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
GB2453323A (en) * 2007-10-01 2009-04-08 Sharp Kk Flexible backlight arrangement and display
JP5213407B2 (ja) 2007-10-10 2013-06-19 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置および有機ｅｌ表示装置
JP4893600B2 (ja) 2007-11-22 2012-03-07 パナソニック電工株式会社 面状発光型照明装置
JP5322427B2 (ja) 2007-12-19 2013-10-23 三菱電機株式会社 液晶表示装置
JP5467792B2 (ja) 2008-04-24 2014-04-09 日東電工株式会社 可撓性基板
DE102009018603B9 (de) * 2008-04-25 2021-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
KR101308200B1 (ko) 2008-05-06 2013-09-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
CN101290445A (zh) 2008-06-05 2008-10-22 友达光电股份有限公司 曲面显示面板及其制造方法
US8657456B2 (en) 2009-04-30 2014-02-25 Mitsubishi Electric Corporation Display device and method for manufacturing the same
CN102421597A (zh) * 2009-05-08 2012-04-18 康宁股份有限公司 具有聚合物包覆模制体的玻璃制品以及该玻璃制品的形成方法
US8911653B2 (en) 2009-05-21 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
US9024936B2 (en) 2009-12-03 2015-05-05 Sharp Kabushiki Kaisha Image display device, panel and panel manufacturing method
CN102695843B (zh) 2010-01-07 2014-10-01 夏普株式会社 具有多个发光面板的照明装置
TWI589042B (zh) 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置，撓性發光裝置，電子裝置，照明設備，以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
JP4892618B2 (ja) * 2010-02-16 2012-03-07 株式会社東芝 半導体発光素子
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
CN102285166A (zh) * 2011-07-08 2011-12-21 昆山维信诺显示技术有限公司 一种用于柔性显示器件的基板及制备该基板的方法

Also Published As

Publication number Publication date
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