DE102011053665A1 - Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden und Herstellungsverfahren für dieselbe - Google Patents

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Abstract

Eine Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden (OLED) und ein Herstellungsverfahren für dieselbe sind angegeben. Die OLED-Anzeigevorrichtung umfasst ein Substrat, eine aktive Schicht und eine untere Kondensatorelektrode auf dem Substrat, eine Gateisolationsschicht auf der aktiven Schicht und der unteren Kondensatorelektrode, eine Gateelektrode auf der Gateisolationsschicht an einer der aktiven Schicht entsprechenden Stelle, eine obere Kondensatorelektrode auf der Gateisolationsschicht an einer der unteren Kondensatorelektrode entsprechenden Stelle, eine erste Elektrode, die so positioniert ist, dass sie von der Gateelektrode und der oberen Kondensatorelektrode getrennt ist, eine Zwischenisolationsschicht auf der Gateelektrode, der oberen Kondensatorelektrode und der ersten Elektrode, eine Sourceelektrode und eine Drainelektrode auf der Zwischenisolationsschicht, und eine Dammschicht auf der Sourceelektrode und der Drainelektrode.

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität und den Nutzen der am 20. September 2010 eingereichten koreanischen Patentanmeldungen Nr. 10-2010-0092419 und 10-2010-0092420 , die hier in ihrer Gesamtheit durch Bezugnahme für alle Zwecke enthalten sind.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Ausführungsformen der Erfindung betreffen eine Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden (OLED) und ein Herstellungsverfahren für dieselbe.
  • Diskussion des Stands der Technik
  • Die Bedeutung von Flachtafelanzeigevorrichtungen hat in letzter Zeit mit dem Wachstum der Multimediatechnologien zugenommen. In der Praxis werden verschiedene Flachtafelanzeigevorrichtungen verwendet, wie Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (LCDs), Plasmaanzeigevorrichtungen (PDPs), Feldemissionsanzeigevorrichtungen (FEDs) und Anzeigevorrichtungen mit organischen lichtemittierenden Dioden (OLED).
  • Unter den Flachtafelanzeigevorrichtungen weist die Flüssigkristallanzeigevorrichtung eine bessere Sichtbarkeit und einen geringeren Energieverbrauch als eine Kathodenstrahlröhre auf. Auf der anderen Seite weist die OLED-Anzeigevorrichtung eine schnelle Ansprechzeit auf, die gleich oder weniger als 1 ms ist, einen geringen Energieverbrauch und einen weiten Betrachtungswinkel. Dementsprechend wird die OLED-Anzeigevorrichtung mit einer selbstemittierenden Struktur als eine Anzeigevorrichtung der nächsten Generation betrachtet.
  • 1 zeigt eine OLED-Anzeigevorrichtung gemäß dem Stand der Technik.
  • Wie in 1 gezeigt ist, ist eine Pufferschicht 110 auf einem Substrat 100 positioniert, eine aktive Schicht 115a und eine untere Kondensatorelektrode 115b sind auf der Pufferschicht 110 positioniert, und eine Gateisolationsschicht 120 für das Isolieren der aktiven Schicht 115a und der unteren Kondensatorelektrode 115b ist auf der aktiven Schicht 115a und der unteren Kondensatorelektrode 115b positioniert. Eine Gateelektrode 130a und eine obere Kondensatorelektrode 130b sind auf der Gateisolationsschicht 120 positioniert, und eine Zwischenisolationsschicht 135 für das Isolieren der Gateelektrode 130a und der oberen Kondensatorelektrode 130b ist auf der Gateelektrode 130a und der oberen Kondensatorelektrode 130b positioniert. Eine Sourceelektrode 145a und eine Drainelektrode 145b, die durch Kontaktlöcher 140a und 140b mit der aktiven Schicht 115a verbunden sind, sind auf der Zwischenisolationsschicht 135 positioniert, und bilden so einen Dünnschichttransistor (TFT).
  • Eine Passivierungsschicht 150 und eine erste Elektrode 160, die durch ein Kontaktloch 155 mit der Drainelektrode 145b verbunden ist, sind auf dem TFT positioniert. Eine Dammschicht 165 mit einer Öffnung 170, die die erste Elektrode 160 freilegt, ist auf dem Substrat 100 positioniert, und eine organische Schicht 175 ist auf der ersten Elektrode 160 positioniert. Ein Abstandshalter 180 ist um die organische Schicht 175 positioniert, und eine zweite Elektrode 185 ist auf dem Substrat 100 positioniert. Auf diese Weise wird eine OLED-Anzeigevorrichtung mit der oben beschriebenen Konfiguration ausgebildet.
  • Die OLED-Anzeigevorrichtung gemäß dem Stand der Technik kann unter Verwendung von insgesamt neun Masken für das Ausbilden der aktiven Schicht 115a, der unteren Kondensatorelektrode 115b, der Gateelektrode 130a, der Kontaktlöcher 140a und 140b, der Sourceelektrode 145a, der Drainelektrode 145b, des Kontaktlochs 155, der ersten Elektrode 160, der Öffnung 170 und des Abstandshalters 180 hergestellt werden.
  • Jedoch sind, da die OLED-Anzeigevorrichtung gemäß dem Stand der Technik unter Verwendung der neun Masken durch eine große Anzahl von Prozessen hergestellt wird, die Herstellungskosten hoch und die Produktivität gering.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Ausführungsformen der Erfindung geben eine Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden (OLED) und ein Herstellungsverfahren für dieselbe an, die die Anzahl von Masken und die Herstellungskosten reduzieren können, und die die Produktivität und die Herstellungsausbeute erhöhen können.
  • Gemäß einem Aspekt umfasst eine OLED-Anzeigevorrichtung ein Substrat, eine aktive Schicht und eine untere Kondensatorelektrode, die auf dem Substrat positioniert sind, so dass sie voneinander getrennt sind, eine Gateisolationsschicht, die auf der aktiven Schicht und der unteren Kondensatorelektrode positioniert ist, eine Gateelektrode, die auf der Gateisolationsschicht an einer der aktiven Schicht entsprechenden Stelle positioniert ist, eine obere Kondensatorelektrode, die auf der Gateisolationsschicht an einer der unteren Kondensatorelektrode entsprechenden Stelle positioniert ist, eine erste Elektrode, die so positioniert ist, dass sie von der Gateelektrode und der oberen Kondensatorelektrode getrennt ist, eine Zwischenisolationsschicht, die auf der Gateelektrode, der oberen Kondensatorelektrode und der ersten Elektrode positioniert ist, eine Sourceelektrode und eine Drainelektrode, die auf der Zwischenisolationsschicht positioniert sind und mit der aktiven Schicht verbunden sind, wobei die Sourceelektrode oder die Drainelektrode mit der ersten Elektrode verbunden ist, eine Dammschicht, die auf der Sourceelektrode und der Drainelektrode positioniert ist, wobei die Dammschicht einen Bereich der ersten Elektrode freilegt, einen Abstandshalter, der auf der Dammschicht positioniert ist, eine organische Schicht, die auf dem freigelegten Bereich der ersten Elektrode positioniert ist, und eine zweite Elektrode, die auf der organischen Schicht positioniert ist.
  • Gemäß einem anderen Aspekt umfasst eine OLED-Anzeigevorrichtung ein Substrat, eine aktive Schicht und ein Siliziummuster, die auf dem Substrat positioniert sind, ein erstes Isolationsmuster, das auf der aktiven Schicht positioniert ist, und ein zweites Isolationsmuster, das auf dem Siliziummuster positioniert ist, eine untere Kondensatorelektrode, die auf dem zweiten Isolationsmuster positioniert ist, eine Gateisolationsschicht, die auf dem ersten Isolationsmuster und der unteren Kondensatorelektrode positioniert ist, eine Gateelektrode, die auf der Gateisolationsschicht an einer der aktiven Schicht entsprechenden Stelle positioniert ist, eine obere Kondensatorelektrode, die auf der Gateisolationsschicht an einer der unteren Kondensatorelektrode entsprechenden Stelle positioniert ist, eine erste Elektrode, die so positioniert ist, dass sie von der Gateelektrode und der oberen Kondensatorelektrode getrennt ist, eine Zwischenisolationsschicht, die auf der Gateelektrode, der oberen Kondensatorelektrode und der ersten Elektrode positioniert ist, eine Sourceelektrode und eine Drainelektrode, die auf der Zwischenisolationsschicht positioniert sind und mit der aktiven Schicht verbunden sind, wobei die Sourceelektrode oder die Drainelektrode mit der ersten Elektrode verbunden ist, eine Dammschicht, die auf der Sourceelektrode und der Drainelektrode positioniert ist, wobei die Dammschicht einen Bereich der ersten Elektrode freilegt, einen Abstandshalter, der auf der Dammschicht positioniert ist, eine organische Schicht, die auf dem freigelegten Bereich der ersten Elektrode positioniert ist, und eine zweite Elektrode, die auf der organischen Schicht positioniert ist.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die angehängten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu ermöglichen und eingefügt sind und einen Teil dieser Beschreibung bilden, zeigen Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung der Erklärung der Prinzipien der Erfindung. In den Zeichnungen:
  • 1 zeigt eine Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden (OLED) gemäß dem Stand der Technik;
  • 2 ist eine Schnittansicht einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
  • 3A bis 3K sind Schnittansichten, die sequentiell Schritte in einem Herstellungsverfahren einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung zeigen;
  • 4 ist eine Schnittansicht einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung; und
  • 5A bis 5J sind Schnittansichten, die sequentiell Schritte in einem Herstellungsverfahren der OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nun wird im Detail Bezug genommen auf besondere Ausführungsformen der Erfindung, von denen Beispiele in den angehängten Zeichnungen gezeigt sind. Wo immer es möglich ist, werden dieselben Bezugszeichen in den Zeichnungen verwendet, um auf dieselben oder ähnliche Teile Bezug zu nehmen. Eine detaillierte Beschreibung von bekannten Teilen wird weggelassen, um eine Unklarheit der Erfindung zu vermeiden.
  • In den Zeichnungen sind die Dicken der Schichten, Filme, Tafeln, Bereiche usw. zum Zwecke der Klarheit überzogen dargestellt. Es ist zu verstehen, dass, wenn ein Element wie eine Schicht, ein Film, ein Bereich oder ein Substrat als „auf” einem anderen Element dargestellt wird, es direkt auf dem anderen Element sein kann, oder dass zwischengeschaltete Elemente ebenfalls vorhanden sein können. Im Gegensatz dazu, wenn ein Element als „direkt auf” einem anderen Element beschrieben wird, sind keine Zwischenelemente vorhanden. Es ist weiter zu verstehen, dass, wenn ein Element wie eine Schicht, ein Film, ein Bereich oder ein Substrat als „vollständig” auf einem anderen Element beschrieben ist, es auf der gesamten Oberfläche des anderen Elements sein kann, und es nicht auf einem Teil eines Randes des anderen Elements sein kann.
  • 2 ist eine Schnittansicht einer Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden (OLED) gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung.
  • Wie in 2 gezeigt ist, ist, bei einer OLED-Anzeigevorrichtung 200 gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung, eine Pufferschicht 215 auf einem Substrat 210 positioniert, und eine aktive Schicht 220a und eine untere Kondensatorelektrode 220b sind auf der Pufferschicht 215 positioniert. Die aktive Schicht 220 ist mit Störstellen dotiert und umfasst somit einen Sourcebereich 221 und einen Drainbereich 222. Die untere Kondensatorelektrode 220b ist mit Störstellen dotiert.
  • Eine Gateisolationsschicht 225 ist auf der aktiven Schicht 220a und der unteren Kondensatorelektrode 220b positioniert. Eine Gateelektrode 230a und eine obere Kondensatorelektrode 230b sind auf der Gateisolationsschicht 225 positioniert. Die Gateelektrode 230a befindet sich an einer Position, die der aktiven Schicht 220a entspricht, und die obere Kondensatorelektrode 230b befindet sich an einer Position, die der unteren Kondensatorelektrode 220b entspricht. Die Gateelektrode 230a kann eine zweischichtige Struktur aus einem Stapel von Metalloxidmustern (ein Metalloxid-Material) 231 und Metallmustern (ein metallisches Material) 232 aufweisen. Eine erste Elektrode 230c ist so positioniert, dass sie von der Gateelektrode 230a und der oberen Kondensatorelektrode 230b getrennt ist. Die erste Elektrode 230c ist auf der Gateisolationsschicht 225 positioniert.
  • Eine Zwischenisolationsschicht 235 ist auf der Gateelektrode 230a, der oberen Kondensatorelektrode 230b und der ersten Elektrode 230c positioniert. Ein Kontaktloch 240, das den Sourcebereich 221 und den Drainbereich 222 der aktiven Schicht 220a freilegt, und eine Öffnung 241, die die erste Elektrode 230c freilegt, sind auf der Zwischenisolationsschicht 235 ausgebildet.
  • Eine Sourceelektrode 245a und eine Drainelektrode 245b sind auf der Zwischenisolationsschicht 235 positioniert. Die Sourceelektrode 245a und die Drainelektrode 245b kontaktieren entsprechend den Sourcebereich 221 und den Drainbereich 222 der aktiven Schicht 220a, und die Drainelektrode 245b kontaktiert die erste Elektrode 230c.
  • Eine Dammschicht 250 und ein Abstandshalter 260 sind auf dem Substrat 210 positioniert, auf dem die Sourceelektrode 245a und die Drainelektrode 245b ausgebildet sind. Eine Öffnung 255, die die erste Elektrode 230 freilegt, ist auf der Dammschicht 250 ausgebildet. Der Abstandshalter 260 steht weiter vor als die Oberfläche der Dammschicht 250 und bildet mit der Dammschicht 250 eine integrierte Einheit. Weiter ist der Abstandshalter 260 um die freigelegte erste Elektrode 230c herum (oder an einem Umfang derselben) positioniert.
  • Eine organische Schicht 265 ist auf der freigelegten ersten Elektrode 230c positioniert. Ein Teil der organischen Schicht 265 ist auf einer seitlichen Oberfläche der Dammschicht 250 an der Öffnung 255 positioniert. Die organische Schicht 265 kann eine Lichtemissionsschicht und wenigstens eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektronentransportschicht oder eine Elektroneninjektionsschicht umfassen. Eine zweite Elektrode 270 ist auf dem Substrat 210 mit der organischen Schicht 265 positioniert. Auf diese Weise kann die OLED-Anzeigevorrichtung 200 gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung aufgebaut sein.
  • 3A bis 3K sind Schnittansichten, die sequentiell Stufen in einem Herstellungsverfahren einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung zeigen.
  • Wie in 3A gezeigt ist, wird eine Pufferschicht 315 auf einem Substrat 310 ausgebildet, das aus Glas, Plastik oder einem leitenden Material ausgebildet ist. Die Pufferschicht 315 verhindert, dass auf der Oberfläche des Substrats 310 vorhandene Verunreinigungen in einem nachfolgenden Laserkristallisationsprozess einer amorphen Siliziumschicht austreten oder frei werden, und verhindert, dass Verunreinigungen in die amorphe Siliziumschicht streuen. Die Pufferschicht 315 kann unter Verwendung von Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrit (SiNx) oder einem Stapel davon ausgebildet werden. Andere Materialien können für die Pufferschicht 315 verwendet werden.
  • Eine amorphe Siliziumschicht 317 wird auf der Pufferschicht 315 aufgebracht. Anschließend wird ein Laserkristallisationsprozess für das Einstrahlen eines Lasers auf die amorphe Siliziumschicht 317 durchgeführt. Der Laserkristallisationsprozess kann durch ein Excimerlaser-Ausglühverfahren („excimer laser annealing (ELA) method”) durchgeführt werden. Dementsprechend wird die amorphe Siliziumschicht 317 kristallisiert, so dass sie eine polykristalline Siliziumschicht bildet.
  • Als nächstes wird, wie in 3B gezeigt ist, die polykristalline Siliziumschicht unter Verwendung einer ersten Maske strukturiert, um eine aktive Schicht 320a und eine untere Kondensatorelektrode 320b auszubilden.
  • Anschließend wird, wie in 3C gezeigt ist, eine Gateisolationsschicht 325 auf dem Substrat 310 mit der aktiven Schicht 320a und der unteren Kondensatorelektrode 320b ausgebildet. Die Gateisolationsschicht 325 kann unter Verwendung von Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrit (SiNx) oder einem Stapel davon ausgebildet werden. Andere Materialien können für die Gateisolationsschicht 325 verwendet werden.
  • Nachfolgend werden eine Metalloxidschicht 330 und eine Metallschicht 335 sequentiell auf die Gateisolationsschicht 325 gestapelt. Die Metalloxidschicht 330 kann aus Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder Indiumzinnzinkoxid (ITZO) ausgebildet sein. Die Metallschicht 335 kann eine einzelne Schicht aus Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Wolfram (W), Titan (Ti) oder einer Verbindung davon sein, oder kann mehrschichtig aus Mo/Al/Mo oder Ti/Al/Ti ausgebildet sein. Andere metallische Materialien können für die Metallschicht 335 verwendet werden.
  • Als nächstes wird eine erste photosensitive Schicht 340 auf dem Substrat 310 mit der Metalloxidschicht 330 und der Metallschicht 335 unter Verwendung eines Schleuderbeschichtungsverfahrens („spin coating method”) aufgetragen. Die erste photosensitive Schicht 340 kann ein positiver Photoresist sein. Dementsprechend kann, wenn Licht auf die erste photosensitive Schicht 340 einfällt, die erste photosensitive Schicht 340 ein Material sein, das darauf hin zersetzt und entfernt wird.
  • Anschließend wird eine erste Halbtonmaske 350, die einen durchdringbaren Teil 351, einen teilweise durchdringbaren Teil 352 und einen blockierenden Teil 353 umfasst, auf dem Substrat 310 ausgerichtet, auf dem die erste photosensitive Schicht 340 ausgebildet ist. Dann wird ultraviolettes Licht auf die erste Halbtonmaske 350 eingestrahlt.
  • Als nächstes werden, wie in 3D gezeigt ist, ein erstes photosensitives Muster 355 und ein zweites photosensitives Muster 356 unter Verwendung einer Beugungsbelichtungstechnik mit der ersten Halbtonmaske 350 entwickelt, um das erste photosensitive Muster 355 und das zweite photosensitive Muster 356 jeweils mit einer unterschiedlichen Dicke auszubilden.
  • Insbesondere wird die Beugungsbelichtungstechnik bei der ersten Halbtonmaske 350 mit dem durchdringbaren Teil 351, dem teilweise durchdringbaren Teil 352 und dem blockierenden Teil 353 angewendet. Dementsprechend wird ein dem blockierenden Teil 353 gegenüberliegender Teil der ersten photosensitiven Schicht 340 nicht entfernt und verbleibt, um das erste photosensitive Muster 355 auszubilden. Weiter wird ein dem teilweise durchdringbaren Teil 352 gegenüberliegender Teil der ersten photosensitiven Schicht 340 beleuchtet, um das zweite photosensitive Muster 356 auszubilden, das eine Dicke aufweist, die gleich oder geringer als etwa ½ einer Dicke des ersten photosensitiven Musters 355 ist, indem Licht durch den teilsweise durchdringbaren Teil 352 transmittiert wird. Weiter wird ein dem teilweise durchdringbaren Teil 351 gegenüberliegender Teil der ersten photosensitive Schicht 340 entwickelt, zersetzt und vollständig entfernt. Dementsprechend wird die Oberfläche der Metallschicht 335 freigelegt.
  • Das erste photosensitive Muster 355 ist in einem Bereich ausgebildet, in dem anschließend eine Gateelektrode ausgebildet wird. Das zweite photosensitive Muster 356 ist in einem Bereich ausgebildet, in dem anschließend eine obere Kondensatorelektrode und eine erste Elektrode ausgebildet werden.
  • Anschließend werden, wie in 3E gezeigt ist, die Metalloxidschicht 330 und die Metallschicht 335 unter Verwendung des ersten photosensitiven Musters 355 und des zweiten photosensitiven Musters 356 geätzt, um ein Metalloxidmuster und ein Metallmuster auszubilden. Anschließend wird ein Aschprozess durchgeführt, um das zweite photosensitive Muster 356 zu entfernen, und um die Dicke des ersten photosensitiven Musters 355 um die entfernte Dicke des zweiten photosensitiven Musters 356 zu reduzieren.
  • Anschließend wird nur die Metallschicht 335 in einem Entfernungsbereich des zweiten photosensitiven Musters 356 unter Verwendung eines Ätzmittels geätzt, welches die Metalloxidschicht 330 nicht ätzt, das aber die Metallschicht 335 ätzt, um eine obere Kondensatorelektrode 365 und eine erste Elektrode 367 auszubilden.
  • Das auf dem Substrat 310 verbleibende erste photosensitive Muster 355 wird abgestreift und entfernt. Dementsprechend wird, wie in 3F gezeigt ist, eine Gateelektrode 360 ausgebildet.
  • Demnach wird, wie in 3F gezeigt ist, die Gateelektrode 360, die einen Stapel eines Metalloxidmusters (ein Metalloxid-Material) 361 und eines Metallmusters (ein metallisches Material) 362 aufweist, auf der Gateisolationsschicht 325 ausgebildet. Die obere Kondensatorelektrode 365 und die erste Elektrode 367, die jeweils nur das Metalloxidmuster 361 umfassen, werden ausgebildet.
  • Anschließend wird das Substrat 310 mit Störstellen dotiert. In diesem Beispiel werden beide Seiten der aktiven Schicht 320a unter Verwendung der Gateelektrode 360 als Maske mit Störstellen dotiert. Dementsprechend werden ein Sourcebereich 321 und ein Drainbereich 322 der aktiven Schicht 320a ausgebildet. Weiter werden die obere Kondensatorelektrode 365 und die untere Kondensatorelektrode 320b mit Störstellen dotiert.
  • Als nächstes wird, wie in 3G gezeigt ist, eine Zwischenisolationsschicht 370 auf dem mit Störstellen dotierten Substrat 310 ausgebildet. Die Zwischenisolationsschicht 370 kann unter Verwendung von Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrit (SiNx) oder einem Stapel davon ausgebildet werden. Andere Materialien können für die Zwischenisolationsschicht 370 verwendet werden.
  • Anschließend wird die Zwischenisolationsschicht 370 unter Verwendung einer zweiten Maske strukturiert, um ein Kontaktloch 375 auszubilden, das den Sourcebereich 321 und den Drainbereich 322 der aktiven Schicht 320a freilegt, und um eine Öffnung 376 auszubilden, die die erste Elektrode 367 freilegt.
  • Als nächstes wird, wie in 3H gezeigt ist, eine leitende Schicht auf dem Substrat 310 aufgebracht und unter Verwendung einer dritten Maske strukturiert, um eine Sourceelektrode 380a und eine Drainelektrode 380b auszubilden. In diesem Beispiel kontaktieren die Sourceelektrode 380a und die Drainelektrode 380b entsprechend den Sourcebereich 321 und den Drainbereich 322 der aktiven Schicht 320a durch das Kontaktloch 375. Weiter kontaktiert die Drainelektrode 380b die erste Elektrode 367.
  • Sowohl die Sourceelektrode 380a als auch die Drainelektrode 380b können eine einzelne Schicht sein, die aus Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Wolfram (W), Titan (Ti) oder einer Verbindung davon ausgebildet ist. Alternativ können sowohl die Sourceelektrode 380a als auch die Drainelektrode 380b mehrschichtig aus Mo/Al/Mo oder Ti/Al/Ti ausgebildet sein. Andere metallische Materialien können sowohl für die Sourceelektrode 380a als auch für die Drainelektrode 380b verwendet werden.
  • Anschließend wird eine zweite photosensitive Schicht 390 auf das Substrat 310 mit der Sourceelektrode 380a und der Drainelektrode 380b unter Verwendung des Schleuderbeschichtungsverfahrens aufgetragen. Die zweite photosensitive Schicht 390 kann aus demselben Material ausgebildet sein wie die erste photosensitive Schicht 340.
  • Anschließend wird eine zweite Halbtonmaske 380 mit einem durchdringbaren Teil 381, einem teilweise durchdringbaren Teil 382 und einem blockierenden Teil 383 auf dem Substrat 310 ausgerichtet, auf dem die zweite photosensitive Schicht 390 ausgebildet ist. Dann wird ultraviolettes Licht auf die zweite Halbtonmaske 380 eingestrahlt. In diesem Beispiel ist der blockierende Teil 380 in einem Bereich ausgerichtet, um einen Abstandshalter auszubilden, der teilweise durchdringbare Teil 382 ist in einem Bereich ausgerichtet, um eine Dammschicht auszubilden, und der durchdringbare Teil 381 ist in einem Ausbildungsbereich der ersten Elektrode 367 ausgebildet.
  • Als nächstes wird, wie in 3I gezeigt ist, die zweite photosensitive Schicht 390 unter Verwendung der Beugungsbelichtungstechnik entwickelt, um eine Dammschicht 391 und einen Abstandshalter 392 auszubilden.
  • Insbesondere wird die Beugungsbelichtungstechnik bei der zweiten Halbtonmaske 380 mit dem durchdringbaren Teil 381, dem teilweise durchdringbaren Teil 382 und dem blockierenden Teil 383 angewendet. Dementsprechend wird ein Bereich der zweiten photosensitiven Schicht 390, der dem blockierenden Teil 383 gegenüber liegt, nicht entfernt und verbleibt, um den Abstandshalter 392 auszubilden. Weiter wird ein Bereich der zweiten photosensitiven Schicht 390, der dem teilweise durchdringbaren Teil 382 gegenüber liegt, belichtet, um die Dammschicht 391 mit einer Dicke auszubilden, die kleiner als diejenige des Abstandshalters 392 ist (so wie eine Dicke, die gleich oder kleiner als etwa die Hälfte einer Dicke des Abstandshalters 392 ist), indem Licht durch den teilweise durchdringbaren Teil 382 transmittiert wird. Weiter wird ein Bereich der zweiten photosensitiven Schicht 390, der dem durchdringbaren Teil 381 gegenüber liegt, entwickelt, zersetzt und vollständig entfernt, um eine Öffnung 393 auszubilden, die die Oberfläche der ersten Elektrode 367 freilegt.
  • Im Ergebnis werden, wie in 3I gezeigt ist, die Dammschicht 391 und der Abstandshalter 392 gleichzeitig ausgebildet und können eine integrierte Einheit bilden.
  • Als nächstes wird das Substrat 310, auf dem die Dammschicht 391 und der Abstandshalter 392 ausgebildet sind, in einer Vakuumkammer platziert, und eine Schattenmaske 394 wird auf dem Substrat 310 ausgerichtet. In diesem Beispiel wird die Schattenmaske 394 auf dem Abstandshalter 392 ausgerichtet.
  • Wie in 3J gezeigt ist, wird ein organisches Material auf dem Substrat 310 aufgebracht, um eine organische Schicht 395 auf der ersten Elektrode 367 auszubilden. Die organische Schicht 395 kann eine Lichtemissionsschicht und wenigstens eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektronentransportschicht oder eine Elektroneninjektionsschicht umfassen.
  • Nachfolgend wird, wie in 3K gezeigt ist, ein metallisches Material auf dem Substrat 310 aufgebracht, um eine zweite Elektrode 396 auszubilden. Die zweite Elektrode 396 kann aus Magnesium (Mg), Silber (Ag), Aluminium (Al), Calcium (Ca) oder einer Verbindung davon mit einem geringen Leitungswiderstand und einer geringen Austrittsarbeit ausgebildet werden. Andere metallische Materialien können für die zweite Elektrode 396 verwendet werden.
  • Auf diese Weise wird die OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung hergestellt.
  • Wie oben beschrieben ist, kann die OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung unter Verwendung von insgesamt fünf Masken hergestellt werden, die die ersten bis dritten Masken und die erste und die zweite Halbtonmaske umfassen, im Vergleich zur OLED-Anzeigevorrichtung gemäß dem Stand der Technik, die unter Verwendung von insgesamt neun Masken hergestellt wird. Dementsprechend kann die OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung den Einsatz von vier Masken im Vergleich zur OLED-Anzeigevorrichtung gemäß dem Stand der Technik reduzieren. Im Ergebnis können die Herstellungskosten reduziert werden, und die Produktivität und Herstellungsausbeute können verbessert werden.
  • 4 ist eine Schnittansicht einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung.
  • Wie in 4 gezeigt ist, ist, bei einer OLED-Anzeigevorrichtung 500 gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung, eine Pufferschicht 515 auf einem Substrat 510 positioniert, und eine aktive Schicht 520a und ein Siliziummuster 520b sind auf der Pufferschicht 515 positioniert. Die aktive Schicht 520a ist mit Störstellen dotiert und umfasst somit einen Sourcebereich 521 und einen Drainbereich 522.
  • Ein erstes Isolationsmuster 523a ist auf der aktiven Schicht 520a positioniert, und ein zweites Isolationsmuster 523b ist auf dem Siliziummuster 520b positioniert. Eine untere Kondensatorelektrode 526 ist auf dem zweiten Isolationsmuster 523b positioniert.
  • Eine Gateisolationsschicht 530 ist auf dem ersten Isolationsmuster 523a und der unteren Kondensatorelektrode 526 positioniert. Eine Gateelektrode 535a und eine obere Kondensatorelektrode 535b sind auf der Gateisolationsschicht 530 positioniert. Die Gateelektrode 535a ist an einer der aktiven Schicht 520a entsprechenden Stelle positioniert, und die obere Kondensatorelektrode 535b ist an einer der unteren Kondensatorelektrode 526 entsprechenden Stelle positioniert. Die Gateelektrode 535a kann eine Zweischichtstruktur aus einem Stapel eines ersten Metalloxidmusters (ein erstes Metalloxid-Material) 531 und eines ersten Metallmusters (ein erstes metallisches Material) 532 aufweisen. Die obere Kondensatorelektrode 535b kann eine Zweischichtstruktur aus einem Stapel eines zweiten Metalloxidmusters (ein zweites Metalloxid-Material) 536 und eines zweiten Metallmusters (ein zweites metallisches Material) 537 aufweisen.
  • Eine erste Elektrode 535c ist so positioniert, dass sie von der Gateelektrode 535a und der oberen Kondensatorelektrode 535b getrennt ist. Die erste Elektrode 535c kann eine Zweischichtstruktur aus einem Stapel eines dritten Metalloxidmusters (ein drittes Metalloxid-Material) 538 und eines dritten Metallmusters (ein drittes metallisches Material) 539 aufweisen, das an einem Rand des dritten Metalloxidmusters 538 positioniert ist.
  • Eine Zwischenisolationsschicht 540 ist auf der Gateelektrode 535a, der oberen Kondensatorelektrode 535b und der ersten Elektrode 535c positioniert.
  • Die Zwischenisolationsschicht 540 umfasst ein Kontaktloch 541, das den Sourcebereich 521 und den Drainbereich 522 der aktiven Schicht 520a freilegt, und eine Öffnung 542, die die erste Elektrode 535c freilegt.
  • Eine Sourceelektrode 545a und eine Drainelektrode 545b sind auf der Zwischenisolationsschicht 540 positioniert. Die Sourceelektrode 545a und die Drainelektrode 545b kontaktieren entsprechend den Sourcebereich 521 und den Drainbereich 522 der aktiven Schicht 520a, und die Drainelektrode 545b kontaktiert die erste Elektrode 535c.
  • Eine Dammschicht 550 und ein Abstandshalter 557 sind auf dem Substrat 510 positioniert, auf dem die Sourceelektrode 545a und die Drainelektrode 545b ausgebildet sind. Die Dammschicht 550 umfasst eine Öffnung 555, die die erste Elektrode 535c freilegt. Der Abstandshalter 557 steht weiter vor als die Oberfläche der Dammschicht 550 und bildet mit der Dammschicht 550 eine integrierte Einheit. Weiter ist der Abstandshalter 557 um die erste Elektrode 535c positioniert.
  • Eine organische Schicht 560 ist auf der freigelegten ersten Elektrode 535c positioniert. Ein Teil der organischen Schicht 560 ist auf einer seitlichen Oberfläche der Dammschicht 550 an der Öffnung 555 positioniert. Die organische Schicht 560 kann eine Lichtemissionsschicht und wenigstens eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektronentransportschicht oder eine Elektroneninjektionsschicht umfassen. Eine zweite Elektrode 570 ist auf dem Substrat 510 mit der organischen Schicht 560 positioniert. Auf diese Weise ist die OLED-Anzeigevorrichtung 500 gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung ausgebildet.
  • 5A bis 5J sind Schnittansichten, die sequentiell jeweils Stufen in einem Herstellungsverfahren einer OLED-Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigen.
  • Wie in 5A gezeigt ist, wird eine Pufferschicht 615 auf einem Substrat 610 ausgebildet, das aus Glas, Plastik oder einem leitenden Material ausgebildet ist. Die Pufferschicht 615 verhindert, dass an der Oberfläche des Substrats 610 vorhandene Störstellen in einem anschließenden Laserkristallisationsprozess einer amorphen Siliziumschicht austreten oder frei werden, und verhindert, dass sich die Störstellen in die amorphe Siliziumschicht ausbreiten. Die Pufferschicht 615 kann unter Verwendung von Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrit (SiNx) oder einem Stapel davon ausgebildet werden. Andere Materialien können für die Pufferschicht 615 verwendet werden.
  • Eine amorphe Siliziumschicht 620a wird auf der Pufferschicht 615 aufgebracht. Anschließend wird ein Laserkristallisationsprozess für das Einstrahlen eines Lasers auf die amorphe Siliziumschicht 620a durchgeführt. Der Laserkristallisationsprozess kann durch ein Excimerlaser-Ausglühverfahren (ELA-Verfahren) durchgeführt werden. Dementsprechend wird die amorphe Siliziumschicht 620a kristallisiert, so dass sie eine polykristalline Siliziumschicht 620b bildet.
  • Als nächstes wird, wie in 5B gezeigt ist, eine erste Isolationsschicht 625 auf die polykristalline Siliziumschicht 620b gestapelt, und eine erste Metallschicht 630 wird auf die erste Isolationsschicht 625 gestapelt. Die erste Isolationsschicht 625 kann aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrit (SiNx) ausgebildet sein, und die erste Metallschicht 630 kann aus Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Wolfram (W), Titan (Ti) oder einer Verbindung davon ausgebildet sein. Andere Materialien können für die erste Isolationsschicht 625 verwendet werden, und andere Materialien können für die erste Metallschicht 630 verwendet werden.
  • Als nächstes wird eine erste photosensitive Schicht 635 auf das Substrat 610 mit der ersten Isolationsschicht 625 und der ersten Metallschicht 630 unter Verwendung eines Schleuderbeschichtungsverfahrens, usw. aufgetragen. Die erste photosensitive Schicht 635 kann ein positiver Photoresist sein. Dementsprechend kann, wenn Licht auf die erste photosensitive Schicht 635 einfällt, die erste photosensitive Schicht 635 ein Material sein, welches darauf hin zersetzt und entfernt wird.
  • Anschließend wird eine erste Halbtonmaske 640 mit einem durchdringbaren Teil 641, einem teilweise durchdringbaren Teil 642 und einem blockierenden Teil 643 auf dem Substrat 610 ausgerichtet, auf dem die erste photosensitive Schicht 635 ausgebildet ist. Dann wird ultraviolettes Licht auf die erste Halbtonmaske 640 eingestrahlt.
  • Als nächstes wird, wie in 5C gezeigt ist, die erste Halbtonmaske 640 unter Verwendung einer Beugungsbelichtungstechnik entwickelt, um ein erstes photosensitives Muster 645 und ein zweites photosensitives Muster 646 auszubilden, die jeweils verschiedene Dicken aufweisen.
  • Insbesondere wird die Beugungsbelichtungstechnik bei der ersten Halbtonmaske 640 mit dem durchdringbaren Teil 641, dem teilweise durchdringbaren Teil 642 und dem blockierenden Teil 643 angewendet. Dementsprechend wird ein. Bereich der ersten photosensitiven Schicht 635, der dem blockierenden Teil 643 gegenüberliegt, nicht entfernt und verbleibt, um das erste photosensitive Muster 645 auszubilden. Weiter wird ein Bereich der ersten photosensitive Schicht 635, der dem teilweise durchdringbaren Teil 642 gegenüberliegt, belichtet, um das zweite photosensitive Muster 646 auszubilden, das eine Dicke aufweist, die gleich oder weniger als die Hälfte einer Dicke des ersten photosensitiven Musters 645 ist, indem Licht durch den teilweise durchdringbaren Teil 642 transmittiert wird. Weiter wird ein Bereich der ersten photosensitiven Schicht 635, der dem durchdringbaren Teil 641 gegenüberliegt, entwickelt, zersetzt und vollständig entfernt. Dementsprechend wird die Oberfläche der Metallschicht 630 freigelegt.
  • Das erste photosensitive Muster 645 wird in einem Bereich ausgebildet, wo anschließend eine untere Kondensatorelektrode ausgebildet wird. Das zweite photosensitive Muster 646 wird in einem Bereich ausgebildet, wo anschließend eine aktive Schicht ausgebildet wird.
  • Als nächstes werden, wie in 5D gezeigt ist, die polykristalline Siliziumschicht 620b, die erste Isolationsschicht 625 und die erste Metallschicht 630 unter Verwendung des ersten photosensitiven Musters 645 und des zweiten photosensitiven Musters 646 geätzt, um eine aktive Schicht 651a, ein erstes Isolationsmuster 652a auf der aktiven Schicht 651a, ein erstes Metallmuster 653a auf dem ersten Isolationsmuster 652a, ein Siliziummuster 651b, ein zweites Isolationsmuster 652b auf dem Siliziummuster 651b und eine untere Kondensatorelektrode 653b auf dem zweiten Isolationsmuster 652b auszubilden.
  • Anschließend wird ein Aschprozess durchgeführt, um das zweite photosensitive Muster 646 zu entfernen, und um die Dicke des ersten photosensitiven Musters 645 um die entfernte Dicke des zweiten photosensitiven Musters 646 zu reduzieren.
  • Als nächstes wird, wie in 5E gezeigt ist, das erste Metallmuster 653a in einem Entfernungsbereich des zweiten photosensitiven Musters 646 unter Verwendung eines Ätzmittels geätzt und entfernt. Das auf dem Substrat 610 verbleibende erste photosensitive Muster 645 wird abgestreift und entfernt.
  • Dementsprechend wird die aktive Schicht 651a auf der Pufferschicht 615 ausgebildet, das erste Isolationsmuster 652a wird auf der aktiven Schicht 651a ausgebildet, das Siliziummuster 651b wird auf der Pufferschicht 615 ausgebildet, das zweite Isolationsmuster 652b wird auf dem Siliziummuster 651b ausgebildet, und die untere Kondensatorelektrode 653b wird auf dem zweiten Isolationsmuster 652b ausgebildet.
  • Als nächstes wird, wie in 5F gezeigt ist, eine Gateisolationsschicht 660 auf dem Substrat 610 ausgebildet. Die Gateisolationsschicht 660 kann unter Verwendung von Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrit (SiNx) oder einem Stapel davon ausgebildet werden. Andere Materialien können für die Gateisolationsschicht 660 verwendet werden.
  • Anschließend werden eine Metalloxidschicht und eine zweite Metallschicht sequentiell auf die Gateisolationsschicht 660 gestapelt und unter Verwendung einer ersten Maske strukturiert, um eine Gateelektrode 670a, eine obere Kondensatorelektrode 670b und eine erste Elektrode 670c auszubilden.
  • Die Metalloxidschicht kann aus Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder Indiumzinnzinkoxid (ITZO) ausgebildet sein. Die zweite Metallschicht kann eine einzelne Schicht aus Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Wolfram (W), Titan (Ti) oder eine Verbindung davon sein, oder kann mehrschichtig aus Mo/Al/Mo oder Ti/Al/Ti ausgebildet sein. Andere Materialien können für die Metalloxidschicht verwendet werden. Es können auch andere metallische Materialien für die zweite Metallschicht verwendet werden.
  • Dementsprechend weist die Gateelektrode 670a einen Stapel aus einem ersten Metalloxidmuster (ein erstes Metalloxid-Material) 671 und einem zweiten Metallmuster (ein zweites metallisches Material) 672 auf, die obere Kondensatorelektrode 670b weist einen Stapel aus einem zweiten Metalloxidmuster (ein zweites Metalloxid-Material) 673 und einem dritten Metallmuster (einem dritten metallischen Material) 674 auf, und die erste Elektrode 670c weist einen Stapel aus einem dritten Metalloxidmuster (ein drittes Metalloxid-Material) 675 und einem vierten Metallmuster (ein viertes metallisches Material) 676 auf.
  • Anschließend wird das Substrat 610 mit Störstellen dotiert. In diesem Beispiel werden beide Seiten der aktiven Schicht 651a unter Verwendung der Gateelektrode 670a als Maske mit Störstellen dotiert. Dementsprechend werden ein Sourcebereich 656 und ein Drainbereich 657 der aktiven Schicht 651a ausgebildet.
  • Als nächstes wird, wie in 5G gezeigt ist, eine Zwischenisolationsschicht 680 auf dem mit den Störstellen dotierten Substrat 610 ausgebildet. Die Zwischenisolationsschicht 680 kann unter Verwendung von Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrit (SiNx) oder einem Stapel davon ausgebildet werden. Andere Materialien können für die Zwischenisolationsschicht 680 verwendet werden.
  • Anschließend wird die Zwischenisolationsschicht 680 unter Verwendung einer zweiten Maske strukturiert, um ein Kontaktloch 681 auszubilden, das den Sourcebereich 656 und den Drainbereich 657 der aktiven Schicht 651a freilegt, und um eine Öffnung 682 auszubilden, die die erste Elektrode 670c freilegt.
  • Als nächstes wird, wie in 5H gezeigt ist, eine leitende Schicht auf dem Substrat 610 aufgebracht und unter Verwendung einer dritten Maske strukturiert, um eine Sourceelektrode 685a und eine Drainelektrode 685b auszubilden. In diesem Beispiel kontaktieren die Sourceelektrode 685a und die Drainelektrode 685b durch das Kontaktloch 681 entsprechend den Sourcebereich 656 und den Drainbereich 657 der aktiven Schicht 651a. Weiter kontaktiert die Drainelektrode 685b die erste Elektrode 670c.
  • Im Strukturierungsprozess der leitenden Schicht unter Verwendung der dritten Maske wird das vierte Metallmuster 676 der ersten Elektrode 670c strukturiert und nur an einem Rand des dritten Metalloxidmusters 675 positioniert. Weiter kontaktiert die Drainelektrode 685b das vierte Metallmuster 676 der ersten Elektrode 670c.
  • Sowohl die Sourceelektrode 685a als auch die Drainelektrode 685b können eine einzelne Schicht aus Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Wolfram (W), Titan (Ti) oder einer Verbindung davon sein. Alternativ kann sowohl die Sourceelektrode 685a als auch die Drainelektrode 685b mehrschichtig aus Mo/Al/Mo oder Ti/Al/Ti ausgebildet sein. Andere Materialien können sowohl für die Sourceelektrode 685a als auch für die Drainelektrode 685b verwendet werden.
  • Nachfolgend wird eine zweite photosensitive Schicht 700 auf das Substrat 610 mit der Sourceelektrode 685a und der Drainelektrode 685b unter Verwendung des Schleuderbeschichtungsverfahrens, usw. aufgetragen. Die zweite photosensitive Schicht 700 kann aus demselben Material ausgebildet sein wie die erste photosensitive Schicht 635.
  • Anschließend wird eine zweite Halbtonmaske 690 mit einem durchdringbaren Teil 691, einem teilweise durchdringbaren Teil 692 und einem blockierenden Teil 693 auf dem Substrat 610 ausgerichtet, auf dem die zweite photosensitive Schicht 670 ausgebildet ist. Dann wird ultraviolettes Licht auf die zweite Halbtonmaske 690 eingestrahlt. In diesem Beispiel ist der blockierende Teil 693 in einem Bereich ausgerichtet, um einen Abstandshalter auszubilden, der teilweise durchdringbare Teil 692 ist in einem Bereich ausgerichtet, um eine Dammschicht auszubilden, und der durchdringbare Teil 691 ist in einem Ausbildungsbereich der ersten Elektrode 670c ausgerichtet.
  • Als nächstes wird, wie in 5I gezeigt ist, die zweite Halbtonmaske 690 unter Verwendung der Beugungsbelichtungstechnik entwickelt, um eine Dammschicht 710 und einen Abstandshalter 715 auszubilden.
  • Insbesondere wird die Beugungsbelichtungstechnik an der zweiten Halbtonmaske 690 mit dem durchdringbaren Teil 691, dem teilweise durchdringbaren Teil 692 und dem blockierenden Teil 693 angewendet. Dementsprechend wird ein Teil der zweiten photosensitiven Schicht 700, der dem blockierenden Teil 693 gegenüber liegt, nicht entfernt und verbleibt, um den Abstandshalter 715 auszubilden. Weiter wird ein Bereich der zweiten photosensitiven Schicht 700, der dem teilweise durchdringbaren Teil 692 gegenüber liegt, belichtet, um die Dammschicht 710 auszubilden, die eine Dicke aufweist, die kleiner als die des Abstandshalters 715 ist (so dass eine Dicke gleich oder kleiner als die Hälfte der Dicke des Abstandshalters 715 ist), indem Licht vom teilweise durchdringbaren Teil 692 transmittiert wird. Weiter wird ein Bereich der zweiten photosensitiven Schicht 700, der dem durchdringbaren Teil 691 gegenüber liegt, entwickelt, zersetzt und vollständig entfernt, um eine Öffnung 717 auszubilden, die die Oberfläche der ersten Elektrode 670c freilegt.
  • Im Ergebnis werden, wie in 5I gezeigt ist, die Dammschicht 710 und der Abstandshalter 715 gleichzeitig ausgebildet und können eine integrale Einheit bilden.
  • Als nächstes wird das Substrat 610, auf dem die Dammschicht 710 und der Abstandshalter 715 ausgebildet sind, in einer Vakuumkammer platziert, und eine Schattenmaske 720 wird auf dem Substrat 610 ausgerichtet. In diesem Beispiel wird die Schattenmaske 720 auf dem Abstandshalter 715 ausgerichtet.
  • Wie in 5J gezeigt ist, wird ein organisches Material auf dem Substrat 610 aufgebracht, um eine organische Schicht 730 auf der ersten Elektrode 670c auszubilden. Die organische Schicht 730 kann eine Lichtemissionsschicht und wenigstens eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektronentransportschicht oder eine Elektroneninjektionsschicht umfassen.
  • Als nächstes wird ein metallisches Material auf dem Substrat 610 aufgebracht, um eine zweite Elektrode 740 auszubilden. Die zweite Elektrode 740 kann aus Magnesium (Mg), Silber (Ag), Aluminium (Al), Calcium (Ca) oder einer Verbindung davon mit einem geringen Leitungswiderstand und einer geringen Austrittsarbeit ausgebildet werden. Andere metallische Materialien können für die zweite Elektrode 740 verwendet werden.
  • Auf diese Weise wird die OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung hergestellt.
  • Wie oben beschrieben ist, kann die OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung unter Verwendung von insgesamt fünf Masken hergestellt werden, umfassend die ersten bis dritten Masken und die erste und die zweite Halbtonmaske, wobei im Vergleich dazu beim Stand der Technik die OLED-Anzeigevorrichtung unter Verwendung von insgesamt neun Masken hergestellt wird. Dementsprechend kann die OLED-Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung die Verwendung von vier Masken im Vergleich zur OLED-Anzeigevorrichtung gemäß dem Stand der Technik reduzieren. Im Ergebnis können Herstellungskosten reduziert werden und die Produktivität und die Herstellungsausbeute können verbessert werden.
  • Obwohl Ausführungsformen unter Bezugnahme auf eine Anzahl von illustrativen Ausführungsformen davon beschrieben wurden, ist es zu verstehen, dass zahlreiche andere Modifikationen und Ausführungsformen vom Fachmann erdacht werden können, die innerhalb des Schutzumfangs der Prinzipien dieser Offenbarung liegen. Insbesondere sind verschiedene Variationen und Modifikationen in den Komponententeilen und/oder Anordnungen der gegenständlichen Kombination innerhalb des Schutzumfangs der Offenbarung, der Zeichnungen und der angehängten Ansprüche möglich. Zusätzlich zu Variationen und Modifikationen in den Komponententeilen und/oder Anordnungen werden für den Fachmann alternative Verwendungsmöglichkeiten offensichtlich sein.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 10-2010-0092419 [0001]
    • KR 10-2012-0092420 [0001]

Claims (20)

  1. Eine Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden (OLED), umfassend: ein Substrat; eine aktive Schicht und eine untere Kondensatorelektrode, die auf dem Substrat voneinander getrennt positioniert sind; eine Gateisolationsschicht, die auf der aktiven Schicht und der unteren Kondensatorelektrode positioniert ist; eine Gateelektrode, die auf der Gateisolationsschicht an einer der aktiven Schicht entsprechenden Stelle positioniert ist; eine obere Kondensatorelektrode, die auf der Gateisolationsschicht an einer der unteren Kondensatorelektrode entsprechenden Stelle positioniert ist; eine erste Elektrode, die so positioniert ist, dass sie von der Gateelektrode und der oberen Kondensatorelektrode getrennt ist; eine Zwischenisolationsschicht, die auf der Gateelektrode, der oberen Kondensatorelektrode und der ersten Elektrode positioniert ist; eine Sourceelektrode und eine Drainelektrode, die auf der Zwischenisolationsschicht positioniert sind und mit der aktiven Schicht verbunden sind, wobei entweder die Sourceelektrode oder die Drainelektrode mit der ersten Elektrode verbunden ist; eine Dammschicht, die auf der Sourceelektrode und der Drainelektrode positioniert ist, wobei die Dammschicht einen Bereich der ersten Elektrode freilegt; einen Abstandshalter, der auf der Dammschicht positioniert ist; eine organische Schicht, die auf dem freigelegten Bereich der ersten Elektrode positioniert ist; und eine zweite Elektrode, die auf der organischen Schicht positioniert ist.
  2. Die OLED-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Gateelektrode ein Metalloxid-Material und ein metallisches Material umfasst.
  3. Die OLED-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, wobei das metallische Material auf dem Metalloxid-Material positioniert ist.
  4. Die OLED-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, wobei die obere Kondensatorelektrode das Metalloxid-Material umfasst.
  5. Die OLED-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Abstandshalter aus demselben Material ausgebildet ist wie die Dammschicht.
  6. Ein Herstellungsverfahren für eine Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden (OLED), umfassend: Ausbilden einer aktiven Schicht und einer unteren Kondensatorelektrode auf einem Substrat; Ausbilden einer Gateisolationsschicht auf der aktiven Schicht und der unteren Kondensatorelektrode; Stapeln einer Metalloxidschicht und einer Metallschicht auf der Gateisolationsschicht, Auftragen einer ersten photosensitiven Schicht auf der Metalloxidschicht und der Metallschicht, und Strukturieren der ersten photosensitiven Schicht unter Verwendung einer Halbtonmaske, um eine Gateelektrode, eine obere Kondensatorelektrode und eine erste Elektrode auszubilden; Ausbilden einer Zwischenisolationsschicht auf der Gateelektrode, der oberen Kondensatorelektrode und der ersten Elektrode; Ausbilden einer Sourceelektrode und einer Drainelektrode auf der Zwischenisolationsschicht; Auftragen einer zweiten photosensitiven Schicht auf der Sourceelektrode und der Drainelektrode, und Strukturieren der zweiten photosensitiven Schicht unter Verwendung einer zweiten Halbtonmaske, um eine Dammschicht und einen Abstandshalter auszubilden; Ausbilden einer organischen Schicht auf der ersten Elektrode; und Ausbilden einer zweiten Elektrode auf der organischen Schicht.
  7. Das Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Ausbilden der aktiven Schicht und der unteren Kondensatorelektrode umfasst: Ausbilden einer amorphen Siliziumschicht auf dem Substrat; Einstrahlen eines Lasers auf die amorphe Siliziumschicht und Kristallisieren der amorphen Siliziumschicht, um eine polykristalline Siliziumschicht auszubilden; und Strukturieren der polykristallinen Siliziumschicht.
  8. Das Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Ausbilden der Gateelektrode, der oberen Kondensatorelektrode und der ersten Elektrode umfasst: Sequentielles Stapeln der Metalloxidschicht und der Metallschicht auf der Gateisolationsschicht; Auftragen der ersten photosensitiven Schicht auf der Metallschicht, und Strukturieren der ersten photosensitiven Schicht unter Verwendung der ersten Halbtonmaske, um ein erstes photosensitives Muster und ein zweites photosensitives Muster jeweils mit unterschiedlicher Dicke auszubilden; Ätzen der Metalloxidschicht und der Metallschicht, um ein Gateelektrodenmuster, ein oberes Kondensatorelektrodenmuster und ein erstes Elektrodenmuster auszubilden; Aschen des ersten photosensitiven Musters und des zweiten photosensitiven Musters, um eine Dicke des ersten photosensitiven Musters zu reduzieren und um das zweite photosensitive Muster zu entfernen; Ätzen der Metallschicht des oberen Kondensatorelektrodenmusters und der Metallschicht des ersten Elektrodenmusters, die durch das Entfernen des zweiten photosensitiven Musters freigelegt sind, um die obere Kondensatorelektrode und die erste Elektrode auszubilden; und Entfernen des ersten photosensitiven Musters.
  9. Das Verfahren nach Anspruch 6, weiter umfassend, nach dem Ausbilden der Gateelektrode, der oberen Kondensatorelektrode und der ersten Elektrode, das Dotieren der aktiven Schicht und der unteren Kondensatorelektrode mit Störstellen.
  10. Das Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Ausbilden der Dammschicht und des Abstandshalters umfasst: Auftragen der zweiten photosensitiven Schicht; Ausrichten der zweiten Halbtonmaske auf der zweiten photosensitiven Schicht und Freilegen der zweiten photosensitiven Schicht; und Entwickeln der freigelegten zweiten photosensitiven Schicht, um die Dammschicht und den Abstandshalter auszubilden.
  11. Eine Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden (OLED), umfassend: ein Substrat; eine aktive Schicht und ein Siliziummuster, die auf dem Substrat positioniert sind; ein erstes Isolationsmuster, das auf der aktiven Schicht positioniert ist, und ein zweites Isolationsmuster, das auf dem Siliziummuster positioniert ist; eine untere Kondensatorelektrode, die auf dem zweiten Isolationsmuster positioniert ist; eine Gateisolationsschicht, die auf dem ersten Isolationsmuster und der unteren Kondensatorelektrode positioniert ist; eine Gateelektrode, die auf der Gateisolationsschicht an einer der aktiven Schicht entsprechenden Stelle positioniert ist; eine obere Kondensatorelektrode, die auf der Gateisolationsschicht an einer der unteren Kondensatorelektrode entsprechenden Stelle positioniert ist; eine erste Elektrode, die so positioniert ist, dass sie von der Gateelektrode und der oberen Kondensatorelektrode getrennt ist; eine Zwischenisolationsschicht, die auf der Gateelektrode, der oberen Kondensator elektrode und der ersten Elektrode positioniert ist; eine Sourceelektrode und eine Drainelektrode, die auf der Zwischenisolationsschicht positioniert sind und mit der aktiven Schicht verbunden sind, wobei entweder die Sourceelektrode oder die Drainelektrode mit der ersten Elektrode verbunden ist; eine Dammschicht, die auf der Sourceelektrode und auf der Drainelektrode positioniert ist, wobei die Dammschicht einen Bereich der ersten Elektrode freilegt; einen auf der Dammschicht positionierten Abstandshalter; eine organische Schicht, die auf dem freigelegten Bereich der ersten Elektrode positioniert ist; und eine zweite Elektrode, die auf der organischen Schicht positioniert ist.
  12. Die OLED-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 11, wobei die Gateelektrode einen Stapel aus einem ersten Metalloxid-Material und einem ersten metallischen Material aufweist, und die obere Kondensatorelektrode einen Stapel aus einem zweiten Metalloxid-Material und einem zweiten metallischen Material aufweist.
  13. Die OLED-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 12, wobei das erste metallische Material auf dem ersten Metalloxid-Material positioniert ist, und das zweite metallische Material auf dem zweiten Metalloxid-Material positioniert ist.
  14. Die OLED-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 11, wobei die erste Elektrode einen Stapel aus einem dritten Metalloxid-Material und einem dritten metallischen Material aufweist.
  15. Die OLED-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 14, wobei das dritte metallische Material auf dem dritten Metalloxid-Material positioniert ist.
  16. Die OLED-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 11, wobei der Abstandshalter aus demselben Material ausgebildet ist wie die Dammschicht.
  17. Ein Herstellungsverfahren für eine Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden (OLED), umfassend: sequentielles Ausbilden einer polykristallinen Siliziumschicht, einer Isolationsschicht und einer ersten Metallschicht auf einem Substrat; Auftragen einer ersten photosensitiven Schicht auf dem Substrat, und Strukturieren der ersten photosensitiven Schicht unter Verwendung einer ersten Halbtonmaske, um eine aktive Schicht und ein Siliziummuster auszubilden, und gleichzeitiges Ausbilden eines erstes Isolationsmusters auf der aktiven Schicht, eines zweiten Isolationsmusters auf dem Siliziummuster, und einer unteren Kondensatorelektrode auf dem zweiten Isolationsmuster; Ausbilden einer Gateisolationsschicht auf der aktiven Schicht und der unteren Kondensatorelektrode; Sequentielles Stapeln einer Metalloxidschicht und einer zweiten Metallschicht auf der Gateisolationsschicht, und Strukturieren der Metalloxidschicht und der zweiten Metallschicht, um eine Gateelektrode auszubilden, die einen Stapel aus einem ersten Metalloxid-Material und einem ersten metallischen Material aufweist, um eine obere Kondensatorelektrode auszubilden, die einen Stapel aus einem zweiten Metalloxid-Material und einem zweiten metallischen Material aufweist, und um eine erste Elektrode auszubilden, die einen Stapel aus einem dritten Metalloxid-Material und einem dritten metallischen Material aufweist; Ausbilden einer Zwischenisolationsschicht auf der Gateelektrode, der oberen Kondensatorelektrode und der ersten Elektrode; Stapeln einer dritten Metallschicht auf der Zwischenisolationsschicht, und Strukturieren der dritten Metallschicht, um eine Sourceelektrode und eine Drainelektrode auszubilden, und gleichzeitiges Strukturieren des ersten metallischen Materials, das auf der ersten Elektrode ausgebildet ist; Auftragen einer zweiten photosensitiven Schicht auf der Sourceelektrode, der Drainelektrode und der ersten Elektrode, und Strukturieren der zweiten photosensitiven Schicht unter Verwendung einer zweiten Halbtonmaske, um eine Dammschicht und einen Abstandshalter auszubilden; Ausbilden einer organischen Schicht auf der ersten Elektrode; und Ausbilden einer zweiten Elektrode auf der organischen Schicht.
  18. Das Verfahren nach Anspruch 17, wobei das sequentielle Ausbilden der polykristallinen Siliziumschicht, der Isolationsschicht und der ersten Metallschicht umfasst: Ausbilden einer amorphen Siliziumschicht auf dem Substrat; Einstrahlen eines Lasers auf die amorphe Siliziumschicht und Kristallisieren der amorphen Siliziumschicht, um die polykristalline Siliziumschicht auszubilden; Ausbilden der Isolationsschicht auf der polykristallinen Siliziumschicht; und Ausbilden der ersten Metallschicht auf der Isolationsschicht.
  19. Das Verfahren nach Anspruch 18, wobei das Ausbilden der aktiven Schicht und des Siliziummusters, und das gleichzeitige Ausbilden des ersten Isolationsmusters auf der aktiven Schicht, des zweiten Isolationsmusters auf dem Siliziummuster und der unteren Kondensatorelektrode auf dem zweiten Isolationsmuster umfasst: Auftragen der ersten photosensitiven Schicht auf der ersten Metallschicht, und Strukturieren der ersten photosensitiven Schicht unter Verwendung der ersten Halbtonmaske, um ein erstes photosensitives Muster und ein zweites photosensitives Muster jeweils mit unterschiedlicher Dicken auszubilden; Ätzen der polykristallinen Siliziumschicht, der Isolationsschicht und der ersten Metallschicht, um die aktive Schicht, das Siliziummuster, das erste Isolationsmuster auf der aktiven Schicht, das zweite Isolationsmuster auf dem Siliziummuster, das zweite metallische Material auf dem ersten Isolationsmuster und die untere Kondensatorelektrode auf dem zweiten Isolationsmuster auszubilden; Aschen des ersten photosensitiven Musters und des zweiten photosensitiven Musters, um eine Dicke des ersten photosensitiven Musters zu reduzieren, und um das zweite photosensitive Muster zu entfernen; Ätzen des zweiten metallischen Materials, das durch das Entfernen des zweiten photosensitiven Musters freigelegt ist, um das zweite metallische Material zu entfernen; und Entfernen des ersten photosensitiven Musters.
  20. Das Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Ausbilden der Dammschicht und des Abstandshalters umfasst: Auftragen der zweiten photosensitiven Schicht; Ausrichten der zweiten Halbtonmaske auf der zweiten photosensitiven Schicht und Freilegen der zweiten photosensitiven Schicht; und Entwickeln der freigelegten zweiten photosensitiven Schicht, um die Dammschicht und den Abstandshalter auszubilden.
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