DE102022133014A1 - Elektrolumineszente displayvorrichtung - Google Patents

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DE102022133014A1
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Hanil Kim
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LG Display Co Ltd
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Abstract

Eine elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ein Substrat (111) mit einem aktiven Bereich (AA) und einem nichtaktiven Bereich (NA) aufweisen, einen Oxid-Dünnfilmtransistor (120a, 120b, 130a, 130b), der auf dem Substrat (111) angeordnet ist, eine anorganische Schicht, die auf dem Oxid-Dünnfilmtransistor (120a, 120b, 130a, 130b) angeordnet ist, eine auf der anorganischen Schicht angeordnete organische Schicht, mindestens ein in der organischen Schicht des nichtaktiven Bereichs (NA) angeordnetes Loch (H), eine auf der organischen Schicht und einer Innenfläche des Lochs (H) angeordnete Wasserstoffsperrschicht (160) und ein auf der organischen Schicht angeordnetes lichtemittierendes Element (140), das eine Anode (141), eine lichtemittierende Einheit und eine Kathode (143) aufweist. Infolgedessen können die Eigenschaften und die Zuverlässigkeit des Dünnfilmtransistors (120a, 120b, 130a, 130b) verbessert werden, indem verhindert wird, dass Wasserstoff in den Oxid-Dünnfilmtransistor (120a, 120b, 130a, 130b) fließt.

Description

  • HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine elektrolumineszente Displayvorrichtung und insbesondere auf eine elektrolumineszente Displayvorrichtung, die einen Oxid-Dünnfilmtransistor verwendet.
  • Beschreibung der bezogenen Technik
  • Im Zuge der Entwicklung unserer Gesellschaft zu einer informationsorientierten Gesellschaft hat sich der Bereich der Displayvorrichtungen zur visuellen Darstellung elektrischer Informationssignale rasch weiterentwickelt. Dementsprechend werden verschiedene Displayvorrichtungen entwickelt, die eine hervorragende Leistung in Bezug auf Dünnheit, Leichtigkeit und geringen Stromverbrauch aufweisen.
  • Repräsentative Displayvorrichtungen weisen eine Flüssigkristall-Displayvorrichtung (LCD), eine elektro-benetzende Displayvorrichtung (EWD), eine organische lichtemittierende Displayvorrichtung (OLED) und dergleichen auf.
  • Unter diesen verschiedenen Displayvorrichtungen ist eine elektrolumineszente Displayvorrichtung, die eine organische lichtemittierende Displayvorrichtung aufweist, eine selbstleuchtende Displayvorrichtung und kann so hergestellt werden, dass sie leicht und dünn ist, da sie keine separate Lichtquelle benötigt, im Gegensatz zu einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einer separaten Lichtquelle. Darüber hinaus hat die elektrolumineszente Displayvorrichtung Vorteile in Bezug auf den Stromverbrauch aufgrund einer niedrigen Ansteuerspannung und ist ausgezeichnet in Bezug auf eine Farbimplementierung, eine Reaktionsgeschwindigkeit, einen Betrachtungswinkel und ein Kontrastverhältnis (CR). Es ist daher zu erwarten, dass elektrolumineszente Displayvorrichtungen in verschiedenen Bereichen eingesetzt werden.
  • Die elektrolumineszente Displayvorrichtung gebildet ist aus einer lichtemittierenden Schicht aus einem organischen Material zwischen zwei Elektroden, die als Anode und Kathode bezeichnet werden. Wenn dann Löcher von der Anode in die lichtemittierende Schicht und Elektronen von der Kathode in die lichtemittierende Schicht injiziert werden, rekombinieren die injizierten Elektronen und Löcher miteinander, um Exzitonen in der lichtemittierenden Schicht zu bilden und Licht zu emittieren.
  • KURBESCHREIBUNG
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist ein Bereitstellen einer elektrolumineszenten Displayvorrichtung, die ein Einströmen von Wasserstoff in einen Oxid-Dünnfilmtransistor verhindert.
  • Die technischen Vorteile der vorliegenden Offenbarung beschränken sich nicht auf die oben erwähnten technischen Vorteile, und andere technische Vorteile, die oben nicht erwähnt sind, können von Fachleuten anhand der folgenden Beschreibungen klar verstanden werden.
  • Eine elektrolumineszente Displayvorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist ein Substrat auf, das in einen aktiven Bereich und einen nichtaktiven Bereich unterteilt ist, einen Oxid-Dünnfilmtransistor, der auf dem Substrat angeordnet ist, eine anorganische Schicht, die auf dem Oxid-Dünnfilmtransistor angeordnet ist, eine auf der anorganischen Schicht angeordnete organische Schicht, mindestens ein in der organischen Schicht des nichtaktiven Bereichs angeordnetes Loch, eine auf der organischen Schicht angeordnete Wasserstoffsperrschicht und eine Innenfläche des Lochs und ein auf der organischen Schicht angeordnetes lichtemittierendes Element, das eine Anode, eine lichtemittierende Struktur und eine Kathode aufweist.
  • Eine elektrolumineszente Displayvorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist ein Substrat auf, das einen aktiven Bereich und einen nichtaktiven Bereich aufweist, einen Oxid-Dünnfilmtransistor, der auf dem Substrat im aktiven Bereich angeordnet ist, eine anorganische Schicht, die auf dem Oxid-Dünnfilmtransistor angeordnet ist, eine organische Schicht, die auf der anorganischen Schicht angeordnet ist, eine Wasserstoffsperrschicht, die in der organischen Schicht des nichtaktiven Bereichs angeordnet ist, ein lichtemittierendes Element, das auf der organischen Schicht angeordnet ist und eine Anode, eine lichtemittierende Struktur und eine Kathode aufweist, und eine Verkapselungsschicht, die auf dem lichtemittierenden Element angeordnet ist, wobei die Wasserstoffsperrschicht an einer Innenseite eines Endes der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist, um Wasserstoff, der in der Verkapselungsschicht erzeugt wird, daran zu hindern, durch das Ende der lichtemittierenden Struktur in den aktiven Bereich zu diffundieren.
  • Weitere Einzelheiten zu den Ausführungsformen sind in der ausführlichen Beschreibung und den Zeichnungen enthalten.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung wird das Einströmen von Wasserstoff in einen Oxid-Dünnfilmtransistor durch ein Bilden einer Wasserstoffsperrschicht zwischen einem Gate-in-Panel (GIP) und einem aktiven Bereich blockiert, so dass die Eigenschaften und die Zuverlässigkeit des Dünnfilmtransistors verbessert werden können.
  • Die Wirkungen gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben beispielhaft dargestellten Inhalte beschränkt, und die vorliegende Spezifikation weist weitere verschiedene Wirkungen auf.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein Blockdiagramm einer elektrolumineszenten Displayvorrichtung gemäß einer ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 ist ein Schaltplan eines Sub-Pixels der Elektrolumineszenz-Displayvorrichtung gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 3 ist eine Draufsicht auf eine elektrolumineszente Displayvorrichtung gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 4 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie III-III' aus 3.
    • 5 ist ein Foto, das die durch das Pressen der Maske entstandenen Spuren zeigt.
    • 6 ist eine Querschnittsansicht eines Displays gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 7 ist eine Querschnittsansicht eines Displays gemäß einer dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 8 ist eine Querschnittsansicht eines Displays gemäß einer vierten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 9 ist eine Draufsicht auf eine elektrolumineszente Displayvorrichtung gemäß einer fünften beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 10 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie IX-IX' aus 9.
    • 11 ist eine Draufsicht auf eine elektrolumineszente Displayvorrichtung gemäß einer sechsten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 12 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XI-XI' aus 11.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und ein Verfahren zum Erreichen der Vorteile und Merkmale werden ersichtlich, wenn man sich auf Ausführungsformen bezieht, die unten im Detail zusammen mit den begleitenden Zeichnungen beschrieben werden. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die hier offengelegten Ausführungsformen beschränkt, sondern kann auf unterschiedliche Weise umgesetzt werden. Die Ausführungsformen sind nur beispielhaft dargestellt, damit Fachpersonen die Offenbarung und den Umfang der vorliegenden Offenbarung vollständig verstehen können.
  • Die Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel, Zahlen und dergleichen, die in den beigefügten Zeichnungen zur Beschreibung der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dargestellt sind, sind lediglich Beispiele, und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Gleiche Bezugsziffern bezeichnen im Allgemeinen gleiche Elemente in der gesamten Beschreibung. Ferner kann in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung auf eine ausführliche Erläuterung bekannter verwandter Technologien verzichtet werden, um den Gegenstand der vorliegenden Offenbarung nicht unnötig zu verschleiern. Die hier verwendeten Ausdrücke wie „aufweisend“, „habend“ und „gebildet sein aus“ sind im Allgemeinen so zu verstehen, dass andere Komponenten hinzugefügt werden können, es sei denn, die Ausdrücke werden mit dem Begriff „nur“ verwendet. Alle Verweise auf die Einzahl können die Mehrzahl aufweisen, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben.
  • Komponenten werden so interpretiert, dass sie einen gewöhnlichen Fehlerbereich aufweisen, auch wenn dies nicht ausdrücklich angegeben ist.
  • Wenn die Positionsbeziehung zwischen zwei Teilen mit Begriffen wie „auf”, „über“, „unter“ und „neben“ beschrieben wird, können sich ein oder mehrere Teile zwischen den beiden Teilen befinden, es sei denn, die Begriffe werden zusammen mit dem Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet.
  • Wenn ein Element oder eine Schicht „auf” einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet ist, kann eine andere Schicht oder ein anderes Element direkt auf dem anderen Element oder dazwischen eingefügt werden.
  • Obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“ und dergleichen zur Beschreibung verschiedener Komponenten verwendet werden, sind diese Komponenten nicht durch diese Begriffe eingeschränkt. Diese Begriffe werden lediglich zur Unterscheidung einer Komponente von den anderen Komponenten verwendet. Daher kann eine erste Komponente, die im Folgenden erwähnt wird, eine zweite Komponente in einem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung sein.
  • Gleiche Bezugsziffern bezeichnen im Allgemeinen gleiche Elemente in der gesamten Spezifikation.
  • Die Größe und Dicke jedes in der Zeichnung dargestellten Bauteils sind der Einfachheit halber dargestellt, und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Größe und Dicke des dargestellten Bauteils beschränkt.
  • Die Merkmale der verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig erfüllt sein oder miteinander kombiniert werden und können auf technisch verschiedene Weise ineinandergreifen und betrieben werden, und die Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder in Verbindung miteinander ausgeführt werden.
  • Nachfolgend werden beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen im Einzelnen beschrieben.
  • 1 ist ein Blockdiagramm einer elektrolumineszenten Displayvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Unter Bezugnahme auf 1 kann eine elektrolumineszente Displayvorrichtung 100 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Bildprozessor 151, eine Zeitsteuerung 152, einen Datentreiber 153, einen Gatetreiber 154 und ein Displaypanel 110 aufweisen.
  • Der Bildprozessor 151 kann ein Datensignal DATA und ein Datenfreigabesignal DE über ein von außen zugeführtes Datensignal DATA ausgeben.
  • Der Bildprozessor 151 kann zusätzlich zum Datenfreigabesignal DE ein oder mehrere Vertikal-Synchronisationssignale, ein Horizontal-Synchronisationssignal und ein Taktsignal ausgeben.
  • Der Timing-Controller 152 empfängt das Datensignal DATA zusammen mit dem Datenfreigabesignal DE oder Ansteuersignalen, die das Vertikal-Synchronisationssignal, das Horizontal-Synchronisationssignal und das Taktsignal aufweisen, vom Bildprozessor 151. Der Timing-Controller 152 kann ein Gate-Timing-Steuersignal GDC zum Steuern eines Betriebs-Timings des Gate-Treibers 154 und ein Daten-Timing-Steuersignal DDC zum Steuern eines Betriebs-Timings des Datentreibers 153 auf der Grundlage der Treibersignale ausgeben.
  • Der Datentreiber 153 tastet das vom Timing-Controller 152 gelieferte Datensignal DATA ab und hält es in Reaktion auf das vom Timing-Controller 152 gelieferte Daten-Timing-Steuersignal DDC fest und wandelt das Datensignal DATA in eine Gamma-Referenzspannung um, um es dadurch auszugeben. Der Datentreiber 153 kann das Datensignal DATA über die Datenleitungen DL1 bis DLn ausgeben.
  • Der Gate-Treiber 154 kann ein Gate-Signal ausgeben, während er einen Pegel der Gate-Spannung als Reaktion auf das vom Timing-Controller 152 gelieferte Gate-Timing-Steuersignal GDC verschiebt. Der Gate-Treiber 154 kann das Gate-Signal über die Gate-Leitungen GL1 bis GLm ausgeben.
  • Das Display 110 kann ein Bild anzeigen, während die Sub-Pixel P als Reaktion auf das Datensignal DATA und das Gatesignal, die von dem Datentreiber 153 und dem Gatetreiber 154 geliefert werden, Licht aussenden. Eine detaillierte Struktur des Sub-Pixels P wird in 2 und 5 ausführlich beschrieben.
  • 2 ist ein Schaltplan eines Sub-Pixels, das in der elektrolumineszenten Displayvorrichtung gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthalten ist.
  • Unter Bezugnahme auf 2 kann das Sub-Pixel der elektrolumineszenten Displayvorrichtung 100 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung einen Schalttransistor ST, einen Treibertransistor DT, eine Kompensationsschaltung CC und ein lichtemittierendes Element 140 aufweisen.
  • Das lichtemittierende Element 140 kann in Abhängigkeit von einem Treiberstrom, der vom Treibertransistor DT erzeugt wird, Licht emittieren.
  • Der Schalttransistor ST kann einen Schaltvorgang durchführen, so dass ein über eine Datenleitung 117 geliefertes Datensignal in Reaktion auf das über eine Gateleitung 116 gelieferte Gate-Signal als Datenspannung in einem Kondensator gespeichert wird.
  • Der Treibertransistor DT kann so arbeiten, dass ein konstanter Treiberstrom zwischen einer Hochspannungsleitung VDD und einer Niederspannungsleitung GND in Abhängigkeit von der im Kondensator gespeicherten Datenspannung fließt.
  • Die Kompensationsschaltung CC ist eine Schaltung zum Kompensieren einer Schwellenspannung oder dergleichen des Treibertransistors DT, und die Kompensationsschaltung CC kann einen oder mehrere Dünnfilmtransistoren und Kondensatoren aufweisen. Die Konfiguration der Kompensationsschaltung CC kann je nach Kompensationsverfahren variieren.
  • Es ist dargestellt, dass das in 2 gezeigte Sub-Pixel so konfiguriert ist, dass es eine 2T(Transistor)1C(Kondensator)-Struktur aufweist, die den Schalttransistor ST, den Treibertransistor DT, den Kondensator und das lichtemittierende Element 140 aufweist. Das Sub-Pixel kann allerdings unterschiedliche Strukturen aufweisen, wie z. B. 3T1C-, 4T2C-, 5T2C-, 6T1C-, 6T2C-, 7T1C- und 7T2C-Strukturen, wenn die Kompensationsschaltung CC hinzugefügt wird.
  • 3 ist eine Draufsicht auf eine elektrolumineszente Displayvorrichtung gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie III-III' aus 3.
  • 4 zeigt einen Querschnitt des Displaypanels 110 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform, der einen Teil eines Gate-In-Panels (GIP) aufweist.
  • Bezugnehmend auf 3 kann die elektrolumineszente Displayvorrichtung 100 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das Display 110, flexible Filmen und eine gedruckte Schaltung aufweisen.
  • Das Displaypanel 110 ist ein Panel, das einem Nutzer ein Bild anzeigt.
  • Im Displaypanel 110 können Displayelemente zum Anzeigen eines Bildes, ein Treiberelement zum Treiben der Displayelemente und Leitungen zum Übertragen verschiedener Signale an die Displayelemente und das Treiberelement angeordnet sein. Das Displayelement kann je nach Typ des Displaypanels 110 unterschiedlich konfiguriert sein. Wenn es sich bei dem Displaypanel 110 beispielsweise um ein organisches lichtemittierendes Displaypanel handelt, ist das Displayelement ein organisches lichtemittierendes Element, das eine Anode, eine organische lichtemittierende Schicht und eine Kathode aufweist.
  • Im Folgenden wird davon ausgegangen, dass es sich bei dem Display 110 um ein organisches, lichtemittierendes Display handelt, aber das Display 110 ist nicht auf organische, lichtemittierende Displays beschränkt.
  • Das Display 110 kann einen aktiven Bereich AA und einen nichtaktiven Bereich NA aufweisen.
  • Der aktive Bereich AA ist ein Bereich, in dem ein Bild auf dem Display 110 angezeigt wird.
  • Eine Mehrzahl von Sub-Pixeln, die eine Mehrzahl von Pixeln bilden, und eine Schaltung zum Treiben der Mehrzahl von Sub-Pixeln können in des aktiven Bereichs AA angeordnet sein. Die Mehrzahl von Sub-Pixeln sind minimale Einheiten, die den aktiven Bereich AA bilden, und das Displayelement kann in jedem der Mehrzahl von Sub-Pixeln angeordnet sein, und die Mehrzahl von Sub-Pixeln kann das Pixel bilden. Zum Beispiel kann ein organisches lichtemittierendes Element, das eine Anode, eine organische lichtemittierende Schicht und eine Kathode aufweist, in jedem der Mehrzahl von Sub-Pixeln angeordnet sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Darüber hinaus kann die Schaltung zum Treiben der Mehrzahl von Sub-Pixeln ein Ansteuerelement, Leitungen und dergleichen aufweisen. Die Schaltung kann beispielsweise aus einem Dünnfilmtransistor, einem Speicherkondensator, einer Gateleitung, einer Datenleitung und dergleichen gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Der nichtaktive Bereich NA ist ein Bereich, in dem kein Bild angezeigt wird.
  • 3 zeigt, dass der nichtaktive Bereich NA den aktiven Bereich AA mit einer viereckigen Form umgibt, aber die Formen und Anordnungen des aktiven Bereichs AA und des nichtaktiven Bereichs NA sind nicht auf das in 3 dargestellte Beispiel beschränkt.
  • Der aktive Bereich AA und der nichtaktive Bereich NA können eine Form haben, die für die Gestaltung eines elektronischen Geräts geeignet ist, auf dem die elektrolumineszente Displayvorrichtung 100 montiert ist. Ein weiteres Beispiel für die Form des aktiven Bereichs AA kann beispielsweise eine fünfeckige, sechseckige, kreisförmige oder ovale Form sein.
  • Verschiedene Leitungen und Schaltungen zum Treiben des organischen lichtemittierenden Elements des aktiven Bereichs AA können im nichtaktiven Bereich NA angeordnet sein. Beispielsweise können in dem nichtaktiven Bereich NA Treiber-ICs wie ein Gate-Treiber-IC und ein Daten-Treiber-IC oder Verbindungsleitungen zum Übertragen von Signalen an die Mehrzahl von Sub-Pixeln und Schaltungen des aktiven Bereichs AA angeordnet sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Indes können die linke und rechte Seite aus 3 als Gate-Pad-Abschnitt bezeichnet werden, auf dem der Gate-Treiber-IC angeordnet ist, und eine untere Seite aus 3 kann als Daten-Pad-Abschnitt bezeichnet werden, mit dem die flexiblen Filme verbunden sind, aber die vorliegende Offenbarung ist darauf nicht beschränkt.
  • Der Gate-Treiber-IC kann unabhängig von der Displaypanel 110 gebildet sein und kann in einer Form konfiguriert sein, die auf verschiedene Weise mit der Displaypanel 110 elektrisch verbunden sein kann, kann aber in einem Verfahren eines Gate-in-Panels (GIP) konfiguriert werden, das im Displaypanel 110 montiert ist.
  • Die elektrolumineszente Displayvorrichtung kann verschiedene zusätzliche Elemente zur Erzeugung verschiedener Signale oder zum Treiben der Pixel im aktiven Bereich AA aufweisen. Die zusätzlichen Elemente zum Treiben der Pixel können eine Inverterschaltung, einen Multiplexer, eine Schaltung zur elektrostatischen Entladung (ESD) und dergleichen aufweisen. Die elektrolumineszente Displayvorrichtung kann zusätzliche Elemente aufweisen, die mit anderen Funktionen als dem Treiben der Pixel zusammenhängen. Beispielsweise kann die elektrolumineszente Displayvorrichtung zusätzliche Elemente aufweisen, die eine Berührungserkennungsfunktion, eine Nutzerauthentifizierungsfunktion (z. B. Fingerabdruckerkennung), eine mehrstufige Druckerkennungsfunktion, eine taktile Rückkopplungsfunktion und Ähnliches bereitstellen. Solche zusätzlichen Elemente können im nichtaktiven Bereich NA und/oder in einer externen Schaltung angeordnet sein, die mit einer Verbindungsschnittstelle verbunden ist.
  • Obwohl nicht dargestellt, handelt es sich bei den flexiblen Filmen um Filme zum Versorgen der Mehrzahl von Sub-Pixeln und Schaltkreisen des aktiven Bereichs AA mit Signalen, und sie können elektrisch mit dem Displaypanel 110 verbunden sein. Die flexiblen Filme können an einem Ende des nichtaktiven Bereichs NA des Displays 110 angeordnet sein und eine Versorgungsspannung, eine Datenspannung und Ähnliches an die Mehrzahl von Sub-Pixeln und Schaltungen des aktiven Bereichs AA liefern. Zum Beispiel kann ein Treiber-IC, wie ein Datentreiber-IC, auf den flexiblen Filmen angeordnet sein.
  • Die Leiterplatte kann an einem Ende der flexiblen Filme angeordnet und mit den flexiblen Filmen verbunden sein. Die gedruckte Schaltung ist eine Komponente, die Signale an den Treiber-IC liefert. Die Leiterplatte kann verschiedene Signale, wie z. B. ein Treibersignal und ein Datensignal, an den Treiber-IC liefern.
  • Die hervorragenden Eigenschaften des Displays werden durch die Verwendung eines Oxid-Dünnfilmtransistors mit hoher Mobilität und niedrigem Ruhestrom sichergestellt.
  • Die elektrolumineszierende Displayvorrichtung weist eine lichtemittierende Einheit oder Struktur auf, die aus einer organischen Schicht zur Selbstemission gebildet ist, und beim Aufbringen der organischen Schicht können aufgrund des Maskendrucks Fremdmaterialien entstehen. Wasserstoff diffundiert durch eine Nahtstelle dieser Fremdmaterialien und bewegt sich zum Oxid-Dünnfilmtransistor, was zu einer Leitfähigkeit des Oxid-Dünnfilmtransistors führt. Infolgedessen kann ein Weißbanddefekt außerhalb des aktiven Bereichs auftreten.
  • Dementsprechend ist die vorliegende Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass die Eigenschaften und die Zuverlässigkeit des Dünnfilmtransistors verbessert werden, indem ein Zufluss von Wasserstoff in den Oxid-Dünnfilmtransistor blockiert wird.
  • Zu diesem Zweck ist die erste beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass eine Wasserstoffsperrschicht 160 zwischen einem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA gebildet wird, um dadurch den Zufluss von Wasserstoff in den Oxid-Dünnfilmtransistor zu blockieren. Dementsprechend ist es möglich, die Eigenschaften und die Zuverlässigkeit des Dünnfilmtransistors zu verbessern.
  • Wie aus den 3 und 4 hervorgeht, kann ein Substrat 111 in einen aktiven Bereich AA und einen nichtaktiven Bereich NA außerhalb des aktiven Bereichs AA unterteilt sein.
  • Der erste und der zweite Dünnfilmtransistor 120a und 120b, das lichtemittierende Element 140 und eine Verkapselungsschicht 150 können im aktiven Bereich AA des Substrats 111 ausgebildet sein.
  • Der nichtaktive Bereich NA des Substrats 111 kann den GIP-Bereich GA aufweisen.
  • Der dritte und vierte Dünnfilmtransistor 130a und 130b sowie die Verkapselungsschicht 150 können im GIP-Bereich GA des Substrats 111 ausgebildet sein.
  • Das Substrat 111 dient als Träger und Schutz für die Komponenten der darauf befindlichen elektrolumineszenten Displayvorrichtung.
  • Neuerdings kann das flexible Substrat 111 mit einem flexiblen Material mit flexiblen Eigenschaften wie Kunststoff verwendet werden.
  • Das flexible Substrat 111 kann in Form eines Films vorliegen, der eines aus der Gruppe aufweist, die aus einem Polymer auf Polyesterbasis, einem Polymer auf Silikonbasis, einem Acrylpolymer, einem Polymer auf Polyolefinbasis und einem Copolymer davon gebildet ist.
  • Die lichtblockierenden Schichten 125 und 135 können auf dem Substrat 111 angeordnet sein.
  • Die lichtblockierenden Schichten 125 und 135 können eine erste lichtblockierende Schicht 125 aufweisen, die im aktiven Bereich AA angeordnet ist, und eine zweite lichtblockierende Schicht 135, die im GIP-Bereich GA angeordnet ist.
  • Die lichtblockierenden Schichten 125 und 135 können aus einem metallischen Material gebildet sein, das eine lichtblockierende Funktion hat, um zu verhindern, dass Licht von außen in die Halbleiterschichten 124a, 124b und 134b eindringt.
  • Die lichtundurchlässigen Schichten 125 und 135 können in einer ein- oder mehrschichtigen Struktur aus undurchsichtigen Metallen wie Aluminium (Al), Chrom (Cr), Wolfram (W), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd), Molybdän (Mo) und Kupfer (Cu) oder deren Legierungen gebildet sein.
  • Über dem Substrat 111, auf dem die lichtblockierenden Schichten 125 und 135 angeordnet sind, kann eine Pufferschicht 115a angeordnet sein.
  • Die Pufferschicht 115a kann in einer Struktur gebildet sein, in der eine einzelne Isolierschicht oder eine Mehrzahl von Isolierschichten gestapelt sind, um Fremdmaterialien, einschließlich Feuchtigkeit, Sauerstoff und dergleichen, welche vom Substrat 111 abfließen, zu blockieren. Das heißt, die Pufferschicht 115a kann aus einer einzelnen Schicht oder einer mehrschichtigen Struktur eines anorganischen Isoliermaterials wie Siliziumoxid (SiOx), Siliziumnitrid (SiNx) oder Aluminiumoxid (AlOx) gebildet sein. Die Pufferschicht 115a kann je nach Typ der Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b entfernt werden.
  • Die Pufferschicht 115a kann Kontaktlöcher aufweisen, die einen Teil der lichtblockierenden Schichten 125 und 135 freilegen.
  • Die Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b können auf der Pufferschicht 115a angeordnet sein.
  • Der erste Dünnfilmtransistor 120a des aktiven Bereichs AA kann ein Schalttransistor sein.
  • Der Schalttransistor wird durch einen Gate-Impuls, der einer Gate-Leitung zugeführt wird, eingeschaltet und überträgt eine Datenspannung, die einer Datenleitung zugeführt wird, an eine Gate-Elektrode eines Treibertransistors.
  • Zu diesem Zweck kann der erste Dünnfilmtransistor 120a eine erste Gateelektrode 121a, eine erste Sourceelektrode 122a, eine erste Drainelektrode 123a und eine erste Halbleiterschicht 124a aufweisen.
  • Der zweite Dünnfilmtransistor 120b des aktiven Bereichs AA kann ein Treibertransistor sein, und nur ein Teil des Treibertransistors ist der Einfachheit halber in 4 dargestellt. Andere Sensortransistoren und Kompensationsschaltungen können ebenfalls in der elektrolumineszenten Displayvorrichtung 100 bereitgestellt sein.
  • Der Treibertransistor kann einen Strom übertragen, der über eine Stromleitung zu einer Anode 141 entsprechend einem vom Schalttransistor empfangenen Signal übertragen wird, und kann die Lichtemission mittels des an die Anode 141 übertragenen Strom steuern.
  • Zu diesem Zweck kann der zweite Dünnfilmtransistor 120b eine zweite Gateelektrode, eine zweite Sourceelektrode, eine zweite Drainelektrode 123b und eine zweite Halbleiterschicht 124b aufweisen.
  • Der dritte Dünnfilmtransistor 130a des GIP-Bereichs GA kann auch ein Schalttransistor sein.
  • Der dritte Dünnfilmtransistor 130a kann beispielsweise eine dritte Gateelektrode 13 1a, eine dritte Sourceelektrode 132a, eine dritte Drainelektrode 133a und eine dritte Halbleiterschicht 134a aufweisen.
  • Der vierte Dünnfilmtransistor 130b des GIP-Bereichs GA kann ein Treibertransistor sein, und der Einfachheit halber ist in 4 nur ein Teil des Treibertransistors dargestellt.
  • Beispielsweise kann der vierte Dünnfilmtransistor 130b eine vierte Gateelektrode, eine vierte Sourceelektrode, eine vierte Drainelektrode 133b und eine vierte Halbleiterschicht 134b aufweisen.
  • Die Halbleiterschichten 124a, 124b, 134a und 134b können aus einem Oxid-Halbleiter gebildet sein. Der Oxid-Halbleiter hat ausgezeichnete Eigenschaften hinsichtlich Mobilität und Gleichmäßigkeit. Zu diesem Zeitpunkt kann der Oxid-Halbleiter aus einem quaternären Metalloxid, wie einem Indium-Zinn-Gallium-Zink-Oxid (InSnGaZnO)-basierten Material, einem ternären Metalloxid, wie einem Indium-Gallium-Zink-Oxid (InGaZnO)-basierten Material, einem Material auf Indium-Zinn-Zinkoxid-Basis (InSnZnO), einem Material auf Indium-Aluminium-Zinkoxid-Basis (InAlZnO), einem Material auf Zinn-Gallium-Zinkoxid-Basis (SnGaZnO), einem Material auf Aluminium-Gallium-Zinkoxid-Basis (AlGaZnO) und einen Material auf Zinn-Aluminium-Zinkoxid-Basis (SnAlZnO), oder einem binäres Metalloxid, wie ein Material auf Indium-Zinkoxid-Basis (InZnO), ein Material auf Zinn-Zinkoxid-Basis (SnZnO), ein Material auf Aluminium-Zinkoxid-Basis (AlZnO), ein Material auf Zink-Magnesiumoxid-Basis (ZnMgO), ein Material auf Basis von Zinnmagnesiumoxid (SnMgO), ein Material auf Basis von Indiummagnesiumoxid (InMgO), ein Material auf Basis von Indiumoxid (InO), ein Material auf Basis von Zinnoxid (SnO), ein Material auf Basis von Indiumgalliumoxid (InGaO) und ein Material auf Basis von Zinkoxid (ZnO), gebildet sein. Das Mischungsverhältnis der jeweiligen Elemente ist nicht begrenzt.
  • Die Halbleiterschichten 124a, 124b, 134a und 134b können einen Source-Bereich, der Fremdatome vom p-Typ oder n-Typ aufweist, einen Drain-Bereich und einen Kanalbereich zwischen dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich aufweisen und können ferner einen niedrig konzentrierten dotierten Bereich zwischen dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich angrenzend an den Kanalbereich aufweisen, aber die vorliegende Offenbarung ist darauf nicht beschränkt.
  • Der Source-Bereich und der Drain-Bereich sind Bereiche, die mit einer hohen Konzentration von Fremdatomen dotiert sind, und können mit den Sourceelektroden 122a und 132a bzw. den Drainelektroden 123a, 123b, 133a und 133b der Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b verbunden sein.
  • Als Fremdion kann das p-Typ- Fremdatom oder das n-Typ-Fremdatom verwendet werden. Das p-Typ-Fremdatom kann eines der Elemente Bor (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga) und Indium (In) sein, und das n-Typ-Fremdatom kann eines der Elemente Phosphor (P), Arsen (As) und Antimon (Sb) sein.
  • Der Kanalbereich kann entsprechend einer NMOS- oder PMOS-Transistorstruktur mit n- oder p-Dotierstoffen dotiert sein.
  • Eine zweite Isolierschicht 115c ist eine Gate-Isolierschicht, die aus einer einzelnen Schicht aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) oder mehreren Schichten davon gebildet ist und zwischen den Gate-Elektroden 121a und 131a und den Halbleiterschichten 124a, 124b, 134a und 134b angeordnet sein kann, so dass ein durch die Halbleiterschichten 124a, 124b, 134a und 134b fließender Strom nicht zu den Elektroden 121a und 131a fließt. Siliziumoxid ist weniger duktil als Metall, hat aber eine höhere Duktilität als Siliziumnitrid, so dass es je nach seinen Eigenschaften als einzelne Schicht oder als mehrere Schichten ausgebildet sein kann.
  • Die Gate-Elektroden 121a und 131a können aus einer einzelnen oder mehreren Schichten eines leitfähigen Metalls wie Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni) und Neodym (Nd) oder deren Legierungen gebildet sein, doch ist die vorliegende Offenbarung darauf nicht beschränkt.
  • Darüber hinaus können die Sourceelektroden 122a und 132a und die Drainelektroden 123a, 123b, 133a und 133b aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten eines leitfähigen Metalls wie Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni) und Neodym (Nd) oder Legierungen davon gebildet sein, doch ist die vorliegende Offenbarung darauf nicht beschränkt.
  • Die zweite und vierte Drainelektrode 123b und 133b können auf einer Seite elektrisch mit der zweiten bzw. vierten Halbleiterschicht 124b bzw. 134b und auf der anderen Seite elektrisch mit der ersten bzw. zweiten lichtblockierenden Schicht 125 bzw. 135 verbunden sein.
  • Da bei der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Wasserstoffsperrschicht 160 in den Planarisierungsschichten 115e und 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA angeordnet ist, kann die Leitungsverbindung zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA unter Verwendung einer Source-/Drainelektrodenschicht hergestellt werden. Das heißt, die erste Sourceelektrode 122a des aktiven Bereichs AA kann sich beispielsweise bis zum GIP-Bereich GA erstrecken und mit der vierten Drainelektrode 133b elektrisch verbunden sein, aber die vorliegende Offenbarung ist darauf nicht beschränkt.
  • Auf den Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b kann eine Passivierungsschicht 115d angeordnet sein. Die Passivierungsschicht 115d kann aus einer anorganischen Isolierschicht wie Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) gebildet sein.
  • Die Passivierungsschicht 115d kann dazu dienen, eine unnötige elektrische Verbindung zwischen den darauf und darunter angeordneten Komponenten zu verhindern und eine Verunreinigung oder Beschädigung von außen zu vermeiden, und kann je nach Konfiguration und Eigenschaften der Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b und des lichtemittierenden Elements 140 weggelassen werden.
  • Die Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b können je nach Position der Komponenten, aus denen die Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b gebildet sind, in eine invertierte versetzte Struktur und eine koplanare Struktur unterteilt werden. In diesem Fall kann zum Beispiel in einem Dünnfilmtransistor mit einer invertierten versetzten Struktur eine Gateelektrode auf gegenüberliegenden Seiten einer Sourceelektrode und einer Drainelektrode in Bezug auf eine Halbleiterschicht positioniert sein. Wie in 4 gezeigt, können in den Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a, 130b mit koplanarer Struktur die Gateelektroden 121a und 131a auf denselben Seiten der Sourceelektroden 122a und 132a und der Drainelektroden 123a, 123b, 133a und 133b angeordnet sein.
  • 4 zeigt die Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b mit der koplanaren Struktur, aber die elektrolumineszente Displayvorrichtung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann einen Dünnfilmtransistor mit der invertierten versetzten Struktur aufweisen. Darüber hinaus können einige der Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b die koplanare Struktur aufweisen, und einige der Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b können die invertierte versetzte Struktur aufweisen.
  • Die Planarisierungsschichten 115e und 115f können auf den Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b angeordnet sein, um die Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b zu schützen und eine durch sie verursachte Stufe zu verringern und um die parasitäre Kapazität zu reduzieren, die zwischen den Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a, 130b, der Gateleitung und der Datenleitung und dem lichtemittierenden Element 140 auftritt.
  • Die Planarisierungsschichten 115e und 115f können aus einem oder mehreren Materialien aus der Gruppe der Acrylharze, Epoxidharze, Phenolharze, Polyamidharze, Polyimidharze, ungesättigten Polyesterharze, Polyphenylenharze, Polyphenylensulfidharze und Benzocyclobuten gebildet sein, aber die vorliegende Offenbarung ist darauf nicht beschränkt.
  • In diesem Fall kann eine erste Planarisierungsschicht 115e auf den Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b und eine zweite Planarisierungsschicht 115f auf der ersten Planarisierungsschicht 115e angeordnet sein.
  • Auf der ersten Planarisierungsschicht 115e kann eine Pufferschicht angeordnet sein. Die Pufferschicht kann aus mehreren Schichten aus Siliziumoxid (SiOx) gebildet sein, um die auf der ersten Planarisierungsschicht 115e angeordneten Komponenten zu schützen, und kann je nach Konfiguration und Eigenschaften der Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b und des lichtemittierenden Elements 140 weggelassen werden.
  • Die ersten und zweiten Zwischenelektroden 126 und 136 können mit den Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b durch Kontaktlöcher verbunden werden, die in der ersten Planarisierungsschicht 115e ausgebildet sind. Die erste Zwischenelektrode 126 kann gestapelt sein, um mit dem zweiten Dünnfilmtransistor 120b verbunden zu sein, und die zweite Zwischenelektrode 136 kann gestapelt sein, um mit dem vierten Dünnfilmtransistor 130b verbunden zu sein.
  • Eine Passivierungsschicht, die eine anorganische Isolierschicht wie Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) aufweist, kann ferner über der ersten Planarisierungsschicht 115e und den Zwischenelektroden 126 und 136 angeordnet sein. Die Passivierungsschicht kann dazu dienen, eine unnötige elektrische Verbindung zwischen den Komponenten zu verhindern und eine Verunreinigung oder Beschädigung von außen zu vermeiden, und kann je nach Konfiguration und Eigenschaften der Dünnfilmtransistoren 120a, 120b, 130a und 130b und des lichtemittierenden Elements 140 weggelassen werden.
  • In diesem Fall kann das lichtemittierende Element 140, das die Anode 141, die lichtemittierende Einheit 142 und die Kathode 143 aufweist, auf der zweiten Planarisierungsschicht 115f angeordnet sein.
  • Die Anode 141 kann auf der zweiten Planarisierungsschicht 115f angeordnet sein.
  • Die Anode 141 ist eine Elektrode, die dazu dient, die lichtemittierende Einheit 142 mit Löchern zu versorgen, und kann über ein Kontaktloch in der zweiten Planarisierungsschicht 115f mit dem zweiten Dünnfilmtransistor 120b verbunden sein.
  • Die Anode 141 kann aus Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO) oder ähnlichem gebildet sein, was ein transparentes, leitfähiges Material ist, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Andererseits kann das Display 110, wenn es sich um einen Top-Emissions-Typ handelt, bei dem das Licht in einen oberen Bereich emittiert wird, in dem die Kathode 143 angeordnet ist, eine reflektierende Schicht aufweisen, so dass das emittierte Licht von der Anode 141 reflektiert wird und gleichmäßig in Richtung des oberen Bereichs emittiert wird, in dem die Kathode 143 angeordnet ist.
  • Das heißt, die Anode 141 kann eine zweischichtige Struktur sein, bei der eine transparente leitfähige Schicht aus einem transparenten leitfähigen Material und eine reflektierende Schicht hintereinander gestapelt sind, oder eine dreischichtige Struktur, bei der eine transparente leitfähige Schicht, eine reflektierende Schicht und eine transparente leitfähige Schicht hintereinander gestapelt sind. Die reflektierende Schicht kann aus Silber (Ag) oder einer Legierung, die Silber aufweist, gebildet sein.
  • Ein Loch H, das eine Oberfläche der Passivierungsschicht 115d freilegt, kann in der ersten und zweiten Planarisierungsschicht 115e und 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA gebildet sein. Dies liegt daran, dass die Passivierungsschicht 115d aus einer anorganischen Schicht gebildet ist. Wenn die Passivierungsschicht 115d aus einer organischen Schicht gebildet ist, kann das Loch H nicht nur in der ersten und zweiten Planarisierungsschicht 115e und 115f gebildet sein, sondern auch in einem Teil der Dicke der Passivierungsschicht 115d.
  • Die Wasserstoffsperrschicht 160 gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann auf dem Loch H und der zweiten Planarisierungsschicht 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA angeordnet sein.
  • Darüber hinaus können das Loch H und die Wasserstoffsperrschicht 160 an einem Umfang des aktiven Bereichs AA angeordnet sein und beispielsweise eine viereckige Rahmenform haben, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • In 4 ist als Beispiel ein Fall dargestellt, in dem die Wasserstoffsperrschicht 160 mit einer vorbestimmten oder ausgewählten Dicke auf einer inneren Oberfläche des Lochs H abgeschieden wird und eine Bank 115g eine Innenseite davon füllt, aber die vorliegende Offenbarung ist darauf nicht beschränkt, und die Wasserstoffsperrschicht 160 kann so ausgebildet sein, dass sie die Innenseite des Lochs H füllt. Es sollte verstanden werden, dass „füllen“ und „füllt“ die Bedeutung von vollständig füllen oder teilweise füllen aufweist, so dass die Kombination verschiedener Schichten das Loch füllt, nicht nur eine Schicht allein.
  • Obwohl in 4 eine Wasserstoffsperrschicht 160 dargestellt ist, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt, und eine Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten 160 kann zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA angeordnet sein.
  • Die Wasserstoffsperrschicht 160 blockiert den Zufluss von Wasserstoff in den ersten und den zweiten Dünnfilmtransistor 120a und 120b des aktiven Bereichs AA und kann dazu dienen, die Eigenschaften und Zuverlässigkeit des ersten und des zweiten Dünnfilmtransistors 120a und 120b zu verbessern.
  • Die elektrolumineszente Displayvorrichtung weist eine lichtemittierende Einheit auf, die aus einer organischen Schicht zur Selbstemission gebildet ist, und Fremdmaterialien können aufgrund des Maskendrucks entstehen, wenn die organische Schicht aufgebracht wird. Wasserstoff innerhalb der Verkapselungsschicht diffundiert durch einen maskengepressten Teil und bewegt sich entlang einer Mehrzahl organischer Schichten, wie der Bank und der Planarisierungsschicht, zum Oxid-Dünnfilmtransistor, wodurch eine Leitfähigkeit des Oxid-Dünnfilmtransistors induziert wird. Infolgedessen kann ein Weißbanddefekt an der Außenseite des aktiven Bereichs auftreten.
  • 5 ist ein Foto, das die durch das Pressen der Maske entstandenen Spuren zeigt.
  • 5 ist eine mikroskopische Aufnahme, die durch Betrachtung eines Teils des nichtaktiven Bereichs außerhalb des aktiven Bereichs bei 50-facher Vergrößerung erhalten wird, nachdem das lichtemittierende Element geformt wurde. 5 zeigt einen Teil des nichtaktiven Bereichs, in dem ein Ende der lichtemittierenden Einheit positioniert ist.
  • Aus 5 ist ersichtlich, dass eine Mehrzahl von Fremdmaterialien und Kratzern in der nichtaktiven Zone außerhalb der aktiven Zone vorhanden ist.
  • Wie oben beschrieben, ist zu erkennen, dass bei der Maskenausrichtung zum Ablagern der organischen Schicht der lichtemittierenden Einheit in einer Kammer Fremdmaterialien durch Kratzer entstehen. Der in der Verkapselungsschicht erzeugte Wasserstoff kann aufgrund der Fremdmaterialien in eine Nahtstelle eindringen und in den aktiven Bereich entlang der organischen Schichten wie der Bank und der Planarisierungsschicht diffundieren. Der in den aktiven Bereich diffundierende Wasserstoff kann mit der Zeit eine darunter liegende Oxid-Halbleiterschicht beschädigen und eine negative Verschiebung der Schwellenspannung Vth verursachen. Dementsprechend kann entlang einer Kante des aktiven Bereichs ein Weißbanddefekt auftreten.
  • Zurückgehend auf die 3 und 4 ist die vorliegende Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass eine Sperrstruktur gebildet wird, die in der Lage ist, die Wasserstoffdiffusion von der Außenseite des aktiven Bereichs AA zum aktiven Bereich AA zu blockieren. Da die Wasserstoffdiffusion von der Außenseite des aktiven Bereichs AA in den aktiven Bereich AA blockiert wird, wird die Leitfähigkeit der Oxid-Dünnfilmtransistoren 120a und 120b verhindert, so dass die Weißband-Ungleichmäßigkeit verbessert werden kann.
  • Zu diesem Zweck ist die vorliegende Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass zunächst nach einem Bilden des Lochs H, wie in 4 gezeigt, mit einer Fotomaske, wenn die Mehrzahl der organischen Schichten der Bank 115g und die Planarisierungsschichten 115e und 115f abgelagert sind, ein Material, das Wasserstoff absorbieren kann, wie Ti, darauf abgeschieden wird, so dass die Wasserstoffsperrschicht 160 in dem Loch H gebildet wird.
  • Hier ist Ti ein Metall mit der Fähigkeit zur Wasserstoffadsorption und kann Wasserstoff in den Strukturen der Verkapselungsschicht 150 und den Oxid-Dünnfilmtransistoren 120a und 120b wirksam blockieren.
  • Vorzugsweise wird die Wasserstoffsperrschicht 160 vor einem Bilden der lichtemittierenden Einheit 142 gebildet. Da beim Bilden der lichtemittierenden Einheit 142 eine organische Schicht in das Loch H eingebracht werden kann, ist es vorteilhaft, Ti der Wasserstoffsperrschicht 160 vor der dem Ablagern der organischen Schicht abzulagern.
  • Außerdem ist es vorteilhaft, ein Ende der lichtemittierenden Einheit 142 an einer Außenseite des Lochs H und der Wasserstoffsperrschicht 160 zu positionieren. Das heißt, das Loch H und die Wasserstoffsperrschicht 160 können näher am aktiven Bereichs AA positioniert werden als das Ende der lichtemittierenden Einheit 142. Dies liegt daran, dass beim Herstellen der lichtemittierenden Einheit 142 ein Pressen einer Ausrichtungsmaske um das Ende der lichtemittierenden Einheit 142 verursacht wird.
  • Darüber hinaus kann die Wasserstoffsperrschicht 160 die Oxid-Dünnfilmtransistoren 120a und 120b wirksamer schützen und von Komponenten, die in denselben oder anderen Schichten gebildet werden, elektrisch getrennt sein, um eine vollständige Wasserstoffadsorptionsfunktion zu erfüllen. Die Wasserstoffsperrschicht 160 kann sich in einem Zustand befinden, in dem kein Strom fließt oder kein Signal übertragen wird, weil sie nicht elektrisch mit anderen Elektroden oder Leitungen verbunden ist.
  • Darüber hinaus kann die Wasserstoffsperrschicht 160 so ausgebildet sein, dass sie mindestens zwei organische Schichten in vertikaler Richtung kreuzt (z. B. sich in, durch oder an ihnen vorbei erstreckt), um Wasserstoff zu blockieren, der in einer seitlichen oder diagonalen Richtung des aktiven Bereichs AA fließt. Um einen Wasserstoffzuflussweg in vertikaler Richtung zu blockieren, kann die Wasserstoffsperrschicht 160 im Querschnitt eine Form wie eine U-Form, eine T-Form, eine W-Form oder eine umgekehrte konische Form haben. Dementsprechend kann die Wasserstoffsperrschicht 160 als wasserstoffsperrende vertikale Wand oder als wasserstoffsperrende Wand bezeichnet werden.
  • Ein Material, aus dem die Wasserstoffsperrschicht 160 gebildet ist, kann neben Ti auch Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und dergleichen aufweisen, die eine ausgezeichnete Wasserstoffadsorptionsfähigkeit besitzen. Zum Vergleich: Die Wasserstofflöslichkeit von TiH ist höher als die von A1H, NiH, AgH, CuH und ZnH.
  • Betrachtet man zum Beispiel ein Metallhydrid, so ist das Hydrid von Ti TiH2.00, was bedeutet, dass zwei Wasserstoffe H in einem Ti gespeichert werden können, und man kann sehen, dass seine Wasserstoffadsorptionsfähigkeit eine Million Mal höher ist als die von AlH<2.5x10-8.
  • Es zeigt sich, dass die Hydride von Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm und U ScH>1.86, VH1.00, PdH0.724, NbH1.1, ZrH>1.70, YH>2.85, TaH0.79, CeH>2,5, LaH>2.03, SmH3.00, UH>3.00, sind.
  • Die Bank 115g kann auf der Anode 141, der Wasserstoffsperrschicht 160 und der zweiten Planarisierungsschicht 115f angeordnet sein.
  • Die Bank 115g, die auf der Anode 141 und der zweiten Planarisierungsschicht 115f angeordnet ist, kann Öffnungen aufweisen, die die jeweiligen Sub-Pixel überlappen und einen Bereich unterteilen, der tatsächlich Licht emittiert, d. h. einen Emissionsbereich.
  • Nachdem ein Photoresist auf der Anode 141 gebildet wurde, kann die Bank 115g durch einen Fotolithografieprozess gebildet werden. Der Photoresist betrifft ein lichtempfindliches Harz, dessen Löslichkeit in einem Entwickler durch Lichteinwirkung verändert wird, und ein spezifisches Muster kann mittels Belichtens und Entwickelns des Photoresists erhalten werden. Der Photoresist kann in einen positiven und einen negativen Typ unterteilt werden. In diesem Fall bezieht sich der positive Photoresist auf einen Photoresist, dessen Löslichkeit in einem Entwickler für einen belichteten Teil durch Belichten erhöht wird, und wenn der positive Photoresist entwickelt wird, erhält man ein Muster, bei dem der belichtete Teil entfernt ist. Der negative Photoresist bezieht sich auf einen Photoresist, dessen Löslichkeit in einem Entwickler für einen belichteten Teil durch Belichten verringert wird, und wenn der negative Photoresist entwickelt wird, erhält man ein Muster, bei dem ein unbelichteter Teil entfernt ist.
  • Zum Herstellen der lichtemittierenden Einheit 142 des lichtemittierenden Elements 140 kann eine Feinmetallmaske (FMM) verwendet werden, die eine Abscheidungsmaske ist.
  • Um Schäden zu vermeiden, die durch den Kontakt mit der auf der Bank 115g angeordneten Abscheidungsmaske verursacht werden können, und um einen konstanten Abstand zwischen der Bank 115g und der Abscheidungsmaske aufrechtzuerhalten, kann außerdem ein Abstandshalter aus Benzocyclobuten, Photoacryl und Polyimid, einem transparenten organischen Material, auf der Bank 115g angeordnet werden.
  • Die Bank 115g kann eine Öffnung aufweisen, die einen Teil der Anode 141 freilegt, indem ein Teil der Bank 115g im Emissionsbereich entfernt wird.
  • Die Bank 115g kann so angeordnet sein, dass sie sich auf einen Teil des nichtaktiven Bereichs NA erstreckt, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die lichtemittierende Einheit 142 kann zwischen der Anode 141 und der Kathode 143 angeordnet sein.
  • Die lichtemittierende Einheit 142, die dazu dient, Licht zu emittieren, kann mindestens eine Schicht aus einer Lochinjektionsschicht (HIL), einer Lochtransportschicht (HTL), einer lichtemittierenden Schicht, einer Elektronentransportschicht (ETL) und einer Elektroneninjektionsschicht (EIL) aufweisen, wobei einige Komponenten je nach Struktur oder Eigenschaften der elektrolumineszenten Displayvorrichtung weggelassen werden können. Hier können als lichtemittierende Schicht auch eine elektrolumineszente Schicht und eine anorganische lichtemittierende Schicht verwendet werden.
  • Die Lochinjektionsschicht befindet sich auf der Anode 141 und dient dazu, die Lochinjektion zu erleichtern.
  • Die Lochtransportschicht ist auf der Lochinjektionsschicht angeordnet und dient einem reibungslosen Übertragen von Löchern zur lichtemittierenden Schicht.
  • Die lichtemittierende Schicht ist auf der Lochtransportschicht angeordnet und weist ein Material auf, das in der Lage ist, Licht einer bestimmten Farbe zu emittieren, um dadurch Licht in einer bestimmten Farbe zu emittieren. Darüber hinaus kann ein lichtemittierendes Material unter Verwendung eines phosphoreszierenden Materials oder eines fluoreszierenden Materials gebildet sein.
  • Die Elektroneninjektionsschicht kann ferner auf der Elektronentransportschicht angeordnet sein. Bei der Elektroneninjektionsschicht handelt es sich um eine organische Schicht, die die Injektion von Elektronen aus der Kathode 143 erleichtert und je nach Struktur und Eigenschaften der elektrolumineszenten Displayvorrichtung weggelassen werden kann.
  • Indem ferner eine Elektronensperrschicht oder eine Lochsperrschicht bereitgestellt wird zum Blockieren eines Flusses von Löchern oder Elektronen an einer Position, die der lichtemittierenden Schicht benachbart ist, ist es möglich, ein Phänomen zu verhindern, bei dem sich die Elektronen aus der lichtemittierenden Schicht bewegen, wenn sie in die lichtemittierende Schicht injiziert werden und durch die benachbarte Lochtransportschicht hindurchgehen, oder ein Phänomen, bei dem sich die Löcher aus der lichtemittierenden Schicht bewegen, wenn sie in die lichtemittierende Schicht injiziert werden und durch die benachbarte Elektronentransportschicht hindurchgehen, so dass die Lichtausbeute verbessert werden kann.
  • Die lichtemittierende Einheit 142 kann so angeordnet sein, dass sie sich auf einen Teil des nichtaktiven Bereichs NA erstreckt, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Kathode 143 ist auf der lichtemittierenden Einheit 142 angeordnet und dient dazu, Elektronen an die lichtemittierende Einheit 142 zu liefern. Da die Kathode 143 Elektronen liefern muss, kann sie aus einem metallischen Material wie Magnesium oder Silber-Magnesium gebildet sein, das ein leitfähiges Material mit einer niedrigen Austrittsarbeit ist, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Handelt es sich bei dem Display 110 hingegen um einen Top-Emissions-Typ, kann die Kathode 143 aus einem transparenten leitfähigen Oxid gebildet sein, wie Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO), Indium-Zinn-Zink-Oxid (ITZO), Zinkoxid (ZnO) und Zinnoxid (TO).
  • Die Kathode 143 kann so angeordnet sein, dass sie sich bis zu einem Teil des nichtaktiven Bereichs NA erstreckt, um die lichtemittierende Einheit 142 abzudecken, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Die Verkapselungsschicht 150 kann auf der Kathode 143 angeordnet sein.
  • Insbesondere die Verkapselungsschicht 150 beschreibend wird auf der Oberseite des Substrats 110, auf dem das lichtemittierende Element 140 ausgebildet ist, eine Abdeckschicht gebildet, und es werden nacheinander eine primäre Schutzschicht 150a, eine organische Schicht 150b und eine sekundäre Schutzschicht 150c gebildet, um die Verkapselungsschicht 150 zu bilden, die als Verkapselungsmittel dient. Die Anzahl der anorganischen Schichten und organischen Schichten, die die Verkapselungsschicht 150 bilden, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Da die primäre Schutzschicht 150a aus einer anorganischen Isolierschicht gebildet ist, ist ihre Stapelabdeckung aufgrund einer niedrigeren Stufe nicht gut. Da die organische Schicht 150b jedoch zur Planarisierung dient, ist die sekundäre Schutzschicht 150c nicht von einer Stufe aufgrund einer niedrigeren Schicht betroffen. Da die Dicke der organischen Schicht 150b, die aus einem Polymer gebildet ist, ausreichend groß ist, können außerdem durch Fremdmaterialien verursachte Risse ausgeglichen werden.
  • Auf einer Vorderseite des Substrats 110, welche die sekundäre Schutzschicht 150c aufweist, kann ein mehrschichtiger Schutzfilm zum Verkapseln angebracht werden, und zwischen der Verkapselungsschicht 150 und dem Schutzfilm kann ein transparenter Klebstoff mit Klebeeigenschaften eingefügt werden.
  • Eine polarisierende Platte, die die Reflexion des von außen einfallenden Lichts verhindert, kann auf dem Schutzfilm angebracht werden, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Indes kann, wie oben beschrieben, die Wasserstoffsperrschicht der vorliegenden Offenbarung gebildet werden, um das Innere des Lochs zu füllen, was unter Bezugnahme auf 6 beschrieben wird.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht eines Displays gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Ein Displaypanel 210 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die in 6 gezeigt ist, unterscheidet sich von dem Displaypanel 110 aus 4 nur in Bezug auf eine Konfiguration einer Wasserstoffsperrschicht 260, und andere Konfigurationen davon sind im Wesentlichen die gleichen, und daher wird eine doppelte Beschreibung weggelassen. Die gleichen Bezugsziffern werden für die gleichen Komponenten verwendet.
  • Wie in 6 beschrieben, kann ein Loch H, das die Oberfläche der Passivierungsschicht 115d freilegt, in der ersten und zweiten Planarisierungsschicht 115e und 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA gebildet sein. Wenn die Passivierungsschicht 115d aus einer organischen Schicht gebildet ist, kann das Loch H nicht nur in der ersten und zweiten Planarisierungsschicht 115e und 115f, sondern auch in einem Teil der Dicke der Passivierungsschicht 115d gebildet sein.
  • Die Wasserstoffsperrschicht 260 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann sowohl auf der zweiten Planarisierungsschicht 115f als auch auf der Innenseite des Lochs H angeordnet sein. Das heißt, die Wasserstoffsperrschicht 260 kann so angeordnet sein, dass sie die Innenseite des Lochs H der zweiten Planarisierungsschicht 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA ausfüllt.
  • In diesem Fall können das Loch H und die Wasserstoffsperrschicht 260 so angeordnet sein, dass sie einen Umfang des aktiven Bereichs AA umgeben, und können beispielsweise eine viereckige Rahmenform haben, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Darüber hinaus ist es vorteilhaft, das Ende der lichtemittierenden Einheit 142 außerhalb des Lochs H und der Wasserstoffsperrschicht 260 zu positionieren. Das heißt, das Loch H und die Wasserstoffsperrschicht 260 können näher an dem aktiven Bereich AA positioniert werden als das Ende der lichtemittierenden Einheit 142.
  • Die Wasserstoffsperrschicht 260 blockiert den Zufluss von Wasserstoff in die ersten und zweiten Dünnfilmtransistoren 120a und 120b des aktiven Bereichs AA und kann dazu dienen, die Eigenschaften und Zuverlässigkeit der ersten und zweiten Dünnfilmtransistoren 120a und 120b zu verbessern.
  • Ein Material, aus dem die Wasserstoffsperrschicht 260 gebildet ist, kann neben Ti auch Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und dergleichen aufweisen, die eine ausgezeichnete Wasserstoffadsorptionsfähigkeit besitzen.
  • Obwohl in 6 eine Wasserstoffsperrschicht 260 dargestellt ist, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt, und eine Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten 260 kann zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA angeordnet sein.
  • Indes können das Loch und die Wasserstoffsperrschicht gemäß der vorliegenden Offenbarung nicht nur in der Planarisierungsschicht, sondern auch in der Bank gebildet werden, was unter Bezugnahme auf 7 beschrieben wird.
  • 7 ist eine Querschnittsansicht eines Displays gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Ein Display 310 gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die in 7 gezeigt ist, unterscheidet sich von dem Display 210 aus 6 nur in Bezug auf die Konfigurationen eines Lochs H und einer Wasserstoffsperrschicht 360, und andere Konfigurationen davon sind im Wesentlichen die gleichen, und daher wird eine doppelte Beschreibung weggelassen. Die gleichen Bezugsziffern werden für die gleichen Komponenten verwendet.
  • Unter Bezugnahme auf 7 kann ein Loch H gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung gebildet sein, um die Oberfläche der Passivierungsschicht 115d in der Bank 115g sowie die erste und zweite Planarisierungsschicht 115e und 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA freizulegen. Wenn die Passivierungsschicht 115d aus einer organischen Schicht gebildet ist, kann das Loch H nicht nur in der Bank 115g und der ersten und zweiten Planarisierungsschicht 115e und 115f, sondern auch in einem Teil der Dicke der Passivierungsschicht 115d gebildet sein.
  • Die Wasserstoffsperrschicht 360 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann sowohl auf der Bank 115g als auch auf der Innenseite des Lochs H angeordnet sein. Das heißt, die Wasserstoffsperrschicht 360 kann so angeordnet sein, dass sie die Innenseite des Lochs H der Bank 115g und die zweite Planarisierungsschicht 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA ausfüllt.
  • In diesem Fall können das Loch H und die Wasserstoffsperrschicht 360 so angeordnet sein, dass sie einen Umfang des aktiven Bereichs AA umgeben, und können beispielsweise eine viereckige Rahmenform aufweisen, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Darüber hinaus ist es vorteilhaft, das Ende der lichtemittierenden Einheit 142 außerhalb des Lochs H und der Wasserstoffsperrschicht 360 zu positionieren. Das heißt, das Loch H und die Wasserstoffsperrschicht 360 können näher am aktiven Bereich AA positioniert werden als das Ende der lichtemittierenden Einheit 142.
  • Die Wasserstoffsperrschicht 360 blockiert den Zufluss von Wasserstoff in die ersten und zweiten Dünnfilmtransistoren 120a und 120b des aktiven Bereichs AA und kann dazu dienen, die Eigenschaften und die Zuverlässigkeit der ersten und zweiten Dünnfilmtransistoren 120a und 120b zu verbessern.
  • Ein Material, aus dem die Wasserstoffsperrschicht 360 gebildet ist, kann neben Ti auch Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und dergleichen aufweisen, die eine ausgezeichnete Wasserstoffadsorptionsfähigkeit besitzen.
  • Obwohl in 7 eine Wasserstoffsperrschicht 360 dargestellt ist, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt, und eine Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten 360 kann zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA angeordnet sein.
  • Indes kann die Wasserstoffsperrschicht der vorliegenden Offenbarung nur bis zur zweiten Planarisierungsschicht angeordnet sein. In diesem Fall kann die Leitungsverbindung zwischen dem GIP-Bereich und dem aktiven Bereich unter Verwendung einer Zwischenelektrodenschicht hergestellt werden, die unter Bezugnahme auf 8 näher beschrieben wird.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht eines Displays gemäß einer vierten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Ein Display 410 gemäß der vierten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die in 8 dargestellt ist, unterscheidet sich von dem Display 110 aus 4 nur in Bezug auf eine Wasserstoffsperrschicht 460 und eine Konfiguration der Leitungsverbindung zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA, und andere Konfigurationen davon sind im Wesentlichen die gleichen, und daher wird eine doppelte Beschreibung weggelassen. Die gleichen Bezugsziffern werden für die gleichen Komponenten verwendet.
  • Unter Bezugnahme auf 8 ist die vierte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass in der zweiten Planarisierungsschicht 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA ein Loch H ausgebildet ist. In diesem Fall kann das Loch H so konfiguriert sein, dass ein Teil einer Dicke der zweiten Planarisierungsschicht 115f entfernt ist, ist aber nicht darauf beschränkt. Das Loch H kann so konfiguriert sein, dass eine Gesamtdicke der zweiten Planarisierungsschicht 115f entfernt ist, so dass eine Oberfläche der ersten Planarisierungsschicht 115e freigelegt sein kann. Darüber hinaus kann das Loch H nicht nur in der zweiten Planarisierungsschicht 115f, sondern auch in der Bank 115g in einem oberen Bereich derselben ausgebildet sein.
  • In 8 ist als Beispiel ein Fall dargestellt, in dem die Wasserstoffsperrschicht 460 mit einer vorbestimmten oder ausgewählten Dicke auf einer Innenfläche des Lochs H abgeschieden ist und die Bank 115g eine Innenseite davon füllt, aber die vorliegende Offenbarung ist darauf nicht beschränkt, und die Wasserstoffsperrschicht 160 kann gebildet sein, um die Innenseite des Lochs H zu füllen.
  • In diesem Fall können das Loch H und die Wasserstoffsperrschicht 460 so angeordnet sein, dass sie einen Umfang des aktiven Bereichs AA umgeben, und können beispielsweise eine viereckige Rahmenform aufweisen, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Darüber hinaus ist es vorteilhaft, das Ende der lichtemittierenden Einheit 142 außerhalb des Lochs H und der Wasserstoffsperrschicht 460 zu positionieren. Das heißt, das Loch H und die Wasserstoffsperrschicht 460 können näher am aktiven Bereich AA positioniert sein als das Ende der lichtemittierenden Einheit 142.
  • Die Wasserstoffsperrschicht 460 blockiert den Zufluss von Wasserstoff in den ersten und den zweiten Dünnfilmtransistor 120a und 120b des aktiven Bereichs AA und kann dazu dienen, die Eigenschaften und Zuverlässigkeit des ersten und des zweiten Dünnfilmtransistors 120a und 120b zu verbessern.
  • Ein Material, aus dem die Wasserstoffsperrschicht 460 gebildet ist, kann neben Ti auch Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und dergleichen aufweisen, die eine ausgezeichnete Wasserstoffadsorptionsfähigkeit besitzen.
  • Obwohl in 8 eine Wasserstoffsperrschicht 460 dargestellt ist, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt, und eine Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten 460 kann zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA angeordnet sein.
  • In der vierten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann, da das Loch H in der zweiten Planarisierungsschicht 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA angeordnet ist, die Leitungsverbindung zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA mittels Verwendens einer Zwischenelektrodenschicht anstelle einer Source-/Drainelektrodenschicht hergestellt werden. So kann sich beispielsweise eine erste Zwischenelektrode 426 des aktiven Bereichs AA bis zum GIP-Bereich GA erstrecken und mit einer zweiten Zwischenelektrode 436 elektrisch verbunden sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Indes können das Loch und die Wasserstoffsperrschicht der vorliegenden Offenbarung in einer Mehrzahl vorhanden sein, was unter Bezugnahme auf die 9 und 10 beschrieben wird.
  • 9 ist eine Draufsicht auf eine elektrolumineszente Displayvorrichtung gemäß einer fünften beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • 10 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie IX-IX' aus 9.
  • 10 zeigt einen Querschnitt eines Displays 510 gemäß einer fünften beispielhaften Ausführungsform, die einen Teil eines Gate-in-Panels (GIP) aufweist.
  • Das Display 510 gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die in den 9 und 10 dargestellt ist, unterscheidet sich von dem Display 110 der 3 und 4 nur in Bezug auf die Anzahl der Wasserstoffsperrschichten 560a und 560b und ein Loch H, und andere Konfigurationen davon sind im Wesentlichen die gleichen, und daher wird eine doppelte Beschreibung weggelassen. Die gleichen Bezugsziffern werden für die gleichen Komponenten verwendet.
  • Unter Bezugnahme auf 9 und 10 kann eine Elektrolumineszenz-Displayvorrichtung 500 gemäß der fünften beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Display Panel 510 aufweisen, das einen aktiven Bereich AA und einen nichtaktiven Bereich NA aufweist.
  • In diesem Fall kann, wie oben beschrieben, eine Mehrzahl von Löchern H, die eine Oberfläche der Passivierungsschicht 115d freilegen, in der ersten und der zweiten Planarisierungsschicht 115e und 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA gebildet sein. Wenn die Passivierungsschicht 115d aus einer organischen Schicht gebildet ist, kann die Mehrzahl von Löchern H nicht nur in der ersten und der zweiten Planarisierungsschicht 115e und 115f, sondern auch in einem Teil der Dicke der Passivierungsschicht 115d gebildet sein.
  • Jede der Mehrzahl der Wasserstoffsperrschichten 560a und 560b gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann sowohl auf der zweiten Planarisierungsschicht 115f als auch auf den Innenseiten der Mehrzahl von Löchern H angeordnet sein. Das heißt, die Wasserstoffsperrschichten 560a und 560b werden mit einer vorbestimmten oder ausgewählten Dicke auf den Innenflächen der Mehrzahl von Löchern H der zweiten Planarisierungsschicht 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA abgeschieden, und die Bank 115g kann die Innenseiten der Mehrzahl von Löchern H füllen. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt, und die Wasserstoffsperrschichten 560a und 560b können gebildet werden, um die Innenseite des Lochs H zu füllen. Das heißt, jede der Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten 560a und 560b kann angeordnet werden, um die Innenseiten der Mehrzahl von Löchern H der zweiten Planarisierungsschicht 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA zu füllen.
  • Die Mehrzahl der Wasserstoffsperrschichten 560a und 560b kann eine erste Wasserstoffsperrschicht 560a an ihrer Außenseite und eine zweite Wasserstoffsperrschicht 560b an ihrer Innenseite aufweisen, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt.
  • In diesem Fall können die Mehrzahl von Löchern H und die Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten 560a und 560b so angeordnet sein, dass sie einen Umfang des aktiven Bereichs AA umgeben, und können beispielsweise eine viereckige Rahmenform haben, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Darüber hinaus ist es vorteilhaft, das Ende der lichtemittierenden Einheit 142 außerhalb der Mehrzahl von Löchern H und der Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten 560a und 560b zu positionieren. Das heißt, die Mehrzahl der Löcher H und die Mehrzahl der Wasserstoffsperrschichten 560a und 560b können näher an des aktiven Bereichs AA positioniert sein als das Ende der Lichtemissionseinheit 142.
  • Die Mehrzahl von Löchern H und die Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten 560a und 560b blockieren den Zufluss von Wasserstoff in den ersten und den zweiten Dünnfilmtransistor 120a und 120b des aktiven Bereichs AA und können dazu dienen, die Eigenschaften und die Zuverlässigkeit des ersten und des zweiten Dünnfilmtransistors 120a und 120b zu verbessern.
  • Ein Material, aus dem die Wasserstoffsperrschichten 560a und 560b gebildet sind, kann neben Ti auch Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und dergleichen aufweisen, die eine ausgezeichnete Wasserstoffadsorptionsfähigkeit besitzen.
  • In einem Fall, in dem das Ende der lichtemittierenden Einheit in der Mitte der Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten positioniert ist, kann das Einströmen von Wasserstoff in den Oxid-Dünnfilmtransistor des GIP-Bereichs sowie in den Oxid-Dünnfilmtransistor des aktiven Bereichs blockiert werden, was unter Bezugnahme auf die 11 und 12 beschrieben wird.
  • 11 ist eine Draufsicht auf eine elektrolumineszente Displayvorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • 12 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie XI-XI' aus 11.
  • 12 zeigt einen Querschnitt eines Displays 610 gemäß einer sechsten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die einen Teil eines Gate-in-Panels (GIP) aufweist.
  • Das Display 610 gemäß der sechsten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, die in den 11 und 12 dargestellt ist, unterscheidet sich von dem Display 510 der 9 und 10 nur in Bezug auf die Konfigurationen einer lichtemittierenden Einheit 642 und einer Kathode 643, und andere Konfigurationen davon sind im Wesentlichen gleich, und daher wird eine doppelte Beschreibung weggelassen. Die gleichen Bezugsziffern werden für die gleichen Komponenten verwendet.
  • Unter Bezugnahme auf 11 und 12 kann eine Elektrolumineszenz-Displayvorrichtung 600 gemäß der sechsten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Display 610 aufweisen, das einen aktiven Bereich AA und einen nichtaktiven Bereich NA aufweist.
  • In diesem Fall kann, wie oben beschrieben, eine Mehrzahl von Löchern H, die eine Oberfläche der Passivierungsschicht 115d freilegen, in der ersten und zweiten Planarisierungsschicht 115e und 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA gebildet sein. Wenn die Passivierungsschicht 115d aus einer organischen Schicht gebildet ist, kann die Mehrzahl von Löchern H nicht nur in der ersten und zweiten Planarisierungsschicht 115e und 115f gebildet sein, sondern auch in einem Teil der Dicke der Passivierungsschicht 115d.
  • Jede der Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten 660a und 660b gemäß der sechsten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann sowohl auf der zweiten Planarisierungsschicht 115f als auch auf den Innenseiten der Mehrzahl von Löchern H angeordnet sein. Das heißt, die Wasserstoffsperrschichten 660a und 660b werden mit einer vorbestimmten oder ausgewählten Dicke auf den Innenflächen der Mehrzahl von Löchern H der zweiten Planarisierungsschicht 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA abgeschieden, und die Bank 115g kann die Innenseiten der Mehrzahl von Löchern H füllen. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt, und die Wasserstoffsperrschichten 660a und 660b können so ausgebildet sein, dass sie die Innenseite des Lochs H füllen. Das heißt, jede der Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten 660a und 660b kann so angeordnet werden, dass sie die Innenseiten der Mehrzahl von Löchern H der zweiten Planarisierungsschicht 115f zwischen dem GIP-Bereich GA und dem aktiven Bereich AA füllt.
  • Die Mehrzahl der Wasserstoffsperrschichten 660a und 660b kann eine erste Wasserstoffsperrschicht 660a an ihrer Außenseite und eine zweite Wasserstoffsperrschicht 660b an ihrer Innenseite aufweisen, aber die vorliegende Offenbarung ist darauf nicht beschränkt.
  • In diesem Fall können die Mehrzahl von Löchern H und die Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten 660a und 660b so angeordnet sein, dass sie einen Umfang des aktiven Bereichs AA umgeben, und können beispielsweise eine viereckige Rahmenform haben, sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Darüber hinaus ist die sechste beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass ein Ende der lichtemittierenden Einheit 642 in der Mitte zwischen der Mehrzahl von Löchern H und der Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten 660a und 660b angeordnet ist. Das heißt, das Ende der lichtemittierenden Einheit 642 gemäß der sechsten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann zwischen der ersten Wasserstoffsperrschicht 660a und der zweiten Wasserstoffsperrschicht 660b positioniert sein. In diesem Fall ist es möglich, einen Zufluss von Wasserstoff in den ersten und zweiten Dünnfilmtransistor 120a und 120b des aktiven Bereichs AA sowie den dritten und vierten Dünnfilmtransistor 130a und 130b des GIP-Bereichs GA zu blockieren. Dementsprechend können die Eigenschaften und die Zuverlässigkeit des dritten und vierten Dünnfilmtransistors 130a und 130b des GIP-Bereichs GA sowie des ersten und zweiten Dünnfilmtransistors 120a und 120b des aktiven Bereichs AA verbessert werden.
  • Ein Material, aus dem die Wasserstoffsperrschichten 660a und 660b gebildet sind, kann neben Ti auch Sc, V, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm, U und dergleichen aufweisen, die eine ausgezeichnete Wasserstoffadsorptionsfähigkeit besitzen.
  • Die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können auch wie folgt beschrieben werden:
    • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine elektrolumineszente Displayvorrichtung bereitgestellt. Die elektrolumineszente Displayvorrichtung weist ein Substrat auf, das in einen aktiven Bereich und einen nichtaktiven Bereich unterteilt ist, einen Oxid-Dünnfilmtransistor, der auf dem Substrat angeordnet ist, eine anorganische Schicht, die auf dem Oxid-Dünnfilmtransistor angeordnet ist, eine organische Schicht, die auf der anorganischen Schicht angeordnet ist, mindestens ein Loch, das in der organischen Schicht des nichtaktiven Bereichs angeordnet ist, eine Wasserstoffsperrschicht, die auf der organischen Schicht und einer inneren Oberfläche des Lochs angeordnet ist, und ein lichtemittierendes Element, das auf der organischen Schicht angeordnet ist und eine Anode, eine lichtemittierende Einheit und eine Kathode aufweist.
  • Die elektrolumineszente Displayvorrichtung kann ferner eine Bank aufweisen, die auf der organischen Schicht angeordnet ist, um einen Emissionsbereich zu unterteilen.
  • Das Loch kann mittels Entfernens nur eines Teils der Dicke der organischen Schicht konfiguriert werden.
  • Die Wasserstoffsperrschicht kann so angeordnet werden, dass sie eine vorbestimmte oder ausgewählte Dicke auf einer Innenfläche des Lochs hat, und die Bank kann das restliche Innere des Lochs ausfüllen.
  • Die Wasserstoffsperrschicht kann auf der organischen Schicht und auf der Innenseite des Lochs angeordnet werden.
  • Das Loch kann sich in der organischen Schicht und der Bank befinden, und die Wasserstoffsperrschicht kann das Innere des Lochs ausfüllen.
  • Ein Ende der lichtemittierenden Einheit kann sich außerhalb der Wasserstoffsperrschicht befinden.
  • Die Kathode kann so angeordnet werden, dass sie sich bis in den nichtaktiven Bereich erstreckt und das Ende der lichtemittierenden Einheit abdeckt.
  • Die Wasserstoffsperrschicht kann so angeordnet werden, dass sie den Umfang des aktiven Bereichs umgibt.
  • Die Wasserstoffsperrschicht kann eine Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten aufweisen.
  • Ein Ende der lichtemittierenden Einheit kann in der Mitte der Mehrzahl der Wasserstoffsperrschichten angeordnet sein.
  • Die Mehrzahl der Wasserstoffsperrschichten kann eine erste Wasserstoffsperrschicht an ihrer Außenseite und eine zweite Wasserstoffsperrschicht an ihrer Innenseite aufweisen.
  • Ein Ende der lichtemittierenden Einheit kann zwischen der ersten Wasserstoffsperrschicht und der zweiten Wasserstoffsperrschicht angeordnet sein.
  • Die Wasserstoffsperrschicht kann aus einem der Elemente Ti, Sc, V, Mn, Fe, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm und U gebildet sein.
  • Der nichtaktive Bereich kann einen Gate-in-Panel-Bereich (GIP) aufweisen.
  • Die Wasserstoffsperrschicht kann in dem nichtaktiven Bereich zwischen dem GIP-Bereich und dem aktiven Bereich angeordnet sein.
  • Die Leitungsverbindung zwischen dem GIP-Bereich und dem aktiven Bereich kann durch eine Source-/Drainelektrodenschicht unter der anorganischen Schicht hergestellt sein.
  • Die Leitungsverbindung zwischen dem GIP-Bereich und dem aktiven Bereich kann durch eine Verbindungselektrodenschicht auf der anorganischen Schicht hergestellt werden.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine elektrolumineszente Displayvorrichtung bereitgestellt. Die elektrolumineszente Displayvorrichtung weist ein Substrat auf, das in einen aktiven Bereich und einen nichtaktiven Bereich unterteilt ist, einen Oxid-Dünnfilmtransistor, der auf dem Substrat in dem aktiven Bereich angeordnet ist, eine anorganische Schicht, die auf dem Oxid-Dünnfilmtransistor angeordnet ist, eine organische Schicht, die auf der anorganischen Schicht angeordnet ist, eine Wasserstoffsperrschicht, die in der organischen Schicht des nichtaktiven Bereichs angeordnet ist, ein lichtemittierendes Element, das auf der organischen Schicht angeordnet ist und eine Anode, eine lichtemittierende Einheit und eine Kathode aufweist, und eine Verkapselungsschicht, die auf dem lichtemittierenden Element angeordnet ist, wobei die Wasserstoffsperrschicht von einem Ende der lichtemittierenden Einheit nach innen angeordnet ist, um Wasserstoff, der in der Verkapselungsschicht erzeugt wird, daran zu hindern, durch das Ende der lichtemittierenden Einheit in den aktiven Bereich zu diffundieren.
  • Die Wasserstoffsperrschicht kann aus Ti, Sc, V, Mn, Fe, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm und U gebildet sein.
  • Die Wasserstoffsperrschicht kann von Bestandteilen derselben Schicht oder verschiedener Schichten elektrisch getrennt sein.
  • Die organische Schicht kann aus einer Mehrzahl von organischen Schichten gebildet sein, und die Wasserstoffsperrschicht kann so gestaltet sein, dass sie die mindestens zwei organischen Schichten in vertikaler Richtung kreuzt.
  • Obwohl die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben wurden, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt und kann in vielen verschiedenen Formen ausgeführt werden, ohne vom technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dienen daher nur der Veranschaulichung und sollen das technische Konzept der vorliegenden Offenbarung nicht einschränken. Der Umfang des technischen Konzepts der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Es sollte daher verstanden werden, dass die oben beschriebenen Ausführungsformen in jeder Hinsicht illustrativ sind und die vorliegende Offenbarung nicht einschränken. Der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung sollte auf der Grundlage der folgenden Ansprüche ausgelegt werden, und alle technischen Konzepte in deren Anwendungsbereich sollten so ausgelegt werden, dass sie in den Anwendungsbereich der vorliegenden Offenbarung fallen.
  • Die verschiedenen oben beschriebenen Ausführungsformen können zu weiteren Ausführungsformen kombiniert werden.
  • Diese und andere Änderungen können an den Ausführungsformen im Lichte der obigen detaillierten Beschreibung vorgenommen werden. Im Allgemeinen sollten die in den folgenden Ansprüchen verwendeten Begriffe nicht so ausgelegt werden, dass sie die Ansprüche auf die spezifischen Ausführungsformen beschränken, die in der Beschreibung und den Ansprüchen offenbart sind, sondern sollten so ausgelegt werden, dass sie alle möglichen Ausführungsformen aufweisen. Dementsprechend sind die Ansprüche nicht durch die Offenbarung beschränkt.

Claims (22)

  1. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100), aufweisen: ein Substrat (111), das einen aktiven Bereich (AA) und einen nichtaktiven Bereich (NA) aufweist; einen Oxid-Dünnfilmtransistor (120a, 120b, 130a, 130b), der auf dem Substrat (111) angeordnet ist; eine anorganische Schicht, die auf dem Oxid-Dünnfilmtransistor (120a, 120b, 130a, 130b) angeordnet ist; eine organische Schicht, die auf der anorganischen Schicht angeordnet ist; mindestens ein Loch (H), das in der organischen Schicht des nichtaktiven Bereichs (NA) angeordnet ist; eine Wasserstoffsperrschicht (160; 260; 360; 460; 560a, 560b; 660a, 660b), die auf der organischen Schicht und einer Innenfläche des Lochs (H) angeordnet ist; und ein lichtemittierendes Element (140), das auf der organischen Schicht angeordnet ist und eine Anode (141), eine lichtemittierende Struktur und eine Kathode (143) aufweist.
  2. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 1, ferner aufweisend: eine Bank (115g), die auf der organischen Schicht angeordnet ist, um einen Emissionsbereich zu unterteilen.
  3. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 2, wobei das Loch eine Tiefe (H) aufweist, die geringer ist als die Dicke der organischen Schicht.
  4. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 2 oder 3, wobei die Wasserstoffsperrschicht (160; 260; 360; 460; 560a, 560b; 660a, 660b) so angeordnet ist, dass sie eine ausgewählte Dicke auf einer Innenfläche des Lochs (H) aufweist, und die Bank (115g) einen verbleibenden Teil des Lochs (H) füllt.
  5. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 2 oder 3, wobei die Wasserstoffsperrschicht (160; 260; 360; 460; 560a, 560b; 660a, 660b) auf der organischen Schicht und einer Innenseite des Lochs (H) angeordnet ist.
  6. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 2 oder 3, wobei das Loch (H) in der organischen Schicht und der Bank (115g) angeordnet ist, und die Wasserstoffsperrschicht (160; 260; 360; 460; 560a, 560b; 660a, 660b) eine Innenseite des Lochs (H) ausfüllt.
  7. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei ein Ende der lichtemittierenden Struktur außerhalb der Wasserstoffsperrschicht (160; 260; 360; 460; 560a, 560b; 660a, 660b) angeordnet ist.
  8. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 7, wobei die Kathode (143) angeordnet ist, sich bis zum nichtaktiven Bereich (NA) zu erstrecken, um das Ende der lichtemittierenden Struktur zu bedecken.
  9. Elektrolumineszierende Displayvorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Wasserstoffsperrschicht (160; 260; 360; 460; 560a, 560b; 660a, 660b) angrenzend an einen Umfang des aktiven Bereichs (AA) angeordnet ist.
  10. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Wasserstoffsperrschicht (160; 260; 360; 460; 560a, 560b; 660a, 660b) eine Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten (660a, 660b) aufweist.
  11. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 10, wobei ein Ende der lichtemittierenden Struktur zwischen der Mehrzahl von Wasserstoffsperrschichten (660a, 660b) angeordnet ist.
  12. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 10 oder 11, wobei die Mehrzahl der Wasserstoffsperrschichten (660a, 660b) eine erste Wasserstoffsperrschicht (660a) und eine zweite Wasserstoffsperrschicht (660b) aufweist, wobei die erste Wasserstoffsperrschicht (660a) außerhalb der zweiten Wasserstoffsperrschicht (660b) angeordnet ist.
  13. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 12, wobei ein Ende der lichtemittierenden Struktur zwischen der ersten Wasserstoffsperrschicht (660a) und der zweiten Wasserstoffsperrschicht (660b) angeordnet ist.
  14. Elektrolumineszente Displayvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei die Wasserstoffsperrschicht (160; 260; 360; 460; 560a, 560b; 660a, 660b) eines der Elemente Ti, Sc, V, Mn, Fe, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm und U aufweist.
  15. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei der nichtaktive Bereich (NA) einen Gate-in-Panel (GIP)-Bereich (GA) aufweist.
  16. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 15, wobei die Wasserstoffsperrschicht (160; 260; 360; 460; 560a, 560b; 660a, 660b) in dem nichtaktiven Bereich zwischen dem GIP-Bereich (GA) und dem aktiven Bereich (AA) angeordnet ist.
  17. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 15 oder 16, wobei die Leitungsverbindung zwischen dem GIP-Bereich (GA) und dem aktiven Bereich (AA) in einer Source-/Drainelektrodenschicht (122a; 132a / 123a; 123b; 133a; 133b) unter der anorganischen Schicht angeordnet ist.
  18. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 15 oder 16, wobei die Leitungsverbindung zwischen dem GIP-Bereich (GA) und dem aktiven Bereich (AA) in einer Verbindungselektrodenschicht auf der anorganischen Schicht angeordnet ist.
  19. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100), aufweisend: ein Substrat (111), das einen aktiven Bereich (AA) und einen nichtaktiven Bereich (NA) aufweist; einen Oxid-Dünnfilmtransistor (120a, 120b), der auf dem Substrat im aktiven Bereich (AA) angeordnet ist; eine anorganische Schicht, die auf dem Oxid-Dünnfilmtransistor (120a, 120b) angeordnet ist; eine organische Schicht, die auf der anorganischen Schicht angeordnet ist; eine Wasserstoffsperrschicht (160; 260; 360; 460; 560a, 560b; 660a, 660b), die in der organischen Schicht des nichtaktiven Bereichs (NA) angeordnet ist; ein lichtemittierendes Element (140), das auf der organischen Schicht angeordnet ist und eine Anode (141), eine lichtemittierende Struktur und eine Kathode (143) aufweist; und eine Verkapselungsschicht (150), die auf dem lichtemittierenden Element (140) angeordnet ist, wobei die Wasserstoffsperrschicht (160; 260; 360; 460; 560a, 560b; 660a, 660b) von einem Ende der lichtemittierenden Struktur nach innen positioniert ist und Wasserstoff, der in der Verkapselungsschicht (150) erzeugt wird, daran hindert, durch das Ende der lichtemittierenden Struktur zum aktiven Bereich (AA) zu diffundieren.
  20. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 19, wobei die Wasserstoffsperrschicht (160; 260; 360; 460; 560a, 560b; 660a, 660b) eines der Elemente Ti, Sc, V, Mn, Fe, Pd, Nb, Zr, Y, Ta, Ce, La, Sm und U aufweist.
  21. Elektrolumineszierende Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 19 oder 20, wobei die Wasserstoffsperrschicht (160; 260; 360; 460; 560a, 560b; 660a, 660b) elektrisch von Komponenten der gleichen Schicht oder verschiedener Schichten getrennt ist.
  22. Elektrolumineszente Displayvorrichtung (100) gemäß Anspruch 21, wobei die organische Schicht (150b) eine Mehrzahl von organischen Schichten aufweist, und die Wasserstoffsperrschicht (160; 260; 360; 460; 560a, 560b; 660a, 660b) sich in vertikaler Richtung in die mindestens zwei organischen Schichten erstreckt.
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