CN102412258B - 有机发光二极管显示器及其制造方法 - Google Patents

有机发光二极管显示器及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。OLED显示器包括：基板；有源层和电容器下电极，其位于所述基板上；栅绝缘层，其位于所述有源层和所述电容器下电极上；栅极，其位于栅绝缘层上的与所述有源层对应的位置处；电容器上电极，其位于所述栅绝缘层上的与所述电容器下电极对应的位置处；第一电极，其位置与所述栅极和所述电容器上电极分开；层间绝缘层，其位于所述栅极、所述电容器上电极和所述第一电极上；源极和漏极，其位于所述层间绝缘层上；和堤层，其位于所述源极和漏极上。

Description

有机发光二极管显示器及其制造方法
技术领域
本发明的实施方式涉及有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。
背景技术
近来，随着多媒体技术的发展，平板显示器的重要性随之增强。诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示器(FED)和有机发光二极管(OLED)显示器之类的各种平板显示器已投入实际运用。
在平板显示器之中，液晶显示器具有比阴极射线管更优异的可视性和更低的功耗。另外，OLED显示器具有等于或小于大约1ms的快速响应时间、低功耗和宽视角。因此，具有自发光结构的OLED显示器已被视为下一代显示器。
图1示出了相关技术的OLED显示器。
如图1中所示，缓冲层110位于基板100上，有源层115a和电容器下电极115b位于缓冲层110上，并且用于使有源层115a与电容器下电极115b绝缘的栅绝缘层120位于有源层115a和电容器下电极115b上。栅极130a和电容器上电极130b位于栅绝缘层120上，并且用于使栅极130a与电容器上电极130b绝缘的层间绝缘层135位于栅极130a和电容器上电极130b上。通过接触孔140a和140b与有源层115a连接的源极145a和漏极145b位于层间绝缘层135上，由此构成薄膜晶体管(TFT)。
钝化层150和通过通孔155与漏极145b连接的第一电极160位于TFT上。包括露出第一电极160的开口170的堤层(bank layer)165位于基板100上，并且有机层175位于第一电极160上。间隔体180所处的位置环绕有机层175，并且第二电极185位于基板100上。以此方式，形成具有上述构造的OLED显示器。
可以使用用于形成有源层115a、电容器下电极115b、栅极130a、接触孔140a和140b、源极145a、漏极145b、通孔155、第一电极160、开口170和间隔体180的总共九个掩模来制造相关技术的OLED显示器。
然而，因为是通过大量工艺使用九个掩模来制造相关技术的OLED显示器，所以制造成本高并且产量低。
发明内容
本发明的实施方式提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法，能够减少掩模的数量、降低制造成本并且提高产量和制造良率。
在一个方面，提供了一种OLED显示器，其包括：基板；有源层和电容器下电极，它们位于所述基板上，彼此分开；栅绝缘层，其位于所述有源层和所述电容器下电极上；栅极，其位于所述栅绝缘层上的与所述有源层对应的位置处；电容器上电极，其位于所述栅绝缘层上的与所述电容器下电极对应的位置处；第一电极，其位置与所述栅极和所述电容器上电极分开；层间绝缘层，其位于所述栅极、所述电容器上电极和所述第一电极上；源极和漏极，它们位于所述层间绝缘层上并且连接到所述有源层，所述源极和所述漏极中的一个连接到所述第一电极；堤层，其位于所述源极和所述漏极上，所述堤层露出所述第一电极的一部分；间隔体，其位于所述堤层上；有机层，其位于所述第一电极被露出的部分上；和第二电极，其位于所述有机层上。
在另一个方面，提供了一种OLED显示器，其包括：基板；有源层和硅图案，它们位于所述基板上；位于所述有源层上的第一绝缘图案和位于所述硅图案上的第二绝缘图案；电容器下电极，其位于所述第二绝缘图案上；栅绝缘层，其位于所述第一绝缘图案和所述电容器下电极上；栅极，其位于所述栅绝缘层上的与所述有源层对应的位置处；电容器上电极，其位于所述栅绝缘层上的与所述电容器下电极对应的位置处；第一电极，其位置与所述栅极和所述电容器上电极分开；层间绝缘层，其位于所述栅极、所述电容器上电极和所述第一电极上；源极和漏极，它们位于所述层间绝缘层上并且连接到所述有源层，所述源极和所述漏极中的一个连接到所述第一电极；堤层，其位于所述源极和所述漏极上，所述堤层露出所述第一电极的一部分；间隔体，其位于所述堤层上；有机层，其位于所述第一电极被露出的部分上；和第二电极，其位于所述有机层上。
附图说明
所包括的附图提供对本发明的进一步理解并且并入本说明书中构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式并且与文字描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1示出了相关技术的有机发光二极管(OLED)显示器；
图2是根据本发明的第一实施方式的OLED显示器的剖视图；
图3A至图3K是顺序示出了制造根据本发明的第一实施方式的OLED显示器的方法的各阶段的剖视图；
图4是根据本发明的第二实施方式的OLED显示器的剖视图；和
图5A至图5J是顺序示出了制造根据本发明的第二实施方式的OLED显示器的方法的各阶段的剖视图。
具体实施方式
现在将详细说明本发明的具体实施方式，这些实施方式的示例在附图中示出。只要有可能，将在所有附图中使用相同的附图标记表示相同或类似的部件。应该注意的是，将省略对已知技术的详细描述以免使本发明变得模糊。
在附图中，为了清楚，层、薄膜、面板、区域等的厚度被夸大。应理解的是，当诸如层、薄膜、区域或基板的元件被称为在另一元件上时，其可以直接位于该另一元件上，也可以存在中间的元件。相反，当一元件被称为直接在另一元件上时，则没有中间元件的存在。此外，应该理解，当诸如层、薄膜、区域或基板的元件被称为整个地在另一元件上时，其在该另一元件的整个表面上而不是在该另一元件的边的一部分上。
图2是根据本发明的第一实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器的剖视图。
如图2中所示，在根据本发明的第一实施方式的OLED显示器200中，缓冲层215位于基板210上，并且有源层220a和电容器下电极220b位于缓冲层215上。有源层220a被掺杂有杂质，因此包括源区221和漏区222。电容器下电极220b被掺杂有杂质。
栅绝缘层225位于有源层220a和电容器下电极220b上。栅极230a和电容器上电极230b位于栅绝缘层225上。栅极230a位于与有源层220a对应的位置，并且电容器上电极230b位于与电容器下电极220b对应的位置。栅极230a可以具有金属氧化物图案(金属氧化物材料)231和金属图案(金属图案)232堆叠的两层结构。第一电极230c的位置与栅极230a和电容器上电极230b分开。第一电极230c位于所述栅绝缘层225上。
层间绝缘层235位于栅极230a、电容器上电极230b和第一电极230c上。露出有源层220a的源区221和漏区222的接触孔240和露出第一电极230c的开口241形成在层间绝缘层235中。
源极245a和漏极245b位于层间绝缘层235上。源极245a和漏极245b分别接触有源层220a的源区221和漏区222，并且漏极245b接触第一电极230c。
堤层250和间隔体260位于上面形成了源极245a和漏极245b的基板210上。露出第一电极230c的开口255形成在堤层250中。间隔体260比堤层250的表面更加突出，并且同堤层250形成一体。另外，间隔体260的位置环绕被露出的第一电极230c(或者说在露出的第一电极230c的周围)。
有机层265位于被露出的第一电极230c上。有机层265的一部分位于堤层250在开口255处的侧表面。有机层265可以包括发光层和空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。第二电极270位于包括有机层265的基板210上。以此方式，可以构造根据本发明的第一实施方式的OLED显示器200。
图3A至图3K是顺序示出了制造根据本发明的第一实施方式的OLED显示器的方法中各阶段的剖视图。
如图3A中所示，在由玻璃、塑料或导电材料形成的基板310上形成缓冲层315。缓冲层315防止基板310的表面中存在的杂质在随后的非晶硅层的激光晶化工艺中涌出或释放，并且防止杂质扩散到非晶硅层中。可以使用硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)或其堆叠形成缓冲层315。其它的材料也可以用于缓冲层315。
在缓冲层315上沉积非晶硅层317。随后，执行激光晶化工艺，将激光照射到非晶硅层317上。可以通过准分子退火(ELA)方法执行激光晶化工艺。因此，非晶硅层317晶化形成多晶硅层。
接着，如图3B中所示，使用第一掩模对多晶硅层进行构图，以形成有源层320a和电容器下电极320b。
接着，如图3C中所示，在包括有源层320a和电容器下电极320b的基板310上形成栅绝缘层325。可以使用硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)或其堆叠形成栅绝缘层325。其它的材料也可以用于栅绝缘层325。
随后，在栅绝缘层325上顺序堆叠金属氧化物层330和金属层335。金属氧化物层330可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)形成。金属层335可以是由铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)或其合金形成的单层或者是由Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti形成的多层。其它的材料也可以用于金属层335。
接着，使用旋涂法等，在包括金属氧化物层330和金属层335的基板310上涂覆第一感光层340。第一感光层340可以是正型光刻胶。因此，当光入射到第一感光层340上时，第一感光层340可以是随后分解并去除的材料。
随后，将第一半色调掩模350对齐上面形成了第一感光层340的基板310，第一半色调掩模350包括透光部分351、半透光部分352和挡光部分353。然后，将紫外光照射到第一半色调掩模350上。
接着，如图3D中所示，用第一半色调掩模350使用衍射曝光技术，将第一感光图案355和第二感光图案356显影，以形成各具有不同厚度的第一感光图案355和第二感光图案356。
更具体地说，将衍射曝光技术应用于包括透光部分351、半透光部分352和挡光部分353的第一半色调掩模350。因此，第一感光层340中与挡光部分353相对的那部分没有被去除而是保留下来形成第一感光图案355。另外，第一感光层340中与半透光部分352相对的那部分发生衍射，从而由于半透光部分352所透射的光而形成第二感光图案356，第二感光图案356的厚度等于或小于第一感光图案355的厚度的大约1/2。另外，第一感光层340中与透光部分351相对的那部分被显影、分解并完全去除。因此，露出金属层335的表面。
第一感光图案355形成在随后将形成栅极的区域中。第二感光图案356形成在随后将形成电容器上电极和第一电极的区域中。
接着，如图3E中所示，使用第一感光图案355和第二感光图案356蚀刻金属氧化物层330和金属层335，以形成金属氧化物图案和金属图案。随后，执行灰化工艺，以去除第二感光图案356并且第一感光图案355的厚度减小第二感光图案356的被去除的厚度那么多。
随后，使用能够不蚀刻金属氧化物层330而蚀刻金属层335的蚀刻剂，只蚀刻第二感光图案356的去除区域中的金属层335，以形成电容器上电极365和第一电极367。
剥离并去除保留在基板310上的第一感光图案355。因此，如图3F所示，形成了栅极360。
因此，如图3F中所示，在栅绝缘层325上形成具有金属氧化物图案(金属氧化物材料)361和金属图案(金属材料)362的堆叠的栅极360。形成均只包括金属氧化物图案361的电容器上电极365和第一电极367。
随后，用杂质掺杂基板310。在这种情形下，使用栅极360作为掩模，用杂质掺杂有源层320a的两侧。因此，形成有源层320a的源极321和漏极322。另外，用杂质掺杂电容器上电极365和电容器下电极320b。
接着，如图3G中所示，在掺杂有杂质的基板310上，形成层间绝缘层370。可以使用硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)或其堆叠形成层间绝缘层370。其它材料也可以用于形成层间绝缘层370。
随后，使用第二掩模对层间绝缘层370进行构图，以形成露出有源层320a的源区321和漏区322的接触孔375并形成露出第一电极370的开口376。
接着，如图3H中所示，在基板310上沉积导电层并且使用第三掩模对导电层构图，以形成源极380a和漏极380b。在这种情形下，源极380a和漏极380b分别通过接触孔375接触有源层320a的源区321和漏区322。另外，漏极380b接触第一电极367。
源极380a和漏极380b中的每个都可以是由铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)或其合金形成的单层。另选地，源极380a和漏极380b中的每个可以是由Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti形成的多层。其它材料也可以用于形成源极380a和漏极380b。
随后，使用旋涂法，在包括源极380a和漏极380b的基板310上涂覆第二感光层390。第二感光层390可以由与第一感光层340的材料相同的材料形成。
随后，将第二半色调掩模380对齐上面形成了第二感光层390的基板310，第二半色调掩模380包括透光部分381、半透光部分382和挡光部分383。然后，将紫外光照射到第二半色调掩模380上。在这种情形下，挡光部分383对齐要形成间隔体的区域，半透光部分382对齐要形成堤层的区域，并且透光部分381对齐第一电极367的形成区域。
接着，如图3I中所示，使用衍射曝光技术将第二感光层390显影，以形成堤层391和间隔体392。
更具体地说，将衍射曝光技术应用于包括透光部分381、半透光部分382和挡光部分383的第二半色调掩模380。因此，第二感光层390中与挡光部分383相对的那部分没有被去除而是保留下来形成间隔体392。另外，第二感光层390中与半透光部分382相对的那部分发生衍射，从而由于半透光部分382所透射的光而形成堤层391，堤层391的厚度小于间隔体392的厚度(例如等于或小于间隔体392的厚度的大约1/2)。另外，第二感光层390中与透光部分381相对的那部分被显影、分解并完全去除，以形成露出第一电极367表面的开口393。
结果，如图3I中所示，堤层391和间隔体392同时形成并且可以形成一体。
接着，将上面形成了堤层391和间隔体392的基板310放入真空室内，并且将遮蔽掩模394对齐基板310。在这种情况下，遮蔽掩模394对齐间隔体392。
如图3J中所示，在基板310上沉积有机材料，以在第一电极367上形成有机层395。有机层395可以包括发光层和空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
接着，如图3K中所示，在基板310上沉积金属材料以形成第二电极396。第二电极396可以由具有低线性电阻和低工作函数(work function)的镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、钙(Ca)或其合金形成。其它材料也可以用于形成第二电极396。
以此方式，制造出根据本发明的第一实施方式的OLED显示器。
如上所述，与总共使用九个掩模制造的相关技术的OLED显示器相比，可以使用包括第一掩模、第二掩模和第三掩模以及第一半色调掩模和第二半色调掩模的总共五个掩模来制造根据本发明的第一实施方式的OLED显示器。因此，与相关技术的OLED显示器相比，根据本发明的第一实施方式的OLED显示器可以减少四个掩模的使用。结果，可以降低制造成本并且可以提高产量和制造良率。
图4是根据本发明的第二实施方式的OLED显示器的剖视图。
如图4中所示，在根据本发明的第二实施方式的OLED显示器500中，缓冲层515位于基板510上，并且有源层520a和硅图案520b位于缓冲层515上。有源层520a掺杂有杂质，因此包括源区521和漏区522。
第一绝缘图案523a位于有源层520a上，并且第二绝缘图案523b位于硅图案520b上。电容器下电极526位于第二绝缘图案523b上。
栅绝缘层530位于第一绝缘图案523a和电容器下电极526上。栅极535a和电容器上电极535b位于栅绝缘层530上。栅极535a位于与有源层520a对应的位置，并且电容器上电极535b位于与电容器下电极526对应的位置。栅极535a可以具有第一金属氧化物图案(金属氧化物材料)531和第一金属图案(金属材料)532堆叠的两层结构。电容器上电极535b可以具有第二金属氧化物图案(金属氧化物材料)536和第二金属图案(金属材料)537堆叠的两层结构。
第一电极535c所处的位置与栅极535a和电容器上电极535b分开。第一电极535c可以具有第三金属氧化物图案(金属氧化物材料)538和第三金属图案(金属材料)539堆叠的两层结构，第三金属图案539位于第三金属氧化物图案538的一个边缘处。
层间绝缘层540位于栅极535a、电容器上电极535b和第一电极535c上。
层间绝缘层540包括露出有源层520a的源区521和漏区522的接触孔541和露出第一电极535c的开口542。
源极545a和漏极545b位于层间绝缘层540上。源极545a和漏极545b分别接触有源层520a的源区521和漏区522，并且漏极545b接触第一电极535c。
堤层550和间隔体557位于上面形成了源极545a和漏极545b的基板510上。堤层550包括露出第一电极535c的开口555。间隔体557比堤层550的表面更加突出，并且与堤层550形成一体。另外，间隔体557所处的位置环绕被露出的第一电极535c。
有机层560位于被露出的第一电极535c上。有机层560的一部分位于堤层550的开口555处的侧表面。有机层560可以包括发光层和空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。第二电极570位于包括有机层560的基板510上。以此方式，形成了根据本发明的第二实施方式的OLED显示器500。
图5A至图5J是顺序示出了制造根据本发明的第二实施方式的OLED显示器的方法中各阶段的剖视图。
如图5A中所示，在由玻璃、塑料或导电材料形成的基板610上形成缓冲层615。缓冲层615防止基板610的表面中存在的杂质在随后的非晶硅层的激光晶化工艺中涌出或释放，并且防止杂质扩散到非晶硅层中。可以使用硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)或其堆叠形成缓冲层615。其它材料也可以用于形成缓冲层615。
在缓冲层615上沉积非晶硅层620a。随后，执行激光晶化工艺，将激光照射到非晶硅层620a上。可以通过准分子退火(ELA)方法执行激光晶化工艺。因此，非晶硅层620a晶化形成多晶硅层620b。
接着，如图5B中所示，在多晶硅层620b上堆叠第一绝缘层625并且在第一绝缘层625上堆叠第一金属层630。第一绝缘层625可以由硅的氧化物(SiOx)或硅的氮化物(SiNx)形成，并且第一金属层630可以由铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)或其合金形成。其它材料也可以用于形成第一绝缘层625。并且，其它材料也可以用于形成第一金属层630。
接着，使用旋涂法等，在包括第一绝缘层625和第一金属层630的基板610上涂覆第一感光层635。第一感光层635可以是正型光刻胶。因此，当光入射到第一感光层635上时，第一感光层635可以是随后分解并去除的材料。
随后，将第一半色调掩模640对齐上面形成了第一感光层635的基板310，第一半色调掩模640包括透光部分641、半透光部分642和挡光部分643。然后，将紫外光照射到第一半色调掩模640上。
接着，如图5C中所示，使用衍射曝光技术，将第一半色调掩模640显影，以形成各具有不同厚度的第一感光图案645和第二感光图案646。
更具体地说，将衍射曝光技术应用于包括透光部分641、半透光部分642和挡光部分643的第一半色调掩模640。因此，第一感光层635中与挡光部分643相对的那部分没有被去除而是保留下来形成第一感光图案645。另外，第一感光层635中与半透光部分642相对的那部分发生衍射，从而由于半透光部分642所透射的光而形成第二感光图案646，第二感光图案646的厚度等于或小于第一感光图案645的厚度的大约1/2。另外，第一感光层635中与透光部分641相对的那部分被显影、分解并完全去除。因此，露出金属层630的表面。
第一感光图案645形成在随后将形成电容器下电极的区域中。第二感光图案646形成在随后将形成有源层的区域中。
接着，如图5D中所示，使用第一感光图案645和第二感光图案646蚀刻多晶硅层620b、第一绝缘层625和第一金属层630，以形成有源层651a、有源层651a上的第一绝缘图案652a、第一绝缘图案652a上的第一金属图案653a、硅图案651b、硅图案651b上的第二绝缘图案652b和第二绝缘图案652b上的电容器下电极653b。
随后，执行灰化工艺，以去除第二感光图案646并且将第一感光图案645厚度减小去除的第二感光图案646的厚度那么多。
接着，如图5E中所示，使用蚀刻剂来蚀刻第二感光图案646的去除区域中的第一金属图案653a并且将其去除。剥离并去除保留在基板610上的第一感光图案645。
因此，在缓冲层615上形成有源层651a，在有源层651a上形成第一绝缘图案652a，在缓冲层615上形成硅图案651b，在硅图案651b上形成第二绝缘图案652b，并且在第二绝缘图案652b上形成电容器下电极653b。
接着，如图5F中所示，在基板610上形成栅绝缘层660。可以使用硅的氧化物(SiOx)、硅的氧化物(SiNx)或其堆叠形成栅绝缘层660。其它材料也可以用于栅绝缘层660。
随后，在栅绝缘层660上顺序堆叠金属氧化物层和第二金属层，并且使用第一掩模对金属氧化物层和第二金属层进行构图，以形成栅极670a、电容器上电极670b和第一电极670c。
金属氧化物层可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)形成。第二金属层可以是由铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)或其合金形成的单层或者是由Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti形成的多层。其它材料也可以用于金属氧化物层。此外，其它材料也可以用于第二金属层。
因此，栅极670a具有第一金属氧化物图案(第一金属氧化物材料)671和第二金属图案(第二金属材料)672的堆叠，电容器上电极670b具有第二金属氧化物图案(第二金属氧化物材料)673和第三金属图案(第三金属材料)674的堆叠，并且第一电极670c具有第三金属氧化物图案(第三金属氧化物材料)675和第四金属图案(第四金属材料)676的堆叠。
随后，用杂质掺杂基板610。在这种情形下，使用栅极670作为掩模，用杂质掺杂有源层651a的两侧。因此，形成有源层651a的源极656和漏极657。
接着，如图5G中所示，在掺杂有杂质的基板610上，形成层间绝缘层680。可以使用硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)或其堆叠形成层间绝缘层680。其它材料也可以用于层间绝缘层680。
随后，使用第二掩模对层间绝缘层680进行构图，以形成露出有源层651a的源区656和漏区657的接触孔681并形成露出第一电极670c的开口682。
接着，如图5H中所示，在基板610上沉积导电层并且使用第三掩模对导电层进行构图，以形成源极685a和漏极685b。在这种情形下，源极685a和漏极685b分别通过接触孔681接触有源层651a的源区656和漏区657。另外，漏极685b接触第一电极670c。
在使用第三掩模对导电层进行构图的工艺中，第一电极670c的第四金属图案676被构图并且只位于第三金属氧化物图案675的一个边缘处。另外，漏极685b接触第一电极670c的第四金属图案676。
源极685a和漏极685b中的每个可以是由铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)或其合金形成的单层。另选地，源极685a和漏极685b中的每个可以是由Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti形成的多层。其它材料也可以用于源极685a和漏极685b中的每一个。
随后，使用旋涂法，在包括源极685a和漏极685b的基板610上涂覆第二感光层700。第二感光层700可以由与第一感光层635的材料相同的材料形成。
随后，将第二半色调掩模690对齐上面形成了第二感光层700的基板610，第二半色调掩模690包括透光部分691、半透光部分692和挡光部分693。然后，将紫外光照射到第二半色调掩模690上。在这种情形下，挡光部分693对齐要形成间隔体的区域，半透光部分692对齐要形成堤层的区域，并且透光部分691对齐第一电极670c的形成区域。
接着，如图5I中所示，使用衍射曝光技术将第二半色调掩模690显影，以形成堤层710和间隔体715。
更具体地说，将衍射曝光技术应用于包括透光部分691、半透光部分692和挡光部分693的第二半色调掩模690。因此，第二感光层700中与挡光部分693相对的那部分没有被去除而是保留下来形成间隔体715。另外，第二感光层700中与半透光部分692相对的那部分发生衍射，从而由于半透光部分692所透射的光而形成堤层710，堤层710的厚度小于间隔体715的厚度(例如等于或小于间隔体715的厚度的大约1/2)。另外，第二感光层700中与透光部分691相对的那部分被显影、分解并完全去除，以形成露出第一电极670c表面的开口717。
结果，如图5I中所示，堤层710和间隔体715同时形成并且可以形成一体。
接着，将上面形成了堤层710和间隔体715的基板610放入真空室内，并且将遮蔽掩模720对齐基板610。在这种情形下，遮蔽掩模720对齐间隔体715。
如图5J中所示，在基板610上沉积有机材料，以在第一电极670c上形成有机层730。有机层730可以包括发光层和空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
接着，在基板610上沉积金属材料以形成第二电极740。第二电极740可以由具有低线性电阻和低工作函数的镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、钙(Ca)或其合金形成。其它材料也可以用于第二电极740。
以此方式，制造出根据本发明的第二实施方式的OLED显示器。
如上所述，与总共使用九个掩模制造的相关技术的OLED显示器相比，可以使用包括第一掩模、第二掩模和第三掩模以及第一半色调掩模和第二半色调掩模的总共五个掩模来制造根据本发明的第二实施方式的OLED显示器。因此，与相关技术的OLED显示器相比，根据本发明的第二实施方式的OLED显示器可以减少四个掩模的使用。结果，可以降低制造成本并且可以提高产量和制造良率。
虽然已参照实施方式的多个示例性实施方式描述了实施方式，但是应该理解，本领域的技术人员可以设想出将落入本公开的原理范围内的众多其它的修改形式和实施方式。更具体地说，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内，可以对主题组合布置的组件部件和/或布置进行各种变化和修改。除了对组件部件和/或布置的变形和修改之外，另选的使用对于本领域的技术人员来说也将是清楚的。
本专利申请要求2010年9月20日提交的韩国专利申请第10-2010-0092419号和第10-2010-0092420号的优先权，这些专利申请的全文出于所有目的以引用方式并入本文。

Claims (8)

1.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：
在基板上形成有源层和电容器下电极；
在所述有源层和所述电容器下电极上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上顺序堆叠金属氧化物层和金属层，在所述金属层上涂覆第一感光层，并且使用第一半色调掩模对所述第一感光层进行构图以形成各具有不同厚度的第一感光图案和第二感光图案，蚀刻所述金属氧化物层和所述金属层以形成栅极图案、电容器上电极图案和第一电极图案，对所述第一感光图案和所述第二感光图案进行灰化以减小所述第一感光图案的厚度并且去除所述第二感光图案，蚀刻由于去除所述第二感光图案而被露出的所述电容器上电极的金属层和所述第一电极图案的金属层，以形成所述电容器上电极和所述第一电极并且去除所述第一感光图案以形成栅极、电容器上电极和第一电极；
在所述栅极、所述电容器上电极和所述第一电极上形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成源极和漏极；
在所述源极和所述漏极上涂覆第二感光层，并且使用第二半色调掩模对所述第二感光层进行构图，以形成堤层和间隔体；
在所述第一电极上形成有机层；和
在所述有机层上形成第二电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述有源层和所述电容器下电极的步骤包括：
在所述基板上形成非晶硅层；
将激光照射到所述非晶硅层上，并且将所述非晶硅层晶化以形成多晶硅层；和
对所述多晶硅层进行构图。
3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在形成所述栅极、所述电容器上电极和所述第一电极之后，用杂质掺杂所述有源层和所述电容器下电极。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述堤层和所述间隔体的步骤包括：
涂覆所述第二感光层；
将所述第二半色调掩模对齐所述第二感光层并且曝光所述第二感光层；和
将被曝光的所述第二感光层显影，以形成所述堤层和所述间隔体。
5.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：
在基板上顺序形成多晶硅层、绝缘层和第一金属层；
在所述基板上涂覆第一感光层并且使用第一半色调掩模对所述第一感光层进行构图，以形成有源层和硅图案，同时在所述有源层上形成第一绝缘图案，在所述硅图案上形成第二绝缘图案并且在所述第二绝缘图案上形成电容器下电极；
在所述有源层和所述电容器下电极上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上顺序堆叠金属氧化物层和第二金属层，并且对所述金属氧化物层和所述第二金属层进行构图，以形成具有堆叠的第一金属氧化物材料和第二金属材料的栅极、具有堆叠的第二金属氧化物材料和第三金属材料的电容器上电极和具有堆叠的第三金属氧化物材料和第四金属材料的第一电极；
在所述栅极、所述电容器上电极和所述第一电极上形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上堆叠第三金属层，并且对所述第三金属层进行构图以形成源极和漏极，同时对所述第一电极上形成的所述第四金属材料进行构图；
在所述源极、所述漏极和所述第一电极上涂覆第二感光层，并且使用第二半色调掩模对所述第二感光层构图以形成堤层和间隔体；
在所述第一电极上形成有机层；和
在所述有机层上形成第二电极。
6.根据权利要求5所述的方法，其中顺序形成所述多晶硅层、所述绝缘层和所述第一金属层的步骤包括：
在所述基板上形成非晶硅层；
将激光照射到所述非晶硅层上将所述非晶硅层晶化以形成所述多晶硅层；和
在所述多晶硅层上形成所述绝缘层；和
在所述绝缘层上形成所述第一金属层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述有源层和所述硅图案并且同时在所述有源层上形成所述第一绝缘图案，在所述硅图案上形成所述第二绝缘图案并且在所述第二绝缘图案上形成所述电容器下电极的步骤包括：
在所述第一金属层上涂覆所述第一感光层，并且使用所述第一半色调掩模对所述第一感光层构图，以形成各具有不同厚度的第一感光图案和第二感光图案；
蚀刻所述多晶硅层、所述绝缘层和所述第一金属层，以形成所述有源层、所述硅图案、所述有源层上的所述第一绝缘图案、所述硅图案上的所述第二绝缘图案、所述第一绝缘图案上的所述第二金属材料和所述第二绝缘图案上的所述电容器下电极；
对所述第一感光图案和所述第二感光图案进行灰化，以减小所述第一感光图案的厚度并且去除所述第二感光图案；
通过去除所述第二感光图案露出所述第一金属层的位于所述第一绝缘图案上的保留部分并且蚀刻所述金属层的所述保留部分；和
去除所述第一感光图案。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述堤层和所述间隔体的步骤包括：
涂覆所述第二感光层；
将所述第二半色调掩模对齐所述第二感光层并且曝光所述第二感光层；和
将被曝光的所述第二感光层显影，以形成所述堤层和所述间隔体。
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