DE102010036187A1 - Eingekapselte, fotovoltaische Konzentrations-System-Subanordnung für III-V Halbleitersolarzellen - Google Patents
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Abstract
Description
- Gebiet der Erfindung
- Die Erfindung bezieht sich auf eine Solarzellen-Subanordnung zur Verwendung in einem fotovoltaischen Konzentrations-System und insbesondere bezieht sich die Erfindung auf einen eingekapselten Solarzellenempfänger einschließlich einer Solarzelle, einem metallisierten Keramiksubstrat und einem optischen Konzentrationselement.
- Hintergrund
- In der Vergangenheit wurde Solarleistung (sowohl im Weltraum als auch terrestrisch) vorherrschend durch Siliziumsolarzellen geliefert. In den letzten Jahren jedoch hatte die hochvolumige Herstellung von hocheffizienten III-V Verbindungshalbleiter-Multijunction-Solarzellen für Raumanwendungen es ermöglicht, diese alternative Technologie für terrestrische Leistungserzeugung in Betracht zu ziehen. Verglichen mit Silizium sind III-V Verbindungshalbleiter-Multijunction-Solarzellen im Allgemeinen strahlungsbeständiger und besitzen eine höhere Energieumwandlungseffizienz, aber sie haben die Tendenz bei der Herstellung größere Kosten zu verursachen. Einige derzeit verfügbare III-V Verbindungshalbleiter-Multijunction-Zellen besitzen Energieeffizienzen, die 27% übersteigen, wohingegen Siliziumtechnologien im Allgemeinen nur ungefähr 17% Effizienz erreichen. Bei Konzentration besitzen einige der derzeitig verfügbaren III-V Verbindungshalbleiter-Multijunction-Zellen Energieeffizienzen die 37% übersteigen.
- Allgemein gesagt gilt Folgendes: die Multijunction-Zellen sind von einer n-auf-p Polarität und bestehen aus einem vertikalen Stapel von In-GaP/(In)GaAs/Ge Halbleiterstrukturen. Die III-V Verbindungshalbleiter-Multijunction-Solarzellenschichten werden typischerweise über die metallorganische chemische Dampfabscheidung (MOCVD = metal-organic chemical vapor deposition) auf Germanium (Ge)-Substraten aufgewachsen. Die Verwendung des Ge-Substrats gestattet die Ausbildung eines Übergangs (junction) zwischen n- und p-Typ Ge, wodurch das Substrat verwendet wird zur Bildung der unteren oder einen niedrigen Bandabstand aufweisenden Subzelle. Die Solarzellenstrukturen werden typischerweise auf 100 mm Durchmesser Ge-Wafer aufgewachsen, und zwar mit einer durchschnittlichen Massendichte von ungefähr 86 mg/cm2. In einigen Prozessen ist die Epitaxialschichtgleichförmigkeit besser als 99,5% und zwar über eine Platte hinweg, die 12 oder 13 Ge-Substrate während des MOCVD-Wachstumprozesses enthält. Die Epitaxialwafer können darauffolgend in fertige Solarzellenvorrichtungen verarbeitet werden und zwar durch automatisierte roboterartige Fotolithographie, Metallisierung, chemische Reinigung und Ätzung, Antireflektions-(AR)Beschichtung, Würfelbildung (dicing) und Testverfahren. Die n- und p-Kontaktmetallisierung weist typischerweise vorherrschend Ag auf, und zwar mit einer dünnen Au-Kappenschicht um das Ag gegenüber Oxidation zu schützen. Die AR-Beschichtung ist eine Dualschicht TiO/Al2O3 dielektrischer Stapel, dessen spektrale Reflektionscharakteristika ausgelegt sind um die Reflektion zu minimieren und zwar an dem Abdeckglas-Zwischenverbindungszellen(CIC = cover glass-interconnect-cell)- oder dem Solarzellenanordnungs(SCA = solar cell assembly)-Niveau und um auch die ”end-of-life(EOL)-Performance der Zellen zu maximieren.
- Bei einigen Verbindungshalbleiter-Multijunction-Zellen ist die mittlere Zelle eine InGaAs-Zelle, im Gegensatz zu einer GaAs-Zelle. Die Indiumkonzentration kann im Bereich von ungefähr 1,5% für die InGa-As-Mittelzelle liegen. In einigen Implementierungen zeigt eine solche Anordnung eine erhöhte Effizienz. Der Vorteil bei der Verwendung von InGaAs-Schichten besteht darin, dass die Schichten wesentlich besser an das Ge-Substratgitter angepasst sein können.
- Zusammenfassung
- Gemäß einem Ausführungsbeispiel weist eine Solarzellen-Subanordnung zur Umwandlung von Solarenergie in Elektrizität ein optisches Element auf, welches einen optischen Kanal definiert, wobei ein Solarzellenempfänger Folgendes aufweist:
einen Träger; eine Solarzelle angebracht auf dem Träger benachbart zum optischen Element und in dem optischen Pfad des optischen Kanals, wobei die Solarzelle eine oder mehrere III-V-Verbindungshalbleiterschichten aufweist und in der Lage ist, oberhalb von 20 Watt Gleichstromspitzenleistung zu erzeugen; und eine Einkapselung, die den Träger, die Solarzelle und mindestens einen Teil der äußeren Seite des optischen Elements abdeckt. - Gemäß einem weiteren Aspekt sieht die Erfindung ein Verfahren vor zur Herstellung eines Solarzellenempfängers, wobei Folgendes vorgesehen ist: Vorsehen eines Trägers; Anbringen einer Solarzelle auf dem Träger, wobei die Solarzelle eine oder mehrere III-V-Verbindungshalbleiterschichten aufweist und in der Lage ist, oberhalb von 20 Watt Gleichstromspitzenleistung zu erzeugen; Anbringen eines optischen Elements, welches einen optischen Kanal definiert, über der Solarzelle derart, dass die Solarzelle in dem optischen Pfad des optischen Kanals angeordnet ist; und Einkapseln des Trägers, der Solarzelle und mindestens eines Teils der Außenseiten des optischen Elements.
- Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obigen Merkmale und Vorteile beschränkt. Der Fachmann erkennt zusätzliche Merkmale und Vorteile beim Lesen der folgenden detaillierten Beschreibung und bei Betrachtung der beigefügten Zeichnungen.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
1 ist eine perspektivische Teil-Explosionsansicht eines Ausführungsbeispiels eines Solarzellenempfängers mit einer Solarzelle, einem metallisierten Keramiksubstrat und einer Wärmefalle. -
2 zeigt die Solarzelle und das metallisierte Keramiksubstrat der1 im einzelnen. -
3 ist eine Querschnittsansicht der Solarzelle, des metallisierten Keramiksubstrats und der in1 gezeigten Wärmefalle. -
4 ist eine Querschnittsansicht der Solarzelle, des metallisierten Keramiksubstrats und der Wärmefalle gemäß3 und zwar nach dem Anbringen des optischen Konzentrationselements und der Einkapselung. - Detaillierte Beschreibung
- Einzelheiten der vorliegenden Erfindung werden nunmehr beschrieben und zwar einschließlich von exemplarischen Aspekten und Ausführungsbeispielen derselben. Wenn im Folgenden auf die Zeichnungen und die Beschreibung Bezug genommen wird, so sei bemerkt, dass die gleichen Bezugszeichen verwendet werden, um gleiche oder funktionsmäßig ähnliche Elemente zu bezeichnen, und es ist beabsichtigt, Hauptmerkmale von exemplarischen Ausführungsbeispielen zu veranschaulichen und zwar in einer stark vereinfachten schematischen Art und Weise. Darüber hinaus sind die Zeichnungen nicht dazu vorgesehen, jedes Merkmals des tatsächlichen Ausführungsbeispiels darzustellen, noch die relativen Dimensionen der dargestellten Elemente, wobei diese nicht maßstabsgerecht gezeichnet sind.
- Solarzellenempfänger weisen eine Solarzelle auf, und zwar zur Umwandlung von Solarenergie in Elektrizität. Die hier beschriebenen verschiedenen Implementierungen verwenden eine Triple-Junction III-V-Verbindungshalbeiter-Solarzelle, wobei aber Solarzellen anderer Art verwendet werden könnten, abhängig von dem Anwendungsfall. Solarzellenempfänger enthalten oftmals zusätzliche Komponenten, beispielsweise Verbindungen oder Verbinder zur Kopplung mit einer Ausgangsvorrichtung oder zu anderen Solarzellenempfängern.
- In einigen Anwendungsfällen kann ein Solarzellenempfänger als Teil eines Solarzellenmoduls implementiert sein. Ein Solarzellenmodul kann einen Solarzellenempfänger aufweisen und eine Linse, gekoppelt mit dem Solarzellenempfänger. Die Linse wird dazu verwendet, um das empfangene Licht auf den Solarzellenempfänger zu fokussieren. Infolge der Verwendung einer Linse wird eine größere Konzentration der Solarenergie durch den Solarzellenempfänger erreicht. Bei einigen Implementierungen ist die Linse geeignet, die Solarenergie um einen Faktor von 400 oder mehr zu konzentrieren. Beispielsweise, bei 500-Sonnenkonzentration (500 sun) erzeugt 1 cm2 von Solarzellenfläche die gleiche elektrische Leistung wie 500 cm2 von Solarzellenfläche, die es ohne Konzentration tun würden. Die Verwendung der Konzentration gestattet daher die Substitution von kosteneffektiven Materialien, wie beispielsweise Linsen und Spiegeln für das teurere Halbleiterzellenmaterial. Zwei oder mehrere Solarzellenmodule können in einer Anordnung zusammengruppiert werden. Diese Anordnungen werden manchmal als ”Panele” oder ”Solarpanele” bezeichnet.
-
1 veranschaulicht eine Solarzellenempfänger100 mit einer Solarzelle102 . In einem Ausführungsbeispiel ist die Solarzelle102 eine Triple-Junction III-V-Verbindungshalbleiter-Solarzelle, die Folgendes aufweist: eine obere Zelle, eine mittlere Zelle und eine untere oder Bodenzelle und zwar angeordnet in Serie. In einem anderen Ausführungsbeispiel ist die Solarzelle102 eine Multijunction-Solarzelle mit n-auf-p Polarität und aus InGaP/(In)GaAs III-V Verbindungen auf einem Ge-Substrat. In jedem Falle ist die Solarzelle102 derart positioniert, dass sie fokussierte Solarenergie von einem sekundären optischen Element104 empfängt. - Das sekundäre optische Element
104 ist zwischen der Solarzelle102 und einem primären Fokussierelement (nicht gezeigt), wie beispielsweise einer Linse positioniert. Das sekundäre optische Element104 ist im Allgemeinen derart ausgelegt, dass Solarenergie gesammelt wird und zwar konzentriert durch die entsprechende Linse zu der Oberseite oder Oberfläche der Solarzelle102 hin. Das sekundäre optische Element104 weist eine Eintrittsöffnung105 auf, die Lichtstrahlen von der entsprechenden Linse empfängt und ferner eine Austrittsöffnung107 , die Lichtstrahlen zur Solarzelle102 sendet. Das sekundäre optische Element104 weist eine Zwischenregion oder Zwischenzone112 auf, und zwar zwischen den Öffnungen105 ,107 . Bei idealen Bedingungen fokussiert die Linse, assoziiert mit dem sekundären optischen Element104 , das Licht direkt auf die Solarzelle102 , ohne dass das Licht gegen das sekundäre optische Element104 auftrifft. - In den meisten Fällen fokussiert die Linse das Licht nicht direkt auf die Solarzelle
102 . Dies kann verschiedene Ursachen haben, und zwar einschließlich der Ursache, aber nicht beschränkt auf diese, dass eine chromatische Aberration der Brechungslinsenkonstruktion auftritt, eine Fehlausrichtung der Solarzelle102 bezüglich der Linse während der Konstruktion, eine Fehlausrichtung während des Betriebs infolge eines Nachführfehlers, baulicher Verbiegung und Windbelastung. Somit fokussiert unter den meisten Bedingungen die Linse das Licht derart, dass es von dem sekundären optischen Element104 reflektiert wird. Die Differenz zwischen einem idealen Aufbau und einem fehlerlastigen Aufbau kann eine kleine Variation hinsichtlich der Positionierung der Linse von weniger als 1° sein. - Das sekundäre optische Element
104 arbeitet daher als Lichtüberlaufmittel (light spill catcher) um zu bewirken, dass mehr Licht die Solarzelle102 erreicht, und zwar unter Umständen wenn die entsprechende Linse Licht nicht direkt auf die Solarzelle102 fokussiert. Das sekundäre optische Element104 kann eine reflektierende Mehrschichtzwischenzone aufweisen, wie z. B. von der Art wie sie in der US-Patentanmeldung Serien-Nr. 12/402,814, eingereicht am 12. März 2009, offenbart ist, wobei der Inhalt dieser Anmeldung insgesamt durch Bezugnahme hier aufgenommen wird. Die reflektierende Mehrschichtzwischenzone oder -region kann aus unterschiedlichen Materialien geformt sein und kann unterschiedliche optische Eigenschaften derart besitzen, dass die Reflektivität der Lichtstrahlen von dem sekundären optischen Element104 weg und übertragen zur Solarzelle102 die zusammengefasste Bestrahlung auf der Oberfläche der Solarzelle102 über das Einfallssolarspektrum optimiert. Beispielsweise kann in einigen Implementierungen die Innenoberfläche des Körpers112 des sekundären optischen Elements104 beschichtet sein, und zwar mit Silber oder einem anderen hochreflektierenden Material. In einigen Fällen kann die reflektierende Beschichtung durch eine Passivierungsbeschichtung, wie beispielsweise SiO2 geschützt sein, um das sekundäre optische Element104 gegenüber Oxidation, Beschlag (Oxydschicht) oder Korrosion zu schützen. - Der Körper
112 des sekundären optischen Elements104 besitzt eine oder mehrere Befestigungsanschlüsse oder Arme114 und zwar zur Anbringung des Körpers112 an einem Bügel116 über eine oder mehrere Befestigungsvorrichtungen118 . Der Bügel116 ist vorgesehen zur Befestigung des sekundären optischen Elements104 an einer Wärmefalle120 , und zwar über eine oder mehrere Befestigungsvorrichtungen122 . Der Bügel116 ist thermisch leitend, so dass die durch das sekundäre optische Element104 während des Betriebs geleitete Wärmeenergie zur Wärmefalle120 übertragen werden kann, und verteilt wird. Wie in dieser Implementierung gezeigt, besitzt das optische Element104 vier Reflektionswände. In anderen Implementierungen können unterschiedliche Formen (beispielsweise dreiseitig zur Bildung eines Dreiecksquerschnitts) verwendet werden. Das sekundäre optische Element104 kann aus Metall, Plastik oder Glas oder anderen Materialien hergestellt sein. - In einem Ausführungsbeispiel, wie in
2 gezeigt, ist eine Konzentriervorrichtung106 zwischen der Austrittsöffnung107 des sekundären optischen Elements104 und der Solarzelle102 angeordnet. Die Konzentriervorrichtung oder der Konzentrator106 besteht vorzugsweise aus Glas und besitzt einen optischen Einlass108 und einen optischen Auslass oder Ausgang110 . In einem Ausführungsbeispiel ist die Konzentriervorrichtung106 aus solidem oder festem Glas hergestellt. Die Konzentriervorrichtung106 verstärkt das aus dem zweiten optischen Element104 austretende Licht und leitet das verstärkte Licht zur Solarzelle102 hin. In einigen Implementierungen besitzt die Konzentriervorrichtung106 einen im Allgemeinen quadratischen Querschnitt, der sich vom Einlass oder Eingang108 zum Auslass oder Ausgang110 hin verjüngt. In einigen Implementierungen ist der optische Eingang108 der Konzentriervorrichtung106 quadratförmig und zwar ungefähr 2 cm × 2 cm und der optische Ausgang110 ist ungefähr 0,9 cm × 0,9 cm. Die Dimensionen der Konzentriervorrichtung106 können sich je nach Konstruktion des Solarzellenmoduls und des Empfängers ändern. Beispielsweise sind in einigen Implementierungen die Dimensionen oder Abmessungen des optischen Ausgangs110 annähernd die gleichen wie die Dimensionen der Solarzelle102 . In einem Ausführungsbeispiel ist die Konzentrationsvorrichtung106 eine 2X Konzentrationsvorrichtung. Die Bodenoberfläche der Konzentrationsvorrichtung106 kann direkt an der oberen Oberfläche bzw. der Oberseite der Solarzelle102 angebracht sein, und zwar unter Verwendung eines Klebemittels, wie beispielsweise eines Silikonklebemittels. Die Solarzelle102 wandelt das ankommende Sonnenlicht direkt in Elektrizität um, und zwar durch den fotovoltaischen Effekt. - Eine Bypassdiode
124 ist parallel zur Solarzelle102 geschaltet. In einigen Implementierungen ist die Diode124 eine Halbleitervorrichtung, wie beispielsweise eine Schottky Bypassdiode oder ein epitaxial gewachsener p-n-Übergang (p-n junction). Für die Zwecke der Veranschaulichung ist die Bypassdiode124 eine Schottky Bypassdiode. Die externen Verbindungsanschlüsse125 und127 sind vorgesehen zur Verbindung der Solarzelle102 und der Diode124 mit anderen Vorrichtungen, beispielsweise benachbarten Solarzellenempfängern (nicht gezeigt). - Die Funktionalität der Bypassdiode
124 kann bewertet werden durch die Betrachtung von Mehrfachsolarzellen102 , die in Serie geschaltet sind. Jede Solarzelle102 kann als eine Batterie angesehen werden, wobei die Kathode jeder der Dioden124 mit der positiven Klemme der assoziierten ”Batterie” der Anode jeder der Dioden124 verbunden ist mit dem negativen Anschluss oder der negativen Klemme der assoziierten ”Batterie”. Wenn einer der in Serie geschalteten Solarzellenempfänger100 beschädigt oder abgeschaet wird, so wird dessen Spannungsausgangsgröße reduziert oder eliminiert (beispielsweise auf unterhalb einer Schwellenspannung, assoziiert mit der Diode124 ). Daher wird die zugehörige Diode124 in Vorwärtsrichtung vorgespannt und ein Bypassstrom fließt nur durch diese Diode124 (und nicht durch die Solarzelle102 ). Auf diese Weise setzen nicht beschädigte oder nicht abgeschattete Solarzellenempfänger100 die Elektrizitätserzeugung aus der durch diese Solarzellen empfangenen Solarenergie fort. Wenn die Bypassdiode124 nicht vorhanden wäre, so würde im Wesentlichen die gesamte durch die anderen Solarzellenempfänger erzeugte elektrische Energie durch den abgeschatteten oder beschädigten Solarzellenempfänger laufen, diesen zerstören und eine offene Schaltung innerhalb beispielsweise der Panele oder Anordnung erzeugen. Der Solarzellenempfänger100 weist auch ein Keramiksubstrat126 auf, wie beispielsweise ein Aluminiumsubstrat zur Anbringung der Solarzelle102 und der Wärmefalle120 zur Verteilung der durch die Solarzelle102 während des Betriebs erzeugten Wärme. -
2 veranschaulicht die Solarzelle102 und das Keramiksubstrat126 im Einzelnen. Das Keramiksubstrat126 besitzt metallisierte obere und untere Oberflächen128 und130 . Die beiden Oberflächen128 und130 des Keramiksubstrats126 sind metallisiert um die Wärmeübertragungskapazität des Keramiksubstrats126 zu erhöhen, was den Solarzellenempfänger100 in die Lage versetzt, in adäquaterer Weise schnell Temperaturänderungen zu verarbeiten, die infolge von abrupten Änderungen in den Solarzellenbetriebsbedingungen auftreten. Beispielsweise erzeugt die Solarzelle102 Wärmeenergie, wenn Licht in Elektrizität umgewandelt wird. Dadurch, dass sowohl die oberen als auch die unteren Oberflächen128 und130 des Keramiksubstrats metallisiert sind, wird für eine schnellere Übertragung der Wärmeenergie von der Solarzelle102 zur Wärmefalle120 zur Verteilung gesorgt. Der entgegengesetzte Zustand tritt dann auf, wenn die Solarzelle102 plötzlich abgeschattet wird. Das heißt, die Solarzelle102 beendet die Elektrizitätserzeugung und kühlt sich schnell ab, was auch für das sekundäre optische Element104 gilt. Die metallisierten oberen und unteren Oberflächen128 und130 des Keramiksubstrats126 verhindern, dass die Solarzelle102 zu schnell abkühlt, und zwar durch Übertragung von Wärmeenergie von der Wärmefalle120 zur Solarzelle102 , und abhängig von den thermischen Bedingungen auch zu dem sekundären optischen Element104 . Die erhöhte Wärmetransferkapazität des Solarzellenempfängers100 reduziert die Stressgröße, die auf die Zwischenschicht zwischen Solarzelle102 und Keramiksubstrat126 während der schnellen Temperaturänderungen übertragen wird, was eine zuverlässige Solarzellen-zu-Substrat Zwischenschicht oder Interface sicherstellt. - Die metallisierte Oberfläche oder Oberseite
128 des Keramiksubstrats126 ist in Kontakt mit der Solarzelle102 und besitzt gesonderte leitende Regionen oder Zonen132 und134 zum Vorsehen isolierter elektrisch leitender Pfade zur Solarzelle102 . Die erste leitende Zone132 sieht einen elektrischen Anodenkontaktpunkt für die Solarzelle102 vor, und die zweite leitende Zone134 sieht einen elektrischen Kathodenkontaktpunkt für die Solarzelle102 vor. Die Solarzelle102 besitzt eine leitende untere Oberfläche oder Unterseite136 , die in2 nicht zu sehen ist, die aber in dem Querschnitt der3 dargestellt ist, wobei diese Oberfläche an der ersten leitenden Zone132 positioniert und mit dieser verbunden ist, und zwar der leitenden Zone132 der metallisierten oberen Oberfläche128 des Keramiksubstrats126 . Die entgegengesetzt liegende obere Oberfläche oder Oberseite138 der Solarzelle102 besitzt eine leitende Kotaktfläche140 , die verbunden ist mit der zweiten leitenden Zone134 des Keramiksubstrats126 . - In einem Ausführungsbeispiel bildet die leitende Unterseite
136 der Solarzelle102 einen Anodenanschluss der Solarzelle102 und die leitende Kontaktfläche104 , angeordnet an der Oberseite138 der Solarzelle102 bildet einen Kathodenanschluss. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist die leitende Unterseite136 der Solarzelle102 an der ersten leitenden Zone132 des Keramiksubstrats126 positioniert und elektrisch isoliert gegenüber der zweiten leitenden Zone134 um den ordnungsgemäßen Betrieb der Solarzelle102 sicherzustellen. In einem Ausführungsbeispiel ist die erste leitende Zone132 des Keramiksubstrats126 an mindestens drei Seiten durch die zweite leitende Zone134 um eine Umfangszone des Keramiksubstrats126 umgeben. - In einem Ausführungsbeispiel ist die leitende Kontaktfläche
140 an der Oberseite138 der Solarzelle102 angeordnet, und nimmt den Umfang der Solarzelle102 ein. In einigen Implementierungen kann die obere leitende Kontaktfläche oder Kontaktzone140 kleiner oder größer sein um die gewünschte Verbindungsart zu erreichen. Beispielsweise kann die obere leitende Kontaktfläche oder Zone140 nur eine, zwei oder drei Seiten (oder Teile davon) der Solarzelle102 berühren. In einigen Implementierungen ist die obere leitende Kontaktfläche140 so klein wie möglich gemacht, um die Fläche zu maximieren, die Solarenergie in Elektrizität umwandelt, wobei noch immer eine elektrische Verbindung aufrechterhalten wird. Obwohl die speziellen Dimensionen der Solarzelle102 sich abhängig von der Anwendung ändern, sind Standarddimensionen ungefähr 1 cm2. Beispielsweise kann ein Satz von Standarddimensionen Folgendes vorsehen: insgesamt 12,58 mm × 12,58 mm, ungefähr 0,160 mm Dicke und eine gesamte aktive Fläche von ungefähr 108 mm2. Beispielsweise ist für eine Solarzelle102 mit annähernd 12,58 mm × 12,58 mm die obere leitende Kontaktfläche140 ungefähr 0,98 mm breit und die aktive Fläche kann ungefähr 10 mm × 10 mm betragen. - Die obere leitende Kontaktfläche
140 der Solarzelle102 kann aus einer Vielzahl von leitenden Materialien gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber und/oder goldbeschichtetes Silber. In diesen Implementierungen ist es die n-leitende Kathoden-(d. h. Emitter-)Seite der Solarzelle102 , diejenige die das Licht empfängt und demgemäß ist die obere leitende Kontaktfläche140 auf der Kathodenseite der Solarzelle102 angeordnet. In einem Ausführungsbeispiel ist die obere leitende Kontaktfläche140 der Solarzelle102 drahtverbunden mit der zweiten leitenden Zone134 der metallisierten Oberfläche oder oberen Oberfläche128 des Keramiksubstrats126 über einen oder mehrere Verbindungsdrähte142 . - Die Bypassdiode koppelt die erste leitende Zone
132 der metallisierten Oberseite128 des Keramiksubstrats126 mit der zweiten leitenden Zone134 . In einem Ausführungsbeispiel ist ein Kathodenanschluss der Bypassdiode124 mit dem Anodenanschluss der Solarzelle102 über die erste leitende Zone132 des Keramiksubstrats126 verbunden und ein Anodenanschluss der Bypassdiode124 ist elektrisch verbunden mit dem Kathodenanschluss der Solarzelle102 über die zweite leitende Zone134 des Keramiksubstrats126 . Der Anodenanschluss der Solarzelle102 wird durch die untere leitende Oberfläche136 der Solarzelle102 , wie oben beschrieben, gebildet und ist in2 nicht sichtbar, aber im Querschnitt der3 . Der Kathodenanschluss der Solarzelle102 wird durch die obere leitende Kontaktfläche140 der Solarzelle102 geformt, wie dies oben beschrieben wurde. Die externen Verbindungsanschlüsse125 und127 , angeordnet auf der metallisierten oberen Oberfläche oder Oberseite128 des Keramiksubstrats126 , sehen die elektrische Kopplung einer Vorrichtung mit der Solarzelle102 und der Bypassdiode124 vor. Bei einigen Implementierungen entsprechen die Verbinder oder Verbindungsanschlüsse125 und127 den Anoden- und Kathodenanschlüssen und sind ausgelegt um (nicht gezeigte) Buchsenanschlüsse zur Verbindung mit benachbarten Solarzellenempfängern zu akzeptieren. - Die Oberseite
128 des Keramiksubstrats126 kann metallisiert sein, und zwar durch Anbringung von Metallisierungsschichten132 und134 am Substrat. In einem Ausführungsbeispiel sind Löcher144 in den Metallisierungsschichten132 und134 gebildet.2 zeigt das Keramiksubstrat126 mit zwei Metallisierungsschichten132 und134 und zwar angebracht an der oberen Substratoberfläche128 (die untere metallisierte Oberfläche kann in2 nicht gesehen werden, ist aber in dem Querschnitt der3 sichtbar). Die Metallisierungsschichten132 und134 sind an der Oberseite128 des Keramiksubstrats126 angebracht, und zwar durch eine Hochtemperatur-Reaktionsverbindung (reactive bonding) oder einer anderen Art des Verbindungsprozesses. Die Unterseite130 des Keramiksubstrats126 kann in ähnlicher Weise metallisiert und an der Wärmefalle120 angebracht sein. -
3 veranschaulicht eine Querschnittsansicht der Solarzelle102 , des Keramiksubstrats126 und der Wärmefalle120 des Solarzellenempfängers100 entlang der X-X' in1 bezeichneten Linie. Das sekundäre optische Element104 , die Lichtkonzentrationsvorrichtung106 und die Anschlüsse125 ,127 sind zur Vereinfachung der Veranschaulichung in3 nicht gezeigt. Die oberen und unteren Oberfläche128 und130 des Keramiksubstrats126 sind metallisiert. Die obere metallisierte Oberfläche128 des Substrats126 besitzt gesonderte leitende Zonen132 und134 zum Vorsehen elektrisch isolierter Anoden- und Kathodenanschlüsse oder Verbindungen zur Solarzelle, wie oben beschrieben. - Die Solarzelle
102 besitzt eine leitende Unterseite136 , verbunden mit der leitenden Zone132 der metallisierten Oberseite oder oberen Oberfläche128 des Keramiksubstrats126 . In einem Ausführungsbeispiel bildet die leitende Unterseite136 der Solarzelle102 den Anodenanschluss der Solarzelle102 und die leitende Kontaktfläche140 , angeordnet an der Oberseite138 der Solarzelle102 , bildet den Kathodenanschluss der Solarzelle102 . Die leitende Unterseite136 der Solarzelle102 ist auf der ersten leitenden Zone132 der metallisierten Oberseite128 des Keramiksubstrats126 angeordnet und elektrisch isoliert von der zweiten leitenden Zone134 , um den ordnungsgemäßen Betrieb der Solarzelle102 zu gewährleisten. - Die untere Seite
130 des Keramiksubstrats126 besitzt auch eine metallisierte Schicht148 , die mit der Wärmefalle120 verbunden ist, und zwar mit einem hochthermisch leitenden Befestigungsmedium150 , wie beispielsweise metall-gefülltem Epoxikleber oder einem Lötmittel. Die Anfüllung eines Epoxiklebemittels mit Metall erhöht die thermische Leitfähigkeit der Zwischenfläche (Interface) zwischen dem Keramiksubstrat126 der Wärmefalle126 , was weiter die Wärmecharakteristika des Solarzellenempfängers100 verbessert. In einem Ausführungsbeispiel ist das hochthermisch leitende Befestigungsmedium150 ein metallgefülltes Epoxiklebemittel mit einer Dicke tepoxy von an nähernd 1 bis 3 mil. Das metallgefüllte Epoxiklebemittel kann auf der unteren metallisierten Oberfläche130 des Keramiksubstrats126 , der Wärmefalle120 oder beiden angebracht sein und wird dann ausgehärtet, um die Wärmefalle120 mit dem Substrat126 zu verbinden. In einem Ausführungsbeispiel ist die Wärmefalle120 eine einstückige extrudierte Aluminiumwärmefalle, wie in1 gezeigt. - Der Solarzellenempfänger
100 kann hergestellt werden durch Vorsehen des metallisierten Keramiksubstrats126 und durch Verbindung der leitenden Unterseite136 der Solarzelle102 mit der ersten leitenden Zone132 der metallisierten Oberseite128 des Substrats126 . Die leitende Kontaktfläche140 , angeordnet an der Oberseite138 der Solarzelle102 ist mit der zweiten leitenden Zone134 der metallisierten Oberseite128 des Keramiksubstrats126 verbunden, und zwar über einen oder mehrere Verbindungsdrähte142 . Die Wärmefalle120 ist mit der unteren metallisierten Oberfläche130 des Keramiksubstrats126 mit dem metallgefüllten Epoxiklebemittel150 verbunden. -
4 veranschaulicht einen Querschnitt der Solarzelle102 des Keramiksubstrats126 und der Wärmefalle120 des Solarzellenempfängers100 entlang der Line X-X' in1 , und zwar nach der Verbindung der Lichtkonzentriervorrichtung106 mit der Oberseite138 der Solarzelle102 mittels eines geeigneten lichtdurchlässigen Klebemittels151 . Nach der Anbringung der Lichtkonzentriervorrichtung106 wird die Solarzelle102 durch eine Einkapselung oder ein Einkapselungsmittel152 umgeben, wobei ein Ausführungsbeispiel des Einkapselungsmittels auf Silikon basierend vorgesehen sein kann. Das Einkapselungsmittel wird über dem gesamten Teil des Keramiksubstrats126 die Solarzelle102 umgebend angebracht, und zwar einschließlich über der Zone zwischen der Wärmefalle120 und der metallisierten Unterseite130 des Keramiksubstrats126 und auch wahlweise über der Diode124 , wobei sodann das Einkapselungsmittel oder die Einkapselung durch Wärme oder ein anderen Prozess ausgehärtet wird.
Claims (10)
- Eine Solarzellenempfänger-Subanordnung zur Verwendung in einem konzentrierenden Solarsystem, welches Solarenergie auf eine Solarzelle konzentriert, und zwar um einen Faktor von 1000 oder mehr zur Umwandlung von Solarenergie in Elektrizität, wobei Folgendes vorgesehen ist: ein, einen optischen Kanal definierendes optisches Element, ein Solarzellenempfänger, der Folgendes aufweist: einen Träger; eine Solarzelle, angebracht auf dem Träger, benachbart zum optischen Element und in dem optischen Pfad des optischen Kanals, wobei die Solarzelle eine oder mehrere III-V Verbindungshalbleiterschichten aufweist und in der Lage ist, oberhalb 20 Watt Gleichstromspitzenleistung zu erzeugen; und eine Einkapselung bzw. ein Einkapselungsmittel welches den Träger, die Solarzelle und mindestens einen Teil der Außenseite des optischen Elements einkapselt.
- Solarzellen-Subanordnung nach Anspruch 1, wobei die Einkapselung eine auf Silikon basierende Einkapselung ist.
- Solarzellen-Subanordnung nach Anspruch 1, wobei ferner eine Diode auf dem Träger angebracht ist und mit einem Körper und einem Anodenanschluss und einem Kathodenanschluss, wobei die Diode parallel zur Solarzelle geschaltet ist.
- Solarzellen-Subanordnung nach Anspruch 3, wobei ferner eine die Diode abdeckende Einkapselung vorgesehen ist.
- Solarzellen-Subanordnung nach Anspruch 3, wobei ferner erste und zweite elektrische Kontakte auf dem Träger angebracht sind, und parallel mit der Solarzelle und Diode geschaltet sind.
- Solarzellen-Subanordnung nach Anspruch 1, wobei die Solarzelle Dimensionen von ungefähr 1 cm × 1 cm besitzt.
- Solarzellen-Subanordnung nach Anspruch 1, wobei ferner ein transparentes Klebemittel vorgesehen ist, und zwar angeordnet zwischen dem optischen Element und der Solarzelle.
- Solarzellen-Subanordnung nach Anspruch 1, wobei das optische Element ein Vergrößerungselement ist.
- Solarzellen-Subanordnung nach Anspruch 1, wobei die Solarzelle eine Triple-Junction-Solarzelle ist.
- Solarzellen-Subanordnung nach Anspruch 1, wobei der Träger ein Keramiksubstrat ist, und zwar mit ersten und zweiten entgegengesetzt liegenden metallisierten Oberflächen.
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Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8759138B2 (en) | 2008-02-11 | 2014-06-24 | Suncore Photovoltaics, Inc. | Concentrated photovoltaic system modules using III-V semiconductor solar cells |
US9331228B2 (en) | 2008-02-11 | 2016-05-03 | Suncore Photovoltaics, Inc. | Concentrated photovoltaic system modules using III-V semiconductor solar cells |
WO2010091391A2 (en) | 2009-02-09 | 2010-08-12 | Semprius, Inc. | Concentrator-type photovoltaic (cpv) modules, receivers and sub-receivers and methods of forming same |
EP2278631A1 (de) * | 2009-07-20 | 2011-01-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Solarzellenbaugruppe sowie Solarzellenanordnung |
US9012771B1 (en) | 2009-09-03 | 2015-04-21 | Suncore Photovoltaics, Inc. | Solar cell receiver subassembly with a heat shield for use in a concentrating solar system |
US9337360B1 (en) | 2009-11-16 | 2016-05-10 | Solar Junction Corporation | Non-alloyed contacts for III-V based solar cells |
US9214586B2 (en) | 2010-04-30 | 2015-12-15 | Solar Junction Corporation | Semiconductor solar cell package |
US8962989B2 (en) * | 2011-02-03 | 2015-02-24 | Solar Junction Corporation | Flexible hermetic semiconductor solar cell package with non-hermetic option |
DE202011100722U1 (de) | 2011-05-13 | 2011-09-26 | Emcore Solar Power, Inc. | Gehäuse für bündelnde photovoltaische Empfänger |
US9231140B2 (en) | 2011-07-12 | 2016-01-05 | Suncore Photovoltaics, Inc. | Venting assembly for concentrating photovoltaic system module |
US20130038132A1 (en) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | Southwest Solar Technologies, Inc. | CPV System and Method Therefor |
KR101305660B1 (ko) * | 2011-10-17 | 2013-09-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 모듈 및 이의 제조방법 |
WO2013130152A2 (en) | 2011-12-09 | 2013-09-06 | Semprius, Inc. | High concentration photovoltaic modules and methods of fabricating the same |
ES2398281B1 (es) * | 2012-12-27 | 2014-02-24 | Abengoa Solar New Technologies S.A. | Procedimiento de montaje de un módulo solar fotovoltaico de alta concentración y módulo así montado |
US20160197574A1 (en) * | 2013-08-16 | 2016-07-07 | Georgia Tech Research Corporation | Systems and methods for thermophotovoltaics with storage |
FR3011387B1 (fr) * | 2013-09-27 | 2017-04-21 | Heliotrop | Fixation d'une optique secondaire sur un recepteur photovoltaique |
WO2017105581A2 (en) | 2015-10-02 | 2017-06-22 | Semprius, Inc. | Wafer-integrated, ultra-low profile concentrated photovoltaics (cpv) for space applications |
US10090420B2 (en) | 2016-01-22 | 2018-10-02 | Solar Junction Corporation | Via etch method for back contact multijunction solar cells |
US9680035B1 (en) | 2016-05-27 | 2017-06-13 | Solar Junction Corporation | Surface mount solar cell with integrated coverglass |
Family Cites Families (216)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3589946A (en) * | 1968-09-06 | 1971-06-29 | Westinghouse Electric Corp | Solar cell with electrical contact grid arrangement |
US3798040A (en) * | 1971-03-02 | 1974-03-19 | Gte Sylvania Inc | Rare-earth silica refractory ceramic materials and method for producing same |
BE789331A (fr) * | 1971-09-28 | 1973-01-15 | Communications Satellite Corp | Cellule solaire a geometrie fine |
US3966499A (en) * | 1972-10-11 | 1976-06-29 | The United States Of America As Represented By The Administrator, National Aeronautics And Space Administration | Solar cell grid patterns |
US4017332A (en) * | 1975-02-27 | 1977-04-12 | Varian Associates | Solar cells employing stacked opposite conductivity layers |
IL48996A (en) | 1975-02-27 | 1977-08-31 | Varian Associates | Photovoltaic cells |
US3999283A (en) | 1975-06-11 | 1976-12-28 | Rca Corporation | Method of fabricating a photovoltaic device |
US4001864A (en) * | 1976-01-30 | 1977-01-04 | Gibbons James F | Semiconductor p-n junction solar cell and method of manufacture |
DE2607509A1 (de) | 1976-02-25 | 1977-09-01 | Johann Prof Dr I Kleinwaechter | Solarkonzentratoren mit vorgebbarer energiedichteverteilung |
US4109640A (en) | 1976-04-12 | 1978-08-29 | Smith Lynwood L | Solar heating system |
US4168696A (en) | 1976-09-30 | 1979-09-25 | Kelly Donald A | Four quadrant, two dimensional, linear solar concentration panels |
FR2404307A1 (fr) * | 1977-09-27 | 1979-04-20 | Centre Nat Etd Spatiales | Cellules solaires a double heterojonction et dispositif de montage |
US4192583A (en) * | 1977-10-21 | 1980-03-11 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Solar receiver heliostat reflector having a linear drive and position information system |
US4329535A (en) * | 1978-05-03 | 1982-05-11 | Owens-Illinois, Inc. | Solar cells and collector structures |
US4268709A (en) * | 1978-07-03 | 1981-05-19 | Owens-Illinois, Inc. | Generation of electrical energy from sunlight, and apparatus |
US4188238A (en) * | 1978-07-03 | 1980-02-12 | Owens-Illinois, Inc. | Generation of electrical energy from sunlight, and apparatus |
US4164432A (en) | 1978-08-09 | 1979-08-14 | Owens-Illinois, Inc. | Luminescent solar collector structure |
JPS5536950A (en) | 1978-09-05 | 1980-03-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Manufacturing of thin film photocell |
US4186033A (en) * | 1978-11-01 | 1980-01-29 | Owens-Illinois, Inc. | Structure for conversion of solar radiation to electricity and heat |
DE2924510A1 (de) | 1979-06-18 | 1981-01-08 | Imchemie Kunststoff Gmbh | Konzentrator fuer solarzellen |
US4292959A (en) | 1980-02-25 | 1981-10-06 | Exxon Research & Engineering Co. | Solar energy collection system |
US4338480A (en) | 1980-12-29 | 1982-07-06 | Varian Associates, Inc. | Stacked multijunction photovoltaic converters |
FR2510799B1 (fr) * | 1981-07-30 | 1986-07-18 | Commissariat Energie Atomique | Ecran thermique composite et procede de fabrication |
DE3131612A1 (de) * | 1981-08-10 | 1983-02-24 | Zahnräderfabrik Renk AG, 8900 Augsburg | Getriebe zur positionierung von sonnenenergie-kollektoren |
JPS5861677A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US4460232A (en) | 1982-05-24 | 1984-07-17 | Amp, Incorporated | Junction box for solar modules |
DE3371689D1 (en) * | 1983-01-14 | 1987-06-25 | Seifert Dieter | Tracking device |
JPS60160181A (ja) | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | アモルフアス太陽電池 |
US4711972A (en) | 1985-07-05 | 1987-12-08 | Entech, Inc. | Photovoltaic cell cover for use with a primary optical concentrator in a solar energy collector |
US4830678A (en) * | 1987-06-01 | 1989-05-16 | Todorof William J | Liquid-cooled sealed enclosure for concentrator solar cell and secondary lens |
US4759803A (en) | 1987-08-07 | 1988-07-26 | Applied Solar Energy Corporation | Monolithic solar cell and bypass diode system |
US4834805A (en) * | 1987-09-24 | 1989-05-30 | Wattsun, Inc. | Photovoltaic power modules and methods for making same |
DE3741477A1 (de) | 1987-12-08 | 1989-06-22 | Fraunhofer Ges Forschung | Konzentratoranordnung |
US5255666A (en) | 1988-10-13 | 1993-10-26 | Curchod Donald B | Solar electric conversion unit and system |
US4939205A (en) * | 1988-11-14 | 1990-07-03 | General Electric Company | Thermoplastic molding compositions containing polyorganosiloxane/polyvinyl-based graft polymer modifiers |
DE68923061T2 (de) * | 1988-11-16 | 1995-11-09 | Mitsubishi Electric Corp | Sonnenzelle. |
US5096505A (en) * | 1990-05-21 | 1992-03-17 | The Boeing Company | Panel for solar concentrators and tandem cell units |
US5091018A (en) * | 1989-04-17 | 1992-02-25 | The Boeing Company | Tandem photovoltaic solar cell with III-V diffused junction booster cell |
US5118361A (en) | 1990-05-21 | 1992-06-02 | The Boeing Company | Terrestrial concentrator solar cell module |
US5217539A (en) * | 1991-09-05 | 1993-06-08 | The Boeing Company | III-V solar cells and doping processes |
US5053083A (en) | 1989-05-08 | 1991-10-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Bilevel contact solar cells |
US5019177A (en) * | 1989-11-03 | 1991-05-28 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Monolithic tandem solar cell |
US5322572A (en) * | 1989-11-03 | 1994-06-21 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Monolithic tandem solar cell |
JPH03209881A (ja) | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Nec Corp | 光検出スイッチ素子 |
US5374317A (en) | 1990-09-26 | 1994-12-20 | Energy Systems Solar, Incorporated | Multiple reflector concentrator solar electric power system |
DK170125B1 (da) * | 1991-01-22 | 1995-05-29 | Yakov Safir | Solcellemodul |
US5167724A (en) | 1991-05-16 | 1992-12-01 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Planar photovoltaic solar concentrator module |
US5153780A (en) | 1991-06-10 | 1992-10-06 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method and apparatus for uniformly concentrating solar flux for photovoltaic applications |
JP3413839B2 (ja) | 1991-09-06 | 2003-06-09 | ソニー株式会社 | 光電子集積回路装置 |
JPH05102518A (ja) | 1991-10-04 | 1993-04-23 | Nec Corp | 半導体リレーの製造方法 |
JPH05110128A (ja) | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 光電リレーの構造 |
US5342453A (en) | 1992-11-13 | 1994-08-30 | Midwest Research Institute | Heterojunction solar cell |
US5376185A (en) | 1993-05-12 | 1994-12-27 | Midwest Research Institute | Single-junction solar cells with the optimum band gap for terrestrial concentrator applications |
US5405453A (en) * | 1993-11-08 | 1995-04-11 | Applied Solar Energy Corporation | High efficiency multi-junction solar cell |
US5460659A (en) | 1993-12-10 | 1995-10-24 | Spectrolab, Inc. | Concentrating photovoltaic module and fabrication method |
US6080927A (en) * | 1994-09-15 | 2000-06-27 | Johnson; Colin Francis | Solar concentrator for heat and electricity |
US5498297A (en) | 1994-09-15 | 1996-03-12 | Entech, Inc. | Photovoltaic receiver |
AUPM996094A0 (en) | 1994-12-08 | 1995-01-05 | Pacific Solar Pty Limited | Multilayer solar cells with bypass diode protection |
US5959787A (en) | 1995-06-06 | 1999-09-28 | The Boeing Company | Concentrating coverglass for photovoltaic cells |
US5660644A (en) | 1995-06-19 | 1997-08-26 | Rockwell International Corporation | Photovoltaic concentrator system |
US5622078A (en) * | 1995-08-21 | 1997-04-22 | Mattson; Brad A. | Linear/helix movement support/solar tracker |
JPH0964397A (ja) | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Canon Inc | 太陽電池および太陽電池モジュール |
US5616185A (en) * | 1995-10-10 | 1997-04-01 | Hughes Aircraft Company | Solar cell with integrated bypass diode and method |
US5742009A (en) * | 1995-10-12 | 1998-04-21 | Vlsi Technology Corporation | Printed circuit board layout to minimize the clock delay caused by mismatch in length of metal lines and enhance the thermal performance of microeletronics packages via condution through the package leads |
US6147296A (en) * | 1995-12-06 | 2000-11-14 | University Of Houston | Multi-quantum well tandem solar cell |
JP3357808B2 (ja) | 1996-01-29 | 2002-12-16 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池装置 |
DE19609283A1 (de) | 1996-03-09 | 1997-09-11 | Hans Kleinwaechter | Multi-Solarzellen-Konzentrator |
DE29619119U1 (de) * | 1996-09-23 | 1998-01-22 | Atlantis Solar Systeme AG, Bern | Photovoltaisches Solardach |
US5936777A (en) | 1996-10-31 | 1999-08-10 | Lightpath Technologies, Inc. | Axially-graded index-based couplers for solar concentrators |
JPH10221528A (ja) | 1996-12-05 | 1998-08-21 | Toyota Motor Corp | 太陽電池装置 |
JPH10232910A (ja) | 1997-02-20 | 1998-09-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Icカード |
US6020555A (en) * | 1997-05-01 | 2000-02-01 | Amonix, Inc. | System for protecting series connected solar panels against failure due to mechanical damage of individual solar cells while maintaining full output of the remaining cells |
US6031179A (en) * | 1997-05-09 | 2000-02-29 | Entech, Inc. | Color-mixing lens for solar concentrator system and methods of manufacture and operation thereof |
EP0881694A1 (de) * | 1997-05-30 | 1998-12-02 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US6281426B1 (en) | 1997-10-01 | 2001-08-28 | Midwest Research Institute | Multi-junction, monolithic solar cell using low-band-gap materials lattice matched to GaAs or Ge |
US6482672B1 (en) | 1997-11-06 | 2002-11-19 | Essential Research, Inc. | Using a critical composition grading technique to deposit InGaAs epitaxial layers on InP substrates |
US6057505A (en) * | 1997-11-21 | 2000-05-02 | Ortabasi; Ugur | Space concentrator for advanced solar cells |
US5944913A (en) | 1997-11-26 | 1999-08-31 | Sandia Corporation | High-efficiency solar cell and method for fabrication |
US6278054B1 (en) * | 1998-05-28 | 2001-08-21 | Tecstar Power Systems, Inc. | Solar cell having an integral monolithically grown bypass diode |
WO1999062125A1 (en) | 1998-05-28 | 1999-12-02 | Tecstar Power Systems, Inc. | Solar cell having an integral monolithically grown bypass diode |
US6077722A (en) * | 1998-07-14 | 2000-06-20 | Bp Solarex | Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts |
US6700054B2 (en) * | 1998-07-27 | 2004-03-02 | Sunbear Technologies, Llc | Solar collector for solar energy systems |
US6103970A (en) | 1998-08-20 | 2000-08-15 | Tecstar Power Systems, Inc. | Solar cell having a front-mounted bypass diode |
US6043425A (en) * | 1998-10-02 | 2000-03-28 | Hughes Electronics Corporation | Solar power source with textured solar concentrator |
DE19845658C2 (de) | 1998-10-05 | 2001-11-15 | Daimler Chrysler Ag | Solarzelle mit Bypassdiode |
US6239354B1 (en) * | 1998-10-09 | 2001-05-29 | Midwest Research Institute | Electrical isolation of component cells in monolithically interconnected modules |
US6300557B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-10-09 | Midwest Research Institute | Low-bandgap double-heterostructure InAsP/GaInAs photovoltaic converters |
JP3624720B2 (ja) * | 1998-10-29 | 2005-03-02 | 住友電装株式会社 | 太陽電池モジュール用端子ボックス装置 |
JP2000228529A (ja) | 1998-11-30 | 2000-08-15 | Canon Inc | 過電圧防止素子を有する太陽電池モジュール及びこれを用いた太陽光発電システム |
JP2000196127A (ja) | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Honda Motor Co Ltd | 集光追尾式発電システムの故障診断装置及び故障診断方法 |
GB9901513D0 (en) | 1999-01-25 | 1999-03-17 | Eev Ltd | Solar cell arrangements |
JP2000223730A (ja) | 1999-02-04 | 2000-08-11 | Honda Motor Co Ltd | 太陽追尾式発電システム及びその運転方法 |
JP3657143B2 (ja) | 1999-04-27 | 2005-06-08 | シャープ株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
DE19921545A1 (de) | 1999-05-11 | 2000-11-23 | Angew Solarenergie Ase Gmbh | Solarzelle sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen |
US6252287B1 (en) * | 1999-05-19 | 2001-06-26 | Sandia Corporation | InGaAsN/GaAs heterojunction for multi-junction solar cells |
US6635507B1 (en) | 1999-07-14 | 2003-10-21 | Hughes Electronics Corporation | Monolithic bypass-diode and solar-cell string assembly |
JP2001036120A (ja) | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Honda Motor Co Ltd | ソーラーセルアセンブリ及びその製造方法 |
JP4270689B2 (ja) | 1999-11-24 | 2009-06-03 | 本田技研工業株式会社 | 太陽光発電装置 |
US6340788B1 (en) * | 1999-12-02 | 2002-01-22 | Hughes Electronics Corporation | Multijunction photovoltaic cells and panels using a silicon or silicon-germanium active substrate cell for space and terrestrial applications |
JP2001168368A (ja) | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 端子ボックス |
US20040194820A1 (en) | 2000-01-20 | 2004-10-07 | Steven Barone | Self tracking, wide angle solar concentrators |
AU2001260971A1 (en) * | 2000-01-20 | 2001-08-07 | Bd Systems, Llc | Self tracking, wide angle, solar concentrators |
DE10017610C2 (de) | 2000-03-30 | 2002-10-31 | Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls mit integriert serienverschalteten Dünnschicht-Solarzellen und Verwendung davon |
ES2160555B2 (es) | 2000-04-27 | 2006-04-16 | Universidad Politecnica De Madrid | Convertidor fotovoltaico de alta eficiencia para intensidades luminosas elevadas fabricado con tecnologia optoelectronica. |
JP2001345469A (ja) | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Canon Inc | 光起電力素子および光起電力素子の製造方法 |
US7339109B2 (en) * | 2000-06-20 | 2008-03-04 | Emcore Corporation | Apparatus and method for optimizing the efficiency of germanium junctions in multi-junction solar cells |
JP3797871B2 (ja) * | 2000-12-05 | 2006-07-19 | シャープ株式会社 | 宇宙用ソーラーパネルおよびその修理方法 |
US6971756B2 (en) * | 2000-12-18 | 2005-12-06 | Svv Technology Innovations, Inc. | Apparatus for collecting and converting radiant energy |
EP1359625B1 (de) | 2000-12-28 | 2010-10-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solarzelle |
US6399874B1 (en) * | 2001-01-11 | 2002-06-04 | Charles Dennehy, Jr. | Solar energy module and fresnel lens for use in same |
US6815736B2 (en) | 2001-02-09 | 2004-11-09 | Midwest Research Institute | Isoelectronic co-doping |
JP2002289900A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Canon Inc | 集光型太陽電池モジュール及び集光型太陽光発電システム |
AUPR403801A0 (en) | 2001-03-28 | 2001-04-26 | Solar Systems Pty Ltd | System for generating electrical power from solar radiation |
EP1261039A1 (de) * | 2001-05-23 | 2002-11-27 | Université de Liège | Solar-Konzentrator |
US6469241B1 (en) | 2001-06-21 | 2002-10-22 | The Aerospace Corporation | High concentration spectrum splitting solar collector |
KR100426282B1 (ko) | 2001-06-30 | 2004-04-08 | 광주과학기술원 | 나노 성장 기법을 이용한 이중 태양 전지 구조 |
ITTO20010692A1 (it) * | 2001-07-13 | 2003-01-13 | Consiglio Nazionale Ricerche | Dispositivo elettroluminescente organico basato sull'emissione di ecciplessi od elettroplessi e sua realizzazione. |
KR100561112B1 (ko) | 2001-08-13 | 2006-03-15 | 죠스게 나가다 | 발광 또는 수광용 반도체 모듈 및 그 제조 방법 |
US7208674B2 (en) * | 2001-09-11 | 2007-04-24 | Eric Aylaian | Solar cell having photovoltaic cells inclined at acute angle to each other |
US6603069B1 (en) | 2001-09-18 | 2003-08-05 | Ut-Battelle, Llc | Adaptive, full-spectrum solar energy system |
US6804062B2 (en) | 2001-10-09 | 2004-10-12 | California Institute Of Technology | Nonimaging concentrator lens arrays and microfabrication of the same |
US7119271B2 (en) | 2001-10-12 | 2006-10-10 | The Boeing Company | Wide-bandgap, lattice-mismatched window layer for a solar conversion device |
US20030070707A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-17 | King Richard Roland | Wide-bandgap, lattice-mismatched window layer for a solar energy conversion device |
US6864414B2 (en) | 2001-10-24 | 2005-03-08 | Emcore Corporation | Apparatus and method for integral bypass diode in solar cells |
US6680432B2 (en) | 2001-10-24 | 2004-01-20 | Emcore Corporation | Apparatus and method for optimizing the efficiency of a bypass diode in multijunction solar cells |
US20030178057A1 (en) | 2001-10-24 | 2003-09-25 | Shuichi Fujii | Solar cell, manufacturing method thereof and electrode material |
JP2003218374A (ja) | 2002-01-23 | 2003-07-31 | Sharp Corp | Iii−v族太陽電池 |
US6660928B1 (en) | 2002-04-02 | 2003-12-09 | Essential Research, Inc. | Multi-junction photovoltaic cell |
US20060162768A1 (en) | 2002-05-21 | 2006-07-27 | Wanlass Mark W | Low bandgap, monolithic, multi-bandgap, optoelectronic devices |
US8067687B2 (en) | 2002-05-21 | 2011-11-29 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | High-efficiency, monolithic, multi-bandgap, tandem photovoltaic energy converters |
US6818818B2 (en) * | 2002-08-13 | 2004-11-16 | Esmond T. Goei | Concentrating solar energy receiver |
US7122733B2 (en) * | 2002-09-06 | 2006-10-17 | The Boeing Company | Multi-junction photovoltaic cell having buffer layers for the growth of single crystal boron compounds |
US20040112424A1 (en) * | 2002-10-03 | 2004-06-17 | Daido Steel Co., Ltd. | Solar cell assembly, and photovoltaic solar electric generator of concentrator type |
US7071407B2 (en) | 2002-10-31 | 2006-07-04 | Emcore Corporation | Method and apparatus of multiplejunction solar cell structure with high band gap heterojunction middle cell |
EP2360097A2 (de) | 2002-11-26 | 2011-08-24 | Solaren Corporation | Weltraumbasiertes Stromversorgungssystem |
AU2003297649A1 (en) | 2002-12-05 | 2004-06-30 | Blue Photonics, Inc. | High efficiency, monolithic multijunction solar cells containing lattice-mismatched materials and methods of forming same |
US20050081908A1 (en) * | 2003-03-19 | 2005-04-21 | Stewart Roger G. | Method and apparatus for generation of electrical power from solar energy |
US7812249B2 (en) | 2003-04-14 | 2010-10-12 | The Boeing Company | Multijunction photovoltaic cell grown on high-miscut-angle substrate |
JP2004342986A (ja) | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Canon Inc | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュール設置構造体 |
US20040261838A1 (en) | 2003-06-25 | 2004-12-30 | Hector Cotal | Solar cell with an electrically insulating layer under the busbar |
US7170001B2 (en) | 2003-06-26 | 2007-01-30 | Advent Solar, Inc. | Fabrication of back-contacted silicon solar cells using thermomigration to create conductive vias |
US6959993B2 (en) * | 2003-07-10 | 2005-11-01 | Energy Innovations, Inc. | Solar concentrator array with individually adjustable elements |
US7192146B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-03-20 | Energy Innovations, Inc. | Solar concentrator array with grouped adjustable elements |
IL157716A0 (en) * | 2003-09-02 | 2004-03-28 | Eli Shifman | Solar energy utilization unit and solar energy utilization system |
US7081584B2 (en) * | 2003-09-05 | 2006-07-25 | Mook William J | Solar based electrical energy generation with spectral cooling |
US8334451B2 (en) | 2003-10-03 | 2012-12-18 | Ixys Corporation | Discrete and integrated photo voltaic solar cells |
US20050081909A1 (en) * | 2003-10-20 | 2005-04-21 | Paull James B. | Concentrating solar roofing shingle |
US20050092360A1 (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-05 | Roy Clark | Optical concentrator for solar cell electrical power generation |
US20050109386A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-05-26 | Practical Technology, Inc. | System and method for enhanced thermophotovoltaic generation |
JP4681806B2 (ja) | 2003-12-19 | 2011-05-11 | キヤノン株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP2005269627A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-29 | Toshiba Corp | 半導体リレー装置およびその配線基板の製造方法 |
US7281793B2 (en) | 2004-03-16 | 2007-10-16 | D Agostino Savino | Impact resistant lens, frame and tools and method for making same |
US7325554B2 (en) * | 2004-03-22 | 2008-02-05 | Johnson & Johnson Consumer Companies, Inc. | Dental device with improved retention of a flavor and/or chemotherapeutic agent composition |
JP4515817B2 (ja) | 2004-05-18 | 2010-08-04 | 株式会社三社電機製作所 | 太陽電池モジュール接続具 |
US8227689B2 (en) | 2004-06-15 | 2012-07-24 | The Boeing Company | Solar cells having a transparent composition-graded buffer layer |
US7442871B2 (en) * | 2004-09-13 | 2008-10-28 | General Electric Company | Photovoltaic modules for solar concentrator |
JP2006093335A (ja) | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Sharp Corp | 太陽電池モジュール |
DE102004050638B3 (de) | 2004-10-18 | 2006-02-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zur photovoltaischen Erzeugung von Wasserstoff |
KR100645807B1 (ko) | 2004-12-06 | 2007-02-28 | 엘지전자 주식회사 | 모터 기동 제어장치 및 그 방법 |
DE102005000767A1 (de) | 2005-01-04 | 2006-07-20 | Rwe Space Solar Power Gmbh | Monolithische Mehrfach-Solarzelle |
US20060169315A1 (en) | 2005-02-01 | 2006-08-03 | Alexander Levin | Modular photovoltaic solar power system |
US20060185713A1 (en) | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Mook William J Jr | Solar panels with liquid superconcentrators exhibiting wide fields of view |
US20060231130A1 (en) | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Sharps Paul R | Solar cell with feedthrough via |
ES2267382B1 (es) * | 2005-04-27 | 2008-03-01 | Sol3G, S.L. | Submodulo para modulos de concentracion fotovoltaica, modulo de concentracion fotovoltaica, instalacion de energia solar, metodo de empaquetado y procedimiento de calibracion de posicion para modulos de concentracion fotovoltaica. |
KR20080013979A (ko) | 2005-05-03 | 2008-02-13 | 유니버시티 오브 델라웨어 | 초고효율 태양 전지 |
US20060249198A1 (en) | 2005-05-09 | 2006-11-09 | Jin-Geun Rhee | Photovoltaic power generating unit having radiating fins |
JP4732015B2 (ja) | 2005-06-07 | 2011-07-27 | シャープ株式会社 | 集光型太陽光発電ユニットおよび集光型太陽光発電装置 |
US7622666B2 (en) | 2005-06-16 | 2009-11-24 | Soliant Energy Inc. | Photovoltaic concentrator modules and systems having a heat dissipating element located within a volume in which light rays converge from an optical concentrating element towards a photovoltaic receiver |
US7902453B2 (en) * | 2005-07-27 | 2011-03-08 | Rensselaer Polytechnic Institute | Edge illumination photovoltaic devices and methods of making same |
TWI296700B (en) * | 2005-08-24 | 2008-05-11 | Atomic Energy Council | Solar energy collector and array of the same |
DE102005047132A1 (de) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Solartec Ag | Konzentrator-Photovoltaik-Vorrichtung; Photovoltaik-Einrichtung zur Verwendung darin sowie Herstellverfahren hierfür |
WO2007044384A2 (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Soliant Energy, Inc. | A heatsink for concentrating or focusing optical/electrical energy conversion systems |
TWI277772B (en) * | 2005-10-28 | 2007-04-01 | Atomic Energy Council | Photovoltaic concentrator apparatus |
US20070116414A1 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Applied Optical Systems, Inc | Versatile system for configurable hybrid fiber-optic/electrical connectors |
CN101375112A (zh) | 2006-01-17 | 2009-02-25 | 索利安特能源公司 | 用于光学聚光器的混合式主光学部件 |
CN101375111A (zh) | 2006-01-17 | 2009-02-25 | 索利安特能源公司 | 聚光式太阳能电池板及相关系统和方法 |
US20070199563A1 (en) | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Fox Martin D | Apparatus for concentration and conversion of solar energy |
US20070227581A1 (en) | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Zupei Chen | Concentrator solar cell module |
US20070246040A1 (en) | 2006-04-25 | 2007-10-25 | Applied Optical Materials | Wide angle solar concentrator |
US8536445B2 (en) | 2006-06-02 | 2013-09-17 | Emcore Solar Power, Inc. | Inverted metamorphic multijunction solar cells |
US20080029151A1 (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-07 | Mcglynn Daniel | Terrestrial solar power system using III-V semiconductor solar cells |
US7545011B2 (en) * | 2006-08-24 | 2009-06-09 | Solfocus, Inc. | Semiconductor mount |
US20090173376A1 (en) | 2008-01-07 | 2009-07-09 | Solfocus, Inc. | Solar collector desiccant system |
US20090026279A1 (en) * | 2006-09-27 | 2009-01-29 | Solfocus, Inc. | Environmental Control Enclosure |
US20080083450A1 (en) | 2006-10-04 | 2008-04-10 | United Technologies Corporation | Thermal management of concentrator photovoltaic cells |
WO2008048478A2 (en) | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Soliant Energy, Inc. | Sun sensor assembly and related method of using |
JP5128808B2 (ja) | 2006-12-06 | 2013-01-23 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | フレネルレンズ |
US20090000662A1 (en) * | 2007-03-11 | 2009-01-01 | Harwood Duncan W J | Photovoltaic receiver for solar concentrator applications |
US20080258051A1 (en) | 2007-04-11 | 2008-10-23 | Solfocus, Inc. | Equipment and Process for Measuring the Precision of Sun Tracking for Photovoltaic Concentrators |
WO2008153892A1 (en) | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Green Volts Inc. | Reflective secondary optic for concentrated photovoltaic systems |
US20090025778A1 (en) * | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Day4 Energy Inc. | Shading protection for solar cells and solar cell modules |
US7671270B2 (en) | 2007-07-30 | 2010-03-02 | Emcore Solar Power, Inc. | Solar cell receiver having an insulated bypass diode |
US7381886B1 (en) | 2007-07-30 | 2008-06-03 | Emcore Corporation | Terrestrial solar array |
US8148628B2 (en) * | 2007-07-30 | 2012-04-03 | Emcore Solar Power, Inc. | Solar cell receiver for concentrator modules |
CA2698367C (en) * | 2007-09-07 | 2013-02-12 | Quadra Solar Corporation | Concentrated solar system |
US20090101207A1 (en) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Solfocus, Inc. | Hermetic receiver package |
US7807920B2 (en) * | 2007-10-30 | 2010-10-05 | Opel, Inc. | Concentrated solar photovoltaic module |
US20090107540A1 (en) * | 2007-10-30 | 2009-04-30 | Solfocus, Inc. | Non-Imaging Concentrator With Spacing Nubs |
WO2009059261A1 (en) * | 2007-11-03 | 2009-05-07 | Solfocus, Inc. | Improved monolithic mirror array |
US20090114265A1 (en) * | 2007-11-03 | 2009-05-07 | Solfocus, Inc. | Solar Concentrator |
US20090117332A1 (en) | 2007-11-03 | 2009-05-07 | Solfocus, Inc. | Monolithic glass array |
US20090114213A1 (en) * | 2007-11-03 | 2009-05-07 | Solfocus, Inc. | Solar concentrator with square mirrors |
US8119905B2 (en) * | 2007-11-03 | 2012-02-21 | Solfocus, Inc. | Combination non-imaging concentrator |
US20090120500A1 (en) * | 2007-11-14 | 2009-05-14 | Eric Prather | Solar cell package for solar concentrator |
US7985921B2 (en) | 2007-11-14 | 2011-07-26 | Solfocus, Inc. | Systems to retain an optical element on a solar cell |
US20090159122A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Solfocus, Inc. | Leadframe Receiver Package |
US20090159128A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Gill Shook | Leadframe receiver package for solar concentrator |
US20090159126A1 (en) | 2007-12-22 | 2009-06-25 | Solfocus, Inc. | Integrated optics for concentrator solar receivers |
US9331228B2 (en) * | 2008-02-11 | 2016-05-03 | Suncore Photovoltaics, Inc. | Concentrated photovoltaic system modules using III-V semiconductor solar cells |
US8759138B2 (en) | 2008-02-11 | 2014-06-24 | Suncore Photovoltaics, Inc. | Concentrated photovoltaic system modules using III-V semiconductor solar cells |
US8093492B2 (en) | 2008-02-11 | 2012-01-10 | Emcore Solar Power, Inc. | Solar cell receiver for concentrated photovoltaic system for III-V semiconductor solar cell |
US8242350B2 (en) * | 2008-05-16 | 2012-08-14 | Cashion Steven A | Concentrating photovoltaic solar panel |
US20100083998A1 (en) * | 2008-10-06 | 2010-04-08 | Emcore Corporation | Solar Cell Receiver with a Glass Lid |
US7980314B2 (en) | 2008-10-20 | 2011-07-19 | Baker Hughes Incorporated | Gas restrictor for pump |
US20100229947A1 (en) | 2009-03-12 | 2010-09-16 | Emcore Solar Power, Inc. | Optical Element with a Reflective Surface Coating for Use in a Concentrator Photovoltaic System |
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