JP3413839B2 - 光電子集積回路装置 - Google Patents
光電子集積回路装置Info
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Description
受光素子を混成させた光電子集積回路を複数光結合させ
た光電子集積回路装置に関する。
ューターの如きシステムにおいては、最近ますますその
小型化や高性能化の要求が高まっている。これらのシス
テムを構成する主要素の1つに、半導体電子回路技術が
あるが、高集積化のために金属配線のパターンを微細化
した場合では、伝送遅延の問題が生じ、さらに配線間の
スぺースを狭めた時では、誘導ノイズや相互干渉等が問
題となる。
イス間の伝送を光結合とする方法が着目されてきてい
る。このような光結合を行う装置の例として、特開昭6
1−121014号公報では、受光素子と発光素子が形
成された基板に光配線板を取りつけ、この光配線板にV
形溝及び光導波路を形成する装置が開示されている。す
なわち、発光素子からの光はV形溝の側面で反射し、光
導波路中を伝播し、受光素子に到達する。
記載される光結合技術では、光配線板自体がSiO2 に
よって構成される。また、V形溝の側面での光の反射
は、SiO2 の臨界角以下の全反射を利用する。このた
めV形溝はその形状が制限され、そのV形溝を形成する
ために製造工程が複雑化することになる。
成した多数の光電子集積回路基板を光配線基板に接続す
る場合、各光電子集積回路基板に対して電源電圧の供給
等の目的で電気的な配線を施す必要があるが、電気的な
配線をワイヤボンディングによって行う場合では、その
ワイヤの引き回しなどが複雑化し、短絡の如き問題も新
たに発生する。
板間の光結合を行う装置であって、特にその製造工程か
ら量産して好適な構造を有する光電子集積回路装置を提
供することを目的とする。さらに、本発明は、基板間の
電源等の配線にも有利な構造の光電子集積回路装置を提
供することを目的とする。
成するため、上述の第1の目的を達成するために、本発
明に係る光電子集積回路装置は、周囲に傾斜面が形成さ
れた複数の凸部が形成され、上記傾斜面に光結合用の光
を反射する反射膜が形成されるとともに上記凸部間に構
成された凹部に上記傾斜面に連続して光導波路が形成さ
れた光配線基板と、電子回路部と、発光素子と受光素子
のうちの少なくとも一方が形成された複数の光電子回路
基板とを有し、上記複数の光電子回路基板を、外周側に
設けられた上記発光素子及び/又は上記受光素子を上記
凸部の傾斜面に対応する位置に位置させるとともに素子
形成面を上方に向けて上記複数の凸部にそれぞれ取り付
け、上記光電子回路基板に設けられた発光素子と受光素
子間の光結合を、上記光電子回路基板を透過する光によ
り行うようにしたものである。
は、周囲に傾斜面が形成された複数の凸部が形成され、
上記傾斜面に光結合用の光を反射する反射膜が形成され
るとともに上記凸部間に構成された凹部に上記傾斜面に
連続して光導波路が形成された光配線基板と、電子回路
部と、発光素子と受光素子のうちの少なくとも一方が形
成された複数の光電子回路基板とを有し、上記複数の光
電子回路基板を、外周側に設けられた上記発光素子及び
/又は上記受光素子を上記凸部の傾斜面に対応する位置
に位置させるとともに互いに積層されて上記凸部上に取
り付け、上記凸部上に積層された複数の光電子回路基板
のうちの第2段目以上の光電子回路基板の光の送受信
を、当該光電子回路基板を透過して行うようにしたもの
である。
れる基板であり、発光素子や受光素子の光の射出方向や
受光方向を主面に垂直な方向とし、当該光配線基板の傾
斜面を基板主面に対して45度とすることで、光導波路
は基板主面内方向のものとなる。このような光配線基板
としては、シリコン基板等が用いられるが、特にこれに
限定されるものではない。
が形成され、その反射膜によって光結合の光が反射され
る。この反射膜には、導電性を持たせることで配線を兼
ねることができる。配線と反射膜が兼用となる場合、全
面に被着した反射膜の一部を電子回路の部分や他の領域
でパターニングして電源線の如き配線に用いることがで
きる。
反射されて光導波路に至り、或いは光導波路からの光が
傾斜面で反射して受光素子に至る。この傾斜面には、反
射膜が形成されているため、その反射膜によって全反射
が可能であり、傾斜面の角度は、基板主面に沿った導波
路に対しては例えば45度とすることが望ましい。
給などのために、電気的な配線が必要であるが、反射膜
に導電性を持たせることで、配線を兼ねることできる。
従って、電源供給のための新たな配線が不要となる。
施例について説明する。
路装置の斜視図である。平板状の光配線基板1の表面に
は、複数の光電子ICチップ4が配列されて実装されて
おり、複数の光電子ICチップ4の間には導波路3が形
成されている。
述するような方法によって加工したものであり、光電子
ICチップ4を配すべき領域に対応して略正方形状に突
設された複数の凸部6が基板表面に形成されている。各
凸部6の周囲は基板主面より45度の角度に立ち上がっ
た傾斜面5とされている。この光配線基板1の全面に
は、反射膜2が所要の膜厚で形成されており、傾斜面5
の表面も反射膜2が覆う。凸部6以外の光配線基板1の
表面には、シリコン酸化膜7が形成されており、このシ
リコン酸化膜7の一部であって凸部6同士の間に光導波
路3が形成されている。
その他の金属膜であり、傾斜面5の反射率を金属反射に
よって著しく高めるものである。この反射膜2は、金属
膜であるために、導電性に優れており、特に光電子IC
チップ4への電源供給用の配線として機能する。
うための光路となり、光配線基板1の表面に被着された
シリコン酸化膜7に形成されているために、その光路は
基板主面に沿ったものとなる。一対の光電子ICチップ
4の間には、双方向の伝送や異なる信号を伝送するため
に、複数本の光導波路3が一の傾斜面5から他の傾斜面
5までの間に連続的に設けられる。一対の光電子ICチ
ップ4の光結合に用いられる各光導波路3は平行に延在
され、各光導波路3の間は屈折率の高い高屈折率部8と
される。この高屈折率部8は、プロトン等のイオン注入
等により形成される。
体チップであって、その一方の主面の中央部に半導体集
積回路からなる電子回路部10を有し、その電子回路部
10の周囲に発光素子11や受光素子12を有する、光
素子と電子素子の混成基板である。電子回路部10は、
発光素子11や受光素子12の駆動回路や信号処理回路
或いは演算処理回路やメモリ等の集積回路部分である。
実装の際には、光電子ICチップ4の素子形成面が光配
線基板1側に向かい、電子回路部10が凸部6に接触す
るかたちで取りつけられる。この光電子ICチップ4の
発光素子11の光の射出方向は、チップ主面に対して垂
直な方向であり、同じく受光素子12はチップ主面に対
して垂直方向な方向からなる光線に感度を有する。発光
素子11と受光素子12の位置は、各光電子ICチップ
4の端部に近い周辺領域であり、その位置は光配線基板
1の傾斜面5に対応した位置である。
様子を示す図である。光配線基板1の凸部6上に取りつ
けられた各光電子ICチップ4は、その受光素子12と
発光素子11が傾斜面5上に位置することになる。傾斜
面5は反射膜2が形成されており、45°に加工されて
反射鏡として機能する。このため発光素子11からチッ
プの主面に垂直に射出された光線は、その傾斜面5で反
射し、光導波路3に導出される。また、その光導波路3
からの光は、傾斜面5で反射し、主面に垂直な光線とさ
れて受光素子12に受光される。
電子ICチップ4の電源供給用に用いられるため、所要
の配線パターンとなるようにパターニングされる。ま
た、光電子ICチップ4の部分では、該チップの電源用
の端子と接続される。この反射膜2を利用した電源ライ
ン、接地ライン等は、各光電子ICチップ4で共通化す
ることができ、チップ数が多い場合に極めて有効であ
る。
ICチップ4同士の光結合が反射膜2が被覆する傾斜面
5を有した光配線基板1によって行われるため、光によ
る相互干渉や信号歪みのない信号伝送がなされる。ま
た、入射する光を全反射するための傾斜面5の構造は、
反射膜2を被覆した構造とされ、次に説明するような工
程により得られるものである。
も機能するため、光電子ICチップ4の数が多くなる場
合に、有効な配線構造となる。
積回路装置の製造方法の一例について説明する。
1を加工し、傾斜面22を伴う凸部23を該シリコン基
板21の表面に形成する。このような凸部23の形成
は、ドライエッチングの如き異方性エッチングを用いて
行われ、傾斜面22は主面に対して45°の角度をなす
ように加工される。次いで、凸部23の形成されたシリ
コン基板21の全面に反射膜24を被着する。反射膜2
4がアルミニューム膜である場合には、蒸着等により形
成できる。
た後、フォトリソグラフィ技術により、その反射膜24
を所要の電源供給用のパターンにパターニングする。
1上の全面に、導波路を形成するための材料層としてシ
リコン酸化膜25が例えばCVD法等により形成され
る。このシリコン酸化膜25の膜厚は、凸部23の間の
凹部が充分に埋められる厚みである。
カニカルポリッシング等によってシリコン酸化膜25の
膜厚を減らし、図8に示すように、凸部23の上面が露
出する程度までシリコン酸化膜25を削る。凸部23上
の反射膜24が露出しない程度にシリコン酸化膜25を
削る場合には、凸部23において電源供給のためのコン
タクトホールを形成する。
25に対してプロトンを注入して、高屈折率層を形成す
る。この高屈折率層のパターンは、平行な導波路を形成
するパターンであり、図示しないレジスト等をマスクと
してイオン注入される。
後、図10に示すように、受光素子や発光素子及び電子
回路部が既に形成された光電子ICチップ26が各凸部
23上に載置される。この時、光電子ICチップ26の
電源供給用端子が反射膜24に接続し、光電子ICチッ
プ26の受光素子や発光素子は傾斜面22上に位置する
ように載置される。
る凸部33を表面に有し、その傾斜面39の表面には反
射膜32が形成されている。凸部33の周囲の凹部に
は、光導波路38が形成されている。
aに受光素子37,発光素子36,電子回路部35が形
成されるが、本実施例では、光結合に用いられる光の波
長が光電子ICチップ34を透過する波長の光とされ
る。従って、発光素子36で生成された光は、光電子I
Cチップ34を透過して傾斜面39の反射膜32で反射
し、光導波路38に向かう。また、光導波路38からの
光は傾斜面39の反射膜32で反射した後、光電子IC
チップ34を透過して受光素子37に受光されることに
なる。
る光による光結合では、電子回路部35の如き集積回路
を光配線基板31側にすることなく実装が可能である。
また、光電子ICチップ34毎に一方の主面34a側か
らプローブ等を使用しながら品質検査をすることができ
る。さらに、光電子ICチップ34の裏面にマイクロレ
ンズを形成することで、光の入出力効率を高くすること
ができる。
る。その要部構造を図4に示す。第1の実施例と同様
に、本実施例の光配線基板31は、傾斜面39を周囲に
有する凸部33を表面に有し、その傾斜面39の表面に
は反射膜32が形成されている。凸部33の周囲の凹部
には、光導波路38が形成されている。
直方向に積層された基板42,43,44からなり、受
光素子45は最上層の基板44に形成され、発光素子4
6は中間の基板43に形成されている。これら受光素子
45や発光素子46の位置は、光配線基板31の傾斜面
39と平面上重なる位置であるが、発光素子46からの
光は、最下層の基板42を透過して、傾斜面39に到達
し、受光素子45に受光される光は、最下層の基板42
及び中間の基板43を透過したものである。
した場合では、配線経路が大幅に短縮され、配線遅延を
低減できることになる。なお、本実施例では、光電子I
Cチップを3枚の基板を積層する構造としたが、これに
限定されず、2枚やさらに多くの数の基板を積層した
り、他の種類の基板を組み合わせて積層するような構造
とすることも可能である。また、受光素子や発光素子を
基板主面な方向に複数個重なるように形成して、多重化
するような構造としても良い。
例である。図5の断面に示すように、本実施例の光電子
集積回路装置では、1つの光電子ICチップ55の内部
での光結合のための光導波路59が光配線基板51の表
面に形成される。光配線基板51の表面には、凸部53
が形成され、この凸部53の端部が反射膜52の被覆さ
れた傾斜面54となる。図5の断面では、一対の凸部5
3の間の光導波路59は、当該光電子ICチップ55専
用であり、他の光電子ICチップとの光伝送には用いら
れない。他の光導波路58は、他の実施例と同様に他の
光電子ICチップとの光結合に使用される。光電子IC
チップ55には、他の光電子ICチップとの光結合のた
めの発光素子57及び受光素子56が形成され、さらに
チップ内の光結合のための発光素子57i及び受光素子
56iが形成される。これら発光素子57,57i及び
受光素子56,56iは、それぞれ傾斜面54上に平面
的に重なる位置に形成されていることは言うまでもな
い。
び光配線基板51を用いた場合では、光電子ICチップ
55内での信号伝達を光によって行うことができ、電気
配線に固有な伝送歪みや相互干渉の問題等を解決できる
ことになる。
集積回路基板同士の光結合が反射膜に被覆された傾斜面
を有した光配線基板によって行われるため、光による相
互干渉や信号歪みのない信号伝送がなされる。また、入
射する光を全反射するための傾斜面の構造は、反射膜を
被覆した構造であり、特別な角度等を必要とせずに全反
射が可能であり、その製造工程も簡略化される。
用の配線としても機能するため、光電子集積回路基板毎
のワイヤボンディング等が不要となり、光電子集積回路
基板の数が多くなる場合に、有効な配線構造となる。
の構造を示し、一部の光電子ICチップを分解しながら
示す要部斜視図である。
った断面図である。
示す要部断面図である。
示す要部断面図である。
示す要部断面図である。
における基板加工工程までの工程断面図である。
におけるシリコン酸化膜形成工程までの工程断面図であ
る。
におけるポリッシング工程までの工程断面図である。
におけるイオン注入工程までの工程断面図である。
法における光電子ICチップの取り付け工程までの工程
断面図である。
膜、 3,38,58,59 光導波路、 4,34,
41,55 光電子ICチップ、 5,39,54 傾
斜面、 6,33,53 凸部、 7 シリコン酸化
膜、 10 電子回路部、 11,36,46,57,
57i 発光素子、 12,37,45,56,56i
受光素子
Claims (2)
- 【請求項1】 周囲に傾斜面が形成された複数の凸部が
形成され、上記傾斜面に光結合用の光を反射する反射膜
が形成されるとともに上記凸部間に構成された凹部に上
記傾斜面に連続して光導波路が形成された光配線基板
と、 電子回路部と、発光素子と受光素子のうちの少なくとも
一方が形成された複数の光電子回路基板とを有し、 上記複数の光電子回路基板は、外周側に設けられた上記
発光素子及び/又は上記受光素子を上記凸部の傾斜面に
対応する位置に位置させるとともに素子形成面を上方に
向けて上記複数の凸部にそれぞれ取り付けられ、 上記光電子回路基板に設けられた発光素子と受光素子間
の光結合は、上記光電子回路基板を透過する光により行
われることを特徴とする光電子集積回路装置。 - 【請求項2】 周囲に傾斜面が形成された複数の凸部が
形成され、上記傾斜面に光結合用の光を反射する反射膜
が形成されるとともに上記凸部間に構成された凹部に上
記傾斜面に連続して光導波路が形成された光配線基板
と、 電子回路部と、発光素子と受光素子のうちの少なくとも
一方が形成された複数の光電子回路基板とを有し、 上記複数の光電子回路基板は、外周側に設けられた上記
発光素子及び/又は上記受光素子を上記凸部の傾斜面に
対応する位置に位置させるとともに互いに積層されて上
記凸部上に取り付けられ、 上記凸部上に積層された複数の光電子回路基板のうちの
第2段目以上の光電子回路基板の光の送受信は、当該光
電子回路基板を透過して行われることを特徴とする光電
子集積回路装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP25425891A JP3413839B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 光電子集積回路装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP25425891A JP3413839B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 光電子集積回路装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0567770A JPH0567770A (ja) | 1993-03-19 |
JP3413839B2 true JP3413839B2 (ja) | 2003-06-09 |
Family
ID=17262480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25425891A Expired - Lifetime JP3413839B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-06 | 光電子集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3413839B2 (ja) |
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