DE102010024864A1 - Optoelektronisches Halbleiterbauteil - Google Patents
Optoelektronisches Halbleiterbauteil Download PDFInfo
- Publication number
- DE102010024864A1 DE102010024864A1 DE102010024864A DE102010024864A DE102010024864A1 DE 102010024864 A1 DE102010024864 A1 DE 102010024864A1 DE 102010024864 A DE102010024864 A DE 102010024864A DE 102010024864 A DE102010024864 A DE 102010024864A DE 102010024864 A1 DE102010024864 A1 DE 102010024864A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- potting compound
- optoelectronic semiconductor
- semiconductor component
- reflective
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 142
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims abstract description 87
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 59
- MEKOFIRRDATTAG-UHFFFAOYSA-N 2,2,5,8-tetramethyl-3,4-dihydrochromen-6-ol Chemical compound C1CC(C)(C)OC2=C1C(C)=C(O)C=C2C MEKOFIRRDATTAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 claims description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
- H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
- H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
- H01L2224/48478—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball
- H01L2224/48479—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding) the connecting portion being a wedge bond, i.e. wedge on pre-ball on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
- H01L2924/0503—13th Group
- H01L2924/05032—AlN
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/053—Oxides composed of metals from groups of the periodic table
- H01L2924/0543—13th Group
- H01L2924/05432—Al2O3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12036—PN diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Abstract
In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses einen Träger (2) sowie mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (3), der an einer Trägeroberseite (20) angebracht ist. Weiterhin beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Bonddraht (4), über den der Halbleiterchip (3) elektrisch kontaktiert ist, sowie mindestens einen Abdeckkörper (5), der auf einer Strahlungshauptseite (30) angebracht ist und der den Bonddraht (4) überragt. Zumindest eine reflektierende Vergussmasse (6) umgibt den Halbleiterchip (3) in lateraler Richtung und reicht mindestens bis zu der Strahlungshauptseite (30) des Halbleiterchips (3). Der Bonddraht (4) ist vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6) oder vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6) zusammen mit dem Abdeckkörper (5) überdeckt.
Description
- Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben.
- In der Druckschrift
US 2006/0138621 A1 - Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, das eine hohe Lichtauskoppeleffizienz aufweist.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses einen Träger mit einer Trägeroberseite. Bei dem Träger handelt es sich beispielsweise um eine Leiterplatte oder um eine bedruckte Leiterplatte, kurz PCB. Ein Basismaterial des Trägers, auf dem beispielsweise elektrische Leiterbahnen angebracht sind, kann eine Keramik wie ein Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid sein. Ebenso kann der Träger auf einem Metall basieren oder eine Metallkernplatine sein. Weiterhin kann der Träger als so genanntes Quad-Flat No-Leads-Package, kurz QFN, ausgeführt sein.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses einen oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips, die an der Trägeroberseite angebracht sind. Die Halbleiterchips weisen eine Strahlungshauptseite auf, die der Trägeroberseite abgewandt ist. Eine in den Halbleiterchips erzeugte elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, verlässt die Halbleiterchips überwiegend oder vollständig über die Strahlungshauptseite.
- Bei den Halbleiterchips handelt es sich insbesondere um auf einem III-V-Halbleitermaterial basierende Halbleiterchips. Beispielsweise basieren die Halbleiterchips auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-nGamN oder auf einem Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-nGamP, wobei jeweils 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1. Dabei kann dieses Material einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters, also Al, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Bevorzugt sind die optoelektronischen Halbleiterchips dazu eingerichtet, im Betrieb des Halbleiterbauteils eine sichtbare Strahlung, beispielsweise im blauen, im grünen, im gelben und/oder im roten Spektralbereich, zu erzeugen. Die Strahlungserzeugung erfolgt in mindestens einer aktiven Zone, die mindestens eine Quantentopfstruktur und/oder mindestens einen pn-Übergang beinhaltet.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist der Halbleiterchip über mindestens einen Bonddraht elektrisch kontaktiert, bevorzugt über genau einen Bonddraht. Es ist der Bonddraht an der Strahlungshauptseite mit dem Halbleiterchip verbunden. Insbesondere verbindet der Bonddraht eine Leiterbahn an der Trägeroberseite mit einer Stromaufweitungsstruktur an der Strahlungshauptseite des Halbleiterchips. Elektrische Kontakte des Halbleiterchips befinden sich bevorzugt an einander gegenüberliegenden Hauptseiten des Halbleiterchips.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils weist dieses mindestens einen Abdeckkörper auf, der an der Strahlungshauptseite des Halbleiterchips angebracht ist. Der Abdeckkörper kann auf die Strahlungshauptseite beschränkt sein oder auch den Halbleiterchip in einer lateralen Richtung, also in eine Richtung parallel zu der Strahlungshauptseite, überragen. Weiterhin überragt der Abdeckkörper, in einer Richtung weg von der Trägeroberseite und senkrecht zu der Strahlungshauptseite, den Bonddraht. Mit anderen Worten kann, in eine Projektion auf eine Ebene senkrecht zu der Strahlungshauptseite gesehen, der Bonddraht vollständig zwischen der Trägeroberseite und einer Körperoberseite des Abdeckkörpers, die der Trägeroberseite abgewandt ist, liegen.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils weist dieses mindestens eine reflektierende Vergussmasse auf. Die Vergussmasse umgibt den Halbleiterchip stellenweise oder vollständig in lateraler Richtung. Von der Trägeroberseite aus gesehen reicht die Vergussmasse mindestens bis zu der Strahlungshauptseite, beispielsweise mit einer Toleranz von höchstens 15 μm oder von höchstens 5 μm. Bevorzugt steht die reflektierende Vergussmasse in lateraler Richtung zumindest stellenweise in unmittelbarem, direktem Kontakt zu dem Halbleiterchip.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist der Bonddraht vollständig von der reflektierenden Vergussmasse oder alternativ vollständig von der reflektierenden Vergussmasse zusammen mit dem Abdeckkörper überdeckt. Mit anderen Worten ragt der Bonddraht, in eine Richtung weg von der Trägeroberseite, nicht aus der reflektierenden Vergussmasse oder nicht aus der reflektierenden Vergussmasse zusammen mit dem Abdeckkörper heraus. Der Bonddraht liegt insbesondere an keiner Stelle frei. Das heißt, in eine Richtung senkrecht zur und weg von der Trägeroberseite folgt auf jedes Teilstück des Bonddrahts ein Material der reflektierenden Vergussmasse und/oder ein Material des Abdeckkörpers.
- In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses einen Träger mit einer Trägeroberseite sowie mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip, der an der Trägeroberseite angebracht ist und der eine der Trägeroberseite abgewandte Strahlungshauptseite aufweist. Weiterhin beinhaltet das Halbleiterbauteil mindestens einen Bonddraht, über den der Halbleiterchip elektrisch kontaktiert ist, sowie mindestens einen Abdeckkörper, der auf der Strahlungshauptseite angebracht ist und der den Bonddraht, in eine Richtung weg von der Trägeroberseite und senkrecht zu der Strahlungshauptseite, überragt. Zumindest eine reflektierende Vergussmasse umgibt den Halbleiterchip in lateraler Richtung und reicht, von der Trägeroberseite her gesehen, mindestens bis zu der Strahlungshauptseite des Halbleiterchips. Der Bonddraht ist hierbei vollständig von der reflektierenden Vergussmasse oder vollständig von der reflektierenden Vergussmasse zusammen mit dem Abdeckkörper überdeckt.
- Durch eine solche reflektierende Vergussmasse ist eine Strahlungsemission insbesondere ausschließlich an der Strahlungshauptseite des Halbleiterchips erzielbar. Weiterhin sind Abschattungseffekte oder unerwünschte Reflexionen an dem Bonddraht reduzierbar oder vermeidbar, so dass eine Strahlungsauskoppeleffizienz aus dem Halbleiterbauteil heraus erhöhbar ist.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist der Bonddraht vollständig in die reflektierende Vergussmasse eingebettet. Insbesondere umgibt die reflektierende Vergussmasse den Draht formschlüssig und steht in unmittelbarem Kontakt zu dem Bonddraht. Es ist der Bonddraht also beispielsweise von der reflektierenden Vergussmasse unmittelbar umgossen. Vollständig eingebettet kann bedeuten, dass der Bonddraht ausschließlich in Kontakt steht erstens mit der reflektierenden Vergussmasse und/oder zweitens mit elektrischen Anschlussbereichen, mit denen der Bonddraht elektrisch leitend verbunden und an die der Bonddraht gebondet ist und/oder drittens mit einem elektrischen Verbindungsmittel, mit dem der Bonddraht an den Anschlussbereichen befestigt ist.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils reicht die reflektierende Vergussmasse, von der Trägeroberseite her gesehen, bis an die der Trägeroberseite abgewandte Körperoberseite des Abdeckkörpers. Insbesondere schließt die reflektierende Vergussmasse an einer lateralen Begrenzungsfläche des Abdeckkörpers, in eine Richtung weg von der Trägeroberseite, bündig oder im Rahmen der Herstellungstoleranzen bündig mit der Körperoberseite ab. Beispielsweise betragen die Herstellungstoleranzen höchstens 10 μm.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist die Körperoberseite des Abdeckkörpers mit einer Antihaftschicht versehen. Die Antihaftschicht ist nicht benetzend für ein Material der reflektierenden Vergussmasse ausgebildet. Die Antihaftschicht besteht oder weist zum Beispiel ein Polyhalogenolefin, insbesondere eine fluorhaltige Verbindung wie Polytetrafluorethylen, auf. Bevorzugt ist die Antihaftschicht transparent für eine unmittelbar in dem Halbleiterchip erzeugte Strahlung und/oder für eine in dem Abdeckkörper über Wellenlängenkonversion erzeugte Strahlung.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils verläuft eine der Trägeroberseite abgewandte Vergussoberseite des reflektierenden Vergusskörpers bündig und/oder parallel zu der Körperoberseite des Abdeckkörpers. Eine Toleranz bezüglich der Bündigkeit und/oder der Parallelität beträgt zum Beispiel höchstens 30 μm oder höchstens 10 μm, in einer Richtung senkrecht zu der Körperoberseite. Im Rahmen der Herstellungstoleranzen kann die Vergussoberseite parallel zu der Trägeroberseite verlaufen.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist die Trägeroberseite, in Draufsicht gesehen, vollständig von der reflektierenden Vergussmasse zusammen mit dem Abdeckkörper überdeckt. Mit anderen Worten folgt jedem Teilstück der Trägeroberseite, in eine Richtung senkrecht zu und weg von der Trägeroberseite, ein Material der Vergussmasse oder/und des Abdeckkörpers nach. Insbesondere folgt jedem Teilstück der Trägeroberseite entweder ein Material der Vergussmasse oder ein Material des Abdeckkörpers nach.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils weist die Strahlungshauptseite des Halbleiterchips einen elektrischen Anschlussbereich auf. Bei dem elektrischen Anschlussbereich kann es sich um ein so genanntes Bondpad handeln. Insbesondere ist in dem Anschlussbereich der Bonddraht elektrisch und mechanisch mit dem Halbleiterchip verbunden. Bevorzugt weist der Halbleiterchip an der Strahlungshauptseite genau einen elektrischen Anschlussbereich auf. Von dem Anschlussbereich ausgehend können sich Strukturen zu einer Stromverteilung an der Strahlungshauptseite befinden, zum Beispiel schmale, metallische Stege.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist der elektrische Anschlussbereich an der Strahlungshauptseite frei von dem Abdeckkörper. Mit anderen Worten folgt dem Anschlussbereich, in eine Richtung weg von der Trägeroberseite, kein Material des Abdeckkörpers nach. Der Anschlussbereich berührt bevorzugt den Abdeckkörper auch nicht.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist der elektrische Anschlussbereich an der Strahlungshauptseite vollständig oder teilweise von der reflektierenden Vergussmasse bedeckt. In eine Richtung senkrecht zu und weg von der Strahlungshauptseite folgt also jedem Teilstück des Anschlussbereichs ein Material der reflektierenden Vergussmasse nach.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils verläuft der Bonddraht in dem elektrischen Anschlussbereich an der Strahlungshauptseite, mit einer Toleranz von höchstens 20° oder von höchstens 10°, parallel zu der Strahlungshauptseite und/oder parallel zu der Trägeroberseite und/oder parallel zu der Körperoberseite des Abdeckkörpers. Besonders bevorzugt verläuft der Bonddraht auch in einem Nahbereich um den elektrischen Anschlussbereich herum parallel zu der Strahlungshauptseite. Beispielsweise weist der Nahbereich einen Durchmesser auf, der mindestens dem Zweifachen oder mindestens dem Fünffachen eines mittleren Durchmessers des elektrischen Anschlussbereichs auf der Strahlungshauptseite entspricht.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist der Abdeckkörper als Plättchen geformt und bevorzugt auf die Strahlungshauptseite begrenzt. Mit anderen Worten übersteigen laterale Ausdehnungen des Abdeckkörpers dessen Höhe. Dass der Abdeckkörper auf die Strahlungshauptseite begrenzt ist, bedeutet, dass der Abdeckkörper die Strahlungshauptseite in lateraler Richtung nicht überragt, zum Beispiel mit einer Toleranz von höchstens 50 μm oder von höchstens 15 μm. Als Plättchen geformt kann weiterhin bedeuten, dass zwei Hauptseiten des Abdeckkörpers im Rahmen der Herstellungstoleranzen parallel zueinander orientiert sind.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils weist der Abdeckkörper eine Dicke zwischen einschließlich 50 μm und 250 μm, insbesondere zwischen einschließlich 50 μm und 120 μm auf.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils weist die reflektierende Vergussmasse ein klarsichtiges, transparentes Matrixmaterial auf, wobei in das Matrixmaterial reflektierende Partikel eingebettet sind. Beispielsweise sind die Partikel diffus reflektierend und weiß. Besonders bevorzugt weist das Matrixmaterial bei Raumtemperatur eine Härte von höchstens Shore A 50 oder von höchstens Shore A 40 auf. Mit anderen Worten ist das Matrixmaterial vergleichsweise weich.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfassen oder bestehen die Partikel aus einem Partikelmaterial, das ein Metalloxid ist. Bei dem Metalloxid handelt es sich beispielsweise um Titandioxid.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils beträgt ein Gewichtsanteil der reflektierenden Partikel, bezogen auf die gesamte reflektierende Vergussmasse, zwischen einschließlich 10% und 40%, insbesondere zwischen einschließlich 20% und 30%.
- Ein Reflexionskoeffizient der reflektierenden Vergussmasse beträgt für sichtbare Strahlung, beispielsweise für Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen einschließlich 450 nm und 700 nm, mindestens 85% oder, bevorzugt, mindestens 90% oder mindestens 93%.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils erscheint die Vergussmasse weiß, in Draufsicht auf die Vergussmasse gesehen und insbesondere in einem Bereich um den Halbleiterchip herum. Mit anderen Worten ist zum Beispiel eine Konzentration der Partikel so eingestellt, dass die Vergussmasse für einen Betrachter einen weißen Farbeindruck erweckt.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umgibt die reflektierende Vergussmasse den Halbleiterchip ringsum vollständig, in lateraler Richtung gesehen, und ist formschlüssig zu lateralen Begrenzungsflächen des Halbleiterchips ausgebildet. Weiterhin bevorzugt umgibt die reflektierende Vergussmasse ebenso den Bonddraht und/oder den Abdeckkörper in lateraler Richtung formschlüssig und vollständig ringsum.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils weist dieses ein Gehäuse mit einer Kavität auf, wobei sich der Halbleiterchip, der Abdeckkörper, der Bonddraht sowie die reflektierende Vergussmasse jeweils in der Kavität befinden und wobei der Halbleiterchip an der Trägeroberseite angebracht ist. Hierbei reicht die reflektierende Vergussmasse bevorzugt, entlang einer lateralen Richtung, von dem Halbleiterchip bis zu lateralen Begrenzungsflächen der Kavität, so dass zwischen den lateralen Begrenzungsflächen der Kavität und dem Halbleiterchip kein Luftspalt oder kein Spalt, der mit einem weiteren Material gefüllt ist, auftritt.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist die reflektierende Vergussmasse dazu eingerichtet, die lateralen Begrenzungsflächen der Kavität zu benetzen. Mit anderen Worten kann sich an den lateralen Begrenzungsflächen ein konkaver Meniskus ausbilden und es kann bei der Fertigung des Halbleiterbauteils die reflektierende Vergussmasse entlang der lateralen Begrenzungsflächen der Kavität in Richtung weg von der Trägeroberseite kriechen.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist eine Dicke der Vergussmasse unmittelbar an den lateralen Begrenzungsflächen der Kavität um mindestens 50 μm und/oder um höchstens 400 μm größer als unmittelbar an dem Halbleiterchip. Mit anderen Worten ist es möglich, dass die reflektierende Vergussmasse einen paraboloiden Reflektor ausbildet, wobei eine Dicke der Vergussmasse, mit einer Toleranz von höchstens 30 μm, in eine Richtung weg von dem Halbleiterchip stetig zunimmt. Dem steht nicht entgegen, dass sich innerhalb der genannten Toleranz zum Beispiel an lateralen Begrenzungsflächen des Abdeckkörpers ebenfalls ein vergleichsweise kleiner Meniskus der Vergussmasse ausbilden kann.
- Nachfolgend wird ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteile unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
- Es zeigen:
-
1 bis7 schematische Darstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen. - In
1 ist ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Halbleiterbauteils1 in einer schematischen Schnittdarstellung illustriert. Ein optoelektronischer Halbleiterchip3 ist an einer ebenen Trägeroberseite20 eines Trägers2 angebracht. Der Halbleiterchip3 weist eine dem Träger2 abgewandte Strahlungshauptseite30 auf. An der Strahlungshauptseite30 ist ein Abdeckkörper5 mit einer dem Halbleiterchip3 abgewandten, ebenen Körperoberseite50 angebracht. Der Abdeckkörper5 ist als Plättchen geformt und weist eine Dicke A von beispielsweise circa 100 μm auf. Eine Dicke C des Halbleiterchips liegt beispielsweise zwischen einschließlich 30 μm und 250 μm, insbesondere um circa 120 μm. Ein Teilbereich in einer Ecke der Strahlungshauptseite30 , in dem sich ein elektrischer Anschlussbereich7a befindet, ist von dem Abdeckkörper5 nicht bedeckt. - Eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips
3 erfolgt über einen Bonddraht4 , der von einem elektrischen Anschlussbereich7b an der Trägeroberseite20 bis zu dem Anschlussbereich7a an der Strahlungshauptseite30 reicht. In einem Bereich um den Anschlussbereich7a verläuft der Bonddraht4 näherungsweise parallel zu der Strahlungshauptseite30 , beispielsweise mit einer Toleranz von höchstens 20°. Anders als in1 dargestellt ist es möglich, dass ein Abstand des Bonddrahtes4 zu der Trägeroberseite20 von dem Anschlussbereich7a in Richtung hin zu dem Anschlussbereich7b stetig abnimmt, insbesondere falls der Anschlussbereich7a podestartig ausgebildet ist. - In lateraler Richtung umgibt den Halbleiterchip
3 , den Abdeckkörper5 sowie den Bonddraht4 formschlüssig eine reflektierende Vergussmasse6 . Der Bonddraht4 ist vollständig in die reflektierende Vergussmasse6 eingebettet. Eine Dicke T der Vergussmasse6 entspricht, beispielsweise mit einer Toleranz von höchstens 5 oder von höchstens 10 der Summe der Dicken A, C des Abdeckkörpers5 sowie des Halbleiterchips3 . Eine dem Träger2 abgewandte Vergussoberseite60 der Vergussmasse6 ist, im Rahmen der Herstellungstoleranzen, parallel zu der Trägeroberseite20 sowie zu der Körperoberseite50 orientiert und schließt im Rahmen der Herstellungstoleranzen bündig mit der Körperoberseite50 ab. Bei der Vergussmasse6 handelt es sich zum Beispiel um ein transparentes Silikon oder um ein transparentes Silikon-Epoxid-Hybridmaterial, in das reflektierende Partikel, insbesondere aus Titandioxid, eingebettet sind. Der Anschlussbereich7a an der Strahlungshauptseite30 ist von der Vergussmasse6 vollständig bedeckt. - An lateralen Begrenzungsflächen des Abdeckkörpers
5 kann sich an einer dem Träger2 abgewandten Vergussoberseite60 der Vergussmasse6 ein konkaver Meniskus ausbilden. Bevorzugt ist die Körperoberseite50 des Abdeckkörpers5 mit einer Antihaftschicht8 versehen, die ein Benetzen der Körperoberseite50 mit einem Material der Vergussmasse6 verhindert. Eine Dicke der Antihaftschicht8 liegt beispielsweise zwischen einschließlich 10 nm und 1 μm, insbesondere zwischen einschließlich 25 nm und 200 nm. Die Antihaftschicht weist bevorzugt ein fluoriertes Material, beispielsweise ein teflonartiges Material, auf. - Der Abdeckkörper
5 ist beispielsweise an die Strahlungshauptseite30 aufgeklebt oder unmittelbar auf die Strahlungshauptseite30 aufgedruckt. Anders als dargestellt können, in eine Richtung weg von der Trägeroberseite20 , mehrere Abdeckkörper, die unterschiedliche Funktionen ausüben und beispielsweise transparent, diffus streuend sind oder ein Konversionsmittel aufweisen, aufeinander folgen. Ebenso ist es möglich, dass der Abdeckkörper5 an der Körperoberseite50 jeweils eine aufgeraute Struktur zur Verbesserung einer Lichtauskopplung aufweist oder zusätzlich oder alternativ zu der Antihaftschicht8 mit einer Antireflexionsbeschichtung oder mit einer besonders harten, gegen mechanische Belastungen widerstandsfähigen Beschichtung versehen ist. - Anders als in
1 dargestellt, ist es möglich, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, dass der optoelektronische Halbleiterchip3 über zwei Bonddrähte4 an der Strahlungshauptseite30 elektrisch kontaktiert ist und dass der Halbleiterchip3 dann als so genannter Flip-Chip ausgebildet ist. - In perspektivischen Darstellungen ist in den
2A bis2E schematisch ein Verfahren zur Herstellung eines Ausführungsbeispiels des optoelektronischen Halbleiterbauteils1 illustriert. - Gemäß
2A wird der Träger2 bereitgestellt. Der Träger2 weist elektrische Anschlussbereiche7b ,7c ,7d an der Trägeroberseite20 auf. Die Anschlussbereiche7b ,7d sind bevorzugt mit nicht dargestellten elektrischen Leiterbahnen an einer Unterseite des Trägers2 über Durchkontaktierungen verbunden. - Gemäß
2B werden an den Anschlussbereichen7c die mehreren Halbleiterchips3 , beispielsweise über ein Löten oder ein elektrisch leitfähiges Kleben, angebracht. An den Anschlussbereichen7d werden Schutzdioden11 gegen elektrostatische Entladung angebracht. Bei den Halbleiterchips3 kann es sich um baugleiche Halbleiterchips handeln oder auch um verschiedene, beispielsweise in verschiedenen Spektralbereichen emittierende Halbleiterchips. - In
2C sind die Bonddrähte4a ,4b mit den Anschlussbereichen7a ,7e des Halbleiterchips3 sowie mit der Schutzdiode11 verbunden, ausgehend von dem Anschlussbereich7b an der Trägeroberseite20 . Die Bonddrähte4a ,4b werden bevorzugt zuerst mit der Trägeroberseite20 und anschließend mit dem Halbleiterchip3 sowie mit der Schutzdiode11 verbunden. - Gemäß
2D werden auf den Halbleiterchips3 die Abdeckkörper5a ,5b aufgebracht. Bei den Abdeckkörpern5a handelt es sich beispielsweise um klarsichtige, transparente Plättchen, die bevorzugt eine Dicke derart aufweisen, dass sie in eine Richtung weg von dem Träger2 bündig mit den Abdeckkörpern5b abschließen. Die Abdeckkörper5b beinhalten ein Konversionsmittel, das dazu eingerichtet ist, zumindest einen Teil der von den Halbleiterchips3 emittierten Strahlung in eine Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Beispielsweise emittieren die den Abdeckkörpern5b zugeordneten Halbleiterchips3 blaues Licht und die den Abdeckkörpern5a zugeordneten Halbleiterchips3 blaues Licht oder rotes Licht. Alternativ hierzu kann es sich bei den Halbleiterchips3 jeweils um baugleiche Halbleiterchips handeln. Ebenso können baugleiche Abdeckkörper5a ,5b Verwendung finden. - Eine detailliertere Darstellung der Bonddrähte
4a ,4b ist der3 zu entnehmen. In eine Richtung weg von der Trägeroberseite20 überragen die Abdeckkörper5a ,5b die Bonddrähte4a ,4b . Entlang des Verlaufs der Bonddrähte4a ,4b weisen diese unterschiedliche Krümmungsradien auf. Über dem elektrischen Anschlussbereich7b an der Trägeroberseite20 ist der Krümmungsradius der Bonddrähte4a ,4b insbesondere kleiner als in einem Bereich nahe der Anschlussbereich7a ,7e an den dem Träger2 abgewandten Seiten des Halbleiterchips3 sowie der Schutzdiode11 . - Gemäß
2E sind die Halbleiterchips3 sowie die Abdeckkörper5a ,5b und die Bonddrähte4a ,4b von der reflektierenden Vergussmasse6 umgossen und in lateraler Richtung umgeben. Die Abdeckkörper5a ,5b sowie die Vergussmasse6 bedecken den Träger2 , in eine Richtung weg von der Trägeroberseite20 , vollständig. Es sind die Bonddrähte4a ,4b komplett in die Vergussmasse6 eingebettet. Die Vergussoberseite60 verläuft näherungsweise parallel zu der Trägeroberseite20 und ist, mit Ausnahme von konkaven Menisken, die sich an lateralen Begrenzungsflächen der Abdeckkörper5a ,5b ausbilden, planar geformt und schließt bündig mit den Körperoberseiten50 ab. - Durch die Vergussmasse
6 ist verhinderbar, dass Strahlung aus den Abdeckkörpern5b mit dem Konversionsmittel zugeordneten Halbleiterchips3 austritt, die die Abdeckkörper5b nicht durchlaufen hat. Hierdurch ist eine besonders homogene, spektrale Abstrahlung und eine hohe Konversionseffizienz erreichbar. - Optional kann das Halbleiterbauteil
1 gemäß2E zu Halbleiterbauteilen mit jeweils mehreren oder jeweils genau einem Halbleiterchip3 vereinzelt werden. - In
4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauteils1 in einer Schnittdarstellung gezeigt. Anders als gemäß1 ist der Bonddraht4 in die Vergussmasse6 zusammen mit dem Abdeckkörper5 eingebettet. Die reflektierende Vergussmasse6 reicht, von der Trägeroberseite20 her gesehen, nur bis an die Strahlungshauptseite30 heran. Der Abdeckkörper5 erstreckt sich vollständig oder im Wesentlichen vollständig über die gesamte Trägeroberseite20 . Die Körperoberseite50 ist bevorzugt eben geformt. Die Dicke A des Abdeckkörpers5 liegt bevorzugt zwischen einschließlich 50 μm und 150 μm. Der Abdeckkörper5 ist bevorzugt klarsichtig und transparent. Ebenso ist es möglich, dass der Abdeckkörper5 ein Filtermittel und/oder ein Konversionsmittel enthält, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen. - Beim Ausführungsbeispiel gemäß den
5A bis5E , in denen ein Herstellungsverfahren für ein weiteres Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauteils1 gezeigt ist, analog zu den2A bis2E , weist der Träger2 ein Gehäuse9 mit einer Kavität90 auf. Laterale Begrenzungsflächen95 der Kavität90 sind näherungsweise senkrecht zu der Trägeroberseite20 , auf der die elektrischen Anschlussbereiche7b ,7c ,7d angebracht sind, orientiert. Die lateralen Begrenzungsflächen95 sind benetzend bezüglich der reflektierenden Vergussmasse6 gestaltet, so dass sich beim Befüllen der Kavität90 mit der reflektierenden Vergussmasse6 durch die Vergussoberseite60 eine Reflektorwanne ausbildet. Die Vergussoberseite60 ist bevorzugt paraboloid geformt. - Laterale Abmessungen des Trägers
2 bewegen sich beispielsweise zwischen einschließlich 1 mm × 2 mm und 4 mm × 8 mm, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen. Die Halbleiterbauteile1 sind also vergleichsweise kompakt aufgebaut. Optional können an Ecken des Gehäuses9 sowie des Trägers2 zylinderförmige Ausnehmungen gebildet sein, die beispielsweise Justagehilfen oder Montagehilfen darstellen. - Ein weiteres Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauteils
1 mit dem Gehäuse9 ist in den schematischen Schnittdarstellungen gemäß den6A bis6C illustriert. Wie auch bei allen anderen Ausführungsbeispielen ist der Vergussoberseite60 bevorzugt kein weiterer Verguss nachgeordnet. Insbesondere grenzt die Vergussoberseite60 an Luft. Alternativ hierzu ist es möglich, dass über der Vergussoberseite60 und/oder über dem Gehäuse9 eine in den Figuren nicht dargestellte Optik, beispielsweise eine Linse, nachgeordnet ist. - In
7 ist in einer Schnittdarstellung ein weiteres Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauteils1 gezeigt. Zur Vereinfachung der Darstellung sind in7 der Abdeckkörper sowie der Bonddraht nicht gezeichnet. Durch die Vergussoberseite60 ist ein paraboloider Reflektor ausgebildet. An den lateralen Begrenzungsflächen95 kriecht die Vergussmasse6 während des Herstellens hoch. An dem Haibleiterchip3 weist die Vergussmasse6 eine Dicke T1 und an den lateralen Begrenzungsflächen95 eine Dicke T2 auf. Eine Differenz zwischen den Dicken T1, T2 liegt zum Beispiel zwischen einschließlich 50 μm und 400 μm oder zwischen einschließlich 75 μm und 300 μm. Eine laterale Ausdehnung der Vergussmasse6 zwischen den lateralen Begrenzungsflächen95 des Gehäuses9 und dem Halbleiterchip3 beträgt beispielsweise zwischen einschließlich 100 μm und 1 mm, insbesondere zwischen einschließlich 150 μm und 500 μm, zum Beispiel circa 350 μm. Die Vergussmasse6 steht in direktem Kontakt zu dem Halbleiterchip3 und zu den lateralen Begrenzungsflächen95 . An lateralen Begrenzungsflächen des Halbleiterchips3 können sich kehlenförmige Teile eines Verbindungsmittels, mit dem der Halbleiterchip3 an dem Träger2 angebracht ist, befinden. - In
7 ist zu sehen, dass die Dicke T der Vergussmasse6 in Richtung weg von dem Halbleiterchip3 zuerst geringfügig abnehmen kann und dann, in Richtung hin zu den lateralen Begrenzungsflächen95 , wieder stetig zunimmt. Eine Abnahme der Dicke T, in Richtung weg von dem Halbleiterchip3 , beträgt bevorzugt höchstens 30 μm oder höchstens 20 μm und ist der Ausbildung eines kleinen konkaven Meniskus an dem Halbleiterchip3 beziehungsweise an dem Abdeckkörper zuzuschreiben. Eine Strahlformung durch die Vergussoberseite60 ist durch dieses lokale Minimum der Dicke T des Vergusskörpers6 nicht oder nahezu nicht beeinflusst. - Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- US 2006/0138621 A1 [0002]
Claims (14)
- Optoelektronisches Halbleiterbauteil (
1 ) mit – einem Träger (2 ) mit einer Trägeroberseite (20 ), – mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (3 ), der an der Trägeroberseite (20 ) angebracht ist und der eine der Trägeroberseite (20 ) abgewandte Strahlungshauptseite (30 ) aufweist, – mindestens einem Bonddraht (4 ), über den der Halbleiterchip (3 ) elektrisch kontaktiert ist, – mindestens einem Abdeckkörper (5 ) auf der Strahlungshauptseite (30 ), der den Bonddraht (4 ) in eine Richtung weg von der Trägeroberseite (20 ) und senkrecht zu der Strahlungshauptseite (30 ) überragt, und – mindestens einer reflektierenden Vergussmasse (6 ), die den Halbleiterchip (3 ) in lateraler Richtung umgibt und von der Trägeroberseite (20 ) her mindestens bis zur Strahlungshauptseite (30 ) reicht, wobei der Bonddraht (4 ) vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6 ) oder vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6 ) zusammen mit dem Abdeckkörper (5 ) überdeckt ist. - Optoelektronisches Halbleiterbauteil (
1 ) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Bonddraht (4 ) vollständig in die reflektierende Vergussmasse (6 ) eingebettet ist. - Optoelektronisches Halbleiterbauteil (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die reflektierende Vergussmasse (6 ), von der Trägeroberseite (20 ) her, bis an eine der Trägeroberseite (20 ) abgewandte Körperoberseite (50 ) des Abdeckkörpers (5 ) reicht. - Optoelektronisches Halbleiterbauteil (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Körperoberseite (50 ) des Abdeckkörpers (5 ) mit einer Antihaftschicht (8 ) versehen ist und die Antihaftschicht (8 ) nicht benetzend für ein Material der reflektierenden Vergussmasse (6 ) ist. - Optoelektronisches Halbleiterbauteil (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine der Trägeroberseite (20 ) abgewandte Vergussoberseite (60 ), mit einer Toleranz von höchstens 30 μm, bündig mit und parallel zu der Körperoberseite (50 ) des Abdeckkörpers (5 ) verläuft. - Optoelektronisches Halbleiterbauteil (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Trägeroberseite (20 ), in Draufsicht gesehen, vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6 ) zusammen mit dem Abdeckkörper (5 ) überdeckt ist. - Optoelektronisches Halbleiterbauteil (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Bonddraht (4 ) in einem elektrischen Anschlussbereich (7 ) auf der Strahlungshauptseite (30 ) an dem Halbleiterchip (2 ) angebracht ist, wobei der elektrische Anschlussbereich (7 ) frei von dem Abdeckkörper (5 ) ist und teilweise oder vollständig von der reflektierenden Vergussmasse (6 ) bedeckt ist. - Optoelektronisches Halbleiterbauteil (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Bonddraht (4 ) in dem Anschlussbereich (7 ), mit einer Toleranz von höchstens 20°, parallel zu der Strahlungshauptseite (30 ) verläuft. - Optoelektronisches Halbleiterbauteil (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Abdeckkörper (5 ) als Plättchen geformt und auf die Strahlungshauptseite (30 ) begrenzt ist, wobei eine Dicke (A) des Abdeckkörpers (5 ) zwischen einschließlich 50 μm und 250 μm beträgt. - Optoelektronisches Halbleiterbauteil (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die reflektierende Vergussmasse (6 ) ein transparentes Matrixmaterial und darin eingebettete reflektierende Partikel umfasst, wobei das Matrixmaterial bei Raumtemperatur eine Härte von höchstens Shore A 50 aufweist. - Optoelektronisches Halbleiterbauteil (
1 ) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem ein Partikelmaterial, aus dem die reflektierenden Partikel geformt sind, ein Metalloxid ist, wobei ein Gewichtsanteil der Partikel an der reflektierenden Vergussmasse (6 ) zwischen einschließlich 10 und 40 liegt. - Optoelektronisches Halbleiterbauteil (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die reflektierende Vergussmasse (6 ) den Halbleiterchip (3 ), den Bonddraht (4 ) sowie den Abdeckkörper (5 ) formschlüssig und in lateraler Richtung vollständig ringsum umgibt. - Optoelektronisches Halbleiterbauteil (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das ein Gehäuse (9 ) mit einer Kavität (90 ) aufweist, wobei der Halbleiterchip (3 ), der Abdeckkörper (4 ) sowie die reflektierende Vergussmasse (6 ) an der Trägeroberseite (20 ) in der Kavität (90 ) angeordnet sind, und wobei die reflektierende Vergussmasse (6 ) vom Halbleiterchip (3 ) bis zu lateralen Begrenzungsflächen (95 ) der Kavität (90 ) reicht. - Optoelektronisches Halbleiterbauteil (
1 ) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die reflektierende Vergussmasse (6 ) dazu eingerichtet ist, die lateralen Begrenzungsflächen (95 ) der Kavität (90 ) zu benetzen, wobei eine Dicke (T) der Vergussmasse (6 ) an der lateralen Begrenzungsfläche (95 ) um mindestens 50 μm und um höchstens 400 μm größer ist als an dem Halbleiterchip (3 ).
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010024864.9A DE102010024864B4 (de) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
JP2013515813A JP5746335B2 (ja) | 2010-06-24 | 2011-06-10 | オプトエレクトロニクス半導体モジュール |
US13/703,127 US9818921B2 (en) | 2010-06-24 | 2011-06-10 | Optoelectronic semiconductor component |
KR1020127031826A KR101833471B1 (ko) | 2010-06-24 | 2011-06-10 | 광전 반도체 소자 |
KR1020187005274A KR101878127B1 (ko) | 2010-06-24 | 2011-06-10 | 광전 반도체 소자 |
PCT/EP2011/059738 WO2011160968A1 (de) | 2010-06-24 | 2011-06-10 | Optoelektronisches halbleiterbauteil |
EP11727672.5A EP2586070A1 (de) | 2010-06-24 | 2011-06-10 | Optoelektronisches halbleiterbauteil |
CN201180031298.7A CN102959746B (zh) | 2010-06-24 | 2011-06-10 | 光电子半导体构件 |
TW103141935A TWI565106B (zh) | 2010-06-24 | 2011-06-17 | 光電半導體裝置 |
TW100121173A TWI476964B (zh) | 2010-06-24 | 2011-06-17 | 光電半導體裝置 |
US15/730,214 US10217915B2 (en) | 2010-06-24 | 2017-10-11 | Optoelectronic semiconductor component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010024864.9A DE102010024864B4 (de) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102010024864A1 true DE102010024864A1 (de) | 2011-12-29 |
DE102010024864B4 DE102010024864B4 (de) | 2021-01-21 |
Family
ID=44509922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102010024864.9A Active DE102010024864B4 (de) | 2010-06-24 | 2010-06-24 | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9818921B2 (de) |
EP (1) | EP2586070A1 (de) |
JP (1) | JP5746335B2 (de) |
KR (2) | KR101878127B1 (de) |
CN (1) | CN102959746B (de) |
DE (1) | DE102010024864B4 (de) |
TW (2) | TWI476964B (de) |
WO (1) | WO2011160968A1 (de) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012113003A1 (de) * | 2012-12-21 | 2014-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102013100576A1 (de) | 2013-01-21 | 2014-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
DE102013204291A1 (de) * | 2013-03-12 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
WO2014183800A1 (de) * | 2013-05-17 | 2014-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung |
WO2014183801A1 (de) * | 2013-05-17 | 2014-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung |
DE102013112549A1 (de) * | 2013-11-14 | 2015-05-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
WO2015172937A1 (de) * | 2014-05-14 | 2015-11-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement, beleuchtungsvorrichtung und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |
EP2760046A3 (de) * | 2013-01-29 | 2016-01-13 | LG Innotek Co., Ltd. | Lampeneinheit |
DE102014112973A1 (de) * | 2014-09-09 | 2016-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
DE102014116529A1 (de) * | 2014-11-12 | 2016-05-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
WO2016071308A1 (de) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung |
DE102015107593A1 (de) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Leuchtmittel |
EP2980866A4 (de) * | 2013-03-25 | 2016-12-07 | Lg Innotek Co Ltd | Gehäuse für lichtemittierendes element |
WO2016170151A3 (de) * | 2015-04-24 | 2016-12-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenanordnung und verfahren zur herstellung einer lumineszenzdiodenanordnung |
DE102015109876A1 (de) * | 2015-06-19 | 2016-12-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
EP2709177B1 (de) * | 2012-09-13 | 2017-08-30 | LG Innotek Co., Ltd. | Lichtemittierende Vorrichtung |
CN111542931A (zh) * | 2017-08-01 | 2020-08-14 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 用于制造光电子部件的方法 |
WO2020173908A1 (de) * | 2019-02-25 | 2020-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kontrollierte benetzung bei der herstellung von elektronischen bauteilen |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012101102A1 (de) | 2012-02-10 | 2013-08-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Anordnung mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen |
DE102014102828A1 (de) * | 2014-03-04 | 2015-09-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung mit einer lichtemittierenden Diode |
JP6793111B2 (ja) * | 2014-07-18 | 2020-12-02 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 自動車アプリケーションのためのled光源 |
DE102014112883A1 (de) * | 2014-09-08 | 2016-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
DE102014116134A1 (de) * | 2014-11-05 | 2016-05-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
JP6361645B2 (ja) | 2015-12-22 | 2018-07-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
DE102017110216B4 (de) * | 2017-05-11 | 2023-03-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Sensormodul und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Sensormoduls |
KR102087587B1 (ko) | 2018-08-29 | 2020-03-11 | 주식회사 카이샷 | 휴대용 물병의 물 전기분해에 의한 산소 발생 및 수소수 음용 장치 |
CN111261752B (zh) * | 2018-11-30 | 2021-08-06 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光封装结构及其制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10245946C1 (de) * | 2002-09-30 | 2003-10-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Lichtquellenmoduls |
DE10229067A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102004021233A1 (de) * | 2004-04-30 | 2005-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenanordnung |
US20060138621A1 (en) | 2002-09-30 | 2006-06-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and a module based thereon |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61116702A (ja) | 1984-11-12 | 1986-06-04 | 株式会社小糸製作所 | 車輛用灯具 |
DE10129785B4 (de) * | 2001-06-20 | 2010-03-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE10237084A1 (de) | 2002-08-05 | 2004-02-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements |
JP2004319530A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
TWI270592B (en) | 2003-12-26 | 2007-01-11 | Ind Tech Res Inst | Synthetic leather having aromatic water-borne polyurethane layer |
JP4516337B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2010-08-04 | シチズン電子株式会社 | 半導体発光装置 |
US7279346B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another |
JP2006173392A (ja) | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Koha Co Ltd | 発光装置 |
KR101297443B1 (ko) | 2005-02-07 | 2013-08-30 | 데이진 듀폰 필름 가부시키가이샤 | 도전성 적층 필름 |
JP4653671B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2011-03-16 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
JP4678256B2 (ja) | 2005-08-01 | 2011-04-27 | ソニー株式会社 | 面状光源装置及びカラー液晶表示装置組立体 |
WO2007072659A1 (ja) * | 2005-12-20 | 2007-06-28 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | 発光装置 |
JP2007250629A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法、並びに蛍光パターン形成物 |
JP2008060344A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
US7910938B2 (en) | 2006-09-01 | 2011-03-22 | Cree, Inc. | Encapsulant profile for light emitting diodes |
US9024340B2 (en) | 2007-11-29 | 2015-05-05 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and method for producing the same |
JP5340653B2 (ja) | 2008-06-25 | 2013-11-13 | スタンレー電気株式会社 | 色変換発光装置 |
DE102008045653B4 (de) | 2008-09-03 | 2020-03-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
JP4808244B2 (ja) * | 2008-12-09 | 2011-11-02 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2010199547A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
DE102010028407B4 (de) | 2010-04-30 | 2021-01-14 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
US8901578B2 (en) * | 2011-05-10 | 2014-12-02 | Rohm Co., Ltd. | LED module having LED chips as light source |
CN102810618B (zh) * | 2011-06-02 | 2015-04-29 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 半导体封装结构 |
JP5730680B2 (ja) * | 2011-06-17 | 2015-06-10 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置とその製造方法 |
-
2010
- 2010-06-24 DE DE102010024864.9A patent/DE102010024864B4/de active Active
-
2011
- 2011-06-10 US US13/703,127 patent/US9818921B2/en active Active
- 2011-06-10 KR KR1020187005274A patent/KR101878127B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-10 CN CN201180031298.7A patent/CN102959746B/zh active Active
- 2011-06-10 WO PCT/EP2011/059738 patent/WO2011160968A1/de active Application Filing
- 2011-06-10 JP JP2013515813A patent/JP5746335B2/ja active Active
- 2011-06-10 KR KR1020127031826A patent/KR101833471B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-10 EP EP11727672.5A patent/EP2586070A1/de not_active Withdrawn
- 2011-06-17 TW TW100121173A patent/TWI476964B/zh active
- 2011-06-17 TW TW103141935A patent/TWI565106B/zh active
-
2017
- 2017-10-11 US US15/730,214 patent/US10217915B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10229067A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10245946C1 (de) * | 2002-09-30 | 2003-10-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Lichtquellenmoduls |
US20060138621A1 (en) | 2002-09-30 | 2006-06-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and a module based thereon |
DE102004021233A1 (de) * | 2004-04-30 | 2005-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenanordnung |
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2709177B1 (de) * | 2012-09-13 | 2017-08-30 | LG Innotek Co., Ltd. | Lichtemittierende Vorrichtung |
US20150333232A1 (en) * | 2012-12-21 | 2015-11-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Device, and Optoelectronic Semiconductor Device |
CN104885237B (zh) * | 2012-12-21 | 2017-05-10 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体构件 |
US9490397B2 (en) | 2012-12-21 | 2016-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic semiconductor device, and optoelectronic semiconductor device |
DE102012113003A1 (de) * | 2012-12-21 | 2014-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
CN104885237A (zh) * | 2012-12-21 | 2015-09-02 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体构件 |
DE102013100576A1 (de) | 2013-01-21 | 2014-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil |
EP2760046A3 (de) * | 2013-01-29 | 2016-01-13 | LG Innotek Co., Ltd. | Lampeneinheit |
DE102013204291A1 (de) * | 2013-03-12 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US10177286B2 (en) | 2013-03-25 | 2019-01-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting element package having three regions |
EP2980866A4 (de) * | 2013-03-25 | 2016-12-07 | Lg Innotek Co Ltd | Gehäuse für lichtemittierendes element |
US9991428B2 (en) | 2013-05-17 | 2018-06-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for the production thereof |
WO2014183800A1 (de) * | 2013-05-17 | 2014-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung |
WO2014183801A1 (de) * | 2013-05-17 | 2014-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung |
US10964861B2 (en) | 2013-11-14 | 2021-03-30 | Osram Oled Gmbh | Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device |
DE102013112549B4 (de) | 2013-11-14 | 2021-08-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
US10686104B2 (en) | 2013-11-14 | 2020-06-16 | Osram Oled Gmbh | Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device |
US10217913B2 (en) | 2013-11-14 | 2019-02-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device |
US11508884B2 (en) | 2013-11-14 | 2022-11-22 | Osram Oled Gmbh | Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device |
US11881544B2 (en) | 2013-11-14 | 2024-01-23 | Osram Oled Gmbh | Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device |
DE102013112549A1 (de) * | 2013-11-14 | 2015-05-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
US9911719B2 (en) | 2014-05-14 | 2018-03-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor component, lighting device and method for producing a semiconductor component |
WO2015172937A1 (de) * | 2014-05-14 | 2015-11-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement, beleuchtungsvorrichtung und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements |
US10026880B2 (en) | 2014-09-09 | 2018-07-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
DE102014112973A1 (de) * | 2014-09-09 | 2016-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
DE112015004123B4 (de) | 2014-09-09 | 2022-11-17 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauteils |
US9876155B2 (en) | 2014-11-04 | 2018-01-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for the production thereof |
WO2016071308A1 (de) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung |
US9887336B2 (en) | 2014-11-12 | 2018-02-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and method of producing an optoelectronic semiconductor component |
DE102014116529A1 (de) * | 2014-11-12 | 2016-05-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
WO2016170151A3 (de) * | 2015-04-24 | 2016-12-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenanordnung und verfahren zur herstellung einer lumineszenzdiodenanordnung |
DE102015107593A1 (de) * | 2015-05-13 | 2016-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Leuchtmittel |
DE102015109876A1 (de) * | 2015-06-19 | 2016-12-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
US10049967B2 (en) | 2015-06-19 | 2018-08-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method of producing an optoelectronic component and optoelectronic component |
CN111542931A (zh) * | 2017-08-01 | 2020-08-14 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 用于制造光电子部件的方法 |
CN111542931B (zh) * | 2017-08-01 | 2023-08-01 | 欧司朗Oled股份有限公司 | 用于制造光电子部件的方法 |
WO2020173908A1 (de) * | 2019-02-25 | 2020-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kontrollierte benetzung bei der herstellung von elektronischen bauteilen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130200412A1 (en) | 2013-08-08 |
KR101878127B1 (ko) | 2018-07-12 |
TW201511360A (zh) | 2015-03-16 |
KR20130105300A (ko) | 2013-09-25 |
KR20180025984A (ko) | 2018-03-09 |
TWI565106B (zh) | 2017-01-01 |
CN102959746A (zh) | 2013-03-06 |
US9818921B2 (en) | 2017-11-14 |
JP5746335B2 (ja) | 2015-07-08 |
DE102010024864B4 (de) | 2021-01-21 |
EP2586070A1 (de) | 2013-05-01 |
TW201208149A (en) | 2012-02-16 |
CN102959746B (zh) | 2015-08-26 |
US10217915B2 (en) | 2019-02-26 |
WO2011160968A1 (de) | 2011-12-29 |
KR101833471B1 (ko) | 2018-02-28 |
JP2013535111A (ja) | 2013-09-09 |
TWI476964B (zh) | 2015-03-11 |
US20180033931A1 (en) | 2018-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102010024864B4 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauteil | |
DE102012002605B9 (de) | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil | |
EP1803163A2 (de) | Optoelektronisches bauelement mit einer drahtlosen kontaktierung | |
DE102006035635A1 (de) | Beleuchtungsanordnung | |
EP2583318A1 (de) | Oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen bauelements | |
WO2014154632A1 (de) | Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements | |
DE102011080458A1 (de) | Optoelektronische anordnung und verfahren zur herstellung einer optoelektronischen anordnung | |
WO2015110359A1 (de) | Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements | |
DE102010024862A1 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauelement | |
WO2011157515A1 (de) | Optoelektronisches bauteil | |
WO2016202934A1 (de) | Leuchtdiode und verfahren zur herstellung einer leuchtdiode | |
DE102017111706A1 (de) | Lichtemissionsvorrichtung | |
WO2017046257A1 (de) | Optoelektronisches bauelement | |
DE102012109995A1 (de) | Halbleiterbauelement mit Kontakt, Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer externen elektrischen Kontaktierung eines Halbleiterbauelements | |
WO2019162080A1 (de) | Strahlungsemittierendes bauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauteils | |
DE102008028886A1 (de) | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements | |
WO2017178332A1 (de) | Bauelement mit reflektor und verfahren zur herstellung von bauelementen | |
WO2015172937A1 (de) | Halbleiterbauelement, beleuchtungsvorrichtung und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements | |
DE102010035490A1 (de) | Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements | |
WO2022248247A1 (de) | Optoelektronisches halbleiterbauteil und paneel | |
DE102011087614A1 (de) | Optoelektronische Anordnung | |
WO2021185598A1 (de) | Gehäuse für ein optoelektronisches halbleiterbauelement und optoelektronisches halbleiterbauelement | |
DE112017005653B4 (de) | Leiterrahmen, optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements | |
EP2619860A1 (de) | Gehäuse und verfahren zum herstellen eines gehäuses | |
DE102020114368A1 (de) | Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R163 | Identified publications notified | ||
R012 | Request for examination validly filed |
Effective date: 20140131 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R130 | Divisional application to |
Ref document number: 102010064724 Country of ref document: DE |
|
R020 | Patent grant now final |