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Hintergrund
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1. Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf den Test und Fehlerbeseitigung
von Halbleiterchips unter Verwendung der Bauteile-Photoemission.
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2. Stand der Technik
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Es
war im Stand der Technik wohlbekannt, dass Halbleiterbauteile bei
einer Zustandsänderung, beispielsweise beim Ein-/Ausschalten
von Transistoren, Licht emittieren. Dieses Phänomen wurde
erfolgreich verwendet, um Halbleiterschaltkreise zu testen und Fehler
zu beseitigen unter Verwendung von beispielsweise Infrarot-Emissionsmikroskopie
(IREM) und in Bezug auf die Zeit aufgelöste Emissionsmikroskopie.
Es war im Stand der Technik ebenfalls bekannt, Laser zu verwenden,
um Halbleiterschaltkreise durch Überprüfung von
Modulationen in dem reflektierten Laserlicht zu testen und Fehler
zu beseitigen. Die Technik wurde allgemein als LP (laser probing
= Laserabtastung) bezeichnet. Für mehr Information wird
der Leser aufgefordert, die
US-Patente 5,208,648 ,
5,220,403 und
5,940,545 zu betrachten, die hier
durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit mit einbezogen werden. Zusätzliche,
damit zusammenhängende Information ist zu finden in
Yee,
W. M., et al., Laser Voltage Probe (LVP): A Novel Optical Probing
Technology for Flip-Chip Packaged Microprocessors (Neuartige optische
Testtechnologie für Flip-Chip-verpackte Mikroprozessoren),
in International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA),
2000, Seiten 3–8;
Bruce, M. et al., Waveform
Acquistiion from the Backside of Silicon Using Electro-Optic Probing
(Wellenformaufnahme von der Rückseite von Silicium unter
Verwendung von elektrooptischer Messung), in International Symposium for
Testing and Failure Analysis (ISTFA), 1999, Seiten 19–25;
Kolachina,
S. et el., Optical Waveform Probing – Strategies for Non-Flip-chip
Devices and Other Applications (Optische Wellenformmessung-Strategien
für nicht-Flip-Chip-Bauteile und andere Anwendungsfälle),
in International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA),
2001, Seiten 51–57;
Soref, R. A. und B.
R. Bennett, Electrooptical Effects in Silicon (Elektrooptische Effekte
in Silicium), IEEE, Journal of Quantum Electronics, 1987. QE-23(1):
Seiten 123 9;
Kasapi, S. et al., Laser Beam Backside
Probing of CMOS Integrated Circuits (Laserstrahl-Rückseitenvermessung
von CMOS-integrierten Schaltungen). Microelectronics Reliability, 1999.
39: Seite 957;
Wilsher, K., et al. Integrated Circuit
Waveform Probing Using Opticals Phase Shift Detection (Integrierte
Schaltungswellenformmessung unter Verwendung von optischer Phasenverschiebungs-Detektion)
in International Symposium for Testing and Failure Analysis (ISTFA),
2000, Seiten 479–85;
Heinrich, H. K.,
Picosecond Noninvasive Optical Detection of Internal Electrical
Signals in Flip-Chip-Mounted Silicon Integrated Circuits (Mikrosekunden-,
nicht invasive, optische Detektion von internen elektrischen Signalen
in Flip-Chip-montierten, integrierten Siliciumschaltungen), IBM
Journal of Research and Development, 1990. 34(2/3): Seiten 162–72;
Heinrich,
H. K., D. M. Bloom und B. R. Hemenway, Noninvasive sheet charge
density probe for integrated silicon devices (nicht-invasive Oberflächen-Ladungsdichtesonde
für integrierte Siliciumbauteile), Applied Physics Letters,
1986. 48(16): Seiten 1066–1068;
Heinrich
H. K. D. M. Bloom und B. R. Hemenway, Erratum to Noninvasive sheet
charge density probe for integrated silicon devices (Berichtigung
zu nicht-invasiver Oberflächen-Ladungs-Dichtesonde für
integrierte Siliciumbauteile), Applied Physics Letters, 1986. 48(26):
Seite 1811;
Heinrich, H. K., et al., Measurement
of real-time digital signals in a silicon bipolar junction transistor
using a noninvasive optical probe (Messung von Digitalsignalen in
Realzeit in einem bipolaren Silicium-Junciton-Transistor unter Verwendung
einer nicht-invasivenoptischen Sonde), IEEE Electron Device Letters,
1986. 22(12): Seiten 650–652;
Hemenway,
B. R., et al., Optical detection of charge modulation in silicon
integrated circuits using a multimode laser-diode probe (optische Messung
von Ladungsmodulation in integrierten Silicium-Schaltkreisen unter
Verwendung einer Mehrfachmoden-Laserdiodensonde), IEEE Electron
Device Letters, 1987. 8(8): Seiten 344–346;
A.
Black, C. Courville, G. Schultheis, H. Heinrich, Optical Sampling
of GHz-Charge Density Modulation in Silicon Bipolar Junction Transistors
(optische Probennahme von einer GHz-Ladungsdichte-Modulation in
bipolaren Silicium-Junction-Transistoren) Electrnics Letters, 1987,
Band 23, Nr. 15, Seiten 783–784, die alle hierin
und durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit mit einbezogen werden.
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Kürzlich
wurde ein neues Phänomen entdeckt, das ebenfalls verwendet
werden kann, um Halbleiterbauteile zu testen und von Fehler zu befreien.
Mit dem Schrumpfen der Größe von neuen Bauteilen
werden die Bauteile „undicht”, so dass eine Elektronen-Löcher-Rekombination
während des statischen AUS-Zustandes des Bauteils auftritt,
was zu einer Photonen (IR) Emission führt. Diese Emission wird
größer, wenn die Designregel abnimmt. Dies bedeutet,
dass dieses Phänomen sich deutlicher ausdrückt,
wenn die Erzeugung von Bauteilen fortschreitet. Diese statische
Emission kann auch verwendet werden, um Halbleiter-Schaltkreise
zu testen und von Fehler zu befreien.
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Beispielsweise
wurde vorgeschlagen, eine digitale Abbildungssoftware zu verwenden,
um IREM-Bilder von statischen Emissionen über das Rohchip-Layout
zu legen, um zu überprüfen, welche Elemente Photonen
emittieren. Es wurde auch vorgeschlagen, den Zustand von jedem Bauteil über
das IREM-Bild zu legen, um zu bestimmen, ob die Emission einen logischen
Zustand „1” oder „0” bedeutet. Diese
manuelle Methode wurde verwendet, um Fehler festzustellen, in dem
Bauteil in zwei unterschiedlichen logischen Zuständen abgebildet
und beobachtet wird, ob sich der Emissionszustand geändert
hat. Zu mehr Information über dieses Phänomen
und die Bild-Overlay-Methode wird der Leser auf Infrared Emission-based
Static Logic State Imaging an Advanced Silicon Technologies (auf
Emission basierende, statische, den logischen Zustand betreffende
Infrarot-Abbildung bei fortschrittliche Silicium-Technologien),
Daniel R. Bockelman, Steve Chen und Borna Obradovic; Proceedings
des 28igsten International Symposium for Testing and Failure Analysis,
3–7 November 2002, Phoenix, Arizona, welches hierin durch Bezugnahme
in seiner Gesamtheit mit einbezogen wird.
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Wie
aus der vorstehenden Beschreibung und der zitierten Veröffentlichung
verständlich ist, ist, während die Bildüberlagerungstechnik
bei der Ermittlung eines Fehlers hilfreich sein kann, sie langsam, mühsam
und noch schwieriger wird, wenn die Bauteileerzeugung Fortschritte
macht und die Bauteile kleiner und dichter werden. D. h., dass die
Bildüberlagerungsmethode die Fähigkeit erfordert,
ein Bild mit einer ausreichenden Auflösung zu erhalten,
so dass die verschiedenen Bauteile und Emissionen voneinander und
von den umgebenden Rauschereignissen unterschieden werden können.
Darüber hinaus ist die Photonenemission von Bauteilen ein
statistisches Phänomen, sodass der Vergleich von Bildern
unter Verwendung einer Bildverarbeitungssoftware fehlerhafte Rückschlüsse
liefern kann außer, wenn das Bild über eine statistisch
ausreichende, lange Belichtungszeit erhalten wird oder wenn der
Vergleich über eine ausreichend große Anzahl von
IREM-Bildern durchgeführt wird.
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Während
die Bauteile in neueren Generationen kleiner und dichter gepackt
werden, kann eine ausreichende Nutzung der Emissions-Detektionstechnologie
nur gemacht werden, wenn der Ort der Emission isoliert und genau
mit Bauteilen verknüpft werden kann, die tatsächlich
das Licht emittieren. Ein ähnlicher Sachverhalt trifft
auf Systeme auf Laserbasis zu, d. h., um solch ein Testgerät
zu verwenden, muss man unterscheiden, welches Bauteil die Modulation
in dem reflektieren Laserlicht verursacht hat. Wenn jedoch die Designregel
schrumpft, erhöht sich die Dichte der Bauteile, was es
sehr schwierig und gelegentlich unmöglich macht, das Bauteil
zu isolieren, das das Licht emittiert oder den Laserstrahl moduliert.
Außerdem treten Emissionen von benachbarten Bauteilen in
den optischen Weg des Testsystems ein, so dass die Aufgabe der Isolierung
des emittierenden oder modulierenden Bauteils weiter verkompliziert
wird. Während das Schrumpfen der Designregel zu einer verbesserten, statischen Emission
führt, macht sie ironischerweise es auch mehr schwierig,
die emittierenden Bauteilen zu isolieren.
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Um
einen Fortschritt in der Halbleiterindustrie entsprechend dem „Mooreschen
Gesetz” zu ermöglichen, werden die Designer damit
fortfahren, die Designregeln zu verkleinern und die Bauteiledichte zu
erhöhen. Daher wird die Notwendigkeit zur Fehlerbeseitigung
und Testung zunehmend mehr unumgänglich, und die Schwierigkeit
bei der Auflösung von emittierenden/modulierenden Bauteilen
muss gelöst werden.
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Zusammenfassung
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Die
folgende Zusammenfassung der Erfindung wird eingefügt,
um ein grundlegendes Verständnis von einigen Aspekten und
Merkmalen der Erfindung zu geben. Die Zusammenfassung ist kein erschöpfender Überblick über
die Erfindung und ist als solches nicht dafür gedacht,
Schlüsselelement oder kritische Elemente der Erfindung
besonders zu identifizieren oder den Umfang der Erfindung zu umreißen.
Ihr einziger Zweck ist es, einige Aspekte der Erfindung in einer
vereinfachten Form als Einleitung zu der detaillierteren Beschreibung
anzubieten, die unten gegeben wird.
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Verschiedene
Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung liefern
Mittel zum Isolieren von fehlerhaften und fehlerhaft funktionierenden
Bauteilen in einer integrierten Schaltung. Allgemein gesprochen
bezeiht sich ein fehlerhaftes Bauteil auf ein Bauteil, das beim
Einnehmen eines erforderlichen, logischen Zustandes versagt hat;
während fehlerhaft funktionierendes Bauteil sich auf ein
Bauteil bezieht, das den richtigen logischen Zustand angenommen hat,
dessen Performance oder Arbeitsweise (Geschwindigkeit, Schwellenspannung
und dergleichen) jedoch von der erforderlichen Performance abweicht. Ausführungsbeispiele
der Erfindung können auf verschiedene Emissionsmikroskopiesysteme,
beispielsweise statische Emission und dynamische Emission, angewendet
oder als einzeln aufgestellte Systeme verwendet werden.
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Gemäß verschiedenen
Aspekten der Erfindung wird ein IREM-Bild von einem IC erhalten.
Die Emissionsintensität von jeder Emissionsstelle wird gemessen/berechnet.
Die berechnete Intensität wird dann gegen Bezugsintensitäten
aufgetragen, d. h. die berechnete Emission von jeder entsprechenden Stelle
eines ordnungsgemäß funktionierenden Bauteils.
Die Referenzintensitäten können durch Simulation,
durch Berechnung der Intensitäten eines bekannten, ordnungsgemäß arbeitenden
Bauteils, durch eine Funktion, die aus mehreren Bauteilen berechnet
wurde, und dergleichen erhalten werden. Im Allgemeinen würden
die Mehrzahl der aufgetragenen Intensitäten in einem vorgegebenen
Bereich innerhalb einer geraden Linie liegen unabhängig
von dem Absolutwert der Intensitäten von jedem Bauteil.
Für Bauteile, die eine abnorme Emission zeigen, würde die
grafische Aufzeichnung jedoch zu einer leicht beobachtbaren Abweichung
von der Linie führen. Dies kann durch einen weichen Effekt,
beispielsweise ein verfrühtes oder verspätetes
Umschalten des Bauteils, eine statische Fluktuation von Parametern
des Bauteile-Herstellungsprozesses oder durch einen „Killer”-Defekt,
beispielsweise einen Kurzschluss oder einen offen Schaltkreis, verursacht
werden.
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Nach
einem noch anderen Aspekt der Erfindung werden die berechneten Intensitäten
einer vorgegebenen Gruppe von Bauteilen oder von allen Bauteilen
eines ICs tabellarisch erfasst. Sodann wird eine Korrelation gegenüber
einer Tabellendarstellung der Referenzintensitäten berechnet.
Ein Schwellenwert wird eingestellt, um eine Bestimmung darüber zu
machen, wenn eine berechnete Korrelation eine Abnormität
anzeigt.
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Gemäß einem
noch weiteren Aspekt der Erfindung wird die berechnete Intensität
verwendet, um eine Bestimmung von logisch „1” oder „0” für
jedes Bauteil zu machen. Die berechneten, logischen Zustände
werden dann tabellarisch erfasst und gegen eine Tabelle von logischen
Referenzzuständen verglichen. Ferner kann der tabellarisch
erfasste, logische Zustand in der Art eines Vergleichs von Roh-Chip
zu Roh-Chip verwendet werden, um fehlerhaft funktionierende Bauteile
zu detektieren. Dies kann als ein Vergleich mit einem IC durchgeführt
werden, wenn es sich wiederholende Muster gibt, beispielsweise in
einem Speicher-IC, oder zum Vergleich zwischen unterschiedlichen
ICs. Die logischen Zustände „1” und „0” werden
automatisch für jeden Testvektor gespeichert.
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Gemäß weiteren
Aspekten der Erfindung wird die Intensitätsberechnung der
Verwendung einer Punkt-Spread-Funktion durchgeführt und
wird mit den CAD-Daten der potenziellen Bauteile gefaltet, die in
die Emission involviert sind. Die resultierende, gefaltete Spread-Funktion
des Transistors wird mit dem tatsächlich gemessenen Signal
verglichen, und der Unterschied zwischen dem gefalteten Signal und dem
gemessenen Signal wird überprüft. Die berechnete
Signalintensität des Bauteils wird variiert, bis der Unterschied
zwischen dem berechneten Signal und dem gemessenen Signal auf ein
Minimum gebracht wird. Der Wert der berechneten Intensität
für die minimale Differenz wird als berechnete Intensität
des Bauteils verwendet.
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Gemäß einem
weiteren Aspekt der Erfindung wird, wenn die emittierenden Bauteile
zu nahe beieinander sind, um optisch aufgelöst werden zu können,
die Punkt-Spread-Funktionsmethode verwendet, um die emittierenden
Bauteile aufzulösen. Die beste Anpassung wird für
Ein-/Aus-Zustand für alle Konfigurationen der Bauteile
durchgeführt, die sich innerhalb der beobachteten, jedoch
unaufgelösten Emission befinden. Die Varianz der besten
Kurvenannäherung für alle Konfigurationen wird
verwendet, um jedem Zustand eine Wahrscheinlichkeit zuzuordnen.
Im Allgemeinen würde eine beste Anpassung, d. h. eine kleinste
Varianz, unmittelbar zu einer richtigen Lösung führen.
D. h., dass die besten Annäherung den korrekten Zustand
von jedem der involvierten Bauteile anzeigen würde, wodurch
angezeigt wird, welche Bauteile emittieren, und würde dadurch in
dem Verfahren die Intensitätswerte von jedem emittierenden
Bauteil liefern. In Fällen, wenn die Transistoren extrem
dicht beieinander liegen, wird eine gewichtete Lösung berechnet.
Die Gewichte basieren auf der Wahrscheinlichkeit von jeder Lösung. Die
gesamte Berechnung kann mehrere Male wiederholt werden, während
die CAD-Ausrichtung verändert wird. Die Ergebnisse, die
die kleinste Varianz haben, werden als korrekte CAD-Ausrichtung
genommen.
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Ein
Verfahren wird beschrieben, um fehlerhafte Bauteile in einer integrierten
Schaltung (IC) unter Verwendung von Photonenemission zu detektieren,
wobei das Verfahren umfasst: Erhalten eines Emissionsbildes von
einem Bereichs des IC; Bestimmung von Intensitätswerten,
um eine festgelegte Emissionsintensität von jedem Bauteil
zu erhalten, das in dem Bereich des ICs vorhanden ist; Erhalten einer
Referenzintensität, die jedem Bauteil entspricht; und Vergleichen
von jeder ermittelten Intensität mit einer entsprechenden
Referenzintensität.
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Eine
System zur Identifizierung von fehlerhaft funktionierenden und fehlerhaften
Bauteilen unter Verwendung von Photonenemission, die von einem unter
Test befindlichen Bauteil (device under test = DUT) aufgenommen
wird, wird beschrieben, wobei das System umfasst: ein erstes, eine
Eingabe empfangendes Bildsignal, das die Beziehung zu der Photonenemission
steht, die von einem ausgewählten Bereich des DUT aufgesammelt
wurde; einen Prozessor, der das Bildsignal empfängt und
die Emissionsintensität von jedem Bauteil in dem ausgewählten
Bereich ermittelt; einen Speicher, in dem Referenzintensitäten
gespeichert sind; einen Vergleicher, der jeder der ermittelten Emissionsintensitäten
mit einer entsprechenden Referenzintensität vergleicht; und
eine Ausgangsschaltung, die die Vergleichsergebnisse ausgibt.
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Ein
optisches Testgerät zum Testen eines Halbleiterbauteils
unter Test (DUT) wird beschrieben, wobei der Tester umfasst: eine
Sammeloptik, um die Photonenemission von dem DUT aufzusammeln; einen
Sensor zum Erfassen der Photonenemission von der Sammeloptik und
zum Erzeugen eines Emissions-Signals; einen Prozessor, der das Emissionssignal
empfängt und die Emissionsintensität von jedem Bauteil
in dem ausgewählten Bereich ermittelt; einen Logik-Zustandsmodul,
der einen logischen Zustand von jedem Bauteil ermittelt; und einen
Speicher, der den logischen Zustand von jedem Bauteil zusammen mit
einem entsprechenden Testvektor speichert.
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Ein
optischer Tester zum Testen eines Halbleiterbauteils unter Test
(DUT) wird bereitgestellt umfassend: eine Sammeloptik, um Licht
von dem DUT aufzusammeln; einen Sensor zum Erfassen des Lichts von
der Sammeloptik und zum Erzeugen eines Sammelsignals; eine Eingabeeinrichtung
zum Empfangen des CAD-Layouts des DUT; einen Rechner zum Berechnen
von Emissionsintensitäten für jedes interessierende
Bauteil und einen Vergleicher, der die berechneten Intensitäten
mit den Referenzintensitäten vergleicht.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Die
beigefügten Zeichnungen, die in die Beschreibung mit einbezogen
werden und einen Teil derselben bilden, zeigen beispielhaft die
Ausführungsbeispiele der folgenden Erfindung und dienen zusammen
mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erläutern
und darzustellen. Die Zeichnungen sind dafür gedacht, hauptsächliche Merkmale
von beispielhaften Ausführungsformen in einer schematischen
Weise zu zeigen. Die Zeichnungen sind nicht dafür gedacht,
jedes Merkmal von tatsächlichen Ausführungsbeispielen
zu zeigen, noch relative Dimensionen der gezeigten Elemente, und sie
sind nicht maßstabsgerecht gezeichnet.
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1 ist
ein schematisches Diagramm, das alternative Ausführungsbeispiels
für das erfindungsgemäße System zeigt.
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2 ist
ein Emissionsbild von einem interessierenden Bereichs eines DUT.
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3 ist
eine grafische Darstellung gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
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4 ist
ein Flussdiagramm, das ein Ausführungsbeispiel der Erfindung
zeigt.
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5 ist
ein Flussdiagramm, das ein anderes Ausführungsbeispiel
der Erfindung zeigt.
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6 ist
ein Flussdiagramm, das ein noch weiteres Ausführungsbeispiel
der Erfindung zeigt.
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7 ist
eine dreidimensionale, grafische Darstellung, die eine ideale Spread-Funktion
einer Emission eines einzigen Punktemitters zeigt, wie sie bei der
Entwicklung der vorliegenden Erfindung simuliert wird.
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8 ist
ein Schnitt durch die grafische Darstellung von 7.
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9 ist
eine Darstellung von einem Teil eines Halbleiterchips, der drei
Transistoren A, B und C hat, die darauf unter engen Abständen
angeordnet sind, um ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung
zu erläutern.
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10 ist
eine grafische Darstellung einer Punkt-Spread-Funktion der drei
Transistoren A, B und C, die in 9 gezeigt
sind, und zwar simuliert entsprechend einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
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11 ist
eine dreidimensionale, grafische Darstellung eines gemessenen Signals
von einer Stelle mit drei Transistoren, die wie in 9 gezeigt angeordnet
sind, und zwar simuliert bei der Entwicklung der vorliegenden Erfindung
gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
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12 ist
eine grafische Darstellung eines Querschnitts des gemessenen Signals,
das über eine grafische Darstellung einer idealen Punkt-Spread-Funktion überlagert
ist.
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13 ist
ein gemessenes Signal der Emission von mehreren Transistoren in
einem Bereich eines Halbleiterchips, wie sie bei der Entwicklung
der vorliegenden Erfindung simuliert wird.
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14 ist
eine dreidimensionale, grafische Darstellung des Signals, das in 13 gemessen wird.
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15 zeigt
ein Flussdiagramm für ein Verfahren, um die Emission gemäß einem
Ausführungsbeispiel der Erfindung aufzulösen.
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16 zeigt
ein CAD-Layout-Design für einen Chipbereich des Bildes
von 13.
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17 liefert
eine Darstellung von drei Fehlerfunktionen, die gegen die Intensität
aufgetragen sind, um das Sigma-Merkmal der Erfindung zu erläutern.
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18 zeigt
ein Flussdiagramm, um Fehlausrichtungsfehler gemäß einem
Ausführungsbeispiel der Erfindung zu eliminieren.
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19 ist
ein schematisches Diagramm, das alternative Ausführungsbeispiele
für Systeme gemäß der Erfindung zeigt.
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Detaillierte Beschreibung
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Verschiedene
Ausführungsbeispiele der Erfindung liefern Verfahren und
Systeme zur Identifizierung von potenziell fehlerhaften Bauteilen
in einem IC durch Messung/Berechnung der Intensität von
Photoemission von den Bauteilen. Es ist zu beachten, dass in dem
Stand der Technik die Photonenemission von Hand beobachtet wurde,
um eine Messung von Emission/keine Emission zu machen und die Messung
mit dem erwarteten Ergebnis zu vergleichen. Wenn von einem speziellen
Bauteil erwartet wird, dass es unter einem gewissen logischen Zustand
emittiert, und wenn keine Emission beobachtet wird, wird das Bauteil
als fehlerhaft bezeichnet. Während eines solche Analyse
vorteilhaft ist, um fehlerhafte Bauteile zu identifizieren, die „Killer”-Fehler
haben, d. h. Defekte, die das Bauteil daran hindern, überhaupt
zu funktionieren, versagt sie bei der Erfassung von fehlerhaft funktionierenden
Bauteilen, die „weiche” Defekte haben, d. h. in
Fällen, wo das Bauteil zwar funktioniert, aber nicht ordnungsgemäß,
beispielsweise den geforderten logischen Zustand annimmt, jedoch
in einer unregelmäßigen Weise. Beispielsweise
ist der Schwellenwert für den Tunneleffekt inakzeptabel
niedrig. Die vorliegende Erfindung ermöglicht die Erfassung
von sowohl „weichen” Defekten als auch von „Killer”-Defekten.
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In
dem ersten Teil der folgenden Beschreibung werden das erfindungsgemäße
Verfahren und das System für die Fälle beschrieben,
wo die Emission optisch aufgelöst werden kann, d. h. wo
es möglich ist, das Bauteil zu identifizieren, das jeder
beobachteten Emission entspricht. Bei fortschrittlichen Bauteilen,
die sehr kleine kritische Dimensionen und ein sehr dichtes Layout
haben, können optische Mittel jedoch die Auflösung
nicht liefern, die erforderlich ist, um jedes emittierende Bauteil
zu identifizieren. Verschiedene andere Ausführungsbeispiele
der Erfindung stellen Verfahren und Systeme bereit, um die Lichtemission
von dem Dichteabstand liegenden Transistoren aufzulösen.
Die beschriebenen Ausführungsbeispiele ermöglichen
eine Auflösung über das hinaus, was mit optischen
Systemen möglich ist. D. h., dass die Auflösung
des optischen System durch die Wellenlänge des Lichts beschränkt
ist, das zum Abbilden der Transistoren verwendet wird, was bei Halbleiterbauteilen
aufgrund der optischen Transmissions-Charakterisitiken von Silicium
auf infrarot-Licht beschränkt ist. Verschiedene Ausführungsbeispiele verwenden
eine Punkt-Spread-Funktion des optischen Systems, um die Emission
aufzulösen. Die Punkt-Spread-Funktion bildet die Emission
als eine Kombination von Punkt-Emittern nach auf der Basis der Linearitätseigenschaft
des Lichts. Wenn die Emission erst aufgelöst ist, können
die Ergebnisse verwendet werden, um fehlerhafte Bauteile zu identifizieren.
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1 ist
ein schematisches Diagramm, das ein Ausführungsbeispiel
für Systeme gemäß der Erfindung zeigt.
In 1 wird ein DUT (Device Under Test = Bauteil unter
Test, beispielsweise ein IC) 160 einem Test unterworfen,
beispielsweise durch Empfangen von Testvektoren 142 von
einem Testgerät 140, beispielsweise einem ATE
(Automated Testing Equipment or Automated Testing and Evaluation
= automatisiertes Testgerät oder automatisiertes Testen
und Bewerten). Alternativ kann der DUT mit einem einfachen Stromeinschaltsignal
oder einem einfachen Takt-Zyklussignal versorgt werden. Der DUT kann
auf einem optischen Testgerät 100 montiert sein,
beispielsweise einem IREM oder einem zeitaufgelösten IREM,
beispielsweise EmiScope®, das von Credence
Systems in Fremont, Kalifornien, erhältlich ist. Im Allgemeinen
würde das optische Testgerät 100 eine
x-y-z-Bühne 120 zum Navigieren über den
DUT, eine Strahlmanipulationsoptik BMO 135, die aus verschiedenen
optischen Elementen besteht, beispielsweise aus Linsen und/oder
Spiegeln, eine Scan-Einrichtung, beispielsweise ein Laserscan-Mikroskop 130 umfassen.
Die Elemente sind allgemein und nicht auf die Ausführungsbeispiele
der Erfindung bezogen.
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Unter
der Verwendung der oben erwähnten Testelemente wird die
Photonenemission von verschiedenen Bereichen des DUT, beispielsweise durch
Faseroptiken 134, aufgesammelt und von einem Photosensor 136,
beispielsweise einer Lawinendurchbruchs-Photodiode (APD = Avalanche
Photodiode), eine Kamera für niedrige Lichtwerte und dergleichen
erfasst. Selbstverständlich können andere Elemente
oder Anordnungen zum Sammeln der Emission verwendet werden. Eine
Signalaufnahme-Platine 150 kann mit dem Sensor gekoppelt
sein, um das Signal des Sensors 136 zu empfangen und zu
konditionieren. Das Signal wird dann an einem Prozessor 160,
beispielsweise einen speziell programmierten PC, angelegt. Wie gezeigt
ist, kann der Prozessor 170 auch dazu verwendet werden,
die verschiedene Elemente des optischen Testgeräts 100 zu
steuern. Zusätzlich kann ein Trigger- und Taktsignal von
dem Testgerät 140 an die Signalaufnahme-Platine 150 und/oder
den Prozessor 170 beliefert werden.
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2 zeigt
ein Emissionsbild, das unter Verwendung des optischen Systems, das
in 1 gezeigt ist, erhalten wurde. Das spezielle Bild
von 2 ist von einem ausgewählten Bereich
eines DUT. Das Bild kann auf einem Monitor des Prozessors 170 beispielsweise
unter Verwendung einer Bildbearbeitungssoftware, wie sie in der
oben zitierten Veröffentlichung von Bockelman et
al.
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Beschrieben
wurde, dargestellt werden. Wie jedoch leicht ersichtlich ist, ist
es sehr schwierig, herauszufinden, welches Bauteil welcher Emission
entspricht. Darüber hinaus ist die Projektion des Layouts über
das Bild und die manuelle Bestimmung, welches Bauteil sich in einem
ordnungsgemäßen Zustand befindet, mühsam
und schwierig durchzuführen, da die Emissionen sich mehrfach überlappen.
Auch kann eine solche Untersuchung nur bei der Identifizierung von
nicht-arbeitsfähigen Bauteilen helfen, sie versagt jedoch
bei dem Auffinden von Bauteilen, die arbeiten, jedoch nicht mit
den erforderlichen Betriebsparametern.
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Um
eine verbesserte Messbarkeit bereitzustellen, wird gemäß den
Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung die Emissionsintensität
von jedem Bauteil ermittelt. Die Emissionsintensitätsbestimmung
kann in einer beliebigen, herkömmlichen Mess- und/oder
Berechnungsweise durchgeführt werden, so lange bis die
Widerspruchsfreiheit aufrechterhalten wird. Folglich können
die Begriffe Intensitätsmessung und Intensitätsberechnung
hier austauschbar verwendet werden. Einige spezifische Beispiele
der Berechnung von Emissionsintensitäten sind weiter unten
angegeben. Während die Intensitätsberechnungs-Beispiele,
die unten gezeigt sind, besonders vorteilhaft in solchen Umständen,
wo das System die Emission optisch nicht auflösen kann, können
sie ebenso unter Umständen verwendet werden, wo die Emission
optisch aufgelöst werden kann.
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Die
Emissionsintensitäten werden auch für entsprechende
Bauteile eines Referenz-IC ermittelt. Dies kann unter Verwendung
eines ICs, von dem bekannt ist, dass er ordnungsgemäß arbeitet,
eines funktionalen Mittelwerts von Intensitäten von mehreren
ICs, unter Verwendung von Simulation und dergleichen durchgeführt
werden. Die ermittelten Intensitäten des DUT werden dann
gegen die berechneten Intensitäten eines Referenzbauteils
aufgetragen. Ein Beispiel ist in 3 gezeigt.
Insbesondere entspricht in 3 die X-Achse
den Intensitäten der Bauteile des DUT, während
die Y-Achse den Intensitäten der entsprechenden Bauteile
von einer Referenz entspricht. Jeder Punkt auf der grafischen Darstellung entspricht
einem Intensitätswert für ein Bauteil des DUT
in Bezug auf seinen entsprechenden Referenzwert. Wie ersichtlich
ist, fallen die Werte allgemein auf eine gerade Linie 310.
Es ist zu beachten, dass, selbst wenn die Gesamtbetriebsweise des
DUT nicht zu der der Referenz passt, die Differenz hauptsächlich
die Neigung beeinflussen würde, die Beziehung wäre
jedoch immer noch linear, wenigstens zu einem ersten Grad.
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In 3 markiert
ein Bereich, der durch eine unterbrochene Linie 330 eingegrenzt
ist, niedrige Intensitäten, wo der Intensitätswert
sehr nahe bei dem Rauschniveau liegt. Daher wird empfohlen, diese Werte
zu ignorieren, wenn die lineare Beziehung, die durch die Linie 310 dargestellt
wird, ermittelt wird.
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Aus
der grafischen Darstellung von 3 ist leicht
erkennbar, dass der Punkt 320 klar von der linearen Beziehung 310 abweicht.
Von diesem Intensitätswert ist ebenfalls klar, dass das
Bauteil funktioniert, d. h., dass die Referenz eine Anzeige dafür
liefert, dass eine Photonenemission von diesem Bauteil erwartet
wird, und die grafische Darstellung zeigt tatsächlich,
dass eine Emission von diesem Bauteil erfasst worden ist. Die berechnete
Intensität der Emission passt jedoch nicht zu der aufgrund
der linearen Beziehung 310 erwarteten Intensität.
Daher hat der, während dieses Bauteil einen ordnungsgemäßen
logischen Zustand einzunehmen scheint, einen „weichen” Defekt,
da seine Performance nicht zu der erwarteten Performance passt.
Daher ist eine weitere Untersuchung der Performance des Bauteils
erforderlich.
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Die
in 3 gezeigte, grafische Darstellung kann auf dem
Monitor für den Benutzer dargestellt werden, um eine leichte
Identifikation von möglicherweise defekten Bauteilen zu
ermöglichen. Alternativ oder zusätzlich dazu kann
der Kontroller 170 die Berechnung intern durchführen
und lediglich eine Liste von suspekten Bauteilen liefern, die eine
weitere Untersuchung erfordern. Wenn beispielsweise die Intensitätswerte
für den DUT ermittelt sind, kann der Kontroller 170 eine
Kurvenanpassung durchführen, um die lineare Beziehung 310 zu
finden. Sodann kann der Kontroller 170 eine akzeptable
Abweichung von der linearen Beziehung berechnen, oder die akzeptable
Abweichung kann manuell durch den Benutzer eingegeben werden. Wie
oben erwähnt wurde, kann ein unterer Bereich von Intensitäten
ignoriert werden, um die Einbeziehung von Rauschen zu vermeiden. Sobald
die lineare Beziehung und die maximal zulässige Abweichung
ermittelt worden sind, kann der Kontroller 170 dann jeden
Eintrag überprüfen, ob er von der linearen Beziehung über
die maximal zulässige Abweichung hinaus abweicht. Wenn
dies zutrifft, fügt der Kontroller 170 dieses
Bauteil zu der Liste der suspekten Bauteile hinzu.
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Ein
Beispiel für ein Verfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung ist in 4 gezeigt. In dem Schritt 400 wird
ein Bild des interessierenden Bereichs erhalten. Im Schritt 410 werden
die Intensitäten der Emissionen an jeder Stelle ermittelt. Sodann
können die Intensitäten gegen die Referenzintensitäten
an dem Schritt 420 aufgetragen werden. Dieser Schritt ist
optional, wie durch den Umgehungspfeil 415 gezeigt ist.
An dem Schritt 430 wird eine Kurvenanpassungs-Berechnung
durchgeführt, um eine lineare Beziehung zwischen den berechneten
und den Referenzintensitäten zu erhalten. An dem Schritt 440 wird
die maximale Abweichung erhalten, entweder durch Berechnung, beispielsweise eine
Standard-Abweichungsberechnung oder durch manuelle Eingabe durch
den Benutzer. An dem Schritt 450 wird der Abstand von jedem
Datenpunkt zu der linearen Beziehung mit der maximal zulässigen
Abweichung verglichen. Jeder Datenpunkt, der den zulässigen
Wert übersteigt, wird zu der Liste der suspekten Werte
hinzugefügt, die dem Benutzer bei dem Schritt 460 geliefert
wird.
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Während
die oben gegebene Erläuterung sich auf eine „integrierte” Lösung
bezieht, in dem die Analyse des Bildes und die Bestimmung von suspekten
Bauteilen durch den Kontroller 170 des Abbildungssystems 100 durchgeführt
wird, ist offensichtlich, dass diese Arbeitsgänge durch
ein Einzelplatz-System durchgeführt werden können.
Beispielsweise kann ein genereller Rechner, beispielsweise ein PC 110,
speziell programmiert werden, um die Überprüfungsvorgänge
nach Empfang des Bildes von dem Kontroller 170 über
die Leitung 102 durchgeführt werden. Die Leitung 102 repräsentiert
jede Art der Übertragung des Bildes von dem System 100 zu
dem Einzelsystem 110, beispielsweise, jedoch nicht beschränkt
auf, LAN, WAN, das Internet, unter Verwendung von aufzeichenbaren
Speicher-Medien, beispielsweise CDROM oder Flash-Speicher und dergleichen.
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Unabhängig
davon, ob das System integriert oder als Einzelplatz-System ausgeführt
ist, kann das CAD-Layout verwendet werden, um den Ort einer Emission
zu bestimmen. Das System, ob es 110 oder der Kontroller 170 ist,
erhält das CAD-Layout des DUT von der CAD-Datenbank 146 über
die CAD-Eingabe 104. Beispielsweise kann die CAD-Layout-Information
einen LEF-Ordner (Library Exchange Format = Bibliotheks-Austauschformat),
umfassen, der die Koordinaten des Bauteils in jeder Zelle enthält,
ob es sich um einen N-Kanal oder einen P-Kanal handelt und/oder
ob die detektierte Emission einer logischen „0” oder
einer logischen „1” entspricht.
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Nach
einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung werden,
sobald die Intensitäten ermittelt worden sind, sie auch
mit Referenzintensitäten verglichen, und die Abweichung
wird untersucht. Ein Beispiel ist in der Tabelle 1 gezeigt und wird
als analoger Modus bezeichnet. Die Tabelle 1 umfasst eine Zellennamen-Spalte,
in der jede der Untersuchung den der Zelle mit ihrem Namen in der
Datenbank, beispielsweise LEF-Ordner, aufgelistet ist. Die nächste Spalte
ist der Transistorname, der ebenfalls von dem LEF-Ordner erhalten
werden kann. Die nächste Spalte ist die Testbauteil-Intensität,
in der die berechnete Intensität von jedem Transistor tabellarisch
erfasst ist. Die nächste Spalte ist eine Referenzbauteil-Intensität,
in der die entsprechenden Referenzintensitäten tabellarisch
erfasst sind. Diese können von einem IC, von dem bekannt
ist, dass er ordnungsgemäß arbeitet, von einer
Auswahl von ICs, durch Simulation usw. erhalten werden. Die letzte
Spalte listet die Korrelation der berechneten Intensität
mit der Referenz auf. In dem speziellen Beispiel von Tabelle 1 weicht
der Ordnereintrag B des Transistors N1 um eine große Differenz
ab. Diese Differenz zeigt sehr wahrscheinlich einen harten Fehler
an, d. h. ein Versagen bei der Einnahme des korrekten logischen
Zustandes. Andererseits zeigt der Ordner-Kontrolleintrag C des Transistors
N2 eine 75%ige Korrelation. Solch eine Abweichung kann einen „weichen” Defekt
anzeigen. In diesem speziellen Fall, sind die Referenz- und die
berechneten Intensitäten in dem Rauschniveau, so dass in
diesem Fall der Wert möglicherweise ignoriert werden sollte.
Dennoch ist dieses Beispiel noch gültig für Fälle,
wo die Intensitäten über dem Rauschniveau liegen,
die Abweichung jedoch etwas unterhalb eines vorgegebenen Schwellenwertes
für eine ordnungsgemäße Funktion sind,
jedoch nicht so niedrig, dass sie einen harten Fehler anzeigen.
Daher kann man durch Einstellen von zwei Schwellenwerten leicht
weiche und harte Defekte identifizieren.
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Ein
Verfahren nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung
ist in 5 gezeigt. An dem Schritt 500 wird ein
Bild des interessierenden Bereichs erhalten. An dem Schritt 510 werden
die Emissionsintensitäten der interessierenden Bauteile
berechnet. An dem Schritt 520 werden die Korrelationen
zu den Referenzen erhalten. An dem Schritt 530 wird jeder
Korrelation mit einem ersten Schwellenwert verglichen. Wenn die
Korrelation oberhalb des ersten Schwellenwerts liegt, d. h. oberhalb
80%, wird das Bauteil in dem Schritt 535 als ordnungsgemäß funktioniert
bezeichnet. Wenn andererseits die Korrelation unterhalb des ersten
Schwellenwerts ist, wird in dem Schritt 540 die Korrelation
mit einem zweiten Schwellenwert verglichen. Wenn die Korrelation oberhalb
des zweiten Schwellenwertes, beispielsweise oberhalb 20%, liegt,
wird das Bauteil an dem Schritt 545 als suspektes Bauteil
für einen weichen Defekt aufgelistet. Wenn andererseits
die Korrelation unterhalb des zweiten Schwellenwertes ist, wird
das Bauteil an dem Schritt 455 als verdächtig
für einen harten Defekt gelistet.
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Gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die berechnete
Intensität in einen logischen Zustand für jedes
Bauteil umgesetzt. Dies ist in Tabelle 2 gezeigt und wird als digitaler
Modus bezeichnet. Die Tabelle 2 umfasste eine Zellennamen-Spalte,
in dem der Name jeder interessierenden Zelle tabellarisch erfasst
ist. Die nächste Spalte ist Testbauteil, in der der berechnete
logische Zustand tabellarisch erfasst ist. Der logische Zustand
wird unter Bezugnahme auf die berechnete Intensität und die
LEF-Ordner erhalten, in denen aufgelistet ist, ob die Photonenemission
einen logischen Zustand „1” oder „0” anzeigt.
Der Zustand wird dann entweder mit einem Referenz-Bauteil oder mit
einem theoretischen Wert verglichen. Wie ersichtlich ist, hat in
diesem speziellen Beispiel das System den Speicher B3 als potenziell
fehlerhaft identifiziert.
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6 zeigt
ein Verfahren nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
In dem Schritt 600 wird ein Testgerät, beispielsweise
ein ATE, abgefragt, um fehlerbezogene Vektoren zu erhalten. In den Schritten 610 und 620 wird
eine Fehlerdiagnostik-Software (beispielsweise Yield AssistTM erhältlich von Mentor GraphicsTM in Wilsonville, Oregon oder EncounterTM, erhältlich von CadenceTM in San Jose, Kalifornien) abgefragt, um
die Scan-Linienlage festzustellen und den Fehlerzustand zu identifizieren.
In dem Schritt 630 wird das optische System zu dem Ort des
Fehlers navigiert, um ein Bild zu erhalten. Das optische System
kann ein Hintergrundbild und ein Emissionsbild der Emission während
des Fehlerzustandes erhalten. An dem Schritt 640 werden
die Intensitäten von jeder Emission berechnet. An dem Schritt 650 kann
eine digitale Analyse durchgeführt werden, d. h. die berechnete
Emission wird in eine logische „1” oder „0” umgesetzt,
und der Wert wird mit dem erwarteten logischen Wert verglichen.
In dem Schritt 660 wird eine analoge Analyse durchgeführt. D.
h., dass die berechnete Intensität entweder in die grafische
Darstellung eingefügt oder mit einem Referenzwert verglichen
wird, wie oben diskutiert wurde. In dem Schritt 670 wird
die Liste der suspekten Bauteile dem Benutzer bereitgestellt.
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Die
Aufmerksamkeit wird nun auf Ausführungsbeispiele der Erfindung
gelenkt, die eine Berechnung der Intensitäten selbst dann
ermöglichen, wenn die optische Auflösung zum Auflösen
der emittierenden Bauteile unzureichend ist. 7 ist eine dreidimensionale,
grafische Darstellung, die eine ideale Emission nach der Punkt-Spread-Funktion
eines einzigen Punktemitters zeigt. 8 ist ein
Querschnitt durch die grafische Darstellung von 7.
D. h., dass bei einem optischen System ohne weitere elektrische
Aberration und weiteres Systemrauschen das von dem punktförmigen
Emitter erhaltene Signal so aufscheinen sollte, wie es in den 7 und 8 gezeigt
ist.
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9 ist
eine Darstellung von einem Teil eines Halbleiterchips, der drei
Transistoren A, B und C, die unter engen Abständen darauf
angeordnet sind. Im Betrieb können diese Transistoren einen
der Zustände annehmen, die in Tabelle 3 gezeigt sind. Beispielsweise
emittiert in dem Zustand 1 keine der Transistoren Licht, während
in dem Zustand 2 nur der Transistor A Licht emittiert. 10 ist
eine grafische Darstellung, der Punkt-Spread-Funktion der drei Transistoren
A, B und C, die in 9 gezeigt sind. Im Übrigen
kann diese Beschreibung je nach dem Kontext eine Bezugnahme auf
Transistoren als „EIN” oder „AUS” bedeuten,
dass er Licht emittiert oder nicht, und dass er nicht notwendigerweise
in dem elektrisch leitfähigen oder nicht leitfähigen
Zustand ist. Tatsächlich kann, wie oben diskutiert wurde,
eine statische Emission sich ergeben, wenn der Transistor elektrisch
nicht leitfähig ist. Darüber hinaus ist die Verwendung
der Begriffe „EIN” oder „emittierend” so gedacht,
dass eine Lichtreflexion und/oder Modulation von dem Transistor
mit umfasst ist.
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11 ist
eine dreidimensionale grafische Darstellung eines gemessenen Signals
von einer Stelle, an der drei Transistoren so angeordnet sind, wie
in 9 gezeigt ist. Für diese Darstellung
ist das Signal tatsächlich ein simuliertes Signal, wobei
ein Zufallszahlgenerator verwendet wird, um ein Rauschen in das
Signal einzuführen. Wie ersichtlich ist, unterscheidet
sich das Signal von dem idealen Signal eines punktförmigen
Emitters hauptsächlich aufgrund des Rauschens in dem System.
Wenn die Transistoren unter sehr dichten Abständen angeordnet
sind, ist es daher schwierig, aufzulösen, welcher Transistor
Licht emittiert. 12 ist eine grafische Darstellung
eines Querschnitts des gemessenen Signals, das einer idealen Darstellung
der Punkt-Spread-Funktion überlagert ist. Die Darstellung
zeigt auch die Schwierigkeit bei der Auflösung der Emission.
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13 ist
ein gemessenes Signal der Emission von mehreren Transistoren in
einem Bereich eines Halbleiterchips, während 14 eine
dreidimensionale grafische Darstellung des in 13 gemessenen
Signals ist. Für dieses spezielle Beispiel wurde das Signal
simuliert, es gibt jedoch das Aussehen des realen, gemessenen Signals
ehrlich wieder. Das Folgende liefert Beispiel dafür, wie
solch ein Signal aufgelöst werden kann.
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15 zeigt
ein Flussdiagramm für ein Verfahren nach einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung, um die Emission aufzulösen. Das Verfahren beginnt
mit dem Schritt 1500, wo das CAD-Design des unter Prüfung
befindlichen Bereichs erhalten wird. Das CAD-Design für
den Chipbereich von 13 ist in 16 dargestellt,
wo das Layout verschiedener Bauteile in Bezug auf beliebige, kartesische
(x, y) Koordinaten gezeigt ist. Wenn wie in diesem Beispiel der
Bereich des Chips Gruppen von nahe beabstandeten Transistoren umfasst,
wird in dem Schritt 1505 der Bereich in kleinere, bessere handhabbare
Bereiche entlang diesen Gruppen aufgebrochen, wie durch mit unterbrochenen
Linien gezeigte Rechtecke 1600, 1610 und 1620 gezeigt
ist. Ein Bereich für den Test wird in dem Schritt 1510 ausgewählt,
und für jeden ausgewählten Bereich werden Transistoren
identifiziert, und die Liste möglicher Zustände
wird zusammengestellt. Es ist zu beachten, dass durch Aufbrechen
des Bereichs in kleinere Gruppen die Anzahl der Zustände,
die das System bei den Berechnungen betrachten muss, reduziert wird.
Die maximale Größe der Gruppen, d. h. die maximale
Anzahl von Transistoren innerhalb einer Gruppe, kann entsprechend
der Verarbeitungsleistung des Systems ermittelt werden.
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An
dem Schritt 1515 wird die Punkt-Spread-Funktion (PSF) für
die Geometrie der Bauteile in den in dem Schritt 1510 ausgewählten
Bereich berechnet. Alternativ kann die PSF für alle der verschiedenen
Bauteile Geometrien vorab berechnet werden, um eine PSF-Bibliothek
aufzubauen. In solch einem Fall wird an dem Schritt 1515 eine
geeignete PSF entsprechend der Geometrie des in dem Schritt 1510 ausgewählten
Bereichs in dem Schritt 1515 aus der Bibliothek ausgewählt.
An dem Schritt 1520 wird ein Zustand ausgewählt,
und an dem Schritt 1525 wird die PSF mit dem ausgewählten
Zustand multipliziert. Wenn beispielsweise der ausgewählte
Bereich drei Transistoren hat, die in einer einzigen Linie ausgerichtet
sind, wie es in dem Beispiel von 9 gezeigt
ist, wird für den ersten Zustand, der in Tabelle 3 gezeigt
ist, die PSF mit (0, 0, 0), für den zweiten Zustand (1,
0, 0) usw. multipliziert.
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Die
resultierende, berechnete PSF wird dann mit dem gemessenen Signal
in dem Schritt 1530 verglichen. An dem Schritt 1535 wird „Rauschen” in
die PSF eingeführt, um eine beste Anpassung an das gemessene
Signal zu erhalten. Dieses Schritt kann unter Verwendung einer Formel
oder durch interaktives Suchen nach einem Multiplizierer durchgeführt
werden, der zu einer besten Anpassung zwischen der PSF des ausgewählten
Zustands und dem tatsächlich gemessenen Signal führen
würde. Im Wesentlichen besteht das Ziel darin, den Fehler
zwischen der Kurve der PSF für den ausgewählten
Zustand und dem gemessenen Signal auf ein Minimum zu bringen. Ein
Weg, um dies wiederholend zu tun, besteht darin, die Intensität
von jedem Transistor, der definitionsgemäß „EIN” ist,
d. h. emittiert, für den ausgewählten Zustand
zu variieren, bis die berechnete PSF am besten zu dem gemessenen
Signal passt.
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Wenn
die beste Anpassung erhalten ist, wird die minimale Abweichung an
dem Schritt 1540 berechnet. Für diesen Schritt
kann jedes bekannte Verfahren zum Berechnen der Abweichung zwischen zwei
Kurven verwendet werden. Beispielsweise kann das bekannte Verfahren
der kleinsten Quadrate oder das gewöhnliche Verfahren der
kleinsten Quadrate verwendet werden, um die besten Kurvenanpassung und
die minimale Restmenge als die minimale Abweichung zu erhalten.
Das Verfahren der kleinsten Quadrate nimmt an, dass die Fehler beliebig
verteilt sind. Gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung wird jedoch angenommen, dass das Rauschniveau nicht
unregelmäßig verteilt ist, sondern stattdessen mit
dem Intensitätsniveau davon korreliert ist. Beispielsweise
kann angenommen werden, dass der Fehler von jedem gemessenen Datenpunkt
gleich der Quadratwurzel aus dem gemessenen Datenpunkt ist, d. h.
die Intensität I an jedem Punkt kann gleich sein zu I+/–√I.
Daher wird nach einem Ausführungsbeispiel stattdessen die
Chi-Quadrat-Analyse verwendet. Im Allgemeinen hat das Chi-Quadrat,
das in diesem Ausführungsbeispiel verwendet wird, die Form
(IM – IE)2/N, wobei IM die
gemessene Intensität und IE die
erwartete Intensität (d. h. PSF) und N das Quadrat des
Rauschens (N = IE + n2,
wobei n das Sensorrausch ist). Um die Abweichung zu erhalten, auf
die in Tabelle 4 als tChiSq Bezug genommen wird, wird über
die Anzahl der Messpunkte eine Annahme gemacht: TChiSq
= Σ(IM – IE)2/N
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Wie
zu verstehen ist, kann die Anzahl der Messpunkte variiert werden,
um eine feinere oder grobere Annäherung zu liefern, wie
es durch die spezielle Anwendung erforderlich ist.
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An
dem Schritt 1545 wird ermittelt, ob es mehr zu berechnende
Zustände gibt, und, wenn dies zutrifft, führt
das Verfahren im Kreis zu dem Schritt 1520 zurück.
Wenn alle Zustände berechnet worden sind, geht das Verfahren
nach dem Ausführungsbeispiel entsprechend zu dem Verfahren
A weiter, wobei an dem Schritt 1547 der Zustand mit dem
kleinsten Fehler als der korrekte Zustand ausgewählt wird.
Die für ihren Transistor für den ausgewählten
Zustand errechnete Intensität wird als Anzeichen dafür
bereitgestellt, welcher Transistor Licht emittiert. Nach einem anderen
Ausführungsbeispiel geht das Verfahren entsprechend zu
dem Verfahren B über, welches an dem Schritt 1550 beginnt,
wo die relative Wahrscheinlichkeit für jeden Zustand berechnet
wird. Selbstverständlich können beide Verfahren
A und B als Querüberprüfung für die endgültige
Auswahl implementiert werden.
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Die
relative Wahrscheinlichkeit von jedem Zustand kann aus der resultierenden,
in dem Schritt 1540 erhaltenen Abweichung berechnet werden. Verschiedene
bekannte statistischen Verfahren können verwendet werden,
um die relative Wahrscheinlichkeit zu berechnen. Nach einem Ausführungsbeispiel
wird die Chi-Quadrat-Verteilung verwendet, während in einem
anderen eine F-Verteilung verwendet wird. Selbstverständlich
können beide verwendet werden, wie in 4 gezeigt
ist, in der die Chi-Quadrat-Verteilung als tChiDist und die F-Verteilung
als tFdist bezeichnet ist. Die Ergebnisse werden in dem Schritt 1555 tabellarisch
erfasst und können angezeigt werden, damit der Benutzer
feststellen kann, welcher Zustand am wahrscheinlichsten das gemessene
Signal erzeugt. Ein Beispiel einer tabellarischen Anzeige ist in
Tabelle 4 gezeigt.
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Es
ist zu beachten, dass an diesem Schritt nicht-physikalische Werte
aus der Berechnung weggelassen werden können. Beispielsweise
kann, wenn während der Berechnung des Schritts 1549 die beste
Kurvenanpassung erhalten wird, wenn eine Intensität von
irgendeinem Transistor auf einen negativen Wert gesetzt wird, dieser
spezielle Zustand als nicht-physikalisch entfernt werden, d. h.,
dass die Transistoren nur Emitter und keine Absorber sind.
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Das
in Tabelle 4 gezeigte Beispiel ist für das Drei-Transistor-Layout,
wie es in 9 gezeigt ist, wobei die möglichen
Zustände in der Tabelle 3 gezeigt sind. Für jeden
Zustand sind die Intensitätswerte geändert worden,
bis die beste Anpassung an das gemessene Signal erreicht worden
ist. Sodann wurde der Wert der „besten Anpassung” der
Intensitäten tA, tB und tC für jeden Transistor
für jeden ausgewählten Zustand aufgezeichnet.
Die minimale Abweichung in diesem Beispiel ist als tChiSq gezeigt.
Wie in diesem Beispiel zu sehen ist, ist die schlimmste Abweichung
für den ersten Zustand gegeben, wenn wir eine PSF für
Nicht-Emission mit einem gemessenen Signal vergleiche, das eine
Emission zeigt. Andererseits ist die beste Abweichung für
die beiden Zustände (101) und (111) gezeigt.
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Darüber
hinaus ist die Chi-Quadrat-Verteilung für beide Zustände
(0,26 bzw. 0,25) ähnlich. Daher scheint es auf den ersten
Blick so zu sein, dass beide Zustände eine gleichermaßen
gültige Lösung darstellen. Für den Zustand
(111) wurde jedoch die Intensität der „besten
Anpassung” von tB auf einen negativen Wert (–755,47)
gesetzt. Dies ist eine nicht-physikalische Lösung, die
während der Wahrscheinlichkeitsberechnung entfernt werden
kann, wie oben erwähnt wurde. Zusätzlich bevorzugt
die F-Verteilung stark den Zustand (101). Daher kann man den Schluss
ziehen, dass die richtige Lösung der Zustand (101) ist.
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Geht
man einen Schritt zurück, so macht die resultierende Statistik,
die in Tabelle 4 gezeigt ist, tatsächlich den aus einem
physikalischen Blickwinkel. D. h., dass aufgrund der Linearitätseigenschaft
zwei nahe beieinander beabstandete Emitter ein Signal erzeugen würden,
das schlussendlich im Allgemeinen wie eine aufgeweitete PSF-Kurve
eines einzigen Emitters aussehen würde, der zentral zwischen
den zwei Emittern angeordnet ist. Daher können bei einer gewissen
Auflösung beide Zustände (101) und (111) scheinbar
zueinander passen, da beide eine aufgeweitete PSF-Kurve eines einzigen
Emitters erzeugen würden. Bei einer größeren
Auflösung hat jedoch das resultierende Signal der zwei
Emitter einen Abfall an ihrer Mitte (d. h. zwischen den zwei Spitzen
der zwei individuellen Emitter). Dies ist der Grund dafür,
warum zum Anpassen des Zustandes (111) die Intensität des
mittleren Transistors auf einen negative Zahl eingestellt worden
musste, d. h., um die Vertiefung in der Mitte zu erzeugen. Diese
Tatsache erhöht das Vertrauen, dass der richtige Zustand
tatsächliche (101) ist. Daher werden nach einem anderen
Ausführungsbeispiel die negativen Intensitätswerte
nicht entfernt, sondern stattdessen verwendet, um die Zuversicht
in die schließlich ausgewählte Lösung
zu bestätigen oder zu erhöhen.
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Gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung wird eine weitere
Bearbeitung ausgeführt, um eine erhöhte Zuversicht
in den ausgewählten Zustand zu erhalten. Nach diesem Ausführungsbeispiel
wird, nachdem die Verarbeitung von 15 für
den ausgewählten Bereich abgeschlossen ist, eine gewichtete
Summe für die Lösung erhalten, wobei die resultierende
Wahrscheinlichkeit für jeden Zustand in Betracht gezogen
wird. Ein Beispiel ist in Tabelle 5 gezeigt, wo die gewichteten
Resultate als gepoolt bezeichnet werden. Beispielsweise werden die Intensitäten
für den Transistor tA mit der Wahrscheinlichkeit für
jeden Zustand multipliziert und dann aufsummiert. Wie in Tabelle
5 zu ersehen ist, sind nach diesem Vorgang die gepoolten Intensitäten
der Transistoren A und C viel höher als die des Transistors
B. Dies unterstützt die Schlussfolgerung, dass der korrekte
Zustand (101) ist.
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Gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung wird, wenn die
am besten angepassten PSF-Kurve erhalten ist, ein Wert berechnet,
um die Stärke dieser Lösung anzuzeigen. Dieser
Wert wird hier als Sigma bezeichnet und er ist in den Tabellen 4 und 5 als
tSigA, tSigB und tSigC gezeigt. 17 liefert
eine Darstellung, in der drei Fehlerfunktionen 11, 12 und 13 gegen
die Intensität aufgetragen sind. Die Minimalen zeigen den
geringsten Fehler, d. h. die beste Anpassung. Wie zu ersehen ist,
ist jedoch die Kurve 11 flacher als die Kure 13.
Daher ist die Lösung des geringsten Fehlers, die aus der
Kurve 13 ausgewählt wird, mit einer höheren
Gewissheit als die von der Kure 11 erhaltene, behaftet.
Dieses Maß wird in dem Sigma-Wert, der in den Tabellen 4 und 5 gezeigt ist,
wiedergegeben. In diesen Tabellen ist die Zuverlässigkeit
umso geringer, je größer der Sigma-Wert ist. Wenn
der Sigma-Wert sich dem Intensitätswert nähert,
zeigt dies auch eine hohe Ungewissheit in dem Intensitätswert
an. Darüber hinaus, wenn der Sigma-Wert den Intensitätswert übersteigt,
kann man sich nicht auf den Intensitätswert an diesem Zustand verlassen.
Beispielsweise ist für den Zustand (111) in der Tabelle
4 der Sigma-Wert des Transistors B höher als sein Intensitätswert
für diesen Zustand. Dies bestätigt, dass der Zustand
(111) nicht wahrscheinlich ist. Eine ähnliche Anzeige kann
in den gepoolten Werten gesehen werden, d. h. der Sigma-Wert für den
Transistor B ist höher als die gewichtete Intensität
des Transistors B, was anzeigt, dass der Intensitätswert
des Transistors B unzuverlässig ist.
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Nach
einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung wird eine
Entscheidungstabelle aufgebaut und dem Benutzer angeboten. Ein Beispiel solch
einer Tabelle ist in Tabelle 6 gezeigt. In der Tabelle 6 sind die
gewichtete Intensität und das Sigma von jedem Transistor
gezeigt. Zusätzlich ist für jeden Transistor die
kumulative Wahrscheinlichkeit, dass der Transistor „EIN” ist,
berechnet und in der Tabelle angeboten. Dies kann beispielsweise
durch addieren der „EIN” Wahrscheinlichkeit in
der F-Verteilung, die Tabelle 4 erhalten wird, durchgeführt
werden. Wie aus der Tabelle 6 zu ersehen ist, ist die Wahrscheinlichkeit
dafür, dass der Transistor A „EIN” ist,
sehr hoch und seine vorhergesagte Intensität ist hoch und viel
größer als sein Sigma. Ähnliche Ergebnisse
sind für den Transistor C zu sehen. Daher kann das Misch-Beurteilung
bezeichnet wird, abgeben, das die Transistoren A und C „EIN” sind.
Andererseits ist, während die kumulative Wahrscheinlichkeit,
dass der Transistor B „EIN” ist, nicht vernachlässigbar
ist, sein Sigma viel höher als seine Intensität.
Daher ist es in hohem Maße unwahrscheinlich, dass der Transistor B „EIN” ist
und das System kann eine Entscheidung ausgeben, dass er „AUS” ist.
Wenn man konservativ sein will, kann das System eine nicht entschiedene Beurteilung
ausgeben, wie in Tabelle 6 gezeigt ist. Selbst wenn sie unentschieden
ist, wenn man annimmt, dass der Transistor B „EIN” ist,
ist es jedoch klar, dass seine Intensität sehr schwach
ist im Vergleich zu A und C. Wie oben erwähnt wurde, wurden die
gemessenen Intensitätswerte für diese Beispiele tatsächlich
durch Simulation erhalten, wobei ein Zufallszahlgenerator zur Erzeugung
des Rauschens verwendet wurde. Die „rauschfreie” Intensität
der Simulation ist in der Tabelle 6 unter „tatsächlicher
Wert” gezeigt. Es ist ersichtlich, dass die gewichteten
Intensitäten sehr genau zu den tatsächlichen Intensitäten, die
für die Simulation verwendet werden, passen.
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Die
Misch-Beurteilung kann auf spezielle Situationen angepasst werden,
um unterschiedliche „Komfort-Niveaus” bereitzustellen.
Man kann einen konservativen Ansatz machen und eine Entscheidung
nur dann erzwingen, wenn die Wahrscheinlichkeiten sehr hoch sind
mit sehr geringem Sigma und klarer Entscheidung. Folglich kann man
ein erleichtertes Kriterium für die Misch-Beurteilung wählen. Gemäß einem
Beispiel wird die Beurteilung für eine speziellen Transistor
nur dann erklärt, wenn die Wahrscheinlichkeit, dass der
Transistor in dem „EIN”-Zustand ist, zweimal so
groß ist wie die Wahrscheinlichkeit dafür, dass
er in dem „AUS”-Zustand ist. Nach einem anderen
Beispiel wird die Anzahl der Zustände, die eine Wahrscheinlichkeit
haben, die wenigsten die Hälfte der Wahrscheinlichkeit
des am meisten wahrscheinlichen Zustandes haben, gezählt. Wenn
die Zahl größer ist als die Zahl der Transistoren in
dem getesteten Bereich, wird keine Entscheidung ausgegeben.
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Das
Verfahren nach 15 wurde auf dem gesamten Bereich,
der in 13 gezeigt ist, wiederholt ausgeführt,
wobei ein Zufallszahlgenerator zum Einführen von Rauschen
verwendet wurde. Die Ergebnisse von einem dieser Durchläufe
sind in Tabelle 7 tabellarisch erfasst. Es ist zu beachten, dass
das entwickelte System voll automatisch ist und die oben diskutierten
Berechnungen durchführt, um die Emission von jeder Gruppe
von Transistoren aufzulösen. In diesem speziellen Durchlauf
hat das System automatisch eine Ein-/Aus-Entscheidung für
17 aus 22 Transistoren geliefert. Wie aus der Tabelle 7 zu ersehen
ist, passen die von dem System geschätzten Intensitäten
sehr genau zu den simulierten Intensitäten für
alle die Transistoren, für die das System eine Ein-/Aus-Entscheidung
gemacht hat. Tatsächlich waren selbst für Transistoren,
für die das System keine Entscheidung geliefert hat, für
vier aus fünf Transistoren die Intensitäten sehr
nahe bei den simulierten Intensitäten.
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Wie
aus der bisherigen Beschreibung zu ersehen ist, liefert die Methode
berechnete Intensitäten für jeden Transistor unabhängig
davon, ob der Transistor optisch aufgelöst werden kann.
Die berechneten Intensitäten können dann verwendet
werden, um weiche und harte Fehler in dem IC zu untersuchen, wie
oben gezeigt wurde. Darüber hinaus können durch
Durchführung dieser Analyse an mehreren ICs und durch Erzeugung
eines funktionalen Mittelwerts der Intensitäten für
jedes Bauteile Referenzwerte zur Verwendung bei dem Testen von anderen
ICs erhalten werden. Der funktionale Mittelwert kann ein gewichteter
Mittelwert, eine Liste von Medianen oder jeder andere, ausgewählte,
funktionale Mittelwert-Bildung sein.
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Gemäß einem
anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung berücksichtigt
das System mögliche Fehlausrichtungen des CAD-Layout mit
dem zu testenden Bauteil (DUT). 18 zeigt
ein Flussdiagramm zum Eliminieren von Fehlausrichtungsfehlern entsprechend
einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Gemäß diesem
Ausführungsbeispiel wird, sobald eine Geometrie an dem
Schritt 1800 (entsprechend dem Schritt 1510 in 15)
ausgewählt worden ist, die iterative Analyse wie folgt
durchgeführt. An dem Schritt 1810 wird eine CAD-Layout-Ausrichtung
in Bezug auf den DUT gewählt. Sodann wird die Analyse,
wie in Bezug auf 15 beschrieben wurde, an dem
Schritt 1820 ausgeführt, und die Ergebnisse werden
gespeichert. An dem Schritt 1830 wird festgestellt, ob
eine andere Ausrichtung gewählt werden sollte. D. h., dass
das System programmiert ist, um eine vorgegebene Anzahl von Ausrichtungen
des CAD auszuwählen. Dies kann dadurch durchgeführt werden,
dass vorgegebene Bewegungen in der x- und y-Richtung gespeichert
werden, so dass bei jeder Iteration das CAD-Design um einen vorgegebenen
Betrag in der x-Richtung, der y-Richtung oder in beiden bewegt wird.
Wenn an dem Schritt 1830 festgestellt wird, dass eine andere
Ausrichtung überprüft werden muss, geht das Verfahren
im Kreis zu dem Schritt 1810 zurück. Andernfalls
geht das Verfahren zu dem Schritt 1840 weiter, wo alle
berechneten, gepoolten Chi-Quadrat-Werte verglichen werden, und an
dem Schritt 1850 wird die CAD-Ausrichtung, die zu dem geringsten,
gepoolten Chi-Quadrat-Wert führt, als ordnungsgemäße
Ausrichtung ausgewählt, und die Ergebnisse von dieser Ausrichtung
werden zur Auflösung der Emission verwendet.
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19 ist
ein schematisches Diagramm, das ein Ausführungsbeispiel
für Systeme gemäß der Erfindung zeigt.
In 19 wird der DUT 1960 einem Test dadurch
unterworfen, dass beispielsweise Test-Vektoren 1942 von
dem Testgerät 1940 empfangen werden. Der DUT kann
auf einem optischen Testgerät 1910 platziert werden,
beispielsweise einem EmiScope® oder
Ruby®, die von DCG Systems in Fremont,
Kalifornien, erhältlich sind. Im Allgemeinen würde
ein optisches Testgerät 1910 eine x-y-z-Bühne 1920 für
die Navigation über den DUT, eine Strahlmanipulationsoptik
BMO 1935, die aus verschiedenen optischen Elementen, beispielsweise Linsen
und/oder Spiegeln, besteht, und eine Scan-Einrichtung, beispielsweise
ein Laserscan-Mikroskop 1930, umfassen. Die Elemente sind
allgemein und nicht auf die Ausführungsbeispiele der Erfindung
bezogen.
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Durch
Verwendung der oben erwähnten Testelemente wird Licht von
verschiedenen Bereichen des DUT beispielsweise durch Faseroptiken 1934 aufgesammelt
und es wird von dem Lichtsensor 1936, beispielsweise einer
Lawinen-Durchbruchs-Photodiode (APD), eine Kamera für niedrige Lichtwerte
und dergleichen gemessen. Eine Signalaufnahme-Platine 1950 kann
mit dem Sensor gekoppelt sein, um das Signal des Sensors 1936 zu
empfangen und zu konditionieren. Das Signal wird dann an einen Prozessor 1970 angelegt,
beispielsweise einen speziell programmierten PC. Wie dargestellt
ist, kann der Prozessor 1970 auch dazu verwendet werden,
die verschiedenen Elemente des optischen Testgeräts 1910 zu
steuern. Zusätzlich kann ein Trigger- und Taktsignal von
dem Testgerät 1940 an die Signalaufnahme-Platine 1950 und/oder
den Prozessor 1970 bereitgestellt werden.
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Gemäß einem
Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die Verarbeitung,
um die durch das optische Testgerät 1910 detektierte
Emission aufzulösen, durch ein Einzelplatz-System 1900 durchgeführt,
das in Form eines speziell programmierten Mehrzweckrechners oder
speziell konstruierter Hardware und/oder Software und/oder Firmware
implementiert sein kann. Das Einzelpatz-System 1900 führt
auch die Intensitätsbewertung durch, um fehlerhafte und
fehlerhaft funktionierende Bauteile festzustellen, wie oben beschrieben
wurde. Das aufgenommene und konditionierte Signal wird von dem Prozessor 1970 an
die Optiksignaleingabe 1902 des Auflösungssystems 1900 gesendet.
Das System 1900 erhält dann das CAD-Layout des
DUT von der CAD-Datenbank 1946 über die CAD-Eingabe 1904. Das
System 1900 folgt dann einem der Verfahren, die hier beschrieben
sind, um die detektierte Emission aufzulösen. Gemäß noch
einem anderen Ausführungsbeispiel ist das System 1900 in
den Prozessor 1970 integriert. In solch einem Fall wird
das CAD-Layout von der CAD-Datenbank 1940 an den Prozessor 1970 geliefert.
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Die
Darstellung in 19 zeigt ein Ausführungsbeispiel
des Auflösungssystems 1900, ob es sich dabei um
ein Einzelplatz-System oder ein in den Prozessor 1970 integriertes
handelt. Einige oder alle diese Elemente können auch für
die Intensitätsanalyse verwendet werden, um fehlerhafte
und fehlerhafte funktionierende Bauteile zu untersuchen. Das System 1900 hat
einen Bus 1905 an den verschiedene Elemente gekoppelt sind,
um mit anderen Elementen zu kommunizieren und ihnen Signale zur
Verfügung zu stellen. Die Optiksignaleingabe 1902 und
die CAD-Layout-Eingabe 1904 sind mit dem Bus 1905 verbunden
und liefern das Signal an den Bus. Auch eine Ausgabe 1922 liefert
die Ausgabe der verschiedenen Berechnungen und Bestimmungen beispielsweise
an einen Monitor, an einen Drucker und dergleichen. Um die hier
beschriebene Verarbeitung zu ermöglichen, kann das System 1900 einen Punkt-Spread-Funktionsgenerator 1906 umfassen, der
die Punkt-Spread-Funktion der Transistoren und der verschiedenen
ausgewählten Zustände erzeugt. Ein Vergleicher 1908 vergleicht
die PSF von dem PSF-Generator 1906 mit dem optischen Signal,
das von der Eingabe 1902 erhalten wird. Eine Entscheidungsmaschine 1912 empfängt
das Ergebnis der verschiedenen Berechnungen, die von den verschiedenen
Elementen des Systems 1900 ausgeführt wurden,
und liefert einen Ausgang für die Auflösungsentscheidung.
Eine statistische Maschine 1916 führt die verschiedene statistischen
Berechnungen, beispielsweise die Chi-Quadrat, die Chi-Verteilung,
die F-Verteilung usw., durch und liefert den Ausgang an die Entscheidungsmaschine 1902.
Eine Transformationsmaschine 1914 verarbeitet die PSF,
um nach der besten Anpassung an das optische Signal zu suchen. Zusätzlich
liefert ein CAD-Ausrichter 1924 verschiedene CAD-Koordinaten,
um das CAD-Layout auszurichten und iterativ den Fehler für
verschiedene CAD-Ausrichtungen zu berechnen, bis der kleinste Fehler
erhalten wird, um dadurch die besten CAD-Ausrichtungskoordinaten
auszuwählen.
-
Ein
Speicher 1918 kann von den verschiedenen Elementen verwendet
werden, um Daten zu speichern. Der Speicher 1918 kann einen
Speicherbereich zum Speichern einer PSF-Bibliothek für
verschiedene Transistor-Geometrien umfassen. Es ist zu beachten,
dass entsprechend Aspekten der Erfindung der logische Zustand für
jeden Transistor ermittelt wird (beispielsweise unter Verwendung
der hier beschriebenen Verfahren), und dass der Zustand automatisch
in dem Speicher 1918 gespeichert wird zusammen mit den
Test-Vektoren, die während der Bilderfassung arbeiten.
Der Zustand kann dann mit gespeicherten Referenzwerten, die entweder
von bekannten, guten Bauteilen erhalten werden, oder mit anderen
erwarteten Werten, beispielsweise auf der Grundlage einer theoretischen
Berechnung oder Simulation, verglichen werden. Alternative können
die Zustände, die von den verschiedenen Bauteilen verwendet
werden, zum Einstellen des ordnungsgemäßen Zustandes
verwendet werden. Wie verständlich ist, können
jegliche Elemente des Systems 1900 in Form von Hardware,
Software, Firmware oder einer Kombination davon, bereitgestellt
werden. Darüber hinaus sollte verständlich sein,
dass alle die Elemente des Systems 1900 durch einen einzigen
Prozessor implementiert sein können, der einen speziell
ausgelegten Software-Code ausführt.
-
Die
vorliegende Erfindung wurde in Bezug auf spezielle Beispiele beschrieben,
die in jeglicher Beziehung dafür gedacht sind, erläuternd
und nicht einschränkend zu sein. Durchschnittsfachleute
werden erkennen, dass viele unterschiedliche Kombinationen von Hardware,
Software und Firmware zur Durchführung der vorliegenden
Erfindung geeignet sind. Darüber hinaus sind andere Implementierungen der
Erfindung für Durchschnittsfachleute aus der Betrachtung
der Beschreibung und der Ausführung der hier offenbarten
Erfindung offensichtlich. Verschiedene Aspekte und/oder Komponenten
der beschriebenen Ausführungsbeispiele können
einzeln oder in einer beliebigen Kombination in der Technik von
Plasmakammern verwendet werden. Es ist beabsichtigt, dass die Beschreibung
und die Beispiele nur als beispielhaft betrachtet werden, wobei
der richtige Schutzumfang und der Kreis der Erfindung durch die
folgenden Ansprüche angegeben wird.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
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-
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