DE102009044530A1 - Ausrichtung von Sondenspitze zu Bauteil-Anschlussfläche bei Prüfvorgängen mit gehemmtem Durchblick - Google Patents

Ausrichtung von Sondenspitze zu Bauteil-Anschlussfläche bei Prüfvorgängen mit gehemmtem Durchblick Download PDF

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Richard Alan Sunnyvale Portune
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    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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Abstract

Ein Verfahren zur Durchführung der Ausrichtung eines Feldes von Sondenspitzen auf einer Sondenkarte auf entsprechende Kontakt-Anschlussflächen für Wafertestanwendungen durch Ausführen der Schritte: Erhalten eines rückseitigen Bildes des Wafers; Überlagern einer Positionskarte der Kontakt-Anschlussflächen über das rückseitige Bild; Auswählen von Kontakt-Anschlussflächen als Anlandungspunkte; Erhalten eines Bildes des Sondenspitzenfeldes; Vergleichen der Anlandungspunkte mit entsprechenden Positionen der Sondenspitzen und, wenn die Positionen der Sondenspitzen nicht mit den Anlandungspunkten ausgerichtet sind, Drehen der Sondenkarte, um die Positionen der Sondenspitzen auf die Anlandungspunkte auszurichten.

Description

  • Die Erfindung ist in dem Gebiet der Halbleiterwaferprüfung, und insbesondere bezieht sie sich auf die Ausrichtung einer Sondenspitze mit einem unter Test befindlichen Bauteil.
  • Halbleiterwafer durchlaufen im allgemeinen einen Prüfvorgang unter Verwendung einer Sondenkarte, die mit leitenden Anschlussflächen auf der Oberseite der IC Kontakt macht. Während die Technologie fortschreitet, wird das Prüfen von Wafern wichtiger, um ordnungsgemäße Designs und eine annehmbare Ausbeute sicherzustellen. Während die Technik fortschreitet, nimmt jedoch die Anzahl der Anschlussflächen zu, während die Größe der einzelnen Anschlussflächen und der Abstand zwischen den Anschlussflächen abnimmt. Dies macht es sehr viel schwieriger, sicherzustellen, dass alle Kontakte auf der Sondenkarte einen ordnungsgemäßen Kontakt mit den entsprechenden Anschlussflächen machen.
  • Bauteil-Testanschlussflächen sind die oberste Schicht auf einem Chip. Techniken nach dem Stand der Technik für PTPA (Probe to Pad Alignment = Ausrichtung von Sonde zu Anschlussfläche) erfordern eine ungehemmte Betrachtung solcher Anschlussflächen von der Rückseite des Wafers aus und eine Infrarotkamera, um sie durch das Siliziumsubstrat hindurch zu sehen. Moderne Herstellungstechniken für Halbleiter platzieren jedoch viele Verbindungs-Metallschichten (soviel wie 10 oder mehr) zwischen den obersten und untersten Schichten in einem Bauteil. Diese Anschlussschichten blockieren die Sichtbarkeit der Test-Anschlussflächen von unterhalb und machen solche existierenden Techniken somit ungeeignet.
  • Die 13 zeigen Anordnungen nach dem Stand der Technik für die Ausrichtung von Sondenspitzen. In 1 wird ein Wafer 100 durch eine Halterung 105 gehalten, die an einer X-Y-Plattform 110 befestigt ist. Eine Kamera 115 ist ebenfalls an der X-Y-Plattform 110 befestigt. Um die Ausrichtung durchzuführen, wird die Plattform abgetastet, so dass die Kamera 115 Bilder von den Sondenspitzen 120 der Sondenkarte 125 aufnehmen kann. Das Bild wird dann verwendet, um eine Lagekarte der Orte der Spitzen zu bilden. In 2 wird eine Infrarotkamera 215 verwendet, um sowohl die Anschlussflächen 202 auf dem Wafer 200 als auch die Sondenspitzen 220 der Sondenkarte 225 abzulichten. Wie in 2 gezeigt ist, ist die Kamera 215 in einer Position A auf die Ebene fokussiert, wo die Anschlussflächen sich befinden, so dass sie die Anschlussflächen 202 durch das Siliziumwafer hindurch abbildet (folglich die Verwendung von Infrarot, gegenüber dem Silizium transparent ist). An einer Position B ist die Kamera 215 auf die Ebene fokussiert, wo die Spitzen 220 liegen, so dass sie die Spitzen 220 ebenfalls durch das Siliziumwafer hindurch abbildet. Wenn keine oder nur sehr wenige Metallleitungen auf dem Wafer ausgebildet sind, kann die IR Kamera sowohl die Anschlussflächen als auch die Sondenspitze durch das Silizium hindurch abbilden. Dies ist in 3 gezeigt, in der die Anschlussflächen als Quadrate gezeigt sind, und die Sondenspitzen sind als rund gezeigt. Wenn jedoch mehrere Schichten von Metallleitungen auf dem Wafer hergestellt werden, hemmen die Leitungen den Durchblick der Kamera und verhindern die Abbildung der Anschlussflächen und/oder der Sondenspitzen, so dass eine ordnungsgemäße Ausrichtung unter Verwendung dieser Technik nicht umgesetzt werden kann.
  • Daher sind eine neue Vorrichtung und Verfahren notwendig, um eine ordnungsgemäße Ausrichtung der Sondenspitzen mit den Anschlussflächen selbst dann sicherzustellen, wenn mehrere Schichten von Metallleitungen auf dem Wafer hergestellt werden.
  • Die folgende Zusammenfassung ist aufgenommen, um ein grundlegendes Verständnis von einigen Aspekten und Merkmalen der Erfindung zu geben. Diese Zusammenfassung ist kein ausführlicher Überblick der Erfindung und als solches ist sie nicht dafür gedacht, kritische oder Schlüsselelemente der Erfindung speziell zu identifizieren oder den Schutzumfang der Erfindung einzuschränken. Ihr einziger Zweck ist es, einige Konzepte der Erfindung in einer vereinfachten Form als Vorbemerkung zu der detaillierteren Beschreibung anzubieten, die im folgenden gegeben wird.
  • Ausführungsbeispiele dieser Erfindung lösen das Problem einer ordnungsgemäßen Ausrichtung von Sondenspitzen mit Kontaktflächen, wenn Metallleitungen den Blick durch das Silizium hemmen. Die Ausrichtung von Sondenkartenspitzen mit Waferbauteil-Anschlussflächen unter Verwendung von einer nach oben blickenden Kamera kann nicht durchgeführt werden, wenn die Beobachtung der Spitzen und der Anschlussflächen aufgrund der Sondenkartentechnologie und der Herstellungstechnologie von Halbleitern mit mehreren Metallschichten gehemmt ist. Folglich werden verschiedene Ausführungsbeispiele beschrieben, die eine Kombination von Abbildungen des Sondenspitzenfeldes, von Bauteilbildern und/oder einer überlagerten Bauteil-CAD Lagekarte verwenden, um eine Ausrichtung in X, Y und Theta (Drehung) zu erreichen. Gewisse Ausführungsbeispiele sind einfacher gestaltet durch ein Untersystem mit einer nach oben blickenden Infrarotkamera eines standardisierten Emissions- oder Laserprüfmikroskops.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird die CAD-Information des Bauteils einem aufgenommenen Bild des tatsächlichen Bauteils überlagert, um die erforderliche Information über die Lage der Sondenspitze zu liefern. Daher ist die herkömmliche Betrachtung der obersten Schicht durch die Rückseite des Bauteils nicht erforderlich. Diese Information über das „virtuelle Bauteil” wird dann räumlich mit der Information über das Sondenspitzenfeld der Sondenkarte verglichen, die durch die nach oben blickende Kamera aufgenommen wird, wenn das Wafer nicht vorhanden ist. Anpassungsvorgänge können dann in Bezug auf die relativen Positionen des Wafers und der Sondenkarte gemacht werden, bis die beiden in Ausrichtung gebracht sind.
  • Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel wird eine hochauflösende Kamera verwendet, um ein Bild der tatsächlichen Oberseite eines Bauteils auf dem Wafer, das ausgerichtet werden soll, zu machen, wodurch die Orte der Kontaktflächen gezeigt wird. Die Kamera kann an einer beliebigen Stelle montiert sein, die einen ungehemmten Blick auf die Oberseite des Wafers bietet. Tatsächlich ist es nicht erforderlich, dass die Kamera auf dem Testsystem montiert ist, weil das Bild schließlich durch das Testsystem manipuliert werden kann, so dass es nach Maßstab und Position zu den rückseitigen Bildern passt, die durch das IR-Mikroskopsystem in der Testvorrichtung erzeugt worden sind. Sobald das Bild aufgenommen ist, kann es digital im Bezug auf Maßstab, Drehlage, Ausschnitt und anderweitig manipuliert werden, so dass es zu dem rückseitigen Bild des Bauteils passt, wie es von der aufwärtsblickenden IR-Kamera aufgenommen wurde. Das Bild wird dann durscheinend gemacht und mit dem rückseitigen Bild verschmolzen, um die beiden Bilder einander zu überlagern. Mit anderen Worten wird das oberseitige Bild zu den Eckenmerkmalen passend gemacht, die sowohl von der Oberseite als auch von der Rückseite des Bauteils her sichtbar sind, und ein kombiniertes „virtuell transparentes” Bauteilbild wird erzeugt.
  • Das „transparente” Merkmal bezieht sich auf die Tatsache, dass ein normales Bild der Bauteil-Rückseite, wie es von einem IR-Mikroskop aufgenommen wurde, keinen Blick durch das Bauteil bis zu seiner Oberseite geben kann, weil die dazwischen liegenden Metallschichten in der Halbleitervorrichtung das Bild undeutlich machen. Indem die vorderseitigen und rückseitigen Bilder zu einem einzigen Bild miteinander verschmolzen werden, erzeugen wir ein Bild, das ähnlich zu dem ist, welches zu sehen wäre, wenn das Bauteil transparent wäre. Weil dieses Bild auf tatsächlichen Bildern des Bauteils, das ausgerichtet werden soll, basiert, kann es in einem ordnungsgemäßen Wafertestverfahren mit Ausrichtung von Sonde zu Anschlussfläche verwendet werden.
  • Nach einem noch anderen Ausführungsbeispiel wird ein kombiniertes Bild aus Rückseite, CAD und Oberseite erzeugt, um die Genauigkeit und den Wirkungsgrad dieses Verfahrens zu verbessern. Wenn jedoch ein CAD-Design nicht zur Verfügung steht, kann das Verfahren ohne Überlagerung des CAD-Designs durchgeführt werden.
  • Die beigefügten Zeichnungen, die mit einbezogen werden und einen Teil dieser Beschreibung bilden, zeigen beispielhaft die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erläutern und zu zeigen. Die Zeichnungen sind dazu gedacht, hauptsächliche Merkmale der Ausführungsbeispiele in einer schematischen Weise zu zeigen. Die Zeichnungen sind nicht dazu gedacht, jedes Merkmal der tatsächlichen Ausführungsbeispiele noch relative Dimensionen der gezeigten Elemente zu zeigen, und sie sind nicht Maßstabsgerecht.
  • 13 zeigen Anordnungen nach dem Stand der Technik für die Ausrichtung von Sondenspitzen.
  • 4 zeigt eine allgemeine schematische Darstellung eines Testmikroskops, welches zur Umsetzung der Ausführungsbeispiele der Erfindung verwendet werden kann.
  • 5 ist eine allgemeine schematische Darstellung, die die hauptsächlichen Bestandteile eines Testmikroskops zeigen, das zur Umsetzung von Ausführungsbeispielen der Erfindung verwendet werden kann.
  • 6 zeigt ein modernes Bauteil, wie es mit einem Infrarotmikroskop gesehen wird.
  • 7 zeigt ein Infrarotbild eines Bauteils, wobei die mit entsprechenden CAD-Designdaten von einer CAD-Datenbank (5) genommen werden und dem Infrarotbild unter Verwendung physischer Bauteilpositionen überlagert und damit ausgerichtet werden.
  • 8 zeigt Sonden-Zielpositionen, die zum Vergleich mit einem Sondenspitzenfeld identifiziert und hervorgehoben sind.
  • 9 zeigt ein Bild eines Sondenspitzenfeldes, wie es mit einem Infrarotmikroskop gesehen wird.
  • 10 zeigt eine Sondenspitzenfeld-Position verglichen mit Sonden-Anschlussflächenstellen auf dem Bauteil nach vollendeter Ausrichtung.
  • 11 zeigt ein Flussdiagramm eines Verfahrens gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung zur Ausrichtung von Sondenkartenspitzen mit Kontakt-Anschlussflächen auf einem Bauteil auf einem Wafer.
  • 12 zeigt ein Ausführungsbeispiel, das unter solchen Umständen verwendet werden kann, um eine Ausrichtung ohne das Erfordernis einer speziellen Kamera und einer optischen Anordnung zu erreichen, um gleichzeitig Wafer-Bauteile und Sondenkarten zu betrachten.
  • 13 ist ein Beispiel für ein vorderseitiges Bild, das durchscheinend gemacht und mit dem rückseitigen Bild des Wafers verschmolzen ist.
  • 14 zeigt ein Verfahren zur Ausrichtung der Sondenkartenspitzen mit den Anschlussflächen, wenn keine CAD-Designdaten zur Verfügung stehen.
  • 15 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel, gemäß dem, wenn CAD-Designdaten zur Verfügung stehen, sie zur Verifizierung der Genauigkeit bei der Auswahl der Kontaktanschlussflächen zur Ausrichtung verwendet werden.
  • 16 zeigt ein Beispiel eines Bildes, das ausgewählte Kontakt-Anschlussflächen (die von dem oberseitigen Bild sichtbar sind und die durch die CAD-Daten bestätigt wurden) zeigt, die zur Ausrichtung markiert sind.
  • Verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung liefern eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Verschmelzen von Wafer-Bauteilebildern von mehreren Quellen, um ein pseudotransparentes Wafer- Bauteilebild zu erzeugen, um die Ausrichtung der Waferbauteile mit den Wafer-Sondenkarten zu erleichtern. Die erfindungsgemäße Technik ist auf alle Wafertypen (einschließlich Wafer mit mehreren Metallschichten, die eine IR-Mikroskopie durch das Wafer hindurch hemmen) und Sondenkartentypen anwendbar (einschließlich vertikale „Kobra”-artige Sondenkarten und andere Sondenkartentypen mit keiner zentralen Betrachtungsöffnung).
  • Während die Erfindung unter Verwendung einer Vielzahl von Anordnungen umgesetzt werden kann, ist sie besonders vorteilhaft für die Verwendung bei Prüfmikroskopen, beispielsweise Emissionsmikroskopen und Laserspannungs-Prüfgeräten, beispielsweise bei MeridianTM WaferScan, das von DCG Systems in Fremont erhältlich ist. Daher werden verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung als in solchen Systemen implementiert beschrieben.
  • Eine allgemeine, schematische Darstellung eines Prüfmikroskops, das zur Umsetzung von Ausführungsbeispielen der Erfindung verwendet werden kann, ist in 4 gezeigt. Das in der Figur gezeigte System ist besonders geeignet für die Überprüfung von Bauteilen auf Wafern auf Zeitsteuerung, Emissionversagen und andere Merkmale, insbesondere von der Rückseite her durch das Substrat. Das System ist gezeigt, wie es im Zusammenhang mit einem im Handel erhältlichen, automatisierten Prüfgerät 405 (automated testing equipment = ATE) arbeitet. Das ATE 405 umfasst im allgemeinen einen Controller, beispielsweise einen vorher programmierten Rechner 481 und einen Testkopf 424, der eine Sondenkarte 425 aufweist, die dazu verwendet wird, Signale (Vektoren), die von dem Controller 481 erzeugt werden, an die unter Test befindliche Vorrichtung (device unter test = DUT – in diesem Zusammenhang das ausgewählte Bauteil auf dem Wafer) 410 in einer an sich bekannten Weise abzugeben. Insbesondere wird das ATE 405 verwendet, um Signale zu erzeugen, die das DUT 410 dazu anregt, verschiedene Aufgaben auszuführen, wie sie durch den Chipdesigner als Design vorgegeben sind, um den Chip zu überprüfen und/oder zu reparieren.
  • In dem in 4 gezeigten Ausführungsbeispiel wird der ATE-Testkopf 424 auf der Oberseite einer gegen Schwingungen isolierten Testbank 415 platziert, während die Kammer 400, die die gesamte Optik, die Bilderfassung und Abtastung des Mikroskopsystems beherbergt, darunter angeordnet ist. Dies liefert einen außerordentlichen Vorteil, da es ermöglicht, dass das System mit jeglichem Typ und jeglicher Größe von ATE verwendet werden kann, ohne dass eine Störung mit jeglichen Elementen in der Kammer 400 stattfindet oder eine Modifikation davon gemacht wird. Vielmehr wird das ATE verwendet, um das DUT von oben her zu platzieren, so dass hierdurch die Optik über die Öffnung 485 sichtbar ist. Eine Plattform innerhalb der Kammer 400 ermöglicht die Platzierung der Aufnahmeoptik an beliebigen Stellen innerhalb der Öffnungen 485.
  • 5 ist eine allgemeine, schematische Darstellung, die die hauptsächlichen Komponenten eines Prüfmikroskops zeigt, das zur Umsetzung von Ausführungsbeispielen der Erfindung verwendet werden kann. In 5 stellen gestrichelte Pfeile den optischen Weg dar, während ausgezogene Pfeile den elektronischen Signalweg darstellen. Die optischen Wege, die durch gestrichelte Linien dargestellt sind, werden im Allgemeinen unter Verwendung von faseroptischen Kabeln hergestellt. Das Testsystem 500 umfasst eine Laserlichtquelle, beispielsweise einen CW oder eine im Bezug auf die Betriebsweise verriegelte Laserquelle (mode-locked laser source = MLL) 510, eine optische Bank 512 und eine Datenaufnahme- und Analyse-Vorrichtung 514. Die optische Bank 512 umfasst Vorkehrungen zur Montage des Wafers 560 und umfasst eine Strahloptik 525. Die Strahloptik kann verschiedene Elemente umfassen, um den Strahl zu formen, allgemein dargestellt als Strahl-Manipulationsoptik BMO (BMO = beam manipulation optics) 535, und Elemente, um den Strahl auszurichten und/oder über das DUT zu scannen, beispielsweise ein Laserscanmikroskop LSM 530. Ein Rechner 540 oder eine andere Vorrichtung, beispielsweise ein ATE, kann verwendet werden, um Strom und/oder Signale 542 an das DUT 560 über die Sondenkarte zu liefern, und er kann Trigger- und Taktsignale 544 an die im Bezug auf den Betrieb verriegelte Laserquelle 510 und/oder die Analysevorrichtung 514 liefern. Die Analysevorrichtung 514 umfasst eine Arbeitsstation 570, die die Verfahrensschritte steuert und Daten von der Signalaufnahmeplatine 550 und der optischen Bank 4 anzeigt.
  • Im Betrieb erzeugt der Rechner 540, der ein herkömmliches ATE sein kann, Testvektoren, die elektrisch dem DUT 560 zugeführt werden. Wenn eine Emissionsprüfung durchgeführt wird, sammelt die Optik das schwache Licht, das von den aktiven Bauteilen auf dem DUT emittiert wird, und richtet das gesamte Licht auf den Fotodetektor 536. Der Fotodetektor, beispielsweise eine Lawinendurchbruchs-Fotodiode (APD), setzt das aufgesammelte Licht in ein elektrisches Signal um, das an die Signalaufnahmeplatine gesendet wird. Das Signal kann dann unter Verwendung des Rechners 570 analysiert werden.
  • Andererseits sendet, wenn eine Laserprüfung durchgeführt wird, das ATE ein Synchronsignal 544 an die in ihrer Betriebsweise verriegelte Laserquelle 510, die einen Laserstrahl emittiert. Die Strahloptik 525 wird dann verwendet, um den Strahl auszurichten, um verschiedene Positionen auf dem DUT zu beleuchten. Der Strahl wird von dem DUT reflektiert, die Reflexion wird jedoch durch die Antwort des DUT auf die Testvektoren 542 gestört. Diese gestörte Reflexion wird durch den Fotodetektor 536 detektiert, der sie in ein Analogsignal umsetzt. Das Analogsignal wird durch die Signalaufnahmeplatine 550 aufgenommen und dem Rechner 570 zugeführt, wo es als Wellenform entsprechend der gestörten Reflexion von dem DUT angezeigt wird. Durch Korelation der Zeitachse der Wellenform auf die des ATE kann die Antwort des DUT analysiert werden.
  • Wie zu verstehen ist, müssen die elektrischen Vektorsignale ordnungsgemäß an das DUT weitergegeben werden, um die Systeme der 4 und 5 zu betreiben. Zu diesem Zweck müssen die Spitzen an den Sondenadapter genau auf den Anschlussflächen des DUT platziert werden. Eine nicht ordnungsgemäße Ausrichtung kann unkorrekte Signale verursachen oder, dass keine Signale an das DUT weitergegeben werden, und sie kann das DUT oder die Spitzen beschädigen.
  • Wenn optische Prüfgeräte wie die in den 4 und 5 gezeigten verwendet werden, kann man den Laser des Prüfgerätes verwenden, um ein Infrarotbild des DUT zu machen, beispielsweise durch scannen des Lasers unter Verwendung des LSM. 6 zeigt ein modernes Bauteil, wie es durch ein Infrarotmikroskop gesehen wird. Wie ersichtlich ist, unterbinden die inneren Metallschichten vollständig jede Sicht auf die Sonden-Anschlussflächen oder die Sondenspitzen oberhalb des Bauteils. Daher können existierende Ausrichtungsverfahren, die auf einer Betrachtung sowohl der Sonden-Anschlussflächen als auch der Sondenspitzen beruhen, an diesem Bauteil nicht verwendet werden.
  • 7 zeigt das rückseitige Infrarotbild des Bauteils mit entsprechenden CAD-Designdaten, die von einer CAD-Datenbank (5) genommen sind und dem Infrarotbild unter Verwendung physikalischer Bauteile Positionen überlagert und damit ausgerichtet sind. In 7 zeigen die Kreise die Positionen der Sonden-Anschlussflächen der obersten Schicht. Die Kombination des Bauteilebildes, das durch die nach oben blickende Kamera aufgenommen ist, und seines überlagerten CAD-Designes von einem „virtuellen” Bauteil, kann mit dem physischen Sondenspitzenfeld verglichen werden. Dies überwindet das Problem bei dem Versuch, ein Bild der Anschlussflächen durch die blickhemmenden Metallschichten des DUT hindurch aufzunehmen.
  • 8 zeigt die Testpositionen, die identifiziert und hervorgehoben sind, zum Vergleich mit dem Sondenspitzenfeld. Das heißt, dass unter Verwendung des virtuellen Bauteilebildes von 7 verschiedene Testpunkte für den nächsten Schritt der Ausrichtung markiert werden. Das kann einfach dadurch gemacht werden, dass eine Bedienungsperson auf den gewünschten Testpunkt „zeigt und klickt” unter Verwendung einer Maus oder einer anderen Zeigereinrichtung, die mit dem Rechner 570 gekoppelt ist. Es ist zu beachten, dass nicht alle Testpunkte hervorgehoben werden müssen, sondern nur ausreichend viele Testpunkte um die Erkennung von Ausrichtungsfehlern in X-Y und Theta (Drehung) zu ermöglichen.
  • 9 zeigt ein Bild eines Sondenspitzenfelds, wie es in einem Infrarotmikroskop gesehen wird. Um dieses Bild zu erhalten, ist das Wafer zu einer Parkposition bewegt worden, so dass ein ungehinderter Blick auf das Sondenspitzenfeld zur Verfügung steht. Sodann wird die Infrarotkamera verwendet, um ein Bild von dem Sondenspitzenfeld zu erhalten. Die Wafer-Testpositionen, die vorher identifiziert wurden, sind auf dem Bild zum Positionsvergleich als überlagert gezeigt. Die Sondenkarte wird dann in Theta-Richtung (Drehung) bewegt, bis der Sondenkartenwinkel zu dem Waferwinkel passt. Das Wafer wird dann in X und Y bewegt, bis seine Position zu der Position des Sondenspitzenfeldes passt. 10 zeigt die Position des Sondenspitzenfelds im Vergleich zu den Stellen der Sonden-Anschlussflächen auf dem Bauteil, nachdem die Ausrichtung abgeschlossen ist.
  • 11 zeigt ein Flussdiagramm für ein Verfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung zur Ausrichtung der Sondenkartenspitzen auf die Kontakt-Anschlussflächen eines Bauteils auf einem Wafer. An einem Schritt 1100 wird das Wafer in das System geladen, wobei das System eine Infrarot-Bilderzeugungseinrichtung mit einem Blick auf die Rückseite des Wafers hat. In diesem Zusammenhang bedeutet die Rückseite die Oberfläche gegenüber der Oberfläche, die die Kontakt-Anschlussflächen hat. Wie im Bezug auf die 4 und 5 erläutert wurde, werden die Laser- und Infrarotbilderzeugungsoptik so positioniert, dass sie die Rückseite des Wafers betrachten, da dies die Oberfläche ist, wo die Photonenemission und die Laserprüfung durchgeführt werden kann. Wenn das Wafer geladen ist, wird die Infrarot-Bilderzeugungseinrichtung verwendet, um das ausgewählte Bauteil auf dem Wafer abzutasten, um ein Bild von der unteren Oberfläche des Wafers zu erhalten.
  • An dem Schritt 1110 werden die CAD-Designdaten des Wafers von einer CAD-Datenbank (siehe 5) geladen, und die Daten werden mit dem Laserbild des Bauteils ausgerichtet und eingestellt. Dies heißt, dass verschiedene sichtbare Elemente des Laserbildes mit den CAD-Designdaten ausgerichtet werden. Ein Beispiel ist in 7 gezeigt, wo die Bauteileelemente als Rechtecke gezeigt sind. Die CAD-Daten umfassen auch die Kontakt-Anschlussflächen, diese sind in 7 als Kreise gezeigt. Da die CAD-Daten mit den tatsächlichen Bauteileelementen auf dem Bauteil ausgerichtet werden, sollten die Orte der Kontakt-Anschlussflächen, die von den CAD-Daten angegeben sind, auf die tatsächlichen Stellen der Kontakt-Anschlussflächen ausgerichtet sein, obwohl die Kontakt-Anschlussflächen verdeckt und daher in dem Infrarotbild nicht sichtbar sind.
  • In dem Schritt 1115 werden ausgewählte Kontakt-Anschlussflächen markiert zur Abstimmung auf die Spitzen der Sondenkarte. Die Anschlussflächen können einfach dadurch ausgewählt werden, dass eine Bedienungsperson eine Zeigereinrichtung, beispielsweise eine Maus, die auf die gewünschten Kontakt-Anschlussflächen klickt, verwendet, wodurch diese Anschlussflächen für den Rechnerprozessor markiert werden, der die grafischen Marken erzeugt, wie in 8 gezeigt ist.
  • In dem Schritt 1120 wird das Wafer entnommen und geparkt, beispielsweise auf den Parkstiften 426, so dass das nach oben blickende Bilderzeugungsgerät einen klaren Blick auf die Sondenkarte hat. An diesem Punkt kann das Bild des Wafers von dem Bildschirm entfernt werden, wodurch nur die Markierungen der Kontakt-Anschlussflächen übrig bleiben. An dem Schritt 1125 wird das nach oben blickende Bilderzeugungsgerät verwendet, um die Sondenkarte abzubilden. Das Bild der Sondenkarte wird dann über die Markierungen der Kontakt-Anschlussflächen überlagert, und an dem Schritt 1130 wird das Bild überprüft, um zu sehen, ob die Spitzen der Sondenkarte in ihrer Drehlage mit den Markierungen ausgerichtet sind – siehe 9. Wenn sie ausgerichtet sind, geht das Verfahren zu dem Schritt 1135 weiter, in dem das Wafer geladen und, wenn erforderlich, in X-Y bewegt wird. Andererseits, wenn an dem Schritt 1130 die Spitzen nicht ausgerichtet sind, geht das Verfahren zu dem Schritt 1140 weiter, in dem die Testplatine gedreht wird, bis die Resultate bei der Inspektion in dem Schritt 1130 als Ergebnis eine Ausrichtung zeigen.
  • Es gibt Situationen, wo die CAD-Designinformation des Wafers nicht zur Verfügung steht. 12 zeigt ein Ausführungsbeispiel, das unter solchen Umständen verwendet werden kann, um eine Ausrichtung ohne das Erfordernis für eine spezielle Kamera oder eine optische Anordnung zu erreichen, um gleichzeitig die Bauteile des Wafers und die Sondenkarte zu betrachten. Das System, das in dem Ausführungsbeispiel von 12 gezeigt ist, ist ähnlich zu dem, das in 4 gezeigt ist, so dass ähnliche Elemente mit ähnlichen Bezugszeichen bezeichnet sind mit der Ausnahme, dass sie in der 12xx-Serie statt in der 4xx-Serie liegen. In dem Ausführungsbeispiel von 12 wird eine hochauflösende Kamera verwendet, um ein Bild der Oberseite des Wafers, d. h. der Seite mit den Kontakt-Anschlussflächen, zu machen. Obwohl dies nicht unbedingt erforderlich ist, ist eine telezentrische Abbildungskamera besonders vorteilhaft für dieses Ausführungsbeispiel, um einen ordnungsgemäß maßstabgetreuen Blick auf das gesamte Bauteil sicherzustellen, der keine Störung der Vergrößerung des Bildes radial zu dem Zentrum des Bildes hat. Auch kann die Zoom- und Fokuseinstellung nachgestellt werden, so dass ein Blickfeld über das gesamte Bauteil erreicht werden kann.
  • Sodann wird die nach oben blickende Infrarotkamera des Testmikroskops verwendet, um ein Bild von der Unterseite des Bauteils zu machen ähnlich zu dem Bild, das in dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel genommen wurde. Das digitale Bild von der Oberseite wird dann digital auf Maßstab, Drehlage, Bildausschnitt und anderweitig manipuliert, um es auf das rückseitige Bild des Bauteils abzustimmen, das von der nach oben blickenden IR-Kamera des Mikroskops aufgenommen wurde. Das Bild wird dann durchscheinend gemacht und mit dem rückseitigen Bild verschmolzen. Wie in 13 gezeigt ist, zeigt das oberseitige Bild 1300 die Anschlussflächen 1310 und einige andere Merkmale 1305. Das rückseitige Bild 1340 zeigt einige Merkmale, die in dem oberseitigen Bild nicht sichtbar sind, aber auch einige Merkmale 1315, die den Merkmalen 1305 entsprechen und die in dem oberseitigen Bild sichtbar sind. Unter Verwendung dieser Merkmale wird das oberseitige Bild maßstabgerecht gemacht und manipuliert, so dass es zu der Größe und der Winkelposition des rückseitigen Bildes passt. Das oberseitige Bild wird dann geflippt und an das rückseitige Bild „gepinnt” unter Verwendung der Merkmale, die sowohl auf dem oberseitigen als auch auf dem rückseitigen Bildern sichtbar sind, um ein kombiniertes Bild 1360 zu liefern. Es heißt, dass das oberseitige Bild an die Randmerkmale angepasst wird, die sowohl von der Oberseite als auch von der Rückseite des Bauteils her sichtbar sind, und das ein kombiniertes „virtuell-transparentes” Bild des Bauteils erzeugt wird.
  • Das Merkmal „transparent” bezieht sich auf die Tatsache, dass eine normale Bilderzeugung der Rückseite des Bauteils, wie sie durch ein IR-Mikroskop aufgenommen wird, nicht durch das Bauteil bis zu seiner Oberseite hindurch blicken kann, weil die dazwischenliegenden Metallschichten in der Halbleitervorrichtung das Bild abdecken. Indem die vorderseitigen und rückseitigen Bilder in ein einziges Bild verschmolzen werden, wird ein Bild erzeugt, das ähnlich zu dem ist, was zu sehen wäre, wenn das Bauteil transparent währe. Da dieses Bild auf tatsächlichen Bildern des Bauteils, das ausgerichtet werden soll, basiert, kann es nun in einem Wafer-Prüfverfahren mit Sonden-zu-Anschlussflächen-Ausrichtung in der selben Weise verwendet werden, wie in dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel unter Verwendung von CAD-Designdaten beschrieben wurden. Daher ist keine CAD-Information des Bauteils erforderlich, um diese Technik zu verwenden.
  • 14 zeigt ein Verfahren zur Ausrichtung der Sondenkartenspitzen mit den Kontakt-Anschlussflächen, wenn keine CAD-Designdaten zur Verfügung stehen. An dem Schritt 1400 wird das Wafer in das System geladen. In dem Schritt 1405 wird die Rückseite eines ausgewählten Bauteils auf dem Wafer abgebildet unter Verwendung des Lasers und von Abbildungsoptiken des Systems. An dem Schritt 1410 wird die Oberseite des gleichen Bauteils unter Verwendung einer hochauflösenden Kamera abgelichtet. Es ist zu beachten, dass die Reihenfolge der Schritte 1405 und 1410 umgedreht werden kann. An dem Schritt 1415 wird das digitale Bild der Oberseite digital manipuliert, so dass es der Größe des rückseitigen Laserbildes entspricht und damit ausgerichtet ist, und es wird geflippt und mit dem rückseitigen Laserbild verschmolzen, um ein virtuell-transparentes Bild des Bauteils zu erzeugen. An dem Schritt 1420 werden ausgewählte Kontakt-Anschlussflächen (die aus dem oberseitigen Bild sichtbar sind) für die Ausrichtung markiert. An dem Schritt 1425 wird das Wafer, beispielsweise auf Parkstiften 1226, geparkt, und an dem Schnitt 1430 lichtet das Laserabbildungssystem die Spitzen der Sondenkarte ab. An dem Schritt 1435 wird überprüft, ob die Spitzen mit den Markierungen der ausgewählten Kontakt-Anschlussflächen ausgerichtet sind. Wenn dies zutrifft, wird das Wafer an dem Schritt 1440 erneut geladen. Andererseits wird, wenn die Karte nicht ordnungsgemäß ausgerichtet ist, die Sondenkarte an dem Schritt 1445 gedreht, und die Ausrichtung wird überprüft, bis die Karte ausgerichtet ist.
  • 15 zeigt noch ein anderes Ausführungsbeispiel, gemäß dem, wenn CAD-Designdaten zur Verfügung stehen, diese als Verifikation der Genauigkeit bei der Auswahl der Kontakt-Anschlussflächen zum Zwecke der Ausrichtung verwendet werden. In dem Schritt 1500 wird das Wafer geladen, und in dem Schritt 1505 wird die Rückseite eines ausgewählten Bauteils unter Verwendung des Lasers und der Abbildungsoptik des Systems abgelichtet. An dem Schritt 1510 wird die Oberseite des gleichen Bauteils unter Verwendung einer hochauflösenden Kamera abgelichtet. Es ist zu beachten, das die Reihenfolge der Schritte 1505 und 1510 umgekehrt werden kann. An dem Schritt 1515 wird das digitale Bild der Oberseite digital manipuliert, so dass es in der Größe zu dem Laserbild der Rückseite entspricht und damit ausgerichtet ist, und es wird geflippt und mit dem Laserbild der Rückseite verschmolzen, um ein virtuell-transparentes Bild des Bauteils zu erzeugen. An dem Schritt 1520 werden die CAD-Designdaten über das virtuell-transparente Bild überlagert, um die Ausrichtung des oberseitigen Bildes mit dem rückseitigen Bild zu bestätigen. Wenn es Ungereimtheiten ergibt, wird das digitale oberseitige Bild manipuliert, so dass es den CAD-Designdaten entspricht. An dem Schritt 1525 werden ausgewählte Kontakt-Anschlussflächen (sichtbar auf dem oberseitigen Bild und bestätigt durch die CAD-Daten) zwecks Ausrichtung markiert. Ein Beispiel für solch ein Bild ist in 16 gezeigt. An dem Schritt 1530 wird das Wafer geparkt, und an dem Schritt 1535 lichtet das Laserabbildungssystem die Spitzen der Sondenkarte ab. An dem Schritt 1540 wird überprüft, ob die Spitzen mit den Markierungen der ausgewählten Kontakt-Anschlussflächen ausgerichtet sind. Wenn dies zutrifft, wird das Wafer an dem Schritt 1545 erneut geladen. Andererseits, wenn die Karte nicht ordnungsgemäß ausgerichtet ist, wird die Sondenkarte an dem Schritt 1550 gedreht und die Ausrichtung wird überprüft, bis die Karte ausgerichtet ist.
  • Es ist zu beachten, dass die Verfahren und Techniken, die hier beschrieben sind, nicht inhärent mit einer bestimmten Vorrichtung zusammenhängen und durch beliebige geeignete Kombination von Komponenten umgesetzt werden können. Ferner können verschiedene Arten von Allzweckgeräten entsprechend der hier beschriebenen Lehre verwendet werden. Es kann sich auch als vorteilhaft erweisen, spezielle Geräte zu konstruieren, um die hier beschriebenen Verfahrensschritte auszuführen. Die vorliegende Erfindung wurde im Zusammenhang mit speziellen Beispielen beschrieben, die in jeglicher Hinsicht dafür gedacht sind, erläuternd statt einschränkend zu sein. Die Durchschnittsfachleute werden erkennen, dass viele unterschiedliche Kombinationen der Funktionselemente geeignet sind, um die vorliegende Erfindung auszuführen. Darüber hinaus sind andere Ausführungen der Erfindung für die Durchschnittsfachleute aus der Betrachtung der Beschreibung und der hier beschriebenen Ausführung der Erfindung ersichtlich. Verschiedene Aspekte und/oder Komponenten der beschriebenen Ausführungsbeispiele können für sich oder in einer beliebigen Kombination in der jeweiligen Technik verwendet werden. Es ist beabsichtigt, dass die Beschreibung und die Beispiele nur als Ausführungsbeispiele betrachtet werden, wobei der wahre Schutzumfang der Erfindung durch die folgenden Ansprüche angegeben wird.

Claims (20)

  1. Verfahren zur Durchführung der Ausrichtung eines Feldes von Sondenspitzen einer Sondenkarte auf entspreche Kontakt-Anschlussflächen für Wafer-Testanwendungen, umfassend die Schritte: Erhalten eines rückseitigen Bildes des Wafers; Überlagern einer Positionskarte der Kontakt-Anschlussflächen über das rückseitige Bild; Auswählen von Kontakt-Anschlussflächen als Anlandepunkte; Erhalten eines Bildes des Sondenspitzenfeldes; Vergleichen der Anlandepunkte mit entsprechenden Positionen der Sondenspitzen; und, wenn die Positionen der Sondenspitzen nicht mit den Anlandepunkten ausgerichtet sind, Verdrehen der Sondenkarte, um die Positionen der Sondenspitzen mit den Anlandepunkten auszurichten.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, worin das Überlagern einer Positionskarte der Kontakt-Anschlussflächen über das rückseitige Bild das Erhalten von CAD-Designdaten des Wafers und Überlagen der CAD-Designdaten über das rückseitige Bild umfassen.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, worin das Überlagern einer Positionskarte der Kontakt-Anschlussflächen über das rückseitige Bild das Erfassen eines digitalen Bildes der Oberseite des Wafers und das Überlagern des digitalen Bildes über das rückseitige Bild umfasst.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, worin das Überlagen der Positionskarte der Kontakt-Anschlussflächen über das rückseitige Bild ferner umfasst das Erhalten von CAD-Designdaten des Wafers und Überlagern der CAD-Designdaten über das rückseitige Bild.
  5. Verfahren nach Anspruch 3, worin das Überlagern der Positionskarte der Kontakt-Anschlussfläche über das Rückseitige Bild ferner umfasst das digitale Manipulieren des digitalen Bildes, so dass es zu Merkmalen passt; die in dem rückseitigen bild sichtbar sind.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, worin das Überlagern einer Positionskarte der Kontakt-Anschlussflächen über das rückseitige Bild ferner umfasst das digitale Manipulieren des digitalen Bildes, so dass es zu Merkmalen in den CAD-Designdaten passt.
  7. Verfahren nach Anspruch 5, worin das digitale Manipulieren die Maßstabsanpassung, die Drehung und/oder das Ausschneiden umfasst.
  8. Wafertestsystem umfassend: eine Bank mit einer Öffnung, die konfiguriert ist, um das Wafer darauf zu platzieren; eine Laserquelle; ein optisches System, das konfiguriert ist, um die Rückseite des Wafers unter Verwendung eines Infrarotbilderzeugungsgerätes zu inspizieren; einen Prozessor, der konfiguriert ist, um eine Ausrichtung eines Feldes von Sondenspitzen einer Sondenkarte auf entsprechende Kontakt-Anschlussflächen des Wafers zu ermöglichen, indem die Schritte ausgeführt werden, die umfassen: Laden des Wafers auf der Bank; Betätigen des optischen Systems, um ein rückseitiges Bild des Bauteils auf dem Wafer zu Erhalten; Überlagern einer Positionskarte der Kontakt-Anschlussflächen des Bauteils über das rückseitige Bild; Markieren von ausgewählten Kontakt-Anschlussflächen als Anladungspunkte; Parken des Wafers weg von der Öffnung; Betätigen des optischen Systems um ein Bild des Sondenspitzenfeldes zu erhalten; Vergleichen der Anlandepunkte mit entsprechenden Positionen der Sondenspitzen; und, wenn die Positionen der Sondenspitzen nicht mit den Anlandungspunkten ausgerichtet sind, Drehen der Sondenkarte, um die Positionen der Sondenspitzen mit den Anlandungspunkten auszurichten.
  9. Wafertestsystem nach Anspruch 8, worin der Prozessor ferner konfiguriert ist, um CAD-Designdaten des Wafers zu empfangen und eine Überlagerung der CAD-Desingdaten über das rückseitige Bild zu ermöglichen.
  10. Wafertestsystem nach Anspruch 8, ferner umfassend eine digitale Kamera, die positioniert ist, um ein digitales Bild der Oberseite des Wafers zu erhalten, und worin der Prozessor ferner konfiguriert ist, das Überlagern des digitalen Bildes über das Rückseitige Bild zu ermöglichen.
  11. Wafertestsystem nach Anspruch 10, worin der Prozessor ferner konfiguriert ist, um CAD-Designdaten des Wafers zu empfangen und das Überlagern der CAD-Designdaten über das rückseitige Bild zu ermöglichen.
  12. Wafertestsystem nach Anspruch 10, worin der Prozessor ferner konfiguriert ist, um das digitale manipulieren des digitalen Bildes zu ermöglichen, so dass es zu Merkmalen, die in dem rückseitigen Bild sichtbar sind, passt.
  13. Wafertestsystem nach Anspruch 12, worin der Prozessor ferner konfiguriert ist, um das digitale Manipulieren des digitalen Bildes zu ermöglichen, so dass es zu Merkmalen in den CAD-Designdaten passt.
  14. Wafertestsystem nach Anspruch 13, worin der Prozessor ferner konfiguriert ist, um die Maßstabsanpassung, die Drehung und/oder das Zurechtschneiden des digitalen Bildes zu ermöglichen.
  15. In einem Wafertestsystem mit einer Bank mit einer Öffnung, die konfiguriert ist, um das Wafer darauf zu platzieren, und einem Infrarotabbildungssystem, um die Rückseite des Wafers durch die Öffnung abzubilden, ein Verfahren zur Ermöglichung der Ausrichtung eines Feldes von Sondenspitzen einer Sondenkarte auf entsprechende Kontakt-Anschlussflächen eines Bauteils auf dem Wafer, umfassend: Laden des Wafers auf Bank; Betätigen des Infrarotabbildungssystems, um ein rückseitiges Bild des Bauteils auf dem Wafer zu erhalten; Überlagern einer Positionskarte der Kontakt-Anschlussflächen des Bauteils über das rückseitige Bild; Markieren ausgewählter Kontakt-Anschlussflächen als Anlandungspunkte; Parken des Wafers weg von der Öffnung; Betätigen des Abbildungssystems, um ein Bild des Sondenspitzenfelds zu erhalten; Vergleichen der Anlandungspunkte mit entsprechenden Positionen der Sondenspitzen; und, wenn die Positionen der Sondenspitzen nicht mit den Anlandungspunkten ausgerichtet sind, Drehen der Sondenkarte, um die Positionen der Sondenspitzen mit den Anlandungspunkten auszurichten.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, worin das Überlagern einer Punktekarte der Kontakt-Anschlussflächen über das rückseitige Bild das Erhalten von CAD-Designdaten des Wafers und das Überlagern der CAD-Designdaten über das rückseitige Bild umfasst.
  17. Verfahren nach Anspruch 15, worin das Überlagern einer Positionskarte der Kontakt-Anschlussflächen über das rückseitige Bild das Erhalten eines digitalen Bildes der Oberseite des Wafers und das Überlagern des digitalen Bildes über das rückseitige Bild umfasst.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, worin das Überlagern einer Punktekarte der Kontakt-Anschlussflächen über das rückseitige Bild ferner umfasst das Erhalten von CAD-Designdaten des Wafers und das Überlagern der CAD-Designdaten über das rückseitige Bild.
  19. Verfahren nach Anspruch 17, worin das Überlagern einer Positionskarte der Kontakt-Anschlussflächen über das rückseitige Bild ferner umfasst das digitale Manipulieren des digitalen Bildes, so dass es zu Merkmalen, die auf dem rückseitigen Bild sichtbar sind, passt.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, worin das Überlagern einer Punktekarte der Kontakt-Anschlussflächen über das rückseitige bild ferner umfasst das digitale Manipulieren des digitalen Bildes, so dass es zu Merkmalen in den CAD-Designdaten passt.
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