TWI384569B - 視線不清下之探測應用所使用之探針針尖與裝置腳位之對準 - Google Patents

視線不清下之探測應用所使用之探針針尖與裝置腳位之對準 Download PDF

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TWI384569B
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Richard Alan Portune
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2891Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature

Description

視線不清下之探測應用所使用之探針針尖與裝置腳位之對準 相關申請案之說明
本案主張美國申請案第美國61/114,430號(申請日2008年11月13日)及第12/617,619號(申請日2009年11月12日)之優先權。
本發明之技術領域為半導體晶圓探測,特別是關於一探針針尖與測試中裝置之對準。
半導體晶圓通常必須使用一探針卡來進行探測,該探針卡由該IC頂面接觸其導電腳位。隨著技術的發展,晶圓的探測更形重要,因其可確保設計的適當性與良好的產率。不過,也因技術進步,晶圓腳位的數量也隨單一腳位的面積以及間距縮小而增加。這種現象使得要讓探測卡與所有相對應的腳位都能適當接觸,更形困難。
裝置的探測腳位都位於晶片的最頂層。傳統的TPPA(探針與腳位之對準,probe to pad alignment)技術需要提供一不受阻礙的視線,能從該晶圓的背面看到該腳位,同時也使用一紅外線攝影機來透過該矽晶圓拍攝。不過,最新的半導體製造技術現在會在該裝置的最頂層與該最底層之間,形成數層界接金屬層,數量可達10層以上。這些金屬層會阻礙由下方拍攝探測腳位之視線,使得上述已知技術在這種產品無法應用。
第1-3圖顯示習知技術之探針對準裝置。在第1圖中,晶圓100由一鉗具105支撐,該鉗具105裝置在一X-Y移動台110上。在該X-Y移動台110上另裝置一攝影機115。為進行對準,先掃描該移動台,使該攝影機115得以拍攝該探針卡125上的探針針尖120。所得的影像是用來形成該針尖位置的分布。在第2圖中顯示使用一紅外線攝影機215來取得在該晶圓200上的腳位與該探針225之探針針尖220之影像。如第2圖所示,在位置A時,該攝影機215是定焦在該腳位所在的平面。此時該攝影機是透過該矽晶圓取得該腳位202的影像。這時因為是使用紅外光,對紅外光而言矽為透明媒介。而在位置B時,該攝影機215是定焦在該針尖220所在的平面,此時該攝影機也是透過該矽晶圓,但是取得該針尖220的影像。當該晶圓上面沒有或只有製作少數金屬線,該紅外線攝影機可以透過該矽層拍攝該腳位與該探針針尖之影像。其情形顯示於第3圖,其中顯示該腳位為方形,而該探針針尖為圓形。不過,當在該晶圓上面已經製備數層金屬線之後,該金屬線將阻擋該攝影機的視線,使其無法取得該腳位及/獲該探針針尖之影像,結果無法使用該技術來檢驗其對準是否適當。
因此,目前需要有一種新穎的裝置與方法,以確保探針針尖與接觸腳位能適當對準,即使在該晶圓上已製備數層金屬線,亦然。
以下之發明簡述係供作為對本發明數種面向及技術特徵之基本理解。發明之簡述並非對本發明之嚴密介紹,也因此並非用來特別指出本發明之關鍵性或重要元件,也非用以介定本發明之範圍。其唯一之目的僅在以簡單之方式展示本發明之數種概念,並作為以下發明詳細說明之前言。本發明之實施例可以解決在金屬線阻擋透過該矽層之是現實,探針針尖與接觸腳位無法正確對準的問題。在探針到腳位間之視線因為探針卡之技術,以及多層金屬層半導體製作技術,而遭到阻擋時,使用向上拍攝之攝影機無法提供探針卡探針到晶圓裝置腳位之對準。因此,本發明乃提出多數實施例,使用該探針矩陣、裝置影像及/或裝置CAD地圖之組合影像重疊,以達成在X、Y與Θ(旋轉)方向之對準。本發明也揭示使用依標準微光(emission)或雷射探針顯微鏡之向上拍攝式紅外線攝影機子系統,來實現本發明的實施例。
根據本發明之一實施例,該裝置之CAD資訊是與該真實裝置經結取之影像重疊後,用來提供該所需之探針腳位位置資訊。因此不需要習知技術中透過該裝置之背面攝得的頂層視線,即不再需要。該「虛擬裝置」資訊其後用來與該向上拍攝式攝影機在該晶圓不存在時所取得的探針卡探針矩陣資訊,作空間的比較。藉此可以調校該晶圓與該探針卡的相對位置,直到兩者達成對準。
根據本發明另一實施例,是使用一高解析度攝影機拍攝位在須對準之晶圓上一晶粒之真實頂面影像,以顯示該接觸腳位之位置。該攝影機可以裝置在任何位置,只要不會阻擋該晶圓上表面之視線即可。事實上,該攝影機並不需要裝置在該探針系統上,因為該影像最終還是可以以該探針系統加以調整,以符合該遺棄之紅外線顯微鏡系統所產生的背面側影像的尺寸與位置。一旦取得該影像之後,即可以數位方式加以縮放、旋轉、剪裁或以其他方法,將之與該向上拍攝式紅外線攝影機攝得該晶粒之背面測影像,加以匹配。其後將該影像做半透明處理,並與該背面側影像融合,以將兩影像作疊覆。換言之,將該頂面影像與從該晶粒之頂面側與背面側均可顯現之邊緣特徵,加以匹配,以產生一合成的「虛擬透明」晶粒影像。
該「透明」之特徵是指,因為受到該半導體裝置中的金屬層所阻隔,該裝置背面的正常影像,雖經一紅外線拍攝,仍無法由其頂面側透過該裝置取得。但透過將該正面側與背面側影像融合成一單一影像後,可以產生一影像,該影像與如果該裝置為透明時,可能可以看到的影像相似。由於該影像是由該須對準之晶粒的真實影像產生,故可用來在該晶圓探測器之探針與腳位之對準(Probe-to-Pad alignment)製程。
本案所附之圖式構成本專利說明書之一部份,係用以例示說明本發明之實施例,而與專利說明書共同說明及展示本發明之主要部份。圖式之目的僅在以圖形展示例示用實施例之主要特徵。圖式絕非用以顯示實際實施例之所有特徵,也非用以標示各元件之尺寸,以及其比例。
本發明的不同實施例提供將由多數來源獲得的晶圓的晶粒影像加以融合,以產生一假想的透明晶圓晶粒影像,用來進行將晶圓的晶粒對準到晶圓的探針卡的裝置及方法。本發明的技術可以適用到所有的晶圓型態,包括具有多數金屬層的晶圓,其中該金屬層會阻擋要穿透該晶圓的紅外光顯微鏡。本發明也可適用在所有型態的探針卡,包括垂直型,「cobra」型探針卡,以及其他型態沒有中間觀測埠的探針卡。
雖然本發明可以透過各種方式加以實施,本發明尤其適合應用在探針式顯微鏡,例如微光顯微鏡及雷射電壓探測器,例如美國加州Fremont之DCG Systems公司所產製之MeridianTM WafterScanm。因此,本案將會說明本發明數種實施例,各適用在上述系統中。
第4圖顯示用來實施本發明實施例的探針式顯微鏡的概要系統圖。圖中所顯示的系統特別適合對晶圓上面的晶粒,進行時序(timing)測試、洩漏量測試(emission testing)、故障測試以及其他測試,特別是從其背面側透過該基板為之。圖中顯示該系統與一商業上可取得之自動化測試儀(automated testing equipment,ATE)405相連結而操作。該ATE 405通常包括一控制器,例如一預先程式化之電腦481,與一測試投424,包括一探針卡425,用來將該控制器481所產生的信號(向量),傳送到該測試中裝置(device under test,DUT,在此特指在該晶圓上選定的晶粒)410,其方式已為已知。特別的是,該ATE 405是用來產生可以啟動該DUT 410之信號,以使其執行各種功能,例如該晶片設計者所設計之功能,以檢驗該晶片及/或對該晶片除錯。
在第4圖所顯示的實例中,該ATE測試投424是置放在一隔絕震動之測試平台(bench)415之頂面,而容納該顯微鏡整體光學、影像及測試元件之腔體400,則位於下方。這種設計提供一顯著之優點,因其可使該系統可與任何形式及大小之ATE,而不需使用與該腔體400內之元件之介面或變更該腔體400內之元件。不但如此,該ATE更用以使該DUT可以位於上方,使其可透過開口485,以光學元件看到。在該腔體400中有一台面,可使該收集光學元件可位於該開口485內任何位置。
第5圖表示可用來實施本發明實施例的探針式顯微鏡的主要元件概要圖。在第5圖中,帶虛線的箭頭表示光學路徑,而帶實線的箭頭則表示電子信號路徑。該以虛線代表的光學路徑通常可以光纖纜線製成。探測系統500包括一雷射光源,例如可為一CW或一Model-Locked雷射光源MLL 510、一光學平台(optical bench)512、及資料取得及分析儀514。該光學平台512包括用來放置該晶圓500之設施並包括光束光學元件(beam optics)525。該光線光學元件可包括不同的元件,用來規制該光束之形狀,通常稱為光束規制光學元件(beam manipulation optics,BMO)335,以及用來指向及/或在該DUT上以光束掃描的元件,例如一雷射掃描顯微鏡(laser scanning microscope,LSM)530。可以使用一電腦540或其他裝置,例如ATE,以通過該探針卡提供電源及/或信號542至該DUT 560,也可提供觸發及時鐘信號544至該Model-Locked雷射光源510及/或該分析儀514。該分析儀514包括工作站510,用來控制程序及顯示由該信號取得板550與該光學平台512送來的資料。
在操作時,該電腦540可為一傳統的ATE,可產生測試向量,並以電的形式饋入該DUT 560。在進行洩漏量測試時,該光學元件收及由該DUT上之主動裝置所發出的微弱光線,並將所收集的光線導向該光偵測器536。該光偵測器可以例如為累崩型光二極體(Avalanche Photodiode,APD),可將所收集的光線轉換成一電子信號,送到該信號取得板。該信號其後可使用該電腦570分析。
另一方面,在進行雷射探測時,該ATE也是送出同步信號544至該Mode-Locked雷射光源510,後者發出雷射光束。該光束光學元件525用來導引該光束照明該DUT上不同位置。該光束由該DUT反射,但其反射光被DUT對該測試向量542之反應所影響。該受到影響的反射光以光偵測器536感測之後,轉變成為一類比信號。該類比信號由該信號取得板550所取得,饋入該電腦550,在此顯示成與在該DUT反射之受影響反射光相對應的波形。將該波形與的時間軸與該ATE的時間軸做連結,即可分析該DUT的反應。
可以理解,為使第4圖及第5圖的系統能夠操作,該電氣向量信號必須能適當傳送到該DUT。為達此目的,該探針轉接器上之探針必須能精密的位於該DUT的腳位上。如果對準不佳,則可能導致傳送到該DUT的信號錯誤或根本沒有信號。並且也可能損毀該DUT或該探針。
在使用例如第4圖及第5圖所示的光學探測器時,可以使用該探測器的雷射拍攝該DUT的紅外光影像,其方式可例如以該LSM的雷射掃描。第6圖表示從一紅外光顯微鏡所見之當代裝置。如圖所示,該內部金屬層完全阻擋了該裝置上方的探針腳位或探針針尖的影像。因此,現有的對準方法無法使用在這種當代的裝置,因為現有的對準方法只能在該探針腳位與該探針針尖影像清楚時才能使用。
第7圖顯示該裝置之紅外光影像,與由一CAD資料庫(第5圖)取得之相對應CAD設計資料,加以疊覆,並與該使用實際裝置位置之紅外光影像對準後之結果示意圖。在第7圖中的圓圈代表該頂層探針腳位的位置。將該向上拍攝的攝影機所攝得的該裝置之影像,與其重疊的CAD設計結合後,形成一「虛擬影像」,可供與該實際上的探針針尖陣列作比對。這種方式可以克服試圖排除該DUT的金屬層的阻擋,取得該腳位之影像的方式,所造成的困難。
第8圖顯示經過辨認及標示所需之探針位置,以與該探針針尖矩陣比對之示意圖。換言之,使用第7圖的裝置虛擬影像,可以標示出多數探針點,作為下一步驟對位之用。只要由操作者在所需的探針點以一與電腦570耦合的滑鼠或其他指示裝置,「點選及敲擊按鍵」即可完成此步驟。更重要的是,在此步驟並不需要將所有探針點都標示出來,而是只要將足夠數量的探針點加以標示,以便能夠辨認出在x-y及θ(旋轉)方向的對位誤差即可。
第9圖顯示從一紅外線顯微鏡所見之該探針針尖矩陣之影像。為取得這個影像,需將該晶圓移動到一保持位置,以取得該探針針尖矩陣未遭到阻礙的影像。其後使用該紅外光攝影機取的該探針針尖矩陣的影像。之前所標出的晶圓探針位置則以重疊在該影像之方式顯示,藉以比對位置。將該探針卡沿θ(旋轉)方向移動,直到該探針卡的角度與該晶圓的角度吻合。其後沿X及Y方向移動該晶圓,直到其位置與該探針矩陣的位置相符。第10圖顯示經過對準程序後,該探針針尖矩陣位置與在該裝置之探針腳位位置之比對結果。
第11圖表示根據本發明一實施例中,執行對準探針卡探針與一晶圓上之晶粒接觸腳位之方法流程圖。在步驟1100將該晶圓裝置到該系統。其中該系統具有一紅外光攝影機,可以拍攝該晶圓背面的影像。在此,「背面」是指該晶圓上,與具有該接觸腳位之表面相對之表面。如在第4圖及第5圖之相關說明所述,該雷射與紅外光成像光學元件是定在可以觀測該晶圓背面的位置,因為該背面即是可以進行散發光子及雷射探測的表面。在將該晶圓裝設完成後,使用該紅外光成像裝置掃描該晶圓上選定的晶粒,以從該晶圓的下方表面取得一影像。
再步驟1110從一CAD資料庫(見第5圖)下載該晶圓的CAD設計資料,並將該資料對準並對位到該晶粒的雷射影像。換言之,將該雷射影像的數種視覺上的元素對位到其CAD設計資料。第7圖即顯示其中一種方法。其中,該裝置的元件均顯示成方格。該CAD資料也包含該接觸腳位,在第7圖中顯示成圓圈。在將該CAD資料對位到該晶粒的真實裝置元件後,該CAD資料所標示的接觸腳位即可對位到該接觸腳位的真實位置,雖然該接觸腳位實際上視線遭到阻擋,在該紅外光影像中並無法看到。
在步驟1115標示出選定的接觸腳位,以與該探針卡的探針配對。只要使一操作者使用一指示裝置,例如一滑鼠,在所要的接觸腳位上點選,即可完成選擇該腳位。藉此標示該等腳位,以供該電腦處理,產生如第8圖所示的影像標記。
在步驟1120將該晶圓移除,暫放在例如頂針426上,而使該向上拍攝的成像裝置可以獲得該探針卡毫無阻擋的視線。在此時點,可以將該晶圓的影像從該顯示器移除,只留下該接觸腳位的標記。在步驟1125使用該向上拍攝的成像裝置取得該探針卡的影像。其後將該探針卡的影像與該接觸腳位的標記疊覆。並在步驟1130檢視所得的影像以判斷該探針卡的探針是否旋轉的對準到該標記上,見第9圖。如果兩者已經對準,則進行步驟1135,載置該晶圓,並在必要時在x-y方向移動。反之,如果在步驟1130發現該探針並未對準,則進入步驟1140,將該探針板旋轉,直到該步驟1130的檢查結果達到對準為止。
事實上有可能無法取的該CAD設計資訊。第12圖即表示適用在上述情形之實施例,可在無須使用可同時拍攝晶圓晶粒與探針卡之特製攝影機與光學設置,即可達成對準之實施例系統示意圖。第12圖所顯示的系統與第4圖所顯示的系統相似,因此相近的元件都標以相似的編號,其中以12xx系列代替4xx系列。在第12圖的實施例中,是使用一高解析度攝影機來取得該晶圓上方側(即該接觸腳位側)的照片。雖然並非絕對需要,但如能使用一遠心成像攝影機(telecentric imaging camera),在本實施例中將更形適用。因其可以獲得該整個晶粒最適比例的影像,而無任何由該影像中心向幅向的縮放變形。同時,其放大倍率與對焦也可以調整,以獲得整個晶粒的全部視野。
其後,使用該探針顯微鏡的向上拍攝式紅外光攝影機拍攝該晶粒下方側的影像,其方式與前述實施例拍攝影像相似。將該上方側的數位影像作數位式的調整,以作縮放、旋轉、剪裁及以其他方式處理,以與使用該顯微鏡的向上拍攝紅外光攝影機所攝得,該晶粒的背面影像作匹配。其後將該影像作半透明處理,並與該背面影像融合。如第13圖所示,該上方影像1300顯示出該腳位1310以及數個其他特徵1305。該背面影像1340則顯示數種在該上方影像無法看到的特徵,以及數種在該上方影像所能看到的特徵1305相對應的特徵1315。利用這些特徵,可將該上方影像作縮放及調整,以配合該背面影像的尺寸及角度位置。其後將該上方影像翻覆,並根據在該上方影像與該背面影像兩者均可看到的特徵,將該上方影像「對位」到該背面影像,藉以提供一複合影像1360。其方法乃是利用該晶粒在該上方影像與該背面影像兩者均可看到的邊緣特徵,將該上方影像匹配到該等邊緣特徵上。藉此可產生該晶粒的複合「虛擬透明」影像。
該「透明」之特徵是指,因為受到該半導體裝置中的金屬層所阻擋,該裝置背面的正常影像,雖經一紅外線拍攝,仍無法由其頂面側透過該裝置取得。但透過將該正面側與背面側之影像融合成一單一影像後,可以產生一影像,該影像與如果該裝置為透明時,可能可以看到的影像相似。由於該影像是由該須對準之晶粒的真實影像產生,故可用來在該晶圓探測器之探針與腳位之對準(Probe-to-Pad alignment)製程使用。其效果與與在前述實施例使用CAD設計資料的方式相同。因此,使用這種技術時,不需有裝置的CAD資訊。
第14圖顯示在無CAD設計資料之下,將該探針卡探針與該接觸腳位對準之方法流程圖。在步驟1400將該晶圓載置到該系統。在步驟1405使用該系統的雷射及成像光學元件拍攝該晶圓上選定晶粒的背面影像。在步驟1410使用一高解析度攝影機拍攝同一晶粒的上方影像。請注意,步驟1405與步驟1410可以顛倒。在步驟1415將該上方數位影像作數位調整,以對應到該背面雷射影像的尺寸,並作對準。其後將該上方影像翻覆,而與該背面雷射影像融合,以產生該晶粒的虛擬透明影像。在步驟1420在該上方影像之可見部分標示選定的接觸腳位。在步驟1425將該晶圓暫放,例如暫放在頂針1226上,並在步驟1430以該雷射成像系統取得該探針卡的探針影像。在步驟1435檢視該探針是否與該選定接觸腳位的標示對準。如是,則在步驟1440重行載置該晶圓。反之,如果該卡並未適當對準,則在步驟1445將該探針卡旋轉,檢視其對準是否完成,直到該卡已經對準為止。
第15圖顯示另一實施例,當有CAD設計資料時,可用來檢驗選擇用來作對準之接觸腳位是否正確之方法流程圖。在步驟1500將該晶圓載置到系統,並在步驟1505使用該系統的雷射及成像光學元件拍攝一選定晶粒的背面影像。在步驟1510使用一高解析度攝影機拍攝同一晶粒的上方影像。請注意,步驟1505與步驟1510可以顛倒。在步驟1515將該上方數位影像作數位調整,以對應到該背面雷射影像的尺寸,並作對準。其後將該上方影像翻覆,而與該背面雷射影像融合,以產生該晶粒的虛擬透明影像。在步驟1520將該CAD設計資料疊覆到該虛擬透明影像,以確認該上方影像與該背面影像已經對準。如有任何差異,則將該上方數位影像加以調整,以與該CAD設計資料形成一致。在步驟1525在該上方影像可以見到,且與該CAD資料相符的部分,標示選定的接觸腳位,以供對準。第16圖即顯示一種所得影像的實例。在步驟1530將該晶圓暫放,並在步驟1535以該雷射成像系統取得該探針卡的針尖影像。在步驟1540檢視該探針是否與該選定接觸腳位之標示對準。如是,則在步驟1545重行載置該晶圓。反之,如果該卡並未適當對準,則在步驟1550將該探針卡旋轉,檢視其對準是否完成,直到該卡已經對準為止。
必須了解,本件專利說明書所記載的步驟及技術,並不限於使用在任何特定的裝置,且可以任何適用的元件組合加以實現。此外,根據上述說明中所教示,可以使用各種型態的泛用型裝置加以實現。當然如果使用特製型的裝置來執行所述的方法步驟,也相當有利。本發明既已利用實施例說明如上,上述之說明目的僅在例示本發明,而非用以限制其範圍。於此行業具有普通知識、技術之人士,不難由以上之說明,了解將功能元件以不同方式加以結合,都可用來實施本發明。此外,本發明可能有更多的實施方式,都可由精於此藝之人士藉由閱讀本案說明書及實驗加以達成。在所述的實施例中,個別的面向及/或元件都可單獨或與相關技藝做任何結合使用。因此,本說明書及其實例只能作為例示之用,本發明之範圍及精神乃是由以下申請專利範圍所界定。
100...晶圓
105...鉗具
110...X-Y移動台
115...攝影機
120...探針針尖
125...探針卡
200...晶圓
202...腳位
215...紅外線攝影機
220...探針針尖
225...探針
400...腔體
405...自動化測試儀
410...晶粒
415...測試平台
481...電腦
424...測試投
425...探針卡
481...控制器
485...開口
500...探測系統
510...雷射光源
512...光學平台
514...分析儀
525...光束光學元件
335...光束規制光學元件
510...工作站
530...雷射掃描顯微鏡
536...光偵測器
540...電腦
542...電源及/或信號
542...測試向量
544...觸發及時鐘信號
550...信號取得板
560...DUT
570...電腦
第1-3圖顯示習知探針對準裝置之示意圖。
第4圖顯示用來實施本發明實施例的探針式顯微鏡的概要系統圖。
第5圖表示用來實施本發明實施例的探針式顯微鏡的主要元件概要圖。
第6圖表示從一紅外光顯微鏡所見之當代裝置。
第7圖顯示該裝置之紅外光影像,與由一CAD資料庫(第5圖)取得之相對應CAD設計資料,加以疊覆,並與該使用實際裝置位置之紅外光影像對準後之結果示意圖。
第8圖顯示經過辨認及標示所需之探針位置,以與該探針針尖矩陣比對之示意圖。
第9圖顯示從一紅外線顯微鏡所見之該探針針尖矩陣之影像。
第10圖顯示經過對準程序後,該探針針尖矩陣位置與在該裝置之探針腳位位置之比對結果。
第11圖表示根據本發明一實施例執行對準探針卡探針與一晶圓上之晶粒接觸腳位之方法流程圖。
第12圖表示一實施例,可用在無須使用可同時拍攝晶圓晶粒與探針卡之特製攝影機與光學設置,即可達成對準之實施例系統示意圖。
第13圖顯示將該晶圓之正面影像與背面影像作半透明化與融合之示意圖。
第14圖顯示在無CAD設計資料之下,將該探針卡探針與該接觸腳位對準之方法流程圖。
第15圖顯示另一實施例,當有CAD設計資料時,可用來檢驗選擇用來作對準之接觸腳位是否正確之方法流程圖。
第16圖為一例示影像,顯示受選的接觸腳位(可由該頂面影像看到並經該CAD資料確認)已經標記,以供對準。
500...探測系統
510...雷射光源
512...光學平台
514...分析儀
525...光束光學元件
335...光束規制光學元件
510...工作站
530...雷射掃描顯微鏡
536...光偵測器
540...電腦
542...電源及/或信號
542...測試向量
544...觸發及時鐘信號
550...信號取得板
560...DUT
570...電腦

Claims (20)

  1. 一種執行一探針卡之一探針針尖矩陣與其相對應接觸腳位對準,以供晶圓探測應用之方法,包括下列步驟:取得該晶圓之一背面影像;將該接觸腳位之位置分布疊覆在該背面影像上;選定接觸腳位作為探測點;取得該探針針尖矩陣之影像;比較該探測點與其相對應之探針針尖位置;及如該探針針尖之位置與該探測點未對準,則旋轉該探針卡,以使該探針針尖之位置對準該探測點。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中將該接觸腳位之位置分布疊覆在該背面影像上之步驟包括取得該晶圓之CAD設計資料,及將該CAD設計資料疊覆在該背面影像上之步驟。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法,其中將該接觸腳位之位置分布疊覆在該背面影像上之步驟包括取得該晶圓上方側之數位影像,及將該數位影像疊覆在該背面影像上之步驟。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法,其中將該接觸腳位之位置分布疊覆在該背面影像上之步驟另包括取得該晶圓之CAD設計資料,及將該CAD設計資料疊覆在該背面影像上之步驟。
  5. 如申請專利範圍第3項之方法,其中將該接觸腳位之位置分布疊覆在該背面影像上之步驟另包括以數位方式調整該數位影像,以匹配在該背面影像中之可見特徵之步驟。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法,其中將該接觸腳位之位置分布疊覆在該背面影像上之步驟另包括以數位方式調整該數位影像,以匹配在該CAD設計資料中之特徵之步驟。
  7. 如申請專利範圍第5項之方法,其中該以數位方式調整包括縮放、旋轉與剪裁中之至少一種。
  8. 一種晶圓探測系統,包括:一平台,具有一開口,設置成可在其上安放該晶圓;一雷射光源;光學系統,設置成可使用一紅外光成像裝置檢視該晶圓之背面;一處理器,設置成可將一探針卡之探針針尖矩陣與該晶圓之相對應接觸腳位對準,其方法包括下列步驟:將該晶圓載置於該平台;操作該光學系統,以取得該晶圓上之晶粒之背面影像;將該晶粒之接觸腳位之位置分布疊覆在該背面影像上;標示選定之接觸腳位作為探測點;將該晶圓暫放於該開口以外之位置;操作該光學系統以取得該探針針尖矩陣之影像;比較該探測點與其相對應之探針針尖位置;及如該探針針尖之位置與該探測點未對準,則旋轉該探針卡,以使該探針針尖之位置對準該探測點。
  9. 如申請專利範圍第8項之晶圓探測系統,其中該處理器另設置成可接受該晶圓之CAD設計資料,及可將該CAD設計資料疊覆在該背面影像上。
  10. 如申請專利範圍第8項之晶圓探測系統,另包括一數位相機,設置在一位置以取得該晶圓上方側之數位影像,且其中該處理器另設置成可將該數位影像疊覆在該背面影像上。
  11. 如申請專利範圍第10項之晶圓探測系統,其中該處理器另設置成可接受該晶圓之CAD設計資料,及可將該CAD設計資料疊覆在該背面影像上。
  12. 如申請專利範圍第10項之晶圓探測系統,其中該處理器另設置成可以數位方式調整該數位影像,以匹配在該背面影像中之可見特徵。
  13. 如申請專利範圍第12項之晶圓探測系統,其中該處理器另設置成可以數位方式調整該數位影像,以匹配在該CAD設計資料中之特徵。
  14. 如申請專利範圍第13項之晶圓探測系統,其中該處理器另設置成可以縮放、旋轉與剪裁中之至少一種方式調整該數位影像。
  15. 在一晶圓探測系統執行一探針卡之探針針尖矩陣與一晶圓上一晶粒之相對應接觸腳位對準之方法,該晶圓探測系統包括一平台,具有一開口,設置成可在其上安放該晶圓;及一紅外光成像系統,用以通過該開口取得該晶圓背面之影像;該方法包括下列步驟:將該晶圓載置於該平台;操作該紅外光成像系統,以取得該晶圓上之晶粒之背面影像;將該晶粒之接觸腳位之位置分布疊覆在該背面影像上;標示選定之接觸腳位作為探測點;將該晶圓暫放於該開口以外之位置;操作該成像系統以取得該探針針尖矩陣之影像;比較該探測點與其相對應之探針針尖位置;及如該探針針尖之位置與該探測點未對準,則旋轉該探針卡,以使該探針針尖之位置對準該探測點。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法,其中將該接觸腳位之位置分布疊覆在該背面影像上之步驟包括取得該晶圓之CAD設計資料,及將該CAD設計資料疊覆在該背面影像上之步驟。
  17. 如申請專利範圍第15項之方法,其中將該接觸腳位之位置分布疊覆在該背面影像上之步驟包括取得該晶圓上方側之數位影像,及將該數位影像疊覆在該背面影像上之步驟。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法,其中將該接觸腳位之位置分布疊覆在該背面影像上之步驟另包括取得該晶圓之CAD設計資料,及將該CAD設計資料疊覆在該背面影像上之步驟。
  19. 如申請專利範圍第17項之方法,其中將該接觸腳位之位置分布疊覆在該背面影像上之步驟另包括以數位方式調整該數位影像,以匹配在該背面影像中之可見特徵之步驟。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法,其中將該接觸腳位之位置分布疊覆在該背面影像上之步驟另包括以數位方式調整該數位影像,以匹配在該CAD設計資料中之特徵之步驟。
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