JP2008501243A - 高速リソグラフィ装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】投影カメラが、X,Y,Θステージ上に保持された基板に画像を同時に投影する。投影カメラは、別個独立の位置合わせシステム、光源、ならびに、焦点、画像位置、画像サイズおよび線量の制御部を有してもよい。一実施形態においては、各カメラが、画像対基板の重ね合わせ誤差を補正すべく、レチクルを移動させる6軸レチクルチャックを有している。ステージ内の測定センサーおよび装置のソフトウェアが、装置の座標系間の正しい関係を確立して維持する。このようにして、たとえ基板がX,Y,Θステージ上でわずかに位置ずれしていても、2以上の投影カメラが同時に焼き付けを実行できる。
【選択図】図1
Description
1960年代の初期から、半導体ウエハの製造は、回路パターンを迅速かつ低コストで複製するために、反復焼付け(ステップアンドリピート)の画像化(結像)によっている。反復焼付け式のフォトリソグラフィ装置においては、1つまたは少数の回路パターンを有しているレチクルが、レンズを通して半導体ウエハに投影される。4X(4倍の原画からの)縮小の光学系が最も一般的であるが、20X、10X、5X、2X、および1Xの縮小も、用途に応じて使用されている。小数ではあるが拡大投影装置も、製造されている。通常はシリコンウエハである基板が、X,Yステージによって反復焼付けするように移動される。ステージが停止しているとき、シャッターが開かれ、光がレチクルおよび縮小レンズを通過し、レチクルの画像が基板上の感光膜にすばやく転写される。ほぼ40年にわたって、この方法が、集積回路(IC)チップのパターンを複製するために最も生産的である。
12,13 基板
15,16 投影カメラ
23,24 レチクルチャック
25,26 画像源(レチクル)
37,38 位置合わせ顕微鏡
60 リソグラフィ装置
Claims (88)
- それぞれの画像源から第1および第2の基板に同時に画像を投影するように配置され、各画像を対応する基板に位置合わせする別個独立の多軸位置合わせシステムをそれぞれが有している少なくとも2つの投影カメラと、
前記第1および第2の基板を保持して、前記投影カメラに対して移動するステージとを備えているリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
前記第1または第2の基板を前記ステージに対して移動させずに、前記画像およびステージの動作を調整し、各投影カメラから前記第1および第2の基板に投影される画像の位置合わせおよび重ね合わせを行なうコントローラをさらに備えているリソグラフィ装置。 - 請求項2において、
前記コントローラが、前記多軸位置合わせシステムに、前記ステージ上の前記第1の基板と第2の基板との位置合わせの差異を補償させるリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
前記多軸位置合わせシステムが、各画像を別個独立に対応する基板に対して移動させて、各画像源と対応する基板との位置合わせ誤差を補正する別個独立の多軸位置合わせ機構を有しているリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
各多軸位置合わせシステムが、対応する投影カメラによって投影される画像を焦点合わせする別個独立の焦点合わせ機構を有しているリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
前記多軸位置合わせシステムが、前記画像源を6つの軸方向に移動させるリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
前記多軸位置合わせシステムが、前記画像源を少なくとも2つの軸方向に移動させて、X方向誤差、Y方向誤差、Θ方向誤差、画像サイズ誤差およびキーストーン誤差のうちの少なくとも1つを補正するリソグラフィ装置。 - 請求項7において、
各多軸位置合わせ機構が、動作の各軸方向について位置センサーサブシステムを有しているリソグラフィ装置。 - 請求項7において、
各多軸位置合わせシステムが、画像を対応する基板に投影すべく使用される前に較正されるリソグラフィ装置。 - 請求項7において、
各多軸位置合わせシステムが、前記投影される画像を対応する基板上でX軸方向またはY軸方向に少なくとも約+/−1.25mm移動させるのに充分な移動範囲をもつリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
前記多軸位置合わせシステムが、前記ステージ上の基板の位置を割り出すために使用される位置合わせセンサーを有しているリソグラフィ装置。 - 請求項11において、
前記位置合わせセンサーが、位置合わせ顕微鏡であるリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
前記多軸位置合わせシステムが、前記ステージ上に位置する少なくとも1つのステージ測定パッケージを、前記多軸位置合わせシステムによって観察可能な位置に有しているリソグラフィ装置。 - 請求項13において、
前記多軸位置合わせシステムが、各投影カメラと前記ステージとの位置合わせを、前記少なくとも1つのステージ測定パッケージを観察することによって決定するリソグラフィ装置。 - 請求項13において、
前記少なくとも1つのステージ測定パッケージが、前記多軸位置合わせシステムによって観察可能な複数のパターンを有しているリソグラフィ装置。 - 請求項13において、
前記少なくとも1つのステージ測定パッケージが、前記多軸位置合わせシステムによって共有されているリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
前記画像源が、マスクを有しているリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
前記画像源が、マスクを動的に生成する機構を有しているリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
各投影カメラが、線量制御システムによって制御されて各基板を制御された時間にわたって前記投影される画像に露光させるシャッターをさらに有しているリソグラフィ装置。 - 請求項19において、
前記ステージが、前記シャッターが閉じるまで静止したままであるリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
前記多軸位置合わせシステムが、オートフォーカス検出器と、前記画像源を有しているレチクルを保持する多軸レチクルチャックと、画像処理ソフトウェアに組み合わせられた位置合わせ顕微鏡およびカメラとを有し、
前記多軸位置合わせシステムが、前記オートフォーカス検出器によって割り出された焦点誤差を補正するために各投影カメラを軸方向に移動させる焦点合わせ制御機構を有し、
前記多軸位置合わせシステムが、前記位置合わせ顕微鏡によって取得された現在の位置合わせ画像をあらかじめ割り出された前記多軸レチクルチャックに関する較正データと比較して、前記画像処理ソフトウェアによって割り出された位置合わせ誤差を補正するために、前記多軸レチクルチャックを複数の軸方向に移動させる機構を有しているリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
前記多軸位置合わせシステムが、ボイスコイルおよび湾曲部を有しているリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
前記多軸位置合わせシステムが、セラミックアクチュエータを有しているリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
前記ステージが、ステージ位置測定に対応した複数の表面を有しているリソグラフィ装置。 - 請求項24において、
前記複数の表面が、光ビームを反射する鏡面であるリソグラフィ装置。 - 請求項25において、
前記光ビームが、第1の軸に沿う少なくとも1つの第1の光ビームと、第2の軸に沿う少なくとも2つの第2の光ビームとを有しているリソグラフィ装置。 - 請求項26において、
前記2つの第2の光ビームが、少なくとも前記投影カメラとほぼ同じ間隔で離間しているリソグラフィ装置。 - 請求項1において、
前記ステージが、複数のモータによって駆動され、少なくとも2つのモータが異なるように駆動されるリソグラフィ装置。 - 基板に焼き付けを行なうための方法であって、
第1および第2の基板を、画像源からの各画像を対応する基板に投影する少なくとも2つの投影カメラの投影領域に配置することと、
前記画像を別個独立に対応する基板に対して移動させて、前記画像源と対応する基板との位置合わせ誤差を補正することと、
前記第1および第2の基板をステージ上に保持することと、
前記ステージを前記投影カメラに対して移動させることとを備えている方法。 - 請求項29において、
前記第1または第2の基板を前記ステージに対して移動させずに、前記画像およびステージを移動させて、各投影カメラから前記基板に投影される画像の位置合わせおよび重ね合わせを行なうことをさらに備えている方法。 - 請求項30において、
前記画像を別個独立に移動させることが、前記ステージ上の前記第1の基板と第2の基板との位置合わせの差異を補償することを含んでいる方法。 - 請求項29において、
前記画像を対応する基板に位置合わせすることが、前記画像を別個独立に対応する基板に対して移動させて、前記画像源と対応する基板との位置合わせ誤差を補正することを含んでいる方法。 - 請求項29において、
前記画像を位置合わせすることが、前記投影カメラを別個独立に焦点合わせすることを含んでいる方法。 - 請求項29において、
前記画像を位置合わせすることが、前記画像源を6つの軸方向に調整することを含んでいる方法。 - 請求項29において、
前記画像を位置合わせすることが、前記画像源を少なくとも2つの軸方向に調整して、X方向誤差、Y方向誤差、Θ方向誤差、画像サイズ誤差およびキーストーン誤差のうちの少なくとも1つを補正することを含んでいる方法。 - 請求項35において、
前記画像を位置合わせすることが、動作の各軸方向について位置を検出することを含んでいる方法。 - 請求項35において、
前記画像を前記第1および第2の基板に投影する前に、各投影カメラを複数の軸方向について較正することをさらに備えている方法。 - 請求項35において、
前記投影される画像を対応する第1および第2の基板上でX軸方向またはY軸方向に少なくとも約+/−1.25mmの範囲で移動させることをさらに備えている方法。 - 請求項29において、
前記画像を位置合わせすることが、前記ステージ上の前記基板の位置を検出することを含んでいる方法。 - 請求項39において、
前記ステージ上の前記基板の位置を検出することが、別個独立の位置合わせ顕微鏡で前記基板を視認することを含んでいる方法。 - 請求項29において、
前記画像を位置合わせすることが、前記ステージ上に位置する少なくとも1つのステージ測定パッケージを観察することを含んでいる方法。 - 請求項41において、
前記画像を位置合わせすることが、各投影カメラと前記ステージとの位置合わせを、前記ステージ測定パッケージ上の複数のパターンを観察することによって決定することを含んでいる方法。 - 請求項29において、
前記画像源をマスクすることをさらに備えている方法。 - 請求項29において、
前記画像源に組み合わせられるマスクを動的に生成することをさらに備えている方法。 - 請求項29において、
前記第1および第2の基板が対応する画像に露光される時間を制御することをさらに備えている方法。 - 請求項45において、
前記第1および第2の基板を前記少なくとも2つの投影カメラの下方に位置させることが、対応する画像への露光が完了するまで前記第1および第2の基板の位置を維持することを含んでいる方法。 - 請求項29において、
前記画像を移動させることが、前記投影カメラのそれぞれにおける焦点誤差を別個独立に補正することと、現在の位置合わせ画像をあらかじめ割り出された較正データと比較して位置合わせ誤差を補正することとを含んでいる方法。 - 請求項29において、
前記画像を移動させることが、前記画像源の位置を摩擦なしで制御することを含んでいる方法。 - 請求項29において、
前記基板を保持している前記ステージの位置を測定することと、
その測定の関数として前記画像を前記基板に位置合わせすることとをさらに備えている方法。 - 請求項49において、
前記測定が、前記ステージの複数の表面の位置を光学的に測定することを含んでいる方法。 - 請求項50において、
前記ステージの複数の表面の位置を光学的に測定することが、第1の軸に沿う少なくとも1つの第1の光ビームの位相特性と、第2の軸に沿う少なくとも2つの第2の光ビームの位相特性とを測定することを含んでいる方法。 - 請求項51において、
前記2つの第2の光ビームが、少なくとも前記基板とほぼ同じ間隔で離間している方法。 - 請求項29において、
前記ステージ内の複数のモータを異なるように駆動することをさらに含んでいる方法。 - 少なくとも2つの基板に同時に画像を投影する手段と、
各投影手段と前記少なくとも2つの基板のうちの対応する1つとの位置合わせ誤差を、前記少なくとも2つの基板を実質的に移動させずに補正する手段と、
前記少なくとも2つの基板を保持する手段と、
前記少なくとも2つの基板を前記投影手段に対して移動させる手段とを備えているリソグラフィ装置。 - 画像として基板上に投影されるパターンをもつレチクルを保持するレチクルチャックを有している投影カメラと、
前記画像を複数の方向に移動させる多軸位置合わせシステムと、
前記基板を保持して前記投影カメラに対して移動させるステージと、
前記基板への前記画像の投影において使用するために、前記ステージに対する前記基板の位置を測定する位置合わせセンサーシステムと、
前記ステージ、前記位置合わせセンサーシステム、および前記多軸位置合わせシステムに組み合わされて、粗い位置合わせのために前記ステージによって前記基板を前記投影カメラの投影領域に位置させるとともに、前記ステージが前記投影領域内で移動するたびに、精密な位置合わせのために前記多軸位置合わせシステムによって前記画像を前記基板に対して位置合わせする位置合わせコントローラとを備えているリソグラフィ装置。 - 請求項55において、
前記位置合わせセンサーシステムが、前記投影カメラに対する前記ステージの位置を測定するリソグラフィ装置。 - 請求項55において、
前記位置合わせセンサーシステムが、前記投影カメラの投影領域内の前記基板の位置を測定するリソグラフィ装置。 - 請求項55において、
前記位置合わせコントローラが、前記多軸位置合わせシステムによって開ループで前記画像を前記基板に対して位置合わせするリソグラフィ装置。 - 請求項55において、
前記位置合わせコントローラが、前記多軸位置合わせシステムによって閉ループで前記画像を前記基板に対して位置合わせするリソグラフィ装置。 - 請求項55において、
前記位置合わせセンサーシステムが、前記位置合わせコントローラによる処理のために前記基板上のパターンの画像を取得するリソグラフィ装置。 - 請求項55において、
前記多軸位置合わせシステムが、前記レチクルチャックによって前記レチクルを少なくとも2つの動作軸方向に移動させるリソグラフィ装置。 - 請求項55において、
前記投影カメラが、前記投影画像が前記基板上に焦点合わせされるように前記投影カメラを移動させる焦点合わせ制御システムに組み合わされているリソグラフィ装置。 - 請求項55において、
前記投影カメラが、前記投影画像への前記基板の露光時間を制御する線量制御システムに組み合わせられたシャッターを有しているリソグラフィ装置。 - 請求項55において、
前記投影カメラとは別個の投影カメラであって、対応するレチクルチャックを有して対応するレチクルを保持し、前記投影カメラが対応する基板に対応する画像を投影するのと同時に、別個の基板に画像を投影する別個の投影カメラと、
前記別個の基板の位置を検出する別個の位置合わせセンサーシステムと、
前記対応するレチクルを前記別個の基板に別個独立に位置合わせする別個の位置合わせコントローラとをさらに備えているリソグラフィ装置。 - 基板に焼き付けを行なうための方法であって、
画像として基板に投影されるパターンをもつレチクルを投影カメラに光学的に露光されるように設けることと、
前記基板を前記投影カメラの投影領域で画像化される前記レチクルに対して粗く位置合わせするために移動させることと、
前記基板への前記画像の投影において使用するために、前記ステージに対する前記基板の位置を割り出すことと、
前記基板が前記投影領域内で移動されるたびに、前記画像を前記基板に精密に位置合わせするために、前記画像を複数の軸方向に移動させることと、
前記パターンを前記基板に投影することとを備えている方法。 - 請求項65において、
前記レチクルと前記基板との位置合わせ誤差を割り出すことが、前記基板を保持しているステージの前記投影カメラに対する位置を測定することを含んでいる方法。 - 請求項65において、
前記レチクルと前記基板との位置合わせ誤差を割り出すことが、前記投影カメラの投影領域における前期基板の位置を測定することを含んでいる方法。 - 請求項65において、
前記画像を移動させることが、開ループで行なわれる方法。 - 請求項65において、
前記画像を移動させることが、閉ループで行なわれる方法。 - 請求項65において、
前記基板を移動させているステージ上のパターンの画像を取得することと、その画像を処理して前記レチクルと前期基板との位置合わせ誤差を割り出すこととをさらに備えている方法。 - 請求項65において、
前記画像を前記基板に位置合わせすることが、前記レチクルを少なくとも2つの動作軸方向に移動させることを含んでいる方法。 - 請求項65において、
前記投影される画像を焦点合わせすることをさらに備えている方法。 - 請求項65において、
前記基板の前記投影される画像に対する露光時間を制御することをさらに備えている方法。 - 請求項65において、
複数の基板を対応する画像に同時に露光させるために、複数のレチクルによって生成される複数の画像を複数の基板に対して別個独立にかつ同時に位置合わせすることをさらに備えている方法。 - 画像として基板に投影されるパターンを含んでいるレチクルについて、前記基板を投影カメラの投影領域で画像化されるレチクルに対して粗く位置合わせするために移動させる手段と、
前記基板への前記画像の投影において使用するために、ステージに対する前記基板の位置を検出する手段と、
前記基板が前記投影領域内で移動されるたびに、前記画像を前記基板に精密に位置合わせする手段と、
前記パターンを前記基板に投影する手段とを備えているリソグラフィ装置。 - それぞれの位置合わせシステムを有し、それぞれ第1および第2の基板に画像を投影する第1および第2の投影カメラと、
前記それぞれの基板に関連付けられた位置合わせパターンを検出する第1および第2の位置合わせ顕微鏡と、
前記第1および第2の位置合わせ顕微鏡の出力に組み合わせられ、検出されて前記位置合わせ顕微鏡から受けた位置合わせパターンに基づいて、前記位置合わせシステムによって前記画像を前記基板に対して移動させる少なくとも1つの位置合わせ補償コントローラとを備えているリソグラフィ装置。 - 請求項76において、
前記位置合わせシステムが、前記基板を保持しているステージの前記投影カメラに対する位置を、それぞれの投影カメラのレンズを通して割り出すリソグラフィ装置。 - 請求項76において、
前記位置合わせシステムが、前記投影カメラから軸外で前記基板を保持しているステージの位置を割り出し、前記ステージに関連付けられた測定パッケージを観察して、前記ステージの前記投影カメラに対する位置を割り出すリソグラフィ装置。 - 請求項76において、
前記第1および第2の位置合わせ顕微鏡が別個独立に動作するリソグラフィ装置。 - 請求項76において、
対応する位置合わせ顕微鏡に機械的に接続された第1および第2のオートフォーカスセンサーであって、各位置合わせ顕微鏡に前記位置合わせパターンについての焦点誤差を除去させるために、前記少なくとも1つの位置合わせ補償コントローラに信号を供給する第1および第2のオートフォーカスセンサーをさらに備えているリソグラフィ装置。 - 請求項76において、
前記第1および第2の位置合わせ顕微鏡が、前記少なくとも1つの位置合わせ補償コントローラに画像を供給し、各投影カメラに前記基板上の前記画像についての対応する焦点誤差を除去させるリソグラフィ装置。 - 基板に焼き付けを行なうための方法であって、
第1および第2の画像をそれぞれ第1および第2の基板に投影することと、
前記第1および第2の基板のそれぞれについての第1および第2の位置合わせパターンを検出することと、
前記検出された位置合わせパターンに基づいて、前記第1および第2の画像を前記第1および第2の基板に対して移動させることとを備えている方法。 - 請求項82において、
前記第1および第2の画像を前記第1および第2の基板に投影することが、前記基板を保持しているステージの位置を、前記画像を投影する投影カメラのレンズを通して割り出すことを含んでいる方法。 - 請求項82において、
前記第1および第2の画像を前記第1および第2の基板に投影することが、前記画像を投影する投影カメラから軸外で前記基板を保持しているステージの位置を割り出し、前記ステージに関連付けられた測定パッケージを観察して、前記投影カメラに対する前記ステージの位置を割り出すことを含んでいる方法。 - 請求項82において、
前記第1および第2の位置合わせパターンの検出が別個独立に行われる方法。 - 請求項82において、
前記検出された位置合わせパターンに基づいて、前記第1および第2の位置合わせパターンの検出についての焦点誤差を別個独立に除去することをさらに備えている方法。 - 請求項82において、
前記検出された第1および第2の位置合わせパターンに基づいて、前記第1および第2の基板上の前記第1および第2の画像についてのそれぞれの焦点誤差を除去することをさらに備えている方法。 - 少なくとも2つの基板に同時に画像を位置合わせおよび投影する手段と、
前記少なくとも2つの基板のそれぞれについての位置合わせパターンを検出する手段と、
前記検出した位置合わせパターンに基づいて、前記投影される画像を前記基板に対して移動させる手段とを備えているリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/856,700 US7385671B2 (en) | 2004-05-28 | 2004-05-28 | High speed lithography machine and method |
US10/856,700 | 2004-05-28 | ||
PCT/US2005/018160 WO2005119370A2 (en) | 2004-05-28 | 2005-05-23 | High speed lithography machine and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008501243A true JP2008501243A (ja) | 2008-01-17 |
JP5463004B2 JP5463004B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=35424807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007515252A Active JP5463004B2 (ja) | 2004-05-28 | 2005-05-23 | 高速リソグラフィ装置および方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7385671B2 (ja) |
EP (1) | EP1751623B1 (ja) |
JP (1) | JP5463004B2 (ja) |
CA (1) | CA2569097A1 (ja) |
WO (1) | WO2005119370A2 (ja) |
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