KR101116630B1

KR101116630B1 - 평판표시장치용 노광장비 및 이를 이용한 기판의포토리소그라피 방법

Info

Publication number: KR101116630B1
Application number: KR1020050025430A
Authority: KR
Inventors: 지영승
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2005-03-28
Filing date: 2005-03-28
Publication date: 2012-03-07
Also published as: KR20060103629A; JP2006276862A; CN1841203A; US20060215090A1; US7777860B2

Abstract

본 발명은 마스크(mask)의 수평배치로 인한 파티클(particle) 부착문제를 비롯하여 자체하중에 따른 처짐현상을 해소함으로써 보다 정확한 패턴전사를 가능케 하는 평판표시장치용 노광장비 그리고 이를 이용한 기판의 포토리소그라피 방법에 관한 것이다.

구체적으로 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 광원과; 수직 배치된 마스크와; 상기 마스크 가장자리를 지지하여 수직상태를 유지시키는 프레임과; 포토레지스트가 도포된 기판을 지지하는 수평지지면을 제공하는 스테이지와; 상기 광원으로부터 출사된 빛이 상기 마스크를 통과한 후 상기 기판으로 조사되도록 상기 마스크와 상기 기판 사이에 위치되는 미러유닛을 구비한 광학부를 포함하는 평판표시장치용 노광장비를 제공하고, 이를 이용한 평판표시장치용 기판의 포토리소그라피 방법을 제공한다.

그 결과 본 발명에 따른 노광장비의 마스크는 자체하중에 의한 형태변형이 지극히 미미하여 장시간 안정적인 고정상태를 유지할 수 있고, 마스크의 두께가 얇아도 형태변형을 최소한으로 할 수 있어 마스크의 제조비용을 절감시키는 효과가 있으며, 아울러 파티클의 낙하 및 부착 가능성이 작은 장점이 있다.

Description

평판표시장치용 노광장비 및 이를 이용한 기판의 포토리소그라피 방법{exposing apparatus for flat panel display device and substrate photolithography method using thereof}

도 1은 일반적인 노광장비의 구조를 나타낸 사시도.

도 2는 도 1의 II-II 선에 대한 단면도.

도 3은 본 발명에 따른 노광장비의 구조를 나타낸 사시도.

도 4는 본 발명에 따른 노광장비에 대한 측면도.

도 5는 본 발명에 따른 노광장비를 이용한 기판의 포토리소그라피 공정에 대한 순서도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

102 : 기판 104 : 박막층

106 : 포토레지스트 110 : 광원

120 : 마스크 122 : 투명판

124 : 원판패턴 130 : 프레임

140 : 스테이지 142 : 수평지지면

150 : 광학부 160 : 미러유닛

본 발명은 평판표시장치용 노광장비(exposing apparatus) 및 이를 이용한 기판의 포토리소그라피(photolithography) 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 마스크(mask)의 수평배치로 인한 파티클(particle) 부착문제를 비롯하여 자체하중에 따른 처짐현상을 해소함으로써 보다 정확한 패턴전사를 가능케 하는 평판표시장치용 노광장비 그리고 이를 이용한 기판의 포토리소그라피 방법에 관한 것이다.

근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 각종 전기적 신호정보를 시각적으로 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전하였고, 이에 부응하여 경량화, 박형화, 저소비전력화 등의 우수한 특성을 지닌 여러 가지 다양한 평판표시장치가 소개되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다.

이 같은 평판표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 전기발광표시장치(Electro luminescence Display device : ELD) 등을 들 수 있으며, 이들은 통상 한 쌍의 기판(substrate) 사이로 고유의 형광 또는 편광 물질층을 개재한 후 합착시킨 평판표시패널(flat display panel)을 필수적인 구성요소로 갖추고 있다.

최근에는 이들 평판표시패널에 화상표현의 기본단위인 화소(pixel)를 행렬방 식으로 배열하고 각각을 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)와 같은 스위칭 소자로 독립 제어하는 능동행렬 방식(active matrix type)이 널리 이용되고 있다.

일례로 색 재현성과 동영상 구현능력 등이 우수하여 노트북용 표시화면, TV, 모니터 등에 가장 활발하게 활용되고 있는 액정표시장치의 경우, 이의 표시패널인 액정패널(liquid crystal panel)은 액정층을 사이에 두고 대면 합착된 제 1, 제 2 기판으로 이루어지며, 상부기판 또는 어레이기판(array substrate)이라 불리는 제 1 기판 내면에는 복수의 게이트라인과 데이터라인이 종횡 교차하여 화소를 정의하고 이들의 교차점마다 박막트랜지스터가 구비되어 각 화소에 실장된 투명 화소전극과 일대일 대응 연결되어 있다.

또한 이와 마주보는 제 2 기판은 통상 하부기판 또는 컬러필터기판(color filter substrate)이라 불리며, 내면에는 제 1 기판의 게이트 및 데이터라인 그리고 박막트랜지스터 등과 같이 액정구동과 직접적인 관련이 없는 부분을 가리고 각 화소전극 만을 노출시키는 격자형상의 블랙매트릭스(black matrix)와, 각 격자 내부로 충진된 일례로 적(Red), 녹(Green), 청(Blue) 컬러필터(color-filter) 그리고 이들을 덮는 투명 공통전극이 마련되어 있다.

이에 상기한 구성의 액정패널은 화소전극과 공통전극 사이의 전위차를 이용해서 그 사이로 개재된 액정분자의 배열방향을 인위적으로 변화시킴으로써 투과율의 차이를 발생시키는 바, 여타의 평판표시패널과 달리 액정패널에는 자체 발광요소가 없으므로 액정패널 배면으로 별도의 백라이트(back light)가 마련되며, 이로 부터 출사된 빛을 액정패널에 통과시켜 각 화소별 투과율의 차이에 따른 컬러필터의 색 조합으로 여러 가지 컬러화상을 구현한다.

이때 일반적인 평판표시장치의 제조공정에는 기판 상에 소정물질의 박막층을 형성하는 박막증착(deposition) 공정과, 상기 박막층의 선택된 일부를 노출시키는 포토리소그라피(photolithography) 공정과, 상기 노출된 부분을 제거하여 목적하는 형태로 패터닝(patterning) 하는 식각공정이 수 차례 반복 포함된다.

또한 이중 포토리소스라피 공정은 박막층이 증착된 기판 상에 포토레지스트(photoresist)를 도포하는 단계와, 목적하는 형태의 원판패턴이 형성된 마스크(mask)로 포토레지스트를 노광(exposing)하는 단계와, 현상액을 이용하여 포토레지스트의 노광된 부분 또는 그 외의 부분을 제거하는 현상(developing) 단계를 포함하고, 그 결과 마스크의 원판패턴과 실질적으로 동일한 형태의 포토레지스트패턴을 얻을 수 있다.

한편, 최근 대면적 고화소 평판표시장치가 각광받으면서 상술한 포토리소그라피 공정 중 특히 노광단계에서 더욱 섬세하고 정교한 노력이 요구되고 있는데, 여기에 사용되는 평판표시장치용 제조설비가 노광장비이다.

첨부된 도 1은 일반적인 노광장비의 구조를 나타낸 사시도로서, 자외선 또는 X-ray 등의 빛을 발하는 광원(10)과, 상기 광원(10)으로부터 출사된 빛을 기판(2) 상에 실루엣 전사하기 위하여 소정의 원판패턴(24)이 형성되어진 상태로 수평하게 배치되는 마스크(20) 그리고 처리대상물인 기판(2)이 안착되는 수평지지면(32)을 제공하는 스테이지(30)를 포함한다.

이때 기판(2)에는 소정물질의 박막층(4) 상부로 포토레지스트(6)가 도포된 상태이고, 마스크(20)는 통상 쿼츠(quartz) 재질의 투명판(22)에 크롬(Cr)과 같은 불투명 금속으로 원판패턴(24)이 형성된다.

따라서 스테이지(30)의 수평지지면(32) 상에 기판(2)이 안착되어 마스크(20)와 평행하게 대면되면 광원(10)으로부터 빛이 출사되어 마스크(20)를 통과하면서 이의 원판패턴(24) 이미지를 기판(2)의 포토레지스트(6)로 전사하고, 일례로 포지티브형(positive type) 포토레지스트(6)인 경우에 빛에 노출된 부분만 경화된다.

그 결과 후속의 현상단계에서 현상액으로 포토레지스트(6)의 경화된 부분을 제거하여 마스크(20)의 원판패턴(24)과 실질적으로 동일한 포토레지스트패턴을 형성하고, 이후 식각단계에서 박막층(4)의 노출된 부분만을 제거하여 박막 패터닝을 완료한다.

이러한 과정 중에 최근 급속도로 진행되는 평판표시장치의 대면적화 추세에 따라 노광장비의 마스크(20) 사이즈(size) 또한 대형화되고 있는 바, 이로 인한 몇 가지 문제점이 도출되고 있다.

그 중 하나가 수평 배치되는 마스크(20)의 자체하중 증가에 따른 휨이나 처짐 등과 같은 형태변형으로, 빛이 투과되어야 하는 마스크(20)의 특성상 가장자리를 지지하여 광원(10)과 기판(2) 사이로 수평하게 부양시키므로 마스크(20)의 사이즈가 증가함에 따라 자체하중이 커져 중심부분이 아래로 쳐지는 등의 형태변형이 나타나고 있다. 아울러 마스크(20)가 수평하게 배치된 관계로 파티클(particle)과 같은 이물의 낙하 및 부착이 나타나고, 이는 결국 기판(2)의 포토레지스트(6)에 전사 투영되어 정확한 패턴전사를 방해하는 소위 점결함(dot defect)을 나타낸다.

즉, 첨부된 도 2는 수평 배치된 마스크(20)의 단면을 나타내기 위하여 도 1의 II-II 선을 따라 절단한 것으로, 마스크(20)의 중심부분이 자체하중으로 인해 아래로 처져 전체적인 형태가 굴곡지게 변형되어 있으며, 파티클(40)이 마스크(20) 표면으로 낙하 및 부착되어 있음을 확인할 수 있다. 그리고 이와 같은 마스크(20)의 형태변형과 파티클(40)의 부착은 결국 포토레지스트패턴 내지는 박막패턴 왜곡과 직결되는 바, 현재로서는 이를 해결하기 위하여 마스크(20)의 두께를 증가시키고 세정주기를 짧게 하고 있는 실정이다.

하지만 이와 같이 마스크(20)의 두께를 증가시킬 경우에 쿼츠 등의 고가로 이루어진 마스크(20)의 제조비용을 크게 상승시키는 것은 물론 자체하중이 더욱 증가될 수밖에 없어 완전한 해결책이 되지 못하고 있으며, 비록 도면에 나타내지는 않았지만 마스크(20)의 가장자리를 지지하는 기구부에 무리한 부담을 주는 단점이 있다.

아울러 잦은 세정작업은 마스크(20)의 파손 가능성을 높이고, 장비의 효율을 떨어뜨림과 동시에 번거로운 문제점을 나타낸다.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 자체하중으로 인한 마스크의 처짐과 같은 형태변형과 아울러 파티클 부착을 억제하여 보다 정확한 패턴전사를 가능케 하는 평판표시장치용 노광장비를 제공하고, 이를 이용하여 신뢰성 있는 기판의 포토리소그라피 공정을 구현하는데 그 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 광원과, 수직 배치된 마스크와, 상기 마스크 가장자리를 지지하여 수직상태를 유지시키는 프레임과, 포토레지스트가 도포된 기판을 지지하는 수평지지면을 제공하는 스테이지와, 상기 광원으로부터 출사된 빛이 상기 마스크를 통과한 후 상기 기판으로 조사되도록 상기 마스크와 상기 기판 사이에 위치되는 미러유닛을 구비한 광학부를 포함하는 평판표시장치용 노광장비를 제공한다.

이때 상기 기판은 소정물질의 박막층 상부로 상기 포토레지스트가 도포된 것을 특징으로 하고, 상기 프레임은 상기 마스크의 상하단 가장자리를 각각 지지하는 것을 특징으로 한다. 아울러 상기 미러유닛은 전면코팅미러(front coated mirror) 또는 콜드라이트미러(cold light mirror)인 것을 특징으로 한다.

또한 상기 광학부는 상기 광원과 상기 마스크 사이로 위치된 컨덴서렌즈유닛과; 상기 마스크와 상기 반사부재 또는 상기 반사부재와 상기 기판 사이로 위치된 옵젝티브렌즈유닛을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 광원은 상기 마스크와 수평하게 대면된 것을 특징으로 한다.

더불어 본 발명은 상기 기재에 따른 평판표시장치용 노광장비를 이용하는 평판표시장치용 기판의 포토리소그라피 공정으로서, a)박막층이 증착된 상기 기판 상에 상기 포토레지스트를 도포하는 단계와; b)상기 포토레지스트가 도포된 기판을 상기 스테이지의 상기 수평지지면에 수평하게 안착시키고, 상기 광원이 빛을 발하도록 하여 상기 수직 배치된 마스크의 원판패턴을 상기 포토레지스에 전사시키는 단계와; c)상기 원판패턴이 전사된 상기 포토레지스트를 현상하여 상기 박막층의 일부를 노출시키는 포토레지스트패턴을 형성하는 단계를 포함하는 평판표시장치용 기판의 포토리소그라피 방법을 제공한다.

이때 상기 a)단계 이전, 상기 박막층이 증착된 상기 기판 표면을 프리베이크 하여 수분을 제거하는 단계와; 상기 a)단계 이후, 상기 포토레지스트가 도포된 상기 기판을 소프트베이크하여 휘발물질을 제거하는 단계와; 상기 c) 단계 이후, 상기 포토레지스트패턴이 형성된 기판을 하드베이크하여 상기 포토레지스트패턴의 접착력을 강화시키는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.

첨부된 도 3은 본 발명에 따른 노광장비를 개략적으로 나타낸 사시도로서 빛을 발하는 광원(110)과, 수직 배치된 마스크(120) 그리고 기판(102)이 안착되는 수평지지면(142)을 제공하는 스테이지(140)를 포함하며, 광원(110)으로부터 출사되어 마스크(120)를 통과한 빛이 스테이지(140)의 수평지지면(142)에 놓여진 기판(102)으로 조사되도록 함과 동시에 이 과정 중에 적절하게 빛을 처리하는 광학부(150)를 구비하고 있다.

각각을 구체적으로 살펴보면, 먼저 광원(110)은 본 발명에 따른 노광공정의 에너지원인 빛을 출사하는 부분으로서, 일례로 자외선, X-ray 또는 여러 가지 파장 의 레이저를 발산할 수 있다.

다음으로 광원(110)에서 출사된 빛의 진행경로에는 지면으로부터 수직하게 마스크(120)가 배치되고, 여기에는 기판(102)으로 전사될 원판패턴(124)이 형성되어 있다. 이를 위해 마스크(120)는 쿼츠와 같은 투명판(122)에 빛을 차단하는 크롬(Cr)과 같은 금속물질로 소정형상의 원판패턴(124)을 구현할 수 있고, 그 결과 마스크(120)는 빛을 통과시키는 투과부와 빛을 차단하는 차단부로 구분될 수 있다.

그리고 특히 본 발명에 따른 노광장비의 마스크(120)는 지면에 대해 수직하게 배치된 것을 특징으로 하는데, 이 같은 수직배치 상태를 유지할 수 있도록 이의 가장자리를 지지하는 별도의 고정부재가 동원된다. 즉, 도면에 보이는 바와 같이 본 발명에 따른 마스크(120)는 일례로 상하단 가장자리를 지지하는 프레임(130)에 의해 지면으로부터 수직하게 배치되며, 이 경우 광원(110)은 마스크(120)와 수평하게 대면될 수 있는 바, 광원(110)으로부터 출사된 빛에는 마스크(120)를 통과하는 과정 중에 이의 원판패턴(124)이 반영되어 수평하게 진행된다.

그리고 이 같이 마스크(120)를 통과한 빛의 진행경로 중에는 광학부(150)가 마련되고, 여기에는 빛을 반사시키는 미러유닛(160)이 구비된다. 이 같은 미러유닛(160)은 일례로 프로젝션 미러(projection mirror)라 불리는 전면코팅미러(front coated mirror) 또는 빛의 진행경로 변경과 아울러 특정 파장대만을 선택적으로 분리하는 콜드라이트(cold light mirror) 미러가 사용될 수 있다.

이때 상기 미러유닛(160)은 마스크(120)를 통과해서 수평하게 진행되는 빛의 경로를 바람직하게는 중력방향을 향하는 하방으로 수직하게 변경시키고, 아울러 광 학부(150)에는 상술한 미러유닛(160)을 비롯해서 광원(110)으로부터 출사된 후 최종적으로 기판(102)에 조사되는 모든 단계의 빛을 가공 및 처리하는 광학유닛이 포함되는 바, 이에 대해서는 해당부분에서 보다 상세하게 설명한다.

다음으로 스테이지(140)는 기판이(102) 안착되는 부분으로, 광학부(150)의 미러유닛(160)에 의해 중력방향을 향해 진행되는 빛이 기판(102)에 도달되도록 마스크(120)의 하단에서 기판(102)이 안착되는 수평지지면(142)을 제공한다.

이때 기판(102)에는 소정의 박막층(104) 상부로 포토레지스트(106)가 도포된 상태이고, 광원(110)으로부터 출사되어 수직 배치된 마스크(120)를 통과하는 과정 중에 이의 원판패턴(124)이 반영된 빛은 광학부(150)의 미러유닛(160)에 의해 진행경로가 변경되어 스테이지(140)의 수평지지면(142)에 안착된 기판(102)에 조사된다. 그 결과 기판(102)에 도포된 포토레지스트(106)로는 마스크(120)의 원판패턴(124)과 실질적으로 동일한 형상으로 실루엣 패턴된 빛이 전사된다.

따라서 마스크(120)의 원판패턴(124)에 대응되는 포토레지스트(106) 일부는 빛에 노출되지만 그 외 부분은 빛을 받지 못한다.

한편, 기판(102)의 박막층(104) 상에 도포된 포토레지스트(106)는 빛에 의해 분자구조가 변화되어 현상액에 대한 선택적인 용해가 가능한 물질로, 용매 역할의 솔벤트(solvent)와, 모너머(monomer)의 화학 결합물로써 현상 후 잔류되는 포토레지스트패턴의 실체를 이루는 폴리머(polymer)와, 빛을 받아 상기 폴리머에 에너지를 전달하여 현상액에 녹거나 녹지 않도록 하는 매개물질인 감광제(sensitizer)을 포함한다.

그리고 이 같은 포토레지스트(106)는 감광제의 종류에 따라 포지티브형과 네거티브형(negative type)으로 구분되는 바, 상술한 노광과정에 의해서 포지티브형인 경우에 빛에 노출된 부분만이 경화되고 네거티브형인 경우에는 빛을 받지 않은 부분이 경화된다.

그 결과 후속의 현상 공정에서 포토레지스트(106)의 경화된 부분만을 제거하여 실질적으로 마스크(120)의 원판패턴(124)과 동일 형태의 포토레지스트패턴을 구현할 수 있다.

한편, 첨부된 도 4는 본 발명에 따른 노광장비를 좀더 세분화하여 나타낸 도면으로서, 이 경우 광학부(150)에는 광원(110)과 마스크(120) 사이에서 빛을 집속시키는 컨덴서렌즈유닛(condenser lens unit : 152)이 구비되고, 마스크(120)와 기판(102) 사이로는 옵젝티브렌즈유닛(objective lens unit : 154)이 마련될 수 있다. 이때 옵젝티브렌즈유닛(154)은 마스크(120)와 미러유닛(160) 사이 또는 미러유닛(160)과 기판(102) 사이로 위치 가능하다.

그리고 필요에 따라 옵젝티브렌즈유닛(154)에는 적어도 하나의 프리즘(156)을 비롯한 복수의 렌즈(157,158)가 구비되는 바, 이들 컨덴서렌즈유닛(152)과 옵젝티브렌즈유닛(154)의 세부적인 구성은 얼마든지 자유로울 수 있지만 각각 빛의 진행경로와 위상차를 올바르게 수정하고 최종적으로 기판(102)의 포토레지스트(106)에 조사되는 빛에 마스크(120)의 원판패턴(124)을 정확하게 반영시키는 역할을 한다.

이하, 상술한 본 발명에 따른 노광장비를 이용한 기판의 포토리소그라피 공정에 대하여 도 5의 순서도를 함께 참조하여 설명한다.

이때 본 발명에 따른 노광장비를 이용한 기판(102)의 포토리소그라피 공정은 포토레지스트(106)의 도포를 비롯한 현상와 밀접하게 연결되고, 첫 번째 단계(st200)는 프리베이크(pre-bake), 스핀코팅(spin coating), 소프트베이크(soft bake)를 거쳐 박막층(104)이 증착된 기판(102) 상에 균일한 두께로 포토레지스트(106)를 도포하는 단계이다. 이때 프리베이크는 박막층(104)이 증착된 기판(102) 상의 잔류수분을 제거하여 후속의 포토레지스트(106)에 대한 접착력을 향상시키는 공정이고, 스핀코팅은 포토레지스트액을 기판(102)의 박막층(104)에 떨군 후 고속 회전시켜 균일한 두께로 코팅되도록 하는 공정이며, 소프트베이크는 포토레지스트(106)에 남아있는 솔벤트(solvent) 등의 휘발성분을 증발시켜 약하게 경화시키는 공정이다.

이어서 후속의 두 번째 단계(st210)는 기판(102)과 마스크(120)의 얼라인을 비롯한 노광 단계로서, 소프트베이크가 완료된 기판(102)을 본 발명에 따른 노광장비의 스테이지(140)에 마련된 수평지지면(142)에 안착시키고 프레임(130)을 이용하여 마스크(120)를 수직하게 고정한 후 이들을 정확한 정렬위치로 얼라인 한다. 다음으로 광원(110)으로부터 빛이 출사되어 마스크(120)의 원판패턴(124)을 기판(102)에 전사시키는 노광공정이 진행되는데, 이 과정은 앞서 자세히 설명한 바 있으므로 생략한다.

세 번째 단계(st220)는 현상 그리고 하드베이크 공정을 포함한다.

이때 현상공정은 소정의 현상액을 이용하여 기판(102) 상에 도포된 포토레지스트(106)에 있어서 빛에 노출된 부분과 그렇지 않은 부분의 화학적 개질 변화특성을 통해 어느 한 부분을 선택적으로 제거하게 되고, 그 결과 마스크(120)의 원판패턴(124)과 동일한 형상의 포토레지스트패턴이 구현된다. 그리고 이 같은 포토레지스트패턴의 접착력을 강화하기 위하여 기판(102) 전체에 소정온도를 가하는 하드베이크(hard-bake) 단계를 거친다.

이와 같이 포토리소그라피 공정이 완료된 기판(2)은 포토레지스트패턴에 의해 박막층(104)의 선택된 일부가 노출된 상태이며, 최종적으로 식각(st230)을 통해서 박막층(104)의 노출된 부분을 제거하고, 잔류 포토레지스트를 박리 및 세정함으로써 목적하는 박막패턴을 얻을 수 있다.

이상에서 설명한 본 발명에 따른 노광장비는 마스크의 대형화에도 불구하고 처짐이나 휨 등의 형태변형을 방지할 수 있는 잇점이 있다. 즉, 본 발명에 따른 노광장비에서 마스크는 프레임에 의해 중력방향에 대해 수직하게 배치되므로 자체하중에 의한 형태변형이 지극히 미미하고, 그 결과 장시간 안정적인 고정상태를 유지할 수 있는 장점이 있다. 따라서 마스크의 두께가 얇아도 형태변형을 최소한으로 할 수 있어 마스크의 제조비용을 절감시키는 효과가 있으며, 보다 정확한 패턴전사가 가능한 장점이 있다.

아울러 마찬가지 이유로 인해 본 발명에 따른 노광장비의 마스크로 파티클이 낙하 및 부착될 가능성이 작고, 따라서 이들 파티클에 의한 패턴왜곡 불량이 크게 줄어드는 장점이 있다.

Claims

광원과;

수직 배치된 마스크와;

상기 마스크 가장자리를 지지하여 수직상태를 유지시키는 프레임과;

포토레지스트가 도포된 기판을 지지하는 수평지지면을 제공하는 스테이지와;

상기 광원으로부터 출사된 빛이 상기 마스크를 통과한 후 상기 기판으로 조사되도록 상기 마스크와 상기 기판 사이에 위치되는 미러유닛을 구비한 광학부

를 포함하며, 상기 광학부는 상기 광원과 상기 마스크 사이로 위치된 컨덴서렌즈유닛과, 상기 미러유닛과 상기 기판 사이에 위치하는 옵젝티브렌즈유닛를 포함하며, 상기 광원은 상기 마스크와 수평하게 대면된 것이 특징인 평판표시장치용 노광장비.
제 1항에 있어서,

상기 기판은 소정물질의 박막층 상부로 상기 포토레지스트가 도포된 평판표시장치용 노광장비.
제 1항에 있어서,

상기 프레임은 상기 마스크의 상하단 가장자리를 각각 지지하는 평판표시장치용 노광장비.
제 1항에 있어서,

상기 미러유닛은 전면코팅미러(front coated mirror) 또는 콜드라이트미러(cold light mirror)인 것을 특징으로 하는 평판표시장치용 노광장비.
삭제
제 1항에 있어서,

상기 옵젝티브렌즈유닛은 적어도 하나의 프리즘 그리고 렌즈를 포함하는 평판표시장치용 노광장비.
삭제
제 1항, 제 2항 내지 제 4항 및 제 6항 중 어느 하나의 선택된 항의 기재에 따른 평판표시장치용 노광장비를 이용하는 평판표시장치용 기판의 포토리소그라피 공정으로서,

a)박막층이 증착된 상기 기판 상에 상기 포토레지스트를 도포하는 단계와;

b)상기 포토레지스트가 도포된 기판을 상기 스테이지의 상기 수평지지면에 수평하게 안착시키고, 상기 광원이 빛을 발하도록 하여 상기 수직 배치된 마스크의 원판패턴을 상기 포토레지스에 전사시키는 단계와;

c)상기 원판패턴이 전사된 상기 포토레지스트를 현상하여 상기 박막층의 일부를 노출시키는 포토레지스트패턴을 형성하는 단계

를 포함하는 평판표시장치용 기판의 포토리소그라피 방법.
제 8항에 있어서,

상기 a)단계 이전, 상기 박막층이 증착된 상기 기판 표면을 프리베이크 하여 수분을 제거하는 단계와;

상기 a)단계 이후, 상기 포토레지스트가 도포된 상기 기판을 소프트베이크하여 상기 포토레지스트의 휘발물질을 제거하는 단계와;

상기 c) 단계 이후, 상기 포토레지스트패턴이 형성된 기판을 하드베이크하여 상기 포토레지스트패턴의 접착력을 강화시키는 단계를 더욱 포함하는 평판표시장치용 기판의 포토리소그라피 방법.