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ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
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1. Technisches Gebiet der Erfindung
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Diese
Erfindung betrifft ein Waferschleifverfahren und eine Waferschleifvorrichtung.
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2. Beschreibung des Stands
der Technik
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Mit
dem ständig zunehmenden Trend zu einer höheren
Integration und Packung von Halbleitervorrichtungen in den letzten
Jahren wurde die Dicke von Halbleiterchips (Rohchips) entsprechend
verringert. Als Ergebnis wird die Rückfläche des
Wafers vor der Zerlegung in Rohchips durch ein Schleifmittel geschliffen.
Die Fläche der Waferrückseite wird geschliffen,
während an der Vorderfläche des Wafers ein Schutzband
angebracht ist, um das Schaltungsmuster, das an der Vorderfläche
des Wafers gebildet ist, zu schützen.
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Ferner
ist es üblich, die Rückfläche des Wafers,
der geschliffen wurde, zu polieren, um Verformungen zu beseitigen.
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Mit
der Verringerung der Waferdicke benötigt die Enddicke des
Wafers eine hohe Abmessungsgenauigkeit. Da jedoch die Enddicke des
Wafers normalerweise so angesehen wird, dass sie den Schutzfilm
beinhaltet, beeinträchtigen Dickenschwankungen des Wafers
die Enddicke des Wafers direkt.
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Angesichts
dessen setzt die
japanische
ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 2007-335458 das nachstehend
beschriebene Mittel ein, um sicherzustellen, dass der Wafer eine
Zieldicke aufweist, indem die Dicke nur des Wafers unter Ausschluss
des Schutzbands und ohne Einfluss durch das Nitrid oder das Oxid
an der Rückfläche des Wafers genau gemessen wird.
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Im
Besonderen wird die Rückfläche des Wafers nach
der
japanischen ungeprüften
Patentveröffentlichung Nr. 2007-335458 geschliffen,
indem während des Grobschleifprozesses die gesamte Waferdicke
einschließlich des Schutzbands unter Verwendung einer Kontakt-Dickenmesseinrichtung
gemessen wird und während des Feinschleifprozesses die Dicke
nur des Wafers unter Verwendung einer Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung
gemessen wird. Sobald die Zielenddicke erreicht ist, wird der Schleifprozess
beendet, wodurch eine genaue Zielenddicke erzielt wird.
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Eine
Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung ist zum Beispiel in der
japanischen ungeprüften
Patentveröffentlichung Nr. 2007-113980 beschrieben.
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Nach
der
japanischen ungeprüften
Patentveröffentlichung Nr. 2007-113980 ist an
der unteren Fläche des Messeinrichtungskörpers
eine hohle zylinderförmige Sonde für eine Wirbelstrom-Verschiebungsmesseinrichtung
angebracht und am vorderen Ende der Sonde eine Spule eingerichtet.
An der unteren Fläche sind im Inneren der hohlen zylinderförmigen
Sonde auch eine Laserstrahlungseinheit und eine Laserlichtempfangseinheit
der Laserverschiebungsmesseinrichtung angeordnet.
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Durch
die Spule wird ein Wechselstrommagnetfeld erzeugt, und in einer
Metallplatte wird ein Wirbelstrom induziert. Die Induktivitätsveränderung
der Spule aufgrund des so induzierten Wirbelstroms wird festgestellt,
um den Abstand L2 von der Sonde zur Metallplatte zu berechnen.
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Andererseits
wird ein Laserstrahl von der Laserstrahlungseinheit ausgestrahlt
und der an der Fläche der Beschichtung reflektierte Laserstrahl
durch eine Laserempfangseinheit festgestellt. Der Abstand L1 zwischen
der Laserverschiebungsmesseinrichtung und der Oberfläche
der Beschichtung wird durch Trigonometrie berechnet. Die Dicke des Überzugs wird
auf Basis der Abstände L1 und L2 berechnet.
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Während
des Schleifprozesses ist jedoch die Umgebung der geschliffenen Fläche
des Wafers durch die Schleifflüssigkeit und den Schleifschlamm nicht
stabilisiert, und die in der
japanischen
ungeprüften Patentveröffentlichung Nr. 2007-335458 beschriebene
Verwendung der Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung während
des Feinschleifprozesses würde eine stabile Messung schwierig
machen, während gleichzeitig das Messinstrument verschmutzt würde.
Eine Messung, die vorgenommen wird, während das Werkstück
nicht bearbeitet wird, würde durch den an der Rückfläche
des Wafers gebildeten Oxidfilm oder Nitridfilm beeinträchtigt
werden, wodurch es häufig unmöglich gemacht wird,
die Waferdicke genau zu messen.
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KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
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Diese
Erfindung wurde vorgeschlagen, um die oben beschriebenen Probleme
zu vermeiden, und ihre Aufgabe ist, eine Waferschleifvorrichtung bereitzustellen,
in der für die Messung nach dem Grobschleifprozess vor
dem Feinschleifprozess eine Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung verwendet wird,
so dass nur die Waferdicke ohne Einfluss durch die Schleifflüssigkeit
und den Schleifschlamm stabil gemessen werden kann, wodurch es möglich
gemacht wird, tatsächlich einen Wafer mit der Zieldicke sicherzustellen.
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Um
die oben beschriebenen Probleme zu lösen, wird nach einem
ersten Gesichtspunkt der Erfindung ein Waferschleifverfahren zum
Schleifen der Rückfläche eines Halbleiterwafers
durch den Grobschleifprozess und den Feinschleifprozess vor der Zerlegung
in Rohchips bereitgestellt, wobei die Waferdicke nach dem Grobschleifprozess
vor dem Feinschleifprozess mit einer Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung
tatsächlich gemessen wird.
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Als
Ergebnis kann die Waferdicke mit der Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung
in einem stabilen Zustand nicht während des Schleifprozesses
tatsächlich gemessen werden, ohne durch die Schleifflüssigkeit
oder den Schleifschlamm beeinflusst zu werden.
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Nach
einem zweiten Gesichtspunkt der Erfindung wird ein Waferschleifverfahren
bereitgestellt, wobei die Waferdicke während des Feinschleifprozesses
unter Verwendung der Kontakt-Dickenmesseinrichtung tatsächlich
gemessen wird und die Enddicke auf Basis der tatsächlichen
Messdaten, die vor dem Feinschleifprozess durch die Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung
erhalten wurden, fein reguliert wird.
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Angesichts
des Umstands, dass die Dicke nur des Wafers vor dem Feinschleifprozess
mit der Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung tatsächlich
gemessen wird, kann der Wafer unter Verwendung der Kontakt-Dickenmesseinrichtung
als prozessinterne Messeinrichtung während des Feinschleifprozesses mit
hoher Genauigkeit und ohne Einfluss durch das Schutzband zur Zieldicke
bearbeitet werden.
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Nach
einem dritten Gesichtspunkt der Erfindung wird eine Waferschleifvorrichtung
bereitgestellt, die ein Schleifmittel zum Schleifen und Halten eines Wafers
und ein Vorschubmittel zum Vorschieben des Schleifmittels während
des Schleifens des Wafers, eine Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung
zum Messen der Dicke vor dem Feinschleifprozess nach dem Grobschleifprozess,
wobei das Schleifmittel zum gehaltenen Wafer geschoben ist, eine
Kontakt-Dickenmesseinrichtung zum Messen der Waferdicke während
des Feinschleifprozesses, und eine Steuereinheit zum geeigneten
Messen der Waferdicke mit der Kontakt-Dickenmesseinrichtung, während
gleichzeitig die Feinregulierung der Enddicke unter Bezugnahme auf
die Messdaten der Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung vorgenommen
wird, umfasst.
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Auf
diese Weise wird die Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung nach dem
Grobschleifprozess verwendet, weshalb die Waferdicke im stabilen
Zustand tatsächlich gemessen werden kann, ohne durch die
Schleifflüssigkeit oder den Schleifschlamm beeinflusst
zu werden.
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Da
vor dem Feinschleifprozess die Dicke nur des Wafers gemessen wird,
kann der Wafer während des Feinschleifprozesses sogar mit
der Kontakt-Dickenmesseinrichtung mit hoher Genauigkeit zur Zieldicke
geschliffen werden, ohne durch das Schutzband beeinflusst zu werden.
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Die
vorliegende Erfindung kann aus der nachstehend dargelegten Beschreibung
von bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung zusammen mit
den beiliegenden Zeichnungen näher verstanden werden.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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In
den Zeichnungen
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ist 1 ein
Diagramm, das eine Systemgestaltung der wesentlichen Teile zeigt,
wobei ein Beispiel der Waferschleifvorrichtung zur Ausführung
des Feinschleifprozesses aus all den Halbleiterwaferschleifprozessen
nach dieser Erfindung gezeigt wird.
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2 ist
eine vergrößerte Schnittansicht der wesentlichen
Teile, die ein Beispiel eines Wafers, der in 1 geschliffen
werden soll, und eine Technik zum tatsächlichen Messen
seiner Dicke erklärt.
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3 ist
eine vergrößerte Schnittansicht der wesentlichen
Teile, die eine Technik zum tatsächlichen Messen der Waferdicke
mit einer Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung nach dem Grobschleifprozess
erklärt.
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BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN
AUSFÜHRUNGSFORMEN
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1 zeigt
ein Beispiel einer Halbleiterwaferschleifvorrichtung 1,
die verwendet wird, um einen Halbleiterwafer zu schleifen. Diese
Halbleiterwaferschleifvorrichtung 1 (nachstehend als Schleifvorrichtung 1 bezeichnet)
umfasst ein Haltemittel (später beschrieben) zum Halten
eines Halbleiterwafers 2 (nachstehend als Wafer 2 bezeichnet),
ein Schleifmittel 3 zum Schleifen des Wafers 2 und
ein Vorschubmittel 4 zum Schleifvorschub des Schleifmittels 3.
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Übrigens
setzt der Schleifprozess für den Wafer 2 ein Bearbeitungsverfahren
zum Ausführen des Grobschleifprozesses und des Feinschleifprozesses
ein, und wird die Schleifvorrichtung 1 verwendet, um den
Feinschleifprozess auszuführen, nachdem der Grobschleifprozess
als vorhergehender Prozess in einer Schleifvorrichtung (nicht gezeigt)
ausgeführt wurde.
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Der
Wafer 2 ist wie in 2 gezeigt
zum Beispiel so gestaltet, dass an der Fläche 2a,
die mit einem Schaltungsmuster 2c ausgeführt ist,
ein Schutzfilm 5 angebracht ist. Übrigens kann
der Wafer 2 alternativ so gestaltet sein, dass der Schutzfilm 5 an der
mit dem Schaltungsmuster 2c ausgeführten Fläche 2a angebracht
ist und daran ferner ein Auflagebasiselement (nicht gezeigt) angebracht
ist.
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Der
Wafer 2 wird durch ein Haltemittel gehalten, das zum Beispiel
eine nicht gezeigte Adsorptionsplatte (Aufspannvorrichtung) an der
oberen Fläche einer durch einen Motor 6 gedrehten
Drehscheibe 7 bildet. Übrigens ist die Drehscheibe 7 in
der Form einer Scheibe ausgeführt und ist an ihrer Unterseite
die Ausgangswelle 8 des Motors 6 auf der gleichen
Achse wie der Mittelachse der Drehscheibe 7 angebracht.
Diese Drehscheibe 7 wird durch die Antriebskraft des Motors 6 entlang
der Richtung des Pfeils A gedreht.
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Die
Dicke dieses Wafers 2 wird durch ein später beschriebenes
Mittel gemessen. Vor dem Feinschleifprozess beträgt die
Dicke des Wafers 2 zum Beispiel etwa 750 μm und
die Dicke des Schutzfilms 5 etwa 100 μm.
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Das
später beschriebene Schleifmittel 3 wird durch
das Vorschubmittel 4 eingeschoben, während es
mit der Rückfläche 2b, die jene Fläche
des Wafers 2 bildet, die geschliffen werden soll, in Kontakt
gebracht wird, so dass der Wafer 2 zu einer vorbestimmten
geringen Dicke von etwa 30 μm geschliffen wird.
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Das
Schleifmittel 3 ist am vorderen Ende einer im Wesentlichen
L-förmigen Säule 10, die aufrecht auf
dem Maschinenkörper 9 steht, eingerichtet und
so am Vorschubmittel 4 angebracht, dass es in der Richtung
Z hin und her laufen kann.
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Im
Besonderen weist das Schleifmittel 3 einen Schleifstein 13 auf,
der an der Vorderseite der Ausgangswelle 12 des Motors 11 angebracht
ist und durch den Wellenabschnitt (später beschrieben),
der das Vorschubmittel 4 bildet, in der Achsenrichtung bewegt
wird. Während des Prozesses ist die Ausgangswelle 12 des
Motors 11 an der oberen Fläche des Schleifsteins 13 auf
der gleichen Achse wie der Mittelachse des Schleifsteins 13 angebracht,
und wird sie durch die Antriebskraft des Motors 11 in die Richtung
des Pfeils B gedreht.
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Der
Schleifstein 13 dient zum Schleifen der Rückfläche 2b des
durch Adsorption auf der Drehscheibe 7 gehaltenen Wafers 2 und
besteht zum Beispiel aus einem Diamant mit einem flüssigen
Bindemittel als Haftmaterial. Durch die Verwendung des flüssigen
Bindemittels als Haftmaterial erlangt der Schleifstein Elastizität
und wird der Stoß, wenn der Schleifstein 13 und
der Wafer 2 miteinander in Kontakt gelangen, abgeschwächt.
Dadurch kann die Rückfläche 2b des Wafers 2 zu
einer hohen Genauigkeit bearbeitet werden. Der Steinteil 13a des Schleifsteins 13 weist
eine gegenüberliegende Beziehung zur Rückfläche 2b des
durch Adsorption auf der Drehscheibe 7 gehaltenen Wafers 2 auf.
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Als
nächstes umfasst das Vorschubmittel 4 zum Schleifvorschub
des Schleifmittels 3 eine Kugelgewindespindel 14 usw.
Die Kugelgewindespindel 14 wird durch eine Zufuhrsteuereinheit
(später beschrieben) von einem Motor (nicht gezeigt) angetrieben. Dann
kann der Schleifstein 13 in Bezug auf den Wafer 2 in
die Richtung Z bewegt werden. Daher kann die Rückfläche 2b des
Wafers 2 durch das Vorschieben des Schleifsteins 13 in
einen Druckkontakt mit der Rückfläche 2b des
Wafers 2 mit dem Schleifstein 13 geschliffen werden.
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Die
Kugelgewindespindel 14 ist an einer L-förmigen
Säule 10 fixiert. Obwohl die Säule 10 der Schleifvorrichtung 1 vom
fixierten Typ ist, kann sie alternativ auch vom beweglichen Typ
sein.
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Die
Schleifvorrichtung 1 zum Feinschleifen, die wie oben beschrieben
gestaltet ist, umfasst ein Feststellmittel 15 als ein Steuersystem,
wie etwa eine Leistungssteuerung, um die Dicke des Wafers 2,
der durch Adsorption auf der Drehscheibe 7 gehalten wird,
während des Feinschleifprozesses in Echtzeit festzustellen,
um die Dicke des Wafers 2 zu messen. Ein Beispiel für
das Feststellmittel 15 ist eine Kontakt-Dickenmesseinrichtung
wie etwa eine prozessinterne Messeinrichtung.
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Bei
der prozessinternen Messeinrichtung handelt es sich um das, was
als Berührungssensor vom Kontakttyp bezeichnet wird. Die
Veränderung in der Sonde, die einen Kontaktgeber bildet,
wird durch einen Differentialtransformator in ein Spannungssignal
umgewandelt, und auf Basis des so umgewandelten Spannungssignals
werden die Abstände zwischen der oberen Fläche
der Drehscheibe 7 und der Rückfläche 2b des
Wafers 2 (P1–P2), d. h., die Dicken des Wafers 2 und
des Schutzfilms 5, in Echtzeit gemessen.
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Das
Steuersystem der Schleifvorrichtung 1 umfasst eine Steuereinheit 16,
in der ein Signal, das mit der tatsächlichen Messung (P1–P2)
verbunden ist, durch die Vorschubsteuereinheit 17 passend
vom Feststellmittel 15 zum Messen der Dicke des Wafers 2 abgerufen
wird, um den Motor des Vorschubmittels 4 zu steuern. Dann
wird das Steuersignal unter Bezugnahme auf die Messdaten der Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung 20 (siehe 3)
an den Motor des Vorschubmittels 4 angelegt, um die Enddicke
des Wafers 2 fein zu regulieren. Ein Beispiel für
die Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung 20 kann übrigens
ein IR(Infrarotstrahl)-Sensor sein, in dem die Eigenschaft des Infrarotlichts,
das sich durch Metalle und Kunststoffe fortpflanzt, ausgenutzt wird,
wobei die Reflexionszeit des Infrarotlichts, das an der Grenzfläche zwischen
dem Wafer 2 und dem Schutz 5 reflektiert wird,
gemessen wird, um dadurch die Dicke des Wafers als Einheit zu messen.
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Unter
Bezugnahme auf die wie oben beschrieben gestaltete Schleifvorrichtung 1 werden nachstehend
die Prozesse des Schleifens und des Beurteilens der Schleifqualität
zur Zeit der Schleiftätigkeit erklärt.
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Zuerst
wird der Wafer 2 auf der Schleifvorrichtung (nicht gezeigt)
zum Grobschleifen angeordnet und dadurch grob geschliffen. Während
des Grobschleifprozesses wird die Waferdicke durch ein anderes Detektionsmittel,
das eine ähnliche Gestaltung wie das Detektionsmittel 15 der
Schleifvorrichtung 1 zum Feinschleifen aufweist, in Echtzeit
gemessen.
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In
diesem Grobschleifprozess werden die verwendete Schleifflüssigkeit
und der erzeugte Schleifschlamm von der geschliffenen Fläche
des Wafers 2 entfernt, wonach die Dicke des Wafers 2 unter
Verwendung der Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung 20 (3)
gemessen wird. Die sich ergebenden Messdaten werden zur Steuereinheit 16 der Schleifvorrichtung 1 zum
später beschriebenen Feinschleifen gesendet.
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Wie
oben beschrieben wird die Dicke des Wafers 2 in der Schleifvorrichtung
zum Grobschleifen nach dem Grobschleifprozess gemessen, weshalb sie
mit der Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung 20 ohne Einfluss
durch die Schleifflüssigkeit oder den Schleifschlamm genau
gemessen werden kann.
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Da
auf diese Weise die genaue Dicke des Wafers 2 nach dem
Grobschleifprozess erfasst werden kann, kann der Wafer 2 durch
eine Schleifvorrichtung 1 zum Feinschleifen zur Zieldicke
geschliffen werden.
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Nach
dem Grobschleifprozess wird der Wafer 2 wie in 1 gezeigt
an der oberen Fläche der Drehscheibe 7 der Feinschleifvorrichtung 1 gehalten, wobei
der Schutzfilm 5 an der Fläche 2a des
Wafers 2 angebracht und nach unten gerichtet ist.
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Als
nächstes wird einerseits der Wafer 2 durch den
Motor 6 gedreht und andererseits der Schleifstein 13 des
Schleifmittels 3, das am Vorschubmittel 4 am vorderen
Ende der Säule 10 angebracht ist, durch den Motor 11 gedreht.
Dann wird der Motor 11 als Reaktion auf einen Steuerbefehl,
der von der Vorschubsteuereinheit 17 ausgegeben wird, mit
Leistung versorgt, so dass die Kugelgewindespindel 14 angetrieben
wird und der Schleifstein 13 nach unten bewegt wird.
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Während
der Steinabschnitt 13a des Schleifsteins 13 mit
der Rückfläche 2b des Wafers 2 in
Kontakt gebracht ist, wird der Schleifstein 13 mit jeder Umdrehung
der Drehscheibe 7 um ein vorbestimmtes Schneideausmaß nach
unten bewegt, wodurch der Feinschleifprozess durchgeführt
wird.
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Während
des oben beschriebenen Feinschleifprozesses wird die Dicke des Wafers 2,
der durch Adsorption auf der Drehscheibe 7 gehalten wird,
mit der prozessinternen Messeinrichtung in Echtzeit gemessen, indem
das Feststellmittel 15 ein Signal, das mit dem Abstand
(P1–P2) zwischen der oberen Fläche der Drehscheibe 7 und
der Rückfläche 2b des Wafers 2 verbunden
ist, geeignet erfasst. Dieses mit dem Abstand (P1–P2) verbundene
Signal wird zur Vorschubsteuereinheit 17 gesendet, um den Motor
des Vorschubmittels 4 der Steuereinheit 16 zu steuern.
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Die
Vorschubsteuereinheit 17 wird mit den Messdaten hinsichtlich
der Dicke des Wafers 2, die unter Verwendung der Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung 20 nach
dem Grobschleifprozess gemessen wurde, versorgt.
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Als
Ergebnis sendet die Vorschubsteuereinheit 17 das Steuersignal
zum Motor des Vorschubmittels 4, um die Feinregulierung
der Enddicke des Wafers 2 auf Basis der Dickenmessdaten
des Wafers 2, die unter Verwendung der Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung 20 erhalten
wurden, und des durch die prozessinterne Messeinrichtung gemessenen
Abstands (P1–P2) zwischen der oberen Fläche der Drehscheibe 7 und
der Rückfläche 2b des Wafers 2 gemäß dem
Fortschritt des Feinschleifprozesses durchzuführen, wodurch
das Feinschleifen des Wafers 2 zur Zieldicke möglich
gemacht wird.
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Nach
dem normalen Abschluss des Schleifprozesses an der Rückfläche 2b auf
die oben beschriebene Weise wird der Schleifstein 13 vom
Wafer 2 nach hinten bewegt und der Motor 11 angehalten, um
die Drehung des Schleifsteins 13 anzuhalten. Dadurch wird
der Schleifprozess durch die Schleifvorrichtung 1 beendet.
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Nach
dem Schleifprozess wird der Polierprozess durch eine nicht gezeigte
Poliervorrichtung ausgeführt, wobei der Wafer 2 auf
der Drehscheibe 7 fixiert gehalten wird, um dadurch die
beschädigte Schicht usw. zu entfernen. Als Ergebnis werden Bruchschäden
wie eine unzulässige Rissbildung des Wafers 2 verhindert.
Der Wafer 2, der somit vollständig geschliffen
ist, wird von der Drehscheibe 7 abgenommen und zum nächsten
Schritt wie etwa dem Waferverarbeitungsschritt zur Beschichtung
und Zerlegung in Rohchips überführt.
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Wie
oben beschrieben wird beim Schleifprozess für den Wafer 2 nach
dieser Ausführungsform zuerst der Grobschleifprozess ausgeführt
und danach die Dicke des Wafers durch die Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung 20 gemessen,
worauf der abschließende Feinschleifprozess folgt. Die
geschliffene Fläche des Wafers 2 wird daher anders
als während des Schleifprozesses nicht durch die verwendete
Schleifflüssigkeit oder den erzeugten Schleifschlamm beeinträchtigt.
Daher kann die Dicke des Wafers 2 allein mit der Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung 20 genau
gemessen werden.
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Trotz
des Umstands, dass die Kontakt-Dickenmesseinrichtung während
des Feinschleifprozesses verwendet wird, macht es die Verwendung der
Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung 20 zum Messen der Dicke
nur des Wafers 2 vor dem Feinschleifprozess möglich,
den Wafer 2 mit hoher Genauigkeit ohne den Einfluss durch
das Schutzband zur Zieldicke zu schleifen.
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Übrigens
kann die Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung 20 durch eine
Isolierung von der umgebungsbedingten Verschmutzung während
des Schleifprozesses vor einem Verschmutzen oder einem Defekt geschützt
werden.
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Diese
Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen
beschränkt. Zum Beispiel kann anstelle der prozessinternen
Messeinrichtung, die als Detektionsmittel 15 verwendet
wird, jedes beliebige andere Messmittel, das fähig ist,
die Position der Rückfläche des an der Drehscheibe 7 fixierten
Wafers 2 zu messen, mit der gleichen Wirkung verwendet
werden.
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Und
obwohl die Dicke in der oben beschriebenen Ausführungsform
durch die Nichtkontakt-Dickenmesseinrichtung 20 nach dem
Grobschleifprozess an der Grobschleifwelle gemessen wird, kann sie
alternativ mit der gleichen Wirkung vor dem Feinschleifprozess an
der Feinschleifwelle gemessen werden.
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Obwohl
die Erfindung unter Bezugnahme auf bestimmte Ausführungsformen,
die zu Erläuterungszwecken gewählt wurden, beschrieben
wurde, sollte Fachleuten offensichtlich sein, dass daran zahlreiche Abwandlungen
vorgenommen werden könnten, ohne vom grundlegenden Konzept
und vom Umfang der Erfindung abzuweichen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 2007-335458 [0005, 0006, 0011]
- - JP 2007-113980 [0007, 0008]