DE60011822T2

DE60011822T2 - Verfahren zum Positionieren von Schleifscheiben

Info

Publication number: DE60011822T2
Application number: DE60011822T
Authority: DE
Inventors: Mark Andrew Stocker
Original assignee: Unova UK Ltd
Current assignee: Intermec Europe Ltd
Priority date: 1999-07-03
Filing date: 2000-04-20
Publication date: 2004-12-02
Anticipated expiration: 2020-04-21
Also published as: JP2003503225A; DE60009506T2; US6881130B1; TW448087B; EP1260312A1; DE60009506D1; GB2351684A; EP1200228A1; EP1200228B1; WO2001002133A3; EP1260312B1; WO2001002133A2; DE60011822D1; GB9915557D0; GB2351684B

Description

Gebiet der Erfindung
Diese Erfindung betrifft Verfahren zum Positionieren von Schleifscheiben gegenüber scheibenartigen, kreisförmigen Wafern zum Herstellen von genauen Umfangsprofilen.
Vorgeschichte der Erfindung
Die vorliegende Erfindung strebt das Ausbilden eines Verfahrens an, mit dem der Gesamtdurchmesser eines Wafers auf Sollgenauigkeit, im typischen Fall besser als 10 Mikron, geschliffen wird.
Es ist beabsichtigt, daß das Verfahren sich sowohl bei Einschnitt- als auch bei Kantenschleifvorgängen anwenden läßt, die beide beim Schleifen von Wafern anwendbar sind.
Das Umfangsprofil eines Halbleiterwafers ist im typischen Fall im Schnitt dreieckig, wobei der Scheitel des Dreiecks gegenüber den beiden ebenen Seiten des Wafers genau positioniert ist. Im typischen Fall soll die Lage des Scheitels oder des Kamms des dreieckigen Querschnitts gegenüber der Stärke des Wafers, die selbst sehr genau gesteuert wird, besser als 10 Mikron sein.
Kantenschleifen wird unter Verwendung von genuteten Schleifscheiben durchgeführt mit Grob-, Halbfertig- und Fertigschleifen des Kantenprofils. In einer letzten Fertigungsstufe wird das Profil dann poliert.
Ein kleiner Einschnitt wird normalerweise an einer Steile am Umfang eines solchen Halbleiterwafers ausgebildet, und im typischen Fall erfolgt dies unter Verwendung einer anderen genuteten Schleifscheibe, wenn auch mit sehr geringem Durchmesser.
Allgemein gesprochen ist es auch wichtig, daß das Kantenprofil auf der Innenseite des Einschnitts genau fortgesetzt wird.
Das Gesamtverfahren umfaßt im typischen Fall die Stufe des Grobschleifens des Umfangs eines Wafers zum Ausbilden von zwei kegelstumpfförmigen Flächen, die zu einem ringförmigen Kamm konvergieren, der den maximalen Gesamtdurchmesser des Wafers bestimmt, die Stufe des Halbfertigschleifens auf Maß und die Stufe des Fertigschleifens auf geringe Toleranzen und schließlich das Polieren der geschliffenen Flächen.
Da beim Polieren tatsächlich kein Material verlorengeht und ein Feinschleifen fast Polieren ist, ist es wichtig, daß beim Grob- und beim Halbfertigschleifen die beiden kegelstumpfförmigen Flächen so genau wie möglich gegenüber den Seiten des Wafers positioniert werden und dadurch die Lage des von den beiden konvergierenden Flächen bestimmten ringförmigen Kamms auf das erforderliche Maß an Genauigkeit gegenüber der Stärke des Wafers positioniert wird.
In einer früheren Anmeldung EP-A-0 904 893 der Anmelderin wird ein Schleifverfahren offenbart, bei dem eine genutete Schleifscheibe den Rand eines Wafers im Einstechverfahren zum Ausbilden von zwei kegelstumpfförmigen Flächen schleift und das Kantenprofil zum Bestimmen der Genauigkeit in bezug auf eine Lehre inspiziert wird. In dem Druckstück findet sich jedoch nichts im Hinblick auf irgendein sich anschließendes Einstellen der Schleifscheibe.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung liegt in dem Ausbilden eines Verfahrens zum Positionieren einer genuteten Schleifscheibe gegenüber einem Wafer zum Schleifen von kegelstumpfförmigen Flächen an der Kante des Wafers zum Ausbil den eines ringförmigen Kamms und zu dessen genauem Positionieren gegenüber der Stärke des Wafers.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung liegt in dem Ausbilden eines Verfahrens, das unabhängig davon angewendbar ist, ob die Schleifscheibe in situ gestaltet oder neugestaltet wird oder vor dem Neugestalten von der Maschine abgenommen werden muß.
Zusammenfassende Beschreibung der Erfindung
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren vorgesehen zum Positionieren einer genuteten Schleifscheibe gegenüber einem scheibenartigen, kreisförmigen Wafer zum Kantenschleifen des letzteren unter Verwendung der Nut in der Scheibe zum Erzeugen von zwei konvergierenden, kegelstumpfförmigen Oberflächen am Rand des Wafers mit den Stufen des Halterns des Wafers zwecks Drehung um eine erste Achse, Halterns der genuteten Schleifscheibe zwecks Drehung um eine zweite parallele Achse, Bewirkens einer Relativbewegeung zwischen dem Wafer und der Scheibe zum Erfassen des Randes des Wafers in der Nut der Scheibe, gekennzeichnet durch die weiteren Stufen des Ausführens eines vorläufigen Schliffs, Trennens der Scheibe von dem Wafer, Messens des vorläufigen Schliffs im Umfangsrand des Wafers zum Bestimmen der Genauigkeit von dessen Form gegenüber einer Lehre oder sich auf die Sollform beziehender gespeicherter Daten, axialen Verschiebens der Position der Scheibe und damit der Nut nach Maßgabe der am Profil des durch den vorläufigen Schliff erzeugten Randes gemachten Messungen, erneuten Schleifens des Randes mit einem zweiten vorläufigen Schliff mit der an der axial versetzten Position angeordneten Schleifscheibe, Messens des Profils des geschliffenen Randes wie zuvor, Wiedereinstellens der axialen Position der Schleifscheibe, erneuten Schleifens des geschliffenen Umfangs des Wafers und Wiederholens der Meß- und axialen Verschiebungsstufen, bis das Randprofil die Sollgenauigkeit aufweist, und Verwendens der Endposition der genuteten Schleifscheibe zum Schleifen zukünftiger Wafer, wobei eine Aufeinanderfolge von vorläufigen Schliffen einer nach dem anderen am Umfang des Randes des Wafers mit einer geringen axialen Verschiebung der Schleifscheibe zwischen jedem vorläufigen Schliff ausgeführt wird, wobei jeder vorläufige Schliff über nur einem kleinen Bogenabschnitt des Gesamtumfangs des Randes durchgeführt wird, die Drehstellung jedes vorläufigen Schliffs und die entsprechende Axialstellung der genuteten Schleifscheibe vermerkt und für künftigen Bezug abgespeichert wird und das mit jeder Aufeinanderfolge der vorläufigen Schliffe erreichte Profil gemessen wird und die Axialstellung für künftige Schliffe durch Bezug auf das bei jedem der verschiedenen vorläufigen Schliffe erzielte Ergebnis bestimmt wird durch Auswählen der Axialstellung der Scheibe, die das beste Profil ergab.
Jeder vorläufige Schliff kann gemessen werden, während der Wafer noch in der Schleifstation gehaltert ist, oder der Wafer kann abgenommen und zum Messen des vorläufigen Schilffs zu einer Inspektionsstelle gebracht werden.
Da die Position des Kamms gegenüber den beiden Flächen des Wafers (für jede gegebene Axialstellung der genuteten Schleifscheibe) gleich und unabhängig von der Menge des von der Kante des Wafers entfernten Materials ist, ist die oben beschriebene bevorzugte Abwandlung von besonderem Vorteil, da nur eine kleine radiale Auslenkung in den Umfang des Wafers vorgenommen werden muß zum Durchführen jedes vorläufigen Schliffs für die sich anschließenden Messungen am geschliffenen Profil zur Feststellung, ob die Position der genuteten Schleifscheibe richtig ist oder nicht.
Vorzugsweise greift jeder vorläufige Schliff nicht in die Endgröße des Wafers ein, so daß nach dem Vervollständigen einer Aufeinanderfolge von vorläufigen Schliffen und der Auswahl der richtigen Position für die genutete Schleifscheibe eine auf dem Wafer durchgeführte endgültige Schleifstufe das Schleifen des Wafers auf Maß zuläßt mit richtiger Anordnung des Umfangsprofils zu den beiden Parallelflächen des Wafers.
Das Verfahren kann zum Positionieren von Kanten- und Einschnittschleifscheiben verwendet werden.
Insbesondere eignet sich die Erfindung zum Positionieren von Schleifscheiben, die nicht in situ gestaltet und neugestaltet werden können, insbesondere metallgebundenen Scheiben.
Die Erfindung ist von Vorteil, da sie zum Öffnen einer harzgebundenen Scheibe verwendet werden kann, so daß durch diese nach dem richtigen Schleifen der ersten Nut nach einem Gestalten oder Neugestalten ein besserer Feinschliff erreicht wird. Dies ergibt sich aus der Tatsache, daß die Nutenformstufe beim Formen einer Nut in einer gebundenen Scheibe die Oberfläche der Nut in einem verhältnismäßig glatten Zustand beläßt, wobei der Schleifabrieb, der die kegelstumpfförmigen Flächen der Waferkante in Wirklichkeit schleift, unter dem glatten Bindematerial begraben bleibt. Nur nach der Verwendung der genuteten Scheibe zum Schleifen des Umfangs eines Wafers wird das weniger harte Bindematerial weggerieben und der Schleifabrieb freigelegt. Die anfängliche Schleifstufe ist als Konditionieren bekannt, und das Verfahren wird als Öffnen (opening up) der Scheibe beschrieben. Bei harzgebundenen Scheiben ist dies von besonderer Bedeutung. Es kann aber auch bei mit glasartigem Material gebundenen Scheiben eingesetzt werden.
Die Aufeinanderfolge der vorläufigen Schliffe setzt den Schleifabrieb auf den Oberflächen der Nut in der Schleifscheibe frei und konditioniert die Nut, so daß bei der Verwendung der Scheibe zum Schleifen des Umfangs der Scheibe auf Maß die Oberflächen der Nut in der Schleifscheibe offen sind, der Schleifabrieb freigelegt wird und sich ein richtiges Schleifen des Kantenprofils einstellt. Der Vorgang des Ausführens einer Aufeinanderfolge von flachen bogenförmigen Schliffen an einem Wafer, wie dies vorstehend beschrieben wurde, wird Kriechgangschleifverfahren genannt, und durch Durchführung eines solchen Kriechgangschleifverfahrens wird der mit dem Schleifvorgang verbundene, insgesamt auftretende Lärm herabgesetzt.
Ein Kriechgangschleifen zum Konditionieren einer genuteten Scheibe ist bei einer im allgemeinen einen sehr kleinen Durchmesser aufweisenden harzgebundenen Nutenschleifscheibe von besonderer Bedeutung.
Bei scheibenartigen kreisförmigen Wafern aus Halbleitermaterial, insbesondere Silicium, ist die Erfindung von besonderer Bedeutung.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Die Erfindung wird nun an einem Beispiel unter Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben. Dabei ist:
1 im vergrößerten Maßstab ein Schnitt mit Darstellung eines Teils des Kantengebiets eines Halbleiterwaferwerkstücks,
2 eine Aufsicht auf ein kreisförmiges Werkstück, an dessen Umfang eine Reihe von vorläufigen Schliffen unter Verwendung der gleichen genuteten Schleifscheibe durchgeführt wurde, wobei aber die Scheibe zwischen jedem Schliff um eine kleine Strecke axial verschoben wurde,
3 eine perspektivische Ansicht mit Darstellung einer kreisförmigen Elektrode und einer Einschnittschleifscheibe auf einer und einer Kantenschleifscheibe auf der anderen Seite mit einer Darstellung dazu, wie Nuten in beiden Schleifscheiben unter Bearbeitung mit elektrischer Entladung gestaltet und neugestaltet werden können,
4 eine perspektivische Darstellung einer bogenförmigen Elektrode, die zum Gestalten und Neugestalten des Umfangs einer kantenformenden Scheibe, die auf der Arbeitsspindel einer Kantenschleifmaschine gehalten wird, durch Bearbeiten mit elektrischer Entladung verwendet werden kann.
Einzelbeschreibung der Zeichnungen
1 zeigt eine Ansicht eines Teils eines scheibenartigen Wafers aus Halbleitermaterial, aus dem Halbleiterchips unter Verwendung der Techniken der Elektronenstrahlmikrobearbeitung (EBMF) oder dergleichen hergestellt werden. Zum genauen Anordnen eines solchen Wafers in einer EBMF-Maschine erhält der Umfang der Scheibe einen dreieckigen Querschnitt aus zwei kegelstumpfförmigen Flächen 12 und 14, die sich an einem ringförmigen Kamm 16 treffen. Dessen Lage gegenüber den ebenen Flächen 18 und 20 der Scheibe 10 muß im typischen Fall genau innerhalb von zehn Mikron liegen, so daß die Strecken a und b von einem Wafer zum anderen auf einem vorgegebenen Genauigkeitsmaß gehalten werden.
2 ist eine Aufsicht auf eine Seite des Wafers 10 mit Darstellung der vollständigen, zwischen der Fläche 20 und dem Umfangsrand 16 verlaufenden ringförmigen, kegelstumpfförmigen Fläche 14 nach Durchführen einer Reihe von Kriechgangschliffen an der Kante der Scheibe, wie sie mit 22, 24, 26 bzw. 28 bezeichnet sind. Sie werden durch Einlegen des Randes des Wafers 10 in eine Nut einer genuteten Schleifscheibe erreicht, die um eine zu der Achse 30, um die der Wafer 10 rotieren kann, parallele Achse mit hoher Geschwindigkeit rotiert, und zusätzliches Drehen der Scheibe 10 während der Anlage in der Nut der Schleifscheibe über eine kleine bogenförmige Strecke, wie sie in 2 als X gezeigt wird.
Auf diese Weise wird ein Teil des Kantengebiets durch die Nute in der Schleifscheibe weggeschliffen und erscheint als geschliffenes Gebiet 22 über dem bogenförmigen Bereich der Anlage des Randes der Scheibe mit der Schleifscheibe während des zusätzlichen Schliffs. Gemäß dem bevorzugten Verfahren nach der Erfindung wird die Scheibe ausgerückt, während der Wafer über eine weitere bogenförmige Strecke Y, die bei Bevorzugung sehr klein sein kann, weitergedreht wird, und nach axialem Verschieben der Schleifscheibe gegenüber dem Werkstück wird die Kante des Wafers wieder von der Nut in der Schleifscheibe erfaßt und ein weiteres Gebiet (24) des Randes geschliffen. Im typischen Fall sind die bogenförmigen Erstreckungen jedes geschliffenen Gebiets 22, 24 usw. einander ähnlich, und die Abstände zwischen aufeinanderfolgenden geschliffenen Gebieten sind einander auch ähnlich.
Obwohl nach den Angaben in 2 eine der bogenförmigen Erstreckung jedes der geschliffenen Gebiete ähnliche Erstreckung vorliegt, können die die verschiedenen geschliffenen Gebiete trennenden Gebiete bei Ausbilden einer großen Anzahl am Umfang der Scheibe unendlich klein sein.
In 2 trägt die genutete Schleifscheibe das Bezugszeichen 32 und seine Achse das Bezugszeichen 34.
Die Drehrichtung der Scheibe 10 wird mit dem Pfeil 36 und eine typische Drehrichtung der Schleifscheibe 32 wird mit dem Pfeil 38 bezeichnet.
Die Bewegung der Scheibe 32 gegenüber der Scheibe 10 zum Anlegen und Lösen der Nut in der Scheibe mit der Kante der Scheibe wird mit dem Pfeil 40 bezeichnet, und die in 2 in gestrichelten Linien gezeigte Nut trägt das Bezugszeichen 42.
Die Scheibe 32 weist einen verhältnismäßig großen Durchmesser auf und dient zum Schleifen des Umfangs der Scheibe 10, wie dies beschrieben wurde.
Halbleiterwafer verlangen im allgemeinen das Ausbilden eines Einschnitts an einer Stelle in ihrem Umfang, und ein solcher Einschnitt wird in 2 bei 44 gezeigt. Der Einschnitt wird mit einer Schleifscheibe mit kleinem Durchmesser ausgebildet, und die Vorschriften für die meisten Wafer sehen vor, daß er über einander ähnliche glatte, kegelstumpfförmige Flächen in jede Seite des Wafers übergehen. Eine solche Fläche trägt in 2 das Bezugszeichen 46. Zu diesem Zweck wird der Einschnitt 44 vorzugsweise mit einer genuteten Schleifscheibe, wie zum Beispiel 48, mit einer Nut mit kleinem Durchmesser verwendet, wie bei 50 in ge strichelten Linien gezeigt wird. Durch Ausbilden der Nut mit kegelstumpfförmigen Flächen, die zu den kegelstumpfförmigen Flächen am Einschnitt komplementär sind, führt die Anlage der Scheibe 50 am Wafer und das Schleifen eines Einschnitts zum Ausbilden von zweckentsprechenden kegelstumpfförmigen Flächen durch den Schleifvorgang am Einschnitt selbst.
Der Winkel zwischen den beiden Flächen der Nut in der Scheibe 32 und in der Scheibe 48 ist vorzugsweise so, daß die von den beiden Scheiben geschiffenen Flächen, die eine am Umfang und die andere am Einschnitt, im wesentlichen gleich sind.
3 zeigt in der Perspektive die Kantenschleifscheibe 32 und die Einschnittschleifscheibe 48 von 2, und in jedem Fall kann die Nut in der Oberfläche der Scheibe bei 42 im Fall der größeren Scheibe 32 und bei 50 im Fall der kleineren Einschnittschleifscheibe 48 gesehen werden.
Die Achse, um die sich die Kantenschleifscheibe 32 dreht, trägt in 2 das Bezugszeichen 34, und die Achse, um die sich die Einschnittschleifscheibe dreht, trägt in 3 das Bezugszeichen 52.
Die Achse, um die sich eine Scheibe, die kanten- und einschnittgeschliffen wird, dreht, trägt in 3 das Bezugszeichen 54.
Der scheibenartige Gegenstand 56 in 3 könnte als das Werkstück angesehen werden. Gemäß einem anderen Merkmal der Erfindung kann es sich auch um eine aus einem leitenden Metall bestehende Scheibe handeln, die eine mit elektrischer Entladung arbeitende Bearbeitungselektrode bildet. Die Abmessungen und die Umfangsform sind im wesentlichen die gleichen wie bei dem in 1 gezeigten scheibenartige Werkstück mit der Ausnahme, daß der Rand sehr genau mit dem gewünschten dreieckigen Querschnitt ausgebildet wird, wobei der Scheitel des Dreiecks gegenüber den beiden parallelen Seiten der Elektrode genau an der richtigen Stelle liegt. Durch Bewegen der Scheibe 32 zum Einführen der Kante der Elektrode 56 in die Nut 42 erfolgt eine Bearbeitung durch elektrische Entladung bei Drehen der beiden Gegenstände unter der Annahme, daß ein passender elektrischer Strom über den Spalt fließt.
Auf ähnliche Weise kann die Nut 50 in der den kleineren Durchmesser aufweisenden Einschnittschleifscheibe 48 ausgebildet werden.
Die Scheibe 46 kann dauerhaft auf einer Arbeitsspindel in einer Kantenschleifmaschine oder am Werkstückhalter angebracht werden. Dies ist zum Beispiel ein Unterdruckspannfutter.
An der Rückseite dieses Unterdruckspannfutters kann nach der Darstellung in 4 eine Formscheibe befestigt werden. Hier wird die Scheibe nur teilweise bei 58 gezeigt. Im wesentlichen ist es eine kreisförmige Scheibe, deren Querschnitt dem in 1 für das Werkstück gezeigten Querschnitt ähnlich ist. Die Kante der Scheibe 58 ist mit einem ähnlichen, allgemein mit 60 bezeichneten dreieckigen Querschnittsprofil ausgestattet. Dieses ist dem am Werkstück auszubildenden Kantenprofil ähnlich. Aus Gründen der Zweckmäßigkeit und zur maximalen Genauigkeit und Geschwindigkeit kann die Nut 42 in der Kantenformscheibe 32 nach 3 in situ durch einfaches Verschieben der Scheibe 32 in Axialrichtung gestaltet und neugestaltet werden, so daß die Nut 42 mit der Formscheibe 58 ausgerichtet ist, und die beiden Scheiben werden zusammengeführt, so daß der Umfang 60 der Formscheibe 58 zum Ausbilden der Nut 42 an erster Stelle das Material entfernt oder die Nut einfach neugestaltet, wie dies bei Abnutzung der Scheibe 32 erforderlich wird.
Der dreieckige Querschnitt der Kante der Formscheibe kann selbst in situ durch Bearbeitung mit elektrischer Entladung gestaltet und neugestaltet werden mit Verwendung einer bogenförmigen Elektrode 62, in deren gebogener Oberfläche 64 eine komplementäre Nut 66 ausgebildet ist, deren Querschnitt dem dreieckigen Querschnitt des in 1 gezeigten Werkstücks ähnlich ist, der um die Formscheibe 58 herum in dem mit 60 bezeichneten Gebiet ausgebildet werden soll. Der Vorgang der elektrischen Entladung wird durch Ausbilden eines elektrischen Stroms in bekannter Weise zwischen der Elektrode 62 und der Formscheibe 58 durchgeführt, und zu diesem Zweck muß die Formscheibe leitend sein und ist im typischen Fall eine metallgebundene Scheibe.

Claims

Ein Verfahren zum Positionieren einer genuteten Schleifscheibe (32) gegenüber einem scheibenartigen, kreisförmigen Wafer (10) zum Kantenschleifen des letzteren unter Verwendung der Nut (42) in der Scheibe zum Erzeugen von zwei konvergierenden, kegelstumpfförmigen Oberflächen am Rand (16) des Wafers mit den Stufen des Halterns des Wafers zwecks Drehung um eine erste Achse (30), Halterns der genuteten Schleifscheibe zwecks Drehung um eine zweite parallele Achse (34), Bewirkens einer Relativbewegeung (40) zwischen dem Wafer und der Scheibe zum Erfassen des Randes des Wafers in der Nut der Scheibe, gekennzeichnet durch die weiteren Stufen des Ausführens eines vorläufigen Schliffs, Trennens der Scheibe von dem Wafer, Messens des vorläufigen Schliffs im Umfangsrand des Wafers zum Bestimmen der Genauigkeit von dessen Form gegenüber einer Lehre oder sich auf die Sollform beziehender gespeicherter Daten, axialen Verschiebens der Position der Scheibe und damit der Nut nach Maßgabe der am Profil des durch den vorläufigen Schliff erzeugten Randes gemachten Messungen, erneuten Schleifens des Randes mit einem zweiten vorläufigen Schliff mit der an der axial versetzten Position angeordneten Schleifscheibe, Messens des Profils des geschliffenen Randes wie zuvor, Wiedereinstellens der axialen Position der Schleifscheibe, erneuten Schleifens des geschliffenen Umfangs des Wafers und Wiederholens der Meß- und axialen Verschiebungsstufen, bis das Randprofil die Sollgenauigkeit aufweist, und Verwendens der Endposition der genuteten Schleifscheibe zum Schleifen zukünftiger Wafer, wobei eine Aufeinanderfolge von vorläufigen Schliffen (22, 24, 26 und 28) einer nach dem anderen am Umfang des Randes (16) des Wafers (10) mit einer geringen axialen Verschiebung der Schleifscheibe (32) zwischen jedem vorläufigen Schliff ausgeführt wird, wobei jeder vorläufige Schliff über nur einem kleinen Bogenabschnitt (22–28) des Gesamtumfangs des Randes durchgeführt wird, die Drehstellung jedes vorläufigen Schliffs und die entsprechende Axialstellung der genuteten Schleifscheibe vermerkt und für künftigen Bezug abgespeichert wird und das mit jeder Aufeinanderfolge der vorläufigen Schliffe erreichte Profil gemessen wird und die Axialstellung für künftige Schliffe durch Bezug auf das bei jedem der verschiedenen vorläufigen Schliffe erzielte Ergebnis bestimmt wird durch Auswählen der Axialstellung der Scheibe, die das beste Profil ergab.
Ein Verfahren nach Anspruch 1, bei dem jeder vorläufige Schliff gemessen wird, während der Wafer (10) noch in der Schleifstation gehaltert ist, oder bei dem der Wafer abgenommen und zu einer Inspektionsstelle für den zu messenden vorläufigen Schliff gebracht wird.
Ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem jeder vorläufige Schliff nicht in die Endmaße des Wafers (10) eingreift, so daß nach dem Abschluß einer Aufeinanderfolge von vorläufigen Schliffen und dem Auswählen der richtigen Stellung für die genutete Schleifscheibe (32) eine an dem Wafer durchgeführte endgültige Schleifstufe das Schleifen des Wafers auf Maß zuläßt mit gegenüber den beiden parallelen Seiten des Wafers richtig angeordnetem Umfangsprofil.
Ein Verfahren nach Anspruch 1 bis 3 zum Verwenden beim Positionieren von Schleifscheiben, insbesondere metallgebundenen Scheiben, die nicht in situ gestaltet oder neugestaltet werden können.