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HINTERGRUND
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1. Technisches Gebiet der Erfindung
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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beurteilen der Bearbeitungsgüte
für eine Waferschleifmaschine und eine Waferschleifmaschine.
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2. Beschreibung des Standes der Technik
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In
den letzten Jahren wurden Halbleiterchips (Dies) bei einem ständig
wachsenden Trend zu größerer Integration und verstärkter
Packungsdichte von Halbleiterbauelementen entsprechend dünner
gemacht. Infolgedessen wird die Rückseite des Wafers vor
dem Zerteilen mit einer Schleifvorrichtung abgeschliffen. Während
des Waferrückseitenschleifprozesses wird die Vorderseite
des Wafers durch eine an ihr angebrachte Schutzfolie geschützt.
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Ferner
ist es allgemein üblich geworden, die Rückseite
des geschliffenen Wafers zu polieren, um Verformungen zu entfernen.
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In
dem Fall, in dem der Waferrohling hart und schwer zu schleifen ist,
kann z. B. ein Schleifdefekt wie eine „Oberflächenverbrennung” oder
ein „Grat” verursacht werden, wodurch der gewünschte
Schleifprozess erschwert wird.
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Angesichts
dessen schlägt die ungeprüfte
japanische Patentanmeldung Nr. 2007-301665 ein Schleifrad
vor, das einen Schleifstein hat, der aus einem mit abschleifenden
Diamantkörnern und Mikro-Metallkügelchen vermischten
Kunstharzhaftmittel hergestellt ist.
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Die
Metallkügelchen, die andere Gegenstände verhältnismäßig
weich berühren, dienen als Puffer zwischen den abschleifenden
Diamantkörnern und dem Wafer und haben andererseits aufgrund
ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit eine Kühlfunktion.
Diese Funktionen in Verbindung mit der Trennfunktion, die durch
das Abfallen der runden Metallkugeln erzeugt wird, das wiederum
das Abfallen der Diamantschleifkörner verursacht, können
zu einem effizienten Schleifvorgang für den Wafer aus einem
schwer schleifbaren Material ohne Oberflächenverbrennung und
Gratbildung beitragen.
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Die
ungeprüfte
japanische
Patentanmeldung Nr. 2007-301665 offenbart nicht, dass die
Rückseite des Wafers zum Durchführen des gewünschten Schleifprozesses überwacht
wird.
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Falls
unerwünschtes Schleifen fortgesetzt wird, kann ein Produktdefekt
nicht vermieden werden und die Ausbeute wird verringert.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Die
Erfindung wurde vorgeschlagen, um das oben beschriebene Problem
zu verbessern, und ihre Aufgabe ist es, ein Verfahren zum Beurteilen
der Bearbeitungsgüte für eine Waferschleifmaschine
und die Waferschleifmaschine bereitzustellen, wobei die Waferrückseite
geschliffen wird, während die Waferdicke auf der Basis
des Vorschubbetrags einer Schleifvorrichtung mit der tatsächlichen
Abmessung der Waferdicke verglichen wird, um dadurch eine Bearbeitungsstörung
wie z. B. die Oberflächenverbrennung der Schleiffläche
zu beurteilen, um das Auftreten eines Produktdefekts zu verhüten.
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Um
die oben beschriebene Aufgabe zu lösen, ist gemäß einem
erstes Aspekts der Erfindung ein Verfahren zum Beurteilen der Bearbeitungsgüte zum
Vorschieben und Pressen der Schleifvorrichtung gegen die Rückseite
des Wafers vorgesehen, um dadurch die Rückseite des Wafers
zu schleifen, wobei das Waferschleifverfahren so überwacht
wird, dass die Waferdicke einerseits aus dem Vorschubbetrag der
Schleifvorrichtung erhältlich ist und andererseits entsprechend
tatsächlich gemessen wird, und durch Vergleichen der Waferdicke
auf der Basis des Schleifvorrichtungsvorschubbetrags und der Waferdicke
auf der Basis der tatsächlichen Abmessung, um dadurch die
Bearbeitungsgüte der geschliffenen Fläche des
Wafers zu beurteilen, so dass ein Befehl zum Stoppen des Schleifvorgangs
ausgegeben wird, sobald beurteilt wird, dass der Bearbeitungsprozess fehlerhaft
ist.
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Daher
kann im Waferschleifprozess ein Waferbearbeitungsfehler in Echtzeit
beurteilt werden und ein Bearbeitungs-Stopp-Befehl kann sofort ausgegeben
werden, um einen Produktdefekt zu vermeiden.
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Gemäß einem
zweiten Aspekt der Erfindung ist ein Verfahren zum Beurteilen der
Bearbeitungsgüte vorgesehen, bei dem die Waferdicke von
einem auf einen Sensor vom Berührungstyp basierenden Waferdickendetektionsmittel
vom Berührungstyp detektiert wird.
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Die
resultierende genaue Detektion der Waferdicke in Echtzeit trägt
zu einer hoch genauen Beurteilung der Bearbeitungsgüte
bei.
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Gemäß einem
dritten Aspekt der Erfindung ist eine Schleifmaschine vorgesehen,
die eine Schleifvorrichtung zum Halten und Schleifen eines Wafers,
ein Vorschubmittel zum Zuführen der Schleifvorrichtung
für den Schleifvorgang, ein Detektionsmittel zum tatsächlichen
Messen der Waferdicke, wie erforderlich, eine Recheneinheit zum
entsprechenden Überwachen der Vorschubposition der Schleifvorrichtung
durch das Vorschubmittel und zum Berechnen des Vorschubbetrags der
Schleifvorrichtung, eine Erfassungseinheit zum auf den Vorschubbetrag gestützten
Ermitteln der dem Vorschubbetrag entsprechenden Waferdicke und eine
Bearbeitungsgüte-Beurteilungseinheit zum Vergleichen der
dem Vorschubbetrag entsprechenden Waferdicke mit der tatsächlichen
Abmessung des Wafers als ein Messsignal aus dem Detektionsmittel
abgerufenen, um dadurch die Bearbeitungsgüte der geschliffenen
Oberfläche des Wafers zu beurteilen und einen Befehl zum
Stoppen des Schleifvorgangs auszugeben, sobald beurteilt wird, dass
ein Bearbeitungsfehler vorliegt.
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So
kann die dem Vorschubbetrag der Schleifvorrichtung entsprechende
Waferdicke erhalten werden. Die so erhaltene Waferdicke wird wie
erforderlich mit der tatsächlich gemessenen Waferdicke
verglichen.
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In
dem Fall, in dem ein Bearbeitungsdefekt wie z. B. eine Oberflächenverbrennung
entsteht, wird die noch zu schleifende Rückseitenfläche
verglichen mit dem Vorschubbetrag der Schleifvorrichtung vergrößert
und die tatsächliche Messung des Wafers ergibt einen anderen
Wert.
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Ein
Bearbeitungsfehler kann anhand dieser Abweichung von der tatsächlichen
Abmessung leicht erfasst werden.
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Durch
Vergleichen der Waferdicke auf der Basis des Vorschubbetrags der
Schleifvorrichtung mit der tatsächlichen Abmessung der
Waferdicke und durch Ermitteln einer Differenz zwischen diesen kann daher
ein Bearbeitungsfehler beurteilt werden und ein Befehl zum Stoppen
des Rückseitenschleifprozesses ausgegeben werden.
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Die
vorliegende Erfindung wird anhand der Beschreibung der bevorzugten
Ausführungsformen der Erfindung, wie im Folgenden dargelegt,
zusammen mit den Begleitzeichnungen eingehender verständlich.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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In
den Zeichnungen zeigt:
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1 ein
eine Systemkonfiguration der wesentlichen Teile zeigendes Diagramm
als Beispiel zur Erläuterung des erfindungsgemäßen
Verfahrens zur Beurteilung der Bearbeitungsgüte für
die Waferschleifmaschine;
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2 einen
vergrößerten Schnitt der wesentlichen Teile zur
Erläuterung eines Beispiels für den in 1 gezeigten
zu schleifenden Wafer und einer Methode zum Messen seiner Dicke;
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3 ein
Schaubild, das ein Beispiel für die Beziehung zwischen
dem Vorschubkoordinatenwert (Umwandlungswert) des Schleifsteins
und der mit einem Dickendetektionsmittel vom Berührungstyp während
des zufriedenstellenden Schleifprozesses gemessenen Waferdicke (tatsächliche
Abmessung) zeigt;
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4 ein
Schaubild, das ein Beispiel für die Beziehung zwischen
dem Vorschubkoordinatenwert (Umwandlungswert) des Schleifsteins
und der mit einem Dickendetektionsmittel vom Berührungstyp
bei Auftreten eines Bearbeitungsfehlers gemessenen Waferdicke (tatsächliche
Abmessung) zeigt.
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BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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1 zeigt
ein Beispiel für eine Halbleiterwafer-Schleifmaschine 1.
Diese Halbleiterwafer-Schleifmaschine 1 (im Folgenden als
die Schleifmaschine 1 bezeichnet) weist ein Haltemittel
(an späterer Stelle beschrieben) zum Halten eines Wafers 2, eine
Schleifvorrichtung 3 zum Schleifen des Wafers 2 und
ein Vorschubmittel 4 zum Vorschieben der Schleifvorrichtung 3 für
den Schleifvorgang auf.
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Der
Wafer 2, wie in 2 gezeigt, ist mit einem Schutzfilm 5 konfiguriert,
der an der mit z. B. einer Schaltkreisstruktur 2c ausgebildeten
Oberfläche 2a angebracht ist. Übrigens
kann der Wafer 2 alternativ so konfiguriert sein, dass
der Schutzfilm 5 an der mit der Schaltkreisstruktur 2c ausgebildeten
Vorderseite 2a angebracht ist und ferner ein Auflageelement (nicht
gezeigt) daran angebracht ist.
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Wafer 2 wird
von einem Haltemittel gehalten, das z. B. aus einer Adsorptionsplatte
(Aufspannplatte), nicht abgebildet, auf der Oberseite eines von
einem Motor 6 gedrehten Drehtisches 7 besteht. Übrigens
ist der Drehtisch 7 in Form einer Scheibe ausgebildet und
die Abtriebswelle 8 des Motors 6 ist an seiner
Unterseite auf der gleichen Achse wie die Mittelachse des Drehtisches 7 montiert.
Dieser Drehtisch 7 wird von der Antriebskraft des Motors 6 entlang
der Richtung von Pfeil A gedreht.
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Die
Dicke des Wafers 2 wird mit einem an späterer
Stelle beschriebenen Mittel gemessen. Vor dem Schleifprozess beträgt
die Dicke t1 des Wafers 2 zum Beispiel 750 μm
und die Dicke des Schutzfilms 5 beträgt etwa 100 μm.
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Die
an späterer Stelle beschriebene Schleifvorrichtung 3 wird
von dem Vorschubmittel 4 eingeschoben, während
sie mit der Rückseite 2b, die die zu schleifende
Oberfläche des Wafers 2 bildet, in Berührung
gehalten wird, so dass der Wafer 2 auf eine vorbestimmte
kleine Dicke von etwa 30 μm abgeschliffen wird.
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Die
Schleifvorrichtung 3 ist am vorderen Ende eines im Wesentlichen
L-förmigen Druckzylinders 10 angeordnet, der am
Maschinengehäuse 9 aufgestellt ist, und ist in
der Z-Richtung hin- und herbewegbar an dem Vorschubmittel 4 montiert.
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Die
Schleifvorrichtung 3 hat speziell einen am vorderen Ende
der Abtriebswelle 12 des Motors 11 montierten
Schleifstein 13, der von dem das Vorschubmittel 4 bildenden
Wellenteil (an späterer Stelle beschrieben) in Axialrichtung
bewegt wird. In dem Prozess ist die Abtriebswelle 12 des
Motors 11 auf derselben Achse wie die Mittelachse des Schleifsteins 13 an
der Oberseite des Schleifsteins 13 montiert und wird von
der Antriebskraft des Motors 11 in der Richtung von Pfeil
B gedreht.
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Der
Schleifstein 13 ist zum Schleifen der Rückseite 2b des
Wafers 2, der durch Adsorption auf dem Drehtisch 7 gehalten
wird, und ist z. B. aus einem Diamanten mit einem flüssigen
Haftmittel als Verbindungsmaterial herstellt. Aufgrund der Verwendung
des flüssigen Haftmittels als Verbindungsmaterial erhält
der Schleifstein die Elastizität, die den Stoß beim
Inkontaktkommen des Schleifsteins 13 und des Wafers 2 miteinander
dämpft. Die Rückseite 2b des Wafers 2 kann
daher auf hohe Genauigkeit bearbeitet werden. Der Schleifstein 13 hält
den Steinteil 13a in entgegengesetzter Beziehung zu der
Rückseite 2b des Wafers 2, der durch
Adsorption auf dem Drehtisch 7 gehalten wird.
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Als
nächstes weist das Vorschubmittel 4 zum Zuführen
der Schleifvorrichtung 3 während des Schleifens
des Wafers 2 eine Kugelumlaufspindel 14 usw. auf.
Die Kugelumlaufspindel 14 wird von einem Motor (nicht abgebildet)
durch eine Vorschubsteuereinheit (an späterer Stelle beschrieben)
angetrieben. Der Schleifstein 13 kann dann in der Z-Richtung
in Bezug auf den Wafer 2 bewegt werden. Durch Zuführen
des Schleifsteins 13 in Druckkontakt mit der Rückseite 2b des
Wafers 2 kann daher die Rückseite 2b des
Wafers 2 mit dem Schleifstein 13 geschliffen werden.
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Die
Kugelumlaufspindel 14 ist an einem L-förmigen
Druckzylinder 10 befestigt. Der Druckzylinder 10 ist
zwar laut dieser Ausführungsform vom unbeweglichen Typ,
kann aber alternativ auch vom beweglichen Typ sein.
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Die
wie oben beschrieben konfigurierte Schleifmaschine 1 weist
ein Detektionsmittel 15 als ein Steuersystem wie z. B.
eine Leistungssteuerung zur Detektion der Dicke des Wafers 2,
der während des Schleifprozesses durch Adsorption auf dem Drehtisch 7 gehalten
wird, in Echtzeit auf, um dadurch die Dicke des Wafers 2 zu
messen. Ein Beispiel für das Detektionsmittel 15 ist
ein auf einen Sensor vom Berührungstyp gestütztes
Dickendetektionsmittel vom Berührungstyp, wie z. B. ein
Messgerät zum Messen während der Bearbeitung.
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Das
Messgerät zum Messen während der Bearbeitung hat
einen Schütz als Sonde, dessen Änderung von einem
Differentialübertrager in ein Spannungssignal umgewandelt
wird, und auf der Basis des so umgewandelten Spannungssignals wird
die Distanz zwischen der Oberseite des Drehtisches 7 und
der Rückseite 2b des Wafers 2 (P1 – P2),
d. h. die Dicke des Wafers 2, in Echtzeit gemessen.
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Als
das Detektionsmittel 15 kann auch ein berührungsloser
Sensor eingesetzt werden.
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Ein
berührungsloser Sensor funktioniert speziell so, dass die
Zeit der Infrarotreflexion auf der Grenzfläche zwischen
dem Wafer 2 und der Schutzfolie 5 gemessen wird,
indem die Eigenschaft des Infrarotlichts, durch Metall, Glas und
Kunststoffe durchgelassen zu werden, genutzt wird. Wie in 2 gezeigt,
kann der IR-(Infrarotstrahlen-)Sensor zum Messen der Dicke t1 des
Einheitswafers verwendet werden.
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Dieser
IR-Sensor ist in die Schleifmaschine 1 eingebunden, um
ein Steuersystem zusammen mit einem Datenanalysator, einer Tischeinheit
mit einer Sonde oder einer Leistungssteuerung, nicht abgebildet,
zu bilden.
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Das
Steuersystem der Schleifmaschine 1 ist aus einer Steuereinheit 16 mit
einer Vorschubsteuereinheit 17, einer Recheneinheit 18 zum
Abrufen eines mit dem Betriebsbetrag des Motors assoziierten Signals
aus der Vorschubsteuereinheit 17 zum Steuern des Motors
des Vorschubmittels 4, um dadurch den Vorschubbetrag (den
Vorschubkoordinatenwert in Z-Richtung) der Schleifvorrichtung 3 zu
berechnen, einer Erfassungseinheit 19 zum Ermitteln der
Dicke des Wafers 2 entsprechend dem Vorschubbetrag und
einer Bearbeitungsgüte-Beurteilungseinheit 20 zum
Vergleichen der Dicke des Wafers 2 entsprechend dem Vorschubbetrag
mit dem aus dem Detektionsmittel 15 zum tatsächlichen
Messen der Dicke des Wafers 2 abgerufenen Signalwert der
tatsächlichen Abmessung (P1 – P2), um dadurch
die Bearbeitungsgüte der geschliffenen Oberfläche
des Wafers 2 zu beurteilen und einen Befehl zum Stoppen
des Rückseitenschleifvorgangs auszugeben, sobald beurteilt
wird, dass ein Bearbeitungsfehler vorliegt.
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Die
Recheneinheit 18 ermittelt den Vorschubbetrag als |Zo – Zt|
aus der Differenz zwischen der Position (Koordinatenwert Zo) der
Schleifvorrichtung 3 in der Anfangsphase des Schleifprozesses und
der Vorschubposition (Koordinatenwert Zt) zu einer seit dem Anfang
des Bearbeitungsprozesses verstrichenen beliebigen Zeit t.
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Die
Erfassungseinheit 19 andererseits entnimmt die Dicke des
Wafers 2 entsprechend |Zo – Zt| z. B. den im Voraus
gespeicherten Daten.
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In
der Bearbeitungsgüte-Beurteilungseinheit 20 wird
die Differenz Δ = |Zo – Zt| – |P1 – P2|
ermittelt, um die Dicke des Wafers 2 entsprechend dem Vorschubbetrag
mit dem aus dem Detektionsmittel 15 abgerufenen tatsächlichen
Messwert (P1 – P2) der Dicke des Wafers 2 zu vergleichen,
und überwacht, ob dieser Wert Δ innerhalb eines
vorbestimmten Bereichs liegt oder nicht. Speziell würde
eine Veränderung des Wertes Δ, falls vorhanden,
während des Schleifprozesses z. B. die Rückseite 2b des
durch den Schleifstein 13 zu bearbeitenden Wafers 2 aus
irgendeinem Grund nicht schleifen, und man kann annehmen, dass ein
Bearbeitungsfehler wie z. B. eine Oberflächenverbrennung
stattgefunden hat.
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Dann
kann die Bearbeitungsgüte-Beurteilungseinheit 20 bei
Detektion einer Veränderung des Wertes Δ einen
Befehl zum Stoppen des Betriebs der Schleifmaschine 1 geben.
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Bezüglich
der Schleifmaschine 1 mit der oben beschriebenen Konfiguration
werden unten der Schleifprozess und der während des Schleifprozesses
durchgeführte Bearbeitungsgüte-Beurteilungsprozess
erläutert.
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Zunächst,
wie in 2 gezeigt, wird der an der Oberfläche 2a des
zu bearbeitenden Wafers 2 angebrachte Schutzfilm 5 unten
angeordnet und der Wafer 2 auf der Oberseite des Drehtisches 7 gehalten.
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Als
nächstes wird einerseits der Wafer 2 von dem Motor 6 gedreht
und andererseits der Schleifstein 13 der auf dem Vorschubmittel 4 am
vorderen Ende des Druckzylinders 10 montierten Schleifvorrichtung 3 von
dem Motor 11 gedreht. Dann gibt die Vorschubsteuereinheit 17 einen
Steuerbefehl zum Zuführen von Strom zu dem Motor aus, so
dass die Kugelumlaufspindel 14 angetrieben wird und den Schleifstein 13 abwärts
bewegt.
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Der
Steinteil 13a des Schleifsteins 13 wird mit der
Rückseite 2a des Wafers 2 in Berührung
gebracht und der Schleifstein 13 wird um die Entfernung nach
unten bewegt, die einer vorbestimmten Abtragmenge pro Drehung des
Drehtisches 7 entspricht, um so die Rückseite
zu schleifen.
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Während
des oben beschriebenen Rückseitenschleifprozesses arbeitet
das Steuersystem der Schleifmaschine 1 so, dass die Position
(der Koordinatenwert in Z-Richtung) des mit der Rückseite 2b des
Wafers 2 in Berührung stehenden Steinteils 13a des
Schleifsteins 13 als ein mit dem Motorbetriebsbetrag ab
dem Start des Schleifprozesses assoziiertes Signal aus der Vorschubsteuereinheit 17 zweckdienlich
abgerufen wird, so dass der Vorschubbetrag |Zo – Zt| (Vorschubkoordinatenwert
in Z-Richtung) der Schleifvorrichtung 3 von der Recheneinheit 18 berechnet
wird.
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Dann
wird die Dicke des Wafers 2 entsprechend dem Vorschubbetrag
|Zo – Zt| von der Erfassungseinheit 19 aus den
im Voraus gespeicherten Daten entnommen.
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In
der Bearbeitungsgüte-Beurteilungseinheit 20 wird
die Differenz Δ = |Zo – Zt| – |P1 – P2|
ermittelt, um die Dicke des Wafers 2 entsprechend dem Vorschubbetrag
mit dem aus dem Detektionsmittel 15 abgerufenen tatsächlichen
Messwert (P1 – P2) der Dicke des Wafers 2 zu vergleichen,
und überwacht, ob dieser Wert Δ innerhalb eines
vorbestimmten Bereichs liegt oder nicht.
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In
dem Fall, in dem der Wert Δ im Prozess eine Veränderung
durchmacht, wird z. B. die Rückseite 2b des durch
den Schleifstein 13 zu bearbeitenden Wafers 2 aus
irgendeinem Grund nicht geschliffen und die Maschinengüte-Beurteilungseinheit 20 kann
entscheiden, dass ein Bearbeitungsfehler wie z. B. eine Oberflächenverbrennung
stattgefunden hat.
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Dann
kann die Bearbeitungsgüte-Beurteilungseinheit 20 auf
der Basis der Veränderung des Wertes Δ einen Befehl
zum Stoppen des Betriebs der Schleifmaschine 1 geben und
den Bearbeitungsprozess stoppen.
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Auf
diese Weise kann ein Maschinenfehler in der Phase des Bearbeitungsprozesses
entdeckt werden und daher kann ein Produktdefekt durch Stoppen des
Bearbeitungsbetriebs vermieden werden.
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Bei
der normalen Durchführung des Schleifens der Rückseite 2b wird
der Schleifstein 13 von dem Wafer 2 zurückbewegt
und der Motor 11 wird abgestellt, um die Drehung des Schleifsteins 13 zu stoppen.
Infolgedessen wird der Schleifprozess der Schleifmaschine 1 beendet.
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Nach
dem Schleifprozess wird der Wafer von einer Poliermaschine, nicht
abgebildet, poliert, wobei der Wafer 2 auf dem Drehtisch 7 befestigt
gehalten wird, um die beschädigte Schicht zu entfernen
usw. Infolgedessen werden Beschädigungen des Wafers 2 wie übermäßige
Rissbildung vermieden. Der fertig polierte Wafer 2 wird
von dem Drehtisch 7 entfernt und zum nächsten
Schritt wie z. B. dem Waferverarbeitungsschritt für Beschichtung
oder Zerteilung transportiert.
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Wie
oben beschrieben wird in der erfindungsgemäßen
Schleifmaschine 1 für den Wafer 2 die
Waferdicke auf der Basis des Vorschubbetrags der Schleifvorrichtung
mit der während des Bearbeitungsprozesses in Echtzeit tatsächlich
gemessenen Waferdicke verglichen. Bearbeitungsfehler wie z. B. eine
Oberflächenverbrennung der Schleiffläche können
daher sofort detektiert werden und durch Ausgeben eines Bearbeitungsstoppbefehls
kann ein Produktdefekt vermieden werden.
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3 und 4 zeigen
jetzt die Beziehung zwischen dem Vorschubkoordinatenwert (Umwandlungswert)
des Schleifsteins und dem mit einem Dickendetektionsmittel vom Berührungstyp
gemessenen Waferdickenwert (tatsächliche Abmessung).
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3 zeigt
den Zustand, in dem der Schleifprozess normal ausgeführt
wird, und 4 zeigt den Zustand, in dem
der Schleifprozess nicht normal ausgeführt wird.
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Wie
anhand der 3 und 4 leicht
verständlich ist, ist die Abweichung zwischen dem Vorschubkoordinatenwert
(Umwandlungswert) und dem mit einem Dickendetektionsmittel vom Berührungstyp
gemessenen Waferdickenwert (tatsächliche Abmessung) minimal,
solange der Schleifprozess normal ausgeführt wird, und
der Wert Δ wird daher minimal gehalten. Der Bearbeitungsprozess
kann daher, vorausgesetzt, dass der Wert Δ kleiner als
z. B. ein vorausbestimmter Wert (20 μm) ist, als zufriedenstellend
beurteilt werden.
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Wenn
ein Bearbeitungsfehler wie z. B. eine Oberflächenverbrennung
stattfindet, versteht es sich, dass eine Abweichung zwischen dem
Vorschubkoordinatenwert (Umwandlungswert) und dem von einem Dickendetektionsmittel
vom Berührungstyp gemessenen Waferdickenwert (tatsächliche
Abmessung) stattgefunden hat und der Wert Δ im Verhältnis
zur Zeit daher zunimmt. Dieser Zustand kann als ein Bearbeitungsfehler
wie z. B. eine Oberflächenverbrennung beurteilt werden.
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Die
vorliegende Erfindung ist selbstverständlich nicht auf
die oben beschriebenen Ausführungsformen begrenzt.
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Das
als Detektionsmittel 15 verwendete Messgerät zum
Messen während der Bearbeitung kann z. B. durch ein beliebiges
anderes Mittel zum Messen ersetzt werden, das die Rückseitenposition des
auf dem Drehtisch 7 befestigten Wafers 2 messen
kann.
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Die
oben beschriebenen Ausführungsformen stellen auch einen
Fall dar, in dem der IR-Sensor als ein Beispiel für ein
Detektionsmittel vom berührungslosen Typ, das das Detektionsmittel 15 bildet,
verwendet wird. Trotzdem kann aber auch jeder beliebige andere Sensor
vom berührungslosen Typ oder Sensor vom Berührungstyp,
falls möglich, der die Dicke t1 des Wafers 2 während
des Schleifprozesses als eine Einheit messen kann, mit gleicher
Wirkung eingesetzt werden.
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Die
Erfindung wurde zwar mit Bezug auf zu Veranschaulichungszwecken
gewählte spezifische Ausführungsformen beschrieben,
für fachkundige Personen sollte es aber offensichtlich
sein, dass daran zahllose Änderungen vorgenommen werden könnten,
ohne vom grundlegenden Konzept und dem Umfang der Erfindung abzuweichen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 2007-301665 [0005, 0007]